JP7139636B2 - 表示素子及びその製造方法、表示装置、システム - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施の形態に係るテレビジョン装置の構成を示すブロック図である。なお、図1における接続線は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。
電界効果型トランジスタ100は、基板110と、半導体層120と、ゲート絶縁膜130と、層間絶縁膜150及び160と、ソース電極170と、ドレイン電極180とを有している。
基板110の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。基板110の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ガラス基材、セラミック基材、プラスチック基材、フィルム基材等を用いることができる。
半導体層120は、少なくともソース電極170とドレイン電極180との間に形成されている。ここで、「間」とは、半導体層120がソース電極170及びドレイン電極180と共に、電界効果型トランジスタ100を機能させる位置であり、そのような位置であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
ゲート絶縁膜130としては、半導体層120とゲート電極140との間に形成されゲート絶縁膜として機能する絶縁膜であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
ゲート電極140は、半導体層120上の所定領域に形成されている。ゲート電極140は、ゲート電圧を印加するための電極である。ゲート電極140は、ゲート絶縁膜130と接し、ゲート絶縁膜130を介して半導体層120と対向する。
層間絶縁膜150は、ゲート電極140及び走査線X1を被覆している。又、層間絶縁膜160は、下部電極761を被覆し、下部電極761上から延在して層間絶縁膜150を被覆している。つまり、走査線X1とデータ線Y2には、層間絶縁膜150と層間絶縁膜160との積層膜が挟持されている。
ソース電極170及びドレイン電極180並びにデータ線Y2(他のデータ線も同様)は、層間絶縁膜160上に形成されている。ソース電極170及びドレイン電極180は、所定の間隔を隔てて形成されている。ソース電極170及びドレイン電極180は、ゲート電極140へのゲート電圧の印加に応じて電流を取り出すための電極である。
基板110上には、絶縁膜135を介して、コンデンサC1が形成されている。コンデンサC1は、下部電極761(第1電極)と、層間絶縁膜160を介して下部電極761と対向配置された上部電極762(第2電極)とを備えている。下部電極761は、絶縁膜135上に形成されている。上部電極762は、ドレイン電極180と接続されている。コンデンサC1の蓄積容量は、下部電極761と上部電極762に挟持された層間絶縁膜160が薄いほど大きくなり好ましい。
次に、図8に示す表示素子の製造方法について、特に、厚さT1を厚さT2よりも厚くする工程を中心に説明する。図9及び図10は、第1の実施の形態に係る表示素子の製造工程を例示する図である。
第1の実施の形態の変形例1では、第1の実施の形態とは層間絶縁膜の構造の異なる表示素子の例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
第1の実施の形態の変形例2では、第1の実施の形態の変形例1とは層間絶縁膜の構造の異なる表示素子の例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
実施例1では、第1の実施の形態(図9及び図10)で説明した製造方法により、図8に示す表示素子702を作製した。層間絶縁膜150及び160としては、PE-CVD(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition)を用いて300~400℃でシリコン酸化膜を成膜し、ドライエッチングによりパターニングした。
実施例2では、第1の実施の形態(図9及び図10)で説明した製造方法により、図8に示す表示素子702を作製した。層間絶縁膜150としては、CVDを用いてシリコン酸化膜を成膜し、ウェットエッチングによりパターニングした。又、層間絶縁膜160としては、CVDを用いてシリコン窒化膜を成膜し、ウェットエッチングによりパターニングした。
実施例3では、第1の実施の形態の変形例1で説明した製造方法により、図11に示す表示素子702Aを作製した。層間絶縁膜160Aとしては、CVDを用いてシリコン酸化膜を全体に成膜した。そして、絶縁膜135及び下部電極761からなる積層体上の層間絶縁膜160Aのみをウェットエッチングにより一部除去して薄膜化した。
実施例4では、ウェットエッチングをドライエッチングに変えた以外は実施例3と同様にして、図11に示す表示素子702Aを作製した。
実施例5では、第1の実施の形態の変形例2で説明した製造方法により、図12に示す表示素子702Bを作製した。層間絶縁膜150Bとしては、CVDを用いてシリコン窒化膜を成膜した。又、層間絶縁膜160Bとしては、CVDを用いてシリコン酸化膜を成膜し、ウェットエッチングによりパターニングした。
実施例6では、ウェットエッチングをドライエッチングに変えた以外は実施例5と同様にして、図12に示す表示素子702Bを作製した。
実施例5では、第1の実施の形態の変形例2で説明した製造方法により、図12に示す表示素子702Bを作製した。層間絶縁膜150Bとしては、塗布法を用いてSOG(Spin On Glass)を成膜した。又、層間絶縁膜160Bとしては、CVDを用いてシリコン酸化膜を成膜し、ウェットエッチングによりパターニングした。
実施例8では、ウェットエッチングをドライエッチングに変えた以外は実施例7と同様にして、図12に示す表示素子702Bを作製した。
実施例9では、第1の実施の形態の変形例2で説明した製造方法により、図12に示す表示素子702Bを作製した。層間絶縁膜150Bとしては、スパッタ法を用いてシリコン酸化膜を成膜した。又、層間絶縁膜160Bとしては、CVDを用いてLow-K膜を成膜し、ウェットエッチングによりパターニングした。
実施例10では、ウェットエッチングをドライエッチングに変えた以外は実施例9と同様にして、図12に示す表示素子702Bを作製した。
110 基板
120 半導体層
130 ゲート絶縁膜
135 絶縁膜
140 ゲート電極
150、150B、160、160A、160B 層間絶縁膜
170 ソース電極
175、185 コンタクトホール
180 ドレイン電極
702、702A、702B 表示素子
761 下部電極
762 上部電極
Claims (6)
- 光制御素子の光出力を制御する電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタの状態を保持する蓄積容量と、を有する表示素子であって、
前記電界効果型トランジスタのゲート電極と接続された走査線と、
前記ゲート電極及び前記走査線を被覆する第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜上に平面視で前記走査線と交差するように配置された、前記電界効果型トランジスタのソース電極と接続されたデータ線と、
第1電極と、第2層間絶縁膜を介して前記第1電極と対向配置された第2電極と、を備え、前記第2電極が前記電界効果型トランジスタのドレイン電極と接続された蓄積容量と、を有し、
前記第1層間絶縁膜は、前記ゲート電極及び前記走査線を被覆する第3層間絶縁膜と、前記第1電極上から延在して前記第3層間絶縁膜を被覆する前記第2層間絶縁膜との積層膜であり、
前記第1層間絶縁膜の膜厚は、前記第2層間絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする表示素子。 - 前記第2層間絶縁膜と前記第3層間絶縁膜が同一材料で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示素子。
- 前記第2層間絶縁膜は、前記第3層間絶縁膜よりも比誘電率の高いが材料で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示素子。
- 請求項1乃至3の何れか一項に記載の表示素子を複数個配置した表示器と、
夫々の前記表示素子を個別に制御する表示制御装置と、を有する表示装置。 - 請求項4に記載の表示装置と、
前記表示装置に画像データを供給する画像データ作成装置と、を有するシステム。 - 光制御素子の光出力を制御する電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタの状態を記憶する蓄積容量と、を有する表示素子の製造方法であって、
前記電界効果型トランジスタのゲート電極及び前記ゲート電極と接続された走査線を形成する工程と、
前記ゲート電極及び前記走査線を被覆する第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に前記電界効果型トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成すると共に、前記第1層間絶縁膜上に平面視で前記走査線と交差するように、前記ソース電極と接続されたデータ線を形成する工程と、
第1電極と、第2層間絶縁膜を介して前記第1電極と対向配置された第2電極と、を備え、前記ドレイン電極と接続された蓄積容量を形成する工程と、を有し、
前記第1層間絶縁膜を形成する工程は、前記ゲート電極及び前記走査線を被覆する第3層間絶縁膜を形成する工程を含み、
前記蓄積容量を形成する工程は、前記第1電極を被覆すると共に、前記第1電極上から延在して前記第3層間絶縁膜を被覆する前記第2層間絶縁膜を形成する工程を含み、
前記第1層間絶縁膜は、前記第3層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜との積層膜であり、
前記第1層間絶縁膜の膜厚が、前記第2層間絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されることを特徴とする表示素子の製造方法。
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