JP7048395B2 - 均一性が改善されたケミカルメカニカルポリッシング層の作製方法 - Google Patents
均一性が改善されたケミカルメカニカルポリッシング層の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7048395B2 JP7048395B2 JP2018075519A JP2018075519A JP7048395B2 JP 7048395 B2 JP7048395 B2 JP 7048395B2 JP 2018075519 A JP2018075519 A JP 2018075519A JP 2018075519 A JP2018075519 A JP 2018075519A JP 7048395 B2 JP7048395 B2 JP 7048395B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- filled
- composition
- polymer
- microelement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
- B24D18/0009—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for using moulds or presses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
- B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
Description
(i)分級された液体充填マイクロエレメントを、70~270℃で1~30分間の時間加熱することにより、10~100g/リットルの密度を有する気体充填マイクロエレメントに変換し、気体充填マイクロエレメントを液体ポリマーマトリックス形成材料と混合してパッド形成混合物を形成し、パッド形成混合物をキャスティング若しくは成形してポリマーパッドマトリックスを形成すること、又は、
(ii)分級された液体充填マイクロエレメントを、1~30分のゲル化時間を有する液体ポリマーマトリックス形成材料と、25~125℃のキャスティング温度若しくは成形温度にて混合してパッド形成混合物を形成し、パッド形成混合物をキャスティング若しくは成形してポリマーパッドマトリックスをキャスティング温度若しくは成形温度にて形成し、反応発熱によって液体充填マイクロエレメントを気体充填マイクロエレメントに変換すること
のいずれかによってCMP研磨パッドを形成するステップを含む方法に関する。
のいずれかによってCMP研磨層を形成するステップを含む。
ここで本発明のいくつかの実施形態を、以下の例で詳細に説明する。
Claims (10)
- 磁性基板、光学基板及び半導体基板の少なくとも1つから選択される基板を研磨するためのケミカルメカニカルポリッシング(CMP研磨)層を製造する方法であって、
ポリマーシェルを有する複数の液体充填マイクロエレメントの組成物を提供するステップ、
遠心分離風力分級により前記組成物を分級して微粉及び粗粒子を除去し、800~1500g/リットルの密度を有する液体充填マイクロエレメントを製造するステップ、
ならびに
(i)又は(ii):
(i)前記分級された液体充填マイクロエレメントを、70~270℃にて1~30分間加熱することにより、10~100g/リットルの密度を有する気体充填マイクロエレメントに変換し、前記気体充填マイクロエレメントを液体ポリマーマトリックス形成材料と混合してパッド形成混合物を形成し、前記パッド形成混合物をキャスティング若しくは成形してポリマーパッドマトリックスを形成すること、又は、
(ii)前記分級された液体充填マイクロエレメントを、1~30分のゲル化時間を有する液体ポリマーマトリックス形成材料と、25~125℃のキャスティング温度若しくは成形温度にて混合してパッド形成混合物を形成し、前記パッド形成混合物をキャスティング若しくは成形してポリマーパッドマトリックスをキャスティング温度若しくは成形温度にて形成し、反応発熱によって前記液体充填マイクロエレメントを気体充填マイクロエレメントに変換すること
のいずれかによってCMP研磨層を形成するステップ
を含む方法。 - 前記分級するステップが、微粉及び粗粒子を除去し、950~1300g/リットルの密度を有する液体充填マイクロエレメントを製造する、請求項1に記載の方法。
- 前記分級するステップが、前記複数の液体充填マイクロエレメントの前記組成物をコアンダブロックを通過させることを含み、それにより、前記遠心分離風力分級が慣性、ガス又は空気流抵抗とコアンダ効果との組合せによって動作する、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の液体充填マイクロエレメントの組成物が、前記組成物の1~10重量%を微粉として、及び前記組成物の1~10重量%を粗粒子として含み、前記分級するステップが、前記複数の液体充填マイクロエレメントの組成物から前記組成物の2~20重量%を除去する、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の液体充填マイクロエレメントの組成物が、前記組成物の1~6重量%を微粉として、及び前記組成物の1~6重量%を粗粒子として含み、前記分級するステップが、前記複数の液体充填マイクロエレメントの組成物から前記組成物の2~12重量%を除去する、請求項1に記載の方法。
- 前記で得られる液体充填マイクロエレメントの組成物が、シリカ、マグネシア及びその他のアルカリ土類金属酸化物を実質的に含まない、請求項1に記載の方法。
- 前記で得られる複数の液体充填マイクロエレメントの組成物が1~100μmの平均粒径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記で得られる液体充填ポリマーマイクロエレメントの組成物が2~60μmの平均粒径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記液体充填マイクロエレメントのポリマーシェルが、ポリ(メタ)アクリロニトリル、ポリ(塩化ビニリデン)、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(イソボルニルアクリレート)、ポリスチレン、それらの相互間のコポリマー、それらとビニルハライドモノマーとのコポリマー、それらとC1~C4アルキル(メタ)アクリレートとのコポリマー、それらとC2~C4ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートとのコポリマー、又はアクリロニトリル-メタクリロニトリルコポリマーから選択されるポリマーを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の液体充填マイクロエレメントの組成物が液体充填微小球を含む、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/583,037 US11524390B2 (en) | 2017-05-01 | 2017-05-01 | Methods of making chemical mechanical polishing layers having improved uniformity |
US15/583,037 | 2017-05-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018188620A JP2018188620A (ja) | 2018-11-29 |
JP7048395B2 true JP7048395B2 (ja) | 2022-04-05 |
Family
ID=63864820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018075519A Active JP7048395B2 (ja) | 2017-05-01 | 2018-04-10 | 均一性が改善されたケミカルメカニカルポリッシング層の作製方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11524390B2 (ja) |
JP (1) | JP7048395B2 (ja) |
KR (1) | KR102581160B1 (ja) |
CN (1) | CN108789186B (ja) |
DE (1) | DE102018003387A1 (ja) |
FR (1) | FR3065734A1 (ja) |
TW (1) | TWI758470B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110270940B (zh) * | 2019-07-25 | 2020-09-25 | 湖北鼎汇微电子材料有限公司 | 抛光垫的连续浇注制造方法 |
KR102502516B1 (ko) * | 2021-03-12 | 2023-02-23 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080063856A1 (en) | 2006-09-11 | 2008-03-13 | Duong Chau H | Water-based polishing pads having improved contact area |
JP2012101353A (ja) | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | シリケート研磨パッドを形成する方法 |
JP2013237841A (ja) | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 中空ポリマーアルカリ土類金属酸化物複合材 |
JP2016117152A (ja) | 2014-12-19 | 2016-06-30 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 粘度調節cmp注型方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3615972A (en) | 1967-04-28 | 1971-10-26 | Dow Chemical Co | Expansible thermoplastic polymer particles containing volatile fluid foaming agent and method of foaming the same |
MY114512A (en) | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
JP4419105B2 (ja) * | 1997-10-14 | 2010-02-24 | 九重電気株式会社 | 研磨パッド |
TWI228522B (en) * | 1999-06-04 | 2005-03-01 | Fuji Spinning Co Ltd | Urethane molded products for polishing pad and method for making same |
JP2001244223A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨パッド |
US7709053B2 (en) * | 2004-07-29 | 2010-05-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing of polymer-coated particles for chemical mechanical polishing |
US7182798B2 (en) * | 2004-07-29 | 2007-02-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polymer-coated particles for chemical mechanical polishing |
TWI372108B (en) * | 2005-04-06 | 2012-09-11 | Rohm & Haas Elect Mat | Method for forming a porous reaction injection molded chemical mechanical polishing pad |
KR101186531B1 (ko) * | 2009-03-24 | 2012-10-08 | 차윤종 | 폴리우레탄 다공질체의 제조방법과 그 제조방법에 따른 폴리우레탄 다공질체 및 폴리우레탄 다공질체를 구비한 연마패드 |
SG181890A1 (en) * | 2009-12-22 | 2012-07-30 | 3M Innovative Properties Co | Polishing pad and method of making the same |
US8357446B2 (en) * | 2010-11-12 | 2013-01-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Hollow polymeric-silicate composite |
US8257152B2 (en) | 2010-11-12 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Silicate composite polishing pad |
JP5710353B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-04-30 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
JP5945874B2 (ja) * | 2011-10-18 | 2016-07-05 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
US8888877B2 (en) | 2012-05-11 | 2014-11-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Forming alkaline-earth metal oxide polishing pad |
US9073172B2 (en) | 2012-05-11 | 2015-07-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Alkaline-earth metal oxide-polymeric polishing pad |
US9463550B2 (en) * | 2014-02-19 | 2016-10-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers |
JP2017064887A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
-
2017
- 2017-05-01 US US15/583,037 patent/US11524390B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-10 JP JP2018075519A patent/JP7048395B2/ja active Active
- 2018-04-25 DE DE102018003387.3A patent/DE102018003387A1/de active Pending
- 2018-04-27 TW TW107114423A patent/TWI758470B/zh active
- 2018-04-27 CN CN201810392321.9A patent/CN108789186B/zh active Active
- 2018-04-30 KR KR1020180049943A patent/KR102581160B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-02 FR FR1800399A patent/FR3065734A1/fr active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080063856A1 (en) | 2006-09-11 | 2008-03-13 | Duong Chau H | Water-based polishing pads having improved contact area |
JP2012101353A (ja) | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | シリケート研磨パッドを形成する方法 |
JP2013237841A (ja) | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 中空ポリマーアルカリ土類金属酸化物複合材 |
JP2016117152A (ja) | 2014-12-19 | 2016-06-30 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 粘度調節cmp注型方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108789186B (zh) | 2023-06-30 |
CN108789186A (zh) | 2018-11-13 |
KR20180121840A (ko) | 2018-11-09 |
KR102581160B1 (ko) | 2023-09-21 |
US11524390B2 (en) | 2022-12-13 |
US20180311792A1 (en) | 2018-11-01 |
TW201842963A (zh) | 2018-12-16 |
DE102018003387A1 (de) | 2018-11-08 |
JP2018188620A (ja) | 2018-11-29 |
FR3065734A1 (fr) | 2018-11-02 |
TWI758470B (zh) | 2022-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107813219B (zh) | 高平坦化效率化学机械抛光垫和制备方法 | |
JP5270182B2 (ja) | ケミカルメカニカル研磨パッド | |
KR102502964B1 (ko) | 조절된-팽창 cmp 패드캐스팅방법 | |
TWI779035B (zh) | 移除速率及平坦化改良的化學機械拋光墊 | |
JP6567798B2 (ja) | 中空ポリマーアルカリ土類金属酸化物複合材 | |
JP6666709B2 (ja) | 粘度調節cmp注型方法 | |
JP2007313640A (ja) | ケミカルメカニカル研磨パッド | |
JP6093236B2 (ja) | アルカリ土類金属酸化物ポリマー研磨パッド | |
JP6730025B2 (ja) | 高安定性ポリウレタン研磨パッド | |
JP7048395B2 (ja) | 均一性が改善されたケミカルメカニカルポリッシング層の作製方法 | |
JP7201338B2 (ja) | 改善された除去速度および研磨均一性のためのオフセット周方向溝を有するケミカルメカニカル研磨パッド | |
JP6072600B2 (ja) | アルカリ土類金属酸化物研磨パッドの形成 | |
TW202214387A (zh) | 研磨墊 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220225 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220324 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7048395 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |