JP7164487B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
前記複数の電子エネルギー制御部の各々は、前記加速電極と前記ゲート電極との間に印加される電圧を、前記電流制御部とは独立に制御することにより、前記各カソードから放出される前記電子のエネルギーを制御するように構成される。前記電流制御部は、第1の可変直流電源を含み、前記電子エネルギー制御部は、第2の可変直流電源を含み、前記各カソードは、前記第1の可変直流電源の負端子に接続された導電性パターン上に設けられ、前記ゲート電極は、前記各カソードの周りに対応するように配置され複数の開口を有する導電性プレートから構成されるとともに、前記第1の可変直流電源の正端子と前記第2の可変直流電源の負端子とに接続され、前記加速電極は、前記ゲート電極の前記複数の開口に対応するように配置された複数の開口を有する導電性プレートから構成され、前記第2の可変直流電源の正端子に接続される。
Claims (22)
- 処理室と、
前記処理室内に設けられ、基板を保持する基板保持領域を有する載置台と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
前記基板保持領域を覆うように二次元的に配置され、放出された電子と前記ガスとの間の相互作用を生じさせるために前記ガスに向かって電子を放出するように構成された複数の電子銃アレイと、
前記複数の電子銃アレイの各々に対応するように設けられ、各電子銃アレイから放出される電子のエネルギーを互いに独立に制御するように構成された複数の電子エネルギー制御部と、
前記複数の電子銃アレイの各々は、電子を放出するように構成された複数の二次元的に配列されたカソードと、
各カソードの周りに設けられ、前記各カソードに電子を放出させるように前記各カソードの電位よりも高い第1の電位を有するように構成されたゲート電極と、
前記各カソードが接続されるノードと前記ゲート電極との間に接続され、前記カソードのノードと前記ゲート電極との間に印加される電圧を変化させて前記カソードのノードから前記ゲート電極に流れる電流を制御するように構成された電流制御部と、
前記各カソードに対応する前記ゲート電極の前方に設けられ、前記各カソードから放出される電子を加速するための第1の電位よりも高い第2の電位を有するように構成された加速電極と、を有し、
前記複数の電子エネルギー制御部の各々は、前記加速電極と前記ゲート電極との間に印加される電圧を、前記電流制御部とは独立に制御することにより、前記各カソードから放出される前記電子のエネルギーを制御するように構成され、
前記電流制御部は、第1の可変直流電源を含み、
前記電子エネルギー制御部は、第2の可変直流電源を含み、
前記各カソードは、前記第1の可変直流電源の負端子に接続された導電性パターン上に設けられ、
前記ゲート電極は、前記各カソードの周りに対応するように配置され複数の開口を有する導電性プレートから構成されるとともに、前記第1の可変直流電源の正端子と前記第2の可変直流電源の負端子とに接続され、
前記加速電極は、前記ゲート電極の前記複数の開口に対応するように配置された複数の開口を有する導電性プレートから構成され、前記第2の可変直流電源の正端子に接続された、基板処理装置。 - 前記複数の電子エネルギー制御部を制御して、電子のエネルギーを第1のエネルギーに設定し、電子と前記ガスとの相互作用によって前記処理室内に供給される前記ガスを陰イオンにし、次いで、電子のエネルギーを第2のエネルギーに設定し、電子と前記ガスとの相互作用によって処理室内に供給される前記ガスを陽イオンにする制御部と、を更に有する請求項1に記載の基板処理装置。
- 処理室と、
前記処理室内に設けられ、基板を保持する基板保持領域を有する載置台と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
前記基板保持領域を覆うように二次元的に配置され、放出された電子と前記ガスとの間の相互作用を生じさせるために前記ガスに向かって電子を放出するように構成された複数の電子銃アレイと、
前記複数の電子銃アレイの各々に対応するように設けられ、各電子銃アレイから放出される電子のエネルギーを互いに独立に制御するように構成された複数の電子エネルギー制御部と、
前記複数の電子銃アレイの各々は、電子を放出するように構成された複数の二次元的に配列されたカソードと、
各カソードの周りに設けられ、前記各カソードに電子を放出させるように前記各カソードの電位よりも高い第1の電位を有するように構成されたゲート電極と、
前記各カソードが接続されるノードと前記ゲート電極との間に接続され、前記カソードのノードと前記ゲート電極との間に印加される電圧を変化させて前記カソードのノードから前記ゲート電極に流れる電流を制御するように構成された電流制御部と、
前記各カソードに対応する前記ゲート電極の前方に設けられ、前記各カソードから放出される電子を加速するための第1の電位よりも高い第2の電位を有するように構成された加速電極と、を有し、
前記複数の電子エネルギー制御部の各々は、前記加速電極と前記ゲート電極との間に印加される電圧を、前記電流制御部とは独立に制御することにより、前記各カソードから放出される前記電子のエネルギーを制御するように構成され、
前記複数の電子エネルギー制御部を制御して、電子のエネルギーを第1のエネルギーに設定し、電子と前記ガスとの相互作用によって前記処理室内に供給される前記ガスを陰イオンにし、次いで、電子のエネルギーを第2のエネルギーに設定し、電子と前記ガスとの相互作用によって処理室内に供給される前記ガスを陽イオンにする制御部と、を更に有し、
前記制御部は、前記第1のエネルギーを1eV未満に設定し、前記第2のエネルギーを1eVを超えるように設定する、基板処理装置。 - 前記処理室は、前記ガス供給部、前記電子銃アレイ及び前記電子エネルギー制御部を収容するガス励起部と、
前記載置台を収容する基板処理部と、を有する請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ガス供給部は、前記処理室の側壁に設けられる、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給部は、前記電子銃アレイ間に隣接して設けられている請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ガスの反応種を前記ガス励起部から載置台に向かって引き寄せるために、載置台にバイアス電圧を印加するように構成された電圧源を更に有する請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記電流制御部は、第1の可変直流電源を含み、
前記電子エネルギー制御部は、第2の可変直流電源を含む、請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記各カソードは、前記第1の可変直流電源の負端子に接続された導電性パターン上に設けられ、
前記ゲート電極は、前記各カソードの周りに対応するように配置され複数の開口を有する導電性プレートから構成されるとともに、前記第1の可変直流電源の正端子と前記第2の可変直流電源の負端子とに接続され、
前記加速電極は、前記ゲート電極の前記複数の開口に対応するように配置された複数の開口を有する導電性プレートから構成され、前記第2の可変直流電源の正端子に接続された、請求項8に記載された基板処理装置。 - 前記複数の二次元的に配列されたカソードは、マトリクス状に配列されている請求項1~9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 処理室と、
前記処理室内に設けられ、基板を保持する基板保持領域を有する載置台と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
前記基板保持領域を覆うように二次元的に配置され、放出された電子と前記ガスとの間の相互作用を生じさせるために前記ガスに向かって電子を放出するように構成された複数の電子銃アレイと、
前記各電子銃アレイに対応するように設けられ、前記各電子銃アレイから放出される電子のエネルギーを互いに独立に制御するように構成された複数の電子エネルギー制御部と、
前記複数の電子エネルギー制御部を制御して、電子のエネルギーを第1のエネルギーに設定し、電子と前記ガスとの相互作用によって前記処理室内に供給される前記ガスを陰イオンにし、次いで、電子のエネルギーを第2のエネルギーに設定し、電子と前記ガスとの相互作用によって処理室内に供給される前記ガスを陽イオンにする制御部と、を有し、
前記処理室は、前記ガス供給部、前記電子銃アレイおよび前記電子エネルギー制御部を収容するガス励起部と、前記載置台を収容する基板処理部とを有し、
前記ガス励起部から載置台に向かって励起ガスを加速するため、前記載置台にバイアス電圧を印加するように構成された電圧源を更に備え、
前記制御部は、前記電圧源に正のバイアス電圧をガスの陰イオンの発生に応じて前記載置台に印加させ、前記電圧源に負のバイアス電圧を前記ガスの陽イオンの発生に応じて前記載置台に印加させる制御を行う、基板処理装置。 - 前記複数の電子銃アレイの各々は、電子を放出するように構成された複数の二次元的に配列されたカソードと、
各カソードの周りに設けられ、前記各カソードに電子を放出させるように前記各カソードの電位よりも高い第1の電位を有するように構成されたゲート電極と、
前記各カソードが接続されるノードと前記ゲート電極との間に接続され、前記カソードのノードと前記ゲート電極との間に印加される電圧を変化させて前記カソードのノードから前記ゲート電極に流れる電流を制御するように構成された電流制御部と、
前記各カソードに対応する前記ゲート電極の前方に設けられ、前記各カソードから放出される電子を加速するための第1の電位よりも高い第2の電位を有するように構成された加速電極と、を有し、
前記複数の電子エネルギー制御部の各々は、前記加速電極と前記ゲート電極との間に印加される電圧を、前記電流制御部とは独立に制御することにより、前記各カソードから放出される前記電子のエネルギーを制御するように構成された、請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記電子銃アレイは、マトリックス形態で前記処理室の天井面に配置される請求項1~12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理室は、前記ガス供給部、前記電子銃アレイおよび前記電子エネルギー制御部を収容するガス励起部と、前記載置台を収容する基板処理部とを有し、
前記ガス励起部から載置台に向かって励起ガスを加速するため、前記載置台にバイアス電圧を印加するように構成された電圧源を更に備え、
前記制御部は、前記電圧源に正のバイアス電圧をガスの陰イオンの発生に応じて前記載置台に印加させ、前記電圧源に負のバイアス電圧を前記ガスの陽イオンの発生に応じて前記載置台に印加させる制御を行う請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記処理室は、前記ガス供給部、前記電子銃アレイおよび前記電子エネルギー制御部を収容するガス励起部と、前記載置台を収容する基板処理部とを有し、
前記ガス励起部から載置台に向かって励起ガスを加速するため、前記載置台にバイアス電圧を印加するように構成された電圧源を更に備え、
前記制御部は、前記電圧源に正のバイアス電圧をガスの陰イオンの発生に応じて前記載置台に印加させ、前記電圧源に負のバイアス電圧を前記ガスの陽イオンの発生に応じて前記載置台に印加させる制御を行う請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1のエネルギーを1eV未満に設定し、前記第2のエネルギーを1eVを超えるように設定する、請求項2、11又は14に記載の基板処理装置。
- 処理室と、
前記処理室内に設けられ、基板を保持する基板保持領域を有する載置台と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
前記基板保持領域を覆うように二次元的に配置され、放出された電子と前記ガスとの間の相互作用を生じさせるために前記ガスに向かって電子を放出するように構成された複数の電子銃アレイと、
前記複数の電子銃アレイの各々を通って流れる電流値を制御するように構成された電流制御部と、
各電子銃アレイの各々を通って流れる電流値を測定するように構成された電流測定ユニットと、
前記各電子銃アレイに対応するように設けられ、前記各電子銃アレイから放出される電子のエネルギーを互いに独立に制御するように構成された複数の電子エネルギー制御部と、
制御部と、を有し、前記制御部は、
電流測定装置に前記各電子銃アレイの電流値を測定させ、電流測定装置の両端の電圧値を測定する工程と、
前記各電子銃アレイの電流-電圧特性を求める工程と、
前記各電子銃アレイの電流値が一定になるように前記各電子銃アレイの抽出電圧を決定する工程と、
前記各電子銃アレイの加速電圧を一定の電圧に設定する工程と、を実行するように構成された基板処理装置。 - 前記電流制御部は、第1の可変直流電源から構成され、
前記制御部は、前記第1の可変直流電源の出力電圧を前記抽出電圧に設定し、
前記電子エネルギー制御部は、第2の可変直流電源から構成され、前記制御部は、前記第2の可変直流電源の出力電圧を前記加速電圧に設定する、請求項17に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記加速電圧を、前記電子銃アレイから放出される前記電子が、前記電子銃アレイと衝突することによって前記ガスを陰イオンに変換するエネルギーを有する第1の電圧に設定する、請求項18に記載の基板処理装置。
- 前記処理室は、前記ガス供給部、前記電子銃アレイおよび前記電子エネルギー制御部を収容するガス励起部と、前記載置台を収容する基板処理部とを有し、
前記ガス励起部から前記載置台に向かって励起ガスを加速するために、前記載置台にバイアス電圧を印加するように構成された電圧源を更に有し、
前記制御部は、前記電圧源に正のバイアス電圧を前記ガスの陰イオンの発生に応じて前記載置台に印加させ、陰イオンを前記載置台上に配置された基板に引きつける、請求項19に記載された基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第2の可変直流電源によって設定された加速電圧を、前記第1の電圧から前記第1の電圧よりも高い第2の電圧に変更し、前記電子が前記ガスを陽イオンに変化させるためのエネルギーを有するようにする、請求項20に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記電圧源に負のバイアス電圧を前記ガスの前記陽イオンの発生に応じて前記載置台に印加させ、前記陽イオンを前記載置台上に配置された前記基板に引きつけさせる制御を行う請求項21に記載の基板処理装置。
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