JP7242637B2 - 複数の電極を備えた半導体基板支持体及びその製造方法 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１７年８月２５日に出願されたＰｒｄｋｅｒに対する米国仮特許出願第６２／５５０，５５９号に対して優先権を主張するものであり、その内容全体は、引用により本明細書に組み入れられる。

（技術分野）
本発明は、半導体基板支持体に関し、より具体的には、電極を備えた半導体基板支持体に関する。

複数のチャック電極を備えた半導体支持構造体は、半導体処理を支援して及び他の産業用途で使用することができる。

このような要素を製造する従来の方法は、コストおよび時間がかかるものであった。

金属接合層を用いて第２のセラミック層に接合された第１のセラミック層から形成された本発明のプレート組立体の一実施形態の断面図である。 本発明のプレート組立体における本発明の研削パターンの一実施形態の平面図である。 図２のプレート組立体における図２の研削パターンの斜視図である。 図２のプレート組立体における図２の研削パターンの写真である。 図２の充填された研削パターンを備えた、図２のプレート組立体の写真である。 本発明の静電チャックの一実施形態の斜視図である。 図６の静電チャックの部分的分解図である。 本発明の静電チャックのプレート組立体の実施形態の分解図である。 本発明の静電チャックの一実施形態のリフトピン孔の断面図である。 本発明の静電チャックの一実施形態における冷却ガス孔の断面図である。 本発明の二電極プレート組立体の裏面図である。

半導体基板支持体及び半導体基板支持体を製造するための方法が提供される。半導体基板支持体は、例えば静電チャックなど、どのようなタイプのものでもよい。半導体基板支持体には、金属接合層を用いて第２のセラミック層又はプレートにどのような方法で接合された第１のセラミック層又はプレートも含まれる。接合された第１及び第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的にプレート組立体と呼ぶことができる。第１のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、下部セラミック層又はプレートと呼ぶことができる。第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、上部セラミック層又はプレートと呼ぶことができる。少なくとも１つの溝は、少なくとも１つの電極部分を提供するために、第１のセラミック層又はプレート及び金属接合層を通って延びるように形成又は提供することができる。少なくとも１つの溝は、任意選択的に、金属接合層から形成される複数の別個の電極部分を形成することができる。少なくとも金属接合層における少なくとも１つの溝は、任意選択的に、少なくとも１つの電極部分を電気的に分離するため、好適な誘電材料で充填することができる。好適な誘電材料は、任意選択的に、複数の電極部分を互いに分離(隔絶)することができる。第１のセラミック層又はプレートにおける少なくとも１つの溝は、任意選択的に、何れかの好適な誘電材料で充填することができる。

第１のセラミック層又はプレートは、どのような適切な材料でもよい。第１のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、アルミニウムによる拡散の影響を受けにくいことが知られているセラミック製とすることができる。第１のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、アルミナ製とすることができる。第１のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、酸化アルミニウム製とすることができる。第１のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、サファイア製とすることができる。第１のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、ベリリア製とすることができる。第１のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、ジルコニア製とすることができる。第１のセラミックプレートは、任意選択的に、石英製とすることができる。第２のセラミック層又はプレートは、何れかの好適な材料のものとすることができる。第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、アルミニウムによる拡散の影響を受けにくいことが知られているセラミック製とすることができる。第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、アルミナ製とすることができる。第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、酸化アルミニウム製とすることができる。第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、サファイア製とすることができる。第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、ベリリア製とすることができる。第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、ジルコニア製とすることができる。第２のセラミックプレートは、任意選択的に、石英製とすることができる。第１及び第２のセラミック層又はプレートは、同じセラミック材料、又は異なるセラミック材料とすることができ、各層又はプレートは、この段落にリストアップされたセラミック材料の何れかを含む何れかの好適なセラミック材料のものとすることができる。第１のセラミック層又はプレート及び第２のセラミック層又はプレートの各々は、例えば平面図で見たときに、任意選択的に円形となることができる。第１及び第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、同じ又は異なる厚さを有することができる。

第１のセラミック層又はプレート及び第２のセラミック層又はプレートの各々は、任意選択的に接合面を有することができ、金属接合層は、第１のセラミック層又はプレートを第２のセラミック層又はプレートに接合するための各セラミック層又はプレートの接合面を任意選択的に係合することができる。

例えば、何れかの好適な金属材料は、第１及び第２のセラミック層又はプレートの各々の接合面を係合するため接合層に使用することができる。アルミニウムは、任意選択的に、接合層に使用することができる。接合層のアルミニウムは、何れかの好適な重量のものとすることができる。例えば、アルミニウムの接合層は、任意選択的に、８９重量％を超えるアルミニウム製とすることができる。アルミニウムの接合層は、任意選択的に、９２％重量を超えるアルミニウム製とすることができる。アルミニウムの接合層は、任意選択的に、９８重量％を超えるアルミニウム製とすることができる。アルミニウムの接合層は、任意選択的に、９９重量％を超えるアルミニウム製とすることができる。アルミニウムの接合層は、任意選択的に、９９．５重量％を超えるアルミニウム製とすることができる。アルミニウムの接合層は、任意選択的に、９９．９９重量％を超えるアルミニウム製とすることができる。接合層のアルミニウムは、金属アルミニウム又はアルミニウムを含む金属と呼ぶことができる。

第１のセラミック層又はプレート及び第２のセラミック層又はプレートの各々は、任意選択的に、例えば、それぞれの接合面上に金属接合材料の層を用いてプリメタライズすることができる。金属は、任意選択的に、上述の高純度アルミニウムの何れかを含む、アルミニウム製とすることができる。例えば、第１及び第２のセラミック層又はプレートの各々は、任意選択的に、１０～１５ミクロンの範囲の厚さを有するアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。第１及び第２のセラミック層又はプレートの各々は、任意選択的に、１０～２０ミクロンの範囲の厚さを有するアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。第１及び第２のセラミック層又はプレートの各々は、任意選択的に、１２．５～１５ミクロンの範囲の厚さを有するアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。第１及び第２のセラミック層又はプレートの各々は、任意選択的に、１０ミクロンを超える厚さを有するアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。第１のセラミック層又はプレート及び第２のセラミック層又はプレート上の金属層は、任意選択的に、接合層を形成する金属全体を形成することができる。アルミニウム以外の金属接合層は、任意選択的に、このような同じ厚さの何れかを有することができる。

第１のセラミック層又はプレート及び第２のセラミック層又はプレートのうちの一方のみが、金属の層を用いてプリメタライズすることができる。金属は、任意選択的に、上述の高純度アルミニウムの何れかを含むアルミニウムとすることができる。例えば、第１及び第２のセラミック層又はプレートの一方は、任意選択的に、２０～３０ミクロンの範囲の厚さを有するアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。第１及び第２のセラミック層又はプレートの一方は、任意選択的に、２０ミクロンを超える厚さを有するアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。第１及び第２のセラミック層又はプレートの一方は、任意選択的に、２０～５０ミクロンの範囲の厚さを有するアルミニウムの層でプリメタライズすることができる。第１のセラミック層又はプレート、又は第２のセラミック層又はプレート上の何れかの金属層は、接合層を形成する金属全体を形成することができる。

金属接合層の一部は、任意選択的に、第１及び第２のセラミック層又はプレートの一方又は両方にスパッタすることができる。例えば、１２．５ミクロン又は他の何れかの好適な厚さのアルミニウムは、任意選択的に、第１のセラミック層又はプレート及び第２のセラミック層又はプレートの各々の上にスパッタすることができる。

金属接合層は、任意選択的に、好適なろう付け材料によって形成することができる。ろう付け材料は、任意選択的にシートとすることができる。ろう付け材料は、任意選択的に粉末とすることができる。ろう付け材料は、任意選択的に薄膜とすることができる。ろう付け材料は、本明細書に記載のろう付けプロセスに適した他の何れかの形状因子とすることができる。ろう付け材料がシートである場合、シートは、任意選択的に０．０００１９から０．０１１インチ以上の範囲の厚さを有することができる。シートは、任意選択的に、約０．００１２インチの厚さを有することができる。シートは、任意選択的に、約０．００６インチの厚さを有することができる。

プレート組立体は、金属接合層に第１のセラミック層又はプレートと第２のセラミック層又はプレートと接合させるため何れかの好適な温度まで加熱することができる。例えば、プレート組立体は、任意選択的に、少なくとも７７０℃の接合温度まで加熱することができる。プレート組立体は、任意選択的に、少なくとも８００℃の接合温度まで加熱することができる。プレート組立体は、任意選択的に、７７０℃～１２００℃の範囲の接合温度まで加熱することができる。プレート組立体は、任意選択的に、１１００°Ｃの範囲の接合温度まで加熱することができる。プレート組立体は、任意選択的に、８００℃～１２００℃の範囲の接合温度まで加熱することができる。

接合雰囲気、すなわち第１のセラミック層又はプレートを第２のセラミック層又はプレートに金属接合層で接合するための雰囲気は、何れかの好適なタイプのものとすることができる。例えば、接合雰囲気は、任意選択的に、非酸素性とすることができる。接合は、任意選択的に、何れかの好適な真空、例えば、１ｘ１０Ｅ－４Ｔｏｒｒ未満の圧力の真空、又は１ｘ１０Ｅ－５Ｔｏｒｒ未満の圧力の真空で行うことができる。更なる酸素除去は、任意選択的に、接合雰囲気中にジルコニウム又はチタンを配置することで達成することができる。任意選択的に、真空以外の雰囲気も使用することができる。例えば、アルゴン（Ａｒ）雰囲気を任意選択的に使用することができる。他の希ガスも任意選択的に使用することができる。水素（Ｈ２）雰囲気も任意選択的に使用することができる。

第１及び第２のセラミック層又はプレートの間にアルミニウムの金属接合を形成するプロセスは、任意選択的に、拡散接合が存在しなくてもよい。アルミニウムの金属接合を形成するプロセスでは、アルミニウムは、第１及び第２のセラミック層又はプレートの各々の接合面を濡れ性することができる。

接合後、第１及び第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、これらの間に気密シールで接合するアルミニウム又は他の好適な金属の層を有する。アルミニウムの金属接合は、任意選択的に、ゼロを超える厚さを有することができる。第１及び第２のセラミック層又はプレート間の接合がアルミニウム接合である場合、第１及び第２のセラミック層及びプレートは、任意選択的に、アルミニウム接合材料の拡散が存在しなくてもよい。

少なくとも１つの溝は、任意選択的に複数の溝とすることができる。少なくとも１つの溝又は複数の溝は、任意選択的に、除外パターンと呼ぶことができる。各溝は、任意選択的に、凹部又はスロット、例えば、第１のセラミック層又はプレート及び金属接合層における凹部又はスロットと呼ぶことができる。少なくとも１つの溝は、例えば機械加工又は研削による、あらゆる好適な方法で形成することができる。少なくとも１つの溝は、任意選択的に、少なくとも１つの溝において誘電材料により生成された誘電バリアが、例えば１又は２以上の電極部分又は電極における電荷量などの目標用途に十分であるように十分な広さがある。少なくとも１つの溝は、任意選択的に、１又は２以上の電極の外周を正確に定めるための円形溝を含むことができる。

誘電材料は、何れかの好適なタイプのものとすることができ、また、任意選択的にフィラーと呼ぶことができる。例えば、誘電材料は、任意選択的に、高誘電効果エポキシとすることができる。誘電材料は、任意選択的に、高誘電強度の高熱伝導性エラストマーとすることができる。誘電材料は、任意選択的に、酸化マグネシウムとすることができ、任意選択的にガラス繊維などの好適なガラスで覆うことができる。各電極部分は、任意選択的に、電極と呼ぶことができる。少なくとも１つの溝は、任意選択的に第１及び第２のセラミック層又はプレートの一方又は両方のセラミックと同じセラミックの固体要素、例えば、薄いストリップで充填することができ、任意選択的に高誘電効果エポキシで結合することができる。

好適な電気コネクタ、例えば導電性リード線は、任意選択的に、１又は２以上の電極に延びることができる。例えば、少なくとも１つの電気コネクタは、各電極部分又は電極に延びることができる。好適な電気コネクタは、任意選択的に、第１のセラミック層又はプレートを通って１又は２以上の電極部分又は電極に延びることができる。

第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、接合面の反対側にある、半導体基板を支持するための表面を有することができる。充填するステップの後、第２のセラミック層又はプレート、例えば少なくとも１又は２以上の電極を覆う部分は、任意選択的に、何れかの好適な厚さまで減少又は薄肉化することができ、例えば、１又は２以上の電極部分又は電極の静電気引力又はクランプを増大又は強化することができる。１又は２以上の電極部分又は電極のセラミック組立体における配置の高い平面性及び正確さは、このような厚さの減少を可能にすることができる。フィラー材料、例えば好適な誘電材料は、プレート組立体の剛性を高めて、このような厚さの減少を促進することができる。金属接合層又は金属接合層によって形成された１又は２以上の電極を覆う第２のセラミックプレートの厚さは、任意選択的に、０．０１５インチ未満の厚さまで減少又は薄肉化することができる。金属接合層又は金属接合層によって形成された１又は２以上の電極を覆う第２のセラミックプレートの厚さは、任意選択的に、０．０１０～０．０１２インチの範囲の厚さまで減少又は薄肉化することができる。金属接合層又は金属接合層によって形成された１又は２以上の電極を覆う第２のセラミックプレートの厚さは、任意選択的に、０．００５～０．０１５インチの範囲の厚さまで減少又は薄肉化することができる。金属接合層又は金属接合層によって形成された１又は２以上の電極を覆う第２のセラミックプレートの厚さは、任意選択的に、０．００５～０．０１０インチの範囲の厚さまで減少又は薄肉化することができる。金属接合層又は金属接合層によって形成された１又は２以上の電極を覆う第２のセラミックプレートの厚さは、任意選択的に、０．００６インチの厚さまで減少又は薄肉化することができる。金属接合層又は金属接合層によって形成された１又は２以上の電極を覆う第２のセラミックプレートの厚さは、任意選択的に、より薄肉の厚さまで減少又は薄肉化することができる。

本明細書で記載される本発明の実施形態は、例えば以下は、本発明の実施例であり、場合によっては、本発明の上述の議論よりもよりも拡張又は縮小することができるが、本発明の外延を限定することを意図するものではない。このような実施形態に記載される本発明の何れかの追加の特徴は任意選択である。本明細書に記載の任意の実施形態の特徴は、任意選択的に、本明細書に記載の任意の実施形態の他の何れかの特徴の有無にかかわらず、本発明の他の何れかの実施形態と組み合わせることができる。以下の方法の全ての特性、ステップ、パラメータ、及び特徴は、以下に記載される特定の実施形態又は特定の要素に限定されないが、任意選択的に、本発明の上述の議論及び本発明の全ての実施形態に適用可能とすることができる。広義の用語及び記述子は、開示を特定の用語又は記述子に限定するためではなく、単に議論及び理解を容易にするために、本明細書のより具体的な用語及び記述子に置き換えられることがある。

任意選択的に、接合材料として金属アルミニウムを使用してセラミック要素で作られた複数のチャック電極を備えた静電チャックを製造する方法が提供される。アルミニウムは、第１及び第２のセラミック要素の間に配置することができ、セラミック要素及び接合アルミニウムの組立体は、７７０℃～１２００℃の範囲で加熱することができる。接合雰囲気は、非酸化性とすることができる。接合後、電極パターンの除外部分は、プレート層と呼ぶことができるセラミック要素のうちの１つを通じて機械加工することによって機械加工することができる。機械加工された除外スロットは、その後、エポキシ又は他の何れかの好適な材料で充填することができる。静電チャック、半導体基板支持体又は他の構造体は、このような方法に従って製造することができる。

任意選択的に、複数のチャック電極を備えた静電チャックの製造方法が提供され、２つのプレートの接合から始まる。２つのプレートは、任意選択的に、円形のプレートであり、任意選択的にセラミック製である。２つのプレートは、任意選択的に、円形のプレートであり、任意選択的にアルミニウムによる拡散を受けにくいことが知られているセラミック製とすることができる。プレートの任意のセラミック材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、酸化ベリリウム又はジルコニアを含む何れかの好適なタイプのものとすることができる。プレートの一方又は両方は、任意選択的に石英製とすることができる。

図１は、本発明による任意の組立体１０１の部分断面図である。セラミック上部層１０２は、接合層１０３を用いてセラミック下部層１０４に接合される。接合層１０３は、上部層１０２を下部層１０４に接合するために任意選択的に使用され、また、１又は２以上のチャック電極としても機能することができる。接合層１０３は、図１では、セラミック上部層１０２の縁部の近くに達するように示されているが、任意選択的に、接合層の外周部分の電気的分離部が存在してもよい。セラミック上部層１０２は、任意選択的に、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、酸化ベリリウム又はジルコニア製とすることができる。セラミック下部層１０４は、任意選択的に、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、酸化ベリリウム又はジルコニア製とすることができる。接合層は、任意選択的に、アルミニウム製とすることができる。接合層は、８９重量％を超えるアルミニウムの金属層とすることができる。接合層は、任意選択的に、９９重量％を超えるアルミニウムの金属層とすることができる。接合層は、任意選択的に、９９．９９重量％を超えるアルミニウムの金属層とすることができる。

例えば、二つのセラミックめっきされたディスクは、アルミナとすることができ、任意選択的に各々０．１２５インチ厚とすることができる。各アルミナディスクは、任意選択的に、１２．５ミクロンのアルミニウムでスパッタすることができる。その後、プレートは、任意選択的に、本明細書に記載されたプロセスの何れかに従ってろう付けすることができる。任意選択的に、プレートは、約２ｐｓｉの接触圧でプレスされ、１ｘ１０Ｅ－４Ｔｏｒｒ未満の圧力の真空下で８５０℃でろう付けすることができる。ろう付けされた組立体は、図１の部分断面で見ることができ、ここでは、例として、第１及び第２のセラミック層又はプレートは、異なる厚さを有するものとして示される。第１及び第２のセラミック層又はプレートは、任意選択的に、同じ厚さを有することができる。

セラミック上部層及びセラミック下部層の両方は、任意選択的に、金属層でプリメタライズすることができる。金属は、任意選択的に、高純度アルミニウムとすることができる。各層は、任意選択的に、１０～１５ミクロンの範囲の厚さのアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。各層は、任意選択的に、１０～２０ミクロンの範囲の厚さのアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。各層は、任意選択的に、１２．５～１５ミクロンの範囲の厚さのアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。各層は、任意選択的に、１０ミクロンを超える厚さのアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。セラミック上部層及びセラミック下部層上の金属層は、任意選択的に、接合層を形成する金属全体を形成することができる。

任意選択的に、セラミック上部層及びセラミック下部層の一方のみが、金属層を用いてプリメタライズすることができる。金属は、任意選択的に、高純度アルミニウムとすることができる。層の一方は、任意選択的に、２０～３０ミクロンの範囲の厚さを有するアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。層の一方は、任意選択的に、２０ミクロンを超える厚さを有するアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。層の一方は、任意選択的に、２０～５０ミクロンの範囲の厚さを有するアルミニウム層を用いてプリメタライズすることができる。セラミック上部層及びセラミック下部層の何れか上の金属層は、任意選択的に、接合層を形成する金属の全体を形成することができる。

ろう付け後、２つの円形プレートは、間に、気密シールを用いてこれらのプレートを接合するアルミニウムの円形ディスクを任意選択的に有する。除外パターンは、任意選択的に、プレートの１つ、例えば最下プレートを通じて、次いでアルミニウム層を通じて機械加工することにより、アルミニウム層に機械加工される。機械加工は、任意選択的に、超音波ミリングを使用して行われ、任意選択的に、他のプレート（例えば上部プレート）に好適な距離（例えば約０．００１インチ）で継続される。機械加工は、下部セラミック層又はプレートを通して、次いで同様に接合層を通して行われる。

図２、図３、及び図４は、除外パターンの任意の実施形態、及びプレート、アルミニウム又は他の接合層を通して行われ、バイポーラ静電チャック用の第２のプレートにも部分的に行われた機械加工を示す。図２及び図３は、セラミック下部層２０１を通して行われた機械加工を示す。完成した組立体を作成するプロセスのこの段階では、除外パターンは完了しているが、除外部の充填はまだ行われておらず、最終機械加工も行われていない。電極パターン分割溝２０２は、金属接合層によって形成された電極を、任意選択の実施形態において十字形である内部電極領域２０３と、外部電極領域２０４とに分割している。電極パターン分割溝２０２は、下部セラミックプレート２０１及び接合層を通してセラミック上部層２０９に機械加工される。外側溝２０５は、任意選択的に、外部電極領域２０４から外周部分２０６を分離している。さらに、外側溝２０５もまた、接合層の外側環状リングを接合層の電極部分から電気的に分離する。また、孔２０８を通るリフトピンのすぐ周りに存在する接合層から電極を電気的に分離することができる任意選択のリフトピン溝２０７が示されている。図４は、図２及び図３に示されたタイプの実際の組立体の写真である。溝は、任意選択的に、幅０．０６３インチ幅と同じくらい狭くすることができる。溝の１又は２以上は、任意選択的に、１又は２以上の溝内の誘電材料によって生成された誘電障壁が目標用途には十分であるように十分に広い。この任意選択の実施形態では２電極デバイスとして示されているが、金属接合層から形成される２つ以上の電極部分又は電極が任意選択的に存在する可能性がある。或いは、任意選択的に単一の電極部分又は電極が存在する可能性がある。

アルミニウム層における除外パターンは、任意選択的に、機械加工が実行されたプレートにおいて空隙と鏡像にすることができる。さらに、空隙は、任意選択的に、高誘電効果エポキシなどのフィラーで充填することができる。フィラーは、任意選択的に、高誘電強度高熱伝導性エラストマーとすることができる。フィラーは、任意選択的に、酸化マグネシウムとすることができ、さらに、ガラス繊維などのガラスで覆うことができる。空隙は、任意選択的に、高誘電効果エポキシで結合することができる誘電材料の固体要素で充填することができる。空隙は、任意選択的に、高誘電効果エポキシで結合することができるプレート層と同じセラミックの固体要素で充填することができる。

図５は、完成の後段階での任意選択のプレート組立体の写真である。電極分割溝２０２は、高誘電効果エポキシで充填２１２されている。外側溝２０５は、高誘電効果エポキシで充填２１０されている。リフトピン溝２０７は、高誘電効果エポキシで充填２１１されている。溝は、高誘電効果エポキシで結合することができる、誘電材料の固体要素で任意選択的に充填することができる。

その後、裏面充填プレート、例えば第１のセラミック層又はプレートは、任意選択的に平坦化され、フィラーが配置された表面が平坦にされる。空隙の充填後、上部セラミック層又はプレートになる可能性のあり機械加工が行われなかったプレートは、任意選択的に、より薄い厚さにまで機械加工で薄くされ、セラミックプレート組立体を完成させることができる。例えば、上部プレートは、任意選択的に、０．０１０～０．０１２インチの範囲又は他のより薄い厚さにまで機械加工で薄くされてもよい。上部プレートの厚さは、任意選択的に、０．００５～０．０１５インチの範囲とすることができる。上部プレートの厚さは、任意選択的に、０．００５～０．０１０インチの範囲とすることができる。上部プレートは、任意選択的に、０．００６インチの厚さまで薄肉化することができる。電極パターンの除外ゾーンにおける上部層の下にフィラー材料を配置することによって、機械加工が上部層を薄肉化するとき上部層に対する支持が存在する。このような支持が存在しない場合、このように薄肉の上部プレートにまでする機械加工が、機械加工中のプレートの撓みに起因して上部プレートに対する亀裂又は他の損傷が生じさせる可能性がある。

完成した静電チャックは、任意選択的に、クロストークなしで１０，０００Ｖに耐えることができる。

図６及び図７はそれぞれ、本発明の静電チャック２５２の任意選択の実施形態の図及び分解図を示す。セラミック上部層、金属接合層、及びセラミック下部層を含むセラミックプレート組立体２５０は、任意選択的に、ベース２５１に取り付けることができる。ベース２５１は、任意選択的に、金属とすることができ、該金属は、任意選択的にアルミニウムとすることができる。ベース２５１は、任意選択的に、セラミックプレート組立体２５０のガス孔２５４、２５５にガスを送るガスプレナムを含むことができる。セラミックプレート組立体２２５０は、任意選択的に、リフトピン孔２５３を含んでもよい。セラミック上部層は、任意選択的に、金属接合層における拡散パターン及び金属接合層をセラミックプレート組立体の上面を通じて視認することができるほど極めて薄くてもよい。

金属接合層を任意選択的に形成するための任意選択のろう付け材料を、任意選択的に、シート、粉末、薄膜の形態、又は本明細書に記載されるろう付けプロセスに好適な他の何れかの成形因子のものとすることができる。例えば、ろう付け層を、任意選択的に、０．０００１９インチ～０．０１１インチ以上の範囲の厚さを有するシートとすることができる。ろう付け材料は、任意選択的に、約０．００１２インチの厚さを有するシートとすることができる。ろう付け材料を、任意選択的に、約０．００６インチの厚さを有するシートとすることができる。ろう付け材料を、任意選択的に、少なくとも９９．５％の純度を有するアルミニウム製とすることができる。任意選択的に、純度が９２％を超える場合のある市販のアルミホイルを使用することができる。任意選択的に、合金を使用することができる。これらの合金は、任意選択的に、Ａｌ－５ｗ％Ｚｒ、Ａｌ－５ｗ％Ｔｉ、市販の合金＃７００５、＃５０８３又は＃７０７５を含むことができる。これらの合金は、任意選択的に、接合温度１１００℃で使用されることができる。これらの合金は、任意選択的に、接合温度８００℃～１２００℃で使用されることができる。これらの合金は、任意選択的に、より低い温度又はより高い温度で使用されることができる。アルミニウム接合層は、任意選択的に、上述のように、セラミック層又はプレートのうちの１又は２以上の上にある事前に堆積された層から形成することができる。

通常は、アルミニウム中の合金組成物（例えば、マグネシウムなど）は、アルミニウムの粒界間の析出物として形成される。これらは、アルミニウム結合層の耐酸化性を低下させる可能性があるが、通常は、これらの析出物は、アルミニウムを通じて隣接した経路を形成しないので、アルミニウム層全体を通じて酸化剤の浸透が可能ではなく、従って、耐食性をもたらすアルミニウムの自己抑制的な酸化膜特性が完全なまま残される。析出物を形成できる成分を包含するアルミニウム合金を用いた任意選択の実施形態、すなわち、冷却プロトコルを含むプロセスパラメータは、任意選択的に、粒界中で析出物を最小限に抑えるように構成されてもよい。

本発明によるプロセスの条件下でのアルミニウムとの拡散に対する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の非感受性は、任意選択的に、プレートとシャフト組立体の製造において、ろう付けステップの後のセラミックの材料特性の保存及び材料同定をもたらすことがある。

接合プロセスは、任意選択的に、極めて低い圧力を提供するように適合されたプロセスチャンバ内で実行することができる。本発明の接合プロセスは、任意選択的に、気密シールされた接合を達成するために、無酸素状態を必要とする場合がある。このプロセスを、任意選択的に、１ｘ１０Ｅ－４Ｔｏｒｒ未満の圧力で実行することができる。このプロセスを、任意選択的に、１ｘ１０Ｅ－５Ｔｏｒｒ未満の圧力で実行することができる。更なる酸素除去を、任意選択的に、プロセスチャンバ内にジルコニウム又はチタンを配置することで達成することができる。例えば、ジルコニウム内部チャンバーを、任意選択的に、接合されることになる要素の周りに配置することができる。

任意選択的に、真空以外の雰囲気を用いて、気密シールを実現することができる。任意選択的に、例えば、アルゴン（Ａｒ）雰囲気を用いて、密封接合を実現することができる。任意選択的に、他の希ガスを用いて、密封接合を実現することができる。任意選択的に、水素（Ｈ２）雰囲気を用いて、密封接合を実現することができる。

ろう付け層の濡れ性及び流動は、様々な要因に敏感になる可能性がある。関心のある要因は、ろう付け材料料の組成、セラミック組成、プロセスチャンバ内の雰囲気の化学組成、特に接合プロセス中のチャンバー内の酸素レベル、温度、温度時間、ろう付け材料の厚さ、接合されることになる材料の表面特性、接合されることになる要素の幾何形状、接合プロセス中に接合にわたって印加される物理的圧力、及び/又は接合プロセス中に維持される接合ギャップを含む。

第１及び第２のセラミック体を任意選択的に共に接合するためのろう付け方法の例は、第１及び第２のセラミック体間に配置されたアルミニウム及びアルミニウム合金からなる群から選択されたろう付け層と共に第１及び第２のセラミック体を接合するステップと、ろう付け層を少なくとも８００℃の温度に加熱するステップと、ろう付け層をその融点よりも低い温度に冷却し、ろう付け層が硬化して気密シールを生成し、第１の部材を第２の部材に接合するようにするステップと、を含むことができる。本明細書に記載された方法に従って、ろう付け接合部の様々な幾何形状を実施することができる。接合層は、任意選択的に、９９重量％アルミニウムを超えるアルミニウム製とすることができ、接合温度は、任意選択的に、少なくとも７７０℃の温度とすることができる。接合層は、任意選択的に、９９重量％アルミニウムを超えるアルミニウム製とすることができ、接合温度は、任意選択的に、７７０℃～１２００℃の範囲の温度とすることができる。

図８は、本発明の任意選択の単極静電チャックプレート組立体の分解図を示す。この例示的な図では、チャックの上部層になるものが下部に見られる。セラミック上部層３００は、接合層３０１によってセラミック下部層３０２から分離される。接合層３０１は、上部セラミック層と下部セラミック層を接合し、また、製造プロセスが完了した後、電極として又は分割される場合には複数の電極として機能する。セラミック下部層３０２には、セラミック下部層３０２を通過して外側溝３０９が見える。電極３０１は、電極層３０１を通じて延びる外側溝３０８と共に見られる。セラミック上部層３００は、セラミック上部層３００の浅い深さまで部分的にのみ入る外側溝３０７と共に見える。他の例示された溝、例えば、冷却ガス孔の周りのリング溝３０５及びリフトピン孔の周りのリフトピン溝３０６は、同様に、セラミック下部層、電極層を通って、部分的にはセラミック上部層に延びる。何れかの好適なタイプの誘電材料部分は、フィラーとしての役目を果たし、上述の様々な溝に配置される。例えば、誘電材料部分は、任意選択的に、誘電材料の薄いストリップとすることができ、該ストリップは、任意選択的に、形状が円形とすることができる。外側リング誘電体部分３０３は、セラミック下部層、電極層、及びセラミック上部層の一部分内の外側リング溝に存在することになる。リング誘電体部分３０４は、セラミック下部層、電極層、及びセラミック上部層の一部分内のリフトピン及び冷却ガスリング溝に存在する。セラミック下部層は、任意選択的に、アルミナ、窒化アルミニウム、ベリリア、ジルコニア、及びサファイアの群からのセラミックとすることができる。セラミック上部層は、任意選択的に、アルミナ、窒化アルミニウム、ベリリア、ジルコニア、及びサファイアの群からのセラミックとすることができる。接合層は、任意選択的に、例えば本明細書に記載されるように、アルミニウム製とすることができる。

図９及び図１０は、それぞれ、本発明の任意選択のリフトピン孔及び任意選択の冷却ガス孔の断面図を示す。図８は、任意選択のリフトピン孔の領域の部分断面図を示す。リフトピンリング溝３０６は、セラミック下部層３０２及び電極層３２４を通して、セラミック第２の又は上部の層３００に部分的にだけ機械加工される。リフトピン貫通孔３２０は、セラミック第１又は下部の層、金属接合電極層、及びセラミック第２の又は上部の層を通って延びる。セラミック下部層は、リフトピン貫通孔３２０の外側でリフトピンリング溝３０６内に依然として３２３として残存する。図９は、任意の冷却ガス孔３２１の領域の部分断面を示す。冷却ガスリング溝３０５は、セラミック下部層３０２及び電極層３２４を通じて、セラミック上部層３００に部分的にだけ機械加工される。冷却ガス貫通孔３２１は、セラミック下部層、金属接合電極層、及びセラミック上部層を通って延びる。セラミック下部層は、任意選択的に、セラミック上部層を含む層を通じて冷却ガス孔３２１を通じた冷却ガスのアクセスを可能にするような形状３２２にされる。

図１１は、本発明の任意選択の２ゾーン静電チャック組立体を示す。この例示的な図は、金属層４０１の態様を示すが、層は示されていない。第１の電極部分４０３は、分割領域４０４によって第２の電極部分４０２から分割されているのが分かる。外側リング溝４０７は、外側リング部分４０８を電極部分４０２、４０３から分離する。電極への電気接続は、取り付け領域４０５、４０６で行われるのがよい。

本発明の接合プロセスは、任意選択的に、以下のステップの一部又は全てを含むことができる。接合用に２又は３以上のセラミック要素が選択される。任意選択的に、同じセットのプロセスステップにおいて複数の接合層を使用して複数の要素を接合することができるが、説明を明確にするために、単一の接合層を用いて接合された２つのセラミック要素について本明細書で説明する。任意選択的に、セラミック要素は、アルミナ製とすることができる。セラミック要素は、任意選択的に、窒化アルミニウム製とすることができる。セラミック要素は、任意選択的に、単結晶又は多結晶の窒化アルミニウム製とすることができる。セラミック要素は、任意選択的に、アルミナ、窒化アルミニウム、ベリリア、ジルコニア又はサファイア製とすることができる。各要素の部分は、他の要素に接合されることになる各要素の領域として識別される。例示的な実施例において、セラミック上部層は、セラミック下部層に接合されることになる。接合材料は、任意選択的に、アルミニウム含有量が９９％を超えるアルミニウムを含むろう付け層とすることができる。接合されることになる特定の表面領域は、任意選択的に、プリメタライゼーションステップを受けることができる。このプリメタライゼーションステップは、様々な方法で達成することができる。任意選択的に、プリメタライゼーションを適用するのに、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、電気めっき、プラズマ溶射又は他の方法を使用することができる。

接合する前、任意選択的に、２つの要素は、プロセスチャンバ内にある間、何らかの位置制御を維持するために、互いに対して固定されるのがよい。この固定は、また、加温中に、外部から加えられた荷重をかけることを助け、２つの要素の間で接合部にわたって接触圧力を生み出す。任意選択的に、接触圧力が接合部にわたって加えられるように、重りを固定要素の上部に配置することができる。重りは、任意選択的に、ろう付け層の面積に比例しているのがよい。接合部にわたって加えられる接触圧力は、任意選択的に、接合接触領域に対して約２～５００ｐｓｉの範囲とすることができる。接触圧力は、任意選択的に、２～４０ｐｓｉの範囲にすることができる。任意選択的に、最小限の圧力を使用することができる。このステップで使用される接触圧力は、任意選択的に、２０００～３０００ｐｓｉの範囲の圧力を使用することができる、従来のプロセスに見られる高温圧縮／焼結を使用した接合するステップで見られるものよりも有意に低くすることができる。プレートは、任意選択的に、約２ｐｓｉの接触圧力で共に押し付け合い、１ｘ１０Ｅ－４Ｔｏｒｒ未満の圧力の真空下で８５０°Ｃで接合することができる。プレートは、任意選択的に、７７０℃を超える温度で接合することができる。プレートは、任意選択的に、７７０℃～１２００℃の範囲の温度で接合することができる。

ろう付け後、２つの円形プレートは、任意選択的に、気密シールで接合するように、円形プレート間に配置されるアルミニウム製の円形ディスクを有することができる。除外パターンは、任意選択的に、プレートの１つを通じて、次いでアルミニウム層を通じて機械加工することによって、アルミニウム層に機械加工することができる。機械加工は、任意選択的に、超音波ミリングを使用して行われ、任意選択的に、約０．００１インチの他のプレートに継続することができる。機械加工は、任意選択的に、下部セラミック層を通じて行われ、次いで接合層を通じて行うことができる。

アルミニウム層の除外パターンは、任意選択的に、機械加工が実行されたプレートにおいて空隙と鏡像にすることができる。その後、空隙は、任意選択的に、高誘電効果エポキシなどのフィラーで充填することができる。フィラーは、任意選択的に、酸化マグネシウムとすることができ、その後、ガラス繊維などのガラスで覆うことができる。空隙は、任意選択的に、誘電材料の固体要素で充填することができ、任意選択的に、高誘電効果エポキシで所定位置に結合することができる。

裏面充填プレートは、任意選択的に、平坦化されて、フィラーが配置された表面を平坦にすることができるようになる。空隙の充填後、上部プレートになる可能性がある機械加工が行われなかったプレートは、任意選択的に、より薄い厚さまで機械加工することができる。例えば、上部プレートは、任意選択的に、０．０１０～０．０１２インチの範囲又は他のより薄い厚さまで機械加工することができる。上部プレートは、任意選択的に、０．００６インチの厚さまで薄肉化することができる。電極パターンの除外ゾーンにおける上部層の下にフィラー材料を配置することによって、機械加工が上部プレートを薄肉化するときに、上部層に対する支持としての役目を果たすことができる。

静電チャックを製造するための方法が提供され、金属接合層を用いて第１のセラミックプレートを第２のセラミックプレートに接合するステップと、金属接合層から形成された少なくとも１つの電極部分を提供するために、第１のセラミックプレート及び金属接合層を通って延びる少なくとも１つの溝を形成するステップと、少なくとも１つの電極部分を電気的に分離するために、少なくとも金属接合層において少なくとも１つの溝を誘電材料で充填するステップと、を含むことができる。

第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、アルミナから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、酸化アルミニウムから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、サファイアから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、ベリリアから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、ジルコニアから形成することができる。第１のセラミックプレートと第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、アルミナから形成することができる。第１のセラミックプレートと第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、酸化アルミニウムから形成することができる。第１のセラミックプレートと第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、サファイアから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、ベリリアから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、ジルコニアから形成することができる。金属接合層は、任意選択的に、８９重量％を超えるアルミニウム製とすることができる。金属接合層は、任意選択的に、９２重量％を超えるアルミニウム製とすることができる。金属接合層は、任意選択的に、９９重量％を超えるアルミニウム製とすることができる。金属接合層は、任意選択的に、９９．５重量％を超えるアルミニウム製とすることができる。金属接合層は、任意選択的に、９９．９９重量％を超えるアルミニウムにすることができる。接合するステップは、任意選択的に、アルミニウムの層を第１のセラミックプレートの接合面上に堆積するステップと、プレート組立体を形成するために、第１のセラミックプレートの接合面上のアルミニウム層を第２のセラミックプレートの接合面上に配置するステップと、プレート組立体を７７０°Ｃを超える温度に加熱するステップとを含むことができる。加熱するステップは、任意選択的に、１×１０Ｅ-４Ｔｏｒｒ未満の圧力にしながら、プレート組立体を７７０℃を超える温度に加熱するステップを含むことができる。加熱するステップは、任意選択的に、１×１０５Ｅ－５Ｔｏｒｒ未満の圧力にしながら、プレート組立体を７７０℃を超える温度に加熱するステップを含むことができる。充填するステップは、任意選択的に、少なくとも１つの電極を電気的に分離するために、第１のセラミックプレートにおける少なくとも１つの溝及び金属接合層を誘電材料で充填するステップを含むことができる。充填するステップは、任意選択的に、少なくとも金属接合層における少なくとも１つの溝を高誘電効果エポキシで充填するステップを含むことができる。提供するステップは、任意選択的に、金属接合層から形成された少なくとも１つの電極部分を提供するために、第１のセラミックプレート及び金属接合層を通って延びる除外パターンを機械加工するステップを含むことができる。機械加工するステップは、任意選択的に、第１のセラミックプレート及び前記第２のセラミックプレートの外周近くに円周リングを含む除外パターンを機械加工するステップを含むことができる。接合するステップは、任意選択的に、プレート組立体を形成するために、金属接合層を用いて第１のセラミックプレートを第２のセラミックプレートに接合するステップを含み、充填するステップの後、金属接合層を覆う第２のセラミックプレートの厚さを減少させるステップを更に含む。減少させるステップは、任意選択的に、金属接合層を覆う第２のセラミックプレートを０．０１５インチ未満の厚さに機械加工するステップを含むことができる。形成するステップは、金属接合層から形成された複数の電極部分を提供するために、第１のセラミックプレート及び金属接合層を通って延びる少なくとも１つの溝を形成するステップを含むことができ、充填するステップは、任意選択的に、複数の電極部分を互いに電気的に分離するために、少なくとも１つの金属接合層の少なくとも１つの溝を誘電材料で充填するステップを含むことができる。

静電チャックが提供され、金属接合層を用いて第２のセラミック層に接合された第１のセラミック層から形成されるプレート組立体を備えることができ、プレート組立体は、金属接合層から形成された少なくとも１つの電極部分を提供するために、第１のセラミック層及び金属接合層を通って延びる少なくとも１つの溝と、少なくとも１つの電極部分を電気的に分離するために、少なくとも金属接合層における少なくとも１つの溝に配置された誘電材料とを備える。

第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、アルミナから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、酸化アルミニウムから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、サファイアから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、ベリリアから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方は、任意選択的に、ジルコニアから形成することができる。第１のセラミックプレートと第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、アルミナから形成することができる。第１のセラミックプレートと第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、酸化アルミニウムから形成することができる。第１のセラミックプレートと第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、サファイアから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、ベリリアから形成することができる。第１のセラミックプレート及び第２のセラミックプレートの両方は、任意選択的に、ジルコニアから形成することができる。金属接合層は、任意選択的に、８９重量％アルミニウムを超えるアルミニウムとすることができる。金属接合層は、任意選択的に、９２重量％アルミニウムを超えるアルミニウムとすることができる。金属接合層は、任意選択的に、９９重量％アルミニウムを超えるアルミニウムとすることができる。金属接合層は、任意選択的に、９９．５重量％アルミニウムを超えるアルミニウムとすることができる。金属接合層は、任意選択的に、９９．９９重量％アルミニウムを超えるアルミニウムとすることができる。第２のセラミック層は、任意選択的に、チャック面を有することができる。金属接合層を覆う第２のセラミック層は、任意選択的に、０．０１５インチ未満の厚さを有することができる。金属接合層を覆う第２のセラミック層は、任意選択的に、０．０１０～０．０１２インチの厚さを有することができる。金属接合層を覆う第２のセラミック層は、任意選択的に、０．００５～０．０１５インチの厚さを有することができる。金属接合層を覆う第２のセラミック層は、任意選択的に、０．００５～０．０１０インチの厚さを有することができる。金属接合層を覆う第２のセラミック層は、任意選択的に、０．００６インチの厚さを有することができる。

上述の説明から明らかなように、本明細書で与えられる説明から、多種多様な実施形態を構成することができ、更なる利点及び修正は、当業者であれば容易に想起されるであろう。従って、本発明は、より広い態様において、図示され説明された特定の詳細事項及び例示的な実施例に限定されるものではない。その結果、このような詳細事項からの逸脱は、出願人の全体としての発明の思想又は範囲から逸脱することなく行うことができる。

Claims (18)

1. 静電チャックを製造するための方法であって、
   金属接合層を用いて第１のセラミックプレートを第２のセラミックプレートに接合するステップと、
   前記金属接合層の一部を分離して形成された少なくとも１つの電極部分を提供するために、前記第１のセラミックプレート及び前記金属接合層を通って延びる少なくとも１つの溝を形成するステップと、
   前記少なくとも１つの電極部分を電気的に分離するために、少なくとも前記金属接合層において前記少なくとも１つの溝を誘電材料で充填するステップと、を含む、
   方法。
2. 前記第１のセラミックプレート及び前記第２のセラミックプレートのうちの少なくとも一方が、アルミナ、酸化アルミニウム、サファイア、ベリリア及びジルコニアからなる群から選択されたセラミックから形成されている、
   請求項１に記載の方法。
3. 前記第１のセラミックプレート及び前記第２のセラミックプレートの両方が、アルミナ、酸化アルミニウム、サファイア、ベリリア及びジルコニアからなる群から選択されたセラミックから形成されている、
   請求項１に記載の方法。
4. 前記金属接合層が、８９重量％アルミニウムを超えるアルミニウム、９２重量％アルミニウムを超えるアルミニウム、９９重量％アルミニウムを超えるアルミニウム、９９．５重量％アルミニウムを超えるアルミニウム、及び９９．９９重量％アルミニウムを超えるアルミニウムからなる群から選択されたアルミニウムである、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の方法。
5. 前記接合するステップは、
   アルミニウムの層を前記第１のセラミックプレートの接合面上に堆積するステップと、
   プレート組立体を形成するために、前記第１のセラミックプレートの前記接合面上の前記アルミニウムの層を前記第２のセラミックプレートの接合面上に配置するステップと、
   前記プレート組立体を７７０°Ｃを超える温度に加熱するステップと、
   を含む、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
6. 前記加熱するステップは、１×１０Ｅ-４Ｔｏｒｒ未満の圧力にしながら、前記プレート組立体を、７７０℃を超える温度に加熱するステップを含む、
   請求項５に記載の方法。
7. 前記充填するステップは、前記少なくとも１つの電極を電気的に分離するために、前記第１のセラミックプレートにおける前記少なくとも１つの溝及び前記金属接合層を誘電材料で充填するステップを含む、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記充填するステップは、少なくとも前記金属接合層における前記少なくとも１つの溝を高誘電効果エポキシで充填するステップを含む、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
9. 前記提供するステップは、前記金属接合層から形成された少なくとも１つの電極部分を提供するために、前記第１のセラミックプレート及び前記金属接合層を通って延びる除外パターンを機械加工するステップを含む、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
10. 前記機械加工するステップは、前記第１のセラミックプレート及び前記第２のセラミックプレートの外周近くに円周リングを含む除外パターンを機械加工するステップを含む、
    請求項９に記載の方法。
11. 前記接合するステップは、プレート組立体を形成するために、前記第１のセラミックプレートを、前記金属接合層を用いて前記第２のセラミックプレートに接合するステップを含み、
    前記方法が、前記充填するステップの後、前記金属接合層を覆う前記第２のセラミックプレートの厚さを減少させるステップを更に含む、
    請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
12. 前記減少させるステップは、前記金属接合層を覆う前記第２のセラミックプレートを0.381ｍｍ(０．０１５インチ)未満の厚さに機械加工するステップを含む、
    請求項１１に記載の方法。
13. 前記形成するステップは、前記金属接合層から形成された複数の電極部分を提供するために、前記第１セラミックプレート及び前記金属接合層を通って延びる少なくとも１つの溝を形成するステップを含み、前記充填するステップは、前記複数の電極部分を互いに電気的に分離するために、少なくとも前記金属接合層における前記少なくとも１つの溝を誘電材料で充填するステップを含む、
    請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
14. 金属接合層を用いて第２のセラミック層に接合された第１のセラミック層から形成されたプレート組立体を備えた静電チャックであって、前記プレート組立体は、前記金属接合層の一部を分離して形成された少なくとも１つの電極部分を提供するために前記第１のセラミック層及び前記金属接合層を通って延びる少なくとも１つの溝と、前記少なくとも１つの電極部分を電気的に分離するために、少なくとも前記金属接合層における前記少なくとも１つの溝に配置された誘電材料と、を備える、
    ことを特徴とする静電チャック。
15. 前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層のうちの少なくとも一方が、アルミナ、酸化アルミニウム、サファイア、ベリリア及びジルコニアからなる群から選択されたセラミックから形成される、
    請求項１４に記載の静電チャック。
16. 前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の両方が、アルミナ、酸化アルミニウム、サファイア、ベリリア及びジルコニアからなる群から選択されたセラミックから形成される、
    請求項１４に記載の静電チャック。
17. 前記金属接合層は、８９重量％アルミニウムを超えるアルミニウム、９２重量％アルミニウムを超えるアルミニウム、９９重量％アルミニウムを超えるアルミニウム、９９．５重量％アルミニウムを超えるアルミニウム、更に９９．９９重量％アルミニウムを超えるアルミニウムからなる群から選択されたアルミニウムである、
    請求項１４～１６のいずれか１項に記載の静電チャック。
18. 前記第２のセラミック層がチャック面を有し、前記第２のセラミック層が、0.381ｍｍ(０．０１５インチ)未満、0.254～0.3048ｍｍ(０．０１０～０．０１２インチ)、0.127～0.381ｍｍ(０．００５～０．０１５インチ)、0.127～0.254ｍｍ(０．００５～０．０１０インチ、更に0.1524ｍｍ(０．００６インチ)からなる群から選択された厚さを有して前記金属接合層を覆う、
    請求項１４～１７のいずれか１項に記載の静電チャック。

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