JP7128691B2 - 複数の力率改善回路を搭載した電源回路及びその制御回路 - Google Patents
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Description
第1力率改善回路16は、インダクタL1とダイオードD1とスイッチング素子SW1からなり、第2力率改善回路18は、インダクタL2とダイオードD2とスイッチング素子SW2からなっている。第1力率改善回路16と第2力率改善回路18は、第1力率改善回路と第2力率改善回路の合成入力電流平均値を検出し、対応する周波数に応じて切替制御部26で切り替えられる。
fs=1/(Ton+Toff)
=(1/Ton)・[Vout1-Vinsin(ωt1)]/Vout1
fs:スイッチング周波数
Ton:オン時間
Toff:オフ時間
ω:交流電源の角周波数
Vin:入力電圧
t:時間
L1i:インダクタンス
Vout1:出力電圧
入力電圧Vinが低いときはスイッチング周波数fsが高く、入力電圧Vinが高いときはスイッチング周波数fsが低くなる。スイッチング素子SW1は使用可能な最大スイッチング周波数fsmaxがあるが、低電圧では最大スイッチング周波数fsmaxを超えたスイッチング周波数が要求される。
インダクタ電流IL1が小さく、スイッチング周波数fsが最大スイッチング周波数fsmaxを超える最小インダクタ電流IL1min以下では、スイッチング素子SW1の応答が追従できず、スイッチングが停止状態となり、ゲート電圧Vg1も印加されない。このため、インダクタ電流IL1は流れず、不連続となる。このため、図4(D)に示したように、力率も低下する。
軽負荷時においてインダクタ電流IL1は小さく、スイッチング周波数も高くなる。軽負荷時においては、スイッチング周波数fsが最大スイッチング周波数fsmaxを超える最小インダクタ電流IL1min以下となる領域も増加する。
インダクタ電流IL1が小さく、スイッチング周波数fsが最大スイッチング周波数fsmaxを超える最小インダクタ電流IL1min以下では、スイッチング素子SW1の応答が追従できず、スイッチングが停止状態となり、ゲート電圧Vg1も印加されない。このため、インダクタ電流IL1は流れず、不連続となる。インダクタ電流IL1が不連続となる領域では、図6(D)に示した力率も低下する。さらに軽負荷で、インダクタ電流IL1が少ない時は、力率改善回路が動作しなくなり、著しく力率が低下する。
インダクタ電流IL1が小さく、スイッチング周波数fsが境界スイッチング周波数fsthを超える高周波領域では、第2力率改善回路18が動作し、スイッチング周波数fsが境界スイッチング周波数fsth以下の低周波領域では、第1力率改善回路16が動作している。このため、合成インダクタ電流ILは、低周波領域と高周波領域とも力率改善回路が動作するため、合成インダクタ電流ILは、不連続とならず、低周波領域と高周波領域で、力率の低下が生じない。
VRC=μNS(dIR/dt) ・・・(4)
VRC:ロゴスキーコイル誘起電圧
μ:透磁率
N:単位巻数
S:コイル断面積(進みコイル)
IR:コイル電流
t:時間
<実施例>
D、D1、D2 ダイオード
SW、SW1、SW2 スイッチング素子
Vin 入力電圧
IL 合成入力電流
IL1、IL1インダクタ電流
Vg1、Vg2 ゲート電圧
fs スイッチング周波数
fsmax 最大スイッチング周波数
IL1min 最小インダクタ電流
Vout 出力電圧
fsth 境界スイッチング周波数
ID1 ダイオード電流
ISW1 スイッチング素子電流
IL 合成入力電流
IRC ロゴスキーコイル電流
Ia 基準電流
10 電源回路
12 交流電源
14 ブリッジ整流器
16 第1力率改善回路
18 第2力率改善回路
20 平滑コンデンサ
22 負荷
24 入力コンデンサ
26 切替制御部
30 ロゴスキーコイル
32 進みコイル
34 戻しコイル
36 導体
38 積分器
40 矩形ロゴスキーコイル
42-1 進みコイル電極
42-2 戻しコイル電極
44,44-1,44-2 上面パターン
46 底面パターン
48-1、48-2 側面パターン
50 基板
52 ロゴスキーコイル型電流検出素子
80 制御部
82 電流検出部
84 電流比較部
86 ゲート駆動部
88 力率改善回路制御部
90 過電圧保護回路部
92 過電流保護回路部
94 過熱保護回路部
96 ゼロクロス検出部
Claims (8)
- 交流電圧を出力する交流電源と、
前記交流電源を全波整流するブリッジ整流器と、
インダクタとダイオードとスイッチング素子からなる複数の力率改善回路と、
前記力率改善回路からの電圧を平滑化する平滑コンデンサと、
を備え、
複数の前記力率改善回路は並列に接続されており、前記力率改善回路のスイッチング周波数に応じて複数の前記力率改善回路のいずれかの前記力率改善回路に切り替える切替制御部を備えたこと、
を特徴とする電源回路。 - 前記複数の力率改善回路として、前記スイッチング周波数を所定の境界スイッチング周波数で別けた低周波領域と高周波領域のうち前記低周波領域に対応した第1力率改善回路と、前記高周波領域に対応した第2力率改善回路を備えること、
を特徴とする請求項1に記載の電源回路。 - 前記低周波領域で前記第1力率改善回路を駆動し、前記高周波領域で前記第2力率改善回路を駆動すること、
を特徴とする請求項2に記載の電源回路。 - 前記第1力率改善回路は、MOSFET又はIGBTから成るダイオード及びスイッチング素子を含み、
前記第2力率改善回路は、GaN-HEMT又はSiCから成るダイオード及びスイッチング素子を含むこと、
を特徴とする請求項2に記載の電源回路。 - 前記スイッチング周波数を求めるための電流検出素子をさらに備えること、
を特徴とする請求項2に記載の電源回路。 - 前記電流検出素子として、前記第1力率改善回路と前記第2力率改善回路の合成入力電流平均値を検出するための電流検出抵抗を備えること、
を特徴とする請求項5に記載の電源回路。 - 前記電流検出素子として、前記第1力率改善回路と前記第2力率改善回路の合成入力電流平均値を検出するためのロゴスキーコイルを備えること、
を特徴とする請求項5に記載の電源回路。 - 前記ロゴスキーコイルは、中心部に導体を備えていること、
を特徴とする請求項7に記載の電源回路。
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-
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