JP7300001B2 - 複式パルス溶接方法 - Google Patents

Description

本発明は、少なくとも２つのパルス溶接プロセスを同時に動作させる複式パルス溶接方法を実施する方法であって、この少なくとも２つのパルス溶接プロセスがそれぞれ、パルス電流パラメータを有する溶接電流と、パルス周波数と、パルス周波数と、周知の手法で関連付けられた溶接ワイヤー送り速度とにより実施され、第一のパルス溶接プロセスが、第一のパルス周波数を予め与えて、第二のパルス溶接プロセスで設定すべき第二のパルス周波数が、第一のパルス周波数から得られる方法に関する。更に、本発明は、この方法を実施する装置に関する。

本発明は、パルス方式のアークにより溶解する電極を用いたパルス溶接に関する。この溶接方法では、基本溶接電流とそれに対して上昇するパルス溶接電流が所与のパルス周波数で規則的に交番する。基本溶接電流フェーズ中に、溶湯を液状に保つために、アークを小さい電力で燃焼させる。パルス電流フェーズ中に、溶接ワイヤーとして送り出される添加部材のビードが、形成されて、最終的に剥がれて溶湯に落ちる。その溶接ワイヤーは、例えば、ＭＩＧ（メタル不活性ガス）溶接又はＭＡＧ（メタル活性ガス）溶接の場合、同時に電極（溶解する電極）を構成する。ＭＩＧ／ＭＡＧ溶接では、電流パルス毎に、１つのビードが生成されて、剥がれるように、ワイヤーの直径と添加部材に応じて、溶接ワイヤー送り速度とパルス周波数を選定して、互いに適合させるべきである。その場合、溶接ワイヤー送り速度とパルス周波数は、互いに依存し合う。溶接ワイヤー送り速度とパルス周波数に関して選定された値が適合しない場合、安定した溶接プロセスを実現できないか、良好な溶接品質を達成できないか、或いはその両方である。基本溶接電流フェーズとパルス溶接電流フェーズから成る溶接サイクルは、パルス溶接時にパルス周波数で繰り返される。パルス溶接により、加工物への入熱量を低減して制御することができ、それにより、より薄い加工物も溶接することができる。更に、パルス溶接により、高品質な溶接結果が得られ、例えば、それにより溶接の撥ねを大幅に低減することができる。

溶接性能を高めるために、少なくとも２つのパルス溶接方法を同時に動作させる複式溶接方法、例えば、タンデム式パルス溶接方法も周知である。その場合、有利には、少なくとも２つの溶接ワイヤーが１つの共通の溶湯に溶解する。しかし、個々のパルス溶接方法は、それぞれ独自の溶湯を有することもできる。そのためには、溶接プロセス毎に独立した溶接機器が、即ち、それぞれ電源、溶接トーチ及び溶接ワイヤー送りユニットが必要である。各溶接機器により、パルス溶接方法が実現される。複式パルス溶接は、溶接プロセスを開始して、互いに独立して動作させる、即ち、溶接電流、溶接ワイヤー送り速度及び／又はパルス周波数を溶接プロセス毎に独自に設定する形で動作させることができる。しかし、それは、全ての溶接機器で溶接パラメータを相応にセットしなければならないので、溶接工にとって、より大きな負担がかかる。それを除くと、それにより、同時に進行する溶接プロセスにより場合によっては起こる相互の影響に対して多少の影響を受け、それは、溶接品質を低下させる可能性がある。

従って、一方の溶接機器にパルス周波数を予め与えて、他方の溶接機器が、そのパルス周波数に従う、溶接プロセスを同期させたタンデム式パルス溶接方法が既に周知である。それにより、両方の溶接プロセスが互いに同期して、同じパルス周波数で溶接を行う。

複式パルス溶接方法では、互いに適合されていないパルス溶接プロセスが、問題を引き起こす可能性がある。ＭＩＧ／ＭＡＧ溶接では、例えば、一方のパルス溶接プロセスでの溶接ワイヤーが他方のパルス溶接プロセスと異なる溶接ワイヤー送り速度で送り出される場合に問題となる可能性が有るが、それは、しばしばプロセスの安定性を高めるために望ましいことである。しかし、より遅い溶接ワイヤー送り速度は、標準的には、より低いパルス周波数をも必要とする。従って、先導する溶接プロセスと追従する溶接プロセスの溶接ワイヤー送り速度の間の差が大き過ぎる場合、追従する溶接プロセスが（先導する溶接プロセスから受け取った）高過ぎるパルス周波数で動かされて、それにより、場合によっては、追従する溶接プロセスにより安定した溶接プロセスを実現できなくなるか、或いはより悪い溶接結果（例えば、溶接の撥ね）が生じることが起こり得る。

その問題を取り除くために、特許文献１において、タンデム式パルス溶接方法の追従するパルス溶接プロセスのパルス周波数を、先導するパルス溶接プロセスのパルス周波数に対して整数の比率で設定することが既に提案されている。その場合、パルス電流フェーズが重なり合わないように、両方の溶接プロセスのパルス周波数を選定すべきである。それにより、追従するパルス溶接プロセスでは、先導するパルス溶接プロセスよりも低いパルス周波数で溶接を行うことができる。しかし、パルス周波数が整数の比率でしか変更できないために、追従する溶接プロセスのパルス溶接プロセスが最早理想的な溶接パラメータにより実施されなくなる可能性がある。例えば、それは、追従するパルス溶接プロセスのアークでのビードの剥がれ落ちが最早正しく機能しないことを引き起こす可能性がある。それは、溶接品質を損なう可能性がある。

ドイツ特許公開第１０２００７０１６１０３号明細書

以上のことから、本発明の課題は、関与するパルス溶接プロセスを出来る限り理想的な設定で動作させることができる、複式パルス溶接方法を実施する方法を提示することである。

本課題は、本発明において、独立請求項の特徴によって解決される。この手法では、複式パルス溶接方法の全てのパルス溶接プロセスにおいて、常に理想的な溶接条件により溶接可能であることを保証できる。ここで、良好な溶接結果を達成するためには、パルス溶接プロセスに関する設定値が理想的でない場合でも遵守できる、溶接電流の実効値と溶接ワイヤー送り速度の比率が決定的に重要である。それにより、各パルス溶接プロセスにおいて、最適なビードの剥がれ落ちを保証できるとともに、出来る限り一定のアーク長も保証でき、それは、達成される溶接品質に関して重要である。

有利には、第二のパルス周波数が、第一のパルス周波数と、第一のパルス周波数と第二のパルス周波数の間の所与の整数のパルス周波数比率とから得られる。このようにして、パルス溶接プロセスの同期を簡単に、溶接方法に関して有利に実行することができる。

少なくとも１つの溶接パラメータへの大きな介入を避けるために、更に、実際の比率を理想的な比率に変更するために、パルス周波数比率を変更すると規定することができる。そして、この少なくとも１つの溶接パラメータは、場合によっては、更に精確な設定のために変更することができる。

第二のパルス溶接プロセスの溶接電流の少なくとも１つのパルス電流パラメータが目標値としての理想的な実効値に閉ループ制御又は開ループ制御される場合、溶接電流の実効値に、そのため比率に簡単に影響を与えることができる。この場合、少なくとも１つのパルス電流パラメータとして、パルス電流、基本電流、パルス電流継続時間、基本電流継続時間、溶接電流の電流上昇エッジ又は電流低下エッジを変更することができる。

以下において、本発明の有利な実施形態の例を模式的に本発明を制限しない形で図示した図１～５を参照して、本発明を詳しく説明する。

複式パルス溶接方法を実施する装置の模式図 複式パルス溶接方法におけるパルス周波数が同じである溶接サイクルのグラフ図 複式パルス溶接方法におけるパルス周波数が同じでない溶接サイクルのグラフ図 溶接ワイヤー送り速度とパルス周波数の間の溶接特性曲線のグラフ図 溶接電流の実効値とパルス周波数の間の関係のグラフ図

以下において、複式パルス溶接方法の例としてのタンデム式パルス溶接方法、即ち、２つのパルス溶接プロセスによる溶接方法に関して、本発明を説明する。しかし、当然のことながら、以下の実施形態を三つ以上のパルス溶接方法による複式パルス溶接方法に拡張することが考えられる。複式パルス溶接方法は、特に、少なくとも２つのパルス溶接プロセスが、従って、タンデム式パルス溶接方法では、２つのパルス溶接プロセスが同時に進行することを特徴とする。それよりも多い数のパルス溶接プロセスの全てを同じ溶湯に対して動作させることができるが、異なるパルス溶接プロセスを部分的に異なる溶湯に対して動作させることもできる。

図１には、２つのパルス溶接プロセスによる実際にしばしば出会う複式パルス溶接方法の例としてのタンデム式パルス溶接方法に関して考え得る構成が模式的に図示されている。それぞれ電源２ａ，２ｂ、溶接ワイヤー送りユニット３ａ，３ｂ及び溶接トーチ４ａ，４ｂを備えた２つの別個の溶接機器１ａ，１ｂが配備されている。電源２ａ，２ｂは、それぞれ所要の溶接電圧と所要の溶接電流Ｉ_Ｓを提供し、これらは、それぞれ溶接プロセスの溶接電極に加えられる。この場合、溶接ワイヤー５ａ，５ｂは、溶解する溶接電極としても同時に機能する。そのために、例えば、接触スリーブを溶接トーチ４ａ，４ｂに配備することができ、そのスリーブには、例えば、溶接配線６ａ，６ｂを介して、溶接電圧が印加されて、溶接ワイヤー５ａ，５ｂが接触する。そのため、所定の溶接電流Ｉ_Ｓが溶接電極を介して流れ、そのためには、当然のことながら、加工物と接触して、溶接電流回路をループするためのアース配線９ａ，９ｂも配備されている。溶接ワイヤー５ａ，５ｂは、溶接ワイヤー送りユニット３ａ，３ｂによって、それぞれ所定の溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄａ，ｖ_Ｄｂで溶接トーチ４ａ，４ｂに送り出される。溶接ワイヤー送りユニット３ａ，３ｂは、それぞれ溶接機器１ａ，１ｂに統合することができるが、別個のユニットとすることもできる。この場合、溶接機器１ａ，１ｂは、当然のことながら、場合によっては、各溶接ワイヤー送りユニット３ａ，３ｂと共に、１つの共通の筐体内に配置することもできる。

溶接機器１ａ，１ｂの溶接ワイヤー５ａ，５ｂと溶接配線６ａ，６ｂは、場合によっては、電源２ａ，２ｂと溶接トーチ４ａ，４ｂの間の別の配線（例えば、制御配線、保護ガス用配管又は冷媒配管）も、１つの共通の、さもなければ複数のチューブパック内を案内することもできる。このチューブパックは、好適な連結器を介して、溶接トーチ４ａ，４ｂと溶接機器１ａ，１ｂに連結することができる。

溶接機器１ａ，１ｂには、各溶接機器１ａ，１ｂにより実施されるパルス溶接プロセスを制御して監視する制御ユニット７ａ，７ｂも配備されている。この場合、制御ユニット９ａ，９ｂは、特に、溶接電流Ｉ_Ｓを発生させるための電源２ａ，２ｂを制御する。そのために、制御ユニット７ａ，７ｂ又は電源２ａ，２ｂにおいて、例えば、パルス周波数ｆ_Ｄ、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄ、パルス電流Ｉ_ＳＩ、基本電流Ｉ_ＳＧ、パルス電流継続時間、基本電流継続時間、電流エッジの上昇時間／低下時間などの実施すべきパルス溶接プロセスに必要な溶接パラメータが予め与えられるか、或いは設定可能である。或る溶接パラメータ又は溶接ステータスの入力又は表示のために、入出力ユニット８ａ，８ｂを溶接機器１ａ，１ｂに配備することもできる。そのような溶接機器１ａ，１ｂは、当然のことながら、十分に周知であり、ここでは、詳しく述べる必要はない。三つ以上のパルス溶接プロセスによる複式パルス溶接方法に関しては、当然のことながら、それに対応する複数の溶接機器１ａ，１ｂが配備される。

図示された実施例では、タンデム式パルス溶接プロセスを実現するために、両方の溶接トーチ４ａ，４ｂが、場所的に互いに相対的に配置されており、１つの加工物１０に対して溶接を実施する。図１の実施例では、２つの別個の溶接継ぎ目が作り出される。そのため、溶接トーチ４ａ，４ｂは、別個の溶湯に対して動作する。しかし、自明のことながら、溶接トーチ４ａ，４ｂは１つの共通の溶湯に対しても動作することができる。溶接トーチ４ａ，４ｂの相互の配置構成は、固定的であるとすることができ、例えば、その場合には、両方の溶接トーチ４ａ，４ｂが、両方の溶接トーチ４ａ，４ｂを案内する（図示されていない）１つの溶接ロボットに配置される。しかし、この配置構成は、可変であるとすることもでき、例えば、その場合には、それぞれ１つの溶接トーチ４ａ，４ｂが１つの溶接ロボットによって案内される。また、溶接トーチ４ａ，４ｂが溶接方向に関して空間的に前後に、並んで、或いはそれ以外の何らかの形で互いにずれて配置されるのかは重要でない。同じく、パルス溶接プロセスにより、継手溶接、肉盛り溶接又はそれ以外の溶接方法を実現するのかは重要でない。これらの実施形態は、当然のことながら、三つ以上のパルス溶接プロセスによる複式パルス溶接プロセスに関しても同様に成り立つ。

図２において、両方のパルス溶接プロセスの溶接電流Ｉ_Ｓａ，Ｉ_Ｓｂの時間ｔに関する推移に関して十分に知られたパルス溶接方法を説明する。パルス溶接中に、基本電流Ｉ_ＳＧａ，Ｉ_ＳＧｂと、それに対して上昇するパルス電流Ｉ_ＳＩａ，Ｉ_ＳＩｂが所与のパルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂで周期的に交番する。パルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂは、当然のことながら、基本電流Ｉ_ＳＧａ，Ｉ_ＳＧｂを用いる基本電流フェーズとパルス電流Ｉ_ＳＩａ，Ｉ_ＳＩｂを用いるパルス電流フェーズから成る溶接サイクルＳＺａ，ＳＺｂの周期継続時間ｔ_Ｄａ，ｔ_Ｄｂの逆数として得られる。パルス電流フェーズ中に、それぞれ１つの溶接ビードが溶接ワイヤー５ａ，５ｂから各溶湯１１に剥がれ落ちるべきである。溶接中に、パルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂ及び／又は基本電流Ｉ_ＳＧａ，Ｉ_ＳＧｂ又はパルス電流Ｉ_ＳＩａ，Ｉ_ＳＩｂの値を変更することもできる。

図２では、パルス溶接プロセスの基本電流Ｉ_ＳＧａ，Ｉ_ＳＧｂの値とパルス電流Ｉ_ＳＩａ，Ｉ_ＳＩｂの値が同じであるが、当然のことながら、それは必ずしも必要ではない。一般的に、パルス溶接プロセスにおける電流値は異なることができる。同様に、図２による例では、パルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂが同じであり、同じくそれは必ずしも必要ではない。更に、図２では、パルス溶接プロセスの溶接サイクルＳＺａ，ＳＺｂが所定の位相シフトｔ_Ｐ、ここでは、１８０°だけずれている、即ち、この例では、パルス溶接プロセスのパルス電流による電流パルスが時間ｔに関して交番してセットされることが分かる。しかし、自明のことながら、如何なる別の位相シフトも、特に、ゼロの位相シフトも考えられ、設定可能である。

同様に、各溶接サイクルＳＺａ，ＳＺｂでのパルス電流継続時間と基本電流継続時間は、当然のことながら、同じである必要はなく、同じく溶接中に変更することができる。同じことが、例えば、エッジ上昇時間、エッジ低下時間、パルス電流フェーズ又は基本電流フェーズの継続時間、パルス電流又は基本電流の値などの溶接電流Ｉ_Ｓａ，Ｉ_Ｓｂの別のパルス電流パラメータにも言える。

当然のことながら、図２では、溶接電流Ｉ_Ｓａ，Ｉ_Ｓｂの時間的な推移が理想化され、簡略化されて図示されている。実際には、当然のことながら、或る程度の電流勾配がエッジに出現し、そのエッジは、設定可能であるとすることもできる。同様に、しばしば、パルス電流Ｉ_ＳＩから基本電流Ｉ_ＳＧへの移行時に、溶接電流Ｉ_Ｓが、ビードの剥がれ落ちを支援するために、階段状に、或いはそれ以外の電流の推移で低下すると規定される。また、しばしば、基本電流フェーズにおいて、プロセスの安定性を高めるために、短い中間パルスが設けられる。しかし、このことは、溶接サイクルＳＺａ，ＳＺｂの周期継続時間ｔ_Ｄａ，ｔ_Ｄｂ及びそれから得られるパルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂを何ら変化させない。

パルス周波数ｆ_Ｄと溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄは、図４に基づき示される通り、パルス溶接プロセスにおいて関連付けられており、互いに依存し合う。溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄが上昇すると、パルス周波数ｆ_Ｄが上昇すること、及びその逆であることが分かる。この関係は、既知であるか、或いは、例えば、異なる溶接ワイヤー（例えば、材料、厚さなど）、異なる継ぎ目形状などの異なるプロセスパラメータに応じても、経験的に、又は好適なモデルから特定することができ、特性曲線Ｋとして溶接機器１ａ，１ｂに保存することができる。この場合、特性曲線Ｋが如何なる形で、例えば、表として、モデルとして（例えば、材料や厚さなどの別のパラメータに応じたモデルとしても）、或いは式（例えば、近似直線又は曲線）を用いて保存されているのかは、何らの役割も果たさない。

本発明による複式パルス溶接プロセスでは、パルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄａ＝１／ｔ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂ＝１／ｔ_Ｄｂが所定の予め与えられた相互関係を有することによって、パルス溶接プロセスが互いに同期される。有利には、パルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂが同期している場合、一方のパルス周波数ｆ_Ｄａが他方のパルス周波数ｆ_Ｄｂに対して整数のパルス周波数関係を有すると言える。実施すべき複式パルス溶接方法に関して望ましいパルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂの相互のパルス周波数比率が、溶接機器１ａ，１ｂにおいて予め与えられるか、或いは設定される。図２の例では、例えば、先導するパルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄａが、例えば、追従するパルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄｂと同じである。図３の実施例では、例えば、先導するパルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄａが、例えば、追従するパルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄｂの二倍の高さであるが、その逆にすることもできる。

通常は、先導するパルス溶接プロセスが、より高いパルス周波数ｆ_Ｄａを有し、追従するパルス溶接プロセスが、それと比べて低い又は同じパルス周波数ｆ_Ｄｂを有する。複式パルス溶接方法の場合、１つの先導するパルス溶接プロセスと複数の追従するパルス溶接プロセスが存在し、その場合でも、有利には、先導するパルス溶接プロセスが最も高いパルス周波数を有し、追従するパルス溶接プロセスが、それと比べて低い又は同じパルス周波数を有する。しかし、追従するパルス溶接プロセスのパルス周波数は必ずしも同じである必要はない。

如何なるパルス溶接プロセスが先導し、如何なるパルス溶接プロセスが追従するのかは、溶接機器１ａ，１ｂで予め与えるか、或いは設定することができ、溶接中に変更することもできる。溶接機器１ａ，１ｂは、設定のために通信配線を介して互いに接続することも、上位の制御ユニットと接続することもできる。この場合、制御ユニットは、如何なるパルス溶接プロセスが先導すべきであるのかを予め与えることもできる。

しかし、パルス周波数比率により追従するパルス溶接プロセスのパルス周波数を先導するパルス溶接プロセスのパルス周波数に（又はその逆に）同期させることによって、同期する側のパルス溶接プロセスが不利な影響を受ける可能性がある。

パルス溶接プロセスにおいて、特性曲線Ｋに基づきパルス周波数比率から得られるパルス周波数に適合しない溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄで溶接すべきである場合に、溶接結果が不利な影響を受ける可能性がある。例えば、第一のパルス溶接プロセスは、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄａ＝１６ｍ／分と（特性曲線Ｋから）それと関連付けられたパルス周波数ｆ_Ｄａ＝３００Ｈｚに関する設定値で動作させるべきである。その第一のパルス溶接プロセスに同期する第二のパルス溶接プロセスは、基準に基づき溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂ＝１０ｍ／分で動作させるべきであり、それは、関連付けによると、理想的なパルス周波数ｆ_Ｄｂ＝１５０Ｈｚを要求する。しかし、ｆ_Ｄａ／ｆ_Ｄｂ＝１の設定されたパルス周波数比率に基づき、第二のパルス溶接プロセスは、実際には３００Ｈｚで動作させなければならない。この第二のパルス溶接プロセスでの理想的でない設定は、パルス溶接プロセスでのアーク長の望ましくない変化を引き起こす可能性がある。例えば、パルス溶接プロセスでのアーク長が延びて、溶接ワイヤー５ｂがより速く燃焼するので、アークが途切れる可能性がある。しかし、溶接ワイヤー５ｂの燃焼が遅過ぎる場合、アークが短かくなり過ぎる可能性もあり、これは、又もや長く継続し過ぎる短絡を、そのため、それと関連する溶接継ぎ目のエラーを引き起こす可能性がある。これは、例えば、ビードの剥がれ落ちが最早正しく動作しなくなるので、パルス溶接プロセスを妨げて、溶接品質に不利な影響を与える可能性がある。最悪の場合、パルス溶接プロセスが不安定になるか、最早正常に動作しなくなるか、或いはその両方であり、これは、例えば、溶接の撥ね、共通の溶湯の喪失、アンダーカット、溶接継ぎ目の細孔、合金要素の多過ぎる焼き減りなどを引き起こす。それを緩和するために、同期する側のパルス溶接プロセスに関して、保存された特性曲線Ｋから、設定された溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂに基づき、それに対応する関連付けられたパルス周波数ｆ_Ｄｂを読み取って、先導するパルス溶接プロセスでの新たなパルス周波数ｆ_Ｄａと追従するパルス溶接プロセスでの読み取ったパルス周波数ｆ_Ｄｂの間における最も近い整数にセットされた比率を新たなパルス周波数比率として特定して、新たに設定すると規定することができる。そして、先導するパルス溶接プロセスでのパルス周波数ｆ_Ｄａと、新たに特定したパルス周波数比率とから、同期する側のパルス溶接プロセスにおけるパルス周波数ｆ_Ｄｂが特定されて、設定される。それにより、追従するパルス溶接プロセスにおける溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂとパルス周波数ｆ_Ｄｂの理想的な比率と実際に設定される比率との間の偏差がより小さくなる。

この同じ問題が、複式パルス溶接方法において、溶接の開始時又は溶接中に、パルス溶接プロセスの中の１つのパルス溶接プロセスの溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄａ又はパルス周波数ｆ_Ｄａが変更された場合に起こる可能性がある。これは、パルス溶接プロセスにおけるパルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂの間の設定されたパルス周波数比率に起因して、同じく同期する側のパルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄｂの変更を引き起こす。しかし、ここで、この変更されたパルス周波数ｆ_Ｄｂは、最早パルス溶接プロセスにおいて設定された溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂに適合しない。

そこで、この問題を取り除くために、本発明では、上で説明した理想的な設定値からの偏差の起こり得る作用を軽減するために、溶接パラメータの適合を行う規定される。例えば、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄａ，ｖ_Ｄｂ、溶接電流Ｉ_Ｓａ，Ｉ_Ｓｂ、溶接電圧、溶接すべき加工物の材料の厚さなどを変更する場合に、そのような理想的でない設定値が生じる可能性がある。本発明では、同期する側の（例えば、追従する）パルス溶接プロセスの少なくとも１つの溶接パラメータが変更され、その結果、溶接電流Ｉ_Ｓｂの実際の実効値と実際の溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂの間の実際の比率Ｖが、理想的な設定値から得られる理想的な比率Ｖ_ｏｐｔに変更される。そのため、実際の比率Ｖは、溶接を行うための実際の設定値から得られる。理想的な比率Ｖ_ｏｐｔは、パルス周波数ｆ_Ｄと溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄの間の関連付けに基づき設定しなければならないが、所与のパルス周波数比率のために設定できない値から得られる。そのため、この少なくとも１つの変更すべき溶接パラメータは、溶接電流Ｉ_Ｓｂの時間的な推移（即ち、曲線形状）、即ち、例えば、パルス電流Ｉ_ＳＩ、基本電流Ｉ_ＳＧ、（有利には、溶接サイクルＳＺの継続時間に関する）パルス電流継続時間と基本電流継続時間、電流エッジの上昇／低下時間などを変更するパルス電流パラメータであり、このことは、溶接電流Ｉ_Ｓの実効値に影響する。しかし、溶接パラメータとして溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂ自体を変更することもできる。

そのため、本発明は、パルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄと溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄの間の既知の関係（特性曲線Ｋ）から、パルス周波数ｆ_Ｄと溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄに関する理想的な設定値が特定され、その特定のために、パルス周波数ｆ_Ｄ又は溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄに関して予め与えられた値を使用することをベースとしている。これらの理想的な設定値を用いて、溶接電流Ｉ_Ｓの理想的な実効値ＲＭＳ_ｏｐｔを特定することができ、そして、その実効値から、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄの理想的な設定値を用いて、理想的な実効値ＲＭＳ_ｏｐｔと理想的な溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄの間の理想的な比率Ｖ_ｏｐｔが特定される。そして、この理想的な比率Ｖ_ｏｐｔが、少なくとも１つの溶接パラメータを変更することによって設定される。この場合、この関係を介して、パルス溶接プロセスの設定すべき溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄを理想的なパルス周波数ｆ_Ｄと関連付けるか、或いはパルス溶接プロセスの設定すべきパルス周波数ｆ_Ｄを理想的な溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄと関連付けることができる。それにより、理想的なパルス周波数ｆ_Ｄｏｐｔを有する溶接電流Ｉ_Ｓから、溶接電流の理想的な実効値ＲＭＳ_ｏｐｔを特定して、この実効値から、この理想的な実効値ＲＭＳ_ｏｐｔと所与の溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄの間の理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを特定することができる。同様に、設定すべきパルス周波数ｆ_Ｄを有する溶接電流Ｉ_Ｓから、溶接電流Ｉ_Ｓの理想的な実効値ＲＭＳ_ｏｐｔを特定して、この実効値から、この理想的な実効値ＲＭＳ_ｏｐｔと理想的な溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄの間の理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを特定することができる。

時間的に変化する電気量の実効値は、周知の通り、その電気量の時間に関する自乗平均値である。従って、溶接電流Ｉ_Ｓの実効値は、例えば、溶接サイクルＳＺの周期継続時間ｔ_Ｄに渡って計算することができる。しかし、複数の周期継続時間ｔ_Ｄに渡って実効値を（例えば、移動平均値として）計算するか、或いは異なる周期継続時間ｔ_Ｄに関して算出された実効値を平均化するのが有利である。

如何なる溶接パラメータを変更するのかは（この場合、当然のことながら、複数の溶接パラメータを同時に変更することもできる）、本発明にとって副次的なことである。例えば、そのような変更を実行するアルゴリズムを実装することができる。このアルゴリズムは、保存された経験的なデータ、例えば、実効値と或るパルス電流パラメータの間の関係に基づき、少なくとも１つの溶接パラメータに対する変更を実行することができる。同様に、実効値の所望の変更を少なくとも１つの溶接パラメータの所定の変更にマッピングする物理的なモデル又は学習モデル（例えば、ニューラルネットワーク）を規定することができる。同様に、所望の実効値に可能な限り近付けるように、少なくとも１つの溶接パラメータを変更する最適化を実装することができる。そのために、例えば、少なくとも１つの溶接パラメータを変更することによって、実際の実効値と（自乗偏差としても）望ましい実効値の間の費用関数を最小化することができる。この場合、溶接パラメータの所与の限界（考え得る最小値又は最大値）などの境界条件も考慮することができる。有利な実装形態では、所定の溶接パラメータの影響を溶接電流Ｉ_Ｓの実効値にマッピングする特性マップを溶接機器１ａ，１ｂに保存することができる。そして、保存された特性マップから、実効値を所望の通り変更するために、溶接パラメータの変更を実行することができる。この場合、有利には、溶接電流Ｉ_Ｓの適合に関係なく、ビードの剥がれ落ちが保証されることに留意されたい。そのために、場合によっては、複式パルス溶接方法の別のパラメータ、例えば、溶接すべき加工物の材料の厚さ、溶接ワイヤーの直径／材料などに応じて、異なる溶接パラメータに関する限界値も保存することができる。

有利な実施形態では、例えば、特性マップは、例えば、パルス周波数ｆ_Ｄの理想的なパルス周波数からの（例えば、百分率又は絶対値での）偏差（又は溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄの理想的な溶接ワイヤー送り速度からの偏差）を均して、所望の理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを達成するように、実効値ＲＭＳを変更するためには、（例えば、百分率又は絶対値で）どの程度に溶接パラメータを変更しなければならないのかを保存した表の形で保存することができる。例えば、パルス電流パラメータとして、パルス周波数ｆ_Ｄの変化に応じた基本電流Ｉ_ＳＧ、パルス電流Ｉ_ＳＩ及びパルス電流継続時間の変化を表にして保存することができる。

一般的に、溶接パラメータは、当然のことながら、任意に変更できるので、実効値と溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂから、設定された実際の比率Ｖを精確に理想的な比率Ｖ_ｏｐｔに変更することは不可能である。そのため、「この理想的な比率Ｖ_ｏｐｔに変更すべきである」とは、本発明の意味において、得られた実際の比率Ｖが、そのため、有利には、所望の理想的な比率Ｖ_ｏｐｔの周りの定義された許容範囲内に有る比率Ｖ_ｏｐｔをほぼ達成することを意味し、この許容範囲は、有利には、所望の比率の±２５％、全く特に有利には、±１０％である。このことは、図５を参照して説明する。

図５は、例えば、パルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄと溶接電流Ｉ_Ｓの実効値ＲＭＳの間の関係を図示している。特性曲線Ｋ（図４）によると、パルス溶接プロセスは、設定された溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄに基づき、理想的なパルス周波数ｆ_Ｄｏｐｔにおける理想的な動作点Ａ_ｏｐｔで動作させなければならず、これは、実効値ＲＭＳ_ｏｐｔ及びこれらの両方の量の間の理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを生じさせる。しかし、所与のパルス周波数比率に基づき、パルス溶接プロセスを実際のパルス周波数ｆ_Ｄで動作させなければならず、これは、パルス溶接プロセスに関する理想的でない設定値による実際の動作点Ａ_ｎｏｐｔ、実際の実効値ＲＭＳ_ｎｏｐｔ（線１６）及び実際の比率Ｖを生じさせる。本発明の目的は、理想的な動作点Ａ_ｏｐｔでの理想的な設定値から得られる理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを設定すること（線１５）である。そのために、図示された実施例では、溶接電流Ｉ_Ｓの少なくとも１つのパルス電流パラメータが溶接パラメータとして変更され、その結果、所与のパルス周波数比率に基づき設定すべきパルス周波数ｆ_Ｄにおいて、有利には、許容範囲Ｔ内で、実効値ＲＭＳ_ｏｐｔが、そのため、理想的な比率Ｖ_ｏｐｔが達成される（線１７）。動作点Ａにおいてそのようにして特定された溶接電流Ｉ_Ｓと溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄに関する設置値により、パルス溶接プロセスが実施される。

同様に、当然のことながら、理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを設定するために、パルス電流パラメータの代わりに、溶接パラメータとして、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄを変更する措置を取ることができる。同様に、当然のことながら、理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを設定するために、溶接パラメータとして、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄと少なくとも１つのパルス電流パラメータを変更することもできる。

本発明の考え得る実装形態では、理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを可能な限り設定するために、溶接電流Ｉ_Ｓの実効値ＲＭＳに関する閉ループ制御を規定することもできる。そのために、例えば、ソフトウェアとして、コントローラをパルス溶接プロセスの制御ユニット７に実装して、溶接パラメータとして、少なくとも１つのパルス電流パラメータを制御することができ、その結果、溶接中に、目標値としての理想的な比率Ｖ_ｏｐｔに制御される。同様に、目標値としての理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを設定する開ループ制御を実装することができる。

本発明の１つの実施形態では、理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを達成するために、溶接電流Ｉ_Ｓｂの実効値及び／又は溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂを変更することに加えて、パルス周波数比率を変更することもできる。理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを達成するためには、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂ及び／又は溶接電気Ｉ_Ｓｂの実効値を大きく変更しなければならない場合、例えば、先ずはパルス周波数比率を、そのため同期する側のパルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄｂをより大きな、或いはより小さな別の整数値に変更すると規定することができる。例えば、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂ又は実効値ＲＭＳを±２５％以上変更しなければならない場合に、それを実行することができる。そして、パルス電流比率の変更後に、必要に応じて、更に比率Ｖを適合させることもできる。

理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを達成するために、追従するパルス溶接プロセスでの溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂが変更される場合、この速度は、有利には、設定された（先導するパルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄａに同期する、そのため決められた）パルス周波数ｆ_Ｄｂに基づき、パルス溶接プロセスの特性曲線Ｋ（図４）から得られる値にセットされる。

そのため、本発明では、複式パルス溶接方法のパルス溶接プロセスを制御するために、以下の通りの措置を取ることができる。

この場合、如何なるパルス溶接プロセスが先導するのか、或いは追従するのかの決定、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄａ，ｖ_Ｄｂとパルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂの決定又はパルス溶接プロセスの動作点などの基本的な準備設定が与えられると仮定する。これらの基本的な設定により、複式パルス溶接方法が開始される、即ち、アークが周知の通り点火されて、関与するパルス溶接プロセスの同期が実施される。

パルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂの間の決定された整数のパルス周波数比率に基づき、追従するパルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄｂが得られた後、準備工程として、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂを、（例えば、保存された特性曲線Ｋに基づき）その得られたパルス周波数ｆ_Ｄｂに対応する溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂに変更すると規定することもできる。それにより、追従するパルス溶接プロセスにおいても、理想的に組み合わされたパルス周波数ｆ_Ｄｂと溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂにより複式パルス溶接方法を開始することができる。当然のことながら、同じことを先導するパルス溶接プロセスにおいても行うことができる。

複式パルス溶接方法のパルス溶接プロセスの溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄａ，ｖ_Ｄｂに関する基準により、理想的なパルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂが得られ、その逆に、パルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂから、理想的な溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄａ，ｖ_Ｄｂが得られる。同期する側のパルス溶接プロセスの（溶接機器１ａにおいて既知である）溶接電流Ｉ_Ｓｂに関するパルス電流パラメータの既知の設定値を用いて、実効値ＲＭＳ_ｏｐｔが特定され、それに続いて比率Ｖ_ｏｐｔを（例えば、数学的に、或いは測定技術的にも）特定することができる。例えば、溶接工により、上位の制御ユニットの基準に基づき、或いは進行する溶接プログラムに基づき、複式パルス溶接方法の開始時に、さもなければ溶接中に持続的に、或いは複式パルス溶接方法中に、パルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂ及び／又は溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄａ，ｖ_Ｄｂを変更する場合にのみ、実際の実効値ＲＭＳ_ｎｏｐｔと実際の比率Ｖ_ｎｏｐｔが特定される。それにより、所望の比率Ｖ_ｏｕｔを設定するために、同期する側のパルス溶接プロセスの少なくとも１つの溶接パラメータを変更することができる。

ここで、複式パルス溶接方法中に、例えば、溶接工によって、上位の制御ユニットの基準に基づき、或いは進行する溶接プログラムに基づき、パルス溶接プロセスのパルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂ及び／又は溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄａ，ｖ_Ｄｂが変更された場合、パルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂは、溶接機器１ａ，１ｂが同期しているために、変更されないままであるか、或いは変更することもできる整数のパルス周波数比率に留まる。従って、このことは、パルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂ、特に、追従するパルス溶接プロセスのパルス周波数の適合と共に、そのため、実効値ＲＭＳの変更と共に起こる。この適合の実装形態に応じて、ほぼ所望の理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを設定するために、追従するパルス溶接プロセスの溶接電流Ｉ_Ｓの実効値及び／又は溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂを変更することができる。

例えば、パルス周波数ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂの整数のパルス周波数比率を変更する場合に、基準の溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂを変更すると規定することができる。この場合、精密な設定のために、更に、溶接電流Ｉ_Ｓの実効値も適合させることができる、別の側面において、溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄｂを定義された値よりも大きな値、例えば、１０％だけ変更しなければならない場合に、基準の実効値を適合させると規定することができる。

そのため、理想的な比率Ｖ_ｏｐｔは、溶接中に変更することもでき、それにより、その変更された理想的な比率Ｖ_ｏｐｔを設定するために、溶接パラメータの変更も必要となる可能性がある。そのような変更は、例えば、溶接電流Ｉ_Ｓ又は溶接ワイヤー送り速度ｖ_Ｄの変更を実現できるアーク長の上位の制御部によって行うことができる。

少なくとも１つの溶接パラメータの適合部は、溶接機器１ａ，１ｂの制御ユニット７ａ，７ｂにおいて、ソフトウェアとして実装することができる。例えば、特性マップなどの、それに必要なデータは、溶接機器１ａ，１ｂに記憶することができる。
なお、本発明は、以下の態様も包含し得る：
１．少なくとも２つのパルス溶接プロセスを同時に動作させる複式パルス溶接方法を実施する方法であって、この少なくとも２つのパルス溶接プロセスがそれぞれ、パルス電流パラメータを有する溶接電流（Ｉ _Ｓａ ，Ｉ _Ｓｂ ）と、設定すべきパルス周波数（ｆ _Ｄａ ，ｆ _Ｄｂ ）と、設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄａ ，ｖ _Ｄｂ ）とにより実施され、第一のパルス溶接プロセスが第一のパルス周波数（ｆ _Ｄａ ）を予め与え、第二のパルス溶接プロセスで設定すべき第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）が第一のパルス周波数（ｆ _Ｄａ ）から得られる方法において、
第二のパルス溶接プロセスのパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の間の既知の関係から、第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）に関する理想的な設定値が特定されることと、
この理想的な設定値を用いて、第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）が特定されて、この理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）と第二の溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の理想的な設定値を用いて、これらの実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の間の理想的な比率（Ｖ _ｏｐｔ ）が特定されることと、
設定すべき第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）を有する第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）を用いて、第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の実際の実効値（ＲＭＳ _ｎｏｐｔ ）が特定され、それにより、第二のパルス溶接プロセスの実際の実効値（ＲＭＳ _ｎｏｐｔ ）と設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の間の実際の比率（Ｖ）が特定されることと、
実際の比率（Ｖ）を理想的な比率（Ｖ _ｏｐｔ ）に変更するために、第二のパルス溶接プロセスの第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の少なくとも１つのパルス電流パラメータ及び／又は第二のパルス溶接プロセスの溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）が変更されることと、を特徴とする方法。
２．前記の第二のパルス溶接プロセスの設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）が、理想的な第二のパルス周波数（ｆ _{Ｄｂｏｐｔ} ）と関連付けられているか、或いは前記の第二のパルス溶接プロセスの設定すべき第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）が、理想的な第二のパルス周波数（ｖ _Ｄｂ ）と関連付けられていることと、
前記の理想的な第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｏｐｔ ）を有する第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）から、第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）が特定され、その実効値から、この理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）と所与の溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の間の理想的な比率（Ｖ _ｏｐｔ ）が特定されるか、或いは前記の設定すべき第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）を有する第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）から、第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）が特定され、その実効値から、この理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）と理想的な溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の間の理想的な比率（Ｖ _ｏｐｔ ）が特定されることと、を特徴とする上記１．に記載の方法。
３．前記の第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）が、第一のパルス周波数（ｆ _Ｄａ ）及び第一のパルス周波数（ｆ _Ｄａ ）と第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）の間の所与の整数のパルス周波数比率から得られることを特徴とする上記１．又は２．に記載の方法。
４．更に、実際の比率（Ｖ）を理想的な比率（Ｖ _ｏｐｔ ）に変更するために、前記のパルス周波数比率が変更されることを特徴とする上記３．に記載の方法。
５．前記の第二のパルス溶接プロセスの溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の実効値（ＲＭＳ）が、第二のパルス溶接プロセスの溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の少なくとも１つのパルス電流パラメータを変更することによって、目標値としての理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）に閉ループ制御又は開ループ制御されることを特徴とする上記１．～４．のいずれか１つに記載の方法。
６．少なくとも１つのパルス電流パラメータとして、第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）のパルス電流（Ｉ _Ｓｂ ）、基本電流（Ｉ _ＳＧｂ ）、パルス電流継続時間、基本電流継続時間、電流上昇エッジ又は電流低下エッジが変更されることを特徴とする上記１．～５．のいずれか１つに記載の方法。
７．複式パルス溶接方法を実施する装置であって、少なくとも２つの溶接機器がそれぞれ、パルス電流パラメータを有する溶接電流（Ｉ _Ｓａ ，Ｉ _Ｓｂ ）と、設定すべきパルス周波数（ｆ _Ｄａ ，ｆ _Ｄｂ ）と、設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄａ ，ｖ _Ｄｂ ）とにより実施し、第一のパルス溶接プロセスが第一のパルス周波数（ｆ _Ｄａ ）を予め与え、第二のパルス溶接プロセスで設定すべき第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）が第一のパルス周波数（ｆ _Ｄａ ）から得られる装置において、
第二のパルス溶接プロセスを実施する制御ユニット（７ｂ）が、第二のパルス溶接プロセスのパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の間の既知の関係から、第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）と第二の溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）に関する理想的な設定値を特定して、この制御ユニット（７ｂ）が、この理想的な設定値を用いて第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）を特定することによって、この制御ユニット（７ｂ）が、第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）を特定することと、
この制御ユニット（７ｂ）が、この理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）と第二の溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の理想的な設定値を用いて、これらの実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の間の理想的な比率（Ｖ _ｏｐｔ ）を特定することと、
この制御ユニット（７ｂ）が、設定すべき第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）を有する第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）を用いて、第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の実際の実効値（ＲＭＳ _ｎｏｐｔ ）を特定して、それにより、第二のパルス溶接プロセスの実際の実効値（ＲＭＳ _ｎｏｐｔ ）と設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の間の実際の比率（Ｖ）を特定することと、
この制御ユニット（７ｂ）が、実際の比率（Ｖ）を理想的な比率（Ｖ _ｏｐｔ ）に変更するために、第二のパルス溶接プロセスの第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の少なくとも１つのパルス電流パラメータ及び／又は第二のパルス溶接プロセスの溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）を変更することと、を特徴とする装置。
８．前記の制御ユニット（７ｂ）が、第二のパルス溶接プロセスの設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）から、それと関連付けられた理想的な第二のパルス周波数（ｖ _Ｄｂ ）を特定するか、或いは第二のパルス溶接プロセスの設定すべき第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）から、それと関連付けられた理想的な第二の溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）を特定し、
前記の制御ユニット（７ｂ）が、理想的な第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｏｐｔ ）又は設定すべき第二のパルス周波数（ｆ _Ｄｂ ）を有する第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）から、第二の溶接電流（Ｉ _Ｓｂ ）の理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）を特定し、
前記の制御ユニット（７ｂ）が、この理想的な実効値（ＲＭＳ _ｏｐｔ ）と設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）又は理想的な溶接ワイヤー送り速度（ｖ _Ｄｂ ）の間の理想的な比率（Ｖ _ｏｐｔ ）を特定する、ことを特徴とする上記７．に記載の装置。

Claims (8)

1. 少なくとも２つのパルス溶接プロセスを同時に動作させる複式パルス溶接方法を実施する方法であって、この少なくとも２つのパルス溶接プロセスがそれぞれ、パルス電流パラメータを有する溶接電流（Ｉ_Ｓａ，Ｉ_Ｓｂ）と、設定すべきパルス周波数（ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂ）と、設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄａ，ｖ_Ｄｂ）とにより実施され、第一のパルス溶接プロセスが第一のパルス周波数（ｆ_Ｄａ）を予め与え、第二のパルス溶接プロセスで設定すべき第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）が第一のパルス周波数（ｆ_Ｄａ）から得られる方法において、
   第二のパルス溶接プロセスのパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の間の既知の関係から、第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）に関する理想的な設定値が特定されることと、
   この理想的な設定値を用いて、第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）が特定されて、この理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）と第二の溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の理想的な設定値を用いて、この理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の間の理想的な比率（Ｖ_ｏｐｔ）が特定されることと、
   設定すべき第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）を有する第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）を用いて、第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の実際の実効値（ＲＭＳ_ｎｏｐｔ）が特定され、それにより、第二のパルス溶接プロセスの実際の実効値（ＲＭＳ_ｎｏｐｔ）と設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の間の実際の比率（Ｖ）が特定されることと、
   実際の比率（Ｖ）を理想的な比率（Ｖ_ｏｐｔ）に変更するために、第二のパルス溶接プロセスの第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の少なくとも１つのパルス電流パラメータ及び／又は第二のパルス溶接プロセスの溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）が変更されることと、を特徴とする方法。
2. 前記の第二のパルス溶接プロセスの設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）が、理想的な第二のパルス周波数（ｆ_{Ｄｂｏｐｔ}）と関連付けられているか、或いは前記の第二のパルス溶接プロセスの設定すべき第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）が、理想的な第二の溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）と関連付けられていることと、
   前記の理想的な第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｏｐｔ）を有する第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）から、第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）が特定され、その実効値から、この理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）と設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の間の理想的な比率（Ｖ_ｏｐｔ）が特定されるか、或いは前記の設定すべき第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）を有する第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）から、第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）が特定され、その実効値から、この理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）と理想的な溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の間の理想的な比率（Ｖ_ｏｐｔ）が特定されることと、を特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記の第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）が、第一のパルス周波数（ｆ_Ｄａ）及び第一のパルス周波数（ｆ_Ｄａ）と第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）の間の所与の整数のパルス周波数比率から得られることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
4. 更に、実際の比率（Ｖ）を理想的な比率（Ｖ_ｏｐｔ）に変更するために、前記のパルス周波数比率が変更されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
5. 前記の第二のパルス溶接プロセスの溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の実効値（ＲＭＳ）が、第二のパルス溶接プロセスの溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の少なくとも１つのパルス電流パラメータを変更することによって、目標値としての理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）に閉ループ制御又は開ループ制御されることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
6. 少なくとも１つのパルス電流パラメータとして、第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）のパルス電流（Ｉ_Ｓｂ）、基本電流（Ｉ_ＳＧｂ）、パルス電流継続時間、基本電流継続時間、電流上昇エッジ又は電流低下エッジが変更されることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の方法。
7. 複式パルス溶接方法を実施する装置であって、少なくとも２つの溶接機器がそれぞれ、パルス電流パラメータを有する溶接電流（Ｉ_Ｓａ，Ｉ_Ｓｂ）と、設定すべきパルス周波数（ｆ_Ｄａ，ｆ_Ｄｂ）と、設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄａ，ｖ_Ｄｂ）とにより実施し、第一のパルス溶接プロセスが第一のパルス周波数（ｆ_Ｄａ）を予め与え、第二のパルス溶接プロセスで設定すべき第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）が第一のパルス周波数（ｆ_Ｄａ）から得られる装置において、
   第二のパルス溶接プロセスを実施する制御ユニット（７ｂ）が、第二のパルス溶接プロセスのパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の間の既知の関係から、第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）と第二の溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）に関する理想的な設定値を特定して、この制御ユニット（７ｂ）が、この理想的な設定値を用いて第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）を特定することによって、この制御ユニット（７ｂ）が、第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）を特定することと、
   この制御ユニット（７ｂ）が、この理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）と第二の溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の理想的な設定値を用いて、この理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）と溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の間の理想的な比率（Ｖ_ｏｐｔ）を特定することと、
   この制御ユニット（７ｂ）が、設定すべき第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）を有する第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）を用いて、第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の実際の実効値（ＲＭＳ_ｎｏｐｔ）を特定して、それにより、第二のパルス溶接プロセスの実際の実効値（ＲＭＳ_ｎｏｐｔ）と設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の間の実際の比率（Ｖ）を特定することと、
   この制御ユニット（７ｂ）が、実際の比率（Ｖ）を理想的な比率（Ｖ_ｏｐｔ）に変更するために、第二のパルス溶接プロセスの第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の少なくとも１つのパルス電流パラメータ及び／又は第二のパルス溶接プロセスの溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）を変更することと、を特徴とする装置。
8. 前記の制御ユニット（７ｂ）が、第二のパルス溶接プロセスの設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）から、それと関連付けられた理想的な第二のパルス周波数（ｖ_Ｄｂ）を特定するか、或いは第二のパルス溶接プロセスの設定すべき第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）から、それと関連付けられた理想的な第二の溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）を特定し、
   前記の制御ユニット（７ｂ）が、理想的な第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｏｐｔ）又は設定すべき第二のパルス周波数（ｆ_Ｄｂ）を有する第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）から、第二の溶接電流（Ｉ_Ｓｂ）の理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）を特定し、
   前記の制御ユニット（７ｂ）が、この理想的な実効値（ＲＭＳ_ｏｐｔ）と設定すべき溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）又は理想的な溶接ワイヤー送り速度（ｖ_Ｄｂ）の間の理想的な比率（Ｖ_ｏｐｔ）を特定する、ことを特徴とする請求項７に記載の装置。

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