JP7295626B2 - 半導体基板切断用レジンブレード及び半導体基板切断用レジンブレード製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体材料等の基板を切断してチップ状に個片化するのに用いられる半導体基板切断用レジンブレード及び半導体基板切断用レジンブレード製造方法に関する。

周知のように、半導体材料からなる基板等（以下、被切断材という）を切断してチップ状に個片化する際に、例えば、厚さ１ｍｍ以下の肉薄に形成された切刃ブレードが用いられている。

切刃ブレードによって被切断材を切断する際には、被切断材が切断される加工点において大量の発熱がある。特に、快削性の高い切刃ブレードを用いる場合には、加工点で短時間で大量の発熱があるため、工具寿命が短くなり、被切断材の加工品位が悪化するという問題がある。

そこで、例えば、砥粒と樹脂ボンド相を備えたレジンブレードにおいては、樹脂の種類を変更したりフィラーを添加することによりレジンブレードの耐熱性を向上させて工具寿命を延長させるとともに加工品位を改善する技術開発が進められている（例えば、特許文献１、２参照。）。

また、砥粒と金属ボンド相を備えたメタルブレードに関して、例えば、ブレード側面の外周側に凹溝を形成して、外部から供給する切削液によって加工点の冷却効率の向上するとともに溝を介して切り屑をスムースに排出して切削抵抗を低減する技術が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。

特開２０１３－２２３９０２号公報 特開２０１３－１５４４２４号公報 特開２０１２－１１１００５号公報

しかしながら、引用文献３に記載された技術は、メタルボンド相を備えた切刃ブレードでは実現可能であるものの、溝を形成すると強度が低下して破損等が発生しやすくなるので、樹脂ボンド相を有していて結合強度が低いレジンブレードに適用することは容易ではない。特に、台金を使用しないオールブレードタイプのレジンブレードでは適用が非常に困難である。

一方、レジンブレードの耐熱性を改善したとしても、レジンブレードで被切断材を切断する際に、工具寿命が短くなるのを抑制しつつ被切断材をスムースに切断するためには、加工点又は加工点近傍を効率的に冷却することが望ましい。

また、例えば、近年増加しつつあるＱＦＮ（Quad Flat Non lead package）のような被切断材を切断する場合には、セラミックスとリード等の金属を同時に切断する必要があり、加工点又は加工点近傍をより効率的に冷却する技術が必要である。

この発明は、このような事情を考慮してなされたものであり、加工点又は加工点近傍を効率的に冷却することにより工具寿命が短くなるのを抑制することが可能とされ、望ましくはＱＦＮ等を切断する場合に、金属部分の切断品質を向上させることが可能なレジンブレード及びレジンブレード製造方法を提供することを目的としている。

そこで、発明者らは、半導体材料等の基板を工具寿命が短くなるのを抑制しつつ加工点又は加工点近傍を効率的に冷却することが可能なレジンブレードに関して鋭意研究した結果、レジンブレードの径方向内方から外方に向かって溝部を形成して、切削液を外部から供給するのではなく、溝部を使用して切削液を供給して切断時に発生する熱を安定して逃がすことで加工点又は加工点近傍が効率的に冷却され、レジンブレードが効率的に冷却されて工具寿命が短くなるのを抑制可能であるとの知見を得た。

上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に記載の発明は、軸線周りに回転される半導体基板切断用レジンブレードであって、樹脂ボンド相と、前記樹脂ボンド相に分散された砥粒と、を含み円板状に形成されたブレード本体を備え、前記ブレード本体の両側面には、周方向に間隔をあけて配置され径方向内方から外方に向かって伸びる複数の溝部が形成され、前記軸線に沿って見て前記両側面のいずれか一方に溝部が形成された溝部領域は、隣接する溝部領域の間に位置される平坦領域に比較して前記砥粒の含有率が高く設定されており、前記溝部領域における砥粒の平均含有率が前記平坦領域における砥粒の平均含有率に対して０．２５体積％以上１２．５体積％以下の範囲で高く設定されており、ＣｕタイプＱＦＮパッケージを５０ｍ切断した後の５枚の前記半導体基板切断用レジンブレードのブレード摩耗量の平均値が１５１μｍ未満であることを特徴とする。

この発明に係るレジンブレードによれば、樹脂ボンド相と、樹脂ボンド相に分散された砥粒と、を含み円板状に形成されたブレード本体を備え、ブレード本体の両側面に周方向に間隔をあけて配置され径方向内方から外方に向かって伸びる複数の溝部が形成されているので、溝部を使用して切削液を供給して切断時に発生する熱を安定して逃がすことで加工点又は加工点近傍の熱を安定して逃がしてレジンブレード及び加工点又は加工点近傍を効率的に冷却することができる。
その結果、工具寿命が短くなるのを抑制しつつ加工点又は加工点近傍を効率的に冷却することができる。
また、溝部領域の砥粒含有量が平坦領域の砥粒含有量よりも高く設定されているので、薄肉である溝部領域の剛性が向上し又は低下するのが抑制されてレジンブレードの強度が確保される。また、溝部領域が偏って摩耗するのが抑制することができる。
また、レジンブレードが切断時に蛇行するのを抑制してスムースな切断を可能にするとともにレジンブレードが破損するのを抑制することができる。

この明細書において溝部領域とは、レジンブレード本体を軸線に沿って見たときに、両側面の少なくともいずれか一方の側面に溝部が形成された領域をいい、いずれかの側面ではなくブレード本体に対して定義される領域である。
また、平坦領域とは、軸線に沿って見たときに、隣接する溝部領域の間に位置されていて、いずれの側面にも溝部が形成されていない領域をいう。

また、溝部領域と平坦領域の砥粒含有量を対比する場合は、溝部領域において溝部の底をなす部分と平坦領域の砥粒含有量を比較するものとし、溝部における抜勾配等の傾斜部は除いて算出するものとする。

この発明に係るレジンブレードによれば、溝部領域における砥粒の平均含有率が、平坦領域に対して０．２５体積％以上に高く設定されているので、薄肉である溝部領域にも充分な剛性を確保することができ、平坦領域に対して１２．５体積％以下の範囲で高く設定されているので、溝部領域を効率的かつ安定して形成できる。また、溝部においてレジンブレードが偏摩耗するのを抑制することができる。

ここで、溝部領域における砥粒の平均含有率は、溝部領域において溝部の底部をなす部分（抜勾配を除く）を対象とする。また、平坦領域における砥粒の平均含有率はいずれの面にも溝部領域が形成されていない部分を対象とする。また、測定に際しては、レジンブレード全体を対象とするものとし、簡易的に隣接する溝部領域と平坦領域における砥粒の平均含有率を対象として測定してもよい。
測定に際しては、切片を切り出して、それぞれの体積を測定し、その後、樹脂ボンド相を溶解（又は焼失させて）除去した後の砥粒の体積を測定して、砥粒の平均含有量を算出する。体積測定については、アルキメデス法を用いることが可能である。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体基板切断用レジンブレードであって、前記溝部の幅は、前記ブレード本体の一方の面における周方向長さの合計が前記ブレード本体の外周において３％以上４５％以下に形成されていることを特徴とする。

この発明に係るレジンブレードによれば、溝部の幅は、ブレード本体の一方の面の外周における合計長さが、外周における円周に対して３％以上４５％以下に形成されているので、切断時に加工点又は加工点近傍に充分な量の切削液を供給することができる。
また、溝部の幅が、ブレード本体の一方の面の外周における合計長さが、外周における円周に対して３％以上４５％以下に形成されているので、溝部領域における砥粒含有量を安定して高めることが可能となる。また、溝部領域が大きくなり過ぎることに起因してレジンブレードの強度が低下するのを抑制することができる。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の半導体基板切断用レジンブレードであって、前記溝部の溝深さは、前記ブレード本体の厚さに対して３％以上３０％以下に形成されていることを特徴とする。

この発明に係るレジンブレードによれば、溝部の溝深さが、ブレード本体の厚さに対して３％以上とされているので、切断時に加工点又は加工点近傍に切削液を安定して供給することができる。
また、溝部の溝深さがブレード本体の厚さに対して３０％以下とされているので、溝部が形成されて薄肉になっても充分な強度を確保することが可能となり、その結果、安定して切断することができる。

請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体基板切断用レジンブレードであって、前記軸線方向における一方側の側面に形成される溝部と他方側の側面に形成される溝部とは周方向において互いに中間位置に配置されていることを特徴とする。

この発明に係るレジンブレードによれば、軸線方向における一方側の側面に形成される溝部と他方側の側面に形成される溝部とが周方向において互いに中間位置に配置されているので、溝部が両側面の同じ位置に形成されて、薄肉となり過ぎることに起因してレジンブレードの強度が低下するのを抑制することができる。
また、一方側の側面に形成される溝部と他方側の側面に形成される溝部とが互いに周方向において中間位置に配置されているので、一方側の側面と他方側の側面で切削液が交互に供給され、切削液による冷却を効率的に行うことができる。

請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体基板切断用レジンブレードであって、前記溝部は、前記ブレード本体の内周側が外周側に対して回転方向前方側に形成されていて、前記ブレード本体の外周縁において前記溝部は前記ブレード本体の径方向に対して０°以上６０°以下の交差角で交差するように形成されていることを特徴とする。

この発明に係るレジンブレードによれば、溝部は、ブレード本体の内周側が外周側に対して回転方向前方に形成されていて、ブレード本体の外周縁において溝部はブレード本体の径方向側に対して０°以上６０°以下の交差角で交差するように形成されているので、レジンブレードが高速回転しても切削液を確実に供給することができる。

請求項６に記載の発明は、請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体基板切断用レジンブレードを製造する半導体基板切断用レジンブレード製造方法であって、樹脂ボンド相を形成する樹脂素材粉末と砥粒とを混合して粉末材料を形成する材料混合工程と、前記粉末材料からブレード原板を形成するブレード原板形成工程と、ホットプレスによって前記ブレード原板の両側面に周方向に間隔をあけて配置され径方向内方から外方に向かって伸びる複数の溝部を形成するとともに、前記溝部と対応する溝部領域を前記溝部領域間に位置される平坦領域よりも高圧縮率で圧縮して前記溝部領域における砥粒含有量を前記平坦領域に比較して高く形成するブレード形成工程と、を備え、前記ブレード形成工程では、前記溝部領域における砥粒の平均含有率を前記平坦領域における砥粒の平均含有率に対して０．２５体積％以上１２．５体積％以下の範囲で高くし、ＣｕタイプＱＦＮパッケージを５０ｍ切断した後の５枚の前記半導体基板切断用レジンブレードのブレード摩耗量の平均値を１５１μｍ未満とすることを特徴とする。

この発明に係るレジンブレード製造方法によれば、溝部を有するレジンブレードを効率的に製造することができる。
また、溝部領域における砥粒含有量を平坦領域に比較して効率的かつ安定して高く形成することができる。
その結果、工具寿命が短くなるのを抑制しつつ加工点又は加工点近傍を効率的に冷却するとともに、被切断材をスムースに切断することが可能なレジンブレードを効率的に製造することができる。

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の半導体基板切断用レジンブレード製造方法であって、前記ブレード原板形成工程は、前記粉末材料をコールドプレスすることにより圧粉してブレード原板を形成することを特徴とする。

この発明に係るレジンブレード製造方法によれば、ブレード原板形成工程において、粉末材料をコールドプレスすることにより圧粉してブレード原板を形成するので、ブレード原板を効率的に製造することができる。

本発明に係るレジンブレードによれば、工具寿命が短くなるのを抑制しつつ加工点又は加工点近傍を効率的に冷却することができる。
また、本発明に係るレジンブレード製造方法によれば、溝部を有するレジンブレードを効率的に製造することができる。

本発明の第１実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図であり、（Ａ）はレジンブレードを軸線に沿って側面から見た図を、（Ｂ）は（Ａ）において矢視ＩＢ‐ＩＢで示す軸線を含む断面図を、（Ｃ）は（Ａ）において矢視ＩＣ‐ＩＣで示す図である。 本発明の第１実施形態に係るレジンブレード製造工程の概略を説明するフローチャートである。 本発明の第１実施形態に係るブレード原板形成型の概略構成の一例を説明する図であり、ブレード原板形成型の分解斜視図である。 本発明の第１実施形態に係るブレード原板形成型の概略構成を説明する図であり、（Ａ）は上型を下方から見た図及び下型を上方から見た図を、（Ｂ）は（Ａ）において、Ａ１－Ａ１及びＡ２－Ａ２で示すブレード原板形成型の縦断面図を示している。 本発明の第１実施形態に係るレジンブレード製造工程におけるブレード原板形成工程の概略を説明する図であり、（Ａ）はブレード原板形成型に材料粉末を充填した状態を、（Ｂ）は充填した材料粉末を圧粉した状態を、（Ｃ）は形成されたブレード原板を側面から見た図を示している。 本発明の第１実施形態に係るブレード形成型の概略構成の一例を説明する図であり、ブレード形成型の分解斜視図である。 本発明の第１実施形態に係るブレード形成型の概略構成を説明する図であり、（Ａ）は上型を下方から見た図及び下型を上方から見た図を、（Ｂ）は（Ａ）において、Ｂ１－Ｂ１及びＢ２－Ｂ２で示すブレード原板形成型の縦断面図を示している。 本発明の第１実施形態に係るレジンブレード製造工程におけるブレード形成工程の概略を説明する図であり、（Ａ）はブレード形成型にブレード原板を配置した状態を、（Ｂ）は配置したブレード原板を加圧した状態を、（Ｃ）は形成されたレジンブレードを側面から見た図を示している。 本発明の第１実施形態に係るレジンブレード製造工程におけるブレード形成工程の概略を説明する図であり、（Ａ）はブレード形成型に対するブレード原板の構成を示す概略構成図を、（Ｂ）はブレード形成型に配置したブレード原板の加圧を開始する状態を示す概略構成図を、（Ｃ）はブレード原板を加圧してレジンブレードを形成する状態を示す概念図である。 本発明の第２実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図である。 本発明の第３実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図である。 本発明の第４実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図である。 本発明の第５実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図である。 本発明の実施例に係るＹバリ及び電極間距離の概略構成を説明する概念図である。

＜第１実施形態＞
以下、図１～図９を参照し、本発明の第１実施形態に係るレジンブレードについて説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図であり、図１（Ａ）はレジンブレードを軸線に沿って側面から見た図を、図１（Ｂ）は図１（Ａ）において矢視ＩＢ‐ＩＢで示す軸線を含む断面図を、図１（Ｃ）は図１（Ａ）において矢視ＩＣ‐ＩＣで示す図である。図において、符号１００はレジンブレードを、符号１０はレジンブレード本体を、符号１１は溝部を、符号１２は樹脂ボンド相を、符号１３はダイヤモンド超砥粒（砥粒）を示している。

レジンブレード１００は、図１に示すように、円板状に形成され軸線Ｏ周りに回転されるブレード本体１０を備えていて、ブレード本体１０の径方向内方には円形穴１０Ｈが形成され、両側面に径方向内方から外方に向かって伸びる複数の溝部１１が形成されている。この実施形態では、レジンブレード１００は、例えば、外径５９．０ｍｍ、刃厚０．３２ｍｍに形成されている。

ブレード本体１０は、図１（Ａ）に示すように、例えば、軸線Ｏに沿って見たときに、軸線方向Ｏにおける手前側に一方側の側面１０Ａが形成され、軸線Ｏ方向における後ろ側に他方側の側面１０Ｂが形成され、中央に軸線Ｏと同心の円形穴１０Ｈが形成されている。この実施形態において、例えば、円形穴１０Ｈは直径４０.０ｍｍとされている。
また、ブレード本体１０は、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように例えば、樹脂ボンド相１２と、樹脂ボンド相１２に分散されたダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３とを含んで構成されている。

また、ブレード本体１０は、一方側の側面１０Ａに円形穴１０Ｈから外周縁に貫通する溝部１１Ａが形成され、他方側の側面１０Ｂに円形穴１０Ｈから外周縁に貫通する溝部１１Ｂが形成されている。

溝部１１（１１Ａ、１１Ｂ）は、例えば、溝幅１．０ｍｍ、溝深さ５０μｍに形成されている。
なお、溝部１１の寸法については、任意に設定することが可能であるが、例えば、溝幅については、ブレード本体１０の一方の面の溝部１１の周方向長さの合計が外周における円周に対して３％以上４５％以下に設定することが好適である。また、周方向長さの合計が外周における円周に対して８．５％以上４５％以下に設定することがより好適である。

溝部１１の溝幅を、ブレード本体１０の一方の面の外周における合計長さが、外周における円周に対して３％以上とすることは、切断時に加工点又は加工点近傍に充分な量の切削液を供給できる点で好適である。
また、溝部１１の溝幅を、ブレード本体１０の一方の面の外周における合計長さが、外周における円周に対して４５％以下とすることは溝部領域１１Ｆが過大となり剛性が低下するのを抑制するうえで好適である。

また、溝深さについては、例えば、ブレード本体１０の厚さに対して３％以上３０％以下に形成することが好適である。また、溝深さをブレード本体１０の厚さに対して１０％以上２０％以下に形成することがより好適である。

溝部１１の溝深さを、ブレード本体１０の厚さに対して３％以上に設定することは、切断時に加工点又は加工点近傍に切削液を安定して供給できる点で好適であり、３０％以下に設定することは、溝部１１が形成されて薄肉になっても充分な強度が確保可能な点でより好適である。

また、溝部１１は、図１（Ａ）、（Ｃ）に示すように、一方側の側面１０Ａに形成される溝部１１Ａと、他方側の側面１０Ｂに形成される溝部１１Ｂとが、互いに周方向における中間位置に配置されていて、溝部１１Ａと溝部１１Ｂとが重ならないように配置されている。

また、ブレード本体１０の両側面１０Ａ、１０Ｂは、図１（Ａ）、（Ｃ）に示すように、軸線Ｏに沿って見たときに、溝部１１（溝部１１Ａと溝部１１Ｂの少なくともいずれか一方）と対応する領域が溝部領域１１Ｆとされている。

また、ブレード本体１０の両側面１０Ａ、１０Ｂにおいて、隣接する溝部領域１１Ｆの間に位置されて溝部１１（溝部１１Ａと溝部１１Ｂのいずれも）が配置されていない領域は平坦領域１０Ｆとされている。

また、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒１３の砥粒含有率は、平坦領域１０Ｆに対して高く設定されている。
この実施形態では、ダイヤモンド超砥粒１３の砥粒含有率は、例えば、溝部領域１１Ｆにおいて２０．０体積％、平坦領域１０Ｆにおいて１８．７５体積％に設定されていて、その結果、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒１３の砥粒含有率は、平坦領域１０Ｆに対して１．２５体積％高く設定されている。

なお、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒１３の砥粒含有率を平坦領域１０Ｆに対してどれだけ高く設定するかは任意に設定することが可能であるが、例えば、溝部領域１１Ｆを平坦領域１０Ｆに対して０．２５体積％以上１２．５体積％以下の範囲で高く設定することが好適であり、１．２５体積％以上８．７５体積％以下の範囲で高く設定することがより好適である。

溝部領域Ｆ１１におけるダイヤモンド超砥粒１３の平均含有率を、平坦領域に対して０．２５体積％以上に高く設定することは、薄肉である溝部領域１１Ｆに充分な剛性を確保するうえで好適であり、平坦領域に対して１２．５体積％以下の範囲で高く設定することは、溝部領域１１Ｆを効率的かつ安定して形成できる点で好適ある。

樹脂ボンド相１２は、例えば、フェノール樹脂を主体とする樹脂素材粉末を圧粉し、圧粉体を焼結することにより構成されている。

また、ダイヤモンド超砥粒１３は、例えば、粒径２０～３０μｍ（平均粒径２３μｍ）とされている。
また、この実施形態において、ダイヤモンド超砥粒１３は、ブレード本体１０の両側面１０Ａ、１０Ｂにおいて樹脂ボンド相１２に埋設されて表面から突出しない構成とされている。

また、ダイヤモンド超砥粒１３の平均粒径は粒度分布に基づくものとし、すでに形成されたレジンブレード１０を構成するダイヤモンド超砥粒１３については、樹脂ボンド相１２を焼失して得られたダイヤモンド超砥粒１３の粒度分布に基づくものとする。

次に、図２を参照して、第１実施形態に係るレジンブレード製造工程の概略について説明する。図２は、第１実施形態に係るレジンブレード製造工程の概略を説明するフローチャートである。

レジンブレード製造工程は、図２に示すように、例えば、材料配合工程（Ｓ１）と、材料混合工程（Ｓ２）と、ブレード原板形成工程（Ｓ３）と、ブレード形成工程（Ｓ４）とを備えていて、これら一連の工程を経ることによってレジンブレードが完成される（Ｓ５）。

（１）材料配合工程
まず、樹脂ボンド相を構成する樹脂素材粉末と、ダイヤモンド超砥粒（砥粒）を配合する（Ｓ１）。
この実施形態では、例えば、メッシュ＃３２５アンダーのフェノール樹脂を主体とする樹脂素材粉末と、粒径２０～３０μｍのダイヤモンド超砥粒と、を所定の配合比率にしたがって配合する。
また、配合比率は、任意に設定することが可能であるが、例えば、樹脂素材粉末８７．５～７５．０ｖｏｌ％、ダイヤモンド超砥粒１２．５～２５ｖｏｌ％で配合することが好適である。また、複数種類の樹脂素材粉末やフィラーを含んでもよい。

（２）材料混合工程
次に、材料準備工程で準備した材料を混合する（Ｓ２）。
材料混合工程では、例えば、ボールミルによって均一となるまで材料粉末を混合する。
なお、ボールミルに代えて、適用可能な周知の混合装置を用いてもよい。

（３）ブレード原板形成工程（コールドプレス）
次いで、混合した材料をブレード原板形成型に供給して、例えば、常温でプレス装置により圧粉して、圧粉体からなるブレード原板を形成する（Ｓ３）。
圧粉成形体は、例えば、外径５９ｍｍ、内径３９ｍｍ、厚み０．２５ｍｍの円板状とされている。
ここで、コールドプレスとは、常温（例えば、室温）以下での加圧に限定されず、例えば、樹脂素材粉末同士が溶融を開始する温度以下で加圧することをいう。

（４）ブレード形成工程（ホットプレス）
次いで、ブレード形成型にブレード原板を配置し、プレス装置により加圧して溝部を形成するとともにブレード原板を焼結するとともに、溝部領域の樹脂を押し出してダイヤモンド超砥粒の含有量を調整してレジンブレードを形成する（Ｓ４）。
ここで、ホットプレスとは、例えば、樹脂素材粉末が流動可能な程度の温度で加圧することをいい、加圧により樹脂ボンド相を構成する樹脂が砥粒と異なる流速で流動して砥粒含有率が変化可能な状態で加圧することをいう。

（５）レジンブレード完成
品質検査を実施して、検査基準を満足していたらレジンブレードが完成する（Ｓ５）。
なお、Ｓ１～Ｓ５の工程は、一例を示すものであり適宜変更又は省略することが可能である。

以下、図３、図４を参照して、第１実施形態に係るブレード原板形成型の概略構成について説明する。図３は、第１実施形態に係るブレード原板形成型の概略構成を説明する分解斜視図であり、図４はブレード原板形成型の概略構成を説明する図であり、図４（Ａ）は上型を下方から見た図を、図４（Ｂ）は下型を上方から見た図を、図４（Ｃ）はブレード原板形成型の縦断面図を示している。図において、符号Ｄ１００はブレード原板形成型を、符号Ｄ１１０は上型を、符号Ｄ１２０は下型を示している。

ブレード原板形成型Ｄ１００は、例えば、図３、図４に示すように、上型Ｄ１１０と、下型Ｄ１２０とを備えていて、上型Ｄ１１０と下型Ｄ１２０とが軸線Ｏ１方向に相対移動して材料粉末を圧粉することによりブレード原板を形成するように構成されている。

上型Ｄ１１０は、例えば、図３、図４に示すように、平板状に形成された上型ベースＤ１１１と、上型ベースＤ１１１の下面に軸線Ｏ１方向に立設された上側形成部Ｄ１１２とを備えている。

上側形成部Ｄ１１２は、例えば、軸線Ｏ１と同軸の円筒状に形成され、内方には円形凹部Ｄ１１２Ｕが形成されている。
また、上側形成部Ｄ１１２の下面（下型Ｄ１２０側）には、ブレード原板の一方側の側面と対応して平坦とされたブレード原板形成面Ｄ１００Ａが形成されている。

下型Ｄ１２０は、例えば、図３、図４に示すように、リング型Ｄ１２１と、リング型Ｄ１２１に嵌挿される下側押圧型Ｄ１２５とを備えていて、リング型Ｄ１２１に下側押圧型Ｄ１２５を嵌挿することにより材料粉末充填部Ｄ１００Ｃが形成されるようになっている。

リング型Ｄ１２１は、例えば、内方に軸線Ｏ１と同軸の円形孔Ｄ１２１Ｈが形成されたリング状とされていて、円形孔Ｄ１２１Ｈの内周面はブレード原板の外周縁を形成するブレード原板形成面Ｄ１００Ｓとされている。

下側押圧型Ｄ１２５は、例えば、図３、図４に示すように、円板状に形成された下側形成部Ｄ１２６と、下側形成部Ｄ１２６から軸線Ｏ１方向に立設された円形凸部Ｄ１２７とを備えている。

下側形成部Ｄ１２６は、リング型Ｄ１２１の円形孔Ｄ１２１の内径と対応する円板状に形成されていて、上面（上型Ｄ１１０側）には、ブレード原板の他方側の側面と対応して平坦とされたブレード原板形成面Ｄ１００Ｂが形成されている。
また、下側形成部Ｄ１２６はリング型Ｄ１２１の円形孔Ｄ１２１と協働して材料粉末充填部Ｄ１００Ｃを形成するようになっている。

円形凸部Ｄ１２７は、軸線Ｏ１と同軸の円柱状に形成されていて、外周面にはブレード原板の円形穴と対応するブレード原板形成面Ｄ１００Ｒが形成されている。
また、円形凸部Ｄ１２７は、上側Ｄ１１０の円形凹部Ｄ１１２Ｕに嵌挿可能とされていて、圧粉時に上型１１０と下型１２０とが軸線Ｏ１方向に相対移動するガイドとして機能するようになっている。

次に、図５を参照して、第１実施形態に係るブレード原板形成工程の概略について説明する。図５は、第１実施形態に係るレジンブレード製造工程におけるブレード原板形成工程の概略を説明する図であり、図５（Ａ）はブレード原板形成型に材料粉末を充填した状態を、図５（Ｂ）は充填した材料粉末を圧粉した状態を、図５（Ｃ）は形成されたブレード原板を側面から見た図を示している。図において、符号Ｗ１０はブレード原板を示している。

（１）まず、ブレード原板形成型Ｄ１００の上型Ｄ１１０を下型Ｄ１２０の上方に位置させる。そして、図５（Ａ）に示すように、材料粉末充填部Ｄ１００Ｃに材料粉末Ｐを充填する。
（２）次に、軸線Ｏ１に沿って上型Ｄ１１０を下型Ｄ１２０に向かって下降させる。そして、図５（Ｂ）に示すように、材料粉末充填部Ｄ１００Ｃに充填された材料粉末Ｐを上型Ｄ１１０により圧粉する。
材料粉末Ｐを圧粉すると、材料粉末Ｐの上側はブレード原板形成面Ｄ１００Ａによって押圧され、下側はブレード原板形成面Ｄ１００Ｂによって押圧されてそれぞれ平坦に形成される。
また、外周側はブレード原板形成面Ｄ１００Ｓによって円形の外周縁が形成され、内周側はブレード原板形成面Ｄ１００Ｒによって円形穴の内周が形成される。
（３）その結果、図５（Ｃ）に示すような圧粉体からなるブレード原板Ｗ１０が形成される。

ブレード原板Ｗ１０は、図５（Ｃ）に示すように、軸線Ｏに対称な円板状に形成されていて、内方には円形穴Ｗ１０Ｈが形成されている。
また、ブレード原板Ｗ１０は、軸線方向Ｏの両側面Ｗ１０Ａ、Ｗ１０Ｂがそれぞれ平坦に形成されている。

以下、図６、図７を参照して、第１実施形態に係るブレード形成型の概略構成について説明する。図６は、第１実施形態に係るブレード形成型の概略構成を説明する分解斜視図であり、図７はブレード形成型の概略構成を説明する図であり、図７（Ａ）は上型を下方から見た図を、図７（Ｂ）は下型を上方から見た図を、図７（Ｃ）は図７（Ａ）におけるＡ２‐Ａ２、及び図７（Ｂ）におけるＢ２‐Ｂ２と対応する縦断面図を示している。図において、符号Ｄ２００はブレード形成型を、符号Ｄ２１０は上型を、符号Ｄ２２０は下型を示している。

ブレード形成型Ｄ２００は、例えば、図６、図７に示すように、上型Ｄ２１０と、下型Ｄ２２０と、ヒータ等の加熱手段（不図示）とを備え、上型Ｄ２１０と下型Ｄ２２０が軸線Ｏ２方向に相対移動してブレード原板を加熱しながら加圧して、レジンブレードを焼結、形成するように構成されている。

上型Ｄ２１０は、例えば、図６、図７に示すように、平板状に形成された上型ベースＤ２１１と、上型ベースＤ２１１の下面に立設された上側形成部Ｄ２１２とを備えている。

上側形成部Ｄ２１２は、例えば、軸線Ｏ２と同軸の外周円形に形成され、内方には円形凹部Ｄ２１２Ｕが形成されている。
また、上側形成部Ｄ２１２の下面（下型Ｄ２２０側）は、ブレードの一方側の側面と対応して形成されていて、平坦に形成された平坦面形成部Ｄ１０Ａと溝部１１Ａと対応して形成された溝形成凸部Ｄ１１Ａとを備えている。

下型Ｄ２２０は、例えば、図６、図７に示すように、リング型Ｄ２２１と、リング型Ｄ２２１に嵌挿される下側押圧型Ｄ２２５とを備えていて、リング型Ｄ２２１に下側押圧型Ｄ２２５を嵌挿することによりブレード原板加圧部Ｄ２００Ｃが形成されるようになっている。

リング型Ｄ２２１は、例えば、内方に軸線Ｏ２と同軸の円形孔Ｄ２２１Ｈが形成されたリング状とされていて、円形孔Ｄ２２１Ｈの内周面はブレードの外周縁を形成するブレード形成面Ｄ２００Ｓとされている。

下側押圧型Ｄ２２５は、例えば、図６、図７に示すように、円板状に形成された下側形成部Ｄ２２６と、下側形成部Ｄ２２６から軸線Ｏ２方向に立設された円形凸部Ｄ２２７とを備えている。

下側形成部Ｄ２２６の上面（上型Ｄ２１０側）は、ブレードの他方側面の側面と対応して形成されていて、平坦に形成された平坦面形成部Ｄ１０Ｂと、溝部１１Ｂと対応して形成された溝形成凸部Ｄ１１Ｂとを備えている。

また、溝形成凸部Ｄ１１Ａと溝形成凸部Ｄ１１Ｂは、図７に示すように、互いに軸線Ｏ２周りにおける中間位置に配置されていて、ブレード本体１０の一方側の側面１０Ａと他方側の側面に、周方向における交互の位置に溝部１１Ａ、溝部１１Ｂを形成可能とされている。

円形凸部Ｄ２２７は、軸線Ｏ２と同軸の円柱状に形成されていて、外周面にはブレードの円形穴と対応するブレード原板形成面Ｄ２００Ｒが形成されている。
また、円形凸部Ｄ２２７は、上側Ｄ２１０の円形凹部Ｄ２１２Ｕに嵌挿可能とされ、ブレード形成時に上型２１０と下型２２０とが軸線Ｏ２方向に相対移動するガイドとして機能するようになっている。

次に、図８、図９を参照して、第１実施形態に係るブレード形成工程の概略について説明する。
図８は、第１実施形態に係るレジンブレード製造工程におけるブレード形成工程の概略を説明する図であり、図８（Ａ）はブレード形成型にブレード原板を配置した状態を、図８（Ｂ）はブレード原板を加圧した状態を、図８（Ｃ）は形成されたレジンブレードを側面から見た図を示している。また、図９は、ブレード形成工程の概略を説明する図であり、図９（Ａ）はブレード形成型に対するブレード原板の構成を示す概略構成図を、図９（Ｂ）はブレード形成型に配置したブレード原板の加圧を開始する状態を示す概略構成図を、図９（Ｃ）はブレード原板を加圧してレジンブレードを形成する状態を示す概念図である。

（１）まず、ブレード形成型Ｄ２００の上型Ｄ２１０を下型Ｄ２２０の上方に位置させる。そして、図８（Ａ）に示すように、ブレード原板加圧部Ｄ２００Ｃにブレード原板Ｗ１０を配置する。
（２）次に、上型Ｄ２１０を下型Ｄ２２０に向かって軸線Ｏ２に沿って下降させる。
ここで、ブレード原板Ｗ１０は、図９（Ａ）に示すように、両側面Ｗ１０Ａ、Ｗ１０Ｂが平坦に形成されているのに対して、上型Ｄ２１０には溝形成凸部Ｄ１１Ａが、下型Ｄ２２０には溝形成凸部Ｄ１１Ｂが突出している。
また、ブレード形成型Ｄ２００が加圧を開始する際には、図９（Ｂ）に示すように、ブレード原板Ｗ１０の一方側の側面Ｗ１０Ａに溝形成凸部Ｄ１１Ａが当接し、他方側の側面Ｗ１０Ｂに溝形成凸部Ｄ１１Ｂが当接する。
また、ブレード原板Ｗ１０を加圧する際にはブレード原板Ｗ１０を、例えば、材料樹脂の融点以上に加熱して流動可能な状態とする。
そして、上型Ｄ２１０がブレード原板加圧部Ｄ２００Ｃに配置されたブレード原板Ｗ１０を流動可能な状態で加圧する。
ブレード原板Ｗ１０を加圧すると、図８（Ｂ）に示すように、ブレード原板Ｗ１０の上側は溝形成凸部Ｄ１１Ａにより押圧され、溝形成凸部Ｄ１１Ａがブレード原板Ｗ１０に入り込んでゆき最終的に平坦面形成部Ｄ１０Ａによって押圧される。
また、ブレード原板Ｗ１０の下側は溝形成凸部Ｄ１１Ｂによって押圧され、ブレード原板Ｗ１０に溝形成凸部Ｄ１１Ｂが入り込んでゆき、最終的に平坦面形成部Ｄ１０Ｂによって押圧される。
また、外周側はブレード形成面Ｄ２００Ｓによって円形の外周縁が形成され、内周側はブレード形成面Ｄ２００Ｒによって円形穴の内周が形成される。
また、図９（Ｃ）に示すように、ブレード原板Ｗ１０が溝形成凸部Ｄ１１Ａ及び溝形成凸部Ｄ１１Ｂによって押圧される際には、溝形成凸部Ｄ１１Ａ及び溝形成凸部Ｄ１１Ｂによって押圧された溝部領域と対応する部分が圧縮されて、流動化された樹脂材料が、平坦領域と対応する部分に向かって矢印Ｆ方向に流動する。流動化された樹脂材料が平坦領域と対応する部分に流動することで、溝部領域１１Ｆに分散されたダイヤモンド超砥粒１３は溝部領域１１Ｆに取り残され、溝部領域１１Ｆにおける樹脂材料（樹脂ボンド相１２）に対するダイヤモンド超砥粒１３の含有量が高くなる。
（３）その結果、図８（Ｃ）に示すようなレジンブレード１００が形成される。

レジンブレード１００は、図８（Ｃ）に示すように、軸線Ｏに対称な円板状に形成され内方には円形穴１０Ｈが形成されている。
また、レジンブレード１００は、軸線方向Ｏの両側に溝部１１Ａ、１１Ｂが形成されている。

このように製造されたレジンブレード１００は、例えば、軸線Ｏ方向の両側に配置したフランジ部（不図示）により溝部１１Ａ、１１Ｂを閉塞しないように円形穴１０Ｈを挟んで、軸線Ｏ周りに回転させながら円形穴１０Ｈに切削液を供給する。
すると、レジンブレード１００の外周縁から溝部１１Ａ、１１Ｂを流通した切削液が遠心力等によって放出される。
その結果、外部供給した切削液を用いることなく、加工点又は加工点近傍に切削液が安定して供給されて、加工点又は加工点近傍を効率的に冷却することができる。なお、切削液を外部から供給してもよい。

第１実施形態に係るレジンブレード１００によれば、樹脂ボンド相１２と、樹脂ボンド相１２に分散されたダイヤモンド超砥粒１３とを含むブレード本体１０を備え、ブレード本体１０の両側面１０Ａ、１０Ｂに溝部１１Ａ、１１Ｂが形成されているので、溝部１１Ａ、１１Ｂを介して加工点又は加工点近傍に切削液を供給して切断時に発生する熱を安定して逃がすことが可能となり、レジンブレード１０を効率的に冷却することができる。
その結果、工具寿命が短くなるのを抑制しつつ加工点又は加工点近傍を効率的に冷却することができる。

また、第１実施形態に係るレジンブレード１００によれば、溝部領域１１Ｆの砥粒含有量が平坦領域１０Ｆの砥粒含有量よりも高く設定されているので、溝部領域１１Ｆの剛性が平坦領域よりも向上して、レジンブレード１００の強度が確保される。また、溝部領域１１Ｆが偏って摩耗するのが抑制することができる。
また、レジンブレード１００が切断時に蛇行するのを抑制してスムースな切断を可能にするとともにレジンブレード１００が破損するのを抑制することができる。

第１実施形態に係るレジンブレード１００によれば、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒１３の平均含有率が平坦領域に対して０．２５体積％以上１２．５体積％以下の範囲で高く設定されているので、溝部領域１１Ｆに充分な剛性が確保されるとともに、溝部領域１１Ｆを効率的かつ安定して形成することができる。また、溝部１１においてレジンブレード１００が偏摩耗するのを抑制することができる。

第１実施形態に係るレジンブレード１００によれば、ブレード本体１０の一方の面の外周における溝部１１の合計長さが、外周における円周に対して３％以上４５％以下に設定されているので、切断時に加工点又は加工点近傍に充分な量の切削液を供給することができる。また、溝部領域Ｆ１１におけるダイヤモンド超砥粒１３の含有量を安定して高めることができる。また、レジンブレード１００の強度低下を抑制することができる。

第１実施形態に係るレジンブレード１００によれば、溝部１１の溝深さが、ブレード本体１０の厚さに対して３％以上３０％以下とされているので、切断時に加工点又は加工点近傍に切削液を安定して供給することができ、充分な強度を確保して、安定して切断することができる。

第１実施形態に係るレジンブレード１００によれば、一方側の側面１０Ａに形成される溝部１１Ａと他方側の側面１０Ｂに形成される溝部１１Ｂとが、周方向において互いに中間位置に配置されているので、溝部領域１１Ｆが薄肉となりレジンブレード１００の強度が低下するのを抑制することができる。また、一方側の側面１０Ａの溝部１１Ａと他方側の側面１０Ｂの溝部１１Ｂで切削液を交互に供給するので冷却効率を向上させることができる。

＜第２実施形態＞
以下、図１０を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。
図１０は、本発明の第２実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図である。図において、符号２００はレジンブレードを、符号２１は溝部を示している。

レジンブレード２００は、図１０に示すように、ブレード本体２０を備えている。
ブレード本体２０が第１実施形態に係るブレード本体１０と異なるのは、溝部１１に代えて溝部２１を備えている点である。

溝部２１は、ブレード本体２０の両側面に形成されていて、軸線Ｏ方向における一方側に配置される溝部２１Ａと、他方側に配置される溝部２１Ｂとを備えている。
また、溝部２１Ａ、溝部２１Ｂは、それぞれブレード本体２０における内周側が外周側に対して回転方向Ｔの前方側に傾斜して配置され、互いに周方向における中間位置に配置されている。

また、溝部２１は、ブレード本体２０の外周縁においてブレード本体２０の径方向（直径を構成する線）に対して交差角θ１で交差して配置されている。
なお、交差角θ１は、例えば、０°以上６０°以下であることが好適であり、１５°以上３０°以下であることがより好適である。
その他は第１実施形態と同様であるので説明を省略する。

第２実施形態に係るレジンブレード２００によれば、溝部２１がブレード本体の内周側で外周側に対して回転方向Ｔの前方側に形成され、外周縁においてブレード本体２０の径方向に対して交差角θ１が０°以上６０°以下で交差するように形成されているので、レジンブレード２００が高速回転しても加工点又は加工点近傍に切削液を確実に供給することができる。

＜第３実施形態＞
以下、図１１を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。
図１１は、本発明の第３実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図である。図において、符号３００はレジンブレードを、符号３１は溝部を示している。

レジンブレード３００は、図１１に示すように、ブレード本体３０を備えている。
ブレード本体３０が第１実施形態に係るブレード本体１０と異なるのは、溝部１１に代えて溝部３１を備えている点である。

溝部３１は、ブレード本体３０の両側面に形成されていて、軸線Ｏ方向における一方側に配置される溝部３１Ａと、他方側に配置される溝部３１Ｂとを備えている。
また、溝部３１Ａ、溝部３１Ｂは、それぞれブレード本体３０における内周側が外周側に対して回転方向Ｔの後方側に傾斜して配置され、互いに周方向における中間位置に配置されている。

また、溝部３１は、ブレード本体３０の外周縁においてブレード本体３０の径方向（直径を構成する線）に対して交差角θ２で交差して配置されている。
なお、交差角θ２は、例えば、０°以上６０°以下であることが好適であり、１５°以上３０°以下であることがより好適である。
その他は第１実施形態と同様であるので説明を省略する。

＜第４実施形態＞
以下、図１２を参照して、本発明の第４実施形態について説明する。
図１２は、本発明の第４実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図である。図において、符号４００はレジンブレードを、符号４１は溝部を示している。

レジンブレード４００は、図１２に示すように、ブレード本体４０を備えている。
ブレード本体４０が第１実施形態に係るブレード本体１０と異なるのは、溝部１１に代えて溝部４１を備えている点である。

溝部４１は、ブレード本体４０の両側面に形成されていて、外周縁側（外周側）の溝幅Ｌ４１Ａは円形穴側（内周側）の溝幅Ｌ４１Ｂに対して小さく形成されている。
その他は第１実施形態と同様であるので説明を省略する。

＜第５実施形態＞
以下、図１３を参照して、本発明の第５実施形態について説明する。
図１３は、本発明の第５実施形態に係るレジンブレードの概略構成の一例を説明する図である。図において、符号５００はレジンブレードを、符号５１は溝部を示している。

レジンブレード５００は、図１２に示すように、ブレード本体５０を備えている。
ブレード本体５０が第１実施形態に係るブレード本体１０と異なるのは、溝部１１に代えて溝部５１を備えている点である。

溝部５１は、ブレード本体５０の両側面に形成されていて、外周縁側（外周側）の溝幅Ｌ５１Ａは円形穴側（内周側）の溝幅Ｌ５１Ｂに対して大きく形成されている。
その他は第１実施形態と同様であるので説明を省略する。

なお、上記実施形態において記載した技術的事項については、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。

例えば、上記実施形態においては、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の含有率が平坦領域１０Ｆに対して高く設定されている場合について説明したが、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の含有率を平坦領域１０Ｆに対して高くするかどうかは任意に設定することが可能であり、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の含有率を平坦領域１０Ｆと同じか平坦領域１０Ｆに対して低く設定してもよい。

また、上記実施形態においては、溝部１１Ａ、１１Ｂにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の含有率を平坦領域１０Ｆより高く設定する際に、両側面Ｗ１０Ａ、Ｗ１０Ｂが平坦に形成されたブレード原板Ｗ１０を用いる場合について説明したが、例えば、ブレード原板Ｗ１０の両側面Ｗ１０Ａ、Ｗ１０Ｂに溝形成凸部Ｄ１１Ａ、Ｄ１１Ｂよりも浅い溝部が形成されたブレード原板を溝形成凸部Ｄ１１Ａ、Ｄ１１Ｂによって押圧することによって溝部１１Ａ、１１Ｂにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の含有率を平坦領域１０Ｆより高く設定することも可能である。

また、上記実施形態においては、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の平均含有率が２０．０体積％とされ、平坦領域１０Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の平均含有率が１８.７５体積％とされるとともに、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の平均含有率が平坦領域１０Ｆに対して０．２５体積％以上１２．５体積％以下の範囲で高く設定されている場合について説明したが、溝部領域１１Ｆ、平坦領域１０Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の平均含有率については任意に設定可能である。また、溝部領域１１Ｆにおけるダイヤモンド超砥粒（砥粒）１３の平均含有率を平坦領域１０Ｆに対してどれだけ高く設定するかは任意に設定することが可能である。

また、上記実施形態においては、ブレード本体１０の一方の面の外周における溝部領域１１Ｆの周方向の合計長さがブレード本体１０の外周における円周に対して３％以上４５％以下に設定されている場合について説明したが、溝部領域１１Ｆのブレード本体１０の外周における周方向の合計長さの円周長さに対する比率は任意に設定することが可能である。

また、上記実施形態においては、レジンブレード１００の溝部１１の溝深さが、ブレード本体１０の厚さに対して３％以上３０％以下に形成されている場合について説明したが、溝深さについては、切削液が流通可能な範囲で任意に設定してもよい。

また、第２実施形態においては、溝部２１がブレード本体２０の内周側が外周側に対して回転方向Ｔの前方側に形成され、第３実施形態においては、溝部３１がブレード本体３０の内周側が外周側に対して回転方向Ｔの後方側に形成される場合につて説明したが、溝部を回転方向Ｔに対して前方側に配置するか後方側に配置するかは任意に設定することが可能である。
また、ブレード本体の外周縁において溝部のブレード本体の直径に対する交差角についても任意に設定することが可能である。

また、上記実施形態においては、樹脂ボンド相１２がフェノール樹脂を主体とする樹脂により構成される場合について説明したが、樹脂ボンド相１２の構成については任意に設定することが可能であり、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂等を適用して樹脂ボンド相を構成してもよい。また、複数種類の樹脂素材粉末やフィラーを含んでもよい。また、ブレード本体１０における樹脂、砥粒の含有率は任意に設定してもよい。

また、上記実施形態においては、砥粒が、粒径２０～３０μｍ（平均粒径２３μｍ）のダイヤモンド超砥粒１３である場合について説明したが、砥粒の大きさについては任意に設定することが可能である。また、ダイヤモンド超砥粒１３に代えて、例えば、ＣＢＮ等を用いてもよい。

また、上記実施形態においては、レジンブレード１０を構成する溝部１１が一方側の側面１０Ａと他方側の側面１０Ｂで周方向において互いに中間位置に配置される場合について説明したが、溝部１１Ａと溝部１１Ｂが同じ位置に配置された構成としてもよい。

また、図２に示したレジンブレード製造工程を示すフローチャートは一例であり、適宜変更（省略、追加）することが可能であり任意に設定することができる。例えば、上記実施形態においては、材料粉末Ｐを圧粉して形成したブレード原板Ｗ１０をホットプレスすることによりレジンブレード１００を製造する場合について説明したが、例えば、混合した材料をスラリーにしてドクターブレードを用いて形成したブレード原板や、スラリーを成形型に流し込んで形成したブレード原板を、ホットプレスすることによりレジンブレードを製造してもよい。

次に、表１～表６及び図１４を参照して、本発明の実施例について説明する。
表１は、実施例１から実施例４で用いたレジンブレードの概略構成を示している。また、表２は、実施例の切断条件を示している。

実施例１～実施例４で用いたレジンブレード、切断ワークは表１に示すとおりである。レジンブレードは、表１に示すように、平坦領域における砥粒の平均含有率が２１．２５体積％、外形φ５９ｍｍ、内径φ４０ｍｍ、平坦領域の厚さｔ０．３２ｍｍである。
また、切断ワークは、ＱＦＮパッケージ（Ｃｕタイプ）であり、このＱＦＮパッケージを長さ５０ｍ切断した。

また、実施例における切断条件は、表２に示すとおりである。
切断条件は、表２に示すように、ダイサーＳＳ３０（株式会社東京精密製）を用いて、スピンドル回転数３００００ｒｐｍ、送り速度１００ｍｍ／Ｓ、クーラント供給量１．５Ｌ＋１．５Ｌ／ｍとした。
そして、本発明例、比較例に係るそれぞれ５枚のレジンブレードに関して、切断長５０ｍ後におけるレジンブレードのブレード摩耗量（μｍ）、切断して得られたチップのＹバリ寸法の最大値（μｍ）、電極間距離についてそれぞれ測定して、その平均値に基づいて評価した。
ここで、Ｙバリ寸法の基準は、７５μｍ未満である。また、電極間距離の基準値は、設計値の１／２以上であり、この実施例では１３５μｍ以上である。
また、Ｙバリ寸法を６０μｍ未満、電極間距離を１５０μｍ以上とすると、切断中に種々の条件が変動した場合にも、切断品質を充分に確保できることからより好適な範囲とした。

ここで、Ｙバリ寸法の最大値（μｍ）、電極間距離について説明する。
Ｙバリとは、図１４に示す電極Ｅを切断したＱＦＮパッケージを上から見たときに、切断面ＳからＱＦＮパッケージの内方に向かって突出する符号Ｙで示す金属バリ（網掛け部）をいい、Ｙバリ寸法の最大値（μｍ）とは符号ＬＹで示す寸法である。
また、電極間距離とは、図１４に示すＱＦＮパッケージの切断面Ｓを正面から見たときに、隣り合う電極Ｅと電極Ｅの間の距離をいい、符号ＬＥで示す寸法である。

＜実施例１＞
実施例１では、本発明例１から本発明例７、及び比較例１を用いて、レジンブレードに溝部領域が形成することの効果、溝部領域における砥粒の平均含有率を平坦領域における砥粒の平均含有率より高く設定する場合の好適な設定範囲について評価した。

本発明例１から本発明例７は、溝深さ５０μｍ、溝幅１ｍｍ、溝数８、溝交差角度０°のレジンブレードである。実施例１では、表３に示すように、溝部領域における砥粒の平均含有量をばらつかせた。
また、比較例１は、溝部が形成されていないレジンブレード（砥粒の平均含有率２１．２５体積％）である。

実施例１によると、本発明例１から本発明例７に係る溝を形成したレジンブレードは、摩耗量が７３～１２８μｍであり、比較例１の１５１μｍと比べて摩耗量が約２１％改善された。

また、実施例１において、本発明例２から本発明例６は、Ｙバリ寸法が７５μｍ未満かつ電極間距離１３５μｍ以上であり、本発明例１、本発明例７と比較して切削性が優れている。
したがって、溝部領域における砥粒の平均含有率を平坦領域に対して０．２５体積％以上１２．５体積％以下の範囲で高くすることが好適であることが確認できた。
また、本発明例３から本発明例５は、Ｙバリ寸法が６０μｍ未満かつ電極間距離１５０μｍ以上であり、１．２５体積％以上８．７５体積％以下の範囲で高くすることがより好適であると確認できた。

＜実施例２＞
実施例２では、本発明例８から本発明例１１、及び比較例１から比較例３を用いて、溝部領域のブレード本体の外周における周方向の合計長さの好適範囲について評価した。なお、便宜のため、実施例２（表４）では本発明例９として示したが、本発明例９は実施例１（表３）に示す本発明例３と同一のものである。

本発明例８から本発明例１１、及び比較例２、比較例３は、溝深さ５０μｍ、溝幅１ｍｍ、溝部領域における砥粒の平均含有率２２．５体積％、溝交差角度０°のレジンブレードである。実施例２では、表４に示すように、溝数を変化させることにより、溝部領域のブレード本体の外周における周方向の合計長さをばらつかせた。

実施例２において、本発明例８～本発明例１１は、Ｙバリ寸法が７５μｍ未満かつ電極間距離１３５μｍ以上であり、比較例１、比較例３と比べて切削性が優れていた。
したがって、溝部領域のブレード本体の一方の面の外周における周方向の合計長さが外周における周長に対して３％以上４５％以下の範囲であることが好適であることが確認できた。
また、本発明例９から本発明例１１は、Ｙバリ寸法が６０μｍ未満かつ電極間距離１５０μｍ以上であり、周方向の合計長さが外周における周長に対して８．５％以上４５％以下の範囲であることがより好適であることが確認できた。

＜実施例３＞
実施例３では、本発明例１２から本発明例１７、及び比較例１、比較例４、比較例５を用いて、溝深さの好適範囲について評価した。

本発明例１２から本発明例１７、及び比較例４、比較例５は、溝幅１ｍｍ、溝数１６、溝部領域における砥粒の平均含有率２２．５体積％、溝交差角度０°のレジンブレードである。実施例３では、表５に示すように、溝深さを変化させた。

実施例３において、本発明例１２から本発明例１７は、Ｙバリ寸法が７５μｍ未満かつ電極間距離１３５μｍ以上であり、比較例１、比較例４、比較例５と比べて切削性が優れている。
したがって、溝深さが１０μｍ以上９６μｍ以下、換言すると溝深さがブレード本体の厚さの３％以上３０％以下であることが好適であると確認できた。

また、本発明例１４から本発明例１６は、Ｙバリ寸法が６０μｍ未満かつ電極間距離１５０μｍ以上であり、溝深さが３２μｍ以上６４μｍ以下、換言すると溝深さがブレード本体の厚さの１０％以上２０％以下であることがより好適であると確認できた。

＜実施例４＞
実施例４では、本発明例１８から本発明例２４、及び比較例１、比較例６を用いて、溝部の内周側を外周側に対して回転方向前方側に形成する場合における径方向に対する交差角度の好適範囲について評価した。なお、便宜のため、実施例４（表６）では本発明例１８として示したが、本発明例１８は実施例３（表５）に示す本発明例１５と同一のものである。

本発明例１８から本発明例２４、及び比較例６は、溝深さ４８μｍ、溝幅１ｍｍ、溝数１６、溝部領域における砥粒の平均含有率２２．５体積％のレジンブレードである。実施例４では、表６に示すように、溝部の径方向に対する交差角度を変化させた。

実施例４において、本発明例１８から本発明例２４は、Ｙバリ寸法が７５μｍ未満かつ電極間距離１３５μｍ以上であり、比較例１、比較例６と比べて切削性が優れている。
したがって、溝部の交差角度が０°以上６０°以下の範囲が好適であることが確認できた。

また、本発明例２０から本発明例２２は、Ｙバリ寸法が６０μｍ未満かつ電極間距離１５０μｍ以上であり、交差角度が１５°以上３０°以下の範囲がより好適であることが確認できた。

本発明に係るレジンブレード及びレジンブレード製造方法によれば、半導体材料等の基板を切断する際に、工具寿命が短くなるのを抑制しつつ加工点又は加工点近傍を効率的に冷却することができるので産業上利用可能である。

Ｏ 軸線
１０、２０、３０、４０、５０ レジンブレード本体
１０Ａ 一方側の側面
１０Ｂ 他方側の側面
１１、２１、３１、４１、５１ 溝部
１２ 樹脂ボンド相
１３ ダイヤモンド超砥粒（砥粒）
Ｆ１０ 平坦領域
Ｆ１１ 溝部領域
Ｄ１００ ブレード原板形成型
Ｄ１１０ 上型
Ｄ１２０ 下型
Ｄ２００ ブレード形成型
Ｄ２１０ 上型
Ｄ２２０ 下型
１００、２００、３００、４００、５００ レジンブレード

Claims (7)

1. 軸線周りに回転される半導体基板切断用レジンブレードであって、
   樹脂ボンド相と、前記樹脂ボンド相に分散された砥粒と、を含み円板状に形成されたブレード本体を備え、
   前記ブレード本体の両側面には、周方向に間隔をあけて配置され径方向内方から外方に向かって伸びる複数の溝部が形成され、
   前記軸線に沿って見て前記両側面のいずれか一方に溝部が形成された溝部領域は、隣接する溝部領域の間に位置される平坦領域に比較して前記砥粒の含有率が高く設定されており、
   前記溝部領域における砥粒の平均含有率が前記平坦領域における砥粒の平均含有率に対して０．２５体積％以上１２．５体積％以下の範囲で高く設定されており、
   ＣｕタイプＱＦＮパッケージを５０ｍ切断した後の５枚の前記半導体基板切断用レジンブレードのブレード摩耗量の平均値が１５１μｍ未満であることを特徴とする半導体基板切断用レジンブレード。
2. 請求項１に記載の半導体基板切断用レジンブレードであって、
   前記溝部の幅は、
   前記ブレード本体の一方の面における周方向長さの合計が前記ブレード本体の外周において３％以上４５％以下に形成されていることを特徴とする半導体基板切断用レジンブレード。
3. 請求項１又は２に記載の半導体基板切断用レジンブレードであって、
   前記溝部の溝深さは、前記ブレード本体の厚さに対して３％以上３０％以下に形成されていることを特徴とする半導体基板切断用レジンブレード。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体基板切断用レジンブレードであって、
   前記軸線方向における一方側の側面に形成される溝部と他方側の側面に形成される溝部とは周方向において互いに中間位置に配置されていることを特徴とする半導体基板切断用レジンブレード。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体基板切断用レジンブレードであって、
   前記溝部は、前記ブレード本体の内周側が外周側に対して回転方向前方側に形成されていて、前記ブレード本体の外周縁において前記溝部は前記ブレード本体の径方向に対して０°以上６０°以下の交差角で交差するように形成されていることを特徴とする半導体基板切断用レジンブレード。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体基板切断用レジンブレードを製造する半導体基板切断用レジンブレード製造方法であって、
   樹脂ボンド相を形成する樹脂素材粉末と砥粒とを混合して粉末材料を形成する材料混合工程と、
   前記粉末材料からブレード原板を形成するブレード原板形成工程と、
   ホットプレスによって前記ブレード原板の両側面に周方向に間隔をあけて配置され径方向内方から外方に向かって伸びる複数の溝部を形成するとともに、前記溝部と対応する溝部領域を前記溝部領域間に位置される平坦領域よりも高圧縮率で圧縮して前記溝部領域における砥粒含有量を前記平坦領域に比較して高く形成するブレード形成工程と、
   を備え、
   前記ブレード形成工程では、前記溝部領域における砥粒の平均含有率を前記平坦領域における砥粒の平均含有率に対して０．２５体積％以上１２．５体積％以下の範囲で高くし、
   ＣｕタイプＱＦＮパッケージを５０ｍ切断した後の５枚の前記半導体基板切断用レジンブレードのブレード摩耗量の平均値を１５１μｍ未満とすることを特徴とする半導体基板切断用レジンブレード製造方法。
7. 請求項６に記載の半導体基板切断用レジンブレード製造方法であって、
   前記ブレード原板形成工程は、
   前記粉末材料をコールドプレスすることにより圧粉してブレード原板を形成する
   ことを特徴とする半導体基板切断用レジンブレード製造方法。

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