JP7195268B2 - シリカ粒子の分散液及びその製造方法 - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 302
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims description 178
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 143
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 100
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 64
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 63
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 56
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 27
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 claims description 6
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 claims description 6
- 238000004438 BET method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 60
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 12
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 9
- -1 phosphoric acid ester compound Chemical class 0.000 description 9
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 6
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 6
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 3
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000005070 ripening Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical class CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910000102 alkali metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008046 alkali metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001860 alkaline earth metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 1
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000008236 heating water Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQCIWBXEVYWRCW-UHFFFAOYSA-N methane;sulfane Chemical compound C.S YQCIWBXEVYWRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002780 morpholines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 150000004885 piperazines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
- C01B33/141—Preparation of hydrosols or aqueous dispersions
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- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
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- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
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- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
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- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/10—Solid density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/22—Rheological behaviour as dispersion, e.g. viscosity, sedimentation stability
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
Description
このように、研磨性能と安定性に優れた、(1)適度に緻密化された高純度シリカ粒子を、(2)高濃度で含む、(3)粒子が凝集していない低粘度のシリカ粒子分散液を得ることは困難であった。
また、他の観点からみた本発明の製造方法は、アルコキシシランを原料としてシリカ粒子分散液を調製する分散液調製工程と、このシリカ粒子分散液を、アルカリの存在下で加熱してシリカ粒子を熟成させる熟成工程と、この熟成したシリカ粒子分散液からアルカリを除去するアルカリ除去工程とを有し、密度1.20g/cm3以上のシリカ粒子を含み、シリカ濃度が12質量%以上、シリカ濃度20質量%換算粘度が40mPa・s以下のシリカ粒子分散液を製造する方法である。
ところで、密度が1.60g/cm3以上の粒子(すなわち、より緻密化された粒子)を研磨材として用いた場合は、研磨速度は速いものの、粒子が緻密で硬いため、用途によっては、研磨面に傷(スクラッチ)が発生し、平滑な研磨面が得られない場合がある。このように、十分な研磨速度と平滑性を得るために、研磨砥粒として、硬すぎず、適度に緻密化されたシリカ粒子を用いることが好ましい。密度は、1.60g/cm3未満が好ましく、1.55g/cm3未満がより好ましく、1.50g/cm3未満が更に好ましい。
ここで、シリカ粒子の平均粒子径は、電子顕微鏡写真から求めた。すなわち、シリカ粒子の電子顕微鏡写真を撮影し、任意の100個の粒子のそれぞれの面積を求め、その面積から円相当径を求める。この円相当径の平均値をシリカ粒子の平均粒子径dとする。比表面積は、窒素吸着によるBET法によって求める。具体的には、マウンテック社製のMacsorb-1200を用いて測定した。測定用の試料には、分散液を105℃で乾燥させ、粉末状にしたものを用いた。
粒子1個あたりの表面積(S[nm2/個])は、4π(d/2)2、すなわち、πd2と表される。また、粒子1個あたりの体積(V[nm3/個])は、(4/3) π(d/2)3、すなわち、(πd3)/6と表される。
比表面積SA[m2/g]=1000・S/(ρV)=(1000/ρ)・(6/d)=6000/(ρd)
となるため、
シリカ粒子の密度ρ[g/cm3]=6000/(SA・d)
となる。
(1)アルカリ金属、アルカリ土類金属、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zrの各々が0.1ppm未満、
(2)Cu、Ni、Crの各々が1ppb未満、
(3)U、Thの各々が0.3ppb未満。
なお、これらの金属元素は、不純分であり、分散液中に含まれないほど好ましい。
これらの元素を上述の範囲より多く含んだ分散液を用いた研磨材では、基板に元素が残存してしまう場合がある。すると、この元素が基板に形成された回路の絶縁不良を起こしたり回路を短絡させたりして、絶縁用に設けた膜(絶縁膜)の誘電率が上昇する。すると、金属配線のインピーダンスが増大し、応答速度の遅れ、消費電力の増大等が起きることがある。また、この元素イオンが移動(拡散)し、過酷な使用条件下や長期にわたる使用の場合に、上述のような不具合を生じることがある。特に、U、Thは放射線を発生するため、微量でも残存すると半導体の誤作動を引き起こす。なお、アルカリ金属とは、Li、Na、K、Rb、Cs、Frの各々の元素を表す。アルカリ土類金属とは、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Raの各々の元素を表す。
ところで、研磨材にはシリカ粒子以外に添加剤が含まれている。例えば、添加剤としてヒドロキシエチルセルロース等の水溶性高分子を使用する場合、この添加剤は、シリカ粒子表面のOH基と相互作用してシリカ粒子を凝集させる。これによって、砥粒としてのシリカ粒子の径が大きくなり、研磨レートが高くなる効果が得られる。このため、含有量が上記範囲よりも多いと、粒子内部や粒子表面に吸着するアンモニアやアミン等のアルカリの量が増え過ぎるため、研磨材に加工する際に、アルカリの有機基の種類によっては、その有機基が粒子表面のOH基を被覆して、粒子と添加剤との相互作用が起こりにくくなるおそれがある。また、過剰なアルカリにより研磨面がエッチングされるおそれもある。
これらの化合物の含有量の下限は、上述のような研磨効果が得られれば特に制限されないが、上述のアルカリ除去工程における粘度とpHの関係、及び製造コストの観点から、例えば10ppm程度である。これよりもこの含有量を減らしたとしても過剰な処理となるし、上述のような研磨効果が望めないおそれがある。
なお、最終的に得られたシリカ粒子分散液に、界面活性剤などの分散剤やpH調整剤(酸、アルカリ)等の各種添加剤を添加してもよい。
ここで、Q4構造の存在比(面積比)がこの範囲にあると、不安定なOH基が少なく、珪素同士の結合割合が多くなるため、粒子密度が大きく、緻密性及び安定性の高いシリカ粒子となる。このため、これを研磨材として用いた場合、研磨速度の向上が図れる。
もし、Q0~Q2構造の割合が高いと、これらはQ3構造及びQ4構造に比べてOH基の数が多い(シロキサン結合が少ない)ため、これを研磨材として用いた場合、望むべく研磨速度が得られないおそれがある。このため、Q0~Q2構造のQ0~Q4構造に対する存在比は、Q0~Q2構造の合計で10%未満が好ましく、5%未満がより好ましい。なお、Q3構造の存在比は、Q4構造とQ0~Q2構造の残部である。このQ4構造の存在比は75%以上がより好ましく、78%以上が更に好ましい。
ところで、シリカ粒子の粒子密度が緻密すぎると、用途によっては、スクラッチが発生し、平滑な研磨面が得られない問題が生じる場合がある。このため、Q4構造の存在比の上限は、上述の粒子密度の範囲を越えなければ特に制限されないが、例えば90%であることが好ましい。
分散液を専用のジルコニア試料管に入れ、NMR装置(Agilent製 VNMRS-600)の固体用6mmφ試料管用プローブにて、試料回転をせず、シングルパルスノンデカップリング法にて測定する。二次標準としてポリジメチルシロキサンを用い、ケミカルシフトを-34.44ppmとする。得られたスペクトルは、解析ソフトOriginにて波形分離を行い、各ピークの面積を算出する。ここで、ケミカルシフトが-73.0~-73.5ppmのQ0構造のピーク面積をS0、ケミカルシフトが-73.5~-78.0ppmのQ1構造のピーク面積をS1、ケミカルシフトが-78.0~-82.0ppmのQ2構造のピーク面積をS2、ケミカルシフトが-82.0~-100.0ppmのQ3構造のピーク面積をS3、ケミカルシフトが-100.0~-120.0ppmのQ4構造のピーク面積をS4とする。各構造の比率は、各構造のピークの面積比(Si/ST)×100[%](ただし、iは0、1、2、3、4から選ばれる数である。STは、ST=S0+S1+S2+S3+S4で表される各構造のピーク面積の合計である。)により計算する。
[シリカ粒子分散液の製造方法]
シリカ粒子を熟成させると共に、分散液中のアルカリを十分に除去することにより、緻密化された高純度シリカ粒子を高濃度で含む、粒子が凝集していない低粘度のシリカ粒子の分散液が実現できる。また、上述の工程の他に、濃縮工程、水置換工程等を設けてもよい。なお、特に断りがない限り、pHは25℃に換算した時の値である。
分散液調製工程では、原料であるアルコキシシランを加水分解して形成されたシリカ粒子を含む分散液を調製する。アルコキシシランの加水分解は、水、有機溶媒及び触媒の存在下で行われる。分散液のシリカ濃度は、10質量%未満が好ましく、8質量%未満がより好ましく、5質量%未満が更に好ましい。ここで、アルコキシシランは、1種類でも2種類以上でもよい。また、テトラメトキシシラン(TMOS)やテトラエトキシシラン(TEOS)といった、アルキル鎖が短いものが好ましい。これは、加水分解速度が速く、緻密化が進みやすいため、炭素含有量の少ないシリカ粒子が得られる傾向にあるからである。
(方法I)水、有機溶媒及び触媒を含む敷液に対して、アルコキシシラン及び有機溶媒の混合溶液を添加する方法。
(方法II)実質的に有機溶媒からなる敷液に対して、アルコキシシランを含有する液Aと、触媒及び水を含有する液Bとを同時に添加する方法。液Aが有機溶媒を含んでいてもよい。「実質的に有機溶媒からなる」とは、有機溶媒の製造過程から不可避的に含まれる不純物等は含まれ得るが、それ以外は含まないことを意味する。例えば、有機溶媒が99質量%以上である。99.5質量%以上が好ましい。このような敷液に対して、液Aと、液Bとを同時に添加する。そのため、製造目的とするシリカ粒子に成長していないオリゴマー等の未反応物の生成が抑制される。特に、アルコキシシランの加水分解に大きな影響を与える水及びアルカリ触媒の量を、反応期間中アルコキシシランに対して一定とすることで、逐次添加されるアルコキシシランが常に同じ条件で加水分解される。これにより、未反応物の生成が抑制される。すなわち、液A及び液Bの添加を開始してから終了するまでの期間の、反応系におけるアルコキシシランに対するアルカリ触媒のモル比の初期値に対する変化率を0.90~1.10とし、液A及び液Bの添加を開始してから終了するまでの期間の、反応系におけるアルコキシシランに対する水のモル比の初期値に対する変化率を0.90~1.10とすることが好ましい。
なお、両方法とも、敷液中に予め準備したシード粒子を加えておく、いわゆるシード法を採用することもできる。
このアルカリ除去工程では、分散液の粘度を60mPa・s以上まで一旦上昇させる。更にアルカリを除去することにより粘度を低下させる。この時の分散液のpHを8未満とする。このように、粘度が一旦上昇した後に低下させたシリカ粒子分散液は、高pH側で熟成を行った後に系内からアルカリを除去する工程において、粘度変化が起こる過程で粒子の表面同士が相互作用して緻密化が進行するためか、十分緻密で、未反応物の量が少ない、あるいは含まないものとなりやすい。このアルカリ除去後のシリカ粒子分散液のpHは、7.6以下が好ましく、7.4未満がより好ましく、7.0未満が更に好ましく、6.7以下が特に好ましい。pHを6.0まで低下させても分散液の粘度の低下は小さいため、過剰な処理となる。
また、使用する原料については、蒸留、イオン交換、フィルター除去等で精製することが好ましい。特にアルコキシドの加水分解時に使用するアルコールは、タンク等からの金属不純分や合成時の触媒が残存するおそれがあり、特に精度の高い精製を必要とする場合がある。
研磨材中のシリカ粒子の濃度は0.1~50質量%が好ましい。ここで、濃度が0.1質量%未満の場合は、基材や絶縁膜の種類によっては濃度が低すぎて、研磨速度が遅く、生産性が問題となることがある。逆に、シリカ粒子の濃度が50質量%を越えると研磨材の安定性が不十分となるおそれがある。また、研磨速度や研磨効率が更に向上することもない。更に、研磨処理のために分散液を供給する工程で、乾燥物が生成して付着することがあり、スクラッチ発生の原因となることがある。この研磨材中のシリカ粒子の濃度は、5~30質量%がより好ましい。
(分散液調製工程)
テトラメトキシシラン(多摩化学工業(株)製(以下同じ))540.0gとメタノ-ル180.0gを混合し、原料溶液を調製した。反応槽に予めメタノ-ル、水、アンモニアを混合した溶媒5,400gを仕込んだ。この混合溶媒中の水の濃度は15質量%、アンモニアは1質量%であった。反応溶媒の温度が20℃に保持できるように液温を調節しながら、原料溶液を25分間、均等速度で反応槽に滴下し、シリカ濃度3.5質量%の分散液を得た。このようにして得られた分散液のシリカ濃度を表1に示す。
次に、この分散液(シリカ濃度3.5質量%)を加熱濃縮法により、濃縮した。具体的には、分散液を常圧で加熱して有機溶媒及び水を蒸発させると共に、予め調製しておいたシリカ粒子の分散液(シリカ濃度3.5質量%)を系内の液量が一定となるように添加し、分散液を濃縮した。
濃縮工程終了時の分散液のシリカ濃度、pH、粘度を表1に示す。なお、粘度測定時の分散液のシリカ濃度は、他の工程と比較できるように20質量%に揃えて測定した。
濃縮工程後、分散液に水を添加しながら、常圧にて加熱置換法により水置換を行った。液温が100℃に到達した時点で、水置換工程を終了した。
水置換工程終了時の分散液のシリカ濃度、pH、粘度を表1に示す。
水置換工程後、分散液にアンモニア水を加えてpHを9.5に調整した。その後、液温を100℃に保った(加熱処理)。加熱処理中も系内のシリカ濃度が一定になるように水を添加した。ここで、pH9以上の状態を2時間保ち、熟成を行った(熟成工程)。それ以降も加熱を続けアルカリを除去した(アルカリ除去工程)。
サンプル5gを150℃で1時間乾燥させ、乾燥後の質量から、シリカ濃度を算出した。
レオメーター(HAAKE社製 RS3000)を用いて、温度25℃、ずり速度100s-1の条件で、測定した。なお、シリカ濃度20質量%換算粘度とは、あるシリカ濃度の分散液のpHを変化させることなくシリカ濃度を20質量%に調整して測定したときの粘度をいう。
分散液中のアルカリ金属、アルカリ土類金属、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zrの各元素量、Cu、Ni、Crの各元素量、及びU、Thの各元素量について、シリカ粒子をフッ酸で溶解し、加熱してフッ酸を除去した後、必要に応じて純水を加え、得られた溶液についてICP-MS誘導結合プラズマ質量分析装置(Agilent社製 7900s)を用いて測定し、シリカ粒子に対する値として求めた。
分散液を150℃で乾燥させ、フーリエ変換型赤外分光装置(日本分光株式会社製 FT/IR-6100)を使用して測定し、アルコキシ基(-OR)の有無を確認した。
シリカ粒子の炭素含有量は、分散液を150℃で乾燥させ、炭素硫黄分析装置(HORIBA製 EMIA-320V)を用いて測定した。
分散液に20質量%NaOH水溶液を加えて、シリカ粒子を溶かしながら蒸留した。出てきたアンモニアを0.05モル/Lの硫酸で捕集し、0.1NのNaOHで滴定して、消費された硫酸量を求め、液中に含まれる全アンモニア量を求めた。
小型超遠心機(日立工機株式会社製 CS150GXL)を用いて、分散液を設定温度10℃、1,370,000rpm(1,000,000G)で30分遠心処理した。この処理液の上澄み中に存在するシリカ粒子以外の「珪素を含む化合物」(未反応物)を、ICP発光分析装置(株式会社島津製作所製 ICPS-8100)でSiとして測定した。この測定値から、分散液中のSiO2濃度に換算した。
図1(A)~(D)を用いて、シリカ粒子のアスペクト比の算出方法を説明する。図1(A)は、走査型電子顕微鏡で観察された1個の粒子を示しており、その粒子に接する長方形で囲んだ状態を表している。図1(B)~(D)は、複数の粒子が接合した粒子群を模式的に示しており、その粒子群を面積が最小になるような長方形で囲んだ状態を表す。図のように、長辺をb、短辺をaとする。この短辺aと長辺bの比(b/a;ただしb≧a)を100個の粒子(群)について求め、その平均値をアスペクト比とした。ここで、黒塗り部は粒子間の接合部を表し、接合部には空間が存在していてもよい。
《粘度判定法》
◎:30mPa・s以下
〇:30mPa・s超40mPa・s以下
×:40mPa・s超
◎:1.40g/cm3以上
○:1.20g/cm3以上1.40g/cm3未満
×:1.20g/cm3未満
実施例1で製造したシリカ粒子分散液をシリカ粒子として3.0質量%、ヒドロキシエチルセルロース(HEC)を175ppm、アンモニアを225ppm含有する研磨材を製造した。下記の研磨材の性能評価結果を表1に示す。
《研磨材の安定性試験》
研磨材の安定性は、研磨材を容器に密閉して、25℃で6ヶ月間保管した後の研磨材の白濁の有無で評価した。
○:白濁なし
×:白濁あり
研磨用基板(結晶構造が1.0.0である単結晶シリコンウエハー)を用いて、研磨装置(ナノファクター(株)製 NF300)にセットし、研磨パッドポリテックスP103、研磨荷重0.05MPa、テーブル回転速度50rpm、スピンドル速度50rpmで、研磨材を100ml/分の速度で研磨用基板の研磨を5分間行った。その後、純水にて洗浄し風乾した。
〇:研磨速度25nm/分超
△:研磨速度20~25nm/分
×:研磨速度20nm/分未満
得られた研磨基板の研磨表面を、走査型白色干渉計(Zygo New View 7300)を用いて観察し、表面の平滑性を以下の基準(うねり)で評価した。
○:うねりが0.5nm未満
△:うねりが0.5nm以上1.0nm未満
×:うねりが1.0nm以上
〇:ディフェクトはほとんど認められない
△:ディフェクトが僅かに認められる
×:ディフェクトが広範囲に認められる
◎ :粒子の「後残り」0個
○ :粒子の「後残り」1~10個
△ :粒子の「後残り」11~50個
× :粒子の「後残り」51~100個
××:粒子の「後残り」101個以上
[実施例2]~[実施例3]
熟成工程までは実施例1と同様にして、アルカリ除去工程の加熱時間を変化させた。実施例1の加熱時間を基準とし、実施例2では0.7倍、実施例3では0.4倍の加熱時間でアルカリ除去工程を行った。
熟成工程において、水置換した分散液にアンモニア水を加えてpHを8に調整した後、pH8の状態を2時間保ち熟成を行った。これ以外は実施例1と同様にしてシリカ粒子分散液を製造した。
(分散液調製工程)
メタノール(敷液)410.0gを40℃に保持し、この敷液に対して、テトラメトキシシラン976.3gとメタノール2460gとを混合したメタノール溶液(液A)3436.3gと、3.9質量%アンモニア水(液B)1684.0gとを同時に10時間かけて添加した。添加終了後、更にこの温度で3時間熟成してシリカ濃度7質量%の分散液を得た。
なお、アルカリ触媒/シランアルコキシド、水/シランアルコキシドの各モル比は、添加重量実測値を基に、シランアルコキシドの加水分解及び重縮合の反応は瞬時に起こるもの、アルカリ触媒は系外への放出はないものと仮定して算出した。液A及び液Bの添加開始10分後から、10分毎の反応系内のモル比を算出した。液A及び液Bの添加直後のモル比(理論値)を初期値として、かかる初期値で除した数値で、系内の各物質モル比の変化を比較した。
(加水分解時に4モル消費)
Si(OH)4 → SiO2 + 2H2O
(重縮合時に2モル放出)
濃縮工程以降は、実施例1と同様に処理を行い、20質量%シリカ粒子分散液を得た。
分散液調製工程までは、実施例1と同様にして、その後、限外膜を用い、濃縮と水置換を行った。水置換工程終了後、そのまま、80℃を保ちながら加熱処理を行った。この工程で留去する液量と同量の水を添加し、系内のシリカ濃度を一定に保ったまま加熱を続けた。なお、pH9以上の状態を1時間保ち、熟成を行った(熟成工程)。熟成工程終了後、イオン交換樹脂を用いてアルカリを除去した(アルカリ除去工程)。最終的にロータリーエバポレーターで減圧濃縮を行い(濃縮工程)、20質量%のシリカ粒子分散液を得た。
熟成工程において、液温100℃、加熱時間を2時間とした以外は、実施例6と同様にして、20質量%のシリカ粒子分散液を得た。
熟成工程において、水置換した分散液にアンモニア水を加えてpHを8に調整した後、pH8の状態を保ち、80℃で1時間熟成を行った。これ以外は実施例1と同様にしてシリカ粒子分散液を製造した。
熟成工程において、水置換した分散液にアンモニア水を加えてpHを9に調整した後、オートクレーブに入れ、150℃で10時間熟成を行った。これ以外は実施例1と同様にしてシリカ粒子分散液を製造した。
熟成工程において、水置換した分散液にアンモニア水を加えてpHを9に調整した後、オートクレーブに入れ、200℃で10時間熟成を行った。これ以外は実施例1と同様にしてシリカ粒子分散液を製造した。
テトラメトキシシラン540.0gとメタノ-ル180.0gを混合し、原料溶液を調製した。反応槽に予めメタノ-ル、水、アンモニアを混合した溶媒3565.7gを仕込んだ。この混合溶媒中の水の濃度は19質量%、アンモニアは1.5質量%であった。反応溶媒の温度が20℃に保持できるように液温を調節しながら、原料溶液を25分間、均等速度で反応槽に滴下し、シリカ濃度5.0質量%のシリカ粒子分散液を得た。
水置換工程までは実施例1と同様に処理を行い、水置換された分散液を得た。その液に、アンモニア水を加えてpHを8.5に調整した後、液温100℃を保ちながら加熱処理を行った。この工程でも留去する液量と同量の水を添加し、系内のシリカ濃度を一定に保ったまま加熱を続けた。なお、pH8以上の状態を2時間保ち、熟成を行った(熟成工程)。その後、アルカリ除去工程は行わなかった。
濃縮工程までは実施例1と同様にして、濃縮された分散液を得た。その液に水を添加しながら常圧にて加熱置換法により水置換を行った。留去する液量と同量の水を添加し、系内のシリカ濃度を一定に保ったまま加熱を続けた。液温が100℃に到達した時点で、水置換工程を終了した。
その後、熟成工程、アルカリ除去工程は行わず、最後に液を加熱濃縮し、20質量%のシリカ粒子分散液を得た。
水置換工程までは実施例6と同様にして、その後、熟成工程、アルカリ除去工程は行わず、最後に減圧濃縮のみを行い、20質量%のシリカ粒子分散液を得た。
Claims (7)
- 電子顕微鏡写真から求めた平均粒子径が5~300nm、前記平均粒子径と窒素吸着によるBET法による比表面積から求めた密度が1.20g/cm3以上1.60g/cm 3 未満で、アルコキシ基に由来する炭素量が0.005質量%以上0.50質量%未満であるシリカ粒子を含み、pHが8未満、シリカ濃度が12~40質量%、シリカ濃度20質量%換算粘度が40mPa・s以下、前記シリカ粒子以外の珪素を含む化合物の量が200ppm以下であることを特徴とする研磨用シリカ粒子の分散液。
- 前記分散液中の下記元素の量が、前記シリカ粒子あたり、
(1)アルカリ金属、アルカリ土類金属、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zrの各々が0.1ppm未満、
(2)Cu、Ni、Crの各々が1ppb未満、
(3)U、Thの各々が0.3ppb未満、
であることを特徴とする請求項1に記載の研磨用シリカ粒子の分散液。 - アンモニアを含有し、シリカ濃度20質量%におけるアンモニアの含有量が100ppm未満であることを特徴とする請求項1に記載の研磨用シリカ粒子の分散液。
- 前記シリカ粒子中の 29 Si-NMR解析によるケミカルシフトが-73.0~-120.0ppmに現れるQ0~Q4構造を表す各々のピークの面積の合計に対する、ケミカルシフトが-100.0~-120.0ppmに現れるQ4構造を表すピークの面積の割合が70~90%であることを特徴とする請求項1記載の研磨用シリカ粒子分散液。
- アルコキシシランを、水、有機溶媒、及び触媒の存在下で加水分解して、シリカ粒子を含む分散液を調製する分散液調製工程と、
前記分散液を、電子顕微鏡写真から求めた平均粒子径と窒素吸着によるBET法による比表面積から求めたシリカ粒子の密度が1.20g/cm3以上1.60g/cm 3 未満となるように、アルカリの存在下で加熱する熟成工程と、
前記熟成工程で得られた分散液からアルカリを除去して、分散液のシリカ濃度20質量%換算粘度を一旦60mPa・s以上まで上昇させた後、更にアルカリを除去して分散液のpHを8未満にするアルカリ除去工程と、
を有し、前記分散液調製工程における前記水の量を、アルコキシシランを構成するSi-OR基1モル当たり1~5モル、前記触媒の量を、アルコキシシラン1モル当たり0.005~1モルとすることを特徴とする研磨用シリカ粒子分散液の製造方法。 - 前記分散液調製工程と前記熟成工程の間に、分散液の有機溶媒を水に置換する水置換工程を有することを特徴とする請求項5に記載の研磨用シリカ粒子分散液の製造方法。
- 前記熟成工程がpH8以上で行われることを特徴とする請求項5に記載の研磨用シリカ粒子分散液の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017221356 | 2017-11-16 | ||
JP2017221356 | 2017-11-16 | ||
PCT/JP2018/042209 WO2019098257A1 (ja) | 2017-11-16 | 2018-11-15 | シリカ粒子の分散液及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019098257A1 JPWO2019098257A1 (ja) | 2020-12-03 |
JP7195268B2 true JP7195268B2 (ja) | 2022-12-23 |
Family
ID=66539175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019554269A Active JP7195268B2 (ja) | 2017-11-16 | 2018-11-15 | シリカ粒子の分散液及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11427730B2 (ja) |
JP (1) | JP7195268B2 (ja) |
KR (1) | KR102647949B1 (ja) |
TW (1) | TWI761629B (ja) |
WO (1) | WO2019098257A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7211147B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2023-01-24 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2020147490A (ja) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法、半導体デバイスの製造方法及びシリカ粒子の評価方法 |
JP7401943B2 (ja) * | 2020-02-17 | 2023-12-20 | 浙江三時紀新材科技有限公司 | 球状シリカ粉末充填剤の調製方法、これによって得られた粉末充填剤およびその使用 |
KR102513110B1 (ko) * | 2020-08-28 | 2023-03-24 | (주)에이스나노켐 | 초고순도 콜로이달 실리카 입자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 초고순도 콜로이달 실리카 입자 |
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---|---|---|---|---|
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JP2012162426A (ja) | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | シリカ系微粒子の分散ゾル、該分散ゾルの製造方法および塗料組成物 |
JP2014198649A (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 日産化学工業株式会社 | シリカゾルの製造方法 |
WO2014199904A1 (ja) | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 日産化学工業株式会社 | シリカ含有樹脂組成物及びその製造方法並びにシリカ含有樹脂組成物の成形品 |
JP2017043531A (ja) | 2015-01-20 | 2017-03-02 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用スラリー |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4011566B2 (ja) | 2003-07-25 | 2007-11-21 | 扶桑化学工業株式会社 | シリカゾル及びその製造方法 |
JP4566645B2 (ja) | 2003-07-25 | 2010-10-20 | 扶桑化学工業株式会社 | シリカゾル及びその製造方法 |
TW200604097A (en) | 2004-07-26 | 2006-02-01 | Fuso Chemical Co Ltd | Silica sol and manufacturing method therefor |
JP5080061B2 (ja) | 2005-11-10 | 2012-11-21 | 多摩化学工業株式会社 | 中性コロイダルシリカの製造方法 |
JP6146652B2 (ja) | 2013-02-01 | 2017-06-14 | 大日本印刷株式会社 | ウェブ間隔調整機構 |
SG11201507438YA (en) | 2013-03-19 | 2015-10-29 | Fujimi Inc | Polishing composition, method for producing polishing composition and polishing composition preparation kit |
JP2015019058A (ja) | 2013-06-14 | 2015-01-29 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
JP6117635B2 (ja) | 2013-06-28 | 2017-04-19 | 京セラ株式会社 | 受発光素子、および受発光素子の製造方法 |
KR101750741B1 (ko) | 2013-07-24 | 2017-06-27 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | Cmp용 실리카, 수성 분산액 및 cmp용 실리카의 제조 방법 |
JP2015074737A (ja) | 2013-10-10 | 2015-04-20 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
-
2018
- 2018-11-15 JP JP2019554269A patent/JP7195268B2/ja active Active
- 2018-11-15 US US16/764,050 patent/US11427730B2/en active Active
- 2018-11-15 WO PCT/JP2018/042209 patent/WO2019098257A1/ja active Application Filing
- 2018-11-15 KR KR1020207012488A patent/KR102647949B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-16 TW TW107140702A patent/TWI761629B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2008093422A1 (ja) | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 細長い形状を有するシリカゾルの製造方法 |
JP2012162426A (ja) | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | シリカ系微粒子の分散ゾル、該分散ゾルの製造方法および塗料組成物 |
JP2014198649A (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 日産化学工業株式会社 | シリカゾルの製造方法 |
WO2014199904A1 (ja) | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 日産化学工業株式会社 | シリカ含有樹脂組成物及びその製造方法並びにシリカ含有樹脂組成物の成形品 |
JP2017043531A (ja) | 2015-01-20 | 2017-03-02 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用スラリー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI761629B (zh) | 2022-04-21 |
TW201922617A (zh) | 2019-06-16 |
KR102647949B1 (ko) | 2024-03-14 |
KR20200087135A (ko) | 2020-07-20 |
US11427730B2 (en) | 2022-08-30 |
US20200392374A1 (en) | 2020-12-17 |
WO2019098257A1 (ja) | 2019-05-23 |
JPWO2019098257A1 (ja) | 2020-12-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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