JP7272475B2 - 静電荷像現像用キャリア、静電荷像現像剤、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 - Google Patents
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本発明は、静電荷像現像用キャリア、静電荷像現像剤、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法に関する。
静電荷像現像用キャリアとして、磁性粒子の表面に樹脂層を有する樹脂被覆キャリアが知られている。樹脂被覆キャリアとして、例えば、下記が開示されている。
特許文献１には、結着樹脂中に磁性体微粒子を分散させてなるコア材を、スチレン－アクリル系共重合体を含む樹脂により被覆してなる磁性体分散型キャリアであって、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライト、又は鉛フェライトを含む磁性体分散型キャリアが開示されている。
特許文献２には、フェライトからなるキャリア芯材と、キャリア芯材を被覆し、ストロンチウムフェライト微粒子を含む樹脂層とを有するキャリアが開示されている。
特許文献３には、磁性を有する芯粒子と、芯粒子を被覆する被覆層とを有するキャリアであって、被覆層が樹脂及びフィラーを含有し、樹脂１００質量部に対してフィラーを５０質量部～５００質量部の割合で含有するキャリアが開示されている。
特許文献４には、磁性体を含有する磁性キャリアコア表面に、少なくとも結着樹脂と無機微粉体を被覆処理することにより得られる被覆層を有する磁性キャリアであって、無機微粉体は少なくともチタン酸ストロンチウムを含有する磁性キャリアが開示されている。
本開示の第一の課題は、樹脂被覆磁性粒子とチタン酸ストロンチウム粒子とを含む静電荷像現像用キャリアであって、チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の平均円形度分布において累積８４％となる円形度が０．９２以下である静電荷像現像用キャリアに比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアを提供することである。
本開示の第二の課題は、樹脂被覆磁性粒子とチタン酸ストロンチウム粒子とを含む静電荷像現像用キャリアであって、チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°未満である静電荷像現像用キャリアに比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアを提供することである。
前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。
［１］
磁性粒子と前記磁性粒子を被覆する樹脂層とを有する樹脂被覆磁性粒子と、
一次粒子の平均円形度が０．８２以上０．９４以下で且つ累積８４％となる円形度が０．９２超であるチタン酸ストロンチウム粒子と、
を含む静電荷像現像用キャリア。
磁性粒子と前記磁性粒子を被覆する樹脂層とを有する樹脂被覆磁性粒子と、
一次粒子の平均円形度が０．８２以上０．９４以下で且つ累積８４％となる円形度が０．９２超であるチタン酸ストロンチウム粒子と、
を含む静電荷像現像用キャリア。
［２］
磁性粒子と前記磁性粒子を被覆する樹脂層とを有する樹脂被覆磁性粒子と、
Ｘ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°以上２．０°以下であるチタン酸ストロンチウム粒子と、
を含む静電荷像現像用キャリア。
磁性粒子と前記磁性粒子を被覆する樹脂層とを有する樹脂被覆磁性粒子と、
Ｘ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°以上２．０°以下であるチタン酸ストロンチウム粒子と、
を含む静電荷像現像用キャリア。
［３］
前記チタン酸ストロンチウム粒子が、ドーパントを含有するチタン酸ストロンチウム粒子である、［１］又は［２］に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記チタン酸ストロンチウム粒子が、ドーパントを含有するチタン酸ストロンチウム粒子である、［１］又は［２］に記載の静電荷像現像用キャリア。
［４］
前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、［１］～［３］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、［１］～［３］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
［５］
前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、［４］に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、［４］に記載の静電荷像現像用キャリア。
［６］
前記チタン酸ストロンチウム粒子の含有量が、前記樹脂被覆磁性粒子の質量に対して０．０１質量％以上０．５質量％以下である、［１］～［５］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記チタン酸ストロンチウム粒子の含有量が、前記樹脂被覆磁性粒子の質量に対して０．０１質量％以上０．５質量％以下である、［１］～［５］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
［７］
前記チタン酸ストロンチウム粒子の含有量が、前記樹脂被覆磁性粒子の質量に対して０．０２質量％以上０．０８質量％以下である、［６］に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記チタン酸ストロンチウム粒子の含有量が、前記樹脂被覆磁性粒子の質量に対して０．０２質量％以上０．０８質量％以下である、［６］に記載の静電荷像現像用キャリア。
［８］
前記樹脂被覆磁性粒子の表面における前記磁性粒子の露出割合が２％以上２０％以下である、［１］～［７］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記樹脂被覆磁性粒子の表面における前記磁性粒子の露出割合が２％以上２０％以下である、［１］～［７］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
［９］
前記磁性粒子がフェライト粒子である、［１］～［８］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記磁性粒子がフェライト粒子である、［１］～［８］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
［１０］
前記フェライト粒子が、カルシウム酸化物及びストロンチウム酸化物から選ばれる少なくとも１種を含み、カルシウム元素及びストロンチウム元素の合計含有量が前記フェライト粒子全体に対して０．１質量％以上２．０質量％以下である、［９］に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記フェライト粒子が、カルシウム酸化物及びストロンチウム酸化物から選ばれる少なくとも１種を含み、カルシウム元素及びストロンチウム元素の合計含有量が前記フェライト粒子全体に対して０．１質量％以上２．０質量％以下である、［９］に記載の静電荷像現像用キャリア。
［１１］
前記フェライト粒子が、カルシウム酸化物を含み、カルシウム元素の含有量が前記フェライト粒子全体に対して０．２質量％以上２．０質量％以下である、［９］に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記フェライト粒子が、カルシウム酸化物を含み、カルシウム元素の含有量が前記フェライト粒子全体に対して０．２質量％以上２．０質量％以下である、［９］に記載の静電荷像現像用キャリア。
［１２］
前記フェライト粒子が、ストロンチウム酸化物を含み、ストロンチウム元素の含有量が前記フェライト粒子全体に対して０．１質量％以上１．０質量％以下である、［９］に記載の静電荷像現像用キャリア。
前記フェライト粒子が、ストロンチウム酸化物を含み、ストロンチウム元素の含有量が前記フェライト粒子全体に対して０．１質量％以上１．０質量％以下である、［９］に記載の静電荷像現像用キャリア。
［１３］
静電荷像現像用トナーと、［１］～［１２］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリアと、を含む静電荷像現像剤。
静電荷像現像用トナーと、［１］～［１２］のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリアと、を含む静電荷像現像剤。
［１４］
［１３］に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
［１３］に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
［１５］
像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、
［１３］に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、
を備える画像形成装置。
像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、
［１３］に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、
を備える画像形成装置。
［１６］
像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、
［１３］に記載の静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、
を有する画像形成方法。
像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、
［１３］に記載の静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、
を有する画像形成方法。
［１］、［８］又は［９］に係る発明によれば、チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の平均円形度分布において累積８４％となる円形度が０．９２以下である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアが提供される。
［２］、［８］又は［９］に係る発明によれば、チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°未満である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアが提供される。
［３］に係る発明によれば、チタン酸ストロンチウム粒子がドーパントを含まない場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアが提供される。
［４］又は［５］に係る発明によれば、チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１０ｎｍ未満又は１００ｎｍ超である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアが提供される。
［６］又は［７］に係る発明によれば、チタン酸ストロンチウム粒子の含有量が樹脂被覆磁性粒子の質量に対して０．０１質量％未満又は０．５質量％超である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアが提供される。
［１０］に係る発明によれば、カルシウム元素及びストロンチウム元素の合計含有量がフェライト粒子全体に対して０．１質量％未満又は２．０質量％超である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアが提供される。
［１１］に係る発明によれば、カルシウム元素の含有量がフェライト粒子全体に対して０．２質量％未満又は２．０質量％超である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアが提供される。
［１２］に係る発明によれば、ストロンチウム元素の含有量がフェライト粒子全体に対して０．１質量％未満又は１．０質量％超である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像用キャリアが提供される。
［１３］に係る発明によれば、第一に、チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の平均円形度分布において累積８４％となる円形度が０．９２以下である場合に比べて、第二に、チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°未満である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する静電荷像現像剤が提供される。
［１４］に係る発明によれば、第一に、チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の平均円形度分布において累積８４％となる円形度が０．９２以下である場合に比べて、第二に、チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°未満である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制するプロセスカートリッジが提供される。
［１５］又は［１６］に係る発明によれば、第一に、チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の平均円形度分布において累積８４％となる円形度が０．９２以下である場合に比べて、第二に、チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°未満である場合に比べて、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する画像形成装置又は画像形成方法が提供される。
以下に、発明の実施形態を説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、発明の範囲を制限するものではない。
本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本開示において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
本開示において、「静電荷像現像用キャリア」を「キャリア」ともいい、「静電荷像現像用トナー」を「トナー」ともいい、「静電荷像現像剤」を「現像剤」ともいう。
＜静電荷像現像用キャリア＞
第一の本実施形態に係るキャリアは、磁性粒子及び該磁性粒子を被覆する樹脂層を有する樹脂被覆磁性粒子と、チタン酸ストロンチウム粒子と、を含む。
第一の本実施形態に係るキャリアにおいてチタン酸ストロンチウム粒子は、一次粒子の平均円形度が０．８２以上０．９４以下で且つ累積８４％となる円形度が０．９２超である。
第一の本実施形態において、チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子が上記円形度であることは、チタン酸ストロンチウム粒子の形状が丸みを帯びた形状であることを意味する（詳細は後述する。）。
第一の本実施形態に係るキャリアは、磁性粒子及び該磁性粒子を被覆する樹脂層を有する樹脂被覆磁性粒子と、チタン酸ストロンチウム粒子と、を含む。
第一の本実施形態に係るキャリアにおいてチタン酸ストロンチウム粒子は、一次粒子の平均円形度が０．８２以上０．９４以下で且つ累積８４％となる円形度が０．９２超である。
第一の本実施形態において、チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子が上記円形度であることは、チタン酸ストロンチウム粒子の形状が丸みを帯びた形状であることを意味する（詳細は後述する。）。
第二の本実施形態に係るキャリアは、磁性粒子及び該磁性粒子を被覆する樹脂層を有する樹脂被覆磁性粒子と、チタン酸ストロンチウム粒子と、を含む。
第二の本実施形態に係るキャリアにおいてチタン酸ストロンチウム粒子は、Ｘ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°以上２．０°以下である。
第二の本実施形態において、チタン酸ストロンチウム粒子の（１１０）面のピークが上記半値幅であることは、チタン酸ストロンチウム粒子の形状が丸みを帯びた形状であることを意味する（詳細は後述する。）。
第二の本実施形態に係るキャリアにおいてチタン酸ストロンチウム粒子は、Ｘ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°以上２．０°以下である。
第二の本実施形態において、チタン酸ストロンチウム粒子の（１１０）面のピークが上記半値幅であることは、チタン酸ストロンチウム粒子の形状が丸みを帯びた形状であることを意味する（詳細は後述する。）。
以下、第一の本実施形態と第二の本実施形態とに共通する事項については、本実施形態と総称して説明する。
本実施形態に係るキャリアは、キャリアに含まれるチタン酸ストロンチウム粒子が丸みを帯びた形状であることにより、高濃度且つ高密度な単色の画像形成を繰り返した後に発生するかぶりを抑制する。その機構は、必ずしも明らかではないが、次のように推測される。
印刷面積比率が高い単色の画像（例えば、印刷用紙面積に対して画像面積２０％以上の単色画像）の形成を繰り返した後に、同じ色で密度の低い画像（例えば、文字などの細線）を画像形成すると、かぶり（像保持体の静電荷像のない部分にトナーが付着し、記録媒体に意図しない画像が現れる現象）が生じることがあった。これは、印刷面積比率が高い単色の画像形成を繰り返すと、現像器内のトナーが多量に消費されるのでトナーの補充量が多くなり、現像器内でトナーが十分に帯電されず低帯電となることによる。
ところで、従来、チタン酸ストロンチウム粒子を含むキャリアが知られている。チタン酸ストロンチウム粒子は、結晶構造がペロブスカイト構造であり、通常は、粒子形状が立方体又は直方体である。立方体又は直方体のチタン酸ストロンチウム粒子を樹脂被覆磁性粒子に添加したキャリアにおいては、チタン酸ストロンチウム粒子は角を樹脂層に突き刺した状態で付着するので、均一性高く分散しにくいと推測される。
これに対して、丸みを帯びた形状のチタン酸ストロンチウム粒子は、樹脂被覆磁性粒子の表面を移動しやすく、均一性高く分散すると推測される。そして、樹脂被覆磁性粒子の表面に均一性高く分散したチタン酸ストロンチウム粒子により、キャリア表面が均一性高く、且つ、チタン酸ストロンチウム粒子の電気特性により比較的高く帯電するものと推測される。このキャリアによれば、現像器内でのトナーの低帯電が抑制され、その結果、かぶりが抑制されるものと推測される。
これに対して、丸みを帯びた形状のチタン酸ストロンチウム粒子は、樹脂被覆磁性粒子の表面を移動しやすく、均一性高く分散すると推測される。そして、樹脂被覆磁性粒子の表面に均一性高く分散したチタン酸ストロンチウム粒子により、キャリア表面が均一性高く、且つ、チタン酸ストロンチウム粒子の電気特性により比較的高く帯電するものと推測される。このキャリアによれば、現像器内でのトナーの低帯電が抑制され、その結果、かぶりが抑制されるものと推測される。
以下、本実施形態に係るキャリアの構成を詳細に説明する。
［樹脂被覆磁性粒子］
樹脂被覆磁性粒子は、磁性粒子と、磁性粒子を被覆する樹脂層とを有する。
樹脂被覆磁性粒子は、磁性粒子と、磁性粒子を被覆する樹脂層とを有する。
［磁性粒子］
磁性粒子は、特に限定されるものではなく、キャリアの芯材として用いられる公知の磁性粒子が適用される。磁性粒子として、具体的には、鉄、ニッケル、コバルト等の磁性金属の粒子；フェライト、マグネタイト等の磁性酸化物の粒子；多孔質の磁性粉に樹脂を含浸させた樹脂含浸磁性粒子；樹脂中に磁性粉が分散して配合された磁性粉分散樹脂粒子；などが挙げられる。
磁性粒子は、特に限定されるものではなく、キャリアの芯材として用いられる公知の磁性粒子が適用される。磁性粒子として、具体的には、鉄、ニッケル、コバルト等の磁性金属の粒子；フェライト、マグネタイト等の磁性酸化物の粒子；多孔質の磁性粉に樹脂を含浸させた樹脂含浸磁性粒子；樹脂中に磁性粉が分散して配合された磁性粉分散樹脂粒子；などが挙げられる。
本実施形態において磁性粒子としては、フェライト粒子が好適である。
本実施形態においてフェライト粒子は、カルシウム酸化物及びストロンチウム酸化物から選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。カルシウム酸化物及びストロンチウム酸化物はフェライト粒子の表面に含有されやすく、フェライト粒子の表面にカルシウム元素又はストロンチウム元素が存在すると、フェライト粒子から電荷が漏れることを抑制することにより、キャリア表面が比較的高く帯電するものと推測される。このキャリアによれば、現像器内でのトナーの低帯電が抑制され、その結果、かぶりがより抑制され、さらには細線再現性が良化する（例えば、細線の太り、つぶれ又はぼやけが抑制される）。本効果は、高濃度且つ高密度な単色の画像形成をより高速で繰り返した後に同じ色で密度の低い画像を形成した際に顕著である。
本実施形態においてフェライト粒子は、カルシウム酸化物及びストロンチウム酸化物から選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。カルシウム酸化物及びストロンチウム酸化物はフェライト粒子の表面に含有されやすく、フェライト粒子の表面にカルシウム元素又はストロンチウム元素が存在すると、フェライト粒子から電荷が漏れることを抑制することにより、キャリア表面が比較的高く帯電するものと推測される。このキャリアによれば、現像器内でのトナーの低帯電が抑制され、その結果、かぶりがより抑制され、さらには細線再現性が良化する（例えば、細線の太り、つぶれ又はぼやけが抑制される）。本効果は、高濃度且つ高密度な単色の画像形成をより高速で繰り返した後に同じ色で密度の低い画像を形成した際に顕著である。
本実施形態においてフェライト粒子は、カルシウム酸化物及びストロンチウム酸化物から選ばれる少なくとも１種を含み、カルシウム元素及びストロンチウム元素の合計含有量がフェライト粒子全体の質量に対して０．１質量％以上２．０質量％以下であることが好ましい。カルシウム元素及びストロンチウム元素の合計含有量がフェライト粒子全体に対して０．１質量％以上であると、フェライト粒子からの電荷漏れが効率的に抑制される。カルシウム元素及びストロンチウム元素の合計含有量がフェライト粒子全体に対して２．０質量％以下であると、フェライト粒子の結晶構造が整い、抵抗値及び磁化率が適切な範囲となる。これらの結果、かぶりがより抑制され、さらには細線再現性が良化する（例えば、細線の太り、つぶれ又はぼやけが抑制される）。
上記の観点から、カルシウム元素及びストロンチウム元素の合計含有量は、フェライト粒子全体に対して、０．１質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０．２質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上１．２質量％以下が更に好ましい。
上記の観点から、カルシウム元素及びストロンチウム元素の合計含有量は、フェライト粒子全体に対して、０．１質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０．２質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上１．２質量％以下が更に好ましい。
本実施形態においてフェライト粒子は、カルシウム酸化物を含み、カルシウム元素の含有量がフェライト粒子全体の質量に対して０．２質量％以上２．０質量％以下であることが好ましい。カルシウム元素の含有量がフェライト粒子全体に対して０．２質量％以上であると、フェライト粒子からの電荷漏れが効率的に抑制される。カルシウム元素の含有量がフェライト粒子全体に対して２．０質量％以下であると、フェライト粒子の結晶構造が整い、抵抗値および磁化率が適切な範囲となる。これらの結果、かぶりがより抑制され、さらには細線再現性が良化する（例えば、細線の太り、つぶれ又はぼやけが抑制される）。
上記の観点から、カルシウム元素の含有量は、フェライト粒子全体に対して、０．２質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上１．０質量％以下が更に好ましい。
上記の観点から、カルシウム元素の含有量は、フェライト粒子全体に対して、０．２質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上１．０質量％以下が更に好ましい。
本実施形態においてフェライト粒子は、ストロンチウム酸化物を含み、ストロンチウム元素の含有量がフェライト粒子全体の質量に対して０．１質量％以上１．０質量％以下であることが好ましい。ストロンチウム元素の含有量がフェライト粒子全体に対して０．１質量％以上であると、フェライト粒子からの電荷漏れが効率的に抑制される。ストロンチウム元素の含有量がフェライト粒子全体に対して１．０質量％以下であると、フェライト粒子の結晶構造が整い、抵抗値および磁化率が適切な範囲となる。これらの結果、かぶりがより抑制され、さらには細線再現性が良化する（例えば、細線の太り、つぶれ又はぼやけが抑制される）。
上記の観点から、ストロンチウム元素の含有量は、フェライト粒子全体に対して、０．１質量％以上１．０質量％以下が好ましく、０．４質量％以上１．０質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上０．８質量％以下が更に好ましい。
上記の観点から、ストロンチウム元素の含有量は、フェライト粒子全体に対して、０．１質量％以上１．０質量％以下が好ましく、０．４質量％以上１．０質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上０．８質量％以下が更に好ましい。
フェライト粒子に含まれるカルシウム元素及びストロンチウム元素の含有量は、蛍光Ｘ線分析により測定する。フェライト粒子の蛍光Ｘ線分析は、以下の方法で行われる。
蛍光Ｘ線解析装置（島津製作所社製、ＸＲＦ１５００）を用いて、Ｘ線出力：４０Ｖ／７０ｍＡ、測定面積：直径１０ｍｍ、測定時間：１５分の条件で、定性及び定量分析を実施する。分析する元素は、定性分析で検出された元素をもとに選出する。主には、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）が選ばれる。別途作成した検量線データを参照して、各元素の質量割合（％）を算出する。
蛍光Ｘ線解析装置（島津製作所社製、ＸＲＦ１５００）を用いて、Ｘ線出力：４０Ｖ／７０ｍＡ、測定面積：直径１０ｍｍ、測定時間：１５分の条件で、定性及び定量分析を実施する。分析する元素は、定性分析で検出された元素をもとに選出する。主には、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）が選ばれる。別途作成した検量線データを参照して、各元素の質量割合（％）を算出する。
磁性粒子の体積平均粒径は、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下であり、２０μｍ以上１８０μｍ以下が好ましく、２５μｍ以上６０μｍ以下がより好ましい。
磁性粒子の磁力は、３０００エルステッドの磁場における飽和磁化が、例えば５０ｅｍｕ／ｇ以上であり、６０ｅｍｕ／ｇ以上が好ましい。上記飽和磁化の測定は、振動試料型磁気測定装置ＶＳＭＰ１０－１５（東英工業社製）を用いて行う。測定試料は内径７ｍｍ、高さ５ｍｍのセルに詰めて前記装置にセットする。測定は印加磁場を加え、最大３０００エルステッドまで掃引する。次いで、印加磁場を減少させ、記録紙上にヒステリシスカーブを作製する。カーブのデータより、飽和磁化、残留磁化、保持力を求める。
磁性粒子の体積電気抵抗（体積抵抗率）は、例えば１０５Ω・ｃｍ以上１０９Ω・ｃｍ以下であり、１０７Ω・ｃｍ以上１０９Ω・ｃｍ以下が好ましい。
磁性粒子の体積電気抵抗（Ω・ｃｍ）は以下のように測定する。２０ｃｍ２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象物を１ｍｍ以上３ｍｍ以下の厚さになるように平坦に載せ、層を形成する。この上に前記２０ｃｍ２の電極板を載せて層を挟み込む。測定対象物間の空隙をなくすため、層上に配置した電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてから層の厚み（ｃｍ）を測定する。層の上下の両電極には、エレクトロメーターおよび高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が１０３．８Ｖ／ｃｍとなるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取る。測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。測定対象物の体積電気抵抗（Ω・ｃｍ）の計算式は、下記式に示す通りである。
Ｒ＝Ｅ×２０／（Ｉ－Ｉ０）／Ｌ
上記式中、Ｒは測定対象物の体積電気抵抗（Ω・ｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌは層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。係数２０は、電極板の面積（ｃｍ２）を表す。
磁性粒子の体積電気抵抗（Ω・ｃｍ）は以下のように測定する。２０ｃｍ２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象物を１ｍｍ以上３ｍｍ以下の厚さになるように平坦に載せ、層を形成する。この上に前記２０ｃｍ２の電極板を載せて層を挟み込む。測定対象物間の空隙をなくすため、層上に配置した電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてから層の厚み（ｃｍ）を測定する。層の上下の両電極には、エレクトロメーターおよび高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が１０３．８Ｖ／ｃｍとなるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取る。測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。測定対象物の体積電気抵抗（Ω・ｃｍ）の計算式は、下記式に示す通りである。
Ｒ＝Ｅ×２０／（Ｉ－Ｉ０）／Ｌ
上記式中、Ｒは測定対象物の体積電気抵抗（Ω・ｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌは層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。係数２０は、電極板の面積（ｃｍ２）を表す。
［磁性粒子を被覆する樹脂層］
樹脂層を構成する樹脂としては、スチレン・アクリル酸共重合体；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂；ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルエーテル、ポリビニルケトン等のポリビニル系又はポリビニリデン系樹脂；塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体；オルガノシロキサン結合からなるストレートシリコーン樹脂又はその変性物；ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリクロロトリフルオロエチレン等のフッ素樹脂；ポリエステル；ポリウレタン；ポリカーボネート；尿素・ホルムアルデヒド樹脂等のアミノ樹脂；エポキシ樹脂；などが挙げられる。
樹脂層を構成する樹脂としては、スチレン・アクリル酸共重合体；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂；ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルエーテル、ポリビニルケトン等のポリビニル系又はポリビニリデン系樹脂；塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体；オルガノシロキサン結合からなるストレートシリコーン樹脂又はその変性物；ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリクロロトリフルオロエチレン等のフッ素樹脂；ポリエステル；ポリウレタン；ポリカーボネート；尿素・ホルムアルデヒド樹脂等のアミノ樹脂；エポキシ樹脂；などが挙げられる。
樹脂層には、帯電や抵抗を制御する目的で、無機粒子が含まれていてもよい。無機粒子としては、例えば、カーボンブラック；金、銀、銅等の金属；硫酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、チタン酸カリウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、アンチモンをドープされた酸化錫、錫をドープされた酸化インジウム、アルミニウムをドープされた酸化亜鉛等の金属化合物；金属で被覆した樹脂粒子；などが挙げられる。
樹脂層を磁性粒子表面に形成する方法としては、例えば、湿式製法及び乾式製法が挙げられる。湿式製法は、樹脂層を構成する樹脂を溶解又は分散させる溶剤を用いる製法である。一方、乾式製法は、上記溶剤を用いない製法である。
湿式製法としては、例えば、磁性粒子を樹脂層形成用樹脂液中に浸漬して被覆する浸漬法；樹脂層形成用樹脂液を磁性粒子表面に噴霧するスプレー法；磁性粒子を流動床中に流動化させた状態で樹脂層形成用樹脂液を噴霧する流動床法；ニーダーコーター中で磁性粒子と樹脂層形成用樹脂液とを混合し、溶剤を除去するニーダーコーター法；などが挙げられる。
湿式製法において用いられる樹脂層形成用樹脂液は、樹脂及びその他の成分を溶剤に溶解又は分散させて調製する。溶剤としては、樹脂を溶解又は分散するものであれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；などが使用される。
湿式製法において用いられる樹脂層形成用樹脂液は、樹脂及びその他の成分を溶剤に溶解又は分散させて調製する。溶剤としては、樹脂を溶解又は分散するものであれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；などが使用される。
乾式製法としては、例えば、磁性粒子と樹脂層形成用樹脂の混合物を乾燥状態で加熱して樹脂層を形成する方法が挙げられる。具体的には例えば、磁性粒子と樹脂層形成用樹脂とを気相中で混合して加熱溶融し、樹脂層を形成する。
樹脂層の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．３μｍ以上５μｍ以下がより好ましい。
樹脂被覆磁性粒子の表面における磁性粒子の露出割合は、２％以上２０％以下であることが好ましく、２％以上１０％以下であることがより好ましく、３％以上８％以下であることが更に好ましい。
樹脂被覆磁性粒子の表面における磁性粒子の露出割合は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により、以下の方法で求める。
対象となる樹脂被覆磁性粒子と、対象となる樹脂被覆磁性粒子から樹脂層を除いた磁性粒子を用意する。樹脂被覆磁性粒子から樹脂層を除く方法としては、例えば、有機溶剤で樹脂成分を溶解させて樹脂層を除去する方法、８００℃程度の加熱により樹脂成分を消失させて樹脂層を除去する方法などが挙げられる。樹脂被覆磁性粒子と、樹脂層を除いた磁性粒子とをそれぞれ測定試料にして、ＸＰＳでＦｅ（ａｔｏｍｉｃ％）を定量し、（樹脂被覆磁性粒子のＦｅ）÷（磁性粒子のＦｅ）×１００を算出し、磁性粒子の露出割合（％）とする。
対象となる樹脂被覆磁性粒子と、対象となる樹脂被覆磁性粒子から樹脂層を除いた磁性粒子を用意する。樹脂被覆磁性粒子から樹脂層を除く方法としては、例えば、有機溶剤で樹脂成分を溶解させて樹脂層を除去する方法、８００℃程度の加熱により樹脂成分を消失させて樹脂層を除去する方法などが挙げられる。樹脂被覆磁性粒子と、樹脂層を除いた磁性粒子とをそれぞれ測定試料にして、ＸＰＳでＦｅ（ａｔｏｍｉｃ％）を定量し、（樹脂被覆磁性粒子のＦｅ）÷（磁性粒子のＦｅ）×１００を算出し、磁性粒子の露出割合（％）とする。
樹脂被覆磁性粒子の表面における磁性粒子の露出割合は、樹脂層の形成に用いる樹脂の量で制御でき、磁性粒子の量に対する樹脂の量が多いほど露出割合は小さくなる。
［キャリアの特性］
キャリアの体積平均粒径は、１５μｍ以上５１０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上１８０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以上６０μｍ以下が更に好ましい。
キャリアの体積平均粒径は、１５μｍ以上５１０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上１８０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以上６０μｍ以下が更に好ましい。
キャリアの磁力は、１０００エルステッドの磁場における飽和磁化が、例えば４０ｅｍｕ／ｇ以上であり、５０ｅｍｕ／ｇ以上が好ましい。上記飽和磁化の測定は、磁性粒子の飽和磁化の測定と同様にして、但し最大１０００エルステッドまで掃引して行う。
キャリアの体積電気抵抗（２５℃）は、例えば１×１０７Ω・ｃｍ以上１×１０１５Ω・ｃｍ以下であり、１×１０８Ω・ｃｍ以上１×１０１４Ω・ｃｍ以下が好ましく、１×１０８Ω・ｃｍ以上１×１０１３Ω・ｃｍ以下がより好ましい。キャリアの体積電気抵抗の測定は、磁性粒子の体積電気抵抗の測定と同様にして行う。
［チタン酸ストロンチウム粒子］
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１０ｎｍ以上であると、樹脂被覆磁性粒子の樹脂層への埋没が抑制され、樹脂被覆磁性粒子表面において均一性高く分散しやすい。チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１００ｎｍ以下であると、樹脂被覆磁性粒子からの遊離が抑制され、チタン酸ストロンチウム粒子の電気特性によりキャリア表面を比較的高く帯電させる。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１０ｎｍ以上であると、樹脂被覆磁性粒子の樹脂層への埋没が抑制され、樹脂被覆磁性粒子表面において均一性高く分散しやすい。チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１００ｎｍ以下であると、樹脂被覆磁性粒子からの遊離が抑制され、チタン酸ストロンチウム粒子の電気特性によりキャリア表面を比較的高く帯電させる。
上記の観点から、チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以上９０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が更に好ましく、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下が更に好ましい。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒径とは、一次粒子像と同じ面積をもつ円の直径（いわゆる円相当径）であり、チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径とは、一次粒径の個数基準の分布において小径側から累積５０％となる粒径である。チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒径は、チタン酸ストロンチウム粒子を少なくとも３００個画像解析して求める。
チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径は、例えば、チタン酸ストロンチウム粒子を湿式製法により製造する際の各種条件によって制御し得る。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子の形状は、かぶりの発生を抑制する観点から、立方体又は直方体ではなく、丸みを帯びた形状である。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は、一次粒子の平均円形度が０．８２以上０．９４以下であり、且つ、一次粒子の累積８４％となる円形度が０．９２超であることが好ましい。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の円形度とは、４π×（一次粒子像の面積）÷（一次粒子像の周囲長）２であり、一次粒子の平均円形度とは、円形度の分布において小さい側から累積５０％となる円形度であり、一次粒子の累積８４％となる円形度とは、円形度の分布において小さい側から累積８４％となる円形度である。チタン酸ストロンチウム粒子の円形度は、チタン酸ストロンチウム粒子を少なくとも３００個画像解析して求める。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の円形度とは、４π×（一次粒子像の面積）÷（一次粒子像の周囲長）２であり、一次粒子の平均円形度とは、円形度の分布において小さい側から累積５０％となる円形度であり、一次粒子の累積８４％となる円形度とは、円形度の分布において小さい側から累積８４％となる円形度である。チタン酸ストロンチウム粒子の円形度は、チタン酸ストロンチウム粒子を少なくとも３００個画像解析して求める。
チタン酸ストロンチウム粒子について、一次粒子の累積８４％となる円形度は、丸みを帯びた形状の指標の一つである。一次粒子の累積８４％となる円形度（以下、累積８４％円形度ともいう。）について説明する。
図１Ａは、チタン酸ストロンチウム粒子の一例であるチタン工業社製ＳＷ－３６０を外添した樹脂粒子のＳＥＭ画像と、該ＳＥＭ画像を解析して求めたチタン酸ストロンチウム粒子の円形度分布のグラフである。ＳＥＭ画像が示すとおり、ＳＷ－３６０は、主たる粒子形状が立方体であって、直方体の粒子および粒径の比較的小さい球形粒子が混じっていた。本例のＳＷ－３６０の円形度分布は、０．８４から０．９２の間に集中しており、平均円形度が０．８８８、累積８４％円形度が０．９１６であった。このことは、
（ａ）ＳＷ－３６０の主たる粒子形状が立方体であること、
（ｂ）立方体の投影像には円に近い順に、正六角形（円形度約０．９０７）、扁平な六角形、正方形（円形度約０．７８５）、長方形があること、
（ｃ）立方体のチタン酸ストロンチウム粒子は樹脂粒子に角を立てて付着しており投影像は主として六角形になること、
の反映と考えられる。
ＳＷ－３６０の実際の円形度分布が前述のとおりであること及び立体の投影像の理論的な円形度からして、立方体又は直方体のチタン酸ストロンチウム粒子は、一次粒子の累積８４％円形度が０．９２を下回るものと推定できる。
一方、図１Ｂは、別のチタン酸ストロンチウム粒子を外添した樹脂粒子のＳＥＭ画像と、該ＳＥＭ画像を解析して求めたチタン酸ストロンチウム粒子の円形度分布のグラフである。ＳＥＭ画像が示すとおり、本例のチタン酸ストロンチウム粒子は、丸みを帯びた形状であった。本例のチタン酸ストロンチウム粒子は、平均円形度が０．８８３、累積８４％円形度が０．９３５であった。
以上のことから、チタン酸ストロンチウム粒子について、一次粒子の累積８４％円形度は、丸みを帯びた形状の指標の一つとなり、０．９２超であると丸みを帯びた形状であると言える。
（ａ）ＳＷ－３６０の主たる粒子形状が立方体であること、
（ｂ）立方体の投影像には円に近い順に、正六角形（円形度約０．９０７）、扁平な六角形、正方形（円形度約０．７８５）、長方形があること、
（ｃ）立方体のチタン酸ストロンチウム粒子は樹脂粒子に角を立てて付着しており投影像は主として六角形になること、
の反映と考えられる。
ＳＷ－３６０の実際の円形度分布が前述のとおりであること及び立体の投影像の理論的な円形度からして、立方体又は直方体のチタン酸ストロンチウム粒子は、一次粒子の累積８４％円形度が０．９２を下回るものと推定できる。
一方、図１Ｂは、別のチタン酸ストロンチウム粒子を外添した樹脂粒子のＳＥＭ画像と、該ＳＥＭ画像を解析して求めたチタン酸ストロンチウム粒子の円形度分布のグラフである。ＳＥＭ画像が示すとおり、本例のチタン酸ストロンチウム粒子は、丸みを帯びた形状であった。本例のチタン酸ストロンチウム粒子は、平均円形度が０．８８３、累積８４％円形度が０．９３５であった。
以上のことから、チタン酸ストロンチウム粒子について、一次粒子の累積８４％円形度は、丸みを帯びた形状の指標の一つとなり、０．９２超であると丸みを帯びた形状であると言える。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の平均円形度は、かぶりの発生を抑制する観点から、０．８２以上０．９４以下が好ましく、０．８４以上０．９４以下がより好ましく、０．８６以上０．９２以下が更に好ましい。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は、一次粒子の円形度の標準偏差が０．０４以上２．０以下であることが好ましく、０．０４以上１．０以下であることがより好ましく、０．０４以上０．５０以下であることが更に好ましい。
立方体又は直方体のチタン酸ストロンチウム粒子は、その形状に由来して、円形度の分布が狭くなる傾向にある。したがって、一次粒子の円形度の標準偏差が上記範囲であることは、立方体又は直方体を多く含むチタン酸ストロンチウム粒子ではないことを示す指標となる。
立方体又は直方体のチタン酸ストロンチウム粒子は、その形状に由来して、円形度の分布が狭くなる傾向にある。したがって、一次粒子の円形度の標準偏差が上記範囲であることは、立方体又は直方体を多く含むチタン酸ストロンチウム粒子ではないことを示す指標となる。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は、Ｘ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°以上２．０°以下であることが好ましく、０．２°以上１．０°以下であることがより好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折法により得られる（１１０）面のピークは、回折角度２θ＝３２°付近に現れるピークである。このピークは、ペロブスカイト結晶の（１１０）面のピークに相当する。
粒子形状が立方体又は直方体であるチタン酸ストロンチウム粒子は、ペロブスカイト結晶の結晶性が高く、（１１０）面のピークの半値幅は通常０．２°未満である。例えば、チタン工業社製のＳＷ－３５０（主たる粒子形状が立方体であるチタン酸ストロンチウム粒子）を解析したところ、（１１０）面のピークの半値幅は０．１５°であった。
一方、丸みを帯びた形状のチタン酸ストロンチウム粒子は、ペロブスカイト結晶の結晶性が相対的に低く、（１１０）面のピークの半値幅が拡がる。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は丸みを帯びた形状であることが好ましく、丸みを帯びた形状の指標の一つとして、（１１０）面のピークの半値幅は、０．２°以上２．０°以下が好ましく、０．２°以上１．０°以下がより好ましく、０．２°以上０．５°以下が更に好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折法により得られる（１１０）面のピークは、回折角度２θ＝３２°付近に現れるピークである。このピークは、ペロブスカイト結晶の（１１０）面のピークに相当する。
粒子形状が立方体又は直方体であるチタン酸ストロンチウム粒子は、ペロブスカイト結晶の結晶性が高く、（１１０）面のピークの半値幅は通常０．２°未満である。例えば、チタン工業社製のＳＷ－３５０（主たる粒子形状が立方体であるチタン酸ストロンチウム粒子）を解析したところ、（１１０）面のピークの半値幅は０．１５°であった。
一方、丸みを帯びた形状のチタン酸ストロンチウム粒子は、ペロブスカイト結晶の結晶性が相対的に低く、（１１０）面のピークの半値幅が拡がる。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は丸みを帯びた形状であることが好ましく、丸みを帯びた形状の指標の一つとして、（１１０）面のピークの半値幅は、０．２°以上２．０°以下が好ましく、０．２°以上１．０°以下がより好ましく、０．２°以上０．５°以下が更に好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折は、Ｘ線回折装置（例えば、リガク社製、商品名ＲＩＮＴ Ｕｌｔｉｍａ－III）を用いて測定する。測定の設定は、線源ＣｕＫα、電圧：４０ｋＶ、電流：４０ｍＡ、試料回転速度：回転なし、発散スリット：１．００ｍｍ、発散縦制限スリット：１０ｍｍ、散乱スリット：開放、受光スリット：開放、走査モード：ＦＴ、計数時間：２．０秒、ステップ幅：０．００５０°、操作軸：１０．００００°～７０．００００°とする。本開示においてＸ線回折パターンにおけるピークの半値幅は、半値全幅（full width at half maximum）である。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は、チタン及びストロンチウム以外の金属元素（以下、ドーパントともいう。）がドープされていることが好ましい。チタン酸ストロンチウム粒子は、ドーパントを含むことにより、ペロブスカイト構造の結晶性が下がり丸みを帯びた形状となる。
チタン酸ストロンチウム粒子のドーパントは、チタン及びストロンチウム以外の金属元素であれば特に制限されない。イオン化したときに、チタン酸ストロンチウム粒子を構成する結晶構造に入り得るイオン半径となる金属元素が好ましい。この観点から、チタン酸ストロンチウム粒子のドーパントは、イオン化したときのイオン半径が、４０ｐｍ以上２００ｐｍ以下である金属元素が好ましく、６０ｐｍ以上１５０ｐｍ以下である金属元素がより好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子のドーパントとしては、具体的には、ランタノイド、シリカ、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、リン、硫黄、カルシウム、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、イットリウム、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、スズ、アンチモン、バリウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、ビスマスが挙げられる。ランタノイドとしては、ランタン、セリウムが好ましい。これらの中でも、ドープしやすくチタン酸ストロンチウム粒子の形状制御がしやすい観点から、ランタンが好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子のドーパントとしては、チタン酸ストロンチウム粒子を過度に負帯電させない観点から、電気陰性度が２．０以下の金属元素が好ましく、電気陰性度が１．３以下の金属元素がより好ましい。本実施形態において電気陰性度は、オールレッド・ロコウの電気陰性度である。電気陰性度が２．０以下の金属元素としては、ランタン（電気陰性度１．０８）、マグネシウム（１．２３）、アルミニウム（１．４７）、シリカ（１．７４）、カルシウム（１．０４）、バナジウム（１．４５）、クロム（１．５６）、マンガン（１．６０）、鉄（１．６４）、コバルト（１．７０）、ニッケル（１．７５）、銅（１．７５）、亜鉛（１．６６）、ガリウム（１．８２）、イットリウム（１．１１）、ジルコニウム（１．２２）、ニオブ（１．２３）、銀（１．４２）、インジウム（１．４９）、錫（１．７２）、バリウム（０．９７）、タンタル（１．３３）、レニウム（１．４６）、セリウム（１．０６）等が挙げられる。
チタン酸ストロンチウム粒子内のドーパントの量は、ペロブスカイト型の結晶構造を有しながら丸みを帯びた形状とする観点から、ストロンチウムに対しドーパントが０．１モル％以上２０モル％以下となる範囲が好ましく、０．１モル％以上１５モル％以下となる範囲がより好ましく、０．１モル％以上１０モル％以下となる範囲が更に好ましい。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は、チタン酸ストロンチウム粒子の作用を良化する観点から、疎水化処理された表面を有するチタン酸ストロンチウム粒子であることが好ましい。疎水化処理されたチタン酸ストロンチウム粒子どうしは樹脂被覆磁性粒子上で反発し合って均一性高く分散しやすいと推測される。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は、ケイ素含有有機化合物により疎水化処理された表面を有するチタン酸ストロンチウム粒子であることがより好ましい。ケイ素含有有機化合物により疎水化処理されたチタン酸ストロンチウム粒子は、脂肪酸金属塩などの正帯電性の強い処理剤で疎水化処理されたチタン酸ストロンチウム粒子に比べて、感光体上の非画像部へ遊離しにくく、画像欠陥を発生させることが少ない。
チタン酸ストロンチウム粒子は、その質量に対して、１質量％以上５０質量％以下（好ましく、５質量％以上４０質量％以下、より好ましくは５質量％以上３０質量％以下、更に好ましくは１０質量％以上２５質量％以下）のケイ素含有有機化合物を含む表面を有することが好ましい。
つまり、ケイ素含有有機化合物による疎水化処理量は、チタン酸ストロンチウム粒子の質量に対して、１質量％以上５０質量％以下が好ましく、５質量％以上４０質量％以下がより好ましく、５質量％以上３０質量％以下が更に好ましく、１０質量％以上２５質量％以下が更に好ましい。
疎水化処理量が上記範囲であると、かぶりの発生を抑制しやすい。疎水化処理量が３０質量％以下であると、疎水化処理された表面に起因する凝集体の発生が抑制される。
つまり、ケイ素含有有機化合物による疎水化処理量は、チタン酸ストロンチウム粒子の質量に対して、１質量％以上５０質量％以下が好ましく、５質量％以上４０質量％以下がより好ましく、５質量％以上３０質量％以下が更に好ましく、１０質量％以上２５質量％以下が更に好ましい。
疎水化処理量が上記範囲であると、かぶりの発生を抑制しやすい。疎水化処理量が３０質量％以下であると、疎水化処理された表面に起因する凝集体の発生が抑制される。
チタン酸ストロンチウム粒子の、ケイ素含有有機化合物により疎水化処理された表面は、チタン酸ストロンチウム粒子の作用を良化する観点から、蛍光Ｘ線分析の定性及び定量分析から算出されるケイ素（Ｓｉ）とストロンチウム（Ｓｒ）との質量比Ｓｉ／Ｓｒが０．０２５以上０．２５以下であることが好ましく、０．０５以上０．２０以下であることがより好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子の疎水化処理表面の蛍光Ｘ線分析は、以下の方法で行われる。
蛍光Ｘ線解析装置（島津製作所社製、ＸＲＦ１５００）を用いて、Ｘ線出力：４０Ｖ／７０ｍＡ、測定面積：直径１０ｍｍ、測定時間：１５分の条件で、定性及び定量分析を実施する。分析する元素は、酸素（Ｏ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、その他金属元素（Ｍｅ）とし、別途作成した検量線データを参照して、各元素の質量割合（％）を算出する。この測定にて得られたケイ素（Ｓｉ）の質量割合（％）とストロンチウム（Ｓｒ）の質量割合（％）から質量比Ｓｉ／Ｓｒを算出する。
蛍光Ｘ線解析装置（島津製作所社製、ＸＲＦ１５００）を用いて、Ｘ線出力：４０Ｖ／７０ｍＡ、測定面積：直径１０ｍｍ、測定時間：１５分の条件で、定性及び定量分析を実施する。分析する元素は、酸素（Ｏ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、その他金属元素（Ｍｅ）とし、別途作成した検量線データを参照して、各元素の質量割合（％）を算出する。この測定にて得られたケイ素（Ｓｉ）の質量割合（％）とストロンチウム（Ｓｒ）の質量割合（％）から質量比Ｓｉ／Ｓｒを算出する。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ（Ω・ｃｍ）は、常用対数値ｌｏｇＲにて、１１以上１４以下が好ましく、１１以上１３以下がより好ましく、１２以上１３以下が更に好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒは、例えば、ドーパントの種類、ドーパント量、疎水化処理剤の種類、疎水化処理量、疎水化処理後の乾燥温度および乾燥時間等によって制御し得る。
チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒは、次のように測定する。
エレクトロメーター（ＫＥＹＴＨＬＥＹ社製、ＫＥＩＴＨＬＥＹ６１０Ｃ）と高圧電源（ＦＬＵＫＥ社製、ＦＬＵＫＥ４１５Ｂ）とに接続された一対の２０ｃｍ２の円形極板（鋼製）である測定治具の下部極板上に、チタン酸ストロンチウム粒子を、厚さ１ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲の平坦な層を形成するように入れる。次いで、温度２２℃／相対湿度５５％の環境下で２４時間調湿する。次いで、温度２２℃／相対湿度５５％の環境下で、チタン酸ストロンチウム粒子層上に上部極板を配置し、チタン酸ストロンチウム粒子層内の空隙を除くために上部極板上に４ｋｇの重しを乗せ、その状態でチタン酸ストロンチウム粒子層の厚さを測定する。次いで、両極板に１０００Ｖの電圧を印加して電流値を測定し、下記式（１）から体積固有抵抗率Ｒを算出する。
式（１）：体積固有抵抗率Ｒ（Ω・ｃｍ）＝Ｖ×Ｓ÷（Ａ１－Ａ０）÷ｄ
式（１）中、Ｖは印加電圧１０００（Ｖ）、Ｓは極板面積２０（ｃｍ２）、Ａ１は測定電流値（Ａ）、Ａ０は印加電圧０Ｖのときの初期電流値（Ａ）、ｄはチタン酸ストロンチウム粒子層の厚さ（ｃｍ）である。
エレクトロメーター（ＫＥＹＴＨＬＥＹ社製、ＫＥＩＴＨＬＥＹ６１０Ｃ）と高圧電源（ＦＬＵＫＥ社製、ＦＬＵＫＥ４１５Ｂ）とに接続された一対の２０ｃｍ２の円形極板（鋼製）である測定治具の下部極板上に、チタン酸ストロンチウム粒子を、厚さ１ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲の平坦な層を形成するように入れる。次いで、温度２２℃／相対湿度５５％の環境下で２４時間調湿する。次いで、温度２２℃／相対湿度５５％の環境下で、チタン酸ストロンチウム粒子層上に上部極板を配置し、チタン酸ストロンチウム粒子層内の空隙を除くために上部極板上に４ｋｇの重しを乗せ、その状態でチタン酸ストロンチウム粒子層の厚さを測定する。次いで、両極板に１０００Ｖの電圧を印加して電流値を測定し、下記式（１）から体積固有抵抗率Ｒを算出する。
式（１）：体積固有抵抗率Ｒ（Ω・ｃｍ）＝Ｖ×Ｓ÷（Ａ１－Ａ０）÷ｄ
式（１）中、Ｖは印加電圧１０００（Ｖ）、Ｓは極板面積２０（ｃｍ２）、Ａ１は測定電流値（Ａ）、Ａ０は印加電圧０Ｖのときの初期電流値（Ａ）、ｄはチタン酸ストロンチウム粒子層の厚さ（ｃｍ）である。
本実施形態においてチタン酸ストロンチウム粒子は、含水率が１．５質量％以上１０質量％以下であることが好ましい。含水率が１．５質量％以上１０質量％以下（より好ましくは２質量％以上５質量％以下）であると、チタン酸ストロンチウム粒子の抵抗が適度な範囲に制御され、チタン酸ストロンチウム粒子どうしの静電的反発による偏在抑制に優れる。チタン酸ストロンチウム粒子の含水率は、例えば、チタン酸ストロンチウム粒子を湿式製法により製造し、乾燥処理の温度及び時間を調節することにより制御することができる。チタン酸ストロンチウム粒子を疎水化処理する場合は、疎水化処理した後における乾燥処理の温度及び時間を調節することにより、チタン酸ストロンチウム粒子の含水率を制御することができる。
チタン酸ストロンチウム粒子の含水率は、次のように測定する。
測定試料２０ｍｇを温度２２℃／相対湿度５５％のチャンバーにて１７時間静置し調湿した後、温度２２℃／相対湿度５５％の室内にて、熱天秤（島津製作所製ＴＧＡ－５０型）によりチッ素ガス雰囲気中にて３０℃／分の温度上昇速度にて３０℃から２５０℃まで加熱し、加熱減量（加熱によって失われた質量）を測定する。測定した加熱減量を元に以下の式にて含水率を算出する。
含水率（質量％）＝（３０℃から２５０℃における加熱減量）÷（調湿後加熱前の質量）×１００
測定試料２０ｍｇを温度２２℃／相対湿度５５％のチャンバーにて１７時間静置し調湿した後、温度２２℃／相対湿度５５％の室内にて、熱天秤（島津製作所製ＴＧＡ－５０型）によりチッ素ガス雰囲気中にて３０℃／分の温度上昇速度にて３０℃から２５０℃まで加熱し、加熱減量（加熱によって失われた質量）を測定する。測定した加熱減量を元に以下の式にて含水率を算出する。
含水率（質量％）＝（３０℃から２５０℃における加熱減量）÷（調湿後加熱前の質量）×１００
本実施形態に係るキャリアに含まれるチタン酸ストロンチウム粒子の含有量は、樹脂被覆磁性粒子の質量にして、０．０１質量％以上０．８質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上０．５質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上０．０８質量％以下が更に好ましく、０．０４質量％以上０．０５質量％以下が更に好ましい。
［チタン酸ストロンチウム粒子の製造方法］
チタン酸ストロンチウム粒子は、チタン酸ストロンチウム粒子そのものであってもよく、チタン酸ストロンチウム粒子（母粒子ということがある。）の表面を疎水化処理した粒子でもよい。チタン酸ストロンチウム粒子（母粒子）の製造方法は、特に制限されないが、粒径及び形状を制御する観点から、湿式製法であることが好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子は、チタン酸ストロンチウム粒子そのものであってもよく、チタン酸ストロンチウム粒子（母粒子ということがある。）の表面を疎水化処理した粒子でもよい。チタン酸ストロンチウム粒子（母粒子）の製造方法は、特に制限されないが、粒径及び形状を制御する観点から、湿式製法であることが好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子の湿式製法は、例えば、酸化チタン源とストロンチウム源との混合液にアルカリ水溶液を添加しながら反応させ、次いで酸処理を行う製造方法である。本製造方法においては、酸化チタン源とストロンチウム源の混合割合、反応初期の酸化チタン源濃度、アルカリ水溶液を添加するときの温度及び添加速度などによって、チタン酸ストロンチウム粒子の粒径が制御される。
酸化チタン源としてはチタン化合物の加水分解物の鉱酸解膠品が好ましい。ストロンチウム源としては、硝酸ストロンチウム、塩化ストロンチウム等が挙げられる。
酸化チタン源とストロンチウム源の混合割合は、ＳｒＯ／ＴｉＯ２モル比で０．９以上１．４以下が好ましく、１．０５以上１．２０以下がより好ましい。反応初期の酸化チタン源濃度は、ＴｉＯ２として０．０５モル／Ｌ以上１．３モル／Ｌ以下が好ましく、０．５モル／Ｌ以上１．０モル／Ｌ以下がより好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子の形状を、立方体又は直方体ではなく、丸みを帯びた形状にする観点から、酸化チタン源とストロンチウム源との混合液にドーパント源を添加することが好ましい。ドーパント源としては、チタン及びストロンチウム以外の金属の酸化物が挙げられる。ドーパント源としての金属酸化物は、例えば、硝酸、塩酸又は硫酸に溶解した溶液として添加する。ドーパント源の添加量は、ストロンチウム源に含まれるストロンチウム１００モルに対して、ドーパント源に含まれる金属が０．１モル以上２０モル以下となる量が好ましく、０．５モル以上１０モル以下となる量がより好ましい。
アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液が好ましい。アルカリ水溶液を添加するときの反応液の温度は、高いほど結晶性の良好なチタン酸ストロンチウム粒子が得られる。アルカリ水溶液を添加するときの反応液の温度は、ペロブスカイト型の結晶構造を有しながら丸みを帯びた形状とする観点から、６０℃以上１００℃以下の範囲が好ましい。アルカリ水溶液の添加速度は、添加速度が遅いほど大きな粒子径のチタン酸ストロンチウム粒子が得られ、添加速度が速いほど小さな粒子径のチタン酸ストロンチウム粒子が得られる。アルカリ水溶液の添加速度は、仕込み原料に対し例えば０．００１当量／ｈ以上１．２当量／ｈ以下であり、０．００２当量／ｈ以上１．１当量／ｈ以下が適切である。
アルカリ水溶液を添加した後、未反応のストロンチウム源を取り除く目的で酸処理を行う。酸処理は、例えば塩酸を用いて、反応液のｐＨを２．５乃至７．０、より好ましくは４．５乃至６．０に調整する。酸処理後、反応液を固液分離し、固形分を乾燥処理してチタン酸ストロンチウム粒子が得られる。
チタン酸ストロンチウム粒子の表面処理は、例えば、疎水化処理剤であるケイ素含有有機化合物と溶媒とを混合してなる処理液を調製し、攪拌下、チタン酸ストロンチウム粒子と処理液とを混合し、さらに攪拌を続けることで行われる。表面処理後は、処理液の溶媒を除去する目的で乾燥処理を行う。
チタン酸ストロンチウム粒子の表面処理に用いるケイ素含有有機化合物としては、アルコキシシラン化合物、シラザン化合物、シリコーンオイル等が挙げられる。
チタン酸ストロンチウム粒子の表面処理に用いるアルコキシシラン化合物としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン；メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－オクチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｏ－メチルフェニルトリメトキシシラン、ｐ－メチルフェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン；トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン；が挙げられる。
チタン酸ストロンチウム粒子の表面処理に用いるシラザン化合物としては、例えば、ジメチルジシラザン、トリメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ペンタメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
チタン酸ストロンチウム粒子の表面処理に用いるシリコーンオイルとしては、例えば、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、フェニルメチルポリシロキサン等のシリコーンオイル；アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサン、フッ素変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、フェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル；等が挙げられる。
前記処理液の調製に用いる溶媒としては、ケイ素含有有機化合物がアルコキシシラン化合物又はシラザン化合物である場合はアルコール（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール）が好ましく、ケイ素含有有機化合物がシリコーンオイルである場合は炭化水素類（例えば、ベンゼン、トルエン、ノルマルヘキサン、ノルマルヘプタン）が好ましい。
前記処理液において、ケイ素含有有機化合物の濃度は、１質量％以上５０質量％以下が好ましく、５質量％以上４０質量％以下がより好ましく、１０質量％以上３０質量％以下が更に好ましい。
表面処理に用いるケイ素含有有機化合物の量は、チタン酸ストロンチウム粒子１００質量部に対して、１質量部以上５０質量部以下が好ましく、５質量部以上４０質量部以下がより好ましく、５質量部以上３０質量部以下が更に好ましい。
＜静電荷像現像剤＞
本実施形態に係る現像剤は、トナーと、本実施形態に係るキャリアとを含む。
本実施形態に係る現像剤は、トナーと、本実施形態に係るキャリアとを含む。
本実施形態に係る現像剤は、トナーと本実施形態に係るキャリアとを適切な配合割合で混合することにより調製される。トナーとキャリアとの混合比（質量比）は、トナー：キャリア＝１：１００乃至３０：１００が好ましく、３：１００乃至２０：１００がより好ましい。
［静電荷像現像用トナー］
トナーとしては、特に制限はなく、公知のトナーが用いられる。例えば、結着樹脂と着色剤とを含有するトナー粒子を含む着色トナーが挙げられ、着色剤の代わりに赤外線吸収剤を用いた赤外線吸収トナーも挙げられる。トナーは、離型剤や各種の内添剤、外添剤等を含んでいてもよい。
トナーとしては、特に制限はなく、公知のトナーが用いられる。例えば、結着樹脂と着色剤とを含有するトナー粒子を含む着色トナーが挙げられ、着色剤の代わりに赤外線吸収剤を用いた赤外線吸収トナーも挙げられる。トナーは、離型剤や各種の内添剤、外添剤等を含んでいてもよい。
－結着樹脂－
結着樹脂としては、例えば、スチレン類（例えばスチレン、パラクロロスチレン、α－メチルスチレン等）、（メタ）アクリル酸エステル類（例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ－プロピル、アクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸２－エチルヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ－プロピル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸２－エチルヘキシル等）、エチレン性不飽和ニトリル類（例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル等）、ビニルエーテル類（例えばビニルメチルエーテル、ビニルイソブチルエーテル等）、ビニルケトン類（例えばビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルイソプロペニルケトン等）、オレフィン類（例えばエチレン、プロピレン、ブタジエン等）等の単量体の単独重合体、又はこれら単量体を２種以上組み合せた共重合体からなるビニル系樹脂が挙げられる。
結着樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ポリエーテル樹脂、変性ロジン等の非ビニル系樹脂、これらと前記ビニル系樹脂との混合物、又は、これらの共存下でビニル系単量体を重合して得られるグラフト重合体等も挙げられる。
これらの結着樹脂は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
結着樹脂としては、例えば、スチレン類（例えばスチレン、パラクロロスチレン、α－メチルスチレン等）、（メタ）アクリル酸エステル類（例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ－プロピル、アクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸２－エチルヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ－プロピル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸２－エチルヘキシル等）、エチレン性不飽和ニトリル類（例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル等）、ビニルエーテル類（例えばビニルメチルエーテル、ビニルイソブチルエーテル等）、ビニルケトン類（例えばビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルイソプロペニルケトン等）、オレフィン類（例えばエチレン、プロピレン、ブタジエン等）等の単量体の単独重合体、又はこれら単量体を２種以上組み合せた共重合体からなるビニル系樹脂が挙げられる。
結着樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ポリエーテル樹脂、変性ロジン等の非ビニル系樹脂、これらと前記ビニル系樹脂との混合物、又は、これらの共存下でビニル系単量体を重合して得られるグラフト重合体等も挙げられる。
これらの結着樹脂は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
結着樹脂としては、ポリエステル樹脂が好適である。ポリエステル樹脂としては、例えば、公知のポリエステル樹脂が挙げられる。
ポリエステル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、５０℃以上８０℃以下が好ましく、５０℃以上６５℃以下がより好ましい。
ガラス転移温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線より求め、より具体的にはＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」のガラス転移温度の求め方に記載の「補外ガラス転移開始温度」により求められる。
ガラス転移温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線より求め、より具体的にはＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」のガラス転移温度の求め方に記載の「補外ガラス転移開始温度」により求められる。
ポリエステル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５０００以上１００００００以下が好ましく、７０００以上５０００００以下がより好ましい。ポリエステル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、２０００以上１０００００以下が好ましい。ポリエステル樹脂の分子量分布Ｍｗ／Ｍｎは、１．５以上１００以下が好ましく、２以上６０以下がより好ましい。
重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定する。ＧＰＣによる分子量測定は、測定装置として東ソー製ＧＰＣ・ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣを用い、東ソー製カラム・ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｍ（１５ｃｍ）を使用し、ＴＨＦ溶媒で行う。重量平均分子量及び数平均分子量は、この測定結果から単分散ポリスチレン標準試料により作成した分子量校正曲線を使用して算出する。
重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定する。ＧＰＣによる分子量測定は、測定装置として東ソー製ＧＰＣ・ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣを用い、東ソー製カラム・ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｍ（１５ｃｍ）を使用し、ＴＨＦ溶媒で行う。重量平均分子量及び数平均分子量は、この測定結果から単分散ポリスチレン標準試料により作成した分子量校正曲線を使用して算出する。
結着樹脂の含有量は、トナー粒子全体に対して、４０質量％以上９５質量％以下が好ましく、５０質量％以上９０質量％以下がより好ましく、６０質量％以上８５質量％以下が更に好ましい。
－着色剤－
着色剤としては、例えば、カーボンブラック、クロムイエロー、ハンザイエロー、ベンジジンイエロー、スレンイエロー、キノリンイエロー、ピグメントイエロー、パーマネントオレンジＧＴＲ、ピラゾロンオレンジ、バルカンオレンジ、ウオッチヤングレッド、パーマネントレッド、ブリリアントカーミン３Ｂ、ブリリアントカーミン６Ｂ、デュポンオイルレッド、ピラゾロンレッド、リソールレッド、ローダミンＢレーキ、レーキレッドＣ、ピグメントレッド、ローズベンガル、アニリンブルー、ウルトラマリンブルー、カルコオイルブルー、メチレンブルークロライド、フタロシアニンブルー、ピグメントブルー、フタロシアニングリーン、マラカイトグリーンオキサレート等の顔料；アクリジン系、キサンテン系、アゾ系、ベンゾキノン系、アジン系、アントラキノン系、チオインジコ系、ジオキサジン系、チアジン系、アゾメチン系、インジコ系、フタロシアニン系、アニリンブラック系、ポリメチン系、トリフェニルメタン系、ジフェニルメタン系、チアゾール系等の染料；が挙げられる。
着色剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
着色剤としては、例えば、カーボンブラック、クロムイエロー、ハンザイエロー、ベンジジンイエロー、スレンイエロー、キノリンイエロー、ピグメントイエロー、パーマネントオレンジＧＴＲ、ピラゾロンオレンジ、バルカンオレンジ、ウオッチヤングレッド、パーマネントレッド、ブリリアントカーミン３Ｂ、ブリリアントカーミン６Ｂ、デュポンオイルレッド、ピラゾロンレッド、リソールレッド、ローダミンＢレーキ、レーキレッドＣ、ピグメントレッド、ローズベンガル、アニリンブルー、ウルトラマリンブルー、カルコオイルブルー、メチレンブルークロライド、フタロシアニンブルー、ピグメントブルー、フタロシアニングリーン、マラカイトグリーンオキサレート等の顔料；アクリジン系、キサンテン系、アゾ系、ベンゾキノン系、アジン系、アントラキノン系、チオインジコ系、ジオキサジン系、チアジン系、アゾメチン系、インジコ系、フタロシアニン系、アニリンブラック系、ポリメチン系、トリフェニルメタン系、ジフェニルメタン系、チアゾール系等の染料；が挙げられる。
着色剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
着色剤は、必要に応じて表面処理された着色剤を用いてもよく、分散剤と併用してもよい。また、着色剤は、複数種を併用してもよい。
着色剤の含有量は、トナー粒子全体に対して、１質量％以上３０質量％以下が好ましく、３質量％以上１５質量％以下がより好ましい。
－離型剤－
離型剤としては、例えば、炭化水素系ワックス；カルナバワックス、ライスワックス、キャンデリラワックス等の天然ワックス；モンタンワックス等の合成又は鉱物・石油系ワックス；脂肪酸エステル、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス；などが挙げられる。離型剤は、これに限定されるものではない。
離型剤としては、例えば、炭化水素系ワックス；カルナバワックス、ライスワックス、キャンデリラワックス等の天然ワックス；モンタンワックス等の合成又は鉱物・石油系ワックス；脂肪酸エステル、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス；などが挙げられる。離型剤は、これに限定されるものではない。
離型剤の融解温度は、５０℃以上１１０℃以下が好ましく、６０℃以上１００℃以下がより好ましい。
融解温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線から、ＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」の融解温度の求め方に記載の「融解ピーク温度」により求める。
融解温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線から、ＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」の融解温度の求め方に記載の「融解ピーク温度」により求める。
離型剤の含有量は、トナー粒子全体に対して、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、５質量％以上１５質量％以下がより好ましい。
－その他の添加剤－
その他の添加剤としては、例えば、磁性体、帯電制御剤、無機粉体等の公知の添加剤が挙げられる。これらの添加剤は、内添剤としてトナー粒子に含まれる。
その他の添加剤としては、例えば、磁性体、帯電制御剤、無機粉体等の公知の添加剤が挙げられる。これらの添加剤は、内添剤としてトナー粒子に含まれる。
－トナー粒子の特性等－
トナー粒子は、単層構造のトナー粒子であってもよいし、芯部（コア粒子）と芯部を被覆する被覆層（シェル層）とで構成された所謂コア・シェル構造のトナー粒子であってもよい。コア・シェル構造のトナー粒子は、例えば、結着樹脂と必要に応じて着色剤及び離型剤等のその他添加剤とを含んで構成された芯部と、結着樹脂を含んで構成された被覆層と、で構成されていることがよい。
トナー粒子は、単層構造のトナー粒子であってもよいし、芯部（コア粒子）と芯部を被覆する被覆層（シェル層）とで構成された所謂コア・シェル構造のトナー粒子であってもよい。コア・シェル構造のトナー粒子は、例えば、結着樹脂と必要に応じて着色剤及び離型剤等のその他添加剤とを含んで構成された芯部と、結着樹脂を含んで構成された被覆層と、で構成されていることがよい。
トナー粒子の体積平均粒径（Ｄ５０ｖ）は、２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、４μｍ以上８μｍ以下がより好ましい。
トナー粒子の体積平均粒径（Ｄ５０ｖ）は、コールターマルチサイザーＩＩ（ベックマン・コールター社製）を用い、電解液はＩＳＯＴＯＮ－ＩＩ（ベックマン・コールター社製）を使用して測定される。測定に際しては、分散剤として、界面活性剤（アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムが好ましい）の５質量％水溶液２ｍｌ中に測定試料を０．５ｍｇ以上５０ｍｇ以下加える。これを電解液１００ｍｌ以上１５０ｍｌ以下中に添加する。試料を懸濁した電解液は超音波分散器で１分間分散処理を行い、コールターマルチサイザーＩＩにより、アパーチャー径１００μｍのアパーチャーを用いて２μｍ以上６０μｍ以下の範囲の粒径の粒子の粒度分布を測定する。サンプリングする粒子数は５００００個である。
トナー粒子の体積平均粒径（Ｄ５０ｖ）は、コールターマルチサイザーＩＩ（ベックマン・コールター社製）を用い、電解液はＩＳＯＴＯＮ－ＩＩ（ベックマン・コールター社製）を使用して測定される。測定に際しては、分散剤として、界面活性剤（アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムが好ましい）の５質量％水溶液２ｍｌ中に測定試料を０．５ｍｇ以上５０ｍｇ以下加える。これを電解液１００ｍｌ以上１５０ｍｌ以下中に添加する。試料を懸濁した電解液は超音波分散器で１分間分散処理を行い、コールターマルチサイザーＩＩにより、アパーチャー径１００μｍのアパーチャーを用いて２μｍ以上６０μｍ以下の範囲の粒径の粒子の粒度分布を測定する。サンプリングする粒子数は５００００個である。
－外添剤－
外添剤としては、例えば、無機粒子が挙げられる。該無機粒子として、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ＺｒＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ・（ＴｉＯ２）ｎ、Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＢａＳＯ４、ＭｇＳＯ４等が挙げられる。
外添剤としては、例えば、無機粒子が挙げられる。該無機粒子として、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ＺｒＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ・（ＴｉＯ２）ｎ、Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＢａＳＯ４、ＭｇＳＯ４等が挙げられる。
外添剤としての無機粒子の表面は、疎水化処理が施されていることがよい。疎水化処理は、例えば疎水化処理剤に無機粒子を浸漬する等して行う。疎水化処理剤は特に制限されないが、例えば、シラン系カップリング剤、シリコーンオイル、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
疎水化処理剤の量は、通常、例えば、無機粒子１００質量部に対して、１質量部以上１０質量部である。
疎水化処理剤の量は、通常、例えば、無機粒子１００質量部に対して、１質量部以上１０質量部である。
外添剤としては、樹脂粒子（ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、メラミン樹脂等の樹脂粒子）、クリーニング活剤（例えば、ステアリン酸亜鉛に代表される高級脂肪酸の金属塩、フッ素系高分子量体の粒子）等も挙げられる。
外添剤の外添量は、トナー粒子に対して、０．０１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上２．０質量％以下がより好ましい。
－トナーの製造方法－
トナーは、トナー粒子を製造後、トナー粒子に対して、外添剤を外添することで得られる。トナー粒子は、乾式製法（例えば、混練粉砕法等）、湿式製法（例えば、凝集合一法、懸濁重合法、溶解懸濁法等）のいずれにより製造してもよい。これらの製法に特に制限はなく、公知の製法が採用される。これらの中でも、凝集合一法により、トナー粒子を得ることがよい。
トナーは、トナー粒子を製造後、トナー粒子に対して、外添剤を外添することで得られる。トナー粒子は、乾式製法（例えば、混練粉砕法等）、湿式製法（例えば、凝集合一法、懸濁重合法、溶解懸濁法等）のいずれにより製造してもよい。これらの製法に特に制限はなく、公知の製法が採用される。これらの中でも、凝集合一法により、トナー粒子を得ることがよい。
＜画像形成装置、画像形成方法＞
本実施形態に係る画像形成装置及び画像形成方法について説明する。
本実施形態に係る画像形成装置は、像保持体と、像保持体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、を備える。そして、静電荷像現像剤として、本実施形態に係る静電荷像現像剤が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置及び画像形成方法について説明する。
本実施形態に係る画像形成装置は、像保持体と、像保持体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、を備える。そして、静電荷像現像剤として、本実施形態に係る静電荷像現像剤が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置では、像保持体の表面を帯電する帯電工程と、帯電した像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、本実施形態に係る静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、を有する画像形成方法（本実施形態に係る画像形成方法）が実施される。
本実施形態に係る画像形成装置は、像保持体の表面に形成されたトナー画像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；像保持体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー画像の転写後、帯電前の像保持体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー画像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；等の公知の画像形成装置が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置が中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー画像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置が中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー画像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、現像手段を含む部分が、画像形成装置に着脱するカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る静電荷像現像剤を収容し、現像手段を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。以下の説明においては、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
図２は、本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。
図２に示す画像形成装置は、色分解された画像データに基づく、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各色の画像を出力する電子写真方式の第１乃至第４の画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋ（画像形成手段）を備えている。これらの画像形成ユニット（以下、単に「ユニット」と称する場合がある）１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、水平方向に互いに予め定められた距離離間して並設されている。これらユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジであってもよい。
図２に示す画像形成装置は、色分解された画像データに基づく、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各色の画像を出力する電子写真方式の第１乃至第４の画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋ（画像形成手段）を備えている。これらの画像形成ユニット（以下、単に「ユニット」と称する場合がある）１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、水平方向に互いに予め定められた距離離間して並設されている。これらユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジであってもよい。
各ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋの上方には、各ユニットを通して中間転写ベルト（中間転写体の一例）２０が延設されている。中間転写ベルト２０は、駆動ロール２２及び支持ロール２４に巻きつけて設けられ、第１のユニット１０Ｙから第４のユニット１０Ｋに向う方向に走行するようになっている。支持ロール２４は、図示しないバネ等により駆動ロール２２から離れる方向に力が加えられており、両者に巻きつけられた中間転写ベルト２０に張力が与えられている。中間転写ベルト２０の像保持体側面には、駆動ロール２２と対向して中間転写体クリーニング装置３０が備えられている。
各ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋの現像装置（現像手段の一例）４Ｙ、４Ｍ、４Ｃ、４Ｋのそれぞれには、トナーカートリッジ８Ｙ、８Ｍ、８Ｃ、８Ｋに収められたイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各トナーの供給がなされる。
各ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋの現像装置（現像手段の一例）４Ｙ、４Ｍ、４Ｃ、４Ｋのそれぞれには、トナーカートリッジ８Ｙ、８Ｍ、８Ｃ、８Ｋに収められたイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各トナーの供給がなされる。
第１乃至第４のユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、同等の構成及び動作を有しているため、ここでは中間転写ベルト走行方向の上流側に配設されたイエロー画像を形成する第１のユニット１０Ｙについて代表して説明する。
第１のユニット１０Ｙは、像保持体として作用する感光体１Ｙを有している。感光体１Ｙの周囲には、感光体１Ｙの表面を予め定められた電位に帯電させる帯電ロール（帯電手段の一例）２Ｙ、帯電された表面を色分解された画像信号に基づくレーザ光線３Ｙによって露光して静電荷像を形成する露光装置（静電荷像形成手段の一例）３、静電荷像に帯電したトナーを供給して静電荷像を現像する現像装置（現像手段の一例）４Ｙ、現像したトナー画像を中間転写ベルト２０上に転写する一次転写ロール５Ｙ（一次転写手段の一例）、及び一次転写後に感光体１Ｙの表面に残存するトナーを除去する感光体クリーニング装置（クリーニング手段の一例）６Ｙが順に配置されている。
一次転写ロール５Ｙは、中間転写ベルト２０の内側に配置され、感光体１Ｙに対向した位置に設けられている。各ユニットの一次転写ロール５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｋには、一次転写バイアスを印加するバイアス電源（図示せず）がそれぞれ接続されている。各バイアス電源は、図示しない制御部による制御によって、各一次転写ロールに印加する転写バイアスの値を変える。
一次転写ロール５Ｙは、中間転写ベルト２０の内側に配置され、感光体１Ｙに対向した位置に設けられている。各ユニットの一次転写ロール５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｋには、一次転写バイアスを印加するバイアス電源（図示せず）がそれぞれ接続されている。各バイアス電源は、図示しない制御部による制御によって、各一次転写ロールに印加する転写バイアスの値を変える。
以下、第１のユニット１０Ｙにおいてイエロー画像を形成する動作について説明する。
まず、動作に先立って、帯電ロール２Ｙによって感光体１Ｙの表面が－６００Ｖ乃至－８００Ｖの電位に帯電される。
感光体１Ｙは、導電性（例えば２０℃における体積抵抗率１×１０－６Ωｃｍ以下）の基体上に感光層を積層して形成されている。この感光層は、通常は高抵抗（一般の樹脂の抵抗）であるが、レーザ光線が照射されると、レーザ光線が照射された部分の比抵抗が変化する性質を持っている。そこで、帯電した感光体１Ｙの表面に、図示しない制御部から送られてくるイエロー用の画像データに従って、露光装置３からレーザ光線３Ｙを照射する。それにより、イエローの画像パターンの静電荷像が感光体１Ｙの表面に形成される。
まず、動作に先立って、帯電ロール２Ｙによって感光体１Ｙの表面が－６００Ｖ乃至－８００Ｖの電位に帯電される。
感光体１Ｙは、導電性（例えば２０℃における体積抵抗率１×１０－６Ωｃｍ以下）の基体上に感光層を積層して形成されている。この感光層は、通常は高抵抗（一般の樹脂の抵抗）であるが、レーザ光線が照射されると、レーザ光線が照射された部分の比抵抗が変化する性質を持っている。そこで、帯電した感光体１Ｙの表面に、図示しない制御部から送られてくるイエロー用の画像データに従って、露光装置３からレーザ光線３Ｙを照射する。それにより、イエローの画像パターンの静電荷像が感光体１Ｙの表面に形成される。
静電荷像とは、帯電によって感光体１Ｙの表面に形成される像であり、レーザ光線３Ｙによって、感光層の被照射部分の比抵抗が低下し、感光体１Ｙの表面の帯電した電荷が流れ、一方、レーザ光線３Ｙが照射されなかった部分の電荷が残留することによって形成される、いわゆるネガ潜像である。
感光体１Ｙ上に形成された静電荷像は、感光体１Ｙの走行に従って予め定められた現像位置まで回転する。そして、この現像位置で、感光体１Ｙ上の静電荷像が、現像装置４Ｙによってトナー画像として現像され可視化される。
感光体１Ｙ上に形成された静電荷像は、感光体１Ｙの走行に従って予め定められた現像位置まで回転する。そして、この現像位置で、感光体１Ｙ上の静電荷像が、現像装置４Ｙによってトナー画像として現像され可視化される。
現像装置４Ｙ内には、例えば、少なくともイエロートナーとキャリアとを含む静電荷像現像剤が収容されている。イエロートナーは、現像装置４Ｙの内部で攪拌されることで摩擦帯電し、感光体１Ｙ上に帯電した帯電荷と同極性（負極性）の電荷を有して現像剤ロール（現像剤保持体の一例）上に保持されている。そして、感光体１Ｙの表面が現像装置４Ｙを通過していくことにより、感光体１Ｙ表面上の除電された潜像部にイエロートナーが静電的に付着し、潜像がイエロートナーによって現像される。イエローのトナー画像が形成された感光体１Ｙは、引続き予め定められた速度で走行され、感光体１Ｙ上に現像されたトナー画像が予め定められた一次転写位置へ搬送される。
感光体１Ｙ上のイエロートナー画像が一次転写位置へ搬送されると、一次転写ロール５Ｙに一次転写バイアスが印加され、感光体１Ｙから一次転写ロール５Ｙに向う静電気力がトナー画像に作用し、感光体１Ｙ上のトナー画像が中間転写ベルト２０上に転写される。このとき印加される転写バイアスは、トナーの極性（－）と逆極性の（＋）極性であり、第１のユニット１０Ｙでは制御部（図示せず）によって例えば＋１０μＡに制御されている。
一方、感光体１Ｙ上に残留したトナーは感光体クリーニング装置６Ｙで除去されて回収される。
一方、感光体１Ｙ上に残留したトナーは感光体クリーニング装置６Ｙで除去されて回収される。
第２のユニット１０Ｍ以降の一次転写ロール５Ｍ、５Ｃ、５Ｋに印加される一次転写バイアスも、第１のユニットに準じて制御されている。
こうして、第１のユニット１０Ｙにてイエローのトナー画像が転写された中間転写ベルト２０は、第２乃至第４のユニット１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋを通して順次搬送され、各色のトナー画像が重ねられて多重転写される。
こうして、第１のユニット１０Ｙにてイエローのトナー画像が転写された中間転写ベルト２０は、第２乃至第４のユニット１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋを通して順次搬送され、各色のトナー画像が重ねられて多重転写される。
第１乃至第４のユニットを通して４色のトナー画像が多重転写された中間転写ベルト２０は、中間転写ベルト２０と、中間転写ベルトの内面に接する支持ロール２４と、中間転写ベルト２０の像保持面側に配置された二次転写ロール（二次転写手段の一例）２６とから構成された二次転写部へと至る。一方、記録紙（記録媒体の一例）Ｐが供給機構を介して二次転写ロール２６と中間転写ベルト２０とが接触した隙間に予め定められたタイミングで給紙され、二次転写バイアスが支持ロール２４に印加される。このとき印加される転写バイアスは、トナーの極性（－）と同極性の（－）極性であり、中間転写ベルト２０から記録紙Ｐに向う静電気力がトナー画像に作用し、中間転写ベルト２０上のトナー画像が記録紙Ｐ上に転写される。この際の二次転写バイアスは二次転写部の抵抗を検出する抵抗検出手段（図示せず）により検出された抵抗に応じて決定されるものであり、電圧制御されている。
この後、記録紙Ｐは定着装置（定着手段の一例）２８における一対の定着ロールの圧接部（ニップ部）へと送り込まれ、トナー画像が記録紙Ｐ上へ定着され、定着画像が形成される。
トナー画像を転写する記録紙Ｐとしては、例えば、電子写真方式の複写機、プリンター等に使用される普通紙が挙げられる。記録媒体としては、記録紙Ｐ以外にも、ＯＨＰシート等も挙げられる。
定着後における画像表面の平滑性をさらに向上させるには、記録紙Ｐの表面も平滑であることが好ましく、例えば、普通紙の表面を樹脂等でコーティングしたコート紙、印刷用のアート紙等が好適に使用される。
定着後における画像表面の平滑性をさらに向上させるには、記録紙Ｐの表面も平滑であることが好ましく、例えば、普通紙の表面を樹脂等でコーティングしたコート紙、印刷用のアート紙等が好適に使用される。
カラー画像の定着が完了した記録紙Ｐは、排出部へ向けて搬出され、一連のカラー画像形成動作が終了される。
＜プロセスカートリッジ＞
本実施形態に係るプロセスカートリッジについて説明する。
本実施形態に係るプロセスカートリッジは、本実施形態に係る静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジである。
本実施形態に係るプロセスカートリッジについて説明する。
本実施形態に係るプロセスカートリッジは、本実施形態に係る静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジである。
本実施形態に係るプロセスカートリッジは、上記構成に限られず、現像手段と、その他、必要に応じて、例えば、像保持体、帯電手段、静電荷像形成手段、及び転写手段等のその他手段から選択される少なくとも一つと、を備える構成であってもよい。
以下、本実施形態に係るプロセスカートリッジの一例を示すが、これに限定されるわけではない。以下の説明においては、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
図３は、本実施形態に係るプロセスカートリッジを示す概略構成図である。
図３に示すプロセスカートリッジ２００は、例えば、取り付けレール１１６及び露光のための開口部１１８が備えられた筐体１１７により、感光体１０７（像保持体の一例）と、感光体１０７の周囲に備えられた帯電ロール１０８（帯電手段の一例）、現像装置１１１（現像手段の一例）、及び感光体クリーニング装置１１３（クリーニング手段の一例）を一体的に組み合わせて保持して構成し、カートリッジ化されている。
図３中、１０９は露光装置（静電荷像形成手段の一例）、１１２は転写装置（転写手段の一例）、１１５は定着装置（定着手段の一例）、３００は記録紙（記録媒体の一例）を示している。
図３に示すプロセスカートリッジ２００は、例えば、取り付けレール１１６及び露光のための開口部１１８が備えられた筐体１１７により、感光体１０７（像保持体の一例）と、感光体１０７の周囲に備えられた帯電ロール１０８（帯電手段の一例）、現像装置１１１（現像手段の一例）、及び感光体クリーニング装置１１３（クリーニング手段の一例）を一体的に組み合わせて保持して構成し、カートリッジ化されている。
図３中、１０９は露光装置（静電荷像形成手段の一例）、１１２は転写装置（転写手段の一例）、１１５は定着装置（定着手段の一例）、３００は記録紙（記録媒体の一例）を示している。
以下、実施例により発明の実施形態を詳細に説明するが、発明の実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。
＜トナーの作製＞
［樹脂粒子分散液（１）の調製］
・エチレングリコール（和光純薬工業） ３７部
・ネオペンチルグリコール（和光純薬工業） ６５部
・１，９－ノナンジオール（和光純薬工業） ３２部
・テレフタル酸（和光純薬工業） ９６部
上記の材料をフラスコに仕込み、１時間かけて温度２００℃まで上げ、反応系内が均一に攪拌されていることを確認したのち、ジブチル錫オキサイドを１．２部投入した。生成する水を留去しながら６時間かけて２４０℃まで温度を上げ、２４０℃で４時間攪拌を継続し、ポリエステル樹脂（酸価９．４ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量１３，０００、ガラス転移温度６２℃）を得た。このポリエステル樹脂を溶融状態のまま、乳化分散機（キャビトロンＣＤ１０１０、ユーロテック社）に毎分１００ｇの速度で移送した。別途、試薬アンモニア水をイオン交換水で希釈した０．３７％濃度の希アンモニア水をタンクに入れ、熱交換器で１２０℃に加熱しながら毎分０．１リットルの速度でポリエステル樹脂と同時に乳化分散機に移送した。乳化分散機を回転子の回転速度６０Ｈｚ、圧力５ｋｇ／ｃｍ２の条件で運転し、体積平均粒径１６０ｎｍ、固形分３０％の樹脂粒子分散液（１）を得た。
［樹脂粒子分散液（１）の調製］
・エチレングリコール（和光純薬工業） ３７部
・ネオペンチルグリコール（和光純薬工業） ６５部
・１，９－ノナンジオール（和光純薬工業） ３２部
・テレフタル酸（和光純薬工業） ９６部
上記の材料をフラスコに仕込み、１時間かけて温度２００℃まで上げ、反応系内が均一に攪拌されていることを確認したのち、ジブチル錫オキサイドを１．２部投入した。生成する水を留去しながら６時間かけて２４０℃まで温度を上げ、２４０℃で４時間攪拌を継続し、ポリエステル樹脂（酸価９．４ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量１３，０００、ガラス転移温度６２℃）を得た。このポリエステル樹脂を溶融状態のまま、乳化分散機（キャビトロンＣＤ１０１０、ユーロテック社）に毎分１００ｇの速度で移送した。別途、試薬アンモニア水をイオン交換水で希釈した０．３７％濃度の希アンモニア水をタンクに入れ、熱交換器で１２０℃に加熱しながら毎分０．１リットルの速度でポリエステル樹脂と同時に乳化分散機に移送した。乳化分散機を回転子の回転速度６０Ｈｚ、圧力５ｋｇ／ｃｍ２の条件で運転し、体積平均粒径１６０ｎｍ、固形分３０％の樹脂粒子分散液（１）を得た。
［樹脂粒子分散液（２）の調製］
・デカン二酸（東京化成工業） ８１部
・ヘキサンジオール（和光純薬工業） ４７部
上記の材料をフラスコに仕込み、１時間かけて温度１６０℃まで上げ、反応系内が均一に攪拌されていることを確認したのち、ジブチル錫オキサイドを０．０３部投入した。生成する水を留去しながら６時間かけて２００℃まで温度を上げ、２００℃で４時間攪拌を継続した。次いで、反応液を冷却し、固液分離を行い、固形物を温度４０℃／減圧下で乾燥し、ポリエステル樹脂（Ｃ１）（融点６４℃、重量平均分子量１５，０００）を得た。
・デカン二酸（東京化成工業） ８１部
・ヘキサンジオール（和光純薬工業） ４７部
上記の材料をフラスコに仕込み、１時間かけて温度１６０℃まで上げ、反応系内が均一に攪拌されていることを確認したのち、ジブチル錫オキサイドを０．０３部投入した。生成する水を留去しながら６時間かけて２００℃まで温度を上げ、２００℃で４時間攪拌を継続した。次いで、反応液を冷却し、固液分離を行い、固形物を温度４０℃／減圧下で乾燥し、ポリエステル樹脂（Ｃ１）（融点６４℃、重量平均分子量１５，０００）を得た。
・ポリエステル樹脂（Ｃ１） ５０部
・アニオン性界面活性剤（ネオゲンＳＣ、第一工業製薬） ２部
・イオン交換水 ２００部
上記の材料を１２０℃に加熱して、ホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０、ＩＫＡ社）で十分に分散した後、圧力吐出型ホモジナイザーで分散処理した。体積平均粒径が１８０ｎｍになったところで回収し、固形分２０％の樹脂粒子分散液（２）を得た。
・アニオン性界面活性剤（ネオゲンＳＣ、第一工業製薬） ２部
・イオン交換水 ２００部
上記の材料を１２０℃に加熱して、ホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０、ＩＫＡ社）で十分に分散した後、圧力吐出型ホモジナイザーで分散処理した。体積平均粒径が１８０ｎｍになったところで回収し、固形分２０％の樹脂粒子分散液（２）を得た。
［着色剤粒子分散液（１）の調製］
・シアン顔料（ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１５：３、大日精化工業） １０部
・アニオン性界面活性剤（ネオゲンＳＣ、第一工業製薬） ２部
・イオン交換水 ８０部
上記の材料を混合し、高圧衝撃式分散機（アルティマイザーＨＪＰ３０００６、スギノマシン社）により１時間分散し、体積平均粒径１８０ｎｍ、固形分２０％の着色剤粒子分散液（１）を得た。
・シアン顔料（ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１５：３、大日精化工業） １０部
・アニオン性界面活性剤（ネオゲンＳＣ、第一工業製薬） ２部
・イオン交換水 ８０部
上記の材料を混合し、高圧衝撃式分散機（アルティマイザーＨＪＰ３０００６、スギノマシン社）により１時間分散し、体積平均粒径１８０ｎｍ、固形分２０％の着色剤粒子分散液（１）を得た。
［離型剤粒子分散液（１）の調製］
・パラフィンワックス（ＨＮＰ－９、日本精蝋） ５０部
・アニオン性界面活性剤（ネオゲンＳＣ、第一工業製薬） ２部
・イオン交換水 ２００部
上記の材料を１２０℃に加熱して、ホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０、ＩＫＡ社）で十分に分散した後、圧力吐出型ホモジナイザーで分散処理した。体積平均粒径が２００ｎｍになったところで回収し、固形分２０％の離型剤粒子分散液（１）を得た。
・パラフィンワックス（ＨＮＰ－９、日本精蝋） ５０部
・アニオン性界面活性剤（ネオゲンＳＣ、第一工業製薬） ２部
・イオン交換水 ２００部
上記の材料を１２０℃に加熱して、ホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０、ＩＫＡ社）で十分に分散した後、圧力吐出型ホモジナイザーで分散処理した。体積平均粒径が２００ｎｍになったところで回収し、固形分２０％の離型剤粒子分散液（１）を得た。
［トナー（１）の作製］
・樹脂粒子分散液（１） １５０部
・樹脂粒子分散液（２） ５０部
・着色剤粒子分散液（１） ２５部
・離型剤粒子分散液（１） ３５部
・ポリ塩化アルミニウム ０．４部
・イオン交換水 １００部
上記の材料を丸型ステンレス製フラスコに投入し、ホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０、ＩＫＡ社）を用いて十分に混合分散した後、フラスコ内を攪拌しながら加熱用オイルバスで４８℃まで加熱した。反応系内を４８℃で６０分間保持した後、樹脂粒子分散液（１）を緩やかに７０部追加した。次いで、０．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を用いてｐＨを８．０に調整し、フラスコを密閉し攪拌軸のシールを磁力シールし、攪拌を継続しながら９０℃まで加熱して３０分間保持した。次いで、降温速度５℃／分で冷却し、固液分離し、イオン交換水で十分に洗浄した。次いで、固液分離し、３０℃のイオン交換水に再分散し、回転速度３００ｒｐｍで１５分間攪拌し洗浄した。この洗浄操作をさらに６回繰り返し、濾液のｐＨが７．５４、電気伝導度が６．５μＳ／ｃｍとなったところで固液分離し、真空乾燥を２４時間継続して、体積平均粒径５．７μｍのトナー粒子を得た。
・樹脂粒子分散液（１） １５０部
・樹脂粒子分散液（２） ５０部
・着色剤粒子分散液（１） ２５部
・離型剤粒子分散液（１） ３５部
・ポリ塩化アルミニウム ０．４部
・イオン交換水 １００部
上記の材料を丸型ステンレス製フラスコに投入し、ホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０、ＩＫＡ社）を用いて十分に混合分散した後、フラスコ内を攪拌しながら加熱用オイルバスで４８℃まで加熱した。反応系内を４８℃で６０分間保持した後、樹脂粒子分散液（１）を緩やかに７０部追加した。次いで、０．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を用いてｐＨを８．０に調整し、フラスコを密閉し攪拌軸のシールを磁力シールし、攪拌を継続しながら９０℃まで加熱して３０分間保持した。次いで、降温速度５℃／分で冷却し、固液分離し、イオン交換水で十分に洗浄した。次いで、固液分離し、３０℃のイオン交換水に再分散し、回転速度３００ｒｐｍで１５分間攪拌し洗浄した。この洗浄操作をさらに６回繰り返し、濾液のｐＨが７．５４、電気伝導度が６．５μＳ／ｃｍとなったところで固液分離し、真空乾燥を２４時間継続して、体積平均粒径５．７μｍのトナー粒子を得た。
上記のトナー粒子１００部と、シリカ粒子（ヘキサメチルジシラザンで表面疎水化処理済み、平均一次粒径４０ｎｍ）２．５部とをヘンシェルミキサーで混合し、トナー（１）を得た。
＜磁性粒子の作製＞
［フェライト粒子（１）］
Ｆｅ２Ｏ３を１５９７部、Ｍｎ(ＯＨ)２を７１２部、Ｍｇ(ＯＨ)２を１１６部、ＳｒＣＯ３を２０部、及びＣａＣＯ３を３０部混合し、分散剤、水及び直径１ｍｍのジルコニアビーズを加え、サンドミルを用いて解砕混合した。ジルコニアビーズを濾別し、濾液を乾燥後、ロータリーキルンを用いて回転速度２０ｒｐｍ／温度９７０℃／２時間の条件で仮焼成を行った。得られた仮焼成物に分散剤及び水を加え、さらにポリビニルアルコールを８部加え、湿式ボールミルを用いて５時間粉砕混合を行った。得られた粉砕物の体積平均粒径は１．２μｍであった。次いで、スプレードライヤーを用いて、粒径が４０μｍになるように造粒した。得られた造粒物を、電気炉を用いて酸素濃度１体積％の酸素窒素混合雰囲気下で温度１４００℃／４時間の条件で本焼成した。得られた焼成物を解砕及び分級してフェライト粒子（１）を得た。フェライト粒子（１）の体積平均粒径は３５μｍであった。
［フェライト粒子（１）］
Ｆｅ２Ｏ３を１５９７部、Ｍｎ(ＯＨ)２を７１２部、Ｍｇ(ＯＨ)２を１１６部、ＳｒＣＯ３を２０部、及びＣａＣＯ３を３０部混合し、分散剤、水及び直径１ｍｍのジルコニアビーズを加え、サンドミルを用いて解砕混合した。ジルコニアビーズを濾別し、濾液を乾燥後、ロータリーキルンを用いて回転速度２０ｒｐｍ／温度９７０℃／２時間の条件で仮焼成を行った。得られた仮焼成物に分散剤及び水を加え、さらにポリビニルアルコールを８部加え、湿式ボールミルを用いて５時間粉砕混合を行った。得られた粉砕物の体積平均粒径は１．２μｍであった。次いで、スプレードライヤーを用いて、粒径が４０μｍになるように造粒した。得られた造粒物を、電気炉を用いて酸素濃度１体積％の酸素窒素混合雰囲気下で温度１４００℃／４時間の条件で本焼成した。得られた焼成物を解砕及び分級してフェライト粒子（１）を得た。フェライト粒子（１）の体積平均粒径は３５μｍであった。
［フェライト粒子（２）～（１７）］
ＳｒＣＯ３量及びＣａＣＯ３量を表１に記載のとおりに変更した以外はフェライト粒子（１）の作製と同様にしてフェライト粒子（２）～（１７）を作製した。
ＳｒＣＯ３量及びＣａＣＯ３量を表１に記載のとおりに変更した以外はフェライト粒子（１）の作製と同様にしてフェライト粒子（２）～（１７）を作製した。
フェライト粒子（１）～（１７）それぞれを試料として、前述の方法により、カルシウム元素及びストロンチウム元素の含有量を分析した。
＜樹脂被覆磁性粒子の作製＞
・シクロヘキシルアクリレート樹脂（重量平均分子量５万） ３０部
・ポリイソシアネート（コロネートＬ、東ソー） ６部
・カーボンブラック（ＶＸＣ７２、キャボット） ４部
・トルエン ２５０部
・メタノール ５０部
上記の材料とガラスビーズ（直径１ｍｍ、トルエンと同量）とをサンドミル（関西ペイント社）に投入し、回転速度１２００ｒｐｍで３０分間攪拌し、固形分１１％のコート液（１）を調製した。
・シクロヘキシルアクリレート樹脂（重量平均分子量５万） ３０部
・ポリイソシアネート（コロネートＬ、東ソー） ６部
・カーボンブラック（ＶＸＣ７２、キャボット） ４部
・トルエン ２５０部
・メタノール ５０部
上記の材料とガラスビーズ（直径１ｍｍ、トルエンと同量）とをサンドミル（関西ペイント社）に投入し、回転速度１２００ｒｐｍで３０分間攪拌し、固形分１１％のコート液（１）を調製した。
真空脱気型ニーダーにフェライト粒子（１）～（１７）のいずれかを２００部入れ、さらにコート液（１）を３６部入れ、攪拌しながら昇温及び減圧させ、９０℃／－７２０ｍＨｇの雰囲気下で３０分間攪拌して乾燥させた。次いで、７５μメッシュの篩分網で篩分を行い、樹脂被覆フェライト粒子（１）～（１７）を得た。
樹脂被覆フェライト粒子（１）～（１７）それぞれを試料として、前述の方法により、フェライト粒子の露出割合を分析した。
樹脂被覆フェライト粒子（１）～（１７）の組成等を表１に示す。表１中、「Ｄ５０ｖ」は、体積平均粒径の意味である。
＜チタン酸ストロンチウム粒子の作製＞
［チタン酸ストロンチウム粒子（１）］
脱硫及び解膠したチタン源であるメタチタン酸をＴｉＯ２として０．７モル採取し、反応容器に入れた。次いで、反応容器に、塩化ストロンチウム水溶液を、ＳｒＯ／ＴｉＯ２モル比が１．１になるように０．７７モル添加した。次いで、反応容器に、酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが２．５モルになる量添加した。３つの材料の混合液における初期ＴｉＯ２濃度が０．７５モル／Ｌになるようにした。次いで、混合液を攪拌し、混合液を９０℃に加温し、液温を９０℃に維持し攪拌しながら、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを４時間かけて添加し、さらに、液温を９０℃に維持しながら１時間攪拌を続けた。次いで、反応液を４０℃まで冷却し、ｐＨ５．５になるまで塩酸を添加し１時間攪拌を行った。次いで、デカンテーションと水への再分散とを繰り返すことによって沈殿物を洗浄した。洗浄した沈殿物を含むスラリーに塩酸を加えｐＨ６．５に調整し、固形分を濾別し乾燥させた。乾燥した固形分にｉ－ブチルトリメトキシシラン（ｉ－ＢＴＭＳ）のエタノール溶液を、固形分１００部に対してｉ－ＢＴＭＳが２０部になる量添加して１時間攪拌を行った。固形分を濾別し、固形分を１３０℃の大気中で７時間乾燥し、チタン酸ストロンチウム粒子（１）を得た。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１）］
脱硫及び解膠したチタン源であるメタチタン酸をＴｉＯ２として０．７モル採取し、反応容器に入れた。次いで、反応容器に、塩化ストロンチウム水溶液を、ＳｒＯ／ＴｉＯ２モル比が１．１になるように０．７７モル添加した。次いで、反応容器に、酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが２．５モルになる量添加した。３つの材料の混合液における初期ＴｉＯ２濃度が０．７５モル／Ｌになるようにした。次いで、混合液を攪拌し、混合液を９０℃に加温し、液温を９０℃に維持し攪拌しながら、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを４時間かけて添加し、さらに、液温を９０℃に維持しながら１時間攪拌を続けた。次いで、反応液を４０℃まで冷却し、ｐＨ５．５になるまで塩酸を添加し１時間攪拌を行った。次いで、デカンテーションと水への再分散とを繰り返すことによって沈殿物を洗浄した。洗浄した沈殿物を含むスラリーに塩酸を加えｐＨ６．５に調整し、固形分を濾別し乾燥させた。乾燥した固形分にｉ－ブチルトリメトキシシラン（ｉ－ＢＴＭＳ）のエタノール溶液を、固形分１００部に対してｉ－ＢＴＭＳが２０部になる量添加して１時間攪拌を行った。固形分を濾別し、固形分を１３０℃の大気中で７時間乾燥し、チタン酸ストロンチウム粒子（１）を得た。
［チタン酸ストロンチウム粒子（２）］
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、１時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（２）を作製した。
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、１時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（２）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（３）］
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、２．８時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（３）を作製した。
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、２．８時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（３）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（４）］
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、１１時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（４）を作製した。
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、１１時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（４）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（５）］
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、１４．５時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（５）を作製した。
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、１４．５時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（５）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（６）］
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、１７時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（６）を作製した。
１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の滴下にかける時間を、１７時間に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（６）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（７）］
市販のチタン酸ストロンチウム粒子（チタン工業社製ＳＷ－３６０）を用意し、これに、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製におけるｉ－ＢＴＭＳ処理と同様の表面処理を施し、チタン酸ストロンチウム粒子（７）を作製した。チタン工業社製ＳＷ－３６０は、金属元素がドープされておらず、表面が未処理のチタン酸ストロンチウム粒子である。
市販のチタン酸ストロンチウム粒子（チタン工業社製ＳＷ－３６０）を用意し、これに、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製におけるｉ－ＢＴＭＳ処理と同様の表面処理を施し、チタン酸ストロンチウム粒子（７）を作製した。チタン工業社製ＳＷ－３６０は、金属元素がドープされておらず、表面が未処理のチタン酸ストロンチウム粒子である。
［チタン酸ストロンチウム粒子の形状の測定］
別途用意した樹脂粒子とチタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）のいずれかとを、ヘンシェルミキサーを用いて攪拌周速３０ｍ／秒で１５分間混合した。次いで、目開き４５μｍの振動篩いを用いて篩分し、チタン酸ストロンチウム粒子を樹脂粒子に付着させた。
チタン酸ストロンチウム粒子を付着させた樹脂粒子について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日立ハイテクノロジーズ製、Ｓ－４７００）を用いて、倍率４万倍で画像を撮影した。無作為に選んだ３００個のチタン酸ストロンチウム粒子の画像情報をインターフェイスを介して、画像処理解析ソフトＷｉｎＲｏｏｆ（三谷商事株式会社）で解析し、一次粒子像それぞれの円相当径と面積と周囲長とを求め、さらに、円形度＝４π×（面積）÷（周囲長）２を求めた。そして、円相当径の分布において小径側から累積５０％となる円相当径を平均一次粒径とし、円形度の分布において小さい側から累積５０％となる円形度を平均円形度とし、円形度の分布において小さい側から累積８４％となる円形度を累積８４％円形度とした。
別途用意した樹脂粒子とチタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）のいずれかとを、ヘンシェルミキサーを用いて攪拌周速３０ｍ／秒で１５分間混合した。次いで、目開き４５μｍの振動篩いを用いて篩分し、チタン酸ストロンチウム粒子を樹脂粒子に付着させた。
チタン酸ストロンチウム粒子を付着させた樹脂粒子について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日立ハイテクノロジーズ製、Ｓ－４７００）を用いて、倍率４万倍で画像を撮影した。無作為に選んだ３００個のチタン酸ストロンチウム粒子の画像情報をインターフェイスを介して、画像処理解析ソフトＷｉｎＲｏｏｆ（三谷商事株式会社）で解析し、一次粒子像それぞれの円相当径と面積と周囲長とを求め、さらに、円形度＝４π×（面積）÷（周囲長）２を求めた。そして、円相当径の分布において小径側から累積５０％となる円相当径を平均一次粒径とし、円形度の分布において小さい側から累積５０％となる円形度を平均円形度とし、円形度の分布において小さい側から累積８４％となる円形度を累積８４％円形度とした。
［チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折］
チタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）それぞれを試料として、Ｘ線回折装置（リガク社製、商品名ＲＩＮＴ Ｕｌｔｉｍａ－III）を用いて、前述の条件設定にて、結晶構造解析を行った。チタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）は、回折角度２θ＝３２°付近に、ペロブスカイト結晶の（１１０）面のピークに相当するピークを有していた。
チタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）それぞれを試料として、Ｘ線回折装置（リガク社製、商品名ＲＩＮＴ Ｕｌｔｉｍａ－III）を用いて、前述の条件設定にて、結晶構造解析を行った。チタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）は、回折角度２θ＝３２°付近に、ペロブスカイト結晶の（１１０）面のピークに相当するピークを有していた。
［チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ］
チタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）それぞれを試料として、既述の測定方法で体積固有抵抗率Ｒを測定した。
チタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）それぞれを試料として、既述の測定方法で体積固有抵抗率Ｒを測定した。
［チタン酸ストロンチウム粒子の含水率］
チタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）それぞれを試料として、既述の測定方法で含水率を測定した。
チタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）それぞれを試料として、既述の測定方法で含水率を測定した。
チタン酸ストロンチウム粒子（１）～（７）の特性を表２に示す。
＜キャリア及び現像剤の作製＞
［実施例１］
樹脂被覆フェライト粒子（１）を１００部と、チタン酸ストロンチウム（１）を０．０５部とをＶブレンダーに仕込み、２０分間の攪拌混合を行ってキャリア（１）を得た。
［実施例１］
樹脂被覆フェライト粒子（１）を１００部と、チタン酸ストロンチウム（１）を０．０５部とをＶブレンダーに仕込み、２０分間の攪拌混合を行ってキャリア（１）を得た。
キャリア（１）を１００部と、トナー（１）を６部とをＶブレンダーに仕込み、２０分間攪拌した。その後、目開き２１２μｍの篩で篩分して、シアン色の現像剤を得た。
［実施例２～８０、比較例１～１２］
実施例１と同様にして、但し、表３～表４に記載のとおりに樹脂被覆フェライト粒子の種類とチタン酸ストロンチウム粒子の種類又は外添量（樹脂被覆フェライト粒子の質量に対する質量％）とを変更して、各キャリア及び現像剤を作製した。
実施例１と同様にして、但し、表３～表４に記載のとおりに樹脂被覆フェライト粒子の種類とチタン酸ストロンチウム粒子の種類又は外添量（樹脂被覆フェライト粒子の質量に対する質量％）とを変更して、各キャリア及び現像剤を作製した。
＜性能評価＞
画像形成装置（DocuCentre Color 400の改造機）に現像剤を仕込み、温度３０℃／相対湿度８８％の環境下で１２時間放置した。放置後、Ａ４サイズの紙１０００枚に連続で画像形成を行った。画像は、紙の縦方向の上部に２０ｃｍ×２５ｃｍの濃度１００％画像を形成し、その下部にＡからＺまでのローマ字をＭＳゴシック／１４ポイント／半角にて形成した。１０００枚目の文字の状態を目視で確認し、下記のとおり分類した。
画像形成装置（DocuCentre Color 400の改造機）に現像剤を仕込み、温度３０℃／相対湿度８８％の環境下で１２時間放置した。放置後、Ａ４サイズの紙１０００枚に連続で画像形成を行った。画像は、紙の縦方向の上部に２０ｃｍ×２５ｃｍの濃度１００％画像を形成し、その下部にＡからＺまでのローマ字をＭＳゴシック／１４ポイント／半角にて形成した。１０００枚目の文字の状態を目視で確認し、下記のとおり分類した。
－かぶり－
Ａ（◎）：文字の周りにトナーかぶりが認められない。
Ｂ（○）：文字の周りにトナーかぶりが僅かに認められるが（拡大鏡５倍で確認できる程度）、問題にならない程度である。
Ｃ（△）：文字の周りにトナーかぶりが目視で僅かに認められるが軽微であり、実用に差支えない。
Ｄ（△－）：文字の周りにトナーかぶりが目視で認められるが軽微であり、実用に差支えない。
Ｅ（×）：文字の周りにトナーかぶりが認められ、実用に不適である。
Ａ（◎）：文字の周りにトナーかぶりが認められない。
Ｂ（○）：文字の周りにトナーかぶりが僅かに認められるが（拡大鏡５倍で確認できる程度）、問題にならない程度である。
Ｃ（△）：文字の周りにトナーかぶりが目視で僅かに認められるが軽微であり、実用に差支えない。
Ｄ（△－）：文字の周りにトナーかぶりが目視で認められるが軽微であり、実用に差支えない。
Ｅ（×）：文字の周りにトナーかぶりが認められ、実用に不適である。
－細線の再現性－
Ａ（◎）：線の太り、つぶれ及びぼやけが認められない。
Ｂ（○）：線の太り、つぶれ又はぼやけが僅かに認められるが、問題にならない程度である。
Ｃ（△）：線の太り、つぶれ又はぼやけが認められるが軽微であり、実用に差支えない。Ｄ（×）：線の太り、つぶれ又はぼやけが認められ、実用に不適である。
Ａ（◎）：線の太り、つぶれ及びぼやけが認められない。
Ｂ（○）：線の太り、つぶれ又はぼやけが僅かに認められるが、問題にならない程度である。
Ｃ（△）：線の太り、つぶれ又はぼやけが認められるが軽微であり、実用に差支えない。Ｄ（×）：線の太り、つぶれ又はぼやけが認められ、実用に不適である。
実施例１～８０及び比較例１～１２の組成と性能評価の結果を表３～表４に示す。
１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｋ 感光体（像保持体の一例）
２Ｙ、２Ｍ、２Ｃ、２Ｋ 帯電ロール（帯電手段の一例）
３ 露光装置（静電荷像形成手段の一例）
３Ｙ、３Ｍ、３Ｃ、３Ｋ レーザ光線
４Ｙ、４Ｍ、４Ｃ、４Ｋ 現像装置（現像手段の一例）
５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｋ 一次転写ロール（一次転写手段の一例）
６Ｙ、６Ｍ、６Ｃ、６Ｋ 感光体クリーニング装置（クリーニング手段の一例）
８Ｙ、８Ｍ、８Ｃ、８Ｋ トナーカートリッジ
１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋ 画像形成ユニット
２０ 中間転写ベルト（中間転写体の一例）
２２ 駆動ロール
２４ 支持ロール
２６ 二次転写ロール（二次転写手段の一例）
２８ 定着装置（定着手段の一例）
３０ 中間転写体クリーニング装置
Ｐ 記録紙（記録媒体の一例）
２Ｙ、２Ｍ、２Ｃ、２Ｋ 帯電ロール（帯電手段の一例）
３ 露光装置（静電荷像形成手段の一例）
３Ｙ、３Ｍ、３Ｃ、３Ｋ レーザ光線
４Ｙ、４Ｍ、４Ｃ、４Ｋ 現像装置（現像手段の一例）
５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｋ 一次転写ロール（一次転写手段の一例）
６Ｙ、６Ｍ、６Ｃ、６Ｋ 感光体クリーニング装置（クリーニング手段の一例）
８Ｙ、８Ｍ、８Ｃ、８Ｋ トナーカートリッジ
１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋ 画像形成ユニット
２０ 中間転写ベルト（中間転写体の一例）
２２ 駆動ロール
２４ 支持ロール
２６ 二次転写ロール（二次転写手段の一例）
２８ 定着装置（定着手段の一例）
３０ 中間転写体クリーニング装置
Ｐ 記録紙（記録媒体の一例）
１０７ 感光体（像保持体の一例）
１０８ 帯電ロール（帯電手段の一例）
１０９ 露光装置（静電荷像形成手段の一例）
１１１ 現像装置（現像手段の一例）
１１２ 転写装置（転写手段の一例）
１１３ 感光体クリーニング装置（クリーニング手段の一例）
１１５ 定着装置（定着手段の一例）
１１６ 取り付けレール
１１７ 筐体
１１８ 露光のための開口部
２００ プロセスカートリッジ
３００ 記録紙（記録媒体の一例）
１０８ 帯電ロール（帯電手段の一例）
１０９ 露光装置（静電荷像形成手段の一例）
１１１ 現像装置（現像手段の一例）
１１２ 転写装置（転写手段の一例）
１１３ 感光体クリーニング装置（クリーニング手段の一例）
１１５ 定着装置（定着手段の一例）
１１６ 取り付けレール
１１７ 筐体
１１８ 露光のための開口部
２００ プロセスカートリッジ
３００ 記録紙（記録媒体の一例）
Claims (15)
- 磁性粒子と前記磁性粒子を被覆する樹脂層とを有する樹脂被覆磁性粒子と、
前記樹脂被覆磁性粒子に外添された、ドーパントを含有しＸ線回折法により得られる（１１０）面のピークの半値幅が０．２°以上２．０°以下であるチタン酸ストロンチウム粒子と、
を含む静電荷像現像用キャリア。 - 前記ドーパントがランタンを含む、請求項１に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項１又は請求項２に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、請求項３に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の含有量が、前記樹脂被覆磁性粒子の質量に対して０．０１質量％以上０．５質量％以下である、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の含有量が、前記樹脂被覆磁性粒子の質量に対して０．０２質量％以上０．０８質量％以下である、請求項５に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 前記樹脂被覆磁性粒子の表面における前記磁性粒子の露出割合が２％以上２０％以下である、請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 前記磁性粒子がフェライト粒子である、請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 前記フェライト粒子が、カルシウム酸化物及びストロンチウム酸化物から選ばれる少なくとも１種を含み、カルシウム元素及びストロンチウム元素の合計含有量が前記フェライト粒子全体に対して０．１質量％以上２．０質量％以下である、請求項８に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 前記フェライト粒子が、カルシウム酸化物を含み、カルシウム元素の含有量が前記フェライト粒子全体に対して０．２質量％以上２．０質量％以下である、請求項８に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 前記フェライト粒子が、ストロンチウム酸化物を含み、ストロンチウム元素の含有量が前記フェライト粒子全体に対して０．１質量％以上１．０質量％以下である、請求項８に記載の静電荷像現像用キャリア。
- 静電荷像現像用トナーと、請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載の静電荷像現像用キャリアと、を含む静電荷像現像剤。
- 請求項１２に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。 - 像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、
請求項１２に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、
を備える画像形成装置。 - 像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、
請求項１２に記載の静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、
を有する画像形成方法。
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