JP7202168B2 - Film forming apparatus, organic EL panel manufacturing system, and film forming method - Google Patents

Film forming apparatus, organic EL panel manufacturing system, and film forming method Download PDF

Info

Publication number
JP7202168B2
JP7202168B2 JP2018233798A JP2018233798A JP7202168B2 JP 7202168 B2 JP7202168 B2 JP 7202168B2 JP 2018233798 A JP2018233798 A JP 2018233798A JP 2018233798 A JP2018233798 A JP 2018233798A JP 7202168 B2 JP7202168 B2 JP 7202168B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnet
magnets
mask
film forming
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018233798A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020094244A (en
Inventor
圭介 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Priority to JP2018233798A priority Critical patent/JP7202168B2/en
Priority to KR1020190150438A priority patent/KR20200073123A/en
Priority to CN201911270162.6A priority patent/CN111321370B/en
Publication of JP2020094244A publication Critical patent/JP2020094244A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7202168B2 publication Critical patent/JP7202168B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Description

本発明は、基板に成膜する成膜装置、有機ELパネルの製造システム、及び成膜方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film on a substrate, an organic EL panel manufacturing system, and a film forming method.

有機EL素子などの電子デバイスの製造では、ガラスなどの基板の被成膜面を下向きにしてマスク上に載置し、マスクを介して被成膜面に成膜する。膜の品質上、膜厚を均一に成膜する必要があり、そのためには、基板とマスクとを密着させて成膜する必要がある。 In the manufacture of an electronic device such as an organic EL element, a substrate such as glass is placed on a mask with the film formation surface facing downward, and a film is formed on the film formation surface through the mask. From the viewpoint of film quality, it is necessary to form a film with a uniform film thickness, and for this purpose, it is necessary to adhere the substrate and the mask while forming the film.

そこで、特許文献1には、メタルマスクを磁石の磁力によって基板に吸引させて成膜する方法が記載されている。この特許文献1には、板状の磁石を基板の一側の端部から対向する端部にかけて一部ずつ基板に近接させて、メタルマスクを基板に密着させることが記載されている。 Therefore, Patent Literature 1 describes a method of forming a film by attracting a metal mask to a substrate by the magnetic force of a magnet. This patent document 1 describes that plate-like magnets are brought close to the substrate one by one from one end of the substrate to the opposite end to bring the metal mask into close contact with the substrate.

特開2004-152704号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-152704

しかしながら、基板の大型化に伴い、基板をマスク上に載置した際に、基板の重量によって、基板及びマスクの双方がすり鉢形状に撓んだ状態となることがあった。このように、基板及びマスクの双方がすり鉢形状に撓んだ状態となると、特許文献1に記載の方法によっても、マスクの撓みが部分的に解消されずに基板とマスクとの間に隙間が生じることがあった。マスクの撓みが残留した状態で成膜すると、膜厚のバラつきにつながるため、改善が求められていた。 However, as the size of the substrate increases, when the substrate is placed on the mask, the weight of the substrate causes both the substrate and the mask to bend into a mortar shape. Thus, when both the substrate and the mask are bent into a mortar shape, even by the method described in Patent Document 1, the bending of the mask is not partially eliminated and a gap is formed between the substrate and the mask. It happened. If the film is formed in a state in which the mask remains warped, it leads to variations in the film thickness.

本発明は、マスクを基板に密着させる際に、マスクの撓みが残留するのを防止することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to prevent the mask from remaining flexed when the mask is brought into close contact with the substrate.

本発明の第1態様によれば、成膜装置は、基板が載置されるマスクを保持するマスク保持部と、前記マスクを吸引するための複数の磁石と、前記複数の磁石が取り付けられる主面を有し、前記マスク保持部によりマスクが保持される位置よりも上に配置され、前記主面が傾斜状態のまま下降しさらに下降することで回動して水平状態となるように回動可能な第1部材と、を備え、前記複数の磁石の各々は、前記主面に取り付けられる面とは反対側の磁極面を有し、前記複数の磁石は、前記主面に沿う所定方向に配列された磁石群を含み、前記磁石群は、第1間隔で隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる第1磁石ペアと、前記第1間隔よりも広い第2間隔で隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる第2磁石ペアと、を含むことを特徴とする。
本発明の第2態様によれば、成膜装置は、基板が載置されるマスクを保持するマスク保持部と、前記マスクを吸引するための複数の磁石と、前記複数の磁石が取り付けられる主面を有し、前記マスク保持部によりマスクが保持される位置よりも上に配置され、前記主面が傾斜状態のまま下降しさらに下降することで回動して水平状態となるように回動可能な第1部材と、を備え、前記複数の磁石の各々は、前記主面に取り付けられる面とは反対側の磁極面とを有し、前記複数の磁石は、前記主面に沿う所定方向に配列された磁石群を含み、前記磁石群は、前記磁極面の磁極が互いに異なる、第1磁力の第3磁石ペアと、前記第3磁石ペアに挟まれた位置に隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる、前記第1磁力よりも弱い第2磁力の第4磁石ペアと、を含むことを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, a film forming apparatus includes a mask holding part for holding a mask on which a substrate is placed, a plurality of magnets for attracting the mask, and a main body to which the plurality of magnets are attached. and is arranged above the position where the mask is held by the mask holding part, and the main surface descends in an inclined state and further descends to rotate to a horizontal state . and a movable first member, each of the plurality of magnets having a magnetic pole surface opposite the surface attached to the main surface, and the plurality of magnets oriented in a predetermined direction along the main surface. a first pair of magnets arranged adjacent to each other with a first spacing, wherein the magnetic poles of the magnetic pole faces are different from each other, and a second spacing wider than the first spacing. and a second pair of magnets arranged in alignment and having different magnetic polarities on the magnetic pole faces.
According to the second aspect of the present invention, the film forming apparatus includes a mask holding part for holding a mask on which a substrate is placed, a plurality of magnets for attracting the mask, and a main body to which the plurality of magnets are attached. and is positioned above the position at which the mask is held by the mask holding portion, and is rotated so that the main surface descends in an inclined state and further descends to turn into a horizontal state. a first member, each of the plurality of magnets having a pole face opposite the face attached to the major surface, the plurality of magnets oriented in a predetermined direction along the major surface; a third magnet pair having a first magnetic force and having different magnetic poles on the magnetic pole faces, and arranged adjacent to each other at a position sandwiched between the third magnet pair, and a fourth magnet pair having a second magnetic force weaker than the first magnetic force, wherein the magnetic poles of the magnetic pole faces are different from each other.

本発明によれば、マスクを基板に密着させる際に、マスクの撓みが残留するのを防止することができる。 According to the present invention, when the mask is brought into close contact with the substrate, it is possible to prevent the residual deflection of the mask.

第1実施形態に係る成膜装置の概略図である。1 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to a first embodiment; FIG. (a)は、第1実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。(b)は、(a)のIIB-IIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。(a) is a plan view of the magnet unit according to the first embodiment. (b) is a cross-sectional view of the magnet unit taken along line IIB-IIB in (a). 第1実施形態における磁石群を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the magnet group in 1st Embodiment. (a)、(b)及び(c)は、第1実施形態に係る成膜方法の一部の工程を説明するための図である。(a), (b) and (c) are diagrams for explaining some steps of the film forming method according to the first embodiment. (a)及び(b)は、第1実施形態に係る成膜方法の一部の工程を説明するための図である。(a) and (b) is a figure for demonstrating the one part process of the film-forming method which concerns on 1st Embodiment. (a)は、第2実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。(b)は、(a)のVIB-VIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。(a) is a plan view of a magnet unit according to a second embodiment. (b) is a cross-sectional view of the magnet unit taken along line VIB-VIB in (a). (a)は、第3実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。(b)は、(a)のVIIB-VIIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。(a) is a plan view of a magnet unit according to a third embodiment. (b) is a sectional view of the magnet unit taken along line VIIB--VIIB in (a). (a)は、第4実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。(b)は、(a)のVIIIB-VIIIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。(a) is a plan view of a magnet unit according to a fourth embodiment. (b) is a sectional view of the magnet unit taken along line VIIIB-VIIIB of (a). (a)は、第5実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。(b)は、(a)のIXB-IXB線に沿うマグネットユニットの断面図である。(a) is a plan view of a magnet unit according to a fifth embodiment. (b) is a cross-sectional view of the magnet unit taken along line IXB-IXB of (a). (a)は、第6実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。(b)は、(a)のXB-XB線に沿うマグネットユニットの断面図である。(a) is a plan view of a magnet unit according to a sixth embodiment. (b) is a cross-sectional view of the magnet unit along line XB-XB of (a). 第7実施形態に係る製造システムの模式的な構成図である。FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a manufacturing system according to a seventh embodiment;

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態を説明する。ただし、以下で説明する実施形態は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定するものではない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、製造条件、寸法、材質、形状などは、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the embodiments described below merely exemplify preferred configurations of the present invention, and do not limit the scope of the present invention to those configurations. Also, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, etc. are not intended to limit the scope of the present invention only to them, unless otherwise specified. Absent.

[第1実施形態]
図1は、第1実施形態に係る成膜装置100の概略図である。成膜装置100は、基板の一例である、平行平板のガラス基板5の表面に、真空蒸着により所望のパターンの薄膜(材料層)を形成するものである。蒸着材料としては、有機材料、無機材料(例えば金属、金属酸化物)などの任意の材料を選択できる。具体的には、電子デバイス(例えば、有機EL表示装置、薄膜太陽電池)の製造装置に適用可能である。本実施形態では、成膜装置100は、被成膜基板であるガラス基板5の表面に有機薄膜を形成して製造する有機EL素子の製造工程のうち成膜工程に用いられる。また、図1に示す本実施形態の成膜装置100は、蒸着装置であるが、これに限定するものではなく、スパッタリング法やCVD法など、蒸着法以外の成膜方法を用いる成膜装置であってもよい。図1において、上下方向をZ方向、Z方向に直交する2方向であって、互いに直交する水平方向をX方向及びY方向とする。
[First embodiment]
FIG. 1 is a schematic diagram of a film forming apparatus 100 according to the first embodiment. The film forming apparatus 100 forms a thin film (material layer) having a desired pattern on the surface of a parallel plate glass substrate 5, which is an example of a substrate, by vacuum deposition. Any material such as an organic material or an inorganic material (for example, a metal or a metal oxide) can be selected as the vapor deposition material. Specifically, it can be applied to manufacturing equipment for electronic devices (eg, organic EL display devices, thin-film solar cells). In the present embodiment, the film forming apparatus 100 is used in a film forming step among the manufacturing steps of an organic EL element in which an organic thin film is formed on the surface of a glass substrate 5 as a film forming substrate. The film forming apparatus 100 of the present embodiment shown in FIG. 1 is a vapor deposition apparatus, but is not limited to this. There may be. In FIG. 1, the vertical direction is the Z direction, and two horizontal directions perpendicular to the Z direction are the X direction and the Y direction.

成膜装置100は、装置本体100Aと、装置本体100Aを制御する制御部50とを備える。装置本体100Aは、ガラス基板5に成膜材料を形成するための成膜空間2を有するチャンバ4と、ガラス基板5をチャンバ4内に搬入/搬出するためのゲートバルブ15と、を備える。また、装置本体100Aは、チャンバ4の内部である成膜空間2に配置されたガラス基板5及びマスク6を保持して、ガラス基板5とマスク6との相対的な位置決めを行う位置決め機構1を備える。また、装置本体100Aは、マスク6を吸引して、マスク6をガラス基板5に密着させるマスク吸引機構14を備える。チャンバ4の成膜空間2には、成膜材料を収納した成膜源(蒸着源)7が設けられている。 The film forming apparatus 100 includes an apparatus main body 100A and a control section 50 that controls the apparatus main body 100A. The apparatus main body 100A includes a chamber 4 having a film forming space 2 for forming a film forming material on a glass substrate 5 and a gate valve 15 for carrying the glass substrate 5 into/out of the chamber 4 . The apparatus main body 100A also includes a positioning mechanism 1 that holds the glass substrate 5 and the mask 6 placed in the film forming space 2 inside the chamber 4 and positions the glass substrate 5 and the mask 6 relative to each other. Prepare. The apparatus main body 100 A also includes a mask suction mechanism 14 that sucks the mask 6 and brings the mask 6 into close contact with the glass substrate 5 . A film formation source (vapor deposition source) 7 containing a film formation material is provided in the film formation space 2 of the chamber 4 .

位置決め機構1は、チャンバ4の外部に設けられたプレート10と、プレート10を駆動する駆動部11と、を有する。また、位置決め機構1は、チャンバ4の内部に設けられ、ガラス基板5を保持する基板保持部8と、チャンバ4の内部に設けられ、マスク6を保持するマスク保持部9と、を有する。基板保持部8は、ガラス基板5をマスク6上に載置後、ガラス基板5から退避する。 The positioning mechanism 1 has a plate 10 provided outside the chamber 4 and a drive section 11 that drives the plate 10 . The positioning mechanism 1 also has a substrate holding part 8 provided inside the chamber 4 to hold the glass substrate 5 and a mask holding part 9 provided inside the chamber 4 to hold the mask 6 . After placing the glass substrate 5 on the mask 6 , the substrate holding part 8 retreats from the glass substrate 5 .

プレート10には、シャフト12が固定されている。シャフト12は、チャンバ4の上部隔壁3に設けられた貫通穴を通じて、チャンバ4の外部と内部とに亘って設けられている。そして、シャフト12の下部に基板保持部8が取り付けられ、成膜空間2においてガラス基板5を保持することが可能となっている。上部隔壁3に設けられた貫通穴は、シャフト12と上部隔壁3とが干渉しないよう、シャフト12の外径に対して大きく形成されている。チャンバ4の外部において、シャフト12は、プレート10と上部隔壁3とに固定されたベローズ13によって覆われる。 A shaft 12 is fixed to the plate 10 . The shaft 12 extends from the outside to the inside of the chamber 4 through a through hole provided in the upper partition wall 3 of the chamber 4 . A substrate holding part 8 is attached to the lower part of the shaft 12 so that the glass substrate 5 can be held in the film forming space 2 . The through hole provided in the upper partition wall 3 is formed to be larger than the outer diameter of the shaft 12 so that the shaft 12 and the upper partition wall 3 do not interfere with each other. Outside the chamber 4 the shaft 12 is covered by a bellows 13 fixed to the plate 10 and the upper partition 3 .

マスク吸引機構14は、駆動部16と、駆動部16によってZ方向に昇降駆動されるプレート19と、を有する。駆動部16及びプレート19は、チャンバ4の外部に配置されている。 The mask suction mechanism 14 has a drive section 16 and a plate 19 driven up and down in the Z direction by the drive section 16 . Actuator 16 and plate 19 are arranged outside chamber 4 .

プレート19には、シャフト21が固定されている。シャフト21は、チャンバ4の上部隔壁3に設けられた貫通穴を通じて、チャンバ4の外部と内部とに亘って設けられている。シャフト21の下部には、磁力によって吸引されない材質、即ち強磁性体ではない磁性体、例えば反磁性体からなる基板押え部17が設けられている。上部隔壁3に設けられた貫通穴は、シャフト21と上部隔壁3とが干渉しないよう、シャフト21の外径に対して大きく形成されている。チャンバ4の外部において、シャフト21は、プレート19と上部隔壁3とに固定されたベローズ41によって覆われる。基板押え部17は、駆動部16の駆動によって下降した際にガラス基板5と接触する、第2部材の一例である基板押えプレート20と、基板押えプレート20の上面に取り付けられた突き当てブロック23と、を有する。 A shaft 21 is fixed to the plate 19 . The shaft 21 extends through the outside and inside of the chamber 4 through a through-hole provided in the upper partition wall 3 of the chamber 4 . A substrate pressing portion 17 made of a material that is not attracted by magnetic force, that is, a magnetic material other than a ferromagnetic material, such as a diamagnetic material, is provided below the shaft 21 . The through-hole provided in the upper partition wall 3 is formed larger than the outer diameter of the shaft 21 so that the shaft 21 and the upper partition wall 3 do not interfere with each other. Outside the chamber 4 the shaft 21 is covered by a bellows 41 fixed to the plate 19 and the upper partition 3 . The substrate holding portion 17 includes a substrate holding plate 20, which is an example of a second member and contacts the glass substrate 5 when lowered by driving the driving portion 16, and an abutment block 23 attached to the upper surface of the substrate holding plate 20. and have

ここで、成膜品質における主要項目のひとつとして、膜厚の均一性がある。例えば、成膜により電極層を形成する場合、膜厚にバラつきが生じると、電極層の抵抗値にもバラつきが生じ、発光ムラにつながる。そのためには、膜厚が均一となるように成膜を行う必要がある。そこで、本実施形態では、マスク吸引機構14は、磁力によって吸引される材質、例えば強磁性体からなるマスク6を磁力によって吸引し、ガラス基板5にマスク6を密着させるものである。 Here, one of the main items in the film formation quality is the uniformity of the film thickness. For example, when an electrode layer is formed by film formation, if the thickness of the electrode layer varies, the resistance value of the electrode layer also varies, leading to uneven light emission. For that purpose, it is necessary to form the film so that the film thickness is uniform. Therefore, in the present embodiment, the mask attracting mechanism 14 attracts the mask 6 made of a material that can be attracted by magnetic force, such as a ferromagnetic material, and brings the mask 6 into close contact with the glass substrate 5 .

マスク吸引機構14は、駆動部18と、駆動部18によってZ方向に昇降駆動される昇降ユニット22と、昇降ユニット22に回動可能に支持されたマグネットユニット24とを有する。昇降ユニット22及びマグネットユニット24は、チャンバ4の内部に配置され、マスク保持部9に保持されたマスク6の位置よりも上方に配置されている。基板押え部17は、ボックス状であり、内部に昇降ユニット22及びマグネットユニット24が配置されている。基板押え部17の底板が、基板押えプレート20である。基板押えプレート20は、マグネットユニット24とガラス基板5との間に位置するように配置されている。 The mask suction mechanism 14 has a drive section 18 , an elevation unit 22 driven up and down in the Z direction by the drive section 18 , and a magnet unit 24 rotatably supported by the elevation unit 22 . The lifting unit 22 and the magnet unit 24 are arranged inside the chamber 4 and above the position of the mask 6 held by the mask holding part 9 . The substrate holding portion 17 has a box shape, and an elevating unit 22 and a magnet unit 24 are arranged inside. The substrate pressing plate 20 is the bottom plate of the substrate pressing portion 17 . The substrate pressing plate 20 is arranged so as to be positioned between the magnet unit 24 and the glass substrate 5 .

マグネットユニット24は、第1部材であるヨーク29と、ヨーク29に取り付けられた複数の磁石30と、を有する。ヨーク29は、Y方向に延びる軸25によって昇降ユニット22に回動可能に支持されている。ヨーク29は、基板側の面であって下面である主面291と、主面291とは反対側の上面である面292とを有する板状の部材である。複数の磁石30は、ヨーク29の主面291に取り付けられている。各磁石30は、自身の磁力によってヨーク29に固定されるが、更に接着剤などの固定部材によってヨーク29に固定されていてもよい。 The magnet unit 24 has a yoke 29 as a first member and a plurality of magnets 30 attached to the yoke 29 . The yoke 29 is rotatably supported on the lifting unit 22 by a shaft 25 extending in the Y direction. The yoke 29 is a plate-shaped member having a main surface 291 which is a lower surface on the substrate side and a surface 292 which is an upper surface opposite to the main surface 291 . A plurality of magnets 30 are attached to the main surface 291 of the yoke 29 . Each magnet 30 is fixed to the yoke 29 by its own magnetic force, but may be further fixed to the yoke 29 by a fixing member such as an adhesive.

駆動部18は、チャンバ4の外部に配置され、プレート19に固定されている。昇降ユニット22は、駆動部18から延びるシャフト28に接続されている。昇降ユニット22及びマグネットユニット24は、駆動部18によりシャフト28を通じて、基板押さえ部17に対して相対的にZ方向に昇降駆動される。 The driving part 18 is arranged outside the chamber 4 and fixed to the plate 19 . The lifting unit 22 is connected to a shaft 28 extending from the drive section 18 . The lifting unit 22 and the magnet unit 24 are driven up and down in the Z direction relative to the substrate pressing portion 17 through the shaft 28 by the driving portion 18 .

シャフト28は、チャンバ4の上部隔壁3に設けられた貫通穴を通じて、チャンバ4の外部と内部とに亘って設けられている。そして、シャフト28の下部に昇降ユニット22が取り付けられている。上部隔壁3に設けられた貫通穴は、シャフト28と上部隔壁3とが干渉しないよう、シャフト28の外径に対して大きく形成されている。チャンバ4の外部において、シャフト28は、ベローズ42によって覆われる。 The shaft 28 extends through the outside and inside of the chamber 4 through a through hole provided in the upper partition wall 3 of the chamber 4 . A lifting unit 22 is attached to the lower portion of the shaft 28 . The through hole provided in the upper partition wall 3 is formed to be larger than the outer diameter of the shaft 28 so that the shaft 28 and the upper partition wall 3 do not interfere with each other. Outside the chamber 4 the shaft 28 is covered by a bellows 42 .

ヨーク29の面292には、昇降ユニット22に係脱可能なストッパ26と、突き当てブロック23に係脱可能なストッパ27とが設けられている。ストッパ27が突き当てブロック23から離間しているとき、マグネットユニット24が自重によって軸25のまわりに回動して主面291が水平状態に対して傾斜する。そして、ストッパ26が昇降ユニット22に係合する、即ち引っ掛かることで、主面291が水平状態に対して所定の角度で傾斜状態に保持される。 A surface 292 of the yoke 29 is provided with a stopper 26 that can be engaged with and disengaged from the lifting unit 22 and a stopper 27 that can be engaged with and disengaged from the abutment block 23 . When the stopper 27 is separated from the abutting block 23, the magnet unit 24 rotates around the shaft 25 due to its own weight, and the main surface 291 is inclined with respect to the horizontal state. The main surface 291 is held in an inclined state at a predetermined angle with respect to the horizontal state by the stopper 26 engaging, that is, being caught by the lifting unit 22 .

マグネットユニット24、即ち主面291の傾斜角度は、ストッパ26のZ方向の長さによって決まる。ストッパ26は、Z方向の長さが調整自在となっており、マグネットユニット24、即ち主面291の傾斜角度を所望する所定の角度に調整することができる。また、マグネットユニット24がシャフト28によって下降することで、ストッパ27が突き当てブロック23に突き当たる。その後、マグネットユニット24が更に下降することによって軸25を中心に回動し、主面291が傾斜状態から水平状態になる。なお、マグネットユニット24を回動させる機構は、以上に説明したものに限定するものではなく、マグネットユニット24を直接アクチュエータで回動させてもよい。 The inclination angle of the magnet unit 24, that is, the main surface 291 is determined by the length of the stopper 26 in the Z direction. The stopper 26 is adjustable in length in the Z direction, and the inclination angle of the magnet unit 24, that is, the main surface 291 can be adjusted to a desired predetermined angle. Further, the magnet unit 24 descends by the shaft 28 so that the stopper 27 abuts against the abutment block 23 . Thereafter, the magnet unit 24 is further lowered to rotate about the shaft 25, and the main surface 291 changes from the inclined state to the horizontal state. The mechanism for rotating the magnet unit 24 is not limited to the one described above, and the magnet unit 24 may be rotated directly by an actuator.

シャフト12、21、及び28は、ベローズ13、41、及び42によってチャンバ4と連通する閉じられた空間に閉じ込められるため、シャフト12、21、及び28の全体を成膜空間2と同じ状態(例えば、真空状態)に保つことができる。 Since the shafts 12, 21, and 28 are confined in a closed space communicating with the chamber 4 by the bellows 13, 41, and 42, the entire shafts 12, 21, and 28 are kept in the same state as the deposition space 2 (for example, , vacuum).

ベローズ13、41、及び42には、X方向、Y方向、及びZ方向に柔軟性を持つものを用いるのが好ましい。これにより、位置決め機構1によってベローズ13、41、及び42が変位した際に発生する抵抗力を十分に小さくすることができ、位置調整時の負荷を低減することができる。 Bellows 13, 41 and 42 are preferably flexible in the X, Y and Z directions. As a result, the resistance generated when the bellows 13, 41, and 42 are displaced by the positioning mechanism 1 can be sufficiently reduced, and the load during position adjustment can be reduced.

マスク保持部9は、チャンバ4の内部において、上部隔壁3における成膜空間側の面に設置されており、マスク6は水平状態で保持される。マスク6は、磁力により吸着する材質からなり、マスク箔6Aと、マスク箔6Aが固定されたマスク枠6Bとを有する。マスク箔6Aには、成膜パターンに応じた開口が形成されている。マスク枠6Bは、ガラス基板5を支持可能なようにマスク箔6Aよりも剛性の高く、マスク箔6Aを架張した状態で、マスク保持部9に固定されている。マスク6のマスク箔6Aは、マグネットユニット24が接近することで、磁力により吸引される。磁力により吸引されたマスク箔6Aは、ガラス基板5と共に基板押えプレート20に押し付けられることで、ガラス基板5とマスク箔6Aとを密着させることが可能となっている。 The mask holder 9 is installed on the surface of the upper partition wall 3 on the film forming space side inside the chamber 4, and holds the mask 6 in a horizontal state. The mask 6 is made of a material that is attracted by magnetic force, and has a mask foil 6A and a mask frame 6B to which the mask foil 6A is fixed. The mask foil 6A is formed with openings corresponding to the film formation pattern. The mask frame 6B has higher rigidity than the mask foil 6A so as to support the glass substrate 5, and is fixed to the mask holder 9 while the mask foil 6A is stretched. The mask foil 6A of the mask 6 is attracted by magnetic force as the magnet unit 24 approaches. The mask foil 6A attracted by the magnetic force is pressed against the substrate holding plate 20 together with the glass substrate 5, so that the glass substrate 5 and the mask foil 6A can be brought into close contact with each other.

位置決め機構1、マスク吸引機構14、及び成膜源7の一連の動作は、制御部50によって制御される。制御部50は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、I/Oなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部50の機能は、メモリ又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はPLC(programmable logic controller)を用いてもよい。あるいは、制御部270の機能の一部又は全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。なお、成膜装置ごとに制御部50が設けられていてもよいし、1つの制御部50が複数の成膜装置を制御してもよい。 A series of operations of the positioning mechanism 1 , the mask suction mechanism 14 , and the film formation source 7 are controlled by the controller 50 . The control unit 50 can be configured by, for example, a computer having a processor, memory, storage, I/O, and the like. In this case, the functions of the control unit 50 are implemented by the processor executing programs stored in the memory or storage. As the computer, a general-purpose personal computer may be used, or a built-in computer or PLC (programmable logic controller) may be used. Alternatively, part or all of the functions of the control unit 270 may be configured with a circuit such as ASIC or FPGA. The control unit 50 may be provided for each film forming apparatus, or one control unit 50 may control a plurality of film forming apparatuses.

ガラス基板5の大型化に伴い、マスク6上にガラス基板5を載置した際に、ガラス基板5の重量によって、ガラス基板5及びマスク6の中央部分がすり鉢形状に撓んだ状態となる。ガラス基板5の撓み形状とマスク6の撓み形状との間に差があると、ガラス基板5とマスク6との間に隙間が生じる。 As the size of the glass substrate 5 increases, when the glass substrate 5 is placed on the mask 6 , the central portion of the glass substrate 5 and the mask 6 bends into a mortar shape due to the weight of the glass substrate 5 . If there is a difference between the warped shape of the glass substrate 5 and the warped shape of the mask 6 , a gap is generated between the glass substrate 5 and the mask 6 .

以下、マスク吸引機構14のマグネットユニット24について具体的に説明する。図2(a)は、第1実施形態に係るマグネットユニット24の平面図である。図2(b)は、図2(a)のIIB-IIB線に沿うマグネットユニット24の断面図である。 The magnet unit 24 of the mask suction mechanism 14 will be specifically described below. FIG. 2(a) is a plan view of the magnet unit 24 according to the first embodiment. FIG. 2(b) is a sectional view of the magnet unit 24 along line IIB-IIB in FIG. 2(a).

ヨーク29の主面291には、複数の磁石30が設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30は、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。軸線L1は、軸25の中心にある。 A plurality of magnets 30 are provided on the main surface 291 of the yoke 29 . A main surface 291 of the yoke 29 has a rectangular shape and is approximately the same size as the mask foil 6A shown in FIG. The plurality of magnets 30 are arranged in a matrix in an arrangement direction A1 parallel to an imaginary axis L1 that is the center of rotation and an arrangement direction A2 perpendicular to the arrangement direction A1 along the main surface 291. ing. Axis L1 is at the center of axis 25 .

各磁石30は、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31及び32を有する。即ち、一対の磁極面31及び32のうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30は、平面視矩形状であり、互いに同じ大きさ、及び互いに同じ磁力のものである。各磁石30の磁極面32がヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31が外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30は、所定方向である配列方向A2に磁極面31の磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。なお、複数の磁石30は、配列方向A1に磁極面31の磁極が同極となるように配列されている。磁極面31の磁極がS極となる磁石30と、磁極面31の磁極がN極となる磁石30とが配列方向A2に交互に配置されているので、配列方向A2に隣り合う2つの磁石30で磁気回路が形成される。なお、図2(a)では、配列方向A1において同極の磁石同士が連結されているが、これに限定するものではなく、同極の磁石同士が配列方向A1に間隔をあけて配置されていてもよい。 Each magnet 30 is a permanent magnet and has a pair of magnetic pole faces 31 and 32 with magnetic poles as S or N poles. That is, if the magnetic pole of one of the pair of magnetic pole faces 31 and 32 is the S pole, the magnetic pole of the other magnetic pole face is the N pole. In this embodiment, the magnets 30 are rectangular in plan view, and have the same size and magnetic force. The pole face 32 of each magnet 30 is attached to the major face 291 of the yoke 29, with the opposite pole face 31 facing outward. In the present embodiment, the plurality of magnets 30 are arranged so that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31 alternate between N poles and S poles in the arrangement direction A2, which is a predetermined direction. The plurality of magnets 30 are arranged such that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31 are of the same polarity in the arrangement direction A1. Since the magnets 30 whose magnetic pole on the magnetic pole surface 31 is the S pole and the magnets 30 whose magnetic pole on the magnetic pole surface 31 is the N pole are alternately arranged in the arrangement direction A2, two magnets 30 adjacent to each other in the arrangement direction A2 are arranged. A magnetic circuit is formed at In FIG. 2A, magnets with the same polarity are connected to each other in the arrangement direction A1, but the present invention is not limited to this. may

図2(a)及び図2(b)には、磁極面31がN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31がS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図2(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30における配列パターンの中央部分P1が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。 In FIGS. 2(a) and 2(b), the magnets whose magnetic pole faces 31 are N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31 are S poles are shown by diagonal hatching. The central portion P1 of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30, which is surrounded by a two-dot chain line in FIG. part.

複数の磁石30のうち、配列方向A1の中央に位置する磁石群130について説明する。図2(b)には、磁石群130における断面を図示している。複数の磁石30は、配列方向A1の中央に位置する磁石群130を含む。磁石群130は、配列方向A2に配列された複数の磁石30~3016からなる。図2(b)では、磁石30、30、30、30、30、3011、3013、及び3015の磁極面31がS極であり、磁石30、30、30、30、3010、3012、3014、及び3016の磁極面31がN極である。このように、磁石群130において配列方向A2に磁極面31の磁極がS極とN極とで互い違いとなるように配列されている。なお、磁石群130において、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。 Among the plurality of magnets 30, the magnet group 130 positioned at the center in the arrangement direction A1 will be described. FIG. 2(b) shows a cross section of the magnet group 130. As shown in FIG. The multiple magnets 30 include a magnet group 130 located in the center in the arrangement direction A1. The magnet group 130 consists of a plurality of magnets 30 1 to 30 16 arranged in the arrangement direction A2. In FIG. 2(b), the pole faces 31 of the magnets 30 1 , 30 3 , 30 5 , 30 7 , 30 9 , 30 11 , 30 13 and 30 15 are south poles, and the magnets 30 2 , 30 4 and 30 The pole faces 31 of 6 , 30 8 , 30 10 , 30 12 , 30 14 and 30 16 are north poles. Thus, in the magnet group 130, the magnetic poles of the magnetic pole faces 31 are arranged in the arrangement direction A2 such that the S poles and the N poles are alternately arranged. In addition, in the magnet group 130, there may be a part of the arrangement in which the magnetic poles of the magnetic pole faces of adjacent magnets are of the same polarity.

磁石群130は、第1間隔である間隔D1で隣り合って配置され、磁極面31の磁極が互いに異なる第1磁石ペアである磁石ペア131を含んでいる。磁石群130は、間隔D1よりも広い第2間隔である間隔D2で隣り合って配置され、磁極面31の磁極が互いに異なる第2磁石ペアである磁石ペア132を含んでいる。磁石群130において、第1磁石ペアは、複数組存在し、その一例が磁石3010及び磁石3011からなる磁石ペア131である。磁石ペア132は、磁石30及び磁石30である。本実施形態では、磁石ペア131と磁石ペア132とは隣り合っている。 The magnet group 130 includes magnet pairs 131 which are first magnet pairs arranged adjacent to each other at a first interval D1 and having different magnetic poles on the magnetic pole faces 31 . The magnet group 130 includes magnet pairs 132 which are second magnet pairs arranged adjacent to each other at a distance D2, which is a second distance wider than the distance D1, and having different magnetic poles on the magnetic pole faces 31 . In the magnet group 130, there are a plurality of first magnet pairs, one example of which is the magnet pair 131 consisting of the magnets 30-10 and 30-11 . Magnet pair 132 is magnet 30-8 and magnet 30-9 . In this embodiment, the magnet pair 131 and the magnet pair 132 are adjacent to each other.

図3は、第1実施形態における磁石群130を説明するための図である。磁石ペア131において隣り合う磁石3010と磁石3011との極性は対極の関係にある。また、磁石ペア132において隣り合う磁石30と磁石30との極性は対極の関係にある。 FIG. 3 is a diagram for explaining the magnet group 130 in the first embodiment. The polarities of the magnets 30-10 and 30-11 adjacent to each other in the magnet pair 131 are opposite to each other. Also, the polarities of the magnets 308 and 309 adjacent to each other in the magnet pair 132 are opposite to each other.

磁石ペア131によって発生する磁束(磁気回路)をB1、磁石ペア132によって発生する磁束(磁気回路)をB2とする。図3において、磁束B1及びB2は、破線で示している。磁束B2は、磁石ペア132における磁石30と磁石30との間隔D2が間隔D1よりも広いため、磁束B1よりも低い密度で、かつ磁束B1よりも広範囲に広がる。従って、磁石ペア132は、磁石ペア131よりも吸引力が低くなるものの、磁石ペア132よりも広範囲に(つまり遠方に)所定力以上の吸引力が及ぶことになる。よって、磁石ペア132の磁束B2による吸引力は、遠方においては、磁石ペア131の磁束B1による吸引力よりも強く、逆に近傍では、磁石ペア131の磁束B1による吸引力よりも弱くなる。 The magnetic flux (magnetic circuit) generated by the magnet pair 131 is B1, and the magnetic flux (magnetic circuit) generated by the magnet pair 132 is B2. In FIG. 3, the magnetic fluxes B1 and B2 are indicated by dashed lines. The magnetic flux B2 has a lower density than the magnetic flux B1 and spreads over a wider range than the magnetic flux B1 because the distance D2 between the magnets 308 and 309 in the magnet pair 132 is wider than the distance D1. Therefore, the magnet pair 132 has a lower attractive force than the magnet pair 131 , but has an attractive force greater than or equal to a predetermined force over a wider range (that is, farther) than the magnet pair 132 . Therefore, the attractive force due to the magnetic flux B2 of the magnet pair 132 is stronger than the attractive force due to the magnetic flux B1 of the magnet pair 131 at a distance, and is weaker than the attractive force due to the magnetic flux B1 of the magnet pair 131 at a near distance.

磁石ペア132は、図2(b)に示すように、磁石ペア131に対して相対的に磁石群130における中央C1の側に位置しているのが好ましく、本実施形態では、中央C1を跨いで位置している。そして、本実施形態では、磁石ペア132は、複数の磁石30における配列パターンの中央部分P1(図2(a))に位置している。なお、図3に示す磁石ペア131と磁石ペア132との間隔D3は、間隔D1以上間隔D2以下の範囲内の間隔であり、本実施形態では、間隔D1と同じ間隔である。つまり、磁石30と磁石30との間隔のみD2であり、それ以外の2つの磁石の間隔はD1である。 As shown in FIG. 2B, the magnet pair 132 is preferably located on the center C1 side of the magnet group 130 relative to the magnet pair 131. In the present embodiment, the magnet pair 132 straddles the center C1. is located in In this embodiment, the magnet pair 132 is positioned at the central portion P1 (FIG. 2(a)) of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30. As shown in FIG. The distance D3 between the magnet pair 131 and the magnet pair 132 shown in FIG. 3 is within the range of the distance D1 or more and the distance D2 or less, and is the same distance as the distance D1 in this embodiment. That is, only the distance between the magnets 308 and 309 is D2, and the distance between the other two magnets is D1.

次に、図1に示す成膜装置100を用いてガラス基板5に成膜する成膜方法について説明する。まず、ガラス基板5をマスク6に載置する工程を説明する。ガラス基板5は、図1に示す基板保持部8に保持されているものとする。駆動部11により基板保持部8を駆動することにより、ガラス基板5とマスク6との位置合わせを行い、マスク6上にガラス基板5を載置する。ガラス基板5がマスク6上に載置された際に、ガラス基板5及びマスク箔6Aは、ガラス基板5の重量によって、すり鉢形状に撓む。ガラス基板5とマスク6とは、位置合わせが行われているため、ガラス基板5及びマスク箔6Aの撓み量は、ガラス基板5及びマスク箔6Aの中央部分で最大となる。 Next, a film forming method for forming a film on the glass substrate 5 using the film forming apparatus 100 shown in FIG. 1 will be described. First, the process of placing the glass substrate 5 on the mask 6 will be described. It is assumed that the glass substrate 5 is held by the substrate holding portion 8 shown in FIG. By driving the substrate holding unit 8 by the drive unit 11 , the glass substrate 5 and the mask 6 are aligned, and the glass substrate 5 is placed on the mask 6 . When the glass substrate 5 is placed on the mask 6 , the weight of the glass substrate 5 causes the glass substrate 5 and the mask foil 6</b>A to bend into a mortar shape. Since the glass substrate 5 and the mask 6 are aligned with each other, the amount of bending of the glass substrate 5 and the mask foil 6A is maximized at the central portion of the glass substrate 5 and the mask foil 6A.

マスク箔6A上にガラス基板5の載置が完了すると、駆動部16により基板押え部17の基板押えプレート20を水平状態に保持したまま、基板押え部17を所定の位置まで下降させ、基板押えプレート20をガラス基板5に接触させる。 When the placement of the glass substrate 5 on the mask foil 6A is completed, the driving section 16 lowers the substrate holding portion 17 to a predetermined position while holding the substrate holding plate 20 of the substrate holding portion 17 in a horizontal state. A plate 20 is brought into contact with the glass substrate 5 .

次に、マスク吸引機構14によるガラス基板5とマスク箔6Aとを密着させる工程について説明する。図4(a)、図4(b)、図4(c)、図5(a)、及び図5(b)は、第1実施形態に係る成膜方法の一部の工程を説明するための図である。図4(a)、図4(b)、図4(c)、図5(a)、及び図5(b)には、ヨーク29の下降を開始したときから、マスク箔6Aとガラス基板5とが密着するまでの工程を概略的に図示している。また、図4(a)、図4(b)、図4(c)、図5(a)、及び図5(b)には、複数の磁石30のうちの磁石群130を図示している。なお、図4(a)、図4(b)、図4(c)、図5(a)、及び図5(b)には、各磁石30が受ける吸引力を矢印で模式的に図示している。矢印の長さが所定力以上の吸引力の及ぶ範囲であり、矢印の太さがその吸引力の強さを示す。 Next, the process of bringing the glass substrate 5 and the mask foil 6A into close contact with each other by the mask suction mechanism 14 will be described. FIGS. 4(a), 4(b), 4(c), 5(a), and 5(b) are for explaining some steps of the film forming method according to the first embodiment. is a diagram. 4(a), 4(b), 4(c), 5(a), and 5(b), the mask foil 6A and the glass substrate 5 are separated from the time when the yoke 29 starts to descend. 4 schematically illustrates the process until the two come into close contact with each other. 4(a), 4(b), 4(c), 5(a), and 5(b) show the magnet group 130 of the plurality of magnets 30. . 4(a), 4(b), 4(c), 5(a), and 5(b) schematically show the attractive forces received by the magnets 30 with arrows. ing. The length of the arrow indicates the range of the suction force greater than or equal to the predetermined force, and the thickness of the arrow indicates the strength of the suction force.

図4(a)に示すように、基板押えプレート20は、ガラス基板5に接触しているが、ガラス基板5及びマスク6のマスク箔6Aは、すり鉢形状に撓んだ状態である。ヨーク29は、基板押えプレート20の上方において、所定の角度に傾斜させた状態で保持される。その際、マグネットユニット24は、ヨーク29の傾斜方向下端部が、マスク箔6Aの端部とX方向及びY方向において一致するように配置される。また、マグネットユニット24は、図2(a)の複数の磁石30における配列パターンの中央部分P1が、マスク箔6Aにおいて撓み量が最大となる部分に対応するように配置する。 As shown in FIG. 4(a), the substrate pressing plate 20 is in contact with the glass substrate 5, but the glass substrate 5 and the mask foil 6A of the mask 6 are bent in a mortar shape. The yoke 29 is held above the substrate holding plate 20 while being inclined at a predetermined angle. At that time, the magnet unit 24 is arranged so that the lower end portion of the yoke 29 in the inclination direction coincides with the end portion of the mask foil 6A in the X direction and the Y direction. Also, the magnet unit 24 is arranged so that the central portion P1 of the array pattern of the plurality of magnets 30 in FIG.

次に、図4(b)に示すように、ストッパ26が昇降ユニット22に係合した状態、即ちヨーク29の主面291が傾斜状態のまま、昇降ユニット22及びマグネットユニット24を下降させる。これにより、ヨーク29の傾斜方向下端部の近傍に位置する磁石30による吸引力が、マスク箔6AのX方向の一端部に作用する。そして、マグネットユニット24が徐々に下降するに従って、磁石30、磁石30、…の順に、上端部側に向かって順次、吸引力がマスク箔6Aに作用する。これにより、マスク箔6AのX方向の一端部から一部分ずつ他端部に向かって、マスク箔6Aが徐々にマグネットユニット24に吸引される。 Next, as shown in FIG. 4B, the lifting unit 22 and the magnet unit 24 are lowered while the stopper 26 is engaged with the lifting unit 22, that is, with the main surface 291 of the yoke 29 being inclined. As a result, the attractive force of the magnet 301 positioned near the lower end of the yoke 29 in the tilt direction acts on one end of the mask foil 6A in the X direction. Then, as the magnet unit 24 gradually descends, the magnet 30 2 , the magnet 30 3 , . As a result, the mask foil 6A is gradually attracted to the magnet unit 24 from one end of the mask foil 6A in the X direction toward the other end.

このとき、マスク箔6Aがマグネットユニット24に吸引されることで、ガラス基板5もマスク箔6Aに押し上げられて、基板押えプレート20に密着する。更に、本実施形態では、ヨーク29の中央部分に位置する磁石30及び磁石30による磁気回路が遠方に形成されるため、マスク箔6Aの中央部分も吸引される。このように、マスク箔6Aの中央部分とガラス基板5の中央部分とが密着するとともに、マスク箔6Aの一端部から他端部にかけて撓みが均されながら一部ずつ徐々にマスク箔6Aとガラス基板5との密着領域が広がっていく。 At this time, since the mask foil 6A is attracted to the magnet unit 24, the glass substrate 5 is also pushed up by the mask foil 6A and brought into close contact with the substrate holding plate 20. As shown in FIG. Furthermore, in this embodiment, since the magnets 30-8 and 30-9 located in the central portion of the yoke 29 form a magnetic circuit at a distance, the central portion of the mask foil 6A is also attracted. In this manner, the central portion of the mask foil 6A and the central portion of the glass substrate 5 are brought into close contact with each other, and the mask foil 6A and the glass substrate are gradually separated from one end of the mask foil 6A to the other end while the flexure of the mask foil 6A is evened out. The contact area with 5 spreads.

X方向の一端部から他端部に向かってマスク箔6Aの撓みが均される途中で、既にマスク箔6Aの中央部分とガラス基板5の中央部分とが密着している場合があるが、中央部分に位置する磁石30及び磁石30による吸引力は他の磁石に比べて相対的に弱い。そのため、更に昇降ユニット22を下降させることで、図4(c)に示すように、まわりの磁石による吸引力に押されてマスク箔6Aの撓みが解消され、マスク箔6Aがガラス基板5に密着する。 In some cases, the central portion of the mask foil 6A and the central portion of the glass substrate 5 are already in close contact while the mask foil 6A is being flattened from one end in the X direction to the other end. The attraction force by magnets 30-8 and 30-9 located in the part is relatively weak compared to other magnets. Therefore, by further lowering the elevating unit 22, as shown in FIG. 4(c), the mask foil 6A is pushed by the attractive force of the surrounding magnets, and the bending of the mask foil 6A is eliminated, and the mask foil 6A adheres to the glass substrate 5. do.

図4(c)に示すようにストッパ27が突き当てブロック23に接触した後、さらに昇降ユニット22を下降させることで、図5(a)に示すように、ストッパ26と昇降ユニット22とが離間してヨーク29が軸25を中心に回動する。これにより、ヨーク29の主面291の傾斜角度が徐々に小さくなる。マスク箔6Aとガラス基板5との密着が完了していない中央部から他端部にかけた部分についても、マスク箔6Aの撓みが解消されて、ガラス基板5とマスク箔6Aとの密着領域が徐々に増加する。 After the stopper 27 comes into contact with the abutment block 23 as shown in FIG. 4(c), the lifting unit 22 is further lowered, so that the stopper 26 and the lifting unit 22 are separated from each other as shown in FIG. 5(a). As a result, the yoke 29 rotates around the shaft 25 . As a result, the inclination angle of the main surface 291 of the yoke 29 gradually decreases. In the portion from the central portion to the other end where the mask foil 6A and the glass substrate 5 are not completely in close contact with each other, the bending of the mask foil 6A is eliminated, and the contact area between the glass substrate 5 and the mask foil 6A gradually expands. increase to

さらに昇降ユニット22を下降させることで、図5(b)に示すように、主面291が傾斜状態から水平状態となる。昇降ユニット22が所定の位置まで下降して主面291が水平状態となると、マスク箔6Aとヨーク29の主面291とが平行な状態となる。これにより、マスク箔6Aの全面がガラス基板5に密着する。 By further lowering the lifting unit 22, the main surface 291 changes from the inclined state to the horizontal state as shown in FIG. 5(b). When the lifting unit 22 descends to a predetermined position and the main surface 291 becomes horizontal, the mask foil 6A and the main surface 291 of the yoke 29 become parallel. As a result, the entire surface of the mask foil 6A is brought into close contact with the glass substrate 5. Next, as shown in FIG.

第1実施形態によれば、磁石ペア132における2つの磁石同士の間隔D2が、磁石ペア131における磁石同士の間隔D1よりも広い。したがって、磁石ペア132の各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲が、磁石ペア131の各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲よりも広くなる。これにより、マスク6をガラス基板5に密着させる際に、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分の底部に、磁石ペア132の各磁石による吸引力が及ぶ。よって、すり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 According to the first embodiment, the distance D2 between the two magnets in the magnet pair 132 is wider than the distance D1 between the magnets in the magnet pair 131 . Therefore, the range over which each magnet of the magnet pair 132 exerts an attractive force greater than or equal to a predetermined force is wider than the range over which each magnet of the magnet pair 131 exerts an attractive force greater than or equal to a predetermined force. As a result, when the mask 6 is brought into close contact with the glass substrate 5 , the attractive force of each magnet of the magnet pair 132 reaches the bottom of the portion of the mask 6 that is bent in the shape of a mortar. Therefore, it is possible to effectively suck the mortar-shaped bent portion, and to prevent the mask 6 from remaining bent.

また、マスク6においてすり鉢状に撓むのは、中央部分であるため、磁石ペア132は、マスク6の中央部分に近いほどよい。よって、磁石ペア132は、磁石ペア131に対して相対的に磁石群130における中央C1の側に位置しているのが好ましい。第1実施形態では、磁石ペア132は、複数の磁石30における配列パターンの中央部分P1に位置している。このように、マスク6の中央部分に対応する箇所に、磁石ペア132を配置することで、より効果的にマスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 Moreover, since it is the central portion of the mask 6 that bends like a mortar, the closer the magnet pair 132 is to the central portion of the mask 6 the better. Therefore, the magnet pair 132 is preferably located on the center C1 side of the magnet group 130 relative to the magnet pair 131 . In the first embodiment, the magnet pair 132 is located in the central portion P1 of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30. As shown in FIG. By arranging the magnet pair 132 at a location corresponding to the central portion of the mask 6 in this way, it is possible to more effectively prevent the residual deflection of the mask 6 .

なお、磁石群130に配列方向A1に隣接する磁石群も、不図示ではあるが、磁石群130と同様の構成としてもよい。 A magnet group adjacent to the magnet group 130 in the arrangement direction A1 may also have the same configuration as the magnet group 130, although not shown.

[第2実施形態]
第2実施形態の成膜装置について説明する。図6(a)は、第2実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図6(b)は、図6(a)のVIB-VIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第2実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第2実施形態のマグネットユニット24Aについて具体的に説明する。
[Second embodiment]
A film forming apparatus according to the second embodiment will be described. FIG. 6(a) is a plan view of a magnet unit according to the second embodiment. FIG. 6(b) is a sectional view of the magnet unit taken along line VIB--VIB in FIG. 6(a). In the film forming apparatus of the second embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The magnet unit 24A of the second embodiment will be specifically described below.

ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Aが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Aは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。 A main surface 291 of the yoke 29 is provided with a plurality of magnets 30A. A main surface 291 of the yoke 29 has a rectangular shape and is approximately the same size as the mask foil 6A shown in FIG. The plurality of magnets 30A are arranged in a matrix in an arrangement direction A1 parallel to an imaginary axis L1 that is the center of rotation and an arrangement direction A2 perpendicular to the arrangement direction A1 along the main surface 291. ing.

各磁石30Aは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31A及び32Aを有する。即ち、一対の磁極面31A及び32Aのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30Aは、平面視矩形状であり、互いに同じ磁力のものである。各磁石30Aの磁極面32Aがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Aが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Aは、所定方向である配列方向A1に磁極面31Aの磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。なお、複数の磁石30Aは、配列方向A2に磁極面31Aの磁極が同極となるように配列されている。磁極面31Aの磁極がS極となる磁石30Aと、磁極面31Aの磁極がN極となる磁石30Aとが配列方向A1に交互に配置されているので、配列方向A1に隣り合う2つの磁石30Aで磁気回路が形成される。なお、図6(a)では、配列方向A2において同極の磁石同士が連結されているが、これに限定するものではなく、同極の磁石同士が配列方向A2に間隔をあけて配置されていてもよい。 Each magnet 30A is a permanent magnet, and has a pair of magnetic pole faces 31A and 32A whose magnetic poles are S poles or N poles. That is, if the magnetic pole of one of the pair of magnetic pole faces 31A and 32A is the S pole, the magnetic pole of the other magnetic pole face is the N pole. In this embodiment, each magnet 30A is rectangular in plan view and has the same magnetic force. The pole face 32A of each magnet 30A is attached to the major surface 291 of the yoke 29, with the opposite pole face 31A facing outward. In this embodiment, the plurality of magnets 30A are arranged such that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31A alternate between N poles and S poles in the arrangement direction A1, which is a predetermined direction. The plurality of magnets 30A are arranged so that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31A are of the same polarity in the arrangement direction A2. Since the magnets 30A whose magnetic pole on the magnetic pole surface 31A is the S pole and the magnets 30A whose magnetic pole on the magnetic pole surface 31A is the N pole are alternately arranged in the arrangement direction A1, two magnets 30A adjacent to each other in the arrangement direction A1 are arranged. A magnetic circuit is formed at In FIG. 6A, magnets of the same polarity are connected to each other in the arrangement direction A2, but the present invention is not limited to this, and magnets of the same polarity are arranged at intervals in the arrangement direction A2. may

図6(a)及び図6(b)には、磁極面31AがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31AがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図6(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Aにおける配列パターンの中央部分P2が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。 In FIGS. 6(a) and 6(b), the magnets whose magnetic pole faces 31A serve as N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31A serve as S poles are shown by diagonal hatching. A central portion P2 of the array pattern of the plurality of magnets 30A, which is surrounded by a two-dot chain line in FIG. part.

複数の磁石30Aのうち、配列方向A2の中央に位置する磁石群130Aについて説明する。図6(b)には、磁石群130Aにおける断面を図示している。複数の磁石30Aは、配列方向A2の中央に位置する磁石群130Aを含む。磁石群130Aは、配列方向A1に配列された複数の磁石30A~30A12からなる。図6(b)では、磁石30A、30A、30A、30A、30A、及び30A11の磁極面31AがN極である。磁石30A、30A、30A、30A、30A10、及び30A12の磁極面31AがS極である。このように、磁石群130Aにおいて配列方向A1に磁極面31Aの磁極がS極とN極とで互い違いとなるように配列されている。なお、磁石群130Aにおいて、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。 Among the plurality of magnets 30A, the magnet group 130A located at the center in the arrangement direction A2 will be described. FIG. 6B shows a cross section of the magnet group 130A. The multiple magnets 30A include a magnet group 130A located in the center in the arrangement direction A2. The magnet group 130A is composed of a plurality of magnets 30A 1 to 30A 12 arranged in the arrangement direction A1. In FIG. 6(b), the magnetic pole faces 31A of the magnets 30A 1 , 30A 3 , 30A 5 , 30A 7 , 30A 9 and 30A 11 are north poles. Magnetic pole faces 31A of magnets 30A 2 , 30A 4 , 30A 6 , 30A 8 , 30A 10 and 30A 12 are south poles. Thus, in the magnet group 130A, the magnetic poles of the magnetic pole faces 31A are arranged so that the S poles and the N poles are alternately arranged in the arrangement direction A1. In addition, in the magnet group 130A, there may be a part of the arrangement in which the magnetic poles of the magnetic pole faces of the adjacent magnets are of the same polarity.

磁石群130Aは、第1間隔である間隔D21で隣り合って配置され、磁極面31Aの磁極が互いに異なる第1磁石ペアである磁石ペア131Aを含んでいる。また、磁石群130Aは、間隔D21よりも広い第2間隔である間隔D22で隣り合って配置され、磁極面31Aの磁極が互いに異なる第2磁石ペアである磁石ペア132Aを含んでいる。磁石群130Aにおいて、第1磁石ペアは、複数組存在し、その一例が磁石30A及び磁石30Aからなる磁石ペア131Aである。磁石ペア132Aは、磁石30A及び磁石30Aである。本実施形態では、磁石ペア131Aと磁石ペア132Aとは隣り合っており、その間隔は、間隔D21以上間隔D22以下が好ましく、例えば間隔D21である。 The magnet group 130A includes magnet pairs 131A, which are first magnet pairs arranged adjacent to each other at a first interval D21 and having different magnetic poles on the magnetic pole faces 31A. Also, the magnet group 130A includes a magnet pair 132A, which is a second magnet pair arranged adjacent to each other with a second spacing D22 wider than the spacing D21 and having different magnetic poles on the magnetic pole faces 31A. In the magnet group 130A, there are a plurality of first magnet pairs, one example of which is a magnet pair 131A consisting of magnets 30A- 8 and 30A- 9 . Magnet pair 132A is magnet 30A 6 and magnet 30A 7 . In this embodiment, the magnet pair 131A and the magnet pair 132A are adjacent to each other, and the distance therebetween is preferably D21 or more and D22 or less, for example, D21.

磁石ペア132Aは、図6(b)に示すように、磁石ペア131Aに対して相対的に磁石群130Aにおける中央C2の側に位置しているのが好ましく、本実施形態では、中央C2を跨いで位置している。そして、本実施形態では、磁石ペア132Aは、複数の磁石30Aにおける配列パターンの中央部分P2(図6(a))に位置している。 As shown in FIG. 6B, the magnet pair 132A is preferably located on the center C2 side of the magnet group 130A relative to the magnet pair 131A. is located in In this embodiment, the magnet pair 132A is located in the central portion P2 (FIG. 6(a)) of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30A.

第2実施形態によれば、磁石ペア132Aにおける2つの磁石同士の間隔D22が、磁石ペア131Aにおける磁石同士の間隔D21よりも広い。したがって、磁石ペア132Aの各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲が、磁石ペア131Aの各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲よりも広くなる。これにより、図1のマスク6をガラス基板5に密着させる際に、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分の底部に、磁石ペア132Aの各磁石による吸引力が及ぶ。よって、すり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 According to the second embodiment, the interval D22 between the two magnets in the magnet pair 132A is wider than the interval D21 between the magnets in the magnet pair 131A. Therefore, the range over which each magnet of the magnet pair 132A exerts an attractive force greater than or equal to a predetermined force is wider than the range over which each magnet of the magnet pair 131A exerts an attractive force greater than or equal to a predetermined force. As a result, when the mask 6 of FIG. 1 is brought into close contact with the glass substrate 5, the attraction force of each magnet of the magnet pair 132A reaches the bottom of the portion of the mask 6 that is bent into a mortar shape. Therefore, it is possible to effectively suck the mortar-shaped bent portion, and to prevent the mask 6 from remaining bent.

また、マスク6においてすり鉢状に撓むのは、中央部分であるため、磁石ペア132Aは、マスク6の中央部分に近いほどよい。よって、磁石ペア132Aは、磁石ペア131Aに対して相対的に磁石群130Aにおける中央C2の側に位置しているのが好ましい。第2実施形態では、磁石ペア132Aは、複数の磁石30Aにおける配列パターンの中央部分P2に位置している。このように、マスク6の中央部分に対応する箇所に、磁石ペア132Aを配置することで、より効果的にマスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 Moreover, since it is the central portion of the mask 6 that bends like a mortar, the closer the magnet pair 132A is to the central portion of the mask 6, the better. Therefore, it is preferable that the magnet pair 132A be located on the center C2 side of the magnet group 130A relative to the magnet pair 131A. In the second embodiment, the magnet pair 132A is located in the central portion P2 of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30A. By arranging the magnet pair 132A at a location corresponding to the central portion of the mask 6 in this way, it is possible to more effectively prevent the mask 6 from remaining flexed.

なお、磁石群130Aに配列方向A2に隣接する磁石群も、磁石群130Aと同様の構成としてもよく、図6(a)では、磁石群130Aと同様の構成となっている。 A magnet group adjacent to the magnet group 130A in the arrangement direction A2 may also have the same configuration as the magnet group 130A, and in FIG. 6A, has the same configuration as the magnet group 130A.

[第3実施形態]
第3実施形態の成膜装置について説明する。図7(a)は、第3実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図7(b)は、図7(a)のVIIB-VIIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第3実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第3実施形態のマグネットユニット24Bについて具体的に説明する。
[Third embodiment]
A film forming apparatus according to the third embodiment will be described. FIG. 7(a) is a plan view of a magnet unit according to the third embodiment. FIG. 7(b) is a sectional view of the magnet unit taken along line VIIB--VIIB in FIG. 7(a). In the film forming apparatus of the third embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The magnet unit 24B of the third embodiment will be specifically described below.

ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Bが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Bは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。 A main surface 291 of the yoke 29 is provided with a plurality of magnets 30B. A main surface 291 of the yoke 29 has a rectangular shape and is approximately the same size as the mask foil 6A shown in FIG. The plurality of magnets 30B are arranged in a matrix in an arrangement direction A1 parallel to an imaginary axis L1 that is the center of rotation and an arrangement direction A2 perpendicular to the arrangement direction A1 along the main surface 291. ing.

各磁石30Bは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31B及び32Bを有する。即ち、一対の磁極面31B及び32Bのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30Bは、平面視矩形状であり、互いに同じ磁力のものである。各磁石30Bの磁極面32Bがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Bが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Bは、所定方向である配列方向A1と配列方向A2に磁極面31Bの磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。即ち、複数の磁石30Bは、磁極面31Bの磁極がN極とS極とで千鳥状となるように配列されている。磁極面31Bの磁極がS極となる磁石30Bと、磁極面31Bの磁極がN極となる磁石30Bとが配列方向A1及びA2に交互に配置されているので、配列方向A1又は配列方向A2に隣り合う2つの磁石30Bで磁気回路が形成される。 Each magnet 30B is a permanent magnet and has a pair of magnetic pole faces 31B and 32B with magnetic poles as S poles or N poles. That is, if the magnetic pole of one of the pair of magnetic pole faces 31B and 32B is the S pole, the magnetic pole of the other magnetic pole face is the N pole. In this embodiment, each magnet 30B is rectangular in plan view and has the same magnetic force. The pole face 32B of each magnet 30B is attached to the main face 291 of the yoke 29, with the opposite pole face 31B facing outward. In this embodiment, the plurality of magnets 30B are arranged so that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31B alternate between the N poles and the S poles in the arrangement direction A1 and the arrangement direction A2, which are predetermined directions. That is, the plurality of magnets 30B are arranged so that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31B are arranged in a zigzag pattern with N poles and S poles. Since the magnet 30B whose magnetic pole on the magnetic pole surface 31B is the S pole and the magnet 30B whose magnetic pole on the magnetic pole surface 31B is the N pole are alternately arranged in the arranging directions A1 and A2, A magnetic circuit is formed by two adjacent magnets 30B.

図7(a)及び図7(b)には、磁極面31BがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31BがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図7(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Bにおける配列パターンの中央部分P3が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。 In FIGS. 7(a) and 7(b), the magnets whose magnetic pole faces 31B are N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31B are S poles are shown by diagonal hatching. The central portion P3 of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30B, which is surrounded by a two-dot chain line in FIG. 7A, corresponds to the bottom portion of the mortar-shaped bent portions of the glass substrate 5 and the mask 6 shown in FIG. part.

複数の磁石30Bのうち、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Bについて説明する。図7(b)には、磁石群130Bにおける断面を図示している。複数の磁石30Bは、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Bを含む。磁石群130Bは、第1実施形態で説明した磁石群130の配列と同様であり、磁石ペア131と、磁石ペア132とを含む。なお、磁石群130Bにおいて、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。 Among the plurality of magnets 30B, the magnet group 130B located at the center in the arrangement direction A1 will be described. FIG. 7B shows a cross section of the magnet group 130B. The multiple magnets 30B include a magnet group 130B located in the center in the arrangement direction A1. The magnet group 130B has the same arrangement as the magnet group 130 described in the first embodiment, and includes a magnet pair 131 and a magnet pair 132 . In addition, in the magnet group 130B, there may be a part of the arrangement in which the magnetic poles of the magnetic pole faces of the adjacent magnets are of the same polarity.

したがって、第3実施形態によれば、第1実施形態と同様、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 Therefore, according to the third embodiment, similarly to the first embodiment, the portion of the mask 6 that is bent in the shape of a mortar can be effectively sucked, and the remaining bending of the mask 6 can be prevented. can.

なお、磁石群130Bに配列方向A1に隣接する磁石群も、不図示ではあるが、磁石群130Bと同様の構成としてもよい。 Although not shown, a magnet group adjacent to the magnet group 130B in the arrangement direction A1 may also have the same configuration as the magnet group 130B.

[第4実施形態]
第4実施形態の成膜装置について説明する。図8(a)は、第4実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図8(b)は、図8(a)のVIIIB-VIIIB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第4実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第4実施形態のマグネットユニット24Cについて具体的に説明する。
[Fourth Embodiment]
A film forming apparatus according to the fourth embodiment will be described. FIG. 8(a) is a plan view of a magnet unit according to the fourth embodiment. FIG. 8(b) is a sectional view of the magnet unit taken along line VIIIB-VIIIB in FIG. 8(a). In the film forming apparatus of the fourth embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The magnet unit 24C of the fourth embodiment will be specifically described below.

ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Cが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Cは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。 A main surface 291 of the yoke 29 is provided with a plurality of magnets 30C. A main surface 291 of the yoke 29 has a rectangular shape and is approximately the same size as the mask foil 6A shown in FIG. The plurality of magnets 30C are arranged in a matrix in an arrangement direction A1 that is parallel to a virtual axis L1 that is a rotation center and an arrangement direction A2 that is perpendicular to the arrangement direction A1 along the main surface 291. ing.

各磁石30Cは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31C及び32Cを有する。即ち、一対の磁極面31C及び32Cのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30Cは、平面視矩形状であり、互いに同じ大きさのものである。各磁石30Cの磁極面32Cがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Cが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Cは、所定方向である配列方向A2に磁極面31Cの磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。なお、複数の磁石30Cは、配列方向A1に磁極面31Cの磁極が同極となるように配列されている。磁極面31Cの磁極がS極となる磁石30Cと、磁極面31Cの磁極がN極となる磁石30Cとが配列方向A2に交互に配置されているので、配列方向A2に隣り合う2つの磁石30Cで磁気回路が形成される。なお、図8(a)では、配列方向A1において同極の磁石同士が連結されているが、これに限定するものではなく、同極の磁石同士が配列方向A2に間隔をあけて配置されていてもよい。 Each magnet 30C is a permanent magnet and has a pair of magnetic pole faces 31C and 32C with magnetic poles as S or N poles. That is, if the magnetic pole of one of the pair of magnetic pole faces 31C and 32C is the S pole, the magnetic pole of the other magnetic pole face is the N pole. In this embodiment, each magnet 30C has a rectangular shape in a plan view and has the same size. The pole face 32C of each magnet 30C is attached to the major surface 291 of the yoke 29, with the opposite pole face 31C facing outward. In this embodiment, the plurality of magnets 30C are arranged so that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31C alternate between N poles and S poles in the arrangement direction A2, which is a predetermined direction. The plurality of magnets 30C are arranged so that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31C are of the same polarity in the arrangement direction A1. Since the magnet 30C whose magnetic pole on the magnetic pole surface 31C is the S pole and the magnet 30C whose magnetic pole on the magnetic pole surface 31C is the N pole are alternately arranged in the arrangement direction A2, two magnets 30C adjacent to each other in the arrangement direction A2 are arranged. A magnetic circuit is formed at In FIG. 8A, the magnets with the same polarity are connected in the arrangement direction A1, but the magnets with the same polarity are arranged with a gap in the arrangement direction A2. may

図8(a)及び図8(b)には、磁極面31CがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31CがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図8(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Cにおける配列パターンの中央部分P4が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。 In FIGS. 8(a) and 8(b), the magnets whose magnetic pole faces 31C are N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31C are S poles are shown by diagonal hatching. A center portion P4 of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30C, which is surrounded by a two-dot chain line in FIG. 8A, corresponds to the bottom portion of the mortar-shaped bent portions of the glass substrate 5 and the mask 6 shown in FIG. part.

複数の磁石30Cのうち、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Cについて説明する。図8(b)には、磁石群130Cにおける断面を図示している。複数の磁石30Cは、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Cを含む。磁石群130Cは、配列方向A2に配列された複数の磁石30C~30C18からなる。図8(b)では、磁石30C、30C、30C、30C、30C、30C11、30C13、30C15、及び30C17の磁極面31CがS極である。磁石30C、30C、30C、30C、30C10、30C1230C14、30C16、及び30C18の磁極面31CがN極である。このように、磁石群130Cにおいて配列方向A2に磁極面31Cの磁極がS極とN極とで互い違いとなるように配列されている。なお、磁石群130Cにおいて、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。 Among the plurality of magnets 30C, the magnet group 130C located at the center in the arrangement direction A1 will be described. FIG. 8B shows a cross section of the magnet group 130C. The multiple magnets 30C include a magnet group 130C located in the center in the arrangement direction A1. The magnet group 130C consists of a plurality of magnets 30C 1 to 30C 18 arranged in the arrangement direction A2. In FIG. 8(b), magnetic pole faces 31C of magnets 30C1 , 30C3 , 30C5 , 30C7 , 30C9 , 30C11 , 30C13 , 30C15 , and 30C17 are south poles. Magnetic pole faces 31C of magnets 30C2 , 30C4 , 30C6 , 30C8 , 30C10 , 30C12 , 30C14 , 30C16 , and 30C18 are north poles. Thus, in the magnet group 130C, the magnetic poles of the magnetic pole faces 31C are arranged so that the S poles and the N poles are alternately arranged in the arrangement direction A2. In addition, in the magnet group 130C, there may be a part of the arrangement in which the magnetic poles of the magnetic pole faces of the adjacent magnets are of the same polarity.

磁石群130Cは、第1磁力F1である第3磁石ペアである磁石ペア133Cを含んでいる。また、磁石群130Cは、第1磁力F1よりも弱い第2磁力F2である第4磁石ペアである磁石ペア134Cを含んでいる。磁石ペア133Cは、磁石30C及び磁石30C11である。磁石30C及び磁石30C11は、磁極面31Cの磁極が互いに異なるものである。磁石ペア134Cは、磁石30C及び磁石30C10である。磁石30C及び磁石30C10は、磁極面31Cの磁極が互いに異なるものである。磁石30Cと磁石30C10とは、配列方向A2に隣り合って配置されている。磁石30Cと磁石30C11とは、磁石ペア134Cを挟んで配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Cにおいて、磁石30C及び磁石30C10以外の磁石は、全て第1磁力である。なお、隣り合う磁石30C12と磁石30C13とで、第1実施形態で説明した磁石ペア131(図3)と同様の構成の磁石ペア135Cとなる。磁石の磁力は、例えばガウスメータで測定可能である。第2磁力F2は、第1磁力F1の1/2以下であるのが好ましい。更に、第2磁力F2は、第1磁力F1の1/3以下であるのが好ましい。 The magnet group 130C includes a magnet pair 133C, which is the third magnet pair having the first magnetic force F1. The magnet group 130C also includes a magnet pair 134C, which is a fourth magnet pair having a second magnetic force F2 weaker than the first magnetic force F1. Magnet pair 133C is magnet 30C8 and magnet 30C11 . The magnets 30C- 8 and 30C- 11 have different magnetic poles on the pole faces 31C. Magnet pair 134C is magnet 30C9 and magnet 30C10. The magnets 30C9 and 30C10 differ from each other in the magnetic poles of the magnetic pole faces 31C. The magnets 30C9 and 30C10 are arranged adjacent to each other in the arrangement direction A2. Magnet 30C8 and magnet 30C11 are arranged with magnet pair 134C interposed therebetween. In the present embodiment, among the plurality of magnets 30C, all magnets other than the magnets 30C9 and 30C10 have the first magnetic force. The adjacent magnets 30C12 and 30C13 form a magnet pair 135C having the same configuration as the magnet pair 131 (FIG. 3) described in the first embodiment. The magnetic force of a magnet can be measured, for example, with a gaussmeter. The second magnetic force F2 is preferably half or less than the first magnetic force F1. Furthermore, the second magnetic force F2 is preferably 1/3 or less of the first magnetic force F1.

このように、磁石30Cと磁石30C11との間に磁力の弱い磁石30C及び磁石30C10が配置されている。磁石30Cと磁石30C11と磁石ペア133Cで形成される磁束(磁気回路)は、第1実施形態で説明した磁石ペア132(図3)と同様、広範囲に広がり、所定力以上の吸引力が広範囲に及ぶことになる。よって、磁石ペア134Cの磁気回路による吸引力は、遠方においては、磁石ペア135Cの磁気回路による吸引力よりも強く、逆に近傍では、磁石ペア135Cの磁気回路による吸引力よりも弱くなる。 In this manner, the magnets 30C9 and 30C10 having weaker magnetic forces are arranged between the magnets 30C8 and 30C11 . The magnetic flux (magnetic circuit) formed by the magnets 30C8 , 30C11 , and the magnet pair 133C spreads over a wide range, and the attractive force of a predetermined force or more is generated as in the case of the magnet pair 132 (FIG. 3) described in the first embodiment. It will be wide-ranging. Therefore, the attractive force by the magnetic circuit of the magnet pair 134C is stronger than the attractive force by the magnetic circuit of the magnet pair 135C in the distance, and is weaker than the attractive force by the magnetic circuit of the magnet pair 135C in the vicinity.

磁石ペア134Cは、図8(b)に示すように、中央C4を跨いで位置している。そして、本実施形態では、磁石ペア134Cは、複数の磁石30Cにおける配列パターンの中央部分P4(図8(a))に位置している。 The magnet pair 134C is positioned across the center C4 as shown in FIG. 8(b). In this embodiment, the magnet pair 134C is positioned at the central portion P4 (FIG. 8A) of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30C.

第4実施形態によれば、第1実施形態と同様、磁石ペア133Cの各磁石により所定力以上の吸引力の及ぶ範囲が広くなる。これにより、マスク6をガラス基板5に密着させる際に、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分の底部に、磁石ペア133Cの各磁石による吸引力が及ぶ。よって、すり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 According to the fourth embodiment, as in the first embodiment, each magnet of the magnet pair 133C widens the range where the attractive force equal to or greater than the predetermined force reaches. As a result, when the mask 6 is brought into close contact with the glass substrate 5 , the attractive force of each magnet of the magnet pair 133</b>C reaches the bottom of the portion of the mask 6 that is bent in the shape of a mortar. Therefore, it is possible to effectively suck the mortar-shaped bent portion, and to prevent the mask 6 from remaining bent.

また、マスク6においてすり鉢状に撓むのは、中央部分であるため、磁石ペア133Cは、マスク6の中央部分に近いほどよい。よって、第4実施形態では、磁石ペア133Cによって挟まれる磁石ペア134Cは、複数の磁石30Cにおける配列パターンの中央部分P4に位置している。このように、マスク6の中央部分に対応する箇所に、磁石ペア134Cを配置することで、より効果的にマスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 Moreover, since it is the central portion of the mask 6 that bends like a mortar, the closer the magnet pair 133C is to the central portion of the mask 6, the better. Therefore, in the fourth embodiment, the magnet pair 134C sandwiched between the magnet pairs 133C is positioned at the central portion P4 of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30C. By arranging the magnet pair 134</b>C at a location corresponding to the central portion of the mask 6 in this way, it is possible to more effectively prevent the remaining deflection of the mask 6 .

なお、磁石群130Cに配列方向A1に隣接する磁石群も、不図示ではあるが、磁石群130Cと同様の構成としてもよい。 Although not shown, a magnet group adjacent to the magnet group 130C in the arrangement direction A1 may also have the same configuration as the magnet group 130C.

[第5実施形態]
第5実施形態の成膜装置について説明する。図9(a)は、第5実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図9(b)は、図9(a)のIXB-IXB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第5実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第5実施形態のマグネットユニット24Dについて具体的に説明する。
[Fifth embodiment]
A film forming apparatus according to the fifth embodiment will be described. FIG. 9(a) is a plan view of a magnet unit according to the fifth embodiment. FIG. 9(b) is a sectional view of the magnet unit taken along line IXB-IXB in FIG. 9(a). In the film forming apparatus of the fifth embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The magnet unit 24D of the fifth embodiment will be specifically described below.

ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Dが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Dは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。 A main surface 291 of the yoke 29 is provided with a plurality of magnets 30D. A main surface 291 of the yoke 29 has a rectangular shape and is approximately the same size as the mask foil 6A shown in FIG. The plurality of magnets 30D are arranged in a matrix in an arrangement direction A1 parallel to an imaginary axis L1 that is the center of rotation and an arrangement direction A2 perpendicular to the arrangement direction A1 along the main surface 291. ing.

各磁石30Dは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31D及び32Dを有する。即ち、一対の磁極面31D及び32Dのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。各磁石30Dの磁極面32Dがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Dが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Dは、配列方向A2に磁極面31Dの磁極が同極となるように配列されている。各磁石30Dは、平面視矩形状である。 Each magnet 30D is a permanent magnet, and has a pair of magnetic pole faces 31D and 32D whose magnetic poles are S poles or N poles. That is, if the magnetic pole of one of the pair of magnetic pole faces 31D and 32D is the S pole, the magnetic pole of the other magnetic pole face is the N pole. The pole face 32D of each magnet 30D is attached to the main face 291 of the yoke 29, with the opposite pole face 31D facing outward. In this embodiment, the plurality of magnets 30D are arranged such that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31D are of the same polarity in the arrangement direction A2. Each magnet 30D has a rectangular shape in plan view.

図9(a)及び図9(b)には、磁極面31DがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31DがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図9(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Dにおける配列パターンの中央部分P5が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。 In FIGS. 9(a) and 9(b), the magnets whose magnetic pole faces 31D are N poles are shown by shading, and the magnets whose magnetic pole faces 31D are S poles are shown by diagonal hatching. A center portion P5 of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30D, which is surrounded by a two-dot chain line in FIG. 9A, corresponds to the bottom portion of the mortar-shaped bent portions of the glass substrate 5 and the mask 6 shown in FIG. part.

複数の磁石30Dのうち、配列方向A2の中央に位置する磁石群130Dについて説明する。図9(b)には、磁石群130Dにおける断面を図示している。複数の磁石30Dは、配列方向A2の中央に位置する磁石群130Dを含む。磁石群130Dは、配列方向A1に配列された複数の磁石30D~30D14からなる。図9(b)では、磁石30D、30D、30D、30D、30D、30D11、及び30D13の磁極面31DがN極であり、磁石30D、30D、30D、30D、30D10、30D12、及び30D14の磁極面31DがS極である。磁石群130Dにおいて、隣り合う磁石の磁極面の磁極が同極となる配列が一部存在していてもよい。本実施形態では、隣り合う磁石30Dと磁石30Dの磁極面31Dが同極となる配列であり、隣り合う磁石30Dと磁石30Dの磁極面31Dが同極となる配列である。磁石群130Dにおいて、これら以外の隣り合う2つの磁石の磁極面の磁極は、互いに異なる。なお、磁石群130Dにおいて配列方向A1に磁極面31Dの磁極がS極とN極とで互い違いとなるように配列されていてもよい。 Among the plurality of magnets 30D, the magnet group 130D located at the center in the arrangement direction A2 will be described. FIG. 9(b) shows a cross section of the magnet group 130D. The multiple magnets 30D include a magnet group 130D located in the center in the arrangement direction A2. The magnet group 130D is composed of a plurality of magnets 30D 1 to 30D 14 arranged in the arrangement direction A1. In FIG. 9B, the magnetic pole faces 31D of magnets 30D 1 , 30D 3 , 30D 5 , 30D 8 , 30D 9 , 30D 11 , and 30D 13 are north poles, and magnets 30D 2 , 30D 4 , 30D 6 , 30D 7 , 30D 10 , 30D 12 and 30D 14 are south poles. In the magnet group 130D, there may be a partial arrangement in which the magnetic pole faces of adjacent magnets have the same polarity. In this embodiment, the magnetic pole faces 31D of the adjacent magnets 30D- 6 and 30D- 7 are arranged to have the same polarity, and the magnetic pole faces 31D of the adjacent magnets 30D- 8 and 30D- 9 are arranged to have the same polarity. In the magnet group 130D, the magnetic poles of the magnetic pole faces of the other two adjacent magnets are different from each other. In the magnet group 130D, the magnetic poles of the magnetic pole surface 31D may be arranged so that the S poles and the N poles are alternately arranged in the arrangement direction A1.

磁石群130Dは、第1磁力F1である第3磁石ペアである磁石ペア133Dを含んでいる。また、磁石群130Dは、第1磁力F1よりも弱い第2磁力F2である第4磁石ペアである磁石ペア134Dを含んでいる。磁石ペア133Dは、磁石30D及び磁石30Dである。磁石30D及び磁石30Dは、磁極面31Dの磁極が互いに異なるものである。磁石ペア134Dは、磁石30D及び磁石30Dである。磁石30D及び磁石30Dは、磁極面31Dの磁極が互いに異なるものである。磁石30Dと磁石30Dとは、配列方向A1に隣り合って配置されている。磁石30Dと磁石30Dとは、磁石ペア134Dを挟んで配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Dにおいて、磁石30D及び磁石30D以外の磁石は、全て第1磁力である。磁石の磁力は、例えばガウスメータで測定可能である。第2磁力F2は、第1磁力F1の1/2以下であるのが好ましい。更に、第2磁力F2は、第1磁力F1の1/3以下であるのが好ましい。 The magnet group 130D includes a magnet pair 133D, which is the third magnet pair having the first magnetic force F1. The magnet group 130D also includes a magnet pair 134D, which is a fourth magnet pair having a second magnetic force F2 weaker than the first magnetic force F1. Magnet pair 133D is magnet 30D 6 and magnet 30D 9 . The magnets 30D 6 and 30D 9 have different magnetic poles on the pole faces 31D. Magnet pair 134D is magnet 30D7 and magnet 30D8 . Magnet 30D 7 and magnet 30D 8 differ from each other in the magnetic pole of magnetic pole face 31D. The magnets 30D7 and 30D8 are arranged adjacent to each other in the arrangement direction A1. Magnet 30D 6 and magnet 30D 9 are arranged to sandwich magnet pair 134D. In this embodiment, among the plurality of magnets 30D, all magnets other than magnet 30D7 and magnet 30D8 have the first magnetic force. The magnetic force of a magnet can be measured, for example, with a gaussmeter. The second magnetic force F2 is preferably half or less than the first magnetic force F1. Furthermore, the second magnetic force F2 is preferably 1/3 or less of the first magnetic force F1.

磁石ペア134Dは、図9(b)に示すように、中央C5を跨いで位置している。そして、本実施形態では、磁石ペア134Dは、複数の磁石30Dにおける配列パターンの中央部分P5(図9(a))に位置している。 The magnet pair 134D is positioned straddling the center C5 as shown in FIG. 9(b). In this embodiment, the magnet pair 134D is positioned at the central portion P5 (FIG. 9A) of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30D.

第5実施形態によれば、第4実施形態と同様、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 According to the fifth embodiment, similarly to the fourth embodiment, the portion of the mask 6 bent into a mortar shape can be effectively sucked, and the bending of the mask 6 can be prevented from remaining.

また、マスク6においてすり鉢状に撓むのは、中央部分であるため、磁石ペア133Dは、マスク6の中央部分に近いほどよい。よって、第5実施形態では、磁石ペア133Dによって挟まれる磁石ペア134Dは、複数の磁石30Dにおける配列パターンの中央部分P5に位置している。このように、マスク6の中央部分に対応する箇所に、磁石ペア134Dを配置することで、より効果的にマスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 Moreover, since it is the central portion of the mask 6 that bends like a mortar, the closer the magnet pair 133D is to the central portion of the mask 6, the better. Therefore, in the fifth embodiment, the magnet pair 134D sandwiched by the magnet pairs 133D is positioned at the central portion P5 of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30D. By arranging the magnet pair 134</b>D at a location corresponding to the central portion of the mask 6 in this way, it is possible to more effectively prevent the remaining deflection of the mask 6 .

[第6実施形態]
第6実施形態の成膜装置について説明する。図10(a)は、第6実施形態に係るマグネットユニットの平面図である。図10(b)は、図10(a)のXB-XB線に沿うマグネットユニットの断面図である。第6実施形態の成膜装置においては、第1実施形態とマグネットユニットの構成が異なり、それ以外の構成は第1実施形態と同様であり、同様の構成については説明を省略する。以下、第6実施形態のマグネットユニット24Eについて具体的に説明する。
[Sixth embodiment]
A film forming apparatus according to the sixth embodiment will be described. FIG. 10(a) is a plan view of a magnet unit according to the sixth embodiment. FIG. 10(b) is a cross-sectional view of the magnet unit taken along line XB--XB in FIG. 10(a). In the film forming apparatus of the sixth embodiment, the configuration of the magnet unit is different from that of the first embodiment, and the configuration other than that is the same as that of the first embodiment, and the description of the similar configuration is omitted. The magnet unit 24E of the sixth embodiment will be specifically described below.

ヨーク29の主面291には、複数の磁石30Eが設けられている。ヨーク29の主面291は、矩形形状であり、図1に示すマスク箔6Aとほぼ同じ大きさである。複数の磁石30Eは、主面291に沿う方向であって、回動中心となる仮想的な軸線L1に平行な配列方向A1と、配列方向A1に直交する配列方向A2とにマトリックス状に配列されている。 A main surface 291 of the yoke 29 is provided with a plurality of magnets 30E. A main surface 291 of the yoke 29 has a rectangular shape and is approximately the same size as the mask foil 6A shown in FIG. The plurality of magnets 30E are arranged in a matrix in an arrangement direction A1 parallel to a virtual axis L1 that is a rotation center and an arrangement direction A2 perpendicular to the arrangement direction A1 along the main surface 291. ing.

各磁石30Eは、永久磁石であり、磁極がS極又はN極となる一対の磁極面31E及び32Eを有する。即ち、一対の磁極面31E及び32Eのうち、一方の磁極面の磁極がS極であれば、他方の磁極面の磁極はN極である。本実施形態では、各磁石30Eは、平面視矩形状であり、互いに同じ大きさのものである。各磁石30Eの磁極面32Eがヨーク29の主面291に取り付けられ、反対側の磁極面31Eが外側に向いて配置されている。本実施形態では、複数の磁石30Eは、所定方向である配列方向A1と配列方向A2に磁極面31Eの磁極がN極とS極とに互い違いとなるように配列されている。即ち、複数の磁石30Eは、磁極面31Eの磁極がN極とS極とで千鳥状となるように配列されている。磁極面31Eの磁極がS極となる磁石30Eと、磁極面31Eの磁極がN極となる磁石30Eとが配列方向A1及びA2に交互に配置されているので、配列方向A1又は配列方向A2に隣り合う2つの磁石30Eで磁気回路が形成される。 Each magnet 30E is a permanent magnet and has a pair of magnetic pole faces 31E and 32E with magnetic poles as S or N poles. That is, if the magnetic pole of one of the pair of magnetic pole faces 31E and 32E is the S pole, the magnetic pole of the other magnetic pole face is the N pole. In this embodiment, each magnet 30E has a rectangular shape in a plan view and has the same size. The pole face 32E of each magnet 30E is attached to the major surface 291 of the yoke 29, with the opposite pole face 31E facing outward. In this embodiment, the plurality of magnets 30E are arranged so that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31E alternate between the N poles and the S poles in the arrangement direction A1 and the arrangement direction A2, which are predetermined directions. That is, the plurality of magnets 30E are arranged so that the magnetic poles of the magnetic pole faces 31E are arranged in a zigzag pattern with N poles and S poles. Since the magnets 30E having the S pole on the magnetic pole surface 31E and the magnets 30E having the N pole on the magnetic pole surface 31E are alternately arranged in the arrangement directions A1 and A2, A magnetic circuit is formed by two adjacent magnets 30E.

図10(a)及び図10(b)には、磁極面31EがN極となる磁石を網掛けで図示し、磁極面31EがS極となる磁石を斜線のハッチングで図示している。図10(a)において二点鎖線で囲んだ、複数の磁石30Eにおける配列パターンの中央部分P6が、図1に示すガラス基板5及びマスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分のうち底部に対応する部分である。 In FIGS. 10(a) and 10(b), the magnets whose magnetic pole faces 31E are N poles are shown by hatching, and the magnets whose magnetic pole faces 31E are S poles are shown by diagonal hatching. A central portion P6 of the arrangement pattern of the plurality of magnets 30E, which is surrounded by a two-dot chain line in FIG. 10A, corresponds to the bottom portion of the mortar-shaped bent portions of the glass substrate 5 and the mask 6 shown in FIG. part.

複数の磁石30Eのうち、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Eについて説明する。図10(b)には、磁石群130Eにおける断面を図示している。複数の磁石30Eは、配列方向A1の中央に位置する磁石群130Eを含む。磁石群130Eは、第4実施形態で説明した磁石群130Cの配列と同様であり、磁石ペア133C、磁石ペア134C、及び磁石ペア135Cを含む。 Among the plurality of magnets 30E, the magnet group 130E positioned at the center in the arrangement direction A1 will be described. FIG. 10(b) shows a cross section of the magnet group 130E. The multiple magnets 30E include a magnet group 130E located in the center in the arrangement direction A1. The magnet group 130E has the same arrangement as the magnet group 130C described in the fourth embodiment, and includes a magnet pair 133C, a magnet pair 134C, and a magnet pair 135C.

したがって、第6実施形態によれば、第4実施形態と同様、マスク6においてすり鉢形状に撓んだ部分を効果的に吸引することができ、マスク6の撓みが残留するのを防止することができる。 Therefore, according to the sixth embodiment, similarly to the fourth embodiment, the portion of the mask 6 that is bent into a mortar shape can be effectively sucked, and the remaining bending of the mask 6 can be prevented. can.

[第7実施形態]
次に、上述の実施形態の成膜装置うち、いずれかの成膜装置を含む製造システムについて説明する。図11は、第7実施形態に係る製造システムの模式的な構成図で、有機ELパネルを製造する製造システム300を例示している。
[Seventh Embodiment]
Next, a manufacturing system including any one of the film forming apparatuses of the above-described embodiments will be described. FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a manufacturing system according to the seventh embodiment, exemplifying a manufacturing system 300 for manufacturing an organic EL panel.

製造システム300は、複数台の成膜装置100、搬送室1101、搬送室1102、搬送室1103、基板供給室1105、マスクストック室1106、受渡室1107、ガラス供給室1108、貼合室1109、取出室1110等を備えている。成膜装置100は、有機ELパネルの発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電極層等の異なる機能層の成膜に用いられ得るため、成膜装置ごとに成膜材料やマスクなどが相違する場合がある。各成膜装置100は、第1~第6実施形態で説明したいずれかのマグネットユニットを備え、第1~第6実施形態のいずれかの成膜方法を実施できる。各成膜装置100は、図1に示すガラス基板5をマスク6にセットした後、ガラス基板5にマスク6越しに成膜パターンを形成する成膜方法を実施できる。 The manufacturing system 300 includes a plurality of film forming apparatuses 100, a transfer chamber 1101, a transfer chamber 1102, a transfer chamber 1103, a substrate supply chamber 1105, a mask stock chamber 1106, a transfer chamber 1107, a glass supply chamber 1108, a bonding chamber 1109, and an unloading chamber. A chamber 1110 and the like are provided. Since the film forming apparatus 100 can be used for forming different functional layers such as a light-emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electrode layer of an organic EL panel, each film forming apparatus Materials and masks may differ. Each film forming apparatus 100 includes any one of the magnet units described in the first to sixth embodiments, and can carry out any one of the film forming methods in the first to sixth embodiments. Each film forming apparatus 100 can perform a film forming method of forming a film forming pattern on the glass substrate 5 through the mask 6 after the glass substrate 5 shown in FIG. 1 is set on the mask 6 .

基板供給室1105には、外部から基板が供給される。搬送室1101、搬送室1102、搬送室1103には、搬送機構であるロボット1120が配置されている。ロボット1120によって各室間の基板の搬送が行われる。本実施形態の製造システム300が複数台備える成膜装置100のうち、少なくとも一台は有機材料の蒸着源を備えている。製造システム300に含まれる複数の成膜装置100は、お互いが同一材料を成膜する装置であってもよいし、異なる材料を成膜する装置であってもよい。例えば、各成膜装置において、互いに異なる発光色の有機材料を蒸着してもよい。製造システム300では、基板供給室1105から供給された基板に有機材料を蒸着したり、あるいは金属材料等の無機材料の膜を形成し、有機ELパネルを製造する。 A substrate is supplied to the substrate supply chamber 1105 from the outside. A robot 1120 as a transport mechanism is arranged in the transport chamber 1101 , the transport chamber 1102 , and the transport chamber 1103 . A robot 1120 transfers substrates between chambers. At least one of the plurality of film forming apparatuses 100 provided in the manufacturing system 300 of the present embodiment includes an organic material vapor deposition source. A plurality of film forming apparatuses 100 included in the manufacturing system 300 may be apparatuses for forming films of the same material, or may be apparatuses for forming films of different materials. For example, each deposition apparatus may vapor-deposit organic materials having different emission colors. In the manufacturing system 300, an organic material is vapor-deposited on a substrate supplied from the substrate supply chamber 1105, or a film of an inorganic material such as a metal material is formed to manufacture an organic EL panel.

マスクストック室1106には、各成膜装置100にて用いられ、膜が堆積したマスクが、ロボット1120によって搬送される。マスクストック室1106に搬送されたマスクを回収することで、マスクを洗浄することができる。また、マスクストック室1106に洗浄済みのマスクを収納しておき、ロボット1120によって成膜装置100にセットすることもできる。 A robot 1120 transports a mask, which is used in each film forming apparatus 100 and on which a film is deposited, to the mask stock chamber 1106 . By recovering the mask transported to the mask stock chamber 1106, the mask can be cleaned. Alternatively, a cleaned mask can be stored in the mask stock chamber 1106 and set in the film forming apparatus 100 by the robot 1120 .

ガラス供給室1108には、外部から封止用のガラス材が供給される。貼合室1109において、成膜された基板に封止用のガラス材を貼り合わせることで、有機ELパネルが製造される。製造された有機ELパネルは、取出室1110から取り出される。 A sealing glass material is supplied to the glass supply chamber 1108 from the outside. In the bonding chamber 1109, the organic EL panel is manufactured by bonding a sealing glass material to the film-formed substrate. The manufactured organic EL panel is taken out from the take-out chamber 1110 .

このように、上述した成膜装置100は、有機EL素子を製造する製造システム300において好適に実施され得るが、それ以外のデバイスを製造するための製造システムにおいて実施してもかまわない。電子デバイスなどを製造する際に、マスクを基板に吸着させて、生産性を高めることができる。 As described above, the film forming apparatus 100 described above can be suitably implemented in the manufacturing system 300 for manufacturing organic EL elements, but may be implemented in a manufacturing system for manufacturing other devices. When manufacturing an electronic device or the like, the mask can be adhered to the substrate to improve productivity.

[他の実施形態]
尚、本発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
[Other embodiments]
The present invention is not limited to the embodiments described above, and many modifications are possible within the technical concept of the present invention.

例えば、上述の第1~第7実施形態では、基板の一例としてガラス基板5である場合について説明したが、蒸着対象の基板の材質は、ガラスに限定されるものではなく、磁力よって吸引されない材質であれば、どのような材質であってもよい。 For example, in the first to seventh embodiments described above, the glass substrate 5 is used as an example of the substrate, but the material of the substrate to be vapor-deposited is not limited to glass. Any material may be used.

また、上述の第1~第3実施形態において、マグネットユニットにおける複数の磁石に、第2磁石ペアが複数含まれていてもよい。同様に、上述の第4~第6実施形態において、マグネットユニットにおける複数の磁石に、第3磁石ペア及び第4磁石ペアが複数含まれていてもよい。 Further, in the first to third embodiments described above, the plurality of magnets in the magnet unit may include a plurality of second magnet pairs. Similarly, in the fourth to sixth embodiments described above, the plurality of magnets in the magnet unit may include a plurality of third magnet pairs and fourth magnet pairs.

また、上述の第1~第3実施形態で説明したヨーク29において、第2磁石ペアの2つの磁石間の位置に、貫通穴が設けられていてもよい。 Also, in the yoke 29 described in the first to third embodiments, a through hole may be provided between the two magnets of the second magnet pair.

また、上述の第1~第7実施形態では、第1部材がヨーク29であるため、磁石による吸引力を基板側に効果的に生じさせることができるため好ましいが、第1部材がヨーク29である場合に限定するものではない。第1部材がヨーク29以外の部材の場合、磁石は第1部材に接着剤などで固定すればよい。 In addition, in the above-described first to seventh embodiments, the first member is the yoke 29, which is preferable because the attractive force of the magnet can be effectively generated on the substrate side. It is not limited to certain cases. If the first member is a member other than the yoke 29, the magnet may be fixed to the first member with an adhesive or the like.

9…マスク保持部、29…ヨーク(第1部材)、30…磁石、31…磁極面、100…成膜装置、130…磁石群、131…磁石ペア(第1磁石ペア)、132…磁石ペア(第2磁石ペア)、291…主面 9 mask holder 29 yoke (first member) 30 magnet 31 magnetic pole surface 100 film forming apparatus 130 magnet group 131 magnet pair (first magnet pair) 132 magnet pair (Second magnet pair), 291... main surface

Claims (11)

基板が載置されるマスクを保持するマスク保持部と、
前記マスクを吸引するための複数の磁石と、
前記複数の磁石が取り付けられる主面を有し、前記マスク保持部によりマスクが保持される位置よりも上に配置され、前記主面が傾斜状態のまま下降しさらに下降することで回動して水平状態となるように回動可能な第1部材と、を備え、
前記複数の磁石の各々は、前記主面に取り付けられる面とは反対側の磁極面を有し、
前記複数の磁石は、前記主面に沿う所定方向に配列された磁石群を含み、
前記磁石群は、第1間隔で隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる第1磁石ペアと、前記第1間隔よりも広い第2間隔で隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる第2磁石ペアと、を含むことを特徴とする成膜装置。
a mask holder that holds a mask on which the substrate is placed;
a plurality of magnets for attracting the mask ;
It has a main surface to which the plurality of magnets are attached, is arranged above the position where the mask is held by the mask holding part, and rotates by lowering the main surface while the main surface is inclined and further lowering. a first member that is rotatable so as to be in a horizontal state with the
each of the plurality of magnets has a magnetic pole surface opposite to the surface attached to the main surface;
The plurality of magnets includes a magnet group arranged in a predetermined direction along the main surface,
The magnet group is arranged adjacent to each other with a first spacing, and a first magnet pair having different magnetic poles on the magnetic pole faces is arranged adjacent to each other with a second spacing wider than the first spacing. and a second magnet pair having magnetic poles different from each other.
前記第2磁石ペアは、前記第1磁石ペアに対して相対的に前記磁石群における中央の側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the second magnet pair is located on the central side of the magnet group relative to the first magnet pair. 前記第2磁石ペアは、前記複数の磁石における配列パターンの中央部分に位置していることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。 3. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the second pair of magnets is positioned in the central portion of the arrangement pattern of the plurality of magnets. 基板が載置されるマスクを保持するマスク保持部と、
前記マスクを吸引するための複数の磁石と、
前記複数の磁石が取り付けられる主面を有し、前記マスク保持部によりマスクが保持される位置よりも上に配置され、前記主面が傾斜状態のまま下降しさらに下降することで回動して水平状態となるように回動可能な第1部材と、を備え、
前記複数の磁石の各々は、前記主面に取り付けられる面とは反対側の磁極面とを有し、
前記複数の磁石は、前記主面に沿う所定方向に配列された磁石群を含み、
前記磁石群は、前記磁極面の磁極が互いに異なる、第1磁力の第3磁石ペアと、前記第3磁石ペアに挟まれた位置に隣り合って配置され、前記磁極面の磁極が互いに異なる、前記第1磁力よりも弱い第2磁力の第4磁石ペアと、を含むことを特徴とする成膜装置。
a mask holder that holds a mask on which the substrate is placed;
a plurality of magnets for attracting the mask ;
It has a main surface to which the plurality of magnets are attached, is arranged above the position where the mask is held by the mask holding part, and rotates by lowering the main surface while the main surface is inclined and further lowering. a first member that is rotatable so as to be in a horizontal state with the
each of the plurality of magnets has a magnetic pole surface opposite to the surface attached to the main surface;
The plurality of magnets includes a magnet group arranged in a predetermined direction along the main surface,
The magnet group is arranged adjacent to a position sandwiched between a third magnet pair having a first magnetic force and the third magnet pair having different magnetic poles on the magnetic pole faces, and the magnetic poles on the magnetic pole faces are different from each other. and a fourth magnet pair having a second magnetic force weaker than the first magnetic force.
前記第4磁石ペアは、前記複数の磁石における配列パターンの中央部分に位置していることを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。 5. The film forming apparatus according to claim 4, wherein the fourth magnet pair is positioned in the central portion of the arrangement pattern of the plurality of magnets. 前記第1部材がヨークであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の成膜装置。 6. The film forming apparatus according to claim 1, wherein said first member is a yoke. 前記主面が前記水平状態のときに、前記複数の磁石と、前記マスク保持部に保持されたマスク上の基板との間に位置するように配置された、強磁性体ではない磁性体からなる第2部材を更に備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の成膜装置。 A magnetic material that is not a ferromagnetic material is arranged so as to be positioned between the plurality of magnets and the substrate on the mask held by the mask holding portion when the main surface is in the horizontal state. 7. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a second member. 前記第1部材は、軸線まわりに回動可能であり、
前記所定方向は、前記軸線に直交する方向であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の成膜装置。
The first member is rotatable around an axis,
8. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the predetermined direction is a direction perpendicular to the axis.
前記第1部材は、軸線まわりに回動可能であり、
前記所定方向は、前記軸線に平行な方向であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の成膜装置。
The first member is rotatable around an axis,
8. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the predetermined direction is a direction parallel to the axis.
請求項1乃至9のいずれか1項に記載の成膜装置を複数備え、
少なくとも一台の前記成膜装置は、前記基板に有機材料を蒸着して有機薄膜を成膜することを特徴とする有機ELパネルの製造システム。
A plurality of film forming apparatuses according to any one of claims 1 to 9,
1. A manufacturing system for an organic EL panel, wherein at least one of said film forming apparatuses deposits an organic material on said substrate to form an organic thin film.
請求項1乃至9のいずれか1項に記載の成膜装置を用いて前記基板に成膜する成膜方法。 A film forming method for forming a film on the substrate using the film forming apparatus according to any one of claims 1 to 9.
JP2018233798A 2018-12-13 2018-12-13 Film forming apparatus, organic EL panel manufacturing system, and film forming method Active JP7202168B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018233798A JP7202168B2 (en) 2018-12-13 2018-12-13 Film forming apparatus, organic EL panel manufacturing system, and film forming method
KR1020190150438A KR20200073123A (en) 2018-12-13 2019-11-21 Film forming apparatus, manufacturing system of organic el panel, and film forming method
CN201911270162.6A CN111321370B (en) 2018-12-13 2019-12-12 Film forming apparatus, system for manufacturing organic EL panel, and film forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018233798A JP7202168B2 (en) 2018-12-13 2018-12-13 Film forming apparatus, organic EL panel manufacturing system, and film forming method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020094244A JP2020094244A (en) 2020-06-18
JP7202168B2 true JP7202168B2 (en) 2023-01-11

Family

ID=71084640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018233798A Active JP7202168B2 (en) 2018-12-13 2018-12-13 Film forming apparatus, organic EL panel manufacturing system, and film forming method

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7202168B2 (en)
KR (1) KR20200073123A (en)
CN (1) CN111321370B (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230144154A (en) * 2022-04-06 2023-10-16 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for manufactuing mask assembly and method for manufacturing mask assembly using the same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006233257A (en) 2005-02-23 2006-09-07 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Mask holding mechanism, and film deposition apparatus
WO2009069743A1 (en) 2007-11-30 2009-06-04 Canon Anelva Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014045137A (en) 2012-08-28 2014-03-13 Toyota Motor Corp Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2015124394A (en) 2013-12-25 2015-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ Manufacturing method of display device
JP2016128597A (en) 2015-01-09 2016-07-14 株式会社ブイ・テクノロジー Magnet sheet, film deposition method using the same, and touch panel
JP2017119905A (en) 2015-12-29 2017-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ Mask holding instrument of manufacturing apparatus of organic el display device, and manufacturing apparatus of organic el display device
WO2018141367A1 (en) 2017-01-31 2018-08-09 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate and substrate carrier for holding a substrate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05339711A (en) * 1992-06-05 1993-12-21 Anelva Corp Vacuum vapor deposition device
JP2004152704A (en) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of organic electroluminescent element
JP2005008947A (en) * 2003-06-19 2005-01-13 Dainippon Printing Co Ltd Apparatus and method for sputtering
JP5173699B2 (en) * 2008-09-25 2013-04-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ Organic EL device manufacturing equipment
JP6298138B2 (en) * 2015-11-25 2018-03-20 キヤノントッキ株式会社 Film forming system, magnetic body part, and film manufacturing method

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006233257A (en) 2005-02-23 2006-09-07 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Mask holding mechanism, and film deposition apparatus
WO2009069743A1 (en) 2007-11-30 2009-06-04 Canon Anelva Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014045137A (en) 2012-08-28 2014-03-13 Toyota Motor Corp Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2015124394A (en) 2013-12-25 2015-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ Manufacturing method of display device
JP2016128597A (en) 2015-01-09 2016-07-14 株式会社ブイ・テクノロジー Magnet sheet, film deposition method using the same, and touch panel
JP2017119905A (en) 2015-12-29 2017-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ Mask holding instrument of manufacturing apparatus of organic el display device, and manufacturing apparatus of organic el display device
WO2018141367A1 (en) 2017-01-31 2018-08-09 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate and substrate carrier for holding a substrate
JP2019508872A (en) 2017-01-31 2019-03-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Method for processing a substrate and substrate carrier for holding the substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200073123A (en) 2020-06-23
CN111321370A (en) 2020-06-23
CN111321370B (en) 2023-09-01
JP2020094244A (en) 2020-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4375232B2 (en) Mask deposition method
KR102520693B1 (en) Deposition Apparatus
CN109837505B (en) Film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing organic EL display device
JP7289421B2 (en) Substrate support device and deposition device
JP2019513290A (en) Apparatus for vacuum processing a substrate, system for vacuum processing a substrate, and method for transporting a substrate carrier and a mask carrier in a vacuum chamber
JP7138757B2 (en) Film forming apparatus and method for manufacturing electronic device
JP7120545B2 (en) Film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing organic EL display device using the same
CN109972084B (en) Film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing electronic device
JP2017538864A (en) Mask configuration for masking a substrate in a processing chamber, apparatus for depositing a layer on a substrate, and method for aligning a mask configuration for masking a substrate in a processing chamber
WO2020180334A1 (en) Mask frame integration, carrier for mask frame and method of handling a mask
JP7202168B2 (en) Film forming apparatus, organic EL panel manufacturing system, and film forming method
JP2020122223A (en) Film forming apparatus, film forming method, and manufacturing method of organic el display device using the same
CN109913842B (en) Electrostatic chuck device, mask mounting device, film forming method, and method for manufacturing electronic device
TWI678421B (en) Apparatus and system for processing a substrate in a vacuum chamber, and method of transporting a carrier in a vacuum chamber
CN112176281B (en) Mask holding mechanism, vapor deposition device, and electronic device manufacturing apparatus
KR102505832B1 (en) Adsorption apparatus, position adjusting method, and method for forming film
JP7021318B2 (en) Film forming equipment and control method of film forming equipment
KR102553751B1 (en) Mask handling module for in-line substrate processing system and method for mask transfer
JP7127765B2 (en) Electrostatic chuck, film forming apparatus, substrate adsorption method, film forming method, and electronic device manufacturing method
WO2018221200A1 (en) Pillar mounting method and pillar mounting device
TWI475736B (en) Manufacturing method of electroluminescent display apparatus and plating machine
JP6956244B2 (en) Film formation equipment and film formation method
KR102050688B1 (en) Mask attaching device, film-forming apparatus, film-forming method, and method for manufacturing electronic device
JP7271242B2 (en) Electrostatic chuck system, film forming apparatus, adsorption method, film forming method, and electronic device manufacturing method
KR20210052257A (en) Substrate holding unit, substrate holding member, substrate holding apparatus, substrate processing apparatus, substrate processing method, and manufacturing method of electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20200804

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20200804

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211108

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221025

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221223

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7202168

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150