JP7160681B2 - 極端紫外光源におけるオブジェクト上のプラズマの効果の軽減 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
本願は、２０１６年４月２５日出願の、REDUCING THE EFFECT OF PLASMA ON AN OBJECT IN AN EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCEという名称の米国実用新案出願第１５／１３７，９３３号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光源におけるオブジェクト上のプラズマの効果の軽減に関する。

極端紫外（「ＥＵＶ」）光、例えば、おおよそ５０ｎｍ又は５０ｎｍ未満の波長を有し（また時には軟Ｘ線と呼ばれ）、約１３ｎｍの波長での光を含む電磁放射は、フォトグラフィプロセスにおいて、基板、例えばシリコンウェーハ内に極端に小さなフィーチャを生成するために使用され得る。

ＥＵＶ光を生成するための方法は、必ずしも限定されないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズなどの元素を有する材料を、プラズマ状態でのＥＵＶレンジ内の輝線を用いて変換することを含む。こうした方法の１つにおいて、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる必須プラズマは、ドライブレーザと呼ばれることのある光ビームを用いて、ターゲット材料、例えば、液滴、プレート、テープ、ストリーム、又はクラスタの形の材料を照射することによって生成され得る。このプロセスの場合、プラズマは、典型的には密閉容器、例えば真空チャンバ内で生成され、様々なタイプのメトロロジ装置を使用してモニタリングされる。

一般的な一態様において、第１のターゲットが真空チャンバの内部に提供され、第１のターゲットは、プラズマ状態で極端紫外（ＥＵＶ）光を放出するターゲット材料を含み、第１のターゲットのターゲット材料から第１のプラズマを形成するために、第１の光ビームが第１のターゲットに向けて誘導され、第１のプラズマは、第１のターゲットから第１の放出方向に沿って放出される粒子及び放射の指向性フラックスに関連付けられ、第１の放出方向は第１のターゲットの位置によって決定され、第２のターゲットが真空チャンバの内部に提供され、第２のターゲットは、プラズマ状態で極端紫外光を放出するターゲット材料を含み、第２のターゲットのターゲット材料から第２のプラズマを形成するために、第２の光ビームが第２のターゲットに向けて誘導され、第２のプラズマは、第２のターゲットから第２の放出方向に沿って放出される粒子及び放射の指向性フラックスに関連付けられ、第２の放出方向は第２のターゲットの位置によって決定され、第２の放出方向は第１の放出方向とは異なる。

実施例は下記の特徴のうちの１つ以上を含み得る。第１のターゲットのターゲット材料は第１の幾何分布で配置され得、第１の幾何分布は、真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクトに対して第１の角度で配向された軸に沿った範囲を有し得、第２のターゲットのターゲット材料は第２の幾何分布で配置され得、第２の幾何分布は、真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクトに対して第２の角度で配向された軸に沿った範囲を有し得、第２の角度は第１の角度とは異なり得、第１の放出方向は第１の角度によって決定され得、第２の放出方向は第２の角度によって決定され得る。

いくつかの実施例において、第１のターゲットを真空チャンバの内部に提供することは、第１の初期ターゲットを真空チャンバの内部に提供することであって、第１の初期ターゲットは初期幾何分布内にターゲット材料を含む、提供すること、及び、第１のターゲットを形成するために光パルスを第１の初期ターゲットに向けて誘導することであって、第１のターゲットの幾何分布は第１の初期ターゲットの幾何分布とは異なる、誘導することを含み、また、第２のターゲットを真空チャンバの内部に提供することは、第２の初期ターゲットを真空チャンバの内部に提供することであって、第２の初期ターゲットは第２の初期幾何分布内にターゲット材料を含む、提供すること、及び、第２のターゲットを形成するために光パルスを第２の初期ターゲットに向けて誘導することであって、第２のターゲットの幾何分布は第２の初期ターゲットの幾何分布とは異なる、誘導することを含む。

第１の初期ターゲット及び第２の初期ターゲットは実質的に球形であり、第１のターゲット及び第２のターゲットはディスク形状であり得る。第１の初期ターゲット及び第２の初期ターゲットは、軌道に沿って進行する複数の初期ターゲットのうちの２つの初期ターゲットであり得、真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクトは、第１の初期ターゲット及び第２の初期ターゲット以外の複数の初期ターゲットのうちの１つであり得る。

流体が真空チャンバの内部に提供され得、流体は真空チャンバ内の容積を占有し、真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクトは流体の一部を含み得る。流体は流動ガスであり得る。ターゲットを受け取るターゲット領域において、第１の光ビームは第１のターゲットに向けて伝搬し得、第２の光ビームは伝搬方向における第２のターゲットに向けて伝搬し得、流動ガスは伝搬方向と平行な方向に流れ得る。

真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクトは、光学要素を含み得る。光学要素は反射要素であり得る。

真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクトは、光学要素の反射表面の一部であり得、一部は反射表面のすべてよりも小さい。

流体が、流れ構成に基づいて真空チャンバの内部に提供され得、これらの実施例において、流体は流れ構成に基づいて真空チャンバ内を流れる。第１の光ビーム及び第２の光ビームは、ＥＵＶバースト持続時間を提供するように構成されたパルス光ビーム内の光学パルスであり得、ＥＵＶバースト持続時間は決定され得る。ＥＵＶバースト持続時間に関連付けられた流体の特性が決定され得、特性は、流体の最低流量、密度、及び圧力のうちの１つ以上を含み、流体の流れ構成は、決定された特性に基づいて調整され得る。流れ構成は、流体の流量及び流向のうちの１つ以上を含み得、流体の流れ構成を調整することは、流量及び流向のうちの１つ以上を調整することを含み得る。

いくつかの実施例において、第１のターゲットは１回目にプラズマを形成し、第２のプラズマは２回目にターゲットを形成し、１回目と２回目との間の時間は経過時間であり、光ビームはＥＵＶバースト持続時間を提供するように構成されたパルス光ビームを含む。ＥＵＶバースト持続時間は決定され得、ＥＵＶバースト持続時間に関連付けられた最低流量が決定され得、経過時間及び流体の流量のうちの１つ以上は、決定された流体の最低流量に基づいて調整され得る。

第１の光ビームは軸を有し得、第１の光ビームの強度は軸で最大であり得る。第２の光ビームは軸を有し得、第２の光ビームの強度は第２の光ビームの軸で最大であり得る。第１の放出方向は、第１の光ビームの軸に対する第１のターゲットのロケーションによって決定され得、第２の放出方向は、第２のビームの軸に対する第２のターゲットのロケーションによって決定され得る。

第１の光ビームの軸及び第２の光ビームの軸は、同じ方向に沿ったものであり得、第１のターゲットは第１の光ビームの軸の第１の側上のロケーションにあり、第２のターゲットは第１の光ビームの軸の第２の側上のロケーションにある。

第１の光ビームの軸及び第２の光ビームの軸は、異なる方向に沿ったものであり得、第１のターゲット及び第２のターゲットは、異なる時点で真空チャンバ内の実質的に同じロケーションにあり得る。

第１及び第２のターゲットは、実質的に球形であり得る。

別の一般的な態様において、極端紫外（ＥＵＶ）光源の真空チャンバ内のオブジェクト上のプラズマの効果は軽減され得る。修正済みターゲットを形成するために、真空チャンバ内で初期ターゲットが修正され、初期ターゲットは初期幾何分布内にターゲット材料を含み、修正済みターゲットは、異なる修正済み幾何分布内にターゲット材料を含む。光ビームが修正済みターゲットに向けて誘導され、光ビームは、修正済みターゲット内のターゲット材料のうちの少なくとも一部を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有し、プラズマは、粒子及び放射の指向性依存フラックスに関連付けられ、指向性依存フラックスは修正済みターゲットに対する角度分布を有し、角度分布は修正済みターゲットの位置に依存するため、真空チャンバ内での修正済みターゲットの位置決めがオブジェクト上のプラズマの効果を軽減させることになる。

実施例は下記の特徴のうちの１つ以上を含み得る。修正済み幾何分布は、第１の方向に第１の範囲を有し得、第２の方向に第２の範囲を有し得、第２の範囲は第１の範囲より大きいものであり得、修正済みターゲットは、第２の範囲をオブジェクトに対する角度で配向することによって位置決めされ得る。第２の初期ターゲットも、真空チャンバの内部に提供され得、初期ターゲット及び第２の初期ターゲットは軌道に沿って進行する。別々且つ別個のオブジェクトは第２の初期ターゲットであり得る。第２の初期ターゲットは、軌道上を進行するターゲットのストリーム内の１つのターゲットであり得る。第２の初期ターゲットは、初期ターゲットまでの最も近い距離にあるストリーム内のターゲットであり得る。いくつかの実施例において、第２の初期ターゲットは第２の修正済みターゲットを形成するために修正され、第２の修正済みターゲットはターゲット材料の修正済み幾何分布を有し、第２の修正済みターゲットの第２の範囲は、第２の範囲を別々且つ別個のオブジェクトに対する第２の異なる角度で配向することで位置決めされる。別々且つ別個のオブジェクトは、真空チャンバ内を流れる流体の容積の一部、及び真空チャンバ内の光学要素のうちの、１つ以上であり得る。

修正済みターゲットは、初期ターゲットのターゲット材料が第２の範囲に沿って拡大し、第１の範囲に沿って縮小するように、初期ターゲットにおける光のパルスを初期ターゲットの中心から離れるように誘導することによって位置決めされ得、第２の範囲は別々且つ別個のオブジェクトに対して傾斜している。

流体が真空チャンバの内部に提供され得、流体は真空チャンバ内の容積を占有し、真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクトは流体の容積の一部を含み得る。

別の一般的な態様において、極端紫外（ＥＵＶ）光源のための制御システムは、１つ以上の電子プロセッサ及び電子ストレージを含み、電子ストレージは、実行されたとき、１回目に第１の初期ターゲットの存在を宣言することであって、第１の初期ターゲットはプラズマ状態でＥＵＶ光を放出するターゲット材料の分布を有する、宣言すること、宣言された第１の初期ターゲットの存在に基づいて、２回目に第１の光ビームを第１の初期ターゲットに向けて誘導することであって、１回目と２回目との間の差は第１の経過時間である、誘導すること、３回目に第２の初期ターゲットの存在を宣言することであって、３回目は１回目の後に発生し、第２の初期ターゲットはプラズマ状態でＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含む、宣言すること、及び、宣言された第２の初期ターゲットの存在に基づいて、４回目に第１の光ビームを第２の初期ターゲットに向けて誘導することであって、４回目は２回目の後に発生し、３回目と４回目との間の差は第２の経過時間である、誘導することを、１つ以上の電子プロセッサに実行させる、命令を記憶し、第１の経過時間は第２の経過時間とは異なるため、第１及び第２の初期ターゲットは異なる方向に沿って拡張し、ターゲット領域内に異なる配向を有することになり、ターゲット領域は、ターゲット材料を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有する第２の光ビームを受け取る領域である。

前述の技法のうちのいずれかの実施例は、装置、方法又はプロセス、ＥＵＶ光源、光リソグラフィシステム、光学ソース用制御システム、あるいは、コンピュータ可読媒体上に記憶された命令を含み得る。

１つ以上の実施例の詳細は、添付の図面及び下記の説明に示される。他の特徴は、説明及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかとなろう。

ＥＵＶ光源を含む例示的光リソグラフィシステムを示すブロック図である。 例示的ターゲットを示す側断面図である。 図２Ａのターゲットを示す正面断面図である。 図２Ａのターゲットの異なる例示的位置を示す図である。 図２Ａのターゲットの異なる例示的位置を示す図である。 例示的ターゲットから形成されるプラズマから放出されるエネルギーを示す図である。 異なる位置における例示的ターゲットを示すブロック図である。 異なる位置における例示的ターゲットを示すブロック図である。 光ビームの強度プロファイルの例を示す図である。 異なる位置における例示的ターゲットと相互作用する光ビームを示すブロック図である。 異なる位置における例示的ターゲットと相互作用する光ビームを示すブロック図である。 ターゲットの位置を制御するための制御システムを含む例示的システムを示すブロック図である。 ＥＵＶ光を発生させるための例示的プロセスを示すフローチャートである。 ターゲットに変換される例示的初期ターゲットを示す図である。 図６Ａのターゲットを発生させるための、エネルギー対時間として示される例示的波形のプロットを示す図である。 図６Ａの初期ターゲット及びターゲットを示す側面図である。 例示的真空チャンバを示すブロック図である。 例示的真空チャンバを示すブロック図である。 図７Ａ及び図７Ｂの真空チャンバ内の例示的光学要素を示すブロック図である。 ターゲットの位置を変化させるための例示的プロセスを示すフローチャートである。 時間と共に変化する位置を有するターゲットを含む、例示的真空チャンバを示すブロック図である。 時間と共に変化する位置を有するターゲットを含む、例示的真空チャンバを示すブロック図である。 時間と共に変化する位置を有するターゲットを含む、例示的真空チャンバを示すブロック図である。 時間と共に変化する位置を有するターゲットを含む、例示的真空チャンバを示すブロック図である。 時間と共に変化する位置を有するターゲットを含む、例示的真空チャンバを示すブロック図である。 光学要素、及び、指向性依存エネルギープロファイルのピークによって掃引されるパスを示す、ブロック図である。 最低流体流れ及びＥＵＶバースト持続時間に関する例示的データのプロットを示す図である。 真空チャンバ内のオブジェクトを保護するための例示的プロセスを示すフローチャートである。 時間と共に変化する位置及び／又はターゲットパスを有するターゲットを含む、例示的真空チャンバを示すブロック図である。 時間と共に変化する位置及び／又はターゲットパスを有するターゲットを含む、例示的真空チャンバを示すブロック図である。 時間と共に変化する位置及び／又はターゲットパスを有するターゲットを含む、例示的真空チャンバを示すブロック図である。 ＥＵＶ光源を含む例示的光リソグラフィシステムを示すブロック図である。 ＥＵＶ光源を含む例示的光リソグラフィシステムを示すブロック図である。 図１５ＡのＥＵＶ光源において使用可能な光増幅器システムを示すブロック図である。 図１のＥＵＶ光源の別の実施例を示すブロック図である。 ＥＵＶ光源において使用可能な例示的ターゲット材料供給装置を示すブロック図である。

極端紫外（ＥＵＶ）光源の真空チャンバ内で、オブジェクト上のプラズマの効果を軽減させるための技法が開示される。ＥＵＶ光を生成するために、ＥＵＶ光源は、ターゲット内のターゲット材料を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換する。ターゲットがすべて同じ位置又は配向を有さないように、様々なターゲットの空間的配向又は位置を変化させることによって、プラズマの効果を軽減させることができる。説明する技法は、例えば、ＥＵＶ光源の真空容器内部のオブジェクトを保護するために使用され得る。

図１を参照すると、例示的光リソグラフィシステム１００のブロック図が示されている。システム１００は、ＥＵＶ光１６２をリソグラフィツール１０３に提供する、極端紫外（ＥＵＶ）光源１０１を含む。ＥＵＶ光源１０１は、光学ソース１０２及び流体デリバリシステム１０４を含む。光学ソース１０２は光ビーム１１０を放出し、光ビーム１１０は光学的に透明な開口１１４を介して真空容器１４０に入り、ターゲット１２０を受け取るターゲット領域１３０でｚ方向（１１２）に伝搬する。光ビーム１１０は増幅光ビームとすることができる。

流体デリバリシステム１０４は、緩衝流体１０８を容器１４０内に送出する。緩衝流体１０８は、光学要素１５５とターゲット領域１３０との間を流れ得る。緩衝流体１０８は、ｚ方向又は任意の他の方向に流れ得、緩衝流体１０８は複数の方向に流れ得る。ターゲット領域１３０は、ターゲット供給システム１１６からターゲット１２０を受け取る。ターゲット１２０は、プラズマ状態でＥＵＶ光１６２を放出するターゲット材料を含み、ターゲット領域１３０でのターゲット材料と光ビーム１１０との間の相互作用が、ターゲット材料の少なくとも一部をプラズマに変換する。光学要素１５５は、ＥＵＶ光１６２をリソグラフィツール１０３に向けて誘導する。制御システム１７０は電子信号を受け取り、流体デリバリシステム１０４、光学ソース１０２、及び／又はリソグラフィツール１０３のうちのいずれか又はすべてを制御できるようにするために、これらの構成要素に提供する。制御システム１７０の一例を、図４に関して下記で考察する。

ターゲット１２０のターゲット材料は、光ビーム１１０を受け取る（及び光ビーム１１０と相互作用する）領域の側面１２９を伴う、幾何分布又は空間分布内に配置される。前述のように、ターゲット材料はプラズマ状態でＥＵＶ光１６２を放出する。加えて、プラズマは、ＥＵＶ光以外の粒子（ターゲット材料のイオン、中性原子、及び／又はクラスタなど）及び／又は放射も放出する。プラズマ（ＥＵＶ光以外の粒子及び／又は放射を含む）によって放出されるエネルギーは、ターゲット材料の幾何分布に対して非等方性である。プラズマによって放出されるエネルギーは、ターゲット１２０に対して角度依存分布を伴うエネルギーの指向性依存フラックスであると見なし得る。したがってプラズマは、他よりも大量のエネルギーを、容器１４０内のいくつかの領域に向けて誘導し得る。プラズマから放出されるエネルギーは、例えば、誘導先の領域内に局所加熱を生じさせる。

図１は、ある時間インスタンスの真空容器１４０を示す。示された例において、ターゲット１２０はターゲットロケーション１３０内にある。図１の時点より前及び／又は後の時点では、ターゲット１２０の他のインスタンスがターゲット領域１３０内にある。下記で考察するように、ターゲット１２０の他のインスタンスは、ターゲット１２０と比べて、ターゲットの以前及び／又は後続のインスタンスが、ターゲット材料の異なる幾何分布、真空容器１４０内の異なる位置、及び／又は、真空容器１４０内のオブジェクトに対してターゲット材料の幾何分布の異なる配向を有するという点を除き、ターゲット１２０と同様である。言い換えれば、ターゲット領域１３０内に存在するターゲットの幾何分布、位置、及び／又は配向はインスタンス間で変動し、経時的に変動するものと見なすことができる。このように、指向性依存フラックスのピーク（最大）がそれに沿って拡張する方向は、経時的に変化し得る。したがって、指向性依存フラックスのピークは、特定のオブジェクト、オブジェクトの特定の部分、及び／又は容器１４０の領域から離れて誘導され得、それによってそのオブジェクト、部分、又は領域上でのプラズマの効果を軽減する。

インスタンス間での、又は経時的な、ターゲット材料の位置、幾何分布、及び／又は配向の変動により、プラズマによってエネルギーが誘導される先のエリアの合計量が増加する。したがって、経時的なターゲットの位置及び／又はターゲット配向の変動により、プラズマからのエネルギーが、容器１４０内の特定の領域が他の領域に比べて過度に露光（例えば、加熱）されないように、ターゲット１２０に対する等方性エネルギープロファイルをより厳密に近似することが可能となる。これによって、容器１４０内の光学要素（例えば、光学要素１５５）などのターゲット領域１３０近くのオブジェクト、及び、ターゲット１２０以外のターゲット（例えば、ターゲット１２１ａ、１２１ｂなどの後続又は以前の）容器１４０内の他のオブジェクト、及び／又は緩衝流体１０８を、プラズマから保護することができる。オブジェクトをプラズマから保護することで、オブジェクトの耐用寿命を増加させること、及び／又は光源１０１をより効率的且つ／又は確実に実行させることが可能になる。

図２Ａ～図２Ｄは、ＥＵＶ光１６２を放出するプラズマを生成するためにターゲット１２０として使用され得る、例示のターゲットを考察する。図３Ａ～図３Ｃ、図３Ｅ、及び図３Ｆは、プラズマに関連付け得る指向性フラックスの例を考察する。

図２Ａを参照すると、例示的ターゲット２２０の（方向ｘに沿って見た）側断面図が示されている。ターゲット２２０は、システム１００においてターゲット１２０として使用され得る。ターゲット２２０は、光ビーム２１０を受け取るターゲット領域２３０の内部にある。ターゲット２２０は、プラズマに変換されるときにＥＵＶ光を放出する、ターゲット材料（例えば、スズ、リチウム、及び／又はキセノンなど）を含む。光ビーム２１０は、ターゲット２２０内のターゲット材料の少なくとも一部をプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有する。

例示的ターゲット２２０は楕円体（３次元楕円）である。言い換えれば、ターゲット２２０は、楕円の３次元類似体である表面の内部として近似的に画定される容積を占有する。しかしながら、ターゲット２２０は他の形を有し得る。例えばターゲット２２０は、球体のすべて又は一部の形状を有する容積を占有し得るか、あるいは、ターゲット２２０は、明確に画定された縁部を有さない雲のような形などの、任意形状の容積を占有し得る。明確に画定された縁部のないターゲット２２０の場合、例えばターゲット材料の９０％、９５％、又はそれ以上を含む容積をターゲット２２０として扱うことができる。ターゲット２２０は非対称又は対称であり得る。

加えて、ターゲット２２０は、ターゲット材料の任意の空間分布を有し得、また非ターゲット材料（プラズマ状態でＥＵＶ光を放出しない材料）を含み得る。ターゲット２２０は、粒子及び／又は部片の系、本来は連続的且つ均質な材料である拡張オブジェクト、粒子の集合（イオン及び／又は電子を含む）、溶融金属、プリプラズマ、及び粒子の連続セグメントを含む材料の空間分布、及び／又は、溶融金属のセグメントであり得る。ターゲット２２０のコンテンツは、任意の空間分布を有し得る。例えばターゲット２２０は、１つ以上の方向に均質であり得る。いくつかの実施例において、ターゲット２２０のコンテンツはターゲット２２０の特定部分に集中しており、ターゲット２２０は不均一な質量分布を有する。

ターゲット材料は、ターゲット物質及び非ターゲット粒子などの不純物を含む、ターゲット混合物とすることができる。ターゲット物質は、プラズマ状態の時にＥＵＶレンジ内に輝線を有する物質である。ターゲット物質は、例えば、液体又は溶融金属の液滴、液体ストリームの一部、固体粒子又はクラスタ、液体の液滴に含まれる固体粒子、ターゲット材料の発泡体、あるいは、液体ストリームの一部に含まれる固体粒子とすることができる。ターゲット物質は、例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又は、プラズマ状態に変換されるとき、ＥＵＶレンジ内に輝線を有する任意の材料とすることができる。例えば、ターゲット物質は、純スズ（Ｓｎ）として、例えばＳｎＢｒ_４、ＳｎＢｒ_２、ＳｎＨ_４などのスズ化合物として、例えばスズガリウム合金、スズインジウム合金、スズインジウムガリウム合金、又はこれらの合金の任意の組み合わせなどの、スズ合金として使用可能な、スズ元素とすることができる。更に、不純物のない状況では、ターゲット材料はターゲット物質のみを含む。

図２Ａに示されるターゲット２２０の側断面図は、楕円全体に及ぶ最長距離に等しい長さを有する長軸と、主軸に対して垂直な短軸とを備える、楕円である。ターゲット２２０は、方向２２１に沿って延在する第１の範囲２２２と、方向２２１に対して垂直な方向２２３に沿って延在する第２の範囲２２４とを有する。例示的ターゲット２２０の場合、範囲２２２及び方向２２１はそれぞれ短軸の長さ及び方向であり、範囲２２４及び方向２２３はそれぞれ長軸の長さ及び方向である。

同じく図２Ｂを参照すると、方向２２１に沿って見た、ターゲット２２０の正面断面図が示されている。ターゲット２２０は、方向２２３に延在し、範囲２２４を有する長軸を備えた、楕円形状の正面断面を有する。ターゲット２２０の正面断面は、方向２２５に第３の寸法の範囲２２６を有する。方向２２５は方向２２１及び２２３に対して垂直である。

図２Ａを参照すると、ターゲット２２０の範囲２２４は光ビーム２１０の伝搬の方向２１２に対して傾斜している。同じく図２Ｃを参照すると、範囲２２４の方向２２３は、光ビーム２１０の伝搬の方向２１２と共に角度２２７を形成する。角度２２７は、光ビーム２１０が方向２１２に進行し、ターゲット２２０にぶつかる際に、光ビーム２１０に対して測定される。角度２２７は０～１８０度であり得る。図２Ａ及び図２Ｃにおいて、ターゲット２２０は、方向２１２に対して９０度未満で、方向２２３に対して傾斜している。図２Ｄは、角度２２７が９０度から１８０度の間である例を示す。

前述のように、ターゲット２２０は楕円に加えて他の形も有し得る。容積を占有するターゲットの場合、ターゲットの形状は３次元の形であるものと見なし得る。形は、それぞれ３つの相互に直交する方向２２１、２２３、２２５に沿って延在する、３つの範囲２２２、２２４、２２６で記述され得る。範囲２２２、２２４、２２６の長さは、方向２２１、２２３、２２５のうちの１つに対応する特定の方向で、形の１つの縁部から形の別の側の縁部まで、形を横切る最長の長さであり得る。範囲２２２、２２４、２２６及びそれらのそれぞれの方向２２１、２２３、２２５は、ターゲット２２０の外観検査から決定又は推定され得る。例えばターゲット２２０は、システム１００においてターゲット１２０として使用され得る。これらの実施例において、ターゲット２２０の外観検査は、例えば、ターゲットがターゲット材料供給装置１１６を離れ、ターゲット領域１３０へと進行する際に（図１）、ターゲットをイメージングすることによって生じ得る。

いくつかの実施例において、方向２２１、２２３、２２５は、ターゲット２２０の質量中心を通過し、ターゲット２２０に対する慣性の主軸に対応する、相互に直交する軸であると見なされ得る。ターゲット２２０の質量中心は、ターゲット２２０の質量の相対的位置がゼロである、空間内の地点である。言い換えれば、質量中心は、ターゲット２２０を作り上げている材料の平均位置である。質量中心は、必ずしもターゲット２２０の幾何的中心とは一致しないが、ターゲットが均質であり対称な容積である場合は一致する可能性がある。

ターゲット２２０の質量中心は、ターゲット２２０内の空間分布の不均衡の測度である、慣性乗積の関数として表され得る。慣性乗積はマトリクス又はテンソルとして表され得る。３次元オブジェクトの場合、慣性乗積がゼロの、質量中心を通過する３本の相互に直交する軸が存在する。すなわち、慣性乗積は、質量がその方向に沿って延在するベクトルの両側で等しく均衡がとれている方向に沿うものである。慣性乗積の方向は、３次元オブジェクトの慣性の主軸と呼ばれることがある。方向２２１、２２３、２２５は、ターゲット２２０の慣性の主軸であり得る。実施例において、方向２２１、２２３、２２５は、ターゲット２２０についての慣性乗積の慣性テンソル又はマトリクスの固有ベクトルである。
範囲２２２、２２４、２２６は、慣性乗積の慣性テンソル又はマトリクスの固有値から決定され得る。

いくつかの実施例において、ターゲット２２０は、およそ２次元オブジェクトと見なされ得る。ターゲット２２０が２次元であるとき、ターゲット２２０は、２本の直交主軸及び主軸の方向に沿った２つの範囲を用いてモデル化され得る。代替又は追加として、３次元ターゲットの場合、２次元ターゲットについての範囲及び方向は外観検査を介して決定され得る。

ターゲット２２０などのターゲットのターゲット材料から形成されるプラズマから放出されるエネルギーの空間分布は、ターゲットの位置決め又は配向、及び／又はターゲット内のターゲット材料の空間分布に依存する。ターゲットの位置は、照射光ビーム及び／又はターゲットの近くのオブジェクトに対する、ターゲットのロケーション、配置、及び／又は配向である。ターゲットの配向は、照射光ビーム及び／又はターゲットの近くのオブジェクトに対する、ターゲットの配置及び／又は角度と見なされ得る。ターゲットの空間分布は、ターゲットのターゲット材料の幾何配置である。

図３Ａを参照すると、例示的エネルギー分布３６４Ａが示されている。図３Ａの例において、実線はエネルギー分布３６４Ａを示す。エネルギー分布３６４Ａは、ターゲット３２０Ａ内のターゲット材料から形成されるプラズマから放出されるエネルギーの角度分布である。プラズマから放出されるエネルギーは、軸３６３に沿った方向にピーク又は最大値を有する。軸３６３が延在する際に沿う方向（したがって、エネルギーが主に放出される方向）は、ターゲット３２０Ａの位置決め及び／又はターゲット３２０Ａ内のターゲット材料の空間分布に依存する。ターゲット３２０Ａは、一方向のターゲットの範囲が光ビームの伝搬の方向に対して角度を成すように、位置決めされ得る。別の例において、ターゲット３２０Ａは、光ビームの最も強い部分に対して位置決めされるか、又は、真空チャンバ内のオブジェクトに対して角度のあるターゲットの範囲で位置決めされ得る。エネルギー分布３６４Ａは一例として提供されており、他のエネルギー分布は異なる空間特徴を有し得る。図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｅ、及び図３Ｆは、空間エネルギー分布の付加的な例を示す。

図３Ｂ及び図３Ｃを参照すると、それぞれ、ピーク（又は最大値）３６５Ｂ、３６５Ｃに関して例示的エネルギー分布３６４Ｂ及び３６４Ｃが示されている。エネルギー分布３６４Ｂ、３６４Ｃは、ターゲット領域３３０においてｚ方向に伝搬する光ビーム３１０と、それぞれ、ターゲット３２０Ｂ、３２０Ｃ内のターゲット材料との間の相互作用によって形成されるプラズマから放出されるエネルギーの空間分布を表す。相互作用は、ターゲット３２０内のターゲット材料のうちの少なくともいくつかをプラズマに変換する。エネルギー３６４Ｂ及び３６４Ｃの空間分布は、プラズマから放出される平均エネルギー又は総エネルギーの角度空間分布を表し得る。

ターゲット３２０Ｂ、３２０Ｃのターゲット材料は、ｘ－ｙ面に楕円形断面を備える楕円体（図２Ａ及び図２Ｂのターゲット２２０と同様）などの、ディスク様形状に配置される。ターゲット３２０Ｂは、ｙ方向に範囲３２４、及びｚ方向に範囲３２２を有する。範囲３２４は範囲３２２よりも大きい。図３Ｂの例において、範囲３２２は光ビーム３１０の伝搬の方向と平行であり、ターゲット３２０は光ビーム３１０に対して傾斜していない。図３Ｃの例において、ターゲット３２０Ｃは光ビーム３１０の伝搬の方向に対して傾斜している。ターゲット３２０Ｃの場合、範囲３２４は、光ビーム３１０の伝搬の方向から角度３２７で傾斜している方向３２１に沿っている。範囲３２２は方向３２３に沿っている。したがって、図３Ｂ及び図３Ｃの例は、２つの異なる方法で位置決めされたターゲットを示し、エネルギー分布３６４Ｂ及び３６４Ｃは、ターゲット位置を変更することによってピーク３６５Ｂ、３６５Ｃをどのように移動できるかを示す。

ターゲット材料と光ビーム３１０との間の相互作用によって形成されるプラズマは、ＥＵＶ光、粒子、及びＥＵＶ光以外の放射を含むエネルギーを放出する。粒子及び放射は、例えば、光ビーム３１０とターゲット材料との間の相互作用から形成されるイオン（荷電粒子）を含み得る。イオンはターゲット材料のイオンであり得る。例えば、ターゲット材料がスズであるとき、プラズマから放出されるイオンはスズイオンであり得る。イオンは、ターゲット１２０から相対的に長い距離を進行する高エネルギーのイオン、及び、ターゲット１２０からより短い距離を進行する相対的に低エネルギーのイオンを含み得る。高エネルギーイオンは、それらの運動エネルギーを、それらを受け取る材料内に熱として伝達し、材料内に熱の局所領域を作成する。高エネルギーイオンは、例えば５００電子ボルト（ｅＶ）に等しいか又は５００電子ボルトよりも大きいエネルギーを有するイオンであり得る。低エネルギーイオンは、５００ｅＶ未満のエネルギーを有するイオンであり得る。

前述のように、図３Ｂ及び図３Ｃの例示の分布３６４Ｂ及び３６４Ｃは、それぞれ、プラズマから放出されるイオンの総エネルギー又は平均エネルギーの空間分布を示すものと見なされ得る。図３Ｂの例において、イオンの放出によって生じるエネルギーは、ｙ－ｚ面内に分布３６４Ｂを有する。分布３６４Ｂは、ターゲット３２０Ｂの中心に対する角度の関数として、プラズマから放出されるエネルギーの相対量を表す。図３Ｂの例において、範囲３２４は、ターゲット領域３３０での光ビーム３１０の伝搬の方向に対して垂直であり、最大量のエネルギーはピーク３６５Ｂの方向に送出される。図３Ｂの例において、ピーク３６５Ｂは、範囲３２２に平行であり範囲３２４に対して垂直な、－ｚ方向である。最低量のエネルギーはｚ方向に放出され、低エネルギーイオンはｚ方向に優先的に放出される。

図３Ｂに対して、ターゲット３２０Ｃ（図３Ｃ）の位置は異なる。図３Ｃの例において、範囲３２４はビーム３１０の伝搬の方向に対して角度３２７で傾斜している。図３Ｃの例では、総イオンエネルギー又は平均イオンエネルギーのプロファイル３６４Ｂも異なり、最大量のエネルギーはピーク３６５Ｃに向かって放出される。図３Ｂの例と同様に、図３Ｃの例では、イオンは、光ビーム３１０を受け取り、範囲３２４に対して垂直な、ターゲット３２０の側面３２９から離れて延在する方向に沿って、優先的に放出され得る。側面３２９は、ターゲット３２０の任意の他の部分の前に光ビーム３１０を受け取るターゲット３２０の一部又は側面、あるいは、光ビーム３１０からほとんどの放射を受け取るターゲット３２０Ｃの一部又は側面である。側面３２９は「加熱側面」とも呼ばれる。

プラズマから放出される他の粒子及び放射は、ｙ－ｚ面に異なるプロファイルを有し得る。例えばプロファイルは、高エネルギーイオン又は低エネルギーイオンのプロファイルを表し得る。低エネルギーイオンは、高エネルギーイオンが優先的に放出される方向に対向する方向に、優先的に放出され得る。

したがって、ターゲット３２０Ｂ、３２０Ｃ及び光ビーム３１０の相互作用によって作成されるプラズマは、放射及び／又は粒子の指向性依存フラックスを放出する。放射及び／又は粒子の最高部分が放出される方向は、ターゲット３２０Ｂ、３２０Ｃの位置に依存する。ターゲット３２０の位置又は配向を調整又は変更することによって、最大量の放射及び／又は粒子が放出される方向も変更され、他のオブジェクト上の指向性依存フラックスの加熱効果を最小化又は消去することができる。

プラズマから放出されるエネルギーの空間分布も、ターゲット及び光ビーム３１０の相対的位置を変更することによって変更され得る。

図３Ｄは、光ビーム３１０についての例示的強度プロファイルを示す。強度プロファイル３５０は、ターゲット領域３３０における伝搬の方向（方向ｚ）に対して垂直な、ｘ－ｙ面における位置の関数として光ビーム３１０の強度を表す。強度プロファイルは、軸３５２に沿ったｘ－ｙ面内に最大値３５１を有する。強度は、最大値３５１の両側で減少する。

図３Ｅ及び図３Ｆは、それぞれ、光ビーム３１０と相互作用するターゲット３２０Ｅ及びターゲット３２０Ｆを示す。ターゲット３２０Ｅ及び３２０Ｆは、実質的に球形であり、プラズマ状態の時にＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含む。ターゲット３２０Ｅ（図３Ｅ）は、軸３５２からｘ方向に変位したロケーション３２８Ｅにある。ターゲット３２０Ｆ（図３Ｆ）は、軸３５２から－ｘ方向に変位したロケーション３２８Ｆにある。したがって、ターゲット３２０Ｅ及び３２０Ｆは軸３５２の異なる側にある。軸３５２に最も近いターゲット３２０Ｅ、３２０Ｆの部分（光ビーム３１０の最強部分）は蒸発し、ターゲット３２０Ｅ、３２０Ｆの残りの部分の前にプラズマに変換する。ターゲット３２０Ｅから発生するプラズマのエネルギーは、主に、軸３５２に最も近いターゲット３２０Ｅの部分から、軸３５２に向かう方向に放出される。図示された例において、ターゲット３２０Ｅから発生するプラズマから放出されるエネルギーは主に方向３６３Ｅに沿って放出され、ターゲット３２０Ｆから発生するプラズマから放出されるエネルギーは主に方向３６３Ｆに沿って放出される。方向３６３Ｅ、３６３Ｆは互いに異なる。したがって、ターゲット及び光ビームの相対的な配置は、プラズマから放出されるエネルギーを特定方向に誘導するためにも使用され得る。加えて、ターゲット３２０Ｅ、３２０Ｆは球体として示されているが、他の形状のターゲットは、光ビーム３１０に対するそれらのロケーションに基づいてプラズマを指向的に放出する。

図３Ａ～図３Ｃは、プロファイル３６４Ａ～３６４Ｃを、それぞれｙ－ｚ面において２次元で示している。しかしながら、プロファイル３６４Ａ～３６４Ｃは３次元を占有し得、３次元で容積を掃引し得ることが企図される。同様に、ターゲット３２０Ｅ及び３２０Ｆから放出されるエネルギーは、３次元容積を占有し得る。

図４は、ＥＵＶ光源を使用する間、ターゲットの位置を制御可能なシステム４００のブロック図である。図５は、ＥＵＶ光源を使用する間、ターゲットの位置決めを制御するための、例示的プロセス５００のフローチャートである。図６Ａ～図６Ｃは、ターゲットについてのプロセス５００の例を示す。

制御システム４７０は、真空チャンバ４４０内のオブジェクト４４４上で、真空チャンバ４４０内で発生するプラズマ４４２の効果を軽減又は消去するために使用される。プラズマ４４２は、真空チャンバ内のターゲット領域における光ビームとターゲット材料との間の相互作用から生成される。ターゲット材料はターゲットソースから真空チャンバ４４０内にリリースされ、ターゲット材料は、ターゲットソース（図１のターゲット材料供給装置１１６など）から軌道に沿ってターゲット領域へと進行する。オブジェクト４４４は、プラズマ４４２に対して露光される真空チャンバ４４０内の任意のオブジェクトとすることができる。例えば、オブジェクト４４４は、追加のプラズマを生成するための別のターゲット、真空チャンバ４４０内の光学要素、及び／又は、真空チャンバ４４０内を流れる流体４０８とすることができる。

システム４００は、真空チャンバ４４０の内部を監視するセンサ４４８も含む。センサ４４８は、真空チャンバ４４０内、又は真空チャンバ４４０の外側に位置し得る。例えば、センサ４４８は、真空チャンバ４４０の内部の目視観測を可能にするビューポートウィンドウで、真空チャンバの外側に配置され得る。センサ４４８は、真空チャンバ内のターゲット材料の存在を感知することができる。いくつかの実施例において、システム４００は、ターゲット材料の軌道と交差する光ビーム又は光のシートを生成する、付加的光源を含む。光ビーム又は光のシートの光は、ターゲット材料によって散乱され、センサ４４８は散乱光を検出する。散乱光の検出は、真空チャンバ４４０内のターゲット材料のロケーションを特定又は推定するために使用され得る。例えば、散乱光の検出は、光ビーム又は光シートが予測されるターゲット材料の軌道と交差するロケーションに、ターゲット材料があることを示す。追加又は代替として、センサ４４８は光シート又は光ビームを検出するように位置決めされ得、ターゲット材料による光シート又は光ビームの一時的遮断は、光ビーム又は光シートが予測されるターゲット材料の軌道と交差するロケーションに、ターゲット材料があることを示すものとして使用され得る。

センサ４４８は、カメラ、フォトディテクタ、あるいは、ターゲット材料の軌道と交差する光ビーム又は光シートにおける波長に対して敏感な別のタイプの光センサであり得る。センサ４４８は、真空チャンバ４４０の内部の表現（例えば、散乱光の検出を示す表現、又は、光が遮断されていることの指示）を生成し、この表現を制御システム４７０に提供する。この表現から、制御システム４７０は、真空チャンバ４４０内のターゲット材料のロケーションを特定又は推定し、ターゲット材料が真空チャンバ４４０のある部分内にあることを宣言し得る。光ビーム又は光シートが予測されるターゲット材料の軌道と交差するロケーションは、軌道の任意の部分であり得る。更に、いくつかの実施例において、ターゲット材料が真空チャンバ４４０の特定の部分内にあることを特定するための他の技法が使用され得る。

システム４００は、１つ以上の光ビームを真空チャンバ４４０に提供するために光発生モジュール４８０と通信する、制御システム４７０を含む。図示される例では、光発生モジュール４８０は、第１の光ビーム４１０ａ及び第２の光ビーム４１０ｂを真空チャンバ４４０に提供する。他の例では、光発生モジュール４８０は、より多くの又はより少ない光ビームを提供可能である。

制御システム４７０は、真空チャンバ４４０内でのターゲットの位置決めがターゲットによって変更可能なように、光発生モジュール４８０から放出される光のパルスの伝搬のタイミング及び／又は方向を制御する。制御システム４７０は、真空チャンバ４４０の内部の表現をセンサ４４８から受け取る。この表現から、制御システム４７０は、ターゲット材料が真空チャンバ４４０内に存在するかどうか、及び／又は、真空チャンバ４４０内のターゲット材料の位置を、決定し得る。例えば、制御システム４７０は、ターゲット材料が真空チャンバ４４０の特定のロケーション内、又は真空チャンバ４４０内の特定のロケーション内にあるものと、決定し得る。ターゲット材料が、真空チャンバ４４０内又は真空チャンバ４４０内の特定のロケーション内にあるものと決定された場合、ターゲット材料は検出されるものと見なされ得る。制御システム４７０は、ターゲット材料の検出に基づいて、光発生モジュール４８０からパルスを放出させ得る。ターゲット材料の検出は、光発生モジュール４８０からのパルスの放出時点を決定するために使用され得る。例えば、パルスの放出は、真空チャンバ４７０の特定部分におけるターゲット材料の検出に基づいて、遅延又は前進させることができる。別の例において、ターゲット材料の検出に基づいて、パルスの伝搬の方向が決定され得る。

制御システム４７０は、光ビーム制御モジュール４７１、流れ制御モジュール４７２、電子ストレージ４７３、電子プロセッサ４７４、及び入力／出力インターフェース４７５を含む。電子プロセッサ４７４は、汎用又は特定用途向けのマイクロプロセッサなどのコンピュータプログラムの実行に適した１つ以上のプロセッサ、及び、任意の種類のデジタルコンピュータの任意の１つ以上のプロセッサを含む。一般に、電子プロセッサは、読み取り専用メモリ又はランダムアクセスメモリあるいはその両方から、命令及びデータを受信する。電子プロセッサ４７４は、任意のタイプの電子プロセッサとすることができる。

電子ストレージ４７３は、ＲＡＭなどの揮発性メモリ、又は不揮発性メモリとすることができる。いくつかの実施例において、同じく電子ストレージ４７３は不揮発性及び揮発性の部分又は構成要素を含むことができる。電子ストレージ４７３は、制御システム４７０及び／又は制御システム４７０の構成要素の動作中に使用される、データ及び情報を記憶することができる。例えば、電子ストレージ４７３は、第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂが真空チャンバ４４０内の特定ロケーションに伝搬されることが予測される時点を指定するタイミング情報、第１及び／又は第２のビーム４１０ａ、４１０ｂについてのパルス繰り返し数（第１及び／又は第２のビーム４１０ａ、４１０ｂがパルス光ビームである実施例の場合）、及び／又は、ターゲットの近く（例えば、ターゲット領域３３０などのターゲット領域内の）第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂについて伝搬の方向を指定する情報を、記憶することができる。

電子ストレージ４７３は、実行された場合、プロセッサ４７４を、制御システム４７０、光発生モジュール４８０、及び／又は真空チャンバ４４０内の構成要素と通信させる命令を、恐らくはコンピュータプログラムとして記憶することも可能である。例えば命令は、電子ストレージ４７３上に記憶されるタイミング情報によって指定されるある時点で、電子プロセッサ４７４にトリガ信号を光発生モジュール４８０に提供させる、命令とすることができる。トリガ信号は、光発生モジュール４８０に光のビームを放出させることができる。電子ストレージ４７３上に記憶されるタイミング情報は、センサ４４８から受信された情報に基づくものであり得、あるいは、タイミング情報は、制御システム４７０が初期にサービス内に配置されたときに、又は人間のオペレータのアクションを介して、電子ストレージ４７３上に記憶される、所定のタイミング情報であり得る。

Ｉ／Ｏインターフェース４７５は、制御システム４７０が、オペレータ、光発生モジュール４８０、真空チャンバ４４０、及び／又は別の電子デバイス上で実行する自動化プロセスとの間で、データ及び信号の受信及び／又は送信できるようにする、任意の種類の電子インターフェースである。例えば、Ｉ／Ｏインターフェース４７５は、視覚ディスプレイ、キーボード、又は通信インターフェースのうちの１つ以上を含むことができる。

光ビーム制御モジュール４７１は、光のパルスを真空チャンバ４４０内に誘導するために、光発生モジュール４８０、電子ストレージ４７３、及び／又は電子プロセッサ４７４と通信する。

光発生モジュール４８０は、パルス光ビームを生成することが可能な任意のデバイス又は光学ソースであり、そのうちの少なくともいくつかは、ターゲット材料を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有する。追加として、光発生モジュール４８０は、初期ターゲットを、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換されるターゲットに形成、位置決め、配向、拡張、又はその他の形で条件付けするために使用される、光ビームなどの、必ずしもターゲット材料をプラズマに変形しない他の光ビームを生成することができる。

図４の例において、光発生モジュール４８０は、それぞれ、第１及び第２の光ビーム４１０ａ、４１０ｂを生成する、２つの光サブシステム４８１ａ、４８１ｂを含む。図４の例において、第１の光ビーム４１０ａは実線で表され、第２の光ビーム４１０ｂは破線で表される。光サブシステム４８１ａ、４８１ｂは、例えば２つのレーザとすることができる。例えば、光サブシステム４８１ａ、４８１ｂは、２つの二酸化炭素（ＣＯ_２）レーザとすることができる。他の実施例において、光サブシステム４８１ａ、４８１ｂは異なるタイプのレーザとすることができる。例えば光サブシステム４８１ａは固体レーザとすることができ、光サブシステム４８１ｂはＣＯ_２レーザとすることができる。第１及び第２の光ビーム４１０ａ、４１０ｂのうちのいずれか又は両方を、パルス出力することができる。

第１及び第２の光ビーム４１０ａ、４８１ｂは、異なる波長を有することができる。例えば、光サブシステム４８１ａ、４８１ｂが２つのＣＯ_２レーザを含む実施例において、第１の光ビーム４１０ａの波長は約１０．２６マイクロメートル（μｍ）とすることができ、第２の光ビーム４１０ｂの波長は１０．１８μｍから１０．２６μｍの間とすることができる。第２の光ビーム４１０ｂの波長は約１０．５９μｍとすることができる。これらの実施例において、光ビーム４１０ａ、４１０ｂはＣＯ_２レーザの異なる線から発生し、結果として、光ビーム４１０ａ、４１０ｂは、両方のビームが同じタイプのソースから発生する場合であっても、異なる波長を有することになる。光ビーム４１０ａ、４１０ｂは、異なるエネルギーを有することも可能である。

光発生モジュール４８０は、第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂをビームパス４８４上に誘導する、ビームコンバイナ４８２も含む。ビームコンバイナ４８２は、第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂをビームパス４８４上に誘導することが可能な、任意の光学要素又は光学要素の集合とすることができる。例えば、ビームコンバイナ４８２はミラーの集合とすることが可能であり、そのうちのいくつかは、第１のビーム４１０ａをビームパス４８４上に誘導するように位置決めされ、そのうちのその他は、第２のビーム４１０ｂをビームパス４８４上に誘導するように位置決めされる。光発生モジュール４８０は、光発生モジュール４８０内の第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂを増幅する、前置増幅器４８３も含むことが可能である。

第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂは、異なる時点でパス４８４上を伝搬可能である。図４に示される例において、第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂは、光発生モジュール４８０内のパス４８４を辿り、両方のビーム４１０ａ、４１０ｂは光増幅器４８３を介して実質的に同じ空間領域を横切る。他の例において、ビーム４１０ａ及び４１０ｂは、２つの異なる光増幅器を介することを含み、異なるパスに沿って進行することができる。

第１及び第２の光ビーム４１０ａ、４１０ｂは、真空チャンバ４４０へと誘導される。第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂは、第１のビーム４１０ａは初期ターゲット領域に向けて誘導され、第２のビーム４１０ｂはターゲット領域（図１のターゲット領域など）に向けて誘導されるように、ビームデリバリシステム４８５によって角度分配される。初期ターゲット領域は、第１の光ビーム４１０ａと、第１の光ビーム４１０ａによって条件付けられる初期ターゲット材料とを受け取る、真空チャンバ４４０内の空間の容積である。ターゲット領域は、第２の光ビーム４１０ｂと、プラズマに変換されるターゲットとを受け取る、真空チャンバ４４０内の空間の容積である。初期ターゲット領域及びターゲット領域は、真空チャンバ４４０内の異なるロケーションにある。例えば、図１を参照すると、初期ターゲット領域は、初期ターゲット領域がターゲット領域１３０とターゲット材料供給装置１１６との間にあるように、ターゲット領域１３０に対して－ｙ方向に変位可能である。初期ターゲット領域及びターゲット領域は部分的に空間的に重複可能であるか、又は初期ターゲット領域及びターゲット領域は空間的にいかなる重複もなく別個であることが可能である。図１４は、第１及び第２の光ビームが真空チャンバ内で互いに変位している例を含む。いくつかの実施例において、ビームデリバリシステム４８５はまた、初期及び修正済みのターゲット領域の内部又は付近のロケーションに、第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂをそれぞれフォーカスする。

他の実施例において、光発生モジュール４８０は、第１及び第２の光ビーム４１０ａ、４１０ｂの両方を発生させる単一光サブシステムを含む。これらの実施例において、第１及び第２の光ビーム４１０ａ、４１０ｂは、同じ光学ソース又はデバイスによって発生する。しかしながら、第１及び第２の光ビーム４１０ａ、４１０ｂは、同じ波長又は異なる波長を有することができる。例えば、単一光サブシステムは二酸化炭素（ＣＯ_２）レーザとすることができ、第１及び第２の光ビーム４１０ａ、４１０ｂは、ＣＯ_２レーザの異なる線によって発生可能であり、異なる波長とすることができる。

いくつかの実施例において、光発生モジュール４８０は第１の光ビーム４１０ａを放出せず、初期ターゲット領域はない。これらの実施例において、ターゲットは、第１の光ビーム４１０ａによって事前に条件付けられることなく、ターゲット領域内で受け取られる。こうした実施例の例が、図１７に示されている。

流体４０８は真空チャンバ４４０内を流れることができる。また制御システム４７０は、真空チャンバ４４０内の流体４０８の流れを制御し得る。例えば流体４０８は、水素及び／又は他のガスであり得る。流体４０８は、オブジェクト４４４（又は、真空チャンバ４４０内の複数のオブジェクトがプラズマ４４２の効果から保護されるべきである場合は、オブジェクト４４４のうちの１つ）とすることができる。これらの実施例において、制御システム４７０は、流体４０８の流れ構成を制御する流れ制御モジュール４７２を含むこともできる。流れ制御モジュール４７２は、例えば、流体４０８の流量及び／又は流向を設定することができる。

光ビーム制御モジュール４７１は、光発生モジュール４８０を制御し、第１の光ビーム４１０ａが光発生モジュール４８０から放出される時点（したがって、第１の光ビーム４１０ａが初期ターゲット領域及びターゲット領域に到達する時点）を決定する。光ビーム制御モジュール４７１は、第１の光ビーム４１０ａの伝搬の方向を決定することもできる。第１の光ビーム４１０ａのタイミング及び／又は方向を制御することによって、光ビーム制御モジュール４７１は、ターゲットの位置と、粒子及び／又は放射が主に放射される方向とを、制御することも可能である。

図５及び図６Ａ～図６Ｃは、プリパルス、又は、ＥＵＶ光を放出するプラズマにターゲット材料を変換する放射のパルスに先立ってターゲットに到達する光のパルスを用いて、ターゲットを位置決めするための技法を考察する。

図５を参照すると、ＥＵＶ光を発生させるための例示的プロセス５００のフローチャートが示されている。プロセス５００は、ターゲット（図１のターゲット１２０、図２Ａのターゲット２２０、又は図３Ａ及び図３Ｂのターゲット３２０など）を傾斜させるためにも使用可能である。ターゲットはターゲット領域で提供される（５１０）。ターゲットは第１の方向に沿って第１の範囲を有し、第２の方向に沿って第２の範囲を有する。ターゲットは、プラズマに変換されるときにＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含む。増幅光ビームがターゲット領域に向かって誘導される（５２０）。

図６Ａ～図６Ｃはプロセス５００の例を示す。下記で考察するように、ターゲット６２０がターゲット領域６３０に提供され（図６Ｃ）、増幅光ビーム６１０がターゲット６３０に向けて誘導される。

図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、例示的波形６０２が初期ターゲット６１８をターゲット６２０に変形する。初期ターゲット６１８及びターゲット６２０は、増幅光ビーム６１０を伴う照射を介してプラズマに変換されるときにＥＵＶ光６６０を放出する（図６Ｃ）、ターゲット材料を含む。下記の考察は、初期ターゲット６１８が溶融金属で作られる液滴であるという例を提供する。例えば、初期ターゲット６１８は実質的に球形であり、３０～３５μｍの直径を有することができる。しかしながら初期ターゲット６１８は、他の形を取ることもできる。

図６Ａ及び図６Ｃは、初期ターゲット６１８が物理的にターゲット６２０に変形した後、ＥＵＶ光６６０を放出する間の、時間期間６０１を示す。初期ターゲット６１８は、波形６０２に従った時間内に送出される放射との相互作用を介して変形される。図６Ｂは、図６Ａの時間期間６０１にわたる時間の関数としての、波形６０２におけるエネルギーのプロットである。初期ターゲット６１８と比較すると、ターゲット６２０はｚ方向よりも小さい範囲を伴う側断面を有する。追加として、ターゲット６２０はｚ方向（ターゲット６２０の少なくとも一部をプラズマに変換する増幅されたビーム６１０の伝搬の方向６１２）に対して傾斜される。

波形６０２は、放射のパルス６０６（プリパルス６０６）の表現を含む。プリパルス６０６は、例えば第１の光ビーム４１０ａ（図４）のパルスとすることができる。プリパルス６０６は、初期ターゲット６１８上で作用するのに十分なエネルギーを有する任意のタイプのパルス放射とすることが可能であるが、プリパルス６０６は、ＥＵＶ光を放出するプラズマに著しい量のターゲット材料を変換することはない。第１のプリパルス６０６と初期ターゲット６１８との相互作用によって、初期ターゲット６１８をディスクにより近い形状に変形することができる。約１～３マイクロ秒（μｓ）の後、この変形した形状は、ディスク形状の部片又は溶融金属の形に拡張する。増幅光ビーム６１０は、メインビーム又はメインパルスと呼ぶことができる。増幅光ビーム６１０は、ターゲット６２０内のターゲット材料を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有する。

プリパルス６０６及び増幅光ビーム６１０は、遅延時間６１１によって時間的に分離されており、増幅光ビーム６１０は、プリパルス６０６の後の時点ｔ_２で発生する。プリパルス６０６は時点ｔ＝ｔ_１で発生し、パルス持続時間６１５を有する。パルス持続時間６１５は、パルスがパルスの最大強度の少なくとも半分の強度を有する時間量である、半値全幅によって表すことができる。しかしながら、パルス持続時間６１５を決定するために他のメトリクスを使用することも可能である。

ターゲット６２０をターゲット領域６３０に提供する技法を考察する前に、プリパルス６０６を含む放射のパルスと初期ターゲット６１８との相互作用の考察が提供される。

レーザパルスが金属のターゲット材料液滴にぶつかる（当たる）時、パルスの立ち上がりエッジは、反射金属である液滴の表面を見る（液滴の表面と相互作用する）。パルスの立ち上がりエッジは、パルスの任意の他の部分より前に、最初にターゲット材料と相互作用するパルスの一部である。初期ターゲット６１８は、パルスの立ち上がりエッジにおいてエネルギーのほとんどを反射し、わずかに吸収する。吸収される少量の光は、液滴の表面を加熱し、蒸発して、表面を融除する。液滴の表面から蒸発するターゲット材料は、表面の近くに電子及びイオンの雲を形成する。放射のパルスがターゲット材料の液滴上にぶつかり続ける間、レーザパルスの電場は雲中の電子を移動させることができる。移動する電子は付近のイオンと衝突し、雲中の電子とイオンの密度の積におよそ比例するレートでの運動エネルギーの伝達を介してイオンを加熱する。イオンに当たる移動電子とイオンの加熱との組み合わせを介して、雲はパルスを吸収する。

雲がレーザパルスの後の部分に曝される間、雲中の電子は移動及びイオンとの衝突を続け、雲中のイオンは加熱し続ける。電子は拡散し、ターゲット材料の液滴（又は雲の下にあるバルク材料）の表面に熱を伝達し、更にターゲット材料の液滴の表面を蒸発させる。雲中の電子密度は、ターゲット材料の液滴の表面に最も近い雲の部分において増加する。雲は、電子密度が増加して、雲の一部がレーザパルスを吸収する代わりにこれを反射することになる地点に到達することができる。

図６Ｃも参照すると、初期ターゲット６１８は初期ターゲット領域６３１で提供される。初期ターゲット６１８は、例えば、ターゲット材料供給装置１１６（図１）からターゲット材料をリリースすることによって、初期ターゲット領域６３１で提供することができる。図に示された例において、プリパルス６０６は初期ターゲット６１８に当たり、初期ターゲット６１８を変形し、変形された初期ターゲットを経時的にターゲット領域６３０内へとドリフト又は移動させる。

初期ターゲット６１８上のプリパルス６０６の力によって、初期ターゲット６１８を、ターゲット材料の幾何分布６５２へと物理的に変形させる。幾何分布６５２は、イオン化されていない材料（プラズマでない材料）を含むことができる。幾何分布６５２は、例えば、液体又は溶融金属のディスク、空隙又は実質的なギャップを有さないターゲット材料の連続セグメント、マイクロ粒子又はナノ粒子の霧、又は、原子蒸気の雲とすることができる。幾何分布６５２は、遅延時間６１１の間、更に拡張し、ターゲット６２０になる。初期ターゲット６１８の拡散は、３つの効果を有する可能性がある。

第１に、初期ターゲット６１８と比較すると、プリパルス６０６との相互作用によって発生するターゲット６２０は、放射の接近するパルス（増幅光ビーム６１０など）に対してより大きなエリアを提示する形を有する。ターゲット６２０は、ｙ方向に、初期ターゲット６１８のｙ方向の断面直径よりも大きな断面直径を有する。追加として、ターゲット６２０は、ターゲット６２０での増幅光ビーム６１０の伝搬方向（６１２又はｚ）に、初期ターゲット６１８より薄い厚みを有することができる。ターゲット６２０のｚ方向の相対的な薄さによって、増幅光ビーム６１０は、ターゲット６１８内にあるより多くのターゲット材料を照射することができる。

第２に、空間内での初期ターゲット６１８の拡散により、増幅光ビーム６１０によるプラズマの加熱中、材料密度が過度に高い領域の発生を最小限にするか又は減少させることができる。材料密度が過度に高いこうした領域は、発生するＥＵＶ光を遮断することができる。レーザパルスによって照射される領域全体を通じてプラズマ密度が高い場合、レーザパルスの吸収は、レーザパルスを最初に受け取る領域の部分に限定される。この吸収によって発生する熱は、増幅光ビーム６１０の有限持続時間中、有意な量のバルクターゲット材料を利用（例えば、蒸発及び／又はイオン化）するのに十分長いターゲット材料表面の蒸発及び加熱のプロセスを維持するには、バルクターゲット材料から離れ過ぎている可能性がある。

領域が高い電子密度を有するインスタンスにおいて、光パルスは光パルスが反射されるほど電子密度が高い「臨界表面」に到達するまで、領域のごく一部を浸透するのみである。光パルスは領域のそうした部分に進行することはできず、それらの領域内のターゲット材料からわずかなＥＵＶ光が発生する。高プラズマ密度の領域は、ＥＵＶ光を放出する領域の部分から放出されるＥＵＶ光を遮断することも可能である。したがって、領域から放出されるＥＵＶ光の総量は、領域に高プラズマ密度の部分がない場合よりも少ない。したがって、初期ターゲット６１８をより大容量のターゲット６２０内に拡散させることは、入射光ビームが、反射される前にターゲット６２０内のより多くの材料に到達することを意味する。これにより、生成されるＥＵＶ光の量を増加させることができる。

第３に、プリパルス６０６と初期ターゲット６１８との相互作用は、増幅光ビーム６１０の伝搬の方向６１２に関して角度６２７で傾斜されたターゲット領域６３０に、ターゲット６２０を到達させる。初期ターゲット６１８は質量中心６１９を有し、プリパルス６０６は、プリパルス６０６内の大部分が質量中心６１９の一方の側に向かうように、初期ターゲット６１８に当たる。プリパルス６０６は初期ターゲット６１８に力を印加し、力が質量中心６１９の一方の側にあるため、初期ターゲット６１８は、プリパルス６０６が質量中心６１９にある初期ターゲット６１８に当たった場合のターゲットとは異なる軸のセットに沿って拡張する。初期ターゲット６１８は、プリパルス６０６がヒットする方向に沿って平坦になる。したがって、中心を外れるか又は質量中心６１９から離れて初期ターゲット６１８に当てることで、傾斜が生成される。例えば、プリパルス６０６が質量中心６１９から離れた初期ターゲット６１８と相互作用する場合、初期ターゲット６１８はｘ軸に沿って拡張せず、代わりに、ターゲット領域６３０に向かって移動する間、ｙ軸に対して角度６４１で傾斜したｙ’軸に沿って拡張する。したがって、時間期間が経過した後、初期ターゲット６１８は、拡張された容積を占有し、増幅光ビーム６１０の伝搬の方向６１２に関して角度６２７で傾斜する、ターゲット６２０に変形する。

図６Ｃは、ターゲット６２０の側断面を示す。ターゲット６２０は、方向６２１に沿った範囲６２２と、方向６２１と直交する方向６２３に沿った範囲６２４を有する。範囲６２４は範囲６２２よりも大きく、範囲６２４は、増幅光ビーム６１０の伝搬の方向６１２と角度６２７を形成する。ターゲット６２０は、ターゲット６２０の一部が増幅光ビーム６１０の焦点面内にあるように配置可能であるか、又はターゲット６２０は焦点面から離れて配置可能である。いくつかの実施例において、増幅光ビーム６１０はガウスビームとして近似可能であり、ターゲット６２０は増幅光ビーム６１０の焦点深度の外側に配置可能である。

図６Ｃに示された例において、プリパルス６０６の大部分の強度は質量中心６１９の上の（－ｙ方向にオフセットされた）初期ターゲット６１８に当たり、初期ターゲット６１８内のターゲット材料をｙ’軸に沿って拡張させる。しかしながら、他の例では、プリパルス６０６は質量中心６１９の下に（ｙ方向にオフセットされて）印加可能であり、ターゲット６２０をｙ’軸に比べて反時計回りの軸（図示せず）に沿って拡張させる。図６Ｃに示される例において、初期ターゲット６１８は、ｙ方向に沿って進行しながら初期ターゲット領域６３１を介してドリフトする。したがって、プリパルス６０６が入射する初期ターゲット６１８の一部は、プリパルス６０６のタイミングを用いて制御可能である。例えば、プリパルス６０６を図６Ｃに示される例よりも早い時点でリリースすること（すなわち、図６Ｂの遅延時間６１１を増加させること）により、プリパルス６０６を初期ターゲット６１８のより低い部分に当てることになる。

プリパルス６０６は、ターゲット６２０を形成するために初期ターゲット６１８に対して作用可能な任意のタイプの放射とすることができる。例えば、プリパルス６０６は、レーザによって発生するパルス光ビームとすることができる。プリパルス６０６は、１～１０μｍの波長を有することができる。プリパルス６０６の持続時間６１２は、例えば、２０～７０ナノ秒（ｎｓ）、１ｎｓ未満、３００ピコ秒（ｐｓ）、１００～３００ｐｓの間、１０～５０ｐｓの間、又は１０～１００ｐｓの間とすることができる。プリパルス６０６のエネルギーは、例えば、１５～６０ミリジュール（ｍＪ）、９０～１１０ｍＪ、又は２０～１２５ｍＪとすることができる。プリパルス６０６が１ｎｓ又は１ｎｓ未満の持続時間を有する場合、プリパルス６０６のエネルギーは２ｍＪとすることができる。遅延時間６１１は、例えば、１～３ミリ秒（μｓ）とすることができる。

ターゲット６２０は、例えば、２００～６００μｍ、２５０～５００μｍ、又は３００～３５０μｍの直径を有し得る。初期ターゲット６１８は、例えば７０～１２０メートル毎秒（ｍ／ｓ）の速度で、初期ターゲット領域６３１に向かって進行し得る。初期ターゲット６１８は、７０ｍ／ｓ又は８０ｍ／ｓの速度で進行し得る。ターゲット６２０は、初期ターゲット６１０よりも速いか又は遅い速度で進行し得る。ターゲット６２０は、初期ターゲット６１０よりも２０ｍ／ｓ速いか又は遅い速度で、ターゲット領域６３０に向かって進行し得る。いくつかの実施例において、ターゲット６２０は、初期ターゲット６１０と同じ速度で進行する。ターゲット６２０の速度に影響を与える要因は、ターゲット６２０のサイズ、形状、及び／又は角度を含む。ｙ方向のターゲット領域６３０での光ビーム６１０の幅は、２００～６００μｍであり得る。いくつかの実施例において、ｙ方向の光ビーム６１０の幅は、ターゲット領域６３０でのｙ方向のターゲット６２０の幅と、ほぼ同じである。

波形６０２は時間の関数としての単一波形として示されているが、波形６０２の様々な部分は異なるソースによって生成可能である。更に、プリパルス６０６は方向６１２に伝搬しているように示されているが、これは必ずしも当てはまらない。プリパルス６０６は別の方向で伝搬可能であり、依然として初期ターゲット６１８を傾斜させる。例えばプリパルス６０６は、ｚ方向に対して角度６２７の方向で伝搬可能である。プリパルス６０６がこの方向で進行し、質量中心６１９で初期ターゲット６１８に激突する場合、初期ターゲット６１８はｙ’軸に沿って拡張し、傾斜される。したがって、いくつかの実施例において、初期ターゲット６１８は、中心又は質量中心６１９で初期ターゲット６１８に当たることによって、増幅光ビーム６１０の伝搬の方向に対して傾斜させることができる。このように初期ターゲット６１８に当たることで、初期ターゲット６１８を平坦にするか、又は、プリパルス６０６が伝搬する方向に対して垂直な方向に沿って拡張させ、したがって初期ターゲット６１８をｚ軸に対して角度を付けさせるか又は傾斜させる。追加として、他の例では、プリパルス６０６は他の方向に（例えば、図６Ｃのページから外へ又はｘ軸に沿って）伝搬可能であり、初期ターゲット６１８を平坦にし、ｚ軸に対して傾斜させる。

前述のように、プリパルス６０６が初期ターゲット６１８に激突することで、初期ターゲット６１８を変形させる。初期ターゲット６１８が溶融金属の液滴である実施例において、激突は初期ターゲット６１８をディスクと同様の形状に変形させ、ディスクは遅延時間６１１にわたってターゲット６２０へと拡張する。ターゲット６２０はターゲット領域６３０内に到達する。

図６Ｃは初期ターゲット６１８が遅延６１１にわたってターゲット６２０に拡張する実施例を示しているが、他の実施例では、必ずしも遅延６１１を使用することなく、プリパルス６０６及び初期ターゲット６１８の空間位置を互いに対して調整することによって、ターゲット６２０は傾斜され、プリパルス６０６の伝搬の方向に対して直角の方向に沿って拡張される。この実施例において、プリパルス６０６及び初期ターゲット６１８の空間位置は、互いに対して調整される。この空間オフセットにより、プリパルス６０６と初期ターゲット６１８との間の相互作用は、初期ターゲット６１８を、プリパルス６０６の伝搬方向に対して直角な方向に傾斜させる。例えばプリパルス６０６は、増幅光ビーム６１０の伝搬の方向に対して、初期ターゲット６１８を拡張及び傾斜させるために、図６Ｃのページ内へと伝搬可能である。

図８は、液滴のストリーム内の少なくとも２つのターゲットの位置を異なるものにする例を考察する。図８に進む前に、図７Ａ及び図７Ｂは、ターゲットの位置が経時的に同じままである（すなわち、ターゲット領域内に到達する各ターゲットが、真空チャンバ内で実質的に同じ配向及び／又は位置を有する）システムの例を提供する。

図７Ａ及び図７Ｂを参照すると、例示的真空チャンバ７４０の内部が２回示されている。図７Ａ及び図７Ｂの例は、ターゲット領域に入るターゲットの位置が制御システム４７０によって経時的に変動又は変化しないときの、真空チャンバ７４０内のオブジェクト上のプラズマに関連付けられた粒子及び／又は放射の指向性依存フラックスの効果を示している。図７Ａ及び図７Ｂの例において、オブジェクトは、流体７０８及びストリーム７２２内のターゲット７２０である。

流体７０８は、ターゲット領域７３０と光学要素７５５との間にあり、また、光学要素７５５をプラズマから保護する緩衝として作用することが意図されている。流体７０８は、例えば水素などのガスであり得る。流体７０８は、流体デリバリシステム７０４によって真空チャンバ７４０内に導入され得る。流体７０８は、流体７０８の意図された特徴を記述する流れ構成を有する。流れ構成は、流体７０８が光学要素７５５を保護するように、意図的に選択される。流れ構成は、例えば、流体７０８の流量、流向、流れロケーション、及び／又は、圧力又は密度によって定義され得る。図７Ａの例において、流れ構成は、結果として、ターゲット領域７３０と光学要素７５５との間の領域を流れ、ターゲット領域７３０と光学要素７５５との間に均一な容積のガスを形成する、流体７０８を生じさせる。流体７０８は任意の方向に流れ得る。図７Ａの例において、流体７０８は流れ構成に基づいてｙ方向に流れる。

図７Ｂも参照すると、ターゲット７２０と光ビーム７１０との間の相互作用が、粒子及び／又は放射の指向性依存フラックスを生成する。粒子及び／又は放射の分布は、プロファイル７６４によって表される（図７Ｂ）。分布プロファイル７６４は、ターゲット領域７３０内でプラズマに変換される各ターゲット７２０について、実質的に同じ形状及び位置である。プラズマから放出される粒子及び／又は放射は流体７０８に入り、流れ構成を変化させ得る。これらの変化は、結果として、光学要素７５５の破損及び／又は軌道７２３の変化を生じさせる可能性がある。

例えば、上記で考察したように、粒子及び／又は放射の指向性依存フラックスは、ターゲット７２０の位置によって決定される方向に主に放出される高エネルギーイオンを含み得、ターゲット７２０の位置は、図７Ａ及び図７ｂの例の場合、ターゲット領域７３０に入るすべてのターゲットについて一定に維持される。プラズマからリリースされる高エネルギーイオンは流体７０８内を進行し、光学要素７５５に到達する前に、流体７０８によって停止され得る。流体内で停止したイオンは、運動エネルギーを熱として流体７０８内へと伝達する。高エネルギーイオンの大半は同じ方向に放出され、ほぼ同じ距離を流体７０８内へと進行するため、高エネルギーイオンは、残りの流体７０８よりも高温の加熱された局所容積７５７を流体７０８内に形成することができる。流体７０８の粘度は温度と共に増加する。したがって、加熱された局所容積７５７内の流体の粘度は、周囲の流体７０８の粘度よりも高い。より高い粘度により、容積７５７に向かって流れる流体は、容積７５７において周囲の領域よりも大きな抵抗を受ける。結果として、流体は、容積７５７の周辺を流れ、流体７０８の意図される流れ構成から逸脱する傾向がある。

追加として、加熱された局所容積７５７が金属イオン堆積物から生じるインスタンスにおいて、容積７５７は、イオンを生成する大量の金属材料を含むガスを含み得る。これらのインスタンスにおいて、プロファイル７６４の方向が経時的に一定に維持される場合、容積７５７内の金属材料の量は非常に多くなり、流れる流体７０８はもはや金属材料を容積７５７から遠くへ搬送することができなくなる。流体７０８がもはや金属材料を容量７５７から遠くへ搬送することができなくなったとき、金属材料は容積７５７から漏出し、光学要素７５５の領域７５６に激突して、結果的に光学要素７５５の領域７５６に汚染物を生じさせる可能性がある。領域７５６は、「汚染領域」と呼ぶことができる。

図７Ｃも参照すると、光学要素７５５が示されている。光学要素７５５は、反射表面７５９と、光ビーム７１０が伝搬する際に介するアパーチャ７５８とを含む。汚染領域７５６は、反射表面７５９の一部上に形成される。汚染領域７５６は、任意の形状とすることが可能であり、反射表面７５９の任意の部分を覆うことが可能であるが、反射表面７５９上の汚染領域７５６のロケーションは、粒子及び／又は放射の指向性フラックスの分布に依存する。

図７Ｂを参照すると、加熱された局所容積７５７の存在は、軌道７２３上を進行するターゲット上のドラッグの量を変化させることによって、軌道７２３のロケーション及び／又は形状も変化させ得る。図７Ｂに示されるように、加熱された局所容積７５７が存在する場合、ターゲット７２０は、予測される軌道７２３とは異なる軌道７２３Ｂ上を進行し得る。変化した軌道７２３Ｂ上を進行することによって、ターゲット７２０は、誤った時点に（例えば、光ビーム７１０又は光ビーム７１０のパルスがターゲット領域７３０内にないとき）ターゲット領域７３０内に到達する可能性、及び／又は、ターゲット領域７３０にまったく到達しない可能性があり、ＥＵＶ光の生成を減少させるか又は生成しないことになる。

したがって、粒子及び／又は放射の指向性フラックスによって発生する熱は、空間的に分配することが望ましい。図８を参照すると、ターゲット領域内に到達するターゲットの位置を、ターゲット領域内に到達する他のターゲットの位置と比較して変動させるための、例示的プロセス８００が示されている。このように、ターゲット位置は経時的に変動するものと見なされ、ターゲットのいずれかの位置は他のターゲットの位置と異なる可能性がある。様々なターゲットの位置を変動させることによって、プラズマによって生成される熱が空間的に拡散され、それによって真空チャンバ内のオブジェクトをプラズマの効果から保護する。プロセスは、制御システム４７０（図４）によって実行可能である。プロセス８００は、ＥＵＶ光源の真空チャンバなどの、内部でプラズマが形成される真空チャンバ内の１つ以上のオブジェクト上でプラズマの効果を軽減させるために使用可能である。例えば、プロセス８００を使用して、真空容器１４０（図１）、４４０（図４）、又は７４０（図７）内のオブジェクトを保護することができる。

図９Ａ～図９Ｃは、ターゲット７２０の位置を変動させることによって、流体７０８（流体７０８を意図される流れ構成内に維持することを保証することによる）及び光学要素７５５を保護するために、プロセス８００を使用する例である。プロセス８００を使用して、真空チャンバ内の任意のオブジェクトをプラズマの効果から保護することが可能であるが、プロセス８００は、図９Ａ～図９Ｃに関して例示の目的で考察される。

第１のターゲットが真空チャンバの内部に提供される（８１０）。図９Ａも参照すると、時点ｔ１において、ターゲット７２０Ａはターゲット領域７３０に提供される。ターゲット７２０Ａはターゲット７２０（図７Ａ）のインスタンスである。ターゲット７２０Ａは第１のターゲットの例である。ターゲット７２０Ａは、幾何分布で配置されるターゲット材料を含む。ターゲット材料は、プラズマ状態の時にＥＵＶ光を放出し、ＥＵＶ光以外の粒子及び／又は放射も放出する。ターゲット７２０Ａ内のターゲット材料の幾何分布は、第１の方向に第１の範囲を有し、第１の方向に対して垂直な第２の方向に第２の範囲を有する。第１の範囲及び第２の範囲は異なることが可能である。図９Ａを参照すると、ターゲット７２０Ａはｙ－ｚ面内に楕円断面を有し、第１及び第２の範囲のうちの大きい方は方向９２３Ａに沿っている。下記で考察するように、ターゲット７２０のインスタンス７２０Ｂ及び７２０Ｃは、後の時点ｔ２及びｔ３（それぞれ、図９Ｂ及び図９Ｃ）で、時点ｔ１（図９Ａ）でのインスタンス７２０Ａとは異なる位置を有する。ターゲット７２０Ｂ及び７２０Ｃは、ターゲット７２０Ａと実質的に同じターゲット材料の幾何分布を有する。しかしながら、ターゲット７２０Ａ、７２０Ｂ、７２０Ｃの位置は異なる。図９Ｂに示されるように、時点ｔ２において、ターゲット７２０Ｂは、方向９２３Ａとは異なる方向９２３Ｂに沿って、より大きな範囲を有する。時点ｔ３（図９Ｃ）において、ターゲット７２０Ｃは、９２３Ａ及び９２３Ｂとは異なる方向９２３Ｃに沿って、より大きな範囲を有する。

ターゲット７２０Ａ、７２０Ｂ、７２０Ｃのいずれかをターゲット領域７３０に提供することは、ターゲットがターゲット領域７３０に到達する前にターゲットを形状化、位置決め、及び／又は配向することを含み得る。例えば、また図１０Ａ及び図１０Ｂも参照すると、ターゲット材料供給装置７１６は、初期ターゲット１０１８を初期ターゲット領域１０３１に提供することが可能である。図１０Ａ及び図１０Ｂの例において、初期ターゲット領域１０３１はターゲット領域７３０とターゲット材料供給装置７１６との間にある。図１０Ａの例ではターゲット９２０Ａが形成される。図１０Ｂの例ではターゲット９２０Ｂが形成される。ターゲット９２０Ａ及び９２０Ｂは同様であるが、下記で考察するように、真空チャンバ内で異なる位置に位置決めされる。

図１０Ａを参照すると、制御システム４７０は、第１の光ビーム４１０ａのパルスを初期ターゲット領域１０３１に向けて伝搬させる。制御システム４７０は、初期ターゲット１０１８は初期ターゲット領域１０３１内にあるが、第１の光ビーム４１０ａは質量中心１０１９の上の（－ｙ方向に変位された）初期ターゲットに当たるように位置決めされているときに、第１の光ビーム４１０ａが初期ターゲット領域１０３１内に到達するような時点に、第１の光ビーム４１０ａのパルスを放出させる。例えば、制御システム４７０は、真空チャンバ７４０の内部の表現をセンサ４４８（図４）から受け取り、初期ターゲット１０１８が初期ターゲット領域１０３１の近く又は初期ターゲット領域１０３１内にあることを検出し、検出に基づいて、第１の光ビーム４１０ａが質量中心１０１９に対して－ｙ方向に変位されるように、第１の光ビーム４１０ａのパルスを放出させることができる。初期ターゲット１０１８は垂直方向に沿った第１及び第２の範囲を形成するように拡張し、これら２つの範囲のうちの大きい方は、方向１０２３Ａに延在する。

図１０Ｂを参照すると、次のターゲット（後で初期ターゲット領域１０３１内に到達するターゲット）の位置を変更するために、制御システム４００は、次の初期ターゲット１０１８は領域１０３１内にあり、第１の光ビーム４１０ａは質量中心１０１９の下の（ｙ方向に変位された）初期ターゲット１０１８に当たるように位置決めされているときに、第１の光ビーム４１０ａが初期ターゲット領域１０３１内に到達するような時点に、第１の光ビーム４１０ａの別のパルスを光発生モジュール４８０から放出させる。例えば、制御システム４７０は、真空チャンバ７４０の内部の表現をセンサ４４８（図４）から受け取り、次の初期ターゲット１０１８が初期ターゲット領域１０３１の近く又は初期ターゲット領域１０３１内にあることを検出し、検出に基づいて、第１の光ビーム４１０ａが質量中心１０１９に対してｙ方向に変位されるように、第１の光ビーム４１０ａのパルスを放出させることができる。次の初期ターゲット１０１８は垂直方向に沿った第１及び第２の範囲を形成するように拡張し、これら２つの範囲のうちの大きい方は、方向１０２３Ａとは異なる方向１０２３Ｂに延在する。

光ビームが質量中心１０１９で初期ターゲット１０１８に当たるのに比べて、制御システム４７０は、光ビーム４１０ａ又は光ビーム４１０ａのパルスを、ターゲット９２０Ａの大きい方の範囲を方向１０２３Ａ（図１０Ａ）に沿って配向するために早く到達させ、ターゲット９２０Ｂの大きい方の範囲を方向１０２３Ｂ（図１０Ｂ）に沿って配向するために後で到達させる。

したがって、ターゲットがターゲット領域７３０内に到達する前に、制御システム４７０で制御されるタイミングで光ビームを用いて初期ターゲットを照射することによって、ターゲットを位置決めすることができる。他の実施例において、ターゲットは、第１の光ビーム４１０ａの伝搬の方向を変更することによって位置決めすることができる。追加として、いくつかの実施例において、初期ターゲットを使用せずに特定の配向で（及び、配向はターゲットによって変動可能である）、ターゲットをターゲット領域７３０に提供することが可能である。例えば、ターゲットは、ターゲット材料供給装置７１６の操作を介して配向すること、及び／又は、ターゲット材料供給装置７１６からリリースされる前に形成することが、可能である。

図８及び図９Ａに戻ると、光ビーム７１０はターゲット領域７３０に誘導される（８２０）。光ビーム７１０は、ターゲット７２０Ａ内のターゲット材料のうちの少なくとも一部をプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有する。プラズマはＥＵＶ光を放出し、粒子及び／又は放射も放出する。粒子及び／又は放射は非等方的に放出され、主に、第１のピーク９６５Ａ（図９Ａ）に向けて、特定の方向に放出される。

第１のターゲットの第１及び第２の範囲は、真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクトに対して位置決めされる。例えば図９Ａのターゲット７２０Ａは、ｙ－ｚ面内に楕円形状の断面を有し、ｙ－ｚ面内に方向９２３Ａの最大範囲を有する。方向９２３Ａ（及び、方向９２３Ａに対して垂直な方向）は、ウィンドウ７１４の表面法線に関して角度を形成する。このように、ターゲット７２０Ａはウィンドウ７１４に対して位置決め又は角度付けされるものと見なすことができる。別の例では、方向９２３Ａは、ラベル９０９でマーク付けされた流体４０８内の空間に対して角度を形成する。更に別の例では、方向９２３Ａは、光学要素７５５上の（ラベル９５６でマーク付けされた）領域において、表面法線と角度を形成する。

上記で考察したように、ピーク９６５Ａのロケーションはターゲット９２０の位置に依存する。したがって、ピーク９６５Ｂのロケーションは、ターゲット９２０の位置を変更することによって変更可能である。

第２のターゲットが真空チャンバ７４０の内部に提供される（８３０）。第２のターゲットは第１のターゲットとは異なる位置を有する。図９Ｂを参照すると、時点ｔ２において、ターゲット７２０Ｂはｙ－ｚ面内に楕円断面を有し、楕円は長軸を有する。ｙ－ｚ面内の第２のターゲットの最大の範囲は、方向９２３Ｂで長軸に沿っている。方向９２３Ｂは方向９２３Ａとは異なる。したがって、第１のターゲットと比較すると、第２のターゲットはウィンドウ７１４及び真空チャンバ７４０内の他のオブジェクトに対して、異なる位置に位置決めされる。この例では、方向９２３Ｂはｚ方向に対して垂直である。ターゲット７２０Ｂは、例えば、第１の光ビーム４１０ａがその質量中心で初期ターゲット（図１０Ａ及び図１０Ｂの初期ターゲット１０１８など）に当たるような時点で、第１の光ビーム４１０ａを放出するように、光ビーム制御モジュール４７１を制御することによって、方向９２３Ｂに、より大きな範囲を有するように位置決めすることができる。

光ビーム７１０は、第２のターゲットから第２のプラズマを形成するために、ターゲット領域７３０に向けて誘導される（８４０）。第２のターゲットの位置は第１のターゲットの位置とは異なるため、第２のプラズマは主に、ピーク９６５Ａとは異なるロケーションにあるピーク９６５Ｂに向けて、粒子及び／又は放射を放出する。

したがって、制御システム４７０を用いてターゲットの位置を経時的に制御することによって、プラズマから粒子及び放射が放出される方向も制御することができる。

プロセス８００は２つより多くのターゲットに適用可能であり、またプロセス８００は、真空チャンバ７４０の動作中にターゲット領域７３０に入るターゲットのうちのいずれか又はすべての位置を決定するために適用可能である。例えば、図９Ｃに示されるように、ターゲット領域７３０内のターゲット７２０Ｃは、時点ｔ３において、ターゲット７２０Ａ及び７２０Ｂとは異なる位置を有する。時点ｔ３でターゲット７２０Ｃから形成されるプラズマは、主にピーク９６５Ｃに向けて粒子及び／又は放射を放出する。ピーク９６５Ｃは、真空チャンバ７４０においてピーク９６５Ａ及び９６５Ｂとは異なる位置にある。したがって、ターゲットの配向又は位置の変動を経時的に続行することで、プラズマの加熱効果を更に広げることができる。例えば、ピーク９６５Ａは９０９とラベル表示された流体７０８の領域を指しているが、ピーク９６５Ｂ及び９６５Ｃは指していない。他の例では、ピーク９６５Ｃは光学要素７５５上の領域９５６を指しているが、ピーク９６５Ａ及び９６５Ｂは指していない。このようにして、領域９５６が汚染されるのを回避することができる。

プロセス８００を使用して、ターゲット領域７３０に入るターゲットの位置を連続的に変化させることができる。例えば、ターゲット領域７３０内の任意のターゲットの位置を、ターゲットの直前及び／又はターゲットの直後の位置とは異なるものとすることができる。他の例では、ターゲット領域７３０に到達する各ターゲットの位置は、必ずしも異なっていない。これらの例において、ターゲット領域７３０内の任意のターゲットの位置は、ターゲット領域７３０内の少なくとも１つの多のターゲットの位置とは異なることが可能である。更に、位置の変化は、特定のオブジェクトに対する角度と共に増分することが可能であり、最大及び／又は最小角度に達するまで各変化と共に増加又は減少する。他の実施例において、ターゲット領域７３０に達する様々なターゲットの間での位置の変化は、ランダム又は疑似ランダムな角度変動量であり得る。

更に、また図１０Ｃを参照すると、ピーク指向性フラックスが放出される際に沿う方向が、真空容器７４０内の３次元領域を掃引するように、ターゲットの位置を変化させることができる。図１０Ｃは、ターゲット領域７３０から見た（－ｚ方向に見た）光学要素７５５のビューを示し、ピーク指向性フラックスが経時的に放出される際に沿う方向は、パス１０６５によって表されている。指向性フラックスは必ずしも光学要素７５５に到達していないが、パス１０６５は、ターゲット領域７３０内に経時的に入るターゲットは互いに異なる位置を有することが可能であり、位置が異なることによって、結果としてピーク放出方向が真空容器７４０内の３次元領域を掃引することになる。

追加として、プロセス８００は、任意のターゲットの位置決めが、結果として必ずしも直前及び／又は直後のターゲットの位置決めとは異なるものとはならないレートで、ターゲット領域７３０に入るターゲットの位置を変化させることが可能であるが、動作条件又は望ましい動作パラメータに基づいて、真空チャンバ内のオブジェクトへの損傷を防止するレートで、ターゲット領域７３０に入るターゲットの位置を変化させる。

例えば、高エネルギーイオン堆積物から光学要素７５５を保護するために必要な流体７０８の量及び流体７０８の流量は、真空チャンバ内でのプラズマ発生の持続時間に依存する。図１１は、最低許容流体流とＥＵＶ放出持続時間との間の関係の、例示的プロット１１００である。ＥＵＶ放出持続時間は、ＥＵＶバースト持続時間とも呼ばれ、ＥＵＶバーストは、複数の連続するターゲットをプラズマに変換することから形成可能である。プロット１１００のｙ軸は流体の流量であり、プロット１１００のｘ軸は真空チャンバ７４０内で発生するＥＵＶ光バーストの持続時間である。プロット１１００のｘ軸は対数スケールである。

最低流量をＥＵＶ放出持続時間と関連付けるデータ（プロット１１００などのプロットを形成するデータなど）は、制御システム４７０の電子ストレージ４７３上に記憶し、真空チャンバ７４０内のオブジェクトを依然として保護しながら、流体７０８の消費を最小限にするために、ターゲット７２０の位置をどの程度の頻度で変更するべきかを決定するために、制御システム４７０が使用することが可能である。例えば、プロット１１００に使用されるデータは、様々な持続時間を有するＥＵＶバーストを使用するシステムにおける汚染を防止するための、最低流量を示す。ＥＵＶバーストを生成するために使用されるターゲットのうちの１つ以上の位置を、ＥＵＶバーストを生成するために使用される他のターゲットの位置に対して変更することによって、必要な最低流量を低減させることができる。プロット１１００を使用して、望ましい最低流量を達成するために、ターゲット領域内のターゲットをどの程度の頻度で再位置決めすべきであるかを決定することができる。例えば、望ましい最低流量が、ソースが動作しているよりも短いＥＵＶバースト持続時間に対応する場合、ターゲット領域内に到達するターゲットは、任意の個別のターゲット又はターゲットの集合によって生成される粒子及び／又は放射の指向性フラックスが、その短いＥＵＶバースト持続時間と同じ時間量の間、真空チャンバの特定領域内に誘導されるように、再位置決めすることができる。このようにして、真空チャンバ内の任意の特定領域が受けるＥＵＶバースト持続時間を低減させることができ、流体７０８の最低流量も低減させることができる。

図１１は、流体の流量とＥＵＶバースト持続時間との間の例示的関係を示す。圧力及び／又は密度などの、流体７０８の他の特性は、ＥＵＶバースト持続時間と共に変動し得る。このようにして、プロセス８００を使用して、光学要素７５５を保護するために必要な流体７０８の量を減少させることもできる。

図１２を参照すると、例示のプロセス１２００のフローチャートが示されている。プロセス１２００は、真空チャンバ内のオブジェクト上のプラズマの効果が軽減又は消去されるように、真空チャンバ内のターゲットを位置決めする。プロセス１２００は制御システム４７０によって実行可能である。

初期ターゲットが、修正済みターゲットを形成するために修正される（１２１０）。修正済みターゲット及び初期ターゲットはターゲット材料を含むが、ターゲット材料の幾何分布は修正済みターゲットの幾何分布とは異なる。初期ターゲットは、例えば、初期ターゲット６１８（図６Ｃ）又は１０１８（図１０Ａ及び図１０Ｂ）などの初期ターゲットとすることができる。修正済みターゲットは、プリパルス（図６Ａ～図６Ｂのプリパルス６０６など）を用いて、又は、初期ターゲット内のターゲット材料を、ＥＵＶを放出するプラズマに必ずしも変換しないが、初期ターゲットを条件付ける、図４の第１の光ビーム４１０ａなどの光ビームを用いて、初期ターゲットを照射することによって形成される、ディスク形状のターゲットとすることができる。

修正済みターゲットは、別々且つ別個のオブジェクトに対して位置決めされ得る。初期ターゲットと光ビームとの間の相互作用は、修正済みターゲットの位置を決定することができる。例えば、図６Ａ～図６Ｃ、図８、並びに図１０Ａ及び図１０Ｂに関して上記で考察したように、光ビームを初期ターゲットの特定部分に誘導することによって、特定の位置を備えるディスク形状のターゲットが形成可能である。別々且つ別個のオブジェクトは、真空チャンバ内の任意のオブジェクトである。例えば、別々且つ別個のオブジェクトは、緩衝流体、ターゲットのストリーム内のターゲット、及び／又は光学要素であり得る。

光ビームが修正済みターゲットに向けて誘導される（１２２０）。光ビームは、第２の光ビーム４１０ｂ（図４）などの増幅光ビームであり得る。光ビームは、修正済みターゲット内のターゲット材料のうちの少なくとも一部を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有する。プラズマは、粒子及び／又は放射の指向性依存フラックスにも関連付けられ、指向性依存フラックスは、最大値を有する（粒子及び／又は放射の最高部分が流れ込む、ロケーション、領域、又は方向）。最大値はピーク方向とも呼ばれ、ピーク方向は修正済みターゲットの位置に依存する。粒子及び放射は、光ビームを最初に受け取る側である、修正済みターゲットの加熱側から、優先的に放出され得る。したがって、ディスクの平坦面のうちの１つで光ビームを受け取るディスク形状ターゲットの場合、ピーク方向は、光ビームを受け取るディスクの面に対して垂直な方向にある。修正済みターゲットは、オブジェクト上のプラズマの効果が軽減されるように位置決めされ得る。例えば、オブジェクトから遠いターゲットポイントの加熱側が保護されるように、修正済みターゲットを配向することで、結果として、できるだけ少ない高エネルギーイオンがオブジェクトに向けて誘導されることになる。

プロセス１２００は、単一のターゲットについて、又は繰り返し実行可能である。プロセス１２００が繰り返し実行される実施例の場合、プロセス１２００の任意の特定インスタンスについての修正済みターゲットの位置は、前又は後の修正済みターゲットの位置とは異なるものとすることができる。

図１３Ａ～図１３Ｃを参照すると、プロセス１２００を使用して、プラズマの効果からターゲットのストリーム内のターゲットを保護することができる。図１３Ａ～図１３Ｂは、真空チャンバ１３４０の内部のブロック図であり、真空チャンバ内のターゲットをどのようにプラズマの効果から保護し得るかを示す。図１３Ａは、真空チャンバ内をターゲット領域１３３０に向けてｙ方向に進行する、ターゲットのストリーム１３２２を示す。ストリーム１３２２が進行する際に沿う方向は、ターゲット軌道又はターゲットパスと呼ばれ得る。光ビーム１３１０は、ターゲット領域１３３０に向けてｚ方向に伝搬する。ターゲット１３２０は、ターゲット領域１３３０内のストリーム１３２２におけるターゲットである。光ビーム１３１０とターゲット１３２０との間の相互作用によって、ターゲット１３２０内のターゲット材料はＥＵＶ光を放出するプラズマに変換される。

追加として、プラズマは、プロファイル１３６４によって表される、粒子及び／又は放射の指向性依存フラックスを放出する。図１３Ａの例において、プロファイル１３６４は、粒子及び／又は放射が主にｚ方向に対向する方向に放射され、プラズマの最大の効果はこの方向にあることを示す。しかしながら、プラズマは、ターゲット１３２２ａを含む、ｙ方向に変位されるオブジェクトにも影響を与え、ターゲット１３２２ａは、プラズマが形成されるときにターゲット領域１３３０に最も近い（しかし、ターゲット領域１３３０の外にある）ストリーム１３２２内のターゲットである。言い換えれば、図１３Ａの例において、ターゲット１３２２ａは、次に来るターゲットであるか、又は、ターゲットがプラズマを生成するために消費された後にターゲット領域１３３０内に存在することになるターゲットである。

指向性依存フラックス内の放射から融除を受けるターゲット１３２２ａなどのように、ターゲット１３２２ａ上のプラズマの効果は直接的であり得る。こうした融除は、ターゲットを低速にするか、且つ／又は、ターゲットの形状を変化させ得る。プラズマからの放射はターゲット１３２２ａに力を印加することが可能であり、結果としてターゲット１３２２ａは、予測されるよりも後で、ターゲット領域１３３０に到達することになる。光ビーム１３１０はパルス光ビームであり得る。したがって、ターゲット１３２２ａが予測されるよりも後でターゲット領域１３３０に到達する場合、光ビーム１３１０及びターゲットは行き違いになり、プラズマは生成されない。追加として、プラズマ放射の力はターゲット１３２２ａの形状を予期せずに変化させることがあり、プラズマ生成を増加させるためにターゲット領域１３３０に到達する前にストリーム１３２２内のターゲットを条件付ける、意図的な形状変更を妨げ得る。

ターゲット１３２２ａ上のプラズマの効果は、間接的でもあり得る。例えば（図７Ａ及び図７Ｂに関して考察したように）、緩衝流体は真空チャンバ１３４０内を流れ、指向性依存フラックスは流体を加熱し、流体の加熱はターゲットの軌道を変更し得る。間接的な効果は、光源の適切な動作を妨げることもある。

ターゲット１３２２ａ上のプラズマの効果は、ターゲット１３２０の加熱側１３２９をターゲット１３２２ａから遠くに配向することによって、軽減することが可能である。ターゲット１３２０の加熱側１３２９とは、光ビーム１３１０を初めに受け取るターゲット１３２０の側であり、粒子及び／又は放射は主に加熱側１３２９から、また加熱側１３２９におけるターゲット材料分布に対して垂直な方向に放出される。ターゲット１３２０に対して特定の角度でプラズマによって放出される放射の部分Ｐは、以下の数式１の関係を近似し得、
Ｐ（θ）＝１－ｃｏｓ^ｎ（θ） （１）
上式で、ｎは整数であり、θは、加熱側１３２９上のターゲットに対する法線と、ターゲット１３２０及びターゲット１３２２ａの質量中心間のターゲット軌道の方向との間の、角度である。他の放射の角度分布が可能である。

図１３Ｂを参照すると、ターゲット１３２０の位置は、図１３Ａにおける位置と比較して、加熱側１３２９がターゲット１３２２ａから遠くを指すように、変更される。この位置決めの結果として、粒子及び／又は放射は、ターゲット１３２２ａから離れて方向１３５１で放出される。図１３Ｃを参照すると、ターゲット１３２２ａ上の効果は、ターゲット１３２０の加熱側１３２９をターゲット１３２２ａから離れて位置決めすること、及び、ターゲット１３２２ａがプラズマからの粒子及び／又は放射が最も少ない領域内に位置するように、ターゲットストリーム１３２２のパスを位置決めすることによって、更に軽減される。図１３Ｃの例において、この領域は、方向１３５１に対向する方向にある領域であり（ターゲット１３２０の後方）、ターゲットストリーム１３２２内のターゲットは方向１３５１に沿って進行する。

したがって、真空チャンバ内の他のターゲット上のプラズマの効果は、ターゲットの配向及び／又はターゲットパスの位置決めによって、軽減され得る。

図１４、図１５Ａ、及び図１５Ｂは、プロセス８００及びプロセス１２００を実行可能なシステムの追加の例である。

図１４を参照すると、例示的光イメージングシステム１４００のブロック図が示されている。光イメージングシステム１４００は、ＥＵＶ光をリソグラフィツール１４７０に提供するＬＰＰ ＥＵＶ光源１４０２を含む。光源１４０２は、図１の光源１０１と同様であること、及び／又は、光源１０１の構成要素のうちのいくつか又はすべてを含むことが可能である。

システム１４００は、ドライブレーザシステム１４０５、光学要素１４２２、プリパルスソース１４４３、フォーカスアセンブリ１４４２、及び真空チャンバ１４４０などの、光学ソースを含む。ドライブレーザシステム１４０５は、増幅光ビーム１４１０を生成する。増幅光ビーム１４１０は、ターゲット１４２０内のターゲット材料を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有する。前述のターゲットのうちのいずれかを、ターゲット１４２０として使用することができる。

プリパルスソース１４４３は、放射のパルス１４１７を放出する。放射のパルスはプリパルス６０６（図６Ａ～図６Ｃ）として使用可能である。プリパルスソース１４４３は、例えば、５０ｋＨｚの繰り返し数で動作するＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザとすることが可能であり、放射のパルス１４１７は、１．０６μｍの波長を有するＮｄ：ＹＡＧレーザからのパルスとすることが可能である。プリパルスソース１４４３の繰り返し数は、プリパルスソース１４４３がどの程度の頻度で放射のパルスを生成するかを示す。プリパルスソース１４４３が５０ｋＨｚの繰り返し数を有する例の場合、放射のパルス１４１７は２０マイクロ秒（μｓ）ごとに放出される。

他のソースをプリパルスソース１４４３として使用することも可能である。例えば、プリパルスソース１４４３は、エルビウムドープファイバ（Ｅｒ：ガラス）レーザなどの、Ｎｄ：ＹＡＧ以外の任意の希土類ドープ固体レーザとすることができる。別の例では、プリパルスソースは、１０．６μｍの波長を有するパルスを生成する二酸化炭素レーザとすることができる。プリパルスソース１４４３は、前述のプリパルスに使用されるエネルギー及び波長を有する光パルスを生成する、任意の他の放射又は光源とすることができる。

光学要素１４２２は、増幅光ビーム１４１０及びプリパルスソース１４４３からの放射のパルス１４１７を、チャンバ１４４０に誘導する。光学要素１４２２は、増幅光ビーム１４１０及び放射のパルス１４１７を、同様又は同じパスに沿って誘導することが可能な、任意の要素である。図１４に示された例では、光学要素１４２２は、増幅光ビーム１４１０を受け取り、これをチャンバ１４４０に向けて反射する、ダイクロイックビームスプリッタである。光学要素１４２２は、放射のパルス１４１７を受け取り、このパルスをチャンバ１４４０に向けて伝送する。ダイクロイックビームスプリッタは、増幅光ビーム１４１０の波長を反射し、放射のパルス１４１７の波長を伝送する、コーティングを有する。ダイクロイックビームスプリッタは、例えばダイヤモンドで作ることができる。

他の実施例において、光学要素１４２２はアパーチャ（図示せず）を画定するミラーである。この実施例において、増幅光ビーム１４１０はミラー表面から反射され、チャンバ１４４０に向けて誘導され、放射のパルスはアパーチャを通過してチャンバ１４４０に向けて伝搬する。

更に他の実施例において、くさび形光学系（例えば、プリズム）を使用して、メインパルス１４１０及びプリパルス１４１７を、それらの波長に応じて異なる角度に分離することができる。くさび形光学系は、光学要素１４２２に加えて使用可能であるか、又は光学要素１４２２として使用可能である。くさび形光学系は、フォーカスアセンブリ１４４２のすぐ上流に（－ｚ方向に）位置決めすることができる。

追加として、パルス１４１７を他の方法でチャンバ１４４０に送出することができる。
例えば、パルス１４１７は、光学要素１４２２又は他の誘導要素を使用せずに、パルス１４１７をチャンバ１４４０及び／又はフォーカスアセンブリ１４４２に送出する、光ファイバを介して進行可能である。これらの実施例において、ファイバは、チャンバ１４４０の壁部内に形成された開口を介して、放射のパルス１４１７をチャンバ１４４０の内部に直接運ぶ。

増幅光ビーム１４１０は、光学要素１４２２から反射され、フォーカスアセンブリ１４４２を介して伝搬する。フォーカスアセンブリ１４４２は、ターゲット領域１４３０と一致するか又は一致しない可能性のある焦点面１４４６で、増幅光ビーム１４１０をフォーカスする。放射のパルス１４１７は光学要素１４２２を通過し、フォーカスアセンブリ１４４２を介してチャンバ１４４０へと誘導される。増幅光ビーム１４１０及び放射のパルス１４１７は、チャンバ１４４０内でｙ方向に沿った異なるロケーションへと誘導され、チャンバ１４４０内に異なる時点で到達する。

図１４に示された例において、単一のブロックがプリパルスソース１４４３を表す。しかしながら、プリパルスソース１４４３は、単一の光源又は複数の光源とすることができる。例えば、２つの別々のソースを使用して、複数のプリパルスを発生させることができる。２つの別々のソースは、異なる波長及びエネルギーを有する放射のパルスを生成する、異なるタイプのソースとすることができる。例えば、プリパルスのうちの１つは１０．６μｍの波長を有し、ＣＯ_２レーザによって発生させることが可能であり、他方のプリパルスは１．０６μｍの波長を有し、希土類ドープ固体レーザによって発生させることが可能である。

いくつかの実施例において、プリパルス１４１７及び増幅光ビーム１４１０は、同じソースによって発生させることができる。例えば放射のプリパルス１４１７は、ドライブレーザシステム１４０５によって発生させることができる。この例では、ドライブレーザシステムは２つのＣＯ_２シードレーザサブシステム及び１つの増幅器を含むことができる。シードレーザサブシステムのうちの１つは、１０．２６μｍの波長を有する増幅光ビームを生成可能であり、他方のシードレーザサブシステムは、１０．５９μｍの波長を有する増幅光ビームを生成可能である。これら２つの波長は、ＣＯ_２レーザの異なる線から来るものとすることができる。他の例において、ＣＯ_２レーザの他の線を使用して、２つの増幅光ビームを発生させることができる。２つのシードレーザサブシステムからの増幅光ビームはどちらも、同じ電力増幅器チェーン内で増幅された後、チャンバ１４４０内の異なるロケーションに到達するように角度分散される。１０．２６μｍの波長を伴う増幅光ビームはプリパルス１４１７として使用可能であり、１０．５９μｍの波長を伴う増幅光ビームは増幅光ビーム１４１０として使用可能である。複数のプリパルスを採用する実施例において、３つのシードレーザが使用可能であり、そのうちの１つは、増幅光ビーム１４１０、第１のプリパルス、及び第２の別のプリパルスの、各々を発生させるために使用される。

増幅光ビーム１４１０及び放射のプリパルス１４１７は、すべて、同じ光増幅器内で増幅することができる。例えば、３つ又はそれ以上の電力増幅器を使用して、増幅光ビーム１４１０及びプリパルス１４１７を増幅することができる。

図１５Ａを参照すると、ＬＰＰ ＥＵＶ光源１５００が示されている。ＥＵＶ光源１５００は、上述の光源、プロセス、及び真空チャンバと共に使用可能である。ＬＰＰ ＥＵＶ光源１５００は、ターゲット領域１５０５において、ビームパスに沿ってターゲット混合物１５１４に向かって進行する増幅光ビーム１５１０を用いて、ターゲット混合物１５１４を照射することによって形成される。ターゲット領域１５０５は照射サイトとも呼ばれ、真空チャンバ１５３０の内部１５０７内にある。増幅光ビーム１５１０がターゲット混合物１５１４に当たると、ターゲット混合物１５１４内のターゲット材料が、ＥＵＶレンジ内に輝線を伴う要素を有するプラズマ状態に変換される。作成されたプラズマは、ターゲット混合物１５１４内のターゲット材料の組成物に依存するある特徴を有する。これらの特徴は、プラズマによって生成されるＥＵＶ光の波長、及び、プラズマからリリースされるデブリの種類及び量を含むことができる。

光源１５００は、液滴、液体ストリーム、固体の粒子又はクラスタ、液滴内に含まれる固体粒子、又は液体ストリーム内に含まれる固体粒子の形のターゲット混合物１５１４を、送出、制御、及び誘導する、ターゲット材料デリバリシステム１５２５も含む。ターゲット混合物１５１４は、例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又は、プラズマ状態に変換されたときにＥＵＶレンジ内に輝線を有する任意の材料などの、ターゲット材料を含む。例えば、元素スズは、純スズ（Ｓｎ）として、例えばＳｎＢｒ_４、ＳｎＢｒ_２、ＳｎＨ_４などのスズ化合物として、例えばスズガリウム合金、スズインジウム合金、スズインジウムガリウム合金、又はこれらの合金の任意の組み合わせなどの、スズ合金として使用可能である。ターゲット混合物１５１４は、非ターゲット粒子などの不純物も含むことができる。したがって、不純物がない状況において、ターゲット混合物１５１４はターゲット材料のみで作られる。ターゲット混合物１５１４は、ターゲット材料デリバリシステム１５２５によって、チャンバ１５３０の内部１５０７へ、及びターゲット領域１５０５へ送出される。

光源１５００は、レーザシステム１５１５の利得媒体内の反転分布によって増幅光ビーム１５１０を生成する、ドライブレーザシステム１５１５を含む。光源１５００は、レーザシステム１５１５とターゲット領域１５０５との間にビームデリバリシステムを含み、ビームデリバリシステムはビーム伝送システム１５２０及びフォーカスアセンブリ１５２２を含む。ビーム伝送システム１５２０は、レーザシステム１５１５から増幅光ビーム１５１０を受け取り、増幅光ビーム１５１０を必要に応じてステアリング及び修正し、増幅光ビーム１５１０をフォーカスアセンブリ１５２２に出力する。フォーカスアセンブリ１５２２は増幅光ビーム１５１０を受け取り、ビーム１５１０をターゲット領域１５０５にフォーカスする。

いくつかの実施例において、レーザシステム１５１５は、１つ以上のメインパルスを提供するため、また場合によっては１つ以上のプリパルスを提供するための、１つ以上の光増幅器、レーザ、及び／又はランプを含むことができる。各光増幅器は、高利得で望ましい波長を光学的に増幅することが可能な利得媒体、励起源、及び内部光学系を含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィードバックデバイスを有するか、又は有さない場合がある。したがって、レーザシステム１５１５は、たとえレーザキャビティがない場合であっても、レーザ増幅器の利得媒体における反転分布によって、増幅光ビーム１５１０を生成する。更にレーザシステム１５１５は、レーザシステム１５１５に十分なフィードバックを提供するためのレーザキャビティが存在する場合、コヒーレントレーザビームである、増幅光ビーム１５１０を生成することができる。「増幅光ビーム」という用語は、単に増幅されているが、必ずしもコヒーレントレーザ発振ではないレーザシステム１５１５からの光、及び、増幅され、コヒーレントレーザ発振でもあるレーザシステム１５１５からの光のうちの、１つ以上を包含する。

レーザシステム１５１５内の光増幅器は、ＣＯ_２を含む充填媒体を利得媒体として含むことが可能であり、約９１００ｎｍから約１１０００ｎｍの間、また特に約１０６００ｎｍの波長で、１５００より大きいか又は１５００に等しい利得で、光を増幅することが可能である。レーザシステム１５１５における使用に好適な増幅器及びレーザは、例えば１０ｋＷ又はそれ以上の相対的に高電力で動作し、例えば４０ｋＨｚ又はそれ以上の高パルス繰り返し数で動作する、例えばＤＣ又はＲＦ励起を用いて、例えば約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍで放射を生成する、パルスレーザデバイス、例えばパルスガス放電ＣＯ_２レーザデバイスを含むことができる。レーザシステム１５１５内の光増幅器は、レーザシステム１５１５をより高電力で動作させるために使用可能な、水などの冷却システムも含むことができる。

図１５Ｂは、例示のドライブレーザシステム１５８０のブロック図を示す。ドライブレーザシステム１５８０は、ソース１５００においてドライブレーザシステム１５１５の一部として使用可能である。ドライブレーザシステム１５８０は、３つの電力増幅器１５８１、１５８２、及び１５８３を含む。電力増幅器１５８１、１５８２、及び１５８３のうちのいずれか又はすべては、内部光学要素（図示せず）を含むことができる。

光１５８４は出力ウィンドウ１５８５を介して電力増幅器１５８１から出て、湾曲ミラー１５８６で反射される。反射後、光１５８４は空間フィルタ１５８７を通過し、湾曲ミラー１５８８で反射され、入力ウィンドウ１５８９を介して電力増幅器１８５２に入る。光１５８４は電力増幅器１５８２において増幅され、出力ウィンドウ１５９０を介して光１５９１として電力増幅器１５８２の外に再誘導される。光１５９１は折り畳みミラー１５９２を用いて増幅器１５８３に向けて誘導され、入力ウィンドウ１５９３を介して増幅器１５８３に入る。増幅器１５８３は光１５９１を増幅し、光１５９１を出力ビーム１５９５として出力ウィンドウ１５９４を介して増幅器１５８３の外に誘導する。折り畳みミラー１５９６は出力ビーム１５９５を上方（ページの外）に、ビーム伝送システム１５２０（図１５Ａ）に向けて誘導する。

図１５Ｂを再度参照すると、空間フィルタ１５８７はアパーチャ１５９７を画定し、アパーチャ１５９７は、例えば約２．２ｍｍから３ｍｍの間の直径を有する円形とすることができる。湾曲ミラー１５８６及び１５８８は、例えば、それぞれ約１．７ｍ及び２．３ｍの焦点長さを伴う、オフアクシスパラボラミラーとすることができる。空間フィルタ１５８７は、アパーチャ１５９７がドライブレーザシステム１５８０の焦点と一致するように位置決めすることができる。

図１５Ａを再度参照すると、光源１５００は、増幅光ビーム１５１０がターゲット領域１５０５を通過して到達できるようにするためのアパーチャ１５４０を有する集光ミラー１５３５を含む。集光ミラー１５３５は、例えば、ターゲット領域１５０５に１次フォーカスを有し、また、中間ロケーション１５４５に２次フォーカス（中間フォーカスとも呼ぶ）を有する、楕円ミラーとすることが可能であり、中間ロケーション１５４５では、ＥＵＶ光を光源１５００から出力すること、及び、例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することが可能である。光源１５００は、増幅光ビーム１５１０がターゲット領域１５０５に到達できるようにしながら、フォーカスアセンブリ１５２２及び／又はビーム伝送システム１５２０に入るプラズマ発生デブリの量を削減するために、集光ミラー１５３５からターゲット領域１５０５に向かって細くなる、オープンエンドの中空円錐シュラウド１５５０（例えば、ガスコーン）も含むことができる。このため、ターゲット領域１５０５に向けて誘導されるガス流をシュラウド内に提供することができる。

光源１５００は、液滴位置検出フィードバックシステム１５５６、レーザ制御システム１５５７、及びビーム制御システム１５５８に接続される、マスタコントローラ１５５５も含むことができる。光源１５００は、例えばターゲット領域１５０５に対する液滴の位置の出力指示を提供し、この出力を液滴位置検出フィードバックシステム１５５６に提供する、１つ以上のターゲット又は液滴イメージャ１５６０を含むことが可能であり、液滴位置検出フィードバックシステム１５５６は、例えば液滴位置及び軌道を計算することが可能であり、この位置及び軌道から、液滴位置エラーを液滴ごと又は平均のいずれかで計算することが可能である。したがって、液滴位置検出フィードバックシステム１５５６は、マスタコントローラ１５５５への入力として、液滴位置エラーを提供する。したがってマスタコントローラ１５５５は、例えば、レーザの位置、方向、及びタイミング訂正信号を、例えばレーザタイミング回路を制御するために使用可能なレーザ制御システム１５５７に提供すること、及び／又は、チャンバ１５３０内のビーム焦点のロケーション及び／又は焦点電力を変更するために、ビーム伝送システム１５２０の増幅光ビームの位置及び形状を制御するためのビーム制御システム１５５８に、提供することができる。

ターゲット材料デリバリシステム１５２５は、マスタコントローラ１５５５からの信号に応答して、望ましいターゲット領域１５０５に到達する液滴内のエラーを訂正するために、例えば、液滴がターゲット材料供給装置１５２７によってリリースされる際に、液滴のリリースポイントを修正するように動作可能な、ターゲット材料デリバリ制御システム１５２６を含む。

追加として、光源１５００は、限定されないが、パルスエネルギー、波長の関数としてのエネルギー分布、特定の波長帯域内のエネルギー、特定の波長帯域外のエネルギー、並びに、ＥＵＶの強度及び／又は平均電力の角度分布を含む、１つ以上のＥＵＶ光パラメータを測定する、光源ディテクタ１５６５及び１５７０を含むことができる。光源ディテクタ１５６５は、マスタコントローラ１５５５による使用のためのフィードバック信号を発生させる。フィードバック信号は、例えば、効果的且つ効率的なＥＵＶ光生成のために、液滴を正しい場所及び時間で適切に遮断するための、レーザパルスのタイミング及びフォーカスなどのパラメータにおけるエラーを示すことができる。

光源１５００は、光源１５００の様々なセクションを位置合わせするため、又は、増幅光ビーム１５１０をターゲット領域１５０５にステアリングする際に支援するために使用可能な、導波レーザ１５７５を含むことも可能である。導波レーザ１５７５に関連して、光源１５００は、導波レーザ１５７５及び増幅光ビーム１５１０からの光の一部をサンプリングするために、フォーカスアセンブリ１５２２内に配置された、メトロロジシステム１５２４を含む。他の実施例において、メトロロジシステム１５２４はビーム伝送システム１５２０内に配置される。メトロロジシステム１５２４は、光のサブセットをサンプリング又は再誘導する光学要素を含むことが可能であり、こうした光学要素は、導波レーザビーム及び増幅光ビーム１５１０の電力に耐え得る任意の材料から作られる。マスタコントローラ１５５５は導波レーザ１５７５からサンプリングされた光を分析し、この情報を用いて、ビーム制御システム１５５８を介してフォーカスアセンブリ１５２２内の構成要素を調整するため、メトロロジシステム１５２４及びマスタコントローラ１５５５からビーム分析システムが形成される。

したがって、要約すると、光源１５００は増幅光ビーム１５１０を生成し、増幅光ビーム１５１０は、混合物１５１４内のターゲット材料をＥＵＶレンジ内で光を放出するプラズマに変換するために、ターゲット領域１５０５においてターゲット混合物１５１４を照射するためにビームパスに沿って誘導される。増幅光ビーム１５１０は、レーザシステム１５１５の設計及び特性に基づいて決定される、特定の波長（ドライブレーザ波長とも呼ばれる）で動作する。追加として、ターゲット材料が、コヒーレントレーザ光を生成するために十分なフィードバックをレーザシステム１５１５に提供するとき、又は、ドライブレーザシステム１５１５がレーザキャビティを形成するのに好適な光学フィードバックを含む場合、増幅光ビーム１５１０はレーザビームとすることができる。

他の実施例は、特許請求の範囲内にある。例えば、流体１０８及び７０８は、ｙ方向に、また、ターゲット材料をプラズマに変換する光ビームの伝搬の方向に対して垂直に、流れるものとして示される。しかしながら、流体１０８及び７０８は、動作条件のセットに関連付けられた流れ構成によって決定される、任意の方向に流れ得る。例えば、図１６を参照すると、真空チャンバの流体１０８がｚ方向に流れる、光源１０１の代替の実施例が示されている。追加として、流れ構成（流れの方向を含む）の一部である、流れのいずれかの特徴を、光源１０１の動作中に意図的に変更することが可能である。

追加として、図６Ａ～図６Ｃ並びに図１０Ａ及び図１０Ｂの例は、前述のように、初期ターゲットの傾斜を開始するためにプリパルスを使用することを示しているが、傾斜されたターゲットは、プリパルスを採用していない他の技法を用いて、ターゲット領域１３０、７３０、及び／又は１３３０に送出することができる。例えば、図１７に示されるように、プラズマに変換されるときにＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含むディスク形状ターゲット１７２０が事前形成され、力を用いてディスクターゲット１７２０をリリースすることによってターゲット領域１７３０に提供され、その結果、ターゲット領域１７３０内に受け取られる増幅光ビーム１７１０に対して傾斜した、ターゲット領域１７３０を介して移動するディスクターゲット１７２０が生じることになる。

図７Ａ及び図７Ｂは、ｙ－ｚ面内に２次元の真空チャンバを示す。しかしながら、プロファイル７６４（図７Ｂ）は３次元を占有し得、３次元の容積を掃引し得ることが企図される。同様に、図９Ａ、図９Ｃ、図１０Ａ、図１０Ｂ、及び図１３Ａ～図１３Ｃは、ｙ－ｚ面内に２次元の真空チャンバを示す。しかしながら、真空チャンバ内のターゲットは３次元の任意の方向に傾斜し得、粒子及び／又は放射の指向性フラックスは３次元の空間を掃引し得ることが企図される。

Claims (30)

1. 方法であって、
   第１のターゲットを真空チャンバの内部に提供することであって、前記第１のターゲットは、プラズマ状態で極端紫外（ＥＵＶ）光を放出するターゲット材料を含む、提供すること、
   前記第１のターゲットの前記ターゲット材料から第１のプラズマを形成するために、第１の光ビームを前記第１のターゲットに向けて誘導することであって、前記第１のプラズマは、前記第１のターゲットから第１の放出方向に沿って放出される粒子及び放射の指向性フラックスに関連付けられ、前記第１の放出方向は前記第１のターゲットの位置によって決定される、誘導すること、
   第２のターゲットを前記真空チャンバの前記内部に提供することであって、前記第２のターゲットは、プラズマ状態で極端紫外光を放出するターゲット材料を含む、提供すること、及び、
   前記第２のターゲットの前記ターゲット材料から第２のプラズマを形成するために、第２の光ビームを前記第２のターゲットに向けて誘導することであって、前記第２のプラズマは、前記第２のターゲットから第２の放出方向に沿って放出される粒子及び放射の指向性フラックスに関連付けられ、前記第２の放出方向は前記第２のターゲットの位置によって決定され、前記第２の放出方向は前記第１の放出方向とは異なる、誘導すること、
   を含む、方法。
2. 前記第１のターゲットの前記ターゲット材料は第１の幾何分布で配置され、前記第１の幾何分布は、前記真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクトに対して第１の角度で配向された軸に沿った範囲を有し、
   前記第２のターゲットの前記ターゲット材料は第２の幾何分布で配置され、前記第２の幾何分布は、前記真空チャンバ内の前記別々且つ別個のオブジェクトに対して第２の角度で配向された軸に沿った範囲を有し、前記第２の角度は前記第１の角度とは異なり、
   前記第１のターゲットの前記位置によって決定される前記第１の放出方向は、前記第１の角度によって決定される前記第１の放出方向を含み、
   前記第２のターゲットの前記位置によって決定される前記第２の放出方向は、前記第２の角度によって決定される前記第２の放出方向を含む、
   請求項１に記載の方法。
3. 第１のターゲットを真空チャンバの内部に提供することは、
   第１の初期ターゲットを前記真空チャンバの前記内部に提供することであって、前記第１の初期ターゲットは第１の初期幾何分布内にターゲット材料を含む、提供すること、及び、
   前記第１のターゲットを形成するために光パルスを前記第１の初期ターゲットに向けて誘導することであって、前記第１のターゲットの前記第１の幾何分布は前記第１の初期ターゲットの前記第１の初期幾何分布とは異なる、誘導すること、
   を含み、また、
   第２のターゲットを真空チャンバの内部に提供することは、
   第２の初期ターゲットを前記真空チャンバの前記内部に提供することであって、前記第２の初期ターゲットは第２の初期幾何分布内にターゲット材料を含む、提供すること、及び、
   前記第２のターゲットを形成するために光パルスを前記第２の初期ターゲットに向けて誘導することであって、前記第２のターゲットの前記第２の幾何分布は前記第２の初期ターゲットの前記第２の初期幾何分布とは異なる、誘導すること、
   を含む、
   請求項２に記載の方法。
4. 前記第１の初期ターゲット及び前記第２の初期ターゲットは実質的に球形であり、前記第１のターゲット及び前記第２のターゲットはディスク形状である、請求項３に記載の方法。
5. 流体を前記真空チャンバの前記内部に提供することを更に含み、前記流体は前記真空チャンバ内の容積を占有し、前記真空チャンバ内の前記別々且つ別個のオブジェクトは前記流体の一部を含む、請求項２に記載の方法。
6. 前記流体は流動ガスを含む、請求項５に記載の方法。
7. 前記ターゲットを受け取るターゲット領域において、前記第１の光ビームは前記第１のターゲットに向けて伝搬し、前記第２の光ビームは伝搬方向における前記第２のターゲットに向けて伝搬し、前記流動ガスは前記伝搬方向と平行な方向に流れる、請求項６に記載の方法。
8. 前記真空チャンバ内の前記別々且つ別個のオブジェクトは光学要素を含む、請求項２に記載の方法。
9. 前記光学要素は反射要素を含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記真空チャンバ内の前記別々且つ別個のオブジェクトは、光学要素の反射表面の一部を含み、前記一部は前記反射表面のすべてよりも小さい、請求項２に記載の方法。
11. 前記第１の初期ターゲット及び前記第２の初期ターゲットは、軌道に沿って進行する複数の初期ターゲットのうちの２つの初期ターゲットであり、前記真空チャンバ内の前記別々且つ別個のオブジェクトは、前記第１の初期ターゲット及び前記第２の初期ターゲット以外の前記複数の初期ターゲットのうちの１つである、請求項３に記載の方法。
12. 流体が、流れ構成に基づいて前記真空チャンバの前記内部に提供され、前記流体は前記流れ構成に基づいて前記真空チャンバ内を流れる、請求項１に記載の方法。
13. 前記第１の光ビーム及び前記第２の光ビームは、ＥＵＶバースト持続時間を提供するように構成されたパルス光ビーム内の光学パルスであり、
    前記ＥＵＶバースト持続時間を決定すること、
    前記ＥＵＶバースト持続時間に関連付けられた前記流体の特性を決定することであって、前記特性は、前記流体の最低流量、密度、及び圧力のうちの１つ以上を含む、決定すること、及び、
    前記流体の前記流れ構成を、前記決定された特性に基づいて調整すること、
    を更に含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記流れ構成は、前記流体の流量及び流向のうちの１つ以上を含み、前記流体の前記流れ構成を調整することは、前記流量及び前記流向のうちの１つ以上を調整することを含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記第１のターゲットは１回目にプラズマを形成し、前記第２のターゲットは２回目にプラズマを形成し、前記１回目と前記２回目との間の時間は経過時間であり、前記第１の光ビーム及び前記第２の光ビームは、ＥＵＶバースト持続時間を提供するように構成されたパルス光ビームを含み、
    前記ＥＵＶバースト持続時間を決定すること、
    前記ＥＵＶバースト持続時間に関連付けられた最低流量を決定すること、及び、
    前記経過時間及び前記流体の流量のうちの１つ以上を、前記決定された前記流体の最低流量に基づいて調整すること、
    を更に含む、請求項１２に記載の方法。
16. 前記第１の光ビームは軸を含み、前記第１の光ビームの強度は前記第１の光ビームの前記軸で最大であり、
    前記第２の光ビームは軸を含み、前記第２の光ビームの強度は前記第２の光ビームの前記軸で最大であり、
    前記第１の放出方向は、前記第１の光ビームの前記軸に対する前記第１のターゲットのロケーションによって決定され、
    前記第２の放出方向は、前記第２の光ビームの前記軸に対する前記第２のターゲットのロケーションによって決定される、
    請求項１に記載の方法。
17. 前記第１の光ビームの前記軸及び前記第２の光ビームの前記軸は、同じ方向に沿ったものであり、
    前記第１のターゲットは前記第１の光ビームの前記軸の第１の側上のロケーションにあり、
    前記第２のターゲットは前記第１の光ビームの前記軸の第２の側上のロケーションにある、
    請求項１６に記載の方法。
18. 前記第１の光ビームの前記軸及び前記第２の光ビームの前記軸は、異なる方向に沿ったものであり、
    前記第１のターゲット及び前記第２のターゲットは、異なる時点で前記真空チャンバ内の実質的に同じロケーションにある、
    請求項１６に記載の方法。
19. 前記第１及び第２のターゲットは実質的に球形である、請求項１６に記載の方法。
20. 極端紫外（ＥＵＶ）光源の真空チャンバ内の別々且つ別個のオブジェクト上のプラズマの効果を軽減する方法であって、
    第１の修正済みターゲットを形成するために、前記真空チャンバ内で第１の初期ターゲットを修正することであって、前記第１の初期ターゲットは初期幾何分布内にターゲット材料を含み、前記第１の修正済みターゲットは、前記初期幾何分布とは異なる第１の修正済み幾何分布内にターゲット材料を含む、修正すること、及び、
    光ビームを前記第１の修正済みターゲットに向けて誘導することであって、前記光ビームは、前記第１の修正済みターゲット内の前記ターゲット材料のうちの少なくとも一部を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有し、前記プラズマは、粒子及び放射の指向性依存フラックスに関連付けられ、前記指向性依存フラックスは前記第１の修正済みターゲットに対する角度分布を有し、前記角度分布は前記第１の修正済みターゲットの位置に依存するため、前記真空チャンバ内での前記第１の修正済みターゲットの位置決めが前記オブジェクト上の前記プラズマの前記効果を軽減させることになる、誘導すること、
    第２の修正済みターゲットを形成するために第２の初期ターゲットを修正することであって、前記第２の修正済みターゲットはターゲット材料の第２の修正済み幾何分布を有し、前記第２の修正済み幾何分布は、前記第１の修正済み幾何分布とは異なること、
    を含む、方法。
21. 前記第１の修正済み幾何分布は、第１の方向に第１の範囲及び第２の方向に第２の範囲を有し、前記第２の範囲は前記第１の範囲より大きいものであり、前記第２の範囲を前記オブジェクトに対する角度で配向することによって前記第１の修正済みターゲットを位置決めすることを更に含む、請求項２０に記載の方法。
22. 前記第２の初期ターゲットを前記真空チャンバの内部に提供することを更に含み、前記第１の初期ターゲット及び前記第２の初期ターゲットは軌道に沿って進行する、請求項２１に記載の方法。
23. 前記別々且つ別個のオブジェクトは前記第２の初期ターゲットである、請求項２２に記載の方法。
24. 前記第２の初期ターゲットは、前記軌道上を進行するターゲットのストリーム内の１つのターゲットである、請求項２３に記載の方法。
25. 前記第２の初期ターゲットは、前記第１の初期ターゲットまでの最も近い距離にある前記ストリーム内の前記ターゲットである、請求項２４に記載の方法。
26. 前記第２の修正済みターゲットの前記第２の範囲は、前記第２の範囲を前記別々且つ別個のオブジェクトに対する第２の異なる角度で配向することで位置決めされる、請求項２１に記載の方法。
27. 前記別々且つ別個のオブジェクトは、前記真空チャンバ内を流れる流体の容積の一部、及び前記真空チャンバ内の光学要素のうちの１つ以上である、請求項２６に記載の方法。
28. 前記第１の修正済みターゲットを、前記第１の初期ターゲットの前記ターゲット材料が前記第２の範囲に沿って拡大し、前記第１の範囲に沿って縮小するように、前記第１の初期ターゲットにおける光のパルスを前記第１の初期ターゲットの中心から離れるように誘導することによって位置決めすることを更に含み、前記第２の範囲は前記別々且つ別個のオブジェクトに対して傾斜する、請求項２１に記載の方法。
29. 流体を前記真空チャンバの内部に提供することであって、前記流体は前記真空チャンバ内の容積を占有し、前記真空チャンバ内の前記別々且つ別個のオブジェクトは前記流体の前記容積の一部を含む、請求項２０に記載の方法。
30. 極端紫外（ＥＵＶ）光源のための制御システムであって、
    １つ以上の電子プロセッサ、及び、
    電子ストレージを含み、
    前記電子ストレージは、実行されたとき、
    １回目に第１の初期ターゲットの存在を宣言することであって、前記第１の初期ターゲットはプラズマ状態でＥＵＶ光を放出するターゲット材料の分布を有する、宣言すること、
    前記宣言された前記第１の初期ターゲットの存在に基づいて、２回目に第１の光ビームを前記第１の初期ターゲットに向けて誘導することであって、前記１回目と前記２回目との間の差は第１の経過時間である、誘導すること、
    ３回目に第２の初期ターゲットの存在を宣言することであって、前記３回目は前記１回目の後に発生し、前記第２の初期ターゲットはプラズマ状態でＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含む、宣言すること、及び、
    前記宣言された前記第２の初期ターゲットの存在に基づいて、４回目に前記第１の光ビームを前記第２の初期ターゲットに向けて誘導することであって、前記４回目は前記２回目の後に発生し、前記３回目と前記４回目との間の差は第２の経過時間である、誘導すること、
    を、前記１つ以上の電子プロセッサに実行させる、命令を記憶し、
    前記第１の経過時間は前記第２の経過時間とは異なるため、前記第１及び第２の初期ターゲットは異なる方向に沿って拡張し、ターゲット領域内に異なる配向を有することになり、前記ターゲット領域は、ターゲット材料を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有する第２の光ビームを受け取る領域である、
    極端紫外（ＥＵＶ）光源のための制御システム。

Images