KR101123968B1 - Recycle method of electrostatic chuck - Google Patents

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Abstract

본 발명은 손상된 DLC층과 실리콘층을 제거한 후, 새로 실리콘층과 글래스층을 형성함으로써, 손상된 정전척을 폐기하지 않고 다시 재생하여 사용할 수 있는 정전척의 재생 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for regenerating an electrostatic chuck which can be used again by removing the damaged DLC layer and the silicon layer and then forming a new silicon layer and a glass layer, without discarding the damaged electrostatic chuck.

이를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 재생 방법은 바디층, 절연층, 제 1 실리콘층 및 DLC층이 차례로 증착되어 형성된 정전척에 있어서, 적어도 상기 DLC층이 에싱된 정전척을 준비하는 정전척 준비 단계; 상기 DLC층 및 제 1 실리콘층을 제거하는 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계; 상기 절연층의 상부에 제 2 실리콘층을 형성하는 제 2 실리콘층 형성 단계; 및 상기 제 2 실리콘층의 상부에 글래스층을 형성하는 글래스층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. To this end, in the method of regenerating an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention, in an electrostatic chuck formed by sequentially depositing a body layer, an insulating layer, a first silicon layer, and a DLC layer, at least the DLC layer is prepared with an electrostatic chuck. Electrostatic chuck preparation step; Removing the DLC layer and the first silicon layer to remove the DLC layer and the first silicon layer; A second silicon layer forming step of forming a second silicon layer on the insulating layer; And a glass layer forming step of forming a glass layer on the second silicon layer.

정전척, 바디층, 절연층, 실리콘층, DLC층 Electrostatic chuck, body layer, insulation layer, silicon layer, DLC layer

Description

정전척 재생 방법{Recycle method of electrostatic chuck} Recycle method of electrostatic chuck

본 발명은 정전척 재생 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck regeneration method.

일반적으로 반도체 소자는 화학기상증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 에칭, 이온주입 등 수많은 단위 반도체 제조 공정들이 순차적으로 또는 반복적으로 수행되며 가공되는데, 이러한 공정을 진행하기 위해서는 웨이퍼를 챔버 내부의 웨이퍼 지지대에 고정 또는 척킹시켜서 웨이퍼를 가공한 후, 다음 단계로의 가공을 위해 디척킹하는 과정을 여러번 반복하게 된다. In general, a semiconductor device is processed by a number of unit semiconductor manufacturing processes such as chemical vapor deposition, sputtering, photolithography, etching, ion implantation, etc. sequentially or repeatedly, and in order to proceed with this process, the wafer is fixed to a wafer support inside the chamber. Alternatively, the wafer is processed by chucking, and then the process of dechucking for the processing of the next step is repeated several times.

정전척(ESC)은 젠센-라벡효과(A. Jehnson amp; Rahbek's Force)에 의한 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼 지지대로서, 건식가공 공정이 일반화되어가는 최근의 반도체 소자 제조 기술의 추세에 부응하여 진공척이나 기계식 척을 대체하여 반도체 소자 제조 공정 전반에 걸쳐 사용되고 있는 장치이다. 이러한 정전척은, 특히 플라즈마를 이용하는 드라이 에칭공정에서 챔버 상부에 설치되는 RF 상부 전극에 대한 하부 전극의 기능을 하며, 고온 가공되는 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지시키는 기능을 한다. An electrostatic chuck (ESC) is a wafer support that fixes wafers using electrostatic force by the A. Jehnson amp; Rahbek's Force, which meets the trend of recent semiconductor device manufacturing technology in which dry processing processes are becoming more common. It is a device that is used throughout the semiconductor device manufacturing process to replace the vacuum chuck or mechanical chuck. Such an electrostatic chuck functions as a lower electrode for the RF upper electrode installed above the chamber, particularly in a dry etching process using plasma, and maintains a constant temperature of the wafer to be processed at a high temperature.

한편, 상기 정전척은 반도체 제조 공정 중 고온의 분위기에서 반복적으로 사용되기 때문에, 사용 횟수가 많아지게 되면 그것의 표면 코팅층이 손상된다. 이러한 표면 코팅층의 손상은 파티클을 발생시키며, 결과적으로 정전척의 기능을 상실시킨다. 이에 따라, 새로운 정전척으로의 교체가 요구된다. On the other hand, since the electrostatic chuck is repeatedly used in a high temperature atmosphere during the semiconductor manufacturing process, when the number of times of use increases, its surface coating layer is damaged. This damage of the surface coating layer generates particles, which in turn loses the function of the electrostatic chuck. Accordingly, replacement with a new electrostatic chuck is required.

그런데, 정전척은 고가이므로 반도체 제조 공정의 제조 비용을 증가시키는 문제점이 있다. 따라서, 정전척의 재생 방법이 요구되고 있다. However, since the electrostatic chuck is expensive, there is a problem of increasing the manufacturing cost of the semiconductor manufacturing process. Thus, there is a need for a method of regenerating an electrostatic chuck.

본 발명의 목적은 손상된 DLC층과 실리콘층을 제거한 후, 새로 실리콘층과 글래스층을 형성함으로써, 손상된 정전척을 폐기하지 않고 다시 재생하여 사용할 수 있는 정전척의 재생 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for regenerating an electrostatic chuck which can be used again by removing the damaged DLC layer and silicon layer, and then forming a new silicon layer and glass layer, without discarding the damaged electrostatic chuck.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 정전척 재생 방법은 바디층, 절연층, 제 1 실리콘층 및 DLC층이 차례대로 증착되어 형성된 정전척에 있어서, 적어도 상기 DLC층이 에싱된 정전척을 준비하는 정전척 준비 단계; 상기 DLC층 및 제 1 실리콘층을 제거하는 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계; 상기 절연층의 상부에 제 2 실리콘층을 형성하는 제 2 실리콘층 형성 단계; 및 상기 제 2 실리콘층의 상부에 글래스층을 형성하는 글래스층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the electrostatic chuck regeneration method according to the embodiment of the present invention for achieving the above object, in the electrostatic chuck formed by sequentially depositing a body layer, an insulating layer, a first silicon layer and a DLC layer, at least the electrostatic chuck with the DLC layer ashed An electrostatic chuck preparation step of preparing a chuck; Removing the DLC layer and the first silicon layer to remove the DLC layer and the first silicon layer; A second silicon layer forming step of forming a second silicon layer on the insulating layer; And a glass layer forming step of forming a glass layer on the second silicon layer.

상기 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계는 상기 절연층이 노출될때까지 상기 DLC층 및 제 1 실리콘층을 그라인딩 또는 식각 방법에 의해 제거할 수 있다.The removing of the DLC layer and the first silicon layer may remove the DLC layer and the first silicon layer by grinding or etching until the insulating layer is exposed.

상기 제 2 실리콘층 형성 단계는 상기 정전척을 회전구동장치를 이용하여 회전시키면서, 코팅 장치를 이용하여 상기 절연층 상부에 실리콘 물질을 도포하는 과정을 포함할 수 있다. The forming of the second silicon layer may include applying a silicon material on the insulating layer by using a coating device while rotating the electrostatic chuck using a rotary driving device.

상기 제 2 실리콘층의 상부에 글래스층을 형성하는 글래스층 형성 단계는 상 기 정전척을 회전구동장치를 이용하여 회전시키면서, 코팅 장치를 이용하여 상기 제 2 실리콘층에 글래스 물질을 도포하는 과정을 포함할 수 있다.The glass layer forming step of forming a glass layer on top of the second silicon layer may include applying a glass material to the second silicon layer by using a coating device while rotating the electrostatic chuck using a rotation driving device. It may include.

상기와 같이 정전척 재생 방법에 의해 제조되는 정전척은 바디층; 상기 바디층 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층의 상부에 형성되며, 중앙에서 가장자리로 갈수록 높이가 낮아지는 실리콘층; 및 상기 실리콘층의 상부에 형성되며, 중앙에서 가장자리로 갈수록 높이가 낮아지는 글래스층을 포함하는 것을 특징으로 한다.As described above, the electrostatic chuck manufactured by the electrostatic chuck regeneration method includes a body layer; An insulation layer formed on the body layer; A silicon layer formed on the insulating layer, the height of which decreases from the center to the edge; And a glass layer formed on the silicon layer, the height of which decreases from the center to the edge.

본 발명의 실시예에 따른 정전척 재생 방법은 정전척에서 손상된 DLC층과 제 실리콘층을 제거한 후, 새로 실리콘층과 글래스층을 형성함으로써, 손상된 정전척을 폐기하지 않고 다시 재생하여 사용할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 정전척 재생 방법은 정전척이 손상된 경우 고가의 새로운 정전척으로 교체함으로써 소요되는 비용을 줄임으로써, 반도체 제조 공정의 제조 비용을 줄일 수 있다.In the electrostatic chuck regeneration method according to an embodiment of the present invention, after removing the damaged DLC layer and the silicon layer in the electrostatic chuck, the silicon layer and the glass layer are newly formed, so that the damaged electrostatic chuck can be regenerated without being discarded. Accordingly, the electrostatic chuck regeneration method according to the embodiment of the present invention can reduce the cost of replacing the expensive new electrostatic chuck when the electrostatic chuck is damaged, thereby reducing the manufacturing cost of the semiconductor manufacturing process.

이와 같은 정전척 재생 방법에 의해 제조된 정전척은 실리콘층과 글래스층을 통해 정전척의 내부에 인입되는 가스의 누출을 방지할 수 있으며, 정전척의 표면이 에싱되는 것을 억제할 수 있다. The electrostatic chuck manufactured by the electrostatic chuck regeneration method as described above can prevent leakage of gas introduced into the electrostatic chuck through the silicon layer and the glass layer, and suppress the ashing of the surface of the electrostatic chuck.

이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 정전척 재생 방법의 과정을 보여주는 흐름도이고, 도 2a는 도 1의 정전척 준비 단계를 설명하기 위한 정전척의 단면도이고, 도 2b는 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계를 설명하기 위한 정전척의 단면도이고, 도 2c는 도 1의 제 2 실리콘층 형성 단계를 설명하기 위한 정전척의 단면도이고, 도 2d는 도 1의 글래스층 형성 단계를 설명하기 위한 정전척의 단면도이다.1 is a flowchart illustrating a process of a method of regenerating an electrostatic chuck according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2A is a cross-sectional view of an electrostatic chuck for explaining an electrostatic chuck preparation step of FIG. 1, and FIG. 2B is a DLC layer and a first silicon layer. FIG. 2C is a cross-sectional view of the electrostatic chuck for explaining the second silicon layer forming step of FIG. 1, and FIG. 2D is a cross-sectional view of the electrostatic chuck for explaining the glass layer forming step of FIG. 1. .

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 재생 방법은 정전척 준비 단계(S1), DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계(S2), 제 2 실리콘층 형성 단계(S3) 및 글래스층 형성 단계(S4)를 포함한다.Referring to Figure 1, the electrostatic chuck regeneration method according to an embodiment of the present invention, the electrostatic chuck preparation step (S1), the DLC layer and the first silicon layer removing step (S2), the second silicon layer forming step (S3) and The glass layer forming step S4 is included.

상기 정전척 준비 단계(S1)는 적어도 DLC층(40)이 에싱된 정전척(100')을 준비하는 단계이다.The electrostatic chuck preparation step (S1) is a step of preparing the electrostatic chuck 100 ′ on which at least the DLC layer 40 is ashed.

상기 정전척(100')은 바디층(10), 절연층(20), 제 1 실리콘층(30) 및 DLC(Diamond Like Carbon)층(40)이 차례대로 증착되어 형성된 정전척에서 적어도 상기 DLC층(40)이 에싱(ashing)된 상태, 즉 손상된 상태의 정전척을 말한다. 상기 DLC층(40)이 에싱되는 이유는 바디층(10), 전극층(20), 제 1 실리콘층(30) 및 DLC층(40)이 차례대로 증착되어 형성된 정전척이 반도체 제조 공정 중 고온의 분위기에서 반복적으로 사용되기 때문이다. 이렇게 DLC층(40)이 에싱된 정전척(100')은 반도체 제조 공정에서 정전기력에 의해 웨이퍼(미도시)를 클램핑하는 기능을 온전히 수행할 수 없다. The electrostatic chuck 100 ′ includes at least the DLC in the electrostatic chuck formed by sequentially depositing a body layer 10, an insulating layer 20, a first silicon layer 30, and a diamond like carbon (DLC) layer 40. Refers to an electrostatic chuck in which the layer 40 is ashed, ie damaged. The reason why the DLC layer 40 is ashed is that the electrostatic chuck formed by sequentially depositing the body layer 10, the electrode layer 20, the first silicon layer 30, and the DLC layer 40 has a high temperature during the semiconductor manufacturing process. It is used repeatedly in the atmosphere. As such, the electrostatic chuck 100 ′ in which the DLC layer 40 is ashed cannot fully perform a function of clamping a wafer (not shown) by electrostatic force in a semiconductor manufacturing process.

상기 정전척(100')의 구성을 살펴보면, 상기 바디층(10)은 도시되진 않았지 만 전원 인입봉이 수직한 상태로 설치될 수 있도록 내부에 형성된 수직 관통공을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 바디층(10)은 에어 및 냉각수를 공급하기 위한 공급라인을 포함할 수 있다. 이러한 바디층(10)은 알루미늄 재질로 형성될 수 있다.Looking at the configuration of the electrostatic chuck (100 '), although not shown, the body layer 10 may include a vertical through-hole formed therein so that the power retracting rod can be installed in a vertical state. The body layer 10 may include a supply line for supplying air and cooling water. The body layer 10 may be formed of an aluminum material.

상기 절연층(20)은 상기 바디층(10)의 상부에 형성되며, 세라믹 재질로 이루어질 수 있으며, 평탄도를 위해서 상부 및 하부가 폴리싱 처리된다. 이러한 절연층(20)은 도시되진 않았지만 내부에 형성된 전극을 포함한다. 이에 따라, 상기 전원 인입봉을 통해 바디층(10)에 인입된 전원이 상기 절연층(20) 내부의 전극에 인가되어, 정전기력이 발생한다. 이러한 정전기력에 의해 정전척이 웨이퍼(미도시)를 클램핑한다.The insulating layer 20 is formed on the upper part of the body layer 10 and may be made of a ceramic material, and the upper and lower parts are polished for flatness. Although not shown, the insulating layer 20 includes electrodes formed therein. Accordingly, the power drawn into the body layer 10 through the power inlet bar is applied to the electrode inside the insulating layer 20 to generate an electrostatic force. This electrostatic force causes the electrostatic chuck to clamp the wafer (not shown).

상기 실리콘층(30)은 상기 절연층(20)의 상부에 형성되며, 이후 형성되는 DLC층(40)을 상기 절연층(20) 상에 형성시키기 위한 접착제로서 역할을 한다.The silicon layer 30 is formed on the insulating layer 20, and serves as an adhesive for forming the DLC layer 40 formed on the insulating layer 20.

상기 DLC층(40)은 상기 실리콘층(30)의 상부에 형성된다. 이러한 DLC층(40)은 내마모성과 내산성이 우수하여, 반도체 제조 공정 중 고온의 분위기 하에서 정전척을 보호하는 역할을 한다. 한편, 상기 DLC층(40)은 정전척(100')의 최외각층에 형성되므로, 반도체 제조 공정 중 고온의 분위기 하에서 정전척(100')의 사용 횟수가 많아지게 되면 손상된다. 도 2a에서는, 상기 정전척(100')에서 상기 DLC층(40)이 손상됨을 도시하였다. The DLC layer 40 is formed on the silicon layer 30. The DLC layer 40 is excellent in wear resistance and acid resistance, and serves to protect the electrostatic chuck in a high temperature atmosphere during the semiconductor manufacturing process. On the other hand, since the DLC layer 40 is formed on the outermost layer of the electrostatic chuck 100 ', it is damaged when the number of times of use of the electrostatic chuck 100' increases in a high temperature atmosphere during the semiconductor manufacturing process. In FIG. 2A, the DLC layer 40 is damaged in the electrostatic chuck 100 ′.

다음, 상기 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계(S2)는 상기 DLC층(40) 및 제 1 실리콘층(30)을 제거하는 단계이다.Next, removing the DLC layer and the first silicon layer (S2) is removing the DLC layer 40 and the first silicon layer 30.

상기 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계(S2)는 상기 절연층(20)이 노출될 때까지 상기 DLC층(40) 및 제 1 실리콘층(30)을 그라인딩 또는 식각방법에 의해 제거한다. 이렇게 상기 DLC층(40) 및 제 1 실리콘층(30)을 제거하는 이유는, 에싱(손상)된 DLC층(40)을 갖는 상기 정전척(100')을 폐기하지 않고, 다시 재생하여 사용하기 위함이다. In the removing of the DLC layer and the first silicon layer (S2), the DLC layer 40 and the first silicon layer 30 are removed by grinding or etching until the insulating layer 20 is exposed. The reason why the DLC layer 40 and the first silicon layer 30 are removed is that the electrostatic chuck 100 'having the ashed DLC layer 40 is reused without being discarded. For sake.

다음, 상기 제 2 실리콘 형성 단계(S3)는 상기 절연층(20)의 상부에 제 2 실리콘층(130)을 형성하는 단계이다.Next, the second silicon forming step S3 is a step of forming the second silicon layer 130 on the insulating layer 20.

구체적으로, 상기 제 2 실리콘 형성 단계(S3)는 상기 DLC층(40) 및 제 1 실리콘층(30)을 제거한 정전척(100')을 회전구동장치(6)를 이용하여 회전시키면서, 코팅 장치(7)를 이용하여 상기 절연층(20)의 상부에 실리콘 물질(130')을 도포한다. 여기서, 상기 코팅 장치(7)는 상기 절연층(20)의 중앙 부분의 상부에 배치되어, 상기 코팅 장치(7)로부터 실리콘 물질(130')이 상기 절연층(20)의 중앙 부분으로 분사된다. 이렇게 분사되는 실리콘 물질(130')은, 상기 정전척(100')의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 절연층(20)의 상부 중 중앙에서 가장자리로 갈수록높이가 낮아지는 제 2 실리콘층(130)을 형성하게 된다. 이러한 제 2 실리콘층(130)은 상온에서 경화되어 상기 절연층(20)에 고착된다. Specifically, the second silicon forming step (S3) is a coating device while rotating the electrostatic chuck 100 ′ from which the DLC layer 40 and the first silicon layer 30 are removed using the rotary drive device 6. The silicon material 130 ′ is coated on the insulating layer 20 using (7). In this case, the coating apparatus 7 is disposed above the central portion of the insulating layer 20, and the silicon material 130 ′ is sprayed from the coating apparatus 7 to the central portion of the insulating layer 20. . The silicon material 130 ′ sprayed as described above is a second silicon layer having a lower height from the center to the edge of the upper portion of the insulating layer 20 due to the centrifugal force generated by the rotation of the electrostatic chuck 100 ′ ( 130). The second silicon layer 130 is cured at room temperature and fixed to the insulating layer 20.

상기 제 2 실리콘층(130)은 정전척의 내부에 냉각수를 공급하기 위해 사용되는 가스의 누설을 억제하며, 정전기력의 발생시 정전기력이 원할이 유지되도록 하는 역할을 한다. 이러한 제 2 실리콘층(130)은 상술한 바와 같이 절연층(20)의 상 부 중 중앙에서 가장자리로 갈수록 높이가 낮아지도록 형성되어, 후술되는 글래스층(140)과 함께 정전척(도 2d의 100)의 상부가 중앙에서 가장자리로 갈수록 높이가 낮아지도록 한다. 이는, 웨이퍼가 정전기력에 의해 정전척(도 2d의 100)에 클램핑 될 때 웨이퍼와 정전척(도 2d의 100) 간의 접촉면을 최소화 하도록 하여, 웨이퍼가 정전척(도 2d의 100)으로부터 언클램핑시 웨이퍼를 용이하게 분리될 수 있게 하기 위함이다. 한편, 정전척이 전체적으로 평평하면, 정전척과 웨이퍼의 접촉 면적이 크기 때문에 정전척과 웨이퍼의 언클래핑시 웨이퍼를 정전척으로부터 분리시키기 어려우며, 이경우 공정사고 생산 시간의 지연등이 발생한다. 상기와 같이, 상기 제 2 실리콘층(130)은 중앙에서 가장자리로 갈수로록 낮아지게 형성되어, 전체적으로 평평한 경우보다 정전척의 기능을 향상시킬 수 있다. The second silicon layer 130 suppresses the leakage of the gas used to supply the coolant to the inside of the electrostatic chuck, and serves to maintain the static power when the electrostatic force is generated. As described above, the second silicon layer 130 is formed such that the height thereof becomes lower from the center to the edge of the upper portion of the insulating layer 20, and together with the glass layer 140 to be described later (100 in FIG. 2D). ) The height of the top is lower from the center to the edge. This minimizes the contact surface between the wafer and the electrostatic chuck (100 in FIG. 2D) when the wafer is clamped to the electrostatic chuck (100 in FIG. 2D) by electrostatic force, so that when the wafer is unclamped from the electrostatic chuck (100 in FIG. 2D). This is to facilitate separation of the wafer. On the other hand, if the electrostatic chuck is generally flat, it is difficult to separate the wafer from the electrostatic chuck during unclapping of the electrostatic chuck and the wafer because the contact area between the electrostatic chuck and the wafer is large, in which case a process accident production time delay occurs. As described above, the second silicon layer 130 is formed to be lowered from the center to the edge, thereby improving the function of the electrostatic chuck than the entire flat case.

한편, 상기 정전척(100')을 회전시키는 상기 회전구동 장치(6)는, 상기 정전측(100')을 지지하는 턴-테이블(1), 상기 턴-테이블(1)을 회전시키는 수직 회전부(2), 상기 수직 회전부(2)와 연동되게 회전하는 수평 회전부(3), 수평 회전부(3)를 회전시키는 기어(4) 및 상기 기어(4)를 동작시키기 위한 에너지를 제공하는 모터(5)를 포함하여 이루어질 수 있다. On the other hand, the rotary drive device 6 for rotating the electrostatic chuck 100 'is a turn-table 1 supporting the electrostatic side 100', and a vertical rotation part for rotating the turn-table 1. (2), a horizontal rotating part (3) which rotates in association with the vertical rotating part (2), a gear (4) for rotating the horizontal rotating part (3) and a motor (5) for providing energy for operating the gear (4). It can be made, including).

다음, 상기 글래스층 형성 단계(S4)는 상기 제 2 실리콘층(130)의 상부에 글래스층(140)을 형성하는 단계이다.Next, the glass layer forming step (S4) is a step of forming the glass layer 140 on the second silicon layer 130.

구체적으로, 상기 글래스층 형성 단계(S4)는 상기 제 2 실리콘층(130)이 형성된 정전척(100')을 회전구동장치(6)를 이용하여 회전시키면서, 코팅 장치(7)를 이용하여 상기 제 2 실리콘층(130)의 상부에 글래스 물질(140')을 도포하여 형성한다. 여기서, 상기 코팅 장치(7)는 상기 제 2 실리콘층(130)의 중앙 부분의 상부에 배치되어, 상기 코팅 장치(7)로부터 글래스 물질(140')이 상기 실리콘층(130)의 중앙 부분으로 분사된다. 이렇게 분사되는 글래스 물질(140')은, 상기 정전척(100')의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 제 2 실리콘층(130)의 상부 중 중앙에서 가장자리로 갈수록 높이가 낮아지는 글래스층(140)을 형성하게 된다. 이러한 글래스층(140)은 상온에서 경화되어 상기 제 2 실리콘층(130)에 고착된다.In detail, the glass layer forming step S4 may be performed by using the coating apparatus 7 while rotating the electrostatic chuck 100 ′ on which the second silicon layer 130 is formed using the rotation driving apparatus 6. The glass material 140 ′ is coated on the second silicon layer 130. Here, the coating device 7 is disposed above the central portion of the second silicon layer 130, so that the glass material 140 ′ from the coating device 7 to the central portion of the silicon layer 130. Sprayed. The glass material 140 'sprayed in this way may be formed of a glass layer whose height decreases from the center to the edge of the upper portion of the second silicon layer 130 by the centrifugal force generated by the rotation of the electrostatic chuck 100'. 140). The glass layer 140 is cured at room temperature and fixed to the second silicon layer 130.

상기 글래스층(140)은 표면의 정밀도가 높아 반도체 제조 공정의 고온 분위기에서 표면의 에싱을 억제하는 역할을 한다. 이러한 글래스층(140)은 상술한 바와 같이 제 2 실리콘층(130)의 상부 중 중앙에서 가장자리로 갈수록 높이가 낮아지도록 형성되어, 완성되는 정적척(100)의 상부가 중앙에서 가장자리로 갈수록 높이가 낮아지도록 한다. 이는, 앞에서 상술한 바와 같이 웨이퍼가 정전기력에 의해 완성되는 정전척(100)에 클램핑 될 때 웨이퍼와 완성되는 정전척(100) 간의 접촉면을 최소화 하도록 하여, 웨이퍼가 완성되는 정전척(100)으로부터 언클램핑시 웨이퍼를 용이하게 분리될 수 있게 하기 위함이다. 상기와 같이, 상기 글래스층(140)은 중앙에서 가장자리로 갈수록 높이가 낮아지도록 형성되어, 전체적으로 평평한 경우보다 완성되는 정전척(100)의 기능을 향상시킬 수 있다. The glass layer 140 has a high surface precision and serves to suppress ashing of the surface in a high temperature atmosphere of a semiconductor manufacturing process. As described above, the glass layer 140 is formed such that the height thereof becomes lower from the center to the edge of the upper portion of the second silicon layer 130, so that the height of the finished static chuck 100 increases from the center to the edge. To be lowered. This minimizes the contact surface between the wafer and the finished electrostatic chuck 100 when the wafer is clamped to the electrostatic chuck 100 completed by electrostatic forces, as described above, to freeze the electrostatic chuck 100 from which the wafer is completed. The reason for this is that the wafer can be easily separated during clamping. As described above, the glass layer 140 is formed so that the height is lowered toward the edge from the center, it is possible to improve the function of the electrostatic chuck 100 is completed than the overall flat.

상기와 같은 정전척 재생 방법에 의해 제조되는 정전척(100)은, 바디층(10), 상기 바디층(10)의 상부에 형성되는 절연층(20), 제 2 실리콘층(130; 또는 실리콘층이라 함) 및 글래스층(140)을 포함한다. 상기 정전척(100)의 각 구성은 앞에서 설명하였으므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다. The electrostatic chuck 100 manufactured by the electrostatic chuck regeneration method as described above may include a body layer 10, an insulating layer 20 formed on the body layer 10, a second silicon layer 130, or silicon. Layer) and glass layer 140. Since each configuration of the electrostatic chuck 100 has been described above, duplicated descriptions will be omitted.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 정전척 재생 방법은 정전척에서 손상된 DLC층(40)과 제 1 실리콘층(30)을 제거한 후, 제 2 실리콘층(130)과 글래스층(140)을 차례대로 형성함으로써, 손상된 정전척을 폐기하지 않고 다시 재생하여 사용할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 정전척 재생 방법은 정전척이 손상된 경우 고가의 새로운 정전척으로 교체함으로써 소요되는 비용을 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 정전척 재생 방법은 반도체 제조 공정의 제조 비용을 줄일 수 있다.As described above, in the electrostatic chuck regeneration method according to the embodiment of the present invention, after the damaged DLC layer 40 and the first silicon layer 30 are removed from the electrostatic chuck, the second silicon layer 130 and the glass layer 140 are removed. ) Can be regenerated and used without discarding the damaged electrostatic chuck. Accordingly, the electrostatic chuck regeneration method according to the embodiment of the present invention can reduce the cost required by replacing the expensive new electrostatic chuck when the electrostatic chuck is damaged. Therefore, the electrostatic chuck regeneration method according to the embodiment of the present invention can reduce the manufacturing cost of the semiconductor manufacturing process.

상기와 같은 정전척 재생 방법에 의해 제조된 정전척(100)은 실리콘층(130)과 글래스층(140)을 통해 정전척(100)의 내부에 인입되는 가스의 누출을 방지할 수 있으며, 정전척(100)의 표면이 에싱되는 것을 억제할 수 있다. The electrostatic chuck 100 manufactured by the above-described electrostatic chuck regeneration method may prevent the leakage of gas introduced into the electrostatic chuck 100 through the silicon layer 130 and the glass layer 140, and the electrostatic The surface of the chuck 100 can be suppressed from ashing.

본 발명은 도시된 실시예를 중심으로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 할 수 있는 다양한 변형 및 균등한 타 실시예를 포괄할 수 있음을 이해할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the illustrated embodiments, it is merely exemplary, and the present invention may encompass various modifications and equivalent other embodiments that can be made by those skilled in the art. Will understand.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 정전척 재생 방법의 과정을 보여주는 흐름도이다.1 is a flowchart showing a process of an electrostatic chuck regeneration method according to an embodiment of the present invention.

도 2a는 도 1의 정전척 준비 단계를 설명하기 위한 정전척의 단면도이다.2A is a cross-sectional view of the electrostatic chuck for explaining the electrostatic chuck preparation step of FIG. 1.

도 2b는 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계를 설명하기 위한 정전척의 단면도이다.2B is a cross-sectional view of the electrostatic chuck for explaining the step of removing the DLC layer and the first silicon layer.

도 2c는 도 1의 제 2 실리콘층 형성 단계를 설명하기 위한 정전척의 단면도이다.FIG. 2C is a cross-sectional view of the electrostatic chuck for explaining the second silicon layer forming step of FIG. 1.

도 2d는 도 1의 글래스층 형성 단계를 설명하기 위한 정전척의 단면도이다.2D is a cross-sectional view of the electrostatic chuck for explaining the glass layer forming step of FIG. 1.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10: 바디층 20: 절연층10: body layer 20: insulating layer

30: 제 1 실리콘층 40: DLC(Diamond Like Carbon)층30: first silicon layer 40: DLC (Diamond Like Carbon) layer

100', 100: 정전척 130: 제 2 실리콘층100 ', 100: electrostatic chuck 130: second silicon layer

140: 글래스(glass)층140: glass layer

Claims (5)

바디층, 절연층, 제 1 실리콘층 및 DLC층이 차례대로 증착되어 형성된 정전척 재생 방법에 있어서,In the electrostatic chuck regeneration method formed by depositing a body layer, an insulating layer, a first silicon layer and a DLC layer in order, 적어도 상기 DLC층이 에싱된 정전척을 준비하는 정전척 준비 단계;An electrostatic chuck preparation step of preparing an electrostatic chuck on which at least the DLC layer is ashed; 상기 DLC층 및 제 1 실리콘층을 제거하는 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계;Removing the DLC layer and the first silicon layer to remove the DLC layer and the first silicon layer; 상기 절연층의 상부에 제 2 실리콘층을 형성하는 제 2 실리콘층 형성 단계; 및A second silicon layer forming step of forming a second silicon layer on the insulating layer; And 상기 제 2 실리콘층의 상부에 글래스층을 형성하는 글래스층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 재생 방법. And a glass layer forming step of forming a glass layer on top of the second silicon layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계는 Removing the DLC layer and the first silicon layer is 상기 절연층이 노출될때까지 상기 DLC층 및 제 1 실리콘층을 그라인딩 또는 식각 방법에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 정전척 재생 방법. And removing the DLC layer and the first silicon layer by grinding or etching until the insulating layer is exposed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 실리콘층 형성 단계는The second silicon layer forming step 상기 정전척을 회전구동장치를 이용하여 회전시키면서, 코팅 장치를 이용하 여 상기 절연층 상부에 실리콘 물질을 도포하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 재생 방법.Rotating the electrostatic chuck using a rotary drive device, applying a silicon material on the insulating layer using a coating device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 실리콘층의 상부에 글래스층을 형성하는 글래스층 형성 단계는Glass layer forming step of forming a glass layer on top of the second silicon layer 상기 정전척을 회전구동장치를 이용하여 회전시키면서, 코팅 장치를 이용하여 상기 제 2 실리콘층에 글래스 물질을 도포하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 재생 방법.And applying a glass material to the second silicon layer using a coating device while rotating the electrostatic chuck using a rotary drive device. 삭제delete
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050064336A (en) * 2003-12-23 2005-06-29 삼성전자주식회사 Method for improve life time of polyimide-type electrostatic chuck in semiconductor manufacturing apparatus
KR100560643B1 (en) * 2000-01-18 2006-03-16 삼성전자주식회사 A electro static chuck for semiconductor device fabrication installation
KR20080009028A (en) * 2006-07-20 2008-01-24 동경 엘렉트론 주식회사 Repairing method of electrostatic sucking electrode
US20090279101A1 (en) * 2008-05-08 2009-11-12 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Electrostatic Chuck With Anti-Reflective Coating, Measuring Method and Use of Said Chuck

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560643B1 (en) * 2000-01-18 2006-03-16 삼성전자주식회사 A electro static chuck for semiconductor device fabrication installation
KR20050064336A (en) * 2003-12-23 2005-06-29 삼성전자주식회사 Method for improve life time of polyimide-type electrostatic chuck in semiconductor manufacturing apparatus
KR20080009028A (en) * 2006-07-20 2008-01-24 동경 엘렉트론 주식회사 Repairing method of electrostatic sucking electrode
US20090279101A1 (en) * 2008-05-08 2009-11-12 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Electrostatic Chuck With Anti-Reflective Coating, Measuring Method and Use of Said Chuck

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