JP7271680B2 - 光センサモジュールおよび光センサモジュールの製造方法 - Google Patents
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Description
また、レンズの外縁の一部が、レンズ保持部材の内面側または外面側で露出しており、レンズ保持部材は基板に対して予め定められた向きに固定されているとともに、レンズの側面に対向するレンズ保持部材の内壁が、レンズの側面側に張り出す突起を3個以上有しているものである。
図1は、実施の形態1による光センサモジュールの概略構成示す断面図、図2は図1のレンズ保持部材80をガラスエポキシ基板20との接着面側から見た平面図、すなわち下面図である。図1は、図2のA-A位置での断面図となっている。光センサモジュールは、基本構成として、光検出素子としての赤外線検出素子10と、基板としてのガラスエポキシ基板20と、成形後にレンズ90が挿入されてレンズ90の周囲を樹脂でかしめて固定することで、赤外線を透過して集光するためのレンズ90が固定されたレンズ保持部材80とを有している。ガラスエポキシ基板20の一表面に赤外線検出素子10がAgペースト60によって固着されて、レンズ保持部材80に覆われた内部に固定され、収納されている。レンズ90が固定されたレンズ保持部材80の底面84は接着剤70によってガラスエポキシ基板20に接着されている。
図4は実施の形態2による光センサモジュールの概略構成を示す断面図である。本実施の形態2による光センサモジュールも基本的に実施の形態1における光センサモジュールと同じ構成を有するが、以下の点で相違する。ここでは、主に相違点について説明を行い、同じ構成部分についてはその説明を省略する。なお、図4は光センサモジュールにおける基本的な構成部分のみを図示する模式図であり、その他の構成部分については説明を省略する。
図8は、実施の形態3による光センサモジュールのレンズ保持部材80を底面84側から見た下面図である。本実施の形態3による光センサモジュールも基本的に実施の形態1による光センサモジュールと同じ構造を有するが、以下の点で相違する。ここでは、主に相違点について説明を行い、同じ構成部分についてはその説明を省略する。なお、図8は実施の形態3による光センサモジュールにおけるレンズ保持部材80の構成のみを図示する模式図であり、光センサモジュールのその他の構成部分については説明を省略する。
図12は実施の形態4による光センサモジュールのレンズ保持部材80を底面84側から見た下面図である。本実施の形態4による光センサモジュールも基本的に実施の形態1による光センサモジュールと同じ構造を有するが、以下の点で相違する。ここでは主に相違点について説明を行い、同じ構成部分についてはその説明を省略する。なお、図12は実施の形態4による光センサモジュールにおけるレンズ保持部材80の構成のみを図示する模式図であり、光センサモジュールのその他の構成部分については説明を省略する。
本実施の形態5では、実施の形態1で説明した光センサモジュールの製造方法について、図14~図16を参照して説明する。
Claims (12)
- 基板と、
この基板に固定された、光を検出する光検出素子と、
前記基板の電極パターン上に設けられた配線部材と、
レンズが固定され、前記光検出素子を取り囲む位置で前記基板に固定され、底面の外周が矩形形状を有するレンズ保持部材と、を備えた光センサモジュールにおいて、
前記レンズは、前記レンズの外周部が前記レンズ保持部材の材料自身により覆われることにより固定されており、
前記レンズの外縁が、前記レンズ保持部材の内面側または外面側で、前記レンズの外縁の全周の4分の1以上、2分の1以下露出しており、前記レンズ保持部材は前記基板に対して予め定められた向きに固定されていることを特徴とする光センサモジュール。 - 基板と、
この基板に固定された、光を検出する光検出素子と、
前記基板の電極パターン上に設けられた配線部材と、
レンズが固定され、前記光検出素子を取り囲む位置で前記基板に固定され、底面の外周が矩形形状を有するレンズ保持部材と、を備えた光センサモジュールにおいて、
前記レンズは、前記レンズの外周部が前記レンズ保持部材の材料自身により覆われることにより固定され、
前記レンズの外縁の一部が、前記レンズ保持部材の内面側または外面側で露出しており、前記レンズ保持部材は前記基板に対して予め定められた向きに固定されているとともに、
前記レンズの側面に対向する前記レンズ保持部材の内壁が、前記レンズの側面側に張り出す突起を3個以上有することを特徴とする光センサモジュール。 - 前記レンズの外縁が露出している部分は、前記レンズの外縁の全周の4分の1以上、2分の1以下であることを特徴とする請求項2に記載の光センサモジュール。
- 前記レンズの外縁が露出している部分は、3か所以上に分散していることを特徴とする請求項2に記載の光センサモジュール。
- 前記レンズの外縁が露出している部分は、等間隔に分散していることを特徴とする請求項4に記載の光センサモジュール。
- 前記予め定められた向きは、前記基板に固定された前記光検出素子の光入射側に形成されたアライメントマークを基準とした向きであることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の光センサモジュール。
- 前記レンズ保持部材の底面と前記基板間に前記配線部材が存在しないことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の光センサモジュール。
- 前記レンズ保持部材において、前記レンズの外縁が露出する部分と、前記レンズの外縁が露出せずに前記レンズの外周部が覆われる部分の境界が、階段状に形成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の光センサモジュール。
- 前記光検出素子の光入射側が、光透過部材を含む部材で真空封止されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の光センサモジュール。
- 基板と、
この基板に固定された、光を検出する光検出素子と、
外縁が円形であるレンズが固定され、前記光検出素子を取り囲む位置で前記基板に固定されたレンズ保持部材と、を備え
前記レンズは、前記レンズの外周部が前記レンズ保持部材の材料自身により覆われることにより固定されており、
前記レンズの外縁の一部が、前記レンズ保持部材の内面側または外面側で露出している光センサモジュールの製造方法であって、
前記レンズが固定された前記レンズ保持部材の前記レンズが固定された部分を、前記レンズの外縁が露出する側から撮像し、撮像した画像の、前記レンズの外縁の少なくとも3点を含む円から、前記レンズの光学中心位置を求める工程と、
前記光検出素子の受光部の直上に、求めた前記レンズの光学中心位置が配置されるように前記レンズ保持部材の位置を設定して、前記レンズ保持部材と前記基板とを固定する工程と、
を有することを特徴とする光センサモジュールの製造方法。 - 前記光検出素子の光入射側に設けられたアライメントマークを用いて、前記光検出素子の受光部の位置を決定することを特徴とする請求項10に記載の光センサモジュールの製造方法。
- 前記レンズ保持部材のレンズが固定された部分を撮像した画像と、予め記憶された基準となる画像とを比較して、前記レンズ保持部材の向きを修正する工程を含むことを特徴とする請求項10または11に記載の光センサモジュールの製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004037478A (ja) | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Tokai Rubber Ind Ltd | レンズ内蔵スリーブの製法 |
JP2006088088A (ja) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | ガス吸着素子とこれを用いた赤外線センサ |
JP2006317498A (ja) | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Sony Corp | 光学素子の固定方法、固定装置及びこの固定装置を用いた光学装置 |
JP2008292676A (ja) | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光サブアセンブリ |
JP2011100526A (ja) | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Citizen Holdings Co Ltd | 集積光モジュール及び集積光モジュールの組立調整方法 |
US20150034975A1 (en) | 2013-07-30 | 2015-02-05 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules |
JP2018074256A (ja) | 2016-10-25 | 2018-05-10 | 京セラ株式会社 | 電子素子実装用基板および電子装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1952109A1 (en) * | 2005-11-25 | 2008-08-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Infrared detection unit using a semiconductor optical lens |
JP4340698B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2009-10-07 | シャープ株式会社 | 光学ユニットおよびそれを備えた固体撮像装置並びに電子機器 |
EP2411856B1 (en) * | 2009-03-25 | 2018-08-01 | Magna Electronics Inc. | Vehicular camera and lens assembly |
US8558337B2 (en) * | 2010-09-22 | 2013-10-15 | Cubic Corporation | Wide field of view optical receiver |
JP6142501B2 (ja) * | 2012-10-30 | 2017-06-07 | オムロン株式会社 | 光学式センサ |
CN105445888B (zh) * | 2015-12-21 | 2020-04-03 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 可调光学镜头和摄像模组及其校准方法 |
US11940602B2 (en) * | 2018-06-08 | 2024-03-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device |
JP7004620B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2022-02-10 | 京セラ株式会社 | 結合方法、レンズ、保持機構、カメラ装置および移動体 |
CN110824653B (zh) * | 2018-08-14 | 2021-08-06 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 光学镜头、摄像模组及其组装方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004037478A (ja) | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Tokai Rubber Ind Ltd | レンズ内蔵スリーブの製法 |
JP2006088088A (ja) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | ガス吸着素子とこれを用いた赤外線センサ |
JP2006317498A (ja) | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Sony Corp | 光学素子の固定方法、固定装置及びこの固定装置を用いた光学装置 |
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