JP7134826B2 - Electrostatic chuck production method - Google Patents

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Description

本開示は、静電チャックの生産方法に関する。 The present disclosure relates to methods of producing electrostatic chucks.

プラズマ処理装置には、処理室内で基板を静電吸着する静電チャックが設けられている。静電チャックは、ウエハレスドライクリーニング時等に処理室内でプロセスガスに曝されることにより、静電チャックの表面が変質し、吸着性能が低下する場合がある。 A plasma processing apparatus is provided with an electrostatic chuck that electrostatically attracts a substrate in a processing chamber. When the electrostatic chuck is exposed to a process gas in a processing chamber during waferless dry cleaning or the like, the surface of the electrostatic chuck may be degraded and the adsorption performance may be lowered.

特許文献１には、チャック本体の吸着面のリブ部及び支持部を所定の厚さに亘って除去して平坦面とし、この平坦面にリブ部及び支持部を再度付与する静電チャックの再生方法が開示されている。 In Patent Document 1, there is disclosed a technique for regenerating an electrostatic chuck in which ribs and support portions of an attraction surface of a chuck body are removed over a predetermined thickness to form a flat surface, and the rib portions and support portions are added again to the flat surface. A method is disclosed.

特開２０１３－１６２０８４号公報JP 2013-162084 A

一の側面では、本開示は、加工量を減らすことができる静電チャックの生産方法を提供する。 In one aspect, the present disclosure provides an electrostatic chuck production method that can reduce the amount of processing.

上記課題を解決するために、一の態様によれば、静電チャックの生産方法であって、凹部、及び、前記凹部の底面上に凸部を有するプラズマ処理後の静電チャックを提供する工程と、前記凸部を除いて前記凹部を覆う第１のマスクを形成する工程と、前記第１のマスクを通して前記凸部の表面を除去する工程と、前記第１のマスクを除去する工程と、前記凸部の位置とは異なる位置の前記底面に第２のマスクを形成する工程と、前記第２のマスクを通して前記プラズマ処理後の静電チャックの表面を除去する工程と、前記第２のマスクを除去する工程と、を備える、静電チャックの生産方法が提供される。 In order to solve the above problems, according to one aspect, there is provided a method for producing an electrostatic chuck, comprising a step of providing a plasma-treated electrostatic chuck having recesses and protrusions on the bottom surfaces of the recesses. a step of forming a first mask covering the recess except for the protrusion, a step of removing the surface of the protrusion through the first mask, and a step of removing the first mask; forming a second mask on the bottom surface at a position different from the position of the projection; removing the surface of the electrostatic chuck after the plasma treatment through the second mask; A method of producing an electrostatic chuck is provided, comprising:

一の側面によれば、加工量を減らすことができる静電チャックの生産方法を提供することができる。
According to one aspect, it is possible to provide an electrostatic chuck production method capable of reducing the amount of processing.

一実施形態に係る静電チャックの再生方法を説明する図。4A and 4B are diagrams for explaining a method for remanufacturing an electrostatic chuck according to an embodiment; FIG. 一実施形態に係る静電チャックの再生方法を説明する図。4A and 4B are diagrams for explaining a method for remanufacturing an electrostatic chuck according to an embodiment; FIG. 参考例に係る静電チャックの再生方法を説明する図。FIG. 5 is a diagram for explaining a method for remanufacturing an electrostatic chuck according to a reference example;

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description may be omitted.

≪一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法≫
一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法について、図１から図２を用いて説明する。図１及び図２は、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法を説明する図である。 <<Method for Remanufacturing Electrostatic Chuck 100 According to One Embodiment>>
A method for remanufacturing the electrostatic chuck 100 according to one embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 and 2 are diagrams illustrating a method for remanufacturing an electrostatic chuck 100 according to one embodiment.

まず、静電チャック１００の構造について説明する。図１（ａ）は、静電チャック１００の一例の断面図である。図１（ｂ）は、静電チャック１００の一例の平面図である。なお、図１（ａ）は基板載置面を上とした図であり、図１（ｂ）は、基板載置面の方向からみた図である。 First, the structure of the electrostatic chuck 100 will be described. FIG. 1A is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 100. FIG. FIG. 1B is a plan view of an example of the electrostatic chuck 100. FIG. 1(a) is a view with the substrate mounting surface facing upward, and FIG. 1(b) is a view viewed from the direction of the substrate mounting surface.

静電チャック１００は、基部１５０の上面に基板載置面が形成されている。基板載置面には、リブ１１０と、底面１３０を有する凹部１２０と、凸部１４０と、が形成されている。リブ１１０や凸部１４０は、基部１５０と一体に形成される。なお、基部１５０、リブ１１０、凸部１４０は、例えば、アルミナセラミックス等の誘電体で形成される。 The electrostatic chuck 100 has a substrate mounting surface formed on the upper surface of the base 150 . Ribs 110, concave portions 120 having bottom surfaces 130, and convex portions 140 are formed on the substrate mounting surface. The ribs 110 and the protrusions 140 are integrally formed with the base 150 . The base 150, the ribs 110, and the projections 140 are made of a dielectric material such as alumina ceramics.

リブ１１０は、静電チャック１００の基板載置面の外周縁部に設けられた環状の部分である。凹部１２０は、環状のリブ１１０で囲まれた内部空間である。また、凹部１２０は、底面１３０を有している。凸部１４０は、底面１３０から立設する柱状の部分である。なお、図１及び図２においては、静電チャック１００の基板載置面に２つの凸部１４０が形成されているものとして模式的に図示しているが、凸部１４０の形状、数、配置等はこれに限定するものではない。 The rib 110 is an annular portion provided on the outer peripheral edge of the substrate mounting surface of the electrostatic chuck 100 . The recess 120 is an internal space surrounded by the annular ribs 110 . Also, the recess 120 has a bottom surface 130 . The convex portion 140 is a columnar portion erected from the bottom surface 130 . 1 and 2 schematically show that two projections 140 are formed on the substrate mounting surface of the electrostatic chuck 100. However, the shape, number, and arrangement of the projections 140 may vary. etc. is not limited to this.

静電チャック１００に基板（図示せず）を載置する際、基板の裏面の外周縁部が環状のリブ１１０と面接触する。また、凹部１２０内には、複数の凸部１４０が設けられており、凸部１４０の上面が基板の裏面と面接触して支持する。また、静電チャック１００の基部１５０には、図示しない内部電極が埋め込まれている。内部電極に電圧を印加することにより、基板載置面に載置された基板を吸着する。 When a substrate (not shown) is placed on the electrostatic chuck 100 , the outer peripheral edge of the back surface of the substrate comes into surface contact with the annular rib 110 . A plurality of protrusions 140 are provided in the recess 120, and the upper surfaces of the protrusions 140 are in surface contact with and support the back surface of the substrate. An internal electrode (not shown) is embedded in the base portion 150 of the electrostatic chuck 100 . By applying a voltage to the internal electrodes, the substrate mounted on the substrate mounting surface is attracted.

ところで、静電チャック１００は、例えば、プラズマ処理装置の処理室内に配置される。このため、静電チャック１００は、基板を処理するためのプロセスガス等に曝され、静電チャック１００の表面が変質する。表面の変質により、静電チャック１００が基板を吸着する性能が低下することがある。 By the way, the electrostatic chuck 100 is arranged, for example, in a processing chamber of a plasma processing apparatus. Therefore, the electrostatic chuck 100 is exposed to a process gas or the like for processing the substrate, and the surface of the electrostatic chuck 100 is degraded. The performance of the electrostatic chuck 100 to attract the substrate may be degraded due to deterioration of the surface.

一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法では、静電チャック１００の表面を削る加工をすることにより、静電チャック１００の吸着性能を再生する。以下に、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法について説明する。 In the method for regenerating the electrostatic chuck 100 according to one embodiment, the adsorption performance of the electrostatic chuck 100 is regenerated by scraping the surface of the electrostatic chuck 100 . A method for remanufacturing the electrostatic chuck 100 according to one embodiment will be described below.

＜提供工程＞
提供工程では、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す外周縁部に設けられたリブ１１０、リブ１１０で囲まれた凹部１２０、及び、凹部１２０の底面１３０から突出する凸部１４０を有する静電チャック１００を、静電チャック１００の再生処理を行う加工装置に提供する。 <Providing process>
In the providing step, ribs 110 provided on the outer peripheral edge shown in FIGS. The electrostatic chuck 100 is provided to a processing apparatus for regenerating the electrostatic chuck 100 .

＜第１の工程＞
図１（ｃ）は、第１の工程における静電チャック１００の一例の断面図である。図１（ｄ）は、第１の工程における静電チャック１００の一例の平面図である。なお、図１（ｄ）及び後述する図１（ｆ）において、平面視した第１のマスク２００には、ドットの網掛けを施して図示している。 <First step>
FIG. 1C is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 100 in the first step. FIG. 1D is a plan view of an example of the electrostatic chuck 100 in the first step. In FIG. 1(d) and FIG. 1(f), which will be described later, the first mask 200 viewed from above is shown with hatching of dots.

第１の工程では、静電チャック１００の上面（基板載置面）に、凸部１４０を除いたリブ１１０及び凹部１２０を覆う第１のマスク２００を形成する。例えば、凹部１２０にマスク材料を充填することにより、凹部１２０の底面１３０を覆う第１のマスク２００を形成する。この際、凸部１４０の上面は、第１のマスク２００から露出した状態となっている。また、例えば、リブ１１０の上面にマスク材料を塗布することにより、リブ１１０の上面を覆う第１のマスク２００を形成する。なお、リブ１１０の上面にマスク材料を塗布する際、マスク材料が静電チャック１００の側面にはみ出してもよい。なお、第１の工程のマスクとしては、例えば、液体樹脂を硬化させて形成するマスクを用いることができる。 In the first step, a first mask 200 is formed on the upper surface (substrate mounting surface) of the electrostatic chuck 100 to cover the ribs 110 and the recesses 120 except for the projections 140 . For example, a first mask 200 covering the bottom surface 130 of the recess 120 is formed by filling the recess 120 with a mask material. At this time, the upper surface of the convex portion 140 is exposed from the first mask 200 . Also, for example, a first mask 200 that covers the upper surface of the rib 110 is formed by applying a mask material to the upper surface of the rib 110 . In addition, when the mask material is applied to the upper surface of the rib 110 , the mask material may protrude to the side surface of the electrostatic chuck 100 . As the mask in the first step, for example, a mask formed by curing a liquid resin can be used.

＜第２の工程＞
図１（ｅ）は、第２の工程における静電チャック１００の一例の断面図である。図１（ｆ）は、第２の工程における静電チャック１００の一例の平面図である。 <Second step>
FIG. 1(e) is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 100 in the second step. FIG. 1(f) is a plan view of an example of the electrostatic chuck 100 in the second step.

第２の工程では、第１のマスク２００を通して静電チャック１００の表面を除去加工する。なお、除去加工は、例えば、ブラスト加工、研削加工、レーザ加工等である。例えば、ブラスト加工では、静電チャック１００の上面に向かって投射材を投射して第１のマスク２００で覆われていない部分を研削する。前述のように、リブ１１０及び凹部１２０の底面１３０は、第１のマスク２００で覆われている。一方、凸部１４０の上面は、第１のマスク２００で覆われていない。このため、第１のマスク２００が形成された静電チャック１００を除去加工することにより、凸部１４０が削られ、除去される。凸部１４０が削られることにより、凸部跡１４１が形成される。 In the second step, the surface of electrostatic chuck 100 is removed through first mask 200 . Note that the removal processing is, for example, blast processing, grinding processing, laser processing, or the like. For example, in blasting, a projection material is projected toward the upper surface of the electrostatic chuck 100 to grind the portion not covered with the first mask 200 . As described above, the ribs 110 and the bottom surfaces 130 of the recesses 120 are covered with the first mask 200 . On the other hand, the upper surface of the convex portion 140 is not covered with the first mask 200 . Therefore, by removing the electrostatic chuck 100 on which the first mask 200 is formed, the projections 140 are shaved and removed. A trace of a convex portion 141 is formed by scraping the convex portion 140 .

なお、第２の工程において、凸部跡１４１の上面の高さは、底面１３０の高さと略等しくなっていることが好ましい。また、図１（ｅ）に示す例では、凸部跡１４１の上面は底面１３０よりも高く、凸部跡１４１が底面１３０に対して凸形状となっているものとして図示しているが、これに限られるものではない。例えば、凸部跡１４１の上面は底面１３０よりも低く、凸部跡１４１が底面１３０に対して凹形状となっていてもよい。 In addition, in the second step, it is preferable that the height of the upper surface of the projection mark 141 is substantially equal to the height of the bottom surface 130 . Further, in the example shown in FIG. 1(e), the upper surface of the trace of the convex portion 141 is higher than the bottom surface 130, and the trace of the convex portion 141 is illustrated as having a convex shape with respect to the bottom surface 130, but this is not the case. is not limited to For example, the top surface of the projection trace 141 may be lower than the bottom surface 130 and the projection trace 141 may be concave with respect to the bottom surface 130 .

＜第３の工程＞
図１（ｇ）は、第３の工程における静電チャック１００の一例の断面図である。図１（ｈ）は、第３の工程における静電チャック１００の一例の平面図である。なお、図１（ｈ）及び後述する図２（ｂ）において、平面視した凸部跡１４１は、破線で図示している。 <Third step>
FIG. 1(g) is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 100 in the third step. FIG. 1(h) is a plan view of an example of the electrostatic chuck 100 in the third step. In addition, in FIG. 1(h) and FIG. 2(b), which will be described later, the projection marks 141 in a plan view are indicated by dashed lines.

第３の工程では、静電チャック１００から第１のマスク２００を除去する。なお、第１のマスク２００の除去方法は、限定されるものではなく、例えば、溶解や剥離によって除去してもよい。 In the third step, first mask 200 is removed from electrostatic chuck 100 . The method for removing the first mask 200 is not limited, and may be removed by dissolution or peeling, for example.

＜第４の工程＞
図２（ａ）は、第４の工程における静電チャック１００の一例の断面図である。図２（ｂ）は、第４の工程における静電チャック１００の一例の平面図である。なお、図２（ｂ）及び後述する図２（ｄ）において、平面視した第２のマスク３００には、ドットの網掛けを施して図示している。 <Fourth step>
FIG. 2A is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 100 in the fourth step. FIG. 2B is a plan view of an example of the electrostatic chuck 100 in the fourth step. In FIG. 2(b) and FIG. 2(d), which will be described later, the second mask 300 viewed from above is shown with hatching of dots.

第４の工程では、静電チャック１００の上面に、第２のマスク３００を形成する。第２のマスク３００は、底面１３０のうち、凸部１４０（凸部跡１４１）が設けられていた位置とは異なる位置に形成する。例えば、平面視した際の静電チャック１００の中心を回転中心として、凸部１４０の配置パターンを所定角度（図２（ｂ）の例では９０°）回転した配置パターンで第２のマスク３００を形成する。なお、第４の工程のマスクとしては、例えば、液体樹脂を硬化させて形成するマスクを用いてもよく、シート状のマスクを貼付して形成してもよく、限定されるものではない。 In a fourth step, a second mask 300 is formed on the upper surface of electrostatic chuck 100 . The second mask 300 is formed on the bottom surface 130 at a position different from the position where the projection 140 (projection trace 141) was provided. For example, the second mask 300 is rotated by a predetermined angle (90° in the example in FIG. 2B) of the arrangement pattern of the projections 140 about the center of the electrostatic chuck 100 in plan view. Form. The mask in the fourth step may be, for example, a mask formed by curing a liquid resin, or may be formed by attaching a sheet-like mask, and is not limited.

＜第５の工程＞
図２（ｃ）は、第５の工程における静電チャック１００の一例の断面図である。図２（ｄ）は、第５の工程における静電チャック１００の一例の平面図である。 <Fifth step>
FIG. 2C is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 100 in the fifth step. FIG. 2D is a plan view of an example of the electrostatic chuck 100 in the fifth step.

第５の工程では、第２のマスク３００を通して静電チャック１００の表面を除去加工する。なお、除去加工は、例えば、ブラスト加工、研削加工、レーザ加工等である。例えば、ブラスト加工では、静電チャック１００の上面に向かって投射材を投射して第２のマスク３００で覆われていない部分を研削する。前述のように、底面１３０の一部は、第２のマスク３００で覆われている。一方、リブ１１０、底面１３０の残部、凸部跡１４１は、第２のマスク３００で覆われていない。このため、第２のマスク３００が形成された静電チャック１００を除去加工することにより、リブ１１０、底面１３０の残部、凸部跡１４１が一様に削られる。なお、第５の工程における加工後のリブ１１０をリブ１１２と称するものとし、加工後の底面１３０を底面１３２と称するものとし、加工後の凸部跡１４１を凸部跡１４２と称するものとする。なお、図２（ｄ）及び後述する図２（ｆ）において、平面視した凸部跡１４２は、破線で図示している。また、除去加工により、加工後の底面１３２の高さが加工前の底面１３０よりも低くなることにより、第２のマスク３００が施された位置に新たな凸部１４５が形成される。 In the fifth step, the surface of electrostatic chuck 100 is removed through second mask 300 . Note that the removal processing is, for example, blast processing, grinding processing, laser processing, or the like. For example, in blasting, a projection material is projected toward the upper surface of the electrostatic chuck 100 to grind the portion not covered with the second mask 300 . A portion of the bottom surface 130 is covered with the second mask 300 as described above. On the other hand, the ribs 110 , the rest of the bottom surface 130 and the traces of projections 141 are not covered with the second mask 300 . Therefore, by removing the electrostatic chuck 100 on which the second mask 300 is formed, the ribs 110, the remaining portion of the bottom surface 130, and the projection marks 141 are uniformly scraped. The ribs 110 after processing in the fifth step are referred to as ribs 112, the bottom surface 130 after processing is referred to as the bottom surface 132, and the traces of protrusions 141 after processing are referred to as traces of protrusions 142. . In addition, in FIG. 2(d) and FIG. 2(f), which will be described later, the projection mark 142 in a plan view is illustrated by a broken line. In addition, the height of the bottom surface 132 after processing becomes lower than that of the bottom surface 130 before processing by the removal processing, so that a new convex portion 145 is formed at the position where the second mask 300 is applied.

＜第６の工程＞
図２（ｅ）は、第６の工程における静電チャック１００の一例の断面図である。図２（ｆ）は、第６の工程における静電チャック１００の一例の平面図である。 <Sixth step>
FIG. 2E is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 100 in the sixth step. FIG. 2(f) is a plan view of an example of the electrostatic chuck 100 in the sixth step.

第６の工程では、静電チャック１００から第２のマスク３００を除去する。第２のマスク３００の除去方法は、例えば、仕上げ加工を用いることができる。なお、仕上げ加工は、例えば、ラッピング加工、研削加工、レーザ加工等がある。この際、加工後のリブ１１２の上面及び新たな凸部１４５の上面も研磨される。なお、第２のマスク３００の除去方法は、これに限定されるものではなく、例えば、溶解や剥離によって除去してもよい。また、溶解、剥離等によって第２のマスク３００を除去した場合、第６の工程の後に、加工後のリブ１１２の上面及び新たな凸部１４５の上面を研磨する工程を追加してもよい。 In a sixth step, second mask 300 is removed from electrostatic chuck 100 . As a method for removing the second mask 300, for example, finishing processing can be used. Finishing processing includes, for example, lapping processing, grinding processing, laser processing, and the like. At this time, the upper surface of the processed rib 112 and the upper surface of the new projection 145 are also polished. Note that the method for removing the second mask 300 is not limited to this, and may be removed by dissolution or peeling, for example. Further, when the second mask 300 is removed by dissolution, peeling, or the like, a step of polishing the upper surface of the processed rib 112 and the upper surface of the new projection 145 may be added after the sixth step.

＜参考例に係る静電チャックの再生方法＞
ここで、参考例に係る静電チャック５００の再生方法について、図３を用いて説明する。図３は、参考例に係る静電チャック５００の再生方法を説明する図である。なお、再生処理前の静電チャックの構成は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すものと同様であり、重複する説明を省略する。 <Method for Regenerating Electrostatic Chuck According to Reference Example>
Here, a method for remanufacturing the electrostatic chuck 500 according to the reference example will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating a method of regenerating the electrostatic chuck 500 according to the reference example. The configuration of the electrostatic chuck before the regeneration process is the same as that shown in FIGS. 1(a) and 1(b), and redundant description is omitted.

ここで、静電チャックの再生方法としては、既存のリブ１１０及び凸部１４０の位置にマスクを形成して、底面１３０を除去加工により削ることで静電チャックを再生する再生方法が考えられる。しかしながら、マスクを既存のリブ１１０及び凸部１４０の位置に正確に合せることは技術的に困難である。このため、参考例に係る静電チャック５００の再生方法では、既存のリブ１１０や凸部１４０等を研削した後、新たにリブ５１０や凸部５４０等を形成する。 Here, as a method for remanufacturing the electrostatic chuck, a remanufacturing method of forming a mask at the positions of the existing ribs 110 and the protrusions 140 and removing the bottom surface 130 to regenerate the electrostatic chuck is conceivable. However, it is technically difficult to align the mask with the existing ribs 110 and projections 140 accurately. Therefore, in the method for remanufacturing the electrostatic chuck 500 according to the reference example, after grinding the existing ribs 110, protrusions 140, etc., new ribs 510, protrusions 540, etc. are formed.

（参考例の提供工程）
参考例の提供工程では、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す外周縁部に設けられたリブ１１０、リブ１１０で囲まれた凹部１２０、及び、凹部１２０の底面１３０から突出する凸部１４０を有する静電チャック１００を、静電チャック１００の再生処理を行う加工装置に提供する。 (Provision process of reference example)
In the provision step of the reference example, ribs 110 provided on the outer peripheral edge shown in FIGS. An electrostatic chuck 100 having a portion 140 is provided to a processing apparatus that performs reprocessing of the electrostatic chuck 100 .

（参考例の第１の工程）
図３（ａ）は、参考例の第１の工程における静電チャック５００の一例の断面図である。図３（ｂ）は、参考例の第１の工程における静電チャック５００の一例の平面図である。 (First step of reference example)
FIG. 3A is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 500 in the first step of the reference example. FIG. 3B is a plan view of an example of the electrostatic chuck 500 in the first step of the reference example.

参考例の第１の工程では、リブ１１０、凹部１２０の底面１３０、凸部１４０を研削加工により除去する。この際、静電チャック５００の上面５６０の平行度を確保するため、研削量が多くなり、静電チャック５００の基部５５０まで大きく削られることとなる。 In the first step of the reference example, the rib 110, the bottom surface 130 of the concave portion 120, and the convex portion 140 are removed by grinding. At this time, in order to ensure the parallelism of the upper surface 560 of the electrostatic chuck 500, the amount of grinding increases, and the base 550 of the electrostatic chuck 500 is largely ground.

（参考例の第２の工程）
図３（ｃ）は、参考例の第２の工程における静電チャック５００の一例の断面図である。図３（ｄ）は、参考例の第２の工程における静電チャック５００の一例の平面図である。なお、図３（ｄ）及び後述する図３（ｆ）において、平面視したマスク６００には、ドットの網掛けを施して図示している。 (Second step of reference example)
FIG. 3C is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 500 in the second step of the reference example. FIG. 3D is a plan view of an example of the electrostatic chuck 500 in the second step of the reference example. In FIG. 3(d) and FIG. 3(f), which will be described later, the mask 600 viewed from above is shown with hatching of dots.

参考例の第２の工程では、静電チャック１００の上面に、マスク６００を形成する。第２のマスク３００は、新たなリブ及び新たな凸部が設けられる位置に形成する。 In the second step of the reference example, a mask 600 is formed on the upper surface of the electrostatic chuck 100 . The second mask 300 is formed at positions where new ribs and new protrusions are to be provided.

（参考例の第３の工程）
図３（ｅ）は、参考例の第３の工程における静電チャック５００の一例の断面図である。図３（ｆ）は、参考例の第３の工程における静電チャック５００の一例の平面図である。 (Third step of reference example)
FIG. 3E is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 500 in the third step of the reference example. FIG. 3F is a plan view of an example of the electrostatic chuck 500 in the third step of the reference example.

参考例の第３の工程では、マスク６００が形成された静電チャック５００の表面を除去加工（例えば、ブラスト加工）する。マスク６００が形成された静電チャック５００を除去加工することにより、マスク６００で覆われていない部分が、一様に削られる。これにより、底面５３０を有する溝５２０が形成される。また、除去加工により、加工後の底面５３０の高さが加工前の上面５６０よりも低くなることにより、マスク６００が施された位置に新たなリブ５１０及び新たな凸部５４０が形成される。 In the third step of the reference example, the surface of the electrostatic chuck 500 on which the mask 600 is formed is removed (eg, blasted). By removing the electrostatic chuck 500 with the mask 600 formed thereon, the portion not covered with the mask 600 is uniformly scraped. This forms a groove 520 having a bottom surface 530 . In addition, the removing process makes the height of the bottom surface 530 after processing lower than the top surface 560 before processing, so that new ribs 510 and new protrusions 540 are formed at the positions where the mask 600 has been applied.

（参考例の第４の工程）
図３（ｇ）は、参考例の第４の工程における静電チャック５００の一例の断面図である。図３（ｈ）は、参考例の第４の工程における静電チャック５００の一例の平面図である。 (Fourth step of reference example)
FIG. 3G is a cross-sectional view of an example of the electrostatic chuck 500 in the fourth step of the reference example. FIG. 3(h) is a plan view of an example of the electrostatic chuck 500 in the fourth step of the reference example.

参考例の第４の工程では、静電チャック５００からマスク６００を除去する。 In the fourth step of the reference example, mask 600 is removed from electrostatic chuck 500 .

次に、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法について、参考例に係る静電チャック５００の再生方法と対比しつつ説明する。 Next, a method for remanufacturing the electrostatic chuck 100 according to one embodiment will be described in comparison with a method for remanufacturing the electrostatic chuck 500 according to the reference example.

一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法によれば、変質した表面を除去することができるので、静電チャック１００の吸着性能を回復させることができる。 According to the regeneration method of the electrostatic chuck 100 according to one embodiment, the deteriorated surface can be removed, so that the adsorption performance of the electrostatic chuck 100 can be recovered.

ここで、図２（ｅ）と図３（ｇ）を対比して示すように、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法によれば、参考例と比較して、静電チャック１００の高さ方向の加工量を少なくすることができる。これにより、加工時間を短くすることができる。また、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法は、参考例と比較して、多くの加工代を静電チャック１００側に残すことができるので、静電チャック１００の再生回数を増やすことができる。よって、静電チャック１００の寿命を延ばすことができる。 Here, as shown in FIG. 2(e) and FIG. 3(g) in comparison, according to the method for remanufacturing the electrostatic chuck 100 according to the embodiment, the electrostatic chuck 100 is more stable than the reference example. The amount of machining in the height direction can be reduced. Thereby, processing time can be shortened. In addition, the method for remanufacturing the electrostatic chuck 100 according to the embodiment can leave a large amount of processing allowance on the electrostatic chuck 100 side as compared with the reference example, so the number of times the electrostatic chuck 100 is remanufactured can be increased. can be done. Therefore, the life of the electrostatic chuck 100 can be extended.

また、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法では、既存のリブ１１０及び凸部１４０の位置に正確にマスクを形成する場合と比較して、マスクの形成が容易に実現できる。即ち、第１の工程では、凹部１２０にマスク材料を充填して硬化させることで、凸部１４０を除いた位置にマスクを形成することが容易に実現できる。また、第４の工程では、底面１３０のうち凸部１４０（凸部跡１４１）が設けられていた位置とは異なる位置に第２のマスク３００を形成するので、厳密な位置合わせは必要としない。 Further, in the method for remanufacturing the electrostatic chuck 100 according to the embodiment, the formation of the mask can be easily realized as compared with the case of forming the mask accurately at the existing ribs 110 and the convex portions 140 . That is, in the first step, by filling the recesses 120 with the masking material and hardening it, it is possible to easily form the mask at the positions other than the projections 140 . In addition, in the fourth step, the second mask 300 is formed at a position different from the position where the convex portion 140 (convex trace 141) was provided on the bottom surface 130, so strict alignment is not required. .

なお、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法では、新たな底面１３２に凸部跡１４２が残る。しかしながら、静電チャック１００による基板の吸着においては、リブ１１２及び凸部１４５の影響が支配的であり、底面１３２の凹凸の有無による影響は小さい。このため、凸部跡１４２が残っていても、静電チャック１００の吸着性能を確保することができる。 It should be noted that, in the method for remanufacturing the electrostatic chuck 100 according to one embodiment, the traces 142 of the protrusions remain on the new bottom surface 132 . However, in the chucking of the substrate by the electrostatic chuck 100, the influence of the ribs 112 and the projections 145 is dominant, and the influence of the unevenness of the bottom surface 132 is small. Therefore, even if the traces of the convex portion 142 remain, the adsorption performance of the electrostatic chuck 100 can be ensured.

また、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法による処理を実施する時期は、例えば、プラズマ処理装置の動作時間（例えば、高周波印加時間）に基づいて判定してもよい。また、プラズマ処理装置のメンテナンスサイクルに基づいて判定してもよい。 Further, the timing for carrying out the processing by the regeneration method of the electrostatic chuck 100 according to one embodiment may be determined based on, for example, the operation time of the plasma processing apparatus (for example, the high frequency application time). Alternatively, the determination may be made based on the maintenance cycle of the plasma processing apparatus.

また、静電チャック１００の底面１３０には、図示しない貫通穴が設けられている。この貫通穴には、上下動するピンが配置されている。ピンが上昇することにより、静電チャック１００の基板載置面に載置された基板を持ち上げることができる。また、ピンが下降することにより、複数のピンで支持された基板を静電チャック１００の基板載置面に載置することができる。ここで、基板載置面の表面がプロセスガス等によって経時的に変質していくと、それに伴い基板と静電チャックとの吸着力が上昇していく場合がある。この場合、基板処理後にピンを上昇させて基板を持ち上げる際のピンの駆動トルク値も上昇していく。このため、ピンの駆動トルク値に基づいて静電チャックの再生処理の実施する時期を判定してもよい。 A through hole (not shown) is provided in the bottom surface 130 of the electrostatic chuck 100 . A pin that moves up and down is arranged in this through hole. By raising the pins, the substrate placed on the substrate placement surface of the electrostatic chuck 100 can be lifted. Further, by lowering the pins, the substrate supported by the plurality of pins can be placed on the substrate placement surface of the electrostatic chuck 100 . Here, when the surface of the substrate mounting surface deteriorates over time due to process gas or the like, the attraction force between the substrate and the electrostatic chuck may increase accordingly. In this case, the driving torque value of the pins also increases when the pins are raised to lift the substrate after the substrate processing. For this reason, the timing for carrying out regeneration processing of the electrostatic chuck may be determined based on the driving torque value of the pins.

以上、本開示の好ましい実施形態について詳説した。しかしながら、本開示は、上述した実施形態に制限されることはない。上述した実施形態は、本開示の範囲を逸脱することなしに、種々の変形、置換等が適用され得る。また、別々に説明された特徴は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合わせが可能である。 The foregoing is a detailed description of preferred embodiments of the present disclosure. However, the disclosure is not limited to the embodiments described above. Various modifications, replacements, etc. may be applied to the above-described embodiments without departing from the scope of the present disclosure. Also, features described separately can be combined unless technical contradiction arises.

本開示の再生方法に用いられる静電チャック１００は、基板載置面の外周縁部に環状のリブ１１０を備えているものとして説明したが、これに限られるものではない。静電チャック１００の基板載置面にリブ１１０が形成されていなくてもよい。 Although the electrostatic chuck 100 used in the reproducing method of the present disclosure has been described as having the annular rib 110 on the outer peripheral edge of the substrate mounting surface, it is not limited to this. The ribs 110 may not be formed on the substrate mounting surface of the electrostatic chuck 100 .

即ち、他の実施形態に係る静電チャックは、基部１５０の上面に基板載置面が形成されている。基板載置面には、底面１３０を有する凹部１２０と、凸部１４０と、が形成されている。凸部１４０は、基部１５０と一体に形成される。なお、基部１５０、凸部１４０は、例えば、アルミナセラミックス等の誘電体で形成される。なお、凹部１２０は、基板載置面において凸部１４０よりも凹んだ内部空間である。また、凹部１２０は、底面１３０を有している。凸部１４０は、底面１３０から立設する柱状の部分である。 That is, the electrostatic chuck according to another embodiment has the substrate mounting surface formed on the upper surface of the base 150 . A concave portion 120 having a bottom surface 130 and a convex portion 140 are formed on the substrate mounting surface. The convex portion 140 is formed integrally with the base portion 150 . The base portion 150 and the convex portion 140 are made of a dielectric material such as alumina ceramics. The recess 120 is an internal space that is recessed from the projection 140 on the substrate mounting surface. Also, the recess 120 has a bottom surface 130 . The convex portion 140 is a columnar portion erected from the bottom surface 130 .

他の実施形態に係る静電チャックにおいても、図１から図２に示す一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法と同様に、他の実施形態に係る静電チャックを再生することができる。 Also in the electrostatic chucks according to other embodiments, the electrostatic chucks according to other embodiments can be regenerated in the same manner as the method for regenerating the electrostatic chuck 100 according to one embodiment shown in FIGS. .

なお、第１の工程では、他の実施形態に係る静電チャックの上面（基板載置面）に、凸部１４０を除いた凹部１２０を覆う第１のマスク２００を形成する。例えば、凹部１２０にマスク材料を充填することにより、凹部１２０の底面１３０を覆う第１のマスク２００を形成する。この際、凸部１４０の上面は、第１のマスク２００から露出した状態となっている。なお、底面１３０にマスク材料を塗布する際、マスク材料が他の実施形態に係る静電チャックの側面にはみ出してもよい。 Note that in the first step, a first mask 200 is formed on the upper surface (substrate mounting surface) of the electrostatic chuck according to another embodiment to cover the concave portions 120 excluding the convex portions 140 . For example, a first mask 200 covering the bottom surface 130 of the recess 120 is formed by filling the recess 120 with a mask material. At this time, the upper surface of the convex portion 140 is exposed from the first mask 200 . In addition, when applying the mask material to the bottom surface 130, the mask material may protrude to the side surface of the electrostatic chuck according to another embodiment.

また、第６の工程では、他の実施形態に係る静電チャックから第２のマスク３００を除去する。この際、新たな凸部１４５の上面が研磨される。 Also, in the sixth step, the second mask 300 is removed from the electrostatic chuck according to another embodiment. At this time, the upper surface of the new projection 145 is polished.

その他は、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法と同様であり、重複する説明を省略する。 Others are the same as the method for remanufacturing the electrostatic chuck 100 according to one embodiment, and overlapping descriptions are omitted.

このように、リブを有しない静電チャックにおいても、一実施形態に係る静電チャック１００の再生方法と同様に、吸着性能を回復させることができる。 As described above, even in an electrostatic chuck having no ribs, the adsorption performance can be recovered in the same manner as the method for regenerating the electrostatic chuck 100 according to one embodiment.

本開示のプラズマ処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。 The plasma processing apparatus of the present disclosure can be applied to any type of Capacitively Coupled Plasma (CCP), Inductively Coupled Plasma (ICP), Radial Line Slot Antenna (RLSA), Electron Cyclotron Resonance Plasma (ECR), Helicon Wave Plasma (HWP) is.

また、第２の工程及び第５の工程では除去加工を用いるものとして説明したが、マスク２００，３００で覆われていない部分を削る方法はこれに限られるものではなく、他の方法を用いてもよい。例えば、プラズマエッチング等を用いてもよい。 Further, although the second step and the fifth step have been described as using removal processing, the method of removing the portions not covered with the masks 200 and 300 is not limited to this, and other methods may be used. good too. For example, plasma etching or the like may be used.

１００ 静電チャック
１１０，１１２ リブ
１２０ 凹部
１３０，１３２ 底面
１４０，１４５ 凸部
１４１，１４２ 凸部跡
１５０ 基部
２００ 第１のマスク
３００ 第２のマスク 100 electrostatic chucks 110, 112 ribs 120 recesses 130, 132 bottom surfaces 140, 145 projections 141, 142 projection traces 150 base 200 first mask 300 second mask

Claims (8)

静電チャックの生産方法であって、
凹部、及び、前記凹部の底面上に凸部を有するプラズマ処理後の静電チャックを提供する工程と、
前記凸部を除いて前記凹部を覆う第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを通して前記凸部の表面を除去する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記凸部の位置とは異なる位置の前記底面に第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを通して前記プラズマ処理後の静電チャックの表面を除去する工程と、
前記第２のマスクを除去する工程と、を備える、
静電チャックの生産方法。 A method for producing an electrostatic chuck, comprising:
providing a plasma-treated electrostatic chuck having recesses and protrusions on the bottom surface of the recesses;
forming a first mask covering the recesses but not the protrusions;
removing the surface of the protrusion through the first mask;
removing the first mask;
forming a second mask on the bottom surface at a position different from the position of the protrusion;
removing the surface of the electrostatic chuck after the plasma treatment through the second mask;
and removing the second mask.
Production method of electrostatic chuck. 前記第１のマスクを通して前記凸部の表面を除去する工程は、
前記凸部を削る、
請求項１に記載の静電チャックの生産方法。 The step of removing the surface of the protrusion through the first mask includes:
cutting the convex portion;
A method for producing an electrostatic chuck according to claim 1 . 前記第２のマスクを通して前記プラズマ処理後の静電チャックの表面を除去する工程は、
前記第２のマスクが形成された位置に新たな凸部を形成することを含む、
請求項１または請求項２に記載の静電チャックの生産方法。 removing the surface of the electrostatic chuck after the plasma treatment through the second mask,
Forming a new convex part at the position where the second mask is formed,
The method for producing an electrostatic chuck according to claim 1 or 2. 前記第２のマスクを除去する工程は、
新たな前記凸部の表面を研磨する、
請求項３に記載の静電チャックの生産方法。 The step of removing the second mask includes:
Polishing the surface of the new convex part,
The method for producing an electrostatic chuck according to claim 3. 前記静電チャックを提供する工程において提供される前記プラズマ処理後の静電チャックは、前記静電チャックの外周縁部に設けられたリブを有し、
前記第１のマスクを形成する工程は、前記凸部を除いた前記リブ及び前記凹部を覆う前記第１のマスクを形成する、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の静電チャックの生産方法。 The electrostatic chuck after the plasma treatment provided in the step of providing the electrostatic chuck has ribs provided on the outer peripheral edge of the electrostatic chuck,
The step of forming the first mask includes forming the first mask covering the ribs excluding the protrusions and the recesses.
The method for producing an electrostatic chuck according to any one of claims 1 to 3. 前記第２のマスクを除去する工程は、
新たな前記凸部の表面、及び、前記リブの表面を研磨する、
請求項５に記載の静電チャックの生産方法。 The step of removing the second mask includes:
polishing the surface of the new protrusion and the surface of the rib;
The method for producing an electrostatic chuck according to claim 5. 前記プラズマ処理後の静電チャックの表面を除去する工程は、
ブラスト加工を用いる、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の静電チャックの生産方法。 The step of removing the surface of the electrostatic chuck after the plasma treatment includes:
using blasting,
The method for producing an electrostatic chuck according to any one of claims 1 to 6. 前記静電チャックが配置されるプラズマ処理装置の動作時間、前記プラズマ処理装置のメンテナンスサイクル、前記静電チャックを貫通する貫通穴を上下動するピンの駆動トルク値に基づいて、生産時期を判定する、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の静電チャックの生産方法。 The production timing is determined based on the operation time of the plasma processing apparatus in which the electrostatic chuck is arranged, the maintenance cycle of the plasma processing apparatus, and the driving torque value of the pin that moves up and down through the through-hole penetrating the electrostatic chuck. ,
The method for producing an electrostatic chuck according to any one of claims 1 to 7.
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