JP2021501985A - 複数の電極を備えた半導体基板支持体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2017年8月25日に出願されたPrdkerに対する米国仮特許出願第62/550,559号に対して優先権を主張するものであり、その内容全体は、引用により本明細書に組み入れられる。
本発明は、半導体基板支持体に関し、より具体的には、電極を備えた半導体基板支持体に関する。
Claims (18)
- 静電チャックを製造するための方法であって、
金属接合層を用いて第1のセラミックプレートを第2のセラミックプレートに接合するステップと、
前記金属接合層から形成された少なくとも1つの電極部分を提供するために、前記第1のセラミックプレート及び前記金属接合層を通って延びる少なくとも1つの溝を形成するステップと、
前記少なくとも1つの電極部分を電気的に分離するために、少なくとも前記金属接合層において前記少なくとも1つの溝を誘電材料で充填するステップと、を含む、
コンテナ方法。 - 前記第1のセラミックプレート及び前記第2のセラミックプレートのうちの少なくとも一方が、アルミナ、酸化アルミニウム、サファイア、ベリリア及びジルコニアからなる群から選択されたセラミックから形成されている、
請求項1に記載の方法。 - 前記第1のセラミックプレート及び前記第2のセラミックプレートの両方が、アルミナ、酸化アルミニウム、サファイア、ベリリア及びジルコニアからなる群から選択されたセラミックから形成されている、
請求項1に記載の方法。 - 前記金属接合層が、89重量%アルミニウムを超えるアルミニウム、92重量%アルミニウムを超えるアルミニウム、99重量%アルミニウムを超えるアルミニウム、99.5重量%アルミニウムを超えるアルミニウム、及び99.99重量%アルミニウムを超えるアルミニウムからなる群から選択されたアルミニウムである、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記接合するステップは、
アルミニウムの層を前記第1のセラミックプレートの接合面上に堆積するステップと、
プレート組立体を形成するために、前記第1のセラミックプレートの前記接合面上の前記アルミニウムの層を前記第2のセラミックプレートの接合面上に配置するステップと、
前記プレート組立体を770°Cを超える温度に加熱するステップと、
を含む、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記加熱するステップは、1×10E-4Torr未満の圧力にしながら、前記プレート組立体を、770℃を超える温度に加熱するステップを含む、
請求項5に記載の方法。 - 前記充填するステップは、前記少なくとも1つの電極を電気的に分離するために、前記第1のセラミックプレートにおける前記少なくとも1つの溝及び前記金属接合層を誘電材料で充填するステップを含む、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記充填するステップは、少なくとも前記金属接合層における前記少なくとも1つの溝を高誘電効果エポキシで充填するステップを含む、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記提供するステップは、前記金属接合層から形成された少なくとも1つの電極部分を提供するために、前記第1のセラミックプレート及び前記金属接合層を通って延びる除外パターンを機械加工するステップを含む、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記機械加工するステップは、前記第1のセラミックプレート及び前記第2のセラミックプレートの外周近くに円周リングを含む除外パターンを機械加工するステップを含む、
請求項9に記載の方法。 - 前記接合するステップは、プレート組立体を形成するために、前記第1のセラミックプレートを、前記金属接合層を用いて前記第2のセラミックプレートに接合するステップを含み、
前記方法が、前記充填するステップの後、前記金属接合層を覆う前記第2のセラミックプレートの厚さを減少させるステップを更に含む、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記減少させるステップは、前記金属接合層を覆う前記第2のセラミックプレートを0.015インチ未満の厚さに機械加工するステップを含む、
請求項11に記載の方法。 - 前記形成するステップは、前記金属接合層から形成された複数の電極部分を提供するために、前記第1セラミックプレート及び前記金属接合層を通って延びる少なくとも1つの溝を形成するステップを含み、前記充填するステップは、前記複数の電極部分を互いに電気的に分離するために、少なくとも前記金属接合層における前記少なくとも1つの溝を誘電材料で充填するステップを含む、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。 - 金属接合層を用いて第2のセラミック層に接合された第1のセラミック層から形成されたプレート組立体を備えた静電チャックであって、前記プレート組立体は、前記金属接合層から形成された少なくとも1つの電極部分を提供するために前記第1のセラミック層及び前記金属接合層を通って延びる少なくとも1つの溝と、前記少なくとも1つの電極部分を電気的に分離するために、少なくとも前記金属接合層における前記少なくとも1つの溝に配置された誘電材料と、を備える、
ことを特徴とする静電チャック。 - 前記第1のセラミック層及び前記第2のセラミック層のうちの少なくとも一方が、アルミナ、酸化アルミニウム、サファイア、ベリリア及びジルコニアからなる群から選択されたセラミックから形成される、
請求項14に記載の静電チャック。 - 前記第1のセラミック層及び前記第2のセラミック層の両方が、アルミナ、酸化アルミニウム、サファイア、ベリリア及びジルコニアからなる群から選択されたセラミックから形成される、
請求項14に記載の静電チャック。 - 前記金属接合層は、89重量%アルミニウムを超えるアルミニウム、92重量%アルミニウムを超えるアルミニウム、99重量%アルミニウムを超えるアルミニウム、99.5重量%アルミニウムを超えるアルミニウム、更に99.99重量%アルミニウムを超えるアルミニウムからなる群から選択されたアルミニウムである、
請求項14〜16のいずれか1項に記載の静電チャック。 - 前記第2のセラミック層がチャック面を有し、前記第2のセラミック層が、0.015インチ未満、0.010〜0.012インチ、0.005〜0.015インチ、0.005〜0.010インチ、更に0.006インチからなる群から選択された厚さを有して前記金属接合層を覆う、
請求項14〜17のいずれか1項に記載の静電チャック。
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