JP7042991B1 - 半導体装置および電力変換装置 - Google Patents
半導体装置および電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7042991B1 JP7042991B1 JP2021563723A JP2021563723A JP7042991B1 JP 7042991 B1 JP7042991 B1 JP 7042991B1 JP 2021563723 A JP2021563723 A JP 2021563723A JP 2021563723 A JP2021563723 A JP 2021563723A JP 7042991 B1 JP7042991 B1 JP 7042991B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- semiconductor element
- voltage
- power semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 300
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 119
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 39
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/539—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters with automatic control of output wave form or frequency
- H02M7/5395—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters with automatic control of output wave form or frequency by pulse-width modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
- H02M1/0009—Devices or circuits for detecting current in a converter
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
- H02M1/327—Means for protecting converters other than automatic disconnection against abnormal temperatures
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
図1Aは、実施の形態1によるパワーモジュール101の一例を示す構成図である。図1Bは、図1Aの電流制御部1の構成例を示す回路図である。以下、図1Aおよび図1Bを参照して、パワーモジュール101の構成について説明する。
以下、図1Aの半導体装置100によるパワー半導体素子10の温度の推定方法についてより具体的に説明する。
ドライバ回路42は、パワー半導体素子10を駆動するために閾値電圧より大きい正電位Vccおよび閾値電圧以下の電位Vee(通常、負電位もしくはゼロ電位となる)を出力する。具体的に、ドライバ回路42は、主制御部41からの入力信号411に基づいて、パワー半導体素子10の制御端子Gに、ゲート電圧として正電位Vccまたは負もしくはゼロ電位Veeを印加する。
次に、温度計測を行う場合の半導体装置100の動作について説明する。温度計測は、ゲート電圧の立ち上がり期間および立ち下がり期間以外のゲート電圧が安定している期間で行われる。ゲート電圧が安定している期間には、ゲート電圧が正電位Vccで安定している期間(以下、「オン期間」と称する)と、ゲート電圧が負もしくはゼロ電位Veeで安定している期間(以下、「オフ期間」と称する)とがある。
次にオフ時間中での温度測定について説明する。図3の時刻t5で、ドライバ入力信号411がLレベルになってから、一定の遅延期間の経過後である時刻t6に、スイッチ制御信号31がLレベルに切り替わる。前述したように、この遅延時間は、簡単には、抵抗素子8の抵抗値とパワー半導体素子10の素子容量とからなる時定数、またはそれ以上の時間として設定することができる。この遅延時間が短いと、ドライバ回路42からのゲート駆動電流も電流検出部5によって検出されるため、温度測定の精度に影響を与える。
以上のように、本実施の形態のパワーモジュール101では、パワー半導体素子10のオン期間中またはオフ期間中に、電流源11からゲート電流Igを注入したときの電圧変化を測定することにより、パワー半導体素子10の温度を安定的に求めることができる。上記のゲート電流の注入開始のタイミングは、ドライバ電圧の立ち上がりや立下りタイミングから、簡単にはゲート抵抗と素子容量からなる時定数、またはそれ以上の時間として設定された遅延時間の経過後として定めることができる。
実際には、パワー半導体素子10のゲート容量Cdieは、パワー半導体素子10の端子電圧によって変化する。そこで、実施の形態2では、ゲート容量Cdieの変化の影響を抑制する方法について説明する。
以下、図5~図11Bを参照して、実施の形態3によるパワーモジュール101の半導体装置100の構成について説明する。実施の形態3のパワーモジュール101では、電流制御部1の構成が図1Aおよび図1Bの場合と異なり、より具体的に示されている。電流制御部1以外の点ついては、実施の形態3のパワーモジュール101の構成は実施の形態1および実施の形態2の場合と同様であるので、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、電流制御部1を構成する電流源11として、負荷に対して電流を供給するカレントソースを用いることもできるし、負荷から電流を吸収するカレントシンクを用いることもできる。
図5は、実施の形態3のパワーモジュールの第1の態様を示す構成図である。図5では、電流制御部1をパワー半導体素子10のソースS側に配置した場合の例を示す。この場合、電流制御部1の基準電位は、ドライバ回路42の制御グラウンド900である。したがって、電流源11および電流制御スイッチ12は、パワー半導体素子10の負極端子Sと制御グラウンド900との間に接続されている。
図6は、実施の形態3のパワーモジュールの第2の態様を示す構成図である。図6では、電流制御部1をパワー半導体素子10のゲート側に配置した場合の例を示す。図6の場合、電流源11にはカレントソースが用いられている。電流制御部1の基準電位は、ドライバ回路42の制御グラウンド900である。
図9は、実施の形態3のパワーモジュールの第3の態様を示す構成図である。図9では、電流制御部1をパワー半導体素子10のゲート側に配置した場合の例を示す。図9の場合、電流源11にはカレントソースまたカレントシンクを用いることができる。ドライバ回路42の基準電位901に関しては、図10Aおよび図10Bを参照して後述する。
実施の形態4では、パワー半導体素子10が並列に複数接続されている場合の例について説明する。以下では、3個のパワー半導体素子10A,10B,10Cが並列に接続されている場合について説明するが、並列接続されている複数のパワー半導体素子10は、3個に限定されない。なお、複数のパワー半導体素子10A,10B,10Cを総称する場合、または任意の1個を示す場合にパワー半導体素子10と記載する。
第一の方法は、図13に示すように、一つのスイッチングサイクル中に測定するゲート配線部2を切り替える方法である。図13では、オン期間中の測定方法について示しているが、オフ期間中においても同様に各パワー半導体素子10の温度を測定できる。
上記の第一の方法では、単一のスイッチングサイクルの中で複数回温度を測定するため、ゲート電圧の変動が大きく、パワー半導体素子10の損失が増加する可能性がある。この点を改良したものが、次の第二の方法である。
実施の形態5では、温度推定部7による温度推定方法の詳細について説明する。温度推定部7以外の点については、実施の形態1~4で説明したものと同様であるので説明を繰り返さない。また、以下では、パワー半導体素子10のオン期間中の温度測定について説明するが、オフ期間中の温度測定ついても同様である。
実施の形態6では、実施の形態5とは異なる手法を用いた温度推定部7による温度推定動作について説明する。温度推定部7以外の点については、実施の形態1~4で説明したものと同様であるので説明を繰り返さない。また、以下では、パワー半導体素子10のオン期間中の温度測定について説明するが、オフ期間中の温度測定ついても同様である。
図18は、実施の形態7によるパワーモジュールの構成図である。図18のパワーモジュール101の半導体装置100は、電流検出部5に代えて差動電圧計52が設けられている点で、実施の形態1~6のパワーモジュールの半導体装置と異なる。図18のその他の構成は、図1Aなどの場合と同様であるので、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
実施の形態8は、上述した実施の形態1~7にかかるパワーモジュール101を電力変換装置に適用したものである。本開示は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態8として、三相のインバータに本開示を適用した場合について説明する。
Claims (14)
- 半導体素子を駆動制御する半導体装置であって、
前記半導体素子は、正極端子と、負極端子と、前記正極端子および前記負極端子間を流れる電流を制御する駆動電圧を供給するための制御端子とを有し、
前記半導体装置は、
前記制御端子と前記負極端子との間にパルス状の電流を流すために設けられたパルス電流源と、
前記制御端子に前記駆動電圧を供給することにより、前記半導体素子をオン状態およびオフ状態に遷移させる駆動制御部と、
前記パルス電流源によって前記半導体素子に流れる電流を検出する電流検出部と、
前記制御端子または前記負極端子と基準電位との間の電圧を検出する電圧検出部と、
前記電流検出部および前記電圧検出部の検出値に基づいて前記半導体素子の温度を推定する温度推定部と、
前記パルス電流源に電流を出力させるタイミングを制御するタイミング制御部とを備え、
前記タイミング制御部は、前記半導体素子が前記オン状態に遷移した後のオン期間中または前記オフ状態に遷移した後のオフ期間中に、前記パルス電流源に電流を出力させる、半導体装置。 - 前記タイミング制御部は、前記半導体素子が前記オン状態に遷移してから一定時間後、または前記半導体素子が前記オフ状態に遷移してから一定時間後に、前記パルス電流源に電流の出力を開始させる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記タイミング制御部は、前記パルス電流源に電流の出力を開始させてから、前記電流検出部によって検出された電圧の変化量が閾値を超えたときに、前記パルス電流源に電流の出力を終了させる、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、前記電流検出部による電流検出用の抵抗素子を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記パルス電流源は、前記負極端子と前記基準電位との間に接続される、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記パルス電流源は、前記制御端子と前記基準電位との間に接続される、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、第1の半導体素子であり、
前記半導体装置は、前記第1の半導体素子と並列に接続された第2の半導体素子をさらに駆動制御し、
前記半導体装置は、前記第1の半導体素子および前記第2の半導体素子と前記電流検出部との間の接続を切り替える切り替え回路をさらに備える、請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記電流検出部は、前記負極端子に接続された配線に流れる電流を検出する、請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記電流検出部は、前記制御端子に接続された配線に流れる電流を検出する、請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記温度推定部は、前記パルス電流源から電流が出力されている期間の複数時点において、前記電流検出部および前記電圧検出部の検出値を取得する、請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記温度推定部は、前記パルス電流源から電流の出力が開始されてから、前記電流検出部および前記電圧検出部による電流および電圧の検出時刻までの経過時間と、前記半導体素子の前記制御端子の入力容量の値とに基づいて、前記電流検出部および前記電圧検出部の検出値から計算した抵抗値を補正する、請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記電流検出部は、
前記制御端子または前記負極端子に一端が接続された抵抗素子と、
前記抵抗素子に生じる電圧を検出する差動電圧計とを含む、請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記温度推定部は、前記電圧検出部の検出値から前記差動電圧計の検出値を減算することにより得られた電圧値と、前記差動電圧計の検出値に基づく電流値とから抵抗値を計算する、請求項12に記載の半導体装置。
- 請求項1~13のいずれか1項に記載の半導体装置と半導体素子とを搭載した電力変換装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2021/024522 WO2023275981A1 (ja) | 2021-06-29 | 2021-06-29 | 半導体装置および電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7042991B1 true JP7042991B1 (ja) | 2022-03-28 |
JPWO2023275981A1 JPWO2023275981A1 (ja) | 2023-01-05 |
Family
ID=81214512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021563723A Active JP7042991B1 (ja) | 2021-06-29 | 2021-06-29 | 半導体装置および電力変換装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240291402A1 (ja) |
JP (1) | JP7042991B1 (ja) |
CN (1) | CN117581462A (ja) |
DE (1) | DE112021007901T5 (ja) |
WO (1) | WO2023275981A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023248335A1 (ja) * | 2022-06-21 | 2023-12-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016012670A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
JP6218156B2 (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-25 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置及び電力変換装置の制御方法 |
JP2019024274A (ja) * | 2015-11-06 | 2019-02-14 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP2019519182A (ja) * | 2016-04-28 | 2019-07-04 | マシイネンフアブリーク・ラインハウゼン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 結合部の温度と電流の検知 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7140635B2 (ja) | 2018-10-31 | 2022-09-21 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
-
2021
- 2021-06-29 DE DE112021007901.8T patent/DE112021007901T5/de active Pending
- 2021-06-29 US US18/573,648 patent/US20240291402A1/en active Pending
- 2021-06-29 CN CN202180099741.8A patent/CN117581462A/zh active Pending
- 2021-06-29 JP JP2021563723A patent/JP7042991B1/ja active Active
- 2021-06-29 WO PCT/JP2021/024522 patent/WO2023275981A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016012670A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
JP2019024274A (ja) * | 2015-11-06 | 2019-02-14 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP6218156B2 (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-25 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置及び電力変換装置の制御方法 |
JP2019519182A (ja) * | 2016-04-28 | 2019-07-04 | マシイネンフアブリーク・ラインハウゼン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 結合部の温度と電流の検知 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023248335A1 (ja) * | 2022-06-21 | 2023-12-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240291402A1 (en) | 2024-08-29 |
CN117581462A (zh) | 2024-02-20 |
JPWO2023275981A1 (ja) | 2023-01-05 |
WO2023275981A1 (ja) | 2023-01-05 |
DE112021007901T5 (de) | 2024-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9935577B2 (en) | Semiconductor device and fault detecting method | |
KR102294347B1 (ko) | 정션 온도 및 전류 감지 기법 | |
US11133753B2 (en) | Power control circuit | |
US9575113B2 (en) | Insulated-gate bipolar transistor collector-emitter saturation voltage measurement | |
CN101088221B (zh) | 开关器件的自适应栅极驱动电路和方法以及逆变器 | |
US8848330B2 (en) | Circuit with a temperature protected electronic switch | |
Rothmund et al. | Accurate transient calorimetric measurement of soft-switching losses of 10kV SiC MOSFETs | |
Sundaramoorthy et al. | Simultaneous online estimation of junction temperature and current of IGBTs using emitter-auxiliary emitter parasitic inductance | |
Zhang et al. | Online junction temperature monitoring using turn-off delay time for silicon carbide power devices | |
US10637348B1 (en) | Dead-time control for half-bridge driver circuit | |
Yang et al. | A method of junction temperature estimation for SiC power MOSFETs via turn-on saturation current measurement | |
Yang et al. | A method for junction temperature estimation utilizing turn-on saturation current for SiC MOSFET | |
JP2010206699A (ja) | ソレノイド電流制御回路 | |
JP7042991B1 (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
US20180019744A1 (en) | Semiconductor device | |
Ruthardt et al. | Model based junction temperature control using the gate driver voltage as a correction variable | |
JP6924277B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP2023065319A (ja) | 半導体試験装置および半導体素子の試験方法。 | |
JP2020094951A (ja) | 半導体装置の試験装置 | |
Wittig et al. | Analysis and improvement of the switching behaviour of low voltage power mosfets with high current ratings under hard switching conditions | |
JP7068636B2 (ja) | 電力変換装置 | |
WO2023248335A1 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
Jacqmaer et al. | Fast robust gate-drivers with easily adjustable voltage ranges for driving normally-on wide-bandgap power transistors | |
CN113110681B (zh) | 一种电压钳位电路 | |
US20240079946A1 (en) | Electronic circuitry and power conversion device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211026 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211026 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20211026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220315 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7042991 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |