JP7256888B2 - 静電容量型ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）センサの動作方法および静電容量型ＭＥＭＳセンサ - Google Patents

Description

本発明は、静電容量型ＭＥＭＳセンサの動作方法に関する。

本発明は、さらに、静電容量型ＭＥＭＳセンサに関する。

本発明は、一般的に任意の静電容量型ＭＥＭＳセンサに適用可能であるが、本発明は、ジャイロスコープの形態のＭＥＭＳセンサに関連して説明される。

ジャイロスコープでは、特定用途集積回路（略してＡＳＩＣ）の対応する制御回路によって、移動自在に配置された質量（振動質量）が振動するように励振され、好ましくはそれぞれのセンサ素子の共振周波数で振動させられる。振動質量における電極と固定された電極とが静電容量を形成し、それらによる静電エネルギーが当該振動質量に伝達される。この時、当該電極には可変電圧が印加される。これに加え、例えば、振動する振動質量の共振周波数に相当するクロック電圧を用いることができる。

その電圧信号は、例えば、高電圧制御回路によって供給され、充電感度を向上させて低電流時のノイズ低減を可能にするものである。このとき、電圧の大きさは通常、グリッドオペレータによって供給される電圧の大きさよりも高いため、ここでは適切なチャージポンプが使用される。

このような高電圧制御回路は、例えばＵＳ９，００６，８３２Ｂ２（米国特許第９，００６，８３２号）により公知である。ＵＳ９，００６，８３２Ｂ２（米国特許第９，００６，８３２号）には、低電圧半導体プロセス技術と互換性のある高電圧ＭＥＭＳシステムが開示されており、このシステムは、半導体基板に配置された拡張電圧絶縁を使用する高圧バイアスジェネレータに結合されたＭＥＭＳデバイスを含む。このシステムでは、高圧トランジスタの使用を省略しているため、特別な高圧処理工程が不要となり、ひいてはプロセス費用と複雑さとを軽減することができる。ＭＥＭＳの検査機能は、バイアス電圧と電流を調整できるセルフテスト回路によって可能となるので、外部の高電圧接続とそれに伴う静電放電保護回路が不要になる。

一実施形態では、本発明は、
静電容量型ＭＥＭＳセンサの動作方法であって、
ＭＥＭＳセンサにおける変位自在に配置された振動質量に定められた電位を与えるステップと、
クロック電気制御電圧を用いて、振動質量の振動運動を容量的に励起させるステップと、
クロック電気制御電圧のクロックに応じて、振動質量に接続された蓄電素子を選択的に充電および／または放電することにより、振動質量において供給される電位のクロック電気制御電圧に起因する変動を補償するステップと
を含む方法を提供するものである。

さらなる実施形態では、本発明は、
変位自在に配置された振動質量と、
振動質量に定められた電位を供給する回路装置と、
振動質量を容量的に励振させて振動運動させる励振装置と、
励振装置による振動質量の振動運動を容量的に励起させるためのクロック電気制御電圧を供給する駆動装置と、
蓄電素子を有する補償装置とを備え、
補償装置は、振動質量に接続されており、クロック電気制御電圧のクロックに応じて蓄電素子を選択的に充電および／または放電することにより、制御電圧によって引き起こされる振動質量における電位の変動を補償するように構成されている、
静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供するものである。

「振動質量の振動運動を容量的に励起させる」というステップは、特に請求項において、好ましくは明細書において、振動運動を行うように振動質量を開始、励振、駆動等することであると理解できる。ここでは特に、振動質量に配置されていない１つまたは複数の電極が、振動質量に配置された１つまたは複数の電極と相互作用する。ここで特に、振動質量自体を電極として構成することができる。一方では振動質量に配置され、他方では振動質量に配置されていない電極の相互作用によって、１つまたは複数の容量が形成される。「容量的に励起」という用語は、特に、電極での電圧による１つまたは複数の容量の変化によって、振動質量の振動運動が行われるか、または少なくとも開始されることであると理解できる。

電位に関連する「変動」という用語は、好ましくは請求項において、特に明細書において、電位の大きさのあらゆる時間的変化であると理解できる。特に、変動とは、振動質量における電位の減少または増加であると理解できる。ここで、変動は、特に、ある所定の平均値からのずれとしてのみ理解できるものではない。したがって、「変動」という用語は、最も広い意味で理解でき、好ましくは請求項において、特に明細書において、あらゆる変化、ずれ、変位等を指す。

振動質量の振動運動に関する「監視」という用語は、最も広い意味で理解でき、この用語は、特に請求項において、好ましくは明細書において、振動運動を説明または特徴づける量、例えば、振動質量の運動の位置、速度、加速度または他の時間的に派生する量の少なくとも部分的に連続した検出、算出、感知等を指す。さらに、「監視」という用語は、同様に振動運動に関連して、特に請求項において、好ましくは明細書において、所定の変化が検出もしくは算出された場合または所定の変化が生じた場合に、動作の実行等が行われることであると理解できる。

振動運動の位相または振幅に関連する「制御」という用語は、特に請求項において、好ましくは明細書において、振動質量の所望の、規定のまたは所定の振動運動を供給および／または維持するための、位相および／または振幅の少なくとも一時的な、特に連続的な調整であると理解できる。

電気制御電圧の位相に関連する信号を「結合する」という用語によって、特に請求項において、好ましくは明細書において、電気制御電圧の位相に対応する、または電気制御電圧の位相を有する信号が生成されることが理解できる。電気制御電圧の位相に関連する「結合する」という用語は、特に、位相結合器による位相結合であるとは理解されない。

これにより得られる利点の１つは、振動質量における電位を、対応するクロック電圧によって直接的に一定に保つことができることである。これにより、高電圧制御回路の帯域幅要件を緩和させ、静電容量型ＭＥＭＳセンサのパッケージスペースを全体的に小さくし、消費電力を削減させることができる。変位自在に配置された振動質量は、特に弾性的に支持されていてもよい。

本発明のさらなる特徴、利点、およびさらなる実施形態は、以下に説明されるか、または以下によって開示可能になる。

有利な改善構成によれば、振動質量の振動運動が監視され、クロック電気制御電圧は、振動質量の定められた振動運動を維持するように調整される。これにより得られる利点の１つは、振動質量の振動運動を、容易に、かつ変化に迅速に反応して制御できることである。

さらなる有利な改善構成によれば、振動質量の振動運動の位相および／または振幅が検出され、クロック電気制御電圧の位相および／または振幅が、振動質量の定められた振動運動を与えるように制御される。したがって、特に容易かつ確実な方法で、振動質量の振動運動を制御することができる。

さらなる有利な改善構成によれば、クロック電気制御電圧の位相に結合された制御信号が生成され、この制御信号により、蓄電素子の選択的な充電および／または放電が開始される。したがって、クロックに対応する選択的な充電および／または放電を、容易かつ同時に確実な方法で提供することができる。

さらなる有利な改善構成によれば、振動質量において補償されるべき電荷は、振動質量の振動運動の振幅と、クロック電気制御電圧の大きさと、変位に応じた静電容量の動作感度との積として決定され、蓄電素子のための充電電流は、振動質量の振動子の共振周波数の２倍と、補償されるべき電荷との積として決定される。これにより得られる利点の１つは、補償すべき電荷と蓄電素子の充電電流とを容易に決定できることである。

ＭＥＭＳセンサの有利な改善構成によれば、回路装置は、振動質量に接続された少なくとも１つのチャージポンプを含む。したがって、確実な方法で、振動質量における電荷、ひいては定められた電位を供給することができる。

ＭＥＭＳセンサのさらに有利な改善構成によれば、回路装置は、振動質量における電位を監視し、所定の基準電圧に応じてその電位を制御するように構成されている。したがって、振動質量における電位を容易な方法で決定し、場合によって調整することができる。

ＭＥＭＳセンサのさらなる有利な改善構成によれば、クロック電気制御電圧を供給するための駆動装置は、振動質量の振動運動を監視するための回路装置、特に振動質量の振動運動の振幅および／または位相の変化を算出するための回路装置を含む。これにより得られる利点の１つは、クロック電気制御電圧を確実に適応させられることである。

ＭＥＭＳセンサのさらなる有利な改善構成によれば、駆動装置は、振動質量の定められた振動運動を維持するために、クロック電気制御電圧の振幅および／または位相を制御するための、少なくとも１つの振幅制御装置および／または位相制御装置を含む。これにより得られる利点の１つは、クロック電気制御電圧を柔軟に適応させられることである。

ＭＥＭＳセンサのさらなる有利な改善構成によれば、駆動装置は、補償装置に接続されており、この駆動装置は、電気制御電圧のクロックに応じて補償装置に制御信号を伝送するように構成されており、補償装置は、制御信号に応じて蓄電素子の選択的な充電および／または放電を行うように構成されている。この利点は、振動質量における電位の変動を、迅速に、確実に、容易に補償できることである。

ＭＥＭＳセンサのさらなる有利な改善構成によれば、補償装置は、蓄電素子を充電するための少なくとも１つの電流源と、蓄電素子を放電するための少なくとも１つのスイッチと、を含み、少なくとも１つのスイッチは、駆動装置の制御信号により動作可能である。この利点は、補償装置を容易に実装できることである。

ＭＥＭＳセンサのさらなる有利な改善構成によれば、蓄電素子は、受動的な蓄電素子、特にコンデンサの形態で構成されている。この利点は、電気エネルギーを特に安価で容易に蓄積できることである。

ＭＥＭＳセンサのさらなる有利な改善構成によれば、少なくとも１つの電流源は、複数の選択可能な電流発生器を提供するように構成された、電流出力部をもつデジタルアナログ変換器を含む。この利点は、蓄電素子の確実に高速充電することと、同時に低コスト設計であることである。

さらなる有利な改善構成によれば、ＭＥＭＳセンサはジャイロスコープの形態で構成されている。この利点は、特に確実に動作可能で安価なジャイロスコープが使用できることである。

本発明のさらなる重要な特徴および利点は、従属請求項、図面、およびそれに付随する図面の説明から明らかになる。

上記の特徴および以下に説明する特徴は、それぞれの場合に示された組み合わせだけでなく、本発明の範囲を離れることなく、他の組み合わせや単独でも使用できると理解される。

本発明の好ましい実施および実施形態を図面に示し、以下の説明で詳述するが、同一の参照符号は、同一または類似または機能的に同一の構成要素または要素を指す。

本発明の一実施形態にかかるＭＥＭＳセンサを示す図である。 本発明の一実施形態にかかるＭＥＭＳセンサの異なる位置における電圧信号の異なる形を示す図である。 本発明の一実施形態にかかる方法ステップの図である。

図１は、本発明の一実施形態にかかるＭＥＭＳセンサを示す。

図１は、本発明を説明するために、ＭＥＭＳセンサ１の重要な構成要素を概略的に示している。ＭＥＭＳセンサ１は、変位自在に配置された、ここでは弾性的に支持された振動質量５ａを備えており、この振動質量５ａは、少なくとも１つの第１の空間方向において振動を起こすことが可能であり、その変位を少なくとも１つの第２の空間方向において容量的に検出することが可能である。ここで、第１および第２の空間方向を同一にすることも可能である。さらに、ＭＥＭＳセンサ１は、振動質量５ａに定められた電位を供給するための回路装置４と、クロック電気制御電圧１０，１１を用いて振動運動をさせるために振動質量５ａにおける対向電極２０ｂ，２１ｂと相互作用する駆動電極２０ａ，２１ａを含んで振動質量５ａを容量的に励振させるための励振装置と、クロック電気制御電圧１０，１１を供給するための駆動装置２と、蓄電素子３ａを含む補償装置３とを備えている。補償装置３は、振動質量５ａに接続されており、クロック電気制御電圧１０，１１のクロックに応じて蓄電素子３ａを選択的に充電および／または放電することにより、制御電圧１０，１１によって引き起こされる振動質量５ａにおける電位の変動を補償するように構成されている。

ここで、駆動装置２は、電流／電圧変換器２ａとさらなる電気部品２ｂ，２ｃとを含む測定回路を備える。一方、駆動装置２は、振動質量５ａにおいて対応する対向電極２０ｂ，２１ｂとともに相応の容量を形成する駆動電極２０ａ，２１ａに接続されている。この駆動装置２は、対応する電圧によって、振動質量５ａを特に共振振動させるために機能する。さらに、駆動装置２は、測定用電極２２ａ，２３ａに接続されており、測定用電極２２ａ，２３ａは、振動質量５ａにおいて対応する測定用対向電極２２ｂ，２３ｂとともにそれぞれ再び容量を形成し、ＭＥＭＳ素子５の振動質量５ａの位置または変位を測定または検出するために機能する。この位置または変位の情報は、振動質量５ａの定められた振動運動を生成または維持することができる適切なクロック制御電圧１０，１１をそれぞれ生成するために位相制御装置１２および振幅制御装置１４によって使用される。ここで、振幅制御装置１４は、振動質量５ａの振動の振幅を調整するための可変電圧を供給するように構成されている。

位相制御装置１２は、振動運動を所定の周期で維持するために機能する。振幅制御装置１４および位相制御装置１２により、矩形波のクロック制御電圧信号１０，１１が生成され、電極２０ａ，２１ａに印加される。さらに、位相制御装置１２は、信号、特にパルス信号１２ａを供給し、この信号は、補償装置３に伝送される。

補償装置３は、電流出力部をもつデジタルアナログ変換器３ｂに接続されたコンデンサ３ａを有する。特に、デジタルアナログ変換器３ｂは、コンデンサ３ａを充電するための電流発生器を選択するためのインターフェースを有する。電流源として機能するデジタルアナログ変換器３ｂ（以下、Ｉ＿ＤＡＣと称す）から供給される電流は、有利には振動質量５ａおよびその励振によって形成される振動子の各種パラメータ、例えば、目標とする平均振幅運動、共振周波数、励振感度、品質係数等に適合する。さらに、コンデンサ３ａの放電を可能にするスイッチ３ｃが配置されている。ここで、スイッチ３ｃは、駆動電極２０ａ，２１ａに対する（ここでは矩形の）クロック制御電圧と同期してコンデンサ３ａが放電されるように、位相制御装置１２のパルス信号１２ａによって制御される。

回路装置４は、ここでは閉ループ制御回路として構成されており、入力側でエラーアンプ４ｃに接続されたチャージポンプ４ａを含む。この閉ループ制御回路４は、基準電圧Ｖｒｅｆによって設定された規定の電位を振動質量５ａに供給するように構成されている。ここで、既に上述したように、振動質量５ａにおける対向電極２０ｂ，２１ｂは、駆動電極２０ａ，２１ａと相互作用し、測定用対向電極２２ｂ，２３ｂは、振動質量５ａにおける測定用電極２２ａ，２３ａと相互作用する。エラーアンプ４ｃは、ＭＥＭＳ素子５の振動質量５ａに高電圧を供給しこれに応じたフィードバックを分圧器４ｂおよびエラーアンプ４ｃを介して受け取るチャージポンプ４ａ用の制御信号を生成するものである。さらなる実施形態では、回路装置４は、チャージポンプ４ａのみを備えるオープンシステムとして構成されてもよい。

ここで、駆動装置２、補償装置３および閉ループ制御回路４は、制御電圧のクロックサイクルの間に補償装置３によるコンデンサ３ａの電荷Ｑｃｇが、駆動電極２０ａ，２１ａが駆動装置２によって対応するクロックで電圧Ｖｄｒｉｖｅの印加を受けた場合に振動質量５ａにおける電位を一定に保つために必要な電荷Ｑｄｒｉｖｅと等しくなるように、連携して動作する。デジタルアナログ変換器３ｂがコンデンサ３ａを充電するために供給する電流Ｉ＿ＤＡＣを適宜調整することができる。

Ｑｃｇ＝Ｉ＿ＤＡＣ／（ｆｄｒ＊２）＝Ｑｄｒｉｖｅ＝ｘｄｒ＊Ｖｄｒｉｖｅ＊Ｓ＿ａ

ここでは、以下のように対応している。
Ｉ＿ＤＡＣ＝デジタルアナログ変換器の電流（Ａ）、
ｆｄｒ＝振動質量で形成される振動子のＭＥＭＳ共振周波数（Ｈｚ）、
Ｓ＿ａ＝動作感度 静電容量／変位量（Ｆ／ｍ）、
ｘｄｒ＝振動質量の運動の振幅（ｍ）、および
Ｖｄｒｉｖｅ＝駆動制御電圧（Ｖ）。

電気制御電圧１０，１１のクロックでスイッチ３ｃを閉じることで、コンデンサ３ａが放電される。ここで、クロック制御電圧の励起パルスによって振動質量５ａに短時間で追加的に印加されるのと同じ量の電荷が、それぞれ振動質量５ａから流出する。スイッチ３ｃが開いているとき、すなわち２つのパルス信号１２ａの間のときは、コンデンサ３ａは、電気制御電圧１０，１１の制御パルスから予想される電荷Ｑｄｒｉｖｅで、それぞれ再充電される。これにより、電気制御電圧１０，１１の制御パルスに起因する振動質量５ａにおける電位の変動を、閉ループ制御回路４とは無関係に補償することができる。これらの電位の変動は、電気制御電圧１０，１１の制御パルスが振動質量５ａの最大変位時に生じるときに特に強い。いずれの場合も、振動質量５ａにおける電位は、電気制御電圧１０，１１の制御パルスに起因して短時間の乱れのみを示し、その後は目標電位に戻る。

対応する電圧の特性を以下の図２に示す。

図２は、本発明の一実施形態にかかるＭＥＭＳセンサの異なる位置における電圧信号の異なる形を示すものである。

図２では、様々な信号特性が、時間１００に関する電圧１０１として示されており、この図はこれらの信号特性間の時間的な関係性も示す。上の領域には、駆動電極２０ａに対する電圧信号１０の時間経過が示されており、その下には、駆動電極２１ａに対する電圧信号１１の時間経過が続いて示されている。さらにこの下に、位相制御装置１２の制御信号１２ａの時間経過が示されている。制御信号１２ａの経過の下には、コンデンサ３ａの充電電圧１３の経過が示されており、さらにその下には、変位自在の振動質量５ａの電位の時間経過が示されている。ここで電圧信号１０，１１は矩形状を有し、これらは互いに逆の位相、すなわち電圧信号１０の位相は電圧信号１１に対して１８０°ずれている。ここで、矩形の電圧信号１０，１１の周波数は、振動質量５ａの共振周波数に相当する。

制御信号１２ａは、矩形の電圧信号１０，１１の各エッジ変化に対応する一定の大きさの短時間の単一パルスからなる。コンデンサ３ａは、制御信号１２ａの個々のパルスごとに放電され、これらの個々のパルスの間に再充電される。したがって、補償装置３のコンデンサ３ａの電圧１３は、制御信号１２ａの個々のパルスの間でそれぞれ上昇して、個々のパルスごとに再びゼロまで下降し、全体として、電圧１３の経過はノコギリ歯形状になる。振動質量５ａにおける電位は、定められた大きさを有するが、制御信号１０，１１のエッジ変化ごとに「ピーク状」に上昇する。補償装置３により、振動質量５ａの電位はすぐに以前の大きさに戻り、ここでは実線で示されている。破線は、補償装置３をオフにした場合の振動質量５ａにおける電位の特性を示す。この場合、振動質量５ａにおける電位は、閉ループ制御回路４の帯域幅によって制限される一定のタイムスパンの後に、略指数関数的に減少する。

図３は、本発明の一実施形態にかかる方法ステップを示している。

図３は、静電容量型ＭＥＭＳセンサの動作方法を示すものである。ここで、この方法は以下のステップを含む。

第１のステップＳ１では、ＭＥＭＳセンサの変位自在に配置された振動質量に定められた電位が供給される。

第２のステップＳ２では、クロック電気制御電圧を用いて、振動質量の振動運動が容量的に励起させられる。

さらなるステップＳ３では、振動質量において供給される電位のクロック電気制御電圧に起因する変動が、クロック電気制御電圧のクロックに応じて、振動質量に接続された蓄電素子を選択的に充電および／または放電することによって補償される。

要約すると、本発明の実施形態の少なくとも１つは、以下の利点の少なくとも１つを有する。
－ 高電圧制御回路では、チャージポンプによる早急な電荷調整を行う必要がない。
－ 高電圧制御回路の消費電力が少ない。
－ 高電圧制御回路の要求帯域が低い。
－ 製造が容易である。
－ 設置スペースがよりコンパクトである。

本発明は、好ましい実施形態を参照して説明したが、これに限定されるものではなく、様々な方法で変更可能である。

Claims (16)

1. 静電容量型ＭＥＭＳセンサ（１）の動作方法であって、
   前記ＭＥＭＳセンサ（１）における変位自在に配置された振動質量（５ａ）に定められた電位を与えるステップ（Ｓ１）と、
   クロック電気制御電圧（１０，１１）を用いて、前記振動質量（５ａ）の振動運動を容量的に励起させるステップ（Ｓ２）と、
   前記クロック電気制御電圧（１０，１１）のクロックに応じて、前記振動質量（５ａ）に接続された蓄電素子（３ａ）の選択的な充電および放電を行うことにより、前記振動質量（５ａ）において供給される電位の前記クロック電気制御電圧（１０，１１）に起因する変動を補償するステップ（Ｓ５）と
   を含む方法。
2. 前記振動質量（５ａ）の振動運動が監視され、前記クロック電気制御電圧（１０，１１）は、前記振動質量（５ａ）の定められた振動運動を維持するように調整される、請求項１に記載の方法。
3. 前記振動質量（５ａ）の振動運動の位相および／または振幅が検出され、前記クロック電気制御電圧（１０，１１）の位相および／または振幅が、前記振動質量（５ａ）の定められた振動運動を与えるように制御される、請求項１または２に記載の方法。
4. 前記クロック電気制御電圧（１０，１１）の位相に結合された制御信号（１２ａ）が生成され、前記制御信号（１２ａ）により、前記蓄電素子（３ａ）の選択的な充電および放電が開始される、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記振動質量（５ａ）において補償されるべき電荷は、前記振動質量（５ａ）の振動運動の振幅と、前記クロック電気制御電圧（１０，１１）の大きさと、当該変位に応じた静電容量の動作感度との積として決定され、前記蓄電素子（３ａ）のための充電電流は、前記振動質量（５ａ）の振動子の共振周波数の２倍と、補償されるべき電荷との積として決定される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
6. 変位自在に配置された振動質量（５ａ）と、
   前記振動質量（５ａ）に定められた電位を供給する回路装置（４）と、
   前記振動質量（５ａ）を容量的に励振させて振動運動させる励振装置（２０ａ，２１ａ）と、
   前記励振装置（２０ａ，２１ａ）による前記振動質量（５ａ）の振動運動を容量的に励起（Ｓ２）させるためのクロック電気制御電圧（１０，１１）を供給する駆動装置（２）と、
   蓄電素子（３ａ）を有する補償装置（３）とを備え、
   前記補償装置（３）は、前記振動質量（５ａ）に接続されており、前記クロック電気制御電圧（１０，１１）のクロックに応じて前記蓄電素子（３ａ）の選択的な充電および放電を行うことにより、前記制御電圧（１０，１１）によって引き起こされる前記振動質量（５ａ）における電位の変動を補償するように構成されている、
   静電容量型ＭＥＭＳセンサ（１）。
7. 前記回路装置（４）は、前記振動質量（５ａ）に接続された少なくとも１つのチャージポンプ（４ａ）を含む、請求項６に記載のＭＥＭＳセンサ。
8. 前記回路装置（４）は、前記振動質量（５ａ）における電位を監視し、所定の基準電圧（Ｖｒｅｆ）に応じて前記電位を制御するように構成されている、請求項６または７に記載のＭＥＭＳセンサ。
9. 前記クロック電気制御電圧（１０，１１）を供給するための前記駆動装置（２）は、前記振動質量（５ａ）の振動運動の振幅および／または位相の変化を算出するための回路装置を含む、請求項６から８のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
10. 前記駆動装置（２）は、前記振動質量（５ａ）の定められた振動運動を維持するために、前記クロック電気制御電圧（１０，１１）の振幅および／または位相を制御するための、少なくとも１つの振幅制御装置（１４）および／または位相制御装置（１２）を含む、請求項９に記載のＭＥＭＳセンサ。
11. 前記駆動装置（２）は、前記補償装置（３）に接続されており、前記駆動装置（２）は、前記電気制御電圧（１０，１１）のクロックに応じて前記補償装置（３）に制御信号（１２ａ）を伝送するように構成されており、前記補償装置（３）は、前記制御信号（１２ａ）に応じて前記蓄電素子（３ａ）の選択的な充電および放電を行うように構成されている、請求項６から１０のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
12. 前記補償装置（３）は、前記蓄電素子（３ａ）を充電するための少なくとも１つの電流源（３ｂ）と、前記蓄電素子（３ａ）を放電するための少なくとも１つのスイッチ（３ｃ）とを含み、前記少なくとも１つのスイッチ（３ｃ）は、前記駆動装置（２）の前記制御信号（１２ａ）により動作可能である、請求項１１に記載のＭＥＭＳセンサ。
13. 前記蓄電素子（３ａ）は、受動的な蓄電素子（３ａ）で構成されている、請求項６から１２のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
14. 前記受動的な蓄電素子（３ａ）はコンデンサの形態で構成されている、請求項１３に記載のＭＥＭＳセンサ。
15. 前記少なくとも１つの電流源（３ｂ）は、複数の選択可能な電流発生器を提供するように構成された、電流出力部をもつデジタルアナログ変換器（３ｂ）を含む、請求項１２に記載のＭＥＭＳセンサ。
16. 前記ＭＥＭＳセンサ（１）はジャイロスコープの形態で構成されている、請求項６から１５のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。

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