JP7260392B2 - 電源制御装置、およびスイッチング電源装置 - Google Patents

電源制御装置、およびスイッチング電源装置 Download PDF

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Description

本発明は、スイッチング電源装置用の電源制御装置に関する。
従来から、熱損失が少なく、且つ、入出力差が比較的大きい場合に効率が良い安定化電源手段の一つとして、トランジスタのスイッチング制御によって入力電圧から所望の出力電圧を生成する所謂スイッチングレギュレータが広く用いられている。スイッチングレギュレータには、降圧型DC/DCコンバータや昇圧型DC/DCコンバータが含まれる。
特許文献1には、従来の昇圧型DC/DCコンバータの一例が開示されている。
特開2011-259548号公報
従来、スイッチングレギュレータには、出力電圧に基づき生成される帰還電圧と参照電圧とが入力されるエラーアンプと、上昇および下降を繰り返すスロープ電圧を生成するスロープ電圧生成部と、上記エラーアンプの出力と前記スロープ電圧とを比較するコンパレータと、を有するものがある。このようなスイッチングレギュレータでは、インダクタにエネルギーを蓄えるべくスイッチング素子をオンとしたときにスロープ電圧が上昇を開始し、スロープ電圧がエラーアンプの出力に達することにより、上記スイッチング素子がオフとされることでデューティ制御(PWM制御)が行われる。
スロープ電圧には、一定電圧であるバイアス電圧が成分として含まれるが、スロープ電圧が上昇を開始するときの立ち上り領域(立ち上り期間)では、バイアス電圧の立ち上りの影響が大きく、スロープ電圧の傾きが大きくなる。ここで、スイッチングレギュレータの入力電圧が比較的高い場合、デューティが比較的小さくなるので、エラーアンプの出力が低下し、上記スロープ電圧の立ち上り領域において、スロープ電圧はエラーアンプの出力に達する。
このような立ち上り領域においては、スロープ電圧の傾きが大きいため、デューティを変化させるためのエラーアンプの出力の変化幅が大きくなる。従って、負荷変動に対してエラーアンプの反応が追い付かず、デューティ制御が不安定となり、出力電圧の変動が大きくなる場合があった。
上記状況に鑑み、本発明は、負荷変動に対して出力電圧の変動を抑制できる電源制御装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明の第1態様に係る電源制御装置は、
オンのときにインダクタにエネルギーを蓄えるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を駆動するドライバと、
スイッチング電源装置の出力電圧に基づいて生成される帰還電圧と参照電圧との誤差を増幅して誤差電圧を生成するエラーアンプと、
スロープ電圧を生成するスロープ電圧生成部と、
前記スロープ電圧と前記誤差電圧とを比較するコンパレータと、
クロック信号の変化エッジを遅延させて遅延クロック信号として出力する遅延回路と、
を備えており、
前記遅延クロック信号に基づいて前記ドライバは、前記スイッチング素子をオンとし、
前記クロック信号の変化エッジに基づいて前記スロープ電圧は上昇を開始し、前記スロープ電圧が前記誤差電圧に達したことが前記コンパレータにより検出されたときに、前記ドライバは前記スイッチング素子をオフとする構成としている(第1の構成)。
また、上記第1の構成において、前記スロープ電圧生成部は、バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部と、キャパシタへの充電によってキャパシタ電圧を生成するキャパシタ電圧生成部と、を有し、前記スロープ電圧は、前記バイアス電圧と前記キャパシタ電圧との加算に基づき生成されることとしてもよい(第2の構成)。
また、上記第2の構成において、前記スイッチング素子をオンとするタイミングは、前記バイアス電圧が立ち上がって一定となるタイミングよりも後であることとしてもよい(第3の構成)。
また、上記第2または第3の構成において、前記スロープ電圧生成部は、前記クロック信号が入力されるセット端子と、前記コンパレータの出力が入力されるリセット端子と、を有する第1RSフリップフロップと、
前記クロック信号が入力される第1インバータと、
前記第1インバータの出力と前記第1RSフリップフロップの出力が入力される第1AND回路と、
を有することとしてもよい(第4の構成)。
また、上記第2から第4のいずれかの構成において、前記スロープ電圧生成部は、前記スイッチング素子がオンのときに前記スイッチング素子に流れる電流を検出した電流検出信号と、前記バイアス電圧と、前記キャパシタ電圧と、の加算に基づき前記スロープ電圧を生成することとしてもよい(第5の構成)。
また、上記第1から第5のいずれかの構成において、前記遅延回路は、
抵抗と、
電源電圧の印加端に接続される第1端と、前記抵抗の一端に接続される第2端と、前記クロック信号が入力される制御端と、を有する第1トランジスタと、
接地端と接続される第1端と、前記抵抗の他端と接続される第2端と、前記クロック信号が入力される制御端と、を有する第2トランジスタと、
前記抵抗の他端と前記第2トランジスタの第2端とが接続される接続ノードに接続される入力端を有するインバータと、
を有することとしてもよい(第6の構成)。
また、上記第6の構成において、前記遅延クロック信号が入力されるセット端子と、前記コンパレータの出力が入力されるリセット端子と、を有する第2RSフリップフロップと、
前記遅延クロック信号が入力される第2インバータと、
前記第2インバータの出力と前記第2RSフリップフロップの出力が入力される第2AND回路と、
を有することとしてもよい(第7の構成)。
また、上記第1から第7のいずれかの構成において、前記遅延回路の有効/無効を切替え可能であることとしてもよい(第8の構成)。
また、本発明の第2態様に係るスイッチング電源装置は、上記いずれかの構成の電源制御装置と、前記インダクタと、を有する(第9の構成)。
また、上記第9の構成において、前記出力電圧を分圧して前記帰還電圧を生成する分圧抵抗を有することとしてもよい。
本発明の電源制御装置によれば、負荷変動に対して出力電圧の変動を抑制できる。
本発明の第1実施形態に係る昇圧型DC/DCコンバータの構成を示す図である。 遅延回路の一構成例を示す回路図である。 本発明の第1実施形態に係る電源ICによるスイッチング制御を示すタイミングチャートである。 本発明の効果を説明するための図である。 本発明の第2実施形態に係る昇圧型DC/DCコンバータの構成を示す図である。 本発明の第3実施形態に係る降圧型DC/DCコンバータの構成を示す図である。 本発明の第4実施形態に係る降圧型DC/DCコンバータの構成を示す図である。 比較例に係る昇圧型DC/DCコンバータの構成を示す図である。 スロープ電圧生成部の一構成例を示す図である。 比較例に係るスイッチング制御を示すタイミングチャートである。 比較例での問題点を説明するための図である。 比較例における負荷変動に対する出力電圧変動を示す図である。
以下に本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
<1.比較例>
まず、本発明の実施形態について説明する前に、比較例に関する構成とその問題点について説明する。図8は、比較例に係る昇圧型DC/DCコンバータの構成を示す図である。図8に示す昇圧型DC/DCコンバータ(スイッチング電源装置)は、電源IC(電源制御装置)100と、電源IC100に対して外付けされるディスクリート素子として出力キャパシタC1、インダクタL1、および分圧抵抗R11,R12を有する。
電源IC100は、上側トランジスタM1と、下側トランジスタM2(スイッチング素子)と、ドライバ2と、AND回路3と、インバータ4と、RSフリップフロップ5と、スロープ電圧生成部6と、PWMコンパレータ7と、エラーアンプ8と、参照電圧生成部9と、ソフトスタート部10と、を有し、これらの各構成要素を集積化した半導体装置である。
上側トランジスタM1は、同期整流トランジスタである。すなわち、図8に示す昇圧型DC/DCコンバータは、同期整流型コンバータである。また、電源IC100は、外部との電気的接続を確立するための外部端子として、端子T1(OUT端子)、端子T2(SW端子)、端子T3(GND端子)、および端子T4(FB端子)を有する。
pチャネルMOSFETで構成される上側トランジスタM1のソースは、端子T1に接続される。電源IC100の外部において、端子T1は、出力キャパシタC1の一端に接続ノードNCにおいて接続される。出力キャパシタC1の他端は、接地端に接続される。接続ノードNCに、出力電圧Voutが発生する。
上側トランジスタM1のドレインは、nチャネルMOSFETで構成される下側トランジスタM2のドレインと接続ノードN1で接続される。接続ノードN1は、端子T2に接続される。電源IC100の外部において、端子T2は、インダクタL1の一端に接続される。インダクタL1の他端には、入力電圧Vinの印加端が接続される。下側トランジスタM2のソースは、端子T3に接続される。電源IC100の外部において、端子T3は、接地端に接続される。
ドライバ2は、上側ゲート信号G1を上側トランジスタM1のゲートに印加させることで、上側トランジスタM1をスイッチング駆動する。また、ドライバ2は、下側ゲート信号G2を下側トランジスタM2のゲートに印加させることで、下側トランジスタM2をスイッチング駆動する。
ここで、接続ノードNCには、分圧抵抗R11の一端が接続される。分圧抵抗R11の他端は、分圧抵抗R12の一端に接続ノードNR1において接続される。分圧抵抗R12の他端は、接地端に接続される。接続ノードNR1は、端子T4に接続される。
これにより、接続ノードNCに生成される出力電圧Voutを分圧抵抗R11,R12により分圧した帰還電圧Fbが端子T4に印加される。
端子T4は、エラーアンプ8の反転入力端に接続される。エラーアンプ8の第1非反転入力端には、参照電圧生成部9により生成される参照電圧Refが印加される。エラーアンプ8の第2非反転入力端には、ソフトスタート部10により生成されるソフトスタート電圧Ssが印加される。
エラーアンプ8は、第1非反転入力端に印加される参照電圧Refと第2非反転入力端に印加されるソフトスタート電圧Ssのうち低い方の電圧と、反転入力端に印加される帰還電圧Fbとの誤差を増幅して、誤差電圧Errを生成する。
スロープ電圧生成部6は、所定周波数のスロープ電圧Slを生成する。スロープ電圧Slは、上昇および下降を繰り返す。なお、スロープ電圧生成部6の詳細な構成については後述する。
PWMコンパレータ7は、反転入力端に印加される誤差電圧Errと、非反転入力端に印加されるスロープ電圧Slとを比較し、リセット信号Rstを生成する。
所定周波数のクロック信号CLKは、RSフリップフロップ5のセット端子に入力される。なお、クロック信号CLKは、スロープ電圧生成部6にも入力される。リセット信号Rstは、RSフリップフロップ5のリセット端子に入力される。なお、リセット信号Rstは、スロープ電圧生成部6にも入力される。
インバータ4には、クロック信号CLKが入力される。AND回路3の第1入力端には、インバータ4の出力端が接続され、第2入力端には、RSフリップフロップ5のQ出力端子が接続される。
ドライバ2は、AND回路3の出力に基づいて上側トランジスタM1および下側トランジスタM2を相補的(排他的)にオンオフ制御する。なお、本明細書中で用いる「相補的(排他的)」という文言は、上側トランジスタおよび下側トランジスタのオン/オフが完全に逆転している場合のほか、貫通電流防止の観点から上側トランジスタおよび下側トランジスタの同時オフ期間(デッドタイム)を設けている場合をも含むものとする。
また、電源IC100は、副トランジスタM3および電流検出抵抗R1も備えている。nチャネルMOSFETで構成される副トランジスタM3のドレインは、端子T2に接続され、ソースは、電流検出抵抗R1の一端に接続ノードN2において接続される。電流検出抵抗R1の他端は、端子T3に接続される。
副トランジスタM3のゲートには、ドライバ2から下側ゲート信号G2が印加される。すなわち、副トランジスタM3は、下側トランジスタM2と同期してオンオフ制御される。
下側トランジスタM2がオンとされたとき、下側トランジスタM2に流れる電流と、下側トランジスタM2のオン抵抗により、下側トランジスタM2のドレイン・ソース間電圧が発生する。電流検出抵抗R1の抵抗値は、副トランジスタM3のオン抵抗よりも十分に大きいため、電流検出抵抗R1の両端間に、ほぼ下側トランジスタM2のドレイン・ソース間電圧が印加される。従って、このほぼドレイン・ソース間電圧が接続ノードN2に生じる電流検出信号Visとなる。電流検出信号Visはスロープ電圧生成部6におけるスロープ電圧Slの生成に用いられる。これにより、電源IC100は、電流モード制御の機能を有する。なお、電流モード制御は必須ではない。
次に、スロープ電圧生成部6の具体的な構成について図9を参照して説明する。図9に示すように、スロープ電圧生成部6は、オンオフ制御部61と、バイアス電圧生成部62と、キャパシタ電圧生成部63と、第1加算器64と、第2加算器65と、を有する。
オンオフ制御部61は、入力されるクロック信号CLKおよびリセット信号Rstに基づいてスロープ電圧Slのオンオフを制御する。オンオフ制御部61は、RSフリップフロップ61Aと、インバータ61Bと、AND回路61Cと、を有する。
RSフリップフロップ61Aのセット端子には、クロック信号CLKが入力される。RSフリップフロップ61Aのリセット端子には、リセット信号Rstが入力される。インバータ61Bには、クロック信号CLKが入力される。AND回路61Cの第1入力端には、インバータ61Bの出力端が接続され、第2入力端には、RSフリップフロップ61AのQ出力端子が接続される。
バイアス電圧生成部62は、定電流源62Aと、スイッチ62Bと、抵抗62Cと、を有する。定電流源62Aには所定の電源電圧Vccが印加される。スイッチ62Bの一端には、定電流源62Aの出力端が接続され、他端には抵抗62Cの一端が接続される。抵抗62Cの他端は、接地端に接続される。スイッチ62Bがオンとされることで、抵抗62Cに定電流が流れ、スイッチ62Bと抵抗62Cとが接続される接続ノードN62に一定電圧であるバイアス電圧Vbsが生成される。スイッチ62Bは、オンオフ制御部61によりオンオフ制御される。
キャパシタ電圧生成部63は、定電流源63Aと、スイッチ63Bと、スイッチ63Cと、キャパシタ63Dと、を有する。定電流源63Aには所定の電源電圧Vccが印加される。スイッチ63Bの一端には、定電流源63Aの出力端が接続される。スイッチ63Bの他端は、スイッチ63Cの一端およびキャパシタ63Dの一端に接続ノードN63において接続される。スイッチ63Cの他端およびキャパシタ63Dの他端は、接地端に接続される。
スイッチ63Bがオンとされ、スイッチ63Cがオフとされることで、キャパシタ63Dは定電流源63Aによって充電され、接続ノードN63にキャパシタ電圧Vcpが生成される。一方、スイッチ63Bがオフとされ、スイッチ63Cがオンとされることで、キャパシタ63Dは放電される。スイッチ63B,63Cは、オンオフ制御部61によりオンオフ制御される。
第1加算器64は、バイアス電圧Vbsとキャパシタ電圧Vcpとを加算する。第2加算器65は、第1加算器64による加算結果と、電流検出信号Visとを加算して、加算結果をスロープ電圧Slとして出力する。
次に、このような構成である比較例に係る電源IC100による定常時のスイッチング制御について、図10に示すタイミングチャートを参照して説明する。図10においては、上段より順に、接続ノードN1に生じるスイッチング電圧SW、クロック信号CLK、リセット信号Rst、誤差電圧Err、スロープ電圧Sl、バイアス電圧Vbs、キャパシタ電圧Vcp、および電流検出信号Visの各波形を示す。
まず、タイミングt11において、クロック信号CLKがHighに立ち上がると、RSフリップフロップ5はセットされてQ出力はHighとなるが、インバータ4の出力はLowとなるので、AND回路3の出力はLowとなり、ドライバ2は、上側トランジスタM1をオン、下側トランジスタM2をオフに維持する。また、このとき、AND回路61C(図9)の出力はLowとなるので、スイッチ62Bはオフ、スイッチ63Bはオフ、スイッチ63Cはオンに維持される。
その後、タイミングt12において、クロック信号CLKがLowに立ち下がると、RSフリップフロップ5のQ出力はHighに保持され、インバータ4の出力がHighとなるので、AND回路3の出力はHighとされる。これにより、ドライバ2は、上側トランジスタM1をオフとし、下側トランジスタM2をオンとする。これにより、タイミングt13で、スイッチング電圧SWはLowとなる。下側トランジスタM2がオンとなることで、端子T2から下側トランジスタM2を介して端子T3へ向けて電流が流れ、インダクタL1にエネルギーが蓄えられる。
このとき、RSフリップフロップ61A(図9)のQ出力はHighに保持され、インバータ61Bの出力はHighとされるので、AND回路61Cの出力はHighとなる。これにより、スイッチ62Bはオンとされ、バイアス電圧Vbsが立ち上がる。また、スイッチ63Cはオフとされ、スイッチ63Bはオンとされる。これにより、キャパシタ63Dの充電が開始され、キャパシタ電圧Vcpが一定の傾きでの上昇を開始する。
また、下側トランジスタM2とともに副トランジスタM3もオンとされるので、電流検出信号Visが瞬時に立ち上がって一定の傾きでの上昇を開始する。
スロープ電圧Slは、バイアス電圧Vbsと、キャパシタ電圧Vcpと、電流検出信号Visとの加算で生成されるので、スロープ電圧Slは上昇を開始する。バイアス電圧Vbsは、タイミングt15で一定となるまで立ち上り、バイアス電圧Vbsの立ち上りの影響により、スロープ電圧Slもタイミングt15まで比較的大きな傾きで立ち上がる。すなわち、タイミングt14からt15までは、スロープ電圧Slの立ち上り領域T1となる。
タイミングt15以降、バイアス電圧Vbsが一定となると、スロープ電圧Slは、キャパシタ電圧Vcpおよび電流検出信号Visのそれぞれの上昇の影響により、比較的小さい傾きで直線的に上昇する。すなわち、タイミングt15以降は、スロープ電圧Slの線形領域T2となる。
そして、タイミングt16でスロープ電圧Slが誤差電圧Errに達すると、リセット信号RstはHighとなる。これにより、RSフリップフロップ5はリセットされ、Q出力がLowとなるので、AND回路3の出力はLowとなる。これにより、タイミングt18にて、ドライバ2は、下側トランジスタM2をオフとするので、スイッチング電圧SWはHighに立ち上がる。ドライバ2は、上側トランジスタM1はオンとするので、インダクタL1は電流を維持しようとし、端子T2から上側トランジスタM1を介して端子T1へ向けて電流が流れる。従って、インダクタL1に蓄えられたエネルギーが開放される。
また、タイミングt16でリセット信号RstがHighとなると、RSフリップフロップ61A(図9)がリセットされるので、AND回路61Cの出力がLowとなる。これにより、スイッチ62Bはオフとされ、バイアス電圧Vbsは下降する。また、スイッチ63Bはオフとされ、スイッチ63Cはオンとされるので、キャパシタ63Dが放電され、キャパシタ電圧Vcpは下降する。また、下側トランジスタM3のオフにより、電流検出信号Visが下降する。
従って、スロープ電圧Slが下降し、誤差電圧Errを下回ると、リセット信号RstがLowとなる(タイミングt17)。これにより、RSフリップフロップ5のQ出力およびRSフリップフロップ61AのQ出力は、それぞれLowに保持される。これにより、AND回路3およびAND回路61Cの各出力は、Lowに維持される。
このような制御により、スイッチング電圧SWのLow期間TLは、スイッチング電圧SWがLowとなってからスロープ電圧Slが上昇開始するまでの第1遅れ期間(t13~t14)と、スロープ電圧Slが上昇開始してから誤差電圧Errに達するまでのPWM監視期間TM(t14~t16)と、スロープ電圧Slが誤差電圧Errに達してからスイッチング電圧SWがHighに立ち上がるまでの第2遅れ期間TD2(t16~t18)と、の総和となる。
このように、エラーアンプ8によって帰還電圧Fbが参照電圧Refと一致するように誤差電圧Errが出力され、スイッチング電圧SWのLow期間、すなわち下側トランジスタM2のオン期間が制御され、デューティ制御が行われる。これにより、出力電圧Voutが設定値に制御される。
ここで、図11には、上段において入力電圧Vinがtyp値(typical)である場合、下段において入力電圧Vinがtyp値より高い場合のそれぞれについての、スイッチング電圧SW、スロープ電圧Sl、および誤差電圧Errの波形を示す。
図11の上段に示すように、入力電圧Vinがtyp値である場合は、デューティが比較的に大きくなるため、誤差電圧Errは比較的に高くなり、誤差電圧Errはスロープ電圧Slと、線形期間T2で交差する。これにより、デューティを変化させるための誤差電圧Errの変化幅ΔErrは比較的に小さくなる。
一方、図11の下段に示すように、入力電圧Vinがtyp値より高い場合は、デューティが比較的に小さくなるため、誤差電圧Errは比較的に低くなり、誤差電圧Errはスロープ電圧Slと、立ち上り期間T1で交差する。これにより、デューティを変化させるための誤差電圧Errの変化幅ΔErrは比較的に大きくなる。
これにより、図12に示すように、負荷電流ILの変動があった場合に、入力電圧Vinがtyp値の場合(実線)は、エラーアンプ8の反応が追い付くので、出力電圧Voutの変動は比較的に小さい。しかしながら、負荷電流ILの変動があった場合に、入力電圧Vinがtyp値より高い場合(点線)は、エラーアンプ8の反応が追い付かなくなり、デューティ制御が不安定となり、出力電圧Voutの変動は比較的に大きくなってしまう。
<2.本発明の第1実施形態>
上記のような比較例における問題点に鑑み、以下説明する本発明の例示的な実施形態を考案した。図1は、本発明の第1実施形態に係る昇圧型DC/DCコンバータの構成を示す図である。
図1に示す昇圧型DC/DCコンバータは、電源IC1を備える。電源IC1は、先述した比較例に係る電源IC100(図8)において遅延回路11を追加した構成となる。より具体的には、遅延回路11は、電源IC100で、クロック信号CLKが伝送される経路において、インバータ4の入力端とRSフリップフロップ5のセット端子とが接続されるノードの前段側に挿入される。
遅延回路11は、クロック信号CLKを遅延させた遅延クロック信号DCKを生成する。より詳細には、遅延クロック信号DCKは、クロック信号CLKの立下りを遅延させた信号である。遅延クロック信号DCKは、RSフリップフロップ5のセット端子とともにインバータ4に入力される。なお、スロープ電圧生成部6には、電源IC100と同様に、クロック信号CLKが入力される。
図2は、遅延回路11の一構成例を示す回路図である。図2に示す遅延回路11は、pチャネルMOSFETで構成される上側トランジスタ11Aと、抵抗11Bと、nチャネルMOSFETで構成される下側トランジスタ11Cと、シュミット形式のインバータ11Dと、を有する。このように、図2に示す構成であれば、簡易な構成により遅延回路11を実現できる。
上側トランジスタ11Aのソースには、所定の電源電圧Vccの印加端が接続される。上側トランジスタ11Aのドレインは、抵抗11Bの一端に接続される。抵抗11Bの他端は、下側トランジスタ11Cのドレインに接続ノードN11において接続される。下側トランジスタ11Cのソースは、接地端に接続される。クロック信号CLKは、上側トランジスタ11Aおよび下側トランジスタ11Cの各ゲートに入力される。接続ノードN11は、インバータ11Dの入力端に接続される。
クロック信号CLKがHighに立ち上がると、上側トランジスタ11Aはオフとなり、下側トランジスタ11Cがオンとなる。これにより、インバータ11Dからは、クロック信号CLKの立ち上りがほぼ遅延されずに遅延クロック信号DCKとして出力される。
一方、クロック信号CLKがLowに立ち下がると、下側トランジスタ11Cはオフとなり、上側トランジスタ11Aはオンとなる。このとき、抵抗11Bとインバータ11Dに含まれる不図示の寄生容量(ゲート容量)により構成されるローパスフィルタにより、上側トランジスタ11Aがオンとなることによる電源電圧Vccへの立ち上りは遅延される。これにより、インバータ11Dからは、クロック信号CLKの立ち下りを遅延させた遅延クロック信号DCKが出力される。
このような構成とした図1に示す電源IC1によるスイッチング制御について図3に示すタイミングチャートを用いて説明する。図3は、先述した比較例に係る図10に対応する図である。
図3に示すタイミングt1で、クロック信号CLKがLowに立ち下がると、インバータ61B(図9)の出力がHighとなるので、AND回路61Cの出力がHighとなる。これにより、タイミングt2でバイアス電圧Vbsおよびキャパシタ電圧Vcpが上昇を開始する。このとき、下側トランジスタM2は未だオンとなっていないので、副トランジスタM3はオフであり、電流検出信号Visは立ち上らない。
一方、クロック信号CLKの立ち下りは、遅延回路11によって遅延されて遅延クロック信号DCKとなるので、遅延クロック信号DCKによりAND回路3のHighへの立ち上りが遅延される。これにより、ドライバ2によって下側トランジスタM2がオンとされるタイミングが遅延される。タイミングt4にて下側トランジスタM2がオンとされ、スイッチング電圧SWはLowとなる。なお、タイミングt4は、バイアス電圧Vbsが立ち上がって一定となるタイミングt3よりも後である。
下側トランジスタM2がオンとなることにより、副トランジスタM3もオンとなり、電流検出信号Visは瞬時に立ち上がってから上昇を開始する(タイミングt5)。
バイアス電圧Vbsおよびキャパシタ電圧Vcpが上昇を開始するタイミングt2からバイアス電圧Vbsが一定となるタイミングt3までの期間がスロープ電圧Slの立ち上り期間T1となる。また、タイミングt3以降はスロープ電圧Slの線形期間T2となる。
遅延回路11によって下側トランジスタM2がオンとなるタイミングt4を遅延させることにより、誤差電圧Errはスロープ電圧Slと線形期間T2に含まれるタイミングt6にて交差するよう設定される。これにより、デューティの変化に対する誤差電圧Errの変化幅を小さくすることができる。従って、負荷変動が生じた場合でも、エラーアンプ8の反応が追い付くことで、出力電圧Voutの変動を抑制できる。
また、先述したような入力電圧Vinがtyp値であるか否かに関わらず、誤差電圧Errは線形期間T2に含まれるタイミングにてスロープ電圧Slと交差するように設定されるので、負荷変動に対する出力電圧変動を抑制できる。ここで、図4には、一例として、入力電圧Vinのtyp値が4V、出力電圧Voutの設定値が5Vである場合に、入力電圧Vinをtyp値から上昇させて変化させた場合の、負荷変動に対する出力電圧Voutの出力電圧変動ΔVoutを示す。このように、比較例の場合は(実線)、入力電圧Vinの上昇に伴って出力電圧変動ΔVoutは上昇するが、本発明の実施形態であれば(点線)、入力電圧Vinに依らず、出力電圧変動ΔVoutをほぼ一定とすることができる。
特に、先述したように図3に示すタイミングt4をt3より後にすることで、誤差電圧Errがスロープ電圧Slと交差するタイミングをより確実に線形期間T2に含ませることができる。
<3.昇圧型DC/DCコンバータの変形例>
図5には、先述した本発明の第1実施形態の変形例(第2実施形態)に係る昇圧型DC/DCコンバータの構成を示す。図5に示す昇圧型DC/DCコンバータは、電源IC1Xを備える。
電源IC1Xの電源IC1(図1)との構成上の相違点は、上側トランジスタM1は設けず、端子T1と下側トランジスタM2のドレインとを接続ノードN1において接続することである。さらに、電源IC1Xの外部において、端子T1は、ダイオードD1のアノードに接続される。ダイオードD1のカソードは、出力キャパシタC1の一端に接続される。
すなわち、図5に示す第2実施形態に係る昇圧型DC/DCコンバータは、非同期整流型のコンバータである。このような変形例によっても、先述した第1実施形態に係る昇圧型DC/DCコンバータと同様の作用効果を奏することができる。
<4.降圧型DC/DCコンバータの実施形態>
次に、本発明を降圧型DC/DCコンバータに適用した例について説明する。図6は、本発明の第3実施形態に係る降圧型DC/DCコンバータの構成示す図である。
図6に示す降圧型DC/DCコンバータ(スイッチング電源装置)は、電源IC20と、電源IC20に対して外付けされるディスクリート素子として出力キャパシタC20、インダクタL20、および分圧抵抗R11,R12を有する。
先述の第1実施形態との構成上の相違点について述べると、電源IC20の外部において、電源IC20の端子T2は、インダクタL20の一端に接続される。インダクタL20の他端は、出力キャパシタC20の一端に接続される。出力キャパシタC20の他端は、接地端に接続される。インダクタL20と出力キャパシタC20とが接続される接続ノードN20は、分圧抵抗R11の一端に接続される。すなわち、接続ノードNC20に生成される出力電圧Voutを分圧して帰還電圧Fbが生成される。
また、電源IC20は、pチャネルMOSFETで構成される副トランジスタM4を有する。端子T1は、電流検出抵抗R20の一端に接続される。電流検出抵抗R20の他端は、副トランジスタM4のソースに接続される。副トランジスタM4のドレインは、端子T2に接続される。アンプ20Aの第1入力端には、電流検出抵抗R20の一端が接続され、第2入力端には、電流検出抵抗R20の他端が接続される。アンプ20Aから出力される電流検出信号Visは、スロープ電圧生成部6に供給される。電源IC20の外部において、端子T1は、入力電圧Vinの印加端に接続される。なお、副トランジスタM4のゲートには、ドライバ2から上側ゲート信号G1が印加される。すなわち、副トランジスタM4は、上側トランジスタM1と同期してオンオフ制御される。
このような図6に示す降圧型DC/DCコンバータでは、ドライバ2によって上側トランジスタM1および下側トランジスタM2が相補的にスイッチング制御される。上側トランジスタM1(スイッチング素子)がオン、下側トランジスタM2がオフのときに、端子T1から上側トランジスタM1を介して端子T2へ向けて電流が流れ、インダクタL20にエネルギーが蓄えられる。そして、上側トランジスタM1がオフ、下側トランジスタM2がオンのときに、インダクタL20は電流を維持しようとして、端子T3から下側トランジスタM2を介して端子T2へ向けて電流が流れる。
電源IC20によるスイッチング制御では、先述した昇圧型DC/DCコンバータにおける電源IC1でのスイッチング制御(図3)との相違点として、遅延回路11によって上側トランジスタM1がオンとされるタイミングが遅延される。すなわち、スイッチング電圧SWがHighとなるタイミングが遅延される。スロープ電圧Slが誤差電圧Errに達するタイミングにより上側トランジスタM1のオン期間が制御され、デューティ制御が行われる。
また、上側トランジスタM1がオンとされたとき、上側トランジスタM1に流れる電流と、上側トランジスタM1のオン抵抗により、上側トランジスタM1のドレイン・ソース間電圧が発生する。電流検出抵抗R20の抵抗値は、副トランジスタM4のオン抵抗よりも十分に大きいため、電流検出抵抗R20の両端間に、ほぼ上側トランジスタM1のドレイン・ソース間電圧が印加される。このような電流検出抵抗R20の両端間電圧がアンプ20Aによって増幅されて電流検出信号Visが生成される。
このような第3実施形態に係る降圧型DC/DCコンバータによっても、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
また、図7には、先述した本発明の第3実施形態の変形例(第4実施形態)に係る降圧型DC/DCコンバータの構成を示す。図7に示す降圧型DC/DCコンバータは、電源IC20Xを備えるとともに、電源IC20Xに外付けされるダイオードD20を備える。
電源IC20Xの第3実施形態(図6)との構成上の相違点は、下側トランジスタM2は設けず、端子T3と上側トランジスタM1のドレインとを接続ノードN1において接続することである。さらに、電源IC20Xの外部において、端子T3は、ダイオードD20のカソードに接続される。ダイオードD20のアノードは、接地端に接続される。
すなわち、図7に示す第4実施形態に係る降圧型DC/DCコンバータは、非同期整流型のコンバータである。このような変形例によっても、先述した第3実施形態に係る降圧型DC/DCコンバータと同様の作用効果を奏することができる。
<5.その他>
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内であれば、実施形態は種々の変形が可能である。
例えば、遅延回路11による遅延によって最大デューティが低くなり、入力電圧Vinによっては必要なデューティが最大デューティを超えてしまう可能性がある。その場合は、遅延回路11を有効/無効で切替え可能としてもよい。遅延回路11が無効の場合は、クロック信号CLKはそのままRSフリップフロップ5のセット端子およびインバータ4に入力されるので、最大デューティを比較的に高くすることができる。
本発明は、各種用途の昇圧型DC/DCコンバータまたは降圧型DC/DCコンバータに利用することができる。
1、1X、20、20X 電源IC
2 ドライバ
3 AND回路
4 インバータ
5 RSフリップフロップ
6 スロープ電圧生成部
61 オンオフ制御部
62 バイアス電圧生成部
63 キャパシタ電圧生成部
64 第1加算器
65 第2加算器
7 PWMコンパレータ
8 エラーアンプ
9 参照電圧生成部
10 ソフトスタート部
11 遅延回路
M1 上側トランジスタ
M2 下側トランジスタ
M3、M4 副トランジスタ
C1、C20 出力キャパシタ
L1、L20 インダクタ
D1、D20 ダイオード
R1、R20 電流検出抵抗
R11、R12 分圧抵抗
20A アンプ

Claims (8)

  1. オンのときにインダクタにエネルギーを蓄えるスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子を駆動するドライバと、
    スイッチング電源装置の出力電圧に基づいて生成される帰還電圧と参照電圧との誤差を増幅して誤差電圧を生成するエラーアンプと、
    スロープ電圧を生成するスロープ電圧生成部と、
    前記スロープ電圧と前記誤差電圧とを比較するコンパレータと、
    クロック信号の変化エッジを遅延させて遅延クロック信号として出力する遅延回路と、
    を備えており、
    前記遅延クロック信号に基づいて前記ドライバは、前記スイッチング素子をオンとし、
    前記クロック信号の変化エッジに基づいて前記スロープ電圧は上昇を開始し、前記スロープ電圧が前記誤差電圧に達したことが前記コンパレータにより検出されたときに、前記ドライバは前記スイッチング素子をオフとし、
    前記スロープ電圧生成部は、バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部と、キャパシタへの充電によってキャパシタ電圧を生成するキャパシタ電圧生成部と、を有し、
    前記スロープ電圧は、前記バイアス電圧と前記キャパシタ電圧との加算に基づき生成され、
    前記スイッチング素子をオンとするタイミングは、前記バイアス電圧が立ち上がって一定となるタイミングよりも後である、電源制御装置。
  2. オンのときにインダクタにエネルギーを蓄えるスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子を駆動するドライバと、
    スイッチング電源装置の出力電圧に基づいて生成される帰還電圧と参照電圧との誤差を増幅して誤差電圧を生成するエラーアンプと、
    スロープ電圧を生成するスロープ電圧生成部と、
    前記スロープ電圧と前記誤差電圧とを比較するコンパレータと、
    クロック信号の変化エッジを遅延させて遅延クロック信号として出力する遅延回路と、
    を備えており、
    前記遅延クロック信号に基づいて前記ドライバは、前記スイッチング素子をオンとし、
    前記クロック信号の変化エッジに基づいて前記スロープ電圧は上昇を開始し、前記スロープ電圧が前記誤差電圧に達したことが前記コンパレータにより検出されたときに、前記ドライバは前記スイッチング素子をオフとし、
    前記スロープ電圧生成部は、バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部と、キャパシタへの充電によってキャパシタ電圧を生成するキャパシタ電圧生成部と、を有し、
    前記スロープ電圧は、前記バイアス電圧と前記キャパシタ電圧との加算に基づき生成され、
    前記スロープ電圧生成部は、
    前記クロック信号が入力されるセット端子と、前記コンパレータの出力が入力されるリセット端子と、を有する第1RSフリップフロップと、
    前記クロック信号が入力される第1インバータと、
    前記第1インバータの出力と前記第1RSフリップフロップの出力が入力される第1AND回路と、
    を有する、電源制御装置。
  3. 前記スロープ電圧生成部は、前記スイッチング素子がオンのときに前記スイッチング素子に流れる電流を検出した電流検出信号と、前記バイアス電圧と、前記キャパシタ電圧と、の加算に基づき前記スロープ電圧を生成する、請求項1または請求項に記載の電源制御装置。
  4. オンのときにインダクタにエネルギーを蓄えるスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子を駆動するドライバと、
    スイッチング電源装置の出力電圧に基づいて生成される帰還電圧と参照電圧との誤差を増幅して誤差電圧を生成するエラーアンプと、
    スロープ電圧を生成するスロープ電圧生成部と、
    前記スロープ電圧と前記誤差電圧とを比較するコンパレータと、
    クロック信号の変化エッジを遅延させて遅延クロック信号として出力する遅延回路と、
    を備えており、
    前記遅延クロック信号に基づいて前記ドライバは、前記スイッチング素子をオンとし、
    前記クロック信号の変化エッジに基づいて前記スロープ電圧は上昇を開始し、前記スロープ電圧が前記誤差電圧に達したことが前記コンパレータにより検出されたときに、前記ドライバは前記スイッチング素子をオフとし、
    前記遅延回路は、
    抵抗と、
    電源電圧の印加端に接続される第1端と、前記抵抗の一端に接続される第2端と、前記クロック信号が入力される制御端と、を有する第1トランジスタと、
    接地端と接続される第1端と、前記抵抗の他端と接続される第2端と、前記クロック信号が入力される制御端と、を有する第2トランジスタと、
    前記抵抗の他端と前記第2トランジスタの第2端とが接続される接続ノードに接続される入力端を有するインバータと、
    を有する、電源制御装置。
  5. 前記遅延クロック信号が入力されるセット端子と、前記コンパレータの出力が入力されるリセット端子と、を有する第2RSフリップフロップと、
    前記遅延クロック信号が入力される第2インバータと、
    前記第2インバータの出力と前記第2RSフリップフロップの出力が入力される第2AND回路と、
    を有する、請求項に記載の電源制御装置
  6. オンのときにインダクタにエネルギーを蓄えるスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子を駆動するドライバと、
    スイッチング電源装置の出力電圧に基づいて生成される帰還電圧と参照電圧との誤差を増幅して誤差電圧を生成するエラーアンプと、
    スロープ電圧を生成するスロープ電圧生成部と、
    前記スロープ電圧と前記誤差電圧とを比較するコンパレータと、
    クロック信号の変化エッジを遅延させて遅延クロック信号として出力する遅延回路と、
    を備えており、
    前記遅延クロック信号に基づいて前記ドライバは、前記スイッチング素子をオンとし、
    前記クロック信号の変化エッジに基づいて前記スロープ電圧は上昇を開始し、前記スロープ電圧が前記誤差電圧に達したことが前記コンパレータにより検出されたときに、前記ドライバは前記スイッチング素子をオフとし、
    前記遅延回路の有効/無効を切替え可能である、電源制御装置。
  7. 請求項1から請求項のいずれか1項に記載の電源制御装置と、前記インダクタと、を有する、スイッチング電源装置。
  8. 前記出力電圧を分圧して前記帰還電圧を生成する分圧抵抗を有する、請求項に記載のスイッチング電源装置。
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