JP7112379B2 - Iii族窒化物基板 - Google Patents
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Description
前記第1不純物濃度よりも低い第2不純物濃度を示す第2領域と、
を有し、
前記第1領域の第1転位密度は、前記第2領域の第2転位密度よりも低い。
前記第1不純物濃度よりも低い第2不純物濃度を示す第2領域と、
を有し、
前記第1領域の第1転位密度は、前記第2領域の第2転位密度よりも低い。
前記III族窒化物基板に形成されたデバイス構造と、
を備える。
<III族窒化物基板>
図1は、実施の形態1に係るIII族窒化物基板のm面から見た断面図である。図2は、実施の形態1に係るIII族窒化物基板のa面から見た断面図である。図3は、実施の形態1に係るIII族窒化物基板の表面を表面研磨及びエッチング後のエッチピット3の分布を示す走査型電子顕微鏡写真である。図4は、図3のIII族窒化物基板のc軸から見た表面転位を示すカソードルミネッセンス(CL)像である。
実施の形態1に係るIII族窒化物基板は、研磨された面内において、例えば、図1及び図2に示すように、種基板1の上に成長したGaN層2とを有する。また、GaN層2の表面には、図1のm面から見た断面図に示されるように、{11-22}面を有する。さらに、図2のa面から見た断面図に示されるように、{10-11}面を有する。また、図3のSEM写真及び図4の表面研磨後のカソードルミネッセンス像に示されるように、{11-22}面の第1領域11と、{10-11}面の第3領域13と、がエッチピットである第2領域12の周囲を囲んでそれぞれ6つ配置されている。第1領域11及び第3領域13は、第2領域12の周囲を交互に配置されている。さらに、第1領域11及び第3領域13は、第2領域12に向かって縮径している。換言すれば、第1領域11及び第3領域13は、第2領域12を中心として放射状に延びている。また、エッチピットであるそれぞれの第2領域12の周囲に第1領域11及び第3領域13が配置されている。
なお、図3のSEM写真に示されるように、この実施の形態1に係るIII族窒化物基板の面ではエッチピット3の密度が低く、つまり、転位密度が低いことがわかる。
図5は、二次イオン質量分析法による解析範囲20を示す、III族窒化物基板のc軸から見た表面転位を示すカソードルミネッセンス(CL)像である。図6は、図5の解析範囲の顕微鏡像である。図7は、図5の解析範囲について、二次イオン質量分析法によって得られる酸素濃度を濃淡として示す図である。図8は、図5の解析範囲について、二次イオン質量分析法によって得られるSi濃度を濃淡として示す図である。
このIII族窒化物基板は、例えば、図7に示すように、第1領域11の酸素濃度は、1020/cm2台の後半であるのに対して、第3領域13の酸素濃度は、1020/cm2台の前半である。つまり、第1領域11の酸素濃度は、第3領域13の酸素濃度よりも高い。また、第2領域12の酸素濃度は、第1領域11の酸素濃度よりも低く、第3領域13よりも高いことがわかる。また、第1領域11の第1転位密度は、第2領域12の第2転位密度よりも低い。なお、図8に示すように、Si濃度は、第1領域11、第2領域12及び第3領域13にわたって1018/cm2前半~1019/cm2台後半であって、各領域について大きな差異はなく、不純物濃度の差異は酸素濃度に依存している。
図9は、OVPE-GaN層の厚さが50μmである場合のIII族窒化物基板のc軸から見た表面転位を示すカソードルミネッセンス(CL)像である。図10は、OVPE-GaN層の厚さが200μmである場合のIII族窒化物基板のc軸から見た表面転位を示すカソードルミネッセンス(CL)像である。図11は、OVPE-GaN層の厚さが300μmである場合のIII族窒化物基板のc軸から見た表面転位を示すカソードルミネッセンス(CL)像である。図12は、OVPE-GaN層の厚さと転位密度との関係を示す図である。
図9乃至図11に示すように、図1及び図2の成長層であるGaN層2の厚さが増加するにつれて第2領域12の数が少なくなることがわかる。つまり、図12に示すように、種基板1の上に成長するGaN層2の厚さが増加するにつれて転位密度が低くなることがわかる。具体的には、種基板1のHVPE-GaNの場合に転位密度が約3×106cm-2と高いのに対して、GaN層2の厚さが200μmで転位密度が約1.5×105cm-2、GaN層2の厚さが300μmで転位密度が約8×104cm-2と低くなっている。転位密度を考慮すると、およそGaN層2の厚さが200μm以上であることが好ましい。さらに、GaN層2の厚さが300μm以上であることがより好ましい。
図16に示すように、種基板1のHVPE法(ハイドライド気相成長法)によるGaN層の表面は、非常に高い転位密度を有する。一方、上記の種基板1の上にOVPE法(酸化物気相成長法)によって成長させたGaN層2を設けることによって、図12乃至図15に示すように、転位密度をおよそ2桁程度低減させることができる。
このIII族窒化物基板によれば、低転位であって低抵抗である。そこで、その上にデバイス形成した場合にも、転位密度の低い第1領域の不純物濃度を高めることで、低抵抗化した第1領域に電気を優先的に流すことができる。これによって、転位密度の高い第2領域でリークが生じるのを抑制でき、絶縁耐圧の向上を図ることができる。
本開示の実施の形態1に係るIII族窒化物基板の製造方法の概要を図17のフローチャートを参照して説明する。実施の形態1に係るIII族窒化物基板の製造方法は、反応性ガス供給工程(S01)、III族元素酸化物ガス生成工程(S02)、III族元素酸化物ガス供給工程(S03)、窒素元素含有ガス供給工程(S04)、被酸化性ガス供給工程(S05)、III族窒化物結晶生成工程(S06)、被酸化性ガス反応工程(S07)、および残留ガス排出工程(S08)を有する。このIII族窒化物基板の製造方法では、III族元素酸化物ガスを原料とするOVPE法によるGaN層の成長を行うことを特徴とする。
(1)反応性ガス供給工程では、反応性ガスを原料反応室へ供給する(S01)。
(2)III族元素酸化物ガス生成工程では、出発III族元素源と反応性ガス(出発III族元素源が酸化物の場合は還元性ガス、金属の場合は酸化性ガス)を反応させ、III族元素酸化物ガスを生成する(S02)。
(3)III族元素酸化物ガス供給工程では、III族元素酸化物ガス生成工程で製造されたIII族元素酸化物ガスを育成チャンバへ供給する(S03)。
(4)窒素元素含有ガス供給工程では、窒素元素含有ガスを育成チャンバへ供給する(S04)。
(5)被酸化性ガス供給工程では、被酸化性ガスを育成チャンバへ供給する(S05)。
(6)III族窒化物結晶生成工程では、III族元素酸化物ガス供給工程で育成チャンバ内へ供給されたIII族元素酸化物ガスと、窒素元素含有ガス供給工程で育成チャンバ内へ供給された窒素元素含有ガスを反応させ、III族窒化物結晶を生成させる(S06)。
(7)被酸化性ガス反応工程では、育成チャンバ内に供給されるIII族元素酸化物ガス以外の酸化物と被酸化性ガスを反応させIII族窒化物結晶中への酸素の混入を抑制する(S07)。
(8)残留ガス排出工程では、III族窒化物結晶の生成に寄与しない未反応のガスをチャンバ外に排出する(S08)。
以上の各工程によって、種基板へIII族窒化物結晶を成長させたIII族窒化物基板を生成することができる。
本開示の実施の形態1に係るIII族窒化物基板の製造装置150の概要を図18及び図19のIII族窒化物基板の製造装置150の構成を示す概略図を参照して説明する。
なお、図18及び図19において、各構成部材の大きさ、比率等は実際とは異なっている場合がある。実施の形態1に係るIII族窒化物基板の製造装置150は、原料チャンバ100内に、原料反応室101が配置されており、原料反応室101内に出発III族元素源105を載置した原料ボート104が配置されている。原料反応室101には、出発III族元素源105と反応するガスを供給する反応性ガス供給管103が接続されており、またIII族酸化物ガス排出口107を有する。反応性ガスは、出発III族源が酸化物の場合は還元性ガス、金属の場合は酸化性ガスを用いる。また、原料チャンバ100には、第1搬送ガス供給口102が備わっており、III族酸化物ガスと搬送ガスは、III族酸化物ガス及び搬送ガス排出口108から接続管109を通過し育成チャンバ111へと流れる。育成チャンバ111は、III族酸化物ガス及び搬送ガス供給口118と被酸化性ガス供給口113と窒素元素含有ガス供給口112と第2搬送ガス供給口114と排気口119を有し、種基板116を設置する基板サセプタ117を備える。
図18及び図19を用いて、実施の形態1に係るIII族窒化物基板の製造方法の詳細を説明する。
ここでは、出発III族元素源105に金属Gaを用いた場合の説明を行う。
(1)反応性ガス供給工程では、反応性ガス供給管103より反応性ガスを原料反応室101へ供給する。
(2)III族元素酸化物ガス生成工程では、反応性ガス供給工程で原料反応室101へ供給された反応性ガスが、出発III族元素源105である金属Gaと反応し、III族酸化物ガスであるGa2Oガスを生成する。生成されたGa2OガスはIII族酸化物ガス排出口107を経由し、原料反応室101から原料チャンバ100に排出される。排出されたGa2Oガスは、第1搬送ガス供給口102から原料チャンバへと供給される第1搬送ガスと混合され、III族酸化物ガス及び搬送ガス排出口108へと供給される。ここで、第1ヒータ106の温度を、Ga2Oガスの沸点の観点から800℃以上とし、第2ヒータ115よりも低温とすべく1800℃未満とする。出発Ga源は、原料ボート104内に載置されている。原料ボート104は、反応性ガスと出発Ga源の接触面積を大きくできる形状であることが好ましい。
2Ga+H2O→Ga2O+H2 (I)
また、出発Ga源105の他に、In源、Al源を出発III族元素として採用できる。ここで第一搬送ガスとしては、不活性ガス、またはH2ガスを用いることができる。
Ga2O+2NH3→2GaN+H2O+2H2 (II)
第二搬送ガスとしては、不活性ガス、またはH2ガスを用いることができる。
なお、未反応のIII族酸化物ガス、窒素元素含有ガス、被酸化性ガス、および搬送ガスは排気口119から排出される(残留ガス排出工程)。
図19において、原料チャンバ100にライン1から供給する反応性ガス及び第1搬送ガスとして、H2ガスを4L/min、N2ガスを1L/min、O2ガスを0.02L/minとした。育成チャンバ111にライン2から供給する第2搬送ガスとして、H2ガスを2.5L/min、N2ガスを2.5L/minとした。また、育成チャンバ111にライン3から供給する窒素元素含有ガスとして、H2ガスを0L/min、N2ガスを2.5L/min、N2ガスを13~14L/min、NH3ガスを1~2L/minとした。育成チャンバ111にライン4から供給する第2搬送ガスとして、H2ガスを12.5L/min、N2ガスを12.5L/minとした。
また、原料チャンバ100の温度を1130℃、育成チャンバ111の温度を1200℃とした。加熱方式は抵抗加熱とした。育成チャンバ111での雰囲気は大気圧とし、成長時間を460分とした。
2 成長層
3 エッチピット
10 III族窒化物基板
11 第1領域
12 第2領域
13 第3領域
20 解析範囲
100 原料チャンバ
101 原料反応室
102 第1搬送ガス供給口
103 反応性ガス供給管
104 原料ボート
105 出発Ga源(出発III族元素源)
106 第1ヒータ
107 III族酸化物ガス排出口
108 III族酸化物ガス及び搬送ガス排出口
109 接続管
110 第3ヒータ
111 育成チャンバ
112 窒素元素含有ガス供給口
113 被酸化性ガス供給口
114 第2搬送ガス供給口
115 第2ヒータ
116 種基板
117 基板サセプタ
118 III族酸化物ガス及び搬送ガス供給口
119 排気口
150 III族窒化物基板の製造装置
Claims (7)
- GaN基板及び当該GaN基板上に形成されたGaNエピタキシャル層からなるIII族窒化物基板であって
不純物元素として酸素を含み、
c面について研磨された面内において、第1不純物濃度の酸素を含む第1領域と、
前記第1不純物濃度よりも低い第2不純物濃度の酸素を含む第2領域と、
を有し、
前記第1領域の第1転位密度は、前記第2領域の第2転位密度よりも低く、
前記第2不純物濃度よりも低い第3不純物濃度の酸素を含む第3領域を、更に有すると共に、
前記第1領域と前記第3領域とは、前記第2領域を中心としてその周囲に周方向に交互にそれぞれ6つずつ配置されており、
前記第2領域の数密度は、1.5×105/cm2以下である、III族窒化物基板。 - 前記第1領域は、前記第2領域を中心として前記第2領域の周囲を囲うように配置されている、請求項1に記載のIII族窒化物基板。
- 前記第1領域は、前記第2領域に向かって縮径する形状である、請求項1又は2に記載のIII族窒化物基板。
- 前記第3領域は、前記第2領域を中心として前記第2領域の周囲を囲うように配置されている、請求項1に記載のIII族窒化物基板。
- 前記第1領域に含まれる不純物元素として、さらにシリコンを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のIII族窒化物基板。
- 前記第1不純物濃度は、酸素濃度が1×1020/cm3以上である、請求項1から5のいずれか一項に記載のIII族窒化物基板。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載のIII族窒化物基板と、
前記III族窒化物基板に形成されたデバイス構造と、
を備える、デバイス。
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