JP7061187B2 - 荷電粒子線装置、試料加工方法及び観察方法 - Google Patents
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Description
<試料を加工する荷電粒子線装置の構成例>
図1を参照して、第1の実施形態に係る荷電粒子線装置1の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る荷電粒子線装置1を示す概略図である。
次に、図2~5を参照して、本実施形態に係る荷電粒子線装置1による試料の加工方法について説明する。以下において、荷電粒子線装置1のイオンビームカラム101aをFIB装置とし、電子ビームカラム102aをSEM装置としたFIB-SEM装置を用いて、TEM(又はSTEM)用試料を加工する場合を想定する。
次に、図6を参照して、本実施形態に係る試料を観察する荷電粒子線装置の構成について説明する。本実施形態においては、TEM装置6による観察を例として説明する。図6は、本実施形態に係るTEM装置6の概略図である。
次に、図7及び8を参照して、本実施形態に係るTEM装置6による試料の観察方法を説明する。図7は、本実施形態に係る試料の観察方法を示すフローチャートである。図8は、GUI画面653を示す概略図である。
以上のように、本実施形態によれば、試料自体に観察対象の情報を書き込む構成を採用している。このため、観察対象の情報を容易に装置間で共有することができ、装置間の移動が容易となる。また、試料自体に観察対象の情報が書き込まれているため、ユーザーが試料と観察対象の情報を紐づける必要がない。この点は、複数の装置を用いて観察や分析を多角的に行う場合に非常に大きなメリットである。装置間を移動するたびに、ユーザーが観察対象の情報を入力したり、移動させたりすると、その度に情報を取り違う可能性が生じる。しかし、試料自体に観察対象の情報が書き込まれていると、ユーザーの作業は軽減され、情報を取り違える可能性もなくなる。この点は、トレーサビィティーの観点からも非常に優れている。
<試料を観察する荷電粒子線装置の構成例>
図9を参照して、第2の実施形態に係る荷電粒子線装置9の構成について説明する。図9は、第2の実施形態に係る荷電粒子線装置9を示す概略図である。本実施形態における荷電粒子線装置9の構成は、イオンビームカラム101a及びイオンビームカラム制御器131の代わりに、プレス機912及びプレス機制御器942が備わっている点において、第1の実施形態における荷電粒子線装置1と異なる。また、荷電粒子線装置9において、電子ビームカラム102aを垂直配置している。それ以外の構成は、第1の実施形態の荷電粒子線装置1と同様であるため、説明を省略する。
次に、図10を参照して、第2の実施形態に係る荷電粒子線装置9による試料の観察方法について説明する。図10は、本実施形態に係る試料の観察方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る試料の観察方法は、観察対象273を探索して観察後、観察対象の位置を記憶する点で、第1の実施形態と異なっている。
以上のように、本実施形態によれば、観察対象の位置を記憶する構成を採用しているため、一度装置から試料を取り出しても、再度装置に試料を挿入すれば、同じ位置を観察できるように試料を移動させることができる。従って、例えば、定点観察を行いたい場合に特に有効であり、一定時間試料を大気に放置した後の経過観察や、ガス雰囲気化で反応させた後の変化を観察したい場合などに有効である。
101b:イオンビーム
101c:イオンビームカラムの光軸
102a、602a:電子ビームカラム
102b:電子ビーム
102c:電子ビームカラムの光軸
103、903:試料
104:試料ステージ
105、605:試料室
106、107、606、608:荷電粒子検出器
109、609:X線検出器
130、630:統合コンピュータ
131:イオンビームカラム制御器
132、632:電子ビームカラム制御器
134:試料ステージ制御器
136、137、636、638:検出器制御器
139、639:X線検出器制御器
151、651:入力デバイス
152、652:ディスプレイ
153、653:GUI画面
171:クロスポイント
110:マイクロプローブ
113:第2の試料
172、272、272a~272d:観察対象の位置
173、273:観察対象
174、274、274a、274b:書き込み位置
183:支持部材
611:試料交換室
612、912:プレス機
614:TEM用試料ステージ
644:TEM用試料ステージ制御器
642、942:プレス機制御器
284:第1の特徴点
285:第2の特徴点
283a、283b:メッシュ
903a、903b:TEM用試料
903c:SEM用試料
903d:ウエハ
907:ノッチ
Claims (14)
- 試料を加工する荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線装置に挿入された前記試料から観察対象を切り取る切り取り部と、
前記試料から切り取られた前記観察対象を支持部材に載置するプローブと、
前記支持部材に載置された前記観察対象を観察する観察部と、
前記観察対象の情報を取得する制御部と、
前記支持部材の書き込み位置に、前記取得された前記観察対象の情報を書き込む書き込み部と、を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記観察対象の情報は、前記観察対象の位置と前記書き込み位置との位置関係を含むことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2に記載の荷電粒子線装置において、
前記書き込み位置は、前記位置関係の基準位置であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記書き込み部は、荷電粒子線により前記観察対象の情報を前記支持部材に書き込むことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記書き込み部は、前記支持部材に書き込みを行うプレス機を含むことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記観察対象の情報から、前記支持部材に書き込まれるパターンを生成し、
前記観察対象の情報は、前記パターンとして書き込まれることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
表示部をさらに備え、
前記表示部は、前記支持部材に書き込まれる前記観察対象の情報を表示することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を用いて観察対象を観察する荷電粒子線装置において、
前記観察対象が載置され、前記観察対象の情報が書き込み位置に書き込まれた支持部材を載置する試料ステージと、
前記荷電粒子線を用いて前記観察対象を観察する観察部と、
前記観察対象の情報を読み取る制御部と、
前記観察された前記観察対象の新たな情報を書き込む書き込み部と、を備え、
前記観察部は、前記支持部材の書き込み位置に書き込まれた前記観察対象の情報を観察し、
前記制御部は、前記観察対象の情報から、前記観察対象の位置と前記書き込み位置との位置関係を読み取り、
前記試料ステージは、前記位置関係に基づいて、前記観察対象を前記荷電粒子線の照射位置に移動させ、
前記観察部は、前記観察対象を観察し、
前記書き込み部は、前記観察部の観察により得られた前記観察対象の新たな情報を前記支持部材に書き込むことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項8に記載の荷電粒子線装置において、
前記観察部は、前記観察対象の情報を観察する前に、前記観察対象の情報を観察するよりも低い倍率で、前記支持部材に書き込まれた前記観察対象の情報を探索することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項8に記載の荷電粒子線装置において、
表示部をさらに備え、
前記表示部は、前記観察部により観察された前記観察対象の情報を表示することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線装置を用いて試料を加工する方法において、
前記荷電粒子線装置に前記試料を挿入するステップと、
前記試料から観察対象を切り取るステップと、
前記荷電粒子線装置に支持部材を挿入するステップと、
前記支持部材に前記観察対象を載置するステップと、
前記支持部材に載置された前記観察対象を観察するステップと、
前記観察対象の情報を取得するステップと、
前記支持部材の書き込み位置に、前記取得された前記観察対象の情報を書き込むステップと、を備えることを特徴とする加工方法。 - 請求項11に記載の加工方法において、
前記書き込むステップの後、前記支持部材を移動させるステップをさらに備えることを特徴とする加工方法。 - 荷電粒子線装置を用いて観察対象を観察する観察方法において、
前記観察対象が載置された支持部材を前記荷電粒子線装置に挿入するステップと、
前記支持部材の書き込み位置に書き込まれた前記観察対象の情報を観察するステップと、
前記観察対象の情報から、前記観察対象の位置を判断するステップと、
前記判断された前記観察対象の位置を観察できるように前記支持部材を移動するステップと、
前記観察対象を観察するステップと、
前記観察により得られた前記観察対象の新たな情報を前記支持部材に書き込むステップと、を備えることを特徴とする観察方法。 - 請求項13に記載の観察方法において、
前記観察対象の情報は、前記観察対象の位置と、前記観察対象の情報が書き込まれた前記支持部材上の位置との位置関係を含むことを特徴とする観察方法。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7059402B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2022-04-25 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置及びその制御方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001332205A (ja) | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置 |
JP2004325136A (ja) | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Sii Nanotechnology Inc | 識別機能を備えたtem試料及びtem試料加工用集束イオンビーム装置並びに透過型電子顕微鏡 |
JP2008270073A (ja) | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Sii Nanotechnology Inc | 三次元画像構築方法 |
JP2011076960A (ja) | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡における薄膜試料位置認識装置 |
JP2015204296A (ja) | 2014-04-14 | 2015-11-16 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 大容量temグリッド |
JP2017500722A (ja) | 2013-11-11 | 2017-01-05 | ハワード ヒューズ メディカル インスティチュート | ワークピース搬送および配置装置 |
US9564291B1 (en) | 2014-01-27 | 2017-02-07 | Mochii, Inc. | Hybrid charged-particle beam and light beam microscopy |
US20170169989A1 (en) | 2015-12-10 | 2017-06-15 | Instituto Mexicano Del Petróleo | Sample holder for scanning electron microscopy (sem) and atomic force microscopy (afm) |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04282545A (ja) | 1991-03-12 | 1992-10-07 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法 |
JPH0636085A (ja) | 1992-05-18 | 1994-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 符号を備えた識別プレートと車両と符号の形成方法 |
JPH1064473A (ja) * | 1996-06-13 | 1998-03-06 | Hitachi Ltd | 試料評価・処理観察システム |
JP2001291483A (ja) | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置用試料保持装置 |
EP1273907A4 (en) * | 2000-11-17 | 2006-08-30 | Ebara Corp | METHOD AND INSTRUMENT FOR WAFER INSPECTION AND ELECTRON BEAM |
JP2004164966A (ja) | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Seiko Instruments Inc | 関連情報をコード化して書き込む機能を備えたtem試料加工用集束イオンビーム装置 |
JP2006156263A (ja) | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料ホルダ、及びそれを用いた分析装置 |
CN101395676B (zh) * | 2006-01-04 | 2012-11-21 | Jpk器具股份有限公司 | 带扫描探针显微镜的测量系统的操作方法及测量系统 |
US8536526B2 (en) * | 2008-12-29 | 2013-09-17 | International Business Machines Corporation | Methods of operating a nanoprober to electrically probe a device structure of an integrated circuit |
JP2011054497A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Sii Nanotechnology Inc | 断面加工観察方法および装置 |
US8148682B2 (en) * | 2009-12-29 | 2012-04-03 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for pattern position and overlay measurement |
US20190287759A1 (en) * | 2014-01-27 | 2019-09-19 | Mochii, Inc. (D/B/A Voxa) | Transmission Electron Microscopy |
NL2013262B1 (en) | 2014-07-25 | 2016-09-09 | Delmic B V | Method for inspecting a sample using an assembly comprising a scanning electron microscope and a light microscope. |
CN109314029B (zh) * | 2016-06-17 | 2020-10-16 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子束装置 |
JP6735645B2 (ja) | 2016-09-28 | 2020-08-05 | 日本電子株式会社 | 観察方法および試料観察装置 |
-
2018
- 2018-05-15 DE DE112018007444.7T patent/DE112018007444T5/de active Pending
- 2018-05-15 US US17/053,296 patent/US11268915B2/en active Active
- 2018-05-15 WO PCT/JP2018/018784 patent/WO2019220543A1/ja active Application Filing
- 2018-05-15 JP JP2020518858A patent/JP7061187B2/ja active Active
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001332205A (ja) | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置 |
JP2004325136A (ja) | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Sii Nanotechnology Inc | 識別機能を備えたtem試料及びtem試料加工用集束イオンビーム装置並びに透過型電子顕微鏡 |
JP2008270073A (ja) | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Sii Nanotechnology Inc | 三次元画像構築方法 |
JP2011076960A (ja) | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡における薄膜試料位置認識装置 |
JP2017500722A (ja) | 2013-11-11 | 2017-01-05 | ハワード ヒューズ メディカル インスティチュート | ワークピース搬送および配置装置 |
US9564291B1 (en) | 2014-01-27 | 2017-02-07 | Mochii, Inc. | Hybrid charged-particle beam and light beam microscopy |
JP2015204296A (ja) | 2014-04-14 | 2015-11-16 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 大容量temグリッド |
US20170169989A1 (en) | 2015-12-10 | 2017-06-15 | Instituto Mexicano Del Petróleo | Sample holder for scanning electron microscopy (sem) and atomic force microscopy (afm) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112189249B (zh) | 2024-05-07 |
US11268915B2 (en) | 2022-03-08 |
WO2019220543A1 (ja) | 2019-11-21 |
CN112189249A (zh) | 2021-01-05 |
JPWO2019220543A1 (ja) | 2021-06-10 |
US20210190703A1 (en) | 2021-06-24 |
DE112018007444T5 (de) | 2021-01-07 |
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