KR102670745B1 - Substrate treating apparatus and insulation member - Google Patents

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KR102670745B1
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Abstract

[과제] 챔버의 방열을 경감하는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 기판 처리 장치(1)는, 기판(9)을 가열하는 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 챔버(2)와, 복수의 지지 핀(3)과, 핫 플레이트(4)를 갖는다. 복수의 지지 핀(3)은, 챔버(2) 내에 있어서 기판(9)을 지지한다. 핫 플레이트(4)는, 복수의 지지 핀(3)에 지지된 기판을 가열한다. 챔버(2)의 내측의 표면은, 제1 섬유 강화 수지층으로 구성된다. 챔버(2)의 외측의 표면은, 제2 섬유 강화 수지층으로 구성된다.[Task] Provide technology to reduce heat dissipation in the chamber.
[Solution] The substrate processing device 1 is a device that heats the substrate 9. The substrate processing apparatus 1 has a chamber 2, a plurality of support pins 3, and a hot plate 4. A plurality of support pins 3 support the substrate 9 within the chamber 2 . The hot plate 4 heats the substrate supported by the plurality of support pins 3. The inner surface of the chamber 2 is composed of a first fiber-reinforced resin layer. The outer surface of the chamber 2 is composed of a second fiber-reinforced resin layer.

Description

기판 처리 장치 및 단열 부재{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND INSULATION MEMBER}Substrate treatment device and insulation member {SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND INSULATION MEMBER}

본 발명은, 기판 처리 장치 및 단열 부재에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device and a heat insulating member.

반도체 기판 등의 기판을 제조하는 과정에는, 기판을 가열하는 처리가 행해진다. 일반적으로는, 챔버 내에 기판을 수용한 상태에서, 기판의 가열이 행해진다. 예를 들어, 특허문헌 1에 개시된 기판 열처리 장치는, 핫 플레이트와, 핫 플레이트를 둘러싸는 하우징과, 하우징의 내부에 가열 에어를 토출하는 토출 노즐을 구비하고 있다. 기판 열처리 장치는, 핫 플레이트를 승온하는 것, 및, 토출 노즐로부터 가열 에어를 토출하는 것에 의해, 기판을 가열하고 있다.In the process of manufacturing a substrate such as a semiconductor substrate, a process of heating the substrate is performed. Generally, heating of the substrate is performed while the substrate is accommodated in a chamber. For example, the substrate heat treatment apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a hot plate, a housing surrounding the hot plate, and a discharge nozzle that discharges heated air into the interior of the housing. The substrate heat treatment apparatus heats the substrate by raising the temperature of the hot plate and discharging heated air from a discharge nozzle.

일본국 특허공개 2008-251862호 공보Japanese Patent Publication No. 2008-251862

그런데, 기판을 수용하는 챔버는, 일반적으로는, 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등으로 구성된다. 따라서, 종래의 챔버는, 방열하기 쉽기 때문에, 챔버 내의 온도 분포가 불균일해져, 기판에 가열 불균일이 생길 가능성이 있었다. 이로 인해, 챔버의 방열을 경감하는 기술이 요구되고 있다.However, the chamber that accommodates the substrate is generally made of aluminum, stainless steel (SUS), or the like. Accordingly, since the conventional chamber is prone to heat dissipation, there is a possibility that the temperature distribution within the chamber becomes uneven and heating unevenness occurs in the substrate. For this reason, there is a demand for technology to reduce heat dissipation in the chamber.

본 발명의 목적은, 챔버의 방열을 경감하는 기술을 제공하는 것이다.The purpose of the present invention is to provide a technique for reducing heat dissipation in the chamber.

제1 양태는, 기판 처리 장치로서, 챔버와, 상기 챔버 내에 있어서 기판을 지지하는 기판 지지부를 구비하고, 상기 챔버의 표면의 적어도 일부가, 섬유 강화 수지로 구성되어 있다.The first aspect is a substrate processing apparatus, comprising a chamber and a substrate support portion that supports the substrate within the chamber, and at least a portion of the surface of the chamber is made of fiber-reinforced resin.

제2 양태는, 제1 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판을 가열하는 가열부를 더 구비한다.The second aspect is the substrate processing apparatus of the first aspect, and further includes a heating unit that heats the substrate supported on the substrate support unit.

제3 양태는, 제2 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 챔버는, 단열재를 포함하는 코어층과, 상기 코어층을 덮는 층으로서, 섬유 강화 수지를 포함하는 섬유 강화 수지층을 갖는다.A third aspect is the substrate processing apparatus of the second aspect, wherein the chamber has a core layer containing a heat insulating material, and a fiber-reinforced resin layer containing a fiber-reinforced resin as a layer covering the core layer.

제4 양태는, 제3 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 챔버는, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 주면에 대향하는 천정부와, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 측면을 둘러싸는 측벽부를 갖는다.A fourth aspect is the substrate processing apparatus of the third aspect, wherein the chamber has a ceiling portion opposing the main surface of the substrate supported on the substrate support portion and a side wall portion surrounding a side surface of the substrate supported on the substrate support portion. .

제5 양태는, 제4 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 천정부의 표면이, 섬유 강화 수지로 구성되어 있다.The fifth aspect is the substrate processing apparatus of the fourth aspect, wherein the surface of the ceiling is made of fiber-reinforced resin.

제6 양태는, 제4 양태 또는 제5 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 측벽부의 표면이 섬유 강화 수지로 구성되어 있다.The sixth aspect is the substrate processing apparatus of the fourth or fifth aspect, wherein the surface of the side wall portion is made of fiber-reinforced resin.

제7 양태는, 제4 양태 내지 제6 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 가열부는, 상기 천정부 내 또는 상기 측벽부 내에 위치하고, 고온 기체가 통과 가능한 유로를 구성하는 기체 유로부와, 상기 기체 유로부에 접속되고, 상기 유로를 통과하는 고온 기체를 상기 챔버 내에 분사하는 분사부를 갖는다.A seventh aspect is the substrate processing apparatus of any one of the fourth to sixth aspects, wherein the heating unit includes a gas passage portion located within the ceiling portion or within the side wall portion and forming a passage through which a high-temperature gas can pass; It is connected to a gas flow path and has a spraying part that sprays high-temperature gas passing through the flow path into the chamber.

제8 양태는, 제7 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 기체 유로부는, 상기 코어층 내에 위치하고, 또한, 섬유 강화 수지층으로 덮여 있다.An eighth aspect is the substrate processing apparatus of the seventh aspect, wherein the gas flow path portion is located within the core layer and is covered with a fiber-reinforced resin layer.

제9 양태는, 제1 양태 내지 제8 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 챔버가, 제1 섬유 강화 수지로 구성되는 제1 표면과, 상기 제1 섬유 강화 수지와는 상이한 제2 섬유 강화 수지로 구성되는 제2 표면을 갖는다.A ninth aspect is the substrate processing apparatus of any one of the first to eighth aspects, wherein the chamber has a first surface composed of a first fiber-reinforced resin and a second fiber different from the first fiber-reinforced resin. It has a second surface composed of a reinforcing resin.

제10 양태는, 제1 양태 내지 제9 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 챔버의 표면의 적어도 일부가, 적층된 상이한 종류의 섬유 강화 수지로 구성되어 있다.A tenth aspect is the substrate processing apparatus of any one of the first to ninth aspects, wherein at least a part of the surface of the chamber is composed of different types of laminated fiber-reinforced resins.

제11 양태는, 제2 양태 내지 제10 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 가열부는, 상기 챔버 내에 위치함과 더불어, 상기 기판을 가열하는 핫 플레이트를 갖는다.An 11th aspect is the substrate processing apparatus of any one of the 2nd to 10th aspects, wherein the heating unit is located in the chamber and has a hot plate for heating the substrate.

제12 양태는, 제1 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 챔버는, 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 형성하고 있고, 상기 처리 공간에 급기하기 위한 통기구 및 상기 처리 공간으로부터 배기하기 위한 배기구를 가지며, 상기 챔버는, 상기 처리 공간에 면하는 표면을 갖고, 상기 표면이 상기 섬유 강화 수지로 덮여 있는 단열재를 갖는다.A twelfth aspect is the substrate processing apparatus of the first aspect, wherein the chamber forms a processing space for processing a substrate, and has a vent for supplying air to the processing space and an exhaust port for exhausting air from the processing space, The chamber has a surface facing the processing space and has an insulating material whose surface is covered with the fiber-reinforced resin.

제13 양태는, 제12 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 배기구를 통해서 배기함으로써, 상기 챔버 내를 감압하는 감압부를 더 구비한다.A thirteenth aspect is the substrate processing apparatus of the twelfth aspect, further comprising a pressure reducing unit that reduces the pressure in the chamber by exhausting air through the exhaust port.

제14 양태는, 제12 양태 또는 제13 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 챔버가, 표면이 상기 섬유 강화 수지로 덮인 상기 단열재를 갖는다.A 14th aspect is the substrate processing apparatus of the 12th or 13th aspect, wherein the chamber has the heat insulating material whose surface is covered with the fiber-reinforced resin.

제15 양태는, 제14 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 기판 지지부에 의해서 지지된 기판을 가열하는 가열부를 더 구비한다.A fifteenth aspect is the substrate processing apparatus of the fourteenth aspect, further comprising a heating unit that heats the substrate supported by the substrate support unit.

제16 양태는, 제15 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 챔버가, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 주면에 대향하는 천정부와, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 측면을 둘러싸는 측벽부를 갖고, 상기 천정부 또는 상기 측벽부의 표면이, 상기 섬유 강화 수지로 덮여 있다.A sixteenth aspect is the substrate processing apparatus of the fifteenth aspect, wherein the chamber has a ceiling portion opposing a main surface of the substrate supported on the substrate support portion, and a side wall portion surrounding a side surface of the substrate supported on the substrate support portion. , the surface of the ceiling or the side wall is covered with the fiber-reinforced resin.

제17 양태는, 제16 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 천정부 내 또는 상기 측벽부 내에 위치하고, 고온 기체가 통과 가능한 유로를 구성하는 기체 유로부와, 상기 기체 유로부에 접속되고, 상기 유로를 통과하는 고온 기체를 상기 챔버 내에 분사하는 분사부를 갖는다.A seventeenth aspect is the substrate processing apparatus of the sixteenth aspect, comprising: a gas flow path portion located within the ceiling portion or within the side wall portion and constituting a flow path through which a high-temperature gas can pass, and connected to the gas flow path portion, passing through the flow path. It has a spraying unit that sprays high temperature gas into the chamber.

제18 양태는, 제12 양태 내지 제17 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 단열재가, 제1 섬유 강화 수지로 덮여 있는 제1 표면과, 상기 제1 섬유 강화 수지와는 상이한 제2 섬유 강화 수지로 덮여 있는 제2 표면을 갖는다.An 18th aspect is the substrate processing apparatus of any one of the 12th to 17th aspects, wherein the heat insulating material includes a first surface covered with a first fiber-reinforced resin, and a second fiber different from the first fiber-reinforced resin. It has a second surface covered with reinforcing resin.

제19 양태는, 제12 양태 내지 제18 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 단열재의 표면의 적어도 일부가, 적층된 상이한 종류의 섬유 강화 수지로 덮여 있다.A 19th aspect is the substrate processing apparatus of any one of the 12th to 18th aspects, wherein at least a part of the surface of the heat insulating material is covered with different types of laminated fiber-reinforced resin.

제20 양태는, 단열 부재로서, 단열재를 포함하는 코어층과, 상기 코어층의 표면 전부를 덮는 층으로서, 섬유 강화 수지를 포함하는 섬유 강화 수지층을 구비한다.The 20th aspect is provided as a heat insulating member, a core layer containing a heat insulating material, and a fiber reinforced resin layer containing a fiber reinforced resin as a layer covering the entire surface of the core layer.

제21 양태는, 제20 양태의 단열 부재로서, 상기 코어층은, 제1 표면과, 상기 제1 표면과는 상이한 제2 표면을 갖고, 상기 섬유 강화 수지층은, 상기 코어층의 제1 표면을 덮는 층으로서, 제1 섬유 강화 수지를 포함하는 제1 섬유 강화 수지층과, 상기 코어층의 제2 표면을 덮는 층으로서, 상기 제1 섬유 강화 수지와는 상이한 제2 섬유 강화 수지를 포함하는 제2 섬유 강화 수지층을 포함한다.A 21st aspect is the heat insulating member of the 20th aspect, wherein the core layer has a first surface and a second surface different from the first surface, and the fiber reinforced resin layer has the first surface of the core layer. As a layer covering, a first fiber-reinforced resin layer containing a first fiber-reinforced resin, and a layer covering the second surface of the core layer, comprising a second fiber-reinforced resin different from the first fiber-reinforced resin. It includes a second fiber-reinforced resin layer.

제22 양태는, 제20 양태 또는 제21 양태의 단열 부재로서, 상기 섬유 강화 수지층은, 적층된 복수의 층을 포함하고, 상기 복수의 층은, 서로 상이한 종류의 섬유 강화 수지를 포함한다.A 22nd aspect is the heat insulating member of the 20th aspect or the 21st aspect, wherein the fiber-reinforced resin layer includes a plurality of laminated layers, and the plurality of layers contain different types of fiber-reinforced resin.

제1 양태 내지 제11 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 표면의 적어도 일부에 섬유 강화 수지를 이용함으로써, 챔버의 강도 저하를 억제하면서, 챔버의 경량화를 도모할 수 있다. 따라서, 알루미늄이나 스테인리스강 등의 방열성이 높은 재료를 섬유 강화 수지로 치환함으로써, 챔버의 방열을 경감할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the first to eleventh aspects, by using fiber-reinforced resin on at least part of the surface, it is possible to reduce the weight of the chamber while suppressing a decrease in the strength of the chamber. Therefore, by replacing materials with high heat dissipation properties, such as aluminum or stainless steel, with fiber-reinforced resin, heat dissipation in the chamber can be reduced.

제3 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 챔버가 단열재를 갖기 때문에, 챔버의 방열이 경감된다. 또, 단열재가 섬유 강화 수지로 덮여 있기 때문에, 단열재의 분진 등이 비산하는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the third aspect, since the chamber has a heat insulating material, heat dissipation in the chamber is reduced. Additionally, since the insulating material is covered with fiber-reinforced resin, scattering of dust, etc. from the insulating material can be suppressed.

제4 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 기판의 주면을 천정부로 덮으면서, 기판의 측면을 측벽부로 둘러쌀 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, the main surface of the substrate can be covered by the ceiling portion, and the side surface of the substrate can be surrounded by the side wall portion.

제5 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 천정부에 대해서, 알루미늄 또는 스테인리스강을 대신하여 섬유 강화 수지를 사용함으로써, 천정부로부터의 방열을 경감할 수 있다. 이로써, 기판의 주면의 가열 불균일을 경감할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the fifth aspect, heat radiation from the ceiling can be reduced by using fiber-reinforced resin instead of aluminum or stainless steel for the ceiling. Thereby, heating unevenness of the main surface of the substrate can be reduced.

제6 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측벽부에 대해서, 알루미늄 또는 스테인리스강을 대신하여 섬유 강화 수지를 사용함으로써, 측벽부로부터의 방열을 경감할 수 있다. 이로써, 기판의 가열 불균일을 경감할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, heat radiation from the side wall portion can be reduced by using fiber-reinforced resin instead of aluminum or stainless steel for the side wall portion. Thereby, uneven heating of the substrate can be reduced.

제7 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 분사부로부터 챔버 내에 고온의 기체를 분사시킴으로써, 기판을 가열할 수 있다. 기체 유로부가 천정부 내 또는 측벽부 내에 배치되기 때문에, 챔버를 소형화할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, the substrate can be heated by spraying high-temperature gas into the chamber from the injection unit. Since the gas flow path portion is disposed within the ceiling or side wall portion, the chamber can be miniaturized.

제8 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 기체 유로부가 단열재를 포함하는 코어층 내에 위치하기 때문에, 기체 유로부 내에 있어서의 고온 기체의 온도 저하가 억제된다.According to the substrate processing apparatus of the eighth aspect, since the gas flow passage portion is located within the core layer containing the heat insulating material, a temperature decrease of the high-temperature gas within the gas passage portion is suppressed.

제9 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 챔버의 제1 표면과 제2 표면에, 상이한 특성을 갖게 할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the ninth aspect, the first surface and the second surface of the chamber can be given different characteristics.

제10 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 챔버의 표면에 상이한 종류의 특성을 갖게 할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the tenth aspect, the surface of the chamber can be given different types of properties.

제11 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 핫 플레이트의 열이 챔버 밖으로 확산하는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the 11th aspect, diffusion of heat from the hot plate out of the chamber can be suppressed.

제12 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 단열재를 섬유 강화 수지로 덮음으로써, 단열재의 발진이 억제된다. 이로써, 챔버 내가 단열재의 분진으로 오염되는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the twelfth aspect, dust generation of the heat insulating material is suppressed by covering the heat insulating material with fiber-reinforced resin. As a result, contamination of the chamber with dust from the insulating material can be prevented.

제13 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 감압 건조를 행할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the thirteenth aspect, reduced pressure drying can be performed.

제14 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 챔버가 단열재를 갖기 때문에, 챔버의 방열이 경감된다. 또, 단열재가 섬유 강화 수지로 덮여 있기 때문에, 단열재의 분진 등이 챔버 안 또는 챔버 밖으로 흩어지는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the fourteenth aspect, since the chamber has a heat insulating material, heat dissipation of the chamber is reduced. Additionally, because the insulating material is covered with fiber-reinforced resin, it is possible to prevent dust from the insulating material from scattering into or out of the chamber.

제15 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 챔버 내에서 기판 지지부에 지지된 기판을 가열할 수 있다. According to the substrate processing apparatus of the fifteenth aspect, the substrate supported on the substrate support portion within the chamber can be heated.

제16 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 기판의 주면을 천정부로 덮으면서, 기판의 측면을 측벽부로 둘러쌀 수 있다. 알루미늄 또는 스테인리스강을 대신하여 섬유 강화 수지로 덮인 단열재를 사용함으로써, 챔버의 방열을 경감할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the sixteenth aspect, the main surface of the substrate can be covered with the ceiling portion, and the side surface of the substrate can be surrounded by the side wall portion. By using an insulation material covered with fiber-reinforced resin instead of aluminum or stainless steel, heat dissipation in the chamber can be reduced.

제17 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 분사부로부터 챔버 내에 고온 기체를 분사시킴으로써, 기판을 가열할 수 있다. 천정부 내 또는 측벽부 내에 기체 유로부가 배치됨으로써, 챔버를 작게 할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the seventeenth aspect, the substrate can be heated by spraying high-temperature gas into the chamber from the spray unit. By arranging the gas flow path within the ceiling or side walls, the chamber can be made smaller.

제18 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 단열재의 제1 표면과 제2 표면에, 상이한 특성을 갖게 할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the 18th aspect, the first surface and the second surface of the heat insulating material can be given different characteristics.

제19 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 단열재의 표면에 상이한 종류의 특성을 갖게 할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the 19th aspect, the surface of the heat insulating material can be given different types of properties.

제20 양태의 단열 부재에 의하면, 단열재를 섬유 강화 수지로 덮음으로써, 단열재의 발진을 억제할 수 있다.According to the heat insulating member of the twentieth aspect, dust generation of the heat insulating material can be suppressed by covering the heat insulating material with fiber-reinforced resin.

제21 양태의 단열 부재에 의하면, 단열재의 제1 표면과 제2 표면에, 상이한 특성을 갖게 할 수 있다.According to the heat insulating member of the 21st aspect, the first surface and the second surface of the heat insulating material can be given different characteristics.

제22 양태의 단열 부재에 의하면, 단열재의 표면에 상이한 종류의 특성을 갖게 할 수 있다.According to the heat insulating member of the twenty-second aspect, the surface of the heat insulating material can be given different types of properties.

도 1은 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 고온 기체 공급부를 도시한 도면이다.
도 4는 챔버의 일부를 도시한 단면도이다.
도 5는 기체 유로부가 장착된 천정부를 도시한 단면도이다.
도 6은 제2 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치를 도시한 개략도이다.1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
Figure 3 is a diagram showing a high-temperature gas supply unit.
Figure 4 is a cross-sectional view showing part of the chamber.
Figure 5 is a cross-sectional view showing the ceiling part on which the gas passage part is mounted.
Figure 6 is a schematic diagram showing a substrate processing apparatus according to the second embodiment.

이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이며, 본 발명의 범위를 그들 만으로 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해의 용이를 위해, 필요에 따라서 각부의 치수나 수가 과장 또는 간략화하여 도시되어 있는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention will be described with reference to the attached drawings. In addition, the components described in this embodiment are merely examples and are not intended to limit the scope of the present invention to these only. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions and numbers of each part may be exaggerated or simplified as necessary.

＜1. 제1 실시 형태＞<1. First embodiment>

도 1은, 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1)를 도시한 사시도이다. 도 2는, 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1)의 단면도이다. 이하의 설명에서는, 연직 방향 상방을 간단히 「위」라고 칭하고, 연직 방향 하방을 간단히 「아래」라고 칭한다. 챔버(2)의 내측을 간단히 「내측」이라고 칭하며, 챔버(2)의 외측을 간단히 「외측」이라고 칭한다. 단, 이하에 설명하는 방향은, 각 요소의 위치 관계를 설명하는 것이며, 각 요소의 위치 관계를 한정하는 것은 아니다.FIG. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. In the following description, the vertical direction upward is simply referred to as "up", and the vertical downward direction is simply referred to as "down." The inside of the chamber 2 is simply referred to as the “inside”, and the outside of the chamber 2 is simply referred to as the “outside.” However, the direction described below explains the positional relationship of each element and does not limit the positional relationship of each element.

기판 처리 장치(1)는, 기판(9)을 가열 처리하는 가열 처리 장치이다. 처리 대상이 되는 기판(9)은, 예를 들어, 전자기기 전용의 각종 피처리 기판이며, 구체적으로는, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이 또는 플라즈마 디스플레이용의 유리 기판, 자기 디스크 또는 광디스크용의 유리 또는 세라믹 기판, 유기 EL용 유리 기판, 태양 전지용의 유리 또는 실리콘 기판, 플렉서블 기판, 프린트 기판 등이다.The substrate processing device 1 is a heat processing device that heat-processes the substrate 9 . The substrate 9 to be processed is, for example, various processing target substrates dedicated to electronic devices, and specifically, semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal displays or plasma displays, glass or ceramic for magnetic disks or optical disks. These include substrates, glass substrates for organic EL, glass or silicon substrates for solar cells, flexible substrates, and printed boards.

기판 처리 장치(1)는, 챔버(2)와, 복수의 지지 핀(3)과, 핫 플레이트(4)와, 고온 기체 공급부(5)를 갖는다. 이하, 기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소에 대해 설명한다.The substrate processing apparatus 1 has a chamber 2, a plurality of support pins 3, a hot plate 4, and a high-temperature gas supply unit 5. Hereinafter, each component of the substrate processing apparatus 1 will be described.

＜챔버＞＜Chamber＞

챔버(2)는, 기판(9)을 수용하는 하우징이다. 챔버(2)는, 수용한 기판(9)을 처리하기 위한 처리 공간을 형성한다. 챔버(2)는, 예를 들어 직방체 형상이다. 챔버(2)는, 천정부(21)와, 측벽부(22)와, 바닥부(23)를 갖는다. 천정부(21)는, 수용 공간의 상측을 나누는 격벽이다. 바닥부(23)는, 수용 공간의 하측을 나누는 격벽이다. 측벽부(22)는, 천정부(21)와 바닥부(23) 사이의 위치에서 수용 공간을 나누는 격벽이다. 후술하는 각 지지 핀(3)의 상단에 기판(9)이 지지된 경우, 천정부(21)의 내면은, 기판(9)의 주면(가장 큰 면)인 상면에 대향한다. 또, 측벽부(22)의 내면은, 기판(9)의 측면에 대향한다. 측벽부(22)는, 기판(9)의 측면을 둘러싼다.The chamber 2 is a housing that accommodates the substrate 9. The chamber 2 forms a processing space for processing the received substrate 9. The chamber 2 has a rectangular parallelepiped shape, for example. The chamber 2 has a ceiling 21, a side wall 22, and a bottom 23. The ceiling 21 is a partition dividing the upper part of the accommodation space. The bottom portion 23 is a partition dividing the lower part of the accommodation space. The side wall portion 22 is a partition dividing the accommodation space between the ceiling portion 21 and the floor portion 23. When the substrate 9 is supported on the upper end of each support pin 3, which will be described later, the inner surface of the ceiling 21 faces the upper surface, which is the main surface (largest surface) of the substrate 9. Additionally, the inner surface of the side wall portion 22 faces the side surface of the substrate 9. The side wall portion 22 surrounds the side surface of the substrate 9.

천정부(21)는, 상방으로부터 볼 때, 예를 들어 직사각형 형상을 갖는다. 측벽부(22)는, 상방으로부터 볼 때, 예를 들어 직사각형의 환 형상을 갖는다. 천정부(21)의 하단은, 측벽부(22)의 상단과 연결되어 있다. 또한, 천정부(21)는, 측벽부(22)의 상측에 재치(載置)되어 있어도 된다. 이 경우, 천정부(21) 또는 측벽부(22)가, 패킹을 통해 접촉하고 있어도 된다. 패킹에 의해서, 천정부(21)가, 측벽부(22)와의 사이의 간극을 없앨 수 있다.The ceiling portion 21 has, for example, a rectangular shape when viewed from above. The side wall portion 22 has, for example, a rectangular ring shape when viewed from above. The lower end of the ceiling part 21 is connected to the upper end of the side wall part 22. Additionally, the ceiling part 21 may be placed above the side wall part 22. In this case, the ceiling portion 21 or the side wall portion 22 may be in contact with the packing. By packing, the gap between the ceiling part 21 and the side wall part 22 can be eliminated.

측벽부(22)는, 개구부(221)와 도어부(223)를 갖는다. 개구부(221)는, 챔버(2)의 내측과 외측을 연통시키는 반입구를 구성한다. 기판(9)은, 개구부(221)를 통해서, 챔버(2) 내에 대해 출입된다. 도어부(223)는, 반입구를 닫는 닫힘 위치와, 반입구를 여는 열림 위치 사이에서 이동 가능하다. 도 2에 도시한 바와 같이, 반송 기구의 아암(100)은, 처리 대상의 기판(9)을, 챔버(2)에 반입한다. 또, 아암(100)은, 가열 처리가 행해진 기판(9)을, 챔버(2)로부터 반출한다.The side wall portion 22 has an opening portion 221 and a door portion 223. The opening 221 constitutes an inlet that communicates the inside and outside of the chamber 2. The substrate 9 enters and exits the chamber 2 through the opening 221 . The door portion 223 is movable between a closed position that closes the loading port and an open position that opens the loading port. As shown in FIG. 2 , the arm 100 of the transfer mechanism transports the substrate 9 to be processed into the chamber 2 . Additionally, the arm 100 carries out the heat-treated substrate 9 from the chamber 2 .

＜지지 핀＞＜Support pin＞

기판 처리 장치(1)는, 복수의 지지 핀(3)과, 핀 구동부(31)를 갖는다. 지지 핀(3)은, 연직 방향으로 연장되는 봉 형상을 갖는다. 지지 핀(3)은, 바닥부(23) 및 핫 플레이트(4)를, 연직 방향으로 관통하고 있다. 핀 구동부(31)는, 각 지지 핀(3)을 일체적으로 연직 방향을 따라서 이동시킨다. 복수의 지지 핀(3)은, 챔버(2) 내에 있어서, 기판(9)을 수평으로 지지한다. 복수의 지지 핀(3)은, 챔버(2) 내에 있어서 기판(9)을 지지하는 기판 지지부의 예이다.The substrate processing apparatus 1 has a plurality of support pins 3 and a pin driver 31. The support pin 3 has a rod shape extending in the vertical direction. The support pin 3 penetrates the bottom 23 and the hot plate 4 in the vertical direction. The pin driving unit 31 moves each support pin 3 integrally along the vertical direction. The plurality of support pins 3 horizontally support the substrate 9 within the chamber 2. The plurality of support pins 3 are examples of substrate support parts that support the substrate 9 within the chamber 2.

＜핫 플레이트＞＜Hot Plate＞

핫 플레이트(4)는, 챔버(2) 내의 바닥부(23) 측에 설치되어 있다. 챔버(2)는, 핫 플레이트(4)를 둘러싸고 있다. 핫 플레이트(4)는, 내부에 히터(열원)를 갖는다. 핫 플레이트는, 가열부의 예이다.The hot plate 4 is installed on the bottom 23 side of the chamber 2. The chamber 2 surrounds the hot plate 4. The hot plate 4 has a heater (heat source) inside. A hot plate is an example of a heating unit.

챔버(2)의 바닥부(23) 및 핫 플레이트(4)는, 두께 방향으로 관통하는 복수의 관통 구멍을 갖는다. 각 지지 핀(3)은, 바닥부(23) 및 핫 플레이트(4)의 관통 구멍 내에 삽입 통과된다.The bottom 23 of the chamber 2 and the hot plate 4 have a plurality of through holes penetrating in the thickness direction. Each support pin 3 is inserted into the through hole of the bottom 23 and the hot plate 4.

＜고온 기체 공급부＞＜High temperature gas supply section＞

도 3은, 고온 기체 공급부(5)를 도시한 도면이다. 고온 기체 공급부(5)는, 챔버(2) 내에 고온 기체를 공급하는 장치이다. 고온 기체 공급부(5)는, 복수의 기체 유로부(51)와, 복수의 분사부(53)와, 히터(55)와, 급기부(57)를 갖는다.FIG. 3 is a diagram showing the high-temperature gas supply unit 5. The high-temperature gas supply unit 5 is a device that supplies high-temperature gas into the chamber 2. The high-temperature gas supply section 5 has a plurality of gas passage portions 51, a plurality of injection portions 53, a heater 55, and an air supply portion 57.

기체 유로부(51)는, 고온 기체가 통과 가능한 유로를 구성한다. 기체 유로부(51)는, 천정부(21)에 장착되어 있다. 기체 유로부(51)는, 천정부(21) 내에 위치한다. 분사부(53)는, 기체 유로부(51)에 접속되어 있다. 분사부(53)는, 기체 유로부(51)의 유로를 흐르는 고온 기체를 챔버(2) 내에 분사하는 분사구를 형성한다. 분사구는, 챔버(2) 내에 대해서 급기하는 통기구에 상당한다. 분사부(53)는, 천정부(21)의 내면에 있어서 개구를 형성하는 통 형상의 부재이다. 분사부(53)는, 천정부(21)에 위치한다.The gas passage portion 51 constitutes a passage through which high-temperature gas can pass. The gas passage portion 51 is mounted on the ceiling portion 21. The gas passage portion 51 is located within the ceiling portion 21. The injection unit 53 is connected to the gas flow passage unit 51. The injection unit 53 forms an injection port that injects the high-temperature gas flowing through the flow path of the gas flow passage portion 51 into the chamber 2. The injection port corresponds to a vent that supplies air to the chamber 2. The injection portion 53 is a cylindrical member that forms an opening on the inner surface of the ceiling portion 21. The injection unit 53 is located at the ceiling unit 21.

고온 기체 공급부(5)는, 기체 유로부(51)와 분사부(53)의 세트를 복수(본 예에서는, 5세트) 구비한다. 단, 고온 기체 공급부(5)는, 기체 유로부(51)와 분사부(53)의 세트를 1세트만 구비하고 있어도 된다.The high-temperature gas supply section 5 is provided with a plurality of sets (5 sets in this example) of the gas flow path section 51 and the injection section 53. However, the high-temperature gas supply section 5 may be provided with only one set of the gas passage section 51 and the injection section 53.

각 기체 유로부(51)의 상류측의 단부는, 천정부(21) 밖에 노출되어, 히터(55)에 연결되어 있다. 히터(55)는, 예를 들어, 인 라인 히터이다. 분사부(53)는, 기체 유로부(51)를 통해, 히터(55)에 접속되어 있다. 급기부(57)는, 히터(55)에 기체를 공급한다. 급기부(57)는, 예를 들어 팬을 갖는다. 히터(55)는, 급기부(57)로부터 공급된 기체를 가열한다. 히터(55)에 의해서 가열된 기체는, 각 기체 유로부(51)를 지나, 각 분사부(53)로부터 챔버(2)에 분사된다. 이로써, 챔버(2) 내의 온도가 상승하기 때문에, 챔버(2) 내에 수용된 기판(9)이 가열된다. 고온 기체 공급부(5)는, 가열부의 예이다.The upstream end of each gas passage portion 51 is exposed outside the ceiling 21 and is connected to the heater 55. The heater 55 is, for example, an in-line heater. The injection unit 53 is connected to the heater 55 through the gas flow passage unit 51. The air supply unit 57 supplies gas to the heater 55. The air supply section 57 has, for example, a fan. The heater 55 heats the gas supplied from the air supply unit 57. The gas heated by the heater 55 passes through each gas passage section 51 and is injected into the chamber 2 from each injection section 53. As a result, the temperature within the chamber 2 rises, so the substrate 9 accommodated within the chamber 2 is heated. The high-temperature gas supply unit 5 is an example of a heating unit.

각 분사부(53)는, 천정부(21)의 내면에 있어서, 균일하게 분산하여 배치되어 있어도 된다. 이로써, 고온 기체가 챔버(2) 내에 있어서 치우치는 것이 억제되기 때문에, 기판(9)의 가열 불균일이 억제된다.Each injection unit 53 may be arranged to be uniformly dispersed on the inner surface of the ceiling unit 21. This prevents the high-temperature gas from deviating within the chamber 2, thereby suppressing uneven heating of the substrate 9.

도 2에 도시한 바와 같이, 챔버(2)는, 챔버(2) 밖으로 연통하는 배기구(225)를 갖고 있어도 된다. 배기구(225)를 통해, 챔버(2) 내의 기체가 외부로 배출되어도 된다. 또, 배기구(225)는, 급기부(57)에 연통시켜도 된다. 이 경우, 배기구(225)를 통해 챔버(2) 내로부터 배출되는 기체를, 다시 챔버(2)로 되돌릴 수 있다.As shown in FIG. 2 , the chamber 2 may have an exhaust port 225 communicating outside the chamber 2 . The gas in the chamber 2 may be discharged to the outside through the exhaust port 225. Additionally, the exhaust port 225 may be connected to the air supply portion 57. In this case, the gas discharged from the chamber 2 through the exhaust port 225 can be returned to the chamber 2.

기판 처리 장치(1)에 있어서 기판(9)을 가열 처리하는 경우, 우선, 도어부(223)가 열림 위치로 이동함으로써 개구부(221)가 개방된다. 개구부(221)가 개방된 상태에서, 반송 기구의 아암(100)이 수평 자세로 지지한 기판(9)을, 챔버(2) 내에 삽입함과 더불어 핫 플레이트(4)의 상방에 배치한다. 핀 구동부(31)는, 각 지지 핀(3)을 상승시킴으로써, 기판(9)을 아암(100)으로부터 들어올린다. 그리고, 아암(100)은, 챔버(2) 밖으로 퇴피한다. 아암(100)이 퇴피하면, 핀 구동부(31)가, 각 지지 핀(3)을 하강시킴으로써, 기판(9)을 핫 플레이트(4)에 근접한 가열 위치에 배치한다. 기판(9)이 가열 위치에 배치된 상태에서, 핫 플레이트(4)를 승온시킨다. 그러면, 핫 플레이트(4)의 방사열에 의해서, 기판(9)이 가열된다. 또, 고온 기체 공급부(5)가 챔버(2) 내에 고온 기체를 공급한다. 이 고온 기체에 의해서, 기판(9)이 가열된다.When heat processing the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1, first, the door portion 223 is moved to the open position, thereby opening the opening portion 221. With the opening 221 open, the substrate 9 supported in a horizontal position by the arm 100 of the transfer mechanism is inserted into the chamber 2 and placed above the hot plate 4. The pin driver 31 lifts the substrate 9 from the arm 100 by raising each support pin 3. Then, the arm 100 retreats out of the chamber 2. When the arm 100 retracts, the pin driving unit 31 lowers each support pin 3 to place the substrate 9 at a heating position close to the hot plate 4. With the substrate 9 placed in the heating position, the temperature of the hot plate 4 is raised. Then, the substrate 9 is heated by the radiant heat of the hot plate 4. Additionally, the high-temperature gas supply unit 5 supplies high-temperature gas into the chamber 2. The substrate 9 is heated by this high-temperature gas.

도 4는, 챔버(2)의 일부를 도시한 단면도이다. 챔버(2)는, 코어층(25)과, 제1 섬유 강화 수지층(26)과, 제2 섬유 강화 수지층(27)을 갖는다.Figure 4 is a cross-sectional view showing a part of the chamber 2. The chamber 2 has a core layer 25, a first fiber-reinforced resin layer 26, and a second fiber-reinforced resin layer 27.

코어층(25)은, 예를 들어, 단열재를 포함한다. 단열재는, 예를 들어, 섬유계 단열재, 발포계 단열재, 에어로겔, 흄드 실리카, 진공 단열재이다. 섬유계 단열재는, 예를 들어, 유리 울, 암석 울, 셀룰로오스 파이버, 탄화코르크, 양모 단열재, 우드 파이버 등이다. 발포계 단열재는, 예를 들어, 우레탄 폼, 페놀 폼, 폴리스티렌 폼, 비즈법 폴리스티렌(EPS), 발포 고무(FEF), 압출법 폴리스티렌(XPS)이다. 에어로겔은, 예를 들어, 실리카 에어로겔, 카본 에어로겔, 알루미나 에어로겔이다.The core layer 25 includes, for example, an insulating material. Insulating materials include, for example, fiber-based insulating materials, foam-based insulating materials, airgel, fumed silica, and vacuum insulating materials. Fiber-based insulation materials include, for example, glass wool, rock wool, cellulose fiber, carbonized cork, wool insulation, wood fiber, etc. Foam-based insulating materials include, for example, urethane foam, phenolic foam, polystyrene foam, beaded polystyrene (EPS), foamed rubber (FEF), and extruded polystyrene (XPS). Airgels are, for example, silica airgel, carbon airgel, and alumina airgel.

제1 섬유 강화 수지층(26), 및, 제2 섬유 강화 수지층(27)은, 섬유 강화 수지(FRP：Fiber Reinforced Plastics)로 구성된다. 섬유 강화 수지는, 수지에 섬유를 복합하여 강도를 향상시킨 강화 수지이다. 섬유 강화 수지는, 시트 형상인 섬유 크로스에 수지를 함침시킴으로써 제작될 수 있다. 수지는, 열경화성 수지 또는 열가소성 수지이다. 열경화성 수지는, 예를 들어, 에폭시, 비닐 에스테르, 페놀, 불포화 폴리에스테르, 폴리이미드, 비스말레이미드이다. 열가소성 수지는, 예를 들어, 폴리올레핀, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르에테르케톤이다. 섬유는, 예를 들어, 유리 섬유, 탄소 섬유, 바솔트(basalt) 섬유, 보론 섬유, 아라미드 섬유, 폴리에틸렌 섬유, 폴리파라페닐렌벤조비스옥사졸 섬유이다.The first fiber reinforced resin layer 26 and the second fiber reinforced resin layer 27 are made of fiber reinforced resin (FRP: Fiber Reinforced Plastics). Fiber-reinforced resin is a reinforced resin whose strength is improved by combining fibers with a resin. Fiber-reinforced resin can be produced by impregnating sheet-shaped fiber cloth with resin. The resin is a thermosetting resin or thermoplastic resin. Thermosetting resins are, for example, epoxies, vinyl esters, phenols, unsaturated polyesters, polyimides, and bismaleimides. Thermoplastic resins include, for example, polyolefin, polyamide, polycarbonate, polyphenylene sulfide, and polyetheretherketone. Fibers are, for example, glass fibers, carbon fibers, basalt fibers, boron fibers, aramid fibers, polyethylene fibers, polyparaphenylenebenzobisoxazole fibers.

챔버(2)의 표면에 섬유 강화 수지를 이용함으로써, 챔버(2)의 강도 저하를 억제하면서, 챔버(2)의 경량화를 도모할 수 있다. 알루미늄이나 스테인리스강 등의 방열성이 비교적 높은 재료를, 섬유 강화 수지로 치환함으로써, 챔버(2)의 방열을 경감할 수 있다.By using fiber-reinforced resin on the surface of the chamber 2, it is possible to reduce the weight of the chamber 2 while suppressing a decrease in the strength of the chamber 2. By replacing materials with relatively high heat dissipation properties, such as aluminum or stainless steel, with fiber-reinforced resin, heat dissipation in the chamber 2 can be reduced.

제1 섬유 강화 수지층(26)은, 코어층(25)의 내측에 위치한다. 제2 섬유 강화 수지층(27)은, 코어층(25)의 외측에 위치한다. 즉, 챔버(2)의 천정부(21), 측벽부(22) 및 바닥부(23)는, 챔버(2)의 내측부터 외측을 향해 차례로, 제1 섬유 강화 수지층(26), 코어층(25), 제2 섬유 강화 수지층(27)을 갖는다. 이와 같이, 챔버(2)는, 표면이 섬유 강화 수지(제1 섬유 강화 수지층(26), 제2 섬유 강화 수지층(27))로 덮인 단열재(코어층(25))로 구성되어 있다.The first fiber-reinforced resin layer 26 is located inside the core layer 25. The second fiber-reinforced resin layer 27 is located outside the core layer 25. That is, the ceiling part 21, the side wall part 22, and the bottom part 23 of the chamber 2 are sequentially formed from the inside to the outside of the chamber 2, the first fiber reinforced resin layer 26, the core layer ( 25), and has a second fiber-reinforced resin layer (27). In this way, the chamber 2 is comprised of a heat insulating material (core layer 25) whose surface is covered with fiber-reinforced resin (the first fiber-reinforced resin layer 26, the second fiber-reinforced resin layer 27).

＜제1 섬유 강화 수지층＞＜First fiber-reinforced resin layer＞

제1 섬유 강화 수지층(26)은, 제1 내부층(261)과, 제1 표면층(263)을 갖는다. 제1 내부층(261)은, 코어층(25)보다 내측에 위치한다. 제1 내부층(261)은, 코어층(25)의 내면을 덮는다. 제1 표면층(263)은, 제1 내부층(261)보다 내측에 위치한다. 제1 표면층(263)은, 제1 내부층(261)의 내면을 덮는다. 제1 표면층(263)은, 챔버(2)의 내면이다. 즉, 제1 표면층(263)은, 챔버(2)가 형성하는 처리 공간에 면하는 코어층(25)(단열재)의 표면을 덮고 있다. 제1 표면층(263)은, 챔버(2)가 형성하는 처리 공간에 노출되는 코어층(25)(단열재)의 표면을 구성한다. 제1 내부층(261) 및 제1 표면층(263)은, 서로 상이한 종류의 섬유 강화 수지로 구성되어 있다. 즉, 챔버(2)의 내측의 표면은, 두께 방향으로 적층된 복수 종류의 섬유 강화 수지로 구성되어 있다.The first fiber-reinforced resin layer 26 has a first internal layer 261 and a first surface layer 263. The first internal layer 261 is located inside the core layer 25. The first inner layer 261 covers the inner surface of the core layer 25. The first surface layer 263 is located inside the first internal layer 261. The first surface layer 263 covers the inner surface of the first internal layer 261. The first surface layer 263 is the inner surface of the chamber 2. That is, the first surface layer 263 covers the surface of the core layer 25 (insulating material) facing the processing space formed by the chamber 2. The first surface layer 263 constitutes the surface of the core layer 25 (insulating material) exposed to the processing space formed by the chamber 2. The first inner layer 261 and the first surface layer 263 are composed of different types of fiber-reinforced resin. That is, the inner surface of the chamber 2 is composed of multiple types of fiber-reinforced resins laminated in the thickness direction.

＜제2 섬유 강화 수지층＞＜Second fiber reinforced resin layer＞

제2 섬유 강화 수지층(27)은, 제2 내부층(271)과, 제2 표면층(273)을 갖는다. 제2 내부층(271)은, 코어층(25)보다 외측에 위치한다. 제2 내부층(271)은, 코어층(25)의 외면을 덮는다. 제2 표면층(273)은, 제2 내부층(271)보다 외측에 위치한다. 제2 표면층(273)은, 제2 내부층(271)의 외면을 덮는다. 제2 표면층(273)은, 챔버(2)의 외면이다. 제2 내부층(271) 및 제2 표면층(273)은, 서로 상이한 종류의 섬유 강화 수지로 구성되어 있다. 즉, 챔버(2)의 외측의 표면은, 두께 방향으로 적층된 복수 종류의 섬유 강화 수지로 구성되어 있다.The second fiber-reinforced resin layer 27 has a second internal layer 271 and a second surface layer 273. The second inner layer 271 is located outside the core layer 25. The second inner layer 271 covers the outer surface of the core layer 25. The second surface layer 273 is located outside the second inner layer 271. The second surface layer 273 covers the outer surface of the second internal layer 271. The second surface layer 273 is the outer surface of the chamber 2. The second inner layer 271 and the second surface layer 273 are composed of different types of fiber-reinforced resin. That is, the outer surface of the chamber 2 is composed of multiple types of fiber-reinforced resins laminated in the thickness direction.

가열 처리시에는, 제1 섬유 강화 수지층(26)은, 제2 섬유 강화 수지층(27)에 비해서, 고온에 노출된다. 이로 인해, 제1 섬유 강화 수지층(26)은, 제2 섬유 강화 수지층(27)의 섬유 강화 수지에 비해서, 열팽창율이 낮은 섬유 강화 수지로 구성되어 있어도 된다. 고온에 노출되는 제1 섬유 강화 수지층(26)을 열팽창율이 낮은 섬유 강화 수지로 구성함으로써, 가열 처리에 의한 챔버(2)의 변형이 억제된다.During heat treatment, the first fiber-reinforced resin layer 26 is exposed to a higher temperature than the second fiber-reinforced resin layer 27. For this reason, the first fiber-reinforced resin layer 26 may be comprised of fiber-reinforced resin with a lower coefficient of thermal expansion compared to the fiber-reinforced resin of the second fiber-reinforced resin layer 27. By constructing the first fiber-reinforced resin layer 26 exposed to high temperatures from a fiber-reinforced resin with a low coefficient of thermal expansion, deformation of the chamber 2 due to heat treatment is suppressed.

제1 내부층(261) 및 제1 표면층(263) 각각에 이용되는 수지는, 상이해도 된다. 제1 표면층(263)이, 제1 내부층(261)이 갖는 수지에 비해서, 내약품성의 그레이드가 높은 수지(내약품성 수지)를 포함하고 있어도 된다. 내약품성 수지는, 예를 들어, 페놀, 불포화 폴리에스테르, 폴리페닐렌술피드이다. 제1 내부층(261)이, 제1 표면층(263)이 갖는 수지에 비해서, 내연성의 그레이드가 높은 수지(난연성 수지)를 포함하고 있어도 된다. 난연성 수지는, 예를 들어, 페놀이다. 또, 제1 내부층(261)이, 제1 표면층(263)의 수지에 비해서, 내열성의 그레이드가 높은 수지(내열성 수지)를 포함하고 있어도 된다. 내열성 수지는, 예를 들어, 폴리이미드, 비스말레이미드, 폴리아미드, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르에테르케톤이다. 챔버(2)의 표면을, 내성이 상이한 수지를 포함하는 복수 종류의 섬유 강화 수지로 구성함으로써, 챔버(2)의 표면에 상이한 종류의 내성(특성)을 갖게 할 수 있다.The resins used for each of the first internal layer 261 and the first surface layer 263 may be different. The first surface layer 263 may contain a resin (chemical-resistant resin) with a higher grade of chemical resistance than the resin of the first internal layer 261. Chemical-resistant resins include, for example, phenol, unsaturated polyester, and polyphenylene sulfide. The first internal layer 261 may contain a resin (flame retardant resin) with a higher flame resistance grade than the resin of the first surface layer 263. The flame retardant resin is, for example, phenol. Additionally, the first internal layer 261 may contain a resin (heat-resistant resin) with a higher heat resistance grade than the resin of the first surface layer 263. Heat-resistant resins include, for example, polyimide, bismaleimide, polyamide, polyphenylene sulfide, and polyether ether ketone. By configuring the surface of the chamber 2 with a plurality of types of fiber-reinforced resin containing resins with different tolerances, the surface of the chamber 2 can be given different types of resistance (properties).

제1 표면층(263)은, 제1 내부층(261)의 섬유 강화 수지에 비해서, 화장성의 그레이드를 높게 해도 된다. 제2 표면층(273)은, 제2 내부층(271)의 섬유 강화 수지에 비해서 화장성의 그레이드가 높은 섬유 강화 수지로 구성되어 있어도 된다. 제1 표면층(263) 및 제2 표면층(273)의 화장성의 그레이드를 높게 함으로써, 챔버(2)로부터 분진이 발생하는 것을 억제할 수 있다.The first surface layer 263 may have a higher cosmetic grade compared to the fiber-reinforced resin of the first inner layer 261. The second surface layer 273 may be composed of a fiber-reinforced resin with a higher cosmetic grade than the fiber-reinforced resin of the second inner layer 271. By increasing the cosmetic grade of the first surface layer 263 and the second surface layer 273, dust generation from the chamber 2 can be suppressed.

제1 표면층(263)은, 예를 들어, 내약품성 수지를 바솔트 섬유로 강화한 섬유 강화 수지이다. 제1 내부층(261)은, 예를 들어, 난연성 수지를 유리 섬유로 강화한 섬유 강화 수지이다. 제2 표면층(273)은, 예를 들어, 내약품성 수지를 유리 섬유로 강화한 섬유 강화 수지이다. 제2 내부층(271)은, 예를 들어, 난연성 수지를 카본 섬유로 강화한 섬유 강화 수지이다.The first surface layer 263 is, for example, a fiber-reinforced resin in which a chemical-resistant resin is reinforced with base salt fibers. The first inner layer 261 is, for example, a fiber-reinforced resin in which a flame-retardant resin is reinforced with glass fiber. The second surface layer 273 is, for example, a fiber-reinforced resin in which a chemical-resistant resin is reinforced with glass fiber. The second inner layer 271 is, for example, a fiber-reinforced resin obtained by reinforcing a flame-retardant resin with carbon fiber.

제1 표면층(263)을, 제1 내부층(261)보다 얇게 해도 된다. 또, 제2 표면층(273)을, 제2 내부층(271)보다 얇게 해도 된다. 제1 표면층(263) 또는 제2 표면층(273)을 얇게 함으로써, 챔버(2)의 재료비를 억제할 수 있다.The first surface layer 263 may be thinner than the first internal layer 261. Additionally, the second surface layer 273 may be thinner than the second internal layer 271. By making the first surface layer 263 or the second surface layer 273 thin, the material cost of the chamber 2 can be suppressed.

코어층(25)은, 제1 섬유 강화 수지층(26) 및 제2 섬유 강화 수지층(27)으로 덮여 있다. 즉, 단열재가 섬유 강화층으로 덮여 있다. 이로써, 단열재가 발진하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 단열재의 분진에 의한 기판 처리 장치(1)의 오염이 억제된다. 코어층(25)의 외표면 전부는, 섬유 강화 수지의 층으로 덮여 있어도 된다. 즉, 코어층(25) 중, 양측의 주면 만이 아닌, 양측의 주면을 제외한 측면도, 섬유 강화 수지의 층으로 덮여 있어도 된다. 이 경우, 코어층(25)의 표면 일부를 섬유 강화 수지의 층으로 덮는 경우에 비해서, 코어층(25)에 포함되는 단열재의 발진을 억제할 수 있다.The core layer 25 is covered with the first fiber-reinforced resin layer 26 and the second fiber-reinforced resin layer 27. That is, the insulation is covered with a fiber-reinforced layer. Thereby, it is possible to suppress the insulation material from oscillating. Accordingly, contamination of the substrate processing apparatus 1 due to dust from the insulating material is suppressed. The entire outer surface of the core layer 25 may be covered with a layer of fiber-reinforced resin. That is, among the core layer 25, not only the main surfaces on both sides but also the side surfaces excluding the main surfaces on both sides may be covered with a layer of fiber-reinforced resin. In this case, compared to the case where part of the surface of the core layer 25 is covered with a layer of fiber-reinforced resin, dust generation of the insulating material included in the core layer 25 can be suppressed.

챔버(2)의 일부(예를 들어, 천정부(21), 측벽부(22) 또는 바닥부(23))는, 교환 가능하게 구성되어 있어도 된다. 기판 처리 장치(1)가 클린룸 내에 설치되어 있는 경우, 예를 들어, 챔버(2)의 일부인 천정부(21)를 교환하기 위해, 클린룸 내에 천정부(21)만을 반입하는 것이 상정된다. 이 경우에 있어서, 천정부(21)를, 단열재를 포함하는 코어층(25)의 외표면 전부가 섬유 강화 수지의 층으로 덮인 단열 부재로 함으로써, 발진에 의한 클린룸 내의 오염을 억제할 수 있다.A part of the chamber 2 (for example, the ceiling 21, the side wall 22, or the bottom 23) may be configured to be exchangeable. When the substrate processing apparatus 1 is installed in a clean room, for example, in order to replace the ceiling 21, which is a part of the chamber 2, it is assumed that only the ceiling 21 is brought into the clean room. In this case, by making the ceiling part 21 an insulating member whose entire outer surface of the core layer 25 containing an insulating material is covered with a layer of fiber-reinforced resin, contamination in the clean room due to dust generation can be suppressed.

챔버(2)가 단열재를 가짐으로써, 핫 플레이트(4)의 열, 및, 고온 기체 공급부(5)가 공급하는 기체의 열이 챔버(2) 밖으로 확산하는 것을 억제할 수 있다.Since the chamber 2 has an insulating material, the heat of the hot plate 4 and the heat of the gas supplied by the high-temperature gas supply unit 5 can be suppressed from diffusing out of the chamber 2.

도 5는, 기체 유로부(51)가 장착된 천정부(21)를 도시한 단면도이다. 기체 유로부(51)는, 코어층(25)에 배치되어 있어도 된다. 즉, 기체 유로부(51)는, 제1 섬유 강화 수지층(26)과 제2 섬유 강화 수지층(27) 사이에 배치되어 있어도 된다. 각 기체 유로부(51)는, 예를 들어, 코어층(25)의 내측의 면에 미리 설치된 복수의 수용홈(251)에 각각 배치되어도 된다(도 4 및 도 5 참조). 복수의 수용홈(251)은, 미리, 코어층(25)(본 예에서는, 방열재)에 있어서의 한쪽의 주면에 설치된, 오목 형상의 부분이다. 한쪽의 주면은, 예를 들어, 제1 섬유 강화 수지층(26)으로 덮이는 면이다.Figure 5 is a cross-sectional view showing the ceiling part 21 on which the gas passage part 51 is mounted. The gas passage portion 51 may be disposed in the core layer 25. That is, the gas flow path portion 51 may be disposed between the first fiber-reinforced resin layer 26 and the second fiber-reinforced resin layer 27. For example, each gas flow path portion 51 may be disposed in a plurality of receiving grooves 251 previously provided on the inner surface of the core layer 25 (see FIGS. 4 and 5). The plurality of receiving grooves 251 are concave-shaped portions provided in advance on one main surface of the core layer 25 (heat radiation material in this example). One main surface is, for example, a surface covered with the first fiber-reinforced resin layer 26.

수용홈(251) 내에 기체 유로부(51)를 수용하는 경우, 예를 들어, 수용홈(251) 내에 기체 유로부(51)와 분사부(53)가 설치된 상태에서, 코어층(25)의 한쪽의 주면에, 제1 내부층(261)이 형성되어도 된다. 제1 내부층(261)은, 예를 들어, 몰드 성형에 의해서 형성된다. 구체적으로는, 코어층(25)과, 제1 내부층(261)을 형성하기 위한 섬유 크로스가, 도시하지 않은 몰드 내에 겹추어 배치된다. 그리고, 몰드 내에 제1 내부층(261)을 형성하기 위한 수지가 흘려 넣어짐으로써, 수지가 섬유 크로스에 함침한다. 그 후, 수지를 경화시킴으로써, 코어층(25)의 한쪽의 주면에 제1 내부층(261)이 형성된다. 제1 내부층(261)을 형성할 때, 수지를 코어층(25)의 수용홈(251) 내에 진입시켜도 된다. 이 경우, 도 5에 도시한 바와 같이, 수용홈(251)의 내면과 기체 유로부(51)의 외면의 간극이 수지로 메워짐으로써, 기체 유로부(51)가 수용홈(251) 내에서 고정된다. 제1 내부층(261)이 형성된 후, 제1 표면층(263)이 형성된다. 제2 섬유 강화 수지층(27)에 대해서도, 제1 섬유 강화 수지층(26)과 동일하게, 코어층(25)에 있어서의 다른 쪽의 주면에 형성 가능하다.When the gas passage portion 51 is accommodated in the receiving groove 251, for example, with the gas passage portion 51 and the injection portion 53 installed in the receiving groove 251, the core layer 25 A first internal layer 261 may be formed on one main surface. The first inner layer 261 is formed by, for example, mold forming. Specifically, the core layer 25 and the fiber cross for forming the first inner layer 261 are placed overlapping in a mold (not shown). Then, the resin for forming the first inner layer 261 is poured into the mold, thereby impregnating the resin into the fiber cloth. Thereafter, the first internal layer 261 is formed on one main surface of the core layer 25 by curing the resin. When forming the first inner layer 261, resin may be introduced into the receiving groove 251 of the core layer 25. In this case, as shown in FIG. 5, the gap between the inner surface of the receiving groove 251 and the outer surface of the gas flow path portion 51 is filled with resin, so that the gas flow path portion 51 is within the receiving groove 251. It is fixed. After the first internal layer 261 is formed, the first surface layer 263 is formed. The second fiber-reinforced resin layer 27 can also be formed on the other main surface of the core layer 25 in the same way as the first fiber-reinforced resin layer 26.

기체 유로부(51)가 단열재를 포함하는 코어층(25) 내에 장착되어 있음으로써, 기체 유로부(51) 내에 있어서의 고온 기체의 온도 저하가 억제된다.Since the gas flow passage portion 51 is mounted within the core layer 25 containing a heat insulating material, a temperature decrease of the high-temperature gas within the gas passage portion 51 is suppressed.

또한, 기판 처리 장치(1)는, 챔버(2) 내에, 처리액의 미스트, 또는, 처리액의 증기(흄(hume))를 공급하는 공급부가 설치되어도 된다. 이 경우, 챔버(2) 밖에, 처리액을 저류하는 탱크, 및, 탱크로부터의 처리액을 가열하는 가열부 등이 설치되어도 된다. 또, 탱크로부터의 처리액을 통과시키는 유로부가, 기체 유로부(51)와 동일하게, 코어층(25) 내에 장착되어 있어도 된다.Additionally, the substrate processing apparatus 1 may be provided with a supply unit that supplies mist of the processing liquid or vapor (hume) of the processing liquid in the chamber 2 . In this case, a tank for storing the processing liquid and a heating unit for heating the processing liquid from the tank may be installed outside the chamber 2. Additionally, the flow path portion through which the processing liquid from the tank passes may be installed in the core layer 25 in the same manner as the gas flow path portion 51.

＜2. 제2 실시 형태＞＜2. Second embodiment>

다음으로, 제2 실시 형태에 대해 설명한다. 또한, 이후의 설명에 있어서, 이미 설명한 요소와 동일한 기능을 갖는 요소에 대해서는, 같은 부호 또는 알파벳 문자를 추가한 부호를 붙여, 상세한 설명을 생략하는 경우가 있다.Next, the second embodiment will be described. In addition, in the following description, elements having the same function as elements already described may be given the same symbol or a symbol with an alphabet character added thereto, and detailed description may be omitted.

도 6은, 제2 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1A)를 도시한 개략도이다. 기판 처리 장치(1A)는, 감압에 의해 기판(9)을 건조시키는 감압 건조 장치이다. 기판 처리 장치(1A)는, 챔버(2A)와, 복수의 지지 핀(3)과, 감압부(61)와, 급기부(57)를 갖는다.FIG. 6 is a schematic diagram showing a substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment. The substrate processing device 1A is a reduced-pressure drying device that dries the substrate 9 by reduced pressure. The substrate processing apparatus 1A has a chamber 2A, a plurality of support pins 3, a pressure reducing unit 61, and an air supply unit 57.

챔버(2A)는, 기판(9)을 처리하기 위한 처리 공간을 형성하고 있다. 복수의 지지 핀(3)은, 챔버(2A) 내에서, 기판(9)을 수평 자세로 지지한다. 챔버(2A)는, 처리 공간에 급기하기 위한 통기구(224) 및 처리 공간으로부터 배기하기 위한 배기구(225)를 갖는다. 배기구(225)는 감압부(61)에 접속되어 있다. 통기구(224)는, 급기부(57)에 접속되어 있다.The chamber 2A forms a processing space for processing the substrate 9. The plurality of support pins 3 support the substrate 9 in a horizontal position within the chamber 2A. The chamber 2A has a vent 224 for supplying air into the processing space and an exhaust port 225 for exhausting air from the processing space. The exhaust port 225 is connected to the pressure reducing unit 61. The vent 224 is connected to the air supply unit 57 .

감압부(61)는, 배기구(225)를 통해 챔버(2A) 내로부터 기체를 배출시키기 위한 음압을 발생시킨다. 감압부(61)는, 예를 들어, 진공 펌프를 갖는다. 급기부(57)는, 통기구(224)를 통해 챔버(2A) 내에 기체를 공급한다. 급기부(57)는, 예를 들어, 팬을 갖는다. 또, 급기부(57)는, 통기구(224)를 외기에 연통시키는 상태와, 외기로부터 차단하는 상태로 전환하는 전환 밸브를 갖고 있어도 된다.The pressure reducing unit 61 generates negative pressure for discharging gas from within the chamber 2A through the exhaust port 225. The pressure reducing unit 61 has, for example, a vacuum pump. The air supply unit 57 supplies gas into the chamber 2A through the vent 224. The air supply section 57 has, for example, a fan. In addition, the air supply unit 57 may have a switching valve that switches between a state in which the ventilation hole 224 communicates with the outside air and a state in which the vent hole 224 is blocked from the outside air.

챔버(2A)를 감압하는 경우에는, 급기부(57)가 급기를 정지시킨 상태에서, 감압부(61)가 챔버(2A) 내에 기체를 배출한다. 또, 챔버(2A) 내의 압력을 대기압으로 되돌리는 경우에는, 감압부(61)가 배기를 정지시킨 상태에서, 급기부(57)가 급기한다.When depressurizing the chamber 2A, the decompression section 61 discharges gas into the chamber 2A while the air supply section 57 stops supplying air. Additionally, when returning the pressure in the chamber 2A to atmospheric pressure, the air supply unit 57 supplies air while the pressure reduction unit 61 stops exhausting the air.

챔버(2A)는, 제1 실시 형태의 챔버(2)와 동일하게, 표면이 섬유 강화 수지로 덮인 단열재로 구성되어 있다. 이로 인해, 챔버(2A)의 내측과 외측을 단열할 수 있기 때문에, 챔버(2A) 주변의 온도가, 챔버(2A) 내에 있어서의 기판(9)의 처리(감압 건조 처리)에 영향을 주는 것이 억제된다. 또, 단열재의 표면이 섬유 강화 수지로 덮여 있다. 이로 인해, 챔버(2A) 내에서 급배기, 또는, 감압 및 승압이 행해졌다고 하더라도, 단열재의 발진이 억제되기 때문에, 기판(9)이 단열재의 분진으로 오염되는 것을 억제할 수 있다.Chamber 2A is comprised of an insulating material whose surface is covered with fiber-reinforced resin, similarly to the chamber 2 of the first embodiment. Because of this, since the inside and outside of the chamber 2A can be insulated, the temperature around the chamber 2A does not affect the processing (reduced pressure drying process) of the substrate 9 in the chamber 2A. It is suppressed. Additionally, the surface of the insulating material is covered with fiber-reinforced resin. For this reason, even if supply/exhaust or pressure reduction/increase is performed within the chamber 2A, dust generation from the insulating material is suppressed, and contamination of the substrate 9 with dust from the insulating material can be suppressed.

기판 처리 장치(1A)는, 핫 플레이트(4) 등의 가열부를 챔버(2A) 내에 구비하고 있어도 된다. 기판 처리 장치(1A)는, 가열부에 의해서 감압 중에 기판(9)을 가열해도 된다.The substrate processing apparatus 1A may include a heating unit such as a hot plate 4 in the chamber 2A. The substrate processing apparatus 1A may heat the substrate 9 during reduced pressure using a heating unit.

＜3. 변형예＞＜3. Modification example>

이상, 실시 형태에 대해 설명했는데, 본 발명은 상기와 같은 것에 한정되는 것이 아니고, 여러가지 변형이 가능하다.The embodiments have been described above, but the present invention is not limited to the above, and various modifications are possible.

핀 구동부(31)는, 각 지지 핀(3)의 상단을 핫 플레이트(4)의 상면보다 하측으로 이동시킴으로써, 기판(9)을 핫 플레이트(4)에 재치해도 된다. 그리고, 기판(9)이 핫 플레이트(4)에 지지된 상태에서, 기판(9)이 가열되어도 된다. 이 경우, 핫 플레이트(4)가, 기판 지지부로서 기능한다.The pin driver 31 may place the substrate 9 on the hot plate 4 by moving the upper end of each support pin 3 lower than the upper surface of the hot plate 4 . Additionally, the substrate 9 may be heated while the substrate 9 is supported on the hot plate 4. In this case, the hot plate 4 functions as a substrate support part.

기판 지지부는, 기판(9)의 주연부를 유지하는 지지구여도 된다.The substrate support portion may be a support member that holds the peripheral portion of the substrate 9.

기체 유로부(51)는, 천정부(21)에 장착되어 있는데, 측벽부(22)에 장착되어도 된다.The gas flow path portion 51 is mounted on the ceiling portion 21, but may be mounted on the side wall portion 22.

제1 섬유 강화 수지층(26)은, 2개의 층(제1 내부층(261) 및 제1 표면층(263))으로 구성되어 있는데, 단일의 층, 또는, 3개 이상의 층으로 구성되어 있어도 된다. 제2 섬유 강화 수지층(27)에 대해서도 동일하다.The first fiber-reinforced resin layer 26 is composed of two layers (the first inner layer 261 and the first surface layer 263), but may be composed of a single layer or three or more layers. . The same applies to the second fiber-reinforced resin layer 27.

제1 섬유 강화 수지층(26) 및 제2 섬유 강화 수지층(27)은, 같은 섬유 강화 수지로 구성되어 있어도 된다.The first fiber-reinforced resin layer 26 and the second fiber-reinforced resin layer 27 may be comprised of the same fiber-reinforced resin.

챔버(2)에 있어서의 하나의 면이, 상이한 종류의 섬유 강화 수지로 구성되어도 된다. 예를 들어, 1개의 제1 내부층(261)에 있어서, 일부의 개소와, 그 이외의 개소가, 각각 서로 상이한 종류의 섬유 강화 수지로 구성되어도 된다.One side of the chamber 2 may be composed of different types of fiber-reinforced resin. For example, in one first internal layer 261, some locations and other locations may be composed of different types of fiber-reinforced resin.

기판 처리 장치(1)는, 동시에 복수의 기판(9)을 가열 처리할 수 있도록 구성되어도 된다. 기판 처리 장치(1)는, 챔버(2) 내에 복수의 기판(9)을 동시에 지지 가능한 기판 지지부를 구비하고 있어도 된다.The substrate processing apparatus 1 may be configured to heat process a plurality of substrates 9 at the same time. The substrate processing apparatus 1 may be provided with a substrate support portion capable of simultaneously supporting a plurality of substrates 9 within the chamber 2 .

기판 처리 장치(1)가, 가열부로서 핫 플레이트(4)와 고온 기체 공급부(5)의 양쪽 모두를 구비하는 것은 필수는 아니다. 기판 처리 장치(1)는, 핫 플레이트(4) 또는 고온 기체 공급부(5) 중 어느 한쪽만을 구비해도 된다. 또, 기판 처리 장치(1)는, 핫 플레이트(4) 및 고온 기체 공급부(5)와는 상이한 방법으로 기판(9)을 가열하는 구성(예를 들어, 램프 등)을 구비하고 있어도 된다.It is not essential that the substrate processing apparatus 1 includes both a hot plate 4 and a high-temperature gas supply unit 5 as heating units. The substrate processing apparatus 1 may be provided with only either a hot plate 4 or a high-temperature gas supply unit 5. Additionally, the substrate processing apparatus 1 may be provided with a configuration (for example, a lamp, etc.) that heats the substrate 9 in a method different from the hot plate 4 and the high-temperature gas supply unit 5.

기판 처리 장치(1)의 챔버(2) 내에, 처리액의 미스트, 또는, 처리액의 증기(흄)를 공급하는 공급부가 설치되어도 된다. 이 경우, 챔버(2) 밖에, 처리액을 저류하는 탱크, 및, 탱크로부터의 처리액을 가열하는 가열부 등이 설치되어도 된다. 또, 탱크로부터의 처리액을 통과시키는 유로부가, 기체 유로부(51)와 동일하게, 코어층(25) 내에 장착되어 있어도 된다.A supply unit that supplies mist of the processing liquid or vapor (fume) of the processing liquid may be installed in the chamber 2 of the substrate processing apparatus 1. In this case, a tank for storing the processing liquid and a heating unit for heating the processing liquid from the tank may be installed outside the chamber 2. Additionally, the flow path portion through which the processing liquid from the tank passes may be installed in the core layer 25 in the same manner as the gas flow path portion 51.

이 발명은 상세하게 설명되었으나, 상기의 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시이며, 이 발명이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 이 발명의 범위로부터 벗어나는 일 없이 상정될 수 있는 것이라고 해석된다. 상기 각 실시 형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적당히 조합하거나, 생략할 수 있다.Although this invention has been described in detail, the above description is, in all respects, illustrative and does not limit the invention thereto. It is construed that countless modifications not illustrated may be contemplated without departing from the scope of this invention. Each configuration described in each of the above-mentioned embodiments and each modification can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

1, 1A: 기판 처리 장치 2, 2A: 챔버
3: 지지 핀 4: 핫 플레이트
5: 고온 기체 공급부 9: 기판
21: 천정부 22: 측벽부
25: 코어층 26: 제1 섬유 강화 수지층
27: 제2 섬유 강화 수지층 51: 기체 유로부
53: 분사부 55: 히터
57: 급기부 61: 감압부
224: 통기구 225: 배기구
261: 제1 내부층 263: 제1 표면층
271: 제2 내부층 273: 제2 표면층1, 1A: substrate processing device 2, 2A: chamber
3: Support pin 4: Hot plate
5: high temperature gas supply section 9: substrate
21: ceiling part 22: side wall part
25: Core layer 26: First fiber reinforced resin layer
27: Second fiber reinforced resin layer 51: Gas flow path part
53: spray unit 55: heater
57: air supply section 61: pressure reduction section
224: vent 225: exhaust port
261: first inner layer 263: first surface layer
271: second inner layer 273: second surface layer

Claims (23)

기판 처리 장치로서,
챔버와,
상기 챔버 내에 있어서 기판을 지지하는 기판 지지부와,
상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판을 가열하는 가열부를 구비하고,
상기 챔버의 표면의 적어도 일부가, 섬유 강화 수지로 구성되고,
상기 챔버는,
단열재를 포함하는 코어층과,
상기 코어층을 덮는 층으로서, 섬유 강화 수지를 포함하는 섬유 강화 수지층을 갖고,
상기 챔버는,
상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 주면에 대향하는 천정부와,
상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 측면을 둘러싸는 측벽부를 갖고,
상기 가열부는,
상기 천정부 내 또는 상기 측벽부 내에 위치하고, 고온 기체가 통과 가능한 유로를 구성하는 기체 유로부와,
상기 기체 유로부에 접속되고, 상기 유로를 통과하는 고온 기체를 상기 챔버 내에 분사하는 분사부를 갖는, 기판 처리 장치.A substrate processing device, comprising:
With chamber,
a substrate support portion supporting the substrate within the chamber;
A heating unit configured to heat the substrate supported on the substrate support unit,
At least a portion of the surface of the chamber is composed of fiber-reinforced resin,
The chamber is,
A core layer containing an insulating material,
As a layer covering the core layer, it has a fiber-reinforced resin layer containing a fiber-reinforced resin,
The chamber is,
a ceiling portion facing the main surface of the substrate supported on the substrate support portion;
It has a side wall portion surrounding a side of the substrate supported on the substrate support,
The heating unit,
A gas flow path part located within the ceiling or within the side wall part and forming a flow path through which high-temperature gas can pass,
A substrate processing apparatus connected to the gas flow path and having a spraying unit that sprays high-temperature gas passing through the flow path into the chamber. 기판 처리 장치로서,
챔버와,
상기 챔버 내에 있어서 기판을 지지하는 기판 지지부와,
상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판을 가열하는 가열부를 구비하고,
상기 챔버의 표면의 적어도 일부가, 섬유 강화 수지로 구성되고,
상기 챔버는,
제1 섬유 강화 수지로 구성되는 제1 표면과,
상기 제1 섬유 강화 수지와는 상이한 제2 섬유 강화 수지로 구성되는 제2 표면을 갖는, 기판 처리 장치.A substrate processing device, comprising:
With chamber,
a substrate support portion supporting the substrate within the chamber;
A heating unit configured to heat the substrate supported on the substrate support unit,
At least a portion of the surface of the chamber is composed of fiber-reinforced resin,
The chamber is,
a first surface composed of a first fiber-reinforced resin;
A substrate processing apparatus having a second surface composed of a second fiber-reinforced resin different from the first fiber-reinforced resin. 기판 처리 장치로서,
챔버와,
상기 챔버 내에 있어서 기판을 지지하는 기판 지지부와,
상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판을 가열하는 가열부를 구비하고,
상기 챔버의 표면의 적어도 일부가, 적층된 복수의 섬유 강화 수지 층으로 구성되고,
상기 챔버의 표면의 적어도 일부가, 적층된 상이한 종류의 섬유 강화 수지로 구성되어 있는, 기판 처리 장치.A substrate processing device, comprising:
With chamber,
a substrate support portion supporting the substrate within the chamber;
A heating unit configured to heat the substrate supported on the substrate support unit,
At least a portion of the surface of the chamber is composed of a plurality of laminated fiber reinforced resin layers,
A substrate processing apparatus, wherein at least a portion of the surface of the chamber is composed of different types of fiber-reinforced resins laminated. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 챔버는,
단열재를 포함하는 코어층과,
상기 코어층을 덮는 층으로서, 섬유 강화 수지를 포함하는 섬유 강화 수지층을 갖는, 기판 처리 장치.In claim 2 or claim 3,
The chamber is,
A core layer containing an insulating material,
A substrate processing apparatus having a fiber-reinforced resin layer containing a fiber-reinforced resin as a layer covering the core layer. 청구항 1에 있어서,
상기 천정부의 표면이, 섬유 강화 수지로 구성되어 있는, 기판 처리 장치.In claim 1,
A substrate processing device wherein the surface of the ceiling is made of fiber-reinforced resin. 청구항 1 또는 청구항 5에 있어서,
상기 측벽부의 표면이, 섬유 강화 수지로 구성되어 있는, 기판 처리 장치.In claim 1 or claim 5,
A substrate processing device wherein the surface of the side wall portion is made of fiber-reinforced resin. 청구항 1에 있어서,
상기 기체 유로부는, 상기 코어층 내에 위치하고, 또한, 섬유 강화 수지층으로 덮여 있는, 기판 처리 장치.In claim 1,
The substrate processing device, wherein the gas flow path portion is located within the core layer and is covered with a fiber-reinforced resin layer. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 가열부는, 상기 챔버 내에 위치함과 더불어, 상기 기판을 가열하는 핫 플레이트를 갖는, 기판 처리 장치.In claim 1 or claim 2,
A substrate processing apparatus, wherein the heating unit is located within the chamber and has a hot plate for heating the substrate. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하기 위한 처리 공간을 형성하고 있고, 상기 처리 공간에 급기하기 위한 통기구 및 상기 처리 공간으로부터 배기하기 위한 배기구를 갖는 챔버와,
상기 챔버 내에 있어서 기판을 지지하는 기판 지지부와,
상기 배기구를 통해서 배기함으로써, 상기 챔버 내를 감압하는 감압부를 구비하며,
상기 챔버는,
상기 처리 공간에 면하는 표면을 갖고, 상기 표면이 섬유 강화 수지로 덮여 있는 단열재를 갖고,
상기 단열재가,
제1 섬유 강화 수지로 덮여 있는 제1 표면과,
상기 제1 섬유 강화 수지와는 상이한 제2 섬유 강화 수지로 덮여 있는 제2 표면을 갖는, 기판 처리 장치.A substrate processing device, comprising:
a chamber forming a processing space for processing a substrate, and having a vent for supplying air to the processing space and an exhaust port for exhausting air from the processing space;
a substrate support portion supporting the substrate within the chamber;
and a pressure reducing unit that reduces the pressure in the chamber by exhausting air through the exhaust port,
The chamber is,
An insulating material having a surface facing the processing space, the surface being covered with a fiber-reinforced resin,
The insulation material is
a first surface covered with a first fiber-reinforced resin;
A substrate processing apparatus having a second surface covered with a second fiber-reinforced resin that is different from the first fiber-reinforced resin. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하기 위한 처리 공간을 형성하고 있고, 상기 처리 공간에 급기하기 위한 통기구 및 상기 처리 공간으로부터 배기하기 위한 배기구를 갖는 챔버와,
상기 챔버 내에 있어서 기판을 지지하는 기판 지지부와,
상기 기판 지지부에 의해 지지된 기판을 가열하는 가열부를 구비하고,
상기 챔버는,
상기 처리 공간에 면하는 표면을 갖고, 상기 표면이 섬유 강화 수지로 덮여 있는 단열재를 갖고,
상기 단열재가,
제1 섬유 강화 수지로 덮여 있는 제1 표면과,
상기 제1 섬유 강화 수지와는 상이한 제2 섬유 강화 수지로 덮여 있는 제2 표면을 갖는, 기판 처리 장치.A substrate processing device, comprising:
a chamber forming a processing space for processing a substrate, and having a vent for supplying air to the processing space and an exhaust port for exhausting air from the processing space;
a substrate support portion supporting the substrate within the chamber;
A heating unit for heating the substrate supported by the substrate support unit,
The chamber is,
An insulating material having a surface facing the processing space, the surface being covered with a fiber-reinforced resin,
The insulation material is
a first surface covered with a first fiber-reinforced resin;
A substrate processing apparatus having a second surface covered with a second fiber-reinforced resin that is different from the first fiber-reinforced resin. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하기 위한 처리 공간을 형성하고 있고, 상기 처리 공간에 급기하기 위한 통기구 및 상기 처리 공간으로부터 배기하기 위한 배기구를 갖는 챔버와,
상기 챔버 내에 있어서 기판을 지지하는 기판 지지부를 구비하고,
상기 챔버는,
상기 처리 공간에 면하는 표면을 갖고, 상기 표면이 섬유 강화 수지로 덮여 있는 단열재를 갖고,
상기 단열재가,
제1 섬유 강화 수지로 덮여 있는 제1 표면과,
상기 제1 섬유 강화 수지와는 상이한 제2 섬유 강화 수지로 덮여 있는 제2 표면을 갖는, 기판 처리 장치.A substrate processing device, comprising:
a chamber forming a processing space for processing a substrate, and having a vent for supplying air to the processing space and an exhaust port for exhausting air from the processing space;
Provided with a substrate support portion for supporting the substrate within the chamber,
The chamber is,
An insulating material having a surface facing the processing space, the surface being covered with a fiber-reinforced resin,
The insulation material is
a first surface covered with a first fiber-reinforced resin;
A substrate processing apparatus having a second surface covered with a second fiber-reinforced resin that is different from the first fiber-reinforced resin. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
상기 배기구를 통해서 배기함으로써, 상기 챔버 내를 감압하는 감압부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.In claim 10 or claim 11,
The substrate processing apparatus further includes a pressure reducing unit that reduces the pressure in the chamber by exhausting air through the exhaust port. 청구항 9 또는 청구항 11에 있어서,
상기 기판 지지부에 의해서 지지된 기판을 가열하는 가열부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.In claim 9 or claim 11,
A substrate processing apparatus further comprising a heating unit that heats the substrate supported by the substrate support unit. 청구항 10에 있어서,
상기 챔버가,
상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 주면에 대향하는 천정부와,
상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 측면을 둘러싸는 측벽부를 갖고,
상기 천정부 또는 상기 측벽부의 표면이, 상기 섬유 강화 수지로 덮여 있는, 기판 처리 장치.In claim 10,
The chamber,
a ceiling facing the main surface of the substrate supported on the substrate support portion;
It has a side wall portion surrounding a side of the substrate supported on the substrate support,
A substrate processing device wherein a surface of the ceiling or side wall is covered with the fiber-reinforced resin. 청구항 14에 있어서,
상기 천정부 내 또는 상기 측벽부 내에 위치하고, 고온 기체가 통과 가능한 유로를 구성하는 기체 유로부와,
상기 기체 유로부에 접속되고, 상기 유로를 통과하는 고온 기체를 상기 챔버 내에 분사하는 분사부를 갖는, 기판 처리 장치.In claim 14,
A gas flow path part located within the ceiling or within the side wall part and forming a flow path through which high-temperature gas can pass,
A substrate processing apparatus connected to the gas flow path and having a spraying unit that sprays high-temperature gas passing through the flow path into the chamber. 삭제delete 청구항 9 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 단열재의 표면의 적어도 일부가, 적층된 상이한 종류의 섬유 강화 수지로 덮여 있는, 기판 처리 장치.The method of any one of claims 9 to 11,
A substrate processing device, wherein at least a portion of the surface of the insulating material is covered with different types of laminated fiber-reinforced resin. 단열 부재로서,
단열재를 포함하는 코어층과,
상기 코어층의 외표면 전부를 덮는 층으로서, 섬유 강화 수지를 포함하는 섬유 강화 수지층을 구비하며,
상기 섬유 강화 수지층은 적층된 복수의 층이며, 상기 복수의 층에 의해 상기 코어층의 외표면 전부가 덮여 있고,
상기 복수의 층은, 서로 상이한 종류의 섬유 강화 수지를 포함하는, 단열 부재.As an insulating member,
A core layer containing an insulating material,
A layer covering the entire outer surface of the core layer, comprising a fiber-reinforced resin layer containing a fiber-reinforced resin,
The fiber-reinforced resin layer is a plurality of laminated layers, and the entire outer surface of the core layer is covered by the plurality of layers,
An insulating member wherein the plurality of layers contain different types of fiber-reinforced resin. 단열 부재로서,
단열재를 포함하는 코어층과,
상기 코어층의 외표면 전부를 덮는 층으로서, 섬유 강화 수지를 포함하는 섬유 강화 수지층을 구비하며,
상기 섬유 강화 수지층은 적층된 복수의 층이며, 상기 복수의 층에 의해 상기 코어층의 외표면 전부가 덮여 있고,
상기 코어층은, 제1 표면과, 상기 제1 표면과는 상이한 제2 표면을 갖고,
상기 섬유 강화 수지층은,
상기 코어층의 제1 표면을 덮는 층으로서, 제1 섬유 강화 수지를 포함하는 제1 섬유 강화 수지층과,
상기 코어층의 제2 표면을 덮는 층으로서, 상기 제1 섬유 강화 수지와는 상이한 제2 섬유 강화 수지를 포함하는 제2 섬유 강화 수지층을 포함하는, 단열 부재.
As an insulating member,
A core layer containing an insulating material,
A layer covering the entire outer surface of the core layer, comprising a fiber-reinforced resin layer containing a fiber-reinforced resin,
The fiber-reinforced resin layer is a plurality of laminated layers, and the entire outer surface of the core layer is covered by the plurality of layers,
The core layer has a first surface and a second surface different from the first surface,
The fiber-reinforced resin layer is,
A layer covering the first surface of the core layer, a first fiber-reinforced resin layer comprising a first fiber-reinforced resin,
As a layer covering the second surface of the core layer, an insulating member comprising a second fiber-reinforced resin layer containing a second fiber-reinforced resin different from the first fiber-reinforced resin.
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