JP7049126B2 - キャパシタ及びその製造方法、並びに導電性高分子分散液 - Google Patents
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Description
本発明は、π共役系導電性高分子を含む固体電解質層を備えたキャパシタ及びその製造方法、並びに導電性高分子分散液に関する。
キャパシタの等価直列抵抗を低下させる目的で、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸を含む導電性高分子分散液から形成された固体電解質層を、誘電体層と陰極との間に配置したキャパシタが知られている（例えば、特許文献１）。
導電性高分子分散液を用いて製造された従来のキャパシタには、その等価直列抵抗をさらに小さくすることが求められている。また、キャパシタの耐熱性の向上も望まれている。
本発明は、等価直列抵抗が従来よりも小さく、耐熱性に優れたキャパシタ及びその製造方法、並びにそのキャパシタの製造に適した導電性高分子分散液を提供する。
本発明は、等価直列抵抗が従来よりも小さく、耐熱性に優れたキャパシタ及びその製造方法、並びにそのキャパシタの製造に適した導電性高分子分散液を提供する。
［１］ π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、下記式（１）で表される化合物と、分散媒とを含有する、導電性高分子分散液。
［２］ 窒素含有芳香族性環式化合物をさらに含有する、［１］に記載の導電性高分子分散液。
［３］ 前記窒素含有芳香族性環式化合物がイミダゾールである、［２］に記載の導電性高分子分散液。
［４］ ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物を、少なくとも１種類さらに含有する［１］から［３］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［５］ 前記π共役系導電性高分子がポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）である、［１］から［４］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［６］ 前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸である、［１］から［５］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［７］ 弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に形成された固体電解質層とを具備し、前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、下記式（１）で表される化合物とを有する、キャパシタ。
［８］ 前記固体電解質層が、窒素含有芳香族性環式化合物をさらに含有する、［７］に記載のキャパシタ。
［９］ 前記窒素含有芳香族性環式化合物がイミダゾールである、［８］に記載のキャパシタ。
［１０］ ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物を、少なくとも１種類さらに含有する［７］から［９］のいずれか一項に記載のキャパシタ。
［１１］ 前記π共役系導電性高分子がポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）である、［７］から［１１］のいずれか一項に記載のキャパシタ。
［１２］ 前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸である、［７］から［１１］のいずれか一項に記載のキャパシタ。
［１３］ 弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層に対向する位置に陰極を配置する工程と、前記誘電体層の表面に［１］から［６］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて固体電解質層を形成する工程とを有する、キャパシタの製造方法。
［２］ 窒素含有芳香族性環式化合物をさらに含有する、［１］に記載の導電性高分子分散液。
［３］ 前記窒素含有芳香族性環式化合物がイミダゾールである、［２］に記載の導電性高分子分散液。
［４］ ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物を、少なくとも１種類さらに含有する［１］から［３］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［５］ 前記π共役系導電性高分子がポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）である、［１］から［４］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［６］ 前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸である、［１］から［５］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［７］ 弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に形成された固体電解質層とを具備し、前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、下記式（１）で表される化合物とを有する、キャパシタ。
［８］ 前記固体電解質層が、窒素含有芳香族性環式化合物をさらに含有する、［７］に記載のキャパシタ。
［９］ 前記窒素含有芳香族性環式化合物がイミダゾールである、［８］に記載のキャパシタ。
［１０］ ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物を、少なくとも１種類さらに含有する［７］から［９］のいずれか一項に記載のキャパシタ。
［１１］ 前記π共役系導電性高分子がポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）である、［７］から［１１］のいずれか一項に記載のキャパシタ。
［１２］ 前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸である、［７］から［１１］のいずれか一項に記載のキャパシタ。
［１３］ 弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層に対向する位置に陰極を配置する工程と、前記誘電体層の表面に［１］から［６］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて固体電解質層を形成する工程とを有する、キャパシタの製造方法。
本発明のキャパシタは、耐熱性に優れ、等価直列抵抗が従来よりも小さいので、電子機器の高性能化に資する。
本発明のキャパシタの製造方法によれば、耐熱性に優れ、等価直列抵抗が小さいキャパシタを容易に製造することができる。
本発明の導電性高分子分散液は、耐熱性に優れ、等価直列抵抗が小さいキャパシタの固体電解質層の形成に好適である。
本発明のキャパシタの製造方法によれば、耐熱性に優れ、等価直列抵抗が小さいキャパシタを容易に製造することができる。
本発明の導電性高分子分散液は、耐熱性に優れ、等価直列抵抗が小さいキャパシタの固体電解質層の形成に好適である。
《キャパシタ》
本発明のキャパシタの一実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態のキャパシタ１０は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１と、弁金属の酸化物からなる誘電体層１２と、誘電体層１２の表面に形成された固体電解質層１４と、最も表側に設けられた陰極１３とを具備する。陰極１３は誘電体層１２及び固体電解質層１４を間に挟んで、陽極１１と反対側に設けられている。
本発明のキャパシタの一実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態のキャパシタ１０は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１と、弁金属の酸化物からなる誘電体層１２と、誘電体層１２の表面に形成された固体電解質層１４と、最も表側に設けられた陰極１３とを具備する。陰極１３は誘電体層１２及び固体電解質層１４を間に挟んで、陽極１１と反対側に設けられている。
陽極１１を構成する弁金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモンなどが挙げられる。これらのうち、アルミニウム、タンタル、ニオブが好適である。
陽極１１の具体例としては、アルミニウム箔をエッチングして表面積を増加させた後、その表面を酸化処理したものや、タンタル粒子やニオブ粒子の焼結体表面を酸化処理してペレットにしたものが挙げられる。このように処理されたものは表面に凹凸が形成された多孔質体となる。
陽極１１の具体例としては、アルミニウム箔をエッチングして表面積を増加させた後、その表面を酸化処理したものや、タンタル粒子やニオブ粒子の焼結体表面を酸化処理してペレットにしたものが挙げられる。このように処理されたものは表面に凹凸が形成された多孔質体となる。
本実施形態における誘電体層１２は、陽極１１の表面が酸化されて形成された層であり、例えば、アジピン酸アンモニウム水溶液などの電解液中にて、金属体の陽極１１の表面を陽極酸化することで形成されたものである。よって、図１に示すように、陽極１１と同様に誘電体層１２にも凹凸が形成されている。
本実施形態における陰極１３としては、導電性ペーストから形成した導電層やアルミニウム箔など、導電物質製の金属層を使用することができる。
本実施形態における固体電解質層１４は、誘電体層１２の表面に形成されている。固体電解質層１４は、誘電体層１２の表面の少なくとも一部を覆っており、誘電体層１２の表面の全部を覆っていてもよい。
固体電解質層１４の厚さは、一定でもよいし、一定でなくてもよく、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さが挙げられる。
固体電解質層１４の厚さは、一定でもよいし、一定でなくてもよく、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さが挙げられる。
固体電解質層１４は、下記式（１）で表される化合物（以下、化合物１と記すことがある。）の１種以上と、後で詳述するπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体とを含有している。
前記式（１）においてｎは、Ｒ２の分子量と、化合物１の水酸基価又は質量平均分子量（Ｍｗ）に応じて適宜設定される。化合物１の水酸基価は例えば、２０～４５０が好ましく、８０～３５０がより好ましく１５０～３００が特に好ましい。化合物１のＭｗは、１２０～２８００が好ましく、１６０～７００がより好ましく、１８０～ ３８０が特に好ましい。
上記の水酸基価は、ＪＩＳ Ｋ １５５７、又はＪＩＳ Ｋ ００７０によって測定される。上記のＭｗは、水酸基価＝［分子中の水酸基の数×５６０００］／Ｍｗの換算式から算出して求められる。
上記の水酸基価は、ＪＩＳ Ｋ １５５７、又はＪＩＳ Ｋ ００７０によって測定される。上記のＭｗは、水酸基価＝［分子中の水酸基の数×５６０００］／Ｍｗの換算式から算出して求められる。
前記式（１）において、Ｒ１は炭素数２～４のアルキレン基は、エチレン基、プロピレン基（－ＣＨ（ＣＨ３）－ＣＨ２－）又はトリメチレン基（－ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２－）であることが好ましい。ここでプロピレン基の左端と右端の向きは区別しない。Ｒ１が複数ある場合、それぞれのＲ１は互いに同じでもよいし、異なっていてもよい。
前記式（１）において、Ｒ２は単結合又は炭素数１～６のアルキレン基であり、前記アルキレン基は、エチレン基、プロピレン基又はトリメチレン基であることが好ましい。ここでプロピレン基の左端と右端の向きは区別しない。
前記式（１）において、Ｒ３はアリール基を表す。アリール基として、フェニル基、ナフチル基などの縮合芳香族環、ビフェニル等が挙げられる。なかでも、本発明の効果をより一層奏する観点から、フェニル基が好ましい。
前記アリール基に結合する任意の１つ以上の水素原子は任意の有機基で置換されていてもよい。前記有機基としては、例えば、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１～２０、好ましくは炭素数１～１０のアルキル基、炭素数２～１０のアルケニル基、フェニル基、ベンジル基、スチレン基（スチレンから任意の水素原子を取った１価の基）が挙げられる。
前記アリール基に結合する任意の１つ以上の水素原子は任意の有機基で置換されていてもよい。前記有機基としては、例えば、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１～２０、好ましくは炭素数１～１０のアルキル基、炭素数２～１０のアルケニル基、フェニル基、ベンジル基、スチレン基（スチレンから任意の水素原子を取った１価の基）が挙げられる。
前記式（１）で表される化合物１の具体例として、例えば、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ポリオキシエチレンモノフェニルエーテル、ポリオキシエチレン（トリベンジル）フェニルエーテル、ポリオキシエチレン（ノニル）フェニルエーテル、ポリオキシエチレン（オクチル）フェニルエーテル、ポリオキシエチレン（スチレン化）フェニルエーテル、ポリオキシエチレンナフチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、ポリエチレングリコールモノベンジルエーテルなどが挙げられる。
キャパシタ製造時の気泡発生を抑制しやすいことから、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ポリオキシエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、ポリエチレングリコールモノベンジルエーテルが好ましい。
キャパシタ製造時の気泡発生を抑制しやすいことから、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ポリオキシエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、ポリエチレングリコールモノベンジルエーテルが好ましい。
固体電解質層１４に含まれる化合物１の合計の含有量は、固体電解質層１４に含まれる後述の導電性複合体１００質量部に対して、１０質量部以上１０００質量部以下が好ましく、１００質量部以上６００質量部以下がより好ましく、１５０質量部以上４００質量部以下がさらに好ましい。
上記範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなり、耐熱性もより向上し易くなるので好ましい。
固体電解質層１４に含まれる化合物１の種類は、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。
上記範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなり、耐熱性もより向上し易くなるので好ましい。
固体電解質層１４に含まれる化合物１の種類は、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。
次に、固体電解質層１４に含有されるπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体について説明する。
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されず、例えば、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリフェニレン系導電性高分子、ポリフェニレンビニレン系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、ポリアセン系導電性高分子、ポリチオフェンビニレン系導電性高分子、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子及びポリアニリン系導電性高分子が好ましく、ポリチオフェン系導電性高分子がより好ましい。
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されず、例えば、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリフェニレン系導電性高分子、ポリフェニレンビニレン系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、ポリアセン系導電性高分子、ポリチオフェンビニレン系導電性高分子、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子及びポリアニリン系導電性高分子が好ましく、ポリチオフェン系導電性高分子がより好ましい。
ポリチオフェン系導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン、ポリ（３－メチルチオフェン）、ポリ（３－エチルチオフェン）、ポリ（３－プロピルチオフェン）、ポリ（３－ブチルチオフェン）、ポリ（３－ヘキシルチオフェン）、ポリ（３－ヘプチルチオフェン）、ポリ（３－オクチルチオフェン）、ポリ（３－デシルチオフェン）、ポリ（３－ドデシルチオフェン）、ポリ（３－オクタデシルチオフェン）、ポリ（３－ブロモチオフェン）、ポリ（３－クロロチオフェン）、ポリ（３－ヨードチオフェン）、ポリ（３－シアノチオフェン）、ポリ（３－フェニルチオフェン）、ポリ（３，４－ジメチルチオフェン）、ポリ（３，４－ジブチルチオフェン）、ポリ（３－ヒドロキシチオフェン）、ポリ（３－メトキシチオフェン）、ポリ（３－エトキシチオフェン）、ポリ（３－ブトキシチオフェン）、ポリ（３－ヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３－ヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３－オクチルオキシチオフェン）、ポリ（３－デシルオキシチオフェン）、ポリ（３－ドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３－オクタデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジヒドロキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジメトキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジエトキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジプロポキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジブトキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジオクチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４－ジドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４－プロピレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４－ブチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３－メチル－４－メトキシチオフェン）、ポリ（３－メチル－４－エトキシチオフェン）、ポリ（３－カルボキシチオフェン）、ポリ（３－メチル－４－カルボキシチオフェン）、ポリ（３－メチル－４－カルボキシエチルチオフェン）、ポリ（３－メチル－４－カルボキシブチルチオフェン）が挙げられる。
ポリピロール系導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリ（Ｎ－メチルピロール）、ポリ（３－メチルピロール）、ポリ（３－エチルピロール）、ポリ（３－ｎ－プロピルピロール）、ポリ（３－ブチルピロール）、ポリ（３－オクチルピロール）、ポリ（３－デシルピロール）、ポリ（３－ドデシルピロール）、ポリ（３，４－ジメチルピロール）、ポリ（３，４－ジブチルピロール）、ポリ（３－カルボキシピロール）、ポリ（３－メチル－４－カルボキシピロール）、ポリ（３－メチル－４－カルボキシエチルピロール）、ポリ（３－メチル－４－カルボキシブチルピロール）、ポリ（３－ヒドロキシピロール）、ポリ（３－メトキシピロール）、ポリ（３－エトキシピロール）、ポリ（３－ブトキシピロール）、ポリ（３－ヘキシルオキシピロール）、ポリ（３－メチル－４－ヘキシルオキシピロール）が挙げられる。
ポリアニリン系導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリ（２－メチルアニリン）、ポリ（３－イソブチルアニリン）、ポリ（２－アニリンスルホン酸）、ポリ（３－アニリンスルホン酸）が挙げられる。
以上で例示したπ共役系導電性高分子の中でも、導電性、耐熱性の点から、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。
π共役系導電性高分子は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
以上で例示したπ共役系導電性高分子の中でも、導電性、耐熱性の点から、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。
π共役系導電性高分子は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
ポリアニオンとは、アニオン基を有するモノマー単位を、分子内に２つ以上有する重合体である。このポリアニオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性を向上させることができる。
ポリアニオンのアニオン基は、スルホ基またはカルボキシ基であることが好ましい。
ポリアニオンの具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリルスルホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸）、ポリイソプレンスルホン酸、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリ（４－スルホブチルメタクリレート）、ポリメタクリルオキシベンゼンスルホン酸等のスルホン酸基を有する高分子や、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチルプロパンカルボン酸）、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等のカルボン酸基を有する高分子が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
これらのポリアニオンのなかでも、導電性をより高くできることから、スルホン酸基を有する高分子が好ましく、ポリスチレンスルホン酸がより好ましい。
ポリアニオンは１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
ポリアニオンの質量平均分子量は２万以上１００万以下であることが好ましく、１０万以上５０万以下であることがより好ましい。
ポリアニオンの質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定し、標準物質をポリスチレンとして求めた値である。
ポリアニオンのアニオン基は、スルホ基またはカルボキシ基であることが好ましい。
ポリアニオンの具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリルスルホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸）、ポリイソプレンスルホン酸、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリ（４－スルホブチルメタクリレート）、ポリメタクリルオキシベンゼンスルホン酸等のスルホン酸基を有する高分子や、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチルプロパンカルボン酸）、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等のカルボン酸基を有する高分子が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
これらのポリアニオンのなかでも、導電性をより高くできることから、スルホン酸基を有する高分子が好ましく、ポリスチレンスルホン酸がより好ましい。
ポリアニオンは１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
ポリアニオンの質量平均分子量は２万以上１００万以下であることが好ましく、１０万以上５０万以下であることがより好ましい。
ポリアニオンの質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定し、標準物質をポリスチレンとして求めた値である。
導電性複合体中の、ポリアニオンの含有割合は、π共役系導電性高分子１００質量部に対して、１質量部以上１０００質量部以下の範囲であることが好ましく、１０質量部以上７００質量部以下の範囲であることがより好ましく、１００質量部以上５００質量部以下の範囲であることがさらに好ましい。ポリアニオンの含有割合が前記下限値以上であると、π共役系導電性高分子へのドーピング効果が強くなる傾向にあり、充分な導電性が得られ易く、さらに導電性高分子分散液における導電性複合体の分散性が高くなる。また、ポリアニオンの含有量が前記上限値以下であると、π共役系導電性高分子の相対的な含有量が多くなり、充分な導電性が得られ易い。
ポリアニオンがπ共役系導電性高分子に配位してドープすることによって導電性複合体が形成される。導電性複合体の導電性及び分散性の向上の観点から、全てのアニオン基がπ共役系導電性高分子にドープするよりも、ドープに寄与しない余剰のアニオン基を有することが好ましい。
固体電解質層１４の総質量に対する導電性複合体の含有量は、１質量％以上９０質量％以下が好ましく、３質量％以上５０質量％以下がより好ましく、５質量％以上３０質量％以下がさらに好ましい。上記の範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなるので好ましい。
固体電解質層１４には、含窒素化合物の１種以上が含有されていてもよい。含窒素化合物が固体電解質層１４に含まれることによって、キャパシタの等価直列抵抗をさらに低減することができる。
前記含窒素化合物として、以下のアミン化合物及び窒素含有芳香族性環式化合物を例示できる。これらのアミン化合物及び窒素含有芳香族性環式化合物の少なくともどちらか一方が固体電解質層１４に含まれると、キャパシタの等価直列抵抗をさらに低減できることがある。
アミン化合物は、アミノ基を有する化合物であり、アミノ基が、ポリアニオンのアニオン基と反応する。
アミン化合物としては、１級アミン、２級アミン、３級アミン、４級アンモニウム塩のいずれであってもよい。また、アミン化合物は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
アミン化合物は、炭素数２以上１２以下の直鎖、もしくは分岐鎖のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基、炭素数７以上１２以下のアラルキル基、炭素数２以上１２以下のアルキレン基、炭素数６以上１２以下のアリーレン基、炭素数７以上１２以下のアラルキレン基、及び炭素数２以上１２以下のオキシアルキレン基から選択される置換基を有していてもよい。
具体的な１級アミンとしては、例えば、アニリン、トルイジン、ベンジルアミン、エタノールアミン等が挙げられる。
具体的な２級アミンとしては、例えば、ジエタノールアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、ジナフチルアミン等が挙げられる。
具体的な３級アミンとしては、例えば、トリエタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、トリナフチルアミン等が挙げられる。
具体的な４級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩、テトラプロピルアンモニウム塩、テトラフェニルアンモニウム塩、テトラベンジルアンモニウム塩、テトラナフチルアンモニウム塩等が挙げられる。アンモニウムの対となる陰イオンとしてはヒドロキシドイオンが挙げられる。
これらアミン化合物のうち、３級アミンが好ましく、トリエチルアミン、トリプロピルアミンがより好ましい。
窒素含有芳香族性環式化合物（少なくとも１つの窒素原子が環構造を形成する芳香族性化合物）としては、例えば、ピロール、イミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－プロピルイミダゾール、Ｎ－メチルイミダゾール、Ｎ－プロピルイミダゾール、Ｎ－ブチルイミダゾール、１－（２－ヒドロキシエチル）イミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、１－アセチルイミダゾール、２－アミノベンズイミダゾール、２－アミノ－１－メチルベンズイミダゾール、２－ヒドロキシベンズイミダゾール、２－（２－ピリジル）ベンズイミダゾール、ピリジン等が挙げられる。
これら窒素含有芳香族性環式化合物のうち、イミダゾールがより好ましい。
アミン化合物は、アミノ基を有する化合物であり、アミノ基が、ポリアニオンのアニオン基と反応する。
アミン化合物としては、１級アミン、２級アミン、３級アミン、４級アンモニウム塩のいずれであってもよい。また、アミン化合物は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
アミン化合物は、炭素数２以上１２以下の直鎖、もしくは分岐鎖のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基、炭素数７以上１２以下のアラルキル基、炭素数２以上１２以下のアルキレン基、炭素数６以上１２以下のアリーレン基、炭素数７以上１２以下のアラルキレン基、及び炭素数２以上１２以下のオキシアルキレン基から選択される置換基を有していてもよい。
具体的な１級アミンとしては、例えば、アニリン、トルイジン、ベンジルアミン、エタノールアミン等が挙げられる。
具体的な２級アミンとしては、例えば、ジエタノールアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、ジナフチルアミン等が挙げられる。
具体的な３級アミンとしては、例えば、トリエタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、トリナフチルアミン等が挙げられる。
具体的な４級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩、テトラプロピルアンモニウム塩、テトラフェニルアンモニウム塩、テトラベンジルアンモニウム塩、テトラナフチルアンモニウム塩等が挙げられる。アンモニウムの対となる陰イオンとしてはヒドロキシドイオンが挙げられる。
これらアミン化合物のうち、３級アミンが好ましく、トリエチルアミン、トリプロピルアミンがより好ましい。
窒素含有芳香族性環式化合物（少なくとも１つの窒素原子が環構造を形成する芳香族性化合物）としては、例えば、ピロール、イミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－プロピルイミダゾール、Ｎ－メチルイミダゾール、Ｎ－プロピルイミダゾール、Ｎ－ブチルイミダゾール、１－（２－ヒドロキシエチル）イミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、１－アセチルイミダゾール、２－アミノベンズイミダゾール、２－アミノ－１－メチルベンズイミダゾール、２－ヒドロキシベンズイミダゾール、２－（２－ピリジル）ベンズイミダゾール、ピリジン等が挙げられる。
これら窒素含有芳香族性環式化合物のうち、イミダゾールがより好ましい。
固体電解質層１４に含まれる前記含窒素化合物の合計の含有量は、固体電解質層１４に含まれる導電性複合体１００質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下が好ましく、５質量部以上３０質量部以下がより好ましく、１０質量部以上２０質量部以下がさらに好ましい。
上記範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなり、耐熱性もより向上し易くなるので好ましい。
固体電解質層１４に含まれる前記含窒素化合物の種類は、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。
上記範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなり、耐熱性もより向上し易くなるので好ましい。
固体電解質層１４に含まれる前記含窒素化合物の種類は、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。
固体電解質層１４には、化合物１、前記導電性複合体、及び前記含窒素化合物とは異なる、２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物（以下、ポリオール化合物ということがある。）の１種類以上がさらに含まれていることが好ましい。ポリオール化合物を含有することにより、キャパシタのＥＳＲをより一層低減することができる。
前記ポリオール化合物としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、トリメチロールプロパン、１，３，５－トリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、及びトリメチロールエタンから選択される１種以上が挙げられる。
前記ポリオール化合物は、後述する電解質の溶媒または導電性複合体の分散媒として含まれていてもよい。
前記ポリオール化合物としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、トリメチロールプロパン、１，３，５－トリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、及びトリメチロールエタンから選択される１種以上が挙げられる。
前記ポリオール化合物は、後述する電解質の溶媒または導電性複合体の分散媒として含まれていてもよい。
固体電解質層１４に含まれる前記ポリオール化合物の合計の含有量は、固体電解質層１４に含まれる導電性複合体１００質量部に対して、１００質量部以上１００００質量部以下が好ましく、３００質量部以上３０００質量部以下がより好ましく、５００質量部以上１０００質量部以下がさらに好ましい。
上記範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなり、耐熱性もより向上し易くなるので好ましい。
固体電解質層１４に含まれる前記ポリオール化合物の種類は、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。
前記ポリオール化合物として、エチレングリコール及びトリメチロールプロパンを含む場合の両者の含有比は、上記の効果をより一層奏する観点から、エチレングリコール：トリメチロールプロパン＝１０：１０～１０：１（質量比）が好ましい。
上記範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなり、耐熱性もより向上し易くなるので好ましい。
固体電解質層１４に含まれる前記ポリオール化合物の種類は、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。
前記ポリオール化合物として、エチレングリコール及びトリメチロールプロパンを含む場合の両者の含有比は、上記の効果をより一層奏する観点から、エチレングリコール：トリメチロールプロパン＝１０：１０～１０：１（質量比）が好ましい。
固体電解質層１４には、電解液用溶媒中に電解質を溶解させた電解液が含まれてもよい。電解液の電気伝導度は高いほど好ましい。
電解液用溶媒としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、グリセリン等のアルコール系溶媒、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、δ－バレロラクトン等のラクトン系溶媒、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリジノン等のアミド系溶媒、アセトニトリル、３－メトキシプロピオニトリル等のニトリル系溶媒、水等が挙げられる。
電解質としては、例えば、アジピン酸、グルタル酸、コハク酸、安息香酸、イソフタル酸、フタル酸、テレフタル酸、マレイン酸、トルイル酸、エナント酸、マロン酸、蟻酸、１，６－デカンジカルボン酸、５，６－デカンジカルボン酸等のデカンジカルボン酸、１，７－オクタンジカルボン酸等のオクタンジカルボン酸、アゼライン酸、セバシン酸等の有機酸；あるいは、硼酸、硼酸と多価アルコールより得られる硼酸の多価アルコール錯化合物；リン酸、炭酸、ケイ酸等の無機酸などをアニオン成分とし、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、エチレンジアミン等）、２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、メチルエチルアミン、ジフェニルアミン等）、３級アミン（トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン－７等）、テトラアルキルアンモニウム（テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、メチルトリエチルアンモニウム、ジメチルジエチルアンモニウム等）などをカチオン成分とした電解質；等が挙げられる。
電解液用溶媒としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、グリセリン等のアルコール系溶媒、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、δ－バレロラクトン等のラクトン系溶媒、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリジノン等のアミド系溶媒、アセトニトリル、３－メトキシプロピオニトリル等のニトリル系溶媒、水等が挙げられる。
電解質としては、例えば、アジピン酸、グルタル酸、コハク酸、安息香酸、イソフタル酸、フタル酸、テレフタル酸、マレイン酸、トルイル酸、エナント酸、マロン酸、蟻酸、１，６－デカンジカルボン酸、５，６－デカンジカルボン酸等のデカンジカルボン酸、１，７－オクタンジカルボン酸等のオクタンジカルボン酸、アゼライン酸、セバシン酸等の有機酸；あるいは、硼酸、硼酸と多価アルコールより得られる硼酸の多価アルコール錯化合物；リン酸、炭酸、ケイ酸等の無機酸などをアニオン成分とし、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、エチレンジアミン等）、２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、メチルエチルアミン、ジフェニルアミン等）、３級アミン（トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン－７等）、テトラアルキルアンモニウム（テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、メチルトリエチルアンモニウム、ジメチルジエチルアンモニウム等）などをカチオン成分とした電解質；等が挙げられる。
＜作用効果＞
本発明のキャパシタの固体電解質層が前記式（１）で表される化合物を含有することによって、静電容量を低下させることなく、キャパシタの等価直列抵抗を従来よりも低減することができる。このメカニズムは未解明であるが、前記化合物が固体電解質層の導電性を向上させることによって、その等価直列抵抗が小さくなったと推測される。
また、本発明のキャパシタの固体電解質層が前記式（１）で表される化合物を含有することによって、キャパシタの耐熱性を向上させることができる。このメカニズムは未解明であるが、前記化合物が固体電解質層に含まれる導電性複合体の安定性を向上させることによって、その耐熱性が向上したと推測される。
本発明のキャパシタの固体電解質層が前記式（１）で表される化合物を含有することによって、静電容量を低下させることなく、キャパシタの等価直列抵抗を従来よりも低減することができる。このメカニズムは未解明であるが、前記化合物が固体電解質層の導電性を向上させることによって、その等価直列抵抗が小さくなったと推測される。
また、本発明のキャパシタの固体電解質層が前記式（１）で表される化合物を含有することによって、キャパシタの耐熱性を向上させることができる。このメカニズムは未解明であるが、前記化合物が固体電解質層に含まれる導電性複合体の安定性を向上させることによって、その耐熱性が向上したと推測される。
《キャパシタの製造方法、導電性高分子分散液》
本発明にかかるキャパシタは、弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程（誘電体形成工程）と、前記誘電体層に対向する位置に陰極を配置する工程（陰極形成工程）と、前記誘電体層の表面の少なくとも一部に、導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて、固体電解質層を形成する工程と、によって製造することができる。
本発明にかかるキャパシタは、弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程（誘電体形成工程）と、前記誘電体層に対向する位置に陰極を配置する工程（陰極形成工程）と、前記誘電体層の表面の少なくとも一部に、導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて、固体電解質層を形成する工程と、によって製造することができる。
前記導電性高分子分散液は、前記式（１）で表される化合物の１種以上が含まれ、さらにπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が分散された分散液である。
前記導電性高分子分散液には、前記含窒素化合物、前記ポリオール化合物、後述する添加剤等を含有させてもよい。
前記導電性高分子分散液には、前記含窒素化合物、前記ポリオール化合物、後述する添加剤等を含有させてもよい。
誘電体層形成工程は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１の表面を酸化して誘電体層１２を形成する工程である。
誘電体層１２を形成する方法としては、例えば、アジピン酸アンモニウム水溶液、ホウ酸アンモニウム水溶液、リン酸アンモニウム水溶液などの化成処理用電解液中にて、陽極１１の表面を陽極酸化する方法が挙げられる。
誘電体層１２を形成する方法としては、例えば、アジピン酸アンモニウム水溶液、ホウ酸アンモニウム水溶液、リン酸アンモニウム水溶液などの化成処理用電解液中にて、陽極１１の表面を陽極酸化する方法が挙げられる。
陰極形成工程は、誘電体層１２に対向する位置に陰極１３を配置する工程である。
陰極１３を配置する方法としては、例えば、カーボンペースト、銀ペースト等の導電性ペーストを用いて陰極１３を形成する方法、アルミニウム箔等の金属箔を誘電体層１２に対向配置させる方法などが挙げられる。
陰極１３を配置する方法としては、例えば、カーボンペースト、銀ペースト等の導電性ペーストを用いて陰極１３を形成する方法、アルミニウム箔等の金属箔を誘電体層１２に対向配置させる方法などが挙げられる。
固体電解質層形成工程は、誘電体層１２の表面の少なくとも一部に、前記導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて、固体電解質層１４を形成する工程である。
導電性高分子分散液を構成する分散媒は、前記導電性複合体を分散させ得る液体であれば特に限定されず、例えば、水、有機溶剤、又は、水と有機溶剤との混合液が挙げられる。
有機溶剤としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これら有機溶剤は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、ｔ－ブタノール、アリルアルコール等が挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、エチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル等が挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、ジイソプロピルケトン、メチルエチルケトン、アセトン、ジアセトンアルコール等が挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン等が挙げられる。
有機溶剤としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これら有機溶剤は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、ｔ－ブタノール、アリルアルコール等が挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、エチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル等が挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、ジイソプロピルケトン、メチルエチルケトン、アセトン、ジアセトンアルコール等が挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン等が挙げられる。
添加剤としては、例えば、界面活性剤、無機導電剤、消泡剤、カップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などが挙げられる。ただし、添加剤は、前記式（１）で表される化合物、前記導電性複合体、前記含窒素化合物、前記ポリオール化合物及び前記溶媒（分散媒）以外の化合物である。
界面活性剤としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン系の界面活性剤が挙げられるが、保存安定性の面からノニオン系が好ましい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのポリマー系界面活性剤を添加してもよい。
無機導電剤としては、金属イオン類、導電性カーボン等が挙げられる。金属イオンは、金属塩を水に溶解させることにより生成させることができる。
消泡剤としては、シリコーン樹脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンオイル等が挙げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オキサニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
界面活性剤としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン系の界面活性剤が挙げられるが、保存安定性の面からノニオン系が好ましい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのポリマー系界面活性剤を添加してもよい。
無機導電剤としては、金属イオン類、導電性カーボン等が挙げられる。金属イオンは、金属塩を水に溶解させることにより生成させることができる。
消泡剤としては、シリコーン樹脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンオイル等が挙げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オキサニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
導電性高分子分散液の総質量に対する前記導電性複合体の含有量は特に限定されず、塗布することが容易な粘度となる含有量が好ましい。具体的には、例えば、０．１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上５質量％以下がより好ましく、１質量％以上２質量％以下がさらに好ましい。
導電性高分子分散液の総質量に対する前記式（１）で表される化合物の合計の含有量は特に限定されず、塗布することが容易な粘度となる含有量が好ましい。具体的には、例えば、０．１質量％以上２０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下がより好ましく、１質量％以上５質量％以下がさらに好ましい。
前記含有量が過大であると、導電性高分子分散液が凝固して取り扱いが困難になる場合がある。この凝固の詳細なメカニズムは未解明であるが、化合物１のアリール基と導電性複合体とがπ‐π相互作用によってスタッキングを起こした結果であると推測される。したがって、分散液の凝固を防止するために前記含有量を低く抑えることが好ましい。
前記含有量が過大であると、導電性高分子分散液が凝固して取り扱いが困難になる場合がある。この凝固の詳細なメカニズムは未解明であるが、化合物１のアリール基と導電性複合体とがπ‐π相互作用によってスタッキングを起こした結果であると推測される。したがって、分散液の凝固を防止するために前記含有量を低く抑えることが好ましい。
導電性高分子分散液が前記含窒素化合物を含有する場合、その含有割合は、含窒素化合物の種類に応じて適宜決められるが、例えば、導電性複合体の固形分１００質量部に対して、例えば、１質量部以上１００質量部以下が好ましく、５質量部以上５０質量部以下がより好ましく、１０質量部以上２０質量部以下がさらに好ましい。
導電性高分子分散液が前記ポリオール化合物を含有する場合、その含有割合は、ポリオール化合物の種類に応じて適宜決められるが、例えば、導電性複合体の固形分１００質量部に対して、例えば、１００質量部以上１００００質量部以下が好ましく、３００質量部以上３０００質量部以下がより好ましく、５００質量部以上１０００質量部以下がさらに好ましい。
導電性高分子分散液が前記添加剤を含有する場合、その含有割合は、添加剤の種類に応じて適宜決められるが、例えば、導電性複合体の固形分１００質量部に対して、例えば、１質量部以上１０００質量部以下の範囲内とすることができる。
導電性高分子分散液の調製方法としては、ポリアニオン及び分散媒の存在下、π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを酸化重合する方法が挙げられる。
得られた導電性高分子分散液に、前記式（１）で表される化合物を添加し、さらに必要に応じて前記含窒素化合物、前記２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物、及び添加剤等を添加することができる。
導電性高分子分散液に含まれる各材料の分散性を向上させる目的で、塗布前に導電性高分子分散液にせん断力を加えながら分散させる公知の高分散処理を施すことが好ましい。
得られた導電性高分子分散液に、前記式（１）で表される化合物を添加し、さらに必要に応じて前記含窒素化合物、前記２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物、及び添加剤等を添加することができる。
導電性高分子分散液に含まれる各材料の分散性を向上させる目的で、塗布前に導電性高分子分散液にせん断力を加えながら分散させる公知の高分散処理を施すことが好ましい。
導電性高分子分散液の塗布方法としては、例えば、浸漬（ディップコーティング）、コンマコーティング、リバースコーティング、リップコーティング、マイクログラビアコーティング等を適用することができる。これらの中でも、誘電体層１２と陰極１３との間に固体電解質層１４を容易に形成できる観点から、浸漬が好ましい。
乾燥方法としては、例えば、室温乾燥、熱風乾燥、遠赤外線乾燥等が挙げられる。
乾燥方法としては、例えば、室温乾燥、熱風乾燥、遠赤外線乾燥等が挙げられる。
本発明のキャパシタ及びその製造方法は上記の実施形態の例に限定されない。
本発明のキャパシタでは、誘電体層と陰極との間に、セパレータが設けられてもよい。
誘電体層と陰極との間にセパレータが設けられたキャパシタとしては、巻回型キャパシタが挙げられる。
セパレータとしては、例えば、セルロース、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリフッ化ビニリデンなどからなるシート（不織布を含む）、ガラス繊維の不織布などが挙げられる。
セパレータの密度は、０．１ｇ／ｃｍ３以上１．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲であることが好ましく、０．２ｇ／ｃｍ３以上０．８ｇ／ｃｍ３以下の範囲であることがより好ましい。
セパレータを設ける場合には、セパレータにカーボンペーストあるいは銀ペーストを含浸させて陰極を形成する方法を適用することもできる。
本発明のキャパシタでは、誘電体層と陰極との間に、セパレータが設けられてもよい。
誘電体層と陰極との間にセパレータが設けられたキャパシタとしては、巻回型キャパシタが挙げられる。
セパレータとしては、例えば、セルロース、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリフッ化ビニリデンなどからなるシート（不織布を含む）、ガラス繊維の不織布などが挙げられる。
セパレータの密度は、０．１ｇ／ｃｍ３以上１．０ｇ／ｃｍ３以下の範囲であることが好ましく、０．２ｇ／ｃｍ３以上０．８ｇ／ｃｍ３以下の範囲であることがより好ましい。
セパレータを設ける場合には、セパレータにカーボンペーストあるいは銀ペーストを含浸させて陰極を形成する方法を適用することもできる。
（製造例１）
１０００ｍｌのイオン交換水に２０６ｇのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、８０℃で攪拌しながら、予め１０ｍｌの水に溶解した１．１４ｇの過硫酸アンモニウム酸化剤溶液を２０分間滴下し、この溶液を１２時間攪拌した。
得られたスチレンスルホン酸ナトリウム含有溶液に１０質量％に希釈した硫酸を１０００ｍｌ添加し、限外ろ過法によりポリスチレンスルホン酸含有溶液の約１０００ｍｌの溶媒を除去した。残液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去し、ポリスチレンスルホン酸を水洗した。この限外ろ過操作を３回繰り返した。
得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形状のポリスチレンスルホン酸を得た。
１０００ｍｌのイオン交換水に２０６ｇのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、８０℃で攪拌しながら、予め１０ｍｌの水に溶解した１．１４ｇの過硫酸アンモニウム酸化剤溶液を２０分間滴下し、この溶液を１２時間攪拌した。
得られたスチレンスルホン酸ナトリウム含有溶液に１０質量％に希釈した硫酸を１０００ｍｌ添加し、限外ろ過法によりポリスチレンスルホン酸含有溶液の約１０００ｍｌの溶媒を除去した。残液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去し、ポリスチレンスルホン酸を水洗した。この限外ろ過操作を３回繰り返した。
得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形状のポリスチレンスルホン酸を得た。
（製造例２）
３，４－エチレンジオキシチオフェン１４．２ｇと、製造例１で得たポリスチレンスルホン酸３６．７ｇとを２０００ｍｌのイオン交換水に溶かした溶液とを２０℃で混合させた。
得られた混合溶液を２０℃に保ち、掻き混ぜながら、２００ｍｌのイオン交換水に溶かした２９．６４ｇの過硫酸アンモニウムと８．０ｇの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液とをゆっくり添加し、３時間攪拌して反応させた。
得られた反応液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌ溶液を除去した。この操作を３回繰り返した。
得られた溶液に２００ｍｌの１０質量％に希釈した硫酸と２０００ｍｌのイオン交換水とを加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去した。残液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去し、ポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）を水洗した。この操作を８回繰り返し、１．６０質量％のポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）水分散液（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液）を得た。
３，４－エチレンジオキシチオフェン１４．２ｇと、製造例１で得たポリスチレンスルホン酸３６．７ｇとを２０００ｍｌのイオン交換水に溶かした溶液とを２０℃で混合させた。
得られた混合溶液を２０℃に保ち、掻き混ぜながら、２００ｍｌのイオン交換水に溶かした２９．６４ｇの過硫酸アンモニウムと８．０ｇの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液とをゆっくり添加し、３時間攪拌して反応させた。
得られた反応液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌ溶液を除去した。この操作を３回繰り返した。
得られた溶液に２００ｍｌの１０質量％に希釈した硫酸と２０００ｍｌのイオン交換水とを加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去した。残液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去し、ポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）を水洗した。この操作を８回繰り返し、１．６０質量％のポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）水分散液（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液）を得た。
（製造例３）
エッチドアルミニウム箔（陽極箔）に陽極リード端子を接続した後、アジピン酸アンモニウム１０質量％水溶液中で１３０Ｖの電圧を印加し、化成（酸化処理）して、アルミニウム箔の両面に誘電体層を形成して陽極箔を得た。
次に、陽極箔の両面に、陰極リード端子を溶接させた対向アルミニウム陰極箔を、セルロース製のセパレータを介して積層し、これを円筒状に巻き取ってキャパシタ用素子を得た。
エッチドアルミニウム箔（陽極箔）に陽極リード端子を接続した後、アジピン酸アンモニウム１０質量％水溶液中で１３０Ｖの電圧を印加し、化成（酸化処理）して、アルミニウム箔の両面に誘電体層を形成して陽極箔を得た。
次に、陽極箔の両面に、陰極リード端子を溶接させた対向アルミニウム陰極箔を、セルロース製のセパレータを介して積層し、これを円筒状に巻き取ってキャパシタ用素子を得た。
（製造例４）
γ－ブチロラクトン１００ｇ、スルホラン１０ｇ、及びフタル酸テトラメチルアンモニウム２５ｇを混合溶解して、駆動用電解液を得た。
γ－ブチロラクトン１００ｇ、スルホラン１０ｇ、及びフタル酸テトラメチルアンモニウム２５ｇを混合溶解して、駆動用電解液を得た。
（実施例１）
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ポリオキエチレンモノフェニルエーテル（日本乳化剤（株）製、ＰｈＧ－５５；水酸基価約１６５）の５．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して３１２．５質量部）を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子を装填し、封口ゴムで封止して、キャパシタを得た。
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ポリオキエチレンモノフェニルエーテル（日本乳化剤（株）製、ＰｈＧ－５５；水酸基価約１６５）の５．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して３１２．５質量部）を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子を装填し、封口ゴムで封止して、キャパシタを得た。
（比較例１）
ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
＜評価＞
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例１及び比較例１のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表１に示す。
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例１及び比較例１のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表１に示す。
前記式（１）で表される化合物を含む固体電解質層を備えた実施例１のキャパシタは、充分な静電容量を有し、等価直列抵抗が大きく低下した。
前記式（１）で表される化合物を含有しない固体電解質層を備えた比較例１のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。
前記式（１）で表される化合物を含有しない固体電解質層を備えた比較例１のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。
（実施例２）
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の３．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８８質量部）、イミダゾールの０．３質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８．８質量部）を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子を装填し、封口ゴムで封止して、キャパシタを得た。
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の３．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８８質量部）、イミダゾールの０．３質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８．８質量部）を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子を装填し、封口ゴムで封止して、キャパシタを得た。
（実施例３）
ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
（実施例４）
イミダゾールの添加量を０．４質量部、ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．４質量部、ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
（実施例５）
ＰｈＧ－５５を市販のジエチレングリコールモノフェニルエーテル（表中ＰｈＤＧと記載）に変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５を市販のジエチレングリコールモノフェニルエーテル（表中ＰｈＤＧと記載）に変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
（実施例６）
ＰｈＧ－５５をポリエチレングリコールモノベンジルエーテル（日本乳化剤（株）製、ＢｚＧ－２０；水酸基価約２８０）に変更したほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５をポリエチレングリコールモノベンジルエーテル（日本乳化剤（株）製、ＢｚＧ－２０；水酸基価約２８０）に変更したほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
（実施例７）
イミダゾールの添加量を０．４質量部、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更したほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．４質量部、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更したほかは実施例２と同様にキャパシタを得た。
（比較例２）
ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例２と同様にしてキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例２と同様にしてキャパシタを得た。
＜評価＞
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例２～７及び比較例２のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表２に示す。
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例２～７及び比較例２のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表２に示す。
前記式（１）で表される化合物及びイミダゾールを含む固体電解質層を備えた実施例２～７のキャパシタは、充分な静電容量を有し、等価直列抵抗が大きく低下した。
前記式（１）で表される化合物を含有しない固体電解質層を備えた比較例２のキャパシタは、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。
前記式（１）で表される化合物を含有しない固体電解質層を備えた比較例２のキャパシタは、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。
（実施例８）
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の３．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８８質量部）、イミダゾールの０．４質量部（導電性複合体１００質量部に対して２５．０質量部）、エチレングリコールの１０．０質量部、トリメチロールプロパンの３．０質量部を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子を装填し、封口ゴムで封止して、キャパシタを得た。
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の３．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８８質量部）、イミダゾールの０．４質量部（導電性複合体１００質量部に対して２５．０質量部）、エチレングリコールの１０．０質量部、トリメチロールプロパンの３．０質量部を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子を装填し、封口ゴムで封止して、キャパシタを得た。
（実施例９）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例８と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例８と同様にキャパシタを得た。
（実施例１０）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテル（表中ＰｈＤＧ）に変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテル（表中ＰｈＤＧ）に変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
（実施例１１）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテル（表中ＰｈＤＧ）に変更し、その添加量を３．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテル（表中ＰｈＤＧ）に変更し、その添加量を３．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
（実施例１２）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
（実施例１３）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を３．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を３．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
（実施例１４）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテル（表中ＰｈＤＧ）に変更し、その添加量を４．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテル（表中ＰｈＤＧ）に変更し、その添加量を４．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
（実施例１５）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を４．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を４．０質量部にしたほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
（比較例３）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例８と同様にキャパシタを得た。
＜評価＞
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例８～１５及び比較例３のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表３に示す。
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例８～１５及び比較例３のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表３に示す。
前記式（１）で表される化合物、イミダゾール、エチレングリコール及びトリメチロールプロパンを含む固体電解質層を備えた実施例８～１５のキャパシタは、充分な静電容量を有し、等価直列抵抗が大きく低下した。
前記式（１）で表される化合物を含有しない固体電解質層を備えた比較例３のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。
前記式（１）で表される化合物を含有しない固体電解質層を備えた比較例３のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。
（実施例１６）
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の５．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して３１２．５質量部）を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子及び製造例４で得た電解液を装填し、封口ゴムで封止した。１２５℃の雰囲気で６５Ｖの電圧を３０分印加し、キャパシタを作製した。
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の５．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して３１２．５質量部）を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子及び製造例４で得た電解液を装填し、封口ゴムで封止した。１２５℃の雰囲気で６５Ｖの電圧を３０分印加し、キャパシタを作製した。
（比較例４）
ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例１６と同様にしてキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例１６と同様にしてキャパシタを得た。
＜評価＞
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例１６及び比較例４のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表４に示す。
［耐熱性試験］
実施例１６及び比較例４のキャパシタを１３５℃の熱風乾燥機中に静置し、５００時間経過後に取り出し、室温で３０分間冷却した。冷却後のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ１）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ１）を測定した。その測定結果を表４に示す。
また、耐熱試験前後の変化量として、△Ｃ＝Ｃ１／Ｃ０、△ＥＳＲ＝ＥＳＲ１／ＥＳＲ０を求めた。△Ｃ及び△ＥＳＲについても表４に示す。
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例１６及び比較例４のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表４に示す。
［耐熱性試験］
実施例１６及び比較例４のキャパシタを１３５℃の熱風乾燥機中に静置し、５００時間経過後に取り出し、室温で３０分間冷却した。冷却後のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ１）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ１）を測定した。その測定結果を表４に示す。
また、耐熱試験前後の変化量として、△Ｃ＝Ｃ１／Ｃ０、△ＥＳＲ＝ＥＳＲ１／ＥＳＲ０を求めた。△Ｃ及び△ＥＳＲについても表４に示す。
前記式（１）で表される化合物を含む固体電解質層を備えた実施例１６のキャパシタは、充分な静電容量を有し、等価直列抵抗が低かった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗の変化量（△ＥＳＲ）も小さかった。
前記式（１）で表される化合物を含まない固体電解質層を備えた比較例４のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗の変化量（△ＥＳＲ）も大きかった。
以上の結果から、前記式（１）で表される化合物の群から選ばれる１種以上の化合物を含む固体電解質層を備えた実施例のキャパシタは耐熱試験後の性能も優れることが確認できた。
前記式（１）で表される化合物を含まない固体電解質層を備えた比較例４のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗の変化量（△ＥＳＲ）も大きかった。
以上の結果から、前記式（１）で表される化合物の群から選ばれる１種以上の化合物を含む固体電解質層を備えた実施例のキャパシタは耐熱試験後の性能も優れることが確認できた。
（実施例１７）
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の３．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８８質量部）、イミダゾールの０．３質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８．８質量部）を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子及び製造例４で得た電解液を装填し、封口ゴムで封止した。１２５℃の雰囲気で６５Ｖの電圧を３０分印加し、キャパシタを作製した。
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の３．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８８質量部）、イミダゾールの０．３質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８．８質量部）を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子及び製造例４で得た電解液を装填し、封口ゴムで封止した。１２５℃の雰囲気で６５Ｖの電圧を３０分印加し、キャパシタを作製した。
（実施例１８）
ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
（実施例１９）
イミダゾールの添加量を０．４質量部、ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．４質量部、ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
（実施例２０）
ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテルに変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテルに変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
（実施例２１）
ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更したほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更したほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
（実施例２２）
イミダゾールの添加量を０．４質量部、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更したほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．４質量部、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更したほかは実施例１７と同様にキャパシタを得た。
（比較例５）
ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例１７と同様にしてキャパシタを得た。
ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例１７と同様にしてキャパシタを得た。
＜評価＞
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例１７～２２及び比較例５のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表５に示す。
［耐熱性試験］
実施例１７～２２及び比較例５のキャパシタを１３５℃の熱風乾燥機中に静置し、５００時間経過後に取り出し、室温で３０分間冷却した。冷却後のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ１）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ１）を測定した。その測定結果を表５に示す。
また、耐熱試験前後の変化量として、△Ｃ＝Ｃ１／Ｃ０、△ＥＳＲ＝ＥＳＲ１／ＥＳＲ０を求めた。△Ｃ及び△ＥＳＲについても表５に示す。
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例１７～２２及び比較例５のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表５に示す。
［耐熱性試験］
実施例１７～２２及び比較例５のキャパシタを１３５℃の熱風乾燥機中に静置し、５００時間経過後に取り出し、室温で３０分間冷却した。冷却後のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ１）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ１）を測定した。その測定結果を表５に示す。
また、耐熱試験前後の変化量として、△Ｃ＝Ｃ１／Ｃ０、△ＥＳＲ＝ＥＳＲ１／ＥＳＲ０を求めた。△Ｃ及び△ＥＳＲについても表５に示す。
前記式（１）で表される化合物及びイミダゾールを含む固体電解質層を備えた実施例１７～２２のキャパシタは、充分な静電容量を有し、等価直列抵抗が低かった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗の変化量（△ＥＳＲ）も小さかった。なお、実施例１７の△ＥＳＲの数値は比較的大きいが、実施例１７のＥＳＲ１は比較例５のＥＳＲ０及びＥＳＲ１よりも充分に小さいので、実施例１７のキャパシタの耐熱性は優れている。
前記式（１）で表される化合物を含まない固体電解質層を備えた比較例５のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗の変化量（△ＥＳＲ）も大きかった。
以上の結果から、前記式（１）で表される化合物の群から選ばれる１種以上の化合物及びイミダゾールを含む固体電解質層を備えた実施例のキャパシタは耐熱試験後の性能も優れることが確認できた。
前記式（１）で表される化合物を含まない固体電解質層を備えた比較例５のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗の変化量（△ＥＳＲ）も大きかった。
以上の結果から、前記式（１）で表される化合物の群から選ばれる１種以上の化合物及びイミダゾールを含む固体電解質層を備えた実施例のキャパシタは耐熱試験後の性能も優れることが確認できた。
（実施例２３）
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の３．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８８質量部）、イミダゾールの０．４質量部（導電性複合体１００質量部に対して２５．０質量部）、エチレングリコールの１０．０質量部、トリメチロールプロパンの３．０質量部を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子及び製造例４で得た電解液を装填し、封口ゴムで封止した。１２５℃の雰囲気で６５Ｖの電圧を３０分印加し、キャパシタを作製した。
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ水分散液１００質量部に、ＰｈＧ－５５の３．０質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８８質量部）、イミダゾールの０．４質量部（導電性複合体１００質量部に対して２５．０質量部）、エチレングリコールの１０．０質量部、トリメチロールプロパンの３．０質量部を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子及び製造例４で得た電解液を装填し、封口ゴムで封止した。１２５℃の雰囲気で６５Ｖの電圧を３０分印加し、キャパシタを作製した。
（実施例２４）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例２３と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５の添加量を５．０質量部に変更したほかは実施例２３と同様にキャパシタを得た。
（実施例２５）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテルに変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテルに変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
（実施例２６）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテルに変更し、その添加量を３．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をジエチレングリコールモノフェニルエーテルに変更し、その添加量を３．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
（実施例２７）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を２．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
（実施例２８）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を３．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を３．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
（実施例２９）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルに変更し、その添加量を４．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルに変更し、その添加量を４．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
（実施例３０）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を４．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５をＢｚＧ－２０に変更し、その添加量を４．０質量部にしたほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
（比較例６）
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
イミダゾールの添加量を０．３質量部に変更し、ＰｈＧ－５５を添加しなかったほかは、実施例２３と同様にキャパシタを得た。
＜評価＞
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例２３～３０及び比較例６のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表６に示す。
［耐熱性試験］
実施例２３～３０及び比較例６のキャパシタを１３５℃の熱風乾燥機中に静置し、５００時間経過後に取り出し、室温で３０分間冷却した。冷却後のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ１）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ１）を測定した。その測定結果を表６に示す。
また、耐熱試験前後の変化量として、△Ｃ＝Ｃ１／Ｃ０、△ＥＳＲ＝ＥＳＲ１／ＥＳＲ０を求めた。△Ｃ及び△ＥＳＲについても表６に示す。
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例２３～３０及び比較例６のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ０）を測定した。その測定結果を表６に示す。
［耐熱性試験］
実施例２３～３０及び比較例６のキャパシタを１３５℃の熱風乾燥機中に静置し、５００時間経過後に取り出し、室温で３０分間冷却した。冷却後のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ１）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ１）を測定した。その測定結果を表６に示す。
また、耐熱試験前後の変化量として、△Ｃ＝Ｃ１／Ｃ０、△ＥＳＲ＝ＥＳＲ１／ＥＳＲ０を求めた。△Ｃ及び△ＥＳＲについても表６に示す。
前記式（１）で表される化合物、イミダゾール、エチレングリコール及びトリメチロールプロパンを含む固体電解質層を備えた実施例２３～３０のキャパシタは、充分な静電容量を有し、等価直列抵抗が低かった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗の変化量（△ＥＳＲ）も小さかった。なお、実施例２３の△ＥＳＲの数値は比較的大きいが、実施例２３のＥＳＲ０及びＥＳＲ１は比較例６のＥＳＲ０及びＥＳＲ１よりもそれぞれ充分に小さいので、実施例２３のキャパシタの耐熱性は優れている。
前記式（１）で表される化合物を含まない固体電解質層を備えた比較例６のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗の変化量（△ＥＳＲ）も大きかった。
以上の結果から、前記式（１）で表される化合物の群から選ばれる１種以上の化合物、イミダゾール、エチレングリコール及びトリメチロールプロパンを含む固体電解質層を備えた実施例のキャパシタは耐熱試験後の性能も優れることが確認できた。
前記式（１）で表される化合物を含まない固体電解質層を備えた比較例６のキャパシタは、実施例と同等の静電容量を有するが、等価直列抵抗が実施例と比べて大きかった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗の変化量（△ＥＳＲ）も大きかった。
以上の結果から、前記式（１）で表される化合物の群から選ばれる１種以上の化合物、イミダゾール、エチレングリコール及びトリメチロールプロパンを含む固体電解質層を備えた実施例のキャパシタは耐熱試験後の性能も優れることが確認できた。
１０ キャパシタ
１１ 陽極
１２ 誘電体層
１３ 陰極
１４ 固体電解質層
１１ 陽極
１２ 誘電体層
１３ 陰極
１４ 固体電解質層
Claims (9)
- ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）及びポリスチレンスルホン酸を含む導電性複合体と、
ポリオキエチレンモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、又はポリエチレングリコールモノベンジルエーテルと、分散媒とを含有する、導電性高分子分散液。 - 窒素含有芳香族性環式化合物をさらに含有する、請求項１に記載の導電性高分子分散液。
- 前記窒素含有芳香族性環式化合物がイミダゾールである、請求項２に記載の導電性高分子分散液。
- ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物を、少なくとも１種類さらに含有する請求項１から３のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
- 弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に形成された固体電解質層とを具備し、
前記固体電解質層が、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）及びポリスチレンスルホン酸を含む導電性複合体と、
ポリオキエチレンモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、又はポリエチレングリコールモノベンジルエーテルとを有する、キャパシタ。 - 前記固体電解質層が、窒素含有芳香族性環式化合物をさらに含有する、請求項５に記載のキャパシタ。
- 前記窒素含有芳香族性環式化合物がイミダゾールである、請求項６に記載のキャパシタ。
- ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物を、少なくとも１種類さらに含有する請求項５から７のいずれか一項に記載のキャパシタ。
- 弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層に対向する位置に陰極を配置する工程と、
前記誘電体層の表面に請求項１から４のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて固体電解質層を形成する工程とを有する、キャパシタの製造方法。
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