JP7288473B2 - 各種のエネルギーのビームを取り出すためのシンクロサイクロトロン - Google Patents
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Description
・Riは、エネルギー(Ei)のビームに対応するビームが取り出されることになる平均不安定性開始半径であり、R1≦Ri≦R2であり、
・ΔBz0(Ri,vr)・θc/2πはvrに依存する平均半径(Ri)でのオフセット振幅であり、平均半径、R≧Riの連続軌道の共鳴不安定性を発生させるのに十分なだけ平均不安定性開始半径(Ri)の軌道の中心をずらすのに必要な平均不安定性開始半径(Ri)における磁場摂動の最小振幅であり、
・ΔBz0(Ri,vr)は、半径Riでのバンプ振幅の最大値であり、
・vrは半径方向のチューンであり、半径方向へのベータトロンの振動の尺度であり、オフセット振幅の値(ΔBz0(Ri,vr))・θc/2πの値を減少させるために、vr≠1且つvr=1±0.1、好ましくは1±0.025、より好ましくは1.002≦|vr|≦1.015となるように制御される。
・共通の中心軸(z)上に中心を置き、中心軸(z)に垂直で、サイクロトロンの対称面を画定する正中面のそれぞれの側に相互に平行に配置される少なくとも第一の主コイル及び第二の主コイルであって、電力源により作動されると主磁場(B)を生成するように構成された少なくとも第一及び第二の主コイルと、
・荷電粒子を加速させるための可変周波数のRF振動電場を作るように構成されたディーと、
・主磁場(B)を整形し、それゆえ荷電粒子を、中心軸(z)を中心とする増大する平均半径(R)の連続軌道に沿って案内するための第一の磁場整形ユニット及び第二の磁場整形ユニット(42)であって、正中面(P)のそれぞれの側において第一及び第二の主コイル内に配置され、ギャップによって相互に分離され、中心軸(z)の周囲に少なくとも3の対称(N)で、好ましくはN=2n+1、ただし
、より好ましくはN=3で交互に分散された、同じ次数(N)の対称性に主磁場を整形するための山セクタと谷セクタを含む第一及び第二の磁場整形ユニットと、
・正中面のそれぞれの側に配置され、電力源により作動されると、主磁場のz成分(Bz)において、局所化された磁場バンプを作るように構成された第一の不安定性コイルユニット及び第二の不安定性コイルユニットと、
を含む。
〇平均不安定性開始半径(Ri)でのオフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr))の値と等しく、
〇平均不安定性開始半径(Ri)より小さい平均半径(R)のすべての値について、オフセット振幅(ΔBz0(R,vr))の値より低くなる
ように構成される制御ユニットを含み、
オフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr)・θc/2π)は、荷電粒子がそれに沿って案内される平均不安定性開始半径(Ri)の軌道の中心を十分にずらして、この軌道上の高調波数2の振幅と高調波数2の振幅の半径方向の勾配の組合せがこのようにずらされた軌道上の対称性(N)の主磁場(B)によって生成され、平均半径の連続軌道の共鳴不安定性を生成するのに十分に大きくなるようにするのに必要な、平均不安定性開始半径(Ri)、R≧Riでの磁場バンプの最小振幅である。
・上述のシンクロサイクロトロンであって、
〇荷電粒子が、低及び高エネルギー(E1,E2)での荷電粒子の中心軸(z)に関するそれぞれの平均半径方向位置に対応する、低半径(R1)と高半径(R2)との間に含まれる、その軌道の対応する平均不安定性開始半径(Ri)で取出しエネルギー(Ei)に到達し、
〇連続軌道の半径方向のチューン(vr(R))が、低及び高半径(R1,R2)間に含まれる平均半径のすべての値について、1と等しくなく、1±0.1、好ましくは1±0.025内に含まれ、より好ましくは1.002≦|vr|≦1.015となる
ように構成されるシンクロサイクロトロンを提供するステップと、
・取り出される荷電粒子の取出しエネルギー(Ei)の値を選択するステップと、
・取出しエネルギー(Ei)での荷電粒子の平均半径(Ri)の軌道の中心をオフセットさせ、それゆえ平均半径、R≧Riの連続軌道の共鳴不安定性を生じさせるのに必要なオフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr))・θc/2πの値を特定するステップと、
・磁場バンプの振幅(ΔBz(Ri))・θc/2πが平均不安定性開始半径(Ri)でのオフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr))・θc/2πと等しく、平均半径(Ri)より小さい平均半径のすべての値についてオフセット振幅(ΔBz0(R,vr))・θc/2πより低くなるように磁場バンプの大きさを調整するステップと、
・出口ポートを通じてシンクロサイクロトロンからビームを取り出すステップと、
を含む。
本発明は、従来のシンクロサイクロトロン上に実装でき、当業界で知られているすべての特徴を含むことができる。シンクロサイクロトロンは、以下の構成要素を含む。
・荷電粒子を加速させるためのRF振動電場を発生させるように構成されたディー(21)。周波数は、粒子の速度が光速に近付く際の相対論効果に対処するために、荷電粒子の経路に沿って変化する。
・主磁場(B)を発生させるための主コイルと、主磁場(B)、特に主磁場のz成分(Bz)を整形するための磁場整形ユニットを含む磁気ユニット。主磁場のz成分(Bz)は、半径(Ri)の連続して増大する同心円状軌道の連続により形成される螺旋軌跡に沿って加速粒子の軌跡を曲げるために使用される。
・標的エネルギーに到達した荷電粒子のビームを取り出すための取出しユニット。このシンクロサイクロトロンは、それが標的エネルギーを低及び高エネルギー(E1,E2)間に含まれる広い範囲にわたり変化させることができるシンクロサイクロトロンの種に含まれるという点で、従来のシンクロサイクロトロンとは異なる。
図2に示されるように、本発明のシンクロサイクロトロンは、RF振動電場を発生させるための、一般に金属のD字形中空シートにより製作されるディー(21)を含む。他方の極は開放している。振動電場の周波数は、相対論速度に到達する加速荷電粒子の質量の増加に対処するために継続的に減少する。周期的に変化する振動電位の一方の端子はディーに印加され、他方の端子はアース電位にある。
前述のように、シンクロサイクロトロンは、荷電粒子のビームの軌跡を、それがRF振動電場により加速されているときに同心円状に増大する軌道(=螺旋)を描くように曲げるための、主コイル(31、32)と磁場整形ユニット(41、42)を含む磁気ユニットを含む。図1及び2に示されるように、シンクロサイクロトロンは、少なくとも第一及び第二の主コイル(31、32)を含み、これらは超電導であってもそうでなくてもよく、中心軸(Z)上に中心を置き、中心軸(z)に垂直な正中面(P)のそれぞれの側に相互に平行に配置される。正中面(P)は、シンクロサイクロトロンの対称面を画定する。第一及び第二の主コイルは、電力源により作動されると、主磁場(B)を発生させる。主磁場は、荷電粒子の軌跡を曲げるために使用される。
)であり、より好ましくはN=3であり、図5(e)に示されるように、同じ次数(N)の対称性で主磁場のz成分を整形する。したがって、ギャップ(6)の高さは角度位置と共に変化し、2つの谷セクタ間で測定される高さ(Hv)は2つの山(44h)間で測定される高さ(Hh)より大きい(図1参照)。
荷電粒子のビームが標的エネルギーに到達すると、これをシンクロサイクロトロンから取り出さなければならない。本発明のシンクロサイクロトロンは新規なレジェネレータ機器を使用して、R1~R2の範囲のビームの軌跡の半径(Ri)のある軌道に不安定性を生じさせ、これは後述のように共鳴する。シンクロサイクロトロンは、第一及び第二の不安定性コイルユニット(51、52)を含み、各々が少なくとも1つのコイルを含み、これを励起して、ある軌道に不安定性を生じさせることができる。ビームの荷電粒子がギャップの領域に到達すると、これらは主磁場によって曲げられずにギャップ内に残り(=浮遊磁場領域)、ビームを1つ又は複数の出口ポート(49)から取り出すことができる。主磁場は山より谷のほうが低いため(図5(e)参照)、取出し経路は好ましくは谷セクタ(44v)に追従するが、これは必須ではない。磁場整形ユニットは、正中面(P)に沿って共鳴不安定となったビームがz方向に十分な安定性を保持して、多すぎる荷電粒子に対する制御を失わないように整形されるべきである。
(a)半径方向のチューンvrの値に応じて軌道を安定性の限度付近に、ただしそれ以内に保持するように主磁場を制御すること、
(b)R1とR2の間に含まれる何れかの半径の中から選択された半径(Ri)の軌道をずらすための特定のプロファイルを有する磁場バンプを生じさせる第一及び第二の不安定性コイルユニット(51、52)、及び、
(c)軌道の不安定性を共鳴させ、ビームをギャップ(6)の外及びシンクロサイクロトロンの外へと駆動するための、主磁場のz成分(Bz)の対称性(N>2)
を組み合わせた取出しシステムにおいて、既知のシンクロサイクロトロンとは異なる。
前述のように、半径方向のチューンとは、ビームの半径方向におけるその軌跡を形成する軌道にわたる半径方向への振動の尺度である。換言すれば、チューンは、ビームの回転に対する振動の比である。あるエネルギーで、チューンはビームの軌跡に対する両方の横断方向に画定され、すなわち、半径方向への半径方向のチューン(vr)と正中面(P)に垂直な垂直方向のチューン(vz)である。半径方向に完璧に扁平な磁場は半径方向チューンvr=1を有し不安定であり、閉軌道上に完全に整列していない粒子は正中面に沿って軌道から抜け出し、ある方向にドリフトする。このようなドリフトは、少なくともビームの加速中、標的エネルギーに到達する前に回避し、又は少なくとも最小化しなければならない。等時性サイクロトロンでは、設計上、vr>1であり、1に非常に近くなるように選択できず、これは、このような状況では、磁場は半径が増大しても、高いエネルギーでの相対論効果を補償するのに十分には増大できないからである。これは、磁場を設計するときに等時性状態が作られないため、シンクロサイクロトロンには当てはまらない。
前述のような半径方向のチューン(vr)の値により、小さい磁気的摂動で、R1~R2に含まれるある半径(Ri)の軌道を十分にずらすことができる。磁気的摂動は、正中面(P)のそれぞれの側に配置された第一の不安定性コイルユニット(51)と第二の不安定性コイルユニット(52)によって生じさせられる(図1及び2参照)。図3及び5(c)に示されるように、これらは、電力源により作動されると、主磁場のz成分(Bz)の中に位置付けられる磁場バンプを作るように構成される。
平均不安定性開始半径(Ri)の軌道は、前述のようにシンクロサイクロトロンの中心に関してずらすことができる。このように作られる軌道のオフセットは、追従軌道をドリフトする軌道内の共鳴不安定性を生成することによって利用されなければならない。「追従軌道」とは、本明細書においては、平均不安定性開始半径(Ri)と等しいか、又はそれより大きい平均半径の軌道と定義される。一般に、k vr+l vz=m、k,l,
という共鳴を生じさせる条件が受け入れられている。例えば、l=0且つk=m=2により2vr=2が得られることは、磁場内の高調波数2の振幅と高調波数2の振幅の半径方向の勾配との組合せにより駆動されるビームを取り出すために使用できる。これは一般に、従来のシンクロサイクロトロンでは、ピーラリジェネレータシステムと呼ばれる鉄のバー又はコイルの集合により生成される。
)であり、これは、それによって軌道中での共鳴高調波数2の形成が容易になるからである。第二次高調波成分は、Nが偶数(N=2n、n>1且つ
)の対称性(N)の追従軌道の中で生成でき、その磁場バンプは奇数の対称性(N=2n+1)の場合よりわずかに高い振幅(ΔBz(Ri))を有する。Nは好ましくは3と等しい(すなわち、N=3)。
低半径(R1)と高半径(R2)との間に含まれる平均半径(Ri)の何れかの軌道における、相対角度(θc/2π)の方位角セクタ内に画定され、大きさΔBz(Ri)=ΔBz0(Ri,vr)を有し、それと同時にΔBz(Rk)<ΔBz0(Rk,vr)、∀Rk<Riを有する磁場バンプは、少なくとも低及び高半径(R1、R2)間で半径方向に延びる第一及び第二の不安定性コイルユニット(51、52)により形成できる。第一及び第二の不安定コイルユニット(51、52)の正中面(P)への投射である図3に示されるように、これらは少なくとも部分的に、好ましくはπ/3 radより小さい(すなわち、θc<π/3)、より好ましくはπ/4 radより小さい(すなわち、θc<π/4)、最も好ましくはπ/6 radより小さい(すなわち、θc<π/6)、ある方位角(θc)内に含まれる方位角セクタにより円周方向に画定されるエリアの中に位置付けられる。
図4(a)及び4(b)に示されるように、平均不安定性開始半径(Ri)(Riは図4(a)においてR1に近く、Riは図4(b)においてR2に近い)の軌道内の不安定性により、追従軌道のドリフトが生じ、これはビームが、追従軌道の中心に関してずれた、対称性(N)を有する磁場内で加速するのに伴い、共鳴する。軌道のドリフトは、ビームを磁場整形ユニット(41、42)の縁辺における浮遊磁場に向かって駆動し、そこでこれは鉄のバー又はコイル(47)により形成可能な磁気チャネルによってヨーク(7)を通る出口ポート(49)へと案内できる。
本発明のシンクロサイクロトロンは、低及び高エネルギー(E1,E2)間の広い範囲のエネルギーのビームを、第一及び第二の不安定性コイルユニット(51、52)の単純なチューニングにより、以下のステップを含む方法によって取り出すことができるという点で非常に有利である。
・荷電粒子が、低及び高エネルギー(E1,E2)での荷電粒子の中心軸(z)に関するそれぞれ平均半径位置に対応する、低半径(R1)と高半径(R2)の間に含まれる、その軌道の対応する平均不安定性開始半径(Ri)において取出しエネルギー(Ei)に到達し、
・連続的軌道の半径方向のチューン(vr(R))が、低及び高半径(R1、R2)間に含まれる平均半径のすべての値について、1と等しくなく、1±0.1内、好ましくは1±0.025内、より好ましくは1.002≦|vr|≦1.015である
ように構成された前述のシンクロサイクロトロンを提供する。
6 ギャップ
7 ヨーク
31 第一の主コイル
32 第二の主コイル
41 第一の磁場整形ユニット
42 第二の磁場整形ユニット
44h 山セクタ
44v 谷セクタ
47 ピーラレジェネレータ
49 出口ポート
51 第一の不安定性コイルユニット
52 第二の不安定性コイルユニット
B 主磁場
Bz 主磁場のz成分
E1 低エネルギー
E2 高エネルギー
Em 最大又は公称取出しエネルギー
Hh 山の高さ
Hv 谷の高さ
ii,ij,ik Ri,Rj,RkでΔBz0(Ri,vr)と交差する磁場バンププロファイル
N 主磁場対称性
P 正中面
R 軌道の平均半径
R1 取出し低エネルギーE1に対応する低(平均)半径
R2 取出し高エネルギーE2に対応する高(平均)半径
Ri,j,k 軌道i,j,kの平均半径
ΔBz(R) 磁場バンプの振幅
ΔBz0(R,vr) Rに関するオフセット振幅(曲線)
ΔBz0(Ri,vr) 平均半径Riでのオフセット振幅
vr 半径チューン
θ 方位角
θc 不安定性コイルユニットの方位角範囲
θc/2π 方位角セクタの相対角度
Claims (12)
- 低エネルギー(E1)と高エネルギー(E2)との間に含まれる何れかの取出しエネルギー(Ei)まで加速された荷電粒子を取り出すためのシンクロサイクロトロンにおいて、
・共通の中心軸(z)上に中心を置き、前記中心軸(z)に垂直で、前記シンクロサイクロトロンの対称面を画定する正中面(P)のそれぞれの側に相互に平行に配置された少なくとも第一の主コイル(31)及び第二の主コイル(32)であって、電力源によって作動されると、主磁場(B)を発生させるように構成された、少なくとも第一の主コイル(31)及び第二の主コイル(32)と、
・前記荷電粒子を加速させるために可変周波数のRF振動電場を生じさせるように構成されたディー(21)と、
・前記主磁場(B)を整形し、それゆえ、前記荷電粒子を、前記中心軸(z)上に中心を置く増大する平均半径(R)の連続軌道に沿って案内するための第一の磁場整形ユニット(41)と第二の磁場整形ユニット(42)であって、前記正中面(P)のそれぞれの側で前記第一の主コイル(31)及び前記第二の主コイル(32)の中に配置され、ギャップ(6)によって相互に分離され、前記中心軸(z)の周囲に少なくとも3の対称性で交互に分散された、同じ次数(N)の対称性で前記主磁場を整形するための山セクタ(44h)と谷セクタ(44v)を含む、第一の磁場整形ユニット(41)と第二の磁場整形ユニット(42)と、
・前記正中面(P)のそれぞれの側に配置され、電力源によって作動されると、前記主磁場のz成分(Bz)において、局所化された磁場バンプを作るように構成された第一の不安定性コイルユニット(51)と第二の不安定性コイルユニット(52)と、
を含み、
・前記シンクロサイクロトロンは、前記低及び高エネルギー(E1,E2)での前記荷電粒子のそれぞれの平均半径方向位置に対応する低半径(R1)と高半径(R2)との間に含まれる前記平均半径(R)のすべての値について、前記連続軌道の半径方向のチューン(vr)が1と等しくなく、1±0.1以内となるように前記主磁場の前記z成分(Bz)を制御するように構成され、
・前記第一及び第二の不安定性コイルユニット(51、52)は、前記低半径(R1)での第一の磁場バンプ振幅値(ΔBz(R1))と前記高半径(R2)での第二の磁場バンプの振幅値(ΔBz(R2))との間で半径方向に増大する振幅(ΔBz(R))で、方位角(θc)の方位角セクタの中に前記磁場バンプを生じさせるように構成され、
・前記シンクロサイクロトロンは、低値と高値との間に含まれる様々なレベルにおいて前記磁場バンプの前記振幅(ΔBz(R))を調整して、前記低及び高半径(R1、R2)間に含まれる平均不安定性開始半径(Ri)のすべての値について、前記平均不安定性開始半径(Ri)の前記磁場バンプの前記振幅(ΔBz(Ri))の値が、
〇前記平均不安定性開始半径(Ri)のオフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr))の値と等しく、
〇前記平均不安定性開始半径(Ri)より小さい前記平均半径(R)のすべての値について、前記オフセット振幅(ΔBz0(R,vr))の値より小さくなる
ように構成された制御ユニットを含み、
前記オフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr)・θc/2π)は、前記荷電粒子が軌道に沿って案内される前記平均不安定性開始半径(Ri)の軌道の前記中心をオフセットするために必要な、そして、平均半径R≧Riの前記連続軌道の共鳴不安定性を発生させるために必要な、前記平均不安定性開始半径(Ri)での前記磁場バンプの最小振幅であることを特徴とするシンクロサイクロトロン。 - 請求項1に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記第一及び第二の不安定性コイルユニットの投影は、π/3より小さい前記方位角(θc)内に含まれ、半径方向に前記低及び高半径(R1、R2)間にある方位角区画によって円周方向に画定されるエリア内に配置されることを特徴とする、シンクロサイクロトロン。
- 請求項2に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記第一及び第二の不安定性コイルユニット(51、52)は、方位角(θc)の、及び前記半径方向に(R2-R1)と少なくとも等しい長さの前記方位角セクタに適合する寸法の台形又は三角形のコイルのペアの形態であり、前記第一及び第二の不安定性コイルユニットを分離する距離は半径方向に減少し、それによって前記低半径(R1)での前記振幅(ΔBz(R1))は前記高半径(R2)での前記振幅(ΔBz(R2))より小さいことを特徴とする、シンクロサイクロトロン。
- 請求項3に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記第一及び第二の不安定性コイルユニットを分離する前記距離は、前記半径方向に沿って線形に減少し、前記第一及び第二の不安定性コイルユニット(51、52)の各々は、前記正中面(P)と5~30度に含まれる角度を成すことを特徴とする、シンクロサイクロトロン。
- 請求項2に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記第一及び第二の不安定性コイルユニット(51、52)は、前記方位角セクタ内で半径方向に整列するコイルの2又はそれより多いペアの連続により形成され、各コイルペアは、前記中心軸(z)により近くにある隣接する前記コイルペアより高い振幅(ΔBz(R))の、又は前記中心軸(z)からより遠くにある隣接する前記コイルペアより低い振幅(ΔBz(R))の磁場バンプを生成するように構成されることを特徴とする、シンクロサイクロトロン。
- 請求項1~5の何れか1項に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記低及び高半径(R1、R2)間に含まれる前記平均不安定性開始半径(Ri)のすべての値について、前記平均不安定性開始半径(Ri)での前記オフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr)・θc/2π)は、ΔBz0(Ri,vr)・θc/2πが前記平均不安定性開始半径(Ri)での前記主磁場(B)の前記z成分(Bz)の平均値の0.001%~1%に含まれるように画定されることを特徴とする、シンクロサイクロトロン。
- 請求項1~6の何れか1項に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記シンクロサイクロトロンは取出しの公称エネルギー(Em)を有し、前記低エネルギー(E1)はEmの20%~75%に含まれ、前記高エネルギー(E2)はEmの80%~100%に含まれることを特徴とする、シンクロサイクロトロン。
- 請求項2に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記第一及び第二の不安定性コイルユニットの投影は、π/4より小さい前記方位角(θc)内に含まれる方位角区画によって円周方向に画定されるエリア内に配置される、シンクロサイクロトロン。
- 請求項4に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記第一及び第二の不安定性コイルユニット(51、52)の各々は、前記正中面(P)と10~25度に含まれる角度を成すことを特徴とすることを特徴とするシンクロサイクロトロン。
- 請求項6に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記平均不安定性開始半径(Ri)での前記オフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr)・θc/2π)は、ΔBz0(Ri,vr)・θc/2πが前記平均不安定性開始半径(Ri)での前記主磁場(B)の前記z成分(Bz)の平均値の0.005%~0.05%に含まれるように画定されることを特徴とするシンクロサイクロトロン。
- 請求項7に記載のシンクロサイクロトロンにおいて、前記低エネルギー(E1)はEmのEmの30%~50%に含まれ、前記高エネルギー(E2)はEmの90%又は95%~99%に含まれることを特徴とすることを特徴とするシンクロサイクロトロン。
- 低エネルギー(E1)と高エネルギー(E2)との間に含まれる取出しエネルギー(Ei)のあらゆる値でシンクロサイクロトロンから荷電粒子を取り出す方法において、
・請求項1~7の何れか1項に記載のシンクロサイクロトロンであって、
〇前記荷電粒子が、前記低及び高エネルギー(E1,E2)での前記荷電粒子の前記中心軸(z)に関するそれぞれの平均半径方向位置に対応する低半径(R1)と高半径(R2)との間に含まれる、その前記軌道の対応する平均不安定性開始半径(Ri)で前記取出しエネルギー(Ei)に到達し、
〇前記連続軌道の半径方向のチューン(vr(R))が、前記低及び高半径(R1,R2)間に含まれる前記平均半径のすべての値について、1と等しくなく、1±0.1、内に含まれるように構成されるシンクロサイクロトロンを提供するステップと、
・取り出される前記荷電粒子の前記取出しエネルギー(Ei)の値を選択するステップと、
・前記取出しエネルギー(Ei)での前記荷電粒子の平均半径(Ri)の前記軌道の中心をずらし、それゆえ平均半径、R≧Riの前記連続軌道の共鳴不安定性を生じさせるのに必要な前記オフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr))・θc/2πの値を特定するステップと、
・前記磁場バンプの前記振幅(ΔBz(Ri))・θc/2πが前記平均不安定性開始半径(Ri)での前記オフセット振幅(ΔBz0(Ri,vr))・θc/2πと等しく、前記平均半径(Ri)より小さい前記平均半径のすべての値について前記オフセット振幅(ΔBz0(R,vr))・θc/2πより低くなるように前記磁場バンプの大きさを調整するステップと、
・出口ポート(49)を通じて前記シンクロサイクロトロンからビームを取り出すステップと、
を含むことを特徴とする方法。
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