JP7300293B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子装置に係り、例えば圧電デバイス等の素子と電子部品が配設される電子装置に関する。

携帯電話や携帯情報端末機器等の電子機器には、各種素子を収容した電子部品筐体に、更にＩＣ等の電子部品を搭載した電子装置が使用されることがある。この電子装置に収容される素子としては、例えば、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等に用いられる、水晶等を利用した圧電振動片がある。

例えば、特許文献１では、素子としての圧電振動子を収容すると共に、外部に電子部品としての半導体素子が配設された電子部品収納用パッケージが提案されている。
すなわち図７に示すように、上下面に搭載部を有する平板状の第１絶縁層１０２の上面１０４側に圧電振動子１１０を配設して封止すると共に、第１絶縁層１０２の下面１０５側の外縁部に枠状の第２絶縁層１０３を形成することで、下面側に開放された凹部１５５が形成され、この凹部１５５の底面（第１絶縁層１０２の下面１０５）に半導体素子１１１を接続している。
そして、第２絶縁層１０３の下面の四角には、外部接続用の電極１１６が形成されている。

しかし、特許文献１では、基板（第１絶縁層１０２）の裏面（下面１０５）の外縁全周にわたって壁（第２絶縁層１０３）が形成され、この壁に囲まれた領域内に電子部品（半導体素子１１１）が配設されている。
このため、電子装置や電子部品筐体が小型化した場合に、搭載する電子部品の実装面積が小さくなり実装できなくなるか、または電子部品も小型化する必要があった。

特開２０１３－１１０２１４号公報

本発明は、電子装置における、電子部品用の広い実装面積を確保することを目的とする。

（１）請求項１に記載の発明では、電子部品筐体と電子部品を備える電子装置であって、前記電子部品筐体は、基板と、前記基板の表側に形成された、素子を収容する収容部と、前記基板の裏側に配置される電子部品の厚さよりも高く形成され、前記基板の裏側に外縁に沿って、その一部が破断して形成された側壁と、前記基板の裏側底面における、少なくとも前記側壁の破断によって形成された領域を含む領域に、前記電子部品の厚さよりも浅く形成された凹部と、前記側壁の前記収容部と反対側の端面に形成された外部電極端子と、前記外部電極端子と、前記収容部に収容される素子及び前記電子部品とを接続する配線と、を具備し、前記電子部品は、前記基板の裏側面に配設され、前記配線に接続されることで前記外部電極端子と接続される、ことを特徴とする電子装置を提供する。
（２）請求項２に記載の発明では、前記凹部は、配設される前記電子部品の配設領域よりも大きな領域の凹みにより形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置を提供する。
（３）請求項３に記載の発明では、前記凹部から前記基板の縁側に向けて延設して形成された凹部状の注入部と、を具備したことを特徴とする請求項２に記載の電子装置を提供する。
（４）請求項４に記載の発明では、前記凹部は、前記破断によって形成された領域の長手方向に形成された溝により形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置を提供する。
（５）請求項５に記載の発明では、前記溝は、配設される前記電子部品よりも大きな領域を囲む環状に形成されている、ことを特徴とする請求項４に記載の電子装置を提供する。
（６）請求項６に記載の発明では、前記溝は、環状内部の領域が前記基板の縁側に向けた凸部を形成している、ことを特徴とする請求項５に記載の電子装置を提供する。
（７）請求項７に記載の発明では、前記収容部は、圧電素子を収容し、封口板で封止されている、ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１の請求項に記載の電子装置を提供する。
（８）請求項８に記載の発明では、前記基板の裏側面と前記電子部品との間に配設されたアンダーフィルをさらに備えたことを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１の請求項に記載の電子装置を提供する。

本願発明によれば、基板の裏側に形成した側壁の一部が破断しているので、電子部品用の広い実装面積を確保することができる。
そして、側壁の破断によって形成された領域を含む領域に凹部が形成されているため、実装した電子部品に対するアンダーフィルが筐体外に流出することも防止できる。

電子装置の外観を表した斜視図である。 電子装置の表面の一部破断状態、側面、下面を表した説明図である。 電子装置における裏面の配線状態を表した説明図である。 電子装置の裏面に形成した凹部の変形例を表した説明図である。 電子装置の裏面に形成した凹部の他の変形例を表した説明図である。 電子装置の裏面に形成した凹部の他の変形例を表した説明図である。 従来の電子部品収納用パッケージの断面図である。

以下、本発明の電子部品筐体、電子装置における好適な実施形態について、図１から図６を参照して詳細に説明する。
（１）実施形態の概要
電子装置１は、図１に示すように、基板１０と、基板１０の表側に形成された収容部が配置される本体２を備え、収容部内には圧電振動片６（図示しない）が実装された状態で封口板５により密封されている。
基板１０の裏側には、その外縁に沿って側壁２０Ａ、側壁２０Ｂが形成されている。両側壁２０Ａ、２０Ｂは、基板１０の裏側外縁に沿った全周ではなく（枠体ではなく）、その一部が破断して形成されることで、ＩＣ４０の配置面積を広く確保することができる。
本実施形態の電子装置１では、基板１０の裏底面１２に、ＩＣ４０の厚さよりも浅く、ＩＣ４０よりも大面積の凹み１３が形成されている。ＩＣ４０は、凹み１３の凹み底面１６（図示しない）にバンプ接続されている。そして、凹み１３に連続して、同じ深さの注入部１４、１５が形成されている。この注入部１４、１５から凹み底面１６とＩＣ４０との間にアンダーフィルが注入されるが、凹み１３の外縁面（内側面）が存在しているため、アンダーフィルが電子装置（電子部品筐体）の外部に流出することが防止される。

（２）実施形態の詳細
図１は、電子部品筐体にＩＣ４０を搭載した電子装置１の外観斜視図である。
本実施形態の電子装置１は、図１（ａ）に示すように、平面視で略方形形状の電子部品筐体３とＩＣ４０を備えている。この電子部品筐体３は、本体２と、本体２との間にキャビティＣ（収容部）を形成するとともに内部を気密封止する封口板５と、を備えている。
本体２は、互いに重ね合わされた状態で接合された、第１基板１０ａ～第３基板１０ｃからなる基板１０と、第１基板１０ａ上に接合された封口板５と共にキャビティＣを形成するシールリング３０と、を備えている。このキャビティＣ内には、後述する圧電振動片６が実装されている。

本実施形態の電子部品筐体３における平面視でのサイズは、例えば長手方向の長さが２．０ｍｍ、短手方向の長さが１．２ｍｍに形成される。
他に、長手方向が１．６ｍｍ、短手方向が１．０ｍｍの電子部品筐体３や、長手方向が１．２ｍｍ、短手方向が１．０ｍｍの電子部品筐体３等、各種サイズに適用される。

一方、電子部品筐体３は、図１（ｂ）に示すように、基板１０の裏側に、基板１０の外縁に沿った全周のうち一部が破断して形成された側壁２０Ａ、２０Ｂが形成されている。
この側壁２０Ａ、２０Ｂの厚さ（四隅部分を除く）は、０．１８ｍｍに形成されている。
また側壁２０Ａと側壁２０Ｂとの間で破断された部分の長さは、本実施形態では１．３ｍｍとなっている。すなわち、側壁２０Ａと側壁２０Ｂはそれぞれ、基板１０の裏側短辺全体に形成されると共に、その両端側が長辺に沿って０．３５ｍｍずつ形成されている。

基板１０の裏底面１２には、凹部として機能する凹み１３が形成され、その内側底面である凹み底面１６（図示しない）には、ＩＣ４０が配設されている。
凹み１３の長手方向の両側には、凹み底面１６とＩＣ４０との間にアンダーフィルを注入するための、注入部１４、１５が凹み１３から外側に延出して形成されている。

図２は、電子装置１の平面視、側面視、裏面視した状態を表した説明図である。
図２（ａ）では、電子装置１の封口板５の一部を破断して、収容部として機能するキャビティＣ内の状態を表している。
この図２（ａ）に示すように、第１基板１０ａ（図示しない）の上面、シールリング３０の内面、及び、封口板５の内側面により収容部として機能するキャビティＣが形成されている。
第１基板１０ａ上には、圧電振動片６を実装するための実装部７１、７１が形成され、その表面には図示しない電極パッドが配設されている。
シールリング３０は、導電性の枠状部材であり、第１基板１０ａの上面に接合されている。具体的には、シールリング３０は、銀ロウ等のロウ材や半田材等による焼付けによって第１基板１０ａ上に接合、あるいは、第１基板１０ａ上に形成（例えば、電解メッキや無電解メッキの他、蒸着やスパッタ等により）された金属接合層に対する溶着等によって接合されている。

このキャビティＣ内に形成された実装部７１には、圧電振動片６が実装されている。
本実施形態の圧電振動片６は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された、いわゆる音叉形の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。本実施形態では、圧電材料として水晶を使用して形成した圧電振動片のうちの、いわゆるサイドアーム型の圧電振動片６を例に説明する。
圧電振動片６は、基部６２（図２（ｂ）参照）から平行に延びる１対の振動腕部６１、６１と、この振動腕部６１、６１の外側に同方向に基部６２から延びる支持腕部６３、６３を備え、この支持腕部６３、６３により、キャビティＣ内に保持される。すなわち、支持腕部６３、６３が、キャビティＣ内に形成した実装部７１（上面の電極パッド）に導電性接着剤７２で接続され、固定されている。
支持腕部６３、６３と、振動腕部６１の主面と側面には図示しない２系統の励振電極が形成されている。２系統の励振電極は、それぞれ支持腕部６３、６３から導電性接着剤７２と電極パッドを介して後述する貫通電極７５と電気的に接続されている。
なお、導電性接着剤７２は、図２（ｂ）で示すように、一本の支持腕部６３に対して長手方向の２箇所で固定している。

なお、圧電振動片６は、振動腕部６１の振動特性を改善し小型化するために、先端部に拡幅部を設けたり、上下の両主面に長手方向の溝を形成したりすることも可能である。また、いわゆるサイドアーム型の圧電振動片６に限られず、基部で実装する圧電振動片や所謂センターアーム型の圧電振動片等の各種圧電振動片が実装可能である。

図２（ｂ）の側面図に示されるように、基板１０は、構成する第１基板１０ａ～第３基板１０ｃが積層形成され、第３基板１０ｃの一方の面（第２基板１０ｂと接していない面）が、基板１０の裏底面１２となっている。
この基板１０の裏面側には、側壁２０Ａと側壁２０Ｂが形成されている。側壁２０Ａ、２０Ｂは、後述するＩＣ４０の厚さよりも厚く形成されている。但し、本実施形態ではＩＣ４０が凹み１３の凹み底面１６にバンプ接続されるため、側壁２０Ａ、２０Ｂの厚さは、裏底面１２からＩＣ４０の表面（バンプ接続される側の反対側の面）までの距離よりも長く形成されていればよい。

第１基板１０ａ～第３基板１０ｃ及び側壁２０Ａ、２０Ｂは、例えばウエハ状のセラミック基板を複数枚重ねて接合した後、各セラミック基板を貫通する複数のスルーホールを行列状に形成し、その後、各スルーホールを基準としながらセラミック基板を格子状に切断することで作製される。その際、スルーホールが４分割されることで、本体２の４隅に平面視１／４円弧状の切欠部２５（図１参照）が厚み方向の全体にわたって形成される。
第１基板１０ａ～第３基板１０ｃ及び側壁２０Ａ、２０Ｂは、焼結などにより結合されることで一体化されている。
なお、基板１０と側壁２０Ａ、２０Ｂはセラミック製としたが、その具体的なセラミック材料としては、例えばアルミナ製のＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ）や、ガラスセラミック製のＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ）等が挙げられる。

第１基板１０ａの上面は、キャビティＣの底面に相当する。
第１基板１０ａには、実装部７１に対応する位置に形成された貫通孔に、貫通電極７５が配設されている。この貫通電極７５は、実装部７１の電極パッドに接続されると共に、第１基板１０ａと第２基板１０ｂとの間に形成された図示しない配線電極を介して、後述する外部接続端子２１Ａ～外部接続端子２１Ｄのいずれかと接続されている。

第３基板１０ｃの裏面側に形成された、側壁２０Ａと側壁２０Ｂは、基板１０の外縁に沿った全体のうち、両長辺部分の一部が破断することで形成されている。この側壁２０Ａと側壁２０Ｂとが破断されていることで形成される領域の面積だけ、第３基板１０ｃの裏底面１２の面積を広く確保することができる。これにより、より大きなＩＣ４０（電子部品）を配置することができる。

第３基板１０ｃは、積層配置する前の中央部に所定形状の貫通孔が形成され、第２基板１０ｂと一体化することで、凹部として機能する凹み１３と注入部１４、１５が形成されている。これにより、第２基板１０ｂが露出し、第２基板１０ｂの露出面が凹み１３の凹み底面１６となっている。
凹み１３の深さが第３基板１０ｃの厚さであり、この厚さは凹み１３の内側に配設されるＩＣ４０の厚さよりも薄く形成されている。具体的には、第３基板１０ｃの厚さ＝凹み１３の深さ＝０．０７５ｍｍである。
本実施形態の凹み１３は、長手方向の長さが１．２ｍｍ、短手方向の長さが１．１ｍｍに形成され、内側に配設されるＩＣ４０よりも大きく形成されている。そして、凹み１３は、側壁２０Ａと側壁２０Ｂとが破断されることで形成された領域を含んで形成されることで、より大きな領域を確保することで、その内側により大きなＩＣ４０を配設することが可能になっている。

ＩＣ４０は、この凹み１３により形成された凹み底面１６に形成されている配線１７上にバンプ接続されている。配線１７の詳細については後述する。
そして、バンプ接続されたＩＣ４０と凹み底面１６との間に、凹み１３と同じように凹んでいる注入部１４、注入部１５からアンダーフィルが注入される。
このアンダーフィルを注入した際に、凹み１３の内側面がアンダーフィルの注入領域の全周を囲んでいるので、アンダーフィルが凹み１３の内側面で止まり、外部に流出することが防止される。すなわち、本実施形態では、側壁２０Ａ、２０Ｂ間に破断部分が存在する（基板１０の裏面全周にわたって形成されていない）が、破断部分からアンダーフィルが流出することがない。
なお、本実施形態では、アンダーフィルの注入部が注入部１４、１５の２箇所に形成されているが、１箇所でもよく、また３箇所以上形成するようにしてもよい。
但し、アンダーフィル用の注入部は、その外側に側壁（２０Ａ、２０Ｂ等）が存在する位置に形成することが好ましい。

図３は、電子装置１における裏面の配線状態を表した説明図である。この図３は、電子部品筐体３にＩＣ４０を取り付けて電子装置１とする前の状態でもある。
図３において右下り斜線で示すように、側壁２０Ａの端面の短手方向の両側には、外部接続端子２１Ａと外部接続端子２１Ｃが形成され、側壁２０Ｂの端面の短手方向の両側には、外部接続端子２１Ｂと外部接続端子２１Ｄが形成されている。
これら各外部接続端子２１Ａ～２１Ｄの各々は、切欠部２５の外面に形成された側面電極２３Ａ～側面電極２３Ｄに接続されている。
一方、基板１０に形成した凹み１３の凹み底面１６と注入部１４、１５の底面には、左下り斜線で示したように、配線１７が形成されている。これらの配線は一例であって配置されるＩＣ４０等の電子部品に応じて形成される。
そして、凹み底面１６に形成された配線１７の一部は、点線で示すように、第３基板１０ｃと第２基板１０ｂの間に延設して、側面電極２３Ａ～側面電極２３Ｄのいずれかと接続されている。
側面電極２３Ａ～側面電極２３Ｄは、配線１７によりＩＣ４０と接続されると共に、第２基板１０ｂと第１基板１０ａ間に形成された配線電極、貫通電極７５等を通って圧電振動片６に供給されることで、振動腕部６１を励振させるようになっている。
なお、外部接続端子２１Ａ～２１Ｄや配線１７、配線電極等は、例えば蒸着やスパッタ等で形成された単一金属による単層膜、または異なる金属が積層された積層膜である。

以上説明したように、本実施形態の電子装置１では、電子部品筐体３における基部１０の裏側面に形成する側壁を、基部１０の外縁に沿った枠状に形成するのではなく、その一部を破断した側壁２０Ａと側壁２０Ｂで形成しているので、破断によって露出した領域分だけＩＣ４０等の電子部品の配置領域を広く確保することができる。
そして、この側壁の破断によって露出形成された領域を含む領域に凹部が形成されているので、基板１０の裏面の側壁を破断箇所、側壁２０Ａと側壁２０Ｂとの間からアンダーフィルが外部に流出することが防止できる。
また、本実施形態では、凹み１３と連続して、同じように凹む注入部１４、１５が形成されている。すなわち、ＩＣ４０の配置面である凹み底面１６と同一平面に底部がある注入部１４、１５が形成されているので、凹み底面１６とＩＣ４０の間へのアンダーフィルの注入を容易に行うことができる。

次に、基板１０の裏面に形成する凹部についての変形例について説明する。
すなわち、実施形態では凹部として、ＩＣ４０よりも大きく形成した凹み１３を形成することでアンダーフィルの流出を防止する場合について説明した。
これに対して、以下に説明する変形例は、凹部として機能する溝を基板１０の裏面に形成したものである。

図４～図６は、凹部として機能する溝１３ｂ～１３ｇを基板１０の裏面に形成したものである。他の部分については、実施形態と同一であるので、説明を省略する。また、図４～図６では、配線１７等については表示を省略している。
図４～図６において、各溝１３ｂ～１３ｇについては、その領域をわかりやすくするために、網掛けにより表示している。
溝１３ｂ～溝１３ｇは、いずれも実施形態と同様に第３基板１０ｃの厚さと同じ深さに形成されている。

図４に示した第１変形例では、実施形態の凹み１３と同じ外縁となる溝１３ｂがＩＣ４０を囲むように形成されている。
これにより、溝１３の内側は、第３基板１０ｃによる裏底面１２が露出していて、この内側の裏底面１２にＩＣ４０がバンプ接続される。
第１変形の溝１３ｂは、閉じた環状に形成されると共に、内側にＩＣ４０を配置する領域と、その長手方向の両側に注入部１４ｂ、１５ｂを確保した形状に形成されている。すなわち、溝１３ｂは、環状内部の領域が基板１０の縁側に向けた凸部を形成する形状に形成される。
第１変形例の注入部１４ｂ、１５ｂは、ＩＣ４０をバンプ接続する裏底面１２と同一平面であり、ここからアンダーフィルが注入される。

なお、説明した実施形態では、基板１０には、長辺の２箇所が破断されることで、側壁２０Ａと側壁２０Ｂが形成されている。
これに対して、第１変形例では、長辺の２箇所と短辺の２箇所で破断されることで、側壁２０Ａ、側壁２０Ｂ、側壁２０Ｃ、側壁２０Ｄが基板１０の裏面四隅に形成されている。
第１変形例では、注入部１４ｂの長手方向外側（図面左側）は、側壁２０Ａと側壁２０Ｃの破断部であり、注入部１５ｂの長手方向外側（図面右側）は、側壁２０Ｂと側壁２０Ｄの破断部である。しかし、注入部１４ｂ、１５ｂと破断部の間に溝１３ｂが形成されているので、アンダーフィルが破断部から外に流出することが防止されている。
なお、実施形態と同様に、両短辺につながっている（破断部がない）側壁２０Ａ、側壁２０Ｂが形成される場合であっても、第１変形例と同じ形状の溝１３ｂを形成するようにしてもよい。

図５は、第２変形例～第４変形例における電子部品筐体３の裏面部の状態を表したものである。
第２変形例では、図５（ａ）に示すように、実施形態と同様に両短辺に側壁２０Ａと側壁２０Ｂが形成されると共に、一方の長辺にも側壁２０Ａ、側壁２０Ｂと連続する側壁２０Ｅが形成されている。すなわち、第２変形例では、他方の長辺部分が破断され、他の３辺に連続する側壁２０Ａ、側壁２０Ｅ、側壁２０Ｂが形成されている。
なお、この第２変形例の側壁２０Ａと側壁２０Ｂを、第１変形例と同様に、その中央に破断部を設けるようにしてもよい。この場合、側壁２０Ｃ、両側に延長した（２隅を含む）側壁２０Ｅ、側壁２０Ｄで構成される。

そして第２変形例では、実施形態と同様の形状で、注入部１４ｂ、１５ｂを含む閉じた領域の溝１３ｃが基板１０の裏面（第３基板１０ｃ）に形成されている。そして溝１３ｃにおける一方の長辺の外側は、側壁２０Ｅの内側面と一致するように形成されている。
溝１３ｃは、実施形態で説明した溝１３ａに比べ、一方の長辺に側壁２０Ｅが形成されている分だけ短手方向の幅（長さ)が形成されている。
第２変形例では、注入部１４ｂ、１５ｂが第１変形例と同様に短手方向の中央部に形成されているので、側壁２０Ａ、側壁２０Ｂの短手方向中央よりも、破断部側にずれて形成されている。但し、注入部１４ｂ、１５ｂは、その短手方向中央ではなく、より側壁２０Ｅ側に形成し、またはその逆側に形成するようにしてもよい。注入部１４ｂを側壁２０Ｅ側、注入部１５ｂを反対側に形成することも可能である。但し、側壁２０Ｅ側はアンダーフィルの流出がないので、側壁２０Ｅ側に寄せて形成することが好ましい。

次に第３変形例について図５（ｂ）を参照して説明する。
実施形態及び第１、第２変形例では、ＩＣ４０の外側全週にわたって凹部（凹み１３、溝１３ｂ、溝１３ｃ）が形成されている。
これに対し第３変形例では、実施形態と同様に側壁２０Ａと側壁２０Ｂが形成され、この側壁２０Ａと側壁２０Ｂ間の破断によって形成された領域に、長手方向に沿った２本の溝１３ｄ、１３ｄが形成されている。
両溝１３ｄ、１３ｄは、一方の側壁２０Ａの端部位置から他方の側壁２０Ｂの端部位置まで形成されている。

第３変形例では、基板１０（第３基板１０ｃ）の裏底面１２にＩＣ４０がバンプ接続され、ＩＣ４０と側壁２０Ａとの間の位置と、側壁２０Ｂとの間の位置、例えば図５（ｂ）に示した点Ｘ位置と点Ｙ位置からアンダーフィルが注入される。
点Ｘ位置、点Ｙ位置の外側（ＩＣ４０の反対側）には、側壁２０Ａ、側壁２０Ｂが存在するので、注入部１４ｂ、１５ｂを形成するための溝は形成されていない。

次に第４変形例について図５（ｃ）を参照して説明する。
この第４変形例は、第３変形例と同様に、側壁の破断部に対応する位置に限定して溝を形成した例である。
第３変形例では、図５（ｃ）に示すように、一方の長辺部分とこの長辺と直交する一方の短辺部分に側壁の破断部が形成されている。
すなわち、基板１０における裏面の４隅のうちの１箇所に側壁２０Ｃが形成されると共に、他３箇所の隅を連続する側壁２０Ｅと側壁２０Ｂが形成されている。側壁２０Ｃと側壁２０Ｂとの間に長辺方向の破断部が形成され、側壁２０Ｃと側壁２０Ｅとの間に短辺方向の破断部が形成されている。

この直交方向に形成された両破断部に対応して、Ｌ字状の溝１３ｅが形成されている。側壁２０Ｂ、側壁２０Ｅの存在位置側に溝は形成されていない。
この第４変形例では、ＩＣ４０と側壁２０Ｂ間の位置、例えば点Ｙ位置からアンダーフィルが注入される。
なお、第４実施形態では、アンダーフィルの注入箇所が点Ｙ位置の１箇所になるため、短辺方向の溝１３ｅを中央で外側に膨らませることで、第１、第２変形例のように注入部１４ｂを形成するようにしてもよい。

図６は、第５、第６変形例における電子部品筐体３の裏面部の状態を表したものである。
図６（ａ）に示した第５変形例では、図５（ａ）に示した第２変形例と同様に、３辺で連続する側壁２０Ａ、側壁２０Ｅ、側壁２０Ｂが形成され、長辺で破断されている。
第５変形例では、３方に連続する側壁が形成されているので、破断している側壁２０Ａと側壁２０Ｂの間に溝１３ｆが形成されている。
そして、第３変形例と同様に、基板１０（第３基板１０ｃ）の裏底面１２にＩＣ４０がバンプ接続され、ＩＣ４０と側壁２０Ａとの間の位置と、側壁２０Ｂ間の位置、例えば図５（ｂ）に示した裏底面１２上の点Ｘ位置と点Ｙ位置からアンダーフィルが注入される。

次に図６（ｂ）に示した第６変形例について説明する。
この第６変形例では、第３変形例と同様に、側壁２０Ａと側壁２０Ｂが両短辺に形成されている。
上述した第１～第５変形例では、基板１０の裏底面１２に配設されるＩＣ４０の外側に溝１３ｂ～１３ｆが形成されている。
これに対して第６変形例では、図６（ｂ）に示すように、溝１３ｇにおける、内側縁（基板１０の中央側）と外側縁が、それぞれ、ＩＣ４０を配設した場合のＩＣ４０の外縁よりも内側と外側になるように形成されている。これにより、溝１３ｇの幅を他の変形例よりも広く形成することができ、より多くのアンダーフィルを収容することができる。
この第６変形例では、第３変形例と同様に、裏底面１２上の点Ｘ位置、点Ｙ位置からアンダーフィルが注入される。

第６変形例で説明したように、基板１０の裏面に形成した溝１３ｇの幅を広くすることで、溝幅上にＩＣ４０の外縁が位置するように構成する、ことは第１、２、４、５変形例にも同様に適用することが可能である。
なお、第１～第６変形例で説明した各溝１３ａ～１３ｇの幅については、基板１０の裏面に確保される裏底面１２の広さや配置するＩＣ４０の形状・大きさにより最終決定されるが、例えば、０．０５ｍｍ～０．２ｍｍ程度の範囲で形成される。

１ 電子装置
１０ 基板
１０ａ 第１基板
１０ｂ 第２基板
１０ｃ 第３基板
１２ 裏底面
１３ 凹み（凹部）
１３ｂ～１３ｇ 溝（凹部）
１４、１４ｂ 注入部
１５、１５ｂ 注入部
１６ 凹み底面
１７ 配線
２ 本体
２０Ａ～２０Ｅ 側壁
２１Ａ～２１Ｄ 外部接続端子
２３Ａ～２３Ｄ 側面電極
２５ 切欠部
３ 電子部品筐体
３０ シールリング
４０ ＩＣ
５ 封口板
６ 圧電振動片
６１ 振動腕部
６２ 基部
６３ 支持腕部
７１ 実装部（電極パッド）
７２ 導電性接着剤
７５ 貫通電極
Ｃ キャビティ

Claims (8)

1. 電子部品筐体と電子部品を備える電子装置であって、
   前記電子部品筐体は、
   基板と、
   前記基板の表側に形成された、素子を収容する収容部と、
   前記基板の裏側に配置される電子部品の厚さよりも高く形成され、前記基板の裏側に外縁に沿って、その一部が破断して形成された側壁と、
   前記基板の裏側底面における、少なくとも前記側壁の破断によって形成された領域を含む領域に、前記電子部品の厚さよりも浅く形成された凹部と、
   前記側壁の前記収容部と反対側の端面に形成された外部電極端子と、
   前記外部電極端子と、前記収容部に収容される素子及び前記電子部品とを接続する配線と、を具備し、
   前記電子部品は、前記基板の裏側面に配設され、前記配線に接続されることで前記外部電極端子と接続される、
   ことを特徴とする電子装置。
2. 前記凹部は、配設される前記電子部品の配設領域よりも大きな領域の凹みにより形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 前記凹部から前記基板の縁側に向けて延設して形成された凹部状の注入部と、
   を具備したことを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
4. 前記凹部は、前記破断によって形成された領域の長手方向に形成された溝により形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
5. 前記溝は、配設される前記電子部品よりも大きな領域を囲む環状に形成されている、
   ことを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
6. 前記溝は、環状内部の領域が前記基板の縁側に向けた凸部を形成している、
   ことを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
7. 前記収容部は、圧電素子を収容し、封口板で封止されている、
   ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１の請求項に記載の電子装置。
8. 前記基板の裏側面と前記電子部品との間に配設されたアンダーフィルをさらに備えたことを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１の請求項に記載の電子装置。

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