JP7290540B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
10: 半導体層
11: ドレイン領域
12: ドリフト領域
13: ボディ領域
13a: 第1チャネル領域
13b: 第2チャネル領域
14: ボディコンタクト領域
15: ソース領域
22: ドレイン電極
24: ソース電極
30: トレンチゲート部
Claims (1)
- 半導体層と、
前記半導体層の表面から裏面に向けて伸びているトレンチゲート部と、を備えており、
前記半導体層は、
第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上方に設けられており、前記トレンチゲート部の側面に接している第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上方に設けられているとともに前記第2半導体領域によって前記第1半導体領域から隔てられており、前記トレンチゲート部の前記側面に接している第1導電型の第3半導体領域と、を有しており、
前記第2半導体領域は、前記トレンチゲート部と接する部分において、第1チャネル領域と第2チャネル領域を有しており、
前記第1チャネル領域の結晶欠陥密度が、前記第2チャネル領域の結晶欠陥密度よりも大きく、
前記第1半導体領域と前記第3半導体領域を結ぶ方向において、前記第1チャネル領域が前記トレンチゲート部の前記側面に接する長さが、前記第2チャネル領域が前記トレンチゲート部の前記側面に接する長さよりも短い、半導体装置。
Priority Applications (1)
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JP2019189643A JP7290540B2 (ja) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019189643A JP7290540B2 (ja) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | 半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2021064740A JP2021064740A (ja) | 2021-04-22 |
JP7290540B2 true JP7290540B2 (ja) | 2023-06-13 |
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ID=75486564
Family Applications (1)
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JP2019189643A Active JP7290540B2 (ja) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | 半導体装置 |
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Citations (4)
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WO2014010006A1 (ja) | 2012-07-09 | 2014-01-16 | 株式会社日立製作所 | Mos型電界効果トランジスタ |
JP2016054181A (ja) | 2014-09-03 | 2016-04-14 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型スイッチング素子 |
JP2017139499A (ja) | 2016-02-01 | 2017-08-10 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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Patent Citations (4)
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