JP7255711B2 - 分散剤及び研磨剤組成物 - Google Patents
分散剤及び研磨剤組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7255711B2 JP7255711B2 JP2021566824A JP2021566824A JP7255711B2 JP 7255711 B2 JP7255711 B2 JP 7255711B2 JP 2021566824 A JP2021566824 A JP 2021566824A JP 2021566824 A JP2021566824 A JP 2021566824A JP 7255711 B2 JP7255711 B2 JP 7255711B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer block
- structural unit
- group
- polymer
- dispersant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 title claims description 89
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 80
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 369
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 209
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 159
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 91
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 86
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 76
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 58
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 29
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 24
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 9
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 125000001749 primary amide group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003156 secondary amide group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003142 tertiary amide group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 108
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 67
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 64
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 52
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 description 50
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 48
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 46
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 43
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 43
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 39
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 37
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 37
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 31
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 31
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 23
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 22
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 21
- VFXXTYGQYWRHJP-UHFFFAOYSA-N 4,4'-azobis(4-cyanopentanoic acid) Chemical compound OC(=O)CCC(C)(C#N)N=NC(C)(CCC(O)=O)C#N VFXXTYGQYWRHJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 20
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 125000003010 ionic group Chemical group 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 16
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 16
- WYGWHHGCAGTUCH-ISLYRVAYSA-N V-65 Substances CC(C)CC(C)(C#N)\N=N\C(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 15
- 101100490446 Penicillium chrysogenum PCBAB gene Proteins 0.000 description 13
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 13
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 13
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 13
- 239000012987 RAFT agent Substances 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 12
- AISZNMCRXZWVAT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylsulfanylcarbothioylsulfanyl-2-methylpropanenitrile Chemical compound CCSC(=S)SC(C)(C)C#N AISZNMCRXZWVAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 11
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 11
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 8
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 7
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 7
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 7
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 6
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical group COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 6
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 6
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 6
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N phosphonic acid group Chemical group P(O)(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 6
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SBVKVAIECGDBTC-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2-methylidenebutanamide Chemical compound NC(=O)C(=C)CCO SBVKVAIECGDBTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 5
- 229920000536 2-Acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid Polymers 0.000 description 4
- XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-2-[(1-oxo-2-propenyl)amino]-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000720524 Gordonia sp. (strain TY-5) Acetone monooxygenase (methyl acetate-forming) Proteins 0.000 description 4
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 4
- 125000000278 alkyl amino alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- UUORTJUPDJJXST-UHFFFAOYSA-N n-(2-hydroxyethyl)prop-2-enamide Chemical compound OCCNC(=O)C=C UUORTJUPDJJXST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- IKWGMGMZWODWEO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-carboxyethylsulfanylcarbothioylsulfanyl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)SC(=S)SCCC(O)=O IKWGMGMZWODWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(prop-2-enoylamino)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(C)C(S(O)(=O)=O)NC(=O)C=C QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 3
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DUWWHGPELOTTOE-UHFFFAOYSA-N n-(5-chloro-2,4-dimethoxyphenyl)-3-oxobutanamide Chemical compound COC1=CC(OC)=C(NC(=O)CC(C)=O)C=C1Cl DUWWHGPELOTTOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 3
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 description 3
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutane Chemical compound CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RHSCFNJCBGIZAS-UHFFFAOYSA-N CC(=C)C(=O)OCCCOP(=O)=O Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCOP(=O)=O RHSCFNJCBGIZAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical class C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010560 atom transfer radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000004659 dithiocarbamates Chemical class 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical class NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- IBIKHMZPHNKTHM-RDTXWAMCSA-N merck compound 25 Chemical compound C1C[C@@H](C(O)=O)[C@H](O)CN1C(C1=C(F)C=CC=C11)=NN1C(=O)C1=C(Cl)C=CC=C1C1CC1 IBIKHMZPHNKTHM-RDTXWAMCSA-N 0.000 description 2
- OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C=C OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWECJGLXBSQKRF-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylformamide;methanol Chemical compound OC.CN(C)C=O WWECJGLXBSQKRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 2
- HIZCIEIDIFGZSS-UHFFFAOYSA-L trithiocarbonate Chemical class [S-]C([S-])=S HIZCIEIDIFGZSS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- ILROLYQPRYHHFG-UHFFFAOYSA-N 1-$l^{1}-oxidanylprop-2-en-1-one Chemical group [O]C(=O)C=C ILROLYQPRYHHFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-methylpropane Chemical compound CC(C)COC=C OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOAQRMLVFRWIT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCCOC=C NSOAQRMLVFRWIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAOJJEJGPZRYJF-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxyhexane Chemical compound CCCCCCOC=C YAOJJEJGPZRYJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIMKRVLJPMYKID-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxynonane Chemical compound CCCCCCCCCOC=C MIMKRVLJPMYKID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXCVIFJHBFNFBO-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxyoctane Chemical compound CCCCCCCCOC=C XXCVIFJHBFNFBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxypropane Chemical compound CCCOC=C OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEOXIOXMKNFLQ-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-prop-2-enylbenzene Chemical class CC1=CC=C(CC=C)C=C1 WAEOXIOXMKNFLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVTLBBWTUPQRAY-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanobutan-2-yldiazenyl)-2-methylbutanenitrile Chemical compound CCC(C)(C#N)N=NC(C)(CC)C#N AVTLBBWTUPQRAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethenoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOC=C WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFHOSZAOXCYAGJ-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methoxy-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-4-methoxy-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound COC(C)(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)(C)OC PFHOSZAOXCYAGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCVJRXQHFJXZFZ-KVQBGUIXSA-N 2-amino-9-[(2r,4s,5r)-4-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-3h-purine-6-thione Chemical compound C1=2NC(N)=NC(=S)C=2N=CN1[C@H]1C[C@H](O)[C@@H](CO)O1 SCVJRXQHFJXZFZ-KVQBGUIXSA-N 0.000 description 1
- MPNXSZJPSVBLHP-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-phenylpyridine-3-carboxamide Chemical compound ClC1=NC=CC=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 MPNXSZJPSVBLHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGYJSURPYAAOMM-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxy-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(C)OC=C PGYJSURPYAAOMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxyethanol Chemical compound OCCOC=C VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNUGVECARVKIPH-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxypropane Chemical compound CC(C)OC=C GNUGVECARVKIPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004200 2-methoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LYPGJGCIPQYQBW-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-[[2-methyl-1-oxo-1-(prop-2-enylamino)propan-2-yl]diazenyl]-n-prop-2-enylpropanamide Chemical compound C=CCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCC=C LYPGJGCIPQYQBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 3-(ethenoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COC=C DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl Chemical group [CH2]CCO QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVAAYFMMXYRORI-UHFFFAOYSA-N 4-butoxy-2-methylidene-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCCOC(=O)CC(=C)C(O)=O VVAAYFMMXYRORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenoxybutan-1-ol Chemical compound OCCCCOC=C HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710141544 Allatotropin-related peptide Proteins 0.000 description 1
- 108091007065 BIRCs Proteins 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N DEAEMA Natural products CCN(CC)CCOC(=O)C(C)=C SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N abcn Chemical compound C1CCCCC1(C#N)N=NC1(C#N)CCCCC1 KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001253 acrylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 235000019568 aromas Nutrition 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229940006460 bromide ion Drugs 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- UTOVMEACOLCUCK-PLNGDYQASA-N butyl maleate Chemical compound CCCCOC(=O)\C=C/C(O)=O UTOVMEACOLCUCK-PLNGDYQASA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- YOQPKXIRWPWFIE-UHFFFAOYSA-N ctk4c8335 Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOP(=O)=O YOQPKXIRWPWFIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVHKECRARPYFQS-UHFFFAOYSA-N cyclohex-2-ene-1,1-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C(O)=O)CCCC=C1 OVHKECRARPYFQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 125000005022 dithioester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- GFJVXXWOPWLRNU-UHFFFAOYSA-N ethenyl formate Chemical compound C=COC=O GFJVXXWOPWLRNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N ethenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC=C UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanedithioic acid Chemical class CCOC(S)=S ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002737 metalloid compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- HRDXJKGNWSUIBT-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Chemical group [CH2]OC1=CC=CC=C1 HRDXJKGNWSUIBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(1-methoxy-2-methyl-1-oxopropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)OC ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical compound COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(2-methylphenoxy)-3-phenylpropyl]azanium;chloride Chemical compound Cl.C=1C=CC=CC=1C(CCNC)OC1=CC=CC=C1C LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFLRURCEBYIKSS-UHFFFAOYSA-N n-butyl-2-[[1-(butylamino)-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound CCCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCCC SFLRURCEBYIKSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJDNTSGQAOAXNR-UHFFFAOYSA-N n-ethenyl-2-methylpropanamide Chemical compound CC(C)C(=O)NC=C ZJDNTSGQAOAXNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQAKESSLMFZVMC-UHFFFAOYSA-N n-ethenylacetamide Chemical compound CC(=O)NC=C RQAKESSLMFZVMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N n-ethenylformamide Chemical compound C=CNC=O ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical class C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZKYDQNMAUSEDZ-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CC=C RZKYDQNMAUSEDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000012712 reversible addition−fragmentation chain-transfer polymerization Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006276 transfer reaction Methods 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOZCZZVUFDCZGG-UHFFFAOYSA-N vinyl benzoate Chemical compound C=COC(=O)C1=CC=CC=C1 KOZCZZVUFDCZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K23/00—Use of substances as emulsifying, wetting, dispersing, or foam-producing agents
- C09K23/52—Natural or synthetic resins or their salts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F293/00—Macromolecular compounds obtained by polymerisation on to a macromolecule having groups capable of inducing the formation of new polymer chains bound exclusively at one or both ends of the starting macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F293/00—Macromolecular compounds obtained by polymerisation on to a macromolecule having groups capable of inducing the formation of new polymer chains bound exclusively at one or both ends of the starting macromolecule
- C08F293/005—Macromolecular compounds obtained by polymerisation on to a macromolecule having groups capable of inducing the formation of new polymer chains bound exclusively at one or both ends of the starting macromolecule using free radical "living" or "controlled" polymerisation, e.g. using a complexing agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K23/00—Use of substances as emulsifying, wetting, dispersing, or foam-producing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K23/00—Use of substances as emulsifying, wetting, dispersing, or foam-producing agents
- C09K23/22—Amides or hydrazides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/04—Acids; Metal salts or ammonium salts thereof
- C08F220/06—Acrylic acid; Methacrylic acid; Metal salts or ammonium salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2438/00—Living radical polymerisation
- C08F2438/03—Use of a di- or tri-thiocarbonylthio compound, e.g. di- or tri-thioester, di- or tri-thiocarbamate, or a xanthate as chain transfer agent, e.g . Reversible Addition Fragmentation chain Transfer [RAFT] or Macromolecular Design via Interchange of Xanthates [MADIX]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1472—Non-aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
Description
CH2=CR1-C(=O)-NR2-R3 …(1)
(式(1)中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の1価の炭化水素基であるか、又はR2とR3とが互いに結合してR2及びR3が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。)
条件I:前記重合体ブロックAが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックBが有するイオン性官能基とが異なる。
条件II:前記重合体ブロックAのイオン性官能基の含有量と、前記重合体ブロックBのイオン性官能基の含有量とが異なる。
CH2=CR1-C(=O)-NR2-R3 …(1)
(式(1)中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の1価の炭化水素基であるか、又はR2とR3とが互いに結合してR2及びR3が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。)
〔6〕前記重合体ブロックBは、上記式(1)で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、2級アミド基及び3級アミド基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含む、上記〔4〕又は〔5〕の分散剤。
〔7〕前記重合体ブロックBは、カルボキシル基を有する構造単位を含む、上記〔4〕~〔6〕のいずれかの分散剤。
〔9〕前記重合体ブロックBは、炭素数1~10のアルキル基を側鎖部分に有する構造単位をさらに含む、上記〔1〕~〔8〕のいずれかの分散剤。
〔10〕前記ブロック共重合体(P)の数平均分子量Mnと重量平均分子量Mwとの比で表される分子量分散度(Mw/Mn)が2.0以下である、上記〔1〕~〔9〕のいずれかの分散剤。
〔11〕絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の研磨剤組成物であって、上記〔1〕~〔10〕のいずれかの分散剤と、酸化セリウムとを含有する、研磨剤組成物。
《分散剤》
本開示の第1実施形態における分散剤は、水溶性重合体として、アミド基含有ビニル単量体及びエステル基含有ビニル単量体よりなる群から選択される少なくとも1種に由来する構造単位UAを有する重合体ブロックAと、イオン性官能基を有する構造単位UBを有する重合体ブロックBとを含むブロック共重合体(P)を含有する。
・重合体ブロックA
重合体ブロックAは、ビニル単量体に由来する炭素-炭素結合からなる主鎖を有する。炭素-炭素結合からなる主鎖を有する重合体ブロックAは、砥粒への吸着性が高く、また、疎水性表面を有する研磨対象物に適度に吸着し、研磨面に良好な濡れ性を付与する。
(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸メチルシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸tert-ブチルシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロドデシル、(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸アダマンチル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニル及び(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル等の(メタ)アクリル酸の脂肪族環式エステル類;
(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸フェノキシメチル、(メタ)アクリル酸2-フェノキシエチル及び(メタ)アクリル酸3-フェノキシプロピル等の(メタ)アクリル酸の芳香族エステル類;
(メタ)アクリル酸2-メトキシエチル、(メタ)アクリル酸3-メトキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-メトキシブチル、(メタ)アクリル酸2-エトキシエチル等の(メタ)アクリル酸アルコキシアルキル類;
(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル及び(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル類;N-[2-(メチルアミノ)エチル](メタ)アクリレート、N-[2-(ジメチルアミノ)エチル](メタ)アクリレート、N-[2-(エチルアミノ)エチル](メタ)アクリレート及びN-[2-(ジエチルアミノ)エチル](メタ)アクリレート等の(ジ)アルキルアミノアルキル(メタ)アクリレート類;
(メタ)アクリル酸グリシジル、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートグリシジルエーテル及び3,4-エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート等のエポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステル類;ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、ポリオキシプロピレン(メタ)アクリレート等のポリオキシアルキレン(メタ)アクリレート類;等が挙げられる。
CH2=CR1-C(=O)-NR2-R3 …(1)
(式(1)中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の1価の炭化水素基であるか、又はR2とR3とが互いに結合してR2及びR3が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。)
構造単位UBが有するイオン性官能基は、砥粒(特に酸化セリウム)に対し適度な吸着性を示し、砥粒に良好な分散安定性を付与できる点で、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基、アミノ基又はこれらの塩であることが好ましい。中でも、イオン性官能基は、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基等のアニオン性官能基又はその塩が好ましく、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩であることが特に好ましい。
条件I:重合体ブロックAが有するイオン性官能基と、重合体ブロックBが有するイオン性官能基とが異なる。
条件II:重合体ブロックAのイオン性官能基の含有量が、重合体ブロックBのイオン性官能基の含有量よりも少ない。
ブロック共重合体(P)は、異なる2個以上のセグメントを有するブロック共重合体が得られる限り、その製造方法に特段の制限を受けるものではなく、公知の製造方法を採用して製造することができる。ブロック共重合体(P)の製造方法の具体例としては、リビングラジカル重合やリビングアニオン重合等の各種制御重合法や、官能基を有する重合体同士をカップリングする方法等が挙げられる。これらの中でも、分子量分散度(PDI)の制御性が高く、砥粒の分散安定性に優れたブロック共重合体(P)を製造できる点、及び操作が簡便であってかつ広い範囲の単量体に対して適用可能な点で、リビングラジカル重合法が好ましい。リビングラジカル重合法を採用する場合、重合形式は特に限定されず、バルク重合、溶液重合、乳化重合、ミニエマルジョン重合、懸濁重合等の各種態様により行うことができる。
結合-解離機構のリビングラジカル重合として、ニトロキシラジカル法(NMP法)等を;原子移動機構として、原子移動ラジカル重合法(ATRP法)等を、それぞれ挙げることができる。これらの中でも、最も広範囲なビニル単量体に適用でき、かつ重合の制御性に優れている点で、交換連鎖機構又は結合-解離機構のリビングラジカル重合法が好ましく、金属又は半金属化合物の混入による研磨対象物の汚染を避けることができる点で、RAFT法又はNMP法が好ましく、実施の簡便さの観点から、RAFT法が特に好ましい。
本開示の研磨剤組成物は、砥粒としての酸化セリウム(セリア)と、上記分散剤とを含有する。酸化セリウムは、シリカやアルミナ等に比べて高い研磨速度で研磨表面を研磨することができ、また、アルミナ等に比べて硬度が低く、研磨表面の欠陥発生を抑制できるという利点がある。
上記分散剤の含有量は、ブロック共重合体(P)の固形分濃度が、研磨剤組成物の全量に対して0.001質量%以上となる量とすることが好ましく、1質量%以上となる量とすることがより好ましい。分散剤の含有量の上限については、ブロック共重合体(P)の固形分濃度が、研磨剤組成物の全量に対して10質量%以下となる量とすることが好ましく、5質量%以下となる量とすることがより好ましい。
得られた重合体について、以下の条件にてゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測定を行い、ポリアクリル酸ナトリウム換算による数平均分子量(Mn)及び重量平均分子量(Mw)を得た。また、得られたMn及びMwの値から分子量分散度(PDI=Mw/Mn)を算出した。
○測定条件
装置名:東ソー株式会社 HLC-8420GPC
カラム:東ソー製TSK-GEL400PWXL(推定排除限界100万)
ポリアクリル酸ナトリウム標準物質分子量:
(Mp:ピークトップ分子量、Mn:数平均分子量、Mw:重量平均分子量)
・サンプル1:Mp=1250、Mn=1230、Mw=1930
・サンプル2:Mp=2925、Mn=2280、Mw=3800
・サンプル3:Mp=7500、Mn=6200、Mw=8300
・サンプル4:Mp=16000、Mn=12800、Mw=18100
・サンプル5:Mp=28000、Mn=23100、Mw=37100
・サンプル6:Mp=62900、Mn=47900、Mw=83400
・サンプル7:Mp=130500、Mn=97800、Mw=165300
・サンプル8:Mp=392600、Mn=311300、Mw=495000
検量線:上記ポリアクリル酸ナトリウム標準物質分子量のMpを用いて3次式で作製
溶媒:0.1M NaNO3水溶液
温度:40℃
検出器:RI
流速:1.0mL/min
試料濃度:0.5g/L
[合成例1A]
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、純水(200g)、アクリル酸(50.8g)(以下「AA」ともいう)、開始剤として4,4’-アゾビス(4-シアノ吉草酸)(以下「ACVA」ともいう)(0.035g)、RAFT剤として3-((((1-カルボキシエチル)チオ)カルボノチオイル)チオ)プロパン酸(1.29g)(BORON MOLECULAR社製、以下「BM1429」ともいう)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。続いて、純水(180g)、アクリルアミド(50.8g)(以下「AAm」ともいう)、ACVA(0.045g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。AAの重合率及びAAmの重合率をガスクロマトグラフィー(GC)測定からそれぞれ決定したところ、97%、95%であった。得られた水溶性ブロック共重合体(これを「重合体A1」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn22700、Mw27200であり、PDIは1.2であった。
仕込み原料を表1に示すとおりに変更した以外は合成例1Aと同様の操作を行い、水溶性ブロック共重合体(重合体B1~D1、F1~J1)を得た。各重合体の分子量をGPC測定より求めた結果を表2に示す。
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、メタノール(240g)、AA(63.0g)、N-t-ブチルアクリルアミド(以下「TBAM」ともいう)(12.6g)、開始剤として2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)(和光純薬株式会社製、以下「V-65」ともいう)(0.450g)、BM1429(0.722g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。エバポレータで脱溶媒し、純水(400g)を加えて析出したV-65及び未反応のTBAMをろ過で回収した。続いて、AAm(40.3g)、ACVA(0.0475g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。AA及びTBAMのモノマーの重合率、及びAAmの重合率をGC測定からそれぞれ決定したところ、95%、89%であった。得られた水溶性ブロック共重合体(これを「重合体E1」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn10900、Mw16400であり、PDIは1.5であった。
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、純水(400g)、AAm(50.5g)、2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸(以下「ATBS」ともいう)(50.5g)、ACVA(0.112g)、BM1429(2.57g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。AAmの重合率及びATBSの重合率をGC測定、NMR測定からそれぞれ決定したところ、総括反応率は89%であった。得られたランダム共重合体(これを「重合体K1」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn6790、Mw11500であり、PDIは1.7であった。
仕込み原料を表1に示すとおりに変更した以外は比較合成例1Aと同様の操作を行い、重合体L1、M1をそれぞれ得た。各重合体の分子量をGPC測定より求めた結果を表2に示す。
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、メタノール(330g)、TBAM(8.27g)、ATBS(74.4g)、V-65(0.496g)、BM1429(1.75g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。TBAMの重合率及びATBSの重合率をGC測定、NMR測定からそれぞれ決定したところ、総括反応率は85%であった。得られたランダム共重合体(これを「重合体N1」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn11900、Mw21400であり、PDIは1.8であった。
AAm:アクリルアミド
AA:アクリル酸
ATBS:2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸
ACMO:4-アクリロイルモルホリン
HEA:アクリル酸2-ヒドロキシエチル
MA:アクリル酸メチル
TBAM:N-t-ブチルアクリルアミド
ACVA:4,4’-アゾビス(4-シアノ吉草酸)
V-65:2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)
MeOH:メタノール
BM1429:3-((((1-カルボキシエチル)チオ)カルボノチオイル)チオ)プロパン酸
[実施例1A]
分散剤として、重合体A1を固形分濃度20%で含む重合体水溶液を準備した。50mLガラス製耐圧瓶に、セリアナノ粒子(一次粒径20nm)を4.0g、分散剤を2g加えてよく混合し、pHを0.5mol/L HCl溶液又は25質量%NH3水溶液を用いてpH7に調整した。その後、直径1mmジルコニアビーズ20gを追加し、ペイントシェーカーで30分間攪拌した。ビーズをろ過除去した後、一晩静置し、スラリー状の研磨剤組成物を得た。得られた研磨剤組成物を用いて、以下の測定及び評価を行った。測定及び評価の結果を表2に示す。
調製した研磨剤組成物のせん断粘度[mPa・s]を以下の条件で測定した。
○測定条件
装置本体:Anton Paar社製 Physical MCR301
測定温度:25℃
ずり速度範囲:1[s-1]~1000[s-1]
スラリー粘度の値が小さいほど、せん断力によるセリア粒子の凝集が生じにくく、分散安定性に優れているといえる。なお、一晩静置して沈降した粒子については容器ごと手で振って再分散させ、その再分散させた状態の研磨剤組成物について粘度を測定した。
<スラリー外観>
調製した研磨剤組成物の外観を目視で確認することによりスラリー外観の判定を行った。判定は、まず、分散剤を加えない点以外は実施例1Aと同様の操作を行うことにより、基準サンプルとしてスラリー状の研磨剤組成物を調製した。この基準サンプルを24時間放置して沈降厚さDを測定し、該測定した沈降厚さDを100%として各研磨剤組成物の粒子の沈降度合い[%]を算出することにより行った。判定基準は以下のとおりである。なお、一晩静置して沈降した粒子については容器ごと手で振って再分散させ、再分散させてから1時間以内の粒子沈降を確認した。
◎:1時間以内の粒子沈降が5%以下
○:1時間以内の粒子沈降が5%より大きく15%以下
△:1時間以内の粒子沈降が15%より大きく30%以下
×:1時間以内の粒子沈降が30%より大きい
使用した重合体を表2に記載したように変更した以外は、実施例1Aと同様にして分散剤をそれぞれ準備し、実施例1Aと同様の操作によりスラリー状の研磨剤組成物をそれぞれ調製した。得られた研磨剤組成物につき、実施例1Aと同様にしてスラリー粘度の測定及びスラリー外観の評価を行った。結果を表2に示す。
次に、第2実施形態の分散剤及び研磨剤組成物について説明する。なお、以下の説明では、説明の簡略化のため、上述した第1実施形態と同一である部分については上記第1実施形態の説明を援用する。
本開示の第2実施形態における分散剤は、水溶性重合体として、イオン性官能基を有する構造単位を有する重合体ブロックAと、単量体組成が重合体ブロックAと異なるセグメントであってイオン性官能基を有する構造単位を有する重合体ブロックBと、を有するブロック共重合体(P)を含有する。なお、以下では、重合体ブロックAが有する、イオン性官能基を有する構造単位を「構造単位UA-2」、重合体ブロックBが有する、イオン性官能基を有する構造単位を「構造単位UB-2」ともいう。
・重合体ブロックA
構造単位UA-2が有するイオン性官能基は、砥粒(特に酸化セリウム)に対し適度な吸着性を示し、砥粒に良好な分散安定性を付与できる点で、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基、アミノ基又はこれらの塩であることが好ましい。中でも、イオン性官能基は、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基等のアニオン性官能基又はその塩が好ましく、カルボキシル基、スルホン酸基又はそれらの塩であることが特に好ましい。
構造単位UB-2が有するイオン性官能基としては、構造単位UA-2が有するイオン性官能基として例示した官能基が挙げられる。これらのうち、構造単位UB-2が有するイオン性官能基は、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基等のアニオン性官能基又はその塩が好ましく、カルボキシル基、スルホン酸基又はそれらの塩であることが特に好ましい。また、構造単位UB-2は、イオン性基含有単量体を用いて重合することによりブロック共重合体(P)中に導入されることが好ましい。イオン性基含有単量体の具体例及び好ましい例については重合体ブロックAの説明が適用される。
条件I:重合体ブロックAが有するイオン性官能基と、重合体ブロックBが有するイオン性官能基とが異なる。
条件II:重合体ブロックAのイオン性官能基の含有量と、重合体ブロックBのイオン性官能基の含有量とが異なる。
〔1〕重合体ブロックA及び重合体ブロックBのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する態様。
〔2〕重合体ブロックA及び重合体ブロックBのうち一方がスルホン酸基とカルボキシル基とを有し、他方がカルボキシル基を有する態様。
〔3〕重合体ブロックA及び重合体ブロックBのうち一方がスルホン酸基とカルボキシル基とを有し、他方がスルホン酸基を有する態様。
本実施形態のブロック共重合体(P)は、異なる2個以上のセグメントを有するブロック共重合体が得られる限り、その製造方法に特段の制限を受けるものではなく、公知の製造方法を採用して製造することができる。ブロック共重合体(P)の製造方法の具体的な説明については、上記第1実施形態の説明を援用することができる。ブロック共重合体(P)の製造方法としては、第1実施形態と同じく、交換連鎖機構又は結合-解離機構のリビングラジカル重合法が好ましく、RAFT法又はNMP法がより好ましく、RAFT法が特に好ましい。
本実施形態の研磨剤組成物は、砥粒としての酸化セリウム(セリア)と、上記分散剤とを含有する。酸化セリウムは、シリカやアルミナ等に比べて高い研磨速度で研磨表面を研磨することができ、また、アルミナ等に比べて硬度が低く、研磨表面の欠陥発生を抑制できるという利点がある。使用する酸化セリウム、研磨剤組成物中における酸化セリウムの含有量、溶剤、研磨剤組成物の調製方法等の説明は、上記第1実施形態における説明を援用することができる。
[合成例1B]
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、純水(200g)、アクリル酸(50.2g)(以下「AA」ともいう)、開始剤として4,4’-アゾビス(4-シアノ吉草酸)(以下「ACVA」ともいう)(0.056g)、RAFT剤として3-((((1-カルボキシエチル)チオ)カルボノチオイル)チオ)プロパン酸(2.55g)(BORON MOLECULAR社製、以下「BM1429」ともいう)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。続いて、純水(200g)、2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸(50.2g)(以下「ATBS」ともいう)、ACVA(0.072g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。AAの重合率及びATBSの重合率をガスクロマトグラフィー(GC)測定、NMR測定から決定したところ、それぞれ97%、85%であった。得られた水溶性ブロック共重合体(これを「重合体A2」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn9650、Mw12500であり、PDIは1.3であった。
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、メタノール(165g)、AA(33.2g)、N-t-ブチルアクリルアミド(8.31g)(以下「TBAM」ともいう)、開始剤として2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)(和光純薬株式会社製、以下「V-65」ともいう)(0.497g)、BM1429(2.11g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。続いて、エバポレータで脱溶媒し、純水(425g)を加えて析出したV-65及び未反応のTBAMをろ過で回収した。続いて、ろ液全量と、AA(37.4g)、ATBS(4.20g)、ACVA(0.056g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。AA・TBAMの重合率、及びAA・ATBSの重合率をGC測定から決定したところ、それぞれ90%、85%であった。得られた水溶性ブロック共重合体(これを「重合体B2」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn13600、Mw20400であり、PDIは1.5であった。
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、メタノール(190g)、AA(48.2g)、V-65(0.288g)、BM1429(2.11g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。続いて、メタノール(190g)、AA(46.3g)、TBAM(1.93g)、V-65(0.145g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。AAの重合率、及びAA・TBAMの重合率をGC測定から決定したところ、それぞれ87%、90%であった。得られた水溶性ブロック共重合体(これを「重合体C2」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn18900、Mw24600であり、PDIは1.3であった。
仕込み原料を表3に示すとおりに変更した以外は合成例3Bと同様の操作を行い、水溶性ブロック共重合体(重合体D2、E2、I2)をそれぞれ得た。重合体D2、E2、I2の分子量をGPC測定より求めた結果を表4に示す。
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、N,N-ジメチルホルムアミド(以下「DMF」ともいう)(330g)、AA(82.8g)、V-65(0.213g)、BM1429(0.681g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。続いて、DMF(55g)、ATBS(10.6g)、TBAM(3.30g)、V-65(0.143g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。エバポレータで脱溶媒し、純水で20%水溶液に調整した。AAの重合率、及びATBS・TBAMの重合率をGC測定から決定したところ、それぞれ80%、82%であった。得られた水溶性ブロック共重合体(これを「重合体F2」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn42500、Mw72300であり、PDIは1.7であった。
仕込み原料を表3に示すとおりに変更した以外は合成例6Bと同様の操作を行い、水溶性ブロック共重合体(重合体G2、H2)をそれぞれ得た。重合体G2、H2の分子量をGPC測定より求めた結果を表4に示す。
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、DMF(365g)、ATBS(73.6g)、TBAM(18.4g)、V-65(0.544g)、BM1429(0.936g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。ATBSの重合率及びTBAMの重合率をそれぞれGC測定、NMR測定から決定したところ、総括反応率は90%であった。得られたランダム共重合体(これを「重合体J2」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn15800、Mw28400であり、PDIは1.8であった。
仕込み原料を表3に示すとおりに変更した以外は比較合成例1Bと同様の操作を行い、重合体K2を得た。重合体K2の分子量をGPC測定より求めた結果を表4に示す。
AA:アクリル酸
ATBS:2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸
MA:アクリル酸メチル
TBAM:N-t-ブチルアクリルアミド
ACVA:4,4’-アゾビス(4-シアノ吉草酸)
V-65:2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)
MeOH:メタノール
DMF:N,N-ジメチルホルムアミド
BM1429:3-((((1-カルボキシエチル)チオ)カルボノチオイル)チオ)プロパン酸
[実施例1B]
分散剤として、重合体A2を固形分濃度20%で含む重合体水溶液を準備した。50mLガラス製耐圧瓶に、セリアナノ粒子(一次粒径20nm)を4.0g、分散剤を2g加えてよく混合し、pHを0.5mol/L HCl溶液又は25質量%NH3水溶液を用いてpH7に調整した。その後、直径1mmジルコニアビーズ20gを追加し、ペイントシェーカーで30分間攪拌した。ビーズをろ過除去した後、一晩静置し、スラリー状の研磨剤組成物を得た。得られた研磨剤組成物を用いて、以下の測定及び評価を行った。測定及び評価の結果を表4に示す。
調製した研磨剤組成物のせん断粘度[mPa・s]を以下の条件で測定した。
○測定条件
装置本体:Anton Paar社製 Physical MCR301
測定温度:25℃
ずり速度範囲:1[s-1]~1000[s-1]
スラリー粘度の値が小さいほど、せん断力によるセリア粒子の凝集が生じにくく、分散安定性に優れているといえる。なお、一晩静置して沈降した粒子については容器ごと手で振って再分散させ、その再分散させた状態の研磨剤組成物について粘度を測定した。
<スラリー外観>
調製した研磨剤組成物の外観を目視で確認することによりスラリー外観の判定を行った。判定は、まず、分散剤を加えない点以外は実施例1Bと同様の操作を行うことにより、基準サンプルとしてスラリー状の研磨剤組成物を調製した。この基準サンプルを24時間放置して沈降厚さDを測定し、該測定した沈降厚さDを100%として各研磨剤組成物の粒子の沈降度合い[%]を算出することにより行った。判定基準は以下のとおりである。なお、一晩静置して沈降した粒子については容器ごと手で振って再分散させ、再分散させてから1時間以内の粒子沈降を確認した。
◎:1時間以内の粒子沈降が5%以下
○:1時間以内の粒子沈降が5%より大きく15%以下
△:1時間以内の粒子沈降が15%より大きく30%以下
×:1時間以内の粒子沈降が30%より大きい
使用した重合体を表4に記載したように変更した以外は、実施例1Bと同様にして分散剤をそれぞれ準備し、実施例1Bと同様の操作によりスラリー状の研磨剤組成物をそれぞれ調製した。得られた研磨剤組成物につき、実施例1Bと同様にしてスラリー粘度の測定及びスラリー外観の評価を行った。結果を表4に示す。
次に、第3実施形態の分散剤及び研磨剤組成物について説明する。
《分散剤》
本開示の第3実施形態における分散剤は、水溶性重合体として、下記式(1)で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有する重合体ブロックAと、単量体組成が重合体ブロックAと異なるセグメントであって下記式(1)で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有する重合体ブロックBと、を有するブロック共重合体(P)を含有する。
CH2=CR1-C(=O)-NR2-R3 …(1)
(式(1)中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の1価の炭化水素基であるか、又はR2とR3とが互いに結合してR2及びR3が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。)
・重合体ブロックA
重合体ブロックAは、上記式(1)で表されるビニル単量体(以下、「特定ビニル単量体」ともいう)に由来する構造単位(以下、「構造単位UA-3」ともいう)を有する。特定ビニル単量体は、1級アミド基(-CONH2)、2級アミド基(-CONHR2、-CONHR3)又は3級アミド基(-CONR2R3)を有するビニル単量体である。上記式(1)において、R2及びR3のうち少なくとも一方が、置換された1価の炭化水素基である場合、該置換された1価の炭化水素基としては、2級アミノ基を有する基、3級アミノ基を有する基、及びヒドロキシアルキル基等が挙げられる。R2とR3とが互いに結合して窒素原子と共に環を形成する基は、該環を構成する原子として上記窒素原子に加え、酸素原子等のヘテロ原子をさらに含んでいてもよい。
重合体ブロックBは、特定ビニル単量体に由来する構造単位(以下、「構造単位UB-3」ともいう)を有する。特定ビニル単量体の具体例としては、重合体ブロックAが有する構造単位UA-3の説明で例示したビニル単量体が挙げられる。砥粒への吸着性を高め、砥粒の分散安定性を向上させる観点から、重合体1分子中の構造単位UA-3及び構造単位UB-3は、互いに異なる特定ビニル単量体に由来する構造単位であることが好ましい。なお、重合体ブロックA及び重合体ブロックBのうち少なくとも一方が特定ビニル単量体に由来する構造単位を複数種類有する場合、各重合体ブロックが有する、特定ビニル単量体に由来する構造単位は、少なくとも1種が異なればよく、全部が異なることが好ましい。
本実施形態のブロック共重合体(P)は、異なる2個以上のセグメントを有するブロック共重合体が得られる限り、その製造方法に特段の制限を受けるものではなく、公知の製造方法を採用して製造することができる。ブロック共重合体(P)の製造方法の具体的な説明については、上記第1実施形態の説明を援用することができる。ブロック共重合体(P)の製造方法としては、第1実施形態と同じく、交換連鎖機構又は結合-解離機構のリビングラジカル重合法が好ましく、RAFT法又はNMP法がより好ましく、RAFT法が特に好ましい。
本実施形態の研磨剤組成物は、砥粒としての酸化セリウム(セリア)と、上記分散剤とを含有する。酸化セリウムは、シリカやアルミナ等に比べて高い研磨速度で研磨表面を研磨することができ、また、アルミナ等に比べて硬度が低く、研磨表面の欠陥発生を抑制できるという利点がある。使用する酸化セリウム、研磨剤組成物中における酸化セリウムの含有量、溶剤、研磨剤組成物の調製方法等の説明は、上記第1実施形態における説明を援用することができる。
[合成例1C]
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、メタノール(165g)、N,N-ジエチルアクリルアミド(以下「DEAA」ともいう)(42.1g)、開始剤として2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)(和光純薬株式会社製、以下「V-65」ともいう)(0.124g)、RAFT剤として3-((((1-カルボキシエチル)チオ)カルボノチオイル)チオ)プロパン酸(BORON MOLECULAR社製、以下「BM1429」ともいう)(1.07g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。続いて、メタノール(165g)、2-ヒドロキシエチルアクリルアミド(以下「HEAA」ともいう)(37.9g)、アクリル酸n-ブチル(以下「BA」ともいう)(4.21g)、V-65(0.440g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、55℃の恒温槽で重合を開始した。6時間後、水冷し反応を停止した。その後、エバポレータで脱溶媒し、純水で20%水溶液に調整した。DEAAの重合率、及びHEAA・BAの重合率をガスクロマトグラフィー(GC)測定からそれぞれ決定したところ、85%、80%であった。得られた水溶性ブロック共重合体(これを「重合体A3」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn20300、Mw24400であり、PDIは1.2であった。
仕込み原料を表5に示すとおりに変更した以外は合成例1Cと同様の操作を行い、水溶性ブロック共重合体(重合体B3、D3~F3)をそれぞれ得た。各重合体の分子量をGPC測定より求めた結果を表6に示す。
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、純水(205g)、4-アクリロイルモルホリン(以下「ACMO」ともいう)(51.1g)、開始剤として4,4’-アゾビス(4-シアノ吉草酸)(以下「ACVA」ともいう)(0.035g)、BM1429(0.52g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。続いて、純水(205g)、アクリルアミド(以下「AAm」ともいう)(51.1g)、ACVA(0.044g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。ACMOの重合率及びAAmの重合率をGC測定からそれぞれ決定したところ、99%、98%であった。得られた水溶性ブロック共重合体(これを「重合体C3」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn28000、Mw33600であり、PDIは1.2であった。
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた4つ口1Lナス型フラスコに、純水(330g)、AAm(51.0g)、AA(51.0g)、ACVA(0.070g)、BM1429(1.04g)を仕込み、窒素バブリングで十分脱気し、70℃の恒温槽で重合を開始した。4時間後、水冷し反応を停止した。AAm、AAの総括重合率をGC測定から決定したところ、99%であった。得られたランダム共重合体(これを「重合体G3」とする)の分子量は、GPC測定により、Mn9110、Mw10900であり、PDIは1.2であった。
仕込み原料を表5に示すとおりに変更した以外は比較合成例1Cと同様の操作を行い、重合体H3を得た。重合体H3の分子量をGPC測定より求めた結果を表6に示す。
仕込み原料を表5に示すとおりに変更した以外は合成例3Cと同様の操作を行い、重合体I3を得た。重合体I3の分子量をGPC測定より求めた結果を表6に示す。
HEAA:2-ヒドロキシエチルアクリルアミド
DEAA:N,N-ジエチルアクリルアミド
AAm:アクリルアミド
AA:アクリル酸
ACMO:4-アクリロイルモルホリン
ACVA:4,4’-アゾビス(4-シアノ吉草酸)
V-65:2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)
MeOH:メタノール
DMF:N,N-ジメチルホルムアミド
BM1429:3-((((1-カルボキシエチル)チオ)カルボノチオイル)チオ)プロパン酸
VP:N-ビニル-2-ピロリドン
BA:アクリル酸n-ブチル
[実施例1C]
分散剤として、重合体A3を固形分濃度20%で含む重合体水溶液を準備した。50mLガラス製耐圧瓶に、セリアナノ粒子(一次粒径20nm)を4.0g、分散剤を2g加えてよく混合し、pHを0.5mol/L HCl溶液又は25質量%NH3水溶液を用いてpH7に調整した。その後、直径1mmジルコニアビーズ20gを追加し、ペイントシェーカーで30分間攪拌した。ビーズをろ過除去した後、一晩静置し、スラリー状の研磨剤組成物を得た。得られた研磨剤組成物を用いて、以下の測定及び評価を行った。測定及び評価の結果を表6に示す。
調製した研磨剤組成物のせん断粘度[mPa・s]を以下の条件で測定した。
○測定条件
装置本体:Anton Paar社製 Physical MCR301
測定温度:25℃
ずり速度範囲:1[s-1]~1000[s-1]
スラリー粘度の値が小さいほど、せん断力によるセリア粒子の凝集が生じにくく、分散安定性に優れているといえる。なお、一晩静置して沈降した粒子については容器ごと手で振って再分散させ、その再分散させた状態の研磨剤組成物について粘度を測定した。
<スラリー外観>
調製した研磨剤組成物の外観を目視で確認することによりスラリー外観の判定を行った。判定は、まず、分散剤を加えない点以外は実施例1Cと同様の操作を行うことにより、基準サンプルとしてスラリー状の研磨剤組成物を調製した。この基準サンプルを24時間放置して沈降厚さDを測定し、該測定した沈降厚さDを100%として各研磨剤組成物の粒子の沈降度合い[%]を算出することにより行った。判定基準は以下のとおりである。なお、一晩静置して沈降した粒子については容器ごと手で振って再分散させ、再分散させてから1時間以内の粒子沈降を確認した。
◎:1時間以内の粒子沈降が5%以下
○:1時間以内の粒子沈降が5%より大きく15%以下
△:1時間以内の粒子沈降が15%より大きく30%以下
×:1時間以内の粒子沈降が30%より大きい
使用した重合体を表6に記載したように変更した以外は、実施例1Cと同様にして分散剤をそれぞれ準備し、実施例1Cと同様の操作によりスラリー状の研磨剤組成物をそれぞれ調製した。得られた研磨剤組成物につき、実施例1Cと同様にしてスラリー粘度の測定及びスラリー外観の評価を行った。結果を表6に示す。
Claims (11)
- 絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、
重合体ブロックAと重合体ブロックBとを有するブロック共重合体(P)を含有し、
前記重合体ブロックAは、アミド基含有ビニル単量体及びエステル基含有ビニル単量体よりなる群から選択される少なくとも1種に由来する構造単位UAを有し、
前記重合体ブロックBは、イオン性官能基を有する構造単位UBを有する、分散剤。 - 前記構造単位UAは、下記式(1)で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む、請求項1に記載の分散剤。
CH2=CR1-C(=O)-NR2-R3 …(1)
(式(1)中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の1価の炭化水素基であるか、又はR2とR3とが互いに結合してR2及びR3が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。) - 絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、
重合体ブロックAと重合体ブロックBとを有するブロック共重合体(P)を含有し、
前記重合体ブロックA及び前記重合体ブロックBはそれぞれ、イオン性官能基を有する構造単位を有し、
前記ブロック共重合体(P)は、下記の条件I及び条件IIのうち少なくとも一方を満たす重合体である、分散剤。
条件I:前記重合体ブロックAが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックBが有するイオン性官能基とが異なる。
条件II:前記重合体ブロックAのイオン性官能基の含有量と、前記重合体ブロックBのイオン性官能基の含有量とが異なる。 - 絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、
重合体ブロックAと重合体ブロックBとを有するブロック共重合体(P)を含有し、
前記重合体ブロックA及び前記重合体ブロックBはそれぞれ、下記式(1)で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有する、分散剤。
CH2=CR1-C(=O)-NR2-R3 …(1)
(式(1)中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の1価の炭化水素基であるか、又はR2とR3とが互いに結合してR2及びR3が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。) - 前記重合体ブロックAは、上記式(1)で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、1級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含む、請求項4に記載の分散剤。
- 前記重合体ブロックBは、上記式(1)で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、2級アミド基及び3級アミド基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含む、請求項4又は5に記載の分散剤。
- 前記重合体ブロックBは、カルボキシル基を有する構造単位を含む、請求項4~6のいずれか一項に記載の分散剤。
- 前記ブロック共重合体(P)における前記重合体ブロックAと前記重合体ブロックBとの比率(A/B)が、質量比で10/90~90/10である、請求項1~7のいずれか一項に記載の分散剤。
- 前記重合体ブロックBは、炭素数1~10のアルキル基を側鎖部分に有する構造単位をさらに含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の分散剤。
- 前記ブロック共重合体(P)の数平均分子量Mnと重量平均分子量Mwとの比で表される分子量分散度(Mw/Mn)が2.0以下である、請求項1~9のいずれか一項に記載の分散剤。
- 絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の研磨剤組成物であって、
請求項1~10のいずれか一項に記載の分散剤と、酸化セリウムとを含有する、研磨剤組成物。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019239688 | 2019-12-27 | ||
JP2019239687 | 2019-12-27 | ||
JP2019239689 | 2019-12-27 | ||
JP2019239687 | 2019-12-27 | ||
JP2019239689 | 2019-12-27 | ||
JP2019239688 | 2019-12-27 | ||
PCT/JP2020/036577 WO2021131198A1 (ja) | 2019-12-27 | 2020-09-28 | 分散剤及び研磨剤組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021131198A1 JPWO2021131198A1 (ja) | 2021-07-01 |
JP7255711B2 true JP7255711B2 (ja) | 2023-04-11 |
Family
ID=76575317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021566824A Active JP7255711B2 (ja) | 2019-12-27 | 2020-09-28 | 分散剤及び研磨剤組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220290008A1 (ja) |
JP (1) | JP7255711B2 (ja) |
KR (1) | KR20220121779A (ja) |
CN (1) | CN114641850A (ja) |
TW (1) | TWI781455B (ja) |
WO (1) | WO2021131198A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024007310A1 (zh) * | 2022-07-08 | 2024-01-11 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 分散剂及其制备方法、浆料组合物及其制备方法、电极极片和包括该电极极片的装置 |
WO2024142722A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | Agc株式会社 | 研磨剤、研磨方法、半導体部品の製造方法、及び研磨用添加液 |
WO2024203343A1 (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | トウアゴウセイ・タイランド・カンパニー・リミテッド | (メタ)アクリル酸系共重合体及びその製造方法、水処理剤並びにスケール付着防止剤 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009070908A (ja) | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Mitsui Chemicals Inc | 研磨用スラリー |
JP2012140637A (ja) | 2012-04-12 | 2012-07-26 | Toyota Motor Corp | 水分散スラリー塗料およびこれを用いた塗膜 |
JP2018176035A (ja) | 2017-04-06 | 2018-11-15 | 大日本印刷株式会社 | 高分子分散剤、色材分散液、着色樹脂組成物、カラーフィルタ、液晶表示装置、及び発光表示装置 |
WO2019208386A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 東亞合成株式会社 | 硬化性樹脂組成物、並びに、ブロック共重合体及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6628023B2 (ja) * | 2015-07-01 | 2020-01-08 | 東亞合成株式会社 | 研磨液組成物用水溶性重合体の製造方法 |
KR20170017177A (ko) | 2015-08-05 | 2017-02-15 | 주식회사 케이알파트너스 | 결제 중계 서버 및 그의 서비스 제공 방법 |
-
2020
- 2020-09-28 WO PCT/JP2020/036577 patent/WO2021131198A1/ja active Application Filing
- 2020-09-28 CN CN202080069040.5A patent/CN114641850A/zh active Pending
- 2020-09-28 JP JP2021566824A patent/JP7255711B2/ja active Active
- 2020-09-28 KR KR1020227016045A patent/KR20220121779A/ko unknown
- 2020-10-06 TW TW109134626A patent/TWI781455B/zh active
-
2022
- 2022-06-01 US US17/830,285 patent/US20220290008A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009070908A (ja) | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Mitsui Chemicals Inc | 研磨用スラリー |
JP2012140637A (ja) | 2012-04-12 | 2012-07-26 | Toyota Motor Corp | 水分散スラリー塗料およびこれを用いた塗膜 |
JP2018176035A (ja) | 2017-04-06 | 2018-11-15 | 大日本印刷株式会社 | 高分子分散剤、色材分散液、着色樹脂組成物、カラーフィルタ、液晶表示装置、及び発光表示装置 |
WO2019208386A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 東亞合成株式会社 | 硬化性樹脂組成物、並びに、ブロック共重合体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021131198A1 (ja) | 2021-07-01 |
TWI781455B (zh) | 2022-10-21 |
KR20220121779A (ko) | 2022-09-01 |
CN114641850A (zh) | 2022-06-17 |
US20220290008A1 (en) | 2022-09-15 |
TW202124039A (zh) | 2021-07-01 |
JPWO2021131198A1 (ja) | 2021-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7255711B2 (ja) | 分散剤及び研磨剤組成物 | |
TW201038690A (en) | Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same | |
JP7133667B2 (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 | |
WO2008010499A1 (fr) | Dispersion aqueuse pour polissage mécanico-chimique, son procédé de fabrication et procédé de polissage mécanico-chimique | |
EP1813641B1 (en) | A method for improving mechanical properties of polymer particles and its applications | |
JP2024522472A (ja) | イミダゾリウム系ポリ(イオン液体)及びその使用 | |
WO2020250560A1 (ja) | 親水化処理剤および親水皮膜の形成方法 | |
JPWO2015068672A1 (ja) | 半導体用濡れ剤及び研磨用組成物 | |
JP6628023B2 (ja) | 研磨液組成物用水溶性重合体の製造方法 | |
TWI680167B (zh) | 氧化矽膜研磨用研磨液組合物 | |
JP2022077707A (ja) | 樹脂エマルション及び樹脂エマルションの製造方法 | |
JPWO2008117573A1 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体、該水系分散体を調製するためのキット、化学機械研磨方法、および半導体装置の製造方法 | |
JP2020085492A (ja) | 樹脂エマルションの機械的安定性評価方法 | |
JP6797796B2 (ja) | 研磨用濡れ剤及び研磨液組成物 | |
JP2024524878A (ja) | 化学機械的平坦化スラリー用の添加剤としてのホスホニウム系ポリマー及びコポリマー | |
WO2023084951A1 (ja) | 化学機械研磨用の添加剤及びその製造方法、並びに、研磨液組成物 | |
JP7152254B2 (ja) | 微粒子水系分散体及びインクジェット用インク組成物 | |
WO2021095739A1 (ja) | 重合体微粒子の製造方法及び分散安定剤 | |
JP2023072896A (ja) | 化学機械研磨用の添加剤及びその製造方法、並びに、研磨液組成物 | |
JP4723700B2 (ja) | 水系分散体 | |
JP2023072853A (ja) | 化学機械研磨用の添加剤及びその製造方法、並びに、研磨液組成物 | |
JP2007231209A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP5179679B1 (ja) | 架橋樹脂微粒子及び塗料組成物 | |
JP2022158616A (ja) | 着色組成物、および、塗膜 | |
JP2024087779A (ja) | Cmpスラリーの研磨粒子表面にコーティングされたアクリル重合体分散剤の特性研究 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230313 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7255711 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |