JP7255424B2 - 半導体装置と半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図面を参照して、実施例1の半導体装置10について説明する。図1に示すように、半導体装置10は、半導体素子12と、金属ブロック20と、上部リードフレーム22と、下部リードフレーム24と、モールド樹脂26と、を有している。
図面を参照して、実施例2の半導体装置110の製造方法について説明する。なお、以下では、主たる工程のみを説明する。したがって、半導体装置110の製造方法には、必要に応じて以下の説明に含まれない一又は複数の工程が含まれ得る。
12:半導体素子
14:半導体基板
14a:上面
14b:下面
14c:端面
15a:第1端面
15b:第2端面
16:上部電極
16a:主電極
16b:信号用配線
18:下部電極
20:金属ブロック
22:上部リードフレーム
24:下部リードフレーム
26:モールド樹脂
28、30、32:はんだ層
34:ニッケル膜
36:ポリイミド膜
40:凸部
42:角部
44:角部
60:半導体ウェハ
60a:上面
60b:下面
61:溝部
62:ダイシング領域
64:素子領域
110:半導体装置
114:半導体ウェハ
116:上部電極
118:下部電極
160:半導体ウェハ
160a:上面
160b:下面
162:ダイシング領域
164:素子領域
166:脆弱層
Claims (5)
- 第1主面と、第2主面と、前記第1主面と前記第2主面を接続する端面と、を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第1主面上に設けられている金属ブロックと、前記半導体基板と前記金属ブロックを封止するように設けられているモールド樹脂と、を備えており、
前記端面は第1端面と第2端面を有しており、前記第1端面が前記第1主面に接続しており、前記第2端面が前記第2主面に接続しており、前記第1端面と前記第2端面が凸部を構成しており、前記第1端面と前記第2端面のなす角が、前記第1主面と前記第1端面のなす角よりも小さい、半導体装置の製造方法であって、
前記製造方法が、
半導体ウェハの下面側から前記半導体ウェハをダイシングして、前記半導体ウェハの前記下面に第1溝部を形成する第1ダイシング工程と、
前記半導体ウェハの上面側から前記半導体ウェハをダイシングして、前記半導体ウェハの前記上面に前記第1溝部まで達する第2溝部を形成することにより、前記半導体ウェハの切削面に、前記第1溝部と前記第2溝部により構成されるとともに、前記上面と前記第2溝部のなす角よりも小さい角度を有する前記凸部が形成されるように、前記半導体ウェハを複数の前記半導体基板に分割する第2ダイシング工程と、
前記半導体基板の前記第1主面上に前記金属ブロックを形成する工程と、
前記半導体基板及び前記金属ブロックを前記モールド樹脂により封止する工程、を備え、
前記第1主面が、前記上面により構成されており、
前記第2主面が、前記下面により構成されており、
前記第1端面が、前記第2溝部の内面により構成されており、
前記第2端面が、前記第1溝部の内面により構成されている、製造方法。 - 前記第1ダイシング工程及び前記第2ダイシング工程では、前記第1溝部の幅が、前記第2溝部の幅よりも広くなるようにダイシングが行われる、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第1ダイシング工程及び前記第2ダイシング工程では、前記第1溝部の幅が、前記第2溝部の幅よりも狭くなるようにダイシングが行われる、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第1ダイシング工程及び前記第2ダイシング工程では、前記第1溝部の深さが、前記第2溝部の深さよりも深くなるようにダイシングが行われる、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第1ダイシング工程及び前記第2ダイシング工程では、前記第1溝部の深さが、前記第2溝部の深さよりも浅くなるようにダイシングが行われる、請求項1に記載の製造方法。
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