JP7075814B2 - 基板保持装置、基板研磨装置、弾性部材および基板保持装置の製造方法 - Google Patents
基板保持装置、基板研磨装置、弾性部材および基板保持装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7075814B2 JP7075814B2 JP2018097314A JP2018097314A JP7075814B2 JP 7075814 B2 JP7075814 B2 JP 7075814B2 JP 2018097314 A JP2018097314 A JP 2018097314A JP 2018097314 A JP2018097314 A JP 2018097314A JP 7075814 B2 JP7075814 B2 JP 7075814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- area
- substrate
- elastic film
- line
- top ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
に関する。
特許文献1には、メンブレンに基板が吸着されたか否かを判定する基板吸着判定方法が開示されている。この方法では、メンブレンに上向きの凸部が設けられる。そして、基板が吸着されないときには、トップリング本体の下面とメンブレンの凸部と間の隙間があり、基板が吸着されると、基板がメンブレンを上方に押圧することによってメンブレンの凸部がトップリング本体の下面に接触して隙間がなくなることを利用している。
図1は、基板研磨装置を含む基板処理装置の概略上面図である。本基板処理装置は、直径300mmあるいは450mmの半導体ウエハ、フラットパネル、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)やCCD(Charge Coupled Device)などのイメージセンサ、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)における磁性膜の製造工
程などにおいて、種々の基板を処理するものである。
FOUPは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
図4および図5は、搬送機構600bからトップリング1への基板受け渡しを詳しく説明する図である。図4は搬送機構600bおよびトップリング1を側方から見た図であり、図5はこれらを上方から見た図である。
その後、搬送機構600bは下降する(図4(c))。
図6Aは、第1の実施形態におけるトップリング1および圧力制御装置7の構造を模式的に示す断面図である。メンブレン13には、トップリング本体11に向かって上方に延びる周壁13a~13eが形成されている。これら周壁13a~13eにより、メンブレン13の上面とトップリング本体11の下面との間に、周壁13a~13eによって区切られた同心円状のエリア131~135が形成される。なお、メンブレン13の下面には孔が形成されていないのが望ましい。
上記第1の実施形態においては、判定エリア133を流通する流体の流量を流量計FSで直接測定しているが、流量に従って測定値が変化する測定器を用いて他の物理量を測定してもよい。そこで、次に説明する第2の実施形態では、流量計FSに代えて圧力計を用いる例を示す。
なお、判定エリア133と連通する流路150に圧力計PSを設けてもよい。
7 圧力制御装置
71 制御部
72 圧力調整器
73 判定部
11 トップリング本体
11a 凹部
11b 溝
11c 凸部
12 リテーナリング
13 メンブレン
131~135 エリア
141~145,150 流路
90 凹部
91,191,291,391,491 弾性部材
191a,191b,291a,291b 水平面
191c 鉛直面
191d スリット
291c 傾斜面
391a 流体収容部
392 流路
491a 凸部
92 凸部
FS 流量計
PS 圧力計
Claims (9)
- トップリング本体と、
前記トップリング本体との間に複数のエリアを形成する第1面と、前記第1面とは反対側にあって基板を保持可能な第2面と、を有する弾性膜と、
前記複数のエリアのうちの第1エリアに連通し、前記第1エリアを加圧することが可能な第1ラインと、
前記第1エリアに連通し、前記第1エリアから排気することが可能な第2ラインと、
前記第1エリアの流量に基づいて測定値が変化する測定器と、
前記複数のエリアのうちの前記第1エリアとは異なる第2エリアに連通し、前記第2エリアを減圧することが可能な第3ラインと、
前記第1ラインと前記第2ラインとの間において、前記弾性膜の第2面が基板を保持していない場合には前記弾性膜の第1面と離間しており、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面と接触するように設けられた弾性部材と、を備え、
前記弾性部材には、前記第1ライン側が開口したスリットが形成される、基板保持装置。 - トップリング本体と、
前記トップリング本体との間に複数のエリアを形成する第1面と、前記第1面とは反対側にあって基板を保持可能な第2面と、を有する弾性膜と、
前記複数のエリアのうちの第1エリアに連通し、前記第1エリアを加圧することが可能な第1ラインと、
前記第1エリアに連通し、前記第1エリアから排気することが可能な第2ラインと、
前記第1エリアの流量に基づいて測定値が変化する測定器と、
前記複数のエリアのうちの前記第1エリアとは異なる第2エリアに連通し、前記第2エリアを減圧することが可能な第3ラインと、
前記第1ラインと前記第2ラインとの間において、前記弾性膜の第2面が基板を保持していない場合には前記弾性膜の第1面と離間しており、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面と接触するように設けられた弾性部材と、を備え、
前記弾性部材は、
前記弾性膜と略平行であり、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面と接触する第3面と、
前記弾性膜と略平行であり、前記第1面とは離間して前記弾性膜の反対側に位置する第4面と、
前記第3面の前記第2ライン側と、前記第4面の前記第2ライン側と、を接続する第5面と、を有する、基板保持装置。 - トップリング本体と、
前記トップリング本体との間に複数のエリアを形成する第1面と、前記第1面とは反対側にあって基板を保持可能な第2面と、を有する弾性膜と、
前記複数のエリアのうちの第1エリアに連通し、前記第1エリアを加圧することが可能な第1ラインと、
前記第1エリアに連通し、前記第1エリアから排気することが可能な第2ラインと、
前記第1エリアの流量に基づいて測定値が変化する測定器と、
前記複数のエリアのうちの前記第1エリアとは異なる第2エリアに連通し、前記第2エリアを減圧することが可能な第3ラインと、
前記第1ラインと前記第2ラインとの間において、前記弾性膜の第2面が基板を保持していない場合には前記弾性膜の第1面と離間しており、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面と接触するように設けられた弾性部材と、を備え、
前記弾性部材は中空である、基板保持装置。 - トップリング本体と、
前記トップリング本体との間に複数のエリアを形成する第1面と、前記第1面とは反対側にあって基板を保持可能な第2面と、を有する弾性膜と、
前記複数のエリアのうちの第1エリアに連通し、前記第1エリアを加圧することが可能な第1ラインと、
前記第1エリアに連通し、前記第1エリアから排気することが可能な第2ラインと、
前記第1エリアの流量に基づいて測定値が変化する測定器と、
前記複数のエリアのうちの前記第1エリアとは異なる第2エリアに連通し、前記第2エリアを減圧することが可能な第3ラインと、
前記第1ラインと前記第2ラインとの間において、前記弾性膜の第2面が基板を保持していない場合には前記弾性膜の第1面と離間しており、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面と接触するように設けられた弾性部材と、を備え、
前記弾性部材は、
前記弾性膜と略平行であり、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面の前記凸部と接触する第3面と、
前記弾性膜と略平行であり、前記第1面とは離間して前記弾性膜の反対側に位置する第4面と、
前記第3面と前記第4面とを、前記第3面とは直交しない方向に接続する傾斜面と、を有する、基板保持装置。 - トップリング本体と、
前記トップリング本体との間に複数のエリアを形成する第1面と、前記第1面とは反対側にあって基板を保持可能な第2面と、を有する弾性膜と、
前記複数のエリアのうちの第1エリアに連通し、前記第1エリアを加圧することが可能な第1ラインと、
前記第1エリアに連通し、前記第1エリアから排気することが可能な第2ラインと、
前記第1エリアの流量に基づいて測定値が変化する測定器と、
前記複数のエリアのうちの前記第1エリアとは異なる第2エリアに連通し、前記第2エリアを減圧することが可能な第3ラインと、
前記第1ラインと前記第2ラインとの間において、前記弾性膜の第2面が基板を保持していない場合には前記弾性膜の第1面と離間しており、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面と接触するように設けられた弾性部材と、を備え、
前記弾性部材は、流体収容部を形成し、
前記流体収容部に流体を供給することで、前記弾性部材の少なくとも一部は、前記弾性膜に近づく、基板保持装置。 - トップリング本体と、
前記トップリング本体との間に複数のエリアを形成する第1面と、前記第1面とは反対側にあって基板を保持可能な第2面と、を有する弾性膜と、
前記複数のエリアのうちの第1エリアに連通し、前記第1エリアを加圧することが可能な第1ラインと、
前記第1エリアに連通し、前記第1エリアから排気することが可能な第2ラインと、
前記第1エリアの流量に基づいて測定値が変化する測定器と、
前記複数のエリアのうちの前記第1エリアとは異なる第2エリアに連通し、前記第2エリアを減圧することが可能な第3ラインと、
前記第1ラインと前記第2ラインとの間において、前記弾性膜の第2面が基板を保持していない場合には前記弾性膜の第1面と離間しており、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面と接触するように設けられた弾性部材と、を備え、
前記弾性部材には、前記弾性膜の第1面と対向する位置に凸部が設けられる、基板保持装置。 - トップリング本体と、
前記トップリング本体との間に複数のエリアを形成する第1面と、前記第1面とは反対側にあって基板を保持可能な第2面と、を有する弾性膜と、
前記複数のエリアのうちの第1エリアに連通し、前記第1エリアを加圧することが可能な第1ラインと、
前記第1エリアに連通し、前記第1エリアから排気することが可能な第2ラインと、
前記第1エリアの流量に基づいて測定値が変化する測定器と、
前記複数のエリアのうちの前記第1エリアとは異なる第2エリアに連通し、前記第2エリアを減圧することが可能な第3ラインと、
前記第1ラインと前記第2ラインとの間において、前記弾性膜の第2面が基板を保持していない場合には前記弾性膜の第1面と離間しており、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面と接触するように設けられた弾性部材と、を備え、
前記弾性部材の材料は、NBR、シリコンゴム、EPDM、フッ素ゴム、クロロプレン、ウレタンゴムのいずれかである、基板保持装置。 - 前記弾性膜の第1面には、前記弾性部材と対向する位置に凸部が設けられる、請求項1乃至7のいずれかに記載の基板保持装置。
- トップリング本体と、
前記トップリング本体との間に複数のエリアを形成する第1面と、前記第1面とは反対側にあって基板を保持可能な第2面と、を有する弾性膜と、
前記複数のエリアのうちの第1エリアに連通し、前記第1エリアを加圧することが可能な第1ラインと、
前記第1エリアに連通し、前記第1エリアから排気することが可能な第2ラインと、
前記第1エリアの流量に基づいて測定値が変化する測定器と、
前記複数のエリアのうちの前記第1エリアとは異なる第2エリアに連通し、前記第2エリアを減圧することが可能な第3ラインと、
前記第1ラインと前記第2ラインとの間において、前記弾性膜の第2面が基板を保持していない場合には前記弾性膜の第1面と離間しており、前記弾性膜の第2面が基板を保持した場合には前記弾性膜の第1面と接触するように設けられた弾性部材と、を備える基板保持装置と、
前記基板保持装置に保持された基板を研磨するように構成された研磨テーブルと、を備える基板研磨装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018097314A JP7075814B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | 基板保持装置、基板研磨装置、弾性部材および基板保持装置の製造方法 |
KR1020190057945A KR20190132929A (ko) | 2018-05-21 | 2019-05-17 | 기판 보유 지지 장치, 기판 연마 장치, 탄성 부재 및 기판 보유 지지 장치의 제조 방법 |
TW108117251A TW202004978A (zh) | 2018-05-21 | 2019-05-20 | 基板保持裝置、基板研磨裝置、彈性構件及基板保持裝置之製造方法 |
CN201910420608.2A CN110509179B (zh) | 2018-05-21 | 2019-05-20 | 基板保持装置、基板研磨装置、弹性构件以及基板保持装置的制造方法 |
US16/418,537 US20190375070A1 (en) | 2018-05-21 | 2019-05-21 | Substrate holding apparatus, substrate polishing apparatus, elastic member, and manufacturing method of substrate holding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018097314A JP7075814B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | 基板保持装置、基板研磨装置、弾性部材および基板保持装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019202361A JP2019202361A (ja) | 2019-11-28 |
JP7075814B2 true JP7075814B2 (ja) | 2022-05-26 |
Family
ID=68622718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018097314A Active JP7075814B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | 基板保持装置、基板研磨装置、弾性部材および基板保持装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190375070A1 (ja) |
JP (1) | JP7075814B2 (ja) |
KR (1) | KR20190132929A (ja) |
CN (1) | CN110509179B (ja) |
TW (1) | TW202004978A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11302557B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic clamping system and method |
USD989012S1 (en) | 2020-09-17 | 2023-06-13 | Ebara Corporation | Elastic membrane |
WO2023233681A1 (ja) * | 2022-06-02 | 2023-12-07 | ミクロ技研株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨処理装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009033197A (ja) | 1996-11-08 | 2009-02-12 | Applied Materials Inc | 化学的機械研磨システムのための可撓膜を有する支持ヘッド |
JP2017205853A (ja) | 2016-05-13 | 2017-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 弾性膜、基板保持装置、基板研磨装置、基板保持装置における基板吸着判定方法および圧力制御方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW400567B (en) * | 1995-04-10 | 2000-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | The polishing device and its polishing method for the substrate |
JP3705670B2 (ja) * | 1997-02-19 | 2005-10-12 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び方法 |
JP5112614B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2013-01-09 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置および研磨装置 |
DE202007007721U1 (de) * | 2007-05-31 | 2007-08-09 | Jonas & Redmann Automationstechnik Gmbh | Greifer, insbesondere Bernoulli-Greifer |
DE202008003610U1 (de) * | 2008-03-16 | 2008-05-21 | Jonas & Redmann Automationstechnik Gmbh | Transportbandsystem mit mindestens einem Transportband zum Transportieren von flachem Transportgut, insbesondere von Substraten wie Siliziumwafer und Solarzellen |
JP5488037B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2014-05-14 | 村田機械株式会社 | 移載装置及びワーク載置装置 |
EP2585393A4 (en) * | 2010-06-22 | 2015-06-24 | J L Souser & Associates Inc | METHOD AND SYSTEM FOR RE-POSITIONING A FLEXIBLE SUBSTRATE |
CN102416597A (zh) * | 2010-09-28 | 2012-04-18 | 旭硝子株式会社 | 基板的研磨装置及基板的研磨方法 |
JP5807580B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2015-11-10 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
KR20140090726A (ko) * | 2012-12-26 | 2014-07-18 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 이송장치 |
JP2016134881A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | 株式会社日立製作所 | ネットワークシステム |
SG10201606197XA (en) * | 2015-08-18 | 2017-03-30 | Ebara Corp | Substrate adsorption method, substrate holding apparatus, substrate polishing apparatus, elastic film, substrate adsorption determination method for substrate holding apparatus, and pressure control method for substrate holding apparatus |
KR101786484B1 (ko) * | 2016-06-13 | 2017-10-18 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 장치용 연마 헤드 및 그 제어 방법 |
-
2018
- 2018-05-21 JP JP2018097314A patent/JP7075814B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-17 KR KR1020190057945A patent/KR20190132929A/ko unknown
- 2019-05-20 CN CN201910420608.2A patent/CN110509179B/zh active Active
- 2019-05-20 TW TW108117251A patent/TW202004978A/zh unknown
- 2019-05-21 US US16/418,537 patent/US20190375070A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009033197A (ja) | 1996-11-08 | 2009-02-12 | Applied Materials Inc | 化学的機械研磨システムのための可撓膜を有する支持ヘッド |
JP2017205853A (ja) | 2016-05-13 | 2017-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 弾性膜、基板保持装置、基板研磨装置、基板保持装置における基板吸着判定方法および圧力制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190132929A (ko) | 2019-11-29 |
JP2019202361A (ja) | 2019-11-28 |
US20190375070A1 (en) | 2019-12-12 |
CN110509179A (zh) | 2019-11-29 |
CN110509179B (zh) | 2023-03-10 |
TW202004978A (zh) | 2020-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11472000B2 (en) | Substrate adsorption method, substrate holding apparatus, substrate polishing apparatus, elastic film, substrate adsorption determination method for substrate holding apparatus, and pressure control method for substrate holding apparatus | |
JP6633175B2 (ja) | 基板保持装置及び弾性膜 | |
JP7075814B2 (ja) | 基板保持装置、基板研磨装置、弾性部材および基板保持装置の製造方法 | |
CN110815034B (zh) | 研磨晶片的方法 | |
JP6407803B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR20010051781A (ko) | 기판 감지기를 가지는 캐리어 헤드 | |
JP2011258925A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体 | |
US10464185B2 (en) | Substrate polishing method, top ring, and substrate polishing apparatus | |
JP2011258924A (ja) | 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体 | |
CN107186617B (zh) | 基板研磨方法、顶环以及基板研磨装置 | |
JP7183223B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102178517B1 (ko) | 기판 보유 지지 장치 및 탄성막 | |
JP2018199192A (ja) | 研磨装置、異常検出方法、およびプログラム | |
JP7117933B2 (ja) | 基板保持装置および基板研磨装置 | |
JP2001121409A (ja) | ウェーハ研磨用ヘッド及びこれを用いた研磨装置 | |
KR20180063612A (ko) | 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 대면적 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220516 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7075814 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |