JP7269203B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.

半導体基板などの基板を製造する過程には、基板を加熱する処理が行われる。一般的には、チャンバ内に基板を収容した状態で、基板の加熱が行われる。例えば、特許文献1に開示された基板熱処理装置は、ホットプレートと、ホットプレートを囲繞する筐体と、筐体の内部に加熱エアを吐出する吐出ノズルを備えている。基板熱処理装置は、ホットプレートを昇温すること、および、吐出ノズルから加熱エアを吐出すことによって、基板を加熱している。 In the process of manufacturing a substrate such as a semiconductor substrate, a process of heating the substrate is performed. Generally, the substrate is heated while the substrate is accommodated in the chamber. For example, a substrate heat treatment apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a hot plate, a housing surrounding the hot plate, and a discharge nozzle for discharging heated air into the housing. A substrate heat treatment apparatus heats a substrate by raising the temperature of a hot plate and discharging heated air from a discharge nozzle.

特開2008-251862号公報JP 2008-251862 A

ところで、基板を収容するチャンバは、一般的には、アルミやステンレス鋼(SUS)などで構成される。したがって、従来のチャンバは、放熱しやすいため、チャンバ内の温度分布が不均一となり。基板に加熱ムラが生じる可能性があった。このため、チャンバの放熱を軽減する技術が求められている。 By the way, a chamber for housing a substrate is generally made of aluminum, stainless steel (SUS), or the like. Therefore, the conventional chamber tends to dissipate heat, resulting in non-uniform temperature distribution in the chamber. There is a possibility that uneven heating may occur on the substrate. Therefore, there is a demand for a technique for reducing heat radiation from the chamber.

本発明の目的は、チャンバの放熱を軽減する技術を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a technique for reducing heat dissipation in a chamber.

上記課題を解決するため、第1態様は、基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内において基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された前記基板を加熱する加熱部と、を備え、前記チャンバの表面の少なくとも一部が、繊維強化樹脂で構成され、前記チャンバは、断熱材を含むコア層と、前記コア層を覆う層であって、繊維強化樹脂を含む繊維強化樹脂層と、を有する
第2態様は、基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内において基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された前記基板を加熱する加熱部と、を備え、前記チャンバの表面の少なくとも一部が、繊維強化樹脂で構成され、前記チャンバは、第1の繊維強化樹脂で構成される第1の表面と、前記第1の繊維強化樹脂とは異なる第2の繊維強化樹脂で構成される第2の表面とを有する。
第3態様は、基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内において基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された前記基板を加熱する加熱部と、を備え、前記チャンバの表面の少なくとも一部が、積層された複数の繊維強化樹脂の層によって構成されている。
第4態様は、第3態様の基板処理装置であって、前記チャンバの表面の少なくとも一部が、積層された異なる種類の繊維強化樹脂で構成されている。
In order to solve the above problems, a first aspect is a substrate processing apparatus comprising a chamber, a substrate supporting section that supports a substrate in the chamber, and a heating section that heats the substrate supported by the substrate supporting section. and, at least part of the surface of the chamber is made of fiber reinforced resin , and the chamber includes a core layer containing a heat insulating material and a layer covering the core layer, the fiber containing fiber reinforced resin and a reinforced resin layer .
A second aspect is a substrate processing apparatus comprising: a chamber; a substrate supporting section that supports a substrate in the chamber; a heating section that heats the substrate supported by the substrate supporting section; At least a portion of the surface of the chamber is made of a fiber reinforced resin, and the chamber has a first surface made of a first fiber reinforced resin and a second fiber reinforced resin different from the first fiber reinforced resin. and a second surface made of resin.
A third aspect is a substrate processing apparatus comprising: a chamber; a substrate support for supporting a substrate in the chamber; a heating unit for heating the substrate supported by the substrate support; At least a part of the surface of is composed of a plurality of laminated layers of fiber reinforced resin.
A fourth aspect is the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein at least part of the surface of the chamber is composed of different types of laminated fiber reinforced resins.

態様は、第態様から第4態様のいずれか1つの基板処理装置であって、前記チャンバは、断熱材を含むコア層と、前記コア層を覆う層であって、繊維強化樹脂を含む繊維強化樹脂層とを有する。
A fifth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the second aspect to the fourth aspect , wherein the chamber includes a core layer containing a heat insulating material and a layer covering the core layer, the fiber reinforced resin and a fiber reinforced resin layer containing

態様は、第1態様または態様の基板処理装置であって、前記チャンバは、前記基板支持部に支持された前記基板の主面に対向する天井部と、前記基板支持部に支持された前記基板の側面を取り囲む側壁部とを有する。
A sixth aspect is the substrate processing apparatus according to the first aspect or the fifth aspect, wherein the chamber includes a ceiling facing a main surface of the substrate supported by the substrate support, and supported by the substrate support. and a sidewall portion surrounding the side of the substrate that has been shaped.

態様は、第態様の基板処理装置であって、前記天井部の表面が、繊維強化樹脂で構成されている。
A seventh aspect is the substrate processing apparatus according to the sixth aspect, wherein the surface of the ceiling portion is made of fiber-reinforced resin.

態様は、第態様または第態様の基板処理装置であって、前記側壁部の表面が、繊維強化樹脂で構成されている。
An eighth aspect is the substrate processing apparatus according to the sixth aspect or the seventh aspect, wherein the surface of the side wall portion is made of fiber reinforced resin.

態様は、第態様から第態様のいずれか1つの基板処理装置であって、前記加熱部は、前記天井部内または前記側壁部内に位置し、高温気体が通過可能な流路を構成する気体流路部と、前記気体流路部に接続され、前記流路を通過する高温気体を前記チャンバ内に噴射する噴射部とを有する。
A ninth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the sixth aspect to the eighth aspect, wherein the heating section is positioned within the ceiling section or the side wall section and forms a flow path through which high-temperature gas can pass. and an injection unit connected to the gas flow path and injecting high-temperature gas passing through the flow path into the chamber.

10態様は、第態様の基板処理装置であって、前記気体流路部は、前記コア層内に位置し、かつ、繊維強化樹脂層に覆われている。
A tenth aspect is the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, wherein the gas flow path portion is positioned within the core layer and covered with a fiber-reinforced resin layer.

11態様は、第1態様から第10態様のいずれか1つの基板処理装置であって、前記加熱部は、前記チャンバ内に位置するとともに、前記基板を加熱するホットプレートを有する。
An eleventh aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to tenth aspects, wherein the heating section is positioned within the chamber and has a hot plate that heats the substrate.

第1態様から第11態様の基板処理装置によると、表面の少なくとも一部に繊維強化樹脂を用いることにより、チャンバの強度低下を抑えつつ、チャンバの軽量化を図ることができる。したがって、アルミやステンレス鋼等の放熱性が高い材料を繊維強化樹脂に置き換えることにより、チャンバの放熱を軽減できる。
According to the substrate processing apparatuses of the first to eleventh aspects, by using a fiber-reinforced resin for at least part of the surface, it is possible to reduce the weight of the chamber while suppressing a decrease in the strength of the chamber. Therefore, heat radiation from the chamber can be reduced by replacing materials with high heat radiation such as aluminum and stainless steel with fiber reinforced resin.

態様の基板処理装置によると、チャンバが断熱材を有するため、チャンバの放熱が軽減される。また、断熱材が繊維強化樹脂で覆われているため、断熱材の粉塵等が飛散することを抑制できる。
According to the substrate processing apparatus of the first aspect, since the chamber has a heat insulating material, heat radiation from the chamber is reduced. In addition, since the heat insulating material is covered with the fiber-reinforced resin, it is possible to suppress scattering of dust and the like from the heat insulating material.

態様の基板処理装置によると、基板の主面を天井部で覆いつつ、基板の側面を側壁部で取り囲むことができる。
According to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, it is possible to surround the side surfaces of the substrate with the side walls while covering the main surface of the substrate with the ceiling.

態様の基板処理装置によると、天井部について、アルミまたはステンレス鋼の代わりに繊維強化樹脂を使用することによって、天井部からの放熱を軽減できる。これにより、基板の主面の加熱ムラを軽減できる。
According to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, heat radiation from the ceiling can be reduced by using fiber-reinforced resin instead of aluminum or stainless steel for the ceiling. Thereby, uneven heating of the main surface of the substrate can be reduced.

態様の基板処理装置によると、側壁部について、アルミニウムまたはステンレス鋼の代わりに繊維強化樹脂を使用することによって、側壁部からの放熱を軽減できる。これにより、基板の加熱ムラを軽減できる。
According to the substrate processing apparatus of the eighth aspect, by using fiber-reinforced resin instead of aluminum or stainless steel for the side wall, heat radiation from the side wall can be reduced. Thereby, uneven heating of the substrate can be reduced.

態様の基板処理装置によると、噴射部からチャンバ内に高温の気体を噴射させることによって、基板を加熱できる。気体流路部が天井部内または側壁部内に配置されるため、チャンバを小型化できる。
According to the substrate processing apparatus of the ninth aspect, the substrate can be heated by injecting the hot gas into the chamber from the injection part. The chamber can be miniaturized because the gas passage portion is arranged in the ceiling portion or the side wall portion.

10態様の基板処理装置によると、気体流路部が断熱材を含むコア層内に位置するため、気体流路部内における高温気体の温度低下が抑制される。
According to the substrate processing apparatus of the tenth aspect, since the gas channel portion is positioned inside the core layer containing the heat insulating material, the temperature drop of the high-temperature gas in the gas channel portion is suppressed.

態様の基板処理装置によると、チャンバの第1の表面と第2の表面とに、異なる特性を持たせることができる。
According to the substrate processing apparatus of the second aspect, the first surface and the second surface of the chamber can have different characteristics.

態様の基板処理装置によると、チャンバの表面に異なる種類の特性を持たせることができる。
According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, the surface of the chamber can have different types of properties.

11態様の基板処理装置によると、ホットプレートの熱がチャンバ外に拡散することを抑制できる。
According to the substrate processing apparatus of the eleventh aspect, it is possible to suppress the heat of the hot plate from diffusing out of the chamber.

実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment; FIG. 実施形態に係る基板処理装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment; FIG. 高温気体供給部を示す図である。FIG. 4 shows a hot gas supply; チャンバの一部を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing part of the chamber; 気体流路部が組み込まれた天井部を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a ceiling part in which a gas channel part is incorporated;

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張又は簡略化して図示されている場合がある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the constituent elements described in this embodiment are merely examples, and are not intended to limit the scope of the present invention only to them. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions and numbers of each part may be exaggerated or simplified as necessary.

<1. 実施形態>
図1は、実施形態に係る基板処理装置1を示す斜視図である。図2は、実施形態に係る基板処理装置1の断面図である。以下の説明では、鉛直方向上向きを単に「上」と称し、鉛直方向下向きを単に「下」と称する。チャンバ2の内側を単に「内側」と称し、チャンバ2の外側を単に「外側」と称する。ただし、以下に説明する向きは、各要素の位置関係を説明するものであり、各要素の位置関係を限定するものではない。
<1. embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment. In the following description, the vertically upward direction is simply referred to as "up", and the vertically downward direction is simply referred to as "down". The inside of chamber 2 is simply called "inside" and the outside of chamber 2 is simply called "outside". However, the directions described below are for explaining the positional relationship of each element, and do not limit the positional relationship of each element.

基板処理装置1は、基板9を加熱処理する加熱処理装置である。処理対象となる基板9は、例えば、電子機器向けの各種被処理基板であり、具体的には、半導体ウエハ、液晶ディスプレイまたはプラズマディスプレイ用のガラス基板、磁気ディスクまたは光ディスク用のガラスまたはセラミック基板、有機EL用ガラス基板、太陽電池用のガラスまたはシリコン基板、フレキシブル基板、プリント基板などである。 The substrate processing apparatus 1 is a heat processing apparatus that heats a substrate 9 . The substrate 9 to be processed is, for example, various substrates to be processed for electronic devices. Specifically, semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal displays or plasma displays, glass or ceramic substrates for magnetic disks or optical disks, Examples include glass substrates for organic EL, glass or silicon substrates for solar cells, flexible substrates, and printed substrates.

基板処理装置1は、チャンバ2と、複数の支持ピン3と、ホットプレート4と、高温気体供給部5とを有する。以下、基板処理装置1の各構成要素について説明する。 A substrate processing apparatus 1 has a chamber 2 , a plurality of support pins 3 , a hot plate 4 and a hot gas supply section 5 . Each component of the substrate processing apparatus 1 will be described below.

<チャンバ>
チャンバ2は、基板9を収容する筐体である。チャンバ2は、収容した基板9を処理するための処理空間を形成する。チャンバ2は、例えば直方体状である。チャンバ2は、天井部21と、側壁部22と、底部23とを有する。天井部21は、収容空間の上側を仕切る隔壁である。底部23は、収容空間の下側を仕切る隔壁である。側壁部22は、天井部21と底部23との間の位置で収容空間を仕切る隔壁である。後述する各支持ピン3の上端に基板9が支持された場合、天井部21の内面は、基板9の主面(最も大きな面)である上面に対向する。また、側壁部22の内面は、基板9の側面に対向する。側壁部22は、基板9の側面を取り囲む。
<Chamber>
The chamber 2 is a housing that accommodates the substrate 9 . The chamber 2 forms a processing space for processing the accommodated substrate 9 . The chamber 2 has, for example, a rectangular parallelepiped shape. The chamber 2 has a ceiling portion 21 , side wall portions 22 and a bottom portion 23 . The ceiling part 21 is a partition wall that partitions the upper side of the accommodation space. The bottom portion 23 is a partition wall that partitions the lower side of the accommodation space. The side wall portion 22 is a partition wall that partitions the accommodation space between the ceiling portion 21 and the bottom portion 23 . When the substrate 9 is supported by the upper ends of the support pins 3 to be described later, the inner surface of the ceiling portion 21 faces the upper surface, which is the main surface (largest surface) of the substrate 9 . Moreover, the inner surface of the side wall portion 22 faces the side surface of the substrate 9 . Side wall portion 22 surrounds the side surface of substrate 9 .

天井部21は、上方から視て、例えば矩形状を有する。側壁部22は、上方から視て、例えば矩形の環状を有する。天井部21の下端は、側壁部22の上端と連結されている。なお、天井部21は、側壁部22の上側に載置されていてもよい。この場合、天井部21または側壁部22が、パッキンを介して接触していてもよい。パッキンによって、天井部21が、側壁部22との間の隙間をなくすことができる。 The ceiling part 21 has, for example, a rectangular shape when viewed from above. The side wall portion 22 has, for example, a rectangular annular shape when viewed from above. A lower end of the ceiling portion 21 is connected to an upper end of the side wall portion 22 . Note that the ceiling portion 21 may be placed above the side wall portion 22 . In this case, the ceiling part 21 or the side wall part 22 may be in contact via packing. The packing can eliminate the gap between the ceiling portion 21 and the side wall portion 22 .

側壁部22は、開口部221と扉部223とを有する。開口部221は、チャンバ2の内側と外側とを連通させる搬入口を構成する。基板9は、開口部221を通じて、チャンバ2内に対し出し入れされる。扉部223は、搬入口を閉じる閉位置と、搬入口を開ける開位置との間で移動可能である。図2に示すように、搬送機構のアーム100は、処理対象の基板9を、チャンバ2に搬入する。また、アーム100は、加熱処理が行われた基板9を、チャンバ2から搬出する。 The side wall portion 22 has an opening portion 221 and a door portion 223 . The opening 221 constitutes a loading port that communicates the inside and the outside of the chamber 2 . The substrate 9 is taken in and out of the chamber 2 through the opening 221 . The door portion 223 is movable between a closed position that closes the inlet and an open position that opens the inlet. As shown in FIG. 2, the arm 100 of the transport mechanism loads the substrate 9 to be processed into the chamber 2 . Also, the arm 100 unloads the substrate 9 that has undergone the heat treatment from the chamber 2 .

<支持ピン>
基板処理装置1は、複数の支持ピン3と、ピン駆動部31とを有する。支持ピン3は、鉛直方向に延びる棒状を有する。支持ピン3は、底部23およびホットプレート4を、鉛直方向に貫通している。ピン駆動部31は、各支持ピン3を一体的に鉛直方向に沿って移動させる。複数の支持ピン3は、チャンバ2内において、基板9を水平に支持する。複数の支持ピン3は、チャンバ2内において基板9を支持する基板支持部の例である。
<Support pin>
The substrate processing apparatus 1 has a plurality of support pins 3 and a pin drive section 31 . The support pin 3 has a bar shape extending in the vertical direction. The support pin 3 penetrates the bottom portion 23 and the hot plate 4 in the vertical direction. The pin drive unit 31 moves the support pins 3 integrally along the vertical direction. A plurality of support pins 3 horizontally support the substrate 9 within the chamber 2 . The plurality of support pins 3 are examples of substrate supports that support the substrate 9 within the chamber 2 .

<ホットプレート>
ホットプレート4は、チャンバ2内の底部23側に設置されている。チャンバ2は、ホットプレート4を囲繞している。ホットプレート4は、内部にヒータ(熱源)を有する。ホットプレート4は、加熱部の例である。
<Hot plate>
The hot plate 4 is installed on the bottom 23 side inside the chamber 2 . Chamber 2 surrounds hot plate 4 . The hot plate 4 has a heater (heat source) inside. Hot plate 4 is an example of a heating unit.

チャンバ2の底部23およびホットプレート4は、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を有する。各支持ピン3は、底部23およびホットプレート4の貫通孔内に挿通される。 The bottom 23 of the chamber 2 and the hot plate 4 have a plurality of through-holes passing through them in the thickness direction. Each support pin 3 is inserted through a through-hole of the bottom portion 23 and the hot plate 4 .

<高温気体供給部>
図3は、高温気体供給部5を示す図である。高温気体供給部5は、チャンバ2内に高温気体を供給する装置である。高温気体供給部5は、複数の気体流路部51と、複数の噴射部53と、ヒータ55と、給気部57とを有する。
<High temperature gas supply part>
FIG. 3 is a diagram showing the hot gas supply unit 5. As shown in FIG. The high-temperature gas supply unit 5 is a device that supplies high-temperature gas into the chamber 2 . The high-temperature gas supply unit 5 has a plurality of gas passage units 51 , a plurality of injection units 53 , a heater 55 and an air supply unit 57 .

気体流路部51は、高温気体が通過可能な流路を構成する。気体流路部51は、天井部21に組み込まれている。気体流路部51は、天井部21内に位置する。噴射部53は、気体流路部51に接続されている。噴射部53は、気体流路部51の流路を流れる高温気体をチャンバ2内に噴射する噴射口を形成する。噴射口は、チャンバ2内に対して給気する通気口に相当する。噴射部53は、天井部21の内面において開口を形成する筒状の部材である。噴射部53は、天井部21に位置する。 The gas channel portion 51 constitutes a channel through which high-temperature gas can pass. The gas channel portion 51 is incorporated in the ceiling portion 21 . The gas flow path portion 51 is positioned inside the ceiling portion 21 . The injection section 53 is connected to the gas flow path section 51 . The injection part 53 forms an injection port for injecting the high-temperature gas flowing through the flow path of the gas flow path part 51 into the chamber 2 . The injection port corresponds to a vent for supplying air into the chamber 2 . The injection part 53 is a tubular member that forms an opening on the inner surface of the ceiling part 21 . The injection part 53 is positioned on the ceiling part 21 .

高温気体供給部5は、気体流路部51と噴射部53の組を複数(本例では、5組)備える。ただし、高温気体供給部5は、気体流路部51と噴射部53の組を1組だけ備えていてもよい。 The high-temperature gas supply section 5 includes a plurality of sets (five sets in this example) of the gas flow path section 51 and the injection section 53 . However, the high-temperature gas supply unit 5 may include only one set of the gas flow path unit 51 and the injection unit 53 .

各気体流路部51の上流側の端部は、天井部21外に露出し、ヒータ55に連結されている。ヒータ55は、例えば、インラインヒータである。噴射部53は、気体流路部51を介して、ヒータ55に接続されている。給気部57は、ヒータ55に気体を供給する。給気部57は、例えばファンを有する。ヒータ55は、給気部57から供給された気体を加熱する。ヒータ55によって加熱された気体は、各気体流路部51を通り、各噴射部53からチャンバ2に噴射される。これにより、チャンバ2内の温度が上昇するため、チャンバ2内に収容された基板9が加熱される。高温気体供給部5は、加熱部の例である。 An upstream end portion of each gas flow path portion 51 is exposed to the outside of the ceiling portion 21 and connected to a heater 55 . The heater 55 is, for example, an in-line heater. The injection section 53 is connected to the heater 55 via the gas flow path section 51 . The air supply unit 57 supplies gas to the heater 55 . The air supply unit 57 has, for example, a fan. The heater 55 heats the gas supplied from the air supply section 57 . The gas heated by the heater 55 passes through each gas flow path portion 51 and is jetted from each injection portion 53 into the chamber 2 . As a result, the temperature inside the chamber 2 rises, so that the substrate 9 housed inside the chamber 2 is heated. The hot gas supply section 5 is an example of a heating section.

各噴射部53は、天井部21の内面において、均一に分散して配置されていてもよい。これにより、高温気体がチャンバ2内において偏ることが抑制されるため、基板9の加熱ムラが抑制される。 Each injection part 53 may be evenly distributed on the inner surface of the ceiling part 21 . As a result, uneven heating of the substrate 9 is suppressed because the high-temperature gas is prevented from becoming biased in the chamber 2 .

図2に示すように、チャンバ2は、チャンバ2外に連通する排気口225を有していてもよい。排気口225を介して、チャンバ2内の気体が外部に排出されてもよい。また、排気口225は、給気部57に連通させてもよい。この場合、排気口225を介してチャンバ2内から排出される気体を、再びチャンバ2に戻すことができる。 As shown in FIG. 2 , the chamber 2 may have an exhaust port 225 that communicates with the outside of the chamber 2 . Gas in the chamber 2 may be discharged to the outside through the exhaust port 225 . Also, the exhaust port 225 may communicate with the air supply portion 57 . In this case, the gas discharged from the chamber 2 through the exhaust port 225 can be returned to the chamber 2 again.

基板処理装置1において基板9を加熱処理する場合、まず、扉部223が開位置に移動することにより開口部221が開放される。開口部221が開放された状態で、搬送機構のアーム100が水平姿勢で支持した基板9を、チャンバ2内に挿入するとともにホットプレート4の上方に配置する。ピン駆動部31は、各支持ピン3を上昇させることによって、基板9をアーム100から持ち上げる。そして、アーム100は、チャンバ2外に退避する。アーム100が退避すると、ピン駆動部31が、各支持ピン3を下降させることによって、基板9をホットプレート4に接近した加熱位置に配置する。基板9が加熱位置に配置された状態で、ホットプレート4を昇温させる。すると、ホットプレート4の放射熱によって、基板9が加熱される。また、高温気体供給部5がチャンバ2内に高温気体を供給する。この高温気体によって、基板9が加熱される。 When the substrate 9 is heat-treated in the substrate processing apparatus 1, first, the opening 221 is opened by moving the door 223 to the open position. With the opening 221 open, the substrate 9 , which is horizontally supported by the arm 100 of the transport mechanism, is inserted into the chamber 2 and placed above the hot plate 4 . The pin drive section 31 lifts the substrate 9 from the arm 100 by raising each support pin 3 . Arm 100 then retreats outside chamber 2 . When the arm 100 is retracted, the pin drive section 31 lowers the support pins 3 to place the substrate 9 at a heating position close to the hot plate 4 . The hot plate 4 is heated while the substrate 9 is placed at the heating position. Then, the substrate 9 is heated by the radiant heat of the hot plate 4 . Also, the high-temperature gas supply unit 5 supplies high-temperature gas into the chamber 2 . The substrate 9 is heated by this high temperature gas.

図4は、チャンバ2の一部を示す断面図である。チャンバ2は、コア層25と、第1繊維強化樹脂層26と、第2繊維強化樹脂層27とを有する。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing part of the chamber 2. As shown in FIG. The chamber 2 has a core layer 25 , a first fiber reinforced resin layer 26 and a second fiber reinforced resin layer 27 .

コア層25は、例えば、断熱材を含む。断熱材は、例えば、繊維系断熱材、発泡系断熱材、エアロゲル、ヒュームドシリカ、真空断熱材である。繊維系断熱材は、例えば、グラスウール、ロックウール、セルローズファイバー、炭化コルク、羊毛断熱材、ウッドファイバーなどである。発泡系断熱材は、例えば、ウレタンフォーム、フェノールフォーム、ポリスチレンフォーム、ビーズ法ポリスチレン(EPS)、発泡ゴム(FEF)、押し出し法ポリスチレン(XPS)である。エアロゲルは、例えば、シリアエアロゲル、カーボンエアロゲル、アルミナエアロゲルである。 Core layer 25 includes, for example, a heat insulating material. The heat insulating material is, for example, a fiber heat insulating material, a foamed heat insulating material, an aerogel, a fumed silica, or a vacuum heat insulating material. Fiber-based heat insulating materials are, for example, glass wool, rock wool, cellulose fibers, carbonized cork, wool heat insulating materials, wood fibers, and the like. Foamed heat insulating materials are, for example, urethane foam, phenol foam, polystyrene foam, bead polystyrene (EPS), foamed rubber (FEF), and extruded polystyrene (XPS). Aerogels are, for example, sia aerogels, carbon aerogels, alumina aerogels.

第1繊維強化樹脂層26、および、第2繊維強化樹脂層27は、繊維強化樹脂(FRP:Fiber Reinforced Plastics)で構成される。繊維強化樹脂は、樹脂に繊維を複合して強度を向上させた強化樹脂である。繊維強化樹脂は、シート状である繊維クロスに樹脂を含浸させることによって作製され得る。樹脂は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂である。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ、ビニルエステル、フェノール、不飽和ポリエステル、ポリイミド、ビスマレイミドである。熱可塑性樹脂は、例えば、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンである。繊維は、例えば、ガラス繊維、炭素繊維、バサルト繊維、ボロン繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維である。 The first fiber reinforced resin layer 26 and the second fiber reinforced resin layer 27 are made of fiber reinforced resin (FRP: Fiber Reinforced Plastics). A fiber-reinforced resin is a reinforced resin in which fibers are combined with a resin to improve strength. A fiber-reinforced resin can be produced by impregnating a sheet-like fiber cloth with a resin. The resin is a thermosetting resin or a thermoplastic resin. Thermosetting resins are, for example, epoxies, vinyl esters, phenols, unsaturated polyesters, polyimides, bismaleimides. Thermoplastic resins are, for example, polyolefins, polyamides, polycarbonates, polyphenylene sulfides, polyetheretherketones. Fibers are, for example, glass fibres, carbon fibres, basalt fibres, boron fibres, aramid fibres, polyethylene fibres, polyparaphenylenebenzobisoxazole fibres.

チャンバ2の表面に繊維強化樹脂を用いることによって、チャンバ2の強度低下を抑えつつ、チャンバ2の軽量化を図ることができる。アルミやステンレス鋼等の放熱性が比較的高い材料を、繊維強化樹脂に置き換えることによって、チャンバ2の放熱を軽減できる。 By using a fiber-reinforced resin for the surface of the chamber 2, it is possible to reduce the weight of the chamber 2 while suppressing a decrease in the strength of the chamber 2. By replacing materials with relatively high heat dissipation such as aluminum and stainless steel with fiber reinforced resin, the heat dissipation of the chamber 2 can be reduced.

第1繊維強化樹脂層26は、コア層25の内側に位置する。第2繊維強化樹脂層27は、コア層25の外側に位置する。すなわち、チャンバ2の天井部21、側壁部22および底部23は、チャンバ2の内側から外側に向かって順に、第1繊維強化樹脂層26、コア層25、第2繊維強化樹脂層27を有する。このように、チャンバ2は、表面が繊維強化樹脂(第1繊維強化樹脂層26および第2繊維強化樹脂層27)で覆われた断熱材(コア層25)で構成されている。 The first fiber reinforced resin layer 26 is positioned inside the core layer 25 . The second fiber reinforced resin layer 27 is positioned outside the core layer 25 . That is, the ceiling portion 21 , the side wall portion 22 and the bottom portion 23 of the chamber 2 have a first fiber reinforced resin layer 26 , a core layer 25 and a second fiber reinforced resin layer 27 in order from inside to outside of the chamber 2 . Thus, the chamber 2 is made of a heat insulating material (core layer 25) whose surface is covered with fiber reinforced resin (first fiber reinforced resin layer 26 and second fiber reinforced resin layer 27).

<第1繊維強化樹脂層>
第1繊維強化樹脂層26は、第1内部層261と、第1表面層263とを有する。第1内部層261は、コア層25よりも内側に位置する。第1内部層261は、コア層25の内面を覆う。第1表面層263は、第1内部層261よりも内側に位置する。第1表面層263は、第1内部層261の内面を覆う。第1表面層263は、チャンバ2の内面である。すなわち、第1表面層263は、チャンバ2が形成する処理空間に露出するコア層25(断熱材)の表面を構成する。第1内部層261および第1表面層263は、互いに異なる種類の繊維強化樹脂で構成されている。つまり、チャンバ2の内側の表面は、厚さ方向に積層された複数種類の繊維強化樹脂で構成されている。
<First fiber reinforced resin layer>
The first fiber reinforced resin layer 26 has a first inner layer 261 and a first surface layer 263 . The first inner layer 261 is located inside the core layer 25 . A first inner layer 261 covers the inner surface of the core layer 25 . The first surface layer 263 is located inside the first inner layer 261 . A first surface layer 263 covers the inner surface of the first inner layer 261 . The first surface layer 263 is the inner surface of the chamber 2 . That is, the first surface layer 263 constitutes the surface of the core layer 25 (heat insulating material) exposed to the processing space formed by the chamber 2 . The first inner layer 261 and the first surface layer 263 are made of fiber-reinforced resins of different types. That is, the inner surface of the chamber 2 is composed of multiple types of fiber reinforced resins laminated in the thickness direction.

<第2繊維強化樹脂層>
第2繊維強化樹脂層27は、第2内部層271と、第2表面層273とを有する。第2内部層271は、コア層25よりも外側に位置する。第2内部層271は、コア層25の外面を覆う。第2表面層273は、第2内部層271よりも外側に位置する。第2表面層273は、第2内部層271の外面を覆う。第2表面層273は、チャンバ2の外面である。第2内部層271および第2表面層273は、互いに異なる種類の繊維強化樹脂で構成されている。つまり、チャンバ2の外側の表面は、厚さ方向に積層された複数種類の繊維強化樹脂で構成されている。
<Second fiber reinforced resin layer>
The second fiber reinforced resin layer 27 has a second inner layer 271 and a second surface layer 273 . The second inner layer 271 is located outside the core layer 25 . A second inner layer 271 covers the outer surface of the core layer 25 . The second surface layer 273 is located outside the second inner layer 271 . A second surface layer 273 covers the outer surface of the second inner layer 271 . The second surface layer 273 is the outer surface of the chamber 2 . The second inner layer 271 and the second surface layer 273 are made of different types of fiber reinforced resin. That is, the outer surface of the chamber 2 is composed of multiple types of fiber reinforced resins laminated in the thickness direction.

加熱処理時には、第1繊維強化樹脂層26は、第2繊維強化樹脂層27と比べて、高温に曝される。このため、第1繊維強化樹脂層26は、第2繊維強化樹脂層27の繊維強化樹脂と比べて、熱膨張率が低い繊維強化樹脂で構成されていてもよい。高温に曝される第1繊維強化樹脂層26を熱膨張率が低い繊維強化樹脂で構成することによって、加熱処理によるチャンバ2の変形が抑えられる。 During heat treatment, the first fiber reinforced resin layer 26 is exposed to a higher temperature than the second fiber reinforced resin layer 27 . Therefore, the first fiber reinforced resin layer 26 may be made of a fiber reinforced resin having a lower coefficient of thermal expansion than the fiber reinforced resin of the second fiber reinforced resin layer 27 . By forming the first fiber reinforced resin layer 26 exposed to high temperatures with a fiber reinforced resin having a low coefficient of thermal expansion, deformation of the chamber 2 due to heat treatment is suppressed.

第1内部層261および第1表面層263それぞれで用いられる樹脂は、異なってもよい。第1表面層263が、第1内部層261が有する樹脂と比べて、耐薬品性のグレードが高い樹脂(耐薬品性樹脂)を含んでいてもよい。耐薬品性樹脂は、例えば、フェノール、不飽和ポリエステル、ポリフェニレンスルフィドである。第1内部層261が、第1表面層263が有する樹脂と比べて、耐燃性のグレードが高い樹脂(難燃性樹脂)を含んでいてもよい。難燃性樹脂は、例えば、フェノールである。また、第1内部層261が、第1表面層263の樹脂と比べて、耐熱性のグレードが高い樹脂(耐熱性樹脂)を含んでいてもよい。耐熱性樹脂は、例えば、ポリイミド、ビスマレイミド、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンである。チャンバ2の表面を、耐性が異なる樹脂を含む複数種類の繊維強化樹脂で構成することによって、チャンバ2の表面に異なる種類の耐性(特性)を持たせることができる。 The resins used in each of the first inner layer 261 and the first surface layer 263 may be different. The first surface layer 263 may contain a resin having a higher chemical resistance grade than the resin contained in the first inner layer 261 (chemical resistant resin). Chemical resistant resins are, for example, phenols, unsaturated polyesters, polyphenylene sulfides. The first inner layer 261 may contain a resin (flame-retardant resin) having a higher flame resistance grade than the resin of the first surface layer 263 . A flame-retardant resin is, for example, phenol. Also, the first inner layer 261 may contain a resin (heat resistant resin) having a higher heat resistance grade than the resin of the first surface layer 263 . Heat-resistant resins are, for example, polyimide, bismaleimide, polyamide, polyphenylene sulfide, and polyetheretherketone. By configuring the surface of the chamber 2 with a plurality of types of fiber reinforced resins including resins with different resistances, the surface of the chamber 2 can be given different types of resistance (characteristics).

第1表面層263は、第1内部層261の繊維強化樹脂と比べて、化粧性のグレードが高くしてもよい。第2表面層273は、第2内部層271の繊維強化樹脂と比べて化粧性のグレードが高い繊維強化樹脂で構成されていてもよい。第1表面層263および第2表面層273の化粧性のグレードを高くすることによって、チャンバ2から粉塵が発生することを抑制できる。 The first surface layer 263 may have a higher cosmetic grade than the fiber reinforced resin of the first inner layer 261 . The second surface layer 273 may be composed of a fiber reinforced resin having a higher cosmetic grade than the fiber reinforced resin of the second inner layer 271 . By increasing the cosmetic grade of the first surface layer 263 and the second surface layer 273, dust generation from the chamber 2 can be suppressed.

第1表面層263は、例えば、耐薬品性樹脂をバサルト繊維で強化した繊維強化樹脂である。第1内部層261は、例えば、難燃性樹脂をガラス繊維で強化した繊維強化樹脂である。第2表面層273は、例えば、耐薬品性樹脂をガラス繊維で強化した繊維強化樹脂である。第2内部層271は、例えば、難燃性樹脂をカーボン繊維で強化した繊維強化樹脂である。 The first surface layer 263 is, for example, fiber-reinforced resin in which chemical-resistant resin is reinforced with basalt fiber. The first inner layer 261 is, for example, fiber-reinforced resin in which flame-retardant resin is reinforced with glass fiber. The second surface layer 273 is, for example, fiber-reinforced resin in which chemical-resistant resin is reinforced with glass fiber. The second inner layer 271 is, for example, fiber-reinforced resin in which flame-retardant resin is reinforced with carbon fiber.

第1表面層263を、第1内部層261よりも薄くしてもよい。また、第2表面層273を、第2内部層271よりも薄くしてもよい。第1表面層263または第2表面層273を薄くすることによって、チャンバ2の材料費を抑制できる。 The first surface layer 263 may be thinner than the first inner layer 261 . Also, the second surface layer 273 may be thinner than the second inner layer 271 . By thinning the first surface layer 263 or the second surface layer 273, the material cost of the chamber 2 can be suppressed.

コア層25は、第1繊維強化樹脂層26および第2繊維強化樹脂層27で覆われている。すなわち、断熱材が繊維強化層で覆われている。これにより、断熱材が発塵することを抑制できる。したがって、断熱材の粉塵による基板処理装置1の汚染が抑制される。コア層25の外表面全部は、繊維強化樹脂の層で覆われていてもよい。すなわち、コア層25のうち、両側の主面だけではなく、両側の主面を除く側面も、繊維強化樹脂の層で覆われていてもよい。この場合、コア層25の表面一部を繊維強化樹脂の層で覆う場合と比較して、コア層25に含まれる断熱材の発塵を抑制できる。 The core layer 25 is covered with a first fiber reinforced resin layer 26 and a second fiber reinforced resin layer 27 . That is, the heat insulating material is covered with a fiber-reinforced layer. Thereby, it is possible to suppress the heat insulating material from generating dust. Therefore, contamination of the substrate processing apparatus 1 by dust from the heat insulating material is suppressed. The entire outer surface of the core layer 25 may be covered with a layer of fiber reinforced resin. That is, of the core layer 25, not only the main surfaces on both sides but also the side surfaces excluding the main surfaces on both sides may be covered with the fiber-reinforced resin layer. In this case, dust generation from the heat insulating material included in the core layer 25 can be suppressed compared to the case where a portion of the surface of the core layer 25 is covered with a fiber-reinforced resin layer.

チャンバ2が断熱材を有することによって、ホットプレート4の熱、および、高温気体供給部5が供給する気体の熱がチャンバ2外に拡散することを抑制できる。 By having the heat insulating material in the chamber 2 , it is possible to suppress the heat of the hot plate 4 and the heat of the gas supplied by the high-temperature gas supply unit 5 from diffusing to the outside of the chamber 2 .

図5は、気体流路部51が組み込まれた天井部21を示す断面図である。気体流路部51は、コア層25に配置されていてもよい。すなわち、気体流路部51は、第1繊維強化樹脂層26と第2繊維強化樹脂層27の間に配置されていてもよい。各気体流路部51は、例えば、コア層25の内側の面に予め設けられた複数の収容溝251にそれぞれ配置されてもよい(図4および図5参照)。複数の収容溝251は、予め、コア層25(本例では、放熱材)における一方の主面に設けられた、凹状の部分である。一方の主面は、例えば、第1繊維強化樹脂層26で覆われる面である。 FIG. 5 is a cross-sectional view showing the ceiling portion 21 in which the gas channel portion 51 is incorporated. The gas channel portion 51 may be arranged in the core layer 25 . That is, the gas flow path portion 51 may be arranged between the first fiber reinforced resin layer 26 and the second fiber reinforced resin layer 27 . Each gas flow path portion 51 may be arranged, for example, in a plurality of accommodation grooves 251 previously provided on the inner surface of the core layer 25 (see FIGS. 4 and 5). The plurality of accommodation grooves 251 are concave portions that are provided in advance on one main surface of the core layer 25 (a heat radiating material in this example). One main surface is, for example, the surface covered with the first fiber reinforced resin layer 26 .

収容溝251内に気体流路部51を収容する場合、例えば、収容溝251内に気体流路部51と噴射部53とが設置された状態で、コア層25の一方の主面に、第1内部層261が形成されてもよい。第1内部層261は、例えば、モールド成形によって形成される。具体的には、コア層25と、第1内部層261を形成するための繊維クロスとが、不図示の型内に重ねて配置される。そして、型内に第1内部層261を形成するための樹脂が流し込まれることによって、樹脂が繊維クロスに含浸する。その後、樹脂を硬化させることによって、コア層25の一方の主面に第1内部層261が形成される。第1内部層261を形成する際、樹脂をコア層25の収容溝251内に進入させてもよい。この場合、図5に示すように、収容溝251の内面と気体流路部51の外面の隙間が樹脂で埋められることによって、気体流路部51が収容溝251内で固定される。第1内部層261が形成された後、第1表面層263が形成される。第2繊維強化樹脂層27についても、第1繊維強化樹脂層26と同様に、コア層25における他方の主面に形成可能である。 When the gas channel portion 51 is accommodated in the accommodation groove 251 , for example, in a state in which the gas channel portion 51 and the injection portion 53 are installed in the accommodation groove 251 , a second One inner layer 261 may be formed. The first inner layer 261 is formed, for example, by molding. Specifically, the core layer 25 and the fiber cloth for forming the first inner layer 261 are placed in an overlapping fashion in a mold (not shown). Then, the resin impregnates the fiber cloth by pouring the resin for forming the first inner layer 261 into the mold. After that, the first internal layer 261 is formed on one main surface of the core layer 25 by curing the resin. When forming the first inner layer 261 , the resin may enter the accommodation groove 251 of the core layer 25 . In this case, as shown in FIG. 5 , the gap between the inner surface of the accommodation groove 251 and the outer surface of the gas passage portion 51 is filled with resin, thereby fixing the gas passage portion 51 within the accommodation groove 251 . After the first inner layer 261 is formed, the first surface layer 263 is formed. The second fiber reinforced resin layer 27 can also be formed on the other main surface of the core layer 25 in the same manner as the first fiber reinforced resin layer 26 .

気体流路部51が断熱材を含むコア層25内に組み込まれていることによって、気体流路部51内における高温気体の温度低下が抑制される。 Since the gas flow path part 51 is incorporated in the core layer 25 containing the heat insulating material, the temperature drop of the high-temperature gas in the gas flow path part 51 is suppressed.

<2. 変形例>
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
<2. Variation>
Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to the above, and various modifications are possible.

ピン駆動部31は、各支持ピン3の上端をホットプレート4の上面よりも下側に移動させることによって、基板9をホットプレート4に載置してもよい。そして、基板9がホットプレート4に支持された状態で、基板9が加熱されてもよい。この場合、ホットプレート4が、基板支持部として機能する。 The pin driving section 31 may place the substrate 9 on the hot plate 4 by moving the upper end of each support pin 3 below the upper surface of the hot plate 4 . The substrate 9 may be heated while being supported by the hot plate 4 . In this case, the hot plate 4 functions as a substrate support.

基板支持部は、基板9の周縁部を保持する支持具であってもよい。 The substrate supporting portion may be a support that holds the peripheral portion of the substrate 9 .

気体流路部51は、天井部21に組み込まれているが、側壁部22に組み込まれてもよい。 The gas flow path portion 51 is incorporated in the ceiling portion 21 , but may be incorporated in the side wall portion 22 .

第1繊維強化樹脂層26は、2つの層(第1内部層261および第1表面層263)で構成されているが、単一の層、または、3つ以上の層で構成されていてもよい。第2繊維強化樹脂層27についても同様である。 The first fiber reinforced resin layer 26 is composed of two layers (the first inner layer 261 and the first surface layer 263), but may be composed of a single layer or three or more layers. good. The same applies to the second fiber reinforced resin layer 27 as well.

第1繊維強化樹脂層26および第2繊維強化樹脂層27は、同じ繊維強化樹脂で構成されていてもよい。 The first fiber reinforced resin layer 26 and the second fiber reinforced resin layer 27 may be made of the same fiber reinforced resin.

チャンバ2における一つの面が、異なる種類の繊維強化樹脂で構成されてもよい。例えば、1つの第1内部層261において、一部の箇所と、それ以外の箇所とが、それぞれ互いに異なる種類の繊維強化樹脂で構成されてもよい。 One surface of the chamber 2 may be composed of different types of fiber-reinforced resin. For example, in one first inner layer 261, a part and other parts may be made of fiber-reinforced resins of different types.

基板処理装置1は、同時に複数の基板9を加熱処理できるように構成されてもよい。基板処理装置1は、チャンバ2内に複数の基板9を同時に支持可能な基板支持部を備えていてもよい。 The substrate processing apparatus 1 may be configured to heat-process a plurality of substrates 9 at the same time. The substrate processing apparatus 1 may include a substrate supporting section capable of simultaneously supporting a plurality of substrates 9 inside the chamber 2 .

基板処理装置1が、加熱部としてホットプレート4と高温気体供給部5との両方を備えることは必須ではない。基板処理装置1は、ホットプレート4または高温気体供給部5のどちらか一方のみを備えてもよい。また、基板処理装置1は、ホットプレート4および高温気体供給部5とは異なる方法で基板9を加熱する構成(例えば、ランプなど)を備えていてもよい。 It is not essential for the substrate processing apparatus 1 to include both the hot plate 4 and the hot gas supply section 5 as heating sections. The substrate processing apparatus 1 may include only one of the hot plate 4 and the hot gas supply section 5 . Further, the substrate processing apparatus 1 may be provided with a configuration (for example, a lamp) that heats the substrate 9 by a method different from that of the hot plate 4 and the hot gas supply unit 5 .

基板処理装置1は、チャンバ2内に、処理液のミスト、または、処理液の蒸気(ヒューム)を供給する供給部が設けられてもよい。この場合、チャンバ2外に、処理液を貯留するタンク、および、タンクからの処理液を加熱する加熱部などが設けられてもよい。また、タンクからの処理液を通過させる流路部が、気体流路部51と同様に、コア層25内に組み込まれていてもよい。 The substrate processing apparatus 1 may be provided in the chamber 2 with a supply unit for supplying mist of the processing liquid or vapor (fume) of the processing liquid. In this case, a tank for storing the processing liquid and a heating unit for heating the processing liquid from the tank may be provided outside the chamber 2 . Also, a channel portion through which the processing liquid from the tank passes may be incorporated in the core layer 25 as in the gas channel portion 51 .

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although the present invention has been described in detail, the above description is, in all aspects, illustrative and not intended to limit the present invention. It is understood that numerous variations not illustrated can be envisioned without departing from the scope of the invention. Each configuration described in each of the above embodiments and modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

1 基板処理装置
2 チャンバ
3 支持ピン
4 ホットプレート
5 高温気体供給部
9 基板
21 天井部
22 側壁部
25 コア層
26 第1繊維強化樹脂層
27 第2繊維強化樹脂層
51 気体流路部
53 噴射部
55 ヒータ
261 第1内部層
263 第1表面層
271 第2内部層
273 第2表面層
REFERENCE SIGNS LIST 1 substrate processing apparatus 2 chamber 3 support pin 4 hot plate 5 high temperature gas supply section 9 substrate 21 ceiling section 22 side wall section 25 core layer 26 first fiber reinforced resin layer 27 second fiber reinforced resin layer 51 gas flow path section 53 injection section 55 heater 261 first internal layer 263 first surface layer 271 second internal layer 273 second surface layer

Claims (11)

基板処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内において基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された前記基板を加熱する加熱部と、
を備え、
前記チャンバの表面の少なくとも一部が、繊維強化樹脂で構成され、
前記チャンバは、
断熱材を含むコア層と、
前記コア層を覆う層であって、繊維強化樹脂を含む繊維強化樹脂層と、
を有する、基板処理装置。
A substrate processing apparatus,
a chamber;
a substrate support that supports the substrate in the chamber;
a heating unit that heats the substrate supported by the substrate support;
with
At least part of the surface of the chamber is made of fiber reinforced resin,
The chamber is
a core layer comprising thermal insulation;
A fiber reinforced resin layer that covers the core layer and contains a fiber reinforced resin;
A substrate processing apparatus having
板処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内において基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された前記基板を加熱する加熱部と、
を備え、
前記チャンバの表面の少なくとも一部が、繊維強化樹脂で構成され、
前記チャンバは、
第1の繊維強化樹脂で構成される第1の表面と、
前記第1の繊維強化樹脂とは異なる第2の繊維強化樹脂で構成される第2の表面と、
を有する、基板処理装置。
A substrate processing apparatus,
a chamber;
a substrate support that supports the substrate in the chamber;
a heating unit that heats the substrate supported by the substrate support;
with
At least part of the surface of the chamber is made of fiber reinforced resin,
The chamber is
a first surface composed of a first fiber reinforced resin;
a second surface composed of a second fiber reinforced resin different from the first fiber reinforced resin;
A substrate processing apparatus having
基板処理装置であって、 A substrate processing apparatus,
チャンバと、 a chamber;
前記チャンバ内において基板を支持する基板支持部と、 a substrate support that supports the substrate in the chamber;
前記基板支持部に支持された前記基板を加熱する加熱部と、 a heating unit that heats the substrate supported by the substrate support;
を備え、with
前記チャンバの表面の少なくとも一部が、積層された複数の繊維強化樹脂の層によって構成されている、基板処理装置。 A substrate processing apparatus, wherein at least part of the surface of the chamber is composed of a plurality of laminated fiber-reinforced resin layers.
請求項に記載の基板処理装置であって、
前記チャンバの表面の少なくとも一部が、積層された異なる種類の繊維強化樹脂で構成されている、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3 ,
A substrate processing apparatus, wherein at least part of the surface of the chamber is composed of different types of laminated fiber reinforced resins.
請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記チャンバは、
断熱材を含むコア層と、
前記コア層を覆う層であって、繊維強化樹脂を含む繊維強化樹脂層と
を有する、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4 ,
The chamber is
a core layer comprising thermal insulation;
A substrate processing apparatus comprising a fiber reinforced resin layer containing a fiber reinforced resin, the layer covering the core layer.
請求項1または請求項に記載の基板処理装置であって、
前記チャンバは、
前記基板支持部に支持された前記基板の主面に対向する天井部と、
前記基板支持部に支持された前記基板の側面を取り囲む側壁部と、
を有する、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or claim 5 ,
The chamber is
a ceiling facing the main surface of the substrate supported by the substrate support;
a sidewall portion surrounding a side surface of the substrate supported by the substrate support;
A substrate processing apparatus having
請求項に記載の基板処理装置であって、
前記天井部の表面が、繊維強化樹脂で構成されている、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 6 ,
The substrate processing apparatus, wherein the surface of the ceiling portion is made of fiber reinforced resin.
請求項または請求項に記載の基板処理装置であって、
前記側壁部の表面が、繊維強化樹脂で構成されている、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 6 or 7 ,
The substrate processing apparatus, wherein the surface of the side wall portion is made of fiber reinforced resin.
請求項から請求項のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱部は、
前記天井部内または前記側壁部内に位置し、高温気体が通過可能な流路を構成する気体流路部と、
前記気体流路部に接続され、前記流路を通過する高温気体を前記チャンバ内に噴射する噴射部と、
を有する、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 6 to 8 ,
The heating unit
a gas flow path portion positioned in the ceiling portion or the side wall portion and forming a flow path through which high-temperature gas can pass;
an injection unit that is connected to the gas flow path and that injects into the chamber a high-temperature gas that passes through the flow path;
A substrate processing apparatus having
請求項に記載の基板処理装置であって、
前記気体流路部は、前記コア層内に位置し、かつ、繊維強化樹脂層に覆われている、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 9 ,
The substrate processing apparatus, wherein the gas flow path portion is positioned within the core layer and is covered with a fiber-reinforced resin layer.
請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱部は、前記チャンバ内に位置するとともに、前記基板を加熱するホットプレート、
を有する、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10 ,
the heating unit is a hot plate that is positioned in the chamber and heats the substrate;
A substrate processing apparatus having
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