JP7152536B2 - 積層構造の製造方法、積層構造及びタッチセンサ - Google Patents

Description

本開示は、積層構造の製造方法に関し、特に、フレキソ印刷技術を適用して積層構造を製造する方法に関する。本開示はまた、積層構造に関し、特に、金属グリッドと金属板とを有する金属層を含む積層構造に関する。本開示はまた、タッチセンサ、特に積層構造を含むタッチセンサに関する。

銀ナノワイヤ及び金属層を含む積層構造をタッチセンサに適用することができる。従来の積層構造の製造方法は、銅及びナノ銀の存在下でフォトリソグラフィにより１回のエッチング処理を行い、トレース領域（trace area）ＴＡ及び可視領域（visual area）ＶＡを画定するものであったが、この積層構造の製造方法を適用して作製した従来の積層構造を図１、図２及び図３に示す。図１及び図２を参照すると、従来の積層構造１０は、基板１１と、基板１１上に配置された金属層１３であって、金属シート１３１、金属ワイヤ１３２を含む金属層１３と、金属層１３上に配置された銀ナノワイヤ層１４とを備える。さらに、図３に示す従来の積層構造の別の実施形態では、従来の積層構造１０は、基板１１と金属層１３との間に配置された触媒層１２をさらに備える。従来の積層構造は、金属ワイヤ１３２を含むトレース領域ＴＡと、金属ワイヤ１３２に相対的に隣接する金属シート１３１内の領域を含む第１ラップオーバー領域１５と、金属ワイヤ１３２から比較的離れた金属シート１３１内の領域を含む第２ラップオーバー領域１６と、金属シート１３１の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層１４で覆われ、金属シート１３１で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。

従来の積層構造の製造方法を適用して形成された積層構造では、第１ラップオーバー領域１５及び第２ラップオーバー領域１６はいずれも表面全体の（すなわち、均一な又は連続的な）固体銅（solid copper）からなるため、工程が比較的煩雑で高価である。したがって、新たな、積層構造の製造方法、積層構造、及びタッチパネルを提供する必要がある。

従来の積層構造の製造方法に存在する比較的煩雑で高価である問題を改善するために、本開示の主な目的は、新たな、積層構造の製造方法、積層構造及びタッチセンサを提供することである。

上記の目的及び他の目的を達成するために、本開示は、基板を準備し、前記基板上に金属層及び銀ナノワイヤ層を配置し、フレキソ印刷技術を適用して、前記金属層の表面又は前記銀ナノワイヤ層の表面にアンチエッチング層を印刷して、該アンチエッチング層が前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層を部分的に覆うようにし、前記アンチエッチング層が、ワイヤパターン、該ワイヤパターンに接続されたグリッドパターン、前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層を被覆し、前記グリッドパターンに接続する被覆領域を含み、エッチング技術を適用して、前記アンチエッチング層によって覆われていない前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層の部分と、その下に配置された前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層をエッチング液で除去して、前記金属層が、前記アンチエッチング層の前記ワイヤパターンに対応する金属ワイヤ、前記アンチエッチング層の前記グリッドパターンに対応し、前記金属ワイヤに接続する金属グリッド、前記アンチエッチング層の前記被覆領域に対応し、前記金属グリッドに接続する金属板を含み、前記アンチエッチング層を除去する、積層構造の製造方法を提供する。

前記製造方法において、前記銀ナノワイヤ層は、前記金属層上に配置されてもよく、前記アンチエッチング層は、前記銀ナノワイヤ層の表面に印刷されてもよい。

前記製造方法において、前記金属層は、化学メッキ技術を適用して配置され得る。

前記製造方法において、金属層は、銀ナノワイヤ層上に配置され得、アンチエッチング層は、金属層の表面上に印刷され得る。

前記製造方法において、金属層の材料は、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金、銀－鉛合金からなる群から選択され得る。

前記製造方法において、前記基材の材料が、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）からなる群から選択されていてもよい。

上記の目的及び他の目的を達成するために、本開示は、基板と、前記基板上に配置される金属層であって、前記金属層は、金属ワイヤ、前記金属ワイヤに接続された金属グリッド、前記金属グリッドに接続され金属板を含み、前記基板上に配置される銀ナノワイヤ層であって、該銀ナノワイヤ層は、前記金属層と少なくとも部分的にオーバーラップする、積層構造を提供する。

前記積層構造において、前記銀ナノワイヤ層は、前記金属層上に配置されてもよい。

前記積層構造は、前記金属層の下に配置された触媒層をさらに含むことができる。

前記積層構造において、前記金属層は、前記銀ナノワイヤ層上に配置されてもよい。

前記積層構造において、金属層の材料は、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金、銀－鉛合金からなる群から選択することができる。

前記積層構造において、前記基板の材料が、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）及びポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）からなる群より選択され得る。

前記積層構造において、前記積層構造は、前記金属ワイヤを含むトレース領域と、前記金属グリッドを含む第１ラップオーバー領域と、前記金属板を含む第２ラップオーバー領域と、前記金属板の一方の側に隣接し、前記銀ナノワイヤ層で覆われ、前記金属板で覆われない領域を含む可視領域と、を備えていてもよい。前記トレース領域、前記第１ラップオーバー領域及び前記第２ラップオーバー領域において、前記銀ナノワイヤ層は、前記金属層に対応するパターンを有していてもよい。

前記積層構造において、前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅は５００μｍ未満であってもよく、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比は、０．０５以上２０以下であってもよい。

前記積層構造において、前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅は、０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよい。前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比は、０．０３以上３５以下であってもよい。

前記積層構造において、前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅は、１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよい。前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比は、０．０２以上５０以下であってもよい。

前記積層構造において、前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅は、１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよい。前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比は、０．０１以上１００以下であってもよい。

前記積層構造において、前記トレース領域の幅に対する前記第１ラップオーバー領域及び前記第２ラップオーバー領域の合計幅の比は２：１であり、前記金属層は１～５０本の金属ワイヤからなり、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅の比は０．０５～２０である。

前記積層構造において、前記トレース領域の幅に対する前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅の比は１：１であり、前記金属層は１０～１００本の金属ワイヤからなり、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比は０．０３～３５である。

前記積層構造において、前記トレース領域の幅に対する前記第１ラップオーバー領域及び前記第２ラップオーバー領域の合計幅の比は３：１であり、前記金属層は１～５０本の金属ワイヤからなり、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅の比は０．０２～５０である。

前記積層構造において、前記金属ワイヤのピッチに対する前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドのピッチは０．１～１０倍であり、前記金属ワイヤの線幅に対する前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドの線幅は０．１～５倍であり得る。

前記積層構造において、前記金属ワイヤのピッチは２０μｍ、線幅は１０μｍ、線間隔は１０μｍであり、前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドのピッチは２μｍ～２００μｍ、線幅は２μｍ～５０μｍ程度である。

前記積層構造において、前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドの線幅／線間隔は、５μｍ／５μｍ、１０μｍ／５μｍ、１５μｍ／５μｍ、２０μｍ／５μｍ、４０μｍ／５μｍ、５０μｍ／５μｍ、５０μｍ／１５０μｍ、４０μｍ／１５０μｍ、３０μｍ／１５０μｍ又は２０μｍ／１５０μｍであり得る。

前記積層構造において、前記金属ワイヤは、４０μｍのピッチ、２０μｍの線幅及び２０μｍの線間隔を有し、前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドは、４μｍ～４００μｍのピッチ及び４μｍ～１００μｍ程度の線幅を有する。

前記積層構造において、前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドの線幅／線間隔は、２０μｍ／５μｍ、４０μｍ／５μｍ、８０μｍ／５μｍ、１００μｍ／５μｍ、２０μｍ／８０μｍ、４０μｍ／６０μｍ、１００μｍ／２００μｍ又は１００μｍ／３００μｍであり得る。

前記積層構造において、前記金属ワイヤは、３μｍから３０μｍの線幅、及び３μｍから３０μｍの線間隔を有する。

前記積層構造は、前記基板上に配置されたボンディングパッドをさらに備え、前記ボンディングパッドは、前記基板上に配置されたボンディング金属層を含み、前記ボンディング金属層は、ボンディング金属グリッドと、前記ボンディング金属グリッドに接続されたボンディング金属板と、前記基板上に配置されたボンディング銀ナノワイヤ層と、を含み得る。

また、上記の目的及び他の目的を達成するために、本開示は、上記積層構造と、上記積層構造の前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層上に配置される被覆層と、を備えたタッチセンサを提供する。

前記タッチセンサは、上記積層構造において前記基板の下に配置される第２金属層であって、第２金属ワイヤと、前記第２金属ワイヤに接続された第２金属グリッドと、前記第２金属グリッドに接続された第２金属板とを含む、前記第２金属層と、前記基板の下に配置される第２銀ナノワイヤ層であって、前記第２金属層と少なくとも部分的にオーバーラップする、第２銀ナノワイヤ層と、前記第２金属層及び前記第２銀ナノワイヤ層の下に配置される第２被覆層と、をさらに備える。

本開示の積層構造の製造方法は、異なるパターンデザインを有する第１ラップオーバー領域及び第２ラップオーバー領域を効果的に確定して、差別化された特別な積層デザインを形成することができ、露光及び現像プロセスを省き、両面露光の問題を解決し、廃水処理を低減し、性能を改善するためのコストを低減することができる。

本開示の積層構造及び該積層構造を備えるタッチセンサは、金属原料の消費量を低減することができ、積層構造及び該積層構造を備えるタッチセンサの製造コストを低減することができる。

従来の積層構造の概略図である。

従来の積層構造の概略断面図である。

別の実施形態の従来の積層構造の概略断面図である。

本開示の積層構造を製造する方法のフローシートである。

例示的なフレキソ印刷技術の概略図である。

本開示の実施形態２に係る積層構造の概略図である。

本開示の実施形態２に係るＡ－Ａ断面に沿った積層構造の概略断面図である。

本開示の実施形態２におけるＢ－Ｂ断面に沿った積層構造の概略断面図である。

本開示の実施形態３に係る積層構造の概略図である。

本開示の実施形態３に係るＡ－Ａ断面に沿った積層構造の概略断面図である。

本開示の実施形態３に係るＢ－Ｂ断面に沿った積層構造の概略断面図である。

本開示の実施形態３に係るＣ－Ｃ断面に沿った積層構造の概略断面図である。

本開示の実施形態４に係るタッチセンサの概略図である。

本開示の実施形態４に係るＡ－Ａ断面に沿った積層構造の概略断面図である。

本開示の実施形態４に係るＢ－Ｂ断面に沿った積層構造の概略断面図である。

本開示の実施形態５に係るタッチセンサ及びその製造方法の概略図である。

本開示の実施形態６に係るタッチセンサ及びその製造方法の概略図である。

本開示の実施形態７に係るタッチセンサ及びその製造方法の概略図である。

本開示の実施形態８に係るタッチセンサ及びその製造方法の概略図である。

本開示の実施形態９に係るタッチセンサ及びその製造方法の概略図である。

本開示の実施形態１０に係るタッチセンサ及びその製造方法の概略図である。

本発明の実施は、以下の特定の実施形態によって例示され、当業者は、本明細書に開示された内容によって本発明の他の利点及び効果を理解することができる。本発明はまた、他の実施形態によって実施又は適用されてもよく、本明細書における詳細はまた、種々の修正及び変形のために本発明の精神から逸脱することなく、異なる見解及び適用に基づいてもよい。

ここで別段の記載がない限り、本明細書及び添付の特許請求の範囲において使用される「a」及び「the」の単数形は、複数の意味を含む。

ここで別段の記載がない限り、本明細書及び添付の特許請求の範囲において使用される「又は」の技術用語は、「又は／及び」の意味を含む。

ここで、第１ラップオーバー領域及び第２ラップオーバー領域の「幅」とは、図７に示すように、Ａ－Ａ断面における第１ラップオーバー領域及び第２ラップオーバー領域の幅を示す。

ここでいう「ピッチ」とは、金属ワイヤ（metallic wire）の中心軸と隣接する他の金属ワイヤの中心軸との最短距離、又は、金属線（metallic line）の中心軸と金属グリッド内の隣接する他の金属線の中心軸との最短距離を意味する。

ここで、「線間隔（line space）」とは、金属ワイヤの端部と隣接する他の金属ワイヤの端部との間の最短距離、又は、金属線の端部と金属グリッド内の隣接する他の金属線の端部との間の最短距離を意味する。

実施形態１

図４は、本開示の実施形態１に係る積層構造の製造方法１のフローシートである。図４に示すように、本開示の実施形態１に係る積層構造の製造方法１は、Ｓ１：基板を準備する、Ｓ２：基板上に金属層及び銀ナノワイヤ層を配置する、Ｓ３：フレキソ印刷技術を適用して、金属層又は銀ナノワイヤ層の表面にアンチエッチング層を印刷して、アンチエッチング層が金属層又は銀ナノワイヤ層を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層が、ワイヤパターン、ワイヤパターンに接続されたグリッドパターン、金属層又は銀ナノワイヤ層を被覆し、グリッドパターンに接続する被覆領域を含み、Ｓ４：エッチング技術を適用して、アンチエッチング層によって覆われていない金属層又は銀ナノワイヤ層の部分と、その下に配置された金属層又は銀ナノワイヤ層をエッチング液で除去して、金属層が、アンチエッチング層のワイヤパターンに対応する金属ワイヤ、アンチエッチング層のグリッドパターンに対応し、金属ワイヤに接続する金属グリッド、アンチエッチング層の被覆領域に対応し、金属グリッドに接続する金属板を含み、Ｓ５：アンチエッチング層を除去する。

本実施形態の製造方法１において、ステップＳ１で用いる基板の材料は特に限定されない。例えば、適切な材料は、限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、及び／又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）を含む。

本実施形態の製造方法１において、ステップＳ２は、基板上に金属層及び銀ナノワイヤ層を配置するための従来技術を適用する。例えば、化学メッキ技術、スパッタリング技術、又はフォトリソグラフィ技術を適用することによって、金属層を基板上に配置することができる。例えば、銀ナノワイヤ層は、コーティングによって基板上に配置することができ、金属層と銀ナノワイヤ層との相対位置は、特に限定されない。一実施形態では、銀ナノワイヤ層は、金属層上に配置される。また、別の実施形態では、金属層は、銀ナノワイヤ層上に配置される。金属層の組成は、適切な導電性を有するものであれば特に限定されない。例えば、金属層の材料は、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金、及び／又は銀－鉛合金であってもよいが、本開示はこれらに限定されない。

本実施形態の製造方法１において、ステップＳ３は、従来のフレキソ印刷技術を適用して、金属層又は銀ナノワイヤ層上にアンチエッチング層を印刷する。ステップＳ３において、アンチエッチング層の材料は、後のステップＳ４において、アンチエッチング層に覆われた金属層又は銀ナノワイヤ層の一部がエッチング液によってエッチングされないことが保証される限り、特に限定されない。

本実施形態の製造方法１において、ステップＳ４は、従来のエッチング技術を適用して、アンチエッチング層によって覆われていない金属層又は銀ナノワイヤ層の部分及びその下に配置された金属層又は銀ナノワイヤ層をエッチング液で除去する。なお、ステップＳ４で用いるエッチング液は、アンチエッチング層で覆われていない金属層又は銀ナノワイヤ層の部分と、その下に配置された金属層又は銀ナノワイヤ層を１回のエッチング又は２回のエッチングで除去できるものであれば、特に限定されない。

本実施形態の製造方法１において、ステップＳ３で印刷されたアンチエッチング層は、ワイヤパターン、ワイヤパターンに接続されたグリッドパターン、金属層又は銀ナノワイヤ層を被覆し、グリッドパターンに接続する被覆領域を含み、次のステップＳ４のエッチング後の金属層が、アンチエッチング層のワイヤパターンに対応する金属ワイヤ、アンチエッチング層のグリッドパターンに対応し、金属ワイヤに接続する金属グリッド、アンチエッチング層の被覆領域に対応し、金属グリッドに接続する金属板を含む。以上の技術的手段により、本実施形態の製造方法１による積層構造は、以下の実施形態２、実施形態３又は実施形態４で説明するような構造とすることができ、タッチセンサに適用することができる。

図５は、本実施形態の製造方法のステップＳ３で適用したフレキソ印刷技術を示しているが、これに限定されるものではない。図５に示すように、フレキソ印刷技術は、インク供給源２を用いてアニロックスローラ３にインク滴を追加した後、スクレーパ（ドクターブレード）４によりアニロックスローラ３から余剰インクを掻き取る。次に、アニロックスローラ３上のインクを版胴５上のフレキソ板６に転写する。最後に、フレキソ板６上のインクを被印刷体７に転写し、被印刷体７に所望のパターンを印刷する。

実施形態２

図６、図７及び図８は、本開示の実施形態２の積層構造２０の概略図である。図６、図７及び図８に示すように、本実施形態の積層構造２０は、基板２１（図６には示されていない）、基板２１上に配置された金属層２２と、基板２１上に配置された銀ナノワイヤ層２３であって、金属層２２と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層２３とを備えている。金属層２２は、金属ワイヤ２２１と、金属ワイヤ２２１に接続された金属グリッド２２２と、金属グリッド２２２に接続された金属板２２３とを含む。

本実施形態の積層構造２０は、金属ワイヤ２２１を含むトレース領域ＴＡと、金属グリッド２２２を含む第１ラップオーバー領域２５と、金属板２２３を含む第２ラップオーバー領域２６と、金属板２２３の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層２３で覆われ、金属板２２３で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。トレース領域ＴＡ、第１ラップオーバー領域２５及び第２ラップオーバー領域２６において、銀ナノワイヤ層２３は、金属層２２に対応するパターンを有する。

本実施形態では、積層構造２０の銀ナノワイヤ層２３は、金属層２２上に配置されるが、本開示はこれに限定されない。別の実施形態では、金属層２２が、銀ナノワイヤ層２３上に配置されてもよい。すなわち、本開示の積層構造２０における金属層２２と銀ナノワイヤ層２３との相対位置を交換することができる。

本実施形態では、積層構造２０の基板２１の材料は特に限定されない。例えば、適切な材料は、限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、及び／又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）を含む。

本実施形態では、積層構造２０の金属層２２の構成は、適切な導電性を有するものであれば特に限定されない。例えば、金属層２２の材料は、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金、及び／又は銀－鉛合金とすることができるが、本開示はこれらに限定されない。

一実施形態では、本実施形態の積層構造２０の第１ラップオーバー領域２５と第２ラップオーバー領域２６との合計幅は５００μｍ未満であり、第１ラップオーバー領域２５の幅と第２ラップオーバー領域２６の幅との比は０．０５～２０である。

一実施形態では、本実施形態の積層構造２０の第１ラップオーバー領域２５と第２ラップオーバー領域２６との合計幅は０．５ｍｍ～１．０ｍｍであり、第１ラップオーバー領域２５の幅と第２ラップオーバー領域２６の幅との比は０．０３～３５である。

一実施形態では、本実施形態の積層構造２０の第１ラップオーバー領域２５と第２ラップオーバー領域２６との合計幅は１．０ｍｍ～１．５ｍｍであり、第１ラップオーバー領域２５の幅と第２ラップオーバー領域２６の幅との比は０．０２～５０である。

一実施形態では、本実施形態の積層構造２０の第１ラップオーバー領域２５と第２ラップオーバー領域２６との合計幅は１．５ｍｍ～２．５ｍｍであり、第１ラップオーバー領域２５の幅と第２ラップオーバー領域２６の幅との比は０．０１～１００である。

一実施形態では、第１ラップオーバー領域２５及び第２ラップオーバー領域２６の合計幅と、実施形態の積層構造２０のトレース領域ＴＡの幅との比は、２：１であり、金属層２２は、１～５０本の金属ワイヤ２２１を含み、第１ラップオーバー領域２５の幅と第２ラップオーバー領域２６の幅との比は、０．０５～２０である。

一実施形態では、第１ラップオーバー領域２５及び第２ラップオーバー領域２６の合計幅と、実施形態の積層構造２０のトレース領域ＴＡの幅との比は、１：１であり、金属層２２は、１０～１００本の金属ワイヤ２２１を含み、第１ラップオーバー領域２５の幅と、第２ラップオーバー領域２６の幅との比は、０．０３～３５である。

一実施形態では、第１ラップオーバー領域２５及び第２ラップオーバー領域２６の合計幅と、実施形態の積層構造２０のトレース領域ＴＡの幅との比は、３：１であり、金属層２２は、１～５０本の金属ワイヤ２２１を含み、第１ラップオーバー領域２５の幅と第２ラップオーバー領域２６の幅との比は、０．０２～５０である。

一実施形態では、本実施形態の積層構造２０の金属ワイヤ２２１のピッチに対する、第１ラップオーバー領域２５の金属グリッド２２２のピッチは、０．１～１０倍であり、金属ワイヤ２２１の線幅に対する、第１ラップオーバー領域２５の金属グリッド２２２の線幅は、０．１～５倍である。

一実施形態では、本実施形態の積層構造２０の金属ワイヤ２２１は、２０μｍのピッチ、１０μｍの線幅及び１０μｍの線間隔を有し、第１ラップオーバー領域２５の金属グリッド２２２は、２μｍ～２００μｍのピッチ及び約２μｍ～５０μｍの線幅を有する。

一実施形態では、実施形態の積層構造２０の第１ラップオーバー領域２５の金属グリッド２２２の線幅／線間隔は、５μｍ／５μｍ、１０μｍ／５μｍ、１５μｍ／５μｍ、２０μｍ／５μｍ、４０μｍ／５μｍ、５０μｍ／５μｍ、５０μｍ／１５０μｍ、４０μｍ／１５０μｍ、３０μｍ／１５０μｍ、又は２０μｍ／１５０μｍである。

一実施形態では、本実施形態の積層構造２０の金属ワイヤ２２１は、４０μｍのピッチ、２０μｍの線幅及び２０μｍの線間隔を有し、第１ラップオーバー領域２５の金属グリッド２２２は、４μｍ～４００μｍのピッチ及び約４μｍ～１００μｍの線幅を有する。

一実施形態では、実施形態の積層構造２０の第１ラップオーバー領域２５の金属グリッド２２２の線幅／線間隔は、２０μｍ／５μｍ、４０μｍ／５μｍ、８０μｍ／５μｍ、１００μｍ／５μｍ、２０μｍ／８０μｍ、４０μｍ／６０μｍ、１００μｍ／２００μｍ又は１００μｍ／３００μｍである。

一実施形態によると、本実施形態の積層構造２０の金属ワイヤ２２１は、線幅が３μｍ～３０μｍであり、線間隔が３μｍ～３０μｍである。

一実施形態では、積層構造２０を備えるタッチセンサの信頼性は、第１ラップオーバー領域２５と第２ラップオーバー領域２６の合計幅を特定の範囲に制御することによってさらに向上させることができるが、これに限定されるものではない。第１ラップオーバー領域２５と第２ラップオーバー領域２６との合計幅は、積層構造２０のサイズに基づいて当業者が適宜調整することができる。

一実施形態では、積層構造２０を備えるタッチセンサの信頼性は、トレース領域ＴＡの幅に対する第１ラップオーバー領域２５及び第２ラップオーバー領域２６の合計幅の比を特定の範囲に制御することにより、さらに向上させることができるが、これに限定されるものではない。なお、第１ラップオーバー領域２５及び第２ラップオーバー領域２６の合計幅とトレース領域ＴＡの幅との比は、積層構造２０のサイズに基づいて、当業者が適宜調整することができる。

例えば、本実施形態の積層構造２０は、実施形態１で説明した製造方法１によって製造することができるが、これに限定されるものではない。

実施形態３

図９、図１０、図１１及び図１２は、本開示の実施形態３の積層構造３０の概略図である。図９、図１０、図１１及び図１２に示すように、本実施形態の積層構造３０は、基板３１（図９には示されていない）と、基板３１上に配置された金属層３２と、基板３１上に配置された銀ナノワイヤ層３３であって、金属層３２と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層３３とを備えている。金属層３２は、金属ワイヤ３２１と、金属ワイヤ３２１に接続された金属グリッド３２２と、金属グリッド３２２に接続された金属板３２３とを含む。

本実施形態の積層構造３０は、金属ワイヤ３２１を含むトレース領域ＴＡと、金属グリッド３２２を含む第１ラップオーバー領域３５と、金属板３２３を含む第２ラップオーバー領域３６、金属板３２３の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層３３で覆われ、金属板３２３で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。トレース領域ＴＡ、第１ラップオーバー領域３５及び第２ラップオーバー領域３６において、銀ナノワイヤ層３３は、金属層３２に対応するパターンを有する。

実施形態２と比較して、本実施形態の積層構造３０は、触媒層３３３（図９には示されていない）をさらに備え、金属層３２の下方に配置されている。

本実施形態の触媒層３３３を組み込んだ状態で、化学メッキ技術を適用して金属層３２を触媒層３３３上にメッキし、金属層３２を触媒層３３３上に配置する。

実施形態２と比較して、本実施形態の積層構造３０は、基板３１上に配置されたボンディングパッド３９をさらに備える。ボンディングパッド３９は、基板３１上に配置されたボンディング金属層３２’と、基板３１上に配置されたボンディング銀ナノワイヤ層３３’とを備える。ボンディング金属層３２’は、ボンディング金属グリッド３２２’と、ボンディング金属グリッド３２２’に接続されたボンディング金属板３２３’とを含む。

本実施形態のボンディングパッド３９は、外部回路を接続するためのコンタクトであってもよい。

実施形態４

図１３、図１４及び図１５は、本開示の実施形態４の積層構造４０の概略図である。図１３、図１４及び図１５に示すように、本実施形態の積層構造４０は、基板４１（図１３には示されていない）と、基板４１上に配置された金属層４２と、基板４１上に配置された銀ナノワイヤ層４３であって、金属層４２と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層４３とを備えている。金属層４２は、金属ワイヤ４２１と、金属ワイヤ４２１に接続された金属グリッド４２２と、金属グリッド４２２に接続された金属板４２３とを含む。

本実施形態の積層構造４０は、金属ワイヤ４２１を含むトレース領域ＴＡと、金属グリッド４２２を含む第１ラップオーバー領域４５と、金属板４２３を含む第２ラップオーバー領域４６と、金属板４２３の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層４３で覆われ、金属板４２３で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。トレース領域ＴＡ、第１ラップオーバー領域４５及び第２ラップオーバー領域４６において、銀ナノワイヤ層４３は、金属層４２に対応するパターンを有する。

実施形態２と比較して、実施形態の積層構造４０の金属層４２は、銀ナノワイヤ層４３上に配置される。

実施形態５

図１６は、本開示の実施形態５に係るタッチセンサ５０’及びその製造方法の概略図である。図１６のトップダウン順に、１．基板５１上に銀ナノワイヤ層５３及び金属層５２を配置した後の概略図、２．銀ナノワイヤ層５３の表面にアンチエッチング層５４を印刷した後の概略図、３．アンチエッチング層５４によっておおわれていない銀ナノワイヤ層５３と、その下に配置された金属層５２をエッチング液で除去した後の部分Ｄの概略図、４．銀ナノワイヤ層５３上に被覆層５７を配置した後の部分Ｄの概略図である。図１６に示すように、本実施形態のタッチセンサ５０’は、実施形態２で説明した積層構造５０を有している。

本実施形態のタッチセンサ５０’の積層構造５０は、基板５１と、基板５１上に配置された金属層５２と、基板５１上に配置された銀ナノワイヤ層５３であって、金属層５２と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層５３とを備える。金属層５２は、金属ワイヤ５２１と、金属ワイヤ５２１に接続された金属グリッド５２２と、金属グリッド５２２に接続された金属板５２３とを含む。この実施形態では、銀ナノワイヤ層５３は、金属層５２上に配置される。

本実施形態の積層構造５０は、金属ワイヤ５２１を含むトレース領域ＴＡと、金属グリッド５２２を含む第１ラップオーバー領域５５と、金属板５２３を含む第２ラップオーバー領域５６と、金属板５２３の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層５３で覆われ、金属板５２３で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。領域トレース領域ＴＡ、第１ラップオーバー領域５５及び第２ラップオーバー領域５６において、銀ナノワイヤ層５３は、金属層５２に対応するパターンを有する。

実施形態２と比較して、本実施形態のタッチセンサ５０’は、銀ナノワイヤ層５３上に配置された被覆層５７をさらに含む。

図１６に示されるように、本実施形態のタッチセンサ５０’を製造するための例示的なプロセスは、
基板５１を準備し、
基板５１上に金属層５２及び銀ナノワイヤ層５３を配置し、銀ナノワイヤ層５３は、金属層５２上に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、銀ナノワイヤ層５３の表面にアンチエッチング層５４を印刷して、アンチエッチング層５４が銀ナノワイヤ層５３を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層５４が、ワイヤパターン５４１と、ワイヤパターン５４１に接続されたグリッドパターン５４２と、銀ナノワイヤ層５３を被覆し、グリッドパターン５４２に接続する被覆領域５４３とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層５４で覆われていない銀ナノワイヤ層５３の部分と、その下に配置された金属層５２をエッチング液で除去し、金属層５２が、アンチエッチング層５４のワイヤパターン５４１に対応する金属ワイヤ５２１と、アンチエッチング層５４のグリッドパターン５４２に対応し、金属ワイヤ５２１に接続する金属グリッド５２２と、アンチエッチング層５４の被覆領域５４３に対応し、金属グリッド５２２に接続する金属板５２３とを含み、
アンチエッチング層５４を除去し、被覆層５７を銀ナノワイヤ層５３上に配置する、
ことを含む。

実施形態６

図１７は、本開示の実施形態６に係るタッチセンサ６０’及びその製造方法の概略図である。図１７のトップダウン順に、１．基板６１上に銀ナノワイヤ層６３及び金属層６２を配置し、基板６１の下に第２銀ナノワイヤ層６３’及び第２金属層６２’を配置した後の概略図、２．銀ナノワイヤ層６３の表面にアンチエッチング層６４を印刷し、第２銀ナノワイヤ層６３’の表面に第２アンチエッチング層６４’を印刷した後の概略図、３．エッチング液によって、アンチエッチング層６４によって覆われていない銀ナノワイヤ層６３の部分と、その下に配置された金属層６２を除去するとともに、第２アンチエッチング層６４’によって覆われていない第２銀ナノワイヤ層６３’と、その上に配置された第２金属層６２’を除去した後の部分Ｅの概略図、４．銀ナノワイヤ層６３上に被覆層６７を配置し、第２銀ナノワイヤ層６３’の下に第２被覆層６７’を配置した後の部分Ｅの概略図である。実施形態５と比較して、本実施形態のタッチセンサの基板６１の両面は、実施形態２で説明した積層構造６０を有している。

本実施形態のタッチセンサ６０’の積層構造６０は、基板６１、基板６１上に配置された金属層６２と、基板６１上に配置された銀ナノワイヤ層６３であって、金属層６２と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層６３とを備える。金属層６２は、金属ワイヤ６２１と、金属ワイヤ６２１に接続された金属グリッド６２２と、金属グリッド６２２に接続された金属板６２３とを含む。この実施形態では、銀ナノワイヤ層６３は、金属層６２上に配置される。

本実施形態の積層構造６０は、金属ワイヤ６２１を含むトレース領域ＴＡと、金属グリッド６２２を含む第１ラップオーバー領域６５と、金属板６２３を含む第２ラップオーバー領域６６と、金属板６２３の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層６３で覆われ、金属板６２３で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。トレース領域ＴＡ、第１ラップオーバー領域６５及び第２ラップオーバー領域６６において、銀ナノワイヤ層６３は、金属層６２に対応するパターンを有する。

実施形態２と比較して、本実施形態のタッチセンサ６０’は、銀ナノワイヤ層６３上に配置された被覆層６７をさらに含む。

実施形態５と比較して、本実施形態のタッチセンサ６０’は、基板６１の下方に配置された第２金属層６２’と、基板６１の下に配置された第２銀ナノワイヤ層６３’であって、第２金属層６２’と少なくとも部分的に重なる第２銀ナノワイヤ層６３’とをさらに備える。第２金属層６２’は、第２金属ワイヤ６２１’と、第２金属ワイヤ６２１’に接続された第２金属グリッド６２２’と、第２金属グリッド６２２’に接続された第２金属板６２３’とを含む。この実施形態では、第２銀ナノワイヤ層６３’は、第２金属層６２'の下に配置される。第２被覆層６７’は、第２銀ナノワイヤ層６３’の下に配置される。

図１７に示されるように、本実施形態のタッチセンサ６０’を製造するための例示的なプロセスは、
基板６１を準備し、
基板６１上に金属層６２及び銀ナノワイヤ層６３を配置し、銀ナノワイヤ層６３が金属層６２上に配置され、基板６１の下に第２金属層６２’及び第２銀ナノワイヤ層６３’を配置し、第２銀ナノワイヤ層６３’が第２金属層６２’の下に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、銀ナノワイヤ層６３の表面にアンチエッチング層６４を印刷して、アンチエッチング層６４が銀ナノワイヤ層６３を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層６４が、ワイヤパターン６４１と、ワイヤパターン６４１に接続されたグリッドパターン６４２と、銀ナノワイヤ層６３を被覆し、グリッドパターン６４２に接続する被覆領域６４３とを含み、かつ、第２銀ナノワイヤ層６３’の表面に第２アンチエッチング層６４’を印刷して、第２アンチエッチング層６４’が第２銀ナノワイヤ層６３’を部分的に覆うようにし、第２アンチエッチング層６４’が、第２ワイヤパターン６４１’と、第２ワイヤパターン６４１’に接続された第２グリッドパターン６４２’と、第２銀ナノワイヤ層６３’を被覆し、第２グリッドパターン６４２’に接続する第２被覆領域６４３’とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層６４で覆われていない銀ナノワイヤ層６３の部分と、その下に配置された金属層６２をエッチング液で除去し、金属層６２が、アンチエッチング層６４のワイヤパターン６４１に対応する金属ワイヤ６２１と、アンチエッチング層６４のグリッドパターン６４２に対応し、金属ワイヤ６２１に接続する金属グリッド６２２と、アンチエッチング層６４の被覆領域６４３に対応し、金属グリッド６２２と接続する金属板６２３とを含み、かつ、第２アンチエッチング層６４’で覆われていない第２銀ナノワイヤ層６３’の部分と、その上に配置された第２金属層６２’をエッチング液で除去し、第２金属層６２’が、第２アンチエッチング層６４’の第２ワイヤパターン６４１’に対応する第２金属ワイヤ６２１’と、第２アンチエッチング層６４’の第２グリッドパターン６４２’に対応し、第２金属ワイヤ６２１’に接続する第２金属グリッド６２２’と、第２アンチエッチング層６４’の第２被覆領域６４３’に対応し、第２金属グリッド６２２’と接続する第２金属板６２３’とを含み、
アンチエッチング層６４及び第２アンチエッチング層６４’を除去し、被覆層６７を銀ナノワイヤ層６３上に配置するとともに、第２被覆層６７’を第２銀ナノワイヤ層６３’の下に配置する、
ことを含む。

実施形態７

図１８は、本開示の実施形態７に係るタッチセンサ７０’及びその製造方法の概略図である。図１８のトップダウン順は、１．基板７１上に銀ナノワイヤ層７３、金属層７２及び触媒層７３３を配置した後の概略図、２．銀ナノワイヤ層７３の表面にアンチエッチング層７４を印刷した後の概略図、３．アンチエッチング層７４によって覆われていない銀ナノワイヤ層７３の部分と、その下に配置された金属層７２をエッチング液で除去した後の部分Ｆの概略図、４．銀ナノワイヤ層７３上に被覆層７７を配置した後の部分Ｆの概略図である。図１８に示すように、本実施形態のタッチセンサ７０’は、実施形態３で説明した積層構造７０を有しているが、ボンディングパッド３９は省略されている。

本実施形態のタッチセンサ７０’の積層構造７０は、基板７１と、基板７１上に配置された金属層７２と、基板７１上に配置された銀ナノワイヤ層７３であって、金属層７２と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層７３とを備える。金属層７２は、金属ワイヤ７２１と、金属ワイヤ７２１に接続された金属グリッド７２２と、金属グリッド７２２に接続された金属板７２３と、金属層７２の下方に配置された触媒層７３３とを含む。この実施形態では、銀ナノワイヤ層７３は、金属層７２上に配置される。

本実施形態の積層構造７０は、金属ワイヤ７２１を含むトレース領域ＴＡ、金属グリッド７２２を含む第１ラップオーバー領域７５、金属板７２３を含む第２ラップオーバー領域７６、金属板７２３の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層７３で覆われ、金属板７２３で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。トレース領域ＴＡ、第１ラップオーバー領域７５及び第２ラップオーバー領域７６において、銀ナノワイヤ層７３は、金属層７２に対応するパターンを有する。

実施形態３と比較して、本実施形態のタッチセンサ７０’は、銀ナノワイヤ層７３上に配置された被覆層７７をさらに含む。

図１８に示されるように、本実施形態のタッチセンサ７０’を製造するための例示的なプロセスは、
基板７１を準備し、
基板７１上に金属層７２及び銀ナノワイヤ層７３を配置し、銀ナノワイヤ層７３は金属層７２上に配置され、触媒層７３３は基板７１上に配置され、金属層７２をメッキする化学メッキ技術を適用して、金属層７２が触媒層７３３上に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、銀ナノワイヤ層７３の表面にアンチエッチング層７４を印刷して、アンチエッチング層７４が銀ナノワイヤ層７３を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層７４が、ワイヤパターン７４１と、ワイヤパターン７４１に接続されたグリッドパターン７４２と、銀ナノワイヤ層７３を被覆し、グリッドパターン７４２に接続する被覆領域７４３とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層７４で覆われていない銀ナノワイヤ層７３の部分と、その下に配置された金属層７２をエッチング液で除去し、金属層７２が、アンチエッチング層７４のワイヤパターン７４１に対応する金属ワイヤ７２１と、アンチエッチング層７４のグリッドパターン７４２に対応し、金属ワイヤ７２１に接続された金属グリッド７２２と、アンチエッチング層７４の被覆領域７４３に対応し、金属グリッド７２２に接続された金属板７２３とを含み、
アンチエッチング層７４を除去し、被覆層７７を銀ナノワイヤ層７３上に配置する、
ことを含む。

実施形態８

図１９は、本開示の実施形態８に係るタッチセンサ８０’及びその製造方法の概略図である。図１９のトップダウン順に、１．基板８１上に銀ナノワイヤ層８３、金属層８２、及び触媒層８３３を配置し、かつ基板８１の下に第２銀ナノワイヤ層８３’、第２金属層８２’、及び第２触媒層８３３’を配置した後の概略図、２．銀ナノワイヤ層８３の表面にアンチエッチング層８４を印刷し、かつ第２銀ナノワイヤ層８３’の表面に第２アンチエッチング層８４’を印刷した後の概略図、３．エッチング液によって、アンチエッチング層８４によって覆われていない銀ナノワイヤ層８３の部分と、その下に配置された金属層８２を除去するとともに、第２アンチエッチング層８４’によって覆われていない第２銀ナノワイヤ層８３’の部分と、その上に配置された第２金属層８２’を除去した後の部分Ｇの概略図、４．銀ナノワイヤ層８３上に被覆層８７を配置し、第２銀ナノワイヤ層８３’の下に第２被覆層８７’を配置した後の部分Ｇの概略図である。実施形態７と比較して、実施形態のタッチセンサ８０’の基板８１の両面には、実施形態３で説明した積層構造８０が形成されているが、ボンディングパッド３９は省略されている。

本実施形態のタッチセンサ８０’の積層構造８０は、基板８１と、基板８１上に配置された金属層８２と、基板８１上に配置された銀ナノワイヤ層８３であって、金属層８２と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層８３とを備える。金属層８２は、金属ワイヤ８２１と、金属ワイヤ８２１に接続された金属グリッド８２２と、金属グリッド８２２に接続された金属板８２３と、金属層８２の下に配置された触媒層８３３とを含む。この実施形態では、銀ナノワイヤ層８３は、金属層８２上に配置される。

本実施形態の積層構造８０は、金属ワイヤ８２１を含むトレース領域ＴＡと、金属グリッド８２２を含む第１ラップオーバー領域８５と、金属板８２３を含む第２ラップオーバー領域８６と、金属板８２３の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層８３で覆われ、金属板８２３で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。トレース領域ＴＡ、第１ラップオーバー領域８５及び第２ラップオーバー領域８６において、銀ナノワイヤ層８３は、金属層８２に対応するパターンを有する。

実施形態３と比較して、本実施形態のタッチセンサ８０’は、銀ナノワイヤ層８３上に配置された被覆層８７をさらに含む。

実施形態７と比較して、本実施形態のタッチセンサ８０’は、基板８１の下方に配置された第２金属層８２’と、第２金属層８２’の下に配置された第２触媒層８３３’と、基板８１の下に配置された第２銀ナノワイヤ層８３’であって、第２金属層８２’と少なくとも部分的に重なる第２銀ナノワイヤ層８３’とをさらに備える。第２金属層８２’は、第２金属ワイヤ８２１’と、第２金属ワイヤ８２１’に接続された第２金属グリッド８２２’と、第２金属グリッド８２２’に接続された第２金属板８２３’とを含む。この実施形態では、第２銀ナノワイヤ層８３’は、第２金属層８２’の下に配置される。第２被覆層８７’は、第２銀ナノワイヤ層８３’の下に配置される。

図１９に示されるように、本実施形態のタッチセンサ８０’を製造するための例示的なプロセスは、
基板８１を準備し、
基板８１上に金属層８２及び銀ナノワイヤ層８３を配置し、銀ナノワイヤ層８３が金属層８２上に配置され、基板８１の下に第２金属層８２’及び第２銀ナノワイヤ層８３’を配置し、第２銀ナノワイヤ層８３’が第２金属層８２’の下に配置され、触媒層８３３は基板８１上に配置され、触媒層８３３上に金属層８２を配置する化学メッキ技術を適用して、金属層８２が触媒層８３３上にメッキされ、第２触媒層８３３’は基板８１の下に配置され、第２触媒層８３３’上に第２金属層８２’を配置する化学メッキ技術を適用して、第２金属層８２’が第２触媒層８３３’上にメッキされ、
フレキソ印刷技術を適用して、銀ナノワイヤ層８３の表面にアンチエッチング層８４を印刷して、アンチエッチング層８４が銀ナノワイヤ層８３を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層８４が、ワイヤパターン８４１と、ワイヤパターン８４１に接続されたグリッドパターン８４２と、銀ナノワイヤ層８３を被覆し、グリッドパターン８４２に接続する被覆領域８４３とを含み、かつ、第２銀ナノワイヤ層８３’の表面に第２アンチエッチング層８４’を印刷して、第２アンチエッチング層８４’が第２銀ナノワイヤ層８３’を部分的に覆うようにし、第２アンチエッチング層８４’が第２ワイヤパターン８４１’と、第２ワイヤパターン８４１’に接続された第２グリッドパターン８４２’と、第２銀ナノワイヤ層８３’を被覆し、第２グリッドパターン８４２’に接続する第２被覆領域８４３’とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層８４で覆われていない銀ナノワイヤ層８３の部分と、その下に配置された金属層８２をエッチング液で除去し、金属層８２が、アンチエッチング層８４のワイヤパターン８４１に対応する金属ワイヤ８２１と、アンチエッチング層８４のグリッドパターン８４２に対応し、金属ワイヤ８２１に接続する金属グリッド８２２と、アンチエッチング層８４の被覆領域８４３に対応し、金属グリッド８２２と接続する金属板８２３とを含み、かつ、第２アンチエッチング層８４’に覆われていない第２銀ナノワイヤ層８３’の部分と、その上に配置された第２金属層８２’をエッチング液で除去し、
第２金属層８２’が、第２アンチエッチング層８４’の第２ワイヤパターン８４１’に対応する第２金属ワイヤ８２１’と、第２アンチエッチング層８４’の第２グリッドパターン８４２’に対応し、第２金属ワイヤ８２１’に接続する第２金属グリッド８２２’と、第２アンチエッチング層８４’の第２被覆領域８４３’に対応し、第２金属グリッド８２２’に接続する第２金属板８２３’とを含み、
アンチエッチング層８４及び第２アンチエッチング層８４’を除去し、
被覆層８７を銀ナノワイヤ層８３上に配置するとともに、第２被覆層８７’を第２銀ナノワイヤ層８３’の下に配置する、
ことを含む。

実施形態９

図２０は、本開示の実施形態９に係るタッチセンサ９０’及びその製造方法の概略図である。図２０のトップダウン順に、１．基板９１上に銀ナノワイヤ層９３及び金属層９２を配置した後の概略図、２．金属層９２の表面にアンチエッチング層９４を印刷した後の概略図、３．アンチエッチング層９４に覆われていない金属層９２の部分と、その下に配置された銀ナノワイヤ層９３をエッチング液で除去した後のＨ部分の模式図、４．金属層９２上に被覆層９７を配置した後のＨ部分の概略図である。図２０に示すように、本実施形態のタッチセンサ９０’は、実施形態４で説明した積層構造９０を有している。

本実施形態のタッチセンサ９０’の積層構造９０は、基板９１と、基板９１上に配置された金属層９２、基板９１上に配置された銀ナノワイヤ層９３であって、金属層９２と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層９３とを備える。金属層９２は、金属ワイヤ９２１と、金属ワイヤ９２１に接続された金属グリッド９２２と、金属グリッド９２２に接続された金属板９２３とを含む。この実施形態では、金属層９２は、銀ナノワイヤ層９３上に配置される。

本実施形態の積層構造９０は、金属ワイヤ９２１を含むトレース領域ＴＡ、金属グリッド９２２を含む第１ラップオーバー領域９５、金属板９２３を含む第２ラップオーバー領域９６、金属板９２３の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層９３で覆われ、金属板９２３で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。トレース領域ＴＡ、第１ラップオーバー領域９５及び第２ラップオーバー領域９６において、銀ナノワイヤ層９３は、金属層９２に対応するパターンを有する。

実施形態４と比較して、本実施形態のタッチセンサ９０’は、銀ナノワイヤ層９３上に配置された被覆層９７をさらに含む。

図２０に示されるように、本実施形態のタッチセンサ９０’を製造するための例示的なプロセスは、
基板９１を準備し、
基板９１上に金属層９２及び銀ナノワイヤ層９３を配置し、金属層９２は銀ナノワイヤ層９３上に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、金属層９２の表面にアンチエッチング層９４を印刷して、アンチエッチング層９４が金属層９２を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層９４がワイヤパターン９４１と、ワイヤパターン９４１に接続されたグリッドパターン９４２と、金属層９２を被覆し、グリッドパターン９４２に接続する被覆領域９４３とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層９４で覆われていない金属層９２の部分と、その下に配置された銀ナノワイヤ層９３をエッチング液で除去し、金属層９２が、アンチエッチング層９４のワイヤパターン９４１に対応する金属ワイヤ９２１と、アンチエッチング層９４のグリッドパターン９４２に対応し、金属ワイヤ９２１に接続された金属グリッド９２２と、アンチエッチング層９４の被覆領域９４３に対応し、金属グリッド９２２に接続された金属板９２３とを含み、
アンチエッチング層９４を除去し、被覆層９７を金属層９２上に配置する、
ことを含む。

実施形態１０

図２１は、本開示の実施形態１０によるタッチセンサ１００’及びその製造方法の概略図である。図２１のトップダウン順に、１．基板１０１上に銀ナノワイヤ層１０３及び金属層１０２を配置し、かつ基板１０１の下に第２銀ナノワイヤ層１０３’及び第２金属層１０２’を配置した後の概略図、２．金属層１０２の表面にアンチエッチング層１０４を印刷し、かつ第２金属層１０２'の表面に第２アンチエッチング層１０４’を印刷した後の概略図、３．エッチング液によって、アンチエッチング層１０４によって覆われていない金属層１０２の部分と、その下に配置された銀ナノワイヤ層１０３を除去するとともに、第２アンチエッチング層１０４’によって覆われていない第２金属層１０２’の部分と、その上に配置された第２銀ナノワイヤ層１０３’を除去した後の部分Ｉの概略図、４．金属層１０２上に被覆層１０７を配置し、第２金属層１０２’の下に第２被覆層１０７’を配置した後の部分Ｉの概略図である。実施形態９と比較して、実施形態のタッチセンサ１０１０’の基板１００の両面は、実施形態４で説明したような積層構造１００を有している。

本実施形態のタッチセンサ１００’の積層構造１００は、基板１０１と、基板１０１上に配置された金属層１０２と、基板１０１上に配置された、銀ナノワイヤ層１０３であって、金属層１０２と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層１０３とを備える。金属層１０２は、金属ワイヤ１０２１と、金属ワイヤ１０２１に接続された金属グリッド１０２２と、金属グリッド１０２２に接続された金属板１０２３とを含む。この実施形態では、金属層１０２は、銀ナノワイヤ層１０３上に配置される。

本実施形態の積層構造１００は、金属ワイヤ１０２１を含むトレース領域ＴＡと、金属グリッド１０２２を含む第１ラップオーバー領域１０５と、金属板１０２３を含む第２ラップオーバー領域１０６と、金属板１０２３の一辺に隣接し、銀ナノワイヤ層１０３で覆われ、金属板１０２３で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡと、を備える。トレース領域ＴＡ、第１ラップオーバー領域１０５及び第２ラップオーバー領域１０６において、銀ナノワイヤ層１０３は、金属層１０２に対応するパターンを有する。

実施形態４と比較して、本実施形態のタッチセンサ１００’は、銀ナノワイヤ層１０３上に配置された被覆層１０７をさらに含む。

実施形態９と比較して、本実施形態のタッチセンサ１００’は、基板１０１の下方に配置された第２金属層１０２’と、基板１０１の下に配置された第２銀ナノワイヤ層１０３’であって、第２金属層１０２’と少なくとも部分的に重なる第２銀ナノワイヤ層１０３’をさらに備える。第２金属層１０２’は、第２金属ワイヤ１０２１’と、第２金属ワイヤ１０２１’に接続された第２金属グリッド１０２２’と、第２金属グリッド１０２２’に接続された第２金属板１０２３’とを含む。この実施形態では、第２金属層１０２’は、第２銀ナノワイヤ層１０３’の下に配置される。第２被覆層１０７’は第２金属層１０２’の下に配置される。

図２１に示されるように、本実施形態のタッチセンサ１００’を製造するための例示的なプロセスは、
基板１０１を準備し、
基板１０１上に金属層１０２及び銀ナノワイヤ層１０３を配置し、金属層１０２は、銀ナノワイヤ層１０３上に配置され、基板１０１の下に第２金属層１０２’及び第２銀ナノワイヤ層１０３’を配置し、第２金属層１０２’は、第２銀ナノワイヤ層１０３’の下に配置され、
フレキソ印刷技術を適用して、金属層１０２の表面にアンチエッチング層１０４を印刷して、アンチエッチング層１０４が金属層１０２の表面を部分的に覆うようにし、アンチエッチング層１０４が、ワイヤパターン１０４１と、ワイヤパターン１０４１に接続されたグリッドパターン１０４２と、金属層１０２を被覆し、グリッドパターン１０４２に接続する被覆領域１０４３とを含み、かつ第２金属層１０２’の表面に第２アンチエッチング層１０４’を印刷して、第２アンチエッチング層１０４’が第２金属層１０２’を部分的に覆うようにし、第２アンチエッチング層１０４’が第２ワイヤパターン１０４１’と、第２ワイヤパターン１０４１’に接続された第２グリッドパターン１０４２’と、第２金属層１０２’を覆い、第２グリッドパターン１０４２’に接続する第２被覆領域１０４３’とを含み、
エッチング技術を適用して、アンチエッチング層１０４で覆われていない金属層１０２の部分と、その下に配置された銀ナノワイヤ層１０３をエッチング液で除去し、金属層１０２が、アンチエッチング層１０４のワイヤパターン１０４１に対応する金属ワイヤ１０２１と、アンチエッチング層１０４のグリッドパターン１０４２に対応し、金属ワイヤ１０２１に接続する金属グリッド１０２２と、アンチエッチング層１０４の被覆領域１０４３に対応し、金属グリッド１０２２に接続する金属板１０２３とを含み、かつ、第２アンチエッチング層１０４’に覆われていない第２金属層１０２’の部分と、その上に配置された第２銀ナノワイヤ層１０３’とをエッチング液で除去し、第２金属層１０２’が、第２アンチエッチング層１０４’の第２ワイヤパターン１０４１’に対応する第２金属ワイヤ１０２１’と、第２アンチエッチング層１０４’の第２グリッドパターン１０４２’に対応し、第２金属ワイヤ１０２１’に接続する第２金属グリッド１０２２’と、第２アンチエッチング層１０４’の第２被覆領域１０４３’に対応し、第２金属グリッド１０２２’に接続する第２金属板１０２３’とを含み、
アンチエッチング層１０４及び第２アンチエッチング層１０４’を除去し、
被覆層１０７を銀ナノワイヤ層１０３上に配置するとともに、第２被覆層１０７’を第２銀ナノワイヤ層１０３’の下に配置する、
ことを含む。

以上のように、本開示の積層構造の製造方法、積層構造及びタッチセンサは、少なくとも以下の優れた技術的効果を有する。１．本開示の積層構造の製造方法は、フレキソ印刷技術を適用することによってアンチエッチング層を印刷することで、異なるパターンデザインを有する第１ラップオーバー領域及び第２ラップオーバー領域を効果的に画定して、差別化された特別な積層デザインを形成することができる。２．本開示の積層構造の製造方法は、フレキソ印刷技術を適用することによってアンチエッチング層を印刷することで、露光及び現像プロセスを省き、両面露光の問題を解決し、廃水処理を低減し、性能を改善するためのコストを低減することができる。３．本開示の積層構造の金属層は、金属グリッドを含むため、積層構造及び積層構造を含むタッチセンサは、第１ラップオーバー領域においてユニークな積層デザインを有する。従来の金属板と比較して、金属グリッドは、金属原料の消費量を低減することができ、積層構造及び積層構造を備えるタッチセンサの製造コストを低減することができ、超狭幅ベゼル（正方形）を有するタッチセンサを可能にする。

上記の実施形態は、本開示を例示するのみであり、本開示を制限するために使用されるものではない。本開示は、特定の実施形態によって説明されてきたが、当業者は、特許請求の範囲に記載された本開示の範囲及び精神から逸脱することなく、多くの修正及び変形を行うことができる。したがって、本発明の権利保護の範囲は、添付の特許請求の範囲によって示されなければならない。

Claims (29)

1. 基板を準備し、
   前記基板上に金属層及び銀ナノワイヤ層を配置し、
   フレキソ印刷技術を適用して、前記金属層の表面又は前記銀ナノワイヤ層の表面にアンチエッチング層を印刷して、該アンチエッチング層が前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層を部分的に覆うようにし、前記アンチエッチング層が、
   ワイヤパターン、
   該ワイヤパターンに接続されたグリッドパターン、
   前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層を被覆し、前記グリッドパターンに接続する被覆領域を含み、
   エッチング技術を適用して、前記アンチエッチング層によって覆われていない前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層の部分と、その下に配置された前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層をエッチング液で除去して、前記金属層が、
   前記アンチエッチング層の前記ワイヤパターンに対応する金属ワイヤ、
   前記アンチエッチング層の前記グリッドパターンに対応し、前記金属ワイヤに接続する金属グリッド、
   前記アンチエッチング層の前記被覆領域に対応し、前記金属グリッドに接続する金属板を含み、
   前記アンチエッチング層を除去する、
   積層構造の製造方法。
2. 前記銀ナノワイヤ層は、前記金属層上に配置され、前記アンチエッチング層は、前記銀ナノワイヤ層の表面に印刷される、
   請求項１に記載の積層構造の製造方法。
3. 前記金属層は、前記銀ナノワイヤ層上に配置され、前記アンチエッチング層は、前記金属層の表面上に印刷される、
   請求項１に記載の積層構造の製造方法。
4. 前記金属層は、化学メッキ技術を適用することによって配置される、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の積層構造の製造方法。
5. 前記金属層の材料が、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金及び銀－鉛合金からなる群から選択される、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の積層構造の製造方法。
6. 前記基板の材料が、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）及びポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）からなる群より選択される、
   請求項１～５のいずれか１項に記載の積層構造の製造方法。
7. 基板と、
   前記基板上に配置される金属層であって、前記金属層は同一層中に、
   金属ワイヤ、
   前記金属ワイヤに接続された金属グリッド、
   前記金属グリッドに接続され金属板を含み、
   前記基板上に配置される銀ナノワイヤ層であって、該銀ナノワイヤ層は、前記金属層と少なくとも部分的にオーバーラップし、
   前記銀ナノワイヤ層は、前記金属グリッド及び前記金属ワイヤのパターンと同一のパターンを有する、
   積層構造。
8. 前記銀ナノワイヤ層は、前記金属層上に配置される、
   請求項７に記載の積層構造。
9. 前記金属層の下に配置された触媒層をさらに含む、
   請求項８に記載の積層構造。
10. 前記金属層は、前記銀ナノワイヤ層上に配置される、
    請求項７に記載の積層構造。
11. 前記金属層の材料が、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金及び銀－鉛合金からなる群から選択される、
    請求項７～１０のいずれか１項に記載の積層構造。
12. 前記基板の材料が、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）及びポリエーテルスルホン（ＰＥＳ） からなる群より選択される、
    請求項７～１１のいずれか１項に記載の積層構造。
13. 前記積層構造は、
    前記金属ワイヤを含むトレース領域と、
    前記金属グリッドを含む第１ラップオーバー領域と、
    前記金属板を含む第２ラップオーバー領域と、
    前記金属板の一方の側に隣接し、前記銀ナノワイヤ層で覆われ、前記金属板で覆われない領域を含む可視領域と、
    を備え、
    前記トレース領域、前記第１ラップオーバー領域及び前記第２ラップオーバー領域において、前記銀ナノワイヤ層は、前記金属層と同一のパターンを有する、
    請求項７～１２のいずれか１項に記載の積層構造。
14. 前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅が５００μｍ未満であり、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比が０．０５以上２０以下である、
    請求項１３に記載の積層構造。
15. 前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅が０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比が０．０３以上３５以下である、
    請求項１３に記載の積層構造。
16. 前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅が１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であり、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比が０．０２以上５０以下である、
    請求項１３に記載の積層構造。
17. 前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅が１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であり、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比が０．０１以上１００以下である、
    請求項１３に記載の積層構造。
18. 前記トレース領域の幅に対する前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅の比が２：１であり、前記金属層が１～５０本の金属ワイヤからなり、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比が０．０５～２０である、
    請求項１３に記載の積層構造。
19. 前記トレース領域の幅に対する前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅の比が１：１であり、前記金属層が１０～１００本の金属ワイヤを含み、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比が０．０３～３５である、
    請求項１３に記載の積層構造。
20. 前記トレース領域の幅に対する前記第１ラップオーバー領域と前記第２ラップオーバー領域との合計幅の比が３：１であり、前記金属層が１～５０本の金属ワイヤからなり、前記第１ラップオーバー領域の幅と前記第２ラップオーバー領域の幅との比が０．０２～５０である、
    請求項１３に記載の積層構造。
21. 前記金属ワイヤのピッチに対する前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドのピッチは０．１～１０倍であり、前記金属ワイヤの線幅に対する前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドの線幅は０．１～５倍である、
    請求項１３に記載の積層構造。
22. 前記金属ワイヤのピッチが２０μｍ、線幅が１０μｍ、線間隔が１０μｍであり、前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドのピッチが２μｍ～２００μｍ、線幅が２μｍ～５０μｍ程度である、
    請求項１３に記載の積層構造。
23. 前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドの線幅／線間隔は、５μｍ／５μｍ、１０μｍ／５μｍ、１５μｍ／５μｍ、２０μｍ／５μｍ、４０μｍ／５μｍ、５０μｍ／５μｍ、５０μｍ／１５０μｍ、４０μｍ／１５０μｍ、３０μｍ／１５０μｍ又は２０μｍ／１５０μｍである、
    請求項２２に記載の積層構造。
24. 前記金属ワイヤは、４０μｍのピッチ、２０μｍの線幅及び２０μｍの線間隔を有し、前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドは、４μｍ～４００μｍのピッチ及び４μｍ～１００μｍ程度の線幅を有する、
    請求項１３に記載の積層構造。
25. 前記第１ラップオーバー領域の前記金属グリッドの線幅／線間隔は、２０μｍ／５μｍ、４０μｍ／５μｍ、８０μｍ／５μｍ、１００μｍ／５μｍ、２０μｍ／８０μｍ、４０μｍ／６０μｍ、１００μｍ／２００μｍ又は１００μｍ／３００μｍである、
    請求項２４に記載の積層構造。
26. 前記金属ワイヤは、３μｍから３０μｍの線幅、及び３μｍから３０μｍの線間隔を有する、
    請求項１３に記載の積層構造。
27. 前記基板上に配置されたボンディングパッドをさらに備え、
    前記ボンディングパッドは、
    前記基板上に配置されたボンディング金属層及びボンディングナノワイヤ層を含み、
    前記ボンディング金属層は、
    ボンディング金属グリッドと、
    前記ボンディング金属グリッドに接続されたボンディング金属板と、
    を含む、
    請求項１３～２６のいずれか１項に記載の積層構造。
28. 積層構造であって、
    基板と、
    前記基板上に配置される金属層であって、
    金属ワイヤ、
    前記金属ワイヤに接続された金属グリッド、
    前記金属グリッドに接続され金属板を同一層中に含む金属層と、
    前記基板上に配置される銀ナノワイヤ層であって、前記金属層と少なくとも部分的にオーバーラップする銀ナノワイヤ層と、を含む積層構造と、
    前記積層構造の前記金属層又は前記銀ナノワイヤ層上に配置される被覆層と、
    を備え、
    前記銀ナノワイヤ層は、前記金属グリッド及び前記金属ワイヤのパターンと同一のパターンを有する、
    タッチセンサ。
    
    
29. 前記積層構造において前記基板の下に配置される第２金属層であって、
    第２金属ワイヤと、
    前記第２金属ワイヤに接続された第２金属グリッドと、
    前記第２金属グリッドに接続された第２金属板とを含む、前記第２金属層と、
    前記基板の下に配置される第２銀ナノワイヤ層であって、前記第２金属層と少なくとも部分的にオーバーラップする、第２銀ナノワイヤ層と、
    前記第２金属層及び前記第２銀ナノワイヤ層の下に配置される第２被覆層と、
    をさらに備える、
    請求項２８に記載のタッチセンサ。

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