JP7225420B2

JP7225420B2 - 磁界検出器モジュールを備えた電流変換器

Info

Publication number: JP7225420B2
Application number: JP2021544380A
Authority: JP
Inventors: ラベ・アルノー; レピーヌ・ジェラール; セロン・ダヴィッド
Original assignee: レム・インターナショナル・エスエイ
Priority date: 2019-01-30
Filing date: 2020-01-27
Publication date: 2023-02-20
Anticipated expiration: 2040-01-27
Also published as: KR102644470B1; KR20210116535A; EP3690450A1; US20220099708A1; CN113366322A; WO2020157019A1; EP3918347A1; CN113366322B; JP2022519060A

Description

開示の内容

本発明は、磁気コアと、磁気コアのエアギャップ内にある磁界検出器と、を含み、磁気コアの中央通路を通って延在する一次導体内を流れる電流を測定する電流変換器に関する。

電流センサは、電気デバイスおよびシステムを監視または制御するための様々な用途で使用され、多くの用途では、そのような構成要素の製造コスト、特にセンサの構成要素を組み立てるコストを低減することに重要な利点がある。

ある種の電流変換器は、コストおよび／またはサイズの理由から、磁気コアなしで提供されるが、これは、一般に、一次導体を取り囲む磁気コアを備えたものと比較して、変換器の信頼性および／または感度および／または精度および／または動作範囲を低減させる。したがって、電流感知用途のための多くの電流変換器は、高透磁率磁性材料で作られた磁気コアを含み、このコアは、測定される電流を搬送する一次導体が通過する中央開口を取り囲む。多くの用途において、電流変換器は、磁界検出器信号と電源接点とを相互接続して、電気デバイス、例えば、電気モータの回路を制御するために、回路基板上に装着される。多くの場合、特に高電力用途では、一次導体は、電流変換器内に一体化され、電気デバイスに接続された一次導体に接続するための接続端部を提供する剛性の導電性バーを含む。典型的には、例えば電気デバイスの複数の電気位相に接続するために、回路基板上に装着された複数の電流変換器および関連する一次導体バーが存在し得る。

しかしながら、回路基板上に装着するための単一の構成要素として別個に製造された変換器を提供することは、サイズおよび重量の点で最適でないことが多い。

本発明の目的は、一次導体の周囲に装着するための一体化された磁界検出器および磁気コアを備えた、回路基板上に装着するための電流変換器であって、正確で、信頼性があり、かつ堅牢であるが、コンパクトであり、製造するのにコスト効率が良く、特に組み立てが容易でコスト効率が良い、電流変換器を提供することである。

大きな動作範囲を有する電流変換器を提供することは有利である。

本発明の目的は、請求項１に記載の電流変換器と、請求項１３に記載の電流変換器を組み立てる方法と、を提供することによって達成されている。

本明細書には、磁気コアと、磁界検出器モジュールと、を含む電流変換器が開示され、磁気コアおよび磁界検出器モジュールはそれぞれ、一次導体の周囲で回路基板に分離可能に装着可能な単一のユニットを形成し、磁気コアは、端部枝状部と、端部枝状部をそれぞれの自由端部まで延在させる横方向枝状部と、を含む一般的なＵ字型の形状を有し、磁界検出器モジュールは、横方向枝状部間に位置付けられ、横方向枝状部間に形成されたギャップの全幅にわたって延在し、磁界検出器モジュールは、前記横方向枝状部の対向する内側側面に接触し、前記内側側面は、回路基板に対して実質的に直交するように配置される。磁界検出器モジュールは、少なくとも１つの磁界感知セルと、間に磁界ギャップを形成する、鏡面対向で（in mirror opposition）配置された一対の磁気集中器（magnetic concentrators）であって、少なくとも１つの感知セルが磁界ギャップの内側に位置付けられている、一対の磁気集中器と、磁気集中器および少なくとも１つの感知セルを支持する絶縁体と、を含む。

また、本明細書には、電流変換器を組み立てる方法が開示されており、この方法は、（ａ）回路基板上に磁界検出器モジュールを装着することと；（ｂ）磁気コアを一次導体の周囲に装着し、磁気コアの自由端部を、回路基板のオリフィス（３０）を通して挿入することであって、これにより、磁界検出器モジュールは、横方向枝状部間に位置付けられ、横方向枝状部間に形成されたギャップの全幅にわたって延在し、磁界検出器モジュールは前記横方向枝状部の対向する内側側面に接触し、前記内側側面は回路基板に対して実質的に直交するように配置される、ことと、を含む。

一実施形態では、一次導体は、回路基板の第１の磁気側面に隣接して位置付けられ、磁界検出器モジュールは、回路基板の第２の側面上に装着される。

一実施形態では、磁界検出器モジュールは、主に回路基板の第１の側面上に装着され、一次導体は、回路基板の前記第１の側面上で磁界検出器モジュールに隣接して配置される。

有利な実施形態では、磁気コアの横方向枝状部は、互いに実質的に平行である。

有利な実施形態では、横方向枝状部は、磁気コアの端部枝状部に実質的に直交する。

有利な実施形態では、各磁気集中器は、それぞれの横方向枝状部に隣接するコア枝状部端部から、磁界ギャップの面を形成する検出器端部まで延在し、検出器端部の表面積Ａｂをコア枝状部端部の表面積Ａａで割った比率は、８０％未満（Ａｂ／Ａａ＜８０％）であり、好ましくは５０％～８０％の範囲（５０％＜Ａｂ／Ａａ＜８０％）である。

有利な実施形態では、各磁気集中器は、それぞれの横方向枝状部に隣接するコア枝状部端部から、磁界ギャップの面を形成する検出器端部まで延在し、コア枝状部端部は、磁気コアのそれぞれの前記横方向枝状部と直接接触している。

直接接触はまた、例えば磁気コアのアースのための、直接電気接触を含んでよく、それによって、磁気集中器は、アースに接続するための端子に接続され得る。

一実施形態では、磁気コアの横方向枝状部は、回路基板のオリフィスを通して挿入される。

一実施形態では、磁気コアの横方向枝状部は、オリフィスの縁部に金属層が設けられた回路基板に、例えば半田付けによって、連結され得る。導電性相互接続も、一実施形態ではアース接続として機能することができる。

有利な実施形態では、少なくとも１つの感知セルは、電力および信号伝送のための端子を有する特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）の形態である。

有利な実施形態では、ＡＳＩＣはホール効果検出器を含む。

実施形態では、端子は、回路基板に直接接続するための接続端子を形成するか、または打ち抜かれたリードフレームから形成され絶縁体内に支持された端子に接続される。

有利な実施形態では、絶縁体は、磁気集中器および少なくとも１つの感知セルの上にオーバーモールドされたポリマー材料を含む。

有利な実施形態では、絶縁体は、一対の対向する磁気集中器のコア枝状部端部を覆っておらず、コア枝状部端部は、磁気コアの横方向枝状部の内側側面に直接接触することができる。

一実施形態では、変換器は、磁界ギャップ内に隣接して装着された２つの前記感知セルを含む。

本発明のさらなる目的および有利な特徴は、特許請求の範囲、詳細な説明および添付の図面から明らかになるであろう。

本発明の一実施形態による電流変換器の斜視図である。図１ａの電流変換器の斜視部分断面図である。本発明の一実施形態による電流変換器の磁界検出器モジュールの斜視図である。図２ａの磁界検出器モジュールの斜視部分断面図である。本発明の実施形態による電流変換器の磁気集中器および感知セルを斜視図で示す。本発明の実施形態による電流変換器の磁気集中器および感知セルを斜視図で示す。本発明の実施形態による電流変換器の磁気集中器および感知セルを斜視図で示す。本発明の別の実施形態による電流変換器の磁界検出器モジュールの斜視図である。図４ａの磁界検出器モジュールの磁気集中器および感知セルの斜視図である。本発明の第２の実施形態による電流変換器を斜視図で示す。本発明の第２の実施形態による電流変換器を斜視図で示す。本発明の第３の実施形態による電流変換器を斜視図で示す。本発明の第３の実施形態による電流変換器を斜視図で示す。

図面を参照すると、本発明の実施形態による電流変換器２は、磁気コア６と、磁界検出器モジュール８と、回路基板１０と、電流変換器２によって測定される一次電流を搬送する一次導体４と、を含む。

磁気コア６は、端部枝状部１４ａと、端部枝状部１４ａの端部からそれぞれの自由端部１４ｃまで延在する横方向枝状部１４ｂと、を含む一般的なＵ字型の形状を有している。好ましい実施形態では、横方向枝状部１４ｂは互いに実質的に平行である。好ましい実施形態では、横方向枝状部は、端部枝状部１４ａに実質的に直交している。

磁界検出器モジュール８は、横方向枝状部１４ｂ間に位置付けられ、横方向枝状部１４ｂ間に形成されたギャップの全幅にわたって延在する。磁気コア６および磁界検出器モジュール８は、一次導体４が延在する通路１２を取り囲む。

一次導体４は、剛性バー形状の導体の形態であってよい。変形例では、一次導体４は、他の構成を、例えば、上に１つ以上の導体を支持する誘電体材料の形態で、例えば、一次導体が印刷されるかまたは別様に位置付けられた回路基板の形態で、含むことができる。図示された実施形態では、一次導体バーは長方形の形状を有しているが、正方形、多角形、楕円形、円形、および不規則なバー形状など、他の外形が提供され得る。一次導体バー４は、変換器の長さにわたって実質的に一定の断面を有することができ、あるいは、一定でない断面、例えば、磁気コア６によって形成された通路１２を通って延在するセクションに沿ってより小さい幅を有し得る。

導体バスバー（不図示）の端部は、測定される電流を供給する一次導体に相互接続するための様々な構成を有することができる。一次導体バーはまた、半田付け、溶接、クランプまたは他の手段によって、回路基板１０上に形成された導電性トラックまたは一次導体の接続端部に相互接続され得る。

磁気コア６の横方向枝状部１４ｂの自由端部１４ｃは、回路基板の第１の側面２８ａと第２の側面２８ｂとの間で回路基板１０を通って延在するオリフィス３０を通して挿入され得る。

図１に示すような第１の実施形態では、一次導体４は、回路基板１０の第１の側面に隣接して位置付けられ、磁界検出器モジュール８は、回路基板１０の第２の側面２８ｂに装着される。磁気コア６の横方向枝状部１４ｂの自由端部１４ｃは、オリフィス３０を通って第２の側面２８ｂから高さＨまで延在しており、この高さは、横方向枝状部１４ｂ間に磁界検出器モジュール８を位置付けるのに十分である。磁界検出器モジュールは、回路基板１０上に形成された導電性回路トレースと相互接続する接続端子１８を含み、回路トレースは、測定される電流が流れる一次導体４に接続される電気デバイスの電子機器を制御するために相互接続される。

図５ａ～図５ｂおよび図６ａ～図６ｂに示す他の実施形態では、一次導体４は、回路基板１０の第１の側面２８ａに面して位置付けられ、磁界検出器モジュール８は、主に第１の側面２８ａ上に位置付けられる。

図５ａおよび図５ｂに示す第１の変形例では、磁界検出器モジュールは第１の側面２８ａ上に装着され、磁気コア６は、回路基板の第１の側面２８ａ上で一次導体４および磁界検出器モジュール６の両方を覆って装着される。

図６ａおよび図６ｂに示すような第２の変形例では、回路基板１０は、第２の側面２８ｂから回路基板を通して挿入される磁界検出器モジュール用のオリフィス３２を含む。

磁気コア６は、電流変換器用磁気コアの分野でそれ自体周知である軟磁性材料から作られ、一次導体４を流れる一次電流によって発生する磁束を捕捉するために低磁気抵抗の経路を形成する。磁界検出器モジュール８は、磁気コアの横方向枝状部に磁気で連結される。

磁界検出器モジュール８は、少なくとも１つの磁界感知セル１６と、１つ以上の感知セル１６が位置付けられる磁界ギャップ２６を間に形成する、鏡面対向で配置された一対の磁気集中器２２と、磁気集中器２２および感知セル１６を支持する絶縁体２０と、を含む。各磁気集中器は、横方向枝状部１４ｂに直接接触しているかまたはこれに近接している、それぞれの横方向枝状部１４ｂに隣接するコア枝状部端部２４ａから、磁界ギャップ２６の面を形成する検出器端部２４ｂまで延在する。このようにして、磁気集中器２２は、磁界ギャップ２６を通ってＵ字型磁気コア内を循環する磁束を集中させる。

第１の変形例では、例えば図４ａ、図４ｂに示すように、磁気集中器は、高い透磁率を有するフェライト材料で作られ得、フェライト材料の形状は、フェライト内の磁束密度が材料の飽和磁束密度の半分未満になるように選択される。これにより、キュリー温度の半分を超える温度までフェライト特性を維持することができる。有利な実施形態では、フェライト特性は、少なくとも１２０℃の温度まで、好ましくは１２５℃まで維持される。

他の変形例では、図３ａ～図３ｃに示すように、磁気集中器２２は、打ち抜かれた金属シートから形成され得る鉄シリコン材料ＦｅＳｉから形成され得、複数が積層構造体を形成するために積層される。積層構造体は、磁性アーマチュアの分野においてそれ自体周知である。

有利な実施形態では、例えば図３ａ～図３ｃに示すように、コア枝状部端部２４ａは、磁界ギャップに面する検出器端部２４ｂの表面積よりも大きい、横方向枝状部に面する表面積を有する。これにより、磁界検出器モジュール８は、磁界ギャップ２６内に位置付けられた感知セル１６を通して磁束を集中させることができると同時に、磁気コア、特に磁気コア６と磁気集中器２２との間の界面における飽和のリスクを低減することができる。

有利な実施形態では、コア枝状部界面２４ａの表面積Ａ_ａに対する検出器端面２４ｂの表面積Ａ_ｂの比率は、８０％未満（Ａ_ｂ／Ａ_ａ＜８０％）であることが好ましく、５０～８０％の範囲（５０％＜Ａ_ｂ／Ａ_ａ＜８０％）であることが好ましい。

感知セル１６は、有利には、電力および信号伝送のために回路基板１０上の導電性回路トレースに接続するための端子１７を有する特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）の形態とすることができる。ＡＳＩＣはホール効果検出器を含むことができるが、感知セルは、他のそれ自体周知の磁界検出器を含むことができる。端子１７は、回路基板１０に直接接続するための接続端子を形成するか、または、磁界検出器モジュール８の絶縁体２０内に支持された端子１８に接続され得る。端子１８は、有利には、打ち抜かれたリードフレームから形成され、絶縁体２０内に支持され得る。

有利な実施形態では、２つの感知セル１６が、磁界ギャップ内に隣接して装着され得る。これにより、より高い安全性または信頼性を必要とする用途のための冗長な磁界検出器を提供することができる。感知セルは、有利には同一で、鏡像対称に装着され得る。２つの感知セルは、感知セルの出力信号を合計または平均するように、電子機器を制御するために接続されてもよい。

絶縁体は、例えば、磁気集中器２２および感知セル１６の上にオーバーモールドされたポリマー材料を含むことができる。変形例では、絶縁体２０は、磁気集中器および感知セルの周囲に組み立てられ固定される１つ以上のハウジング部品から形成されてもよい。

有利な実施形態では、絶縁体２０は、一対の対向する磁気集中器２２のコア枝状部端部２４ａを覆わないので、コア枝状部端部は、磁気コア６の横方向枝状部１４ｂの内側側面に直接接触することができる。よって、これらの間に形成される小さな磁界ギャップにより、磁気コアと磁界集中器との間の磁束伝導が改善される。さらに、この直接接触は、磁気コア６を電気的アースに接続された回路基板上の導電性回路トレースに相互接続することによって、磁気コア６と磁気集中器２２との間に電気的相互接続を提供して、磁気集中器２２のアース接続を提供することもできる。

横方向枝状部１４ｂは、有利には、オリフィス３０を通して挿入され、回路基板に、半田付けされるか、溶接されるか、接着剤によって接合されるか、または機械的手段によって固定され得る。一実施形態では、オリフィス３０を裏打ちする導電性パッドまたは回路トレースが、磁気コア６を回路基板１０に機械的に、またオプションとして電気的に連結するために設けられ得る。溶接または半田付けまたはろう付けの代わりに、例えば、磁気コアの横方向枝状部をクランプするための回路基板上の弾性接点、またはネジもしくはリベットなどによる他の機械的固定手段を設けることによって、本発明の範囲内で他の相互接続手段が可能となるであろう。

有利なことに、単純なＵ字型磁気コアの横方向枝状部の間に装着可能である、磁界集中器と、別個の単一ユニットとして絶縁体内に保持された磁気感知セルと、を含む、磁界検出器モジュールは、回路基板上および一次導体バーの周囲での電流変換器の容易な組み立ておよび直接統合、ならびにコンパクトな構成を可能にする。さらに、別個に形成された磁界検出器モジュール８は、特に、一次導体バーを、磁界検出器モジュールに対して回路基板の同じ側または回路基板の反対側に配置するために、構成の柔軟性を高める。

感知セル１６が内部に位置付けられ、絶縁体、特に前述した構成要素の上にオーバーモールドされ得る絶縁体２０内において保持される、磁界ギャップを磁界集中器の間に形成することにより、正確で安定した磁界ギャップが確保され、一方でコスト効率の良い方法で一次導体バーの周りに組み立てる際の大きな柔軟性が可能になる。

したがって、本発明は、組み立てを容易にし、装着の可能性を増大させる一方で、堅牢な構成での正確かつ安定した測定を保証する。

〔使用された参照符号のリスト〕
電流変換器２
一次導体４
磁気コア６
中央通路１２
端部枝状部１４ａ
横方向枝状部１４ｂ
自由端部１４ｃ
磁界検出器モジュール８
感知セル１６
ＡＳＩＣ（例えばホール効果）
端子１７
端子１８
絶縁体２０
オーバーモールド
磁気集中器２２
コア枝状部端部２４ａ
検出器端部２４ｂ
磁界ギャップ２６
回路基板１０
第１の側面２８ａ
第２の側面２８ｂ
接触パッド
磁気コアのオリフィス３０
磁界検出器モジュールのオリフィス３２

〔実施の態様〕
（１）磁気コア（６）と、磁界検出器モジュール（８）と、を含む電流変換器（２）であって、
前記磁気コアおよび前記磁界検出器モジュールはそれぞれ、一次導体（４）の周囲で回路基板（１０）に分離可能に装着可能な単一のユニットを形成し、
前記磁気コアは、端部枝状部（１４ａ）と、前記端部枝状部からそれぞれの自由端部（１４ｃ）まで延在する横方向枝状部（１４ｂ）と、を含む一般的なＵ字型の形状を有し、
前記磁界検出器モジュールは、前記横方向枝状部間に位置付けられ、前記横方向枝状部間に形成されたギャップの全幅にわたって延在し、前記磁界検出器モジュールは、前記横方向枝状部の対向する内側側面に接触し、
前記内側側面は、前記回路基板に対して実質的に直交するように配置され、
前記磁界検出器モジュールは、少なくとも１つの磁界感知セル（１６）と、磁界ギャップ（２６）を間に形成する、鏡面対向で配置された一対の磁気集中器（２２）であって、前記少なくとも１つの感知セルが前記磁界ギャップの内側に位置付けられている、一対の磁気集中器（２２）と、前記磁気集中器および前記少なくとも１つの感知セルを支持する絶縁体（２０）と、を含む、電流変換器。
（２）前記磁気コアの前記横方向枝状部は、互いに実質的に平行である、実施態様１に記載の電流変換器。
（３）前記横方向枝状部は、前記磁気コアの前記端部枝状部と実質的に直交している、実施態様１または２に記載の電流変換器。
（４）各磁気集中器は、それぞれの横方向枝状部に隣接するコア枝状部端部（２４ａ）から、前記磁界ギャップの面を形成する検出器端部（２４ｂ）まで延在し、前記検出器端部の表面積Ａ_ｂを前記コア枝状部端部の表面積Ａ_ａで割った比率は、８０％未満（Ａ_ｂ／Ａ_ａ＜８０％）であり、好ましくは５０％～８０％の範囲（５０％＜Ａ_ｂ／Ａ_ａ＜８０％）である、実施態様１から３のいずれかに記載の電流変換器。
（５）各磁気集中器は、それぞれの横方向枝状部に隣接するコア枝状部端部（２４ａ）から、前記磁界ギャップの面を形成する検出器端部（２４ｂ）まで延在し、前記コア枝状部端部は、前記磁気コアのそれぞれの前記横方向枝状部と直接接触している、実施態様１から４のいずれかに記載の電流変換器。

（６）前記直接接触は、前記磁界集中器と前記磁気コアとの間に電気的相互接続を提供する、実施態様５に記載の電流変換器。
（７）前記磁気コアの前記横方向枝状部は、前記回路基板のオリフィス（３０）を通して挿入される、実施態様１から６のいずれかに記載の電流変換器。
（８）前記磁気コアの前記横方向枝状部は、半田付けによって前記回路基板の前記オリフィスの縁部上の金属層に連結されている、実施態様７に記載の電流変換器。
（９）前記少なくとも１つの感知セルは、電力および信号伝送のための端子（１７）を有する、例えばホール効果検出器を含む、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）の形態であり、前記端子（１７）は、前記回路基板に直接接続するための接続端子を形成するか、または、打ち抜かれたリードフレームから形成され前記絶縁体内に支持された端子（１８）に接続されている、実施態様１から８のいずれかに記載の電流変換器。
（１０）前記絶縁体は、前記磁気集中器および前記少なくとも１つの感知セルの上にオーバーモールドされたポリマー材料を含む、実施態様１から９のいずれかに記載の電流変換器。

（１１）前記絶縁体は、前記一対の対向する磁気集中器のコア枝状部端部（２４ａ）を覆っておらず、前記コア枝状部端部は、前記磁気コアの前記横方向枝状部の内側側面に直接接触することができる、実施態様１から１０のいずれかに記載の電流変換器。
（１２）前記磁界ギャップ内に隣接して装着された２つの前記感知セルを含む、実施態様１から１１のいずれかに記載の電流変換器。
（１３）電流変換器（２）を組み立てる方法であって、前記電流変換器は、端部枝状部（１４ａ）、および前記端部枝状部をそれぞれの自由端部（１４ｃ）まで延在させる横方向枝状部（１４ｂ）を含む、一般的なＵ字型の形状を有する磁気コア（６）と、一次導体バー（４）と、前記横方向枝状部を受容するオリフィス（３０）を含む回路基板（１０）と、
少なくとも１つの磁界感知セル（１６）、前記少なくとも１つの感知セルが位置付けられる磁界ギャップ（２６）を間に形成する、鏡面対向で配置された一対の磁気集中器（２２）、前記磁気集中器および前記感知セルを支持する絶縁体（２０）、ならびに前記回路基板に接続するための端子（１８）、を含む磁界検出器モジュール（８）と、を含み、前記方法は、
（ａ）前記回路基板上に前記磁界検出器モジュールを装着することと、
（ｂ）前記磁気コアを前記一次導体の周囲に装着し、前記磁気コアの前記自由端部を、前記回路基板の前記オリフィス（３０）を通して挿入することであって、これにより、前記磁界検出器モジュールは、前記横方向枝状部間に位置付けられ、前記横方向枝状部間に形成されたギャップの全幅にわたって延在し、前記磁界検出器モジュールは前記横方向枝状部の対向する内側側面に接触し、前記内側側面は前記回路基板に対して実質的に直交するように配置される、ことと、
を含む、方法。
（１４）前記一次導体は、前記回路基板の第１の磁気側面（２８ａ）に隣接して位置付けられ、前記磁界検出器モジュールは、前記回路基板の第２の側面（２８ｂ）上に装着される、実施態様１３に記載の方法。
（１５）前記磁界検出器モジュールは、主に前記回路基板の第１の側面（２８ａ）上に装着され、前記一次導体は、前記回路基板の前記第１の側面（２８ａ）上で前記磁界検出器モジュールに隣接して位置付けられる、実施態様１３に記載の方法。

Claims

磁気コア（６）と、磁界検出器モジュール（８）と、を含む電流変換器（２）であって、
前記磁気コアおよび前記磁界検出器モジュールはそれぞれ、一次導体（４）の周囲で回路基板（１０）に分離可能に装着可能な単一のユニットを形成し、
前記磁気コアは、端部枝状部（１４ａ）と、前記端部枝状部からそれぞれの自由端部（１４ｃ）まで延在する横方向枝状部（１４ｂ）と、を含む一般的なＵ字型の形状を有し、
前記磁界検出器モジュールは、前記横方向枝状部間に位置付けられ、前記横方向枝状部間に形成されたギャップの全幅にわたって延在し、前記磁界検出器モジュールは、前記横方向枝状部の対向する内側側面に接触し、
前記内側側面は、前記回路基板に対して実質的に直交するように配置され、
前記磁界検出器モジュールは、少なくとも１つの磁界感知セル（１６）と、磁界ギャップ（２６）を間に形成する、鏡面対向で配置された一対の磁気集中器（２２）であって、前記少なくとも１つの磁界感知セルが前記磁界ギャップの内側に位置付けられている、一対の磁気集中器（２２）と、前記磁気集中器および前記少なくとも１つの磁界感知セルを支持する絶縁体（２０）と、を含み、
前記磁気コアの前記横方向枝状部は、前記回路基板のオリフィス（３０）を通して挿入される、電流変換器。
前記磁気コアの前記横方向枝状部は、互いに実質的に平行である、請求項１に記載の電流変換器。
前記横方向枝状部は、前記磁気コアの前記端部枝状部と実質的に直交している、請求項１または２に記載の電流変換器。
各磁気集中器は、それぞれの横方向枝状部に隣接するコア枝状部端部（２４ａ）から、前記磁界ギャップの面を形成する検出器端部（２４ｂ）まで延在し、前記検出器端部の表面積Ａ_ｂを前記コア枝状部端部の表面積Ａ_ａで割った比率は、５０％～８０％の範囲（５０％＜Ａ_ｂ／Ａ_ａ＜８０％）である、請求項１から３のいずれか一項に記載の電流変換器。
各磁気集中器は、それぞれの横方向枝状部に隣接するコア枝状部端部（２４ａ）から、前記磁界ギャップの面を形成する検出器端部（２４ｂ）まで延在し、前記コア枝状部端部は、前記磁気コアのそれぞれの前記横方向枝状部と直接接触している、請求項１から４のいずれか一項に記載の電流変換器。
前記直接接触は、前記磁気集中器と前記磁気コアとの間に電気的相互接続を提供する、請求項５に記載の電流変換器。
前記磁気コアの前記横方向枝状部は、半田付けによって前記回路基板の前記オリフィスの縁部上の金属層に連結されている、請求項１に記載の電流変換器。
前記少なくとも１つの磁界感知セルは、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）の形態であり、前記ＡＳＩＣは、電力および信号伝送のための端子（１７）を有し、ホール効果検出器を含み、前記端子（１７）は、前記回路基板に直接接続するための接続端子を形成するか、または、打ち抜かれたリードフレームから形成され前記絶縁体内に支持された端子（１８）に接続されている、請求項１から７のいずれか一項に記載の電流変換器。
前記絶縁体は、前記磁気集中器および前記少なくとも１つの磁界感知セルの上にオーバーモールドされたポリマー材料を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の電流変換器。
前記絶縁体は、前記一対の対向する磁気集中器のコア枝状部端部（２４ａ）を覆っておらず、前記コア枝状部端部は、前記磁気コアの前記横方向枝状部の内側側面に直接接触することができる、請求項１から９のいずれか一項に記載の電流変換器。
前記磁界ギャップ内に隣接して装着された２つの前記磁界感知セルを含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の電流変換器。
電流変換器（２）を組み立てる方法であって、前記電流変換器は、端部枝状部（１４ａ）、および前記端部枝状部をそれぞれの自由端部（１４ｃ）まで延在させる横方向枝状部（１４ｂ）を含む、一般的なＵ字型の形状を有する磁気コア（６）と、一次導体（４）と、前記横方向枝状部を受容するオリフィス（３０）を含む回路基板（１０）と、
少なくとも１つの磁界感知セル（１６）、前記少なくとも１つの磁界感知セルが位置付けられる磁界ギャップ（２６）を間に形成する、鏡面対向で配置された一対の磁気集中器（２２）、前記磁気集中器および前記磁界感知セルを支持する絶縁体（２０）、ならびに前記回路基板に接続するための端子（１８）、を含む磁界検出器モジュール（８）と、を含み、前記方法は、
（ａ）前記回路基板上に前記磁界検出器モジュールを装着することと、
（ｂ）前記磁気コアを前記一次導体の周囲に装着し、前記磁気コアの前記自由端部を、前記回路基板の前記オリフィス（３０）を通して挿入することであって、これにより、前記磁界検出器モジュールは、前記横方向枝状部間に位置付けられ、前記横方向枝状部間に形成されたギャップの全幅にわたって延在し、前記磁界検出器モジュールは前記横方向枝状部の対向する内側側面に接触し、前記内側側面は前記回路基板に対して実質的に直交するように配置される、ことと、
を含む、方法。
前記一次導体は、前記回路基板の第１の磁気側面（２８ａ）に隣接して位置付けられ、前記磁界検出器モジュールは、前記回路基板の第２の側面（２８ｂ）上に装着される、請求項１２に記載の方法。
前記磁界検出器モジュールは、主に前記回路基板の第１の側面（２８ａ）上に装着され、前記一次導体は、前記回路基板の前記第１の側面（２８ａ）上で前記磁界検出器モジュールに隣接して位置付けられる、請求項１２に記載の方法。