JP7152536B2 - 積層構造の製造方法、積層構造及びタッチセンサ - Google Patents
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Description
実施形態1
実施形態2
実施形態3
実施形態4
実施形態5
基板51を準備し、
基板51上に金属層52及び銀ナノワイヤ層53を配置し、銀ナノワイヤ層53は、金属層52上に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、銀ナノワイヤ層53の表面にアンチエッチング層54を印刷して、アンチエッチング層54が銀ナノワイヤ層53を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層54が、ワイヤパターン541と、ワイヤパターン541に接続されたグリッドパターン542と、銀ナノワイヤ層53を被覆し、グリッドパターン542に接続する被覆領域543とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層54で覆われていない銀ナノワイヤ層53の部分と、その下に配置された金属層52をエッチング液で除去し、金属層52が、アンチエッチング層54のワイヤパターン541に対応する金属ワイヤ521と、アンチエッチング層54のグリッドパターン542に対応し、金属ワイヤ521に接続する金属グリッド522と、アンチエッチング層54の被覆領域543に対応し、金属グリッド522に接続する金属板523とを含み、
アンチエッチング層54を除去し、被覆層57を銀ナノワイヤ層53上に配置する、
ことを含む。
実施形態6
基板61を準備し、
基板61上に金属層62及び銀ナノワイヤ層63を配置し、銀ナノワイヤ層63が金属層62上に配置され、基板61の下に第2金属層62’及び第2銀ナノワイヤ層63’を配置し、第2銀ナノワイヤ層63’が第2金属層62’の下に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、銀ナノワイヤ層63の表面にアンチエッチング層64を印刷して、アンチエッチング層64が銀ナノワイヤ層63を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層64が、ワイヤパターン641と、ワイヤパターン641に接続されたグリッドパターン642と、銀ナノワイヤ層63を被覆し、グリッドパターン642に接続する被覆領域643とを含み、かつ、第2銀ナノワイヤ層63’の表面に第2アンチエッチング層64’を印刷して、第2アンチエッチング層64’が第2銀ナノワイヤ層63’を部分的に覆うようにし、第2アンチエッチング層64’が、第2ワイヤパターン641’と、第2ワイヤパターン641’に接続された第2グリッドパターン642’と、第2銀ナノワイヤ層63’を被覆し、第2グリッドパターン642’に接続する第2被覆領域643’とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層64で覆われていない銀ナノワイヤ層63の部分と、その下に配置された金属層62をエッチング液で除去し、金属層62が、アンチエッチング層64のワイヤパターン641に対応する金属ワイヤ621と、アンチエッチング層64のグリッドパターン642に対応し、金属ワイヤ621に接続する金属グリッド622と、アンチエッチング層64の被覆領域643に対応し、金属グリッド622と接続する金属板623とを含み、かつ、第2アンチエッチング層64’で覆われていない第2銀ナノワイヤ層63’の部分と、その上に配置された第2金属層62’をエッチング液で除去し、第2金属層62’が、第2アンチエッチング層64’の第2ワイヤパターン641’に対応する第2金属ワイヤ621’と、第2アンチエッチング層64’の第2グリッドパターン642’に対応し、第2金属ワイヤ621’に接続する第2金属グリッド622’と、第2アンチエッチング層64’の第2被覆領域643’に対応し、第2金属グリッド622’と接続する第2金属板623’とを含み、
アンチエッチング層64及び第2アンチエッチング層64’を除去し、被覆層67を銀ナノワイヤ層63上に配置するとともに、第2被覆層67’を第2銀ナノワイヤ層63’の下に配置する、
ことを含む。
実施形態7
基板71を準備し、
基板71上に金属層72及び銀ナノワイヤ層73を配置し、銀ナノワイヤ層73は金属層72上に配置され、触媒層733は基板71上に配置され、金属層72をメッキする化学メッキ技術を適用して、金属層72が触媒層733上に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、銀ナノワイヤ層73の表面にアンチエッチング層74を印刷して、アンチエッチング層74が銀ナノワイヤ層73を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層74が、ワイヤパターン741と、ワイヤパターン741に接続されたグリッドパターン742と、銀ナノワイヤ層73を被覆し、グリッドパターン742に接続する被覆領域743とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層74で覆われていない銀ナノワイヤ層73の部分と、その下に配置された金属層72をエッチング液で除去し、金属層72が、アンチエッチング層74のワイヤパターン741に対応する金属ワイヤ721と、アンチエッチング層74のグリッドパターン742に対応し、金属ワイヤ721に接続された金属グリッド722と、アンチエッチング層74の被覆領域743に対応し、金属グリッド722に接続された金属板723とを含み、
アンチエッチング層74を除去し、被覆層77を銀ナノワイヤ層73上に配置する、
ことを含む。
実施形態8
基板81を準備し、
基板81上に金属層82及び銀ナノワイヤ層83を配置し、銀ナノワイヤ層83が金属層82上に配置され、基板81の下に第2金属層82’及び第2銀ナノワイヤ層83’を配置し、第2銀ナノワイヤ層83’が第2金属層82’の下に配置され、触媒層833は基板81上に配置され、触媒層833上に金属層82を配置する化学メッキ技術を適用して、金属層82が触媒層833上にメッキされ、第2触媒層833’は基板81の下に配置され、第2触媒層833’上に第2金属層82’を配置する化学メッキ技術を適用して、第2金属層82’が第2触媒層833’上にメッキされ、
フレキソ印刷技術を適用して、銀ナノワイヤ層83の表面にアンチエッチング層84を印刷して、アンチエッチング層84が銀ナノワイヤ層83を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層84が、ワイヤパターン841と、ワイヤパターン841に接続されたグリッドパターン842と、銀ナノワイヤ層83を被覆し、グリッドパターン842に接続する被覆領域843とを含み、かつ、第2銀ナノワイヤ層83’の表面に第2アンチエッチング層84’を印刷して、第2アンチエッチング層84’が第2銀ナノワイヤ層83’を部分的に覆うようにし、第2アンチエッチング層84’が第2ワイヤパターン841’と、第2ワイヤパターン841’に接続された第2グリッドパターン842’と、第2銀ナノワイヤ層83’を被覆し、第2グリッドパターン842’に接続する第2被覆領域843’とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層84で覆われていない銀ナノワイヤ層83の部分と、その下に配置された金属層82をエッチング液で除去し、金属層82が、アンチエッチング層84のワイヤパターン841に対応する金属ワイヤ821と、アンチエッチング層84のグリッドパターン842に対応し、金属ワイヤ821に接続する金属グリッド822と、アンチエッチング層84の被覆領域843に対応し、金属グリッド822と接続する金属板823とを含み、かつ、第2アンチエッチング層84’に覆われていない第2銀ナノワイヤ層83’の部分と、その上に配置された第2金属層82’をエッチング液で除去し、
第2金属層82’が、第2アンチエッチング層84’の第2ワイヤパターン841’に対応する第2金属ワイヤ821’と、第2アンチエッチング層84’の第2グリッドパターン842’に対応し、第2金属ワイヤ821’に接続する第2金属グリッド822’と、第2アンチエッチング層84’の第2被覆領域843’に対応し、第2金属グリッド822’に接続する第2金属板823’とを含み、
アンチエッチング層84及び第2アンチエッチング層84’を除去し、
被覆層87を銀ナノワイヤ層83上に配置するとともに、第2被覆層87’を第2銀ナノワイヤ層83’の下に配置する、
ことを含む。
実施形態9
基板91を準備し、
基板91上に金属層92及び銀ナノワイヤ層93を配置し、金属層92は銀ナノワイヤ層93上に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、金属層92の表面にアンチエッチング層94を印刷して、アンチエッチング層94が金属層92を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層94がワイヤパターン941と、ワイヤパターン941に接続されたグリッドパターン942と、金属層92を被覆し、グリッドパターン942に接続する被覆領域943とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層94で覆われていない金属層92の部分と、その下に配置された銀ナノワイヤ層93をエッチング液で除去し、金属層92が、アンチエッチング層94のワイヤパターン941に対応する金属ワイヤ921と、アンチエッチング層94のグリッドパターン942に対応し、金属ワイヤ921に接続された金属グリッド922と、アンチエッチング層94の被覆領域943に対応し、金属グリッド922に接続された金属板923とを含み、
アンチエッチング層94を除去し、被覆層97を金属層92上に配置する、
ことを含む。
実施形態10
基板101を準備し、
基板101上に金属層102及び銀ナノワイヤ層103を配置し、金属層102は、銀ナノワイヤ層103上に配置され、基板101の下に第2金属層102’及び第2銀ナノワイヤ層103’を配置し、第2金属層102’は、第2銀ナノワイヤ層103’の下に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、金属層102の表面にアンチエッチング層104を印刷して、アンチエッチング層104が金属層102の表面を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層104が、ワイヤパターン1041と、ワイヤパターン1041に接続されたグリッドパターン1042と、金属層102を被覆し、グリッドパターン1042に接続する被覆領域1043とを含み、かつ第2金属層102’の表面に第2アンチエッチング層104’を印刷して、第2アンチエッチング層104’が第2金属層102’を部分的に覆うようにし、第2アンチエッチング層104’が第2ワイヤパターン1041’と、第2ワイヤパターン1041’に接続された第2グリッドパターン1042’と、第2金属層102’を覆い、第2グリッドパターン1042’に接続する第2被覆領域1043’とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層104で覆われていない金属層102の部分と、その下に配置された銀ナノワイヤ層103をエッチング液で除去し、金属層102が、アンチエッチング層104のワイヤパターン1041に対応する金属ワイヤ1021と、アンチエッチング層104のグリッドパターン1042に対応し、金属ワイヤ1021に接続する金属グリッド1022と、アンチエッチング層104の被覆領域1043に対応し、金属グリッド1022に接続する金属板1023とを含み、かつ、第2アンチエッチング層104’に覆われていない第2金属層102’の部分と、その上に配置された第2銀ナノワイヤ層103’とをエッチング液で除去し、第2金属層102’が、第2アンチエッチング層104’の第2ワイヤパターン1041’に対応する第2金属ワイヤ1021’と、第2アンチエッチング層104’の第2グリッドパターン1042’に対応し、第2金属ワイヤ1021’に接続する第2金属グリッド1022’と、第2アンチエッチング層104’の第2被覆領域1043’に対応し、第2金属グリッド1022’に接続する第2金属板1023’とを含み、
アンチエッチング層104及び第2アンチエッチング層104’を除去し、
被覆層107を銀ナノワイヤ層103上に配置するとともに、第2被覆層107’を第2銀ナノワイヤ層103’の下に配置する、
ことを含む。
Claims (29)
- 基板を準備し、
前記基板上に金属層及び銀ナノワイヤ層を配置し、
フレキソ印刷技術を適用して、前記金属層の表面又は前記銀ナノワイヤ層の表面にアンチエッチング層を印刷して、該アンチエッチング層が前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層を部分的に覆うようにし、前記アンチエッチング層が、
ワイヤパターン、
該ワイヤパターンに接続されたグリッドパターン、
前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層を被覆し、前記グリッドパターンに接続する被覆領域を含み、
エッチング技術を適用して、前記アンチエッチング層によって覆われていない前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層の部分と、その下に配置された前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層をエッチング液で除去して、前記金属層が、
前記アンチエッチング層の前記ワイヤパターンに対応する金属ワイヤ、
前記アンチエッチング層の前記グリッドパターンに対応し、前記金属ワイヤに接続する金属グリッド、
前記アンチエッチング層の前記被覆領域に対応し、前記金属グリッドに接続する金属板を含み、
前記アンチエッチング層を除去する、
積層構造の製造方法。 - 前記銀ナノワイヤ層は、前記金属層上に配置され、前記アンチエッチング層は、前記銀ナノワイヤ層の表面に印刷される、
請求項1に記載の積層構造の製造方法。 - 前記金属層は、前記銀ナノワイヤ層上に配置され、前記アンチエッチング層は、前記金属層の表面上に印刷される、
請求項1に記載の積層構造の製造方法。 - 前記金属層は、化学メッキ技術を適用することによって配置される、
請求項1~3のいずれか1項に記載の積層構造の製造方法。 - 前記金属層の材料が、銅、銅-ニッケル合金、銅-鉛合金、銀、銀-ニッケル合金及び銀-鉛合金からなる群から選択される、
請求項1~4のいずれか1項に記載の積層構造の製造方法。 - 前記基板の材料が、ポリエチレンテレフタレート(PET)、環状オレフィンコポリマー(COP)、無色ポリイミド(CPI)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)及びポリエーテルスルホン(PES)からなる群より選択される、
請求項1~5のいずれか1項に記載の積層構造の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に配置される金属層であって、前記金属層は同一層中に、
金属ワイヤ、
前記金属ワイヤに接続された金属グリッド、
前記金属グリッドに接続され金属板を含み、
前記基板上に配置される銀ナノワイヤ層であって、該銀ナノワイヤ層は、前記金属層と少なくとも部分的にオーバーラップし、
前記銀ナノワイヤ層は、前記金属グリッド及び前記金属ワイヤのパターンと同一のパターンを有する、
積層構造。 - 前記銀ナノワイヤ層は、前記金属層上に配置される、
請求項7に記載の積層構造。 - 前記金属層の下に配置された触媒層をさらに含む、
請求項8に記載の積層構造。 - 前記金属層は、前記銀ナノワイヤ層上に配置される、
請求項7に記載の積層構造。 - 前記金属層の材料が、銅、銅-ニッケル合金、銅-鉛合金、銀、銀-ニッケル合金及び銀-鉛合金からなる群から選択される、
請求項7~10のいずれか1項に記載の積層構造。 - 前記基板の材料が、ポリエチレンテレフタレート(PET)、環状オレフィンコポリマー(COP)、無色ポリイミド(CPI)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)及びポリエーテルスルホン(PES) からなる群より選択される、
請求項7~11のいずれか1項に記載の積層構造。 - 前記積層構造は、
前記金属ワイヤを含むトレース領域と、
前記金属グリッドを含む第1ラップオーバー領域と、
前記金属板を含む第2ラップオーバー領域と、
前記金属板の一方の側に隣接し、前記銀ナノワイヤ層で覆われ、前記金属板で覆われない領域を含む可視領域と、
を備え、
前記トレース領域、前記第1ラップオーバー領域及び前記第2ラップオーバー領域において、前記銀ナノワイヤ層は、前記金属層と同一のパターンを有する、
請求項7~12のいずれか1項に記載の積層構造。 - 前記第1ラップオーバー領域と前記第2ラップオーバー領域との合計幅が500μm未満であり、前記第1ラップオーバー領域の幅と前記第2ラップオーバー領域の幅との比が0.05以上20以下である、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記第1ラップオーバー領域と前記第2ラップオーバー領域との合計幅が0.5mm以上1.0mm以下であり、前記第1ラップオーバー領域の幅と前記第2ラップオーバー領域の幅との比が0.03以上35以下である、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記第1ラップオーバー領域と前記第2ラップオーバー領域との合計幅が1.0mm以上1.5mm以下であり、前記第1ラップオーバー領域の幅と前記第2ラップオーバー領域の幅との比が0.02以上50以下である、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記第1ラップオーバー領域と前記第2ラップオーバー領域との合計幅が1.5mm以上2.5mm以下であり、前記第1ラップオーバー領域の幅と前記第2ラップオーバー領域の幅との比が0.01以上100以下である、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記トレース領域の幅に対する前記第1ラップオーバー領域と前記第2ラップオーバー領域との合計幅の比が2:1であり、前記金属層が1~50本の金属ワイヤからなり、前記第1ラップオーバー領域の幅と前記第2ラップオーバー領域の幅との比が0.05~20である、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記トレース領域の幅に対する前記第1ラップオーバー領域と前記第2ラップオーバー領域との合計幅の比が1:1であり、前記金属層が10~100本の金属ワイヤを含み、前記第1ラップオーバー領域の幅と前記第2ラップオーバー領域の幅との比が0.03~35である、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記トレース領域の幅に対する前記第1ラップオーバー領域と前記第2ラップオーバー領域との合計幅の比が3:1であり、前記金属層が1~50本の金属ワイヤからなり、前記第1ラップオーバー領域の幅と前記第2ラップオーバー領域の幅との比が0.02~50である、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記金属ワイヤのピッチに対する前記第1ラップオーバー領域の前記金属グリッドのピッチは0.1~10倍であり、前記金属ワイヤの線幅に対する前記第1ラップオーバー領域の前記金属グリッドの線幅は0.1~5倍である、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記金属ワイヤのピッチが20μm、線幅が10μm、線間隔が10μmであり、前記第1ラップオーバー領域の前記金属グリッドのピッチが2μm~200μm、線幅が2μm~50μm程度である、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記第1ラップオーバー領域の前記金属グリッドの線幅/線間隔は、5μm/5μm、10μm/5μm、15μm/5μm、20μm/5μm、40μm/5μm、50μm/5μm、50μm/150μm、40μm/150μm、30μm/150μm又は20μm/150μmである、
請求項22に記載の積層構造。 - 前記金属ワイヤは、40μmのピッチ、20μmの線幅及び20μmの線間隔を有し、前記第1ラップオーバー領域の前記金属グリッドは、4μm~400μmのピッチ及び4μm~100μm程度の線幅を有する、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記第1ラップオーバー領域の前記金属グリッドの線幅/線間隔は、20μm/5μm、40μm/5μm、80μm/5μm、100μm/5μm、20μm/80μm、40μm/60μm、100μm/200μm又は100μm/300μmである、
請求項24に記載の積層構造。 - 前記金属ワイヤは、3μmから30μmの線幅、及び3μmから30μmの線間隔を有する、
請求項13に記載の積層構造。 - 前記基板上に配置されたボンディングパッドをさらに備え、
前記ボンディングパッドは、
前記基板上に配置されたボンディング金属層及びボンディングナノワイヤ層を含み、
前記ボンディング金属層は、
ボンディング金属グリッドと、
前記ボンディング金属グリッドに接続されたボンディング金属板と、
を含む、
請求項13~26のいずれか1項に記載の積層構造。 - 積層構造であって、
基板と、
前記基板上に配置される金属層であって、
金属ワイヤ、
前記金属ワイヤに接続された金属グリッド、
前記金属グリッドに接続され金属板を同一層中に含む金属層と、
前記基板上に配置される銀ナノワイヤ層であって、前記金属層と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層と、を含む積層構造と、
前記積層構造の前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層上に配置される被覆層と、
を備え、
前記銀ナノワイヤ層は、前記金属グリッド及び前記金属ワイヤのパターンと同一のパターンを有する、
タッチセンサ。
- 前記積層構造において前記基板の下に配置される第2金属層であって、
第2金属ワイヤと、
前記第2金属ワイヤに接続された第2金属グリッドと、
前記第2金属グリッドに接続された第2金属板とを含む、前記第2金属層と、
前記基板の下に配置される第2銀ナノワイヤ層であって、前記第2金属層と少なくとも部分的にオーバーラップする、第2銀ナノワイヤ層と、
前記第2金属層及び前記第2銀ナノワイヤ層の下に配置される第2被覆層と、
をさらに備える、
請求項28に記載のタッチセンサ。
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