JP7202168B2 - Film forming apparatus, organic EL panel manufacturing system, and film forming method - Google Patents
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Description
本発明は、基板に成膜する成膜装置、有機ELパネルの製造システム、及び成膜方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film on a substrate, an organic EL panel manufacturing system, and a film forming method.
有機EL素子などの電子デバイスの製造では、ガラスなどの基板の被成膜面を下向きにしてマスク上に載置し、マスクを介して被成膜面に成膜する。膜の品質上、膜厚を均一に成膜する必要があり、そのためには、基板とマスクとを密着させて成膜する必要がある。 In the manufacture of an electronic device such as an organic EL element, a substrate such as glass is placed on a mask with the film formation surface facing downward, and a film is formed on the film formation surface through the mask. From the viewpoint of film quality, it is necessary to form a film with a uniform film thickness, and for this purpose, it is necessary to adhere the substrate and the mask while forming the film.
そこで、特許文献1には、メタルマスクを磁石の磁力によって基板に吸引させて成膜する方法が記載されている。この特許文献1には、板状の磁石を基板の一側の端部から対向する端部にかけて一部ずつ基板に近接させて、メタルマスクを基板に密着させることが記載されている。
Therefore,
しかしながら、基板の大型化に伴い、基板をマスク上に載置した際に、基板の重量によって、基板及びマスクの双方がすり鉢形状に撓んだ状態となることがあった。このように、基板及びマスクの双方がすり鉢形状に撓んだ状態となると、特許文献1に記載の方法によっても、マスクの撓みが部分的に解消されずに基板とマスクとの間に隙間が生じることがあった。マスクの撓みが残留した状態で成膜すると、膜厚のバラつきにつながるため、改善が求められていた。
However, as the size of the substrate increases, when the substrate is placed on the mask, the weight of the substrate causes both the substrate and the mask to bend into a mortar shape. Thus, when both the substrate and the mask are bent into a mortar shape, even by the method described in
本発明は、マスクを基板に密着させる際に、マスクの撓みが残留するのを防止することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to prevent the mask from remaining flexed when the mask is brought into close contact with the substrate.
本発明の第1態様によれば、成膜装置は、基板が載置されるマスクを保持するマスク保持部と、前記マスクを吸引するための複数の磁石と、前記複数の磁石が取り付けられる主面を有し、前記マスク保持部によりマスクが保持される位置よりも上に配置され、前記主面が傾斜状態のまま下降しさらに下降することで回動して水平状態となるように回動可能な第1部材と、を備え、前記複数の磁石の各々は、前記主面に取り付けられる面とは反対側の磁極面を有し、前記複数の磁石は、前記主面に沿う所定方向に配列された磁石群を含み、前記磁石群は、第1間隔で隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる第1磁石ペアと、前記第1間隔よりも広い第2間隔で隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる第2磁石ペアと、を含むことを特徴とする。
本発明の第2態様によれば、成膜装置は、基板が載置されるマスクを保持するマスク保持部と、前記マスクを吸引するための複数の磁石と、前記複数の磁石が取り付けられる主面を有し、前記マスク保持部によりマスクが保持される位置よりも上に配置され、前記主面が傾斜状態のまま下降しさらに下降することで回動して水平状態となるように回動可能な第1部材と、を備え、前記複数の磁石の各々は、前記主面に取り付けられる面とは反対側の磁極面とを有し、前記複数の磁石は、前記主面に沿う所定方向に配列された磁石群を含み、前記磁石群は、前記磁極面の磁極が互いに異なる、第1磁力の第3磁石ペアと、前記第3磁石ペアに挟まれた位置に隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる、前記第1磁力よりも弱い第2磁力の第4磁石ペアと、を含むことを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, a film forming apparatus includes a mask holding part for holding a mask on which a substrate is placed, a plurality of magnets for attracting the mask, and a main body to which the plurality of magnets are attached. and is arranged above the position where the mask is held by the mask holding part, and the main surface descends in an inclined state and further descends to rotate to a horizontal state . and a movable first member, each of the plurality of magnets having a magnetic pole surface opposite the surface attached to the main surface, and the plurality of magnets oriented in a predetermined direction along the main surface. a first pair of magnets arranged adjacent to each other with a first spacing, wherein the magnetic poles of the magnetic pole faces are different from each other, and a second spacing wider than the first spacing. and a second pair of magnets arranged in alignment and having different magnetic polarities on the magnetic pole faces.
According to the second aspect of the present invention, the film forming apparatus includes a mask holding part for holding a mask on which a substrate is placed, a plurality of magnets for attracting the mask, and a main body to which the plurality of magnets are attached. and is positioned above the position at which the mask is held by the mask holding portion, and is rotated so that the main surface descends in an inclined state and further descends to turn into a horizontal state. a first member, each of the plurality of magnets having a pole face opposite the face attached to the major surface, the plurality of magnets oriented in a predetermined direction along the major surface; a third magnet pair having a first magnetic force and having different magnetic poles on the magnetic pole faces, and arranged adjacent to each other at a position sandwiched between the third magnet pair, and a fourth magnet pair having a second magnetic force weaker than the first magnetic force, wherein the magnetic poles of the magnetic pole faces are different from each other.
本発明によれば、マスクを基板に密着させる際に、マスクの撓みが残留するのを防止することができる。 According to the present invention, when the mask is brought into close contact with the substrate, it is possible to prevent the residual deflection of the mask.
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態を説明する。ただし、以下で説明する実施形態は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定するものではない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、製造条件、寸法、材質、形状などは、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the embodiments described below merely exemplify preferred configurations of the present invention, and do not limit the scope of the present invention to those configurations. Also, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, etc. are not intended to limit the scope of the present invention only to them, unless otherwise specified. Absent.
[第1実施形態]
図1は、第1実施形態に係る成膜装置100の概略図である。成膜装置100は、基板の一例である、平行平板のガラス基板5の表面に、真空蒸着により所望のパターンの薄膜(材料層)を形成するものである。蒸着材料としては、有機材料、無機材料(例えば金属、金属酸化物)などの任意の材料を選択できる。具体的には、電子デバイス(例えば、有機EL表示装置、薄膜太陽電池)の製造装置に適用可能である。本実施形態では、成膜装置100は、被成膜基板であるガラス基板5の表面に有機薄膜を形成して製造する有機EL素子の製造工程のうち成膜工程に用いられる。また、図1に示す本実施形態の成膜装置100は、蒸着装置であるが、これに限定するものではなく、スパッタリング法やCVD法など、蒸着法以外の成膜方法を用いる成膜装置であってもよい。図1において、上下方向をZ方向、Z方向に直交する2方向であって、互いに直交する水平方向をX方向及びY方向とする。
[First embodiment]
FIG. 1 is a schematic diagram of a
成膜装置100は、装置本体100Aと、装置本体100Aを制御する制御部50とを備える。装置本体100Aは、ガラス基板5に成膜材料を形成するための成膜空間2を有するチャンバ4と、ガラス基板5をチャンバ4内に搬入/搬出するためのゲートバルブ15と、を備える。また、装置本体100Aは、チャンバ4の内部である成膜空間2に配置されたガラス基板5及びマスク6を保持して、ガラス基板5とマスク6との相対的な位置決めを行う位置決め機構1を備える。また、装置本体100Aは、マスク6を吸引して、マスク6をガラス基板5に密着させるマスク吸引機構14を備える。チャンバ4の成膜空間2には、成膜材料を収納した成膜源(蒸着源)7が設けられている。
The
位置決め機構1は、チャンバ4の外部に設けられたプレート10と、プレート10を駆動する駆動部11と、を有する。また、位置決め機構1は、チャンバ4の内部に設けられ、ガラス基板5を保持する基板保持部8と、チャンバ4の内部に設けられ、マスク6を保持するマスク保持部9と、を有する。基板保持部8は、ガラス基板5をマスク6上に載置後、ガラス基板5から退避する。
The
プレート10には、シャフト12が固定されている。シャフト12は、チャンバ4の上部隔壁3に設けられた貫通穴を通じて、チャンバ4の外部と内部とに亘って設けられている。そして、シャフト12の下部に基板保持部8が取り付けられ、成膜空間2においてガラス基板5を保持することが可能となっている。上部隔壁3に設けられた貫通穴は、シャフト12と上部隔壁3とが干渉しないよう、シャフト12の外径に対して大きく形成されている。チャンバ4の外部において、シャフト12は、プレート10と上部隔壁3とに固定されたベローズ13によって覆われる。
A
マスク吸引機構14は、駆動部16と、駆動部16によってZ方向に昇降駆動されるプレート19と、を有する。駆動部16及びプレート19は、チャンバ4の外部に配置されている。
The
プレート19には、シャフト21が固定されている。シャフト21は、チャンバ4の上部隔壁3に設けられた貫通穴を通じて、チャンバ4の外部と内部とに亘って設けられている。シャフト21の下部には、磁力によって吸引されない材質、即ち強磁性体ではない磁性体、例えば反磁性体からなる基板押え部17が設けられている。上部隔壁3に設けられた貫通穴は、シャフト21と上部隔壁3とが干渉しないよう、シャフト21の外径に対して大きく形成されている。チャンバ4の外部において、シャフト21は、プレート19と上部隔壁3とに固定されたベローズ41によって覆われる。基板押え部17は、駆動部16の駆動によって下降した際にガラス基板5と接触する、第2部材の一例である基板押えプレート20と、基板押えプレート20の上面に取り付けられた突き当てブロック23と、を有する。
A
ここで、成膜品質における主要項目のひとつとして、膜厚の均一性がある。例えば、成膜により電極層を形成する場合、膜厚にバラつきが生じると、電極層の抵抗値にもバラつきが生じ、発光ムラにつながる。そのためには、膜厚が均一となるように成膜を行う必要がある。そこで、本実施形態では、マスク吸引機構14は、磁力によって吸引される材質、例えば強磁性体からなるマスク6を磁力によって吸引し、ガラス基板5にマスク6を密着させるものである。
Here, one of the main items in the film formation quality is the uniformity of the film thickness. For example, when an electrode layer is formed by film formation, if the thickness of the electrode layer varies, the resistance value of the electrode layer also varies, leading to uneven light emission. For that purpose, it is necessary to form the film so that the film thickness is uniform. Therefore, in the present embodiment, the
マスク吸引機構14は、駆動部18と、駆動部18によってZ方向に昇降駆動される昇降ユニット22と、昇降ユニット22に回動可能に支持されたマグネットユニット24とを有する。昇降ユニット22及びマグネットユニット24は、チャンバ4の内部に配置され、マスク保持部9に保持されたマスク6の位置よりも上方に配置されている。基板押え部17は、ボックス状であり、内部に昇降ユニット22及びマグネットユニット24が配置されている。基板押え部17の底板が、基板押えプレート20である。基板押えプレート20は、マグネットユニット24とガラス基板5との間に位置するように配置されている。
The
マグネットユニット24は、第1部材であるヨーク29と、ヨーク29に取り付けられた複数の磁石30と、を有する。ヨーク29は、Y方向に延びる軸25によって昇降ユニット22に回動可能に支持されている。ヨーク29は、基板側の面であって下面である主面291と、主面291とは反対側の上面である面292とを有する板状の部材である。複数の磁石30は、ヨーク29の主面291に取り付けられている。各磁石30は、自身の磁力によってヨーク29に固定されるが、更に接着剤などの固定部材によってヨーク29に固定されていてもよい。
The
駆動部18は、チャンバ4の外部に配置され、プレート19に固定されている。昇降ユニット22は、駆動部18から延びるシャフト28に接続されている。昇降ユニット22及びマグネットユニット24は、駆動部18によりシャフト28を通じて、基板押さえ部17に対して相対的にZ方向に昇降駆動される。
The driving
シャフト28は、チャンバ4の上部隔壁3に設けられた貫通穴を通じて、チャンバ4の外部と内部とに亘って設けられている。そして、シャフト28の下部に昇降ユニット22が取り付けられている。上部隔壁3に設けられた貫通穴は、シャフト28と上部隔壁3とが干渉しないよう、シャフト28の外径に対して大きく形成されている。チャンバ4の外部において、シャフト28は、ベローズ42によって覆われる。
The
ヨーク29の面292には、昇降ユニット22に係脱可能なストッパ26と、突き当てブロック23に係脱可能なストッパ27とが設けられている。ストッパ27が突き当てブロック23から離間しているとき、マグネットユニット24が自重によって軸25のまわりに回動して主面291が水平状態に対して傾斜する。そして、ストッパ26が昇降ユニット22に係合する、即ち引っ掛かることで、主面291が水平状態に対して所定の角度で傾斜状態に保持される。
A
マグネットユニット24、即ち主面291の傾斜角度は、ストッパ26のZ方向の長さによって決まる。ストッパ26は、Z方向の長さが調整自在となっており、マグネットユニット24、即ち主面291の傾斜角度を所望する所定の角度に調整することができる。また、マグネットユニット24がシャフト28によって下降することで、ストッパ27が突き当てブロック23に突き当たる。その後、マグネットユニット24が更に下降することによって軸25を中心に回動し、主面291が傾斜状態から水平状態になる。なお、マグネットユニット24を回動させる機構は、以上に説明したものに限定するものではなく、マグネットユニット24を直接アクチュエータで回動させてもよい。
The inclination angle of the
シャフト12、21、及び28は、ベローズ13、41、及び42によってチャンバ4と連通する閉じられた空間に閉じ込められるため、シャフト12、21、及び28の全体を成膜空間2と同じ状態(例えば、真空状態)に保つことができる。
Since the
ベローズ13、41、及び42には、X方向、Y方向、及びZ方向に柔軟性を持つものを用いるのが好ましい。これにより、位置決め機構1によってベローズ13、41、及び42が変位した際に発生する抵抗力を十分に小さくすることができ、位置調整時の負荷を低減することができる。
Bellows 13, 41 and 42 are preferably flexible in the X, Y and Z directions. As a result, the resistance generated when the
マスク保持部9は、チャンバ4の内部において、上部隔壁3における成膜空間側の面に設置されており、マスク6は水平状態で保持される。マスク6は、磁力により吸着する材質からなり、マスク箔6Aと、マスク箔6Aが固定されたマスク枠6Bとを有する。マスク箔6Aには、成膜パターンに応じた開口が形成されている。マスク枠6Bは、ガラス基板5を支持可能なようにマスク箔6Aよりも剛性の高く、マスク箔6Aを架張した状態で、マスク保持部9に固定されている。マスク6のマスク箔6Aは、マグネットユニット24が接近することで、磁力により吸引される。磁力により吸引されたマスク箔6Aは、ガラス基板5と共に基板押えプレート20に押し付けられることで、ガラス基板5とマスク箔6Aとを密着させることが可能となっている。
The
位置決め機構1、マスク吸引機構14、及び成膜源7の一連の動作は、制御部50によって制御される。制御部50は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、I/Oなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部50の機能は、メモリ又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はPLC(programmable logic controller)を用いてもよい。あるいは、制御部270の機能の一部又は全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。なお、成膜装置ごとに制御部50が設けられていてもよいし、1つの制御部50が複数の成膜装置を制御してもよい。
A series of operations of the
ガラス基板5の大型化に伴い、マスク6上にガラス基板5を載置した際に、ガラス基板5の重量によって、ガラス基板5及びマスク6の中央部分がすり鉢形状に撓んだ状態となる。ガラス基板5の撓み形状とマスク6の撓み形状との間に差があると、ガラス基板5とマスク6との間に隙間が生じる。
As the size of the
以下、マスク吸引機構14のマグネットユニット24について具体的に説明する。図2(a)は、第1実施形態に係るマグネットユニット24の平面図である。図2(b)は、図2(a)のIIB-IIB線に沿うマグネットユニット24の断面図である。
The
ヨーク29の主面291には、複数の磁石30が設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30は、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。軸線L1は、軸25の中心にある。
A plurality of
各磁石30は、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31及び32を有する。即ち、一対の磁極面31及び32のうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30は、平面視矩形状であり、互いに同じ大きさ、及び互いに同じ磁力のものである。各磁石30の磁極面32がヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31が外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30は、所定方向である配列方向A2に磁極面31の磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。なお、複数の磁石30は、配列方向A1に磁極面31の磁極が同極となるように配列されている。磁極面31の磁極がS極となる磁石30と、磁極面31の磁極がN極となる磁石30とが配列方向A2に交互に配置されているので、配列方向A2に隣り合う2つの磁石30で磁気回路が形成される。なお、図2(a)では、配列方向A1において同極の磁石同士が連結されているが、これに限定するものではなく、同極の磁石同士が配列方向A1に間隔をあけて配置されていてもよい。
Each
図2(a)及び図2(b)には、磁極面31がN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31がS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図2(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30における配列パターンの中央部分P1が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。
In FIGS. 2(a) and 2(b), the magnets whose magnetic pole faces 31 are N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31 are S poles are shown by diagonal hatching. The central portion P1 of the arrangement pattern of the plurality of
複数の磁石30のうち、配列方向A1の中央に位置する磁石群130について説明する。図2(b)には、磁石群130における断面を図示している。複数の磁石30は、配列方向A1の中央に位置する磁石群130を含む。磁石群130は、配列方向A2に配列された複数の磁石301~3016からなる。図2(b)では、磁石301、303、305、307、309、3011、3013、及び3015の磁極面31がS極であり、磁石302、304、306、308、3010、3012、3014、及び3016の磁極面31がN極である。このように、磁石群130において配列方向A2に磁極面31の磁極がS極とN極とで互い違いとなるように配列されている。なお、磁石群130において、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。
Among the plurality of
磁石群130は、第1間隔である間隔D1で隣り合って配置され、磁極面31の磁極が互いに異なる第1磁石ペアである磁石ペア131を含んでいる。磁石群130は、間隔D1よりも広い第2間隔である間隔D2で隣り合って配置され、磁極面31の磁極が互いに異なる第2磁石ペアである磁石ペア132を含んでいる。磁石群130において、第1磁石ペアは、複数組存在し、その一例が磁石3010及び磁石3011からなる磁石ペア131である。磁石ペア132は、磁石308及び磁石309である。本実施形態では、磁石ペア131と磁石ペア132とは隣り合っている。
The
図3は、第1実施形態における磁石群130を説明するための図である。磁石ペア131において隣り合う磁石3010と磁石3011との極性は対極の関係にある。また、磁石ペア132において隣り合う磁石308と磁石309との極性は対極の関係にある。
FIG. 3 is a diagram for explaining the
磁石ペア131によって発生する磁束(磁気回路)をB1、磁石ペア132によって発生する磁束(磁気回路)をB2とする。図3において、磁束B1及びB2は、破線で示している。磁束B2は、磁石ペア132における磁石308と磁石309との間隔D2が間隔D1よりも広いため、磁束B1よりも低い密度で、かつ磁束B1よりも広範囲に広がる。従って、磁石ペア132は、磁石ペア131よりも吸引力が低くなるものの、磁石ペア132よりも広範囲に(つまり遠方に)所定力以上の吸引力が及ぶことになる。よって、磁石ペア132の磁束B2による吸引力は、遠方においては、磁石ペア131の磁束B1による吸引力よりも強く、逆に近傍では、磁石ペア131の磁束B1による吸引力よりも弱くなる。
The magnetic flux (magnetic circuit) generated by the
磁石ペア132は、図2(b)に示すように、磁石ペア131に対して相対的に磁石群130における中央C1の側に位置しているのが好ましく、本実施形態では、中央C1を跨いで位置している。そして、本実施形態では、磁石ペア132は、複数の磁石30における配列パターンの中央部分P1(図2(a))に位置している。なお、図3に示す磁石ペア131と磁石ペア132との間隔D3は、間隔D1以上間隔D2以下の範囲内の間隔であり、本実施形態では、間隔D1と同じ間隔である。つまり、磁石308と磁石309との間隔のみD2であり、それ以外の2つの磁石の間隔はD1である。
As shown in FIG. 2B, the
次に、図1に示す成膜装置100を用いてガラス基板5に成膜する成膜方法について説明する。まず、ガラス基板5をマスク6に載置する工程を説明する。ガラス基板5は、図1に示す基板保持部8に保持されているものとする。駆動部11により基板保持部8を駆動することにより、ガラス基板5とマスク6との位置合わせを行い、マスク6上にガラス基板5を載置する。ガラス基板5がマスク6上に載置された際に、ガラス基板5及びマスク箔6Aは、ガラス基板5の重量によって、すり鉢形状に撓む。ガラス基板5とマスク6とは、位置合わせが行われているため、ガラス基板5及びマスク箔6Aの撓み量は、ガラス基板5及びマスク箔6Aの中央部分で最大となる。
Next, a film forming method for forming a film on the
マスク箔6A上にガラス基板5の載置が完了すると、駆動部16により基板押え部17の基板押えプレート20を水平状態に保持したまま、基板押え部17を所定の位置まで下降させ、基板押えプレート20をガラス基板5に接触させる。
When the placement of the
次に、マスク吸引機構14によるガラス基板5とマスク箔6Aとを密着させる工程について説明する。図4(a)、図4(b)、図4(c)、図5(a)、及び図5(b)は、第1実施形態に係る成膜方法の一部の工程を説明するための図である。図4(a)、図4(b)、図4(c)、図5(a)、及び図5(b)には、ヨーク29の下降を開始したときから、マスク箔6Aとガラス基板5とが密着するまでの工程を概略的に図示している。また、図4(a)、図4(b)、図4(c)、図5(a)、及び図5(b)には、複数の磁石30のうちの磁石群130を図示している。なお、図4(a)、図4(b)、図4(c)、図5(a)、及び図5(b)には、各磁石30が受ける吸引力を矢印で模式的に図示している。矢印の長さが所定力以上の吸引力の及ぶ範囲であり、矢印の太さがその吸引力の強さを示す。
Next, the process of bringing the
図4(a)に示すように、基板押えプレート20は、ガラス基板5に接触しているが、ガラス基板5及びマスク6のマスク箔6Aは、すり鉢形状に撓んだ状態である。ヨーク29は、基板押えプレート20の上方において、所定の角度に傾斜させた状態で保持される。その際、マグネットユニット24は、ヨーク29の傾斜方向下端部が、マスク箔6Aの端部とX方向及びY方向において一致するように配置される。また、マグネットユニット24は、図2(a)の複数の磁石30における配列パターンの中央部分P1が、マスク箔6Aにおいて撓み量が最大となる部分に対応するように配置する。
As shown in FIG. 4(a), the
次に、図4(b)に示すように、ストッパ26が昇降ユニット22に係合した状態、即ちヨーク29の主面291が傾斜状態のまま、昇降ユニット22及びマグネットユニット24を下降させる。これにより、ヨーク29の傾斜方向下端部の近傍に位置する磁石301による吸引力が、マスク箔6AのX方向の一端部に作用する。そして、マグネットユニット24が徐々に下降するに従って、磁石302、磁石303、…の順に、上端部側に向かって順次、吸引力がマスク箔6Aに作用する。これにより、マスク箔6AのX方向の一端部から一部分ずつ他端部に向かって、マスク箔6Aが徐々にマグネットユニット24に吸引される。
Next, as shown in FIG. 4B, the lifting
このとき、マスク箔6Aがマグネットユニット24に吸引されることで、ガラス基板5もマスク箔6Aに押し上げられて、基板押えプレート20に密着する。更に、本実施形態では、ヨーク29の中央部分に位置する磁石308及び磁石309による磁気回路が遠方に形成されるため、マスク箔6Aの中央部分も吸引される。このように、マスク箔6Aの中央部分とガラス基板5の中央部分とが密着するとともに、マスク箔6Aの一端部から他端部にかけて撓みが均されながら一部ずつ徐々にマスク箔6Aとガラス基板5との密着領域が広がっていく。
At this time, since the
X方向の一端部から他端部に向かってマスク箔6Aの撓みが均される途中で、既にマスク箔6Aの中央部分とガラス基板5の中央部分とが密着している場合があるが、中央部分に位置する磁石308及び磁石309による吸引力は他の磁石に比べて相対的に弱い。そのため、更に昇降ユニット22を下降させることで、図4(c)に示すように、まわりの磁石による吸引力に押されてマスク箔6Aの撓みが解消され、マスク箔6Aがガラス基板5に密着する。
In some cases, the central portion of the
図4(c)に示すようにストッパ27が突き当てブロック23に接触した後、さらに昇降ユニット22を下降させることで、図5(a)に示すように、ストッパ26と昇降ユニット22とが離間してヨーク29が軸25を中心に回動する。これにより、ヨーク29の主面291の傾斜角度が徐々に小さくなる。マスク箔6Aとガラス基板5との密着が完了していない中央部から他端部にかけた部分についても、マスク箔6Aの撓みが解消されて、ガラス基板5とマスク箔6Aとの密着領域が徐々に増加する。
After the
さらに昇降ユニット22を下降させることで、図5(b)に示すように、主面291が傾斜状態から水平状態となる。昇降ユニット22が所定の位置まで下降して主面291が水平状態となると、マスク箔6Aとヨーク29の主面291とが平行な状態となる。これにより、マスク箔6Aの全面がガラス基板5に密着する。
By further lowering the lifting
第1実施形態によれば、磁石ペア132における2つの磁石同士の間隔D2が、磁石ペア131における磁石同士の間隔D1よりも広い。したがって、磁石ペア132の各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲が、磁石ペア131の各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲よりも広くなる。これにより、マスク6をガラス基板5に密着させる際に、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分の底部に、磁石ペア132の各磁石による吸引力が及ぶ。よって、すり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
According to the first embodiment, the distance D2 between the two magnets in the
また、マスク6においてすり鉢状に撓むのは、中央部分であるため、磁石ペア132は、マスク6の中央部分に近いほどよい。よって、磁石ペア132は、磁石ペア131に対して相対的に磁石群130における中央C1の側に位置しているのが好ましい。第1実施形態では、磁石ペア132は、複数の磁石30における配列パターンの中央部分P1に位置している。このように、マスク6の中央部分に対応する箇所に、磁石ペア132を配置することで、より効果的にマスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
Moreover, since it is the central portion of the
なお、磁石群130に配列方向A1に隣接する磁石群も、不図示ではあるが、磁石群130と同様の構成としてもよい。
A magnet group adjacent to the
[第2実施形態]
第2実施形態の成膜装置について説明する。図6(a)は、第2実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図6(b)は、図6(a)のVIB-VIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第2実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第2実施形態のマグネットユニット24Aについて具体的に説明する。
[Second embodiment]
A film forming apparatus according to the second embodiment will be described. FIG. 6(a) is a plan view of a magnet unit according to the second embodiment. FIG. 6(b) is a sectional view of the magnet unit taken along line VIB--VIB in FIG. 6(a). In the film forming apparatus of the second embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The
ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Aが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Aは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。
A
各磁石30Aは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31A及び32Aを有する。即ち、一対の磁極面31A及び32Aのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30Aは、平面視矩形状であり、互いに同じ磁力のものである。各磁石30Aの磁極面32Aがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Aが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Aは、所定方向である配列方向A1に磁極面31Aの磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。なお、複数の磁石30Aは、配列方向A2に磁極面31Aの磁極が同極となるように配列されている。磁極面31Aの磁極がS極となる磁石30Aと、磁極面31Aの磁極がN極となる磁石30Aとが配列方向A1に交互に配置されているので、配列方向A1に隣り合う2つの磁石30Aで磁気回路が形成される。なお、図6(a)では、配列方向A2において同極の磁石同士が連結されているが、これに限定するものではなく、同極の磁石同士が配列方向A2に間隔をあけて配置されていてもよい。
Each
図6(a)及び図6(b)には、磁極面31AがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31AがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図6(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Aにおける配列パターンの中央部分P2が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。
In FIGS. 6(a) and 6(b), the magnets whose magnetic pole faces 31A serve as N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31A serve as S poles are shown by diagonal hatching. A central portion P2 of the array pattern of the plurality of
複数の磁石30Aのうち、配列方向A2の中央に位置する磁石群130Aについて説明する。図6(b)には、磁石群130Aにおける断面を図示している。複数の磁石30Aは、配列方向A2の中央に位置する磁石群130Aを含む。磁石群130Aは、配列方向A1に配列された複数の磁石30A1~30A12からなる。図6(b)では、磁石30A1、30A3、30A5、30A7、30A9、及び30A11の磁極面31AがN極である。磁石30A2、30A4、30A6、30A8、30A10、及び30A12の磁極面31AがS極である。このように、磁石群130Aにおいて配列方向A1に磁極面31Aの磁極がS極とN極とで互い違いとなるように配列されている。なお、磁石群130Aにおいて、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。
Among the plurality of
磁石群130Aは、第1間隔である間隔D21で隣り合って配置され、磁極面31Aの磁極が互いに異なる第1磁石ペアである磁石ペア131Aを含んでいる。また、磁石群130Aは、間隔D21よりも広い第2間隔である間隔D22で隣り合って配置され、磁極面31Aの磁極が互いに異なる第2磁石ペアである磁石ペア132Aを含んでいる。磁石群130Aにおいて、第1磁石ペアは、複数組存在し、その一例が磁石30A8及び磁石30A9からなる磁石ペア131Aである。磁石ペア132Aは、磁石30A6及び磁石30A7である。本実施形態では、磁石ペア131Aと磁石ペア132Aとは隣り合っており、その間隔は、間隔D21以上間隔D22以下が好ましく、例えば間隔D21である。
The
磁石ペア132Aは、図6(b)に示すように、磁石ペア131Aに対して相対的に磁石群130Aにおける中央C2の側に位置しているのが好ましく、本実施形態では、中央C2を跨いで位置している。そして、本実施形態では、磁石ペア132Aは、複数の磁石30Aにおける配列パターンの中央部分P2(図6(a))に位置している。
As shown in FIG. 6B, the
第2実施形態によれば、磁石ペア132Aにおける2つの磁石同士の間隔D22が、磁石ペア131Aにおける磁石同士の間隔D21よりも広い。したがって、磁石ペア132Aの各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲が、磁石ペア131Aの各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲よりも広くなる。これにより、図1のマスク6をガラス基板5に密着させる際に、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分の底部に、磁石ペア132Aの各磁石による吸引力が及ぶ。よって、すり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
According to the second embodiment, the interval D22 between the two magnets in the
また、マスク6においてすり鉢状に撓むのは、中央部分であるため、磁石ペア132Aは、マスク6の中央部分に近いほどよい。よって、磁石ペア132Aは、磁石ペア131Aに対して相対的に磁石群130Aにおける中央C2の側に位置しているのが好ましい。第2実施形態では、磁石ペア132Aは、複数の磁石30Aにおける配列パターンの中央部分P2に位置している。このように、マスク6の中央部分に対応する箇所に、磁石ペア132Aを配置することで、より効果的にマスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
Moreover, since it is the central portion of the
なお、磁石群130Aに配列方向A2に隣接する磁石群も、磁石群130Aと同様の構成としてもよく、図6(a)では、磁石群130Aと同様の構成となっている。
A magnet group adjacent to the
[第3実施形態]
第3実施形態の成膜装置について説明する。図7(a)は、第3実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図7(b)は、図7(a)のVIIB-VIIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第3実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第3実施形態のマグネットユニット24Bについて具体的に説明する。
[Third embodiment]
A film forming apparatus according to the third embodiment will be described. FIG. 7(a) is a plan view of a magnet unit according to the third embodiment. FIG. 7(b) is a sectional view of the magnet unit taken along line VIIB--VIIB in FIG. 7(a). In the film forming apparatus of the third embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The
ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Bが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Bは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。
A
各磁石30Bは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31B及び32Bを有する。即ち、一対の磁極面31B及び32Bのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30Bは、平面視矩形状であり、互いに同じ磁力のものである。各磁石30Bの磁極面32Bがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Bが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Bは、所定方向である配列方向A1と配列方向A2に磁極面31Bの磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。即ち、複数の磁石30Bは、磁極面31Bの磁極がN極とS極とで千鳥状となるように配列されている。磁極面31Bの磁極がS極となる磁石30Bと、磁極面31Bの磁極がN極となる磁石30Bとが配列方向A1及びA2に交互に配置されているので、配列方向A1又は配列方向A2に隣り合う2つの磁石30Bで磁気回路が形成される。
Each
図7(a)及び図7(b)には、磁極面31BがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31BがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図7(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Bにおける配列パターンの中央部分P3が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。
In FIGS. 7(a) and 7(b), the magnets whose magnetic pole faces 31B are N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31B are S poles are shown by diagonal hatching. The central portion P3 of the arrangement pattern of the plurality of
複数の磁石30Bのうち、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Bについて説明する。図7(b)には、磁石群130Bにおける断面を図示している。複数の磁石30Bは、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Bを含む。磁石群130Bは、第1実施形態で説明した磁石群130の配列と同様であり、磁石ペア131と、磁石ペア132とを含む。なお、磁石群130Bにおいて、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。
Among the plurality of
したがって、第3実施形態によれば、第1実施形態と同様、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
Therefore, according to the third embodiment, similarly to the first embodiment, the portion of the
なお、磁石群130Bに配列方向A1に隣接する磁石群も、不図示ではあるが、磁石群130Bと同様の構成としてもよい。
Although not shown, a magnet group adjacent to the
[第4実施形態]
第4実施形態の成膜装置について説明する。図8(a)は、第4実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図8(b)は、図8(a)のVIIIB-VIIIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第4実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第4実施形態のマグネットユニット24Cについて具体的に説明する。
[Fourth Embodiment]
A film forming apparatus according to the fourth embodiment will be described. FIG. 8(a) is a plan view of a magnet unit according to the fourth embodiment. FIG. 8(b) is a sectional view of the magnet unit taken along line VIIIB-VIIIB in FIG. 8(a). In the film forming apparatus of the fourth embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The
ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Cが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Cは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。
A
各磁石30Cは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31C及び32Cを有する。即ち、一対の磁極面31C及び32Cのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30Cは、平面視矩形状であり、互いに同じ大きさのものである。各磁石30Cの磁極面32Cがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Cが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Cは、所定方向である配列方向A2に磁極面31Cの磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。なお、複数の磁石30Cは、配列方向A1に磁極面31Cの磁極が同極となるように配列されている。磁極面31Cの磁極がS極となる磁石30Cと、磁極面31Cの磁極がN極となる磁石30Cとが配列方向A2に交互に配置されているので、配列方向A2に隣り合う2つの磁石30Cで磁気回路が形成される。なお、図8(a)では、配列方向A1において同極の磁石同士が連結されているが、これに限定するものではなく、同極の磁石同士が配列方向A2に間隔をあけて配置されていてもよい。
Each
図8(a)及び図8(b)には、磁極面31CがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31CがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図8(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Cにおける配列パターンの中央部分P4が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。
In FIGS. 8(a) and 8(b), the magnets whose magnetic pole faces 31C are N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31C are S poles are shown by diagonal hatching. A center portion P4 of the arrangement pattern of the plurality of
複数の磁石30Cのうち、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Cについて説明する。図8(b)には、磁石群130Cにおける断面を図示している。複数の磁石30Cは、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Cを含む。磁石群130Cは、配列方向A2に配列された複数の磁石30C1~30C18からなる。図8(b)では、磁石30C1、30C3、30C5、30C7、30C9、30C11、30C13、30C15、及び30C17の磁極面31CがS極である。磁石30C2、30C4、30C6、30C8、30C10、30C1230C14、30C16、及び30C18の磁極面31CがN極である。このように、磁石群130Cにおいて配列方向A2に磁極面31Cの磁極がS極とN極とで互い違いとなるように配列されている。なお、磁石群130Cにおいて、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。
Among the plurality of
磁石群130Cは、第1磁力F1である第3磁石ペアである磁石ペア133Cを含んでいる。また、磁石群130Cは、第1磁力F1よりも弱い第2磁力F2である第4磁石ペアである磁石ペア134Cを含んでいる。磁石ペア133Cは、磁石30C8及び磁石30C11である。磁石30C8及び磁石30C11は、磁極面31Cの磁極が互いに異なるものである。磁石ペア134Cは、磁石30C9及び磁石30C10である。磁石30C9及び磁石30C10は、磁極面31Cの磁極が互いに異なるものである。磁石30C9と磁石30C10とは、配列方向A2に隣り合って配置されている。磁石30C8と磁石30C11とは、磁石ペア134Cを挟んで配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Cにおいて、磁石30C9及び磁石30C10以外の磁石は、全て第1磁力である。なお、隣り合う磁石30C12と磁石30C13とで、第1実施形態で説明した磁石ペア131(図3)と同様の構成の磁石ペア135Cとなる。磁石の磁力は、例えばガウスメータで測定可能である。第2磁力F2は、第1磁力F1の1/2以下であるのが好ましい。更に、第2磁力F2は、第1磁力F1の1/3以下であるのが好ましい。
The
このように、磁石30C8と磁石30C11との間に磁力の弱い磁石30C9及び磁石30C10が配置されている。磁石30C8と磁石30C11と磁石ペア133Cで形成される磁束(磁気回路)は、第1実施形態で説明した磁石ペア132(図3)と同様、広範囲に広がり、所定力以上の吸引力が広範囲に及ぶことになる。よって、磁石ペア134Cの磁気回路による吸引力は、遠方においては、磁石ペア135Cの磁気回路による吸引力よりも強く、逆に近傍では、磁石ペア135Cの磁気回路による吸引力よりも弱くなる。
In this manner, the magnets 30C9 and 30C10 having weaker magnetic forces are arranged between the magnets 30C8 and 30C11 . The magnetic flux (magnetic circuit) formed by the magnets 30C8 , 30C11 , and the
磁石ペア134Cは、図8(b)に示すように、中央C4を跨いで位置している。そして、本実施形態では、磁石ペア134Cは、複数の磁石30Cにおける配列パターンの中央部分P4(図8(a))に位置している。
The
第4実施形態によれば、第1実施形態と同様、磁石ペア133Cの各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲が広くなる。これにより、マスク6をガラス基板5に密着させる際に、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分の底部に、磁石ペア133Cの各磁石による吸引力が及ぶ。よって、すり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
According to the fourth embodiment, as in the first embodiment, each magnet of the
また、マスク6においてすり鉢状に撓むのは、中央部分であるため、磁石ペア133Cは、マスク6の中央部分に近いほどよい。よって、第4実施形態では、磁石ペア133Cによって挟まれる磁石ペア134Cは、複数の磁石30Cにおける配列パターンの中央部分P4に位置している。このように、マスク6の中央部分に対応する箇所に、磁石ペア134Cを配置することで、より効果的にマスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
Moreover, since it is the central portion of the
なお、磁石群130Cに配列方向A1に隣接する磁石群も、不図示ではあるが、磁石群130Cと同様の構成としてもよい。
Although not shown, a magnet group adjacent to the
[第5実施形態]
第5実施形態の成膜装置について説明する。図9(a)は、第5実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図9(b)は、図9(a)のIXB-IXB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第5実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第5実施形態のマグネットユニット24Dについて具体的に説明する。
[Fifth embodiment]
A film forming apparatus according to the fifth embodiment will be described. FIG. 9(a) is a plan view of a magnet unit according to the fifth embodiment. FIG. 9(b) is a sectional view of the magnet unit taken along line IXB-IXB in FIG. 9(a). In the film forming apparatus of the fifth embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The
ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Dが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Dは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。
A
各磁石30Dは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31D及び32Dを有する。即ち、一対の磁極面31D及び32Dのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。各磁石30Dの磁極面32Dがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Dが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Dは、配列方向A2に磁極面31Dの磁極が同極となるように配列されている。各磁石30Dは、平面視矩形状である。
Each
図9(a)及び図9(b)には、磁極面31DがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31DがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図9(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Dにおける配列パターンの中央部分P5が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。
In FIGS. 9(a) and 9(b), the magnets whose magnetic pole faces 31D are N poles are shown by shading, and the magnets whose magnetic pole faces 31D are S poles are shown by diagonal hatching. A center portion P5 of the arrangement pattern of the plurality of
複数の磁石30Dのうち、配列方向A2の中央に位置する磁石群130Dについて説明する。図9(b)には、磁石群130Dにおける断面を図示している。複数の磁石30Dは、配列方向A2の中央に位置する磁石群130Dを含む。磁石群130Dは、配列方向A1に配列された複数の磁石30D1~30D14からなる。図9(b)では、磁石30D1、30D3、30D5、30D8、30D9、30D11、及び30D13の磁極面31DがN極であり、磁石30D2、30D4、30D6、30D7、30D10、30D12、及び30D14の磁極面31DがS極である。磁石群130Dにおいて、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。本実施形態では、隣り合う磁石30D6と磁石30D7の磁極面31Dが同極となる配列であり、隣り合う磁石30D8と磁石30D9の磁極面31Dが同極となる配列である。磁石群130Dにおいて、これら以外の隣り合う2つの磁石の磁極面の磁極は、互いに異なる。なお、磁石群130Dにおいて配列方向A1に磁極面31Dの磁極がS極とN極とで互い違いとなるように配列されていてもよい。
Among the plurality of
磁石群130Dは、第1磁力F1である第3磁石ペアである磁石ペア133Dを含んでいる。また、磁石群130Dは、第1磁力F1よりも弱い第2磁力F2である第4磁石ペアである磁石ペア134Dを含んでいる。磁石ペア133Dは、磁石30D6及び磁石30D9である。磁石30D6及び磁石30D9は、磁極面31Dの磁極が互いに異なるものである。磁石ペア134Dは、磁石30D7及び磁石30D8である。磁石30D7及び磁石30D8は、磁極面31Dの磁極が互いに異なるものである。磁石30D7と磁石30D8とは、配列方向A1に隣り合って配置されている。磁石30D6と磁石30D9とは、磁石ペア134Dを挟んで配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Dにおいて、磁石30D7及び磁石30D8以外の磁石は、全て第1磁力である。磁石の磁力は、例えばガウスメータで測定可能である。第2磁力F2は、第1磁力F1の1/2以下であるのが好ましい。更に、第2磁力F2は、第1磁力F1の1/3以下であるのが好ましい。
The
磁石ペア134Dは、図9(b)に示すように、中央C5を跨いで位置している。そして、本実施形態では、磁石ペア134Dは、複数の磁石30Dにおける配列パターンの中央部分P5(図9(a))に位置している。
The
第5実施形態によれば、第4実施形態と同様、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
According to the fifth embodiment, similarly to the fourth embodiment, the portion of the
また、マスク6においてすり鉢状に撓むのは、中央部分であるため、磁石ペア133Dは、マスク6の中央部分に近いほどよい。よって、第5実施形態では、磁石ペア133Dによって挟まれる磁石ペア134Dは、複数の磁石30Dにおける配列パターンの中央部分P5に位置している。このように、マスク6の中央部分に対応する箇所に、磁石ペア134Dを配置することで、より効果的にマスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
Moreover, since it is the central portion of the
[第6実施形態]
第6実施形態の成膜装置について説明する。図10(a)は、第6実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図10(b)は、図10(a)のXB-XB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第6実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第6実施形態のマグネットユニット24Eについて具体的に説明する。
[Sixth embodiment]
A film forming apparatus according to the sixth embodiment will be described. FIG. 10(a) is a plan view of a magnet unit according to the sixth embodiment. FIG. 10(b) is a cross-sectional view of the magnet unit taken along line XB--XB in FIG. 10(a). In the film forming apparatus of the sixth embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The
ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Eが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Eは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。
A
各磁石30Eは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31E及び32Eを有する。即ち、一対の磁極面31E及び32Eのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30Eは、平面視矩形状であり、互いに同じ大きさのものである。各磁石30Eの磁極面32Eがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Eが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Eは、所定方向である配列方向A1と配列方向A2に磁極面31Eの磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。即ち、複数の磁石30Eは、磁極面31Eの磁極がN極とS極とで千鳥状となるように配列されている。磁極面31Eの磁極がS極となる磁石30Eと、磁極面31Eの磁極がN極となる磁石30Eとが配列方向A1及びA2に交互に配置されているので、配列方向A1又は配列方向A2に隣り合う2つの磁石30Eで磁気回路が形成される。
Each
図10(a)及び図10(b)には、磁極面31EがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31EがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図10(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Eにおける配列パターンの中央部分P6が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。
In FIGS. 10(a) and 10(b), the magnets whose magnetic pole faces 31E are N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31E are S poles are shown by diagonal hatching. A central portion P6 of the arrangement pattern of the plurality of
複数の磁石30Eのうち、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Eについて説明する。図10(b)には、磁石群130Eにおける断面を図示している。複数の磁石30Eは、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Eを含む。磁石群130Eは、第4実施形態で説明した磁石群130Cの配列と同様であり、磁石ペア133C、磁石ペア134C、及び磁石ペア135Cを含む。
Among the plurality of
したがって、第6実施形態によれば、第4実施形態と同様、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。
Therefore, according to the sixth embodiment, similarly to the fourth embodiment, the portion of the
[第7実施形態]
次に、上述の実施形態の成膜装置うち、いずれかの成膜装置を含む製造システムについて説明する。図11は、第7実施形態に係る製造システムの模式的な構成図で、有機ELパネルを製造する製造システム300を例示している。
[Seventh Embodiment]
Next, a manufacturing system including any one of the film forming apparatuses of the above-described embodiments will be described. FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a manufacturing system according to the seventh embodiment, exemplifying a
製造システム300は、複数台の成膜装置100、搬送室1101、搬送室1102、搬送室1103、基板供給室1105、マスクストック室1106、受渡室1107、ガラス供給室1108、貼合室1109、取出室1110等を備えている。成膜装置100は、有機ELパネルの発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電極層等の異なる機能層の成膜に用いられ得るため、成膜装置ごとに成膜材料やマスクなどが相違する場合がある。各成膜装置100は、第1~第6実施形態で説明したいずれかのマグネットユニットを備え、第1~第6実施形態のいずれかの成膜方法を実施できる。各成膜装置100は、図1に示すガラス基板5をマスク6にセットした後、ガラス基板5にマスク6越しに成膜パターンを形成する成膜方法を実施できる。
The
基板供給室1105には、外部から基板が供給される。搬送室1101、搬送室1102、搬送室1103には、搬送機構であるロボット1120が配置されている。ロボット1120によって各室間の基板の搬送が行われる。本実施形態の製造システム300が複数台備える成膜装置100のうち、少なくとも一台は有機材料の蒸着源を備えている。製造システム300に含まれる複数の成膜装置100は、お互いが同一材料を成膜する装置であってもよいし、異なる材料を成膜する装置であってもよい。例えば、各成膜装置において、互いに異なる発光色の有機材料を蒸着してもよい。製造システム300では、基板供給室1105から供給された基板に有機材料を蒸着したり、あるいは金属材料等の無機材料の膜を形成し、有機ELパネルを製造する。
A substrate is supplied to the
マスクストック室1106には、各成膜装置100にて用いられ、膜が堆積したマスクが、ロボット1120によって搬送される。マスクストック室1106に搬送されたマスクを回収することで、マスクを洗浄することができる。また、マスクストック室1106に洗浄済みのマスクを収納しておき、ロボット1120によって成膜装置100にセットすることもできる。
A
ガラス供給室1108には、外部から封止用のガラス材が供給される。貼合室1109において、成膜された基板に封止用のガラス材を貼り合わせることで、有機ELパネルが製造される。製造された有機ELパネルは、取出室1110から取り出される。
A sealing glass material is supplied to the
このように、上述した成膜装置100は、有機EL素子を製造する製造システム300において好適に実施され得るが、それ以外のデバイスを製造するための製造システムにおいて実施してもかまわない。電子デバイスなどを製造する際に、マスクを基板に吸着させて、生産性を高めることができる。
As described above, the
[他の実施形態]
尚、本発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
[Other embodiments]
The present invention is not limited to the embodiments described above, and many modifications are possible within the technical concept of the present invention.
例えば、上述の第1~第7実施形態では、基板の一例としてガラス基板5である場合について説明したが、蒸着対象の基板の材質は、ガラスに限定されるものではなく、磁力よって吸引されない材質であれば、どのような材質であってもよい。
For example, in the first to seventh embodiments described above, the
また、上述の第1~第3実施形態において、マグネットユニットにおける複数の磁石に、第2磁石ペアが複数含まれていてもよい。同様に、上述の第4~第6実施形態において、マグネットユニットにおける複数の磁石に、第3磁石ペア及び第4磁石ペアが複数含まれていてもよい。 Further, in the first to third embodiments described above, the plurality of magnets in the magnet unit may include a plurality of second magnet pairs. Similarly, in the fourth to sixth embodiments described above, the plurality of magnets in the magnet unit may include a plurality of third magnet pairs and fourth magnet pairs.
また、上述の第1~第3実施形態で説明したヨーク29において、第2磁石ペアの2つの磁石間の位置に、貫通穴が設けられていてもよい。
Also, in the
また、上述の第1~第7実施形態では、第1部材がヨーク29であるため、磁石による吸引力を基板側に効果的に生じさせることができるため好ましいが、第1部材がヨーク29である場合に限定するものではない。第1部材がヨーク29以外の部材の場合、磁石は第1部材に接着剤などで固定すればよい。
In addition, in the above-described first to seventh embodiments, the first member is the
9…マスク保持部、29…ヨーク(第1部材)、30…磁石、31…磁極面、100…成膜装置、130…磁石群、131…磁石ペア(第1磁石ペア)、132…磁石ペア(第2磁石ペア)、291…主面
9
Claims (11)
前記マスクを吸引するための複数の磁石と、
前記複数の磁石が取り付けられる主面を有し、前記マスク保持部によりマスクが保持される位置よりも上に配置され、前記主面が傾斜状態のまま下降しさらに下降することで回動して水平状態となるように回動可能な第1部材と、を備え、
前記複数の磁石の各々は、前記主面に取り付けられる面とは反対側の磁極面を有し、
前記複数の磁石は、前記主面に沿う所定方向に配列された磁石群を含み、
前記磁石群は、第1間隔で隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる第1磁石ペアと、前記第1間隔よりも広い第2間隔で隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる第2磁石ペアと、を含むことを特徴とする成膜装置。 a mask holder that holds a mask on which the substrate is placed;
a plurality of magnets for attracting the mask ;
It has a main surface to which the plurality of magnets are attached, is arranged above the position where the mask is held by the mask holding part, and rotates by lowering the main surface while the main surface is inclined and further lowering. a first member that is rotatable so as to be in a horizontal state with the
each of the plurality of magnets has a magnetic pole surface opposite to the surface attached to the main surface;
The plurality of magnets includes a magnet group arranged in a predetermined direction along the main surface,
The magnet group is arranged adjacent to each other with a first spacing, and a first magnet pair having different magnetic poles on the magnetic pole faces is arranged adjacent to each other with a second spacing wider than the first spacing. and a second magnet pair having magnetic poles different from each other.
前記マスクを吸引するための複数の磁石と、
前記複数の磁石が取り付けられる主面を有し、前記マスク保持部によりマスクが保持される位置よりも上に配置され、前記主面が傾斜状態のまま下降しさらに下降することで回動して水平状態となるように回動可能な第1部材と、を備え、
前記複数の磁石の各々は、前記主面に取り付けられる面とは反対側の磁極面とを有し、
前記複数の磁石は、前記主面に沿う所定方向に配列された磁石群を含み、
前記磁石群は、前記磁極面の磁極が互いに異なる、第1磁力の第3磁石ペアと、前記第3磁石ペアに挟まれた位置に隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる、前記第1磁力よりも弱い第2磁力の第4磁石ペアと、を含むことを特徴とする成膜装置。 a mask holder that holds a mask on which the substrate is placed;
a plurality of magnets for attracting the mask ;
It has a main surface to which the plurality of magnets are attached, is arranged above the position where the mask is held by the mask holding part, and rotates by lowering the main surface while the main surface is inclined and further lowering. a first member that is rotatable so as to be in a horizontal state with the
each of the plurality of magnets has a magnetic pole surface opposite to the surface attached to the main surface;
The plurality of magnets includes a magnet group arranged in a predetermined direction along the main surface,
The magnet group is arranged adjacent to a position sandwiched between a third magnet pair having a first magnetic force and the third magnet pair having different magnetic poles on the magnetic pole faces, and the magnetic poles on the magnetic pole faces are different from each other. and a fourth magnet pair having a second magnetic force weaker than the first magnetic force.
前記所定方向は、前記軸線に直交する方向であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の成膜装置。 The first member is rotatable around an axis,
8. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the predetermined direction is a direction perpendicular to the axis.
前記所定方向は、前記軸線に平行な方向であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の成膜装置。 The first member is rotatable around an axis,
8. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the predetermined direction is a direction parallel to the axis.
少なくとも一台の前記成膜装置は、前記基板に有機材料を蒸着して有機薄膜を成膜することを特徴とする有機ELパネルの製造システム。 A plurality of film forming apparatuses according to any one of claims 1 to 9,
1. A manufacturing system for an organic EL panel, wherein at least one of said film forming apparatuses deposits an organic material on said substrate to form an organic thin film.
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