JP7170954B1 - 微粒子計測センサ - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1に係る映像式微粒子計数装置は、測定すべき微粒子を含む希釈試料片に光を透過せしめるとともに、その映像を拡大する光学系と、光学系による拡大映像が照射されて、各画素から、希釈試料片に含まれる測定すべき微粒子並びに異物微粒子それぞれに固有の光透過量に対応する電圧信号を出力する画像センサと、画像センサの各画素から出力される各電圧信号を増幅ビデオ信号に変換する駆動回路と、駆動回路から出力されるビデオ信号の電圧が、測定すべき微粒子固有の光透過量に対応する予め設定した基準電圧範囲に存在する場合にこれを微粒子検出信号として出力する判別回路と、判別回路より出力された1又は2以上の微粒子検出信号に基づいて測定すべき微粒子の個数を計数する計数回路を備える。
特許文献1には、映像式微粒子計数装置に用いる画像センサとして、ラインセンサ又はエリアセンサが好適である、と記載されている。
図1は、実施の形態1に係る微粒子計測センサの外形及び構成要素を示す斜視図である。図1に示されるとおり、微粒子計測センサを構成する各要素は、土台チップ101の上に実現される。図1に示されるとおり微粒子計測センサは、土台チップ101と、第1光源102と、第1入力側シリコン導波路103と、第1光学素子104と、受光部109と、出力側シリコン導波路110と、光学センサ111と、を含む。
土台チップ101は、微粒子計測センサの土台となる構成要素である。土台チップ101は、シリコンフォトニクスの技術分野において用いられるチップであり、例えば、シリコンウエハ上に形成されるシリコンチップである。
土台チップ101を土台として土台チップ101上面に形成される各構成要素(詳細は後述により明らかとなる第1入力側シリコン導波路103、第1光学素子104、受光部109、及び出力側シリコン導波路110)は、原則的に、材質がシリコンである。ただし、第1光学素子104及び受光部109は、装置の構成によっては、材質が合成石英又はポリマーとなることがある。
第1光源102は、プローブ光(LI)を出射する構成要素である。プローブ光(LI)を表す記号のLIは、光を意味する英語のLightと、入力を意味する英語のInputと、それぞれの頭文字を由来とする。
第1光源102は、具体的には、レーザ又は発光ダイオードにより実現される。第1光源102が出射する光は、シリコンを透過するように設計される。第1光源102が出射するプローブ光(LI)は、シリコンを透過する性質を有する波長が1~15[μm]の赤外光であり、典型的には波長が1.55[μm]の近赤外光である。
第1入力側シリコン導波路103は、第1光源102から発せられたプローブ光(LI)を第1光学素子104へと導き搬送する構成要素である。すなわち、第1入力側シリコン導波路103は、光導波路である。なお、光導波路は、光ファイバを包摂する概念として用いられる用語である。
図1に示されるとおり、第1入力側シリコン導波路103の一端(図1においては左側端)は、第1光源102と接続されている。また第1入力側シリコン導波路103の他端(図1においては右側端)は、第1光学素子104と接続されている。
第1光学素子104は、第1入力側シリコン導波路103により搬送されたプローブ光(LI)に対して、図1に示される注目領域(A)に焦点が合うように設計される、集光光学素子である。要すれば、第1光学素子104は、プローブ光(LI)を注目領域(A)に集光する。注目領域(A)を表す記号のAは、注目領域の英語名称であるAreas of Interestの頭文字を由来とする。第1光学素子104は、例えば、球面レンズ、フレネルレンズ、回折格子、及びメタサーフェス、によって実現される。第1光学素子104は、平面的のものでも立体的なものでも、いずれでもよい。
受光部109は、注目領域(A)に在る微粒子(P)から発せられる蛍光及び散乱光(以降、「注目光(LO)」と称する)を受光するための構成要素である。微粒子を表す記号のPは、粒子を意味する英語のParticleの頭文字を由来とする。注目光を表す記号のLOは、光を意味する英語のLightと、出力を意味する英語のOutputと、それぞれの頭文字を由来とする。
受光部109は、図1に示されるように、アレイ状に配置されてよい。アレイ状に配置された受光部109は、「受光部109-A」のように符号に「-A」を付して表すものとする。符号に付された「-A」の部分は、アレイの英語名称であるArrayの頭文字を由来とする。受光部109-Aは、全体として、注目領域(A)に焦点を持つように配置される。
受光部109は、回折格子やメタサーフェスなどの表面微細加工により形成される平面的のものでもレンズやGRINレンズなどを固定することにより形成される立体的なものでも、いずれでもよい。受光部109は、平面的又は立体的な外形の光学素子から構成されてよい。
受光部109は、計測する散乱角度範囲が、典型的には、100[deg]以上の広範囲となるように配置される。ここで散乱角度範囲とは、或るプローブ光(LI)に対するそのときの注目光(LO)がなす角度を散乱角度としたときに、散乱角度が取り得る範囲の幅(最大散乱角度-最小散乱角度)を意味する。
受光部109の形状、サイズ、及び分割数、等の仕様は、計測する微粒子(P)のサイズ及び測定精度といった微粒子計測センサの要求仕様により、適宜、設計される。
出力側シリコン導波路110は、受光部109により受光した注目光(LO)を、光学センサ111へ導き搬送する構成要素である。出力側シリコン導波路110は、第1入力側シリコン導波路103と同様、光導波路である。
なお、図1では厳密に示されていないが、出力側シリコン導波路110は、受光部109-Aの要素と同数である。出力側シリコン導波路110の一端(図1においては左側端)は、受光部109-Aの1つの要素に接続されている。出力側シリコン導波路110の他端(図1においては右側端)は、光学センサ111と接続されている。出力側シリコン導波路110は、受光部109-Aの要素すべてを光学センサ111と接続するため、土台チップ101に形成された立体的なシリコン光回路で実現された立体曲げ導波路であってよい。立体曲げ導波路は、例えば、CMOS互換プロセスの技術、イオン注入技術、を応用して作成できる。
光学センサ111は、出力側シリコン導波路110により搬送された注目光(LO)の強度を計測するための構成要素である。図1に示されるとおり、光学センサ111は、他の構成要素と同様に、土台チップ101上面に形成される。光学センサ111は、土台チップ101の上に形成される、ラインセンサ(「1次元センサ」とも称される)又はエリアセンサ(「2次元センサ」とも称される)であってよい。
図1に示されるとおり、微粒子計測センサの計測対象である微粒子(P)は、注目領域(A)に位置する液体又は気体の中に浮遊した状態で含まれる。前述のとおり微粒子(P)は、プローブ光(LI)を受けて、蛍光又は散乱光である注目光(LO)を二次的に発生する。
実施の形態1に係る微粒子計測センサは、注目領域(A)を通過する微粒子(P)の数、大きさ、及び形状を、同時に計測することにより、或る媒体に含まれる微粒子(P)の数を、大きさ及び形状ごとに区別して、独立に計測することができる。この媒体は、気体であっても液体であってもよい。
本開示技術に係る微粒子計測センサは、前述のとおり、光学素子など一部を除いた構成要素が全てシリコン化合物で形成されるため、電子回路製造のための微細加工技術を利用して生産することができる。シリコン化合物は、光学部品の材料として広く用いられる合成石英と比べると、屈折率が高い、という性質がある。
本開示技術に係る微粒子計測センサの構成要素である第1光学素子104及び受光部109-Aを屈折率が高いシリコンで形成することは、第1光学素子104及び受光部109-Aの焦点距離を短くできることを意味する。本開示技術に係る微粒子計測センサは、第1光学素子104及び受光部109-Aの焦点距離が、典型的には1[mm]程度である。
焦点距離を短くすることは、注目領域(A)を頂点としたときの受光部109-Aが占める立体角を大きくすることを意味する。その結果、焦点距離を短くすることは、受光部109-Aを小さく形成することができ、最終的には、デバイスとしての微粒子計測センサを小型化できる、といえる。本開示技術に係る微粒子計測センサは、デバイスとしての大きさが、典型的には数[mm]から数[cm]のオーダである。すなわち本開示技術に係る微粒子計測センサは、単一デバイスとしてワンチップサイズまでの小型化が可能である。
実施の形態2に係る微粒子計測センサは、本開示技術に係る微粒子計測センサの変形例である。特に明記する場合を除き、実施の形態2では、実施の形態1で用いられた符号と同じものが用いられる。実施の形態2では、実施の形態1と重複する説明が、適宜、省略される。
なお図1に示されている第1光源102、第1入力側シリコン導波路103、及び第1光学素子104は、図3においては第1光源102-1、第1入力側シリコン導波路103-1、及び第1光学素子104-1として示されている。
第2光源102-2は、光ピンセットとして作用する捕捉光(LC)を出射する構成要素である。第2光源102-2が発する捕捉光(LC)は、レーザ光であり、第1光源102が発するプローブ光(LI)とは波長が異なる光である。
第2入力側シリコン導波路103-2は、第2光源102-2から発せられた捕捉光(LC)を第2光学素子104-2へと導き搬送する構成要素である。すなわち、第2入力側シリコン導波路103-2は、光導波路である。
第2光学素子104-2は、第2入力側シリコン導波路103-2により搬送された捕捉光(LC)に対して、注目領域(A)に焦点が合うように設計される、集光光学素子である。要すれば、第2光学素子104-2は、捕捉光(LC)を注目領域(A)に集光する。
注目領域(A)に位置する微粒子(P)は、捕捉光(LC)により捕獲され、注目領域(A)に留まる。
微粒子(P)を注目領域(A)に留めることで、実施の形態2に係る微粒子計測センサは、プローブ光(LI)を微粒子(P)に継続して長時間、照射することができる。実施の形態2に係る微粒子計測センサは、プローブ光(LI)を微粒子(P)に継続して長時間、照射することにより、測定精度を高めることができる。実施の形態2に係る微粒子計測センサは、特に、微粒子(P)の大きさ及び形状について、すなわち或る媒体に含まれる微粒子(P)の大きさ及び形状について、高精度な計測が可能である。
実施の形態2に係る微粒子計測センサは、計測において捕捉光(LC)の影響を受けないよう、光学センサ111に分光器が使用されてもよい。
以上の工夫を施すことにより、散乱した捕捉光(LC)が受光部109-Aにて受光され、光学センサ111へ伝搬することを低減できる。
実施の形態3に係る微粒子計測センサは、本開示技術に係る微粒子計測センサの変形例である。特に明記する場合を除き、実施の形態3では、既出の実施の形態で用いられた符号と同じものが用いられる。実施の形態3では、既出の実施の形態と重複する説明が、適宜、省略される。
このように本開示技術に係る微粒子計測センサは、第1光源102が複数の光源により構成され、プローブ光(LI)が複数のスペクトルピークを有するものでもよい。
Claims (5)
- シリコン化合物で作られ、土台となる土台チップと、
前記土台チップの上面に形成され、プローブ光を出射する第1光源と、
前記土台チップの上面に形成され、前記プローブ光を搬送するシリコン化合物で作られる第1入力側シリコン導波路と、
前記土台チップの上面に形成され、前記プローブ光を注目領域に集光する第1光学素子と、
複数の光学素子を有し、前記光学素子が前記土台チップの上面にアレイ状に配置され、前記光学素子が前記注目領域に在る微粒子が前記プローブ光を散乱して生じるまたは前記微粒子の発光により生じる注目光を受光する受光部と、
前記土台チップの上面に形成され、前記受光部の前記光学素子のそれぞれにより受光した前記注目光を搬送するシリコン化合物で作られる出力側シリコン導波路と、
前記土台チップの上面に形成され、前記注目光の強度を計測する光学センサと、を備える、
微粒子計測センサ。 - 前記第1光学素子の材質がシリコン化合物であり、
前記受光部の材質がシリコン化合物である、
請求項1に記載の微粒子計測センサ。 - 前記光学センサは、ラインセンサ又はエリアセンサである、
請求項1に記載の微粒子計測センサ。 - 前記第1光源は、複数の光源により構成され、
前記プローブ光は、複数のスペクトルピークを有する、
請求項1に記載の微粒子計測センサ。 - 前記土台チップの上面に形成され、捕捉光を出射する第2光源と、
前記土台チップの上面に形成され、前記捕捉光を搬送する第2入力側シリコン導波路と、
前記土台チップの上面に形成され、前記捕捉光を前記注目領域に集光する第2光学素子と、をさらに備える、
請求項1に記載の微粒子計測センサ。
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