JP7243493B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims description 69
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 56
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 55
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 32
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 10
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims description 10
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 8
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N urea group Chemical group NC(=O)N XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000000047 product Substances 0.000 description 20
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- -1 tetraphenylborate Chemical compound 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N octacosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- TUMNHQRORINJKE-UHFFFAOYSA-N 1,1-diethylurea Chemical compound CCN(CC)C(N)=O TUMNHQRORINJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-methylimidazole Natural products CC1=CN=C(C)N1 LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZEZQRZYPITAFY-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[(dimethylcarbamoylamino)methyl]-3,5,5-trimethylcyclohexyl]-1,1-dimethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)NCC1(C)CC(NC(=O)N(C)C)CC(C)(C)C1 UZEZQRZYPITAFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910003430 FeCr2O4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 2
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- XXOYNJXVWVNOOJ-UHFFFAOYSA-N fenuron Chemical compound CN(C)C(=O)NC1=CC=CC=C1 XXOYNJXVWVNOOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical class CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Chemical class 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBYYWIBJLYXSKN-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;naphthalen-1-ol Chemical group C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 RBYYWIBJLYXSKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDQTUCKOAOGTLT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(dimethylcarbamoylamino)-4-methylphenyl]-1,1-dimethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)NC1=CC=C(C)C(NC(=O)N(C)C)=C1 KDQTUCKOAOGTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=CN=C(C)N1 RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005997 Calcium carbide Substances 0.000 description 1
- 229910002518 CoFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002477 CuCr2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016516 CuFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910020105 MgCr2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017163 MnFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003265 NiCr2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003264 NiFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001308 Zinc ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DXKGMXNZSJMWAF-UHFFFAOYSA-N copper;oxido(oxo)iron Chemical compound [Cu+2].[O-][Fe]=O.[O-][Fe]=O DXKGMXNZSJMWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical class [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- NNGHIEIYUJKFQS-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;zinc Chemical compound [Zn].O[Fe]=O.O[Fe]=O NNGHIEIYUJKFQS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N microline Chemical compound OC12OC3(C)COC2(O)C(C(/Cl)=C/C)=CC(=O)C21C3C2 YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGOROJDSDNILMB-UHFFFAOYSA-N octatriacontanediamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O WGOROJDSDNILMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- FULFYAFFAGNFJM-UHFFFAOYSA-N oxocopper;oxo(oxochromiooxy)chromium Chemical compound [Cu]=O.O=[Cr]O[Cr]=O FULFYAFFAGNFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-O phenylphosphanium Chemical compound [PH3+]C1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical class S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- CLZWAWBPWVRRGI-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-[2-[2-[2-[bis[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethyl]amino]-5-bromophenoxy]ethoxy]-4-methyl-n-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethyl]anilino]acetate Chemical compound CC1=CC=C(N(CC(=O)OC(C)(C)C)CC(=O)OC(C)(C)C)C(OCCOC=2C(=CC=C(Br)C=2)N(CC(=O)OC(C)(C)C)CC(=O)OC(C)(C)C)=C1 CLZWAWBPWVRRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O thiamine pyrophosphate Chemical compound CC1=C(CCOP(O)(=O)OP(O)(O)=O)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHVFZMZVQOWHO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(thiiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CS1 NFHVFZMZVQOWHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 1
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Description
半導体装置に電磁波シールド性をもたせる方法として、板金による方法、スパッタにより半導体表面に金属層を蒸着する方法等がある。しかし、板金により電磁波シールド性をもたせる方法は、通信機器の薄型化・小型化に適さず、またスパッタにより金属層を蒸着する方法は、その過程で高真空にする必要があり、連続生産ができず生産性に劣るものである。
また、配線以外にも半導体封止材の表面にアンテナを形成することで通信機器向け半導体装置の小型化も試みられている。
そうした開発の一環として、近年ではウェハーレベル封止のチップサイズパッケージにおいて、再配線層をチップの外側に設けることで、複数のチップ間を高密度の配線で接続することが可能となる技術が開発されている。しかし、現在の再配線に用いられる方式としては、銅電解メッキなどが主流であり、レジストの塗布、パターン形成、洗浄、スパッタ、レジストの除去、電解メッキと工程が非常に煩雑である。また電解メッキによる方法では、樹脂やチップに対しても耐薬品性が求められている。
[1]
(A)エポキシ樹脂
(B)フェノール系硬化剤
(C)ウレア構造を有する硬化促進剤
(D)レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤 及び
(E)無機充填材
を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
[2]
前記(D)成分が、下記式(1)
AB2O4 (1)
(式中、Aは鉄、銅、ニッケル、コバルト、亜鉛、マグネシウム及びマンガンから選ばれる1種もしくは2種以上の金属元素であり、Bは鉄又はクロムであり、ただしA及びBは同時に鉄ではない)
の平均組成式で示され、スピネル構造を有する金属酸化物であることを特徴とする[1]に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
[3]
前記(D)成分の添加量が、前記(A)成分と前記(B)成分の合計100質量部に対し、20~100質量部である[1]又は[2]に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
[4]
前記(D)成分の平均粒径が0.01~5μmである[1]~[3]のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
[5]
(D)成分が、前記(D)成分10質量部を純水50質量部に浸漬して(D)成分の水分散液を得、該水分散液を125℃±3℃で20時間±1時間静置後の該(D)成分の水分散液中のナトリウムイオン濃度が50ppm以下であり、かつ塩化物イオン濃度が50ppm以下であるものである、[1]~[4]のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
[6]
前記(E)成分の湿式篩法によるトップカット径が5~25μmであり、平均粒径が0.5~10μmであることを特徴とする[1]~[5]のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
[7]
[1]~[6]のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物を有する半導体装置。
[8]
前記半導体装置の少なくとも一部がメッキ処理されていることを特徴とする[7]に記載の半導体装置。
[9]
メッキ処理がレーザー照射箇所に施されていることを特徴とする[8]に記載の半導体装置の製造方法。
(A)成分のエポキシ樹脂としては、封止用エポキシ樹脂組成物の技術分野で従来使用されるエポキシ樹脂が挙げられる。このようなエポキシ樹脂としては、
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;
ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ジヒドロアントラセンジオール型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂;
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂;
フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂;
ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの二量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂;
トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂;
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。これらのうち、組成物の粘度を低く抑えるため、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂及びビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。
(B)成分のフェノール系硬化剤としては、封止用エポキシ樹脂組成物の技術分野で従来使用されるフェノール系樹脂が挙げられる。このような硬化剤としては、ノボラック型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、アラルキル型ビフェニル樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールA型フェノール樹脂、ビスフェノールF型フェノール樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂が挙げられ、これらは1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。これらのうち、好ましくはノボラック型フェノール樹脂、アラルキル型ビフェニル樹脂、アラルキル型フェノール樹脂であり、特に好ましくはアラルキル型フェノール樹脂である。
(C)成分の硬化促進剤は、ウレア構造を有し、(A)成分のエポキシ基と(B)成分のフェノール性水酸基との架橋反応を促進させるものであることが特徴である。(C)成分の硬化促進剤としては、例えば、N,N,N’,N’-テトラメチルウレア、N’-フェニル-N,N-ジメチルウレア、N,N-ジエチルウレア、N’-[3-[[[(ジメチルアミノ)カルボニル]アミノ]メチル]-3,5,5-トリメチルシクロへキシル]-N,N-ジメチルウレア、N,N”-(4-メチル-1,3-フェニレン)ビス(N’,N’-ジメチルウレア)等が挙げられ、これらは1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
中でも、一定の温度に達してはじめて硬化反応を起こす潜在性を有することから、N,N-ジエチルウレア、N’-[3-[[[(ジメチルアミノ)カルボニル]アミノ]メチル]-3,5,5-トリメチルシクロへキシル]-N,N-ジメチルウレアが好ましい。
(D)LDS添加剤は、下記式(1)
AB2O4 (1)
(式中、Aは鉄、銅、ニッケル、コバルト、亜鉛、マグネシウム及びマンガンから選ばれる1種もしくは2種以上の金属元素であり、Bは鉄又はクロムであり、ただしA及びBは同時に鉄ではない)
の平均組成式で示され、スピネル構造を有する金属酸化物である。
具体的には、FeCr2O4、CuCr2O4、NiCr2O4、CoCr2O4、ZnCr2O4、MgCr2O4、MnCr2O4、CuFe2O4、NiFe2O4、CoFe2O4、ZnFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4などが挙げられる。
これらLDS添加剤である金属酸化物の製造方法は限定されず、金属酸化物混合粉の焼成、金属粉混合物の酸化、化学合成等で製造されたものを使用すればよい。
ナトリウムイオン濃度は原子吸光光度計により測定した値であり、塩化物イオン濃度はイオンクロマトグラフィにより測定した値である。
なお、市販のLDS添加剤のイオン濃度が前記上限値を超える場合は、前記市販のLDS添加剤を繰り返し水洗等により、好ましいイオン濃度となるまで精製し、乾燥してから、用いればよい。
(E)無機充填材は溶融シリカ、結晶シリカ、クリストバライト、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化チタン、ガラス繊維、アルミナ繊維、酸化亜鉛、タルク、炭化カルシウム等の材料(但し、上述した(D)成分を除く)を使用することができる。これらを2種以上併用してもよい。(E)無機充填材のトップカット径は湿式篩法において5~25μmが好ましく、より好ましくは10~20μmであり、平均粒径はレーザー回折式粒度分布計で測定した体積粒度分布測定値において1~10μmが好ましく、より好ましくは3~7μmである。
ここでいうトップカット径とは、製造された無機充填材が湿式篩法による分級で用いられた篩の目開きを表し、該目開きよりも大きい粒子の割合がレーザー回折法により測定した体積粒度分布測定値において2体積%以下となる値をいう。トップカット径が25μmより大きいとレーザー照射した際に無機充填材表面が露出した部分はめっきされず、配線層やビア作製の障害となるおそれがある。
本発明の樹脂組成物には、更に、本発明の効果を損なわない範囲で、接着助剤、離型剤、難燃剤、イオントラップ剤、可撓性付与剤、その他の添加剤を含有してもよい。
本発明の組成物は例えば次のようにして製造される。すなわち、エポキシ樹脂、フェノール系硬化剤、硬化促進剤、LDS添加剤、無機充填材、及びその他の材料をそれぞれ所定の量ずつ配合し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕すればよく、得られた組成物は成形材料として使用できる。また、さらに打錠しタブレット形状としても使用できる。
本発明の半導体装置は、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物を有するものであり、前記硬化物の少なくとも一部がメッキ処理されていることを特徴とする。メッキ処理を施す方法としては、特に限られないが、硬化物の表面又は内部に、波長248nm、308nm、355nm、532nm、1064nm又は10,600nmから選ばれるレーザーを、所望の配線、孔径、深さになるように照射し、レーザー照射後、Cu、Ni、Agなど目的とする金属成分を含むメッキ液に浸漬する方法が挙げられる。レーザーの出力は0.01~15W、レーザーの走査速度は1~1000mm/sの範囲が好ましい。メッキ液は目的とする金属成分の他、錯化剤、pH調整剤、電導度塩、還元剤などを含む溶液で、一般的に市販しているものを用いることができる。メッキ液の温度は50~80℃、浸漬時間は20~120分である。
実施例及び比較例に使用した材料を以下に示す。
・エポキシ樹脂1:オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂:DIC製「エピクロンN695」(エポキシ当量210)
・エポキシ樹脂2:ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬社製「NC-3000」(エポキシ当量273)
・硬化剤1:ノボラック型フェノール樹脂:DIC製「TD-2093Y」(フェノール当量110)
・硬化剤2:アラルキル型フェノール樹脂:明和化成社製「MEHC-7851SS」(フェノール当量175)
・硬化促進剤1:N’-[3-[[[(ジメチルアミノ)カルボニル]アミノ]メチル]-3,5,5-トリメチルシクロへキシル]-N,N-ジメチルウレア:サンアプロ社製「U-cat 3513N」
・硬化促進剤2:3―フェニル―1,1―ジメチルウレア:サンアプロ社製「U-cat 3512T」
・硬化促進剤3(比較例用):2-エチル-4-メチルイミダゾール:四国化成製「2E4MZ」
・硬化促進剤4(比較例用):トリフェニルホスフィン:北興化学製「TPP」
・LDS添加剤1:EX1816:シェファードカラージャパンインク製(CuCr2O4:ナトリウムイオン濃度:16ppm、塩化物イオン濃度:14ppm、平均粒径0.8μm)
・LDS添加剤2:Black 30C940:シェファードカラージャパンインク製(FeCr2O4:ナトリウムイオン濃度:490ppm、塩化物イオン濃度:57ppm、平均粒径1.0μm)
・LDS添加剤3:Black 30C933:シェファードカラージャパンインク製(MnFe2O4:ナトリウムイオン濃度:86ppm、塩化物イオン濃度:24ppm、平均粒径0.9μm)
なお、上記LDS添加剤1~3のナトリウムイオン濃度及び塩化物イオン濃度は、下記の方法で測定した。LDS添加剤10質量部を純水50質量部に浸漬して水分散液を得、該水分散液を125℃±3℃で20時間±1時間静置した。所定時間後、該水分散液をろ紙で濾過し、ろ液を原子吸光光度計で測定し、ナトリウムイオン濃度を求めた。塩化物イオン濃度はイオンクロマトグラフィで測定した。
・シリカ粒子1:龍森社製「MUF-4」(平均粒径4μm、トップカット径10μm)
・アルミナ粒子1:アドマテックス社製「AC9104-SXE」(平均粒径4μm、トップカット径10μm)
・カルナバワックス:東亜化成社製「TOWAX-131」
EMMI規格に準じた金型を使用して、成形温度175℃、成形圧力6.9N/mm2、成形時間300秒の条件で測定した。
ISO8987(1995)に記載のゲル化時間測定法B法(平板法)に準拠しゲル化時間の測定を行った。
(表面メッキ性評価)
175℃で300秒間の条件で成型した試験片表面に、YVO4レーザーマーカー(KEYENCE社製、1064nm)のテストモードで印字した。
この試験片を、アトテック社製メイキャップCNN-mod:75ml、アトテック社製オーロテックCNNパートA:30ml、純水:395ml、及びアンモニア水:8mlを混合して調製したNiメッキ液に80℃に保温した状態で30分間浸漬し、メッキ性を確認した。
(内部メッキ性評価)
レーザー基板切断機MicroLine5820P(LPKF製)を用いて厚さ0.20mmの硬化物に200μmφの貫通孔を10個形成した。
この成形物を前記メッキ液に65℃で30分浸漬し貫通孔にメッキした。内部メッキ性の確認は、貫通孔を断面研磨し、顕微鏡にてメッキ性を確認した。
いずれもメッキ性は全くメッキされていなければ×、部分的にメッキされ、メッキ部に途切れや飛びがある場合は△、連続して均一にメッキされていれば○とした。
櫛形電極を配線したシリコンチップを搭載したDIP14pinリードフレームを、実施例又は比較例の各組成物を用いて175℃で300秒間の条件で封止し、180℃で4時間の条件でポストキュアして半導体装置を得た。得られた半導体装置10個を85℃/85%RH環境下に静置し、電圧5Vを336時間かけた。336時間後の抵抗を測定し、抵抗値が上昇し、100Ω以上となった半導体装置を不良と判断し、正常に通電している半導体装置を良好と判断し、10個の半導体装置のうち良好と判断された半導体装置の個数をカウントした。
Claims (9)
- (A)エポキシ樹脂
(B)フェノール系硬化剤
(C)ウレア構造を有する硬化促進剤
(D)レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤 及び
(E)無機充填材
を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、
(A)エポキシ樹脂と(B)フェノール系硬化剤はエポキシ基/フェノール性水酸基の当量比が0.5以上1.5以下となる量であり、
(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、(C)成分:0.5~10.0質量部、(D)成分:20~100質量部、(E)成分:50~1,500質量部をそれぞれ含むものである半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 前記(D)成分が、下記式(1)
AB2O4 (1)
(式中、Aは鉄、銅、ニッケル、コバルト、亜鉛、マグネシウム及びマンガンから選ばれる1種もしくは2種以上の金属元素であり、Bは鉄又はクロムであり、ただしA及びBは同時に鉄ではない)
の平均組成式で示され、スピネル構造を有する金属酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 前記(D)成分の添加量が、前記(A)成分と前記(B)成分の合計100質量部に対し、30~80質量部である請求項1又は2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記(D)成分の平均粒径が0.01~5μmである請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- (D)成分が、前記(D)成分10質量部を純水50質量部に浸漬して(D)成分の水分散液を得、該水分散液を125℃±3℃で20時間±1時間静置後の該(D)成分の水分散液中のナトリウムイオン濃度が50ppm以下であり、かつ塩化物イオン濃度が50ppm以下であるものである、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記(E)成分の湿式篩法によるトップカット径が5~25μmであり、平均粒径が0.5~10μmであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物を有する半導体装置。
- 前記硬化物の少なくとも一部がメッキ処理されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- メッキ処理がレーザー照射箇所に施されることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019125935A JP7243493B2 (ja) | 2019-07-05 | 2019-07-05 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US16/913,836 US20210002474A1 (en) | 2019-07-05 | 2020-06-26 | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
CN202010635749.9A CN112175350B (zh) | 2019-07-05 | 2020-07-03 | 半导体封装用环氧树脂组合物及半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019125935A JP7243493B2 (ja) | 2019-07-05 | 2019-07-05 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021011528A JP2021011528A (ja) | 2021-02-04 |
JP7243493B2 true JP7243493B2 (ja) | 2023-03-22 |
Family
ID=73919733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019125935A Active JP7243493B2 (ja) | 2019-07-05 | 2019-07-05 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210002474A1 (ja) |
JP (1) | JP7243493B2 (ja) |
CN (1) | CN112175350B (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001106771A (ja) | 1999-10-05 | 2001-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
WO2017199639A1 (ja) | 2016-05-18 | 2017-11-23 | 住友ベークライト株式会社 | Lds用熱硬化性樹脂組成物、樹脂成形品および三次元成形回路部品 |
JP2019036642A (ja) | 2017-08-16 | 2019-03-07 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用熱硬化性エポキシ樹脂シート、半導体装置、及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006022188A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法並びに半導体装置 |
JP5138239B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2013-02-06 | ニチアス株式会社 | 燃料電池用セパレータ用樹脂組成物及び燃料電池用セパレータ |
JP2013147549A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP6369475B2 (ja) * | 2013-11-08 | 2018-08-08 | 味の素株式会社 | 封止用樹脂組成物及び封止用シート |
TWI591109B (zh) * | 2015-06-11 | 2017-07-11 | Mitsubishi Rayon Co | Epoxy resin composition, molded article, prepreg, fiber reinforced Composites and structures |
JP2019065058A (ja) * | 2016-02-08 | 2019-04-25 | クラスターテクノロジー株式会社 | 白色リフレクター用硬化性エポキシ樹脂組成物及びその硬化物、光半導体素子搭載用基板、光半導体装置、並びに製造方法 |
-
2019
- 2019-07-05 JP JP2019125935A patent/JP7243493B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-26 US US16/913,836 patent/US20210002474A1/en active Pending
- 2020-07-03 CN CN202010635749.9A patent/CN112175350B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001106771A (ja) | 1999-10-05 | 2001-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
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JP2019036642A (ja) | 2017-08-16 | 2019-03-07 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用熱硬化性エポキシ樹脂シート、半導体装置、及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112175350B (zh) | 2024-04-30 |
JP2021011528A (ja) | 2021-02-04 |
US20210002474A1 (en) | 2021-01-07 |
CN112175350A (zh) | 2021-01-05 |
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