JP6948227B2

JP6948227B2 - キャパシタ及びその製造方法

Info

Publication number: JP6948227B2
Application number: JP2017214109A
Authority: JP
Inventors: 鈴木　健一; 健一鈴木
Original assignee: Shin Etsu Polymer Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Polymer Co Ltd
Priority date: 2017-11-06
Filing date: 2017-11-06
Publication date: 2021-10-13
Anticipated expiration: 2037-11-06
Also published as: JP2019087615A

Description

本発明は、π共役系導電性高分子を含む固体電解質層を備えたキャパシタ及びその製造方法、並びに導電性高分子分散液に関する。

キャパシタの等価直列抵抗を低下させる目的で、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸を含む導電性高分子分散液から形成された固体電解質層を、誘電体層と陰極との間に配置したキャパシタが知られている（例えば、特許文献１）。

特開２０１４−６７９４９号公報

導電性高分子分散液を用いて製造された従来のキャパシタには、その等価直列抵抗をさらに小さくすることが求められている。
本発明は、等価直列抵抗が従来よりも小さいキャパシタ及びその製造方法、並びにそのキャパシタの製造に適した導電性高分子分散液を提供する。

［１］ π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、下記化学式（１）で表される窒素含有芳香族性化合物と、分散媒とを含有する、導電性高分子分散液。
［２］下記化学式（１）の任意の有機基がアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基である［１］に記載の導電性高分子分散液。
［３］下記化学式（１）で表される窒素含有芳香族性化合物が１−イソブチル−２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−プロピルイミダゾール、１−アリルイミダゾール、及び１−ブチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１つである、［１］に記載の導電性高分子分散液。
［４］前記π共役系導電性高分子がポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である、［１］から［３］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［５］前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸である、［１］から［４］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［６］前記分散媒が水である、［１］から［５］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［７］２５℃におけるｐＨが２．００以上８．００以下である、［１］から［６］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液。
［８］弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、該誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に形成された固体電解質層とを具備し、前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、下記化学式（１）で表される窒素含有芳香族性化合物と、を有する、キャパシタ。
［９］下記化学式（１）の任意の有機基がそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基である［８］に記載のキャパシタ。
［１０］下記化学式（１）で表される窒素含有芳香族性化合物が１−イソブチル−２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−プロピルイミダゾール、１−アリルイミダゾール、及び１−ブチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１つである、［８］に記載のキャパシタ。
［１１］前記π共役系導電性高分子がポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である、［８］から［１０］のいずれか一項に記載のキャパシタ。
［１２］前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸である、［８］から［１１］のいずれか一項に記載のキャパシタ。
［１３］弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層に対向する位置に陰極を形成する工程と、前記誘電体層の表面に［１］から［７］のいずれか一項に記載の導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて固体電解質層を形成する工程とを有する、キャパシタの製造方法。

［式中、Ｘ^２及びＸ^３のうち少なくとも一方が窒素原子であり、窒素原子でない場合のＸ^２，Ｘ^３は炭素原子であり、
Ｒ^２は、Ｘ^２が窒素原子である場合は存在せず、
Ｒ^３は、Ｘ^３が窒素原子である場合は存在せず、
Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４及びＲ^５のうち少なくとも１つは任意の有機基であり、
Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４及びＲ^５の炭素数の合計が３以上であり、
前記任意の有機基でないＲ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５は水素原子である。］

本発明のキャパシタは、等価直列抵抗が従来よりも小さいので、電子機器の高性能化に資する。
本発明のキャパシタの製造方法によれば、等価直列抵抗が小さいキャパシタを容易に製造することができる。
本発明の導電性高分子分散液は、等価直列抵抗が小さいキャパシタの固体電解質層の形成に好適である。

本発明のキャパシタの一実施形態を示す断面図である。

《キャパシタ》
本発明のキャパシタの一実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態のキャパシタ１０は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１と、弁金属の酸化物からなる誘電体層１２と、誘電体層１２の表面に形成された固体電解質層１４と、最も表側に設けられた陰極１３とを具備する。

陽極１１を構成する弁金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモンなどが挙げられる。これらのうち、アルミニウム、タンタル、ニオブが好適である。
陽極１１の具体例としては、アルミニウム箔をエッチングして表面積を増加させた後、その表面を酸化処理したものや、タンタル粒子やニオブ粒子の焼結体表面を酸化処理してペレットにしたものが挙げられる。このように処理されたものは表面に凹凸が形成された多孔質体となる。

本実施形態における誘電体層１２は、陽極１１の表面が酸化されて形成された層であり、例えば、アジピン酸アンモニウム水溶液などの電解液中にて、金属体の陽極１１の表面を陽極酸化することで形成されたものである。よって、図１に示すように、陽極１１と同様に誘電体層１２にも凹凸が形成されている。

本実施形態における陰極１３としては、導電性ペーストから形成した導電層やアルミニウム箔など、導電物質製の金属層を使用することができる。

本実施形態における固体電解質層１４は、誘電体層１２の表面に形成されている。固体電解質層１４は、誘電体層１２の表面の少なくとも一部を覆っており、誘電体層１２の表面の全部を覆っていてもよい。
固体電解質層１４の厚さは、一定でもよいし、一定でなくてもよく、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さが挙げられる。

固体電解質層１４は、下記化学式（１）であらわされる窒素含有芳香族性化合物（以下、化合物（１）ということがある。）と、後で詳述するπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、を含有している。

化合物（１）は、下記化学式（１−１）〜（１−２）で表される化合物（１−１）〜（１−２）から選ばれる１種以上であることが好ましい。

［各式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４及びＲ^５のうち少なくとも１つは任意の有機基であり、
Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４及びＲ^５の炭素数の合計が３以上であり、前記任意の有機基でないＲ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５は水素原子である。］

化合物（１）、化合物（１−１）〜（１−３）において、ＥＳＲを低減させる観点から、前記任意の有機基がそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基であることが好ましい。
前記アルキル基としては、例えば、炭素数１以上１０以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
前記アルケニル基としては、例えば、炭素数２以上１０以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基が挙げられる。
前記アルキニル基としては、例えば、炭素数２以上１０以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基が挙げられる。

化合物（１）、化合物（１−１）〜（１−３）の各化合物において、全ての有機基の炭素数の合計は、３以上２０以下が好ましく、３以上１５以下がより好ましく、３以上１０以下がさらに好ましい。前記炭素数の合計が３以上であると、ＥＳＲが低減しやすく、前記炭素数の合計が２０以下であると、導電性高分子分散液中の前記化合物の溶解性が高まり、固体電解質中の各成分の分散性が高まり、ＥＳＲが低減しやすい。

化合物（１−１）〜（１−３）のうち、ＥＳＲが低減しやすいことから、化合物（１−１）及び化合物（１−２）が好ましく、化合物（１−１）がより好ましい。

化合物（１−１）の例として、１−イソプロピルイミダゾール、２−プロピルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、２−ブチルイミダゾール、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−プロピルイミダゾール、１−アリルイミダゾール、及び１−ブチルイミダゾールなどが挙げられる。
本発明のキャパシタの固体電解質には、次に例示する化合物（１−１）の群：１−イソブチル−２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−プロピルイミダゾール、１−アリルイミダゾール、及び１−ブチルイミダゾールから選ばれる１つ以上が含まれることが好ましい。

例示した化合物（１−１）の固体電解質中の含有量は、導電性複合体１００質量部に対して、次の通りであることが好ましい。

１−イソブチル−２−メチルイミダゾールの前記含有量は、２５．０質量部以上８０．０質量部以下が好ましく、３０．０質量部以上６０．０質量部以下がより好ましく、３５．０質量部以上５５．０質量部以下がさらに好ましく、４５．０質量部以上５５．０質量部以下が特に好ましい。上記範囲であると、ＥＳＲを低減するとともに、耐熱性を向上させることができる。

２−エチル−４−メチルイミダゾールの前記含有量は、２０．０質量部以上８０．０質量部以下が好ましく、２５．０質量部以上７０．０質量部以下がより好ましく、３０．０質量部以上６０．０質量部以下がさらに好ましく、３０．０質量部以上５０．０質量部以下が特に好ましい。上記範囲であると、ＥＳＲを低減するとともに、耐熱性を向上させることができる。

１−プロピルイミダゾールの前記含有量は、２０．０質量部以上６０．０質量部以下が好ましく、２５．０質量部以上５０．０質量部以下がより好ましく、３０．０質量部以上４５．０質量部以下がさらに好ましく、３２．５質量部以上４０．０質量部以下が特に好ましい。上記範囲であると、ＥＳＲを低減するとともに、耐熱性を向上させることができる。

１−アリルイミダゾールの前記含有量は、２０．０質量部以上８０．０質量部以下が好ましく、２５．０質量部以上７０．０質量部以下がより好ましく、３０．０質量部以上６０．０質量部以下がさらに好ましく、３２．５質量部以上５０．０質量部以下が特に好ましい。上記範囲であると、ＥＳＲを低減するとともに、耐熱性を向上させることができる。

１−ブチルイミダゾールの前記含有量は、２０．０質量部以上８０．０質量部以下が好ましく、２５．０質量部以上７０．０質量部以下がより好ましく、３０．０質量部以上６０．０質量部以下がさらに好ましく、３５．０質量部以上５５．０質量部以下が特に好ましく、４０．０質量部以上５０．０質量部以下が最も好ましい。上記範囲であると、ＥＳＲを低減するとともに、耐熱性を向上させることができる。

固体電解質層１４の総質量に対する化合物（１）の合計の含有量は、１質量％以上６０質量％以下が好ましく、１０質量％以上５０質量％以下がより好ましく、２５質量％以上４０質量％以下がさらに好ましい。上記の範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなるので好ましい。
固体電解質層１４に含まれる化合物（１）の種類は、１種類でもよいし、２種類以上でもよい。

次に、固体電解質層１４に含有されるπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体について説明する。
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されず、例えば、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリフェニレン系導電性高分子、ポリフェニレンビニレン系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、ポリアセン系導電性高分子、ポリチオフェンビニレン系導電性高分子、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子及びポリアニリン系導電性高分子が好ましく、ポリチオフェン系導電性高分子がより好ましい。

ポリチオフェン系導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−エチルチオフェン）、ポリ（３−プロピルチオフェン）、ポリ（３−ブチルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（３−デシルチオフェン）、ポリ（３−ドデシルチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルチオフェン）、ポリ（３−ブロモチオフェン）、ポリ（３−クロロチオフェン）、ポリ（３−ヨードチオフェン）、ポリ（３−シアノチオフェン）、ポリ（３−フェニルチオフェン）、ポリ（３，４−ジメチルチオフェン）、ポリ（３，４−ジブチルチオフェン）、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３−エトキシチオフェン）、ポリ（３−ブトキシチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、ポリ（３−デシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヒドロキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジメトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジエトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジプロポキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジブトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジオクチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−プロピレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−メトキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−エトキシチオフェン）、ポリ（３−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルチオフェン）が挙げられる。

ポリピロール系導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルピロール）、ポリ（３−エチルピロール）、ポリ（３−ｎ−プロピルピロール）、ポリ（３−ブチルピロール）、ポリ（３−オクチルピロール）、ポリ（３−デシルピロール）、ポリ（３−ドデシルピロール）、ポリ（３，４−ジメチルピロール）、ポリ（３，４−ジブチルピロール）、ポリ（３−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルピロール）、ポリ（３−ヒドロキシピロール）、ポリ（３−メトキシピロール）、ポリ（３−エトキシピロール）、ポリ（３−ブトキシピロール）、ポリ（３−ヘキシルオキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−ヘキシルオキシピロール）が挙げられる。

ポリアニリン系導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリ（２−メチルアニリン）、ポリ（３−イソブチルアニリン）、ポリ（２−アニリンスルホン酸）、ポリ（３−アニリンスルホン酸）が挙げられる。
以上で例示したπ共役系導電性高分子の中でも、導電性、耐熱性の点から、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。
π共役系導電性高分子は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

ポリアニオンとは、アニオン基を有するモノマー単位を、分子内に２つ以上有する重合体である。このポリアニオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性を向上させることができる。
ポリアニオンのアニオン基は、スルホ基またはカルボキシ基であることが好ましい。
ポリアニオンの具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリルスルホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）、ポリイソプレンスルホン酸、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリ（４−スルホブチルメタクリレート）、ポリメタクリルオキシベンゼンスルホン酸等のスルホン酸基を有する高分子や、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸）、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等のカルボン酸基を有する高分子が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
これらのポリアニオンのなかでも、導電性をより高くできることから、スルホン酸基を有する高分子が好ましく、ポリスチレンスルホン酸がより好ましい。
ポリアニオンは１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
ポリアニオンの質量平均分子量は２万以上１００万以下であることが好ましく、１０万以上５０万以下であることがより好ましい。
本明細書における質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定し、標準物質をポリスチレンとして求めた値である。

導電性複合体中の、ポリアニオンの含有割合は、π共役系導電性高分子１００質量部に対して、１質量部以上１０００質量部以下の範囲であることが好ましく、１０質量部以上７００質量部以下の範囲であることがより好ましく、１００質量部以上５００質量部以下の範囲であることがさらに好ましい。ポリアニオンの含有割合が前記下限値以上であると、π共役系導電性高分子へのドーピング効果が強くなる傾向にあり、充分な導電性が得られ易く、さらに導電性高分子分散液における導電性複合体の分散性が高くなる。また、ポリアニオンの含有量が前記上限値以下であると、π共役系導電性高分子の相対的な含有量が多くなり、充分な導電性が得られ易い。

ポリアニオンがπ共役系導電性高分子に配位してドープすることによって導電性複合体が形成される。導電性複合体の導電性及び分散性の向上の観点から、全てのアニオン基がπ共役系導電性高分子にドープするよりも、ドープに寄与しない余剰のアニオン基を有することが好ましい。

固体電解質層１４の総質量に対する導電性複合体の含有量は、４０質量％以上９９質量％以下が好ましく、５０質量％以上９０質量％以下がより好ましく、６０質量％以上７５質量％以下がさらに好ましい。上記の範囲であると、キャパシタの等価直列抵抗がより低下し易くなるので好ましい。

固体電解質層１４には、化合物（１）以外の含窒素化合物の１種以上が含有されていてもよい。含窒素化合物が固体電解質層１４に含まれることによって、キャパシタの等価直列抵抗をさらに低減することができる。

前記含窒素化合物として、以下のアミン化合物及び窒素含有芳香族性環式化合物を例示できる。これらのアミン化合物及び窒素含有芳香族性環式化合物の少なくともどちらか一方が固体電解質層１４に含まれると、キャパシタの等価直列抵抗をさらに低減できることがある。
アミン化合物は、アミノ基を有する化合物であり、アミノ基が、ポリアニオンのアニオン基と反応する。
アミン化合物としては、１級アミン、２級アミン、３級アミン、４級アンモニウム塩のいずれであってもよい。また、アミン化合物は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
アミン化合物は、炭素数２以上１２以下の直鎖、もしくは分岐鎖のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基、炭素数７以上１２以下のアラルキル基、炭素数２以上１２以下のアルキレン基、炭素数６以上１２以下のアリーレン基、炭素数７以上１２以下のアラルキレン基、及び炭素数２以上１２以下のオキシアルキレン基から選択される置換基を有していてもよい。
具体的な１級アミンとしては、例えば、アニリン、トルイジン、ベンジルアミン、エタノールアミン等が挙げられる。
具体的な２級アミンとしては、例えば、ジエタノールアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、ジナフチルアミン等が挙げられる。
具体的な３級アミンとしては、例えば、トリエタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、トリナフチルアミン等が挙げられる。
具体的な４級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩、テトラプロピルアンモニウム塩、テトラフェニルアンモニウム塩、テトラベンジルアンモニウム塩、テトラナフチルアンモニウム塩等が挙げられる。アンモニウムの対となる陰イオンとしてはヒドロキシドイオンが挙げられる。
これらアミン化合物のうち、３級アミンが好ましく、トリエチルアミン、トリプロピルアミンがより好ましい。
窒素含有芳香族性環式化合物（少なくとも１つの窒素原子が環構造を形成する芳香族性化合物）としては、例えば、ピロール、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾール、１−（２−ヒドロキシエチル）イミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、ピリジン等が挙げられる。

固体電解質層１４には、電解液用溶媒中に電解質を溶解させた電解液が含まれてもよい。電解液の電気伝導度は高いほど好ましい。
電解液用溶媒としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、グリセリン等のアルコール系溶媒、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶媒、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒、アセトニトリル、３−メトキシプロピオニトリル等のニトリル系溶媒、水等が挙げられる。
電解質としては、例えば、アジピン酸、グルタル酸、コハク酸、安息香酸、イソフタル酸、フタル酸、テレフタル酸、マレイン酸、トルイル酸、エナント酸、マロン酸、蟻酸、１，６−デカンジカルボン酸、５，６−デカンジカルボン酸等のデカンジカルボン酸、１，７−オクタンジカルボン酸等のオクタンジカルボン酸、アゼライン酸、セバシン酸等の有機酸；あるいは、硼酸、硼酸と多価アルコールより得られる硼酸の多価アルコール錯化合物；リン酸、炭酸、ケイ酸等の無機酸などをアニオン成分とし、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、エチレンジアミン等）、２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、メチルエチルアミン、ジフェニルアミン等）、３級アミン（トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン−７等）、テトラアルキルアンモニウム（テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、メチルトリエチルアンモニウム、ジメチルジエチルアンモニウム等）などをカチオン成分とした電解質；等が挙げられる。

＜作用効果＞
本発明のキャパシタの固体電解質層が化合物（１）を含有することによって、静電容量を低下させることなく、キャパシタの等価直列抵抗を従来よりも低減することができる。このメカニズムは未解明であるが、置換基の合計の炭素数が３以上であり、５員環の周囲に比較的多数の炭素原子が存在する化合物（１）が固体電解質層の導電性を向上させることによって、その等価直列抵抗が小さくなったと推測される。

《キャパシタの製造方法、導電性高分子分散液》
本発明にかかるキャパシタは、弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程（誘電体形成工程）と、前記誘電体層に対向する位置に陰極を配置する工程（陰極形成工程）と、前記誘電体層の表面の少なくとも一部に、導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて、固体電解質層を形成する工程と、によって製造することができる。

前記導電性高分子分散液は、化合物（１）の１種以上が含まれ、さらにπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が分散された分散液である。
前記導電性高分子分散液には、前述した化合物（１）以外の含窒素化合物、後述する添加剤等を含有させてもよい。

誘電体層形成工程は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１の表面を酸化して誘電体層１２を形成する工程である。
誘電体層１２を形成する方法としては、例えば、アジピン酸アンモニウム水溶液、ホウ酸アンモニウム水溶液、リン酸アンモニウム水溶液などの化成処理用電解液中にて、陽極１１の表面を陽極酸化する方法が挙げられる。

陰極形成工程は、誘電体層１２に対向する位置に陰極１３を配置する工程である。
陰極１３を配置する方法としては、例えば、カーボンペースト、銀ペースト等の導電性ペーストを用いて陰極１３を形成する方法、アルミニウム箔等の金属箔を誘電体層１２に対向配置させる方法などが挙げられる。

固体電解質層形成工程は、誘電体層１２の表面の少なくとも一部に、前記導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて、固体電解質層１４を形成する工程である。

導電性高分子分散液を構成する分散媒は、前記導電性複合体を分散させ得る液体であれば特に限定されず、例えば、水、有機溶剤、又は、水と有機溶剤との混合液が挙げられる。
有機溶剤としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これら有機溶剤は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、アリルアルコール等が挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、エチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル等が挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、ジイソプロピルケトン、メチルエチルケトン、アセトン、ジアセトンアルコール等が挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン等が挙げられる。

添加剤としては、例えば、界面活性剤、無機導電剤、消泡剤、カップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、高導電化剤などが挙げられる。ただし、添加剤は、前記導電性複合体、化合物（１）及び前記含窒素化合物以外の化合物である。
界面活性剤としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン系の界面活性剤が挙げられるが、保存安定性の面からノニオン系が好ましい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのポリマー系界面活性剤を添加してもよい。
無機導電剤としては、金属イオン類、導電性カーボン等が挙げられる。金属イオンは、金属塩を水に溶解させることにより生成させることができる。
消泡剤としては、シリコーン樹脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンオイル等が挙げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オキサニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
高導電化剤は導電性複合体の導電率を向上させ、ＥＳＲを低下することに寄与できる。高導電化剤としては、糖類、２個以上のヒドロキシ基を有する化合物、１個以上のヒドロキシ基および１個以上のカルボキシ基を有する化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物、ラクタム化合物、グリシジル基を有する化合物等が挙げられる。
固体電解質層を形成する導電性高分子分散液に上記の添加剤等の導電性複合体及び化合物（１）以外の成分が含まれる場合、固体電解質層にその成分が含まれてもよい。

導電性高分子分散液の総質量に対する前記導電性複合体の含有量は特に限定されず、塗布することが容易な粘度となる含有量が好ましい。具体的には、例えば、０．１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上５質量％以下がより好ましく、１質量％以上２質量％以下がさらに好ましい。

導電性高分子分散液の総質量に対する化合物（１）の１種以上の合計の含有量は特に限定されず、塗布することが容易な粘度となる含有量が好ましい。具体的には、例えば、０．１質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０．２質量％以上１．０質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上０．８質量％以下がさらに好ましい。

導電性高分子分散液が化合物（１）以外の前記含窒素化合物を含有する場合、その含有割合は、含窒素化合物の種類に応じて適宜決められるが、例えば、導電性複合体の固形分１００質量部に対して、例えば、１質量部以上１００質量部以下が好ましく、１０質量部以上５０質量部以下がより好ましい。

導電性高分子分散液が前記添加剤を含有する場合、その含有割合は、添加剤の種類に応じて適宜決められるが、例えば、導電性複合体の固形分１００質量部に対して、例えば、１質量部以上１０００質量部以下の範囲内とすることができる。

導電性高分子分散液の調製方法としては、ポリアニオン及び分散媒の存在下、π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを酸化重合する方法が挙げられる。
得られた導電性高分子分散液に、１種以上の化合物（１）を添加し、さらに必要に応じて化合物（１）以外の前記含窒素化合物及び添加剤等を添加することができる。
導電性高分子分散液に含まれる各材料の分散性を向上させる目的で、塗布前に導電性高分子分散液にせん断力を加えながら分散させる公知の高分散処理を施すことが好ましい。

化合物（１）の１種以上を含む導電性高分子分散液の２５℃におけるｐＨは、２．００以上８．００以下が好ましく、２．５０以上７．５０以下がより好ましく、３．００以上７．００以下がさらに好ましく、３．５０以上７．００以下が特に好ましい。
ｐＨが上記範囲であると、キャパシタのＥＳＲをより低減することができる。
導電性高分子分散液のｐＨの測定は、ＪＩＳＺ８８０２：２０１１に準拠して公知のｐＨ測定器にて行われる。

導電性高分子分散液の塗布方法としては、例えば、浸漬（ディップコーティング）、コンマコーティング、リバースコーティング、リップコーティング、マイクログラビアコーティング等を適用することができる。これらの中でも、誘電体層１２と陰極１３との間に固体電解質層１４を容易に形成できる観点から、浸漬が好ましい。
乾燥方法としては、例えば、室温乾燥、熱風乾燥、遠赤外線乾燥等が挙げられる。

本発明のキャパシタ及びその製造方法は上記の実施形態の例に限定されない。
本発明のキャパシタでは、誘電体層と陰極との間に、セパレータが設けられてもよい。
誘電体層と陰極との間にセパレータが設けられたキャパシタとしては、巻回型キャパシタが挙げられる。
セパレータとしては、例えば、セルロース、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリフッ化ビニリデンなどからなるシート（不織布を含む）、ガラス繊維の不織布などが挙げられる。
セパレータの密度は、０．１ｇ／ｃｍ^３以上１．０ｇ／ｃｍ^３以下の範囲であることが好ましく、０．２ｇ／ｃｍ^３以上０．８ｇ／ｃｍ^３以下の範囲であることがより好ましい。
セパレータを設ける場合には、セパレータにカーボンペーストあるいは銀ペーストを含浸させて陰極を形成する方法を適用することもできる。

（製造例１）
１０００ｍｌのイオン交換水に２０６ｇのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、８０℃で攪拌しながら、予め１０ｍｌの水に溶解した１．１４ｇの過硫酸アンモニウム酸化剤溶液を２０分間滴下し、この溶液を１２時間攪拌した。
得られたスチレンスルホン酸ナトリウム含有溶液に１０質量％に希釈した硫酸を１０００ｍｌ添加し、限外ろ過法によりポリスチレンスルホン酸含有溶液の約１０００ｍｌの溶媒を除去した。残液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去し、ポリスチレンスルホン酸を水洗した。この限外ろ過操作を３回繰り返した。
得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形状のポリスチレンスルホン酸を得た。

（製造例２）
３，４−エチレンジオキシチオフェン１４．２ｇと、製造例１で得たポリスチレンスルホン酸３６．７ｇとを２０００ｍｌのイオン交換水に溶かした溶液とを２０℃で混合させた。
得られた混合溶液を２０℃に保ち、掻き混ぜながら、２００ｍｌのイオン交換水に溶かした２９．６４ｇの過硫酸アンモニウムと８．０ｇの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液とをゆっくり添加し、３時間攪拌して反応させた。
得られた反応液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌ溶液を除去した。この操作を３回繰り返した。
得られた溶液に２００ｍｌの１０質量％に希釈した硫酸と２０００ｍｌのイオン交換水とを加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去した。残液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法により約２０００ｍｌの溶媒を除去し、ポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を水洗した。この操作を８回繰り返し、１．６０質量％のポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）水分散液（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水分散液）を得た。

（製造例３）
エッチドアルミニウム箔（陽極箔）に陽極リード端子を接続した後、アジピン酸アンモニウム１０質量％水溶液中で１３０Ｖの電圧を印加し、化成（酸化処理）して、アルミニウム箔の両面に誘電体層を形成して陽極箔を得た。
次に、陽極箔の両面に、陰極リード端子を溶接させた対向アルミニウム陰極箔を、セルロース製のセパレータを介して積層し、これを円筒状に巻き取ってキャパシタ用素子を得た。

（実施例１）
製造例２で得た１．６０質量％のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水分散液１００質量部に、下記式（ａ）で表される１−イソブチル−２−メチルイミダゾール０．４０７質量部（導電性複合体１００質量部に対して２５．４質量部）を加え、室温で撹拌した後、高圧分散機を用い、１００ＭＰａの圧力で分散処理を施し、導電性高分子分散液を得た。導電性高分子分散液の２５℃におけるｐＨを、ｐＨ計により測定したところ、２．０６であった。
製造例３で得たキャパシタ用素子を導電性高分子分散液に減圧下で浸漬した後、１２５℃の熱風乾燥機により３０分間乾燥する工程を２回繰り返して、誘電体層表面上に導電性複合体を含む固体電解質層を形成させた。
次いで、アルミニウム製のケースに、固体電解質層を形成させたキャパシタ用素子を装填し、封口ゴムで封止して、キャパシタを得た。
（実施例２）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールの添加量を０．６２５質量部（導電性複合体１００質量部に対して３９．１質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（実施例３）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールの添加量を０．７０２質量部（導電性複合体１００質量部に対して４３．８質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（実施例４）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールの添加量を０．８０４質量部（導電性複合体１００質量部に対して５０．２質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（実施例５）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールの添加量を０．９０１質量部（導電性複合体１００質量部に対して５６．３質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

（実施例６）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを下記式（ｂ）で表される２−エチル−４−メチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．３７５質量部（導電性複合体１００質量部に対して２３．４質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（実施例７）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを２−エチル−４−メチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．４８７質量部（導電性複合体１００質量部に対して３０．４質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

（実施例８）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを下記式（ｃ）で表される１−プロピルイミダゾールに変更し、その添加量を０．４９０質量部（導電性複合体１００質量部に対して３０．６質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（実施例９）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを１−プロピルイミダゾールに変更し、その添加量を０．５５４質量部（導電性複合体１００質量部に対して３４．６質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

（実施例１０）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを下記式（ｄ）で表される１−アリルイミダゾールに変更し、その添加量を０．４１６質量部（導電性複合体１００質量部に対して２６．０質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（実施例１１）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを１−アリルイミダゾールに変更し、その添加量を０．５５７質量部（導電性複合体１００質量部に対して３４．８質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

（実施例１２）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを下記式（ｅ）で表される１−ブチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．３８２質量部（導電性複合体１００質量部に対して２３．９質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（実施例１３）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを１−ブチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．５０５質量部（導電性複合体１００質量部に対して３１．６質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（実施例１４）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを１−ブチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．７５２質量部（導電性複合体１００質量部に対して４７．０質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

（比較例１）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを下記式（ｆ）で表されるイミダゾールに変更し、その添加量を０．２２３質量部（導電性複合体１００質量部に対して１３．９質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（比較例２）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールをイミダゾールに変更し、その添加量を０．２５５質量部（導電性複合体１００質量部に対して１５．９質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（比較例３）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールをイミダゾールに変更し、その添加量を０．３００質量部（導電性複合体１００質量部に対して１８．８質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（比較例４）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールをイミダゾールに変更し、その添加量を０．３５０質量部（導電性複合体１００質量部に対して２１．９質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（比較例５）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールをイミダゾールに変更し、その添加量を０．４７５質量部（導電性複合体１００質量部に対して２９．７質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

（比較例６）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを下記式（ｇ）で表される１−ビニルイミダゾールに変更し、その添加量を０．３９０質量部（導電性複合体１００質量部に対して２４．４質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（比較例７）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを１−ビニルイミダゾールに変更し、その添加量を０．５８９質量部（導電性複合体１００質量部に対して３６．８質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

（比較例８）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを下記式（ｈ）で表される１−メチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．３６４質量部（導電性複合体１００質量部に対して２２．８質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（比較例９）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを１−メチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．５８２質量部（導電性複合体１００質量部に対して３６．４質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

（比較例１０）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを下記式（ｉ）で表される２−エチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．５６１質量部（導電性複合体１００質量部に対して３５．０質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

（比較例１１）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを下記式（ｊ）で表される１，２−ジメチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．４０８質量部（導電性複合体１００質量部に対して２５．５質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。
（比較例１２）
１−イソブチル−２−メチルイミダゾールを１，２−ジメチルイミダゾールに変更し、その添加量を０．６０４質量部（導電性複合体１００質量部に対して３７．７質量部）に変更した以外は実施例１と同様にしてキャパシタを得た。

〔評価〕
［静電容量・等価直列抵抗］
実施例１〜１４及び比較例１〜１２のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ_０）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ_０）を測定した。その測定結果を表１に示す。

［耐熱性試験］
実施例１〜１４及び比較例１〜１２のキャパシタを１３５℃の熱風乾燥機中に静置し、１０００時間経過後に取り出し、室温で３０分間冷却した。冷却後のキャパシタについて、ＬＣＲメータＺＭ２３７６（（株）エヌエフ回路設計ブロック製）を用いて、１２０Ｈｚでの静電容量（Ｃ_１）、及び１００ｋＨｚでの等価直列抵抗（ＥＳＲ_１）を測定した。その測定結果を表１に示す。
また、耐熱試験前後の変化量として、△Ｃ＝Ｃ_１／Ｃ_０、△ＥＳＲ＝ＥＳＲ_１／ＥＳＲ_０を求めた。△Ｃ及び△ＥＳＲについても表１に示す。

上記の化学式は実施例で用いた化合物と比較例で用いた化合物を表す。
実施例１〜１４で作製されたキャパシタは、充分な静電容量を有し、等価直列抵抗が低かった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗も低かった。
比較例１〜１２で作製されたキャパシタは、充分な静電容量を有するが、等価直列抵抗が高かった。さらに耐熱性試験後の等価直列抵抗も高かった。

１０キャパシタ
１１陽極
１２誘電体層
１３陰極
１４固体電解質層

Claims

弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、該誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に形成された固体電解質層とを具備し、
前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、１−イソブチル−２−メチルイミダゾールと、を有し、
前記導電性複合体１００質量部に対する１−イソブチル−２−メチルイミダゾールの含有量が、２５．０質量部以上８０．０質量部以下である、キャパシタ。
弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、該誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に形成された固体電解質層とを具備し、
前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、２−エチル−４−メチルイミダゾールと、を有し、
前記導電性複合体１００質量部に対する２−エチル−４−メチルイミダゾールの含有量が、２０．０質量部以上８０．０質量部以下である、キャパシタ。
弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、該誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に形成された固体電解質層とを具備し、
前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、１−プロピルイミダゾールと、を有し、
前記導電性複合体１００質量部に対する１−プロピルイミダゾールの含有量が、２０．０質量部以上６０．０質量部以下である、キャパシタ。
弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、該誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に形成された固体電解質層とを具備し、
前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、１−アリルイミダゾールと、を有し、
前記導電性複合体１００質量部に対する１−アリルイミダゾールの含有量が、２０．０質量部以上８０．０質量部以下である、キャパシタ。
弁金属の多孔質体からなる陽極と、前記弁金属の酸化物からなる誘電体層と、該誘電体層の、前記陽極と反対側に設けられた導電物質製の陰極と、前記誘電体層及び前記陰極の間に形成された固体電解質層とを具備し、
前記固体電解質層が、π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、１−ブチルイミダゾールと、を有し、
前記導電性複合体１００質量部に対する１−ブチルイミダゾールの含有量が、２０．０質量部以上８０．０質量部以下である、キャパシタ。
前記π共役系導電性高分子がポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である、請求項１から５のいずれか一項に記載のキャパシタ。
前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸である、請求項１から６のいずれか一項に記載のキャパシタ。
弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層に対向する位置に陰極を形成する工程と、
前記誘電体層の表面に下記の導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて固体電解質層を形成する工程とを有する、キャパシタの製造方法。
＜導電性高分子分散液＞
π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、分散媒と、１−イソブチル−２−メチルイミダゾールと、を含有する導電性高分子分散液であり、
前記導電性複合体１００質量部に対する１−イソブチル−２−メチルイミダゾールの含有量が、２５．０質量部以上８０．０質量部以下である。
弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層に対向する位置に陰極を形成する工程と、
前記誘電体層の表面に下記の導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて固体電解質層を形成する工程とを有する、キャパシタの製造方法。
＜導電性高分子分散液＞
π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、分散媒と、２−エチル−４−メチルイミダゾールと、を含有する導電性高分子分散液であり、
前記導電性複合体１００質量部に対する２−エチル−４−メチルイミダゾールの含有量が、２０．０質量部以上８０．０質量部以下である。
弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層に対向する位置に陰極を形成する工程と、
前記誘電体層の表面に下記の導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて固体電解質層を形成する工程とを有する、キャパシタの製造方法。
＜導電性高分子分散液＞
π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、分散媒と、１−プロピルイミダゾールと、を含有する導電性高分子分散液であり、
前記導電性複合体１００質量部に対する１−プロピルイミダゾールの含有量が、２０．０質量部以上６０．０質量部以下である。
弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層に対向する位置に陰極を形成する工程と、
前記誘電体層の表面に下記の導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて固体電解質層を形成する工程とを有する、キャパシタの製造方法。
＜導電性高分子分散液＞
π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、分散媒と、１−アリルイミダゾールと、を含有する導電性高分子分散液であり、
前記導電性複合体１００質量部に対する１−アリルイミダゾールの含有量が、２０．０質量部以上８０．０質量部以下である。
弁金属の多孔質体からなる陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層に対向する位置に陰極を形成する工程と、
前記誘電体層の表面に下記の導電性高分子分散液を塗布し、乾燥させて固体電解質層を形成する工程とを有する、キャパシタの製造方法。
＜導電性高分子分散液＞
π共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体と、分散媒と、１−ブチルイミダゾールと、を含有する導電性高分子分散液であり、
前記導電性複合体１００質量部に対する１−ブチルイミダゾールの含有量が、２０．０質量部以上８０．０質量部以下である。