以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
まず、図1を参照して、本実施形態の照明システム300を説明する。図1は、本実施形態に係る照明システム300を示す図である。図1に示すように、照明システム300は、調光装置100と、複数の照明器具200と備える。
複数の照明器具200はそれぞれ、例えばSMD(Surface Mount Device)チップのような光源を有する。光源は、発光素子を有する。発光素子は、例えば、LED(Light Emitting Diode)素子又は有機EL(Electro-Luminescence)素子である。照明器具200は、例えば、ペンダントライトのような吊下げ灯、シーリングライトのような天井直付け灯、ダウンライトのような埋め込み灯、又はブラケットライトのような壁直付け灯である。
調光装置100は、複数の照明器具200から出射される光の光量を制御する。本実施形態において、照明システム300は、2つの照明器具200を備える。具体的には、照明システム300は、第1照明器具200Aと、第2照明器具200Bとを備える。
調光装置100は、第1入力端子1aと、第2入力端子1bとを備える。第1入力端子1a及び第2入力端子1bは、交流電源Aに電気的に接続する。詳しくは、第1入力端子1aは交流電源Aの非接地側に電気的に接続する。第2入力端子1bは交流電源Aの接地側に電気的に接続する。換言すると、第1入力端子1aはL端子であり、第2入力端子1bはN端子である。したがって、交流電源Aから第1入力端子1aに交流電圧A1が印加される。
調光装置100は、第1チャンネルの第1出力端子2a及び第2出力端子2bと、第2チャンネルの第1出力端子3a及び第2出力端子3bとを備える。第1チャンネルの第1出力端子2a及び第2出力端子2bは、第1照明器具200Aに電気的に接続し、第2チャンネルの第1出力端子3a及び第2出力端子3bは、第2照明器具200Bに電気的に接続する。
調光装置100は、交流電圧A1の導通角を逆位相調光(Trailing Edge Dimming)方式で制御する。逆位相調光方式は、交流電圧A1の半波A2の導通を遮断する位相SPを制御する方式である。以下、交流電圧A1の半波A2の導通を遮断する位相SPを、「導通遮断位相SP」と記載する。
第1チャンネルの第1出力端子2a及び第2出力端子2bは、逆位相調光方式で制御された交流電圧A1を第1照明器具200Aへ出力する。この結果、第1照明器具200Aから出射される光の光量が調整される。詳しくは、第1照明器具200Aから発生する光の光量が、導通遮断位相SPに応じた光量となる。
以下、逆位相調光方式で制御された交流電圧A1を、「位相制御後の交流電圧A3」と記載する場合がある。また、第1照明器具200Aから出射される光の光量を、「第1照明器具200Aの光量」と記載する場合がある。同様に、第2照明器具200Bから出射される光の光量を、「第2照明器具200Bの光量」と記載する場合がある。また、照明器具200から出射される光の光量を、「照明器具200の光量」と記載する場合がある。
第2チャンネルの第1出力端子3a及び第2出力端子3bは、位相制御後の交流電圧A3を第2照明器具200Bへ出力する。この結果、第1照明器具200Aと同様に、第2照明器具200Bから出射される光の光量が調整される。
続いて図2(a)及び図2(b)を参照して、交流電圧A1、及び位相制御後の交流電圧A3を説明する。図2(a)は、本実施形態に係る交流電圧A1を示す図である。図2(a)に示すように、交流電圧A1は正弦波状の波形を有する。即ち、交流電圧A1は、正弦波状の半波A2から構成される。また、交流電圧A1は、ゼロクロス点Zを含む。交流電源Aが商用電源である場合、交流電圧A1の周波数は50Hz又は60Hzである。
図2(b)は、本実施形態に係る位相制御後の交流電圧A3を示す図である。図2(b)に示すように、導通遮断位相SPは、半波A2が終了するゼロクロス点Zよりも前側に位置する。したがって、位相制御後の交流電圧A3の半波A2は、導通遮断位相SPと半波A2が終了するゼロクロス点Zとの間に切り欠きを含む。切り欠きは、交流電圧A1の導通が遮断されている期間を示す。したがって、例えば、図1を参照して説明した第1出力端子2a及び第2出力端子2bには、半波A2の切り欠きに対応する期間に電圧が印加されない。
続いて図1~図3を参照して、調光装置100を更に説明する。図3は、本実施形態に係る調光装置100の構成を示す図である。
図3に示すように、調光装置100は、1次側の全波整流回路11と、電源部12と、2次側の第1全波整流回路13Aと、2次側の第2全波整流回路13Bと、第1定電圧回路14Aと、第2定電圧回路14Bと、第1抵抗素子15Aと、第2抵抗素子15Bと、第1調光部16Aと、第2調光部16Bと、制御部17とを備える。なお、以下の説明において、1次側の全波整流回路11を、「1次側全波整流回路11」と記載する。また、2次側の第1全波整流回路13Aを「第1全波整流回路13A」と記載し、2次側の第2全波整流回路13Bを「第2全波整流回路13B」と記載する。
調光装置100は、第1電力線31と、第2電力線32と、第1GND線33と、第2GND線34とを更に備える。第1電力線31は、第1入力端子1aに接続している。第2電力線32は、第2入力端子1bに接続している。
1次側全波整流回路11の2つの入力端は、第1入力端子1a及び第2入力端子1bに電気的に接続する。したがって、1次側全波整流回路11に交流電圧A1が印加される。1次側全波整流回路11は、交流電圧A1を整流して電源部12に出力する。
電源部12は、整流後の交流電圧A1に基づいて、2次側電圧を生成する。2次側電圧は、第1全波整流回路13A及び第2全波整流回路13Bにそれぞれ入力される。電源部12は、例えば変圧器を有する。
第1全波整流回路13Aは、2次側電圧を整流して、第1定電圧回路14Aに出力する。第1全波整流回路13Aは、第1出力端P1と、第2出力端P2とを有する。第1全波整流回路13Aの第1出力端P1は、第1GND線33に接続する。第1GND線33は、グランドに電気的に接続する。したがって、第1全波整流回路13Aの第1出力端P1は、グランドに電気的に接続する。グランドの電位は、接地電位である。
第2全波整流回路13Bは、第1全波整流回路13Aと同様に、2次側電圧を整流して、第2定電圧回路14Bに出力する。第2全波整流回路13Bは、第1全波整流回路13Aと同様に、第1出力端P1と、第2出力端P2とを有する。第2全波整流回路13Bの第1出力端P1は、第2GND線34に接続する。第2GND線34は、グランドに電気的に接続する。したがって、第2全波整流回路13Bの第1出力端P1は、グランドに電気的に接続する。本実施形態において、第1GND線33及び第2GND線34は、共通のグランドに電気的に接続する。
第1定電圧回路14Aは、整流後の2次側電圧に基づいて定電圧を生成する。定電圧は、第1抵抗素子15Aを介して第1調光部16Aに入力する。第2定電圧回路14Bも、第1定電圧回路14Aと同様に、整流後の2次側電圧に基づいて定電圧を生成する。定電圧は、第2抵抗素子15Bを介して第2調光部16Bに入力する。
第1調光部16Aは、第1照明器具200Aから出射される光の光量を調整する。第2調光部16Bは、第2照明器具200Bから出射される光の光量を調整する。
具体的には、第1調光部16Aに、第1電力線31を介して交流電圧A1が入力される。第1調光部16Aは、交流電圧A1の導通角を逆位相調光方式で制御して、位相制御後の交流電圧A3を生成する。具体的には、第1調光部16Aは、交流電圧A1の半波A2の導通遮断位相SPを制御することにより、交流電圧A1の導通角を制御する。第1調光部16Aは、位相制御後の交流電圧A3を、第1チャンネルの第1出力端子2aに印加する。第1チャンネルの第2出力端子2bは、第2電力線32を介して第2入力端子1bに電気的に接続している。
したがって、第1調光部16Aが位相制御後の交流電圧A3を生成することにより、第1チャンネルの第1出力端子2aから第1照明器具200Aへ位相制御後の交流電圧A3が出力される。その結果、第1照明器具200Aの光量が調整される。
同様に、第2調光部16Bに、第1電力線31を介して交流電圧A1が入力される。第2調光部16Bは、交流電圧A1の導通角を逆位相調光方式で制御して、位相制御後の交流電圧A3を生成する。具体的には、第2調光部16Bは、交流電圧A1の半波A2の導通遮断位相SPを制御することにより、交流電圧A1の導通角を制御する。第2調光部16Bは、位相制御後の交流電圧A3を、第2チャンネルの第1出力端子3aに印加する。第2チャンネルの第2出力端子3bは、第2電力線32を介して第2入力端子1bに電気的に接続している。
したがって、第2調光部16Bが位相制御後の交流電圧A3を生成することにより、第2チャンネルの第1出力端子3aから、第2照明器具200Bへ位相制御後の交流電圧A3が出力される。その結果、第2照明器具200Bの光量が調整される。
制御部17は、電源部12、第1調光部16A、及び第2調光部16Bを制御する。具体的には、制御部17は、電源部12を制御して、電源部12に所定の電圧を生成させる。また、制御部17は、第1調光部16Aを制御して、第1調光部16Aに位相制御後の交流電圧A3を生成させる。同様に、制御部17は、第2調光部16Bを制御して、第2調光部16Bに位相制御後の交流電圧A3を生成させる。
制御部17は、例えば、CPU(Central Processing Unit)又はMPU(Micro Processing Unit)のようなプロセッサを有する。あるいは、制御部17は、MCU(Micro Controller Unit)のようなプロセッサを有する。制御部17は、プロセッサを有する場合、RAM(Random Access Memory)及びROM(Read Only Memory)のような半導体メモリを有する。制御部17がMCUを有する場合、半導体メモリは省略されてもよい。制御部17は、例えば、マイクロコンピュータであり得る。
続いて図3を参照して、第1調光部16Aを説明する。図3に示すように、第1調光部16Aは、駆動回路21と、第1スイッチ素子22と、第2スイッチ素子23とを備える。
駆動回路21は、第1定電圧回路14Aから第1抵抗素子15Aを介して入力された定電圧に基づいて、図2(c)を参照して後述する第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2を生成する。具体的には、制御部17が駆動回路21を制御して、駆動回路21に第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2を生成させる。
第1スイッチ素子22の入力端は、第1電力線31を介して、第1入力端子1aに電気的に接続している。したがって、第1スイッチ素子22の入力端に交流電圧A1が印加される。
第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23は直列に接続されており、第2スイッチ素子23の出力端は、第1出力端子2aに電気的に接続されている。
第1スイッチ素子22と第2スイッチ素子23との接続点CP1は、第1GND線33に接続する。したがって、第1スイッチ素子22と第2スイッチ素子23との接続点CP1は、第1GND線33を介してグランドに電気的に接続する。なお、以下の説明において、第1調光部16Aの第1スイッチ素子22と第2スイッチ素子23との接続点CP1を、「第1接続点CP1」と記載する場合がある。
第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2は、第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23を駆動する。具体的には、第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23は、第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2に基づいて、交流電圧A1の半波A2ごとに、ターンオンとターンオフとを繰り返す。第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23は略同時にターンオンし、略同時にターンオフする。
第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23がターンオンすると、交流電圧A1の半波A2が第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23を通過して、第1出力端子2aに印加される。一方、第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23がターンオフすると、交流電圧A1の半波A2の導通が遮断される。この結果、位相制御後の交流電圧A3が生成される。
詳しくは、制御部17は、第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23のターンオンのタイミングを制御して、交流電圧A1の半波A2の導通開始位相を制御する。導通開始位相は、交流電圧A1の半波A2の導通が開始する位相である。具体的には、制御部17は、半波A2が開始するゼロクロス点Zにあわせて、第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23をターンオンさせる。また、制御部17は、第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23のターンオフのタイミングを制御して、導通遮断位相SPを制御する。
第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23は、例えば、半導体スイッチであり得る。本実施形態において、第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23は、NchMOSFETである。以下、第1スイッチ素子22を「第1NchMOSFET22」と記載し、第2スイッチ素子23を「第2NchMOSFET23」と記載する場合がある。
第1NchMOSFET22のドレインは、第1電力線31を介して第1入力端子1aに電気的に接続している。したがって、第1NchMOSFET22のドレインに交流電圧A1が印加される。第1NchMOSFET22のソースは、第2NchMOSFET23のソースと接続する。したがって、第1NchMOSFET22のソースと第2NchMOSFET23のソースとの接続点CP1が、グランドに電気的に接続する。第2NchMOSFET23のドレインは、第1出力端子2aに電気的に接続する。
第1NchMOSFET22は第1寄生ダイオード22aを有する。第1寄生ダイオード22aのカソードは、第1NchMOSFET22のドレインに接続する。第1寄生ダイオード22aのアノードは、第1NchMOSFET22のソースに接続する。同様に、第2スイッチ素子23は第2寄生ダイオード23aを有する。第2寄生ダイオード23aのカソードは、第2NchMOSFET23のドレインに接続する。第2寄生ダイオード23aのアノードは、第2NchMOSFET23のソースに接続する。
第1駆動信号S1は、第1NchMOSFET22のゲートに印加される。この結果、第1NchMOSFET22は、第1駆動信号S1に基づいて、交流電圧A1の半波A2ごとに、ターンオンとターンオフとを繰り返す。同様に、第2駆動信号S2は、第2NchMOSFET23のゲートに印加される。この結果、第2NchMOSFET23は、第2駆動信号S2に基づいて、交流電圧A1の半波A2ごとに、ターンオンとターンオフとを繰り返す。本実施形態において、第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2は、電圧信号である。
交流電圧A1の半波A2が正の電圧を示す際に第1NchMOSFET22及び第2NchMOSFET23がターンオンすると、半波A2は、第1NchMOSFET22及び第2寄生ダイオード23aを通過して、第1出力端子2aに印加される。一方、第1NchMOSFET22及び第2NchMOSFET23がターンオフすると、半波A2の導通が、第1NchMOSFET22及び第1寄生ダイオード22aによって遮断される。
交流電圧A1の半波A2が負の電圧を示す際に第1NchMOSFET22及び第2NchMOSFET23がターンオンすると、半波A2は、第1寄生ダイオード22a及び第2NchMOSFET23を通過して、第1出力端子2aに印加される。一方、第1NchMOSFET22及び第2NchMOSFET23がターンオフすると、半波A2の導通が、第2NchMOSFET23及び第2寄生ダイオード23aによって遮断される。
続いて図3を参照して、第2調光部16Bを説明する。図3に示すように、第2調光部16Bは、第1調光部16Aと同様に、駆動回路21と、第1スイッチ素子22と、第2スイッチ素子23とを備える。第2調光部16Bの構成は、第1調光部16Aと略同様である。
第2調光部16Bの第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23は、第1調光部16Aと同様に、直列に接続する。第2調光部16Bの第1スイッチ素子22と第2スイッチ素子23との接続点CP2は、第2GND線34に接続する。したがって、第2調光部16Bの第1スイッチ素子22と第2スイッチ素子23との接続点CP2は、第2GND線34を介してグランドに電気的に接続する。以下、第2調光部16Bの第1スイッチ素子22と第2スイッチ素子23との接続点CP2を、「第2接続点CP2」と記載する場合がある。
本実施形態において、第1GND線33及び第2GND線34は、共通のグランドに電気的に接続する。したがって、第1接続点CP1及び第2接続点CP2は、共通のグランドに電気的に接続する。
続いて図2(c)及び図3を参照して、第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2を説明する。図2(c)は、本実施形態に係る第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2を示す図である。図2(c)に示すように、第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2は、パルス状の電圧信号である。第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2は、交流電圧A1の半波A2ごとに生成される。
第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2は、交流電圧A1の半波A2が開始するゼロクロス点Zにあわせて立ち上がり、半波A2が終了するゼロクロス点Zよりも前側で立ち下がる。この結果、半波A2が終了するゼロクロス点Zよりも前側で交流電圧A1の導通が遮断されて、位相制御後の交流電圧A3が生成される。
制御部17は、第1駆動信号S1及び第2駆動信号S2の立ち上がりのタイミング及び立ち下がりのタイミングを制御して、交流電圧A1の導通角を制御する。
続いて図3を参照して、第1全波整流回路13A及び第2全波整流回路13Bについて更に説明する。既に説明したように、第1全波整流回路13Aの第1出力端P1及び第2全波整流回路13Bの第1出力端P1は、共通のグランドに電気的に接続する。また、第1接続点CP1及び第2接続点CP2は、共通のグランドに電気的に接続する。したがって、第1接続点CP1と第2接続点CP2との間に電位差が発生した場合、第1全波整流回路13Aの第1出力端P1又は第2全波整流回路13Bの第1出力端P1に、正電流又は負電流が流入する。
本実施形態の調光装置100において、第1全波整流回路13Aの第1出力端P1に流入した正電流は、第1全波整流回路13Aを介して電源部12へ流れる。第1全波整流回路13Aの第1出力端P1に流入した負電流の導通は、第1全波整流回路13Aにより遮断される。同様に、第2全波整流回路13Bの第1出力端P1に流入した正電流は、第2全波整流回路13Bを介して電源部12へ流れる。第2全波整流回路13Bの第1出力端P1に流入した負電流の導通は、第2全波整流回路13Bにより遮断される。
したがって、本実施形態によれば、第1接続点CP1と第2接続点CP2との間に電位差が発生しても、第1調光部16A及び第2調光部16Bに予期せぬ電流が流入しない。よって、第1調光部16A及び第2調光部16Bに対して共通のグランドを用いることができるので、第1調光部16A及び第2調光部16Bに対して1つの電源部12を用いることができる。換言すると、第1調光部16A及び第2調光部16Bに対してそれぞれ電源部12を設ける必要がない。
なお、第1調光部16Aの第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23がターンオンしている際に、第2調光部16Bの第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23がターンオフすると、第1接続点CP1と第2接続点CP2との間に電位差が発生する。同様に、第1調光部16Aの第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23がターンオフしている際に、第2調光部16Bの第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23がターンオンすると、第1接続点CP1と第2接続点CP2との間に電位差が発生する。
続いて図4を参照して、電源部12について説明する。図4は、本実施形態に係る電源部12の構成を示す図である。図4に示すように、本実施形態の電源部12は、コンデンサ121と、絶縁トランス122と、スイッチ素子123とを有する。絶縁トランス122は、1次側巻線122aと、2次側巻線122bとを有する。コンデンサ121は、具体的には、電解コンデンサである。
1次側全波整流回路11によって整流された交流電圧A1は、コンデンサ121によって平滑化されて1次側巻線122aに印加される。絶縁トランス122は変圧器の一種であり、1次側巻線122aに印加された電圧(入力電圧)を変圧して、2次側巻線122bから出力する。より具体的には、1次側巻線122aにスイッチ素子123が直列に接続しており、制御部17は、スイッチ素子123を高周波数でスイッチングする。この結果、高周波電圧が1次側巻線122aに通電して、2次側巻線122bに2次側電圧が誘導される。スイッチ素子123は、例えば半導体スイッチである。本実施形態において、スイッチ素子123は、NchMOSFETである。
続いて図5を参照して、第1定電圧回路14Aの構成と、第1調光部16Aの駆動回路21の構成とを説明する。図5は、本実施形態に係る第1定電圧回路14Aの構成と、第1調光部16Aの駆動回路21の構成とを示す図である。
図5に示すように、第1定電圧回路14Aは、電圧レギュレータ141と、入力側コンデンサ142と、出力側コンデンサ143と、保護用ダイオード144とを備える。本実施形態において、電圧レギュレータ141は3端子レギュレータである。
入力側コンデンサ142は、例えばセラミックコンデンサである。入力側コンデンサ142の一端は、電圧レギュレータ141の入力端子に電気的に接続する。入力側コンデンサ142の他端は、第1GND線33に電気的に接続する。なお、入力側コンデンサ142は、省略され得る。
出力側コンデンサ143は、例えば電解コンデンサである。出力側コンデンサ143の一端は、電圧レギュレータ141の出力端子に電気的に接続する。出力側コンデンサ143の他端は、第1GND線33に電気的に接続する。なお、出力側コンデンサ143は、省略され得る。
保護用ダイオード144は、電圧レギュレータ141の入力端子と出力端子とを略同電位にする。保護用ダイオード144のカソードは、電圧レギュレータ141の入力端子に電気的に接続される。保護用ダイオード144のアノードは、電圧レギュレータ141の出力端子に電気的に接続される。なお、保護用ダイオード144は、省略され得る。
電圧レギュレータ141の入力端子は、第1全波整流回路13Aの第2出力端P2に電気的に接続する。したがって、整流後の2次側電圧は、電圧レギュレータ141の入力端子に入力される。電圧レギュレータ141は、整流後の2次側電圧に基づいて定電圧を生成する。定電圧は、電圧レギュレータ141の出力端子から第1抵抗素子15Aを介して駆動回路21に出力される。
続いて、駆動回路21について説明する。図5に示すように、調光装置100は、第1信号線35と、第2信号線36とを更に備える。第1信号線35の一端は、第1抵抗素子15Aを介して、電圧レギュレータ141の出力端子に電気的に接続する。第1信号線35の他端は、第1NchMOSFET22のゲートに電気的に接続する。第2信号線36の一端は、第1信号線35に接続する。したがって、第2信号線36の一端は、第1抵抗素子15Aを介して、電圧レギュレータ141の出力端子に電気的に接続する。第2信号線36の他端は、第2NchMOSFET23のゲートに電気的に接続する。
駆動回路21は、バイポーラトランジスタ211、及び3つの抵抗素子212~214を備える。バイポーラトランジスタ211のコレクタは、抵抗素子212を介して、第1信号線35に電気的に接続する。バイポーラトランジスタ211のエミッタは、第1GND線33に電気的に接続する。
制御部17は、バイポーラトランジスタ211のベースに電流信号を入力して、バイポーラトランジスタ211のターンオン及びターンオフを制御する。詳しくは、制御部17は、交流電圧A1の半波A2ごとにバイポーラトランジスタ211がターンオンとターンオフとを繰り返すように、バイポーラトランジスタ211を制御する。
抵抗素子213の一端は、バイポーラトランジスタ211よりも第1NchMOSFET22のゲートに近い位置において、第1信号線35に電気的に接続する。抵抗素子213の他端は、第1GND線33に電気的に接続する。抵抗素子213は、第1NchMOSFET22のゲートに入力する電圧信号(第1駆動信号S1)を生成する。詳しくは、交流電圧A1の半波A2ごとにバイポーラトランジスタ211がターンオンとターンオフとを繰り返すことにより、抵抗素子213が第1駆動信号S1を生成する。
抵抗素子214の一端は、第2信号線36に電気的に接続する。抵抗素子214の他端は、第1GND線33に電気的に接続する。抵抗素子214は、第2NchMOSFET23のゲートに入力する電圧信号(第2駆動信号S2)を生成する。詳しくは、交流電圧A1の半波A2ごとにバイポーラトランジスタ211がターンオンとターンオフとを繰り返すことにより、抵抗素子214が第2駆動信号S2を生成する。
以上、図5を参照して、第1定電圧回路14Aの構成と、第1調光部16Aの駆動回路21の構成とを説明した。なお、第2定電圧回路14Bの構成は第1定電圧回路14Aと略同様であるため、その説明は省略する。また、第2調光部16Bの駆動回路21の構成は、第1調光部16Aの駆動回路21と略同様であるため、その説明は省略する。
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。
例えば、本発明による実施形態において、第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23はNchMOSFETであったが、第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23はNchMOSFETに限定されない。第1スイッチ素子22及び第2スイッチ素子23は交流電圧A1の導通及び導通の遮断を切り替え可能な素子であればよく、例えば、PchMOSFETであってもよい。
また、本発明による実施形態において、調光装置100は2つの調光部(第1調光部16A及び第2調光部16B)を備えたが、調光装置100は複数の調光部を備えればよく、調光装置100は3つ以上の調光部を備えてもよい。