JP7079529B2 - Bonding equipment - Google Patents

Bonding equipment Download PDF

Info

Publication number
JP7079529B2
JP7079529B2 JP2020568164A JP2020568164A JP7079529B2 JP 7079529 B2 JP7079529 B2 JP 7079529B2 JP 2020568164 A JP2020568164 A JP 2020568164A JP 2020568164 A JP2020568164 A JP 2020568164A JP 7079529 B2 JP7079529 B2 JP 7079529B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder ball
solder
holding portion
plate
ball holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020568164A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2020153366A1 (en
Inventor
美仁 萩原
智宣 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Publication of JPWO2020153366A1 publication Critical patent/JPWO2020153366A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7079529B2 publication Critical patent/JP7079529B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers

Description

本発明は、半導体ダイを被実装部材にはんだを用いて接合するボンディング装置に関し、特に、はんだボールを溶融させたはんだを接合に用いるボンディング装置に関する。 The present invention relates to a bonding device for joining a semiconductor die to a member to be mounted by using solder, and more particularly to a bonding device using solder obtained by melting solder balls for bonding.

従来、リードフレームや基板等の被実装部材に、半導体ダイを接合するダイボンディング装置が知られている。半導体ダイと被実装部材は、接着剤で接合（接着）される場合のほか、はんだを用いて接合される場合がある。 Conventionally, a die bonding device for joining a semiconductor die to a mounted member such as a lead frame or a substrate has been known. The semiconductor die and the mounted member may be joined (bonded) with an adhesive or may be joined with solder.

特許文献１には、半導体チップ（半導体ダイ）を基板にはんだを用いて接合するダイボンダ装置（ダイボンディング装置）が開示されている。特許文献１のダイボンダ装置は、基板を下からヒータで加熱した状態で、基板の上面にはんだボールを供給し、はんだボールを基板の上面で溶融させる。そして、基板の上面ではんだがぬれ広がり、ぬれ広がったはんだ上に半導体チップを載せて、はんだを凝固させることで、基板上に半導体チップを接合する。 Patent Document 1 discloses a die bonder device (die bonding device) for joining a semiconductor chip (semiconductor die) to a substrate by using solder. The die bonder device of Patent Document 1 supplies a solder ball to the upper surface of the substrate in a state where the substrate is heated from below by a heater, and melts the solder ball on the upper surface of the substrate. Then, the solder spreads on the upper surface of the substrate, and the semiconductor chip is placed on the wet and spread solder to solidify the solder, thereby joining the semiconductor chip onto the substrate.

特許第５９４１８１４号公報Japanese Patent No. 5941814

特許文献１のように加熱した被実装部材の上面にはんだボールを供給する場合、はんだボールを、被実装部材の上の所定の高さから落下させる。そのため、はんだボールの着地位置や溶融位置が不規則となり、はんだが被実装部材上の所望の領域にぬれ広がらない可能性がある。 When the solder balls are supplied to the upper surface of the heated member to be mounted as in Patent Document 1, the solder balls are dropped from a predetermined height on the member to be mounted. Therefore, the landing position and the melting position of the solder ball become irregular, and the solder may not wet and spread in a desired region on the mounted member.

本発明の目的は、はんだボールを溶融させたはんだを用いて、半導体ダイを被実装部材に接合するボンディング装置において、接合前に、はんだを被実装部材上の所望の領域にぬれ広がらせることにある。 An object of the present invention is to spread a solder in a desired region on a mounted member before joining in a bonding device for joining a semiconductor die to a mounted member by using solder obtained by melting solder balls. be.

本発明のボンディング装置は、半導体ダイを被実装部材にはんだを用いて接合するボンディング装置であって、はんだボールの一部を下面から露出させるとともに、溶融したはんだボールを通過させる穴が底に形成されたはんだボール保持部と、はんだボール保持部を昇降させて上記はんだボールの一部を被実装部材に接触させる昇降機構と、被実装部材を加熱する熱によってはんだボールを被実装部材に溶融させるヒータとを備える、ことを特徴とする。 The bonding device of the present invention is a bonding device for joining a semiconductor die to a member to be mounted by using solder, and a part of the solder balls is exposed from the lower surface and a hole through which the molten solder balls pass is formed at the bottom. The solder ball holding portion, the elevating mechanism that raises and lowers the solder ball holding portion to bring a part of the solder balls into contact with the mounted member, and the heat that heats the mounted member melt the solder balls into the mounted member. It is characterized by having a heater.

本発明のボンディング装置において、はんだボール保持部は、上面にはんだボールが供給されるプレートを底に備え、上記穴は、プレートに形成されており、上記穴は、プレートの上面に形成された入口がはんだボールの直径より大きく、プレートの下面に形成された出口がはんだボールの直径以下であるスロート状である、としてもよい。 In the bonding apparatus of the present invention, the solder ball holding portion has a plate on the upper surface to which the solder balls are supplied, and the hole is formed in the plate, and the hole is an inlet formed on the upper surface of the plate. May be throat-shaped, which is larger than the diameter of the solder ball and the outlet formed on the lower surface of the plate is smaller than the diameter of the solder ball.

本発明のボンディング装置において、はんだボール保持部には、複数の上記穴が、被実装部材の上面に塗布するはんだのパターンに従って形成されている、としてもよい。 In the bonding apparatus of the present invention, a plurality of the above holes may be formed in the solder ball holding portion according to the pattern of the solder applied to the upper surface of the mounted member.

本発明のボンディング装置において、はんだボール保持部のプレートの上記穴に保持されたはんだボールの上側の空気圧力を調整する圧力調整装置を、さらに備え、圧力調整装置により空気圧力を調整することにより、はんだボールの下面が被実装部材の上面に接する圧力を調整する、としてもよい。 In the bonding apparatus of the present invention, a pressure adjusting device for adjusting the air pressure on the upper side of the solder ball held in the hole of the plate of the solder ball holding portion is further provided, and the air pressure is adjusted by the pressure adjusting device. The pressure at which the lower surface of the solder ball contacts the upper surface of the mounted member may be adjusted.

本発明のボンディング装置において、はんだボール保持部に振動を印加する振動発生装置を、さらに備える、としてもよい。 The bonding apparatus of the present invention may further include a vibration generator that applies vibration to the solder ball holding portion.

本発明のボンディング装置において、振動発生装置により印加する振動の量を調整することで、はんだボールが被実装部材の上面で溶融する速度を調整する、としてもよい。 In the bonding apparatus of the present invention, the speed at which the solder balls melt on the upper surface of the mounted member may be adjusted by adjusting the amount of vibration applied by the vibration generator.

本発明のボンディング装置において、はんだボール保持部のプレートを加熱する第２のヒータを、さらに備える、としてもよい。 The bonding apparatus of the present invention may further include a second heater for heating the plate of the solder ball holding portion.

本発明のボンディング装置において、フォーミングガスが供給された密閉チャンバを、さらに備え、密閉チャンバの中に、被実装部材が搬送されて、密閉チャンバの中で被実装部材の上面にはんだボールが溶融される、としてもよい。 In the bonding apparatus of the present invention, a closed chamber to which a forming gas is supplied is further provided, a mounted member is conveyed into the closed chamber, and solder balls are melted on the upper surface of the mounted member in the closed chamber. May be.

本発明によれば、はんだボール保持部の穴にはんだボールを保持した状態で、はんだボール保持部の下面から露出したはんだボールの一部を被実装部材に接触させ、はんだボールを溶融させる。そのため、被実装部材上の所望の位置にはんだ（はんだボール）が正確に溶けて落ちるので、被実装部材上の所望の領域にはんだをぬれ広がらせることができる。 According to the present invention, while the solder ball is held in the hole of the solder ball holding portion, a part of the solder ball exposed from the lower surface of the solder ball holding portion is brought into contact with the mounted member to melt the solder ball. Therefore, since the solder (solder ball) is accurately melted and dropped at a desired position on the mounted member, the solder can be wetted and spread in a desired region on the mounted member.

ダイボンディング装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the die bonding apparatus. プレートの穴の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of the hole of a plate. プレートの上面の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the upper surface of a plate. プレートの上面の別の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example of the upper surface of a plate. はんだボール保持部内の空気圧力を調整する実施形態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the embodiment which adjusts the air pressure in a solder ball holding part. はんだボール保持部に振動を印加する実施形態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the embodiment which applies vibration to a solder ball holding part. プレートにヒータを設ける実施形態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an embodiment which provides a heater in a plate. はんだボール保持部内にシャッターを設ける実施形態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the embodiment which provides the shutter in the solder ball holding part.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。以下で述べる形状、材質等は、説明のための例示であって、装置や、装置により製造される製品の仕様等に合わせて適宜変更が可能である。全ての図において同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The shapes, materials, and the like described below are examples for explanation, and can be appropriately changed according to the specifications of the device and the products manufactured by the device. Similar elements are designated by the same reference numerals in all figures, and duplicate description is omitted.

図１は、ダイボンディング装置１０（ボンディング装置１０とも言う）の構成を示す模式図である。図示の都合上、図１を含む各図において、はんだボール２０と、それを保持する、プレート２２に形成された穴２６は、大きめに描かれている。はんだボールは、例えば１０μｍ～７０μｍ程度のはんだの粒であり、略球状を有する。 FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of a die bonding device 10 (also referred to as a bonding device 10). For convenience of illustration, in each drawing including FIG. 1, the solder ball 20 and the hole 26 formed in the plate 22 for holding the solder ball 20 are drawn larger. The solder ball is, for example, a solder grain having a size of about 10 μm to 70 μm and has a substantially spherical shape.

ダイボンディング装置１０は、加熱したリードフレーム１６（被実装部材）上ではんだボール２０を溶融させて、リードフレーム１６上に溶融したはんだ１８の上に半導体ダイ１４を載置し、はんだを凝固させることで、半導体ダイ１４をリードフレーム１６に接合するものである。なお、被実装部材は、リードフレーム１６に限られず、基板などでもよい。 The die bonding apparatus 10 melts the solder balls 20 on the heated lead frame 16 (mounted member), places the semiconductor die 14 on the melted solder 18 on the lead frame 16, and solidifies the solder. This joins the semiconductor die 14 to the lead frame 16. The mounted member is not limited to the lead frame 16, but may be a substrate or the like.

リードフレーム１６は、例えば、銅（Ｃｕ）、または、銅（Ｃｕ）の表面に銀（Ａｇ）或いはニッケル（Ｎｉ）をめっきした金属である。リードフレーム１６がめっきをしていない銅である場合、リードフレーム１６は、空気に晒されると酸化して、表面に酸化膜ができる。本実施形態のダイボンディング装置１０は、窒素（Ｎ）と水素（Ｈ）の混合ガス（フォーミングガス８２とも言う）が供給された密閉チャンバ８０を備え、密閉チャンバ８０の中に、リードフレーム１６を搬送して半導体ダイ１４の接合を行うことで、リードフレーム１６の酸化膜を還元し、除去する。また、このような還元環境によれば、はんだボール２０、または、それが溶融したはんだに含まれる酸化物を還元および除去できる。一方、リードフレーム１６が銀やニッケルでめっきされており、酸化物の還元が要求されない場合には、密閉チャンバ８０は不要である。 The lead frame 16 is, for example, copper (Cu) or a metal obtained by plating the surface of copper (Cu) with silver (Ag) or nickel (Ni). When the lead frame 16 is unplated copper, the lead frame 16 oxidizes when exposed to air, forming an oxide film on the surface. The die bonding apparatus 10 of the present embodiment includes a closed chamber 80 to which a mixed gas of nitrogen (N) and hydrogen (H) (also referred to as a forming gas 82) is supplied, and the lead frame 16 is placed in the closed chamber 80. By transporting and bonding the semiconductor die 14, the oxide film of the lead frame 16 is reduced and removed. Further, according to such a reduction environment, the oxide contained in the solder ball 20 or the solder in which the solder ball 20 is melted can be reduced and removed. On the other hand, if the lead frame 16 is plated with silver or nickel and reduction of the oxide is not required, the closed chamber 80 is unnecessary.

本実施形態において、密閉チャンバ８０は、下側が平板状で上側が湾曲状である半円筒形状で、リードフレーム１６の搬送方向（図１の左右方向）に延びている。ダイボンディング装置１０は、密閉チャンバ８０内で多数のリードフレーム１６を順次搬送するガイドレール３８と、リードフレーム１６を下から加熱するヒータ３０と、上面にはんだボール２０が供給されるプレート２２を底に有する箱状のはんだボール保持部２４と、はんだボール保持部２４を昇降させる昇降機構２８と、はんだボール保持部２４にはんだボール２０を供給するはんだボール供給部３６と、リードフレーム１６へ半導体ダイ１４を搬送するヘッド３２と、ダイボンディング装置１０内の各機器を制御する制御部３４、を備える。 In the present embodiment, the closed chamber 80 has a semi-cylindrical shape with a flat plate shape on the lower side and a curved shape on the upper side, and extends in the transport direction (left-right direction in FIG. 1) of the lead frame 16. The die bonding device 10 has a guide rail 38 that sequentially conveys a large number of lead frames 16 in the closed chamber 80, a heater 30 that heats the lead frames 16 from below, and a plate 22 to which solder balls 20 are supplied on the upper surface. A box-shaped solder ball holding portion 24, an elevating mechanism 28 for raising and lowering the solder ball holding portion 24, a solder ball supply portion 36 for supplying the solder balls 20 to the solder ball holding portion 24, and a semiconductor die to the lead frame 16. A head 32 that conveys 14 and a control unit 34 that controls each device in the die bonding device 10 are provided.

上記したように、はんだボール保持部２４は、底にプレート２２を備え、プレート２２の下面は、はんだボール保持部２４の下面を構成している。はんだボール保持部２４のプレート２２は、セラミック製であり、多数のはんだボール２０のそれぞれを保持する多数の穴２６が形成されている。図２は、プレート２２に形成された１つの穴２６の形状を示す断面図である。穴２６は、プレート２２の上面５０にある入口５４と、プレート２２の下面５２にある出口５６を有する貫通穴（スロート状の穴）である。入口５４と出口５６は、平面視で円形であり、入口５４は、はんだボール２０の直径より大きい直径Ｌ１を有し、出口５６は、はんだボール２０の直径以下の大きさの直径Ｌ２を有する。はんだボール２０は、プレート２２の穴２６の入口５４から入り込んで穴２６の中に保持されて、はんだボール２０の下面２１は、プレート２２の出口５６を介してプレート２２の下面５２から突出している。換言すれば、はんだボール２０の一部が、プレート２２（はんだボール保持部）の下面から露出している。 As described above, the solder ball holding portion 24 includes a plate 22 at the bottom, and the lower surface of the plate 22 constitutes the lower surface of the solder ball holding portion 24. The plate 22 of the solder ball holding portion 24 is made of ceramic, and a large number of holes 26 for holding each of the large number of solder balls 20 are formed. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the shape of one hole 26 formed in the plate 22. The hole 26 is a through hole (throat-shaped hole) having an inlet 54 on the upper surface 50 of the plate 22 and an outlet 56 on the lower surface 52 of the plate 22. The inlet 54 and the outlet 56 are circular in plan view, the inlet 54 has a diameter L1 larger than the diameter of the solder ball 20, and the outlet 56 has a diameter L2 smaller than the diameter of the solder ball 20. The solder ball 20 enters through the inlet 54 of the hole 26 of the plate 22 and is held in the hole 26, and the lower surface 21 of the solder ball 20 protrudes from the lower surface 52 of the plate 22 through the outlet 56 of the plate 22. .. In other words, a part of the solder ball 20 is exposed from the lower surface of the plate 22 (solder ball holding portion).

図３は、プレート２２の上面５０の一例を示す平面図である。プレート２２には多数の穴２６が形成されており、多数の穴２６は、リードフレームの上面に塗布するはんだのパターンに従って形成されている。以下、プレート２２に形成された多数の穴２６のパターンを、マスクパターン５８とも言う。図３に示すマスクパターン５８は、多数の穴２６が寄せ集まって構成される群（以下、穴群２７と言う）が複数あり、中央の円形状の穴群２７ａと、穴群２７ａよりも小さい円形状で、穴群２７ａの周りに配置された８つの穴群２７ｂからなる。 FIG. 3 is a plan view showing an example of the upper surface 50 of the plate 22. A large number of holes 26 are formed in the plate 22, and the large number of holes 26 are formed according to a pattern of solder applied to the upper surface of the lead frame. Hereinafter, the pattern of a large number of holes 26 formed in the plate 22 is also referred to as a mask pattern 58. The mask pattern 58 shown in FIG. 3 has a plurality of groups (hereinafter referred to as hole groups 27) composed of a large number of holes 26 gathered together, and is smaller than the central circular hole group 27a and the hole group 27a. It has a circular shape and consists of eight hole groups 27b arranged around the hole group 27a.

図４は、プレート２２の上面５０の別の一例を示す図であり、プレート２２に形成された各穴の形状は省略されている。図４に示すマスクパターン５８は、１つの略ヒトデ状の穴群からなり、具体的には、図４に示す略ヒトデ状の一点鎖線の内側に多数の穴が形成されたマスクパターンである。なお、プレート２２におけるマスクパターン５８は、図３，４に示すものに限られず、リードフレームの上面に塗布するはんだのパターンに従って様々な形のものを考えることができる。 FIG. 4 is a diagram showing another example of the upper surface 50 of the plate 22, and the shape of each hole formed in the plate 22 is omitted. The mask pattern 58 shown in FIG. 4 is composed of one group of substantially starfish-shaped holes, and specifically, is a mask pattern in which a large number of holes are formed inside the substantially starfish-shaped alternate long and short dash line shown in FIG. The mask pattern 58 on the plate 22 is not limited to the one shown in FIGS. 3 and 4, and various shapes can be considered according to the pattern of the solder applied to the upper surface of the lead frame.

図１に示すように、はんだボール保持部２４は、内部に、多数のはんだボール２０を保持し、下側にあるはんだボール２０がプレート２２の穴２６に入り込んでいる。はんだボール保持部２４は、天井に、はんだボール２０の供給口４４を備え、供給口４４にはスライド式の扉４６が設けられている。扉４６をスライドさせて供給口４４を開き、供給口４４を介して、はんだボール供給部３６からはんだボール２０をはんだボール保持部２４の内部へ補充可能となっている。はんだボール保持部２４は、密閉チャンバ８０に形成された開口窓４０から密閉チャンバ８０内に入り込んでおり、昇降機構２８によって上下に移動可能となっている。 As shown in FIG. 1, the solder ball holding portion 24 holds a large number of solder balls 20 inside, and the solder balls 20 on the lower side are inserted into the holes 26 of the plate 22. The solder ball holding portion 24 is provided with a supply port 44 for the solder balls 20 on the ceiling, and the supply port 44 is provided with a sliding door 46. The door 46 is slid to open the supply port 44, and the solder balls 20 can be replenished from the solder ball supply unit 36 to the inside of the solder ball holding unit 24 through the supply port 44. The solder ball holding portion 24 enters the closed chamber 80 through the opening window 40 formed in the closed chamber 80, and can be moved up and down by the elevating mechanism 28.

ヒータ３０は、密閉チャンバ８０内の下部で、リードフレーム１６の搬送方向（図１の左右方向）に延在し、搬送されるリードフレーム１６を下から加熱する。なお、ヒータ３０を、第１のヒータとも言う。 The heater 30 extends in the transport direction (left-right direction in FIG. 1) of the lead frame 16 at the lower portion in the closed chamber 80, and heats the transported lead frame 16 from below. The heater 30 is also referred to as a first heater.

ヘッド３２は、上下、前後、左右に移動可能であり、下面に半導体ダイ１４を吸着して搬送する。密閉チャンバ８０にはシャッター窓４２が設けられており、ヘッド３２が半導体ダイ１４を吸着してリードフレーム１６へ向かうとき、シャッター窓４２が開く仕様である。ヘッド３２は、シャッター窓４２を介して密閉チャンバ８０内に入り込み、半導体ダイ１４をリードフレーム１６上の溶融はんだ１８の上に載置する。その後、ヘッド３２は、シャッター窓４２から密閉チャンバ８０の外に出て、シャッター窓４２が閉まるようになっている。 The head 32 can be moved up and down, front and back, and left and right, and the semiconductor die 14 is sucked and conveyed on the lower surface. The closed chamber 80 is provided with a shutter window 42, and the shutter window 42 opens when the head 32 attracts the semiconductor die 14 toward the lead frame 16. The head 32 enters the closed chamber 80 through the shutter window 42, and the semiconductor die 14 is placed on the molten solder 18 on the lead frame 16. After that, the head 32 goes out of the closed chamber 80 from the shutter window 42, and the shutter window 42 is closed.

制御部３４は、プロセッサを含み、不図示の記憶部に格納されたプログラムに従って、ダイボンディング装置１０内の各機器を制御する。具体的には、制御部３４は、はんだボール供給部３６、昇降機構２８、ヒータ３０、およびヘッド３２を制御し、ガイドレール３８に沿って進む各リードフレーム１６に順次、半導体ダイ１４を実装していく。 The control unit 34 controls each device in the die bonding device 10 according to a program stored in a storage unit (not shown) including a processor. Specifically, the control unit 34 controls the solder ball supply unit 36, the elevating mechanism 28, the heater 30, and the head 32, and sequentially mounts the semiconductor die 14 on each lead frame 16 traveling along the guide rail 38. To go.

次に、ダイボンディング装置１０の具体的な実装動作について説明する。まず、制御部３４は、ヒータ３０をオンにしてリードフレーム１６を加熱し、リードフレーム１６を、例えば３５０℃～４５０℃程度まで熱する。 Next, a specific mounting operation of the die bonding apparatus 10 will be described. First, the control unit 34 turns on the heater 30 to heat the lead frame 16, and heats the lead frame 16 to, for example, about 350 ° C. to 450 ° C.

そして、制御部３４は、昇降機構２８を制御して、はんだボール保持部２４をリードフレーム１６の上面に向かって降下させ、プレート２２の下面から突出したはんだボール２０の下面（はんだボール２０の一部）をリードフレーム１６の上面に接触させる。それにより、リードフレーム１６の上面ではんだボール２０が溶融し、溶融したはんだボール２０が穴２６を通過して、リードフレーム１６の上面に落ちる。プレート２２の穴２６に保持されていたはんだボール２０がリードフレーム１６の上面に落ちると、はんだボール保持部２４内の別のはんだボール２０が穴２６に入り込んで、リードフレーム１６の上面に接し、溶融して落ちる。それが繰り返されることにより、リードフレーム１６上に所望の量のはんだが供給される。この構成によれば、はんだボール保持部２４をリードフレーム１６に向かって降下させてから次に上昇させるまでの時間を変えることにより、リードフレーム１６上に供給するはんだの量を変えることができる。 Then, the control unit 34 controls the elevating mechanism 28 to lower the solder ball holding unit 24 toward the upper surface of the lead frame 16, and the lower surface of the solder ball 20 protruding from the lower surface of the plate 22 (one of the solder balls 20). Part) is brought into contact with the upper surface of the lead frame 16. As a result, the solder balls 20 are melted on the upper surface of the lead frame 16, and the melted solder balls 20 pass through the holes 26 and fall on the upper surface of the lead frame 16. When the solder ball 20 held in the hole 26 of the plate 22 falls on the upper surface of the lead frame 16, another solder ball 20 in the solder ball holding portion 24 enters the hole 26 and comes into contact with the upper surface of the lead frame 16. It melts and falls. By repeating this, a desired amount of solder is supplied onto the lead frame 16. According to this configuration, the amount of solder supplied on the lead frame 16 can be changed by changing the time from the lowering of the solder ball holding portion 24 toward the lead frame 16 to the next raising of the solder ball holding portion 24.

リードフレーム１６上に所望の量のはんだが供給された後、制御部３４は、昇降機構２８を制御して、はんだボール保持部２４を上昇させ、プレート２２の下面から突出したはんだボール２０の下面がリードフレーム１６に接しないようにする。そして、溶融はんだ１８を上面に有するリードフレーム１６を、ガイドレール３８により搬送し、ヘッド３２が降下してくる位置まで移動させる。次に、制御部３４は、ヘッド３２を制御して、リードフレーム１６の上面の溶融はんだ１８上に半導体ダイ１４を載置する。そして、リードフレーム１６をガイドレール３８で搬送し、ヒータ３０から離すことで、溶融したはんだ１８が凝固して、半導体ダイ１４とリードフレーム１６が接合される。以上説明した実装動作を、各リードフレーム１６に対して繰り返し行っていく。 After the desired amount of solder is supplied onto the lead frame 16, the control unit 34 controls the elevating mechanism 28 to raise the solder ball holding unit 24, and the lower surface of the solder ball 20 protruding from the lower surface of the plate 22. Do not touch the lead frame 16. Then, the lead frame 16 having the molten solder 18 on the upper surface is conveyed by the guide rail 38 and moved to the position where the head 32 descends. Next, the control unit 34 controls the head 32 to place the semiconductor die 14 on the molten solder 18 on the upper surface of the lead frame 16. Then, the lead frame 16 is conveyed by the guide rail 38 and separated from the heater 30, so that the molten solder 18 solidifies and the semiconductor die 14 and the lead frame 16 are joined. The mounting operation described above is repeated for each lead frame 16.

次に、本実施形態のダイボンディング装置１０の作用効果について説明する。 Next, the operation and effect of the die bonding apparatus 10 of the present embodiment will be described.

本実施形態のダイボンディング装置１０は、はんだボール保持部２４のプレート２２の穴２６にはんだボール２０を保持した状態で、プレート２２の下面から突出したはんだボール２０の下面をリードフレーム１６の上面に接触させ、はんだボール２０を溶融させる。そのため、はんだがリードフレーム１６上の所望の位置に正確に落ちるので、リードフレーム１６上の所望の領域にはんだをぬれ広がらせることができる。 In the die bonding apparatus 10 of the present embodiment, the solder ball 20 is held in the hole 26 of the plate 22 of the solder ball holding portion 24, and the lower surface of the solder ball 20 protruding from the lower surface of the plate 22 is placed on the upper surface of the lead frame 16. The solder balls 20 are brought into contact with each other to melt them. Therefore, since the solder falls exactly at a desired position on the lead frame 16, the solder can be wetted and spread in a desired region on the lead frame 16.

また、本実施形態のダイボンディング装置１０は、はんだボール保持部２４のプレート２２の多数の穴２６が、リードフレーム１６の上面に塗布するはんだのパターンに従って形成されている。そのため、リードフレーム１６の上面に、はんだを所望の形状にぬれ広がらせることができる。成形棒などにより、溶融はんだを押して、はんだをぬれ広がらせる工程が不要であり、実装動作を高速化できる。 Further, in the die bonding apparatus 10 of the present embodiment, a large number of holes 26 of the plate 22 of the solder ball holding portion 24 are formed according to a pattern of solder applied to the upper surface of the lead frame 16. Therefore, the solder can be wetted and spread on the upper surface of the lead frame 16 in a desired shape. The process of pushing the molten solder with a forming rod or the like to wet and spread the solder is unnecessary, and the mounting operation can be speeded up.

次に、変形例について説明する。 Next, a modification will be described.

図５に示すように、ダイボンディング装置は、はんだボール保持部２４のプレート２２の穴２６に保持されたはんだボール２０の上側の空気圧力を調整する圧力調整装置９０をさらに備える、としてもよい。制御部３４は、圧力調整装置９０を制御し、圧力調整装置９０は、はんだボール保持部２４内へ配管９２を介して送り込む空気量を調整することで、プレート２２の穴２６に保持されたはんだボール２０の上側の空気圧力を調整する。この構成によれば、圧力調整装置９０の空気圧力の調整により、プレート２２の穴２６に保持されたはんだボール２０の下面がリードフレームの上面に接する圧力を調整でき、リードフレームの上面に供給するはんだの量を調整することができる。 As shown in FIG. 5, the die bonding device may further include a pressure adjusting device 90 for adjusting the air pressure on the upper side of the solder ball 20 held in the hole 26 of the plate 22 of the solder ball holding portion 24. The control unit 34 controls the pressure adjusting device 90, and the pressure adjusting device 90 adjusts the amount of air sent into the solder ball holding unit 24 via the pipe 92, so that the solder held in the hole 26 of the plate 22 is held. Adjust the air pressure above the ball 20. According to this configuration, by adjusting the air pressure of the pressure adjusting device 90, the pressure at which the lower surface of the solder ball 20 held in the hole 26 of the plate 22 contacts the upper surface of the lead frame can be adjusted and supplied to the upper surface of the lead frame. The amount of solder can be adjusted.

また、図６に示すように、ダイボンディング装置は、はんだボール保持部２４に振動を印加する振動発生装置９６をさらに備える、としてもよい。制御部３４は、振動発生装置９６を制御し、振動発生装置９６は、連結部材９８を介してはんだボール保持部２４を前後あるいは左右、または、それら両方に振動させる。この構成によれば、はんだボール保持部２４の内部において、はんだボール２０がプレート２２の穴２６に入り込むことを促進することができる。 Further, as shown in FIG. 6, the die bonding device may further include a vibration generator 96 that applies vibration to the solder ball holding portion 24. The control unit 34 controls the vibration generator 96, and the vibration generator 96 vibrates the solder ball holding unit 24 back and forth, left and right, or both of them via the connecting member 98. According to this configuration, it is possible to promote the solder balls 20 to enter the holes 26 of the plate 22 inside the solder ball holding portion 24.

また、振動発生装置９６により、はんだボール保持部２４に印加する振動の量を調整することで、はんだボール２０がリードフレームの上面で溶融する速度を調整するようにしてもよい。この構成によれば、振動発生装置９６の振動量の調整により、リードフレームの上面に供給するはんだの量を調整することができる。 Further, the vibration generator 96 may adjust the amount of vibration applied to the solder ball holding portion 24 to adjust the speed at which the solder balls 20 melt on the upper surface of the lead frame. According to this configuration, the amount of solder supplied to the upper surface of the lead frame can be adjusted by adjusting the vibration amount of the vibration generator 96.

また、図７に示すように、ダイボンディング装置は、はんだボール保持部のプレート２２を加熱するヒータ６４（第２のヒータとも言う）をさらに備える、としてもよい。ヒータ６４は、プレート２２内に埋設されており、制御部３４により制御される。この構成によれば、ヒータ６４によりプレート２２を加熱することで、はんだボール２０が溶融しやすくなり、はんだをリードフレーム１６の上面７０に落とす速度を速くすることができる。そのため、生産性を向上させることができる。 Further, as shown in FIG. 7, the die bonding apparatus may further include a heater 64 (also referred to as a second heater) for heating the plate 22 of the solder ball holding portion. The heater 64 is embedded in the plate 22 and is controlled by the control unit 34. According to this configuration, by heating the plate 22 by the heater 64, the solder balls 20 are easily melted, and the speed at which the solder is dropped on the upper surface 70 of the lead frame 16 can be increased. Therefore, productivity can be improved.

また、図８に示すように、ダイボンディング装置は、はんだボール保持部２４内にシャッター８６（仕切り板）を備える、としてもよい。シャッター８６は、制御部３４により制御され、シャッター８６を閉じた状態（図８参照）で、はんだボール保持部２４内に仕切りが形成され、シャッター８６を開くこと（不図示）で、シャッター８６より上にあるはんだボール２０ｂがプレート２２の上面に向かって落ちる。シャッター８６は、リードフレームの上面に溶融させるはんだボール２０ａと、次以降のリードフレームの上面に溶融させるはんだボール２０ｂとを仕切って、それらの間の熱電導を断つ（断熱する）。この構成によれば、リードフレームの上面にはんだボール２０ａを溶融させている間に、次以降のリードフレームの上面に溶融させるはんだボール２０ｂがはんだボール保持部２４内で溶融してしまうことを抑制することができる。 Further, as shown in FIG. 8, the die bonding apparatus may include a shutter 86 (partition plate) in the solder ball holding portion 24. The shutter 86 is controlled by the control unit 34, and when the shutter 86 is closed (see FIG. 8), a partition is formed in the solder ball holding unit 24, and the shutter 86 is opened (not shown) from the shutter 86. The upper solder ball 20b falls toward the upper surface of the plate 22. The shutter 86 partitions the solder balls 20a to be melted on the upper surface of the lead frame and the solder balls 20b to be melted on the upper surface of the next and subsequent lead frames, and cuts off (insulates) the heat conduction between them. According to this configuration, while the solder balls 20a are melted on the upper surface of the lead frame, it is possible to prevent the solder balls 20b to be melted on the upper surface of the next and subsequent lead frames from melting in the solder ball holding portion 24. can do.

１０ ボンディング装置（ダイボンディング装置）、１４ 半導体ダイ、１６ リードフレーム（被実装部材）、１８ 溶融はんだ（はんだ）、２０，２０ａ，２０ｂ はんだボール、２１ 下面、２２ プレート、２４ はんだボール保持部、２６ 穴、２７，２７ａ，２７ｂ 穴群、２８ 昇降機構、３０ ヒータ（第１のヒータ）、３２ ヘッド、３４ 制御部、３６ はんだボール供給部、３８ ガイドレール、４０ 開口窓、４２ シャッター窓、 ４４ 供給口、４６ 扉、５０ 上面、５２ 下面、５４ 入口、５６ 出口、５８ マスクパターン、６４ ヒータ（第２のヒータ）、７０ 上面、８０ 密閉チャンバ、８２ フォーミングガス、８６ シャッター、９０ 圧力調整装置、９２ 配管、９６ 振動発生装置、９８ 連結部材。
10 Bonding device (die bonding device), 14 semiconductor die, 16 lead frame (mounted member), 18 molten solder (solder), 20, 20a, 20b solder ball, 21 bottom surface, 22 plate, 24 solder ball holder, 26 Holes, 27, 27a, 27b Hole group, 28 elevating mechanism, 30 heater (first heater), 32 head, 34 control unit, 36 solder ball supply unit, 38 guide rail, 40 opening window, 42 shutter window, 44 supply Door, 46 doors, 50 top surface, 52 bottom surface, 54 inlet, 56 outlet, 58 mask pattern, 64 heater (second heater), 70 top surface, 80 closed chamber, 82 forming gas, 86 shutter, 90 pressure regulator, 92 Piping, 96 vibration generator, 98 connecting members.

Claims (9)

半導体ダイを被実装部材にはんだを用いて接合するボンディング装置であって、
はんだボールの一部を下面から露出させるとともに、溶融した前記はんだボールを通過させる穴が底に形成されたはんだボール保持部と、
前記はんだボール保持部を昇降させて前記はんだボールの一部を前記被実装部材に接触させる昇降機構と、
前記被実装部材を加熱する熱によって前記はんだボールを前記被実装部材に溶融させるヒータとを備え、
前記はんだボール保持部には、複数の前記穴が、前記被実装部材の上面に塗布するはんだのパターンに従って形成されている、
ことを特徴とするボンディング装置。A bonding device that joins semiconductor dies to mounted members using solder.
A solder ball holding portion having a hole formed in the bottom for allowing a part of the solder ball to be exposed from the lower surface and allowing the molten solder ball to pass through, and a solder ball holding portion.
An elevating mechanism that raises and lowers the solder ball holding portion to bring a part of the solder ball into contact with the mounted member.
A heater for melting the solder balls into the mounted member by heat for heating the mounted member is provided.
A plurality of holes are formed in the solder ball holding portion according to a pattern of solder applied to the upper surface of the mounted member.
A bonding device characterized by that. 請求項１に記載のボンディング装置において、
前記はんだボール保持部は、上面に前記はんだボールが供給されるプレートを底に備え、前記穴は、前記プレートに形成されており、
前記穴は、前記プレートの上面に形成された入口が前記はんだボールの直径より大きく、前記プレートの下面に形成された出口が前記はんだボールの直径以下であるスロート状である、
ことを特徴とするボンディング装置。In the bonding apparatus according to claim 1,
The solder ball holding portion has a plate on the upper surface to which the solder balls are supplied at the bottom, and the holes are formed in the plate.
The hole has a throat shape in which the inlet formed on the upper surface of the plate is larger than the diameter of the solder ball and the outlet formed on the lower surface of the plate is smaller than the diameter of the solder ball.
A bonding device characterized by that. （削除）(delete) 請求項２に記載のボンディング装置において、
前記はんだボール保持部の前記プレートの前記穴に保持された前記はんだボールの上側の空気圧力を調整する圧力調整装置を、さらに備え、
前記圧力調整装置により前記空気圧力を調整することにより、前記はんだボールの下面が前記被実装部材の上面に接する圧力を調整する、
ことを特徴とするボンディング装置。In the bonding apparatus according to claim 2,
A pressure adjusting device for adjusting the air pressure on the upper side of the solder ball held in the hole of the plate of the solder ball holding portion is further provided.
By adjusting the air pressure with the pressure adjusting device, the pressure at which the lower surface of the solder ball comes into contact with the upper surface of the mounted member is adjusted.
A bonding device characterized by that. 請求項１または２に記載のボンディング装置において、
前記はんだボール保持部に振動を印加する振動発生装置を、さらに備える、
ことを特徴とするボンディング装置。In the bonding apparatus according to claim 1 or 2,
A vibration generator that applies vibration to the solder ball holding portion is further provided.
A bonding device characterized by that. 請求項５に記載のボンディング装置において、
前記振動発生装置により印加する前記振動の量を調整することで、前記はんだボールが前記被実装部材の上面で溶融する速度を調整する、
ことを特徴とするボンディング装置。In the bonding apparatus according to claim 5,
By adjusting the amount of the vibration applied by the vibration generator, the speed at which the solder balls melt on the upper surface of the mounted member is adjusted.
A bonding device characterized by that. 請求項２に記載のボンディング装置において、
前記はんだボール保持部の前記プレートを加熱する第２のヒータを、さらに備える、
ことを特徴とするボンディング装置。In the bonding apparatus according to claim 2,
A second heater for heating the plate of the solder ball holding portion is further provided.
A bonding device characterized by that. 請求項１に記載のボンディング装置において、
フォーミングガスが供給された密閉チャンバを、さらに備え、
前記密閉チャンバの中に、前記被実装部材が搬送されて、前記密閉チャンバの中で前記被実装部材の上面に前記はんだボールが溶融される、
ことを特徴とするボンディング装置。In the bonding apparatus according to claim 1,
Further equipped with a closed chamber supplied with forming gas,
The mounted member is conveyed into the closed chamber, and the solder balls are melted on the upper surface of the mounted member in the closed chamber.
A bonding device characterized by that. 半導体ダイを被実装部材にはんだを用いて接合するボンディング装置であって、
はんだボールの一部を下面から露出させるとともに、溶融した前記はんだボールを通過させる穴が底に形成されたはんだボール保持部と、
前記はんだボール保持部を昇降させて前記はんだボールの一部を前記被実装部材に接触させる昇降機構と、
前記被実装部材を加熱する熱によって前記はんだボールを前記被実装部材に溶融させるヒータと、を備え、
前記はんだボール保持部は、上面に前記はんだボールが供給されるプレートを底に備え、前記穴は、前記プレートに形成されており、
前記穴は、前記プレートの上面に形成された入口が前記はんだボールの直径より大きく、前記プレートの下面に形成された出口が前記はんだボールの直径以下であるスロート状である、
ことを特徴とするボンディング装置。A bonding device that joins semiconductor dies to mounted members using solder.
A solder ball holding portion having a hole formed in the bottom for allowing a part of the solder ball to be exposed from the lower surface and allowing the molten solder ball to pass through, and a solder ball holding portion.
An elevating mechanism that raises and lowers the solder ball holding portion to bring a part of the solder ball into contact with the mounted member.
A heater for melting the solder balls into the mounted member by heat for heating the mounted member is provided.
The solder ball holding portion has a plate on the upper surface to which the solder balls are supplied at the bottom, and the holes are formed in the plate.
The hole has a throat shape in which the inlet formed on the upper surface of the plate is larger than the diameter of the solder ball and the outlet formed on the lower surface of the plate is smaller than the diameter of the solder ball.
A bonding device characterized by that.
JP2020568164A 2019-01-21 2020-01-21 Bonding equipment Active JP7079529B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019007594 2019-01-21
JP2019007594 2019-01-21
PCT/JP2020/001971 WO2020153366A1 (en) 2019-01-21 2020-01-21 Bonding device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020153366A1 JPWO2020153366A1 (en) 2021-09-30
JP7079529B2 true JP7079529B2 (en) 2022-06-02

Family

ID=71736421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020568164A Active JP7079529B2 (en) 2019-01-21 2020-01-21 Bonding equipment

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7079529B2 (en)
TW (1) TWI745840B (en)
WO (1) WO2020153366A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112992699B (en) * 2021-02-01 2024-03-22 上海易卜半导体有限公司 Semiconductor packaging method, semiconductor assembly and electronic device comprising semiconductor assembly

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010106721A1 (en) 2009-03-19 2010-09-23 パナソニック株式会社 Solder ball mounting apparatus, solder ball mounting method and metal ball mounting apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11214414A (en) * 1998-01-23 1999-08-06 Rohm Co Ltd Manufacture of semiconductor ic
JP5771466B2 (en) * 2011-07-12 2015-09-02 ファスフォードテクノロジ株式会社 Die bonder and die bonder supply method
JP6420551B2 (en) * 2014-02-13 2018-11-07 エイブリック株式会社 Lead frame and manufacturing method of semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010106721A1 (en) 2009-03-19 2010-09-23 パナソニック株式会社 Solder ball mounting apparatus, solder ball mounting method and metal ball mounting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020153366A1 (en) 2021-09-30
TW202101635A (en) 2021-01-01
TWI745840B (en) 2021-11-11
WO2020153366A1 (en) 2020-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100979471B1 (en) Bonding apparatus, and bonding method
US6427898B2 (en) Solder bump forming method and apparatus
TWI279275B (en) Ultrasonic agitation of solder during reflow
JP7079529B2 (en) Bonding equipment
US20060043154A1 (en) Methods and apparatus for placing substrates in contact with molten solder
JPH04354135A (en) Method and device for forming bump
CN107347232A (en) Surface mount method, SMT printed steel mesh and the wafer mounting apparatus of fixed wafer
CN107346748A (en) The surface mount method and SMT wafer mounting apparatus of fixed wafer
JP6150205B2 (en) Method and apparatus for supplying flux-free solder to a substrate
JP2007311653A (en) Solder coating method, solder coating unit, and die bonder
CN105655260A (en) Micro interconnected protruding point preparing method and device
WO2021220649A1 (en) Solder pre-coat forming apparatus and mounting substrate manufacturing apparatus
JP4974818B2 (en) Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus
JP2000012567A (en) Junction material supply method of die bonder and its device
JPH10175064A (en) Soldering method and solder used therefor
JP2018094595A (en) Solder processing device
JP4338325B2 (en) Bump bonding equipment
JP2006100492A (en) Fixing method of electronic component onto support plate
JPH11274184A (en) Apparatus for feeding solder to chip bonder
JPS61263230A (en) Pellet attaching method and device
JPH09129655A (en) Pellet bonding method and device
JP2000332041A (en) Mounting substrate manufacturing method and manufacturing equipment
US6884708B2 (en) Method of partially plating substrate for electronic devices
JP2020089902A (en) Soldering device and soldering method
JPH104099A (en) Method and apparatus for forming bumps

Legal Events

Date Code Title Description
A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527

Effective date: 20210420

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210420

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220419

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220516

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7079529

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150