JP7235226B2 - 記憶デバイスにおけるシステムタイムスタンプを用いたバックグラウンドデータ・リフレッシュ - Google Patents
記憶デバイスにおけるシステムタイムスタンプを用いたバックグラウンドデータ・リフレッシュ Download PDFInfo
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Description
[他の考えられる例]
[例1]
ホストからタイムスタンプを受信する段階と、
上記タイムスタンプを記憶デバイスに記憶する段階と、
データがいつ1つまたは複数のブロックに書き込まれたかを示す第2のタイムスタンプに対する上記タイムスタンプに基づいて、上記記憶デバイスの上記1つまたは複数のブロックに記憶された上記データの保持時間を判断する段階と、
上記保持時間が閾値を超えていると判断したことに応答して、上記記憶デバイスの1つまたは複数の他のブロックに上記データを移す段階と
を備える方法。
[例2]
上記ホストから上記タイムスタンプを受信する段階は、上記記憶デバイスの電源をオンにしたこと、または、上記記憶デバイスが低電力状態を終えたことに応答したものである、例1に記載の方法。
[例3]
上記ホストから上記タイムスタンプを受信する段階は更に、上記記憶デバイスの電源をオンにした後、または、上記低電力状態を終えた後の最初の入出力(I/O)コマンドに応答したものである、例2に記載の方法。
[例4]
複数のスーパーブロックのそれぞれについて、データがいつ所与のスーパーブロックに書き込まれたかを示すタイムスタンプと、上記所与のスーパーブロックに書き込まれた上記データの上記保持時間とを記憶する段階とを更に備える、例1に記載の方法。
[例5]
上記記憶デバイスの電源をオンにしたこと、または、上記記憶デバイスが低電力状態を終えたことに応答して、上記複数のスーパーブロックに関するデータ保持時間をスキャンする段階と、
上記複数のスーパーブロックうちの1つまたは複数の上記保持時間が閾値を超えていると判断したことに応答して、上記複数のスーパーブロックうちの上記1つまたは複数から1つまたは複数の他のスーパーブロックに上記データを移す段階と
を更に備える、例4に記載の方法。
[例6]
低電力状態になったこと、または、上記記憶デバイスの電源をオフにしたことに応答して、上記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、上記タイムスタンプおよび上記保持時間を上記記憶デバイスの不揮発性記憶装置に記憶する段階と、
上記低電力状態を終えたこと、または、上記記憶デバイスの電源をオンにしたことに応答して、上記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、上記不揮発性記憶装置から上記記憶デバイスの揮発性メモリに上記タイムスタンプおよび上記保持時間をロードする段階と
を更に備える、例4に記載の方法。
[例7]
上記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、上記タイムスタンプおよび上記保持時間を上記不揮発性記憶装置に記憶する段階は、上記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、上記記憶デバイスの1つまたは複数のシングルレベルセル(SLC)スーパーブロックに上記タイムスタンプおよび上記保持時間を記憶する段階を含む、例6に記載の方法。
[例8]
上記データを移す段階は、上記1つまたは複数のブロックをキューに配置して、上記1つまたは複数のブロックに記憶されたデータの保持時間が上記閾値を超えていることを示す段階と、
上記ホストからのアクセスを上記キューからの書き込みとインタリーブする段階と
を含む、例1に記載の方法。
[例9]
上記1つまたは複数のブロックを上記キューに配置する段階は、上記1つまたは複数のブロックを特定し、かつ、上記1つまたは複数のブロックに記憶されたデータの保持時間が上記閾値を超えていることを示す、フラグを設定する段階を含む、例8に記載の方法。
[例10]
上記方法は、上記ホストからの上記アクセスを上記キューからの上記書き込みとインタリーブするための比率を調整する段階を更に備え、上記インタリーブするための比率は、上記キュー内のブロックの保持時間、上記ホストからのコマンドの数、リフレッシュされるべきブロックの数、およびリフレッシュを行うための空き領域のうちの1つまたは複数に基づいたものである、例9に記載の方法。
[例11]
上記タイムスタンプを受信する段階は、上記ホストからのベンダーユニークコマンドを介して上記タイムスタンプを受信する段階を含む、例1に記載の方法。
[例12]
データを記憶するための不揮発性記憶装置と、論理回路とを備えるソリッドステートドライブ(SSD)であって、上記論理回路は、
ホストからタイムスタンプを受信することと、
上記タイムスタンプを上記不揮発性記憶装置に記憶することと、
データがいつ1つまたは複数のブロックに書き込まれたかを示す第2のタイムスタンプに対する上記タイムスタンプに基づいて、上記不揮発性記憶装置の上記1つまたは複数のブロックに記憶された上記データの保持時間を判断することと、
上記保持時間が閾値を超えていると判断したことに応答して、上記不揮発性記憶装置の1つまたは複数の他のブロックに上記データを移すこととを行う、ソリッドステート記憶デバイス(SSD)。
[例13]
上記ホストからの上記タイムスタンプの上記受信は、上記SSDの電源をオンにしたこと、または、上記SSDが低電力状態を終えたことに応答したものである、例12に記載のSSD。
[例14]
上記ホストからの上記タイムスタンプの上記受信は更に、上記SSDの電源をオンにした後、または、上記SSDが低電力状態を終えた後の最初の入出力(I/O)コマンドに応答したものである、例12に記載のSSD。
[例15]
上記論理回路は更に、複数のスーパーブロックのそれぞれについて、データがいつ所与のスーパーブロックに書き込まれたかを示すタイムスタンプと、上記所与のスーパーブロックに書き込まれた上記データの上記保持時間とを記憶する、例12に記載のSSD。
[例16]
上記論理回路は更に、上記SSDの電源をオンにしたこと、または、上記SSDが低電力状態を終えたことに応答して、上記複数のスーパーブロックに関するデータ保持時間をスキャンすることと、
上記複数のスーパーブロックうちの1つまたは複数の上記保持時間が閾値を超えていると判断したことに応答して、上記複数のスーパーブロックうちの上記1つまたは複数から1つまたは複数の他のスーパーブロックに上記データを移すことと
を行う、例15に記載のSSD。
[例17]
上記SSDは、揮発性メモリを更に備え、
低電力状態になったこと、または、上記SSDの電源をオフにしたことに応答して、上記論理回路は、上記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、不揮発性メモリに上記タイムスタンプおよび上記保持時間を記憶し、
上記低電力状態を終えたこと、または、上記SSDの電源をオンにしたことに応答して、上記論理回路は、上記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、上記不揮発性記憶装置から上記揮発性メモリに上記タイムスタンプおよび上記保持時間をロードする、例15に記載のSSD。
[例18]
上記論理回路は、上記SSDのファームウェアを有する、例12に記載のSSD。
[例19]
コンテンツを記憶したコンピュータ可読記憶媒体を備える製品であって、上記コンピュータ可読記憶媒体は、アクセスされると、
ホストからタイムスタンプを受信する段階と、
上記タイムスタンプを記憶デバイスに記憶する段階と、
データがいつ1つまたは複数のブロックに書き込まれたかを示す第2のタイムスタンプに対する上記タイムスタンプに基づいて、上記記憶デバイスの上記1つまたは複数のブロックに記憶された上記データの保持時間を判断する段階と、
上記保持時間が閾値を超えていると判断したことに応答して、上記記憶デバイスの1つまたは複数の他のブロックに上記データを移す段階と
を含む方法を実行するための動作の実施をもたらす、製品。
[例20]
上記ホストから上記タイムスタンプを受信する段階は、上記記憶デバイスの電源をオンにしたこと、または、上記記憶デバイスが低電力状態を終えたことに応答したものである、例19に記載の製品。
Claims (22)
- 記憶デバイスの電源をオンにした後、または前記記憶デバイスが低電力状態を終えた後のホストからの最初の入出力(I/O)コマンドを受信する段階と、
前記最初のI/Oコマンド後の第2のコマンドを介して、前記ホストからタイムスタンプを受信する段階と、
前記タイムスタンプを前記記憶デバイスに記憶する段階と、
データがいつ1つまたは複数のブロックに書き込まれたかを示す第2のタイムスタンプに対する前記タイムスタンプに基づいて、前記記憶デバイスの前記1つまたは複数のブロックに記憶された前記データの保持時間を判断する段階と、
前記保持時間が閾値を超えていると判断したことに応答して、前記記憶デバイスの1つまたは複数の他のブロックに前記データを移す段階と
を備える方法。 - 前記ホストから前記タイムスタンプを受信する段階は、前記記憶デバイスの電源をオンにしたこと、または、前記記憶デバイスが低電力状態を終えたことに応答したものである、請求項1に記載の方法。
- 複数のスーパーブロックのそれぞれについて、データがいつ所与のスーパーブロックに書き込まれたかを示す前記第2のタイムスタンプと、前記所与のスーパーブロックに書き込まれた前記データの前記保持時間とを記憶する段階とを更に備える、請求項1に記載の方法。
- 前記記憶デバイスの電源をオンにしたこと、または、前記記憶デバイスが低電力状態を終えたことに応答して、前記複数のスーパーブロックに関するデータ保持時間をスキャンする段階と、
前記複数のスーパーブロックのうちの1つまたは複数の前記保持時間が閾値を超えていると判断したことに応答して、前記複数のスーパーブロックのうちの前記1つまたは複数から1つまたは複数の他のスーパーブロックに前記データを移す段階と
を更に備える、請求項3に記載の方法。 - 低電力状態になったこと、または、前記記憶デバイスの電源をオフにしたことに応答して、前記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、前記第2のタイムスタンプおよび前記保持時間を前記記憶デバイスの不揮発性記憶装置に記憶する段階と、
前記低電力状態を終えたこと、または、前記記憶デバイスの電源をオンにしたことに応答して、前記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、前記不揮発性記憶装置から前記記憶デバイスの揮発性メモリに前記第2のタイムスタンプおよび前記保持時間をロードする段階と
を更に備える、請求項3に記載の方法。 - 前記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、前記第2のタイムスタンプおよび前記保持時間を前記不揮発性記憶装置に記憶する段階は、前記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、前記記憶デバイスの1つまたは複数のシングルレベルセル(SLC)スーパーブロックに前記第2のタイムスタンプおよび前記保持時間を記憶する段階を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記データを移す段階は、
前記1つまたは複数のブロックをキューに配置して、前記1つまたは複数のブロックに記憶されたデータの保持時間が前記閾値を超えていることを示す段階と、
前記ホストからのアクセスを前記キューからの書き込みとインタリーブする段階と
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記1つまたは複数のブロックを前記キューに配置する段階は、前記1つまたは複数のブロックを特定し、かつ、前記1つまたは複数のブロックに記憶されたデータの保持時間が前記閾値を超えていることを示す、フラグを設定する段階を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記方法は、前記ホストからの前記アクセスを前記キューからの前記書き込みとインタリーブするための比率を調整する段階を更に備え、
前記インタリーブするための比率は、前記キュー内のブロックの保持時間、前記ホストからのコマンドの数、リフレッシュされるべきブロックの数、およびリフレッシュを行うための空き領域のうちの1つまたは複数に基づいたものである、請求項8に記載の方法。 - 前記タイムスタンプを受信する段階は、前記ホストからのベンダーユニークコマンドを介して前記タイムスタンプを受信する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- データを記憶するための不揮発性記憶装置と、論理回路とを備えるソリッドステートドライブ(SSD)であって、前記論理回路は、
前記SSDの電源をオンにした後、または、前記SSDが低電力状態を終えた後に、ホストから最初の入出力(I/O)コマンドを受信することと、
前記最初のI/Oコマンド後の第2のコマンドを介して、前記ホストからタイムスタンプを受信することと、
前記タイムスタンプを前記不揮発性記憶装置に記憶することと、
データがいつ1つまたは複数のブロックに書き込まれたかを示す第2のタイムスタンプに対する前記タイムスタンプに基づいて、前記不揮発性記憶装置の前記1つまたは複数のブロックに記憶された前記データの保持時間を判断することと、
前記保持時間が閾値を超えていると判断したことに応答して、前記不揮発性記憶装置の1つまたは複数の他のブロックに前記データを移すこととを行う、SSD。 - 前記ホストからの前記タイムスタンプの前記受信は、前記SSDの電源をオンにしたこと、または、前記SSDが低電力状態を終えたことに応答したものである、請求項11に記載のSSD。
- 前記論理回路は更に、複数のスーパーブロックのそれぞれについて、データがいつ所与のスーパーブロックに書き込まれたかを示すタイムスタンプと、前記所与のスーパーブロックに書き込まれた前記データの前記保持時間とを記憶する、請求項11に記載のSSD。
- 前記論理回路は更に、前記SSDの電源をオンにしたこと、または、前記SSDが低電力状態を終えたことに応答して、前記複数のスーパーブロックに関するデータ保持時間をスキャンすることと、
前記複数のスーパーブロックうちの1つまたは複数の前記保持時間が閾値を超えていると判断したことに応答して、前記複数のスーパーブロックうちの前記1つまたは複数から1つまたは複数の他のスーパーブロックに前記データを移すことと
を行う、請求項13に記載のSSD。 - 前記SSDは、揮発性メモリを更に備え、
低電力状態になったこと、または、前記SSDの電源をオフにしたことに応答して、前記論理回路は、前記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、前記不揮発性記憶装置に前記第2のタイムスタンプおよび前記保持時間を記憶し、
前記低電力状態を終えたこと、または、前記SSDの電源をオンにしたことに応答して、前記論理回路は、前記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、前記不揮発性記憶装置から前記揮発性メモリに前記第2のタイムスタンプおよび前記保持時間をロードする、請求項13に記載のSSD。 - 前記低電力状態になったこと、または、前記SSDの電源をオフにしたことに応答して、前記論理回路は、前記複数のスーパーブロックのそれぞれについて、前記不揮発性記憶装置の1つまたは複数のシングルレベルセル(SLC)スーパーブロックに前記第2のタイムスタンプおよび前記保持時間を記憶する、請求項15に記載のSSD。
- 前記データを移すための前記論理回路は、前記1つまたは複数のブロックをキューに配置して、前記1つまたは複数のブロックに記憶されたデータの保持時間が前記閾値を超えていることを示すことと、
前記ホストからのアクセスを前記キューからの書き込みとインタリーブすることと
を行う、請求項13に記載のSSD。 - 前記1つまたは複数のブロックを前記キューに配置するための前記論理回路は、前記1つまたは複数のブロックを特定し、かつ、前記1つまたは複数のブロックに記憶されたデータの保持時間が前記閾値を超えていることを示す、フラグを設定する、請求項17に記載のSSD。
- 前記論理回路は、前記ホストからの前記アクセスを前記キューからの前記書き込みとインタリーブするための比率を調整し、
前記インタリーブするための比率は、前記キュー内のブロックの保持時間、前記ホストからのコマンドの数、リフレッシュされるべきブロックの数、およびリフレッシュを行うための空き領域のうちの1つまたは複数に基づいたものである、請求項17に記載のSSD。 - 前記論理回路は、前記ホストからのベンダーユニークコマンドを介して前記タイムスタンプを受信する、請求項11に記載のSSD。
- 前記論理回路は、前記SSDのファームウェアを有する、請求項11に記載のSSD。
- コンピュータに請求項1から10の何れか一項に記載の方法を実行するための動作を実行させるためのプログラム。
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