KR102458056B1 - 극자외 광원 내의 대상물에 대한 플라즈마의 영향을 감소시키는 기술 - Google Patents

Abstract

제 1 타겟이 진공 챔버의 내부로 제공되고, 제 1 타겟의 타겟 재료로부터 제 1 플라즈마를 형성하도록, 제 1 광 빔이 상기 제 1 타겟을 향해 지향되며, 제 1 플라즈마는 제 1 방출 방향에 따라 상기 제 1 타겟으로부터 방출된 입자 및 방사선의 방향성 플럭스와 연관되고, 상기 제 1 방출 방향은 상기 제 1 타겟의 위치에 의하여 결정되며; 제 2 타겟이 상기 진공 챔버의 내부로 제공되고; 상기 제 2 타겟의 타겟 재료로부터 제 2 플라즈마를 형성하도록, 제 2 광 빔이 상기 제 2 타겟을 향해 지향되고, 상기 제 2 플라즈마는 제 2 방출 방향에 따라 상기 제 2 타겟으로부터 방출된 입자 및 방사선의 방향성 플럭스와 연관되며, 상기 제 2 방출 방향은 상기 제 2 타겟의 위치에 의하여 결정되고, 상기 제 1 및 제 2 방출 방향은 상이하다.

Description

극자외 광원 내의 대상물에 대한 플라즈마의 영향을 감소시키는 기술

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2016 년 4 월 25 일에 출원되고 발명의 명칭이 "REDUCING THE EFFECT OF PLASMA ON AN OBJECT IN AN EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE"인 미국 유틸리티 출원 번호 제 15/137,933 에 대한 우선권을 주장하고, 이 문헌은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.

본 발명은 극자외(EUV) 광원 내의 대상물에 대한 플라즈마의 영향을 감소시키는 것에 관한 것이다.

예를 들어 약 50 nm 이하(또한 가끔 소프트 x-레이라고도 불림)의 파장을 가지는 전자기 방사선이고, 약 13 nm의 파장을 가진 광을 포함하는 극자외("EUV") 광은 예를 들어 실리콘 웨이퍼에서 극히 작은 피쳐를 생성하기 위한 포토리소그래피 프로세스에서 사용될 수 있다.

EUV 광을 생성하는 방법은, 플라즈마 상태에서 EUV 범위 내의 방출선을 가지는 예를 들어 제논, 리튬, 또는 주석의 원소를 가지는 재료를 변환하는 것을 포함하지만 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 흔히 레이저 생성 플라즈마("LPP")라고 불리는 이러한 하나의 방법에서, 요구되는 플라즈마는, 예를 들어 액적, 플레이트, 테이프, 스트림, 또는 재료의 클러스터의 형태인 타겟 재료를 구동 레이저라고 불릴 수 있는 광 빔으로써 조사함으로써 생성될 수 있다. 이러한 프로세스의 경우, 플라즈마는 통상적으로 실링된 용기, 예를 들어 진공 챔버 내에서 생성되고 다양한 타입의 계측 장비를 사용하여 모니터링된다.

일반적인 일 양태에서, 제 1 타겟은 진공 챔버의 내부로 제공하고 - 상기 제 1 타겟은 플라즈마 상태에서 극자외(EUV) 광을 방출하는 타겟 재료를 포함함 -; 상기 제 1 타겟의 타겟 재료로부터 제 1 플라즈마를 형성하도록, 제 1 광 빔이 상기 제 1 타겟을 향해 지향되며 - 상기 제 1 플라즈마는 제 1 방출 방향에 따라 상기 제 1 타겟으로부터 방출된 입자 및 방사선의 방향성 플럭스와 연관되고, 상기 제 1 방출 방향은 상기 제 1 타겟의 위치에 의하여 결정됨 -; 제 2 타겟이 상기 진공 챔버의 내부로 제공되고 - 상기 제 2 타겟은 플라즈마 상태에서 극자외 광을 방출하는 타겟 재료를 포함함 -; 상기 제 2 타겟의 타겟 재료로부터 제 2 플라즈마를 형성하도록, 제 2 광 빔이 상기 제 2 타겟을 향해 지향된다 - 상기 제 2 플라즈마는 제 2 방출 방향에 따라 상기 제 2 타겟으로부터 방출된 입자 및 방사선의 방향성 플럭스와 연관되고, 상기 제 2 방출 방향은 상기 제 2 타겟의 위치에 의하여 결정되며, 상기 제 2 방출 방향은 상기 제 1 방출 방향과 상이함 -.

구현형태들은 후속하는 특징들 중 하나 이상을 포함할 수도 있다. 상기 제 1 타겟의 타겟 재료는 제 1 기하학적 분포로 배치될 수 있고, 상기 제 1 기하학적 분포는 상기 진공 챔버 내에서 분리된 별개의 대상물에 상대적으로 제 1 각도로 배향된 축을 따라 치수를 가질 수 있으며, 상기 제 2 타겟의 타겟 재료는 제 2 기하학적 분포로 배치될 수 있고, 상기 제 2 기하학적 분포는 상기 진공 챔버 내에서 상기 분리된 별개의 대상물에 상대적으로 제 2 각도로 배향된 축을 따라 치수를 가질 수 있으며, 상기 제 2 각도는 상기 제 1 각도와 상이할 수 있고, 상기 제 1 방출 방향은 상기 제 1 각도에 의하여 결정될 수 있고, 상기 제 2 방출 방향은 상기 제 2 각도에 의하여 결정될 수 있다.

일부 구현형태들에서, 상기 제 1 타겟을 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 단계는, 제 1 초기 타겟을 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 것 - 상기 제 1 초기 타겟은 타겟 재료를 초기 기하학적 분포로 포함함 -; 및 상기 제 1 타겟을 형성하도록 광 펄스를 상기 제 1 초기 타겟을 향해 지향시키는 것 - 상기 제 1 타겟의 기하학적 분포는 상기 제 1 초기 타겟의 기하학적 분포와 상이함 -을 포함하고, 상기 제 2 타겟을 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 단계는, 제 2 초기 타겟을 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 것 - 상기 제 2 초기 타겟은 타겟 재료를 제 2 초기 기하학적 분포로 포함함 -; 및 상기 제 2 타겟을 형성하도록 광 펄스를 상기 제 2 초기 타겟을 향해 지향시키는 것 - 상기 제 2 타겟의 기하학적 분포는 상기 제 2 초기 타겟의 기하학적 분포와 상이함 -을 포함한다.

상기 제 1 초기 타겟 및 제 2 초기 타겟은 실질적으로 구형일 수 있고, 상기 제 1 타겟 및 제 2 타겟은 원반형일 수 있다. 상기 제 1 초기 타겟 및 상기 제 2 초기 타겟은 궤적을 따라 이동하는 복수 개의 초기 타겟 중 두 개의 초기 타겟일 수 있고, 상기 진공 챔버 내에서 분리된 별개의 상기 대상물은 복수 개의 초기 타겟 중 상기 제 1 초기 타겟 및 제 2 초기 타겟이 아닌 것일 수 있다.

유체가 상기 진공 챔버의 내부로 제공될 수 있고 - 상기 유체는 상기 진공 챔버 내의 볼륨을 점유함 -, 상기 진공 챔버 내에서 분리된 별개의 상기 대상물은 상기 유체의 부분을 포함할 수 있다. 유체는 유동 가스일 수 있다. 타겟을 수용하는 타겟 영역 내에서, 전파 방향에서 상기 제 1 광 빔은 상기 제 1 타겟을 향해 전파될 수 있고 상기 제 2 광 빔은 상기 제 2 타겟을 향해 전파될 수 있으며, 상기 유동 가스는 상기 전파 방향에 평행한 방향으로 흐를 수 있다.

진공 챔버 내의 분리된 별개의 대상물은 광학 요소를 포함할 수 있다.

광학 요소는 반사 요소일 수 있다.

상기 진공 챔버 내의 분리된 별개의 상기 대상물은 상기 광학 요소의 반사면의 부분일 수 있고, 상기 부분은 상기 반사면 전부보다 작다.

유체가 유동 구성(flow configuration)에 기초하여 상기 진공 챔버의 내부로 제공될 수 있고, 이러한 구현형태에서, 상기 유체는 상기 유동 구성에 기초하여 상기 진공 챔버 내에서 흐른다. 제 1 광 빔 및 제 2 광 빔은 EUV 버스트 지속기간을 제공하도록 구성되는 펄스형 광 빔 내의 광 펄스일 수 있고, EUV 버스트 지속기간이 결정될 수 있다. EUV 버스트 지속기간과 연관된 유체의 특성이 결정될 수 있는데, 이러한 특성은 유체의 최소 유량, 밀도, 및 압력 중 하나 이상을 포함하고, 유체의 유동 구성은 결정된 특성에 기초하여 조절될 수 있다. 상기 유동 구성은 상기 유체의 유량 및 유동 방향 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 유체의 유동 구성을 조절하는 단계는, 유량 및 유동 방향 중 하나 이상을 조절하는 것을 포함할 수 있다.

일부 구현형태들에서, 제 1 타겟은 제 1 시간에 플라즈마를 형성하고, 제 2 플라즈마는 제 2 시간에 타겟을 형성하며, 제 1 시간과 제 2 시간 사이의 시간이 경과 시간이고, 광 빔은 EUV 버스트 지속기간을 제공하도록 구성되는 펄스형 광 빔을 포함한다. EUV 버스트 지속기간이 결정될 수 있고, EUV 버스트 지속기간과 연관된 최소 유량이 결정될 수 있으며, 경과 시간 및 유체의 유량 중 하나 이상이 유체의 결정된 최소 유량에 기초하여 조절될 수 있다.

제 1 광 빔은 축을 가질 수 있고, 제 1 광 빔의 세기는 이러한 축에서 최대일 수 있다. 제 2 광 빔은 축을 가질 수 있고, 제 2 광 빔의 세기는 제 2 광 빔의 축에서 최대일 수 있다. 제 1 방출 방향은 제 1 광 빔의 축에 상대적인 제 1 타겟의 위치에 의하여 결정될 수 있고, 제 2 방출 방향은 제 2 빔의 축에 상대적인 제 2 타겟의 위치에 의하여 결정될 수 있다.

제 1 광 빔의 축 및 제 2 광 빔의 축은 동일한 방향에 따를 수 있고, 제 1 타겟은 제 1 광 빔의 축의 제 1 측 상의 위치에 있고,

제 2 타겟은 제 1 광 빔의 축의 제 2 측 상의 위치에 있다.

상기 제 1 광 빔의 상기 축 및 상기 제 2 광 빔의 상기 축은 상이한 방향에 따를 수 있고, 상기 제 1 타겟 및 상기 제 2 타겟은 상이한 시간에 상기 진공 챔버 내의 실질적으로 동일한 위치에 있을 수 있다.

제 1 및 제 2 타겟은 실질적으로 구형일 수 있다.

일반적인 다른 양태에서, 극자외(EUV) 광원의 진공 챔버 내의 대상물에 대한 플라즈마의 영향이 감소될 수 있다. 진공 챔버 내의 초기 타겟은 수정되어 수정된 타겟을 형성하고, 초기 타겟은 타겟 재료를 초기 기하학적 분포로 포함하며, 수정된 타겟은 타겟 재료를 수정된 상이한 기하학적 분포로 포함한다. 광 빔은 수정된 타겟을 향해 지향되고, 광 빔은 수정된 타겟 내의 타겟 재료 중 적어도 일부를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가지며, 플라즈마는 입자 및 방사선의 방향 의존성 플럭스와 연관되고, 방향 의존성 플럭스는 수정된 타겟에 상대적인 각도 분포를 가지며, 각도 분포는 수정된 타겟의 위치에 의존하여, 수정된 타겟을 진공 챔버 내에 위치설정하면 대상물에 대한 플라즈마의 영향이 감소되게 한다.

구현형태들은 후속하는 피쳐들 중 하나 이상을 포함할 수도 있다. 상기 수정된 기하학적 분포는 제 1 방향에서의 제 1 치수 및 제 2 방향에서의 제 2 치수를 가질 수 있고, 상기 제 2 치수는 상기 제 1 치수보다 클 수 있으며, 상기 수정된 타겟은 상기 제 2 치수를 상기 대상물에 상대적인 각도로 배향시킴으로써 위치설정될 수 있다. 제 2 초기 타겟도 역시 상기 진공 챔버의 내부에 제공될 수 있고, 상기 초기 타겟 및 상기 제 2 초기 타겟은 궤적을 따라 이동한다. 분리된 별개의 대상물은 제 2 초기 타겟일 수 있다. 상기 제 2 초기 타겟은 상기 궤적에서 이동하는 타겟들의 스트림 내의 하나의 타겟일 수 있다. 상기 제 2 초기 타겟은 상기 스트림 내의 상기 초기 타겟까지 거리가 가장 가까운 타겟일 수 있다. 일부 구현형태들에서, 제 2 수정된 타겟을 형성하도록 상기 제 2 초기 타겟이 수정되고, 상기 제 2 수정된 타겟은 상기 타겟 재료의 수정된 기하학적 분포를 가지며, 상기 제 2 수정된 타겟의 상기 제 2 치수는 분리된 별개의 상기 대상물에 상대적인 제 2 의 상이한 각도에서 배향된 상기 제 2 치수로 위치설정된다. 분리된 별개의 상기 대상물은, 상기 진공 챔버 및 상기 진공 챔버 내의 광학 요소 내에 유동하는 유체의 볼륨의 부분 중 하나 이상일 수 있다.

상기 수정된 타겟은, 상기 초기 타겟의 타겟 재료가 상기 제 2 치수에 따라 확장되고 상기 제 1 치수에 따라 감소되며 상기 제 2 치수가 분리된 별개의 상기 대상물에 상대적으로 틸팅되도록, 상기 초기 타겟에서의 광의 펄스를 상기 초기 타겟의 중심에서 벗어나게 지향시킴으로써 위치설정될 수 있다.

유체가 상기 진공 챔버의 내부로 제공될 수 있고, 상기 유체는 상기 진공 챔버 내의 볼륨을 점유하며, 상기 진공 챔버 내의 분리된 별개의 상기 대상물은 상기 유체의 볼륨의 부분을 포함할 수 있다.

일반적인 다른 양태에서, 극자외(EUV) 광원용 제어 시스템은, 하나 이상의 전자식 프로세서; 및 전자식 저장부를 포함하고, 상기 전자식 저장부는, 실행되면 상기 하나 이상의 전자식 프로세서가, 제 1 시간에 제 1 초기 타겟의 존재를 선언하고 - 상기 제 1 초기 타겟은 EUV 광을 플라즈마 상태에서 방출하는 타겟 재료의 분포를 가짐 -; 상기 제 1 초기 타겟의 선언된 존재에 기초하여, 제 2 시간에서 제 1 광 빔을 상기 제 1 초기 타겟을 향해 지향시키며 - 상기 제 1 시간과 상기 제 2 시간 사이의 차는 제 1 경과 시간임 -; 제 3 시간에 제 2 초기 타겟의 존재를 선언하고 - 상기 제 3 시간은 상기 제 1 시간 이후에 도래하고, 상기 제 2 초기 타겟은 EUV 광을 플라즈마 상태에서 방출하는 타겟 재료를 포함함 -; 상기 제 2 초기 타겟의 선언된 존재에 기초하여, 제 4 시간에서 상기 제 1 광 빔을 상기 제 2 초기 타겟을 향해 지향시키게 하는 명령을 포함하고, 상기 제 4 시간은 상기 제 2 시간 이후에 도래하고, 상기 제 3 시간과 상기 제 4 시간 사이의 차는 제 2 경과 시간이며, 상기 제 1 및 초기 타겟 및 상기 제 2 초기 타겟이 상이한 방향에 따라 확장되고 타겟 영역 내에서 상이한 배향을 가지도록, 상기 제 1 경과 시간은 상기 제 2 경과 시간과 상이하고, 상기 타겟 영역은 타겟 재료를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가지는 제 2 광 빔을 수광하는 영역이다.

전술된 기법들 중 임의의 것의 구현형태는 장치, 방법 또는 프로세스, EUV 광 소스, 광학적 리소그래피 시스템, 광학 소스의 제어 시스템, 또는 컴퓨터-판독가능 매체에 저장된 명령을 포함할 수 있다.

하나 이상의 구현형태들의 세부사항들은 첨부 도면들 및 다음의 설명에서 진술된다. 다른 특징들은 상세한 설명 및 도면들로부터, 그리고 청구항들로부터 명확해질 것이다.

도 1 은 EUV 광원을 포함하는 예시적인 광학 리소그래피 시스템의 블록도이다.
도 2a 는 예시적인 타겟의 측면 단면도이다.
도 2b 는 도 2a 의 타겟의 정면 단면도이다.
도 2c 및 도 2d 는 도 2a 의 타겟의 상이한 예시적인 위치의 예시도이다.
도 3a 는 예시적인 타겟으로부터 형성된 플라즈마로부터 방출된 에너지의 예시도이다.
도 3b 및 도 3c 는 두 개의 상이한 위치에 있는 예시적인 타겟의 블록도이다.
도 3d 는 광 빔의 세기 프로파일의 일 예이다.
도 3e 및 도 3f 는 두 개의 상이한 위치에 있는 예시적인 타겟과 상호작용하는 광 빔의 블록도이다.
도 4 는 타겟의 위치를 제어하기 위한 제어 시스템을 포함하는 예시적인 시스템의 블록도이다.
도 5 는 EUV 광을 생성하기 위한 예시적인 프로세스의 흐름도이다.
도 6a 는 타겟으로 변환되는 예시적인 초기 타겟을 도시한다.
도 6b 는 도 6a 의 타겟을 생성하기 위한, 예시적인 파형의 에너지 대 시간으로 도시된 그래프이다.
도 6c 는 초기 타겟과 도 6a 의 타겟의 측면도들이다.
도 7a 및 도 7b 는 예시적인 진공 챔버의 블록도이다.
도 7c 는 도 7a 및 도 7b 의 진공 챔버 내의 예시적인 광학 요소의 블록도이다.
도 8 은 타겟의 위치를 변경하기 위한 예시적인 프로세스의 흐름도이다.
도 9a 내지 도 9c 는 시간에 따라 변하는 위치를 가진 타겟을 포함하는 예시적인 진공 챔버의 블록도이다.
도 10a 및 도 10b 는 시간에 따라 변하는 위치를 가진 타겟을 포함하는 예시적인 진공 챔버의 블록도이다.
도 10c 는 광학 요소 및 방향 의존적 에너지 프로파일의 피크에 의해 스위핑 아웃되는(swept out) 경로의 블록도이다.
도 11 은 최소 유체 유동 및 EUV 버스트 지속기간과 관련되는 예시적인 데이터의 그래프이다.
도 12 는 진공 챔버 내의 대상물을 보호하기 위한 예시적인 프로세스의 흐름도이다.
도 13a 내지 도 13c 는 시간에 따라 변하는 위치 및/또는 타겟 경로를 가진 타겟을 포함하는 예시적인 진공 챔버의 블록도이다.
도 14 는 EUV 광원을 포함하는 예시적인 광학 리소그래피 시스템의 블록도이다.
도 15a 는 EUV 광원을 포함하는 예시적인 광학 리소그래피 시스템의 블록도이다.
도 15b 는 도 15a 의 EUV 광원에서 사용될 수 있는 광 증폭기의 블록도이다.
도 16 은 도 1 의 EUV 광원의 다른 구현형태의 블록도이다.
도 17 은 EUV 광원에서 사용될 수 있는 예시적인 타겟 재료 공급 장치의 블록도이다.

극자외(EUV) 광원의 진공 챔버 내의 대상물에 대한 플라즈마의 영향을 감소시키는 기술이 개시된다. EUV 광을 생성하기 위하여, EUV 광원은 타겟 내의 타겟 재료를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환한다. 타겟들 모두가 동일한 위치 또는 배향을 가지지 않도록 다양한 타겟의 공간적 배향 또는 위치를 변경함으로써, 플라즈마의 영향이 감소될 수 있다. 설명된 기법은, 예를 들어 EUV 광원의 진공 용기 내의 대상물을 보호하기 위하여 사용될 수 있다.

도 1 을 참조하면, 예시적인 광 리소그래피 시스템(100)의 블록도가 도시된다. 시스템(100)은 EUV 광(162)을 리소그래피 툴(103)로 제공하는 극자외(EUV) 광원(101)을 포함한다. EUV 광원(101)은 광학 소스(102)와 유체 전달 시스템(104)을 포함한다. 광학 소스(102)는 광 빔(110)을 방출하는데, 이것은 광학적으로 투명한 개구(114)를 통해 진공 용기(140)에 진입하고 타겟(120)을 수용하는 타겟 영역(130)에서 방향 z(112)로 전파된다. 광 빔(110)은 증폭된 광 빔일 수 있다.

유체 전달 시스템(104)은 버퍼 유체(108)를 용기(140) 내로 전달한다. 버퍼 유체(108)는 광학 요소(155)와 타겟 영역(130) 사이에서 흐를 수 있다. 버퍼 유체(108)는 방향 z 또는 임의의 다른 방향에서 흐를 수 있고, 버퍼 유체(108)는 여러 방향에서 흐를 수 있다. 타겟 영역(130)은 타겟 공급 시스템(116)으로부터 타겟(120)을 수용한다. 타겟(120)은 플라즈마 상태에서 EUV 광(162)을 방출하는 타겟 재료를 포함하고, 타겟 영역(130)에서의 타겟 재료와 광 빔(110) 사이의 상호작용에 의해 타겟 재료의 적어도 일부가 플라즈마로 변환된다. 광학 요소(155)는 EUV 광(162)을 리소그래피 툴(103)을 향해 지향시킨다. 제어 시스템(170)은 전자 신호를 수신하고 유체 전달 시스템(104), 광학 소스(102), 및/또는 리소그래피 툴(103)로 제공하여 이러한 컴포넌트들 중 임의의 것 또는 전부가 제어되게 할 수 있다. 제어 시스템(170)의 일 예는 도 4 에서 후술된다.

타겟(120)의 타겟 재료는 기하학적 또는 공간적 분포로 배치되고, 광 빔(110)을 수광하는(그리고 광 빔과 상호작용하는) 측면 또는 영역(129)을 가진다. 위에서 논의된 바와 같이, 타겟 재료는 플라즈마 상태에 있는 경우 EUV 광(162)을 방출한다. 또한, 플라즈마는 입자(예컨대 이온, 중성 원자, 및/또는 타겟 재료의 클러스터) 및/또는 EUV 광이 아닌 방사선도 방출한다. 플라즈마(입자 및/또는 EUV 광이 아닌 방사선을 포함함)에 의해 방출된 에너지는 타겟 재료의 기하학적 분포에 상대적으로 비-등방성이다. 플라즈마에 의해 방출된 에너지는 타겟(120)에 상대적인 각도 의존적 분포를 가지는 에너지의 방향 의존성 플럭스인 것으로 여겨질 수 있다. 따라서, 플라즈마는 용기(140) 내에서 일부 영역에 다른 곳보다 많은 양의 에너지를 지향시킬 수 있다. 플라즈마에 의해 방출된 에너지에 의해, 예를 들어 플라즈마가 지향하는 영역 내에 국지화된 가열이 초래된다.

도 1 은 어느 시점에서의 진공 용기(140)를 도시한다. 도시된 예에서, 타겟(120)은 타겟 위치(130) 내에 있다. 도 1 의 시간 이전 및/또는 이후의 시간에는, 타겟(120)의 다른 인스턴스가 타겟 영역(130) 내에 있다. 후술되는 바와 같이, 타겟(120)의 다른 인스턴스는, 타겟(120)과 비교할 때, 타겟(120)의 선행 및/또는 후행 인스턴스들이 타겟 재료의 상이한 기하학적 분포, 진공 용기(140) 내에서의 상이한 위치, 및/또는 진공 용기(140) 내의 대상물 또는 대상물들에 상대적인 타겟 재료의 기하학적 분포의 상이한 배향을 가진다는 점을 제외하고는, 타겟(120)과 유사하다. 다르게 말하면, 타겟 영역(130) 내에 존재하는 타겟의 기하학적 분포, 위치, 및/또는 배향은 이러한 인스턴스들 사이에서 변하며, 시간이 지남에 따라서 변하는 것으로 여겨질 수 있다. 이러한 방식으로, 방향 의존성 플럭스의 피크(최대)가 연장하는 방향은 시간이 지남에 따라서 변할 수 있다. 따라서, 방향 의존성 플럭스의 피크는 특정 대상물, 대상물의 특정 부분, 및/또는 용기(140)의 영역으로부터 멀어지게 지향되어, 해당 대상물, 부분, 또는 영역에 대한 플라즈마의 영향을 감소시킬 수 있다.

타겟 재료의 위치, 기하학적 분포, 및/또는 배향을 인스턴스들 사이에서 또는 시간이 지남에 따라서 변경하면, 플라즈마에 의하여 에너지가 지향되는 영역의 총량이 증가된다. 따라서, 타겟의 위치 및/또는 타겟 배향을 시간이 지남에 따라서 변경하면, 플라즈마로부터 오는 에너지가 타겟(120)에 상대적인 등방성 에너지 프로파일을 더 가까워져서, 용기(140) 내의 특정 영역이 다른 영역과 비교할 때 과도하게 노출되지 않게(예를 들어, 가열되지 않게) 한다. 그러면, 타겟 영역(130) 근처의 대상물 또는 대상물들, 예컨대 용기(140) 내의 광학 요소(예를 들어, 광학 요소(155)), 및 용기(140) 내의 다른 대상물, 예컨대 타겟(120) 이외의 타겟(예를 들어, 후행 또는 선행 타겟, 예컨대 타겟(121a, 121b)), 및/또는 버퍼 유체(108)가 플라즈마로부터 보호되게 된다. 플라즈마로부터 대상물을 보호하면 대상물의 유효 수명이 증가될 수 있고, 및/또는 광원(101)이 더 효율적으로 및/또는 신뢰성있게 동작하게 할 수 있다.

도 2a 내지 도 2d 는 EUV 광(162)을 방출하는 플라즈마를 생성하기 위한 타겟(120)으로서 사용될 수 있는 예시적인 타겟을 설명한다. 도 3a 내지 도 3c, 도 3e, 및 도 3f 는 플라즈마와 연관될 수 있는 방향성 플럭스의 예들을 설명한다.

도 2a 를 참조하면, 예시적인 타겟(220)의 측면 단면도(방향 x를 따라 바라봄)가 도시된다. 타겟(220)은 타겟(120)으로서 시스템(100) 내에서 사용될 수 있다. 타겟(220)은 광 빔(210)을 수광하는 타겟 영역(230) 내에 있다. 타겟(220)은 플라즈마로 변환될 경우 EUV 광을 방출하는 타겟 재료(예를 들어 주석, 리튬 및/또는 제논과 같은 재료)를 포함한다. 광 빔(210)은 타겟(220) 내의 타겟 재료의 적어도 일부를 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가진다.

예시적인 타겟(220)은 타원체(3-차원의 타원)이다. 다르게 말하면, 타겟(220)은 타원의 3-차원의 유사체(analog)인 표면의 내부로 근사적으로 정의되는 볼륨을 점유한다. 그러나, 타겟(220)은 다른 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 타겟(220)은 구의 전부 또는 일부의 형상을 가지는 볼륨을 점유할 수 있고, 또는 타겟(220)은 무작위로 성형된 볼륨, 예컨대 잘 정의된 에지를 가지지 않는 클라우드-유사 형상을 점유할 수 있다. 뚜렷한 에지가 부족한 타겟(220)의 경우, 타겟 재료의 예를 들어 90%, 95% 또는 그 이상을 포함하는 볼륨이 타겟(220)이라고 취급될 수 있다. 타겟(220)은 비대칭이거나 대칭일 수 있다.

추가적으로, 타겟(220)은 타겟 재료의 임의의 공간적 분포를 가질 수 있고 비-타겟 재료(플라즈마 상태에서 EUV 광을 방출하지 않는 재료)를 포함할 수 있다. 타겟(220)은 입자 및/또는 조각, 본질적으로 연속적이고 균질한 재료인 연장된 대상물, 입자들(이온 및/또는 전자를 포함함)의 콜렉션, 용융된 금속의 연속 세그먼트를 포함하는 재료의 공간적 분포, 선-플라즈마, 및 입자, 및/또는 용융된 금속의 세그먼트의 집합계(system)일 수 있다. 타겟(220)의 콘텐츠는 임의의 공간적 분포를 가질 수 있다. 예를 들어, 타겟(220)은 하나 이상의 방향에서 균질할 수 있다. 몇 가지 구현형태들에서, 타겟(220)의 콘텐츠는 타겟(220)의 특정 부분에서 농축되고, 타겟(220)은 질량의 불균일한 분포를 가진다.

타겟 재료는 타겟 물질 및 비-타겟 입자와 같은 불순물을 포함하는 타겟 혼합물일 수 있다. 타겟 물질은 플라즈마 상태일 경우 EUV 범위 내에 방출선을 가지는 물질이다. 타겟 물질은, 예를 들어 액체 또는 용융된 금속의 액적, 액체 스트림, 고체 입자 또는 클러스터의의 일부, 액체 액적 내에 포함된 고체 입자, 타겟 재료의 포말(foam), 또는 액체 스트림의 일부 내에 포함된 고체 입자일 수 있다. 타겟 물질은, 예를 들어 물, 주석, 리튬, 제논, 또는 플라즈마 상태로 변환될 경우 EUV 범위 내에 방출선을 가지는 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 타겟 물질은, 순수 주석(Sn)으로서; 주석 화합물, 예를 들어 SnBr₄, SnBr₂, SnH₄로서; 주석 합금, 예를 들어 주석-갈륨 합금, 주석-인듐 합금, 주석-인듐-갈륨 합금으로서; 또는 이들의 합금의 임의의 조합으로서 사용될 수 있는 주석 원소일 수 있다. 더욱이, 불순물이 없는 경우에서는, 타겟 재료는 오직 타겟 물질만을 포함한다.

도 2a 에 도시되는 타겟(220)의 측면 단면은 전체 타원에 걸친 최대 거리와 동일한 길이를 가지는 장축과 장축에 수직인 단축을 가지는 타원이다. 타겟(220)은 방향(221)을 따라 연장하는 제 1 치수(222), 및 방향(221)에 수직인 방향(223)으로 연장하는 제 2 치수(224)를 가진다. 예시적인 타겟(220)의 경우, 치수(222) 및 방향(221)은 각각 단축의 길이 및 방향이고, 치수(224) 및 방향(223)은 각각 장축의 길이 및 방향이다.

도 2b 를 다시 참조하면, 방향(221)을 따라 바라본 타겟(220)의 정면 단면도가 도시된다. 타겟(220)은 방향(223)에서 연장하고 치수(224)를 가지는 타원형 정면 단면을 가진다. 타겟(220)의 정면 단면은 방향(225)에서 제 3 차원으로 치수(226)를 가진다. 방향(225)은 방향(221 및 223)에 수직이다.

도 2a 를 참조하면, 타겟(220)의 치수(224)는 광 빔(210)의 전파의 방향(212)에 상대적으로 틸팅된다. 도 2c 를 다시 참조하면, 치수(224)의 방향(223)은 광 빔(210)의 전파 방향(212)과 각도(227)를 형성한다. 각도(227)는 광 빔(210)이 방향(212)으로 진행하고 타겟(220)에 충돌할 때 이것에 상대적으로 측정된다. 각도(227)는 0-180 도일 수 있다. 도 2a 및 도 2c 에서, 타겟(220)은 방향(212)에 대해 90 도 미만으로 방향(223)으로 틸팅된다. 도 2d 는 각도(227)가 90 도와 180 도 사이인 일 예를 도시한다.

위에서 논의된 바와 같이, 타겟(220)은 타원체 이외의 형상을 가질 수 있다. 어떤 볼륨을 점유하는 타겟의 경우, 타겟의 형상은 3-차원의 형상인 것으로 간주될 수 있다. 이러한 형상은 3 개의 상호적 직교 방향(221, 223, 225) 각각으로 연장하는 3 개의 치수(222, 224, 226)로써 기술될 수 있다. 치수들(222, 224, 226)의 길이는 방향(221, 223, 225) 중 하나에 상응하는 특정 방향에서 해당 형태의 하나의 에지로부터 형상의 다른 측면까지에 걸친 해당 상에 걸친 길이일 수 있다. 치수(222, 224, 226) 및 그들 각각의 향(221, 223, 225)은 타겟(220)의 시각적 검사로부터 결정되거나 추정될 수 있다. 예를 들어, 타겟(220)은 시스템(100) 내의 타겟(120)으로서 사용될 수 있다. 이러한 구현형태에서, 타겟(220)의 시각적 검사는, 예를 들어 타겟(220)이 타겟 재료 공급 장치(116)를 떠나서 타겟 구역(130)(도 1)으로 이동할 때에 해당 타겟을 이미징함으로써 이루어질 수 있다.

몇 가지 구현형태들에서, 방향들(221, 223, 225)은 타겟(220)의 질량 중심을 통과하여 지나고 타겟(220)에 대한 관성 주축에 대응하는 상호 직교하는 축들인 것으로 간주될 수 있다. 타겟(220)의 질량 중심은 타겟(220)의 질량의 상대적인 위치가 제로인 공간 내의 포인트이다. 다르게 말하면, 질량 중심은 타겟(220)을 구성하는 재료의 평균 위치이다. 질량 중심은 반드시 타겟(220)의 기하학적 중심과 일치할 필요는 없지만, 타겟이 균질하고 대칭적인 볼륨인 경우에는 그러할 수 있다.

타겟(220)의 질량 중심은 타겟(220) 내의 질량의 공간적 분포의 불균형의 측정치인 관성 승적(products of inertia)의 함수로서 표현될 수 있다. 관성 승적은 매트릭스 또는 텐서로서 표현될 수 있다. 3-차원의 대상물의 경우, 관성 승적이 제로인, 질량 중심을 통과하는 3 개의 상호 직교하는 축들이 존재한다. 즉, 관성 승적은, 어느 방향으로 연장하는 벡터의 양측에 질량이 균등하게 균형 배분되는 해당 방향에 놓인다. 관성 승적의 방향은 3-차원의 대상물의 관성 주축(principal axes of inertia)이라고 지칭될 수 있다. 방향(221, 223, 225)은 타겟(220)에 대한 관성 주축일 수 있다. 이러한 구현형태에서, 방향(221, 223, 225)은 타겟(220)에 대한 관성 승적의 관성 텐서 또는 매트릭스의 고유벡터(eigenvectors)이다. 치수(222, 224, 226)는 관성 승적의 관성 텐서 또는 매트릭스의 고유치로부터 결정될 수 있다.

몇 가지 구현형태들에서, 타겟(220)은 근사적으로 2-차원의 대상물이라고 간주될 수 있다. 타겟(220)이 2-차원인 경우, 타겟(220)은 두 개의 직교하는 주축들 및 주축들의 방향에 따른 두 개의 정도로써 모델링될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 3-차원의 타겟에 대하여, 2-차원의 타겟에 대한 치수 및 방향은 시각적 검사를 통해 결정될 수 있다.

타겟(220)과 같은 타겟의 타겟 재료로부터 형성된 플라즈마로부터 방출되는 에너지의 공간적 분포는 타겟의 위치설정 또는 배향 및/또는 타겟 내에서의 타겟 재료의 공간적 분포에 따라 달라진다. 타겟의 위치는 조사 광 빔 및/또는 타겟의 근방에 있는 대상물에 상대적인 타겟의 위치, 배치구성, 및/또는 배향이다. 타겟의 배향은 조사 광 빔 및/또는 타겟 근방에 있는 대상물에 상대적인 타겟의 배치구성 및/또는 각도로 간주될 수 있다. 타겟의 공간적 분포는 타겟의 타겟 재료의 기하학적 배치구성이다.

도 3a 를 참조하면, 예시적인 에너지 분포(364A)가 도시된다. 도 3a 의 예에서, 실선은 에너지 분포(364A)를 나타낸다. 에너지 분포(364A)는 타겟(320A) 내의 타겟 재료로부터 형성된 플라즈마로부터 방출된 에너지의 각도 분포이다. 플라즈마로부터 방출되는 에너지는 축(363)과 나란한 방향에서 피크 또는 최대치를 가진다. 축(363)에 따라서 연장하는 방향(따라서 에너지가 주로 방출되는 방향)은 타겟(320A)의 위치설정 및/또는 타겟(320A) 내의 타겟 재료의 공간적 분포에 따라 달라진다. 타겟(320A)은, 하나의 방향에서의 타겟의 치수가 광 빔의 전파 방향에 상대적으로 소정 각도를 형성하도록 위치설정될 수 있다. 다른 예에서, 타겟(320A)은 광 빔의 가장 센 부분에 상대적으로 위치설정될 수 있고, 또는 타겟(320A)은 진공 챔버 내의 대상물에 상대적인 소정 각도에서 타겟의 소정 치수를 가지도록 위치설정될 수 있다. 에너지 분포(364A)는 일 예로서 제공되며, 다른 에너지 분포들은 상이한 공간적 특성을 가질 수 있다. 도 3b, 도 3c, 도 3e, 및 도 3f 는 공간적 에너지 분포의 추가 예들을 보여준다.

도 3b 및 도 3c 를 각각 참조하면, 각각의 피크(또는 최대값)(365B, 365C)가 있는 예시적인 에너지 분포(364B 및 364C)가 도시된다. 에너지 분포(364B, 364C)는, 타겟 영역(330)에서 z 방향으로 전파되는 광 빔(310)과 타겟(320B, 320C) 각각 내의 타겟 재료 사이의 상호작용에 의해서 형성되는 플라즈마로부터 방출되는 에너지의 공간적 분포를 나타낸다. 이러한 상호작용에 의하여 타겟(320) 내의 타겟 재료 중 적어도 일부가 플라즈마로 변환된다. 에너지의 공간적 분포(364B 및 364C)는 플라즈마로부터 방출된 평균 에너지 또는 총 에너지의 각도 공간적 분포를 나타낼 수 있다.

타겟(320B, 320C)의 타겟 재료는 원반형 형상으로, 예컨대 x-y 평면에서 타원형 단면을 가지는 타원(도 2a 및 도 2b 의 타겟(220)과 유사함)으로 배치된다. 타겟(320B)은 y 방향에서 치수(324)를 그리고 z 방향에서 치수(322)를 가진다. 치수(324)는 치수(322)보다 크다. 도 3b 의 예에서, 치수(322)는 광 빔(310)의 전파 방향에 평행하고, 타겟(320)은 광 빔(310)에 상대적으로 틸팅되지 않는다. 도 3c 의 예에서, 타겟(320C)은 광 빔(310)의 전파 방향에 상대적으로 틸팅된다. 타겟(320C)의 경우, 치수(324)는 방향(321)과 나란한데, 이것은 광 빔(310)의 전파 방향으로부터 각도(327)로 틸팅된다. 치수(322)는 방향(323)과 나란하다. 따라서, 도 3b 및 도 3c 의 예들은, 두 가지 다른 방식으로 위치설정된 타겟을 보여주고, 에너지 분포(364B 및 364C)는 피크(365B, 365C)가 타겟 위치를 변경함으로써 어떻게 이동될 수 있는지를 보여준다.

타겟 재료와 광 빔(310) 사이의 상호작용에 의해 형성되는 플라즈마는 EUV 광, 입자, 및 EUV 광이 아닌 방사선을 포함하는 에너지를 방출한다. 입자 및 방사선은, 예를 들어 광 빔(310)과 타겟 재료 사이의 상호작용으로부터 형성된 이온(하전 입자)을 포함할 수 있다. 이온은 타겟 재료의 이온일 수 있다. 예를 들어, 타겟 재료가 주석인 경우, 플라즈마로부터 방출된 이온은 주석 이온일 수 있다. 이온은, 타겟(120)으로부터 상대적으로 긴 거리를 이동하는 고-에너지 이온, 및 타겟(120)으로부터 더 짧은 거리를 이동하는 상대적인 저-에너지 이온을 포함할 수 있다. 고-에너지 이온은 그들의 운동 에너지를 열로서 자신을 수용하는 재료 내로 전달하고, 재료 내에 열의 국지화된 영역을 생성한다. 고-에너지 이온은, 예를 들어 500 전자 볼트(eV) 이상의 에너지를 가지는 이온일 수 있다. 저-에너지 이온은 500 eV 미만의 에너지를 가지는 이온일 수 있다.

위에서 논의된 바와 같이, 도 3b 및 도 3c 각각의 예시적인 분포(364B 및 364C)는 플라즈마로부터 방출된 이온의 총 에너지 또는 평균 에너지의 공간적 분포를 보여주는 것으로 여겨질 수 있다. 도 3b 의 예에서, 이온의 방출로 인해 발생된 에너지는 y-z 평면에서 분포(364B)를 가진다. 분포(364B)는 플라즈마로부터 방출된 에너지의 상대량을 타겟(320B)의 중심에 대한 각도의 함수로서 나타낸다. 도 3b 의 예에서, 치수(324)는 타겟 영역(330)에서의 광 빔(310)의 전파 방향의 중심에 수직이고, 에너지의 최대량은 피크(365B)의 방향에서 전달된다. 도 3b 의 예에서, 피크(365B)는 -z 방향인데, 이것은 치수(322)와 평행하고 치수(324)에 수직이다. 방출된 에너지의 최저량은 z 방향이고, 저-에너지 이온은 z 방향으로 우선적으로 방출될 수 있다.

도 3b 와 비교할 때, 타겟(320C)(도 3c)의 위치가 다르다. 도 3c 의 예에서, 치수(324)는 빔(310)의 전파 방향에 대해 각도(327)로 틸팅된다. 총 또는 평균 이온 에너지의 프로파일(364B)도 역시 도 3c 의 예에서 다른데, 에너지의 최대 양은 피크(365C)를 향해 방출된다. 도 3b 의 예와 같이, 도 3c 의 예에서 이온은 광 빔(310)을 수광하는 타겟(320)의 일측(329)으로부터 멀어지게 연장되고 치수(324)에 수직인 방향을 따라서 우선적으로 방출될 수 있다. 일측(329)은, 타겟(320)의 임의의 다른 부분 이전에 광 빔(310)을 수광하는 타겟(320)의 부분 또는 측면 또는 광 빔(310)으로부터 가장 많은 방사선을 수광하는 타겟(320C)의 부분 또는 측면이다. 일측(329)은 "가열측(heating side)"라고도 지칭된다.

플라즈마로부터 방출된 다른 입자 및 방사선은 y-z 평면에서 상이한 프로파일을 가질 수 있다. 예를 들어, 프로파일은 고-에너지 이온 또는 저-에너지 이온의 프로파일을 나타낼 수 있다. 저-에너지 이온은, 고-에너지 이온이 우선적으로 방출되는 방향에 반대인 방향으로 우선적으로 방출될 수 있다.

따라서, 타겟(320B, 320C)과 광 빔(310)의 상호작용에 의해서 방출되는 플라즈마는 방사선 및/또는 입자의 방향 의존성 플럭스를 방출한다. 방사선 및/또는 입자의 가장 많은 부분이 방출되는 방향은 타겟(320B, 320C)의 위치에 따라 달라진다. 타겟(320)의 위치 또는 배향을 조절 또는 변화시킴으로써, 방사선 및/또는 입자의 최대 양이 방출되는 방향도 변경되어, 다른 대상물에 대한 방향 의존성 플럭스의 가열 효과가 최소화되거나 없어지게 한다.

또한, 플라즈마로부터 방출된 에너지의 공간적 분포는 타겟 및 광 빔(310)의 상대 위치를 변경함으로써 변경될 수 있다.

도 3d 는 광 빔(310)의 예시적인 세기 프로파일을 도시한다. 세기 프로파일(350)은 광 빔(310)의 세기를 타겟 영역(330)에서의 전파 방향에 수직인(방향 z) x-y 평면에서의 위치의 함수로서 나타낸다. 세기 프로파일은 x-y 평면에서 축(352)에 따라서 최대값(351)을 가진다. 세기는 최대값(351)의 양측에서 감소된다.

도 3e 및 도 3f 는 광 빔(310)과 상호작용하는 타겟(320E) 및 타겟(320F)을 각각 도시한다. 타겟(320E 및 320F)은 실질적으로 구형이고, 플라즈마 상태에 있을 경우 EUV 광을 방출하는 타겟 재료를 포함한다. 타겟(320E)(도 3e)은 축(352)으로부터 x 방향으로 변위된 위치(328E)에 있다. 타겟(320F)(도 3f)은 축(352)으로부터 -x 방향으로 변위된 위치(위치(328F)에 있다. 따라서, 타겟(320E 및 320F)은 축(352)의 다른 측에 있다. 타겟(320E, 320F)의 축(352)에 가장 가까운 부분(광 빔(310)의 가장 강한 부분임)은 기화되고 타겟(320E, 320F)의 잔여 부분 이전에 플라즈마로 변환된다. 타겟(320E)으로부터 생성된 플라즈마의 에너지는 축(352)에 가장 가까운 타겟(320E)의 부분으로부터 그리고 축(352)을 향하는 방향으로 주로 방출된다. 도시된 예에서, 타겟(320E)로부터 생성된 플라즈마로부터 방출되는 에너지는 주로 방향(363E)에 따라 방출되고, 타겟(320F)으로부터 생성된 플라즈마로부터 방출되는 에너지는 주로 방향(363F)에 따라 방출된다. 방향(363E, 363F)은 서로 상이하다. 이를 고려하여, 타겟과 광 빔의 상대적인 배치도 플라즈마로부터 방출된 에너지를 특정 방향으로 지향시키기 위하여 사용될 수 있다. 추가하여, 타겟(320E, 320F)이 구형인 것으로 도시되지만, 다른 형상의 타겟도 플라즈마를 광 빔(310)에 상대적인 그들의 위치에 기초하여 방향성을 가지고 방출한다.

도 3a 내지 도 3c 는 프로파일(364A-364C)을 y-z 평면에서 그리고 2차원으로 각각 도시한다. 그러나, 프로파일(364A-364C)은 3차원을 점유할 수 있고 3차원으로 소정 볼륨을 스위핑 아웃할 수 있다는 것이 고찰된다. 이와 유사하게, 타겟(320E 및 320F)으로부터 방출된 에너지는 3-차원의 볼륨을 점유할 수 있다.

도 4 는 EUV 광원을 사용하는 동안에 타겟의 위치를 제어할 수 있는 시스템(400)의 블록도이다. 도 5 는 EUV 광원을 사용하는 동안에 타겟의 위치설정을 제어하기 위한 예시적인 프로세스(500)의 흐름도이다. 도 6a 내지 도 6c 는 어떤 타겟에 대한 프로세스(500)의 일 예를 예시한다.

제어 시스템(470)은 진공 챔버(440) 내에서 생성된 플라즈마(442)의 진공 챔버(440) 내의 대상물(444)에 대한 영향을 감소 또는 제거하기 위하여 사용된다. 플라즈마(442)는 광 빔과 진공 챔버 내의 타겟 영역에 있는 타겟 재료 사이의 상호작용으로부터 생성된다. 타겟 재료는 타겟 소스로부터 진공 챔버(440) 내로 방출되고, 타겟 재료는 타겟 소스(예컨대 도 1 의 타겟 재료 공급 장치(116))로부터 궤적을 따라서 타겟 영역으로 이동한다. 대상물(444)은 플라즈마(442)에 노출되는 진공 챔버(440) 내의 임의의 대상물일 수 있다. 예를 들어, 대상물(444)은 추가 플라즈마를 생성하기 위한 다른 타겟, 진공 챔버(440) 내의 광학 요소, 및/또는 진공 챔버(440) 내에서 유동하는 유체(408)일 수 있다.

시스템(400)은 센서(448)를 더 포함하는데, 이것은 진공 챔버(440)의 내부를 관찰한다. 센서(448)는 진공 챔버(440) 내에 또는 진공 챔버(440) 밖에 위치될 수 있다. 예를 들어, 센서(448)는 진공 챔버 밖에서 진공 챔버(440)의 내부를 시각적으로 관찰하게 하는 뷰포트 윈도우에 배치될 수 있다. 센서(448)는 진공 챔버 내에서 타겟 재료의 존재를 감지할 수 있다. 일부 구현형태들에서, 시스템(400)은 광 빔을 생성하는 추가 광원 또는 타겟 재료의 궤적과 교차하는 광의 시트(sheet)를 포함한다. 광 빔의 광 또는 광의 시트는 타겟 재료에 의해서 산란되고, 센서(448)는 산란된 광을 검출한다. 산란된 광의 검출은, 진공 챔버(440) 내에서의 타겟 재료의 위치를 결정 또는 추정하기 위해서 사용될 수 있다. 예를 들어, 산란된 광이 검출된다는 것은 광 빔 또는 광 시트가 기대된 타겟 재료 궤적과 교차하는 위치에 타겟 재료가 있다는 것을 나타낸다. 추가적으로 또는 대안적으로, 센서(448)는 광 시트 또는 광 빔을 검출하도록 위치설정될 수 있고, 타겟 재료에 의하여 광 시트 또는 광 빔이 일시적으로 차단되는 것이 타겟 재료가 광 빔 또는 광 시트가 기대된 타겟 재료 궤적과 교차하는 위치에 있다는 표시로서 사용될 수 있다.

센서(448)는 카메라, 광검출기, 또는 타겟 재료의 궤적과 교차하는 광 빔 또는 광 시트 내의 파장에 감응하는 다른 타입의 광 센서들일 수 있다. 센서(448)는 진공 챔버(440)의 내부의 표현(예를 들어, 산란된 광의 검출을 나타내는 표현 또는 차단되고 있는 광의 표시)을 생성하고, 및 이러한 표현을 제어 시스템(470)에 제공한다. 이러한 표현으로부터, 제어 시스템(470)은 진공 챔버(440) 내의 타겟 재료의 위치를 결정 또는 추정하고, 타겟 재료가 진공 챔버(440)의 어떤 부분에 있다고 선언할 수 있다. 광 빔 또는 광 시트가 기대된 타겟 재료 궤적과 교차하는 위치는 이러한 궤적의 임의의 부분일 수 있다. 더 나아가, 일부 구현형태들에서, 타겟 재료가 진공 챔버(440)의 특정 부분에 있다고 결정하기 위한 다른 기법이 사용될 수 있다.

시스템(400)은 진공 챔버(440)에 하나 이상의 광 빔을 제공하기 위한 광-생성 모듈(480)과 통신하는 제어 시스템(470)을 포함한다. 도시된 예에서, 광 생성 모듈(480)은 제 1 광 빔(410a) 및 제 2 광 빔(410b)을 진공 챔버(440)로 제공한다. 다른 예들에서, 광 생성 모듈(480)은 더 많거나 더 적은 광 빔을 제공할 수 있다.

제어 시스템(470)은 광-생성 모듈(480)로부터 방출된 광의 펄스의 타이밍 및/또는 전파 방향을 제어하여, 진공 챔버(440) 내에서의 타겟의 위치설정이 타겟마다 변경될 수 있게 한다. 제어 시스템(470)은 진공 챔버(440)의 내부의 표현을 센서(448)로부터 수신한다. 이러한 표현으로부터, 제어 시스템(470)은 타겟 재료가 진공 챔버(440) 내에 존재하는지 여부 및/또는 진공 챔버(440) 내의 타겟 재료의 위치를 결정할 수 있다. 예를 들어, 제어 시스템(470)은 타겟 재료가 진공 챔버(440)의 특정 위치에 있다고 또는 진공 챔버(440) 내의 특정 위치에 있다고 결정할 수 있다. 타겟 재료가 진공 챔버(440) 내에 또는 진공 챔버(440) 내의 특정 위치에 있다고 결정되면, 타겟 재료는 검출된 것으로 간주될 수 있다. 제어 시스템(470)은 타겟 재료의 검출에 기초하여 광-생성 모듈(480)로부터 펄스가 방출되게 할 수 있다. 타겟 재료의 검출은 광-생성 모듈(480)로부터의 펄스의 방출 울 타이밍하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 펄스의 방출은 진공 챔버(470)의 특정 부분 내에서 타겟 재료를 검출하는 것에 기초하여 지연되거나 앞당겨질 수 있다. 다른 예에서, 펄스의 전파 방향은 타겟 재료의 검출에 기초하여 결정될 수 있다.

제어 시스템(470)은 광 빔 제어 모듈(471), 유동 제어 모듈(472), 전자식 저장부(473), 전자식 프로세서(474), 및 입력/출력 인터페이스(475)를 포함한다. 전자식 프로세서(474)는 범용 또는 특수 목적 마이크로프로세서, 및 임의의 종류의 디지털 컴퓨터의 임의의 하나 이상의 프로세서와 같이 컴퓨터 프로그램을 실행하기에 적합한 하나 이상의 프로세서를 포함한다. 일반적으로, 전자식 프로세서는 판독-전용 메모리 또는 랜덤 액세스 메모리로부터 명령 및 데이터를 수신한다. 전자식 프로세서(474)는 임의의 타입의 전자식 프로세서일 수 있다.

전자식 저장부(473)는 RAM과 같은 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리일 수 있다. 몇 가지 구현형태들에서, 전자식 저장부(473)는 비-휘발성 및 휘발성 부분 또는 컴포넌트를 포함할 수 있다. 전자식 저장부(473)는 제어 시스템(470) 및/또는 제어 시스템(470)의 컴포넌트의 동작 중에 사용되는 데이터 및 정보를 저장할 수 있다. 예를 들어, 전자식 저장부(473)는, 제 1 및 제 2 빔(410a, 410b)이 언제 진공 챔버(440) 내의 특정한 위치로 전파될 것으로 기대되는지를 특정하는 타이밍 정보, 제 1 및/또는 제 2 빔(410a, 410b)의 펄스 반복률(제 1 및/또는 제 2 빔(410a, 410b)이 펄스형 광 빔인 구현형태에서), 및/또는 타겟의 근방(예를 들어 타겟 영역(330)과 같은 타겟 영역 내)에서의 제 1 및 제 2 빔(410a, 410b)의 전파 방향을 특정하는 정보를 저장할 수 있다.

전자식 저장부(473)는 또한, 실행되면 프로세서(474)가 제어 시스템(470), 광-생성 모듈(480), 및/또는 진공 챔버(440)에 있는 컴포넌트와 통신하도록 하는, 아마도 컴퓨터 프로그램 형태인 명령을 저장할 수 있다. 예를 들어, 이러한 명령은 전자식 프로세서(474)가 전자식 저장부(473)에 저장된 타이밍 정보에 의해 특정된 특정한 시간에 트리거 신호를 광 생성 모듈(480)에 제공하게 하는 명령일 수 있다. 트리거 신호는 광 생성 모듈(480)이 광의 빔을 방출하게 할 수 있다. 전자식 저장부(473)에 저장된 타이밍 정보는 센서(448)로부터 수신된 정보에 기초할 수 있고, 또는 타이밍 정보는 제어 시스템(470)이 처음에 서비스되도록 배치될 때 전자식 저장부(473)에 저장되거나 인간 운영자의 작업으로 저장된 미리 결정된 타이밍 정보일 수도 있다.

I/O 인터페이스(475)는, 제어 시스템(470)이 데이터 및 신호를 오퍼레이터, 광-생성 모듈(480), 진공 챔버(440), 및/또는 다른 전자 디바이스에서 실행되는 자동화된 프로세스로부터 수신 및/또는 이들로 제공하게 하는 임의의 종류의 전자 인터페이스이다. 예를 들어, I/O 인터페이스(475)는 시각적 디스플레이, 키보드, 또는 통신 인터페이스 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

광 빔 제어 모듈(471)은 광-생성 모듈(480), 전자식 저장부(473), 및/또는 전자식 프로세서(474)와 통신하여 광의 펄스를 진공 챔버(440)로 지향시킨다.

광 생성 모듈(480)은, 적어도 일부가 타겟 재료를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가지는 펄스형 광 빔을 생성할 수 있는 임의의 디바이스 또는 광학 소스이다. 또한, 광-생성 모듈(480)은 반드시 타겟 재료를 플라즈마로 변환시키는 것은 아닌 다른 광 빔, 예컨대 초기 타겟을 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환시키는 타겟으로 성형, 위치설정, 배향, 확장, 또는 그렇지 않으면 조절하기 위하여 사용되는 광 빔을 생성할 수 있다.

도 4 의 예에서, 광-생성 모듈(480)은 제 1 및 제 2 광 빔(410a, 410b)을 각각 생성하는 두 개의 광학 서브시스템(481a, 481b)을 포함한다. 도 4 의 예에서, 제 1 광 빔(410a)은 실선으로 표시되고 제 2 광 빔(410b)은 쇄선으로 표현된다. 광학 서브시스템(481a, 481b)은, 예를 들어 두 개의 레이저일 수 있다. 예를 들어, 광학 서브시스템(481a, 481b)은 두 개의 이산화탄소(CO₂) 레이저일 수 있다. 그러나, 다른 구현형태들에서, 광학 서브시스템(481a, 481b)은 상이한 타입의 레이저일 수 있다. 예를 들어, 광학 서브시스템(481a)은 고상 레이저일 수 있고, 광학 서브시스템(481b)은 CO₂ 레이저일 수 있다. 제 1 및 제 2 광 빔(410a, 410b) 중 어느 하나 또는 양쪽 모두는 펄스형일 수 있다.

제 1 및 제 2 광 빔(481a, 481b)은 상이한 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 광학 서브시스템(481a, 481b)이 두 개의 CO₂ 레이저를 포함하는 구현형태에서, 제 1 광 빔(410a)의 파장은 약 10.26 마이크로미터(μm)이고 제 2 광 빔(410b)의 파장은 10.18 μm와 10.26 μm 사이일 수 있다. 제 2 광 빔(410b)의 파장은 약 10.59 μm일 수 있다. 이러한 구현형태에서, 광 빔(410a, 410b)은 CO₂ 레이저의 상이한 라인에서 생성되고, 양자 모두의 빔이 동일한 타입의 소스로부터 생성되더라도 결과적으로 상이한 파장을 가지는 광 빔(410a, 410b)이 된다. 광 빔(410a, 410b)은 상이한 에너지를 가질 수도 있다.

광-생성 모듈(480)은 빔 결합기(482)도 포함하는데, 이것은 제 1 및 제 2 빔(410a, 410b)을 빔 경로(484) 상에 지향시킨다. 빔 결합기(482)는 제 1 및 제 2 빔(410a, 410b)을 빔 경로(484) 상으로 지향시킬 수 있는 임의의 광학 요소 또는 광학 요소의 콜렉션일 수 있다. 예를 들어, 빔 결합기(482)는 미러의 콜렉션일 수 있는데, 이들 중 일부는 제 1 빔(410a)을 빔 경로(484) 상으로 지향시키도록 위치되고, 나머지는 제 2 빔(410b)을 빔 경로(484) 상으로 지향시키도록 위치된다. 광-생성 모듈(480)은 전치-증폭기(483)도 포함할 수 있는데, 이것은 제 1 및 제 2 빔(410a, 410b)을 광-생성 모듈(480) 내에서 증폭한다.

제 1 및 제 2 빔(410a, 410b)은 경로(484) 상에서 상이한 시간에 전파될 수 있다. 도 4 에 도시되는 예에서, 제 1 및 제 2 빔(410a, 410b)은 광-생성 모듈(480) 내에서 경로(484)를 따라가고, 양자 모두의 빔(410a, 410b)은 실질적으로 광학적 증폭기(483)에 걸쳐 동일한 공간적 영역을 트래버스한다. 다른 예들에서, 빔(410a 및 410b)은 두 개의 상이한 광학적 증폭기를 통과하는 것을 포함하여, 상이한 경로에 따라 이동할 수 있다.

제 1 및 제 2 광 빔(410a, 410b)은 진공 챔버(440)로 지향된다. 제 1 및 제 2 빔(410a, 410b)은, 제 1 빔(410a)은 초기 타겟 영역을 향해 지향되고, 제 2 빔(410b)은 초기 타겟 영역(예컨대, 도 1 의 타겟 영역(130))을 향해 지향되도록 빔 전달 시스템(485)에 의해 각도가 디스버스된다(angularly disbursed). 초기 타겟 영역은 제 1 광 빔(410a) 및 제 1 광 빔(410a)에 의해 조절되는 초기 타겟 재료를 수용하는 진공 챔버(440) 내의 공간의 볼륨이다. 타겟 영역은 제 2 광 빔(410b) 및 플라즈마로 변환되는 타겟을 수용하는 진공 챔버(440) 내의 공간의 볼륨이다. 초기 타겟 영역 및 타겟 영역은 진공 챔버(440) 내의 상이한 위치에 있다. 예를 들어, 그리고 도 1 을 참조하면, 초기 타겟 영역은, 초기 타겟 영역이 타겟 영역(130)과 타겟 재료 서플라이(116) 사이에 있도록 타겟 영역(130)에 상대적으로 -y 방향으로 변위될 수 있다. 초기 타겟 영역 및 타겟 영역은 부분적으로 공간적으로 중첩할 수 있고, 또는 초기 타겟 영역 및 타겟 영역은 중첩되지 않고 공간적으로 떨어져 있을 수 있다. 도 14 는 진공 챔버 내에서 서로로부터 변위되는 제 1 및 제 2 광 빔의 일 예를 포함한다. 일부 구현형태들에서, 빔 전달 시스템(485)은 또한, 제 1 및 제 2 빔(410a, 410b)을 초기 및 수정된 타겟 영역 각각 내에 또는 그와 가까운 위치로 집광시킨다.

다른 구현형태들에서, 광-생성 모듈(480)은 제 1 및 제 2 광 빔(410a, 410b) 양자 모두를 생성하는 단일 광학 서브시스템을 포함한다. 이러한 구현형태에서, 제 1 및 제 2 광 빔(410a, 410b)은 동일한 광학 소스 또는 디바이스에 의하여 생성된다. 그러나, 제 1 및 제 2 광 빔(410a, 410b)은 동일한 파장 또는 상이한 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 단일 광학 서브시스템은 이산화탄소(CO₂) 레이저일 수 있다, 제 1 및 제 2 광 빔(410a, 410b)은 CO₂ 레이저의 상이한 광선에 의해 생성될 수 있고 상이한 파장일 수 있다.

일부 구현형태들에서, 광-생성 모듈(480)은 제 1 광 빔(410a)을 방출하지 않고, 초기 타겟 영역이 존재하지 않는다. 이러한 구현형태에서, 타겟은 제 1 광 빔(410a)에 의해서 미리 조절되지 않고 타겟 영역 내에 수용된다. 이러한 구현형태의 일 예가 도 17 에 도시된다.

유체(408)가 진공 챔버(440) 내에서 흐를 수 있다. 제어 시스템(470)은 진공 챔버(440) 내에서의 유체(408)의 유동도 제어할 수 있다. 예를 들어, 유체(408)는 수소 및/또는 다른 기체일 수 있다. 유체(408)는 대상물(444)(또는 진공 챔버(440) 내의 다수의 대상물이 플라즈마(442)의 영향으로부터 보호되어야 하는 경우에는 대상물(444) 중 하나)일 수 있다. 이러한 구현형태에서, 제어 시스템(470)은 유동 제어 모듈(472)을 더 포함할 수 있는데, 이것은 유체(408)의 유동 구성을 제어한다. 유동 제어 모듈(472)은, 예를 들어 유체(408)의 유량 및/또는 유동 방향을 설정할 수 있다.

광 빔 제어 모듈(471)은 광 생성 모듈(480)을 제어하고 제 1 광 빔(410a)이 언제 광-생성 모듈(480)로부터 방출되는지(및, 따라서 언제 제 1 광 빔(410a)이 초기 타겟 영역 및 타겟 영역에 도달하는지)를 결정한다. 광 빔 제어 모듈(471)은 제 1 광 빔(410a)의 전파 방향도 결정할 수 있다. 제 1 광 빔(410a)의 타이밍 및/또는 방향을 제어함으로써, 광 빔 제어 모듈(471)은 타겟의 위치 및 입자 및/또는 방사선이 주로 방출되는 방향도 제어할 수 있다.

도 5 및 도 6a 내지 도 6c 는 선-펄스, 타겟 재료를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환하는 방사선의 펄스 이전에 타겟에 도달하는 광의 펄스를 이용하여 타겟을 위치설정하기 위한 기법에 대해 논의한다.

도 5 를 참조하면, EUV 광을 생성하기 위한 예시적인 프로세스(500)의 흐름도가 도시된다. 프로세스(500)는, 타겟(예컨대 도 1 의 타겟(120), 도 2a 의 타겟(220), 또는 도 3a 및 도 3b 의 타겟(320))을 틸팅하기 위해서도 사용될 수 있다. 타겟이 타겟 영역(130)에 제공된다(510). 타겟은 제 1 방향을 따라 제 1 정도를 가지고 제 2 방향을 따라 제 2 정도를 가진다. 타겟은 플라즈마로 변환될 경우 EUV 광을 방출하는 타겟 재료를 포함한다. 증폭된 광 빔은 타겟 영역을 향해 지향된다(520).

도 6a 내지 도 6c 는 프로세스(500)의 일 예를 도시한다. 후술되는 바와 같이, 타겟(620)이 타겟 영역(630)(도 6c)에 제공되고, 증폭된 광 빔(610)이 타겟 영역(630)을 향해 지향된다.

도 6a 및 도 6b 를 참조하면, 예시적인 파형(602)은 초기 타겟(618)을 타겟(620)으로 변환한다. 초기 타겟(618) 및 타겟(620)은 증폭된 광 빔(610)에 의한 조사를 통하여 플라즈마로 변환될 경우 EUV 광(660)을 방출하는 타겟 재료를 포함한다(도 6c). 아래의 논의는 초기 타겟(618)이 용융된 금속으로 이루어진 액적인 일 예를 제공한다. 예를 들어, 초기 타겟(618)은 실질적으로 구형이고 30-35 μm의 직경을 가질 수 있다. 그러나, 초기 타겟(618)은 다른 형태를 가질 수 있다.

도 6a 및 도 6c 는 초기 타겟(618)이 타겟(620)으로 물리적으로 변환되고 EUV 광(660)을 방출하는 시간 기간(601)을 도시한다. 초기 타겟(618)은 파형(602)에 따라 시간 상 전달되는 방사선과의 상호작용을 통해 변환된다. 도 6b 는 도 6a 의 시간 기간(601)에 걸친, 시간의 함수로서의 파형(602) 내의 에너지의 그래프이다. 초기 타겟(618)과 비교하면, 타겟(620)은 z 방향에서 더 작은 치수를 가지는 측면 단면을 가진다. 또한, 타겟(620)은 z 방향(타겟(620)의 적어도 일부를 플라즈마로 변환시키는 증폭된 빔(610)의 전파 방향(612))에 상대적으로 틸팅된다.

파형(602)은 방사선(606)의 펄스(선-펄스(606))의 표현을 포함한다. 선-펄스(606)는, 예를 들어 제 1 광 빔(410a)(도 4)의 펄스일 수 있다. 선-펄스(606)는 초기 타겟(618)에 작용하는 충분한 에너지를 가지는 임의의 타입의 펄스형 방사선일 수 있지만, 선-펄스(606)는 타겟 재료의 상당량을 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환시키지 않는다. 제 1 선-펄스(606)와 초기 타겟(618)의 상호작용은 초기 타겟(618)을 원반에 더 가까운 형상으로 변형시킬 수 있다. 약 1-3 마이크로초(μs) 이후에, 이렇게 변형된 형상은 용해된 금속의 원반형 조각 또는 형태로 확장된다. 증폭된 광 빔(610)은 메인 빔 또는 메인 펄스라고 지칭될 수 있다. 증폭된 광 빔(610)은 타겟(620) 내의 타겟 재료를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가진다.

선-펄스(606) 및 증폭된 광 빔(610)은 지연 시간(611)에 의하여 시간 상 변리되고, 증폭된 광 빔(610)은 선-펄스(606) 이후인 시간 t₂에 발생한다. 선-펄스(606)는 t=t₁에서 발생하고 펄스 지속기간(615)을 가진다. 펄스 지속기간(615)은 최대값의 절반인 전체 폭, 즉, 펄스가 펄스의 최대 세기의 적어도 절반인 세기를 가지는 시간량에 의하여 표현될 수 있다. 그러나, 다른 메트릭이 펄스 지속기간(615)을 결정하기 위하여 사용될 수 있다.

타겟(620)을 타겟 영역(630)에 제공하는 기법을 논의하기 이전에, 선-펄스(606)를 포함하는 방사선의 펄스와 초기 타겟(618)의 상호작용에 대한 논의가 제공된다.

레이저 펄스가 금속성 타겟 재료 액적에 충돌(타격)하면, 펄스의 앞선 에지(leading edge)는 반사성 금속인 액적의 표면을 바라보게 된다(표면과 상호작용한다). 펄스의 선행 에지는 펄스의 임의의 다른 부분 이전에 타겟 재료와 가장 먼저 상호작용하는 펄스의 부분이다. 초기 타겟(618)은 펄스의 선행 에지 내의 대부분의 에너지를 반사하고, 거의 흡수하지 않는다. 광의 흡수되는 작은 양이 액적의 표면을 가열시켜, 표면을 기화시키고 삭마한다. 액적의 표면으로부터 기화되는 타겟 재료는 전자 및 이온의 클라우드를 표면에 가까이 형성한다. 방사선의 펄스가 계속하여 타겟 재료 액적에 충돌하면, 레이저 펄스의 전기장이 클라우드 내의 전자들이 이동하게 할 수 있다. 이동하는 전자들은 인접한 이온과 충돌하여, 클라우드 내의 전자와 이온의 밀도들의 곱에 대략적으로 비례하는 속도로 운동 에너지의 전달을 통해 이온들을 가열한다. 이온에 충돌하는 이동하는 전자와 이온의 가열의 조합을 통하여, 클라우드는 펄스를 흡수한다.

클라우드가 레이저 펄스의 나중 부분들에 노출됨에 따라, 클라우드 내의 전자들은 계속하여 이동하고 이온들과 충돌하며, 클라우드 내의 이온들은 계속하여 가열된다. 전자들은 타겟 재료 액적(또는 클라우드 아래에 있는 벌크 재료)의 표면에 열을 확산시키고 표면에 열을 전달하여, 타겟 재료 액적의 표면을 더욱 기화시킨다. 클라우드 내의 전자 밀도는 타겟 재료 액적의 표면에 최근접한 클라우드의 부분에서 증가한다. 클라우드는 전자의 밀도가 증가하여 클라우드의 부분이 레이저 펄스를 흡수하는 대신에 반사하는 정도까지 증가하는 포인트에 도달할 수 있다.

도 6c 를 다시 참조하면, 초기 타겟(618)이 초기 타겟 영역(631)에 제공된다. 초기 타겟(618)은, 예를 들어 타겟 재료 공급 장치(116)(도 1)로부터 타겟 재료를 방출함으로써 초기 타겟 영역(631)에 제공될 수 있다. 도시된 예에서, 선-펄스(606)는 초기 타겟(618)에 충돌하고, 초기 타겟(618)을 변환시키며, 변환된 초기 타겟이 시간이 지남에 따라서 타겟 영역(630)으로 흘러 들어가거나 이동한다.

초기 타겟(618)에 가해진 선-펄스(606)의 힘이 초기 타겟(618)을 타겟 재료의 기하학적 분포(652)로 물리적으로 변환되도록 한다. 기하학적 분포(652)는 이온화되지 않는 재료(플라즈마가 아닌 재료)를 포함할 수 있다. 기하학적 분포(652)는, 예를 들어 액체 또는 용융된 금속의 원반, 보이드 또는 큰 갭을 가지지 않는 타겟 재료의 연속 세그먼트, 마이크로- 또는 나노입자의 미스트, 또는 원자 증기의 클라우드일 수 있다. 기하학적 분포(652)는 지연 시간(611) 동안에 더욱 확장되고, 타겟(620)에 맞게 된다. 초기 타겟(618)을 확산시키는 것은 3 개의 효과를 가진다.

첫째로, 초기 타겟(618)과 비교할 때, 선-펄스(606)와의 상호작용에 의하여 생성된 타겟(620)은, 방사선(증폭된 광 빔(610)과 같은)의 도달하는 펄스에 더 넓은 면적을 제공하는 형상을 가진다. 타겟(620)은 초기 타겟(618)의 y 방향에서의 단면 직경보다 더 큰 y 방향에서의 단면 직경을 가진다. 추가적으로, 타겟(620)은 초기 타겟(618)보다 타겟(620)에서의 증폭된 광 빔(610)의 전파 방향(612 또는 z)에서 더 얇은 두께를 가질 수 있다. 방향 z에서 타겟(620)이 상대적으로 얇기 때문에 증폭된 광 빔(610)이 타겟(618)인 타겟 재료를 더 많이 조사하게 한다.

둘째로, 초기 타겟(618)을 공간적으로 확산시킴으로써 증폭된 광 빔(610)에 의하여 플라즈마를 가열하는 동안에 과도하게 높은 재료 밀도의 영역이 발생하는 것을 최소화하거나 감소시킬 수 있다. 과도하게 높은 재료 밀도를 가지는 이러한 영역은 생성된 EUV 광을 차단할 수 있다. 플라즈마 밀도가 레이저 펄스로 조사되는 영역의 전체에 걸쳐 높다면, 레이저 펄스의 흡수는 레이저 펄스를 가장 먼저 수광하는 영역의 일부에서만 이루어진다. 이러한 흡수에 의하여 생성되는 열은, 증폭된 광 빔(610)의 유한한 지속기간 동안에 벌크 타겟 재료의 의미있는 양을 이용(예를 들어, 기화 및/또는 이온화)하기에 충분히 긴 타겟 재료 표면을 증발 및 가열하는 프로세스를 유지하기에는 벌크 타겟 재료로부터 너무 멀 수도 있다.

이러한 영역이 높은 전자 밀도를 가지는 인스턴스에서, 광 펄스는, 전자 밀도가 너무 높아서 광 펄스가 반사되는 "임계 표면"에 도달하기 이전에, 해당 영역 내로의 경로의 일부만을 통과한다. 광 펄스는 영역의 그러한 부분 내로 진행할 수 없고, EUV 광은 그러한 영역 내의 타겟 재료로부터는 거의 생성되지 않는다. 높은 플라즈마 밀도의 면적은 또한, EUV 광을 방출하는 영역의 부분들로부터 방출되는 EUV 광을 차단할 수 있다. 결과적으로, 영역으로부터 방출된 EUV 광의 총량은 해당 영역에 높은 플라즈마 밀도의 부분들이 없었다면 방출되었을 양보다 더 적다. 이를 고려하여, 초기 타겟(618)을 타겟(620)의 더 큰 볼륨으로 확장시킨다는 것은, 입사 광 빔이 반사되기 이전에 타겟(620)의 더 많은 부분들에 도달한다는 것을 의미한다. 이것은 생성된 EUV 광의 양을 증가시킬 수 있다.

셋째로, 선-펄스(606)와 초기 타겟(618)의) 상호작용은 타겟(620)이 증폭된 광 빔(610)의 전파 방향(612)에 대하여 각도(627)로 틸팅된 타겟 영역(630)에 도달하게 한다. 초기 타겟(618)은 질량 중심(619)을 가지고, 선-펄스(606)는 초기 타겟(618)에 충돌하여 선-펄스(606)의 대부분의 에너지가 질량 중심(619)의 일측에 속하게 한다. 선-펄스(606)는 초기 타겟(618)에 힘을 인가하고, 이러한 힘이 질량 중심(619)의 일측에 가해지기 때문에, 초기 타겟(618)은 선-펄스(606)가 질량 중심(619)에서 초기 타겟(618)에 충돌했다면 확장했을 축들과 상이한 축들의 세트를 따라 확장된다. 초기 타겟(618)은 선-펄스(606)에 의하여 충돌된 방향에서는 평평해진다. 따라서, 초기 타겟(618)을 중심 밖으로 또는 질량 중심(619)으로부터 멀어지게 충돌하면 틸트가 생긴다. 예를 들어, 선-펄스(606)가 질량 중심(619)으로부터 멀어지게 초기 타겟(618)과 상호작용하는 경우, 초기 타겟(618)은 y 축을 따라 확장하지 않고 대신에 축 y'을 따라 확장하는데, 이것은 타겟 영역(630)을 향해 이동하는 동안 y 축에 상대적으로 각도(641)만큼 틸팅된다. 따라서, 해당 시간 기간이 경과된 이후에, 초기 타겟(618)은 타겟(620)으로 변환되는데, 이것은 확장된 볼륨을 점유하고, 증폭된 광 빔(610)의 전파 방향(612)에 대하여 각도(627)만큼 틸팅된다.

도 6c 는 타겟(620)의 측면 단면도를 도시한다. 타겟(620)은 방향(621)을 따라 치수(622) 및 방향(621)에 직교하는 방향(623)을 따라 치수(624)를 가진다. 치수(624)는 치수(622)보다 더 크고, 치수(624)는 증폭된 광 빔(610)의 전파 방향(612)과 각도(627)를 이룬다. 타겟(620)은 타겟(620)의 부분이 증폭된 광 빔(610)의 초점면에 있도록 배치될 수 있고, 또는 타겟(620)은 초점면으로부터 멀어지게 배치될 수 있다. 몇 가지 구현형태들에서, 증폭된 광 빔(610)은 가우시안 빔으로서 근사화될 수 있고, 타겟(620)은 증폭된 광 빔(610)의 초점 심도 밖에 배치될 수 있다.

도 6c 에 도시되는 예에서, 선-펄스(606) 대부분의 세기가 질량 중심(619) 상에서(-y 방향의 오프셋) 초기 타겟(618)에 충돌하여, 초기 타겟(618) 내의 타겟 재료가 y' 축을 따라 확장되게 한다. 그러나, 다른 예들에서, 선-펄스(606)는 질량 중심(619) 아래에(y 방향의 오프셋) 인가되어, 타겟(620)이 y' 축과 비교할 때 반시계방향인 축(미도시)을 따라 확장되게 한다. 도 6c 에 도시되는 예에서, 초기 타겟(618)은 y 방향을 따라 이동하면서 초기 타겟 영역(631)을 통과해서 흘러간다. 따라서, 선-펄스(606)가 입사하는 초기 타겟(618)의 부분은 선-펄스(606)의 타이밍으로써 제어될 수 있다. 예를 들어, 선-펄스(606)를 도 6c 에 도시되는 예보다 더 일찍 방출하면(즉, 도 6b 의 지연 시간(611)을 증가시키면), 선-펄스(606)가 초기 타겟(618)의 더 아래 부분에 충돌하게 된다.

선-펄스(606)는 타겟(620)을 형성하도록 초기 타겟(618) 상에 작용할 수 있는 임의의 타입의 방사선일 수 있다. 예를 들어, 선-펄스(606)는 레이저에 의하여 생성된 펄스형 광 빔일 수 있다. 선-펄스(606)는 1-10 μm의 파장을 가질 수 있다. 선-펄스(606)의 지속기간(612)은, 예를 들어 20 내지 70 나노초(ns), 1 ns 미만, 300 피코초(ps), 100 내지 300 ps 사이, 10 내지 50ps 사이, 또는 10 내지 100 ps 사이일 수 있다. 선-펄스(606)의 에너지는, 예를 들어 15-60 밀리줄(mJ), 90-110 mJ, 또는 20-125 mJ일 수 있다. 선-펄스(606)가 1 ns 이하의 지속기간을 가지는 경우, 선-펄스(606)의 에너지는 2 mJ일 수 있다. 지연 시간(611)은, 예를 들어 1 내지 3 마이크로초(μs)일 수 있다.

타겟(620)은, 예를 들어 200-600 μm, 250-500 μm, 또는 300-350 μm의 직경을 가질 수 있다. 초기 타겟(618)은, 예를 들어 초당 70-120 미터(m/s)의 속도로 초기 타겟 영역(631)을 향해 이동할 수 있다. 초기 타겟(618)은 70 m/s 또는 80 m/s의 속도로 이동할 수 있다. 타겟(620)은 초기 타겟(610)보다 더 높거나 낮은 속도로 이동할 수 있다. 예를 들어, 타겟(620)은 초기 타겟(610)보다 20 m/s 더 빠르거나 느린 속도로 타겟 영역(630)을 향해 이동할 수 있다. 일부 구현형태들에서, 타겟(620)은 초기 타겟(610)과 동일한 속도로 이동한다. 타겟(620)의 속도에 영향을 주는 인자에는 타겟(620)의 크기, 형상, 및/또는 각도가 있다. 타겟 영역(630)에서의 광 빔(610)의 y 방향의 폭은 200-600 μm일 수 있다. 일부 구현형태들에서, 광 빔(610)의 y 방향의 폭은 타겟(620)의 타겟 영역(630)에서의 y 방향의 폭과 거의 같다.

비록 파형(602)이 시간의 함수인 단일 파형으로서 도시되지만, 파형(602)의 다양한 부분들이 그 외의 소스에 의하여 생성될 수 있다. 더욱이, 비록 선-펄스(606)가 방향(612)으로 전파되는 것으로 도시되지만, 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 선-펄스(606)는 다른 방향으로 전파되고, 여전히 초기 타겟(618)을 틸팅되게 할 수 있다. 예를 들어, 선-펄스(606)는 z 방향에 상대적인 각도(627)에 있는 방향으로 전파될 수 있다. 선-펄스(606)가 이러한 방향으로 진행하고 질량 중심(619)에서 초기 타겟(618)에 충돌하면, 초기 타겟(618)은 y' 축을 따라 확장되고 틸팅된다. 따라서, 몇 가지 구현형태들에서, 초기 타겟(618)은, 초기 타겟(618)을 질량 중심에서 또는 질량 중심(619)에서 충격함으로써 증폭된 광 빔(610)의 전파 방향에 상대적으로 틸팅될 수 있다. 초기 타겟(618)을 이러한 방식으로 충격하면, 선-펄스(606) 전파가 전파되는 방향에 수직인 방향을 따라 초기 타겟(618)을 평평해지거나 확장되게 하여, 초기 타겟(618)을 z 축에 상대적으로 각지게 하거나 틸팅되게 한다. 추가적으로, 다른 예들에서, 선-펄스(606)는 다른 방향으로(예를 들어, 도 6c 의 지면 밖으로 나오도록 그리고 x 축과 나란하도록) 전파되고 초기 타겟(618)이 z 축에 상대적으로 평평해지고 틸팅되게 할 수 있다.

위에서 논의된 바와 같이, 초기 타겟(618)에 선-펄스(606)가 충돌하면 초기 타겟(618)이 변형된다. 초기 타겟(618)이 용융된 금속의 액적인 구현형태에서, 충돌이 일어나면 초기 타겟(618)이 원반과 유사한 형상으로 변환되고, 원반은 지연 시간(611) 동안에 타겟(620) 내로 확장된다. 타겟(620)은 타겟 영역(630)에 도달한다.

비록 도 6c 는 초기 타겟(618)이 지연(611) 동안에 타겟(620) 내로 확장되는 구현형태를 예시하지만, 다른 구현형태들에서, 타겟(620)은 선-펄스(606) 및 초기 타겟(618)의 공간적 위치를 서로에 상대적으로 조절하여, 선-펄스(606)의 전파 방향에 직교하는 방향을 따라 반드시 지연(611)을 사용할 필요가 없이 틸팅되고 확장된다. 이러한 구현형태에서, 선-펄스(606) 및 초기 타겟(618)의 공간적 위치는 서로에 상대적으로 조절된다. 이러한 공간적 오프셋 때문에, 선-펄스(606)와 초기 타겟(618) 사이의 상호작용이, 초기 타겟(618)을 선-펄스(606)의 전파 방향에 직교하는 방향으로 틸팅하게 한다. 예를 들어, 선-펄스(606)는 도 6c 의 지면을 향해 전파되고 증폭된 광 빔(610)의 전파 방향에 상대적으로 초기 타겟(618)을 확장시키고 틸팅시킬 수 있다.

도 8 은 액적의 스트림 내에서의 적어도 두 개의 타겟의 위치가 달라지게 하는 일 예에 대하여 논의한다. 도 8 로 돌아가기 전에, 도 7a 및 도 7b 는 타겟의 위치가 시간이 지나도 동일하게 유지되는 시스템의 일 예를 제공한다(즉, 타겟 영역 내에 도달하는 각각의 타겟은 진공 챔버 내에서 실질적으로 동일한 배향 및/또는 위치를 가짐).

도 7a 및 도 7b 를 참조하면, 예시적인 진공 챔버(740)의 내부가 두 시점에서 도시된다. 도 7a 및 도 7b 의 예는, 타겟 영역에 진입하는 타겟의 위치가 제어 시스템(470)에 의하여 시간이 흐름에 따라 변경되거나 변하지 않는 경우, 플라즈마와 연관된 입자 및/또는 방사선의 방향 의존성 플럭스가 진공 챔버(740) 내의 대상물에 미치는 영향을 예시한다. 도 7a 및 도 7b 의 예에서, 대상물은 스트림(722) 내의 유체(708) 및 타겟(720)이다.

유체(708)는 타겟 영역(730)과 광학 요소(755) 사이에 있고 광학 요소(755)를 플라즈마로부터 보호하는 버퍼로서의 역할을 하도록 의도된다. 유체(708)는 예를 들어 수소와 같은 기체일 수 있다. 유체(708)는 유체 전달 시스템(704)에 의하여 진공 챔버(740) 내로 도입될 수 있다. 유체(708)는 유체(708)의 의도된 특성을 기술하는 유동 구성을 가진다. 유동 구성은 유체(708)가 광학 요소(755)를 보호하도록 의도적으로 선택된다. 유동 구성은, 예를 들어 유체(708)의 유량, 유동 방향, 유동 위치, 및/또는 압력 또는 밀도에 의하여 규정될 수 있다. 도 7a 의 예에서, 유동 구성에 의하여 타겟 영역(730)과 광학 요소(755) 사이의 영역을 통과해서 흐르고 타겟 영역(730)과 광학 요소(755) 사이에서 가스의 균일한 볼륨을 형성하는 유체(708)가 생긴다. 유체(708)는 임의의 방향으로 흐를 수 있다. 도 7a 의 예에서, 유체(708)는 유동 구성에 기초하여 y 방향으로 흐른다.

또한 도 7b 를 참조하면, 타겟(720)과 광 빔(710) 사이의 상호작용에 의하여 입자 및/또는 방사선의 방향 의존성 플럭스가 생성된다. 입자 및/또는 방사선의 분포는 프로파일(764)에 의하여 표현된다(도 7b). 분포 프로파일(764)은 타겟 영역(730) 내에서 플라즈마로 변환되는 각각의 타겟(720)에 대하여 실질적으로 동일한 형상 및 위치이다. 플라즈마로부터 방출된 입자 및/또는 방사선은 유체(708)에 진입하고, 유동 구성이 변하게 할 수 있다. 이러한 변화에 의하여 광학 요소(755)에 손상이 생기거나 및/또는 궤적(723)이 변할 수 있다.

예를 들어, 위에서 논의된 바와 같이, 입자 및/또는 방사선의 방향 의존성 플럭스는 주로, 도 7a 및 도 7b 의 예의 경우 타겟 영역(730)에 진입하는 모든 타겟에 대하여 일정한, 타겟(720)의 위치에 의하여 결정되는 방향으로 주로 방출되는 고-에너지 이온을 포함할 수 있다. 플라즈마로부터 방출되는 고-에너지 이온은 유체(708) 내에서 이동하고, 광학 요소(755)에 도달하기 전에 유체(708)에 의해 정지될 수 있다. 유체 내에서 정지된 이온은 운동 에너지를 열로서 유체(708)로 전달한다. 다수의 고-에너지 이온이 동일한 방향으로 방출되고 거의 동일한 거리를 거쳐 유체(708) 내로 이동하기 때문에, 고-에너지 이온은 유체(708)의 나머지보다 따뜻한 가열된 국지화된 볼륨(757)을 유체(708) 내에 형성할 수 있다. 유체(708)의 점성은 온도에 따라 증가한다. 따라서, 가열된 국지화된 볼륨(757) 내의 유체의 점성은 주위 유체(708)의 점성보다 더 크다. 점성이 더 높기 때문에, 볼륨(757)을 향해 유동하는 유체는 주위의 영역보다 볼륨(757) 내에서 더 큰 저항을 경험한다. 결과적으로, 유체는 유체(708)의 의도된 유동 구성으로부터 벗어나서, 볼륨(757) 주위로 유동하는 경향을 가진다.

또한, 가열된 국지화된 볼륨(757)이 금속성 이온 증착으로부터 발생되는 인스턴스에서, 볼륨(757)은 이온을 생성한 금속성 재료의 많은 양을 보유하는 가스를 포함할 수 있다. 이러한 인스턴스들에서, 프로파일(764)의 방향이 시간이 지남에 따라 일정하기 유지된다면, 볼륨(757) 내의 금속성 재료의 양은 아주 많아져서 유동하는 유체(708)가 더 이상 금속 재료를 볼륨(757) 밖으로 운반할 수 없게 할 수 있다. 유체(708)가 더 이상 볼륨(757) 밖으로 금속성 재료를 운반할 수 없으면, 금속성 재료는 볼륨(757)으로부터 탈출하여 광학 요소(755)의 영역(756)에 충돌함으로써, 결과적으로 광학 요소(755)의 영역(756)이 오염되게 할 수 있다. 이러한 영역(756)은 "오염 영역"이라고 불릴 수 있다.

도 7c 를 다시 참조하면, 광학 요소(755)가 도시된다. 광학 요소(755)는 반사면(759) 및 광 빔(710)이 통과해서 전파되는 애퍼쳐(758)를 포함한다. 오염 영역(756)은 반사면(759)의 부분 상에 형성된다. 오염 영역(756)은 임의의 형상일 수 있고 반사면(759)의 임의의 부분을 커버할 수 있지만, 반사면(759) 상의 오염 영역(756)의 위치는 입자 및/또는 방사선의 방향성 플럭스의 분포에 따라 달라진다.

도 7b 를 참조하면, 가열된 국지화된 볼륨(757)이 존재하면, 궤적(723) 상에서 이동하는 타겟 상의 항력(drag)의 양을 변경함으로써 궤적(723)의 위치 및/또는 형상도 변하게 할 수 있다. 도 7b 에 도시된 바와 같이, 가열된 국지화된 볼륨(757)이 존재하면, 타겟(720)은 기대된 궤적(723)과 다른 궤적(723B) 상에서 이동할 수 있다. 변화된 궤적(723B) 상에서 이동함으로써, 타겟(720)은 잘못된 시간에(예를 들어, 광 빔(710) 또는 광의 펄스 빔(710)이 타겟 영역(730) 내에 있지 않는 때에) 타겟 영역(730) 내에 도달하고 및/또는 타겟 영역(730)에 아예 도달하지 않아서, EUV 광 생성이 감소되거나 아예 생성되지 않게 할 수 있다.

따라서, 입자 및/또는 방사선의 방향성 플럭스에 의해 야기되는 열을 공간적으로 분산시키는 것이 바람직하다. 도 8 을 참조하면, 타겟 영역 내에 도달하는 다른 타겟의 위치와 비교된, 타겟 영역 내에 도달하는 어떤 타겟의 위치를 변경하기 위한 예시적인 프로세스(800)가 도달한다. 이러한 방식으로, 타겟 위치는 시간이 지남에 따라서 변하는 것으로 간주될 수 있고, 타겟의 위치 중 임의의 것은 다른 타겟의 위치와 다를 수 있다. 다양한 타겟의 위치를 변경함으로써, 플라즈마에 의해 생성되는 열은 공간 내에서 확산되고, 이를 통하여 진공 챔버 내의 대상물을 플라즈마의 영향으로부터 보호한다. 이러한 프로세스는 제어 시스템(470)(도 4)에 의하여 수행될 수 있다. 프로세스(800)는 플라즈마가 그 안에서 형성되는 진공 챔버, 예컨대 EUV 광원의 진공 챔버 내의 하나 이상의 대상물에 대한 플라즈마의 영향을 감소시키기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 프로세스(800)는 진공 용기(140)(도 1), 진공 용기(440)(도 4), 또는 진공 용기(740)(도 7) 내의 대상물을 보호하기 위하여 사용될 수 있다.

도 9a 내지 도 9c 는 유체(708)를 보호하고(유체(708)가 그 의도된 유동 구성에서 유지되도록 보장함으로써) 타겟(720)의 위치를 변경함으로써 광학 요소(755)를 보호하기 위하여 프로세스(800)를 사용하는 일 예이다. 프로세스(800)가 진공 챔버 내의 임의의 대상물을 플라즈마의 영향으로부터 보호하기 위하여 사용될 수 있는 반면에, 프로세스(800)는 예시의 목적을 위하여 도 9a 내지 도 9c 에 대하여 논의된다.

제 1 타겟은 진공 챔버(810)의 내부로 제공된다. 도 9a 를 다시 참조하면, 시간 t1 에서 타겟(720A)은 타겟 영역(730)에 제공된다. 타겟(720A)은 타겟(720)(도 7a)의 한 인스턴스이다. 타겟(720A)은 제 1 타겟의 일 예이다. 타겟(720A)은 기하학적 분포로 배치된 타겟 재료를 포함한다. 타겟 재료는 플라즈마 상태에서 EUV 광을 방출하고, 또한 EUV 광과 다른 입자 및/또는 방사선을 방출한다. 타겟(720A) 내에서의 타겟 재료의 기하학적 분포는 제 1 방향에서 제 1 치수를 가지고, 제 1 방향에 수직인 제 2 방향에서 제 2 치수를 가진다. 제 1 치수와 제 2 치수는 다를 수 있다. 도 9a 를 참조하면, 타겟(720A)은 y-z 평면에서 타원형 단면을 가지고, 제 1 및 제 2 치수 중 큰 것은 방향(923A)과 나란하다. 후술되는 바와 같이, t2 및 t3(도 9b 및 도 9c 각각)의 시간에서의 타겟(720)의 인스턴스(720B 및 720C)는 시간 t1(도 9a)에서의 인스턴스(720A)와 다른 위치를 가진다. 타겟(720B 및 720C)은 타겟(720A)과 타겟 재료의 실질적으로 동일한 기하학적 분포를 가진다. 그러나, 타겟(720A, 720B, 720C)의 위치는 다르다. 도 9b 에 도시된 바와 같이, 시간 t2 에서, 타겟(720B)은 방향(923A)과 다른 방향(923B)을 따라서 더 큰 치수를 가진다. 시간 t3(도 9c)에서, 타겟(720C)은 923A 및 923B와 다른 방향(923C)에서 더 큰 치수를 가진다.

타겟(720A, 720B, 720C) 중 임의의 것을 타겟 영역(730)에 제공하는 것은 타겟이 타겟 영역(730)에 도달하기 전에 타겟을 성형, 위치설정, 및/또는 배향하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 그리고 도 10a, 및 도 10b 를 역시 참조하면, 타겟 재료 공급 장치(716)는 초기 타겟(1018)을 초기 타겟 영역(1031)으로 제공할 수 있다. 도 10a 및 도 10b 의 예에서, 초기 타겟 영역(1031)은 타겟 영역(730)과 타겟 재료 공급 장치(716) 사이에 있다. 도 10a 의 예에서, 타겟(920A)이 형성된다. 도 10b 의 예에서, 타겟(920B)이 형성된다. 타겟(920A 및 920B)은 비슷하지만 후술되는 바와 같이 진공 챔버 내에서 상이하게 위치설정된다.

도 10a 를 참조하면, 제어 시스템(470)은 제 1 광학 빔(410a)이 초기 타겟 영역(1031)을 향해 전파되게 한다. 제어 시스템(470)은, 초기 타겟(1018)이 초기 타겟 영역(1031) 내에 있지만 제 1 광 빔(410a)이 질량 중심(1019) 위의(-y 방향으로 변위됨) 초기 타겟을 타격하도록 위치설정될 때 제 1 광학 빔(410a)이 초기 타겟 영역(1031)에 도달하게 하는 시점에 제 1 광학 빔(410a)의 펄스가 방출되게 한다. 예를 들어, 제어 시스템(470)은 진공 챔버(740)의 내부의 표현을 센서(448)(도 4)로부터 수신하고, 초기 타겟(1018)이 초기 타겟 영역(1031)에 가깝거나 그 안에 있다는 것을 검출한 후, 제 1 광 빔(410a)이 질량 중심(1019)에 상대적으로 -y 방향으로 변위되도록 제 1 광 빔(410a)의 펄스가 이러한 검출에 기초하여 방출되게 할 수 있다. 초기 타겟(1018)은 확장되어 수직하는 방향들에 나란하게 제 1 및 제 2 치수를 형성하고, 이러한 두 개의 치수 중 큰 것은 방향(1023A)으로 연장된다.

도 10b 를 참조하면, 다음 타겟(초기 타겟 영역(1031)에 추후에 도달하는 타겟)의 위치를 변경하기 위하여, 제어 시스템(400)은, 다음 초기 타겟(1018)이 영역(1031) 내에 있고 제 1 광 빔(410a)이 질량 중심(1019) 아래로(y 방향으로 변위됨) 초기 타겟(1018)을 타격하도록 영역(1031) 내에 위치설정될 때 제 1 광학 빔(410a)이 초기 타겟 영역(1031)에 도달하도록, 제 1 광학 빔(410a)의 다른 펄스가 광 생성 모듈(480)로부터 방출되게 한다. 예를 들어, 제어 시스템(470)은 진공 챔버(740)의 내부의 표현을 센서(448)(도 4)로부터 수신하고, 다음 초기 타겟(1018)이 초기 타겟 영역(1031)에 가깝거나 그 안에 있다는 것을 검출한 후, 제 1 광 빔(410a)이 질량 중심(1019)에 상대적으로 -y 방향으로 변위되도록 제 1 광 빔(410a)의 펄스가 이러한 검출에 기초하여 방출되게 할 수 있다. 다음 초기 타겟(1018)은 확장되어 수직하는 방향들에 나란하게 제 1 및 제 2 치수를 형성하고, 이러한 두 개의 치수 중 큰 것은 방향(1023A)과 다른 방향(1023B)으로 연장된다.

질량 중심(1019)에서 초기 타겟(1018)을 타격하는 광 빔과 비교할 때, 제어 시스템(470)은 광 빔(410a) 또는 광 빔(410a)의 펄스가 더 일찍 도달하여 타겟(920A)의 더 큰 치수를 방향(1023A)(도 10a)에 나란하게 배향시키고, 더 늦게 도달하여 타겟(920B)의 더 큰 치수를 방향(1023B)(도 10b)에 나란하게 배향시키게 한다.

따라서, 타겟이 타겟 영역(730) 내에 도달하기 전에 초기 타겟을 제어 시스템(470)에 의해 제어되는 타이밍으로 광 빔으로 조사함으로써 타겟이 위치설정될 수 있다. 다른 구현형태들에서, 타겟은 제 1 광 빔(410a)의 전파 방향을 변경함으로써 위치설정될 수 있다. 또한, 일부 구현형태들에서, 타겟은 초기 타겟을 사용하지 않고, 특정 배향에서 타겟 영역(730)으로 제공될 수 있다(그리고 이러한 배향은 타겟마다 달라질 수 있음). 예를 들어, 타겟은 타겟 재료 공급 장치(716)를 조작함으로써 배향되고 및/또는 타겟 재료 공급 장치(716)로부터 방출되기 전에 형성될 수 있다.

도 8 및 도 9a 로 돌아가면, 광 빔(710)이 타겟 영역(730)으로 지향된다(820). 광 빔(710)은 타겟(720A) 내의 타겟 재료 중 적어도 일부를 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가진다. 플라즈마는 EUV 광을 방출하고, 입자 및/또는 방사선도 방출한다. 입자 및/또는 방사선은 비-등방성으로 방출되고 주로 특정 방향으로 제 1 피크(965A)(도 9a)를 향해 방출된다.

제 1 타겟의 제 1 및 제 2 치수는 진공 챔버 내의 분리된 별개의 대상물에 상대적으로 위치설정된다. 예를 들어, 도 9a 의 타겟(720A)은 y-z 평면에서 타원형으로 성형된 단면 및 y-z 평면에서 방향(923A)으로 최대 치수를 가진다. 방향(923A)(및 방향(923A)에 수직인 방향)은 윈도우(714)의 표면 법선(surface normal)에 대해 소정 각도를 형성한다. 이러한 방식으로, 타겟(720A)은 윈도우(714)에 상대적으로 위치설정되거나 비스듬한 것으로 여겨질 수 있다. 다른 예에서, 방향(923A)은 라벨(909)로 표시된 유체(408) 내의 공간에 상대적으로 소정 각도를 형성한다. 또 다른 예에서, 방향(923A)은 광학 요소(755) 상의 영역(라벨(956)로 표시됨)에서 표면 법선과 소정 각도를 이룬다.

위에서 논의된 바와 같이, 피크(965A)의 위치는 타겟(920)의 위치에 따라 달라진다. 따라서, 피크(965B)의 위치는 타겟(920)의 위치를 변경함으로써 변경될 수 있다.

제 2 타겟이 진공 챔버(740 830)의 내부로 제공된다. 제 2 타겟은 제 1 타겟과 다른 위치를 가진다. 도 9b 를 참조하면, 시간 t2 에서, 타겟(720B)은 장축을 가지는 타원으로 y-z 평면에서 타원형 단면을 가진다. y-z 평면에서의 제 2 타겟의 최대 치수는 방향(923B)으로 장축과 나란하다. 방향(923B)은 방향(923A)과 상이하다. 따라서, 제 1 타겟과 비교할 때, 제 2 타겟은 윈도우(714) 및 진공 챔버(740) 내의 다른 대상물에 상대적으로 상이하게 위치설정된다. 이러한 예에서, 방향(923B)은 z 방향에 수직이다. 타겟(720B)은, 예를 들어 제 1 광 빔(410a)이 초기 타겟(예컨대 도 10a 및 도 10b 의 초기 타겟(1018))을 그 질량 중심에서 타격하도록 하는 시점에 광 빔 제어 모듈(471)이 제 1 광 빔(410a)을 방출하도록 제어함으로써, 방향(923B)에서 더 큰 치수를 가지도록 위치설정될 수 있다.

광 빔(710)은 타겟 영역(730)으로 지향되어 제 2 타겟(840)로부터 제 2 플라즈마를 형성한다. 제 2 타겟의 위치가 제 1 타겟의 위치와 다르기 때문에, 제 2 플라즈마는 입자 및/또는 방사선을 주로, 피크(965A)와는 다른 위치에 있는 피크(965B)를 향해 방출한다.

따라서, 타겟의 위치를 제어 시스템(470)으로 시간이 지남에 따라 제어함으로써, 입자 및 방사선이 플라즈마로부터 방출되는 방향도 역시 제어될 수 있다.

프로세스(800)는 세 개 이상의 타겟에 적용될 수 있고, 프로세스(800)는 진공 챔버(740)의 동작 중에 타겟 영역(730)에 진입하는 타겟 중 임의의 것 또는 전부의 위치를 결정하기 위하여 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 9c 에 도시된 바와 같이, 시간 t3 에서의 타겟 영역(730) 내의 타겟(720C)은 타겟(720A 및 720B)과는 상이한 위치를 가진다. 시간 t3 에 타겟(720C)으로부터 형성된 플라즈마는 입자 및/또는 방사선을 주로 피크(965C)를 향해 방출한다. 피크(965C)는 진공 챔버(740) 내에서 피크(965A 및 965B)와 다른 위치에 있다. 따라서, 타겟 배향 또는 위치를 시간이 지남에 따라서 계속 변경하면, 플라즈마의 열 효과를 더욱 확산시킬 수 있다. 예를 들어, 피크(965A)는 유체(708)의 909 로 명명된 영역을 향해 포인팅되지만, 피크(965B 및 965C)는 그렇지 않다. 다른 예에서, 피크(965C)는 광학 요소(755) 상의 영역(956)에 포인팅되지만, 피크(965A 및 965B)는 그렇지 않다. 이러한 방식으로, 영역(956)이 오염되는 것이 방지될 수 있다.

프로세스(800)는 타겟 영역(730)에 진입하는 타겟의 위치를 연속적으로 변경하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 타겟 영역(730) 내의 임의의 타겟의 위치는 바로 앞 및/또는 바로 뒤의 타겟의 위치와 다를 수 있다. 다른 예들에서, 타겟 영역(730)에 도달하는 각각의 타겟의 위치는 반드시 달라야 하는 것은 아니다. 이러한 예들에서, 타겟 영역(730) 내의 임의의 타겟의 위치는 타겟 영역(730) 내의 적어도 하나의 다른 타겟의 위치와 다를 수 있다. 더 나아가, 위치의 변경은, 최대 및/또는 최소 각도가 되기까지 각각의 변경마다 증가되거나 감소되는 특정 대상물에 상대적인 각도와 함께 증가될 수 있다. 다른 구현형태들에서, 타겟 영역(730)에 도달하는 다양한 타겟들 사이의 위치의 변화는 각도 변동의 무작위 또는 의사-무작위 양일 수 있다.

더 나아가, 그리고 도 10c 를 참조하면, 타겟의 위치는 피크 방향성 플럭스가 방출되는 방향이 진공 용기(740) 내의 3-차원의 영역을 스위핑 아웃하도록 변경될 수 있다. 도 10c 는 타겟 영역(730)으로부터 바라본(-z 방향으로 바라본) 광학 요소(755)의 도면을 보여주는데, 피크 방향성 플럭스가 시간이 지남에 따라 방출되는 방향은 경로(1065)로 표현된다. 방향성 플럭스가 광학 요소(755)에 도달한 것은 아니지만, 경로(1065)는, 시간이 지남에 따라서 타겟 영역(730) 내에 들어오는 타겟이 서로 상이한 위치를 가질 수 있고, 이러한 상이한 위치들이 결과적으로 진공 용기(740) 내의 3-차원의 영역을 스위핑 아웃하는 피크 방출 방향을 초래할 수 있다는 것을 예시한다.

또한, 프로세스(800)는, 타겟 영역(730)에 진입하는 타겟의 위치를, 임의의 타겟의 위치설정이 바로 앞 및/또는 바로 뒤의 타겟의 위치설정과 반드시 달라지게 하지는 않지만 동작 조건 또는 요구되는 동작 파라미터에 기초하여 진공 챔버 내의 대상물에 손상이 생기는 것을 방지하는 레이트로 타겟 영역(730)에 진입하는 타겟의 위치를 변경하는 레이트로 변경할 수 있다.

예를 들어, 고-에너지 이온 증착으로부터 광학 요소(755)를 보호하기 위하여 필요한 유체(708)의 양 및 유체(708)의 유량은 진공 챔버 내에서의 플라즈마의 지속기간에 따라 달라진다. 도 11 은 최소 수락가능한 유체 유동과 EUV 방출 지속기간 사이의 관련성의 예시적인 그래프(1100)이다. EUV 방출 지속기간은 EUV 버스트 지속기간이라고도 지칭될 수 있고, EUV 버스트는 복수 개의 연속 타겟을 플라즈마로 변환하는 것으로부터 형성될 수 있다. 그래프(1100)의 y-축은 유체 유량 이고, 그래프(1100)의 x-축은 진공 챔버(740) 내에서 생성된 EUV 광 버스트의 지속기간이다. 그래프(1100)의 x-축은 로그 스케일이다.

최소 유량을 EUV 방출 지속기간과 관련시키는 데이터(예컨대 그래프(1100)와 같은 그래프를 형성하는 데이터)는 제어 시스템(470)의 전자식 저장부(473)에 저장될 수 있고, 진공 챔버(740) 내의 대상물을 여전히 보호하면서도 유체(708)의 소모를 최소화하려면 타겟(720)의 위치가 얼마나 자주 변경되어야 하는지를 결정하기 위해서 제어 시스템(470)에 의하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 그래프(1100)에 대해서 사용되는 데이터는, 다양한 지속기간을 가지는 EUV 버스트를 사용하는 시스템 내의 오염을 방지하기 위한 최소 유량을 나타낸다. 필요한 최소 유량은 EUV 버스트를 생성하기 위하여 사용되는 타겟 중 하나 이상의 위치를 EUV 버스트를 생성하기 위하여 사용되는 다른 타겟의 위치에 상대적으로 변경함으로써 감소될 수 있다. 그래프(1100)는 요구되는 최소 유량을 얻기 위해서 타겟 영역 내의 타겟이 얼마나 자주 다시 위치설정되어야 하는지를 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 요구되는 최소 유량이 소스가 동작하고 있는 것보다 낮은 EUV 버스트 지속기간에 대응한다면, 타겟 영역 내에 도달하는 타겟은, 임의의 개개의 타겟 또는 타겟들의 콜렉션에 의해 생성되는 입자 및/또는 방사선의 방향성 플럭스가 더 낮은 EUV 버스트 지속기간과 동일한 시간의 양 동안에 진공 챔버의 특정 영역 내로 지향되도록 다시 위치설정될 수 있다. 이러한 방식으로, 진공 챔버의 임의의 특정 영역에 의하여 경험되는 EUV 버스트 지속기간은 감소될 수 있고 유체(708)의 최소 유량도 감소될 수 있다.

도 11 은 유체(708)의 유량과 EUV 버스트 지속기간 사이의 예시적인 관련성을 나타낸다. 예를 들어 압력 및/또는 밀도와 같은 유체(708)의 다른 특성은 EUV 버스트 지속기간에 따라 달라질 수 있다. 이러한 방식으로, 프로세스(800)는 광학 요소(755)를 보호하기 위해서 필요한 유체(708)의 양을 감소시키기 위해서도 사용될 수 있다.

도 12 를 참조하면, 예시적인 프로세스(1200)의 흐름도가 도시된다. 프로세스(1200)는 진공 챔버 내의 대상물에 대한 플라즈마의 영향이 감소되거나 제거되도록 진공 챔버 내에 타겟을 위치설정한다. 프로세스(1200)는 제어 시스템(470)에 의하여 수행될 수 있다.

초기 타겟은 수정되어 수정된 타겟을 형성한다(1210). 수정된 타겟 및 초기 타겟은 타겟 재료를 포함하지만, 타겟 재료의 기하학적 분포는 수정된 타겟의 그것과 다르다. 초기 타겟은, 예를 들어 초기 타겟(618)(도 6c) 또는 초기 타겟(1018)(도 10a 및 도 10b)과 같은 초기 타겟일 수 있다. 수정된 타겟은, 초기 타겟 내의 타겟 재료를 EUV를 방출하는 플라즈마로 반드시 변환하지는 않지만 초기 타겟을 조절하는 역할을 하는 선-펄스(예컨대 도 6a 및 도 6b 의 선-펄스(606)) 또는 도 4 의 제 1 광 빔(410a)과 같은 광 빔으로 초기 타겟을 조사함으로써 형성된 원반형 타겟일 수 있다.

수정된 타겟은 분리된 별개의 대상물에 상대적으로 위치설정될 수 있다. 초기 타겟과 광 빔 사이의 상호작용에 의하여 수정된 타겟의 위치가 결정될 수 있다. 예를 들어, 위에서 도 6a 내지 6C, 도 8, 및 도 10a 및 도 10b 에 대해서 논의된 바와 같이, 특정 위치를 가지는 원반형 타겟은 광 빔을 초기 타겟의 특정 부분으로 지향시킴으로써 형성될 수 있다. 분리된 별개의 대상물은 진공 챔버 내의 임의의 대상물이다. 예를 들어, 분리된 별개의 대상물은 버퍼 유체, 타겟의 스트림 내의 타겟, 및/또는 광학 요소일 수 있다.

광 빔은 수정된 타겟을 향해 지향된다(1220). 광 빔은 제 2 광 빔(410b)(도 4)과 같은 증폭된 광 빔일 수 있다. 광 빔은 수정된 타겟 내의 타겟 재료의 적어도 일부를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가진다. 플라즈마는 입자 및/또는 방사선의 방향 의존성 플럭스와도 연관되고, 방향 의존성 플럭스는 최대값(입자 및/또는 방사선의 가장 많은 부분이 흘러 들어가는 위치, 영역, 또는 방향)을 가진다. 최대값은 피크 방향이라고 불리고, 피크 방향은 수정된 타겟의 위치에 따라 달라진다. 입자 및 방사선은 바람직하게는 수정된 타겟의 가열된 측면으로부터 방출될 수 있는데, 이것은 광 빔을 가장 먼저 수광하는 측면이다. 따라서, 광 빔을 원반의 평평한 페이스 중 하나에서 수광하는 원반형 타겟의 경우, 피크 방향은 광 빔을 수광하는 원반의 페이스에 수직인 방향에 있다. 수정된 타겟은 대상물에 대한 플라즈마의 영향이 감소되도록 위치설정될 수 있다. 예를 들어, 타겟의 가열된 측면이 보호될 대상물로부터 멀어지게 포인팅하도록 수정된 타겟을 배향시키면, 대상물을 향해 지향될 수 있는 고-에너지 이온이 가장 적어질 것이다.

프로세스(1200)는 단일 타겟에 대하여 또는 반복적으로 수행될 수 있다. 프로세스(1200)가 반복적으로 수행되는 구현형태의 경우, 프로세스(1200)의 임의의 특정 인스턴스에 대한 수정된 타겟의 위치는 이전의 또는 후속하는 수정된 타겟의 위치와 상이할 수 있다.

도 13a 내지 도 13c 를 참조하면, 프로세스(1200)는 타겟들의 스트림 내의 타겟을 플라즈마의 영향으로부터 보호하기 위하여 사용될 수 있다. 진공 챔버(1340)의 내부의 블록도인 도 13a 및 도 13b 는 진공 챔버 내의 타겟이 어떻게 플라즈마의 영향으로부터 보호될 수 있는지를 보여준다. 도 13a 는 진공 챔버 내에서 방향 y로 타겟 영역(1330)을 향해 이동하는 타겟들의 스트림(1322)을 보여준다. 스트림(1322)이 이동하는 방향은 타겟 궤적 또는 타겟 경로라고 불릴 수 있다. 광 빔(1310)은 방향 z로 타겟 영역(1330)을 향해 전파된다. 타겟(1320)은 타겟 영역(1330) 내에 있는 스트림(1322) 내의 타겟이다. 광 빔(1310)과 타겟(1320) 사이의 상호작용은 타겟(1320) 내의 타겟 재료를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환한다.

또한, 플라즈마는 프로파일(1364)로 표시되는, 입자 및/또는 방사선의 방향 의존성 플럭스를 방출한다. 도 13a 의 예에서, 프로파일(1364)은 입자 및/또는 방사선이 주로 z 방향에 반대인 방향으로 방출되며, 플라즈마의 최대 영향이 이러한 방향이라는 것을 나타낸다. 그러나, 플라즈마는 타겟(1322a)을 포함하는, y 방향으로 변위된 대상물 에도 영향을 미치는데, 이것은 플라즈마가 형성될 때 타겟 영역(1330)에 가장 가까운(하지만 밖에 있는) 스트림(1322) 내의 타겟이다. 다르게 말하면, 도 13a 의 예에서, 타겟(1322a)은 다음으로 인입하는 타겟이거나 타겟(1320)이 플라즈마를 생성하기 위하여 소모된 이후에 타겟 영역(1330) 내에 있을 타겟이다.

타겟(1322a)에 대한 플라즈마의 영향은, 타겟(1322a)이 방향 의존성 플럭스 내의 방사선으로부터 삭마(ablation)를 경험하는 것처럼 직접적일 수 있다. 이러한 삭마는 타겟의 속도를 늦추고 및/또는 타겟의 형상을 변경할 수 있다. 플라즈마로부터의 방사선은 타겟(1322a)에 힘을 인가하여, 결과적으로 타겟(1322a)이 기대된 것보다 늦게 타겟 영역(1330)에 도달하게 할 수 있다. 광 빔(1310)은 펄스형 광 빔일 수 있다. 따라서, 타겟(1322a)이 타겟 영역(1330)에 기대된 것보다 늦게 도달하면, 광 빔(1310) 및 타겟은 서로를 놓치게 될 수 있고 플라즈마가 생성되지 않는다. 또한, 플라즈마 방사선의 힘은 타겟(1322a)의 형상을 기대하지 않은 상태로 변경할 수 있고, 타겟 영역(1330)에 도달하기 전에 스트림(1322) 내의 타겟을 플라즈마 생성을 증가시키기 위하여 조절하는 의도적인 형상 변화와 간섭을 일으킬 수 있다.

타겟(1322a)에 대한 플라즈마의 영향은 간접적일 수도 있다. 예를 들어, 버퍼 유체가 진공 챔버(1340) 내에 흐를 수 있고, 방향 의존성 플럭스가 유체를 가열할 수 있으며, 유체의 가열이 타겟의 궤적을 변화시킬 수 있다(도 7a 및 7B에 논의된 것과 같음). 간접적 효과도 광원의 적합한 동작과 간섭을 일으킬 수 있다.

타겟(1322a)에 대한 플라즈마의 영향은 타겟(1320)의 가열측(1329)이 타겟(1322a)으로부터 멀어지게 배향시킴으로써 감소될 수 있다. 타겟(1320)의 가열측(1329)은 광 빔(1310)을 처음에 수광하는 타겟(1320)의 측면이고, 입자 및/또는 방사선은 주로 가열측(1329)으로부터 그리고 가열측(1329)에서의 타겟 재료 분포에 수직인 방향으로 방출된다. 타겟(1320)에 상대적으로 특정 각도에서 플라즈마에 의해 방출되는 방사선의 부분 P는 수학식 1 의 관계에 근사될 수 있다:

여기에서, n은 정수이고, θ는 가열측(1329) 상의 타겟에 대한 법선(normal)과 타겟(1320)의 질량 중심과 타겟(1322a) 사이의 타겟 궤적 사이의 각도이다. 방사선의 다른 각도 분포도 가능하다.

도 13b 를 참조하면, 타겟(1320)의 위치는 가열측(1329)이 타겟(1322a)으로부터 벗어나게 포인팅되도록 도 13a 의 위치에 비하여 변경된다. 이러한 위치설정의 결과로서, 입자 및/또는 방사선은 타겟(1322a)으로부터 벗어나서 방향(1351)으로 방출된다. 도 13c 를 참조하면, 타겟(1322a)에 대한 효과는, 타겟(1320)의 가열측(1329)을 타겟(1322a)으로부터 멀어지게 위치설정하고, 타겟(1322a)이 가장 적은 입자 및/또는 플라즈마로부터의 가장 적은 방사선을 가지는 영역 내에 위치되도록 타겟 스트림(1322)의 경로를 위치설정함으로써 더욱 감소된다. 도 13c 의 예에서, 이러한 영역은 방향(1351)에 반대인 방향(타겟(1320)의 뒤)에 있는 영역이고, 타겟 스트림(1322) 내의 타겟은 방향(1351)을 따라 이동한다.

따라서, 진공 챔버 내의 다른 타겟에 대한 플라즈마의 영향은 타겟을 배향하고 및/또는 타겟 경로를 위치설정함으로써 감소될 수 있다.

도 14, 도 15a, 및 도 15b 는 프로세스(800 및 1200)가 수행될 수 있는 시스템의 추가적인 예들이다.

도 14 를 참조하면, 예시적인 광학 이미징 시스템(1400)의 블록도가 도시된다. 광학적 이미징 시스템(1400)은 EUV 광을 리소그래피 툴(1470)로 제공하는 LPP EUV 광원(1402)을 포함한다. 광원(1402)은 도 1 의 광원(101)의 컴포넌트들 중 일부 또는 전부와 유사할 수 있고 및/또는 이를 포함할 수 있다.

시스템(1400)은 구동 레이저 시스템(1405)과 같은 광학 소스, 광학 요소(1422), 선-펄스 소스(1443), 포커싱 어셈블리(1442), 및 진공 챔버(1440)를 포함한다. 구동 레이저 시스템(1405)은 증폭된 광 빔(1410)을 생성한다. 증폭된 광 빔(1410)은 타겟(1420)에 있는 타겟 재료를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가진다. 위에서 논의된 타겟들 중 임의의 것이 타겟(1420)으로서 사용될 수 있다.

선-펄스 소스(1443)는 방사선(1417)의 펄스들을 방출한다. 방사선의 펄스는 선-펄스(606)로서 사용될 수 있다(도 6a 내지 도 6c). 선-펄스 소스(1443)는, 예를 들어 50 kHz 반복률에서 동작하는 Q-스위치드 Nd:YAG 레이저일 수 있고, 방사선(1417)의 펄스는 1.06 μm의 파장을 가지는 Nd:YAG 레이저의 펄스일 수 있다. 선-펄스 소스(1443)의 반복률은 선-펄스 소스(1443)가 얼마나 자주 방사선의 펄스를 생성하는지를 표시한다. 선-펄스 소스(1443)가 50 kHz 반복률을 가지는 일 예의 경우, 방사선(1417)의 펄스는 20 마이크로초(μs)마다 방출된다.

다른 소스가 선-펄스 소스(1443)로 사용될 수도 있다. 예를 들어, 선-펄스 소스(1443)는 Nd:YAG이 아닌 임의의 희토류-도핑 고상 레이저, 예컨대 에르븀(erbium)-도핑 섬유(Er:유리) 레이저일 수 있다. 다른 예에서, 선-펄스 소스는 10.6 μm의 파장을 가지는 펄스를 생성하는 이산화탄소 레이저일 수 있다. 선-펄스 소스(1443)는 위에서 논의된 선-펄스에 대한 에너지 및 파장을 가지는 임의의 다른 방사선 또는 광 소스일 수 있다.

광학 요소(1422)는 증폭된 광 빔(1410) 및 선-펄스 소스(1443)로부터의 방사선(1417)의 펄스를 챔버(1440)로 지향시킨다. 광학 요소(1422)는 증폭된 광 빔(1410) 및 방사선(1417)의 펄스를 유사하거나 동일한 경로를 따라 지향시킬 수 있는 임의의 요소이다. 도 14 에 도시되는 예에서, 광학 요소(1422)는 증폭된 광 빔(1410)을 수광하고 이것을 챔버(1440)를 향해 반사시키는 이색성 빔 스플리터이다. 광학 요소(1422)는 방사선(1417)의 펄스를 수광하고 펄스를 챔버(1440)를 향해 투과시킨다. 이색성 빔 스플리터는 증폭된 광 빔(1410)의 파장(들)을 반사시키고 방사선(1417)의 펄스의 파장(들)을 투과시키는 코팅을 가진다. 이색성 빔 스플리터는, 예를 들어 다이아몬드로 제조될 수 있다.

다른 구현형태들에서, 광학 요소(1422)는 개구부(미도시)를 규정하는 미러이다. 이러한 구현형태에서, 증폭된 광 빔(1410)은 미러 표면으로부터 반사되고 챔버(1440)를 향해 지향되며, 방사선의 펄스는 개구부를 통과하고 챔버(1440)를 향해 전파된다.

또 다른 구현형태들에서, 쐐기-형 광학기(예를 들어, 프리즘)가 메인 펄스(1410) 및 선-펄스(1417)를 그들의 파장에 따라서 다른 각도로 분리시키기 위하여 사용될 수 있다. 쐐기-형 광학기가 광학 요소(1422)에 추가하여 사용될 수 있고, 또는 이것이 광학 요소(1422)로서 사용될 수 있다. 쐐기-형 광학기는 포커싱 어셈블리(1442)의 바로 업스트림(-z 방향으로)에 위치설정될 수 있다.

추가적으로, 펄스(1417)는 다른 방법으로 챔버(1440)로 전달될 수 있다. 예를 들어, 펄스(1417)는 광학 요소(1422) 또는 다른 지향 요소를 사용하지 않고, 펄스(1417)를 챔버(1440) 및/또는 포커싱 어셈블리(1442)로 전달하는 광섬유를 통해 지나갈 수 있다. 이러한 구현형태에서, 섬유는 방사선(1417)의 펄스를 챔버(1440)의 벽에 형성된 개구를 통해 챔버(1440)의 내부로 직접적으로 전달한다.

증폭된 광 빔(1410)은 광학 요소(1422)로부터 반사되고 포커싱 어셈블리(1442)를 통해 전파된다. 포커싱 어셈블리(1442)는 증폭된 광 빔(1410)을 초점면(1446)에 집속시키는데, 초점면은 타겟 영역(1430)과 일치할 수도, 일치하지 않을 수도 있다. 방사선(1417)의 펄스는 광학 요소(1422)를 통과하고 포커싱 어셈블리(1442)를 통해 챔버(1440)로 지향된다. 증폭된 광 빔(1410) 및 방사선(1417)의 펄스는 챔버(1440) 내에서 y 방향을 따라 다른 위치로 지향되고, 다른 시간에 챔버(1440) 내에 도달한다.

도 14 에 도시되는 예에서, 단일 블록은 선-펄스 소스(1443)를 나타낸다. 그러나, 선-펄스 소스(1443)는 단일 광원이거나 복수 개의 광원일 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 선-펄스를 생성하기 위하여 두 개의 분리 소스가 사용될 수 있다. 두 개의 별개의 소스는 다른 파장 및 에너지를 가지는 방사선의 펄스를 생성하는 다른 타입의 소스일 수 있다. 예를 들어, 선-펄스들 중 하나는 10.6 μm의 파장을 가지고 CO₂ 레이저에 의하여 생성될 수 있고, 다른 선-펄스는 1.06 μm의 파장을 가지고 희토류-도핑 고상 레이저에 의하여 생성될 수 있다.

몇 가지 구현형태들에서, 선-펄스(1417) 및 증폭된 광 빔(1410)은 동일한 소스에 의하여 생성될 수 있다. 예를 들어, 방사선(1417)의 선-펄스는 구동 레이저 시스템(1405)에 의하여 생성될 수 있다. 이러한 예에서, 구동 레이저 시스템은 두 개의 CO₂ 시드 레이저 서브시스템 및 하나의 증폭기를 포함할 수 있다. 시드 레이저 서브시스템 중 하나는 10.26 μm의 파장을 가지는 증폭된 광 빔을 생성할 수 있고, 다른 시드 레이저 서브시스템은 10.59 μm의 파장을 가지는 증폭된 광 빔을 생성할 수 있다. 이러한 두 개의 파장은 CO₂ 레이저의 다른 라인들로부터 올 수 있다. 다른 예들에서, CO₂ 레이저의 다른 라인이 두 개의 증폭된 광 빔을 생성하기 위하여 사용될 수 있다. 두 개의 시드 레이저 서브시스템으로부터의 양자 모두의 증폭된 광 빔은 동일한 파워 증폭기 체인에서 증폭되고, 각도에 의하여 분산되어 챔버(1440) 내의 다른 위치에 도달한다. 10.26 μm의 파장을 가지는 증폭된 광 빔이 선-펄스(1417)로서 사용될 수 있고, 10.59 μm의 파장을 가지는 증폭된 광 빔이 증폭된 광 빔(1410)으로서 사용될 수 있다. 복수 개의 선-펄스를 채용하는 구현형태에서, 3 개의 시드 레이저가 사용될 수 있는데, 이들 중 하나는 증폭된 광 빔(1410), 제 1 선-펄스 및 제 2 의 개별 선-펄스의 각각을 생성하도록 사용될 수 있다.

증폭된 광 빔(1410) 및 방사선의 선-펄스(1417)는 모두 동일한 광 증폭기에서 증폭될 수 있다. 예를 들어, 3개 이상의 파워 증폭기가 증폭된 광 빔(1410) 및 선-펄스(1417)를 증폭하기 위하여 사용될 수 있다.

도 15a 를 참조하면, LPP EUV 광원(1500)이 도시된다. EUV 광원(1500)은 전술된 광원, 프로세스, 및 진공 챔버와 함께 사용될 수 있다. LPP EUV 광원(1500)은 타겟 영역(1505)에 있는 타겟 혼합물(1514)을 빔 경로를 따라 타겟 혼합물(1514)을 향해 이동하는 증폭 광 빔(1510)으로 조사함으로써 형성된다. 조사 사이트라고도 불리는 타겟 영역(1505)은 진공 챔버(1530)의 내부(1507)에 있다. 증폭된 광 빔(1510)이 타겟 혼합물(1514)에 충돌하면, 타겟 혼합물(1514) 내의 타겟 재료가 EUV 범위 안의 방출 라인을 가지는 원소를 가지는 플라즈마 상태로 변환된다. 생성된 플라즈마는 타겟 혼합물(1514) 내의 타겟 재료의 조성에 따라 달라지는 특정한 특성을 가진다. 이러한 특성은 플라즈마에 의하여 생성되는 EUV 광의 파장과 플라즈마로부터 방출되는 잔해의 타입 및 양을 포함할 수 있다.

광원(1500)은 액체 액적, 액체 스트림, 고체 입자 또는 클러스터, 액체 액적에 포함된 고체 입자 또는 액체 스트림 내에 포함된 고체 입자의 형태인 타겟 재료(1514)를 전달, 제어, 및 지향시키는 타겟 재료 전달 시스템(1525)을 더 포함한다. 타겟 혼합물(1514)은, 예를 들어 물, 주석, 리튬, 제논, 또는 플라즈마 상태로 변환될 경우 EUV 범위 내에 방출선을 가지는 임의의 재료와 같은 타겟 재료를 포함한다. 예를 들어, 주석 원소는 순수 주석(Sn)으로서, 주석 화합물, 예를 들어 SnBr₄, SnBr₂, SnH₄로서, 주석 합금, 예를 들어 주석-갈륨 합금, 주석-인듐 합금, 주석-인듐-갈륨 합금으로서, 또는 이들의 합금의 임의의 조합으로서 사용될 수 있다. 타겟 혼합물(1514)은 비-타겟 입자와 같은 불순물을 더 포함할 수 있다. 따라서, 불순물이 없는 경우에서는, 타겟 혼합물(1514)은 타겟 재료로만 이루어진다. 타겟 혼합물(1514)은 타겟 재료 전달 시스템(1525)에 의하여 챔버(1530)의 내부(1507)로 그리고 타겟 영역(1505)으로 전달된다.

광원(1500)은 레이저 시스템(1515)의 이득 매질 또는 매질들 내의 밀도반전에 기인하여 증폭된 광 빔(1510)을 생성하는 구동 레이저 시스템(1515)을 포함한다. 광원(1500)은 레이저 시스템(1515)과 타겟 영역(1505) 사이에 빔 전달 시스템을 포함하고, 빔 전달 시스템은 빔 이송 시스템(1520) 및 초점 어셈블리(1522)를 포함한다. 빔 이송 시스템(1520)은 레이저 시스템(1515)으로부터 증폭된 광 빔(1510)을 수광하고, 필요에 따라 증폭된 광 빔(1510)을 조향하고 수정하며, 증폭된 광 빔(1510)을 초점 어셈블리(1522)로 출력한다. 초점 어셈블리(1522)는 증폭된 광 빔(1510)을 수광하고 빔(1510)을 타겟 영역(1505)에 집속한다.

일부 구현형태에서는, 구동 레이저 시스템(1515)은 하나 이상의 메인 펄스 및, 몇 가지 경우에, 하나 이상의 사전-펄스를 제공하기 위한 하나 이상의 광 증폭기, 레이저, 및/또는 램프를 포함할 수 있다. 각각의 광 증폭기는 원하는 파장을 높은 이득으로 광학적으로 증폭시키는 이득 매질, 여기 소스, 및 내부 광학기를 포함한다. 광 증폭기는 레이저 미러 또는 레이저 캐비티를 형성하는 다른 피드백 디바이스를 포함할 수도 포함하지 않을 수도 있다. 따라서, 레이저 시스템(1515)은 레이저 캐비티가 존재하지 않는 경우에도 레이저 증폭기의 이득 매질 내에서의 밀도반전에 기인하여 증폭된 광 빔(1510)을 생성한다. 더욱이, 레이저 시스템(1515)은, 레이저 시스템(1515)에 충분한 피드백을 제공하기 위한 레이저 캐비티가 존재하는 경우 코히어런트 레이저 빔인 증폭된 광 빔(1510)을 생성할 수 있다. "증폭 광 빔"이라는 용어는: 단지 증폭될 뿐 반드시 코히어런트 레이저 발진일 필요는 없는 레이저 시스템(1515)으로부터의 광 및 증폭되고 코히어런트 레이저 발진이기도 한 레이저 시스템(1515)으로부터의 광 중 하나 이상을 망라한다.

레이저 시스템(1515) 내의 광 증폭기는 이득 매질로서 CO₂를 포함하는 충진 가스를 포함할 수 있고, 약 9100 내지 약 11000 nm 사이, 특히, 약 10600 nm의 파장에서 1500 이상인 이득에서 광을 증폭할 수 있다. 레이저 시스템(1515)에서 사용되기에 적합한 증폭기 및 레이저는, 예를 들어 10kW 이상과 같은 상대적으로 높은 파워에서 그리고 40kHz 이상과 같은 높은 펄스 반복 레이트에서 동작하는 DC 또는 RF 여기에 의하여 약 9300 nm 또는 약 10600 nm에서 방사선을 생성하는 펄스형 가스 방전 CO₂ 레이저 디바이스와 같은 펄스형 레이저 디바이스를 포함할 수 있다. 레이저 시스템(1515) 내의 광 증폭기는, 레이저 시스템(1515)을 더 높은 파워에서 동작시킬 경우 사용될 수 있는 물과 같은 냉각 시스템을 더 포함할 수 있다.

도 15b 는 예시적인 구동 레이저 시스템(1580)의 블록도를 도시한다. 구동 레이저 시스템(1580)은 소스(1500) 내의 구동 레이저 시스템(1515)의 일부로서 사용될 수 있다. 구동 레이저 시스템(1580)은 3 개의 전력 증폭기(1581, 1582, 및 1583)를 포함한다. 전력 증폭기(1581, 1582, 및 1583) 중 일부 또는 전부는 내부 광학 요소(미도시)를 포함할 수 있다.

광(1584)은 출력 윈도우(1585)를 통해 전력 증폭기(1581)로부터 벗어나서 곡면 미러(1586)에서 반사된다. 반사된 후에, 광(1584)은 공간 필터(1587)를 통과하고, 곡면 미러(1588)에서 반사되며, 입력 윈도우(1589)를 통해 전력 증폭기(1582)에 진입한다. 광(1584)은 전력 증폭기(1582)에서 증폭되고 출력 윈도우(1590)를 통해 전력 증폭기(1582) 밖으로 광(1591)으로서 재지향된다. 광(1591)은 폴드(fold) 미러(1592)에 의해 증폭기(1583)를 향해 지향되고, 입력 윈도우(1593)를 통해 증폭기(1583)에 진입한다. 증폭기(1583)는 광(1591)을 증폭하고 광(1591)을 출력 윈도우(1594)를 통해 증폭기(1583) 밖으로 출력 빔(1595)으로서 지향시킨다. 폴드 미러(1596)는 출력 빔(1595)을 위로(페이지 밖으로) 그리고 빔 이송 시스템(1520)(도 15a)을 향해 지향시킨다.

다시 도 15b 를 참조하면, 공간 필터(1587)는 개구부(1597)를 규정하는데, 이것은, 예를 들어 약 2.2 mm 내지 3 mm 사이의 직경을 가지는 원일 수 있다. 곡면 미러(1586 및 1588)는, 예를 들어 각각 약 1.7 m 및 2.3 m의 초점 길이를 가지는 오프-축 포물선 미러일 수 있다. 공간 필터(1587)는, 개구부(1597)가 구동 레이저 시스템(1580)의 초점과 일치하도록 위치될 수 있다.

다시 도 15a 를 참조하면, 광원(1500)은 증폭된 광 빔(1510)이 통과해서 지나가고 타겟 영역(1505)에 도달하게 하는 개구부(1540)를 가지는 콜렉터 미러(1535)를 포함한다. 콜렉터 미러(1535)는, 예를 들어 타겟 영역(1505)에 일차 초점을 중간 위치(1545)(중간 초점이라고도 불림)에 이차 초점을 가지는 타원 미러일 수 있는데, EUV 광은 광원(1500)으로부터 출력될 수 있고, 예를 들어 집적 회로 리소그래피 툴(미도시)로 입력될 수 있다. 광원(1500)은, 콜렉터 미러(1535)로부터 타겟 영역(1505)을 향해 테이퍼링되어, 증폭된 광 빔(1510)이 타겟 영역(1505)에 도달하게 하는 반면에 초점 어셈블리(1522) 및/또는 빔 이송 시스템(1520)에 진입하는 플라즈마-생성 잔해의 양을 감소시키는 단부가 개방된 중공 원추형 슈라우드(1550)(예를 들어, 가스 콘(cone)을 더 포함할 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 타겟 영역(1505)을 향해 지향되는 가스 유동이 슈라우드 내에 제공될 수 있다.

광원(1500)은 액적 위치 검출 피드백 시스템(1556), 레이저 제어 시스템(1557), 및 빔 제어 시스템(1558)에 연결되는 마스터 제어기(1555)를 더 포함할 수 있다. 광원(1500)은 예를 들어 타겟 영역(1505)에 상대적으로 액적의 위치를 표시하는 출력을 제공하고, 이러한 출력을 액적 위치 검출 피드백 시스템(1556)으로 제공하는 하나 이상의 타겟 또는 액적 이미저(1560)를 포함할 수 있는데, 이것은, 예를 들어 액적 위치 및 궤적을 계산하여 그로부터 액적 위치 에러가 액적당 또는 평균적으로 계산될 수 있게 할 수 있다. 따라서, 액적 위치 검출 피드백 시스템(1556)은 액적 위치 에러를 마스터 제어기(1555)로의 입력으로서 제공한다. 그러므로, 마스터 제어기(1555)는 예를 들어 레이저 위치, 방향, 및 타이밍 정정 신호를, 예를 들어 레이저 타이밍 회로를 제어하기 위하여 사용될 수 있는 레이저 제어 시스템(1557)으로, 및/또는 챔버(1530) 내의 빔 초점 스폿의 위치 및/또는 초점 파워를 변경하도록 증폭 광 빔 위치 및 빔 이송 시스템(1520)의 성형(shaping)을 제어하기 위한 빔 제어 시스템(1558)으로 제공할 수 있다.

타겟 재료 전달 시스템(1525)은, 예를 들어 원하는 타겟 영역(1505)에 도달하는 액적의 에러를 정정하도록, 타겟 재료 공급 장치(1527)에 의하여 방출되는 액적들의 릴리스 포인트를 변경하기 위하여 제어기(1555)로부터의 신호에 응답하여 작동가능한 타겟 재료 전달 제어 시스템(1526)을 포함한다.

또한, 광원(1500)은, 펄스 에너지, 파장의 함수로서의 에너지 분포, 파장의 특정 대역 내의 에너지, 파장의 특정 대역 밖에 있는 에너지, 및 EUV 세기의 각도 분포 및/또는 평균 파워를 포함할 수 있지만 이들로 한정되는 것은 아닌 하나 이상의 EUV 광 파라미터를 측정하는 광원 검출기(1565 및 1570)를 포함할 수 있다. 광원 검출기(1565)는 마스터 제어기(1555)에 의하여 사용될 피드백 신호를 생성한다. 피드백 신호는, 예를 들어 효과적이고 효율적인 EUV 광 생성을 위하여 정확한 장소 및 시간에서 액적을 적절하게 인터셉트하기 위한 레이저 펄스의 타이밍 및 초점과 같은 파라미터의 에러를 표시할 수 있다.

광원(1500)은 광원(1500)의 다양한 섹션들을 정렬하고 증폭 광 빔(1510)을 타겟 영역(1505)으로 지향시키는 것을 보조하기 위해 사용될 수 있는 가이드 레이저(1575)를 더 포함할 수 있다. 가이드 레이저(1575)와 연계하여, 광원(1500)은 가이드 레이저(1575)로부터 나온 광의 일부 및 증폭 광 빔(1510)을 샘플링하도록 초점 어셈블리(1522) 내에 배치되는 계측 시스템(1524)을 포함한다. 다른 구현형태들에서, 계측 시스템(1524)은 빔 이송 시스템(1520) 내에 배치된다. 계측 시스템(1524)은 광의 서브세트를 샘플링하거나 재지향시키는 광학 요소를 포함할 수 있는데, 이러한 광학 요소는 가이드 레이저 빔 및 증폭 광 빔(1510)의 파워를 견딜 수 있는 임의의 재료로 제작된다. 빔 분석 시스템은 계측 시스템(1524) 및 마스터 제어기(1555)로부터 형성되는데, 그 이유는 마스터 제어기(1555)가 가이드 레이저(1575)로부터의 샘플링된 광을 분석하고 이러한 정보를 사용하여 빔 제어 시스템(1558)을 통해 초점 어셈블리(1522) 내의 컴포넌트들을 조절하기 때문이다.

따라서, 요약하자면, 광원(1500)은 혼합물(1514) 내의 타겟 재료를 EUV 범위에 속하는 광을 방출하는 플라즈마로 변환하기 위하여, 타겟 영역(1505)에 있는 타겟 혼합물(1514)을 조사하기 위해서 빔 경로를 따라 지향되는 증폭 광 빔(1510)을 생성한다. 증폭 광 빔(1510)은 레이저 시스템(1515)의 디자인 및 속성에 기초하여 결정되는 특정한 파장(구동 레이저 파장이라고도 불림)에서 작동한다. 또한, 증폭 광 빔(1510)은, 타겟 재료가 코히어런트 레이저 광을 생성하기에 충분한 피드백을 레이저 시스템(1515)에 다시 제공하는 경우 또는 구동 레이저 시스템(1515)이 레이저 캐비티를 형성하기에 적합한 광학적 피드백을 포함한다면, 레이저 빔일 수 있다.

다른 구현형태들도 청구항들의 범위 내에 있다. 예를 들어, 유체(108 및 708)는, y 방으로 그리고 타겟 재료를 플라즈마로 변환하는 광 빔의 전파 방향에 수직으로 유동하는 것으로 도시된다. 그러나, 유체(108 및 708)는 동작 조건들의 세트와 연관된 유동 구성에 의해 결정되는 바와 같은 임의의 방향으로 흐를 수 있다. 예를 들어, 도 16 을 참조하면, 진공 챔버의 유체(108)가 z 방향으로 유동하는 광원(101)의 대안적인 구현형태가 도시된다. 또한, 유동 구성(유동 방향을 포함함)의 일부인 유동의 특성 중 임의의 것이 광원(101)의 동작 중에 의도적으로 변경될 수 있다.

또한, 비록 도 6a 내지 도 6c 및 도 10a 및 도 10b 의 예들이 전술된 바와 같이 초기 타겟의 틸팅을 개시하기 위하여 선-펄스를 사용하는 것을 도시하지만, 틸팅된 타겟은 선-펄스를 채용하지 않는 다른 기법을 사용하여 타겟 영역(130, 730, 및/또는 1330)으로 전달될 수 있다. 예를 들어, 도 17 에 도시된 바와 같이, 플라즈마로 변환될 경우 EUV 광을 방출하는 타겟 재료를 포함하는 원반-형 타겟(1720)이 사전-형성되고, 원반 타겟(1720)이 타겟 영역(1730)에서 수광되는 증폭된 광 빔(1730)에 상대적으로 틸팅된 타겟 영역(1710)을 통과해서 이동하게 하는 힘으로 원반 타겟(1720)을 방출함으로써 타겟 영역(1730)으로 제공된다.

도 7a 및 도 7b 는 진공 챔버를 y-z 평면에서 그리고 2차원으로 도시한다. 그러나, 프로파일(764)(도 7b)이 3차원을 점유할 수 있고, 3차원에서 소정 볼륨을 스위핑 아웃할 수 있다는 것이 고찰된다. 이와 유사하게, 도 9a, 도 9c, 도 10a, 도 10b, 및 도 13a 내지 도 13c 는 진공 챔버를 y-z 평면에서 그리고 2차원으로 도시한다. 그러나, 진공 챔버 내의 타겟이 3차원에서 임의의 방향으로 틸팅될 수 있고 입자 및/또는 방사선의 방향성 플럭스가 3차원에서 소정 볼륨을 스위핑 아웃할 수 있다는 것이 고찰된다.

Claims (30)

1. 제 1 타겟을 진공 챔버의 내부로 제공하는 단계 - 상기 제 1 타겟은 플라즈마 상태에서 극자외(EUV) 광을 방출하는 타겟 재료를 포함함 -;
   상기 제 1 타겟의 타겟 재료로부터 제 1 플라즈마를 형성하도록, 제 1 광 빔을 상기 제 1 타겟을 향해 지향시키는 단계 - 상기 제 1 플라즈마는 제 1 방출 방향에 따라 상기 제 1 타겟으로부터 방출된 입자 및 방사선의 방향성 플럭스(directional flux)와 연관되고, 상기 제 1 방출 방향은 상기 제 1 타겟의 위치에 의하여 결정됨 -;
   제 2 타겟을 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 단계 - 상기 제 2 타겟은 플라즈마 상태에서 극자외 광을 방출하는 타겟 재료를 포함함 -; 및
   상기 제 2 타겟의 타겟 재료로부터 제 2 플라즈마를 형성하도록, 제 2 광 빔을 상기 제 2 타겟을 향해 지향시키는 단계 - 상기 제 2 플라즈마는 제 2 방출 방향에 따라 상기 제 2 타겟으로부터 방출된 입자 및 방사선의 방향성 플럭스와 연관되고, 상기 제 2 방출 방향은 상기 제 2 타겟의 위치에 의하여 결정되며, 상기 제 2 방출 방향은 상기 제 1 방출 방향과 상이함 -를 포함하는, 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 타겟의 타겟 재료는 제 1 기하학적 분포로 배치되고, 상기 제 1 기하학적 분포는 상기 진공 챔버 내에서 분리된 별개의 대상물에 상대적으로 제 1 각도로 배향된 축을 따라 치수(extent)를 가지며,
   상기 제 2 타겟의 타겟 재료는 제 2 기하학적 분포로 배치되고, 상기 제 2 기하학적 분포는 상기 진공 챔버 내에서 분리된 별개의 상기 대상물에 상대적으로 제 2 각도로 배향된 축을 따라 치수를 가지며, 상기 제 2 각도는 상기 제 1 각도와 상이하고,
   상기 제 1 방출 방향이 상기 제 1 타겟의 위치에 의하여 결정되는 것은 상기 제 1 방출 방향이 상기 제 1 각도에 의하여 결정되는 것을 포함하며,
   상기 제 2 타겟의 위치에 의하여 결정되는 상기 제 2 방출 방향은 상기 제 2 각도에 의하여 결정되는 상기 제 2 방출 방향을 포함하는, 방법.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 제 1 타겟을 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 단계는,
   제 1 초기 타겟을 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 것 - 상기 제 1 초기 타겟은 타겟 재료를 초기 기하학적 분포로 포함함 -; 및
   상기 제 1 타겟을 형성하도록 광 펄스를 상기 제 1 초기 타겟을 향해 지향시키는 것 - 상기 제 1 타겟의 기하학적 분포는 상기 제 1 초기 타겟의 기하학적 분포와 상이함 -을 포함하고, 및
   상기 제 2 타겟을 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 단계는,
   제 2 초기 타겟을 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 것 - 상기 제 2 초기 타겟은 타겟 재료를 제 2 초기 기하학적 분포로 포함함 -;
   상기 제 2 타겟을 형성하도록 광 펄스를 상기 제 2 초기 타겟을 향해 지향시키는 것 - 상기 제 2 타겟의 기하학적 분포는 상기 제 2 초기 타겟의 기하학적 분포와 상이함 -을 포함하는, 방법.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 제 1 초기 타겟 및 제 2 초기 타겟은 실질적으로 구형이고, 상기 제 1 타겟 및 제 2 타겟은 원반형인, 방법.
5. 제 2 항에 있어서,
   상기 방법은,
   유체를 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 단계 - 상기 유체는 상기 진공 챔버 내의 볼륨을 점유함 -를 더 포함하고,
   상기 진공 챔버 내의 분리된 별개의 상기 대상물은 상기 유체의 부분을 포함하는, 방법.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 유체는 유동 가스(flowing gas)를 포함하는, 방법.
7. 제 6 항에 있어서,
   타겟을 수용하는 타겟 영역 내에서, 전파 방향에서 상기 제 1 광 빔은 상기 제 1 타겟을 향해 전파되고 상기 제 2 광 빔은 상기 제 2 타겟을 향해 전파되며, 상기 유동 가스는 상기 전파 방향에 평행한 방향으로 유동하는, 방법.
8. 제 2 항에 있어서,
   상기 진공 챔버 내의 분리된 별개의 상기 대상물은 광학 요소를 포함하는, 방법.
9. 제 2 항에 있어서,
   광학 요소는 반사 요소를 포함하는, 방법.
10. 제 2 항에 있어서,
    상기 진공 챔버 내의 분리된 별개의 상기 대상물은 광학 요소의 반사면의 부분을 포함하고, 상기 부분은 상기 반사면 전부보다 작은, 방법.
11. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 초기 타겟 및 상기 제 2 초기 타겟은 궤적을 따라 이동하는 복수 개의 초기 타겟 중 두 개의 초기 타겟이고,
    상기 진공 챔버 내의 분리된 별개의 상기 대상물은 상기 복수 개의 초기 타겟 중 상기 제 1 초기 타겟 및 제 2 초기 타겟 이외의 것인, 방법
12. 제 1 항에 있어서,
    유체가 유동 구성(flow configuration)에 기초하여 상기 진공 챔버의 내부로 제공되고,
    상기 유체는 상기 유동 구성에 기초하여 상기 진공 챔버 내에서 유동하는, 방법.
13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 광 빔 및 제 2 광 빔은 EUV 버스트 지속기간을 제공하도록 구성되는 펄스형 광 빔 내의 광 펄스이고,
    상기 방법은,
    상기 EUV 버스트 지속기간을 결정하는 단계;
    상기 EUV 버스트 지속기간과 연관된 상기 유체의 특성을 결정하는 단계 - 상기 특성은 상기 유체의 최소 유량(minimum flow rate), 밀도, 및 압력 중 하나 이상을 포함함 -; 및
    결정된 특성에 기초하여 상기 유체의 유동 구성을 조절하는 단계를 더 포함하는, 방법.
14. 제 13 항에 있어서,
    상기 유동 구성은 상기 유체의 유량 및 유동 방향 중 하나 이상을 포함하고,
    상기 유체의 유동 구성을 조절하는 단계는, 상기 유량 및 유동 방향 중 하나 이상을 조절하는 것을 포함하는, 방법.
15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 타겟은 제 1 시간에 플라즈마를 형성하고, 상기 제 2 플라즈마는 제 2 시간에 타겟을 형성하며, 상기 제 1 시간과 상기 제 2 시간 사이의 시간은 경과 시간이고, 상기 광 빔은 EUV 버스트 지속기간을 제공하도록 구성되는 펄스형 광 빔을 포함하며, 상기 방법은,
    상기 EUV 버스트 지속기간을 결정하는 단계;
    상기 EUV 버스트 지속기간과 연관된 최소 유량을 결정하는 단계; 및
    상기 유체의 결정된 최소 유량에 기초하여 상기 경과 시간 및 상기 유체의 유량 중 하나 이상을 조절하는 단계를 더 포함하는, 방법.
16. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 광 빔은 축을 포함하고, 상기 제 1 광 빔의 세기는 상기 제 1 광 빔의 축에서 최대이며;
    상기 제 2 광 빔은 축을 포함하고, 상기 제 2 광 빔의 세기는 상기 제 2 광 빔의 축에서 최대이며;
    상기 제 1 방출 방향은 상기 제 1 광 빔의 축에 상대적인 상기 제 1 타겟의 위치에 의하여 결정되고,
    상기 제 2 방출 방향은 상기 제 2 광 빔의 축에 상대적인 상기 제 2 타겟의 위치에 의하여 결정되는, 방법.
17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 광 빔의 축 및 상기 제 2 광 빔의 축은 동일한 방향을 따르고,
    상기 제 1 타겟은 상기 제 1 광 빔의 축의 제 1 측 상의 위치에 있으며,
    상기 제 2 타겟은 상기 제 1 광 빔의 축의 제 2 측 상의 위치에 있는, 방법.
18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 광 빔의 축 및 상기 제 2 광 빔의 축은 상이한 방향을 따르고,
    상기 제 1 타겟 및 상기 제 2 타겟은 상이한 시간에 상기 진공 챔버 내에서 실질적으로 동일한 위치에 있는, 방법.
19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 타겟 및 상기 제 2 타겟은 실질적으로 구형인, 방법.
20. 극자외(EUV) 광원의 진공 챔버 내에서 대상물에 대한 플라즈마의 영향을 감소시키는 방법으로서,
    상기 진공 챔버 내에서, 수정된 타겟을 형성하도록 초기 타겟을 수정하는 단계 - 상기 초기 타겟은 타겟 재료를 초기 기하학적 분포로 포함하고, 상기 수정된 타겟은 타겟 재료를 수정된 상이한 기하학적 분포로 포함함 -; 및
    광 빔을 상기 수정된 타겟을 향해 지향시키는 단계를 포함하고,
    상기 광 빔은 상기 수정된 타겟 내의 타겟 재료 중 적어도 일부를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가지고, 상기 플라즈마는 입자 및 방사선의 방향 의존성 플럭스와 연관되며, 상기 방향 의존성 플럭스는 상기 수정된 타겟에 상대적인 각도 분포를 가지고, 상기 각도 분포는, 상기 수정된 타겟을 상기 진공 챔버 내에 위치설정하면 상기 대상물에 대한 플라즈마의 영향이 감소되도록 상기 수정된 타겟의 위치에 따라 달라지는, 플라즈마 영향 감소 방법.
21. 제 20 항에 있어서,
    상기 수정된 기하학적 분포는 제 1 방향에서의 제 1 치수 및 제 2 방향에서의 제 2 치수를 가지고, 상기 제 2 치수는 상기 제 1 치수보다 크며, 상기 방법은,
    상기 제 2 치수를 상기 대상물에 상대적인 각도로 배향시킴으로써 상기 수정된 타겟을 위치설정하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 영향 감소 방법.
22. 제 21 항에 있어서,
    상기 방법은,
    제 2 초기 타겟을 상기 진공 챔버의 내부에 제공하는 단계를 더 포함하고,
    상기 초기 타겟 및 상기 제 2 초기 타겟은 궤적을 따라 이동하는, 플라즈마 영향 감소 방법.
23. 제 22 항에 있어서,
    분리된 별개의 상기 대상물은 상기 제 2 초기 타겟인, 플라즈마 영향 감소 방법.
24. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 2 초기 타겟은 상기 궤적 상에서 이동하는 타겟들의 스트림 내의 하나의 타겟인, 플라즈마 영향 감소 방법.
25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 2 초기 타겟은 상기 스트림 내에서 상기 초기 타겟까지 거리가 가장 가까운 타겟인, 플라즈마 영향 감소 방법.
26. 제 22 항에 있어서,
    상기 방법은,
    제 2 수정된 타겟을 형성하도록 상기 제 2 초기 타겟을 수정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제 2 수정된 타겟은 상기 타겟 재료의 수정된 기하학적 분포를 가지며, 상기 제 2 수정된 타겟의 상기 제 2 치수는, 제 2 치수가 분리된 별개의 상기 대상물에 상대적인 제 2 의 상이한 각도로 배향된 채로 위치설정되는, 플라즈마 영향 감소 방법.
27. 제 26 항에 있어서,
    분리된 별개의 상기 대상물은, 상기 진공 챔버 내의 광학 요소 및 상기 진공 챔버 내에 유동하는 유체의 볼륨의 부분 중 하나 이상인, 플라즈마 영향 감소 방법.
28. 제 21 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 초기 타겟의 타겟 재료가 상기 제 2 치수에 따라 확장되고 상기 제 1 치수에 따라 감소되며 상기 제 2 치수가 분리된 별개의 상기 대상물에 상대적으로 틸팅되도록, 상기 초기 타겟에서의 광의 펄스를 상기 초기 타겟의 중심에서 벗어나게 지향시킴으로써 상기 수정된 타겟을 위치설정하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 영향 감소 방법.
29. 제 20 항에 있어서,
    상기 방법은,
    유체를 상기 진공 챔버의 내부로 제공하는 단계 - 상기 유체는 상기 진공 챔버 내의 볼륨을 점유함 -를 더 포함하고,
    상기 진공 챔버 내에서 분리된 별개의 상기 대상물은 상기 유체의 볼륨의 부분을 포함하는, 플라즈마 영향 감소 방법.
30. 극자외(EUV) 광원용 제어 시스템으로서,
    하나 이상의 전자식 프로세서; 및
    전자식 저장부를 포함하고, 상기 전자식 저장부는, 실행되면 상기 하나 이상의 전자식 프로세서가,
    제 1 시간에 제 1 초기 타겟의 존재를 선언하고 - 상기 제 1 초기 타겟은 EUV 광을 플라즈마 상태에서 방출하는 타겟 재료의 분포를 가짐 -;
    상기 제 1 초기 타겟의 선언된 존재에 기초하여, 제 2 시간에서 제 1 광 빔을 상기 제 1 초기 타겟을 향해 지향시키며 - 상기 제 1 시간과 상기 제 2 시간 사이의 차는 제 1 경과 시간임 -;
    제 3 시간에 제 2 초기 타겟의 존재를 선언하고 - 상기 제 3 시간은 상기 제 1 시간 이후에 도래하고, 상기 제 2 초기 타겟은 EUV 광을 플라즈마 상태에서 방출하는 타겟 재료를 포함함 -;
    상기 제 2 초기 타겟의 선언된 존재에 기초하여, 제 4 시간에서 상기 제 1 광 빔을 상기 제 2 초기 타겟을 향해 지향시키게 하는 명령을 포함하고,
    상기 제 4 시간은 상기 제 2 시간 이후에 도래하고, 상기 제 3 시간과 상기 제 4 시간 사이의 차는 제 2 경과 시간이며,
    상기 제 1 초기 타겟 및 상기 제 2 초기 타겟이 서로 상이한 방향에 따라 확장되고 타겟 영역 내에서 서로 상이한 배향을 가지도록, 상기 제 1 경과 시간은 상기 제 2 경과 시간과 상이하고,
    상기 타겟 영역은 타겟 재료를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 변환하기에 충분한 에너지를 가지는 제 2 광 빔을 수광하는 영역인, 제어 시스템.

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