JP7188486B2 - 絶縁樹脂材料 - Google Patents
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Description
〔1〕 熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を含む絶縁樹脂材料であって、前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し50~95質量%である、絶縁樹脂材料。
〔2〕 前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm/℃であり、かつ150℃~220℃における線熱膨張係数が5~32ppm/℃であり、前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃における弾性率が0.5~14GPaである、〔1〕記載の絶縁樹脂材料。
〔3〕 前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~10ppm/℃であり、かつ150℃~220℃における線熱膨張係数が5~15ppm/℃であり、前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃における弾性率が0.5~6GPaである、〔1〕又は〔2〕記載の絶縁樹脂材料。
〔4〕 前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線膨張係数をA(ppm/℃)とし、150℃~220℃における線熱膨張係数をB(ppm/℃)とした場合、0≦B-A≦15である、〔1〕~〔3〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔5〕 前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線膨張係数をA(ppm/℃)とし、150℃~220℃における線熱膨張係数をB(ppm/℃)とした場合、0≦B-A≦4である、〔1〕~〔4〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔6〕 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、〔1〕~〔5〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔7〕 前記熱硬化性樹脂が液状エポキシ樹脂である、〔1〕~〔6〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔8〕 前記熱硬化性樹脂の含有量が、絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し、1~15質量%である、〔1〕~〔7〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔9〕 前記無機充填材がシリカである、〔1〕~〔8〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔10〕 前記高分子樹脂の数平均分子量が300~100000である、〔1〕~〔9〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔11〕 前記高分子樹脂の数平均分子量が8000~20000である、〔1〕~〔10〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔12〕 前記高分子樹脂がブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格およびシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有する、〔1〕~〔11〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔13〕 前記高分子樹脂がブタジエン骨格、イミド骨格およびウレタン骨格を有する、〔1〕~〔12〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔14〕 前記高分子樹脂の含有量が、絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し、1~30質量%である、〔1〕~〔13〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料。
〔15〕 〔1〕~〔14〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料が支持体上に層形成されてなる接着フィルム。
〔16〕 〔1〕~〔14〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料を熱硬化してなるシート状硬化物。
〔17〕 〔1〕~〔14〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料をシリコンウェハ上に層形成し、熱硬化させることで、シリコンウェハ上にシート状硬化物を形成したときの25℃における反り量が0~5mmである、〔16〕記載のシート状硬化物。
〔18〕 〔1〕~〔14〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料を用いてなるプリント配線板。
〔19〕 〔16〕又は〔17〕記載のシート状硬化物上に導体層が形成されているプリント配線板。
〔20〕 〔1〕~〔14〕のいずれか記載の絶縁樹脂材料を用いてなるウエハレベルチップサイズパッケージ。
〔21〕 〔16〕又は〔17〕記載のシート状硬化物上に導体層が形成されているウエハレベルチップサイズパッケージ。
本発明の絶縁樹脂材料は、熱硬化性樹脂、無機充填材及びガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を含有する樹脂組成物であり、さらに必要に応じて硬化促進剤、他の成分等を含んでいてもよい。以下に詳細を述べる。
本発明に使用される熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、シアネートエステル樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂等が挙げられる。なかでも、メッキ密着性向上という点で、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
本発明の絶縁樹脂材料は、無機充填材を含有することにより、線熱膨張係数を低下させることができる。無機充填材としては、特に限定されないが、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムなどが挙げられる。なかでも、無定形シリカ、粉砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ、球状シリカ等のシリカが好ましく、充填性を高める点から溶融シリカ、球状シリカがより好ましく、球状溶融シリカが更に好ましい。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。市販されている球状溶融シリカとして、(株)アドマテックス製「SOC2」、「SOC1」等が挙げられる。
本発明の絶縁樹脂材料は、ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂を含有することにより、硬化物の弾性率を低下させることができ、更には導体層と絶縁層とのピール強度を向上させることができる。また、ガラス転移温度が30℃以下の高分子樹脂は、25℃~220℃の広い温度領域において線熱膨張係数が変化しにくく、硬化物の線熱膨張係数の差を低く抑えることができる。このため、ガラス転移温度は20℃以下がより好ましく、10℃以下が更に好ましい。ガラス転移温度の下限値は特に限定されないが、一般的に-30℃以上となる。
本発明の絶縁樹脂材料は、さらに硬化促進剤を含有することにより、熱硬化性樹脂を効率よく硬化させることができる。硬化促進剤としては、特に限定されないが、イミダゾール系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、ホスホニウム系硬化促進剤等が挙げられる。
本発明の絶縁樹脂材料は、本発明の効果を阻害しない範囲で、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー、ゴム粒子等の有機充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、チアゾール系、トリアゾール系、シランカップリング剤等の密着性付与剤、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等の難燃剤、等を挙げることができる。
本発明の接着フィルムは、当業者に公知の方法、例えば、有機溶剤に絶縁樹脂材料を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて、支持体に塗布し、更に加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて、支持体上に樹脂組成物層を形成させることにより、絶縁樹脂材料が支持体上に層形成されてなる接着フィルムとして製造することができる。
本発明のプリント配線板としては、リジッド回路基板、フレキシブル回路基板、片面積層基板、薄物基板等が挙げられる。上記のようにして製造した接着フィルムを用いてプリント配線板を製造する方法の一例を説明する。
本発明の絶縁樹脂材料を用いることにより、寸法安定性かつ低反り性に優れたウエハレベルチップサイズパッケージを作製することができる。絶縁樹脂材料はウエハレベルチップサイズパッケージの両面に積層してもよいし、片面に積層してもよい。ウエハレベルチップサイズパッケージには種々の構造が考案されているが、ファンイン構造とファンアウト構造に大別することができる。シリコンウエハの厚みは、薄膜化の観点から50~150μmが好ましく、80~120μmがより好ましい。
(1)シリコンウェハ上に回路や電極パッドを形成する工程。
(2)シリコンウェハ上に本発明の接着フィルムを積層する工程。
(3)接着フィルムを硬化、支持体を剥離し、穴あけを行い、デスミア処理を行い、無電解メッキおよび電解メッキにより再配線層を形成する工程。
(4)必要に応じて、この再配線層の上から更に、(2)および(3)を繰り返す工程。
(5)再配線層上に半田ボールを形成する工程。
(6)ダイシングを行う工程。
(1)所定の機能を有する回路素子およびこの回路素子上に電気的に接続されている複数の電極パッドを形成したシリコンウエハを作成する工程。
(2)シリコンウエハ上の電極パッド部の上面に柱状電極を形成する工程。
(3)柱状電極面側から本発明の接着フィルムを貼り合わせて硬化、支持体を剥離し、絶縁層を形成する工程。
(4)絶縁層と柱状電極の上面部を適宜に研磨除去して柱状電極の上面を露出させる工程。
(5)露出した柱状電極の上面にハンダボールを形成する工程。
(6)ダイシングを行う工程。
(1)シリコンウェハをダイシングし、チップ個片を作成する工程。
(2)チップ個片を支持基板上にフィルムを介して固定する工程。
(3)本発明の接着フィルムをチップ個片側から積層する工程。
(4)フィルムを硬化、支持体を剥離し、穴あけを行い、デスミア処理を行い、無電解メッキおよび電解メッキにより再配線層を形成する工程。
(5)必要に応じて、更にフィルムを積層する工程。
(6)再配線層上に半田ボールを形成する工程。
(1)所定の機能を有する回路素子およびこの回路素子上に電気的に接続されている複数の電極パッドを形成したシリコンウエハを作成する工程。
(2)ダイシングを経て半導体チップ個片を作成する工程。
(3)半導体チップを半導体チップ間の距離が後のステップでファンアウトボールアレイを形成するために充分な空間を有するような位置関係で、支持体上のフィルムを介して広く配置し固定する工程。
(4)半導体チップが固定されている面側から半導体チップ間を充填するように本発明の接着フィルムを積層する工程。
(5)接着フィルムを硬化、支持体を剥離し、半導体チップのパッド上の絶縁層をエッチングし、開口を形成し、導電層を開口部内に形成する工程。
(6)フォトレジストを用いて絶縁層の上にファンアウトパターンと電極を形成し、電極パッドの上にハンダボールを形成する工程。
反応容器にG-3000(2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、数平均分子量=5047(GPC法)、ヒドロキシル基当量=1798g/eq.、固形分100wt%:日本曹達(株)製)50gと、イプゾール150(芳香族炭化水素系混合溶媒:出光石油化学(株)製)23.5g、ジブチル錫ラウレート0.005gを混合し均一に溶解させた。均一になったところで50℃に昇温し、更に撹拌しながら、トルエン-2,4-ジイソシアネート(イソシアネート基当量=87.08g/eq.)4.8gを添加し約3時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(酸無水物当量=161.1g/eq.)8.96gと、トリエチレンジアミン0.07gと、エチルジグリコールアセテート(ダイセル化学工業(株)社製)40.4gを添加し、攪拌しながら130℃まで昇温し、約4時間反応を行った。FT-IRより2250cm-1のNCOピークの消失の確認を行った。NCOピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから100メッシュの濾布で濾過して、イミド骨格、ウレタン骨格、ブタジエン骨格を有する高分子樹脂Aを得た。
粘度 :7.5Pa・s(25℃、E型粘度計)
酸価 :16.9mgKOH/g
固形分 :50質量%
数平均分子量 :13723
ガラス転移温度 :-10℃
ポリブタジエン構造部分の含有率 :50/(50+4.8+8.96)×100=78.4質量% 。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「jER828EL」)40部、イミダゾール誘導体(四国化成(株)製、「2P4MZ」)1部、ポリイミド樹脂A260部、MEK300部、液状ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」20部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス(株)製、「SO-C2」、平均粒径0.5μm)920部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に、ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm、以下「PETフィルム」と略称する。)上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが40μmとなるようにダイコーターにて塗布し、80~120℃(平均100℃)で7分間乾燥し、接着フィルムを得た。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「jER828EL」)54部、イミダゾール誘導体(四国化成(株)製、「2P4MZ」)1部、ポリイミド樹脂A400部、MEK300部、液状ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」20部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス(株)製、「SO-C2」、平均粒径0.5μm)920部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。その後、実施例1と同様にして接着フィルムを得た。
実施例1のフェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス(株)製、「SO-C2」、平均粒径0.5μm)を、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス(株)製、「SO-C5」、平均粒径1.6μm)に変更した以外は、実施例1と同様にして接着フィルムを得た。
実施例2のフェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス(株)製、「SO-C2」、平均粒径0.5μm)を、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス(株)製、「SO-C5」、平均粒径1.6μm)に変更した以外は、実施例2と同様にして接着フィルムを得た。
実施例1の球形シリカを50部に変更した以外は、実施例1と同様にして接着フィルムを得た。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「jER828EL」)40.3部、イミダゾール誘導体(四国化成(株)製、「2P4MZ」)0.5部、MEK30部、液状ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」10部、固形ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量250、DIC(株)製、「HP6000」42.5部、フェノキシ樹脂溶液(ジャパンエポキシレジン(株)製「YX-6954」、不揮発分30質量%のMEKとシクロヘキサノンとの混合溶液、ガラス転移温度120℃)14部、フェノールノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量105、DIC(株)製、「TD2090」の不揮発分60質量%のMEKワニス)75部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス(株)製、「SO-C2」、平均粒径0.5μm)625部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。その後、実施例1と同様にして接着フィルムを得た。
上記接着フィルムを180℃で90分間、熱硬化させてシート状の硬化物を得た。次に、PETフィルムを剥離し、日本工業規格(JIS K7127)に準拠し、テンシロン万能試験機((株)エー・アンド・デイ製)により硬化物の引っ張り試験を行い、弾性率を測定した。
PETフィルム上に、実施例1~4、比較例1に記載の樹脂ワニスを厚みが80μmとなるようにダイコーターにて塗布し、80~120℃(平均100℃)で6分間乾燥し熱硬化性樹脂組成物層を形成し接着フィルムを製造した。この接着フィルム(80μm)をシリコンウエハ(100μm)にバッチ式真空加圧ラミネーターMVLP-500((株)名機製作所製、商品名)にて貼り合わせ、180℃で90分の熱処理を行い、反りの有無を観察した。上記処理後のウエハの端部を押さえつけ、押さえつけた箇所の逆側のウエハ端部と地上との距離を反り量とした。反り量が0~5mmのものを「○」、反り量が5mmより大きいものを「×」と評価した。結果を表1に示す。
上記接着フィルムを190℃で90分間、熱硬化させてフィルム状の硬化物を得た。その硬化物を、幅5mm、長さ15mmの試験片に切断し、(株)リガク製熱機械分析装置(Thermo Plus TMA8310)を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重1g、昇温速度5℃/分の測定条件にて連続して2回測定した。2回目の測定における25℃から150℃における平均の線熱膨張係数、および150℃から220℃における平均の線熱膨張係数を算出した。
上記の25℃から150℃における平均の線熱膨張係数が30ppm/℃以下、かつ150℃から220℃における平均の線熱膨張係数32ppm/℃以下であるものを「○」とし、上記の25℃から150℃における平均の線熱膨張係数が30ppm/℃より大きいか、あるいは150℃から220℃における平均の線熱膨張係数32ppm/℃より大きいものを「△」とし、上記の25℃から150℃における平均の線熱膨張係数が100ppm/℃より大きいか、あるいは150℃から220℃における平均の線熱膨張係数200ppm/℃より大きいものを「×」と評価した。
(1)積層板の下地処理
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板[銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.3mm、松下電工(株)製R5715ES]の両面をメック(株)製CZ8100に浸漬して銅表面の粗化処理を行った。
(2)接着フィルムのラミネート
上記接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーターMVLP-500((株)名機製作所製、商品名)を用いて、積層板の両面にラミネートした。ラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、その後30秒間、100℃、圧力0.74MPaで圧着することにより行った。
(3)樹脂組成物の硬化
ラミネートされた接着フィルムからPETフィルムを剥離し、180℃、30分の条件で樹脂組成物を硬化し、絶縁層を形成した。
(4)粗化処理
絶縁層を形成した積層板を、膨潤液である、アトテックジャパン(株)のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドPに60℃で5分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン(株)のコンセントレート・コンパクトP(KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で5分間浸漬、最後に中和液として、アトテックジャパン(株)のリダクションショリューシン・セキュリガントPに40℃で5分間浸漬した。この粗化処理後の積層板を評価基板Aとした。
(5)セミアディティブ工法によるメッキ
絶縁層表面に回路を形成するために、評価基板Aを、PdCl2を含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅メッキ液に浸漬した。次いで、硫酸銅電解メッキを行い、30μmの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を180℃にて60分間行った。このメッキ後の積層板を評価基板Bとした。
(6)算術平均粗さ(Ra)の測定
非接触型表面粗さ計(ビーコインスツルメンツ社製「WYKO NT3300」)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定範囲を121μm×92μmとして得られる数値によりRa値を求めた。そして、10点の平均値を求めることにより測定した。
(7)ピール強度の測定
評価基板Bの導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具(株式会社ティー・エス・イー、オートコム型試験機 AC-50C-SL)で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定した。
Claims (30)
- 熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下かつブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格及びシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有し、さらにアミド骨格、イミド骨格及びウレタン骨格から選択される1種以上の骨格を有する高分子樹脂を含む絶縁樹脂材料であって、
前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し80~95質量%であり、
前記無機充填材の平均粒径が5μm以下であり、
前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm
/℃である、絶縁樹脂材料。 - 熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下かつブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格及びシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有する高分子樹脂を含む絶縁樹脂材料であって、
前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し80~95質量%であり、
前記無機充填材の平均粒径が5μm以下であり、
前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm
/℃である、絶縁樹脂材料(フェノール樹脂を含む絶縁樹脂材料、及び1,6-ジグリシジルナフタレンを含む絶縁樹脂材料を除く)。 - 熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下かつブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格及びシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有する高分子樹脂を含む絶縁樹脂材料であって、
前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し80~95質量%であり、
前記無機充填材の平均粒径が5μm以下であり、
前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm
/℃である、絶縁樹脂材料(アクリロニトリル骨格を有する樹脂を含む絶縁樹脂材料、及び1,6-ジグリシジルナフタレンを含む絶縁樹脂材料を除く)。
- 熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下かつブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格及びシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有する高分子樹脂を含む絶縁樹脂材料であって、
前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し80~95質量%であり、
前記無機充填材の平均粒径が3μm以下であり、
前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm
/℃である、絶縁樹脂材料(フェノール樹脂を含む絶縁樹脂材料を除く)。 - 熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下かつブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格及びシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有する高分子樹脂を含む絶縁樹脂材料であって、
前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し80~95質量%であり、
前記無機充填材の平均粒径が3μm以下であり、
前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm
/℃である、絶縁樹脂材料(アクリロニトリル骨格を有する樹脂を含む絶縁樹脂材料を除く)。 - 熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下かつブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格及びシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有する高分子樹脂を含む絶縁樹脂材料であって、
前記熱硬化性樹脂の含有量が、絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し、1~15質量%であり、
前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し80~95質量%であり、
前記無機充填材の平均粒径が3μm以下であり、
前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm
/℃である、絶縁樹脂材料(フェノール樹脂を含む絶縁樹脂材料を除く)。 - 熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下かつブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格及びシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有する高分子樹脂を含む絶縁樹脂材料であって、
前記熱硬化性樹脂の含有量が、絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し、1~15質量%であり、
前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し80~95質量%であり、
前記無機充填材の平均粒径が3μm以下であり、
前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm
/℃である、絶縁樹脂材料(アクリロニトリル骨格を有する樹脂を含む絶縁樹脂材料を除く)。 - 前記無機充填材がシリカである、請求項1~7の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~15ppm/℃である、請求項1~8の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃における弾性率が0.5~14GPaである、請求項1~5、8、9の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃における弾性率が0.5~10GPaである、請求項1~5、8~10の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線膨張係数をA(ppm/℃)とし、150℃~220℃における線熱膨張係数をB(ppm/℃)とした場合、0≦B-A≦15である、請求項1~5、8~11の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線膨張係数をA(ppm/℃)とし、150℃~220℃における線熱膨張係数をB(ppm/℃)とした場合、0≦B-A≦9である、請求項1~5、8~12の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、請求項1~13の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- エポキシ樹脂全体を100質量部としたとき、液状エポキシ樹脂が60~100質量部である、請求項14に記載の絶縁樹脂材料。
- 前記高分子樹脂の数平均分子量が300~100000である、請求項1~15の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 前記熱硬化性樹脂の含有量が、絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し、1~15質量%である、請求項1~5、8~16の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 前記高分子樹脂のガラス転移温度が20℃以下である、請求項1~17の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 前記高分子樹脂がさらにアミド骨格、イミド骨格及びウレタン骨格から選択される1種以上の骨格を有する、請求項2~5、8~18の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- プリント配線板の絶縁層用である、請求項1~19の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- チップ個片に積層するための絶縁樹脂材料である、請求項1~19の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料。
- 請求項1~21の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料が支持体上に層形成されてなる接着フィルム。
- 絶縁樹脂材料が支持体上に層形成されてなる接着フィルムであって、
前記絶縁樹脂材料が、熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下かつブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格及びシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有する高分子樹脂を含み、
前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し80~95質量%であり、
前記無機充填材の平均粒径が5μm以下であり、
前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm
/℃である絶縁樹脂材料(フェノール樹脂を含む絶縁樹脂材料を除く)である、接着フィルム。 - 絶縁樹脂材料が支持体上に層形成されてなる接着フィルムであって、
前記絶縁樹脂材料が、熱硬化性樹脂、無機充填材およびガラス転移温度が30℃以下かつブタジエン骨格、カーボネート骨格、アクリル骨格及びシロキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有する高分子樹脂を含み、
前記無機充填材の含有量が絶縁樹脂材料の不揮発成分100質量%に対し80~95質量%であり、
前記無機充填材の平均粒径が5μm以下であり、
前記絶縁樹脂材料の硬化物の25℃~150℃における線熱膨張係数が3~30ppm
/℃である絶縁樹脂材料(アクリロニトリル骨格を有する樹脂を含む絶縁樹脂材料を除く)である、接着フィルム。 - 請求項1~21の何れか1項記載の絶縁樹脂材料を熱硬化してなるシート状硬化物。
- 請求項1~21の何れか1項に記載の絶縁樹脂材料を厚み100μm、直径100mmのシリコンウェハ上に厚み80μmにて層形成し、熱硬化させることで、シリコンウェハ上にシート状硬化物を形成したときの25℃における反り量が0~5mmであるシート状硬化物。
- 請求項1~20の何れか1項記載の絶縁樹脂材料を用いてなるプリント配線板。
- 請求項25又は26記載のシート状硬化物上に導体層が形成されているプリント配線板。
- 請求項1~19、21の何れか1項記載の絶縁樹脂材料を用いてなるウエハレベルチップサイズパッケージ。
- 請求項25又は26記載のシート状硬化物上に導体層が形成されているウエハレベルチップサイズパッケージ。
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