JP7176088B2 - 光線力学治療装置 - Google Patents

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Description

本発明は、光線力学治療装置に関する。
下記特許文献1においては、患部を治療する特定波長の発光ピークを有する光を発する複数のマトリクス状に配列されたLEDと、この複数のLEDの光の強度の分布を検出する光検出器と、光検出器によって検出される光の強度の分布が適切な範囲に収まるように、複数のLEDを駆動する電流を決定する光強度分布制御部と、を備える光線力学治療装置が開示されている。
特開2018-65058号公報
しかし、従来の光線力学治療装置では、マトリクス状に発光素子が配列されてなる光源の光量を正しく検出するためには、同様にマトリクス状に配列された光センサを光検出器として用いるか、或いは1つの光センサを光源に対して走査させる光検出器を用いることが必要となり、装置のコンパクト化が困難であるという問題があった。
本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、限られた個数の光検出器により光源の光量を正しく検出できるコンパクトな光線力学治療装置を実現することにある。
上記課題を解決するために、本開示に係る光線力学治療装置は、複数のグループのいずれかにそれぞれ属する複数の光源を備える発光部と、1以上の前記光源からの光の受光量に応じた電気信号を出力する光検出器と、前記複数の光源を前記グループ毎に順次発光させる発光制御部と、前記各グループに属する1以上の前記光源と前記光検出器との距離に関する距離係数と、該グループに属する1以上の前記光源からの光に応じて前記光検出器により出力される前記電気信号の値と、に基づいて、前記各グループに属する1以上の前記発光素子の光量に関するグループ光量値を算出する演算部と、を含む。
実施形態に係る光線力学治療の概要を示す模式図である。 実施形態に係る光線力学治療装置の本体の外観斜視図である。 実施形態に係るカートリッジの内部構造を示す斜視図である。 左側板を省略することで筐体の内部構造を示す左側面図である。 実施形態に係る光線力学治療装置の回路ブロック図である。 実施形態に係る光線力学治療装置の制御方法の一例を示すフローチャートである。
本開示における実施形態について、図面を用いて以下に説明する。
図1は、本実施形態に係る光線力学治療の概要を示す模式図である。図1に示す例では、患者4が血液がん患者であり、腫瘍細胞5を有する例を示す。患者4に経口吸収性を有するアミノレブリン酸(5-aminolevulinic acid: 5-ALA)を投与すると、細胞内ミトコンドリアにてヘムが生合成される過程において、アミノレブリン酸が、光感受性物質であるプロトポルフィリンIX(protoporphyrin IX: PpIX)に代謝される。プロトポルフィリンIXは、腫瘍細胞特異的にミトコンドリア内に蓄積する特性を有するため、患者4の腫瘍細胞5に蓄積される。
患者4の循環器は、血液回路6、照射用血液回路7を介して、本実施形態の光線力学治療装置100に接続されている。患者4の血液には、プロトポルフィリンIXが蓄積された腫瘍細胞5が含まれており、当該血液が、血液回路6に接続された体外循環ポンプ8の働きにより、血液回路6、照射用血液回路7を介して本開示の光線力学治療装置100に流入する。光線力学治療装置100において、プロトポルフィリンIXが吸収しうる波長領域(例えば、410nm付近、500~650nm付近)の光が照射されると、血液に含まれるプロトポルフィリンIXが励起一重項状態となる。プロトポルフィリンIXは、励起一重項状態から励起三重項状態を経て基底状態に戻る。その際のエネルギーを吸収した酸素が一重項酸素となり、血液中の腫瘍細胞5を破壊し、又は影響を与えることができる。
光照射が行われた血液は、照射用血液回路7、血液回路6を介し、体外循環ポンプ8の働きにより、患者4の循環器に戻される。
なお、上記例においては、光感受性物質の一例として、プロトポルフィリンIXを用いたが、本開示はそれに限定されない。また、上記例においては、患者4が血液がん患者であり、腫瘍細胞5を有する例を示したが、本開示の対象は腫瘍細胞5に限定されず、光感受性物質が蓄積される血液中の望ましくない成分であれば、本開示の対象となり得る。
図2は、本実施形態の光線力学治療装置100の本体を示す外観斜視図である。同図に示すように、本実施形態の光線力学治療装置100の本体は、カートリッジ10と、カートリッジ10を収納する筐体50と、を含む。筐体50は薄型箱状であり、LED光源を含む発光部をそれぞれ内面に備え、互いに対向する左側板50L及び右側板50Rを備えている。筐体50の前面に設けられた開口は、図示しない蓋により閉塞され、光漏れが防止される。筐体50の上部は上板52Uが、下部は底板52Bがそれぞれ覆っている。また、裏面は図示しない背板が覆っている。背板には複数のファン54が設けられており、上記発光部から発せられる熱を外部に強制排出するようになっている。なお、前面開口に設けられる蓋には吸気口が設けられてよい。カートリッジ10はカバー10aを含んでおり、このカバー10aは透光性部材により形成され、前面にハンドルを備えている。
図3は、本実施形態のカートリッジ10の内部構造を示す外観斜視図である。同図は、カバー10aを取り外してカートリッジ10を示したものである。同図に示すように、カートリッジ10は、互いに対向する左右の平坦面を備えた中空筒状の巻き芯20と、巻き芯20の側面を周回するよう配置されたチューブ30と、を含む。巻き芯20もチューブ30も、それぞれ透光性の材料により形成されている。カートリッジ10は、その左側面が筐体50の左側板50Lの内面に対向し、その右側面が筐体50の右側板50Rの内面に対向するようにして、筐体50内部に収容され、左右両面で効率よく上記発光部からの光を受けるようにされている。なお、カートリッジ10は患者ごとに使い捨てられる。また、光線力学治療装置100は、同図に示される本体の他、図5に示される制御部150等を含んでいる。
図4は、筐体50の左側面図であり、ここでは筐体50の内部構造を示すために左側板50Lが取り外されている。同図に示すように、筐体50の底板52Bの上面には光検出器120Xが取り付けられ、上板52Uの下面にも光検出器120Yが取り付けられている。光検出器120Xは光検出素子121B,121C及び121Fを含んでおり、これら光検出素子121B、121C及び121Fは筐体50の左右中心に位置する線上において、筐体50の奥側からこの順で並ぶように配置されている。また、光検出素子121Bと光検出素子121Cとの距離は、光検出素子121Fと光検出素子121Cとの距離と等しい。また、光検出素子121B、121C及び121Fは、いずれもその光検出方向が真上を向くように取り付けられている。
光検出器120Yも、同様に光検出素子121B,121C及び121Fを含んでおり、これら光検出素子121B、121C及び121Fは筐体50の左右中心に位置する線上において、筐体50の奥側からこの順で並ぶように配置されている。また、光検出素子121Bと光検出素子121Cとの距離は、光検出素子121Fと光検出素子121Cとの距離と等しい。また、光検出素子121B、121C及び121Fは、いずれもその光検出方向が真下を向くように取り付けられている。そして、光検出器121Yの光検出素子121Bの検出方向、すなわち正面には光検出器121Xの光検出素子121Bが位置する。同様に、光検出器121Yの光検出素子121Cの検出方向、すなわち正面には光検出器121Xの光検出素子121Cが位置し、光検出器121Yの光検出素子121Fの検出方向、すなわち正面には光検出器121Xの光検出素子121Fが位置する。すなわち、光検出素子121B同士が向き合い、光検出素子121C同士が向き合い、光検出素子121F同士が向き合うようになっている。
筐体50の右側板50Rの内面には、光検出器120X、120Yの検出方向、すなわち図中上下方向に発光素子基板111-1~111-9がこの順で下から上に配列されている。これら発光素子基板111-1~111-9により発光部112が構成されている。発光素子基板111は、いずれも横長矩形の平板状であって、同一の形状及び構造であり、その長手方向が筐体50の前後方向に一致するように、また表面が筐体50内側を向くように、右側板50Rに取り付けられている。発光素子基板111の表面には複数の光源110(ここでは発光素子であるの単体LED素子)がマトリクス状に実装されている。具体的には、光検出器120X,120Yの検出方向に複数行(同図では3行)、同検出方向に直交する交差方向に複数列(同図では21列)となるよう、多数の光源110が実装されている。また、各光源110の光の出射方向は発光素子基板111の表面に対して垂直であり、カートリッジ10を向いている。なお、各光源110は、LED発光素子及びその発光部分を覆う集光素子(集光レンズ)からなっており、出射される光の強度は、集光素子の正面方向である、発光素子基板111の表面に対して垂直な方向で最大となり、そこから外れるに従って強度は小さくなる。但し、各光源110は集光素子を備えなくてもさらに、各発光素子基板111において、長手方向の中心線に対して、該発光素子基板111に実装されている光源110は対称に配置されている。例えば、同図では発光素子基板111の長手方向の中心線上に11行目の光源110が配置されている。
発光素子基板111-1~111-9は、上下方向の間隔が等しくなるよう配置されており、またいずれも前後方向の位置が右側板50Lに対して揃っている。また、発光素子基板111-1~111-9の長手方向の中心線はいずれも、上述した光検出素子121C,121Cを結ぶ線(検出方向に伸びる線)と一致するようになっている。
さらに、光検出器120Xと発光素子基板111-1との距離は、光検出器120Yと発光素子基板111-9との距離と等しい。また、光検出素子121Bと光検出素子121Cとの距離、及び光検出素子121Fと光検出素子121Cと距離は、いずれも各発光素子基板111に実装される光源110の行方向の幅の例えば4分の1強である。光検出素子121Fには行方向における前端寄りに設けられた光源110の光が主に入射し、光検出素子121Bには行方向における後端寄りに設けられた光源110の光が主に入射し、光検出素子121Cには行方向における中央付近に設けられた光源110の光が主に入射する。
左側板50Lにも同様にして発光部112が設けられ、その光検出器120X及び120Yに対する相対的位置は、右側板50Lの発光部112と同一である。後述するように、本実施形態では、同じ高さに配置された左右の発光素子基板111,111に実装されている光源110が1つのグループをなしており、光量チェックモードにおいては、左右の発光部112は、グループ毎に光源110を発光させるよう制御している。すなわち、左側板50Lの発光素子基板111-nが点灯する際には、右側板50Rの発光素子基板111-nも点灯し、両基板からの光を光検出器120X又は120Yが同時に受光する。以下では、左右の発光部112の同じ高さの発光素子基板111に実装されている光源110を「グループに属する光源110」と記し、また同じ高さの発光素子基板111を「グループの発光素子基板111」と表現する場合がある。
左側板50Lの上下端部、右側板50Rの上下端部には前後方向に延伸するガイドレール53が設けられており、このガイドレール53に沿ってカートリッジ10が筐体50内に挿入される。その結果、カートリッジ10の左側面が筐体50の左側板50Lの内面に設けられた発光部112に対向し、カートリッジ10の右側面が筐体50の右側板50Rの内面に設けられた発光部112に対向する。こうして、図3に示されるチューブ30を流れる血液に光が効率よく照射される。当該血液中には、光感受性物質が含まれており、発光部112からの光照射により、上述したとおり一重項酸素が発生し、血液中の望ましくない成分を破壊し、又は影響を与えることができる。
図5は、本実施形態の光線力学治療装置100の回路ブロック図である。同図に示すように、本実施形態の光線力学治療装置100は、上述した発光部112,112と、上述した光検出器120X,120Yと、制御部150と、を含む。光線力学治療装置100は、この他にも電源装置170、表示装置180、スピーカ190を含む。
光検出器120X,120Yは、光検出素子121F,121C,121Bをそれぞれ含んでおり、それら検出素子は光源110から出射された光を受け、その受光量に応じた電気信号を出力する。電気信号は、例えばアナログ電圧信号であり、受光量が大きくなるほど高い電圧が光検出素子121F,121C,121Bからそれぞれ出力される。こうして出力される電気信号は、A/D変換回路130に入力され、A/D変換回路130はそれらをデジタル値に変換する。それらデジタル値は制御部150に入力される。以下、このデジタル値を「オリジナル光量値」という。
制御部150は、CPU151及びメモリ152を備え、コンピュータとしての機能を有している。CPU151は、内蔵プログラムに従って、光線力学治療装置100の各部を制御するとともに、本開示に係る「演算部」としても機能し、後述するようにグループ光量値や総光量値などの演算を行う。制御部150は、スイッチング回路を内蔵する発光制御部160に接続されており、制御部150は、内蔵プログラムに従って発光制御部160に指令を送出することにより、発光部112,112のそれぞれの光源110を発光させる。具体的には、治療モードでは、発光部112,112のすべての光源110を点灯させる。また、光量チェックモードでは、発光部112,112のそれぞれの光源110をグループ毎に順次発行させる。光量チェックモードでは、各発光部112の発光素子基板111が点灯するごとに、それら発光素子基板111からの光の光量を示すデジタル値、すなわちオリジナル受光値をメモリ152に保存する。その他、メモリ152は、内蔵プログラムを記憶したり、CPU151の作業領域を確保したりする。なお、内蔵プログラムは、例えば図示しない通信部によりパーソナルコンピュータと接続してインストールされてもよいし、半導体メモリなどの外部記憶媒体からインストールされてもよい。
発光制御部160は、制御部150から送出される指令に従って、電源装置170から供給される電源電圧を発光部112,112に供給する。特に光量チェックモードでは、発光制御部160は、発光部112,112のそれぞれにおいて、発光素子基板111-1~111-9のいずれかに選択的に供給する。例えば、切替タイミングを上記指令として制御部150から受ける場合には、事前に定められた順序で発光素子基板111-1~111-9に電源電圧を供給する。或いは、発光素子基板111-1~111-9のいずれかの指定を上記指令として制御部150から受ける場合には、指定された発光素子基板111に電源電圧を供給する。なお、発光制御部160は、治療モードにおいて、制御部150からの指令に従って、指令により指定された発光素子基板111の光量を調整するようにしてもよい。例えば、各発光素子基板111に電源電圧を供給する際に、そのデューティー比を変更することで光量を調整できる。制御部150からの指令の中にアナログ指令信号が含まれ、そのアナログ信号に比例して発光素子を点灯する電流を変化させることで光量を調整できる。
光量チェックモードでは、制御部150から送出される指令に従って、各発光部112において選択された発光素子基板111が点灯した場合、光検出器120X又は120Yのうち、それら選択された発光素子基板111,111に予め対応づけられている方のオリジナル受光値を、制御部150がメモリ152に保存する。各発光素子基板111には、交差方向にも光源110が配列されており、また光検出器120X及び120Yに含まれる光検出素子120F,120C,120Bのそれぞれの受光感度は正面方向を最大とする角度特性がある。すなわち、正面方向で受光感度は最大となり、同方向から外れるにつれて受光感度は低くなる。そこで本実施形態では、特に、各発光素子基板111には、光検出器120X又は120Yのうち、それから遠い方を対応づけている。具体的には、発光素子基板111-1~111-4は光検出器120Yに対応づけられ、発光素子基板111-6~111-9は光検出器120Xに対応づけれる。発光素子基板111-5は、光検出器120X及び120Yに対して等距離であるから、どちらに対応づけられてもよい。ここでは、一例として光検出器120Yに対応づけられることとする。このようにすることで発光素子基板111に実装されている各光源110が、各光検出素子121F,121C,121Bの検出方向(最大受光感度の向き、すなわち正面方向)に近づくことになり、各光源110からの光が、光検出素子121F,121C,121Bのそれぞれにより、より感度高く検出されるようになる。この結果、光検出器120X及び120Yは、各光源110の光量の増減を的確に検出できるようになる。
また、上述のように各発光素子基板111には交差方向にも光源110が配列されており、1つの光検出素子121Cだけでは、必ずしも各発光素子基板111に実装されたすべての光源110からの光を十分に検出することができない。そこで、光検出器120X及び120Yは、光検出素子121Cのみならず、上記交差方向に離間して設けられた光検出素子121F及び121Bを備えている。これら光検出素子121F及び121Bは、光検出素子121Cに比して、各発光素子基板111における交差方向の端部に実装された光源110の光をより多く受光できる。本実施形態では、光検出素子121F、光検出素子121C及び光検出素子121Bにより得られるオリジナル受光値を重み付け合成することにより、同じグループに属する光源110からの光量を示す値、すなわちオリジナルグループ光量値を計算している。これにより、同じグループの発光素子基板111,111に実装されたすべての光源110からの光量を十分に反映したオリジナルグループ光量値を得ることができる。
ここで、光検出素子121Fの検出方向(正面方向)を基準とした、同じグループに属する光源110群の相対角度は、光検出素子121Cの検出方向を基準とした、同じグループに属する光源110群の相対角度とは異なる。光検出素子121Cは、同じグループの発光素子基板111に実装された光源110の配列方向である交差方向の中央に配置されているのに対して、光検出素子121Fは、交差方向の一方側に寄って配置されているからである。同様に、光検出素子121Bの検出方向(正面方向)を基準とした、同じグループに属する光源110群の相対角度は、光検出素子121Cの検出方向(正面方向)を基準とした、同じグループに属する光源110群の相対角度とは異なる。このため、同じグループに属する光源110から出射される光のうち、光検出素子121Cにより十分に受光可能な光源110の数は、光検出素子121Fや光検出素子121Cにより十分に受光可能な光源110の数とは異なる。
そこで本実施形態では、各光検出素子121F,121C,121Bから得られるオリジナル光量値を正規化するために、光検出素子121F,121C,121Bの検出方向を基準とした、同じグループに属する光源110群の相対角度に応じた係数、すなわち相対角度係数βを事前に設定している。ここでは、光検出素子121Cの相対角度係数βは常に1とする。すべての発光素子基板111は、光検出素子121Cに対して常に正面にあるからである。一方、光検出素子121F及び121Bの相対角度係数βは、常に1よりも大きな値となる。光検出素子121Fや121Bは、光検出素子121Cよりも少数の光源110の光しか感度よく受光できないからである。
ここで、光検出素子121F及び121Bの相対角度係数βは同じ値でよい。光検出素子121F及び121Bの検出方向に対する、光の検出対称となる光源110群の相対角度は同じであり、それらにより十分に受光可能な光源110の数は同じだからである。
光検出素子121F及び121Bの相対角度係数βは、それらが光量を検出する際の光の出射元である発光素子基板111,111の位置に応じて異なる。すなわち、光検出器120Xや120Yが、より近いグループの発光素子基板111,111からの光を検出する場合には、光検出素子121F及び121Bの相対角度係数βの値は1から比較的大きく離れる。これに比して、光検出器120Xや120Yが、より遠いグループの発光素子基板111からの光を検出する場合には、光検出素子121F及び121Bの相対角度係数βの値は1に近づく。発光素子基板111,111が遠くなれば、光検出素子121Cとの相対角度の差は小さくなり、光検出素子121Fや光検出素子121Bにより十分に受光可能な光源110の数は、光検出素子121Cにより十分に受光可能な光源110の数に近づくからである。そこで、制御部150は、例えば光検出素子121F及び121Bの相対位置係数βを、発光素子基板111,111の位置、すなわちグループの位置(高さ)に関連づけて事前に記憶している。
なお、相対角度係数βの値は、すべての発光素子基板111に正常な(光量が基準を満たす)光源110を実装し、各グループの発光素子基板111からの光を、予め光検出器120Xや120Yを用いて測定しておくことにより、得ることが可能である。例えば、各グループの発光素子基板111,111の光源110を発光させ、光検出素子121Cと光検出素子121Fとでそれぞれオリジナル光量値を取得する。そして、光検出素子121Cにより得られたオリジナル光量値に対する、光検出素子121Fにより得られたオリジナル光量値の比を、その発光素子基板111の位置に対応する相対角度係数βとしてよい。
あるグループの発光素子基板111,111が発光し、そのオリジナル光量値が光検出素子121F,121C及び121Bにより得られると、制御部150は、そのグループの位置に関連づけられた相対角度係数βをメモリ152から読みだす。そして、読みだした相対角度係数βを光検出素子121F及び121Bから得られたオリジナル光量値にそれぞれ乗算する。これにより、光検出素子121F及び121Bに関して、正規化された光量値を得る。また、これら正規化された光量値と、光検出素子121Cからのオリジナル光量値との和又は平均値を計算し、この値をオリジナルグループ光量値とする。このオリジナルグループ光量値は、同じグループの発光素子基板111,111に実装されたすべての光源110からの光量の大きさを示す値である。
このような相対角度係数βを用いて、光検出素子121F,121C,121Bからのオリジナル光量値を重み付け合成して、各グループのオリジナルグループ光量値を算出することにより、交差方向に並ぶ光源110のうち一部に光量低下が生じた際にも、制御部150は適切にそのことを検知できるようになる。
なお、発光素子基板111-1~111-5のそれぞれから光検出器120Yまでの距離は異なる。具体的には、発光素子基板111-1が光検出器120Yから一番遠く、発光素子基板111-5が光検出器120Yに一番近い。同様に、発光素子基板111-6~111-9のそれぞれから光検出器120Xまでの距離は異なる。そして、発光素子基板111までの距離が遠いほど、光検出器120X又は120Yにより得られるオリジナル光量値に基づいて計算されるオリジナルグループ光量値は小さな値となってしまう。そこで、本実施形態では、オリジナルグループ光量値を正規化するため、光検出器120Xから発光素子基板111-6~111-9までの距離や、光検出器120Yから発光素子基板111-1~111-5までの距離に関する距離係数αを用いている。距離係数αは、光検出器120又は120Yから発光素子基板111までの距離が離れるほど、値が大きくなる。
距離係数αは、すべての発光素子基板111に正常な(光量が基準を満たす)光源110を実装し、各グループの発光素子基板111からの光量を、予め光検出器120Xや120Yを用いて測定しておくことにより、得ることが可能である。例えば、各グループの発光素子基板111,111の光源110を発光させ、それぞれのグループのオリジナルグループ光量値を上述のようにして計算し、特定のグループのオリジナルグループ光量値に対する、他のグループのオリジナルグループ光量値の比を、それらのグループの距離係数αとしてよい。例えば特定のグループとして光検出器120Yから最も遠い発光素子基板111-1,111-1を選ぶと、そのグループの距離係数αは1となり、他のグループの距離係数αはそれより小さな値となる。
こうして得られる距離係数αは、グループに関連づけてメモリ152に記憶される。なお、光検出器120Yにより発光素子基板111-1,111-1の光量を検出する際に適用される距離係数αは、光検出器120Xにより発光素子基板111-9,111-9の光量を検出する際に適用される距離係数αと等しい。光検出器120Yと発光素子基板111-1,111-1との距離は、光検出器120Xと発光素子基板111-9,111-9との距離と等しいからである。同様に、光検出器120Xと光検出器120Yとで、等距離のグループの発光素子基板111からの光を検出する場合には、同じ距離係数αが適用される。そこで、光検出器120X,120Yと各発光素子基板111の相対位置に従って、メモリ152に記憶される距離係数αを一部省略してもよい。
制御部150は、各グループのオリジナルグループ光量値に、そのグループの距離係数αを乗算し、それにより正規化されたグループ光量値を得る。制御部150では、正規化されたグループ光量値の総和又は平均値を算出することにより、発光部112,112全体での光量値、すなわち総光量値を算出している。この総光量値を用いて、制御部150は発光部112,112が適正光量で発光するか否かを判定する。
図6は、本実施形態に係る光線力学治療装置100の制御方法の一例を示すフローチャートである。同図においては光線力学治療装置100を光量チェックモードで動作させ、その結果に応じて治療モードで動作させる。まず、制御部150のCPU151は、光量チェックモードの動作を開始し、発光制御部160を用いて第1グループの発光素子基板111-1,111-1を選択的に発光させる(S01)。続いて、CPU151は、光検出器120Y及びA/D変換回路130によりオリジナル光量値を取得し、第1グループに関連づけてメモリ152に一時記憶する。ここでは、光検出素子121F,光検出素子121C及び121Bのそれぞれから得られる、合計3つのオリジナル光量値が一時記憶される(S03)。次に、第2グループの発光素子基板111-2,111-2を発光させる(S03)。続いて、CPU151は、光検出器120Y及びA/D変換回路130により3つのオリジナル光量値を取得し、第2グループに関連づけてメモリ152に一時記憶する(S04)。その後、同様にして、第3グループの発光素子基板111-3,111-3から、第5グループの発光素子基板111-5,111-5まで、同様にして順次発光させ、各グループに関連づけてメモリ152に3つのオリジナル光量値を一時記憶する。
次に、制御部150のCPU151は、発光制御部160を用いて第6グループの発光素子基板111-6,111-6を選択的に発光させる(S05)。続いて、CPU151は、光検出器120Y及びA/D変換回路130により3つのオリジナル光量値を取得し、第6グループに関連づけてメモリ152に一時記憶する(S06)。その後、同様にして、第7グループの発光素子基板111-7,111-7及び第8グループの発光素子基板1111-8,111-8を順次発光させ、各グループに関連づけてメモリ152に3つのオリジナル光量値を一時記憶する。最後に、第9グループの発光素子基板111-9,111-9を発光させる(S07)。そして、CPU151は、光検出器120Y及びA/D変換回路130により3つのオリジナル光量値を取得し、第9グループに関連づけてメモリ152に一時記憶する(S08)。そして、CPU151は発光制御部160に停止指令を送信して発光部112,112の発光を停止させる(S09)。
演算部であるCPU151は、各グループに関連づけてメモリ152に一時記憶されている3つのオリジナル光量値を読み出す。さらに、そのグループに関連づけてメモリ152に予め記憶されている相対角度係数β及び距離係数αを読み出す。まず、3つのオリジナル光量値を、相対角度係数βを用いて重み付け合成し、オリジナルグループ光量値を計算する。さらに、このオリジナルグループ光量値に距離係数αを乗算することにより、正規化されたグループ光量値を計算する(S10)。
次に演算部であるCPU151は、こうして計算される各グループ光量値の総和値又は平均値を算出する(S11)。CPU151は、この総和値又は平均値が基準範囲内にあるか否かを判定し(S12)、総和値又は平均値が基準範囲内にある場合、治療モードを開始し、表示装置180やスピーカ190を用いて治療中であることをユーザに報知するとともに、発光制御部160に対し、発光部112,112のすべての発光素子基板111を発光させるよう指令を送出し、治療を開始する(S13)。逆に、総和値又は平均値が基準範囲内にない場合には、治療を開始することなく、表示装置180やスピーカ190を用いてエラーを報知する(S14)。
なお、表示装置180が表示パネルを備える場合、S13においてCPU151が治療中である旨を該表示パネルに表示させたり、S14においてCPU151がエラー発生の旨を該表示パネルに表示させたりしてよい。表示装置180が正常ランプ181、及び異常ランプ182を備える場合、S13においてCPU151が正常ランプ181を点灯させ、S14においてCPU151が異常ランプ182を点灯させてもよい。
以上説明した光線力学治療装置100によれば、発光部112,112の光源110の一部に光量変化があった場合にも、適切にそれを検知することができ、光線力学治療を適切に行うことができる。すなわち、発光部112,112の全体を発光させておいて、光検出器120Xや120Yでその光量を検出しようとしても、発光部112,112に含まれる光源110のうち、光検出器120Xや120Yに近い場所の光源110の影響が相対的に強いことから、光検出器120Xや120Yから遠い場所の光源110に光量変化があったとしても、それを適切に検知することができない。これに対して、本実施形態では、発光部112,112に含まれる光源110を光検出器120Xや120Yからの距離に応じてグループ化し、グループ毎に光源110を発光させる。そして、グループ毎に光検出器120X又は120Yにより光量を測定し、オリジナルグループ光量値を得るようにしている。また、上述の距離係数αを用いて、各グループのオリジナルグループ光量値を正規化し、その和又は平均値を、発光部112,112全体での総光量値としている。この総光量値には、光検出器120Xや120Yから遠い場所の光源110からの光量も十分に反映されていることから、総光量値が基準範囲内にあるか否かを判断することにより、そうした遠くの光源110の光量変化を適切に検知できるようになる。また、従来技術と比較すると、光検出器120X,120Yを少数にでき、また光検出器120X,120Yを発光部112,112に対して走査させる必要もないので、コンパクトな光線力学治療装置100を実現できる。
なお、本実施形態により示される具体的構成は一例として示したものであり、本発明の技術的範囲をこれに限定することは意図されていない。当業者は、これら開示された実施形態を適宜変形してもよく、本明細書にて開示される発明の技術的範囲は、そのようになされた変形をも含むものと理解すべきである。
例えば、以上の説明では、カートリッジ10を左右から挟むように2つの発光部112,112を備えるとしたが、発光部112は1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。また、以上の説明では、光線力学治療装置100が上下2つの光検出器120X,120Yを備えるようにして、各発光素子基板111からの光量を光検出器120X,120Yのいずれかで測定するようにしたが、光検出器120X,120Yのいずれか一方のみを備えるようにして、各発光素子基板111からの光量を1つの光検出器で測定するようにしてもよい。
また、以上の説明では、光検出器120X及び120Yがそれぞれ光検出素子121F,121C及び121Bを含むようにして、それらにより取得される3つのオリジナル光量値の重み付け合成によりオリジナルグループ光量値を算出するようにしたが、光検出素子120X又は120Yが2つの光検出素子、或いは4以上の光検出素子を含むようにして、それらにより取得される複数のオリジナル光量値の重み付け合成によりオリジナルグループ光量値を算出してよい。或いは、光検出素子120X又は120Yが光検出素子を1つだけ含むにようにして、それにより取得されるオリジナル光量値をそのままオリジナルグループ光量値としてもよい。
さらに、以上の説明では、同じ高さの発光素子基板111に実装されている光源110を同じグループに属するものとしたが、グループの分け方はこれに限らない。例えば、発光素子基板111にはマトリクス状に複数の光源110が実装されているので、発光素子基板111に実装された光源110のうち、行方向に配列された光源110だけを、1つのグループに属するものとしてもよい。この場合、同じ高さの発光素子基板111が他にもある場合には、その発光素子基板111に実装されている光源のうち、同じ高さの行方向に配列された光源110も同じグループに属するものとしてよい。また、各光源110が複数の発光素子から構成されていてもよい。
また、以上の説明では総光量値が基準範囲内にない場合に、エラーとして治療を開始しなかったが、総光量値が基準範囲内に収まるよう発光部112,112の光量を調整するようにしてよい。例えば、1以上の発光素子基板111に電源電圧を供給する際に、そのデューティー比を調整することにより、総光量値を基準範囲内にすることができる。
また、グループ光量値及び総光量は光検出器120X,12Yの出力信号の単位で出力されることになるが、これに所定の変換係数を乗じてルクス、ルーメン、カンデラなどの光源の明るさを示す一般的な単位に変換してもよい。或いは、距離係数α又は相対角度βに、こうした一般的な単位への変換係数を含めるようにしてもよい。
4 患者、5 腫瘍細胞、6 血液回路、7 照射用血液回路、8 体外循環ポンプ、10 カートリッジ、20 巻き芯、30 チューブ、50 筐体、100 光線力学治療装置、110 光源、111-1~111-9 発光素子基板、112 発光部、120X,120Y 光検出器、121F,121C,121B 光検出素子、130 A/D変換回路、150 制御部、151 CPU、152 メモリ、160 発光制御部、170 電源装置、180 表示装置、190 スピーカ。

Claims (9)

  1. 複数のグループのいずれかにそれぞれ属する複数の光源を備える発光部と、
    1以上の前記光源からの光の受光量に応じた電気信号を出力する光検出器と、
    前記複数の光源を前記グループ毎に順次発光させる発光制御部と、
    前記各グループに属する1以上の前記光源と前記光検出器との距離に関する距離係数と、該グループに属する1以上の前記光源からの光に応じて前記光検出器により出力される前記電気信号の値と、に基づいて、前記各グループに属する1以上の前記光源の光量に関するグループ光量値を算出する演算部と、
    を含む、光線力学治療装置。
  2. 前記各グループは、それぞれ異なる領域に配置される、
    請求項1又は2に記載の光線力学治療装置。
  3. 前記光検出器は1以上の光検出素子を含み、
    前記各グループが配置される領域は、前記光検出素子最大受信感度の向きである検出方向において順に前記光検出素子から離れるように配列される、
    請求項2に記載の光線力学治療装置。
  4. 前記各グループには、前記検出方向に交差する交差方向に配列される複数の前記光源が属する、
    請求項3に記載の光線力学治療装置。
  5. 前記光検出器は、前記交差方向に離間して配置された複数の光検出素子を含み、
    前記演算部は、前記各光検出素子の最大受信感度の向きである検出方向に対する、前記各グループに属する前記複数の光源の相対角度に関する相対角度係数にさらに基づいて、前記グループ光量値を算出する、
    請求項4に記載の光線力学治療装置。
  6. 前記光検出器は、光検出素子をそれぞれ含む第1の光検出器及び第2の光検出器を含み、前記第1の光検出器及び前記第2の光検出器は、それぞれに含まれる前記光検出素子の最大受信感度の向きである検出方向が互いに向き合うよう配置され、
    前記各グループに属する1以上の前記光源からの光は、前記第1の光検出器又は前記第2の光検出器のうち、より遠くに配置される方により受光され、前記電気信号が出力される、
    請求項1乃至5のいずれかに記載の光線力学治療装置。
  7. 前記演算部は、前記各グループに係る前記グループ光量値の和又は平均値を、前記発光部の総光量に関する値として算出する、
    請求項1乃至6のいずれかに記載の光線力学治療装置。
  8. 前記演算部は、前記総光量に関する値が基準範囲内にない場合に、少なくとも1つの前記グループに属する1以上の前記発光素子の光量を調整する、
    請求項7に記載の光線力学治療装置。
  9. 前記演算部は、前記総光量に関する値が基準範囲内にない場合にエラーを報知する、
    請求項7に記載の光線力学治療装置。
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