JP2019212299A - 電気回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い電気回路基板を提供する。【解決手段】基材と、前記基材の上に形成された第１端子及び第２端子と、前記基材の上に形成された第１パターンと、を備え、前記第１端子と前記第２端子とは、第１方向に沿って並び、前記第１パターンは、前記第１端子と前記第２端子との間に位置している、電気回路基板。【選択図】 図７

Description

本発明の実施形態は、電気回路基板に関する。

物体の接触又は接近を検出するセンサを備えた表示装置が開発されている。このような表示装置において、表示パネルを構成する基板上に検出電極が形成される場合がある。検出電極及び検出電極に接続される配線は、保護のためにオーバーコート層によって被覆される場合が多い。一方で、配線基板等が実装される端子部は、電気的な接続のため、オーバーコート層から露出される必要がある。しかしながら、端子部近傍において、オーバーコート層の位置の制御が困難である場合が多い。

特開２０１６−９９３１５号公報 特開２０１７−９９７１号公報 特開２０１５−２０４０３２号公報

本実施形態の目的は、信頼性の高い電気回路基板を提供することにある。

本実施形態によれば、基材と、前記基材の上に形成された第１端子及び第２端子と、前記基材の上に形成された第１パターンと、を備え、前記第１端子と前記第２端子とは、第１方向に沿って並び、前記第１パターンは、前記第１端子と前記第２端子との間に位置している、電気回路基板が提供される。

本実施形態によれば、基材と、前記基材の上に形成された第１端子と、前記基材の上に形成され、前記第１端子と接続する第１配線と、前記第１配線を覆う樹脂層と、を備え、前記第１端子は、主部と第２パターンとを備え、前記第２パターンは、前記第１配線と前記主部との間に位置し、前記主部と一体的に形成され、複数の第５開口を有し、前記主部は、第１領域と、前記第１領域と前記第２パターンとの間に位置する第２領域と、を有し、前記第２領域は、前記複数の第５開口より小さい複数の第６開口を有し、前記複数の第５開口は、第１方向に沿って延出した第１部分と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延出した第２部分とによって形成され、前記第１部分は、前記複数の第５開口の間において、スリットを有する、電気回路基板が提供される。

図１は、第１実施形態に係る表示装置１を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１に示す表示パネル２の構成例を示す断面図である。 図３は、図１に示すセンサ４を模式的に示す平面図である。 図４は、図２に示す基材２０の第２面２０Ｂに設けられた各要素の一例を模式的に示す平面図である。 図５は、図４に示す配線基板５２の近傍を示す平面図である。 図６は、図５に示すＶＩ−ＶＩ’線に沿った断面図である。 図７は、図５に示す端子Ｔ１１及びＴ１２を拡大して示す平面図である。 図８は、図７に示す堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２を拡大して示す平面図である。 図９は、端子Ｔ１間に堰き止め部ＤＭ１が設けられていない場合の比較例を示す平面図である。 図１０は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。 図１１は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。 図１２は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。 図１３は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。 図１４は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。 図１５は第２実施形態に係る表示装置１における端子Ｔ１の構成例を示す平面図である。 図１６は、端子Ｔ１の他の例を示す平面図である。 図１７は、端子Ｔ１の他の例を示す平面図である。 図１８は、端子Ｔ１の他の例を示す平面図である。 図１９は、第３実施形態に係る表示装置１の一例を示す平面図である。 図２０は、図１９に示す配線基板５２の近傍を拡大して示す図である。 図２１は、図２０に示す端子Ｔ１１及び端子Ｔ１２を拡大して示す平面図である。 図２２は、第４実施形態に係る表示装置１における端子Ｔ１の構成例を示す平面図である。 図２３は、主部ＭＰの他の例を示す平面図である。 図２４は、主部ＭＰの他の例を示す平面図である。 図２５は、第４実施形態の他の例を示す平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

［第１実施形態］
本実施形態において、表示装置の一例として、検出機能付きの液晶表示装置を開示する。この液晶表示装置は、例えばスマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。なお、検出機能付きの表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子層を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパー型の表示装置など、他の表示装置を適用することができる。

図１は、第１実施形態に係る表示装置１を概略的に示す斜視図である。図に示す第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第３方向Ｚは、互いに直交している。なお、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第３方向Ｚは、９０度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を「上」と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を「下」と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置１を観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

表示装置１は、表示パネル２、バックライトユニット３、センサ４、配線基板５１、５２、及び５３、ＩＣチップ６１、ＩＣチップ６２、制御モジュール７などを備えている。

表示パネル２は、一例では、液晶表示パネルである。表示パネル２は、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層とを備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、第３方向Ｚに沿って互いに対向している。第２基板ＳＵＢ２は、第１方向Ｘに沿って延出した端部ＥＸを有している。第１基板ＳＵＢ１は、端部ＥＸよりも第２方向Ｙに沿って延出した実装部ＭＴを有している。

表示パネル２は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＮＤＡを有している。表示領域ＤＡは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが重畳する領域に相当する。図示した例では、表示領域ＤＡは、第２方向Ｙに沿った長辺を有する略長方形状であるが、表示領域ＤＡの形状は、図示した例に限定されない。表示パネル２は、一例では、バックライトユニット３からの光を選択的に透過することで画像を表示する透過型の液晶表示パネルである。

バックライトユニット３は、表示パネル２の背面側、すなわち、第１基板ＳＵＢ１の直下に配置されている。バックライトユニット３は、表示パネル２とほぼ同じ形状であり、ほぼ同じ大きさを有している。バックライトユニット３は、表示領域ＤＡの全域を照明する。バックライトユニット３は、種々の形態が適用可能であるが、一例として、第１基板ＳＵＢ１と対向する導光板と、導光板の端部に配置された発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源とを備えている。

センサ４は、一例では、静電容量型のセンサである。センサ４は、第２基板ＳＵＢ２に設けられた複数の検出電極Ｒｘを有している。図示した例では、検出電極Ｒｘは、第１方向Ｘに沿って延出した帯状に形成されており、第２方向Ｙに沿って並んでいる。このようなセンサ４を備えた第２基板ＳＵＢ２は、電気回路基板に相当する。

配線基板５１は、表示パネル２と制御モジュール７とを電気的に接続している。配線基板５２は、センサ４の少なくとも一部の要素と制御モジュール７とを電気的に接続している。配線基板５３は、バックライトユニット３と制御モジュール７とを電気的に接続している。配線基板５１、５２、及び５３は、いずれもフレキシブル配線基板である。ＩＣチップ６１は、表示パネル２を駆動する。ＩＣチップ６１は、表示パネル２に搭載されている。図示した例では、ＩＣチップ６１は、第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに実装されている。ＩＣチップ６２は、センサ４を駆動する。ＩＣチップ６２は、配線基板５２に搭載されている。

図２は、図１に示す表示パネル２の構成例を示す断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、基材１０、絶縁層１１、絶縁層１２、絶縁層１３、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３）、配向膜ＡＬ１などを備えている。基材１０は、例えばガラス、又は樹脂等の透明な絶縁材料によって形成されている。絶縁層１１は、基材１０の上に形成されている。信号線Ｓは、絶縁層１１の上に形成され、絶縁層１２によって覆われている。共通電極ＣＥは、絶縁層１２の上に形成され、絶縁層１３によって覆われている。画素電極ＰＥは、絶縁層１３の上に形成され、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥは、第１方向Ｘにおいて、隣り合う信号線Ｓの間の領域に配置され、各々が共通電極ＣＥと対向している。図示した例では、画素電極ＰＥの各々は、スリットＳＴを有している。画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明導電材料で形成することができる。

第２基板ＳＵＢ２は、基材２０、遮光層２１、カラーフィルタ層２２、オーバーコート層２３、配向膜ＡＬ２などを備えている。基材２０は、例えばガラス、又は樹脂等の透明な絶縁材料によって形成されている。基材２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する第１面２０Ａと、第１面２０Ａと反対側の第２面２０Ｂとを有している。遮光層２１は、基材２０の第１面２０Ａに設けられている。遮光層２１は、信号線Ｓの各々と対向し、各画素ＰＸを区画している。ここで、画素ＰＸとは、画像信号に対して個別に制御できる最小単位に相当する。カラーフィルタ層２２は、遮光層２１を覆い、基材２０とも接している。カラーフィルタ層２２は、赤色のカラーフィルタＣＦ１、緑色のカラーフィルタＣＦ２、及び青色のカラーフィルタＣＦ３を含んでいる。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、及びＣＦ３は、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３とそれぞれ対向している。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ層２２を覆っている。オーバーコート層２３は、透明な樹脂によって形成されている。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層２３を覆っている。

液晶層ＬＣは、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に封入されている。配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２とは、一例では、基材１０及び２０の主面と平行な方向に液晶分子を配向させる水平配向膜である。液晶層ＬＣに含まれる液晶分子は、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される電界によってその配向が制御される。本実施形態において、共通電極ＣＥは、液晶分子を駆動するための電極として機能するとともに、センサ４の電極としても機能する。

図３は、図１に示すセンサ４を模式的に示す平面図である。センサ４は、検出電極Ｒｘと共通電極ＣＥとを備えている。検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに沿って帯状に延出し、第２方向Ｙに沿って一定の間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、検出回路ＲＣと電気的に接続されている。検出回路ＲＣは、一例では、ＩＣチップ６２に内蔵されている。なお、検出回路ＲＣは、図１に示す制御モジュール７に内蔵されていてもよい。一方、共通電極ＣＥは、第２方向Ｙに沿って帯状に延出し、第１方向Ｘに沿って一定の間隔を置いて並んでいる。共通電極ＣＥは、共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。共通電極駆動回路ＣＤは、非表示領域ＮＤＡにおいて、例えば第１基板ＳＵＢ１に形成されている。

共通電極駆動回路ＣＤは、共通電極ＣＥに対して、画素ＰＸを駆動するためのコモン駆動信号、及び、センサ４を駆動するためのセンサ駆動信号を選択的に供給する。例えば、共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像表示する表示期間において、共通電極ＣＥにコモン駆動信号を順次供給する。例えば、共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに接触又は接近する物体を検出するセンシング期間において、共通電極ＣＥにセンサ駆動信号を順次供給する。

センシング期間において、導体である物体が表示領域ＤＡに接触又は接近すると、物体の近傍において共通電極ＣＥと検出電極Ｒｘとの間に形成される容量が変化する。すなわち、物体近傍の検出電極Ｒｘから検出されるセンサ出力信号は、他の検出電極Ｒｘから得られるセンサ出力信号と異なる値を示す。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから検出されるセンサ出力信号の変化に基づいて、表示領域ＤＡに物体が接触又は接近したことを検出する。また、検出回路ＲＣは、表示領域ＤＡにおいて、物体が接触又は近接した位置を特定する。

図４は、図２に示す基材２０の第２面２０Ｂに設けられた各要素の一例を模式的に示す平面図である。表示装置１は、第２面２０Ｂにおいて、検出電極Ｒｘ、端子Ｔ１、配線ＬＮ３、配線基板５２、偏光板ＰＬ２、及びオーバーコート層ＯＣを備えている。

検出電極Ｒｘは、一例では、検出線ＬＮ１と、接続線ＬＮ２とを有している。検出線ＬＮ１は、表示領域ＤＡにおいて、波型に繰り返し屈曲し、第１方向Ｘに沿って延出している。接続線ＬＮ２は、検出電極Ｒｘの一端部において、複数の検出線ＬＮ１を接続している。接続線ＬＮ２は、一例では、非表示領域ＮＤＡに位置し、第２方向Ｙに沿って延出している。なお、検出電極Ｒｘの構造は、図示した例に限られない。検出電極Ｒｘは、例えばメッシュ状に形成されていてもよい。

端子Ｔ１は、非表示領域ＮＤＡに形成されている。図示した例では、端子Ｔ１は、第２基板ＳＵＢ２の端部（ここでは基材２０の端部）ＥＸの近傍において、第１方向Ｘに沿って並んでいる。端子Ｔ１は、配線ＬＮ３によって検出電極Ｒｘと一対一で電気的に接続されている。図示した例では、配線ＬＮ３は、検出電極Ｒｘの接続線ＬＮ２から引き出され、非表示領域ＮＤＡに配置されている。端子Ｔ１、配線ＬＮ３、及び検出電極Ｒｘは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム等の金属材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

配線基板５２は、すべての端子Ｔ１と重なる領域に実装されている。配線基板５２と検出電極Ｒｘとは、端子Ｔ１を介して電気的に接続されている。

オーバーコート層ＯＣは、配線基板５２が設けられた領域を除き、第２面２０Ｂのほぼ全域を覆っている。すなわち、オーバーコート層ＯＣは、検出電極Ｒｘ及び配線ＬＮ３のすべてを覆い、端子Ｔ１を部分的に覆っている。このようなオーバーコート層ＯＣは、例えば樹脂材料をインクジェット方式（液滴吐出方式）等の印刷塗布によって第２面２０Ｂに塗布した後に、加熱工程を経て、この樹脂材料を硬化することで形成される。

偏光板ＰＬ２は、オーバーコート層ＯＣの上に設けられている。偏光板ＰＬ２は、表示領域ＤＡのすべてと重なっている。偏光板ＰＬ２は、一例では、表示領域ＤＡよりも大きい長方形状である。図示した例では、偏光板ＰＬ２は、端部ＥＸ側の非表示領域ＮＤＡにおいて、配線ＬＮ３とは、重なっていない。

図５は、図４に示す配線基板５２の近傍を示す平面図である。ここでは、説明に必要な要素のみを示している。図５は、一例として、第１方向Ｘに沿って一定の間隔で配置された８個の端子Ｔ１を示している。図に示す端子Ｔ１１は、複数の端子Ｔ１のうち一端に位置する端子Ｔ１であり、第１方向Ｘにおいて、配線基板５２の端部Ｅ５２ａに最も近接している。図に示す端子Ｔ１２は、端子Ｔ１１の隣に位置する端子Ｔ１であり、端子Ｔ１１よりも配線基板５２の端部Ｅ５２ｂに近接している。端子Ｔ１の各々は、第２方向Ｙに沿って帯状に延出している。端子Ｔ１には、配線ＬＮ３がそれぞれ接続されている。図示した例では、両端に位置する端子Ｔ１の外側に、Ｌ字型のアライメントマークＭが２つずつ形成されている。アライメントマークＭは、配線基板５２を実装する際の位置合わせの目印となる。このようなアライメントマークＭは、検出電極Ｒｘ、端子Ｔ１、及び配線ＬＮ３と同一工程及び同一材料で形成することができる。

配線基板５２は、複数の端子Ｔ２を有している。端子Ｔ２は、端子Ｔ１とそれぞれ対向している。すなわち、端子Ｔ２は、端子Ｔ１と同一のピッチで配置されている。端子Ｔ２は、第２方向Ｙに沿って帯状に延出している。一例では、端子Ｔ２の第１方向Ｘに沿った幅は、端子Ｔ１の第１方向Ｘに沿った幅より小さい。図示した例では、第１方向Ｘにおいて、端子Ｔ２は、端子Ｔ１の略中央に位置している。一方、第２方向Ｙにおいて、端子Ｔ２の配線ＬＮ３に近接する側の端部は端子Ｔ１と重なっているが、端子Ｔ２の配線ＬＮ３から離間する側の端部は、端子Ｔ１と重なっていない。

配線基板５２は、異方性導電膜ＡＣＦを介して、基材２０に接続されている。これにより、一対の端子Ｔ１と端子Ｔ２とは、電気的に接続される。図において二点鎖線で示すように、異方性導電膜ＡＣＦは、配線基板５２と概ね重なる領域に設けられており、少なくともすべての端子Ｔ２と重なっている。

図において一点鎖線で示すように、オーバーコート層ＯＣは、配線ＬＮ３を覆い、端子Ｔ１及びＴ２と部分的に重なっている。図示した例では、オーバーコート層ＯＣは、アライメントマークＭと重なっていない。より具体的には、オーバーコート層ＯＣは、配線基板５２の周縁部を囲むように配置されている。オーバーコート層ＯＣは、アライメントマークＭの間の領域において第２方向Ｙに沿って延出し、端子Ｔ１及びＴ２の一端部と重なっている。すなわち、オーバーコート層ＯＣは、部分的に異方性導電膜ＡＣＦ及び配線基板５２と重なっている。

以下では、オーバーコート層ＯＣに覆われ、且つ異方性導電膜ＡＣＦに覆われていない領域を第１領域Ａ１と称する。異方性導電膜ＡＣＦによって覆われ、且つオーバーコート層ＯＣに覆われていない領域を第２領域Ａ２と称する。また、オーバーコート層ＯＣ及び異方性導電膜ＡＣＦの双方によって覆われている領域を重畳領域ＯＬと称する。図示した例では、重畳領域ＯＬは、第１方向Ｘに沿って帯状に延出している。

図６は、図５に示すＶＩ−ＶＩ’線に沿った断面図である。端子Ｔ１は、基材２０の第２面２０Ｂに形成されている。オーバーコート層ＯＣは、端子Ｔ１の一部を露出するように、端子Ｔ１の上に設けられる。オーバーコート層ＯＣによって露出された端子Ｔ１は、異方性導電膜ＡＣＦを介して、端子Ｔ２と電気的に接続されている。異方性導電膜ＡＣＦは、導電接着層の一例であり、接着剤中に導電性粒子Ｒを含んでいる。端子Ｔ１と端子Ｔ２との間に異方性導電膜ＡＣＦを介在させた状態で、基材２０と配線基板５２とが互いに近づくように加圧し、加熱することで、端子Ｔ１と端子Ｔ２とが電気的及び物理的に接続される。なお、平面視で隣り合う端子Ｔ１と端子Ｔ１との間、端子Ｔ２と端子Ｔ２との間、及び端子Ｔ１と端子Ｔ２との間の絶縁性は、いずれも保たれる。

一般に、金属材料で形成された端子Ｔ１と、樹脂からなるオーバーコート層ＯＣとの密着性は、ガラス又は樹脂によって形成された基材２０とオーバーコート層ＯＣとの密着性より低い。したがって、端子Ｔ１の近傍においては、オーバーコート層ＯＣの剥離が懸念される。このような剥離は、表示装置１の製造時や修復時において配線基板５２を剥がす必要がある場合に生じ得る。すなわち、配線基板５２を表示パネル２から剥がすべく、配線基板５２に対して第２面２０Ｂの法線方向への力を加えると、重畳領域ＯＬにおいて、異方性導電膜ＡＣＦの粘着力によってオーバーコート層ＯＣにも当該法線方向への力が加えられる。このとき、端子Ｔ１とオーバーコート層ＯＣとの密着性が弱いことから、端子Ｔ１の近傍において、オーバーコート層ＯＣが端子Ｔ１あるいは第２面２０Ｂから剥離され得る。

重畳領域ＯＬを形成しなかった場合、オーバーコート層ＯＣが剥離する可能性は低くなるが、端子Ｔ１の一部が何にも覆われずに剥き出しになってしまうおそれがある。そうすると、端子Ｔ１に水分が侵入し、端子Ｔ１の腐食を招くおそれがある。このような腐食を防止するためにも、重畳領域ＯＬは形成した方がよい。

なお、オーバーコート層ＯＣの剥離の問題は、表示パネル２の外面（基材２０の第２面２０Ｂ）に検出電極Ｒｘが形成されていることにも起因する。すなわち、オーバーコート層ＯＣの形成過程で、印刷塗布された樹脂材料を加熱する際の熱が液晶層ＬＣなどに悪影響を与えるおそれがあることから、加熱工程における温度を十分に高めることができない。一般に、低温（例えば１２０℃程度）の加熱工程を経て形成されたオーバーコート層ＯＣは、高温（例えば２２０℃程度）の加熱工程を経て形成されたオーバーコート層ＯＣに比べて、ガラス、樹脂材料、及び金属材料との密着性が低くなる。

図７は、図５に示す端子Ｔ１１及びＴ１２を拡大して示す平面図である。本実施形態において、隣り合う端子Ｔ１の間には、堰き止め部ＤＭ１が設けられている。堰き止め部ＤＭ１は、端子Ｔ１１と端子Ｔ１２の双方から離間している。図示した例では、堰き止め部ＤＭ１は、第１方向Ｘにおいて、端子Ｔ１１と端子Ｔ１２との略中央に位置している。堰き止め部ＤＭ１は、一例では、略矩形状である。図示した例では、堰き止め部ＤＭ１は、メッシュ状に形成されており、複数の開口ＯＰ１を有している。第１方向Ｘにおいて、開口ＯＰ１は、直線的に並んでいる。一方、第２方向Ｙにおいて、開口ＯＰ１は、千鳥状に並んでいる。堰き止め部ＤＭ１は、例えば端子Ｔ１及び配線ＬＮ３と同一材料で形成される。

端子Ｔ１は、主部ＭＰと堰き止め部ＤＭ２とを有している。主部ＭＰは、第１方向Ｘに沿って延出した一対の短辺と、第２方向Ｙに沿って延出した一対の長辺とを有する略長方形状である。堰き止め部ＤＭ２は、配線ＬＮ３と主部ＭＰとの間に位置し、これらと接続されている。第１方向Ｘにおいて、堰き止め部ＤＭ２は、堰き止め部ＤＭ１の間に位置している。すなわち、堰き止め部ＤＭ１と堰き止め部ＤＭ２とは、第１方向Ｘに沿って並んでいる。堰き止め部ＤＭ２は、一例では、略矩形状である。主部ＭＰの第１方向Ｘに沿った幅ＷＭと堰き止め部ＤＭ２の第１方向Ｘに沿った幅ＷＤ２とは、等しい。堰き止め部ＤＭ２は、メッシュ状に形成されており、複数の開口ＯＰ２を有している。第１方向Ｘにおいて、開口ＯＰ２は、直線的に並んでいる。一方、第２方向Ｙにおいて、開口ＯＰ２は、千鳥状に並んでいる。

図において二点鎖線で示すように、配線基板５２が備える端子Ｔ２は、主部ＭＰと堰き止め部ＤＭ２の双方と重なっている。第２方向Ｙにおいて、端子Ｔ２の一端部は、堰き止め部ＤＭ２と重なっているが、配線ＬＮ３とは重なっていない。端子Ｔ２の他端部は、主部ＭＰよりも第２方向Ｙに延出している。

オーバーコート層ＯＣは、配線ＬＮ３、堰き止め部ＤＭ１、及び堰き止め部ＤＭ２と重なっている。一方、オーバーコート層ＯＣは、主部ＭＰとは重なっていない。オーバーコート層ＯＣの端部ＥＯＣは、第２方向Ｙにおいて、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２が形成された範囲に位置している。換言すると、第２方向Ｙにおいて、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２の配線ＬＮ３側の端部は、オーバーコート層ＯＣによって覆われているが、主部ＭＰ側の端部は、オーバーコート層ＯＣによって覆われていない。

異方性導電膜ＡＣＦは、主部ＭＰ、堰き止め部ＤＭ１、及び堰き止め部ＤＭ２と重なっている。図示した例では、異方性導電膜ＡＣＦは、主部ＭＰ、堰き止め部ＤＭ１、及び堰き止め部ＤＭ２のほぼすべてと重なっている。一方、異方性導電膜ＡＣＦは、配線ＬＮ３と重なっていない。

したがって、オーバーコート層ＯＣと異方性導電膜ＡＣＦとが重畳する重畳領域ＯＬは、第２方向Ｙにおいて、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２が形成された範囲に位置している。

なお、図示したように、端子Ｔ１間に堰き止め部ＤＭ１が配置されるだけでなく、端子Ｔ１１に関して端子Ｔ１２と反対側に堰き止め部ＥＤＭが配置されることが望ましい。ここで、堰き止め部ＥＤＭは、第１方向Ｘに沿って並んだ複数の端子Ｔ１及び堰き止め部ＤＭ１のうち、最も端に位置する堰き止め部である。換言すると、堰き止め部ＥＤＭは、端子Ｔ１及び堰き止め部ＤＭ１のうち、図５に示す配線基板５２の端部Ｅ５２ａに最も近接している。端子Ｔ１１の近傍にこのような堰き止め部ＥＤＭが配置されることで、端子Ｔ１１の近傍において、オーバーコート層ＯＣの主部ＭＰ側への回り込みが抑制される。なお、図５に示す配線基板５２の端部Ｅ５２ｂの近傍においても、同様の構造であることが望ましい。

図８は、図７に示す堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２を拡大して示す平面図である。堰き止め部ＤＭ１は、端子Ｔ１１の堰き止め部ＤＭ２と端子Ｔ１２の堰き止め部ＤＭ２の双方から少なくとも距離Ｌ１だけ離れている。距離Ｌ１は、異方性導電膜ＡＣＦを介して配線基板５２を表示パネル２に実装する際に、隣り合う端子Ｔ１間の絶縁性が保たれる距離である。距離Ｌ１は、一例では、約２０μｍである。

また、図８に示す幅差Ｌ２は、堰き止め部ＤＭ２の幅ＷＤ２と端子Ｔ２の幅Ｗ２との差の半分の値として定義される。ここで、幅ＷＤ２及びＷ２は、いずれも第１方向Ｘに沿って規定される。図８は、幅差Ｌ２が正の場合、すなわち幅Ｗ２が幅ＷＤ２より小さい場合を示している。なお、幅差Ｌ２が負の場合、すなわち幅Ｗ２が幅ＷＤ２より大きく、端子Ｔ２が堰き止め部ＤＭ２より第１方向Ｘに沿って延出している場合、隣り合う端子Ｔ２の間隔として、距離Ｌ１に加え、距離Ｌ２（幅差Ｌ２の絶対値）を確保する必要がある。これにより、隣り合う端子Ｔ２間の絶縁性が保たれる。

本実施形態において、堰き止め部ＤＭ１の構造と堰き止め部ＤＭ２の構造は、互いに異なっている。一例では、堰き止め部ＤＭ１のメッシュは、堰き止め部ＤＭ２のメッシュより密である。すなわち、堰き止め部ＤＭ１が有する開口ＯＰ１は、堰き止め部ＤＭ２が有する開口ＯＰ２より小さい。

より具体的には、堰き止め部ＤＭ１は、第１方向Ｘに沿って延出した部分Ｐ１１と、第２方向Ｙに沿って延出した部分Ｐ１２とを有している。部分Ｐ１１は、間隔Ｉ１１を置いて第２方向Ｙに沿って並んでいる。部分Ｐ１２は、間隔Ｉ１２を置いて第１方向Ｘに沿って並んでいる。堰き止め部ＤＭ２は、第１方向Ｘに沿って延出した部分Ｐ２１と、第２方向Ｙに沿って延出した部分Ｐ２２とを有している。部分Ｐ２１は、間隔Ｉ２１を置いて第２方向Ｙに沿って並んでいる。部分Ｐ２２は、間隔Ｉ２２を置いて第１方向Ｘに沿って並んでいる。一例では、間隔Ｉ１１と間隔Ｉ２１とは、等しい。図示した例では、部分Ｐ１１と部分Ｐ２１とは、第１方向Ｘに沿って並んでいる。一方、間隔Ｉ１２は、間隔Ｉ２２より小さい。したがって、開口ＯＰ１は、開口ＯＰ２より小さい。

ここで、間隔Ｉ１１、Ｉ１２、Ｉ２１、及びＩ２２は、いずれもオーバーコート層ＯＣを形成する際のインクジェットノズルのピッチより小さい。すなわち、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２のメッシュ構造に起因した凹凸は、インクジェットノズルから吐出される樹脂材料の構造よりも細かい。一例では、間隔Ｉ１１、Ｉ１２、Ｉ２１、及びＩ２２は、５０μｍ以下である。このような構造にすることで、インクジェットノズルから吐出された樹脂材料が堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２を覆った場合、樹脂材料の伸びを抑制する張力が働く。

なお、堰き止め部ＤＭ１の形状は、図示した例に限定されない。後述するように、堰き止め部ＤＭ１は、少なくとも部分Ｐ１１を有していればよい。すなわち、堰き止め部ＤＭ１は、インクジェットノズルから吐出された樹脂材料が伸びる方向（すなわち第２方向Ｙ）と交差する方向に延出する部材を備えていればよい。

図９は、端子Ｔ１間に堰き止め部ＤＭ１が設けられていない場合の比較例を示す平面図である。一般に、ガラス又は樹脂からなる基材２０と金属材料からなる端子Ｔ１とは、オーバーコート層ＯＣに対する濡れ性が異なる。印刷塗布によりオーバーコート層ＯＣが形成される場合、第２面２０Ｂと端子Ｔ１との濡れ性の違いから、端子Ｔ１の近傍において、オーバーコート層ＯＣの端部ＥＯＣの形状異常が生じる場合がある。オーバーコート層ＯＣに対して、第２面２０Ｂの濡れ性が端子Ｔ１の濡れ性よりも高い場合、図９に示すように、端子Ｔ１間の領域にオーバーコート層ＯＣが広がることが想定される。このとき、端子Ｔ１と配線基板５２との実効的な接続面積が減少し、表示パネル２と配線基板５２との圧着の阻害、及び端子Ｔ１及び端子Ｔ２間の高抵抗化が生じるおそれがある。

一方、本実施形態によれば、端子Ｔ１間に堰き止め部ＤＭ１を配置されている。したがって、オーバーコート層ＯＣを形成する際に、樹脂材料が第２方向Ｙに沿って流れた場合であっても、樹脂材料が堰き止め部ＤＭ１によって堰き止められる。したがって、端子Ｔ１間の領域へのオーバーコート層ＯＣの広がりを抑制することができる。この結果、主部ＭＰへのオーバーコート層ＯＣの付着が抑制される。すなわち、表示パネル２と配線基板５２との実効的な接続面積が確保され、表示パネル２と配線基板５２の接着性が向上するとともに、端子Ｔ１と端子Ｔ２との間の接続抵抗の高抵抗化が抑制される。したがって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。本実施形態は、特に、端子Ｔ１間の間隔が大きい場合、例えば端子Ｔ１間の間隔が１００μｍ以上である場合に有効である。

さらに、本実施形態によれば、オーバーコート層ＯＣの端部ＥＯＣの位置のばらつきを軽減することができる。すなわち、第２方向Ｙにおいて、端部ＥＯＣは、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２が形成された範囲内に位置するように制御される。したがって、重畳領域ＯＬの面積を減少することができる。この結果、表示装置１の狭額縁化が可能になる。

また、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２が開口ＯＰ１及びＯＰ２を有しているため、端子Ｔ１の近傍において、基材２０とオーバーコート層ＯＣとの接触面積が確保される。したがって、端子Ｔ１の近傍におけるオーバーコート層ＯＣの剥離が抑制される。

以上のことから、第１実施形態によれば、信頼性の高い表示装置を提供することができる。以下では、図１０乃至図１５を参照して、第１実施形態の他の例について説明する。

図１０は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。図１０に示す例は、図８に示す例と比較して、第２方向Ｙに沿って開口ＯＰ１の大きさが変化している点で相違している。すなわち、開口ＯＰ１ａは、開口ＯＰ１ｂより小さい。ここで、開口ＯＰ１ａは、第２方向Ｙにおいて、開口ＯＰ１ｂよりも主部ＭＰに近接している。図示した例では、主部ＭＰ側における部分Ｐ１１の間隔Ｉ１ａは、配線ＬＮ３側における部分Ｐ１１の間隔Ｉ１ｂよりも小さい。換言すると、主部ＭＰ側における部分Ｐ１２の長さは、配線ＬＮ３側における部分Ｐ１２の長さより小さい。一方、部分Ｐ１２は、等間隔で第１方向Ｘに沿って並んでいる。

図示した例では、堰き止め部ＤＭ２は、堰き止め部ＤＭ１と同様の構造を有している。堰き止め部ＤＭ２において、開口ＯＰ２は、第２方向Ｙに沿ってその大きさが変化している。すなわち、開口ＯＰ２ａは、開口ＯＰ２ｂより小さい。ここで、開口ＯＰ２ａは、開口ＯＰ２ｂよりも主部ＭＰに近接している。図示した例では、主部ＭＰ側における部分Ｐ２１の間隔Ｉ２ａは、配線ＬＮ３側における部分Ｐ２１の間隔Ｉ２ｂより小さい。換言すると、主部ＭＰ側における部分Ｐ２２の長さは、配線ＬＮ３側における部分Ｐ２２の長さより小さい。一方、部分Ｐ２２は、等間隔で第１方向Ｘに沿って並んでいる。

なお、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２の構造は、図示した例に限定されない。例えば、堰き止め部ＤＭ１において、主部ＭＰ側における部分Ｐ１２の間隔が、配線ＬＮ３側における部分Ｐ１２の間隔より小さくてもよい。あるいは、部分Ｐ１１の間隔、及び部分Ｐ１２の間隔の双方が第２方向Ｙにおいて異なっていてもよい。堰き止め部ＤＭ２についても同様である。

本例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。さらに、本例によれば、配線ＬＮ３側の開口ＯＰ１ｂを主部ＭＰ側の開口ＯＰ１ａよりも大きくすることで、配線ＬＮ３側のオーバーコート層ＯＣの被覆性を向上することができる。すなわち、検出電極Ｒｘ及び配線ＬＮ３をオーバーコート層ＯＣによって確実に被覆するとともに、オーバーコート層ＯＣの主部ＭＰへの付着を防止することができる。

図１１は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。図１１に示す例は、図８に示す例と比較して、開口ＯＰ１が第２方向Ｙに沿って直線的に並んでいる点で相違している。開口ＯＰ１は、開口ＯＰ２よりも大きい。本例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１２は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。図１２に示す例は、図８に示す例と比較して、堰き止め部ＤＭ１が部分Ｐ１２を有していない点で相違している。すなわち、堰き止め部ＤＭ１は、第２方向Ｙに沿って並んだ複数の部分Ｐ１１によって形成されている。本例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。さらに、本例によれば、オーバーコート層ＯＣと基材２０との接触面積が大きくなるため、端子Ｔ１の近傍におけるオーバーコート層ＯＣの剥離を抑制することができる。

図１３は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。図１３に示すは、図１２に示す例と比較して、部分Ｐ１１が屈曲している点で相違している。図示した例では、部分Ｐ１１は、直線的に屈曲しているが、円弧状に蛇行していてもよい。本例においても、図１２に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１４は、堰き止め部ＤＭ１の他の例を示す平面図である。図１４に示す例は、図８に示す例と比較して、堰き止め部ＤＭ１と堰き止め部ＤＭ２とが千鳥状に配置されている点で相違している。図示した例では、堰き止め部ＤＭ１は、第２方向Ｙにおいて、堰き止め部ＤＭ２より主部ＭＰから離間している。本例においても、図８に示す例と同様の効果を得ることができる。

［第２実施形態］
図１５は第２実施形態に係る表示装置１における端子Ｔ１の構成例を示す平面図である。第２実施形態は、第１実施形態と比較して、堰き止め部ＤＭ１が堰き止め部ＤＭ２と接続されている点で相違している。堰き止め部ＤＭ１と堰き止め部ＤＭ２とは、端子Ｔ１において堰き止め部ＤＭを構成している。図１５に示す堰き止め部ＤＭは、図８に示す堰き止め部ＤＭ１と堰き止め部ＤＭ２とが接続された構造に相当する。すなわち、堰き止め部ＤＭ１は、メッシュ状に形成され、複数の開口ＯＰ１を有している。堰き止め部ＤＭ２は、メッシュ状に形成され、複数の開口ＯＰ２を有している。本実施形態において、堰き止め部ＤＭの第１方向Ｘに沿った幅ＷＤは、主部ＭＰの幅ＷＭより大きい。堰き止め部ＤＭは、第１方向Ｘにおいて、主部ＭＰの両端部よりも外側に延在している。

端子Ｔ１１と端子Ｔ１２、より具体的には隣り合う堰き止め部ＤＭは、少なくとも距離Ｌ３だけ離間している。距離Ｌ３は、異方性導電膜ＡＣＦを介して配線基板５２を表示パネル２に実装する際に隣り合う端子Ｔ１間の絶縁性が保たれる距離である。距離Ｌ３は、一例では、約２０μｍである。また、図１５に示す距離Ｌ４は、端子Ｔ２の端部と堰き止め部ＤＭの端部との間の第１方向Ｘに沿った距離である。距離Ｌ４は、配線基板５２の位置合わせ精度、及び配線基板５２の寸法誤差によって規定される。

本実施形態においても、堰き止め部ＤＭのメッシュ構造は、オーバーコート層ＯＣを形成する際のインクジェットノズルのピッチより細かい。したがって、インクジェットノズルから吐出された樹脂材料が堰き止め部ＤＭを覆った場合、樹脂材料の伸びを抑制する張力が働く。本実施形態によれば、このような堰き止め部ＤＭが第１方向Ｘに沿って主部ＭＰよりも外側に延在しているため、隣り合う主部ＭＰ間の領域へのオーバーコート層ＯＣの広がりを抑制することができる。この結果、主部ＭＰへのオーバーコート層ＯＣの付着が抑制される。すなわち、端子Ｔ１と配線基板５２との実効的な接続面積が確保され、表示パネル２と配線基板５２の接着性が向上するとともに、端子Ｔ１と端子Ｔ２との間の接続抵抗の高抵抗化が抑制される。したがって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

以下では、図１６乃至図１８を参照して、第２実施形態の他の例について説明する。
図１６は、端子Ｔ１の他の例を示す平面図である。図１６に示す例は、図１５に示す例と比較して、開口ＯＰ１が第２方向Ｙに沿って並んでいる点で相違している。すなわち、図１６に示す堰き止め部ＤＭは、図１１に示す堰き止め部ＤＭ１と堰き止め部ＤＭ２とが接続された構造に相当する。本例においても、図１５と同様の効果を得ることができる。

図１７は、端子Ｔ１の他の例を示す平面図である。図１７に示す例は、図１５に示す例と比較して、堰き止め部ＤＭ１が部分Ｐ１１のみを有し、部分Ｐ１２を有していない点で相違している。すなわち、図１７に示す堰き止め部ＤＭは、図１２に示す堰き止め部ＤＭ１と堰き止め部ＤＭ２とが接続された構造に相当する。本例においても、図１５に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１８は、端子Ｔ１の他の例を示す平面図である。図１８に示す例は、図１７に示す例と比較して、部分Ｐ１１が屈曲している点で相違している。すなわち、図１８に示す堰き止め部ＤＭは、図１３に示す堰き止め部ＤＭ１と堰き止め部ＤＭ２とが接続された構造に相当する。本例においても、図１５に示す例と同様の効果を得ることができる。

［第３実施形態］
図１９は、第３実施形態に係る表示装置１の一例を示す平面図である。図１９は、基材２０の第２面２０Ｂに設けられた各要素の一例を模式的に示している。第３実施形態は、端子Ｔ１の両端に配線ＬＮ３が接続されている点で、第１実施形態と相違している。図示した例では、検出電極Ｒｘの一端（例えば図において右側）から引き出された配線ＬＮ３は、図面において右側の非表示領域ＮＤＡを通って、端子Ｔ１の一端に接続されている。検出電極Ｒｘの他端（例えば図において左側）から引き出された配線ＬＮ３は、端部ＥＸ側の非表示領域ＮＤＡを通って端子Ｔ１の他端に接続されている。

オーバーコート層ＯＣは、端子Ｔ１が設けられた領域を除き、第２面２０Ｂのほぼ全域を覆っている。図示した例では、オーバーコート層ＯＣが設けられていない領域は、略Ｌ字型である。

図２０は、図１９に示す配線基板５２の近傍を拡大して示す図である。オーバーコート層ＯＣは、配線ＬＮ３と配線ＬＮ３が接続された端子Ｔ１の両端部も覆っている。図示した例では、オーバーコート層ＯＣは、端子Ｔ２の両端部も覆っている。したがって、オーバーコート層ＯＣと異方性導電膜ＡＣＦとが重畳する重畳領域ＯＬは、端子Ｔ１の両端部に形成されている。

図２１は、図２０に示す端子Ｔ１１及び端子Ｔ１２を拡大して示す平面図である。本実施形態において、端子Ｔ１は、堰き止め部ＤＭ２に加え、堰き止め部ＤＭ３を有している。主部ＭＰは、堰き止め部ＤＭ２と堰き止め部ＤＭ３との間に位置している。また、堰き止め部ＤＭ１は、隣り合う堰き止め部ＤＭ２の間だけでなく、隣り合う堰き止め部ＤＭ３の間にも設けられている。図示した例では、堰き止め部ＤＭ３の構造は、堰き止め部ＤＭ２の構造と同様であるが、異なっていてもよい。

第２方向Ｙにおいて、端子Ｔ１の端部ＥＴａ側に設けられたオーバーコート層ＯＣは、配線ＬＮ３のすべてを覆い、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２を部分的に覆っている。すなわち、端部ＥＴａ側におけるオーバーコート層ＯＣの端部ＥＯＣａは、第２方向Ｙにおいて、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２が形成された範囲に位置している。また、第２方向Ｙにおいて、端子Ｔ１の端部ＥＴｂ側に設けられたオーバーコート層ＯＣは、配線ＬＮ３のすべてを覆い、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ２を部分的に覆っている。すなわち、端部ＥＴｂ側におけるオーバーコート層ＯＣの端部ＥＯＣｂは、第２方向Ｙにおいて、堰き止め部ＤＭ１及びＤＭ３が形成された範囲に位置している。

本実施形態においても、端子Ｔ１間に堰き止め部ＤＭ１が設けられているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、図２１に示すように、端子Ｔ１の端部ＥＴａ及びＥＴｂの双方の側にオーバーコート層ＯＣが設けられる構成においては、第２方向Ｙにおける重畳領域ＯＬの範囲が大きい。したがって、端部ＥＯＣａ及びＥＯＣｂの位置制御の精度が向上する本実施形態は、狭額縁化に有用である。

なお、堰き止め部ＤＭ１の構造は、図示した例に限定されない。また、第２実施形態で説明したように、堰き止め部ＤＭ１と堰き止め部ＤＭ２とが接続されてもよく、堰き止め部ＤＭ１と堰き止め部ＤＭ３とが接続されてもよい。

［第４実施形態］
図２２は、第４実施形態に係る表示装置１における端子Ｔ１の構成例を示す平面図である。第４実施形態は、第３実施形態と比較して、堰き止め部ＤＭ２及び堰き止め部ＤＭ３がスリットＳＬを有している点で相違している。また、第４実施形態において、端子Ｔ１１と端子Ｔ１２との間に堰き止め部ＤＭ１は形成されていなくても良い。

堰き止め部ＤＭ２は、配線ＬＮ３ａ及びＬＮ３ｂと、主部ＭＰとの間に位置し、これらと接続されている。堰き止め部ＤＭ２は、第１方向Ｘに沿って延出した部分Ｐ２１と、第２方向Ｙに沿って延出した部分Ｐ２２と、を有している。部分Ｐ２１は、スリットＳＬを有している。堰き止め部ＤＭ３は、配線ＬＮ３ａ及びＬＮ３ｂと、主部ＭＰとの間に位置し、これらと接続されている。堰き止め部ＤＭ３は、主部ＭＰと一体的に形成されている。堰き止め部ＤＭ３は、第１方向Ｘに沿って延出した部分Ｐ３１と、第２方向Ｙに沿って延出した部分Ｐ３２と、を有している。部分Ｐ３１は、スリットＳＬを有している。なお、スリットＳＬは、部分Ｐ２１及び部分Ｐ３１において、どの部分に形成されても良い。また、それぞれの配線ＬＮ３ａ及びＬＮ３ｂは、図２１に示したような１本の配線ＬＮ３に接続されている。

主部ＭＰは、堰き止め部ＤＭ２と堰き止め部ＤＭ３との間に位置し、堰き止め部ＤＭ２及び堰き止め部ＤＭ３と一体的に形成されている。図示した例では、主部ＭＰは、第１部分ＭＰ１及び第２部分ＭＰ２に分割されている。第１部分ＭＰ１は、堰き止め部ＤＭ２と接続されている。第２部分ＭＰ２は、堰き止め部ＤＭ３と接続されている。第１部分ＭＰ１は、平滑領域（第１領域）ＳＰ１と、平滑領域ＳＰ１と堰き止め部ＤＭ２との間に位置するメッシュ領域（第２領域）ＡＲ１と、を有している。堰き止め部ＤＭ２は、開口ＯＰ５を有している。開口ＯＰ５は、部分Ｐ２１とＰ２２とによって形成されている。部分Ｐ２１のスリットＳＬは、複数の開口ＯＰ５の間に位置している。メッシュ領域ＡＲ１は、開口ＯＰ５より小さい開口ＯＰ６を有している。第２部分ＭＰ２は、平滑領域ＳＰ２と、平滑領域ＳＰ２と堰き止め部ＤＭ３との間に位置するメッシュ領域ＡＲ２と、を有している。堰き止め部ＤＭ３は、開口ＯＰ５を有している。開口ＯＰ５は、部分Ｐ３１とＰ３２とによって形成されている。部分Ｐ３１のスリットＳＬは、複数の開口ＯＰ５の間に位置している。メッシュ領域ＡＲ２は、開口ＯＰ５より小さい開口ＯＰ６を有している。オーバーコート層ＯＣは、堰き止め部ＤＭ２及びメッシュ領域ＡＲ１に重なっている。また、オーバーコート層ＯＣは、堰き止め部ＤＭ３及びメッシュ領域ＡＲ２に重なっている。

本実施形態においては、堰き止め部ＤＭ２及び堰き止め部ＤＭ３は、部分Ｐ２１及び部分Ｐ３１においてスリットＳＬを有している。そのため、樹脂材料が堰き止め部ＤＭ２及びＤＭ３によって過度に堰き止められるのを抑制することができる。よって、オーバーコート層ＯＣからの配線の露出を抑制し、配線の腐食を抑制することができる。一方、スリットＳＬを形成したことで主部ＭＰにより多くの樹脂材料が流れ込む恐れがある。堰き止め部ＤＭ２及びＤＭ３よりも精密なパターンのメッシュ領域ＡＲ１及びＡＲ２を形成することによって、主部ＭＰに過度の樹脂材料が流れ込むのを抑制することができる。すなわち、表示パネル２と配線基板５２との実効的な接続面積が確保され、表示パネル２と配線基板５２の接着性が向上するとともに、端子Ｔ１と端子Ｔ２との間の接続抵抗の高抵抗化が抑制される。したがって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。また、オーバーコート層ＯＣの端部ＥＯＣａ及びＥＯＣｂの位置のばらつきを軽減することができる。すなわち、第２方向Ｙにおいて、端部ＥＯＣａは、堰き止め部ＤＭ２が形成された範囲内に位置するように制御されるか、メッシュ領域ＡＲ１が形成された範囲内に位置するように制御される。同様に、第２方向Ｙにおいて、端部ＥＯＣｂは、堰き止め部ＤＭ３が形成された範囲内に位置するように制御されるか、メッシュ領域ＡＲ２が形成された範囲内に位置するように制御される。

図２３は、主部ＭＰの他の例を示す平面図である。図２３に示す例は、図２２に示す例と比較して、主部ＭＰ全体がメッシュ状に形成されている点で相違している。すなわち、メッシュ領域ＡＲ１は、第１部分ＭＰ１の全領域に相当する。また、メッシュ領域ＡＲ２は、第２部分ＭＰ２の全領域に相当する。図２３に示した平滑領域ＳＰ１及びＳＰ２がメッシュ状に形成されている。メッシュ領域ＡＲ１及びＡＲ２の第２方向Ｙに沿った幅を拡大したことによって、オーバーコート層を堰き止め易くすることができ、主部ＭＰの接続面積を確保することができる。堰き止め部ＤＭ２及びＤＭ３は、開口ＯＰ５を有し、メッシュ領域ＡＲ１及びＡＲ２は、開口ＯＰ５より小さい開口ＯＰ６を有している。

図２４は、主部ＭＰの他の例を示す平面図である。図２４に示す例は、図２２に示す例と比較して、メッシュ領域ＡＲ１及びＡＲ２が平滑領域ＳＰ１及びＳＰ２を囲むように形成されている点で相違している。第１部分ＭＰ１は、平滑領域ＳＰ１と、メッシュ領域ＡＲ１と、を有している。平滑領域ＳＰ１は、第１辺Ｅ１１、第２辺Ｅ１２、及び第３辺Ｅ１３を有している。メッシュ領域ＡＲ１は、第１辺Ｅ１１、第２辺Ｅ１２、及び第３辺Ｅ１３に沿って平滑領域ＳＰ１を囲んでいる。第２部分ＭＰ２は、平滑領域ＳＰ２と、メッシュ領域ＡＲ２と、を有している。平滑領域ＳＰ２は、第１辺Ｅ２１、第２辺Ｅ２２、及び第３辺Ｅ２３を有している。メッシュ領域ＡＲ２は、第１辺Ｅ２１、第２辺Ｅ２２、及び第３辺Ｅ２３に沿って平滑領域ＳＰ２を囲んでいる。

図２４に示すように、メッシュ領域ＡＲ１が第２辺Ｅ１２及び第３辺Ｅ１３に沿って形成されていることによって、堰き止め部ＤＭ２からメッシュ領域ＡＲ１に流れた樹脂材料が第２辺Ｅ１２及び第３辺Ｅ１３側に流れ込むのを抑制することができる。同様に、メッシュ領域ＡＲ２が第２辺Ｅ２２及び第３辺Ｅ２３に沿って形成されていることによって、堰き止め部ＤＭ３からメッシュ領域ＡＲ２に流れた樹脂材料が第２辺Ｅ２２及び第３辺Ｅ２３側に流れ込むのを抑制することができる。なお、堰き止め部ＤＭ２及びＤＭ３は、開口ＯＰ５を有し、メッシュ領域ＡＲ１及びＡＲ２は、開口ＯＰ５より小さい開口ＯＰ６を有している。

図２５は、第４実施形態の他の例を示す平面図である。図２５に示す例は、図２２に示す例と比較して、堰き止め部ＤＭ１が形成されている点で相違している。堰き止め部ＤＭ１は、端子Ｔ１１と端子Ｔ１２との間に位置している。具体的には、堰き止め部ＤＭ１は、隣り合う堰き止め部ＤＭ２の間、及び、隣り合う堰き止め部ＤＭ３の間に設けられている。図示した例では、堰き止め部ＤＭ１は、第１方向Ｘに沿って延出し第２方向Ｙに沿って並んだ複数の部分Ｐ１１によって形成されている。堰き止め部ＤＭ１は、平面視において、オーバーコート層ＯＣと重畳している。なお、堰き止め部ＤＭ１の構成はこれに限らず、第１実施形態に示した堰き止め部ＤＭ１の構成の何れが適用されても良い。

以上の各実施形態において、端子Ｔ１１は、第１端子に相当し、端子Ｔ１２は、第２端子に相当する。堰き止め部ＤＭ１は、堰き止め用の第１パターンに相当し、堰き止め部ＤＭ２は、第２パターンに相当し、堰き止め部ＤＭ３は、第３パターンに相当する。端子Ｔ１１に接続された配線ＬＮ３は、第１配線に相当し、端子Ｔ１２に接続された配線ＬＮ３は、第２配線に相当する。オーバーコート層ＯＣは、樹脂層に相当する。開口ＯＰ１又は開口ＯＰ１ａは、第１開口に相当する。開口ＯＰ１ｂは、第２開口に相当する。開口ＯＰ２又は開口ＯＰ２ａは、第３開口に相当する。開口ＯＰ２ｂは、第４開口に相当する。開口ＯＰ５は、第５開口に相当する。開口ＯＰ６は、第６開口に相当する。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…表示装置、２…表示パネル、３…バックライトユニット、４…センサ、
５１，５２…配線基板、２０…基材、Ｒｘ…検出電極、
Ｔ１，Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２…端子、ＭＰ…主部、
ＤＭ１，ＤＭ２，ＤＭ３…堰き止め部、Ｐ１１…第１部分、Ｐ１２…第２部分、
ＬＮ３…配線、ＯＰ１，ＯＰ１ａ，ＯＰ１ｂ，ＯＰ２，ＯＰ２ａ，ＯＰ２ｂ…開口。

Claims (21)

1. 基材と、
   前記基材の上に形成された第１端子及び第２端子と、
   前記基材の上に形成された第１パターンと、
   を備え、
   前記第１端子と前記第２端子とは、第１方向に沿って並び、
   前記第１パターンは、前記第１端子と前記第２端子との間に位置している、電気回路基板。
2. 前記基材の上に形成され、前記第１端子と接続する第１配線と、
   前記基材の上に形成され、前記第２端子と接続する第２配線と、を備え、
   前記第１配線と前記第２配線は、樹脂層によって覆われており、
   前記樹脂層の端部は、前記第１パターンと重畳する位置にある、請求項１に記載の電気回路基板。
3. 前記第１端子は、主部と第２パターンとを備え、
   前記第２パターンは、前記第１配線と前記主部との間に位置し、前記主部と一体的に形成されている、請求項２に記載の電気回路基板。
4. 前記第１端子は、第３パターンをさらに備え、
   前記主部は、前記第２パターンと前記第３パターンとの間に位置し、一体的に形成されている、請求項３に記載の電気回路基板。
5. 前記第１パターンは、第１開口と、前記第１開口よりも前記主部から離間した第２開口とを有し、
   前記第１開口は、前記第２開口よりも小さい、請求項３に記載の電気回路基板。
6. 前記第２パターンは、第３開口と、前記第３開口よりも前記主部から離間した第４開口とを有し、
   前記第３開口は、前記第４開口よりも小さい、請求項４に記載の電気回路基板。
7. 前記第１パターンと前記第２パターンとは、平面視で千鳥状に配置されている、請求項３乃至５のいずれか１項に記載の電気回路基板。
8. 前記第１パターンと前記第２パターンとは、前記第１方向に沿って並んでいる、請求項３乃至５のいずれか１項に記載の電気回路基板。
9. 前記第１パターンは、前記第２パターンと接続されていない、請求項３乃至７のいずれか１項に記載の電気回路基板。
10. 前記第１パターンは、第１開口を有し、
    前記第２パターンは、第３開口を有し、
    前記第１開口は、前記第３開口よりも小さい、請求項３に記載の電気回路基板。
11. 前記第１パターンは、直線的に配置された第１開口を有し、
    前記第２パターンは、千鳥状に配置された第３開口を有している、請求項３に記載の電気回路基板。
12. 前記第１パターンは、前記第１方向と交差する第２方向に沿って並んだ第１部分によって形成され、
    前記第２パターンはメッシュ状に形成されている、請求項３に記載の電気回路基板。
13. 前記第１パターンは、前記第１方向に沿って延出した第１部分を有している、請求項１に記載の電気回路基板。
14. 前記第１パターンは、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延出した第２部分を有し、
    隣り合う前記第１部分の第１間隔、及び隣り合う前記第２部分の第２間隔は、５０μｍ以下である、請求項１２に記載の電気回路基板。
15. 前記基材の上に形成された第１検出電極及び第２検出電極と、を備え、
    前記第１検出電極は、前記第１配線を介して前記第１端子と電気的に接続し、
    前記第２検出電極は、前記第２配線を介して前記第２端子と電気的に接続している、請求項２に記載の電気回路基板。
16. 基材と、
    前記基材の上に形成された第１端子と、
    前記基材の上に形成され、前記第１端子と接続する第１配線と、
    前記第１配線を覆う樹脂層と、
    を備え、
    前記第１端子は、主部と第２パターンとを備え、
    前記第２パターンは、前記第１配線と前記主部との間に位置し、前記主部と一体的に形成され、複数の第５開口を有し、
    前記主部は、第１領域と、前記第１領域と前記第２パターンとの間に位置する第２領域と、を有し、
    前記第２領域は、前記複数の第５開口より小さい複数の第６開口を有し、
    前記複数の第５開口は、第１方向に沿って延出した第１部分と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延出した第２部分とによって形成され、
    前記第１部分は、前記複数の第５開口の間において、スリットを有する、電気回路基板。
17. 前記第１領域は、前記複数の第６開口を有する、請求項１６に記載の電気回路基板。
18. 前記第２領域は、前記第１領域を囲むように設けられている、請求項１６に記載の電気回路基板。
19. 前記第１端子は、第３パターンをさらに備え、
    前記主部は、前記第２パターンと前記第３パターンとの間に位置しており、
    前記第３パターンは、前記主部と一体的に形成され、複数の第５開口を有し、
    前記複数の第５開口は、前記第１方向に沿って延出した第３部分と、前記第２方向に沿って延出した第４部分とによって形成され、
    前記第３部分は、前記複数の第５開口の間において、スリットを有する、請求項１６乃至１８の何れか１項に記載の電気回路基板。
20. 前記基材の上に形成された第２端子と、
    前記基材の上に形成され、前記第２端子と接続する第２配線と、
    前記基材の上に形成された第１パターンと、
    を備え、
    前記第１端子と前記第２端子とは、前記第１方向に沿って並び、
    前記第１パターンは、前記第１端子と前記第２端子との間に位置しており、平面視において、前記樹脂層と重畳している、請求項１６乃至１９の何れか１項に記載の電気回路基板。
21. 前記第１パターンは、前記第１方向に沿って延出し、前記第２方向に沿って並んだ複数の第５部分によって形成されている、請求項２０に記載の電気回路基板。

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