JP2023065319A - 半導体試験装置および半導体素子の試験方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の半導体試験装置では、実使用状態でのトランジスタの温度を精度よく測定することができなかった。【解決手段】トランジスタ１１７のゲート端子にゲートドライバ回路１１３からオン電圧を印加して試験電流Ｉｄを供給する。試験電流Ｉｄの停止後、定電流回路１１８から定電流Ｉｃを供給して端子間電圧Ｖｃｅを測定する。試験電流Ｉｄを停止した時刻ｔ０から、ｔ２＝２×ｔ１とした測定ポイントｔ１およびｔ２を設定する。ｔ１時に測定したトランジスタのＶｃｅ電圧をｖ１と、ｔ２時に測定したトランジスタのＶｃｅ電圧をｖ２から、ｔ０での電圧Ｖ０を、ｖ０＝（２＋√２）・ｖ１－（１＋√２）・ｖ２として求め、また、特性カーブをＹ＝Ａ・Ｃ＾（－１・ｔ＾ｎ）とし、測定したデータから試験電流Ｉｄを停止した時刻ｔから、Ｃ、ｎ、Ａの値を決定する。【選択図】図１９

Description

本発明は、ＳｉＣ、ＩＧＢＴ、ＧａＯ、ＭＯＳ－ＦＥＴ、Ｇａｎ－ＦＥＴ、バイポーラトランジスタ等の半導体素子のパワーサイクル試験を行う半導体試験装置、半導体素子の試験方法等に関するものである。また、ダイオード、サイリスタ等の半導体素子の試験方法等に関するものである。また、ボジスタ、サーミスタ、ホトカプラ等の試験方式等に関するものである。

半導体素子の使用環境での故障モードに近いストレスを効率よく再現でき、高い信頼性でパワー半導体素子等の評価を行うことができる半導体試験装置および半導体素子の試験方法を提供する。

半導体素子の寿命には、半導体素子自体の発熱に起因した熱疲労現象による寿命と、半導体素子の外部環境の温度変化に起因した熱疲労現象による寿命とがある。また、半導体素子のゲート絶縁膜への印加電圧による電圧疲労による寿命等がある。

一般的に、半導体素子の寿命試験は、半導体素子に通電オンオフを繰り返すことが行われている。半導体素子のエミッタ端子（ソース端子）、コレクタ端子（ドレイン端子）等に印加電圧および電流を設定し、ゲート端子に周期的なオンオフ信号（動作／非動作信号）を印加して試験が行われる。

図４５、図４６は従来例としての半導体試験装置および半導体素子の試験方法の説明図である。半導体素子としてのトランジスタ１１７のコレクタ端子ｃには定電流を出力する電流電源装置１２１が接続されている。トランジスタ１１７のエミッタ端子ｅは接地（グランド）されている。トランジスタ１１７のゲート端子ｇには、ゲートドライバ回路１１３が接続されている。

スイッチ回路１２２ａ（ＳＷａ）１２２ａがオンすることにより、トランジスタ１１７のコレクタ端子ｃには電流電源装置１２１が出力する定電流Ｉａが印加される。

ゲートドライバ回路１１３からは、設定された周波数、かつ、設定されたオン電圧時間のトランジスタ１１７のゲートをオンさせるオン電圧Ｖｇが出力される。オン電圧Ｖｇに基づいて、トランジスタ１１７はオンオフ制御される。ゲートドライバ回路１１３はゲート信号制御回路１１２で制御される。

ゲートドライバ回路１１３から出力されるＶｇｓ信号電圧により、トランジスタ１１７はオンオフ動作し、トランジスタ１１７がオンしている期間にトランジスタ１１７のチャンネル間に電流Ｉｄが流れる。

トランジスタ１１７がオンするトランジスタ１１７のチャンネル電圧Ｖｃｅが順方向電圧Ｖｎまで降下する。トランジスタ１１７がオフするとＶｃｅ電圧は、電圧Ｖｃまで上昇する。

一例として、トランジスタ１１７のチャンネル電圧Ｖｃｅ（図４６（ｃ））に図示するように、電流Ｉｄが流れている時はＶｎ電圧となり、オフ状態ではＶｃ電圧となる。

試験回路系には容量成分である容量リアクタンス（インダクタンス）１５１がある。また、誘導成分である誘導リアクタンス１５２がある。また、電流電源装置１２１は、トランジスタ１１７がオフとなっても、電流Ｉａを流し続けようとし、電流電源装置１２１の端子電圧を上昇させる。

トランジスタ１１７は電流Ｉｄにより発熱する。また、トランジスタ１１７は、繰り返し印加される試験電流Ｉｄにより、トランジスタ１１７の温度が上昇する。温度の変化は、トランジスタ１１７に配置された温度センサ１２６により取得される、温度計１２８で測定される。

容量リアクタンス１５１、誘導リアクタンス１５２、電流電源装置１２１の定電流動作などによりトランジスタ１１７のコレクタ電圧（Ｖｃ電圧）は上昇し、サージ電圧Ｖｓが発生する（図４６（ｄ）Ｖｃｅ’）。容量リアクタンス１５１は、トランジスタ１１７がオンする時に、トランジスタ１１７に大きな電流を供給し、突入電流Ｉｓが発生する（図４６（ｅ）Ｉｄ’）。

特開２０１７－１７８２２

従来の半導体試験装置では、トランジスタ１１７をオンオフ動作させるとともに、定電流Ｉａをトランジスタのチャンネルに流すことにより、トランジスタの試験を実施している。

試験は、トランジスタのオン周期、トランジスタのオン時間、トランジスタのオンオフ回数、トランジスタに流れる電流を設定することにより、試験するトランジスタにストレスを与え、トランジスタの寿命予測あるいは試験トランジスタの破壊までの時間測定を行っていた。

試験をするトランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを供給することによりトランジスタ１１７が発熱する。発熱による温度上昇は、トランジスタ１１７の特性変化に伴って変化する。したがって、試験を実施するトランジスタ１１７の測定をモニターすることが、トランジスタ１１７の試験として重要である。

試験電流Ｉｄの停止後、トランジスタ１１７に所定の定電流を供給してトランジスタ１１７の端子間電圧を測定することにより、トランジスタ１１７の温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）を取得することができる。

トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄを停止するとトランジスタ１１７は放熱し、トランジスタの温度が低下する。したがって、試験電流Ｉｄの停止した直後にトランジスタ１１７の端子間電圧を測定することが好ましいが、試験電流Ｉｄの停止直後は、サージ電圧、サージ電流が発生し、端子間電圧を測定することができない。

サージ電圧、サージ電流が収束した時には、トランジスタ１１７は冷却されてトランジスタ１１７の温度が低下し、結果的に、実使用状態でのトランジスタの温度を精度よく測定することができなかった。

発明の半導体素子試験装置は、試験電流Ｉｄを供給する電源装置と、半導体素子１１７をオンオフさせるゲートドライバ回路１１３と、半導体素子１１７に定電流Ｉｃを供給する定電流回路１１８と、半導体素子１１７の端子間電圧Ｖｉを取得する電圧測定回路３０１と、電源装置または半導体素子の端子間の電荷を放電させるスイッチ回路１２４ｂと、半導体素子１１７の端子間電圧を記憶するデータメモリ３０２と、データメモリ３０２に記憶された端子間電圧から、トランジスタ１１７の温度変化に伴う特性式を求める演算処理回路３０３を具備することを特徴とする。

本発明の半導体素子の試験方法は、半導体素子１１７に試験電流Ｉｄを供給するスイッチ回路１２４ａと、スイッチ回路１２４ａをオフさせた時刻ｔ_０から、ｔ_２ ＝ ２ × ｔ_１とした測定ポイント（ｔ_１、ｔ_２）を設定し、ｔ_１時の半導体素子１１７の端子間の電圧ｖ１と、ｔ_２時の半導体素子１１７の端子間の電圧ｖ２から、ｔ_０での電圧Ｖ_０を、下記式より求めることを特徴とする。
ｖ_０ ＝ （２ ＋ √２）・ｖ１ － （１ ＋ √２）・ｖ２

トランジスタ１１７あるいは温度測定用のダイオードＤに定電流Ｉｃを供給するときは、トランジスタ１１７のゲート端子に、試験電流Ｉｄを供給している時のオン電圧Ｖ１よりも高いオン電圧Ｖ２を印加する。

本発明の半導体素子の試験方法は、試験電流Ｉｄを供給する第１の工程と、試験電流Ｉｄを停止後、定電流Ｉｃを前記半導体素子に供給する第２の工程と、定電流Ｉｃを供給した状態で、所定時間ｔで半導体素子の端子間電圧Ｖｉを測定する第３の工程と、端子間電圧Ｖｉから、特性カーブＹ＝Ａ・Ｃ＾（－１・ｔ＾ｎ）として、Ｃ、ｎ、Ａの値を決定する第４の工程とを行うことを特徴とする。

トランジスタ１１７の試験電流Ｉｄを停止した時刻、スイッチ回路１２４ｂで電荷を放電しスイッチ回路１２４ｂをオフした時刻から、試験対象の素子（半導体素子等）の端子間電圧Ｖｉは時間ｔを変化させて測定する。初期端子間電圧Ｖｉを固定値として含む特性式に求める。試験開始後は、所定の時刻ｔで測定した端子間電圧Ｖｉと特性式に代入し、特性式のＡ値（初期端子間電圧Ｖｉ）あるいは変化量、変化割合を、半導体素子の劣化状態の評価として使用するものである。

本発明は、半導体素子に供給する試験開始前または事前に、試験電流Ｉｄを供給して半導体素子の端子間電圧を測定する。測定した端子間電圧より特性式を求める。半導体素子の試験中は所定の時間で測定した端子間電圧を特性式に代入し、試験電流Ｉｄの停止直後の半導体素子の温度を求める。したがって、試験電流Ｉｄの停止直後のサージ電圧の影響を受けず、安定した半導体素子の温度を取得することができる。

本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法の説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法の説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法の説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体試験装置および試験方法の説明図である。 本発明の半導体試験装置および試験方法の説明図である 本発明の半導体試験装置および試験方法の説明図である 本発明の半導体試験装置および試験方法の説明図である 本発明の半導体試験装置および試験方法の説明図である 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体試験装置の構成図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 本発明の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 従来の半導体試験装置の説明図である。 従来の半導体素子の試験方法のタイミングチャート図および説明図である。 半導体素子の説明図である。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態に係るパワーサイクル試験などの半導体試験装置および半導体素子の試験方法を説明する。

明細書で記載する実施形態では、半導体素子のうち、ＩＧＢＴを例にとって説明する。本発明はＩＧＢＴに限定されるものではなく、ＳｉＣ、ＭＯＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＧａＮ、トランジスタ等の各種の半導体素子に適用することができる。また、トランジスタだけに適用されるものではなく、サーミスタ、ポジスタ、ダイオードなどの２端子素子にも本発明は適用できる。また、電力抵抗器など半導体以外の電子部品等に適用できる。
また、パワー半導体素子に限定されるものではなく、低電力用の半導体素子にも本発明は適用できることは言うまでもない。

発明を実施するための形態を説明するための各図面において、同一の機能を有する要素には同一の符号を付して説明を省略する場合がある。また、本発明の実施例は、それぞれを組み合わせることができる。

図２は本発明のパワーサイクル試験装置（半導体試験装置）の構成図である。パワーサイクル試験装置は、チラー（冷却・加温装置）１３６と、加熱冷却プレート１３４、加熱冷却プレート１３４とチラー１３６間を循環する循環水パイプ１３５を有する。加熱冷却プレート１３４には、試験サンプルとしてのトランジスタ１１７が積載されている。

試験をするトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊが所定値となるように、試験電流Ｉｄ、ゲート電圧Ｖｇ、電圧Ｖｃｅを変化させて試験の条件を設定する。温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）が変化すると、トランジスタ１１７が劣化あるいは特性が変化していると判断し、トランジスタ１１７の試験を停止、あるいは制御方法を変更する。

例えば、温度情報Ｔｊの変化で、トランジスタ１１７の信頼性特性を判定あるいは判定する。また、電圧Ｖｃｅが所定電圧になる時間、トランジスタ１１７の破壊までの時間などからトランジスタ１１７の信頼性、寿命を評価、測定する。

本発明の半導体の試験方法において、トランジスタ１１７の劣化あるいは特性変化にあわせて外部条件を変える。例えば、トランジスタ１１７が発熱した場合は水温を下げる。水温を下げると、また、トランジスタ１１７に流れる電流を少なくすると、トランジスタ１１７の劣化、特性変化が進まない。結果、トランジスタ１１７の寿命が延びる。したがって、所定設定条件に対するトランジスタ１１７の寿命、信頼性特性を定量的に測定、判断することができる。

チラー１３６の循環水を加温または冷却することにより、トランジスタ１１７の温度を規定値あるいは所定値に維持する。また、試験条件に対応してトランジスタ等の温度を周期的に変化させ、また、一定に冷却し、加熱させる。また、試験トランジスタの温度情報Ｔｊを測定し、測定した温度情報Ｔｊを一定値に維持するように、チラー１３６を制御する。

チラーは水や熱媒体の液温を管理しながら循環させることで、機器などの温度を一定に保つことができるように構成している。主に冷却に用いる場合が多いが冷やすだけでなく温めることもでき、様々な温度の制御を実施できるように構成している。

制御ラック１３１には、トランジスタ１１７に試験電流、試験電圧を供給する電源装置１３２と、トランジスタ１１７を制御あるいは試験条件を設定する制御回路１３３を有している。

制御回路１３３には、トランジスタ１１７の温度情報Ｔｊが入力され、温度情報Ｔｊに基づいてチラー１３６を制御する。あるいは、温度情報Ｔｊを所定値にするように、チラー１３６を制御する。

なお、本明細書では循環水として説明するが、水に限定されるものではない。エチレングリコール、グリセリンなどでも良い。また、強制空冷であってもよい。チラー１３６は循環水パイプ１３５内の液体を、例えば水温マイナス１０℃からプラス１００℃までの範囲で制御して試験ユニット３の加熱冷却プレート１３４に供給する。加熱冷却プレート１３４は十分に大きな熱容量を持っている。

上記実施形態では加熱冷却プレート１３４を使用したが、加熱プレートと冷却プレートを別体とし、加熱冷却プレート以外の熱源・冷熱源を用いて加熱・冷却するものであってもよい。
図１は本発明の実施例における半導体試験装置（例えば、パワートランジスタを試験するパワーサイクル試験装置）の構成図である。

電流電源装置１２１は、トランジスタ１１７を試験するための大電流の定電流を出力する。電流電源装置１２１は、コントローラ（パーソナルコンピュータ等）１１１からの制御信号に同期させて電力（電流、電圧）を供給すると共に、供給された電力を用いて前記負荷を設定された定電流または定電圧で駆動する。また、電流電源装置１２１は、出力する最大電圧値を設定することができる。

スイッチ回路１２２ａ（ＳＷａ）は、電流電源装置１２１が出力する定電流の供給をオン（供給）オフ（遮断）させる。スイッチ回路１２２ａはコントローラ１１１からの信号に基づき、オン(定電流を出力)またはオフ（定電流を遮断）に設定または制御される。通常、スイッチ回路１２２ａは試験開始前にオンされ、半導体素子の試験中は常時、オン状態に維持される。
図１において、１台の電流電源装置１２１を図示している。電流電源装置１２１は１台に限定されるものではない。

例えば、図１１に図示するように、本発明の半導体試験装置において、２台以上の電流電源装置１２１を保有させてもよい。電流電源装置１２１の台数が増加するほど、多種多様な電流波形Ｉｄを発生させることができる。
本発明の実施例において、電流電源装置１２１として説明するが、電流電源装置１２１は定電流を出力するものに限定されるものではない。

例えば、電流電源装置１２１に最大電圧を設定できるものを使用する。一定の条件で、設定された最大電圧において、所定の定電流を出力できるように機能させることが例示される。また、定電流を出力する場合に、出力端子電圧を所定の最大電圧を設定できるように構成されることが例示される。したがって、電流電源装置１２１は、定電流のみ出力する装置ではなく、電圧、電流を出力できる電源装置であってもよい。

図１などの実施例において、電流電源装置１２１で試験電流Ｉｄを発生させるとして説明するが、試験電流Ｉｄは、トランジスタ１１７のオン抵抗の状態に応じて、印加電圧を調整することによっても実現できる。したがって、本発明の半導体試験装置において、電流を出力する電流電源装置１２１に限定するものではなく、電圧出力の電源装置で構成しても良いことはいうまでもない。

試験電流Ｉｄは、トランジスタ１１７のゲート電圧の電圧値の制御によっても実現できる。本明細書では、電流電源装置１２１の制御によって、トランジスタ１１７に所定の電流を印加するとして説明する。しかし、これに限定するものはなく、トランジスタ１１７のゲート端子ｇの電圧、トランジスタ１１７のコレクタ端子ｃの電圧を調整あるいは制御してもよいことは言うまでもない。

図１では、定電流ＩｃはダイオードＤｉに流すように図示しているが、本願発明は、これに限定されるものではない。たとえば、トランジスタ１１７がＩＧＢＴの場合で、ダイオードＤｉが付加されていない場合、トランジスタ１１７のチャンネル電流が流れる方向（コレクタｃ→エミッタｅ）に定電流Ｉｃを流し、チャンネル間（コレクタ－エミッタ間）の電圧を測定する。したがって、試験電流Ｉｄと定電流Ｉｃの流れる方向は一致する。

本発明の半導体素子の試験方法の実施例では、説明を容易にするため、定電流Ｉａ＝Ｉｄは電流電源装置１２１ａが発生するとしている。トランジスタ１１７に流す電流Ｉｄは電流電源装置１２１を動作させることにより供給する。電流電源装置１２１はコントローラ１１１からの信号によりオン／オフ制御される。電流制御回路１１４はコントローラ１１１によりタイミング制御される。

トランジスタ１１７のエミッタ端子ｅは接地（グランド）されている（接地ラインと接続されている）。トランジスタ１１７のゲート端子ｇには、ゲートドライバ回路１１３が接続されている。

ゲートドライバ回路１１３からは、設定された周波数、かつ、設定されたオン電圧時間でトランジスタ１１７のゲートをオンさせるオン電圧Ｖｇが出力される。図３の実施例では、図４（ａ）に図示するように、トランジスタ１１７のオンオフ周期はｔｃｙｃｌｅであり、オン時間はｔｏｎ、オフ時間はｔｏｆｆである。

図４（ａ）のオン信号電圧Ｖｇｓに基づいて、トランジスタ１１７はオンオフ制御される。ゲートドライバ回路１１３はゲート信号制御回路１１２で制御される。
電流電源装置１２１ａは定電流Ｉａを出力し、定電流Ｉａがトランジスタ１１７のＩｄとして供給される。

ゲートドライバ回路１１３から出力されるＶｇｓ信号電圧により、トランジスタ１１７はオンオフ動作し、トランジスタ１１７がオンしている期間にトランジスタ１１７のチャンネル間に電流Ｉｄが流れる。

ゲートドライバ回路１１３は、内部に可変抵抗回路１２５を有している。可変抵抗回路１２５の値は、０（Ω）から５００（Ω）間で、所定値に、あるいはステップ的、あるいは連続的に設定できるように構成されている。ゲート端子ｇの波形を観察しながら、コントローラ１１１からの制御信号により可変抵抗回路１２５の値を設定してもよい。

図１８に図示するように、ゲートドライバ回路１１３は、リアルタイムでオン電圧を変化あるいは設定することができる。たとえば、試験電流Ｉｄを印加する期間は、オン電圧をＶ１とし、定電流Ｉｃを流しているときは、オン電圧Ｖ２とする。電圧Ｖ１から電圧Ｖ２には段差的な変化ではなく、電圧Ｖ１から電圧Ｖ２に滑らかに変化させても良い。

一例として、本発明で試験を行う半導体素子はトランジスタ１１７がＩＧＢＴである。ＩＧＢＴに限定されるものでなく、ＳｉＣやＧａＮ等のトランジスタ、その他の半導体素子、電気素子であっても良いことは言うまでもない。

図１等のダイオードＤｉ、図７等のダイオードＤｓがない場合は、トランジスタ１１７にオン電圧を印加した状態で、順方向に定電流Ｉｃを供給する。定電流Ｉｃを供給した状態で、トランジスタ１１７のチャンネル間電圧Ｖｃｅを測定する。

図２６は、定電流回路１１８のブロック図である。定電流回路１１８が出力する電流Ｉｃは小電流であり、出力インピーダンスが高いため、定電流Ｉｃにノイズが重畳されやすい。

本発明は、図２６の構成を採用することにより、ノイズの影響をなくす、あるいは低減させている。定電流Ｉｃはトランジスタ１１７に流し、トランジスタ１１７のチャンネル電圧（コレクタ－エミッタ間電圧、ドレイン－ソース間電圧）を測定することにより、トランジスタ１１７の温度情報（チャンネル間電圧Ｖｉ、熱抵抗、過渡熱抵抗）を得る。

定電流Ｉｃは小さい電流であることが多く、定電流回路はインピーダンスが高いこともあり、ノイズが乗りやすい。したがって、定電流回路１１８は耐ノイズ性が良好な構成にする必要がある。

図２６の構成は、ＡＣ－ＤＣコンバータ回路６０１と信号用電源を切り離すことで、ＡＣ－ＤＣコンバータ回路６０１から回り込む電源起因のノイズを抑制する。ＡＣ－ＤＣコンバータ回路６０１や基準電圧発生回路からのノイズを遮断する。
ＡＣ－ＤＣコンバータ回路６０１、基準電圧回路６０３、可変抵抗回路１２５はコントローラ１１１により、設定、制御される。

ＡＣ－ＤＣコンバータ回路６０１はＡＣ電圧からＤＣ電圧Ｖｂを発生する。ＤＣ電圧Ｖｂはコンデンサ６０２ａにより安定化され、基準電圧回路６０３に供給される。基準電圧回路６０３は、基準電圧Ｖｓを発生させる。トランジスタ６０４ａのゲート端子には安定した基準電圧Ｖｓが印加される。

トランジスタ６０４ａのｃ端子の電圧はトランジスタ６０４ｂのゲート端子に印加され、トランジスタ６０４ｂのエミッタ端子の電圧ａが可変抵抗回路１２５に供給される。

図２６の点線部であるトランジスタ６０４ａとコンデンサ６０２ｂにより、ＡＣ－ＤＣコンバータ回路６０１のノイズは遮断され、可変抵抗回路１２５はノイズの無く、安定した動作を実現できる。

可変抵抗回路１２５の抵抗値はコントローラ１１１により設定される。可変抵抗回路１２５により定電流Ｉｃを設定するオペアンプ回路１１６の＋端子の電圧Ｖｎが設定される。オペアンプ回路１１６の－端子電圧は、＋端子電圧と同一電圧となり、トランジスタ６０４ｃ、抵抗３１５、オペアンプ回路１１６により、安定した定電流Ｉｃが発生する。

本明細書、図面では、オペアンプ回路１１６として説明するが、オペアンプ回路１１６等で端子間電圧Ｖｉを測定する電圧測定回路３０１を構成する。電圧測定回路３０１は２端子間Ｖｉの電圧値を測定する手段であり、測定した２端子間電圧Ｖｉは、デジタルデータまたはアナログデータとして出力する。

定電流Ｉｃは、スイッチ回路５０７がオン（クローズ）することにより定電流Ｉｃがトランジスタ１１７のチャンネル間、あるいはダイオードＤｉに供給される。

定電流回路は、４層基板を採用することで、デジタルアンプのグランド(３層目)を、ＡＣ－ＤＣコンバータ回路６０１(２層目)や基準電圧回路６０３の出力部(４層目)と分離し、ノイズを低減している。

定電流Ｉｃを流しているときは、定電流Ｉｃのよる発熱等の影響を低減させる必要がある。そのため、定電流Ｉｃをトランジスタ１１７に供給しているときは、トランジスタ１１７を強オン状態とするため、Ｖ１電圧よりも高い電圧Ｖ２をトランジスタ１１７のゲート端子に印加する。

つまり、Ｖ１＜Ｖ２の関係となるように設定する。たとえば、Ｖ１が１０Ｖであれば、Ｖ２は１．５倍以上の１５Ｖ以上とする。このように、定電流Ｉｃを流しているときに、高いオン電圧Ｖ２とすることにより、トランジスタ１１７のチャンネル間抵抗が低くなり、Ｖｃｅ等の端子間電圧Ｖｉの電圧測定精度が向上する。
試験時は、Ｖ１電圧のため、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄが流れ、トランジスタ１１７のチャンネルで発熱などが発生し、試験が実施される。

図１８に図示するように、ｔｏｎ１の期間にゲートドライバ回路１１３は、ゲートオン電圧Ｖ１をトランジスタ１１７に印加する。Ｖ１電圧の印加後、ｔｓの期間の時間の後、スイッチ回路Ｓｓａ１２４ａがオンして、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを供給する。

トランジスタ１１７のチャンネル間に定電流回路１１８から定電流Ｉｃを供給する期間は、ｔｏｎ２の期間にゲートドライバ回路１１３は、ゲートオン電圧Ｖ２をトランジスタ１１７に印加し、トランジスタ１１７を強オンさせる。なお、トランジスタ１１７の強オンとは、トランジスタ１１７のチャンネル間抵抗を低くすることであり、通常よりゲート電圧でトランジスタ１１７をオン状態することに限定されるものではない。
Ｖ２電圧の印加期間に、定電流Ｉｃをトランジスタ１１７の順方向（コレクタ端子からエミッタ端子方向）に供給する。
定電流Ｉｃを供給している期間のうち、Ｓｔ１のｔｃ１の期間に、トランジスタ１１７のＶｃｅ電圧を測定し、トランジスタＴｊを求める。

なお、トランジスタ１１７に定電流Ｉｃの供給開始は、スイッチ回路１２４ａがオフしてから、ｔｓ期間後に行う。また、Ｖ１電圧からＶ２電圧に変更する期間も同様である。

試験電流Ｉｄの供給と、定電流Ｉｃの供給が交互に繰り返される場合、オン電圧Ｖ１とオン電圧Ｖ２に同期して交互に繰り返される。以下の可変抵抗回路１２５についても繰り返されることは同様である。

以上のように、温度測定用のダイオードＤがない場合は、トランジスタ１１７のゲート端子にオン電圧を印加し、トランジスタ１１７の順方向に定電流Ｉｃを供給して、チャンネル間電圧Ｖｃｅを測定する。チャンネル間電圧Ｖｃｅは端子間電圧Ｖｉとして、端子間電圧Ｖｉより温度情報Ｔｊを求める。

一例として、温度情報をＴｊとした時、端子間電圧をＶとすると、Ｖ＝Ａ・Ｔｊ＋Ｂとして表現される。したがって、Ｔｊ＝（Ｖ－Ｂ）／Ａで示される。ＴｊとＶは線形の関係で表される。端子間電圧ＶとＴｊとは比例の関係となる。Ｖの測定は、トランジスタあるいはダイオードに定電流Ｉｃを印加し、加熱冷却装置を用いて、トランジスタあるいはダイオードの温度を変化させ、Ｖを測定する。

トランジスタ１１７の特性の変化により、端子間電圧Ｖの変化幅が大きい場合は、端子間電圧ＶとＴｊとは比例の関係とはならない。しかし、端子間電圧Ｖの変化幅が小さい場合、初期電圧Ｖに対する変化量をモニターして試験を実施する場合は、端子間電圧ＶとＴｊとは比例の関係とみなしても試験としては支障がない。
図１８は、本明細書の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わることができることも言うまでもない。

図１８の実施例は、図１等に図示するように、ダイオードＤｉが形成あるいは配置された構成であっても、トランジスタ１１７の順方向に定電流Ｉｃを供給し、チャンネル間電圧Ｖｃｅを測定、温度情報Ｔｊを求めることができることは言うまでもない。

トランジスタ１１７のゲート端子ｇとエミッタ端子ｅまたは、コレクタ端子ｃ間に抵抗Ｒ（図示せず）を配置してもよい。抵抗Ｒの値を調整することにより、ゲート信号の立ち上がりおよび立ち下がり電圧波形の傾斜角度を調整できる。

可変抵抗回路１２５の値が大きい場合は、トランジスタ１１７のゲート端子に印加するトランジスタ１１７のゲート信号の立ち上がり／立ち下がり波形の傾斜が緩やかになる。

一方、可変抵抗回路１２５の抵抗値が小さい場合は、ゲート信号の立ち上がり／立ち下がり波形の傾斜が急峻になる。可変抵抗回路１２５の値を変更あるいは所定値に設定することにより、トランジスタ１１７のオン時間を調整できる。

可変抵抗回路１２５の値を調整し、トランジスタ１１７のゲート端子に印加するトランジスタ１１７のゲート信号の立ち上がり／立ち下がり波形の傾斜を変化させることは、トランジスタ１１７のオフ直後のサージ電圧、サージ電流の発生を調整することになる。したがって、可変抵抗回路１２５の抵抗値は、図２０で説明するｗ１時間、ｔ１時間、ｔ２時間の設定と密接な関係がある。可変抵抗回路１２５の抵抗値を設定し、端子間電圧Ｖｉの電圧値をオシロスコープ等で観察して、図２０で説明するｗ１時間、ｔ１時間、ｔ２時間を調整することが好ましい。

ゲートドライバ回路１１３は、トランジスタ１１７のゲート端子ｇに印加するゲート電圧において、立ち上がり波形の傾斜（立ち上がり時間Ｔｒ）と立ち下がり波形の傾斜（立ち下がり時間Ｔｄ）を設定できる。立ち上がり時間Ｔｒと立ち下がり時間Ｔｄを別々に調整することによりトランジスタ１１７のオン時間等を任意に調整できる。

可変抵抗回路１２５の抵抗値は、コントローラ１１１により設定する。設定は、一定値であることに限定されない。ゲートドライバ回路１１３の立ち上がり波形の傾斜（立ち上がり時間Ｔｒ）と立ち下がり波形の傾斜（立ち下がり時間Ｔｄ）を変化させてもよい。ゲート信号の立ち上がり時の抵抗値と、立ち下がり時の抵抗値とを変化させてもよい。また、リアルタイムに抵抗値を可変制御してもよい。可変抵抗回路１２５を可変制御することにより、トランジスタ１１７のオン時間、オン電圧が安定する。

なお、可変抵抗回路１２５の抵抗値を調整するとしたが、抵抗値の調整は可変抵抗に限定されるものでない。固定抵抗を付け替えて抵抗値調整を行っても良いことは言うまでもない。

ゲート信号の立ち上がり時の抵抗値を小さくすると、トランジスタ１１７のゲート端子に印加されるオン電圧の波形が急峻になり、高速にトランジスタ１１７がオンする。ゲート信号の立ち上がり時の抵抗値を大きくすると、トランジスタ１１７のゲート端子に印加されるオン電圧の波形が緩やかになり、緩やかにトランジスタ１１７がオンする。

ゲート信号の立ち下がり時の抵抗値を小さくすると、トランジスタ１１７のゲート端子に印加されるオン電圧の波形が急峻になり、高速にトランジスタ１１７がオフする。ゲート信号の立ち下がり時の抵抗値を大きくすると、トランジスタ１１７のゲート端子に印加されるオン電圧の波形が緩やかになり、緩やかにトランジスタ１１７がオフする。

以上のように、トランジスタ１１７のゲート端子に接続された可変抵抗Ｖｒの値、あるいはゲートドライバ回路１１３の立ち上がり時間／立ち下がり時間を制御あるいは調整または設定することができる。また、オン電圧、オフ電圧が安定する。
したがって、ゲートドライバ回路１１３の機能として、トランジスタ１１７に発生させる突入電流Ｉｓ、サージ電圧Ｖｓを変化あるいは変更することができる。

トランジスタ１１７の動作は、トランジスタ１１７のゲート端子のオン電圧の制御だけでなく、電流電源装置１２１がトランジスタ１１７に供給する試験電流Ｉｄあるいは電圧Ｖｍの値を変化あるいは設定できることは言うまでもない。

ゲートドライバ回路１１３の可変抵抗回路１２５はコントローラ１１１により制御される。図４に図示するゲートドライバ回路１１３が出力するゲート信号の周期時間ｔｃｙｃｌｅ、オン時間ｔｏｎあるいはオフ時間ｔｏｆｆはゲート信号制御回路１１２が制御し、ゲート信号がトランジスタ１１７のゲート端子に印加される。また、ゲート信号制御回路１１２はコントローラ１１１により制御される。

図１などにおいて、ゲートドライバ回路１１３の可変抵抗回路１２５の抵抗値は、可変としたがこれに限定するものではない。例えば、可変抵抗回路１２５を外付け抵抗とし、抵抗をコネクタ（図示せず）などによりトランジスタ１１７のゲート端子に接続してもよいことは言うまでもない。

接続する抵抗の値は、トランジスタ１１７のゲート端子の波形、チャンネル電流Ｉｄの波形を観察して設定する。また、図２０で説明するｗ１時間、ｔ１時間、ｔ２時間を調整することが好ましい。

図１などにおいて、トランジスタ１１７のコレクタ端子ｃとエミッタ端子ｅ間には定電流回路Ｐｃ１１８が接続されている。定電流回路１１８は、所定の定電流Ｉｃを流す。定電流Ｉｃはトランジスタ１１７の温度をモニターするためである。

なお、ＩＧＢＴを例示して本明細書は説明するため、トランジスタ１１７の端子はゲート端子ｇ、コレクタ端子ｃ、エミッタ端子ｅである。ＭＯＳトランジスタ１１７の場合は、トランジスタ１１７の端子はゲート端子ｇ、ドレイン端子ｄ、ソース端子ｓとなる。

トランジスタ１１７には、ボディダイオードあるいはチャンネルダイオードＤｉが形成されている。なお、ダイオードＤｉはトランジスタ１１７が形成された半導体チップに実装された別の半導体チップのダイオードであってもよい。

ダイオードＤｉは、トランジスタ１１７の形成時に副次的に形成されるダイオード（寄生ダイオード）を利用してもよい。寄生ダイオードはトランジスタ１１７の層構造により副次的に形成される。ダイオードＤｉは、構造上、トランジスタ１１７のチャンネル部の近傍に形成される。

ダイオードＤｉは、トランジスタ１１７を動作させている時には動作しないものであれば、いずれの素子でもよい。例えば、ダイオードに限定されるものではなく、トランジスタを、図１０に図示するように、ダイオード接続して使用しても良いことはいうまでもない。

ダイオードＤｉは、トランジスタ１１７チップに内蔵でもよいし、外付けでもよい。また、ダイオードＤｉがない場合は、トランジスタ１１７の試験電流Ｉｄと同一方向の定電流Ｉｃを流し、トランジスタ１１７のチャンネル間電圧Ｖｃｅ、ダイオードＤの端子電圧を測定し、温度変化をモニターあるいは測定あるいは算出する。

また、ダイオードなどの半導体に限定されるものではなく、抵抗などのデバイスでもよい。抵抗などのデバイスに定電流Ｉｃを印加することにより、抵抗の端子間電圧を測定する。この電圧を端子間電圧Ｖｉとして測定する。

以上のように、温度を取得する素子は、半導体などのデバイスだけでなく、抵抗などのデバイスでもよい。つまり、電流を流すことにより電圧値を取得できるデバイス、あるいは電圧を印加することにより電流値を取得できるデバイスであればいずれのデバイスでも適用できる。

ダイオードＤｉはトランジスタ１１７の発熱により抵抗値が変化する。ダイオードＤｉに定電流Ｉｃを流すと、ダイオードＤｉの抵抗値の変化に比例してダイオードＤｉの端子間の電圧が変化する。端子間の電圧をモニターあるいは測定すれば、トランジスタ１１７の温度、または温度の変化を知ることができる。つまり、温度情報Ｔｊを得ることができる。
トランジスタ１１７の温度をダイオードＤｉの電圧からモニターするためには、温度係数を予め取得しておく必要がある。

温度係数は、トランジスタ１１７を恒温槽で所定温度に設定し、ダイオードＤｉに定電流Ｉｃを流して、ダイオードＤｉの端子間電圧Ｖｉを測定する。前記所定温度を変化させ、かつダイオードＤｉの端子間電圧を測定することにより、温度に対するダイオードの端子間電圧を取得できる。したがって、温度に対するダイオードＤｉの端子間電圧からトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊを求めることができる。

温度情報Ｔｊは、トランジスタ１１７の各生産ロットで異なる場合があるが、一般的には生産ロットで一定の値を示す。したがって、各生産ロットで、試験を行うトランジスタ１１７を抜き取り、温度情報Ｔｊを求めておけば他のトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊにも使用できる。
温度情報Ｔｊと端子間電圧Ｖｉとが線形の関係にあれば、端子間電圧Ｖｉを測定すれば、温度情報Ｔｊを求めることができる。

精度よく温度情報Ｔｊを取得するには、同じロットでも、各トランジスタ１１７の温度情報Ｔｊを個別に測定して試験をする。温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）の測定は、恒温槽の使用に限定されない。例えば、トランジスタ１１７を実装したヒートシンクに流す水温を変えて温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）を取得する。

試験時は、トランジスタ１１７に間欠的に、試験電流Ｉｄを印加する。試験電流Ｉｄをオフした直後あるいは、オフした後、短時間の所定時間の経過後、定電流回路１１８から、温度測定用の定電流Ｉｃを流す。

定電流Ｉｃでトランジスタ１１７が発熱することを防止するため、あるいは定電流Ｉｃの影響がないようにするため、定電流Ｉｃはトランジスタ１１７のチャンネルに流す試験電流Ｉｄよりも十分に小さい電流値にする。定電流Ｉｃは、温度測定に影響を与える発熱しない程度の電流を流す。

具体的には、温度係数を求めるための定電流Ｉｃは試験時にトランジスタ１１７に流す電流Ｉｄの１／１０００以下に設定する。好ましくは、トランジスタ１１７に流す電流Ｉｃは電流Ｉｄの１×１０^６の１以上１×１０^４の１以下にする。定電流Ｉｃは０．１ｍＡ以上１００ｍＡ以下にする。

チャンネル電流Ｉｃを変化させ、ダイオードＤｉ電圧（トランジスタ１１７のコレクタ－エミッタ端子間電圧）を測定して、温度情報Ｔｊを求める。求められた温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）は、温度測定回路１１５のデータメモリ３０２に記憶させる。

温度を測定する時、ダイオードＤｉがトランジスタ１１７と同一チップ内に形成されている場合、ゲート電圧Ｖｇｓによって飽和電圧のＶｎ電圧が変化する場合がある。ゲート電圧Ｖｇｓはゼロ（０）電圧または負電圧（マイナス電圧）とすることが好ましい。

図２に示すように、温度情報Ｔｊに基づいて、コントローラ１１１はチラー１３６を制御する。チラー１３６は循環水（循環溶液）の温度を調整し、加熱冷却プレート１３４の温度を調整する。

温度情報をＴｊとした時、端子間電圧をＶとすると、Ｖ＝Ａ・Ｔｊ＋Ｂとして表現される。したがって、Ｔｊ＝（Ｖ－Ｂ）／Ａで示される。ＴｊとＶは線形の関係で表される。

以上の実施例では、予め、温度情報Ｔｊを求めるとしたが、本発明の半導体試験方法はこれに限定するものではない。なお、温度係数とダイオード端子間電圧などからトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊを求める。
トランジスタ１１７と加熱冷却プレート１３４に密着して配置し、加熱冷却プレート１３４の温度が、トランジスタ１１７と略一致するように構成する。

コントローラ１１１はチラー１３６を制御して、加熱冷却プレート１３４の温度を所定温度にし、トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを印加して、ダイオードＤｉの端子間電圧を測定する。

測定結果から、温度情報Ｔｊを求める。加熱冷却プレート１３４の温度は、複数の温度に設定し、それぞれの温度での温度情報Ｔｊを求め、結果からより温度係数の値の精度を向上させる。

温度情報Ｔｊは、トランジスタ１１７を加熱冷却プレート１３４で所定温度にし、ダイオードＤｉに定電流Ｉｃを流して、端子間電圧Ｖｉを測定する。端子間電圧Ｖｉは複数回測定することが好ましい。測定した端子間電圧Ｖｉは平均化処理を行う。

前記所定温度を変化させ、かつトランジスタあるいはダイオードＤｉの端子間電圧を測定することにより、温度に対するトランジスタあるいはダイオードＤｉの端子間電圧を取得できる。したがって、温度に対するダイオードＤｉ等の端子間電圧からトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊを求めることができる。

トランジスタ１１７の試験時は、定電流Ｉｃは、チャンネル電流Ｉｄが流れていない時にダイオードＤｉに流す。つまり、トランジスタ１１７がオンしていない時に、定電流Ｉｃを流してダイオードＤｉ等の端子間電圧を測定する。

電圧測定回路３０１のオペアンプ回路（バッファ回路）１１６は、ダイオードＤｉの端子間電圧Ｖｉ（端子ｃ－端子ｅ）を出力する。なお、オペアンプ回路１１６は、オペアンプ素子から構成されるものに限定されない。入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低いものであればいずれのものでもよい。電圧測定回路３０１から出力する電圧Ｖｉはアナログデータに限定されるものではない。デジタルデータに変換されたデータであっても良い。

本明細書、図面では、電圧測定回路３０１は、オペアンプ回路１１６として図示して説明するが、オペアンプ回路１１６に限定されるものではない。オペアンプ回路１１６等で電圧測定回路３０１を構成する。電圧測定回路３０１は２端子間の電圧値を測定する手段あるいは回路である。電圧の測定は、差動アンプ出力としても良い。測定した２端子間電圧はデジタルデータ（Ｔｄａｔａ）またはアナログデータＶｉとして出力する。

温度測定回路１１５を保持されている温度情報Ｔｊと端子間電圧Ｖｉから、試験を実施しているトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊを求める。温度情報Ｔｊは温度情報としているが、端子間電圧Ｖｉからもとめられるものであり、温度情報Ｔｊと端子間電圧Ｖｉとは線形の関係がある。

求められた温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に送られる。コントローラ１１１は、温度情報Ｔｊが所定設定値以上のなった場合、トランジスタ１１７が所定のストレス状態、あるいは劣化状態となったと判断し、試験の制御変更あるいは試験の停止などを行う。あるいは、コントローラ１１１は、端子間電圧Ｖｉが所定設定値以上となった場合、端子間電圧Ｖｉが所定設定値の範囲外となった場合トランジスタ１１７が所定のストレス状態、あるいは劣化状態となったと判断し、試験の制御変更あるいは試験の停止などを行う。

温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に入力され、トランジスタ１１７の温度変化が把握される。温度情報Ｔｊに基づいてトランジスタ１１７の特性変化、劣化が測定あるいは観察される。温度情報Ｔｊに基づいて、トランジスタ１１７の試験の停止、中断、試験条件の変更を実施する。

試験でトランジスタが劣化する箇所は主として、トランジスタ１１７内の接合部であることが多い。半導体そのものが劣化することは少なく、トランジスタ１１７の接合部（ボンディング、ダイボンドなど）が劣化し、接合部の抵抗値が高くなる。抵抗値が高くなることにより、電圧Ｖｃｅ（端子間電圧Ｖｉ）が高くなり、発熱してトランジスタ１１７の温度が上昇する。発熱はトランジスタ１１７の温度を上昇させる。トランジスタ１１７の温度を測定あるいは取得することにより、トランジスタ１１７の特性劣化を精度よく把握することができる。

半導体が劣化する場合は、トランジスタ１１７のゲート酸化膜（絶縁膜）の劣化である場合が多い。ゲート酸化膜の劣化が発生した場合は、酸化膜（絶縁膜）の短絡状態になり、電圧Ｖｃｅは下がる。または、トランジスタ１１７がオフ状態となり、トランジスタ１１７には電流は流れず、電圧Ｖｃｅは電源電圧の最大値まで上昇する。

温度情報Ｔｊは、試験開始時は、最低温度Ｔ１から最高温度Ｔ２の間を変化する。試験によりトランジスタ１１７にストレスがかかると、トランジスタ１１７のＶｃｅ電圧が変化し、通常は温度情報Ｔｊが高くなる方向に変化する。
したがって、図５（ｃ）に図示するように、最低温度は、温度Ｔ１より上昇し、最高温度は温度情報Ｔｍ（Ｔｊｍａｘ）に近づく。
本発明の半導体の試験方法では、試験の終了は下記のいずれかの条件で停止する。
・温度情報Ｔｊが所定範囲内から外れた場合。
・チャンネル電圧Ｖｃｅが所定の電圧範囲から外れた場合。
・熱抵抗が所定の範囲内から外れた場合。

図１などの実施例において、スイッチ回路１２４ａ、スイッチ回路１２４ｂはスイッチの記号を使用している。スイッチ回路１２４ａ、スイッチ回路１２４ｂは、クローズ（オン）した時の抵抗（オン抵抗）が小さいものであれば、いずれの素子でもスイッチとして使用できる。例えば、ＦＥＴ、トランジスタ、メカニカルリレー、ホトトランジスタ、ホトダイオードスイッチなどが例示される。

本実施例では、スイッチ回路１２４ａ、スイッチ回路１２４ｂは、図３に図示するようにパワーＭＯＳＦＥＴを使用している。パワーＭＯＳＦＥＴはチャンネル間の電圧（Ｖｓｄ）が小さい。
スイッチ回路Ｓｓａ、スイッチＳｓｂはパワーＭＯＳＦＥＴだけでなく、パワートランジスタなどであっても良いことはいうまもない。

パワーＭＯＳＦＥＴ１２４ｂのオン時のチャネル電圧（Ｖｓｄｂ）は、パワーＭＯＳＦＥＴ１２４ａのオン時のチャネル電圧（Ｖｓｄａ）以下となるものを選定する。つまり、パワーＭＯＳＦＥＴ１２４ｂのオン時のチャネル電圧（Ｖｓｄｂ）は、パワーＭＯＳＦＥＴ１２４ａのオン時のチャネル電圧（Ｖｓｄａ）よりも小さくなるようにする。スイッチ回路１２４ｂがオンした時、完全に電流電源装置１２１ａの端子間を短絡して、電流Ｉｍを安定して流すためである。スイッチ回路１２４ｂをオンさせることにより、電流電源装置１２１の端子間、トランジスタ１１７等の半導体素子の端子間に電荷が放電させることができる。電荷の放電により、突入電流、サージ電圧の発生を抑制できる。
以上の事項は、スイッチ回路１２４がパワートランジスタなどの場合も同様である。パワートランジスタ１２４の場合は、チャンネル電圧はＶｃｅとなる。

図４は、実施例における本発明の半導体素子の試験方法の説明図である。図４においてＶｇｓは、試験をするトランジスタ１１７のゲート端子に印加するゲート信号である。Ｉｄは試験時にトランジスタ１１７に流す電流である。説明を容易にするため、トランジスタ１１７がオン時に定電流Ｉａを流すとしている。

図４（ｃ）Ｓｔ１はダイオードＤｉに電流Ｉｃを流すタイミング信号であり、Ｓｔ１がＨレベルの時、トランジスタ１１７のダイオードＤｉに電流が流れる。オペアンプ回路１１６はダイオードＤｉの端子間電圧Ｖｉを取得し、温度測定回路１１５は端子間電圧Ｖｉを温度情報Ｔｊに変換する。温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に送られ、コントローラ１１１は温度情報Ｔｊにしたがってトランジスタ１１７の試験を実施する。

なお、時間ｔに対する端子間電圧Ｖｉを測定し、特性式に代入等して試験電流Ｉｄの遮断直後のトランジスタ１１７の温度を推定等する実施れは、図１５、図２０等で説明をしている。

試験電流Ｉｄは試験を行うトランジスタ１１７に流れる電流であり、電流電源装置１２１が出力する電流である。Ｓｔ１、Ｓｔ２は温度測定用のダイオードあるいはトランジスタに測定用の定電流Ｉｃを流す時間あるいは温度の測定時間である。
図４（ｅ）において、Ｓｓａはスイッチ回路１２４ａのオンオフ信号、図４（ｆ）Ｓｓｂはスイッチ回路１２４ｂのオンオフ信号である。

スイッチ回路（Ｓｓｂ）１２４ｂは、スイッチ回路Ｓｓａ１２４ａとの関係を示す通り、スイッチ回路１２４ａがオフ（オープン）する前のｔａ２期間からスイッチ回路１２４ｂをオン状態にさせる。スイッチ回路１２４ｂは、試験電流Ｉｄをスイッチ回路１２４ａで遮断する以前に、オン（クローズ）させる。スイッチ回路１２４ｂをスイッチ回路１２４ａのオープンよりも前にオンさせることにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。

スイッチ回路１２４ｂは、スイッチ回路１２４ａのオフ後も、ｔａ１期間の間、オン（クローズ）させる。スイッチ回路１２４ａのオープン後に、ｔａ１期間、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。

ｔａ２期間は０～１０ｍ秒以下の期間である。好ましくは、０～５ｍ秒以下の期間とすることが好ましい。ｔａ１期間は０～１０ｍ秒以下の期間である。好ましくは、０～５ｍ秒以下の期間とすることが好ましい。

以上の実施例では、スイッチ回路１２４ａで試験電流Ｉｄを遮断するとしたが、トランジスタ１１７のゲート端子ｇに印加するオン電圧をオフ電圧とすることによっても、試験電流Ｉｄを遮断することができる。図４のゲート電圧Ｖｇｓにオン電圧（Ｖｇ）をオフ電圧（０Ｖ電圧、またはＶｔ電圧）にすることにより、トランジスタ１１７がオフとなり、試験電流Ｉｄが遮断される。Ｖｔ電圧に変化した時（ｔｏｎ－＞ｔｏｆｆ）には、スイッチ回路Ｓｓｂはオン期間のｔａ１である。

トランジスタ１１７のゲート端子ｇにオフ電圧と印加する前（以前に）、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制することができる。また、トランジスタ１１７のゲート端子ｇにオフ電圧を印加後、所定期間、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制することができる。
以上の事項は、スイッチ回路１２４ａにより、試験電流Ｉｄを供給する前の期間においても適用される。

スイッチ回路（Ｓｓｂ）１２４ｂは、スイッチ回路Ｓｓａ１２４ａとの関係を示す通り、スイッチ回路１２４ａがオン（クローズ）する前のｔｂ２期間からスイッチ回路１２４ｂをオンさせる。スイッチ回路１２４ｂは、試験電流Ｉｄをスイッチ回路１２４ａで供給する以前に、オン（クローズ）させる。スイッチ回路１２４ｂをスイッチ回路１２４ａのクローズよりも前にオンさせることにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。

スイッチ回路１２４ｂは、スイッチ回路１２４ａのオン後も、ｔｂ１期間の間、オン（クローズ）状態を保持させる。スイッチ回路１２４ａのクローズ後の、ｔｂ１期間、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。

ｔｂ２期間は０～１０ｍ秒以下の期間である。好ましくは、０～５ｍ秒以下の期間とすることが好ましい。ｔｂ１期間は０～１０ｍ秒以下の期間である。好ましくは、０～５ｍ秒以下の期間とすることが好ましい。

以上の実施例では、スイッチ回路１２４ａで試験電流Ｉｄを供給するとしたが、トランジスタ１１７のゲート端子ｇに印加するオフ電圧からオン電圧とすることによっても、試験電流Ｉｄを供給することができる。図４のゲート電圧Ｖｇｓにオフ電圧（０Ｖ電圧またはＶｔ電圧）をオン電圧（Ｖｇ電圧）とすることにより、トランジスタ１１７がオンとなり、試験電流Ｉｄが供給される。Ｖｇ電圧に変化した時（ｔｏｆｆ－＞ｔｏｎ）前には、スイッチ回路Ｓｓｂはオン期間のｔｂ２である。トランジスタ１１７のゲート端子ｇにオン電圧を印加する前（以前に）、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。また、トランジスタ１１７のゲート端子ｇにオン電圧を印加後も所定期間、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。

ｔｂ２期間は０～１０ｍ秒以下の期間である。好ましくは、０～５ｍ秒以下の期間とすることが好ましい。ｔｂ１期間は０～１０ｍ秒以下の期間である。好ましくは、０～５ｍ秒以下の期間とすることが好ましい。
以上の事項は、図５、図６、図１２、図１４、図２０、図２１、図３４、図３５、図３６、図４２、図４３の実施例おいても適用できることは言うまでもない。また、本発明の他の実施例に適用できることは言うまでもない。また、本発明の他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。

図４（ｇ）Ｖｃｅはトランジスタ１１７のｃ端子の電圧（トランジスタ１１７のチャンネル電圧）、温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）は測定されたトランジスタ１１７の温度変化を示す。

図４（ａ）に図示するように、ゲートドライバ回路１１３からゲート信号Ｖｇｓがトランジスタ１１７のゲート端子ｇに印加される。ゲート信号Ｖｇｓは周期時間ｔｃｙｃｌｅ、オン時間ｔｏｎである。周期時間ｔｃｙｃｌｅ、オン時間ｔｏｎはゲート信号制御回路１１２で任意の値に設定することができる。また、オン電圧Ｖｇも任意の電圧に設定することができる。

オン電圧は、試験電流Ｉｄの印加または供給時と、定電流Ｉｃの印加または供給時とを変化あるいは可変させる。また、オフ電圧も、試験電流Ｉｄの印加または供給時と、定電流Ｉｃの印加または供給時とを変化あるいは可変させてもよい。

図４（ｄ）Ｓｔ２は図７に示す実施例において、ダイオードＤｓａ、ダイオードＤｓｂに電流Ｉｃを流すタイミング信号である。Ｓｔ２がＨレベルの時、トランジスタ１１７のダイオードＤｓａまたはＤｓｂに電流が流れる。トランジスタ１１７と独立したデバイス（ダイオード）に定電流Ｉｃを流して温度情報Ｔｊを取得する場合である。

オペアンプ回路１１６はダイオードＤｓａまたはＤｓｂの端子間電圧を取得し、温度測定回路１１５は端子間電圧を温度情報Ｔｊに変換する。温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に送られ、コントローラ１１１は温度情報Ｔｊに基づいてトランジスタ１１７の試験を実施する。なお、Ｓｔ２に関連する事項は、図７等で説明する。

理解を容易にするため、測定された温度情報Ｔｊは図４（ｈ）で示すように、Ｔ１からＴ２の間を変化するとして説明する。温度情報Ｔｊはトランジスタ１１７に通電されることにより高くなり、通電する電流が停止すると低下する。また、温度情報Ｔｊはトランジスタ１１７の特性変化にともなって変化する。

図４（ｅ）Ｓｓａはスイッチ回路Ｓｓａのオンオフ制御信号のタイミングを示す。ＳｓａがＶｏｎになるとスイッチ回路Ｓｓａがクローズ（オン）する。０の場合は、スイッチ回路Ｓｓａがオープン（オフ）になり、電流あるいは電圧の印加が遮断される。

図４（ｆ）Ｓｓｂはスイッチ回路Ｓｓｂのオンオフ制御信号のタイミングを示す。ＳｓｂがＶｏｎになるとスイッチ回路Ｓｓｂがクローズ（オン）する。０の場合は、スイッチ回路Ｓｓｂがオープン（オフ）になる。

図４（ｇ）Ｖｃｅはトランジスタ１１７のチャンネル電圧（エミッタ端子とコレクタ端子間の電圧）である。トランジスタ１１７のオンオフにともなって、サージ電圧、ザージ電流が発生し、また、トランジスタ１１７のオン抵抗の変化にともないＶｃｅ波形が時間的に複雑に変化する。また、ダイオードＤｉに定電流Ｉｃが流れることにより、トランジスタ１１７のＶｃｅ波形は変化する。

本明細書、図面では、説明を容易にするため、あるいは作図を容易にするため、トランジスタ１１７がオンの時は電圧Ｖｎになるとし、トランジスタがオフの時は電圧Ｖｅになるとして説明をする。
ゲート信号は、周期ｔｃｙｃｌｅ、オン時間ｔｏｎ、オフ時間ｔｏｆｆで試験をするトランジスタ１１７のゲート端子に印加される。

ゲート信号Ｖｇｓはトランジスタ１１７がＮチャンネルの場合は、グランド（接地）電圧０Ｖがオフ電圧であり、Ｖｇがオン電圧である。トランジスタ１１７がＰチャンネルの場合は、オン電圧の電位とオフ電圧の電位を変更する。

トランジスタ１１７をオンする前のｔｎ２期間は、オフ電圧よりもマイナス側のＶｔ電圧にする。また、トランジスタ１１７をオフ後のｔｎ１期間は、オフ電圧よりもマイナス側のＶｔ電圧にする。
Ｖｔ電圧は、０Ｖよりも低く、－４Ｖよりも高い電圧である。したがって、Ｖｔとは、－４Ｖ以上かつ０Ｖよりも低い電圧である。

Ｖｔ電圧は図４０、図４１（ｂ）で、オン電圧をＶ１ａからＶ１ｂに変化させているのと同様に、図４１（ｄ）のＶｎからＶ０に、あるいはＶ０からＶｎに、図４１（ｂ）と同様に変化させることができる。

本発明は、トランジスタのオフ電圧は、０ＶとＶｔの２つの電圧として説明している。本発明の半導体試験装置は、オフ電圧を任意に設定し、可変することができる。ゲート信号制御回路１１２の指示値に基づいて、ゲートドライバ回路１１３から出力されるゲート信号のオン電圧、オフ電圧を可変、設定することができる。

図３７、図３８、図３９では、オン電圧をＶ１電圧から変化させている。図４０、図４１（ｂ）では、オン電圧をＶ１ａからＶ１ｂに変化させている。本発明は、オフ電圧についても、図４１（ｄ）のＶｎからＶ０に、あるいはＶ０からＶｎに、図４１（ｂ）と同様に変化させることができる。

なお、トランジスタ１１７がＳｉＣの場合はオフ電圧をＶｔ電圧とし、ＩＧＢＴの場合は、オフ電圧を０Ｖとする。以上のように、試験するトランジスタ１１７の種類に応じて、トランジスタ１１７に供給するオフ電圧を変更できるように本発明の半導体試験装置を構成している。

Ｖｔ電圧が印加されている時に、Ｓｔ１（Ｓｔ２）をＨレベルにしてトランジスタ１１７の温度を測定する。Ｖｔ電圧を印加している期間にダイオードＤｉに定電流Ｉｃを流す。また、Ｓｔ１（Ｓｔ２）のＨレベルに期間には定電流Ｉｃを流す。

トランジスタ１１７のゲート端子にＶｔ電圧が印加されることにより、トランジスタ１１７のオフ状態が安定し、温度情報Ｔｊの測定を安定して実施することができる。また、温度情報Ｔｊの測定時にノイズが乗りにくく、温度情報Ｔｊ（端子電圧Ｖｉ）の測定精度が向上する。

トランジスタ１１７のゲート端子にＶｔ電圧を印加することにより、トランジスタ１１７のリーク電流が減少し、端子間電圧Ｖｉの測定精度が向上、また測定が安定する。

ゲート信号Ｖｇｓは、ｔｎ１、ｔｎ２の時間にＶｔ電圧にされる。一例としてｔｎ１、ｔｎ２の時間は、０．２ｍ秒以上２ｍ秒以下の時間である。トランジスタ１１７は０Ｖでオフする。

したがって、トランジスタ１１７のゲート端子ｇには、Ｖｇ、０Ｖ、Ｖｔの３電圧を印加する。Ｖｔを印加している期間に、トランジスタのダイオードＤｉに電流を流して温度情報Ｔｊを測定する。

ダイオードＤｉに定電流Ｉｃを流すときには、スイッチ回路Ｓｓａをオフして、電流電源装置１２１ａからの電流がトランジスタ１１７に印加されないように制御する。

ダイオードＤｉに定電流Ｉｃを流すことにより、ダイオードＤｉ等の端子間電圧Ｖｉを取得し、オペアンプ回路１１６は端子間電圧に対応する端子間電圧Ｖｉを出力する。端子間電圧Ｖｉは温度測定回路１１５に入力され、温度測定回路１１５はトランジスタ１１７の温度に対応する温度情報Ｔｊを求める。

温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に転送され、コントローラ１１１は温度情報Ｔｊに基づいてトランジスタ１１７の試験の継続、停止、条件変更など、トランジスタ１１７の試験を制御する。

図４（ｅ）Ｓｓａはスイッチ回路１２４ａのオンオフ制御するタイミング信号である。図４（ｆ）Ｓｓｂはスイッチ回路１２４ｂのオンオフ制御するタイミング信号である。

スイッチ回路１２４ａは、トランジスタ１１７のＶｇｓ信号がＶｇになってから、ｔｍ２時間遅れてオンする。ｔｍ２時間はコントローラ１１１により変更設定できるように構成されている。

スイッチ回路１２４ａがオンする前のｔｂ２時間前にスイッチ回路１２４ｂがオンする。スイッチ回路１２４ａがオンしてからｔｂ１時間後までスイッチ回路１２４ｂのオン状態は維持される。ｔｂ２時間、ｔｂ１時間は独立して変更設定できるように構成されている。
特に、ｔｂ１の設定は重要である。ｔｂ１の時間は、トランジスタ１１７のＶｃｅ電圧の波形を観察して、適正に設定あるいは変更する。

スイッチ回路１２４ａは、トランジスタ１１７のＶｇｓ信号がＶｔになるｔｍ１時間前にオフする。ｔｍ１時間はコントローラ１１１により変更設定できるように構成されている。

スイッチ回路１２４ａがオフする前のｔａ２時間前にスイッチ回路１２４ｂがオンする。スイッチ回路１２４ａがオフしてからｔａ１時間後までスイッチ回路１２４ｂのオン状態は維持される。ｔａ２時間、ｔａ１時間は独立して変更設定できるように構成されている。
特に、ｔａ１の設定は重要である。ｔａ１の時間は、トランジスタ１１７のＶｃｅ電圧の波形を観察あるいは測定して、適正に設定あるいは変更する。

スイッチ回路Ｓｓｂがオンすることにより、電流電源装置１２１ａの出力端子がグランド（接地ライン）と短絡し、電荷が放電される。電荷が放電されることにより電流電源装置１２１ａの端子電圧は０Ｖ（グランド電圧）となる。また、電流電源装置１２１ａが出力する電流Ｉａを、電流Ｉｍとして接地（グランド）へ流す。したがって、電流Ｉａはトランジスタ１１７に印加されることはなく、また、トランジスタ１１７のコレクタ電圧が上昇することはない。

ｔｂ２時間は、電流電源装置１２１ａの出力電圧が０Ｖあるいは０Ｖ近傍になる時間、あるいは、電流電源装置１２１ａの出力電圧の方が、トランジスタ１１７のコレクタ電圧よりも低くなる時間を観察あるいは測定して設定する。

上記の電圧の関係が所定値になった時刻（ｔｂ２経過後）で、スイッチ回路１２４ａをオンさせて、電流電源装置１２１ａからの電流Ｉａ（＝Ｉｄ）を印加する。しかし、このときは、スイッチ回路１２４ｂがオンしているため、電流電源装置１２１ａからの電流Ｉａ（＝Ｉｄ）は、スイッチ回路１２４ｂを介して電流Ｉｍとしてグランド（接地ライン）に流れる。したがって、トランジスタ１１７には試験電流Ｉｄは流れない。
スイッチ回路１２４ａがオンしてから、ｔｂ１時間経過後、スイッチ回路１２４ｂがオフし、試験電流Ｉｄがトランジスタ１１７に供給される。
試験電流Ｉｄは、図４のように、スイッチ回路１２４ａに同期して、トランジスタ１１７に供給される。

以上のようにスイッチ回路１２４ａ、１２４ｂを動作させることにより、トランジスタ１１７にはサージ電圧Ｖｓあるいは突入電流Ｉｓが印加されない。または、サージ電圧Ｖｓあるいは突入電流Ｉｓが抑制され、良好なトランジスタ１１７の試験を実施することができる。

トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄの停止時は、スイッチ回路１２４ａのオフさせるｔａ２前にスイッチ回路１２４ｂをオンさせる。スイッチ回路Ｓｓｂを介して、電流電源装置１２１ａが出力する定電流Ｉａは電流Ｉｍとしてグランドに流れ、トランジスタ１１７には供給されない。

ｔａ２時間は、電流電源装置１２１ａの出力電圧が０Ｖあるいは０Ｖ近傍になる時間、あるいは、電流電源装置１２１ａの出力電圧の方が、トランジスタ１１７のコレクタ電圧よりも低くなる時間を観察して設定する。

上記の電圧の関係が所定値になった時刻（ｔａ２経過後）で、スイッチ回路１２４ａをオフさせる。スイッチ回路１２４ａがオフしてから、ｔａ１時間経過後、スイッチ回路１２４ｂがオフされる。

以上のようにスイッチ回路１２４ａ、１２４ｂを以上のように動作あるいは制御することにより、トランジスタ１１７にはサージ電圧Ｖｓあるいは突入電流Ｉｓが印加されない。または、サージ電圧Ｖｓあるいは突入電流Ｉｓが抑制され、良好なトランジスタ１１７の試験を実施することができる。

一例として、温度情報Ｔｊは、（Ｖｉ－Ｂ）／Ａで求められる。Ａ、Ｂは試験をするトランジスタの温度に対する端子間電圧Ｖｉの測定により、あらかじめ求めておく。したがって、温度情報ＴｊはＶｉに比例する値である。Ａ、Ｂは試験をするトランジスタのロットでは共通の値になる。端子間電圧Ｖｉが大きくなれば、温度情報Ｔｊは端子間電圧Ｖｉに比例して変化する。端子間電圧Ｖｉはトランジスタ１１７等の温度を示す。この温度に関するデータが温度情報Ｔｊとなる。

トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄが供給されることにより、温度情報Ｔｊは上昇する。トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄが停止することにより、温度情報Ｔｊは下降する。温度情報ＴｊはＴ１とＴ２間を変動する。試験によりトランジスタ１１７の特性が変動すると温度情報Ｔｊは徐々に上昇する。
一定値の電流Ｉｄをトランジスタ１１７に印加するには、電流電源装置１２１ａを動作させ、トランジスタ１１７に電流Ｉｄ（＝Ｉａ）を印加する。

温度測定の定電流Ｉｃをトランジスタ１１７のコレクタ端子ｃからエミッタ端子ｅの方向に流すときは、試験電流Ｉｄと定電流Ｉｃの方向が同一方向のため、サージ電圧は発生し難い。したがって、スイッチ回路１２４ｂをオンさせて、放電せずともよい。つまり、スイッチ回路１２４ｂはオープンの状態（スイッチ回路１２４ｂは不要）で、スイッチ回路１２４ａをオフさせて、定電流回路１１８から定電流Ｉｃをトランジスタ１１７に供給する。定電流Ｉｃを供給した状態で、温度測定回路１１５は、トランジスタ１１７のＶｃｅ電圧を測定する。

図１、図５などに図示するように、ゲートドライバ回路１１３の可変抵抗回路１２５の抵抗値も設定することができる。抵抗値を大きくすることにより、ゲート信号Ｖｇｓの立ち上がり／立ち下がり波形は、図５（ａ）の点線あるいは一点鎖線のように変化させることができる。

ゲート信号Ｖｇｓの変化あるいは設定により、トランジスタ１１７に流れる試験電流Ｉｄは図５（ｂ）に図示するように、点線あるいは一点鎖線のように変化させることができる。
電流Ｉｄの立ち上り波形、立ち下り波形を変化させることにより、サージ電圧Ｖｓあるいは突入電流Ｉｓを調整あるいは抑制することができる。

端子間電圧Ｖｉは図５（ｃ）に図示するように、試験によりトランジスタ１１７の特性が変化するにともなって、実線から点線、点線から一点鎖線に変化する。端子間電圧ＶｉがＶｍのレベルに達した時に試験を停止する。あるいは、端子間電圧Ｖｉの変化割合が所定値になったときに試験と停止する。また、試験条件を変更する。

図６に図示するように、スイッチ回路Ｓｓａ（スイッチ回路１２４ａ）がオフ状態の時に、Ｓｔ１信号をＨにして、温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）を測定する。Ｓｔ１信号は、ゲート信号がＶｔの時に、Ｈレベルにする。ｔｎ２期間で、ｔｃ２の期間にＨレベルにして、温度情報Ｔｊを測定する。ｔｎ１期間で、ｔｃ１の期間に端子間電圧Ｖｉを測定して、温度情報Ｔｊを取得する。

ｔｃ２の期間に取得した温度情報Ｔｊは、トランジスタ１１７が冷却された時点の温度情報Ｔｊとなる。ｔｃ１期間に取得した温度情報Ｔｊは、トランジスタ１１７に電流Ｉｄを停止した直後の温度情報Ｔｊとなる。
試験の停止、条件変更、制御の変更などは、ｔｃ２の期間に測定した温度情報Ｔｊと、ｔｃ１期間に測定した温度情報Ｔｊで判断する。

ｔｃ１期間に測定した温度情報Ｔｊがｔｃ２の期間に測定した温度情報Ｔｊに比較して変化率が大きい場合、ｔｃ１期間に測定した温度情報Ｔｊがｔｃ２の期間に測定した温度情報Ｔｊとの絶対値の差が大きい場合等、測定値温度情報Ｔｊに対応して、試験を制御、変更する。

また、ｔｃ２の期間に測定した温度情報Ｔｊが標準値と所定値が異なっていると場合、トランジスタ１１７の接続状態、試験装置に問題があるかを判定し「試験を開始せず」の判断などを行う。
ｔｃ２あるいはｔｃ１期間に、Ｖｉを複数回測定し、Ｖｉに対する温度情報Ｔｊを求める。

図７の実施例では、図４（ｄ）のＳｔ２信号のタイミングで温度情報Ｔｊを測定する。スイッチ回路Ｓｓａ（スイッチ回路１２４ａ）がオフ状態の時に、Ｓｔ２信号をＨにして、温度情報Ｔｊを測定する。ｔｎ２期間で、ｔｃ２の期間にＨレベルにして、温度情報Ｔｊを測定する。ｔｃ１の期間は、ｔｏｎの期間、ｔｎ1の期間にいずれの期間に温度情報Ｔｊを測定してもよい。ｔｃ２の期間に測定した温度情報Ｔｊと、ｔｃ１期間に測定した温度情報Ｔｊは、平均を取り、温度情報Ｔｊを求める。

ｔｃ２あるいはｔｃ１期間に、Ｖｉを複数回測定し、Ｖｉに対する温度情報Ｔｊを求める。図４の他の信号あるいはスイッチの動作は、図１で説明した実施例と同一あるいは同様である。
以上の実施例は、トランジスタ１１７に付加する、あるいは形成されたダイオードで温度情報Ｔｊを測定する実施例であった。

図７は本発明の実施例における半導体試験装置の説明図である。図７の実施例では、トランジスタ１１７にトランジスタとは接続されていない（独立した）ダイオードＤｓが形成された実施例である。

ダイオードＤｓａは定電流Ｉｃを流す向きに形成されている。ダイオードＤｓｂは定電流Ｉｃ’を流す向きに形成されている。定電流回路１１８（Ｐｃ）は定電流Ｉｃおよび定電流Ｉｃ’を発生する。

ダイオードＤｓａ、ダイオードＤｓｂは温度測定用のダイオードである。ダイオードＤｓａ、ダイオードＤｓｂの構造は、図１のダイオードＤｉと類似あるいは同一である。

ダイオードＤｉがトランジスタ１１７の端子（ｃ、ｅ）と接続されているのに対して、ダイオードＤｓａ、ダイオードＤｓｂはトランジスタ１１７の端子とは接続されておらず、独立した端子に接続されている点、ダイオードＤｉは図４（ｃ）のＳｔ１のタイミングで温度情報Ｔｊが測定されるのに対し、ダイオードＤｓａ、ダイオードＤｓｂは図４（ｄ）Ｓｔ２のタイミングで温度情報Ｔｊが測定される点以外は、同一動作あるいは同一構成である。ダイオードＤｓａ、ダイオードＤｓｂの端子間電圧Ｖｉが温度情報Ｔｊである。

図７の実施例では、トランジスタ１１７に電流Ｉｄを流している状態でもダイオードに定電流Ｉｃを流すことができる。したがって、温度情報Ｔｊを測定する時間を自由に設定することができる。図４（ｄ）に図示するように、ｔｃ１、ｔｃ２の位置を設定することができる。

ただし、ｔｃ２にあっては、図４（ｄ）に示すように、ゲート信号がＶｔの期間に配置あるいは設定する。ｔｃ２の期間で測定する温度情報Ｔｊは、トランジスタ１１７が動作前の値として使用する。ｔｃ１の期間は、トランジスタ１１７の試験電流Ｉｄを停止する直前が好ましい。なお、試験電流Ｉｄの停止した直後でもよい。直前、直後とは１ｍ秒以内の時間とすることが好ましい。
図４（ｄ）のＳｔ２はダイオードＤｓ（Ｄｓａ、Ｄｓｂ）の定電流Ｉｃ（または定電流Ｉｃ’）を流すタイミング信号である。

Ｓｔ２がＨレベルの時、トランジスタ１１７のダイオードＤｓ（Ｄｓａ、Ｄｓｂ）に電流が流れる。オペアンプ回路１１６はダイオードＤｓの端子間電圧を取得し、温度測定回路１１５は端子間電圧を温度情報Ｔｊに変換する。

温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に送られ、コントローラ１１１は温度情報Ｔｊにしたがってトランジスタ１１７の試験を実施あるいは停止あるいは制御を変更する。

Ｓｔ２がＨレベルの時に、定電流回路１１８は定電流Ｉｃを流し、定電流ＩｃはダイオードＤｓａに流れる。また、定電流回路１１８は定電流Ｉｃ’を流し、定電流Ｉｃ’はダイオードＤｓｂに流れる。定電流Ｉｃまたは定電流Ｉｃ’により、ダイオードＤｓに端子間電圧Ｖｉが発生する。

定電流Ｉｃと定電流Ｉｃ’は同一の大きさの電流である。ただし、ダイオードＤｓａとダイオードＤｓｂの閾値電圧が異なる場合、ダイオードＤｓａとダイオードＤｓｂの特性が異なる場合などは、定電流Ｉｃと定電流Ｉｃ’の大きさを異ならせることが好ましい。

オペアンプ回路１１６はダイオードＤｓａまたはＤｓｂの端子間電圧Ｖｉを取得し、温度測定回路１１５は端子間電圧Ｖｉを温度情報Ｔｊに変換する。一例としてＴｊ＝（Ｖｉ－Ｂ）／Ａである。温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に送られ、コントローラ１１１は温度情報Ｔｊにもとづいてトランジスタ１１７の試験を実施する。

定電流Ｉｃを流して求めたＴｊと、定電流Ｉｃ’を流して求めた温度情報Ｔｊとは、平均値をとる、あるいは重みづけ処理を行い、１つの温度情報Ｔｊの値とする。この温度情報Ｔｊを用いて、コントローラ１１１はトランジスタ１１７の試験を実施あるいは停止あるいは制御を変更する。
他の事項は、本明細書、図面で説明した事項あるいは内容と同一あるいは類似であるので説明を省略する。

本発明はその要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。本明細書および図面に記載した事項あるいは内容は、相互に組み合わせることができることは言うまでもない。

図８は本発明の実施例における半導体試験装置の説明図である。図８において、トランジスタ１１７のゲート端子とエミッタ端子間にダイオードＤｉａ、ダイオードＤｉｂが形成されている。

ダイオードＤｉａ、ダイオードＤｉｂは寄生ダイオードとしてトランジスタ１１７の形成にともない形成される。また、トランジスタ１１７の温度測定のために付加的に形成される場合もある。なお、ダイオードＤｉａとダイオードＤｉｂの両方が形成される場合もあるが、一方の場合もある。

トランジスタ１１７のゲート端子には、スイッチ回路１２４ｃが形成または配置される。スイッチ回路１２４ｃはアナログスイッチ、メカニカルリレー、ホトＭＯＳスイッチなどが例示される。

端子間電圧Ｖｉを測定する（温度情報Ｔｉを求める）タイミングは、図４（ｃ）のＳｔ１で実施される。スイッチ回路Ｓｓａ（スイッチ回路１２４ａ）がオフ状態の時に、Ｓｔ１信号をＨにして、端子間電圧Ｖｉを測定して、温度情報Ｔｊを取得する。Ｓｔ１信号は、ゲート信号がＶｔの時に、Ｈレベルにする。ｔｎ２期間で、ｔｃ２の期間にＨレベルにして、端子間電圧Ｖｉを測定して、温度情報Ｔｊを取得する。ｔｎ１期間で、ｔｃ１の期間に端子間電圧Ｖｉを測定して、温度情報Ｔｊを取得する。ｔｃ２の期間に取得した温度情報Ｔｊは、トランジスタ１１７が冷却された時点の温度情報Ｔｊとなる。ｔｃ１期間に取得した温度情報Ｔｊは、トランジスタ１１７に電流Ｉｄを停止した直後の温度情報Ｔｊとなる。

ダイオードＤｉａは定電流Ｉｃを流す向きに形成されている。ダイオードＤｉｂは定電流Ｉｃ’を流す向きに形成されている。定電流回路１１８は定電流Ｉｃおよび定電流Ｉｃ’を発生する。

ダイオードＤｉａ、ダイオードＤｉｂは温度情報Ｔｊを取得するためのダイオードである。ダイオードＤｉａ、ダイオードＤｉｂは、図１のダイオードＤｉと類似である。ダイオードＤｉがトランジスタ１１７のコレクタ端子とエミッタ端子と接続されている。ダイオードＤｉａ、ダイオードＤｉｂはトランジスタ１１７のベース端子とエミッタ端子は接続されている。
図８の実施例では、トランジスタ１１７に電流Ｉｄを流していない状態でもダイオードに定電流Ｉｃを流す。
図４（ｃ）のＳｔ１はダイオードＤｉ（Ｄｉａ、Ｄｉｂ）に電流Ｉｃ（または電流Ｉｃ’）を流すタイミング信号である。

Ｓｔ１がＨレベルの時、トランジスタ１１７のダイオードＤｉに電流が流れる。ダイオードＤｉ（Ｄｉａ、Ｄｉｂ）に電流Ｉｃ（または電流Ｉｃ’）を流す時は、スイッチ回路１２４ｃをオープン（ハイインピーダンス）にする。スイッチ回路１２４ｃをオープンにした状態で、ダイオードＤｉに定電流Ｉｃまたは定電流Ｉｃ’を流す。

オペアンプ回路１１６はダイオードＤｉの端子間電圧Ｖｉ（トランジスタ１１７のゲート端子とエミッタ端子間の電圧）を測定し、温度測定回路１１５は端子間電圧Ｖｉを温度情報Ｔｊに変換する。温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に送られる。コントローラ１１１は温度情報Ｔｊによってトランジスタ１１７の試験を実施あるいは停止あるいは制御を変更する。

図４（ｃ）のようにＳｔ１がＨレベルの時に、定電流回路１１８は定電流Ｉｃを流し、定電流ＩｃはダイオードＤｉａに流れる。また、定電流回路１１８は定電流Ｉｃ’を流し、定電流Ｉｃ’はダイオードＤｉｂに流れる。

なお、定電流Ｉｃと定電流Ｉｃ’は同一の大きさの電流である。ただし、例えば、ダイオードＤｓａとダイオードＤｓｂの閾値電圧が異なる場合、ダイオードＤｓａとダイオードＤｓｂの特性が異なる場合などは、定電流Ｉｃと定電流Ｉｃ’の大きさを異ならせることが好ましい。

オペアンプ回路１１６はダイオードＤｉａまたはＤｉｂの端子間電圧Ｖｉを取得し、温度測定回路１１５は端子間電圧を温度情報Ｔｊに変換する。温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に送られ、コントローラ１１１は温度情報Ｔｊにもとづいてトランジスタ１１７の試験を実施あるいは継続する。

定電流Ｉｃを流して求めた温度情報Ｔｊと、定電流Ｉｃ’を流して求めた温度情報Ｔｊとは、平均値をとる、あるいは重みづけ処理を行って、１つの温度情報Ｔｊの値とする。この温度情報Ｔｊを用いて、コントローラ１１１はトランジスタ１１７の試験を実施あるいは停止あるいは制御方法を変更する。

図９は本発明の実施例における半導体試験装置の説明図である。図１との差異は、ダイオード接続されたトランジスタ１１７ｓが試験を行うトランジスタ１１７ｍに流す試験電流Ｉｄの経路に配置されている点である。他の箇所は同一であるので説明を省略する。

トランジスタ１１７ｓは一例として、試験を実施するトランジスタ１１７と同一のトランジスタである。トランジスタ１１７ｓのゲート端子とコレクタ端子は接続され、トランジスタ１１７ｓは等価的にダイオードＤとみなせる。

スイッチ回路１２４ｂがオンすると電流Ｉｍが流れ、電流電源装置１２１ａの電荷を放電する。あるいは、電流電源装置１２１ａが出力する電流Ｉａはスイッチ回路１２４ｂを介して、グランドに流す。

試験をするトランジスタ１１７ｍに突入電流Ｉｓが流れるとトランジスタ１１７ｍを突入電流Ｉｓあるいはサージ電圧Ｖｓの発生によって、トランジスタ１１７ｍが破壊する。突入電流Ｉｓあるいはサージ電圧Ｖｓの発生することを防止するため、スイッチ回路１２４ａ、１２４ｂのオンオフ制御、オンオフ順序を制御する。特に、１２４ｂのオンさせることにより、トランジスタ１１７の端子間の電荷、電圧が放電され、サージ電圧Ｖｓ、サージ電流Ｉｓの発生を抑制できる。

周期ｔｃｙｃｌｅを速くして、トランジスタ１１７ｍの試験を実施する場合、スイッチ回路１２４ａ、スイッチ回路１２４ｂのオンオフを高速に実施する必要がある。この場合、スイッチ回路１２４のオンオフタイミングにより、突入電流Ｉｓあるいはサージ電圧Ｖｓが発生する場合がある。

トランジスタ１１７のコレクタ端子の電圧Ｖｍの電圧が、電流電源装置の出力部の電圧Ｖｐよりも高ければ、試験電流Ｉｄは電流Ｉｍとしてグランドに向かって流れ、トランジスタ１１７ｍには流れないか、わずかとなる。

Ｖｍ ＞ Ｖｐの関係を作るため、図９に示す実施例では、ダイオード接続したトランジスタ１１７ｓを試験電流Ｉｄの経路に配置している。トランジスタ１１７ｓに試験電流Ｉｄが流れる場合、トランジスタ１１７ｓのチャンネル電圧分だけ、電圧Ｖｍに積み上がる状態になる。したがって、電圧Ｖｐは、電圧Ｖｍより低い状態となり、トランジスタ１１７ｍに突入電流Ｉｓは印加されなくなる。トランジスタ１１７ｍが突入電流Ｉｓあるいはサージ電圧Ｖｓで破壊することはない。

図１０は本発明の実施例における半導体試験装置の説明図である。図１の実施例との差異は、図１のトランジスタ１１７にはダイオードＤｉが配置されているのに対し、図１０の実施例ではダイオード接続されたトランジスタ１１７ｄが形成または配置されている点である。トランジスタ１１７ｄのゲート端子ｇとコレクタ端子ｃとが接続されている。他の事項等については、図１の実施例等と同一あるいは類似であるので説明を省略する。
トランジスタ１１７ｄのゲート端子とエミッタ端子は接続され、トランジスタ１１７ｄは等価的にダイオードとみなせる。

トランジスタ１１７ｍの試験時は、定電流Ｉｃは、チャンネル電流Ｉｄが流れていない時にトランジスタ１１７ｄに流す。つまり、トランジスタ１１７がオンしていない時に、定電流Ｉｃを流してトランジスタ１１７ｄの端子間電圧を測定する。
オペアンプ回路（バッファ回路）１１６は、トランジスタ１１７ｄの端子間電圧Ｖｉを出力する。

温度測定回路１１５を保持されている温度情報Ｔｊ（Ａ、Ｂ）と端子間電圧Ｖｉから、試験を実施しているトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊを求める。求められた温度情報Ｔｊはコントローラ１１１に送られる。コントローラ１１１は、温度情報Ｔｊが所定設定値以上のなった場合、トランジスタ１１７が所定のストレス状態となったと判断して試験の停止、あるいは試験の制御条件の変更などを行う。

図１１は本発明の実施例における半導体試験装置の説明図である。電流電源装置１２１ａ、電流電源装置１２１ｂは、トランジスタ１１７を試験するための等価的な突入電流Ｉｓを発生させる電源装置である。

電流電源装置１２１は、コントローラ（パーソナルコンピュータ等）１１１からの制御信号に同期させて電力（電流、電圧）を供給すると共に、供給された電力を用いて前記負荷を設定された定電流または定電圧で駆動する。また、電流電源装置１２１は、出力する最大電圧値を設定することができる。

スイッチ回路１２２（ＳＷａ１２２ａ、ＳＷｂ１２２ｂ）は、電流電源装置１２１が出力する定電流の供給をオン（供給）オフ（遮断）させる。スイッチ回路１２２は電流制御回路１１４からの信号に基づき、オン(定電流を出力)またはオフ（定電流を遮断）に設定制御される。

スイッチ回路１２２ａ（ＳＷａ）は電流電源装置１２１ａの電流経路に配置されている。スイッチ回路１２２ｂ（ＳＷｂ）は電流電源装置１２１ｂの電流経路に配置されている。スイッチ回路１２２は、電流制御回路１１４からの信号に基づき、オン(定電流を出力)またはオフ（定電流を遮断）に設定制御される。

図１１では２台の電流電源装置１２１を図示している。電流電源装置１２１は２台に限定されるものではない。３台以上の電流電源装置１２１を保有してもよい。電流電源装置１２１の台数が増加するほど、多種多様な電流波形Ｉｄを発生させることができる。

本発明の実施例において、電流電源装置１２１として説明するが、電流電源装置１２１は定電流を出力するものに限定されるものではない。例えば、電流電源装置１２１が最大電圧を設定し、一定の条件で、設定された最大電圧において、所定の定電流を出力できるように機能させることが例示される。したがって、電流電源装置１２１は、定電流の出力する装置ではなく、電圧、電流を出力できる電源装置である。

トランジスタ１１７を現実に使用している状態を想定あるいは調査し、突入電圧Ｉｓが発生するように試験装置を構成して、トランジスタ１１７に印加する電流を制御すればよい。

図１２は、本発明の突入電流Ｉｓを発生させる方法の説明図である。トランジスタ１１７のチャンネルに流す試験電流Ｉｄを図１２（ｂ）に示す。ベース電流Ｉ１は電流電源装置（Ｐａ）１２１ａにより定電流Ｉａとしてトランジスタ１１７に供給される。

トランジスタ１１７に供給される定電流Ｉａはスイッチ回路１２２ａ（ＳＷａ）１２２ａによりオンオフ制御される。また、オン時間ｔｏｎはトランジスタ１１７のゲート端子ｇに印加されるゲート信号Ｖｇｓにより規定される。
ｔｃの期間に、電流電源装置１２１ｂから定電流Ｉｂが出力される。定電流Ｉｂはスイッチ回路１２２ｂ（ＳＷｂ）１２２ｂにより印加時間が制御される。
トランジスタ１１７には、電流電源装置１２１ａと電流電源装置１２１ｂとが出力される定電流（Ｉａ、Ｉｂ）が加算されて印加される。
図１１に図示するように、本発明の半導体試験装置は、第１の電流電源装置（Ｐａ）１２１ａと、第２の電流電源装置（Ｐｂ）１２１ｂとを具備する。

半導体素子の試験として、半導体素子に試験電流Ｉｄを供給するため電流電源装置として記載しているが、半導体素子に供給あるいは印加するのは、電流に限定されるものではない。電圧であって良い。したがって、電流電源装置とは電圧あるいは電流を印加あるいは供給する電源装置である。

スイッチ回路１２２、スイッチ回路１２４は、電流制御回路１１４によって、オン（クローズ）、オフ（オープン）制御が実施される。電流制御回路１１４はコントローラ１１１で制御される。たとえば、電流制御回路１１４は図２０等で説明するタイミング制御を実現する。

スイッチ回路１２２ａ（ＳＷａ）１２２ａは、周期ｔｃｙｃｌｅの時間中、ｔｏｎの時間に定電流Ｉａをトランジスタ１１７に印加する。なお、ｔｏｎ他のタイミング、電圧あるいは電流波形は、図４、図５、図６、図１２、図１８、図２０、図２１、図３４、図３５、図４０、図４１、図４２、図４３等を実施例に適用することができる。あるいはこれらの実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。また、本発明の他の実施例に適用できることは言うまでもない。また、本発明の他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。

第２の電流電源装置１２１ｂが出力する定電流Ｉｂは、第１の電流電源装置１２１ａが出力する定電流Ｉａと同期して、トランジスタ１１７に印加される。最初は、定電流Ｉａと定電流Ｉｂは加算（重畳）されてトランジスタ１１７に流れ、定電流Ｉｂはｔｃ時間流れる。

なお、実際にトランジスタ１１７に流れる電流は図４に図示して説明したように他のスイッチで制御されるが、ここでは説明を容易にするために前述のように記載している。

突入電流Ｉｓ＝Ｉａ＋Ｉｂとして、トランジスタ１１７の試験を実施する。図１２では、Ｉ１＝Ｉａ、Ｉ２＝Ｉｓ＝Ｉａ＋Ｉｂとしている。電流Ｉａの立ち上がりと電流Ｉｂの立ち上がりは同時、あるいは略一致させる。実際には、回路の容量成分などにより、電流波形は点線のようになる。ゲート端子に印加するオン電圧信号についても同様である。

以上の実施例では、第１の電流電源装置（Ｐａ）１２１ａが定電流Ｉａを出力し、第２の電流電源装置１２１ｂが定電流Ｉｂを出力するとしたが、これに限定するものではない。

図６（ｂ）で図示する電流Ｉｄを発生できるものであれば、いずれの電流電源装置であってもよい。例えば、１台の電流電源装置１２１で、定電流Ｉ２を出力し、ｔｃ時間の経過後、定電流Ｉ１（Ａ）を出力し、ｔｏｎの時間後、電流出力を０（Ａ）とできればよい。

図１２（ｂ）の実線で図示する電流Ｉｄ波形は、回路などに存在する容量、トランジスタ１１７のオン抵抗の変化により波形が鈍り、点線のような信号波形となる。

突入電流Ｉｓにより、トランジスタ１１７に電流ストレスが印加される。突入電流Ｉｓをトランジスタ１１７が使用される実回路と同等あるいは類似とすることにより、適正な試験を実施できる。

図１１の実施例では、主として電流電源装置１２１が発生する電流を重畳等させることにより、突入電流Ｉｓを発生させるとして説明したが、本発明はこれに限定するものではない。

例えば、第１の電流電源装置（Ｐａ）１２１ａと電圧電源装置１として定電圧Ｖ１を発生させる。第２の電流電源装置（Ｐｂ）１２１ｂと電圧電源装置２として定電圧Ｖ２を発生させる。定電圧Ｖ１または定電圧Ｖ２をトランジスタ１１７の端子ｃに印加することにより、トランジスタ１１７に突入電流Ｉｓを流すように構成してもよい。定電圧Ｖ１は定電圧Ｖ２より大きいという関係にする。
突入電流Ｉｓ、サージ電圧Ｖｓの発生状態、発生時間、発生波形は、スイッチ回路１２４ｂを制御することにより、調整あるいは設定することができる。

定電圧Ｖ１により、トランジスタ１１７に電流Ｉａがトランジスタ１１７に流れ、定電圧Ｖ２の印加により電流Ｉｂがトランジスタ１１７に流れる。したがって、定電圧Ｖ１または定電圧Ｖ２の加により、トランジスタ１１７に突入電流Ｉｓを流すことができる。

以上のように、本発明は、試験する半導体素子に突入電流Ｉｓを容易に設定して試験を実施できる。したがって、半導体素子に対して実際の使用環境、実際の使用回路を想定してトランジスタ１１７の信頼性を評価することができる。

図１などにおいて、２台の電流電源装置１２１を図示している。電流電源装置１２１は２台に限定されるものではない。３台以上の電流電源装置１２１を保有してもよい。電流電源装置１２１の台数が増加するほど、多種多様な電流波形Ｉｄを発生させることができる。

１台の電流電源装置１２１が図６などで図示する電流Ｉｄ信号を発生できる場合は、１台の電流電源装置１２１を有すればよいことは言うまでもない。１つの電流電源装置１２１が、定電流Ｉ２を出力し、ｔｃ時間の経過後、定電流Ｉ１を出力し、ｔｏｎの時間後、電流出力を０とできれば１台の電流電源装置１２１でよいことは言うまでもない。

本発明の実施例において、電流電源装置１２１として説明するが、電流電源装置１２１は定電流を出力するものに限定されるものではない。例えば、電流電源装置１２１が最大電圧を設定し、一定の条件で、設定された最大電圧において、所定の定電流を出力できるように機能させることが例示される。したがって、電流電源装置１２１は、定電流の出力する装置ではなく、電圧、電流を出力できる電源装置である。

図１３は、本発明の実施例における半導体試験装置の構成図、および試験方法の説明図である。図１３において、電流電源装置１２１に並列して、試験を行う複数のトランジスタ１１７（トランジスタ１１７Ｑ１～トランジスタ１１７Ｑｎ）が接続されている。
図１４は、図１３の動作を説明する本発明の実施例における半導体素子の試験方法の説明図である。

図１４（ａ）に図示するように、スイッチ回路Ｓｔ１（１２４ｓ１）～スイッチ回路Ｓｔｎ（１２４ｓｎ）がオンすることにより、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄ１～試験電流Ｉｄｎが流れる。例えば、試験電流Ｉｄの印加時間はｔｏｎであり、試験電流Ｉｄ１と試験電流Ｉｄ２とは時間ｔｃｙｃｌｅの間隔で順次トランジスタ１１７に印加される。トランジスタ１１７はオンすることにより、トランジスタ１１７のチャンネル電圧が順次、変化する（図１４（ｃ））。

したがって、たとえば、試験電流Ｉｄ１と試験電流Ｉｄ２とは時間的に重なりがない。そのため、電流電源装置１２１の出力容量は、１つのトランジスタ１１７の試験に必要とする出力容量でよい。

試験電流Ｉｄ（Ｉｄ１～Ｉｄｎ）は重ならないように制御する。また、好ましくは試験電流Ｉｄ（Ｉｄ１～Ｉｄｎ）のそれぞれの電流Ｉｄ間は、１μ（マイクロ）秒以上の間隔をあけることが好ましい。なお、各トランジスタ１１７に対しては、図４で説明した駆動方法、制御方法を実施する。

各トランジスタ１１７Ｑに供給する定電流Ｉｃは、スイッチ回路Ｓｓａ（Ｓｓａ１～Ｓｓａｎ）を順次オンさせて、各トランジスタ１１７ＱのダイオードＤｓに供給する。

ダイオードＤｓの端子間電圧に対応する電圧Ｖｉ（Ｖｉ１～Ｖｉｎ）はスイッチ回路Ｓｓａ（Ｓｓａ１～Ｓｓａｎ）に同期して、セレクタ１２７によって選択される。例えば、トランジスタ１１７Ｑ１に電流Ｉｃが供給されている時は、セレクタ１２７はトランジスタ１１７Ｑ１のダイオードＤｓの端子間電圧を選択する。トランジスタ１１７Ｑ３に電流Ｉｃが供給されている時は、セレクタ１２７はトランジスタ１１７Ｑ３のダイオードＤｓの端子間電圧を選択する。選択された電圧Ｖｉが温度測定回路１１５に供給される。
他の構成、動作は他の実施例で説明している構成、動作と同様であるので説明を省略する。
図１３、図１４の実施例においても、図１８で説明するオン電圧Ｖ１、オン電圧Ｖ２を印加する駆動方法あるいは試験方法を適用できることは言うまでもない。

図１５、図１７は、本発明の実施例における試験方法の説明図である。図１５、図１７は、横軸を時間のルート（√ｔ）とし、縦軸を求められたジャンクション温度Ｔｊとしている。また、図１６は、Ｔｊ値を求めるための計算式の説明図である。

パワーサイクル試験において、寄生ダイオード、電圧Ｖｃｅでの測定等、ターンオフ後の電圧にてジャンクション温度Ｔｊを測定する場合、トランジスタ１１７のオフ直後はリンギング、サージが発生する。トランジスタ１１７の端子間電圧Ｖｉから、温度情報Ｔｊを求めるため、サージ電圧が発生すると端子間電圧Ｖｉが変動する。たとえば、図１５に図示するように、端子間電圧Ｖｉがリンキングし、求められる温度情報ＴｊのリンキングＴｊｓが発生する。
Ｔｊｓは、トランジスタ１１７のＶｃｅ電圧から求められる。したがって、Ｖｃｅ電圧にサージが発生していると、Ｔｊｓのようにリンキングが発生する。

Ｔｊがリンキングしているときには、正確な測定ができないことを意味する。したがって、温度測定回路１１５による温度測定タイミングを少し遅延させる必要がある。つまり、Ｔｊのリンキング発生期間をさける必要がある。

Ｔｊのリンキングは、トランジスタ１１７をオフさせた直後に発生する。リンキングを回避するため、本願発明は、スイッチ回路１２４ｂをクローズ（オン）させ、電荷を放電させる。または、電流電源装置１２１ａが出力する電流ＩｄをＩｍとしてトランジスタ１１７に印加されないようにする。その後、あるいは同時にスイッチ回路１２４ａをオフ（オープン）にする。

スイッチ回路１２４ａ等のオープン直後は、Ｔｊｓ等のリンギングが発生するため、試験電流Ｉｄのオフ時間から、所定時間を遅延させた時刻で、温度測定（Ｖｃｅ電圧）を行う。

トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄを停止させると、図２の加熱冷却プレート１３４に熱が逃げ、トランジスタ１１７が放熱する。トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄを停止してから、遅延した時刻では、トランジスタ１１７は放熱し、トランジスタ１１７の動作時の温度（Ｔｊmax）より低下する。

図１５の実施例は、トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄを停止した直後のトランジスタ１１７の温度（実温度）を推定するため（求めるため）、あるいは実温度（Ｔｊmax）値を推測する方法（求める方法）する方法である。図１５の横軸は時間の平方根（√t）としている。

図１５に図示するように、スイッチ回路１２４ａあるいはスイッチ回路１２４ｂのうち、少なくとも一方がターンオフ直後からの温度遷移は、時間の平方根（√ｔ）に対し直線性がある。
この直線性があることを利用し、図１７のＡ点であるターンオフ点（０）まで延伸して推定値ｖ_０を求める。
図１７に図示するように、ターンオフ後の2点の測定ポイント（ｔ_１、ｔ_２）を設定する。ｔ_１とｔ_２の時間は、ｔ_２ ＝ ２ × ｔ_１とする。
図１６に説明するように、ｔ_２ ＝ ２ × ｔ_１
とすることにより、また、ｔ_０の電圧値（推定値）をｖ_０、ｔ_１、ｔ_２の電圧値（測定値）を
それぞれｖ１、ｖ２とすることにより、
ｖ_０ ＝ （２ ＋ √２）・ｖ１ － （１ ＋ √２）・ｖ２
と、簡単な計算で、Ｖｃｅ電圧の推測値ｖ_０を求めることができる。
ｖ_０は、試験時は、常に演算等を実施し、高速で求める必要があるため、ｖ_０が高速で、容易に求められることは効果が大きい。
ｔ_１、ｔ_２時の電圧から、対応するＶｃｅ電圧（ｖ１、ｖ２）を測定する。
測定されたｖ１、ｖ２のデータから、下記の計算式にて、Ｔｊmax時の電圧Ｖｃｅ推測値（ｖ_０）を算出する。
ｖ_０ ＝ （２ ＋ √２）・ｖ１ － （１ ＋ √２）・ｖ２
上記から算出したｖ_０とK-Factorから、Ｔｊmax推定値を算出する。
以上の実施例は、ｔ_１とｔ_２の時間は、ｔ_２ ＝ ２ × ｔ_１とした場合である。

ｔ_２ ＝ ２ × ｔ_１の２を変数ｓとすれば、ｔ_２ ＝ ｓ × ｔ_１となる。したがって、ｖ_０ ＝ｖ１ －（ｖ２ － ｖ１）（√ｓ － １）／（ｓ － １）となる。
ｓの値は、任意の値を設定することができる。ｓの値は、設定値であり、測定するｖ２とｖ１でｖ_０を求めればよい。

図１５～図１７の実施例は、図１８の実施例と組み合わせることにより、よりＴｊmaxの測定精度が向上する。特に試験電流Ｉｄの停止直後には、図１５の実施例を選択し、それ以降には図２１で説明する実施例を実施することが例示される。
図１５、図１８で説明した事項は、他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。

以上の実施例は、測定したｖ１_、ｖ２から試験を行う試験電流Ｉｄを停止した直後の端子間電圧Ｖｉ＝ｖ０を求めるものであった。ｖ０から温度情報Ｔｊを取得できる。本発明はこれに限定されるものではない。

トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを流している期間はトランジスタ１１７が発熱する。トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄを停止するとトランジスタ１１７が放熱して温度が低下する。

トランジスタ１１７の試験における温度は、トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄを停止した直後のトランジスタ１１７の温度を取得することが好ましい。つまり、トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄを停止した直後にトランジスタ１１７あるいはダイオードＤに定電流Ｉｃを流して端子間電圧Ｖｉを測定できることが好ましい。

しかし、図１５等でも説明したように、試験する試験電流Ｉｄの停止直後は、サージ電圧、サージ電流が発生して、測定される端子間電圧Ｖｉにはリンギングが発生する。そのため、温度情報Ｔｊもリンギングの影響を受けた温度情報Ｔｊｓとなり、真の温度情報Ｔｊを取得することができない。つまり、試験電流Ｉｄの停止直後のｖ０を取得することが難しい。
図２１は、本発明の実施例における温度情報Ｔｊの取得する方法の説明図である。また、試験電流Ｉｄの停止後の端子間電圧Ｖｉを求める方法の説明図である。

図２１において、縦軸は、端子間電圧Ｖを示し、試験電流Ｉｄの停止直後の推定端子間電圧を１．０として規格値として図示している。横軸は時間であり、理解を容易にするため、時間は無単位としている。特性カーブ（特性式）を求めるための時間ｔに対する端子間電圧の側的期間は１０００ｍ秒以下である。

図２１に図示するように、試験電流Ｉｄの停止後、定電流ＩｃをダイオードＤあるいはトランジスタ１１７に供給する前に、スイッチ回路Ｓｓｂ１２４ｂをオンさせて電源装置１２１の端子間あるいはトランジスタ１１７のチャンネル間（エミッタｅ－コレクタｃ間）の電荷を放電させる。
試験電流Ｉｄの停止は、スイッチ回路Ｓｓｂ１２４ａのオフあるいはトランジスタ１１７のゲート端子にオフ電圧を印加することにより行う。

試験電流Ｉｄの停止等によりサージが発生する。試験電流Ｉｄの停止直後あるいは短時間後は測定される端子間電圧Ｖｉがリンキングする。図１５に図示するように求められる温度情報Ｔｊもリンキングした値となり、試験電流Ｉｄの停止直後の端子間電圧Ｖ０は不安定であり、端子間電圧Ｖ０から求められる温度情報Ｔｊ０も不安定である。したがって、試験電流Ｉｄの停止直後の温度情報Ｔｊ０は実測では取得することができない。

リンギングを発生させる突入電流、サージ電圧を抑制するため、スイッチ回路１２４ｂをオンさせて、電流経路の電荷を放電させるが、それでも試験電流Ｉｄの停止直後は端子間電圧Ｖｉは不安定である。

図２１に図示するように、トランジスタ１１７のゲート端子に印加するゲート電圧をオンからオフに変化させた時、あるいはスイッチ回路１２４ｂをオン（Ｏｎ）からオフ（Ｏｆｆ）に変化した時間を０．０（トランジスタ１１７の試験電流Ｉｄを停止した時間、あるいはスイッチ回路１２４ｂをオフした時間）とする。丸印は０．２時間間隔で電圧Ｖ（規格値で示す）を測定した結果である。三角印は０．１を初期値（最初の開始時間ｔ）とし、０．２時間間隔で電圧Ｖ（規格値で示す）を測定した結果である。

スイッチ回路１２４ｂをオンする期間は短時間であり、トランジスタ１１７の試験電流Ｉｄを停止した直後の時間の端子間電圧と、スイッチ回路１２４ｂをオフした直後の時間でのトランジスタ１１７の端子間電圧とは、ほとんど差異がない。

点線は、説明のために、トランジスタ１１７が試験電流Ｉｄの停止直後の端子間電圧Ｖｉを１．０とし、時間経過にしたがって、トランジスタ１１７が放熱するに端子間電圧Ｊｉの変化を模式的に図示したものである。

なお、Ｖｉはトランジスタ１１７の端子間電圧として説明をするが、これに限定するものではない。たとえば、ダイオードＤ（ダイオードＤｓ、ダイオードＤｉ）の端子間電圧であっても良い。また、端子間電圧Ｖｉは試験をする半導体素子等の温度情報Ｔｊに対応する電圧であればいずれのものであっても良い。

時間０．４までは、発生したサージ電圧等の影響で測定された端子間電圧Ｖｉが変動するが、時間０．４より後は、点線に沿って丸印と三角印のデータが測定される。時間が経過するにしたがって、トランジスタ１１７等の端子間電圧Ｖｉが低下するのは、トランジスタ１１７が放熱し、端子間電圧Ｖｉが低下するためである。

点線（特性式）は、時間ｔの関数として電圧Ｖ（規格値）を示す。Ａは説明を容易とするため、図２１では、Ａ＝１としているが、実際にはＡは時間ｔ＝０．０での端子間電圧Ｖｉの値であり、トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄの停止直後の端子間電圧である。ｔ＝０．０の時、Ｙ＝Ａ＝Ｖｉとなる。ｎは累乗である。つまり、ｔの「ｎ乗」である。
Ｙの式は、
Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ） （１）
Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ） （２）
のいずれかを選択する。
より一般的には、Ｃは任意の整数あるいは実数とし、
Ｙ＝Ａ・Ｃ＾（－１・ｔ＾ｎ） （３）
を選択する。

本実施例では、理解を容易にするため、主として、特性式はＹ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ）、または、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）のいずれかを選択するとして説明をする。
式（１）と式（２）の選択は、一例として図２１に示す丸印、三角印に、最小二乗法で残差が少なくなるようにｎを変化させて、点線をフィティングさせる。

丸印、三角印は、スイッチ回路Ｓｓｂ１２４ａをオン（Ｏｎ）からオフ（Ｏｆｆ）に変化した時間を基準位置として、各時間ｔでの端子間電圧Ｖｉを測定する。なお、トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄの停止した時間を基準と考えても良い。試験電流Ｉｄの停止は、スイッチ回路１２４ａをオープンにすること、あるいはトランジスタ１１７のゲート端子にオフ電圧を印加することによって実施することができる。

理解を容易にするために、丸印は０．２時間間隔で電圧Ｖ（規格値で示す）を測定した結果であり、三角印は０．１を初期値とし、０．２時間間隔で電圧Ｖ（規格値で示す）を測定した結果としたが、これに限定するものではない。他の時間間隔であっても良い。
多くのＶｉ測定により、点線（特性式あるいは特性カーブ）をフィティングさせるためのｎの値、Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ、Ｙ＝Ａ・１０＾の選択性は向上する。

図２１に図示するように、０．０～０．４時間は、測定データである端子間電圧Ｖｉがバラツキ易い。バラツキは、サージ電圧、突入電流が影響している。一定範囲時間である０．０～０．４時間の端子間電圧Ｖｉの値は点線のカーブを決定するのに、重みづけ係数を使用する。一例として、０．０～０．４時間の端子間電圧Ｖｉ値は、重みづけ係数を他の時間帯よりも小さくする。重みづけ係数を小さくすることにより、サージ電圧等で影響を受けた電圧データが点線の近似曲線の与える影響を低減できる。

本発明は、重みづけ係数は変更できるように構成している。重みづけ係数の設定、変更は演算処理回路３０３で実施する。重みづけ係数を変更することにより、測定される電圧データに応じて、最適に点線カーブをフィティングさせることができる。

図２１に図示するように、時間ｔを変化させて、端子間電圧を測定、各時間での端子間電圧を測定することにより、点線カーブを求める。点線カーブは、測定電圧Ｖｉに応じて、Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ）または、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）を選択し、同時にｎの値を決定する。
点線カーブから、ｔ＝０．０の時の端子間電圧Ｖｉを求めることができ、Ｖｉから温度情報Ｔｊを取得すること、あるいは求めることができる。

図２１では説明を容易にするため、ｔ＝０．０の時の電圧Ｖは規格値として、１．０としている。実測定で、丸印、三角印のデータを測定すると、ｔ＝０．０の時に電圧値Ｖは、試験電流Ｉｄを遮断した直後のダイオードＤまたはトランジスタのチャンネル間電圧の値もしくは近似する電圧値を示す。もしくは、スイッチ回路１２４ａをオンからオフした直後のダイオードＤまたはトランジスタのチャンネル間電圧の値もしくは類似する電圧値を示す。
時間経過とともに、ダイオードＤまたはトランジスタのチャンネル間電圧Ｖｉを測定し、測定した電圧データは、データメモリ３０２に記憶される。

図２２は、Ａ＝１とし、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）において、一例として、ｎ＝３、ｎ＝４、ｎ＝６とした時のグラフを示す。ｎの値は、測定時の時間ｔと測定された電圧データより、決定される値である。ｎの値が、大きくなるにしたがって、時間ｔに対するカーブの傾斜角度が大きくなる。なお、Ａ＝１としているのは、実施例の説明のためであり、Ａは測定時の時間ｔと測定された電圧データより、決定される値である。

図２３は、Ａ＝１とし、Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ）において、ｎ＝３、ｎ＝４、ｎ＝６とした時にグラフを示す。ｎの値が、大きくなるにしたがって、時間ｔに対するカーブの傾斜角度が大きくなる。Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）に対しては、同一のｎ値に対するカーブの傾斜角度が小さくなる。

したがって、Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ）を選択するか、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）を選択するかで、測定された電圧Ｖｉデータ（端子間電圧Ｖｉ）をフィティングさせる時間－電圧カーブに適切に一致させることができる。

半導体素子１１７の試験を開始する前、あるいは事前に、図２１で説明したように、時間を変化させて、端子間電圧（トランジスタのチャンネル間電圧Ｖｃｅ、ダイオードＤ端子間電圧等）を測定する。

測定した端子間電圧から、Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ）を選択するか、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）を選択し、選択したＹ式に適合するように、点線の曲線を求める。点線の曲線により、ｎ値、Ａ値が算出あるいは取得される。ｎ値は試験中の固定値となる。Ａ値は、時間がｔ＝０．０での端子間電圧Ｖｉ（半導体素子１１７の試験前（特性変化前）の端子間電圧（初期値））となる。

半導体素子１１７の試験中は、所定の時間ｔで測定された端子間電圧Ｖとすれば、Ａ＝Ｖ／（１０＾（－１・ｔ＾ｎ））あるいは、Ａ＝Ｖ／（ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ））から、Ａ値が算出される。Ａ値は、時間が０．０での端子間電圧Ｖｉ（初期端子間電圧Ｖｉ０）となる。端子間電圧Ｖｉから温度情報Ｔｊ（初期温度情報Ｔｊ０）を取得することができる。

通常、Ａ値は半導体試験を実施するにしたがって、半導体素子は劣化（変化）するため、発熱し、トランジスタ１１７等の端子間電圧Ｖｃｅが高くなる。端子間電圧Ｖｉを測定し、測定したデータから特性カーブ（特性式）のＡ値を求めることにより、トランジスタ１１７等の劣化を精度よく把握することができる。Ａ値は、初期端子電圧Ｖｉ０からの電圧変化量、電圧変化割合を示す。

Ａ値は、半導体素子の試験中、複数の時間ｔで端子間電圧Ｖｉを測定し、算出あるいは取得することにより、より精度よく試験をする半導体素子の特性変化を把握することができる。データを取得する最小の時間ｔは、ｔ＝０．０に近い方が好ましい。図２１で説明したように、サージ電圧の影響等があり、測定される電圧Ｖｉがばらつく。ｔ＝０．０に近い箇所は、図１５、図１６、図１７、図１８等で説明した実施例を実施しても良いことは言うまでもない。つまり、図２１の実施例との組み合わせである。

本発明では、Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ）、あるいはＹ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）を選択し、ｎ値を求め、また、初期温度情報Ｔｊである初期電圧であるＡ値を求めておく。そのため、時間ｔが０．０時間から離れていても、精度よくｔ＝０．０での端子間電圧を推定あるいは取得することができる。

時間ｔ＝０．０以外の多数の測定時間ｔで、多数の端子間電圧Ｖｉを測定し、測定された複数の端子間電圧Ｖｉから、Ａ値、温度情報Ｔｊ値を求め、あるいは修正する、あるいは平均化処理することにより、温度情報Ｔｊの値あるいは初期温度情報Ｔｊ０からの変化量を定量的に取得することができる。

時間ｔ＝０．０以外の多数の時間ｔで、端子間電圧を測定し、ｔ＝０．０での端子間電圧を算出等すると説明したが本願発明はこれに限定するものではない。ｔ＝０．０に限定されるものではなく、たとえば、ｔ＝０．１での電圧値を基準電圧とし、ｔ＝０．１以上の時間で、端子間電圧を測定し、ｔ＝０．１での基準電圧に対する電圧値あるいは電圧の変化量を求め、温度情報Ｔｊを得ても良いことは言うまでもない。

本発明は、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）の数式において、ｎ値等をあらかじめ求めておき、所定の時間ｔで端子間電圧を求め、初期のＡ値（Ｙ値）からの変化あるいは変化量から初期の端子間電圧からの電圧差、電圧変化量から温度情報Ｔｊを取得するものである。

本発明では、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）としたが、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）の１０は、１０に限定するものではない。たとえば、１２、１６等の他の値の整数であっても良い。また、整数で限定されるものではなく実数であっても良い。

つまり、１０の箇所を任意の値Ｃとし、Ｙ＝Ａ・Ｃ＾（－１・ｔ＾ｎ）としても良い。測定したデータから、特性カーブを描き、Ｃ、ｎ、Ａの値を決定して、点線カーブにフィティングさせれば良い。一般式Ｙ＝Ａ・Ｃ＾（－１・ｔ＾ｎ）とすることにより、Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ）も、Ｙ＝Ａ・Ｃ＾（－１・ｔ＾ｎ）に含まれる。

本発明は、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）等の数式に、所定時間ｔで測定された電圧値をフィティングさせるとしたが、数式に限定されるものではない。数式はマクローリン展開したものを用いても良い。また、各時間ｔに対する電圧データ（Ｙ）を、ｎ、Ａに対応してマトリックス状のデータファイルを作成し、各時間ｔに対するｎ、Ａを決定しても良い。また、数式を用いずとも等価的にｎ値を算出して固定し、所定時間ｔで測定された電圧値からＡ値を求めることができることは言うまでもない。

また、本発明は、特性式Ｙ＝Ａ・Ｃ＾（－１・ｔ＾ｎ）に限定されるものではない。トランジスタ１１７の試験電流Ｉｄを停止した時刻、スイッチ回路１２４ｂで電荷を放電しスイッチ回路１２４ｂをオフした時刻から、試験対象の素子の端子間電圧Ｖｉは時間ｔを変化させて測定し、初期端子間電圧Ｖｉを固定値として含む特性式に求め、試験開始後は、所定の時刻ｔで測定した端子間電圧Ｖｉと特性式に代入し、特性式のＡ値（初期端子間電圧Ｖｉ）を、半導体素子の劣化状態の評価として使用するものである。

図２４は、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）の場合において、時間軸ｔを√ｔとし、図示化した例である。図２２と図２４と比較すると、図２４の時間軸ｔを√ｔにすることによりフィティングさせる特性カーブが緩やかになる。特性カーブが緩やかになることにより、図２２に比較して、時間軸√ｔと特性カーブの電圧Ｖｉから、Ｙ＝Ａ・１０＾（－１・ｔ＾ｎ）のｎ、Ａを精度よく求めることができる。

図２５は、Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ）の場合において、時間軸ｔを√ｔとし、図示化した例である。図２３と図２５と比較すると、図２５の時間軸ｔを√ｔにすることによりフィティングさせる特性カーブが緩やかになる。特性カーブが緩やかになることにより、図２３に比較して、時間軸√ｔと特性カーブの電圧Ｖｉから、Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ（－１・ｔ＾ｎ）のｎ、Ａを精度よく求めることができる。

図１５、図１６、図１７、図１８等で説明した実施例は、時間軸を√ｔとしている。図２４、図２５のように、時間軸√ｔとすることにより、図１５、図１６、図１７、図１８等で説明した実施例と組み合わせができる。

図２１、図２２、図２３、図２４、図２５の実施例は、図４、図６、図１５、図１６、図１７、図１８等で説明した実施例と組み合わせても良いことは言うまでもない。たとえば、図２１において０．０～０．４時間の範囲で、図４、図６、図１５、図１６、図１７、図１８等で説明した実施例を適用し、０．４時間以上の範囲で、図２１等で説明した実施例を適用し、組み合わせることが例示される。

図１５、図１６、図１７、図１８等で説明した実施例と、図２１等で説明した実施例の両方を実施あるいは演算して、ＶｉあるいはＴｊを求めて、加算平均を取る実施例が例示される。また、また、図１５、図１６、図１７、図１８等で説明した実施例と図２１等で説明した実施例とをそれぞれ重みづけ処理をする実施例が例示される。

図１９に図示するように、温度測定回路１１５には、時間ｔあるいは時間√ｔで測定された端子間電圧Ｖｉ（トランジスタチャンネル間電圧Ｖｃｅ、ダイオード（Ｄｓ、Ｄｉ）端子間電圧）データ（Ｔｄａｔａ）が蓄積される。基本的には電圧データ（Ｔｄａｔａ）は、端子間電圧Ｖｉをデジタル化したものが対応する。

なお、電圧データ（Ｔｄａｔａ）は半導体素子の端子間電圧に限定されるものではない。電圧値であれば、いずれのものであっても良い。また、測定値対象が電流の場合は、前記電流を抵抗素子等に流し、抵抗素子の端子間電圧として測定すれば良い。

本発明は時間ｔと端子間電圧Ｖｉの関係を示す特性式を求めることを特徴とする。時間ｔは、ｔおよび√ｔを例示しているがこれに限定されるものではない。ｔの２乗、１／ｔ等他の時間軸であっても良いことは言うまでもない。

また、特性式は、試験する各半導体素子で求める必要がない場合が多い。半導体素子はロットごとに一定の特性を有していることから、各ロットで一度、特性式を求めておけば、この特性式（特性カーブ）を流用することができる。

電圧データ（Ｔｄａｔａ）の蓄積は、試験を開始前あるいは試験開始の初期期間に、複数サイクルにおいて実施される。好ましくは電圧データ（Ｔｄａｔａ）の蓄積は、数十サイクルにおいて実施される。

また、電圧データ（Ｔｄａｔａ）の蓄積、特性式を求めること、特性式を順次補正することは、半導体素子１１７の試験中であっても実施しても良いことは言うまでもない。試験中にこれらを実施することにより、より特性式が最適なものとなる。

所定の時間ｔ（あるいは時間√ｔ）で端子間電圧Ｖｉ（Ｔｄａｔａ）が測定される。測定された端子間電圧Ｖｉ（Ｔｄａｔａ）と測定時の所定の時間ｔ（あるいは時間√ｔ）は、データメモリ３０２に記憶される。あるいは、あらかじめ、所定の時間ｔ（あるいは時間√ｔ）で端子間電圧Ｖｉ（Ｔｄａｔａ）が測定する。

演算処理回路３０３は、データメモリ３０２に記憶された端子間電圧Ｖｉ（Ｔｄａｔａを用いて演算処理を実施し、図２１等で説明した特性曲線を求め、ｎ値、Ａ値、Ｃ値を算出あるいは取得する。

必要に応じて、蓄積された電圧データ（Ｔｄａｔａ）は、各時間ｔ、または各時間√ｔの電圧データ（Ｔｄａｔａ）が平均化処理される。平均化処理された電圧データ（Ｔｄａｔａ）は、図２２～図２５のいずれかの曲線カーブにフィティングされ、ｎおよび初期値あるいは測定開始時のＡデータを算出あるいは取得する。

半導体素子１１７の試験モードにおいては、所定の時間ｔで、Ｙ値としての端子間電圧Ｖｉを測定し、初期値Ａに対する変化量あるいは差を取得あるいは算出する。
図２０は、初期値としてのｎ、Ａ、また、Ｃ値を求めるためのタイミングチャート図および説明図である。
図２０（ａ１）、図２０（ｂ１）、図２０（ｃ１）は第１の方法による特性カーブの求めるための電圧データ取得のためのタイミングチャート図である。
図２０（ａ２）、図２０（ｂ２）、図２０（ｃ２）は第２の方法による特性カーブの求めるための電圧データ取得のためのタイミングチャート図である。
図２０（ａ３）、図２０（ｂ３）、図２０（ｃ３）は第３の方法による特性カーブの求めるための電圧データ取得のためのタイミングチャート図である。

図２０（ａ１）に図示するように、試験電流Ｉｄが試験をする半導体素子（トランジスタ）１１７に流れることにより、トランジスタ１１７が発熱する。トランジスタ１１７は劣化等により熱抵抗が高くなるにしたがって、発熱量が増加する。この発熱によるトランジスタ１１７の温度変化を測定することにより、トランジスタ１１７の特性変化、寿命を試験あるいは評価することができる。

図２０（ｂ１）に図示するように、試験電流Ｉｄが遮断されるタイミングあるいは遮断する直前にスイッチ回路１２４ｂをｔ１時間オンさせる。試験電流Ｉｄの制御は、トランジスタ１１７に印加するオン電圧の制御、スイッチ回路１２４ａで制御する。

スイッチ回路１２４ｂをオンさせることにより、電源装置１２１間に端子間、トランジスタ１１７の端子間の電荷が放電される。あるいは端子間の電圧が０あるいは小さくなる。

スイッチ回路１２４ｂをｔ１時間オンさせ、オフさせたタイミングで図２０（ｃ１）に図示するように、トランジスタ１１７あるいはダイオード（Ｄｉ、Ｄｓ）の端子間電圧Ｖｉを測定する。端子間電圧Ｖｉはｍ１時間に測定され、デジタルデータＴｄａｔａとして、温度測定回路１１５のデータメモリ３０２に記憶される。

測定されたデジタルデータＴｄａｔａはｍ１期間に１回あるいは複数測定される。複数回Ｔｄａｔａを測定する場合は、ｍ１期間において、等時間間隔で測定される。測定は、図２１で説明したように、丸印あるいは三角印のように測定され、測定された電圧データはデータメモリ３０２に記録される。

丸印あるいは三角印は、測定タイミングが異なるものであると説明するがこれに限定するものではない。丸印あるいは三角印を一度にあるいは順次、連続して測定しても良い。丸印の測定と三角印の測定は測定間の電圧データを補間する。

Ｔｄａｔａの測定は、図２０（ａ１）に図示するように、ｔｓ期間後にも同様に実施される。ｍ１期間でのＴｄａｔａの測定は複数期間、実施される。任意のｍ１時間でのｔ時間間隔の測定と、次のｍ１時間でのｔ時間間隔の測定とは、タイミングを異ならせることが好ましい。たとえば、任意のｍ１時間でのｔ時間間隔の測定では図２１の丸印のタイミングでの端子間電圧測定を実施し、次のｍ１時間でのｔ時間間隔の測定とは、三角印のタイミングでの端子間電圧測定を実施する。
ｔｓ期間は、図１２等で説明したｔｃｙｃｌｅに一致させて、特性カーブ（特性式）を取得することが好ましい。

図４の実施で説明したように、スイッチ回路１２４ｂは、試験電流Ｉｄの停止前にオンさせることが好ましい。Ｓｓｂはスイッチ回路１２４ｂのオンオフ信号である。

スイッチ回路（Ｓｓｂ）１２４ｂは、スイッチ回路Ｓｓａ１２４ａとの関係を示す通り、スイッチ回路１２４ａがオフ（オープン）する前にスイッチ回路１２４ｂをオン状態にさせることが好ましい。

スイッチ回路１２４ｂは、試験電流Ｉｄをスイッチ回路１２４ａで遮断する以前に、オン（クローズ）させる。スイッチ回路１２４ｂをスイッチ回路１２４ａのオープンよりも前にオンさせることにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。

スイッチ回路１２４ｂは、スイッチ回路１２４ａのオフ後も、ｔ１あるいはｔ２期間の間、オン（クローズ）させる。スイッチ回路１２４ａのオープン後に、所定の期間、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。

トランジスタ１１７のゲート端子ｇに印加するオン電圧をオフ電圧とすることによっても、試験電流Ｉｄを遮断することができる。ゲート電圧Ｖｇｓにオン電圧をオフ電圧（０Ｖ電圧、またはＶｔ電圧）にすることにより、トランジスタ１１７がオフとなり、試験電流Ｉｄが遮断される。

トランジスタ１１７のゲート端子ｇにオフ電圧と印加する前（以前に）、スイッチ回路１２４ｂのオン状態とすることにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制することができる。また、トランジスタ１１７のゲート端子ｇにオフ電圧を印加後、所定期間、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制することができる。
以上の事項は、スイッチ回路１２４ａにより、試験電流Ｉｄを供給する前の期間においても適用される。

図４等で説明したように、スイッチ回路（Ｓｓｂ）１２４ｂは、スイッチ回路Ｓｓａ１２４ａとの関係を示す通り、スイッチ回路１２４ａがオン（クローズ）する前の期間からスイッチ回路１２４ｂをオンさせる。スイッチ回路１２４ｂは、試験電流Ｉｄをスイッチ回路１２４ａで供給する以前に、オン（クローズ）させる。スイッチ回路１２４ｂをスイッチ回路１２４ａのクローズよりも前にオンさせることにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。

スイッチ回路１２４ｂは、スイッチ回路１２４ａのオン後も、所定期間の間、オン（クローズ）状態を保持させる。スイッチ回路１２４ａのクローズ後の、所定期間、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。
所定期間は０～１０ｍ秒以下の期間である。好ましくは、０～５ｍ秒以下の期間とすることが好ましい。

以上の実施例では、スイッチ回路１２４ａで試験電流Ｉｄを供給するとしたが、トランジスタ１１７のゲート端子ｇに印加するオフ電圧からオン電圧とすることによっても、試験電流Ｉｄを供給することができる。

ゲート電圧Ｖｇｓにオフ電圧（０Ｖ電圧またはＶｔ電圧）をオン電圧（Ｖｇ電圧）とすることにより、トランジスタ１１７がオンとなり、試験電流Ｉｄが供給される。トランジスタ１１７のゲート端子ｇにオン電圧を印加する前（以前に）、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。また、トランジスタ１１７のゲート端子ｇにオン電圧を印加後も所定期間、スイッチ回路１２４ｂのオン状態を保持することにより、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓを抑制できる。

所定期間は０～１０ｍ秒以下の期間である。好ましくは、０～５ｍ秒以下の期間とすることが好ましい。ｔｂ１期間は０～１０ｍ秒以下の期間である。好ましくは、０～５ｍ秒以下の期間とすることが好ましい。
以上の事項は、図４、図６、図１２、図１４、図１８、図２０、図２１、図３４、図３５、図４２、図４３の実施例おいても適用できることは言うまでもない。また、本発明の他の実施例に適用できることは言うまでもない。また、本発明の他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。

演算処理回路３０３はデータメモリ３０２のＴｄａｔａを読み出し、複数回実施されて測定されたＴｄａｔａは、等時間間隔ごとにＴｄａｔａが平均化処理される。平均化処理することにより、Ｔｄａｔａのバラツキが小さくなる。演算処理はリアルタイムで実施しても良い。

演算処理回路３０３は、平均化処理されたＴｄａｔａから、図２１等で示す点線の特性カーブ（特性式）を求め、特性カーブのｎ、Ａ、また、Ｃ値を決定する。一例として、特性カーブ（特性式）は測定データを最小近似法により求める。また、最小二乗法により求める。

ｎ、Ａ、また、Ｃ値を決定された特性カーブ式Ｙ＝Ａ・Ｃ＾（－１・ｔ＾ｎ）が、トランジスタ１１７の初期での温度情報Ｔｊを示す。Ｃ、ｎが初期の特性カーブ（特性式）として定数値であれば、Ａがｔ＝０での端子間電圧Ｖｉを示す。

トランジスタ１１７の寿命試験等が実施され、試験時間が経過した後に、時刻ｔで測定された端子間電圧Ｖは、寿命試験等で変化した値である。初期端子間電圧Ｖｉ０－Ｖが変化した電圧を示す。端子間電圧Ｖから温度情報Ｔｊが求まる。

図２０（ｃ１）でのＴｄａｔａの測定（取得）は、スイッチ回路１２４ｂのオフ直後から実施する。試験をするトランジスタ１１７に通電状態から遮断状態した直後の温度情報の取得になる。しかし、図２１で説明したように、ｔ＝０．０の近傍はサージ電圧の影響を受けやすく、Ｔｄａｔａのバラツキが発生する。
ｔ＝０．０の近傍では、図１５、図１６、図１７、図１８で説明した本発明の実施例との組み合わせることが有効である。
図２０（ａ２）、図２０（ｂ２）、図２０（ｃ２）は実施例の方法によるタイミングチャート図である。
図２０（ｃ２）で図示するタイミングチャートは、Ｔｄａｔａの測定（取得）は、スイッチ回路１２４ｂのｔ１後にＷ１の時間を経過した後に実施する。

図２０（ｂ２）に図示するように、試験電流Ｉｄが遮断されるタイミングあるいは遮断する直前にスイッチ回路１２４ｂをｔ１時間オンさせる。スイッチ回路１２４ｂをオンさせることにより、電源装置１２１間に端子間、トランジスタ１１７の端子間の電荷が放電される。あるいはトランジスタ１１７のチャンネル間が短絡し、電位差が０になる。

その後、図２０（ｂ２）、図２０（ｃ２）に図示するように、ｗ１時間の経過後に、Ｔｄａｔａの測定を開始する。ｗ１期間によりサージ電圧あるいはサージ電流が低減してＴｄａｔａは安定して測定できる。

スイッチ回路１２４ｂをｔ１時間オンさせ、ｗ１期間の経過後、オフさせたタイミングで図２０（ｃ２）に図示するように、トランジスタ１１７あるいはダイオード（Ｄｉ、Ｄｓ）の端子間電圧Ｖｉを測定する。端子間電圧Ｖｉはｍ１期間に測定され、デジタルデータＴｄａｔａとして、温度測定回路１１５のデータメモリ３０２に記憶される。データの記憶はリアルタイムであって良いし、バッファ回路に一度記憶してからデータメモリ３０２に記憶させても良い。また、演算処理回路３０３による演算処理は、リアルタイムであっても良いし、一連のデータ取得が完了してから実施しても良い。
ｔ１期間は、２ｍ秒以下の短時間が好ましいが、ｔ１時間が短時間の場合、電荷が放電されず、サージ電圧Ｖｓの抑制不足になる場合がある。

測定されたデジタルデータＴｄａｔａはｍ１期間に１回以上測定される。ｍ１期間において、等時間間隔で測定される。また、同一のｔ時間に複数回、端子間の電圧Ｖｉを測定し、測定された複数回の電圧Ｖを平均化処理してＶｉデータすることが好ましい。

なお、等時間間隔に限定されるものでない。ランダムは時間間隔で実施しても良い。測定した電圧データは、電圧データはデータメモリ３０２に記録される。同一時間ｔで複数回の電圧データＴｄａｔａを取得しても良い。複数回の電圧データＴｄａｔａは演算処理回路３０３が平均化処理、中央値処理、移動平均化処理等を実施して、データメモリ３０２に記憶させ、処理される。

Ｔｄａｔａの測定は、図２０（ａ２）に図示するように、ｔｓ期間後にも実施される。ｔ３期間は、任意あるいは所定時間に設定できるように構成することが好ましい。ｔｓ時間は、トランジスタ１１７の試験時に実施する試験電流Ｉｄのサイクルタイムと一致させることが好ましい。ｔｏｎ期間は、図１２等で説明した試験時のｔｏｎ期間と一致あるいは近似させることが好ましい。

ｍ１期間でのＴｄａｔａの測定は複数期間、実施される。任意のｍ１時間でのｔ時間間隔の測定と、次のｍ１時間でのｔ時間間隔の測定とは、タイミングを異ならせることが好ましい。

たとえば、任意のｍ１時間でのｔ時間間隔の測定では図２１の丸印のタイミングでの端子間電圧測定を実施し、次のｍ１時間でのｔ時間間隔の測定とは、三角印のタイミングでの端子間電圧測定を実施する。
ｍ１時間の開始タイミングは、ｔ１時間を変化させて設定しても良い。たとえば、ｔ１時間を０．１ｍ秒から２００ｍ秒の範囲で設定することが例示される。
各ｔｓ時間のタイミング測定されたデータ（端子間電圧、Ｔｄａｔａ）は、同一タイミング時間で平均化処理、移動平均化処理が実施される。

図２０（ａ３）、図２０（ｂ３）、図２０（ｃ３）は実施例の方法によるタイミングチャート図である。図２０（ｃ３）と図２０（ｃ１）との差異は、スイッチ回路１２４ｂのオン時間が長い点である。スイッチ回路１２４ｂのオン時間が長いほど電源装置１２１間に端子間、トランジスタ１１７の端子間の電荷が放電されて安定する。
スイッチ回路１２４ｂをオフ後、図２０（ｂ３）、図２０（ｃ３）に図示するように、ｍ１期間でＴｄａｔａの測定を開始する。

スイッチ回路１２４ｂをｔ２時間オンさせた後、図２０（ｃ３）に図示するように、トランジスタ１１７あるいはダイオード（Ｄｉ、Ｄｓ）の端子間電圧Ｖｉを測定する。端子間電圧Ｖｉはｍ１期間に測定され、デジタルデータＴｄａｔａとして、温度測定回路１１５のデータメモリ３０２に記憶される。
測定されたデジタルデータＴｄａｔａはｍ１期間に１回以上測定される。ｍ１期間において、等時間間隔で測定される。

なお、等時間間隔に限定されるものでない。ランダムは時間間隔で実施しても良い。測定した電圧データは、電圧データはデータメモリ３０２に記録される。同一時間ｔで複数回の電圧データＴｄａｔａを取得しても良い。複数回の電圧データＴｄａｔａは演算処理回路３０３が平均化処理、中央値処理、移動平均化処理等を実施して、データメモリ３０２に記憶され、処理される。

Ｔｄａｔａの測定は、図２０（ａ３）に図示するように試験電流Ｉｄを印加後、試験電流Ｉｄのオフタイミングに同期して、実施される。ｔ２時間は任意あるいは所定時間に設定できるように構成することが好ましい。ｔｓ時間は、トランジスタ１１７の試験時に実施する試験電流Ｉｄのサイクル時間と一致させることが好ましい。

試験を実施するトランジスタ等の半導体素子１１７を、試験の開始前あるいは事前に図２０等で説明した特性カーブの測定を実施し、特性カーブのｎ、Ａ、Ｃ値等を決定する。また、図１５等で説明した実施例と組み合わせる。

特性カーブの決定後は、所定のｔ時刻、あるいは任意のｔ時刻において、端子間電圧Ｖｉ等の電圧値を測定する。ｍ１期間で連続して電圧値を測定し、測定した電圧値より特性式を求める。

特性式の初期値Ａと、試験時の時間ｔで測定した端子間電圧Ｖｉとの電位差、電位比率、電圧値、変化割合を求め、あるいは取得して、試験しているトランジスタ１１７等の評価、特性変化を把握あるいは評価する。
図１５、図２１等の本発明は、以下の試験装置、試験装置の構成、試験方法においても適用される。

図２７は半導体素子１１７にダイオードが内蔵されていない素子の試験方法の説明図である。トランジスタ１１７は３端子を有している。この端子をｃ端子、ｅ端子、ｇ端子とする。

ｔｏｎ時間は、スイッチ回路１２４ａのオン期間、トランジスタ１１７のゲート端子に印加するオン電圧期間により設定され、また、スイッチ回路１２４ｂのオン時間で設定される。
トランジスタ１１７として、ＳｉＣトランジスタ、ＩＧＢＴ、ＧａＮトランジスタ、ＭＯＳ－ＦＥＴ、バイポーラトランジスタ等が例示される。

トランジスタ１１７のｇ端子（ゲート端子、ベース端子）には、ゲートドライバ回路１１３が接続される。ゲートドライバ回路１１３の出力電圧は、ゲート信号制御回路１１２の出力データにより、可変あるいは設定される。

ゲートドライバ回路１１３から出力されるオン電圧、オフ電圧によりトランジスタ１１７はオンオフ制御される。トランジスタ１１７のゲート端子にオン電圧が印加されている時に、試験電流Ｉｄが流れる。また、試験電流Ｉｄをトランジスタ１１７に流すときは、スイッチ回路１２４ａをオン（クローズ）させる。スイッチ回路１２４ａをオフ（オープン）させることにより、試験電流Ｉｄは停止する。

説明を容易にするため、あるいは理解を容易にするために、ゲートドライバ回路１１３の出力電圧は、トランジスタ１１７をオフさせる電圧Ｖ０、Ｖｎとし、トランジスタ１１７をオンさせる電圧Ｖ２、Ｖ１とする。

各電圧は、任意の電圧に設定することができる。各電圧は、１周期で可変あるいは設定することができる。ゲート信号制御回路１１２により、短時間で、任意の電圧に設定することができる。

トランジスタ１１７の初期の温度情報Ｔｊ（あるいは端子間電圧Ｖｉ）を取得するタイミング、動作、試験電流Ｉｄの大きさ等は、トランジスタ１１７を試験する動作は一致させることが好ましい。

トランジスタ１１７に流す試験電流Ｉｄの大きさ、時間でトランジスタ１１７は発熱する。また、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄが流れていない時は、冷却される。したがって、図１５、図２１等で説明した特性カーブと基準として、試験による変化を評価するためには、試験時も同一の試験電流Ｉｄの大きさ、時間とすることが好ましい。

特に、図３６、図３７、図３８、図３９、図４０、図４１に図示するように、Ｖ１電圧は電圧を高く（ｂ方向）、Ｖ１電圧は電圧を低く（ａ方向）に可変あるいは設定することができる。また、１周期（ｔ２～ｔ６期間）であっても、変化させることができる。
特性カーブのｎ、Ｃ、Ａの決定あるいは取得をする際も、図３６、図３７、図３８、図３９、図４０、図４１に図示する駆動方法を採用することができる。

Ｖ１電圧を高くすることにより、トランジスタ１１７のオン抵抗は低くなる。Ｖ１電圧を低くすることにおり、トランジスタ１１７のオン抵抗は高くなる。Ｖ１電圧を試験条件にあわせて、所定の電圧に設定することにより、トランジスタ１１７の試験条件を所定条件に変更あるいは設定できる。ｇ端子電圧を変化させることにより、試験電流Ｉｄに対するトランジスタ１１７の発熱状態を任意に変更あるいは設定することができる。

トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを印加する期間（時間）は、スイッチ回路１２４ａをオン（クローズ）させる。あるいはトランジスタ１１７のｇ端子にオフ電圧を印加する。

試験電流Ｉｄは電源装置１３２から供給される。試験電流Ｉｄをトランジスタ１１７に印加するときは、トランジスタ１１７のｇ端子にＶ１電圧を印加して、トランジスタ１１７をオンさせる。

トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを印加しないときは、スイッチ回路１２４ａをオフ（オープン）させるか、トランジスタ１１７のｇ端子にオフ電圧（Ｖ０電圧、Ｖｎ電圧）を印加する。

トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを供給する際は、スイッチ回路５０７をオン（クローズ）させる。また、トランジスタ１１７のｇ端子に、Ｖ２電圧を印加してトランジスタ１１７をオンさせる。

トランジスタ１１７の試験では、試験電流Ｉｄを供給する時、ｇ端子にはＶ１電圧が印加される。Ｖ１電圧は、試験条件により、所定の電圧に設定あるいは操作される。Ｖ２電圧は温度情報Ｔｊを求めるときに、トランジスタ１１７のｇ端子に印加した電圧である必要がある。したがって、Ｖ１電圧を変化しても、Ｖ２電圧は、所定の値に固定することが必要である。Ｖ２電圧は、Ｖ１電圧よりも大きくし、トランジスタ１１７Ｖ２オン状態、または強オン状態にすることが好ましい。
トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを流す時は、トランジスタ１１７にＶ１電圧印加する。Ｖ１電圧は試験条件に対応させて変化あるいは可変する。

トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを流す時は、トランジスタ１１７のゲート端子にＶ２電圧を印加して強オンにさせる。あるいは、試験電流Ｉｄを流す時に印加しているＶ１電圧が変化させても、トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを流す時では、一定のＶ２電圧を印加する。トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを流す時に、所定のＶ２電圧とすることにより、温度情報Ｔｊ、端子間電圧Ｖｉを安定して測定することができる。

本発明の試験装置、試験方法は、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを供給するときにｇ端子に印加する電圧と、トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを供給するときにｇ端子に印加する電圧とを任意に設定できることに特徴がある。

定電流Ｉｃをトランジスタ１１７に供給するときは、ｇ端子にＶ２電圧を印加される。Ｖ２電圧は、Ｖ１電圧に依存せず、一定の電圧値である。Ｖ２電圧は、トランジスタ１１７の温度情報Ｔｊを得るための電圧である。温度情報Ｔｊは事前に求めた、あるいは設定した温度情報Ｔｊに基づいて得られる。また、特性カーブのｎ、Ｃ、Ａに基づいて得られる。

Ｖ２電圧はＶ１電圧以上であることにより、定電流Ｉｃを供給する際に、トランジスタ１１７のオン抵抗が小さくなり、トランジスタ１１７の発熱が小さくなるから、好ましい。ただし、Ｖ２電圧はＶ１電圧以上に限定されるものでない。温度情報Ｔｊ、特性カーブのＡを取得あるいは測定する時に、一定のＶ２電圧とする。

定電流Ｉｃが小さくなると、ノイズの影響を受けるため、図２６で説明する回路構成、説明構成を実施することが好ましいことは言うまでもない。以上の事項は、本発明の他の実施例においても同様である。

トランジスタ１１７のパッケージには熱電対等の温度センサ５２１を取付け、温度センサ５２１が出力する温度データを取得することが好ましい。温度センサ５２１により、トランジスタ１１７の温度を測定することにより、試験で測定あるいは取得された温度情報Ｔｊが異常でないか、想定範囲を超えていないかを判断することができる。

トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄが流れていない時に、定電流Ｉｃを流し、トランジスタ１１７等の端子間電圧Ｖｉを測定し、初期の特性カーブの定数値Ａからの変化割合、変化を取得して温度情報Ｔｊを得る。

温度情報Ｔｊは、トランジスタ１１７の各生産ロットで異なる場合があるが、一般的には生産ロットで一定の値を示す。したがって、各生産ロットで、試験を行うトランジスタ１１７を抜き取り、温度情報Ｔｊを求めておけば、他のトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊにも使用できる。特性式も各ロットで、求めておけば、同一ロットで各トランジスタの特性式を求めておく必要はない。

Ｖ０電圧からＶ２電圧の変化、Ｖ２電圧からＶ１電圧の変化、Ｖ２電圧からＶ０電圧の変化を急峻にすると、過渡現象が発生する場合がある。そのため、ゲートドライバ回路１１３が出力する電圧の変化は緩やかな変化となるように制御する。

精度よく温度情報Ｔｊを取得するには、同じロットでも、各トランジスタ１１７の温度情報Ｔｊを個別に測定して試験をする。温度情報Ｔｊの測定は、恒温槽の使用に限定されない。例えば、トランジスタ１１７を実装したヒートシンクに流す水温を変えて温度情報Ｔｊを取得する。

図３６に図示するように、定電流回路１１８か定電流Ｉｃとトランジスタ１１７に供給する期間（ｔ１～ｔ２、ｔ６～ｔ７）にｇ端子にＶ２電圧を印加し、トランジスタ１１７を強オンまたは、オン抵抗が小さい状態に設定する。したがって、Ｖ２＞Ｖ１の関係である。なお、強オンにする電圧Ｖ２とは、Ｖ１電圧よるも高い電圧である。

Ｖ２、Ｖ１の電圧により、サージ電圧Ｖｓ、突入電流Ｉｓの発生状態が異なる。したがって、図２０で説明する端子間電圧Ｖｉの測定タイミング（ｔ１、ｔ２、ｍ１、ｗ１）を設定、調整する必要がある。本発明は、測定タイミング（ｔ１、ｔ２、ｍ１、ｗ１）を設定、調整できることに特徴がある。

図３６において、ｔ１～ｔ２、ｔ６～ｔ７がトランジスタ１１７のチャンネル間電圧（ｃ端子－ｅ端子間電圧）である端子間電圧Ｖｉを測定（取得）し、温度情報Ｔｊを得る期間である。

端子間電圧Ｖｉを測定（取得）は、ｔ１～ｔ２、ｔ６～ｔ７の両方の期間で行う必要はなく、ｔ６～ｔ７期間だけであっても良い。その場合は、ｔ１～ｔ２期間は、Ｖ２電圧でなく、Ｖ１電圧をｇ端子に印加しても良い。

図３９に図示するように、ｔ６～ｔ７期間に定電流Ｉｃを供給し、また、ｔ６～ｔ７期間にｇ端子電圧をＶ２電圧としても良い。ｔ１～ｔ２期間は、Ｖ０電圧またはＶｎ電圧に設定する。

ｔ２～ｔ６期間は、トランジスタ１１７のｇ端子にＶ１電圧を印加し、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを供給する。試験電流Ｉｄの供給は、所定の周期で実施する。なお、Ｖ１電圧は、１周期ごと、あるいは複数周期ごとに変化あるいは変更しても良い。また、Ｖ１電圧に対応して、端子間電圧Ｖｉの測定タイミング（ｔ１、ｔ２、ｍ１、ｗ１）を設定、調整する。

図２７の実施例では、トランジスタ１１７に定電流Ｉｃをトランジスタ１１７に供給し、トランジスタ１１７のチャンネル間電圧（ｃ端子－ｅ端子間電圧）を測定する方法であった。トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを供給せず、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを供給した状態でトランジスタ１１７のチャンネル間電圧を測定しても良い。あるいは試験電流Ｉｄを変化させて、定電流Ｉｃとする。この場合は、定電流回路１１８は不要である。この実施例を図３８に図示している。

図３８では、定電流Ｉｃは、印加（供給）しない（０Ａである）。トランジスタ１１７のｇ端子電圧は、Ｖ２電圧とＶ１電圧に変化させる。ｔ１～ｔ２期間、ｔ６～ｔ７期間がトランジスタ１１７のチャンネル間電圧を測定（取得）する期間である。試験電流Ｉｄは、ｔ１～ｔ７期間に供給する。

試験電流Ｉｄをトランジスタ１１７に印加する試験を継続すると、トランジスタ１１７のチャンネル間電圧は、トランジスタ１１７の変化に伴って変化する。したがって、チャンネル間電圧をモニターすることにより、トランジスタ１１７の劣化あるいは変化を測定できる。

ｔ１～ｔ２期間、ｔ６～ｔ７期間は、ｇ端子電圧はＶ２電圧とし、トランジスタ１１７は、温度情報Ｔｊを求めた端子間電圧Ｖｉとする。したがって、温度情報Ｔｊは、Ｖ２電圧を印加した状態で取得する。端子間電圧は、Ｖ２電圧にも依存するので、特性式はＶ２電圧に対応して求める。

ｔ２～ｔ６期間は、試験電流Ｉｄを印加した試験期間となる。定電流Ｉｃを供給する期間であるｔ１～ｔ２期間、ｔ６～ｔ７期間は、ｔ２～ｔ６期間に比較して非常に短い期間である。

ｇ端子電圧は、Ｖ１電圧とＶ２電圧に変化させることにより、良好な試験を実施でき、また、良好な温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）、特性式を取得することができる。トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを印加している時に、試験条件としてＶ１電圧を変化させる。たとえば、１０Ｖあるいは１２Ｖに設定して試験電流Ｉｄを供給する。この場合においても、温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）を取得する際には、トランジスタ１１７のゲートオン電圧としてＶ２電圧を印加することにより、安定して端子間電圧Ｖｉ等を測定できる。

以上のように、本発明の試験装置および試験方法は、ｇ端子電圧を複数の電圧（Ｖ１電圧、Ｖ２電圧）に設定できることに特徴を有する。また、Ｖ１電圧、Ｖ２電圧に対応して、特性式のＡ（Ｖｉ０）、Ｃ、ｎ値を決定しておく。この特性式を用いて、半導体素子の試験を実施し、初期端子間電圧Ｖｉ０に対する電圧の変化量、電位の差異、変化割合を取得することにより、試験をしている半導体素子の劣化評価、特性変化評価を実施する。

図２７、図３６は、トランジスタ１１７のチャンネル間に定電流Ｉｃを印加し、トランジスタ１１７の温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）、特性式を得る方法であった。図２８、図３７はトランジスタ１１７に内蔵された（トランジスタ１１７とダイオードが同一のプロセスで形成された）ダイオードＤｉ、あるいは近傍に位置するダイオードＤｉ、もしくはトランジスタ１１７の寄生ダイオードＤｉに、定電流Ｉｃを供給あるいは印加してトランジスタ１１７の端子間電圧Ｖｉ、温度情報Ｔｊを得る実施例の説明図である。

図２８の実施例では、定電流Ｉｃの供給方向は、ｅ端子側からｃ端子側の方向である。定電流ＩｃはダイオードＤｉに流れる。定電流ＩｃがダイオードＤｉに流れることによりダイオードＤｉの端子間電圧が発生する。

ダイオードＤｉの端子間電圧は温度依存性がある。ダイオードＤｉはトランジスタ１１７に内蔵あるいはトランジスタ１１７の近傍に配置されているため、トランジスタ１１７の発熱によりダイオードＤｉの温度が変化して、端子間電圧Ｖｉが変化する。したがって、ダイオードＤｉに一定の定電流Ｉｃを供給し、ダイオードＤｉの端子間電圧を測定すれば、トランジスタ１１７の発熱状態（トランジスタ１１７の温度）を把握、あるいは測定あるいは取得することができる。

定電流Ｉｃを流す期間には、トランジスタ１１７はオフ状態に維持する必要がある。トランジスタ１１７がオフ状態の時で、スイッチ回路５０７がオンの時に、定電流ＩｃがダイオードＤｉに供給される。
トランジスタ１１７がＳｉＣの場合、オフ時に印加する電圧は、図６で説明したように、０Ｖよりも低いＶｔ電圧に設定することが好ましい。

トランジスタ１１７に流す試験電流Ｉｄを遮断するには、スイッチ回路１２４をオフさせて試験電流Ｉｄの供給を停止させる。トランジスタ１１７がオフの場合は、定電流Ｉｃの方向は、ｃ端子からｅ端子方向でも、ｅ端子からｃ端子方向でも良い。トランジスタ１１７がオン状態の場合は、定電流Ｉｃの方向は、ｅ端子からｃ端子方向に設定する。

定電流Ｉｃの流れる電圧が逆方向になると、端子間電圧Ｖｉの極性は逆になる。この場合は、オペアンプ回路１１６の＋端子と－端子に印加される電圧極性を入れ替えると良い。

たとえば、ＩＧＢＴ等のトランジスタは、ｇ端子にオン電圧が印加されると、ｃ端子からe端子の方向に流れる。したがって、電流が流れる方向は、一方向である。

ＳｉＣ、ＧａＮ等を使用するトランジスタは、ＭＯＳ型である場合が多い。ＭＯＳ型のトランジスタは、電流の流れる方向は双方向である。そのため、ＳｉＣ、ＧａＮ等の半導体素子１１７に形成されたダイオードＤｉに定電流Ｉｃを流すためには、半導体素子１１７のｇ端子には、オフ電圧を印加し、半導体素子１１７に定電流Ｉｃが流れないように設定しておく必要がある。
図２９は、ＳｉＣ、ＧａＮ等のＭＯＳ型のトランジスタ（ＦＥＴ）に対して試験を行う試験装置および試験方法の説明図である。

図２９では、トランジスタ１１７に内蔵された（トランジスタ１１７とダイオードが同一のプロセスで形成された）ダイオードＤｉ、あるいは近傍に位置するダイオードＤｉ、もしくはトランジスタ１１７の寄生ダイオードＤｉに定電流Ｉｃを供給あるいは印加してトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊ（端子間電圧Ｖｉ）、特性式を得る方法の説明図である。
ダイオードＤｉに定電流Ｉｃを供給するためには、トランジスタ１１７のｇ端子にオフ電圧を印加し、トランジスタ１１７をオフする必要がある。

ＳｉＣは、ＩＧＢＴと同じ電位であるＶ０電圧でもオフするが、Ｖ０電圧ではオフリークが発生する場合がある。なお、Ｖ０電圧は、グランド電圧（ＡＧＮＤ）である。

図３７の実施例では、ダイオードＤｉに定電流Ｉｃを供給する期間（ｔ１～ｔ２期間、ｔ６～ｔ７期間）は、Ｖ０電圧より低い電圧（電位）であるＶｎ電圧にする。Ｖｎ電圧とすることにより、トランジスタ１１７のオフリーク電流は減少し、また、トランジスタ１１７は完全なオフ状態となる。したがって、定電流Ｉｃが良好にダイオードＤｉに供給される。Ｖｎ電圧は、グランド電圧（ＡＧＮＤ）に対して、１～３Ｖ低い電位とすることが好ましい。
試験電流Ｉｄをトランジスタ１１７に印加（供給）する期間（ｔ２～ｔ６期間）は、スイッチ回路１２４をオンし、スイッチ回路５０７をオフさせる。

図３０の実施例は、半導体素子１１７はＭＯＳ型トランジスタであり、ダイオードＤｉがない。ＭＯＳ型トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを印加（供給）することにより、温度情報Ｔｊを取得する方法の実施例である。

定電流Ｉｃを供給する期間は、スイッチ回路１２４をオフさせ、スイッチ回路５０７をオンさせる。トランジスタ１１７のｇ端子への印加電圧は、図３６と同様である。

スイッチ回路１２４をオフすることにより、電源装置１３２からの試験電流Ｉｄの供給は停止される。スイッチ回路５０７は、ｔ１～ｔ２期間、ｔ６～ｔ７期間にオンする。あるいは、スイッチ回路５０７はｔ６～ｔ７期間にオンする。

トランジスタ１１７のｇ端子には、オン電圧が印加され、定電流回路１１８から定電流Ｉｃがトランジスタ１１７に供給される。定電流Ｉｃの方向は、ｃ端子からｅ端子に流れる方向でも、ｅ端子からｃ端子に流れる方向でも良い。

定電流Ｉｃが流れている期間に、チャンネル間の端子間電圧Ｖｉを測定あるいは取得する。端子間電圧Ｖｉから、温度情報Ｔｊを得る。また、求めておいた特性式から、各ｔ時間（ｔ時刻）で測定された端子間電圧Ｖｉと初期端子間電圧Ａ（Ｖｉ０）との変化量を評価し、半導体素子の特例変化状態を評価する。

以上のように、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを印加するとき（時間）は、スイッチ回路１２４をオン（クローズ）させる。試験電流Ｉｄは電源装置１３２から供給される。試験電流Ｉｄをトランジスタ１１７に印加するときは、トランジスタ１１７のｇ端子にＶ１電圧を印加して、トランジスタ１１７をオンさせる。

トランジスタ１１７に試験電流を印加しないときは、スイッチ回路１２４をオフ（オープン）させるか、トランジスタ１１７のｇ端子にオフ電圧（Ｖ０電圧、Ｖｎ電圧）を印加する。特にＳｉＣトランジスタの場合は、オフ電圧として、Ｖｎ電圧をｇ端子に印加する。

トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを供給する際は、スイッチ回路５０７をオン（クローズ）させる。また、トランジスタ１１７のｇ端子に、Ｖ２電圧を印加してトランジスタ１１７をオンさせる。

トランジスタ１１７の試験では、試験電流Ｉｃを供給する時、ｇ端子にはＶ１電圧が印加される。Ｖ１電圧は試験条件により、所定の電圧に設定あるいは操作される。Ｖ２電圧は温度情報Ｔｊ（初期端子間電圧Ｖｉ）を求めた時、あるいは特性カーブのｎ、Ａ、Ｃを求めた時に、トランジスタ１１７のｇ端子に印加した電圧であることが好ましい。したがって、Ｖ１電圧を変化しても、Ｖ２電圧は、所定の値に固定することが必要である。

トランジスタ１１７のゲート電圧として、Ｖ２電圧を印加し、端子間電圧Ｖｉを測定する。測定された端子間Ｖｉを温度情報Ｔｊに変換し、また、所定あるいは任意のｔ時間における端子間電圧Ｖｉと、特性カーブのＡ値との変化量あるいは差を求めて、試験をしているトランジスタ１１７の特性変化状態を評価する。特性変化状態により、試験の継続、停止を判断する。

本発明は、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄを供給するときにｇ端子に印加する電圧と、トランジスタ１１７に定電流Ｉｃを供給するときにｇ端子に印加する電圧とを別々に設定できることに特徴がある。また、特に定電流Ｉｃを流す時のｇ端子の電圧は、試験電流Ｉｄを流す時にｇ端子の電圧に依存せず、所定電圧Ｖ２に設定する。

定電流Ｉｃを流す時にｇ端子に印加する電圧は、試験電流Ｉｄを流す時にｇ端子に印加する電圧よりも高くする（トランジスタ１１７がＮチャンネルの場合）。トランジスタ１１７がＰチャンネルの場合は、Ｖ２電圧は、Ｖ１電圧よりも低い電圧に設定する。

図４０に図示するように、ｔ２～ｔ６の期間は、ｇ端子の電圧は任意に変化させることができる。電圧は、ゲート信号制御回路１１２の出力に基づいて、ゲートドライバ回路１１３の出力であるｇ端子電圧が変化する。

図４０の実施例では、ｔ２の時、Ｖ１ａ電圧であり、ｔ６の時Ｖ１ｂ電圧となるようにｇ端子電圧を変化させている。ｇ端子電圧により、トランジスタ１１７のチャンネル間抵抗が変化するから、トランジスタ１１７の発熱状態も変化する。発熱状態の変化により、多様な試験を実施あるいは実現できる。また、トランジスタ１１７のチャンネル間電圧Ｖｃｅが変化させることができるため、多様な試験条件を設定できる。

図４１（ａ）に図示するように、試験電流Ｉｄをトランジスタ１１７に供給あるいは印加する土岐のｇ端子電圧を周期的に変化させても良い。図４１（ａ）では、Ａ期間、Ｃ期間では、Ｖ１ａ電圧を印加し、Ｂ期間では、Ｖ１ｂ電圧を印加している。Ａ期間（Ｃ期間）とＢ期間は、交互に繰り返される。
以上のように、本発明は試験電流Ｉｄを印加する期間において、トランジスタ１１７の
ゲート端子電圧を複数の電圧に可変、あるいは電圧を連続的に変化させることができる。

図４１（ｂ）に図示するように、図４０に示す電圧の変化を実施しても良い。Ａ期間、Ｃ期間では、Ｖ１ａ電圧からＶ１ｂ電圧に変化し、Ｂ期間では、Ｖ１ｂ電圧からＶ１ａ電圧に変化させている。Ａ期間（Ｃ期間）とＢ期間は、交互に繰り返される。
図４１（ｃ）に図示するように、ｔ１～ｔ２期間、ｔ６～ｔ７期間のｇ端子電圧を変化させることもできる。

図４１（ｃ）では、Ａ期間（Ｃ期間）において、ｔ１～ｔ２期間は、Ｖ１ｂ電圧をトランジスタ１１７のｇ端子に印加する。ｔ６～ｔ７間は、Ｖ２電圧をトランジスタ１１７のｇ端子に印加する。Ｂ期間において、ｔ１～ｔ２期間は、Ｖ１ｂ電圧をトランジスタ１１７のｇ端子に印加する。また、ｔ２～ｔ６期間もＶ１ｂ電圧を維持する。ｔ６～ｔ７間は、Ｖ２電圧をトランジスタ１１７のｇ端子に印加する。

図４１（ｄ）では、Ａ期間、Ｂ期間、Ｃ期間において、ｔ１～ｔ２期間は、Ｖｎ電圧をトランジスタ１１７のｇ端子に印加する。ｔ６～ｔ７間は、Ｖ２電圧をトランジスタ１１７のｇ端子に印加する。Ａ期間（Ｃ期間）において、ｔ２～ｔ６期間は、Ｖ１ａ電圧をトランジスタ１１７のｇ端子に印加する。Ｂ期間において、ｔ２～ｔ６期間は、Ｖ１ｂ電圧をトランジスタ１１７のｇ端子に印加する。

図４１において、端子間電圧Ｖｉを測定する期間、特性カーブ（特性式）の定数（Ａ、Ｃ、ｎ）を求める期間は、ｔ６～ｔ７期間である。好ましくは、ｔ１～ｔ２期間にも測定する。ｔ１～ｔ２期間の端子電圧Ｖｉとｔ６～ｔ７期間の端子間電圧Ｖｉとを比較することにより、より多様な試験を実施することができ、また、試験をするトランジスタ１１７の評価状況を詳細に把握することができる。

図３２、図３３、図４４は、本発明の半導体試験装置、試験方法の説明図である。図３２、図３３において、電源装置１３２に並列して、試験を行う複数のトランジスタ１１７（トランジスタ１１７Ｑ１～トランジスタ１１７Ｑｎ）が接続されている。
図４４は、図３２、図３３の動作を説明する本発明の実施例における半導体素子の試験方法の説明図である。

図３２に図示するように、トランジスタ１１７Ｑ１に試験電流Ｉｄ１を供給するときは、スイッチ回路１２４ｓ１をオンさせる。この時、スイッチ回路Ｓｓａ１はオフさせて、定電流Ｉｃはトランジスタ１１７Ｑ１には供給されないようにする。一方、トランジスタ１１７Ｑ２に接続されたスイッチ回路１２４ｓ２はオフ状態にして、試験電流Ｉｄ１は供給されないようにする。定電流Ｉｃは、スイッチ回路Ｓｓａ２をオンさせて、トランジスタ１１７Ｑ２に供給する。

１つの電源装置１３２からの試験電流Ｉｄは、１つのスイッチ回路１２４ａをオンさせることにより、１つのトランジスタ１１７Ｑに供給する。１つの定電流回路１１８からの定電流Ｉｃは、１つのスイッチ回路Ｓｓａをオンさせることにより、１つのトランジスタ１１７Ｑに供給する。
以上のように、動作あるいは操作することにより、１つの電源装置１３２、定電流回路１１８で複数のトランジスタ１１７Ｑを試験することができる。

図４４（ａ）に図示するように、スイッチ回路Ｓｔ１（スイッチ回路１２４ｓ１）～スイッチ回路Ｓｔｎ（スイッチ回路１２４ｓｎ）がオン（ＶｇｅにＶｇ電圧が印加）することにより、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄ１～試験電流Ｉｄｎが流れる。例えば、試験電流Ｉｄの印加時間はｔｏｎであり、試験電流Ｉｄ１と試験電流Ｉｄ２とは時間ｔｃｙｃｌｅの間隔で順次トランジスタ１１７に印加される。トランジスタ１１７はオンすることにより、トランジスタ１１７のチャンネル電圧が順次、変化する。

例えば、試験電流Ｉｄ１と試験電流Ｉｄ２とは時間的に重なりがない。そのため、電流電源装置１２１の出力容量は、１つのトランジスタ１１７の試験に必要とする出力容量で良い。

図４４（ａ）に図示するように、各トランジスタ１１７のゲート端子に印加するオン電圧（Ｖｇ）は時間的に重ならないように制御する。また、好ましくは試験電流Ｉｄ（Ｉｄ１～Ｉｄｎ）のそれぞれの電流Ｉｄ間は、１μ秒以上の間隔をあけることが好ましい。なお、各トランジスタ１１７に対しては、本発明の他の実施例で説明した駆動方法、制御方法を実施する。
各トランジスタ１１７Ｑに供給する定電流Ｉｃは、スイッチ回路Ｓｓａ（Ｓｓａ１～Ｓｓａｎ）を順次オンさせて、各トランジスタ１１７Ｑに供給する。

トランジスタ１１７の端子間電圧に対応する電圧Ｖｉ（Ｖｉ１～Ｖｉｎ）はスイッチ回路Ｓｓａ（Ｓｓａ１～Ｓｓａｎ）に同期して、セレクタ１２７によって選択される。例えば、トランジスタ１１７Ｑ１に電流Ｉｃが供給されている時は、セレクタ１２７はトランジスタ１１７Ｑ１の端子間電圧を選択する。トランジスタ１１７Ｑ３に電流Ｉｃが供給されている時は、セレクタ１２７はトランジスタ１１７Ｑ３の端子間電圧を選択する。選択された電圧Ｖｉが温度測定回路１１５に供給される。
他の構成、動作は他の実施例で説明している構成、動作と同様であるので説明を省略する。

図４４（ａ）のタイミングチャートでは、トランジスタ１１７Ｑ１～トランジスタ１１７Ｑ５（一例として、試験とするトランジスタ１１７は５個としている）が、順次、オン電圧（Ｖｇ）が印加されて、トランジスタ１１７に試験電流Ｉｄが印加されて試験が実施される。

しかし、試験の途中で、トランジスタ１１７が破壊して該当トランジスタ１１７への試験電流を停止することがある。あるいは、トランジスタ１１７が劣化して該当トランジスタ１１７への試験電流を停止することがある。

図４４（ｂ）は、トランジスタ１１７Ｑ３への試験電流を停止した状態を示している。トランジスタ１１７Ｑ３が停止する（停止させる）と、ｔ３～ｔ４間で、トランジスタ１１７Ｑ３にはＶｇ電圧が印加されず、トランジスタ１１７Ｑ３のゲート単位に印加させる電圧は０Ｖに維持される。

トランジスタ１１７Ｑ３のゲート電圧にオン電圧が印加されていないと、その期間には電源装置１３２から試験電流Ｉｄに供給されない状態となり、電源配線２に電流が流れない。また、該当スイッチ回路１２４がオンされないなどの状態が発生し、図４４（ａ）の試験状態から熱状態などが変化する。また、試験時のサージ電圧、サージ電流の状態が変化し、一定の試験状態が維持できない。

図４４（ｂ）では、この課題に対して、トランジスタ１１７Ｑ３への試験電流を停止するが、ｔ３～ｔ４間で、トランジスタ１１７Ｑ４にＶｇ電圧を印加し、電流電源装置１２１が出力される電流は一定状態を維持させる。つまり、動作を停止させたトランジスタのオン電圧を印加する期間に、次のトランジスタをオンさせて、トランジスタを順次、オンする状態を維持する。つまり、試験するトランジスタは、前詰め動作される。

以上の図４、図６、図１５、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０、図２１、図２７、図２８、図２９、図３０、図３２、図３３、図３６、図３７、図３８、図３９、図４０、図４１、図４４等で図示および明細書に記載した事項は、相互に一部または全部を組み合わせることができることは言うまでもない。また、本明細書、図面に記載した実施例は、相互に一部または全部を組み合わせることができることは言うまでもない。

以上の図１５、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０、図２１、図２７、図２８、図２９、図３０、図３２、図３３、図３６、図３７、図３８、図３９、図４０、図４１、図４４等で図示および明細書に記載した事項は、たとえば、図１、図２、図３、図４、図５、図６の実施例に適用、あるいは、相互に一部または全部を組み合わせることができることは言うまでもない。

図３４は、トランジスタ１１７等に印加する信号のタイミングチャート図である。Ｖｄａｔａはコントローラ１１１がＤＡコンバータ回路５０８に印加するデータである。ＶｄａｔａによりＤＡコンバータ回路５０８ａ、ＤＡコンバータ回路５０８ｂが出力する電圧が決定あるいは可変あるいは設定される。

切替え回路６０５は、ＤＡコンバータ回路５０８ａまたはＤＡコンバータ回路５０８ｂが出力する電圧を選択し、ゲート制御信号Ｖｓｇとしてゲートドライバ回路１１３に印加する。したがって、切替え回路６０５はＶ１電圧またはＶ２電圧を選択して、ゲート制御信号Ｖｓｇとして出力するだけであるので、Ｖ１電圧、Ｖ２電圧の変化は高速である。

図３４（ａ）において、Ｖ０電圧が印加されている期間は、トランジスタ１１７がオフである。時間ｔ１でＶｄａｔａによりＶｓｇ電圧がＶ１電圧に設定される。Ｖ１電圧はトランジスタ１１７のゲート端子に印加され、ｔｃ期間後のｔ２で電圧発生回路５０９から電流Ｉｄがトランジスタ１１７に供給される。

次に、スイッチ回路１２４ｂがｔ４からｔ６の期間にオンし、トランジスタ１１７のチャンネル間を短絡して電荷を放電させる。また、電圧発生回路５０９に接続されているスイッチ回路１２２ｂがオープンする。

ｔ５にはＶｄａｔａによりＶｓｇ電圧がＶ２電圧になり、Ｖ２電圧はトランジスタ１１７のゲート端子に印加されトランジスタ１１７を強オン（Ｖ２はＶ１よりも高い電圧）させる。ｔ６ではスイッチ回路５０７がオンし、図１、図２のトランジスタ１１７に温度情報を得るための定電流Ｉｃをｔｅ期間の間で印加する。定電流Ｉｃの印加期間中に得られた端子間電圧Ｖｉから、温度測定回路１１５は温度情報Ｔｊを処理する。

ｔｆ期間は、２ｍ秒以下の期間に設定する。また、好ましくは、ｔｃ期間、ｔｄ期間は１ｍ秒以下の期間である。試験電流Ｉｄを印加することによりトランジスタ１１７は発熱し温度上昇する。発熱による温度上昇は、トランジスタ１１７の特性変化状態に対応して生じる。したがって、トランジスタ１１７の温度を取得あるいは測定することによりトランジスタ１１７の劣化状態、特性変化を把握することができる。

試験電流Ｉｄを停止するとトランジスタ１１７は冷却される。したがって、試験電流Ｉｄの停止後、ミリ秒レベルの短期間の間に定電流Ｉｃを印加してトランジスタ１１７の温度情報Ｔｊを得る必要がある。

本発明の半導体試験装置は、試験電流Ｉｄの停止後、２ｍ秒以内の短時間後に、定電流Ｉｃを印加して端子間電圧Ｖｉを測定し、温度情報Ｔｊ、特性カーブ式を得ることができる。したがって、トランジスタ１１７の温度は維持されているため、トランジスタ１１７の特性変化等を精度よく、かつ的確に測定あるいは取得することができる。

図３４に図示するように、トランジスタ１１７に負荷電流を印加するｔａ期間後、温度情報を得るためにトランジスタ１１７にＶ２電圧を印加するｔｂ期間を設け、試験電流Ｉｄの停止後、２ｍ秒以下の期間内で温度情報を得るための定電流Ｉｃをｔｂ期間の間、印加する。

図３４の実施例では、Ｖ１電圧を印加して試験電流Ｉｄを供給し、その後、Ｖ２電圧に定電流Ｉｃを供給して端子間電圧Ｖｉを測定し、温度情報Ｔｊ、特性カーブ式を得る実施例であった。本発明はこれに限定するものではない。

図３５は、電流Ｉｄの印加前および電流Ｉｄの印加後に、温度情報Ｔｊを得る実施例の説明図である。温度情報Ｔｊは、トランジスタ１１７が電流Ｉｄを印加前の放熱された状態での温度情報Ｔｊと電流Ｉｄを印加して温度上昇した状態での、特性（カーブ）式、温度情報Ｔｊを得る。放熱された状態での温度情報Ｔｊと温度上昇した状態での温度情報Ｔｊの２つの温度情報Ｔｊを得ることによりトランジスタ１１７の特性変化、劣化状態をより精度よく得ることができる。

図３５は、トランジスタ１１７等に印加する信号のタイミングチャート図である。Ｖ２電圧は、試験電流Ｉｄを流す前と流した後のそれぞれに印加する。Ｖ２電圧を印加しているときに定電流Ｉｃをトランジスタ１１７に印加し、温度情報Ｔｊを取得あるいは測定する。
定電流Ｉｃを印加する前にスイッチ回路１２４ｂをオンさせ、トランジスタ１１７のチャンネル間（コレクタ端子－エミッタ端子間）の電荷を放電させる。

Ｖ０電圧が印加されている期間は、トランジスタ１１７がオフである。ｔ０でＶｄａｔａによるＶ２電圧がトランジスタ１１７のゲート端子にＶｓｇとして印加される。Ｖ２電圧を印加している期間に、トランジスタ１１７に定電流Ｉｃが印加され、トランジスタのチャンネル間電圧Ｖｉが測定される。

端子間電圧Ｖｉは、トランジスタ１１７に通電されておらず、試験電流Ｉｄ印加後、放熱された状態での端子間電圧Ｖｉとなる。この端子間電圧Ｖｉもトランジスタ１１７の劣化状態、特性変化情報が含まれる。したがって、負荷サイクル試験での端子間電圧Ｖｉを比較、変化を把握することにより、有用な情報が得られる。

時間ｔ１でＶｄａｔａによりＶｓｇ電圧がＶ１電圧に設定される。Ｖ１電圧はトランジスタ１１７のゲート端子に印加され、ｔｃ期間後のｔ２で電圧発生回路５０９から電流Ｉｄがトランジスタ１１７に供給される。

次に、スイッチ回路１２４ｂがｔ４からｔ６の期間にオンし、トランジスタ１１７のチャンネル間を短絡して電荷を放電させる。また、電圧発生回路５０９に接続されているスイッチ回路１２２ｂがオープンする。

ｔ５にはＶｄａｔａによりＶｓｇ電圧がＶ２電圧になり、Ｖ２電圧はトランジスタ１１７のゲート端子に印加されトランジスタ１１７を強オンさせる。ｔ６ではスイッチ回路５０７がオンし、図１のトランジスタ１１７に温度情報を得るための定電流Ｉｃをｔｅ期間の間で印加する。定電流Ｉｃの印加期間中に得られた端子間電圧Ｖｉから、温度測定回路１１５は温度情報Ｔｊを処理する。この端子間電圧Ｖｉは、試験電流Ｉｄの通電直後のトランジスタ１１７の温度情報となる。

試験電流Ｉｄを印加することによりトランジスタ１１７は発熱し、温度上昇する。トランジスタ１１７の特性変化あるいは特性劣化状態により、トランジスタ１１７の温度上昇状態は変化する。発熱による温度上昇は、トランジスタ１１７の特性変化状態に対応して生じる。したがって、トランジスタ１１７の温度を取得あるいは測定することによりトランジスタ１１７の劣化状態、特性変化を把握することができる。また、試験電流Ｉｄを通電前のＴｊと試験電流Ｉｄの通電後の温度情報Ｔｊからトランジスタ１１７の試験電流Ｉｄ印加による変化状態を得ることができる。したがって、トランジスタ１１７の特性変化等を精度よく、かつ的確に測定あるいは取得することができる。

図３４、図３５のタイミングチャートは、トランジスタ１１７への試験電流Ｉｄ、定電流Ｉｃの印加に関して図示したものである。負荷試験、アバランシェ試験は、数万サイクル以上、トランジスタ１１７をオンオフ動作させて実施する。

図４２は試験電流Ｉｄと定電流Ｉｃをサイクルｔｓで実施する際のタイミングチャート図である。Ｖ１電圧をｔａ期間印加し、Ｖ２電圧をｔｂ期間印加する。トランジスタ１１７の通電期間後、Ｖ０電圧を印加してトランジスタ１１７をオフさせる。Ｖ１電圧、Ｖ２電圧、Ｖ０電圧を１サイクルｔｓとして負荷試験、アバランシェ試験を実施する。
なお、図４２は、図３４の試験方法をｔｓサイクルで実施した実施例であるが、図３５でも同様に適用できることは言うまでもない。

また、図３４等において、Ｖ０電圧をオフ電圧としたが、Ｖ０電圧は１レベルの電位に限定するものではない。例えばＶ０ａ電圧とＶ０ｂ電圧等と複数にし、複数のオフ電圧を使用しても良い。例えば、Ｖ１電圧に変化させる前のオフ電圧を１０ｍ秒以下の期間、Ｖ０ａ電圧とし、他のオフ電圧の印加期間はＶ０ｂ電圧として良い。Ｖ０ａとＶ０ｂ電圧の電位レベルは、Ｖ０ａ＜Ｖ０ｂとすることが好ましい。Ｖ０ａ電圧を低くすることにより、Ｖ０ａ電圧からＶ１電圧の変化速度が大きくなり、オンオフ動作の中間状態が短くなる。

図３１は、本発明の他の実施例における半導体素子試験装置および半導体素子の試験方法の説明図である。半導体素子１１７は、図４０等が例示される。半導体素子１１７は、図３１のＡ、Ｂ、Ｃ部に接続される。図３１では、同時に、あるいは順次試験を行う半導体デバイスは３個であるが、本願発明はこれに限定するものではない。２個であっても良いし、４個以上であっても良い。
図４３は図３１の導体素子試験装置および半導体素子の試験方法におけるタイミングチャート図である。

サンプル接続回路２０３は３つの半導体素子１１７のゲート端子に印加されるＶｓｇ信号が接続される。各Ｖｓｇ信号により半導体素子１１７がオンオフ制御される。各半導体素子１１７には、定電流Ｉｃが順次、印加され、半導体素子１１７のチャンネル間電圧Ｖｉが測定される。

図３１の実施例は、半導体素子１１７を、複数個を同時に、あるいは順次に試験する実施例である。半導体素子１１７は１つのコントローラ回路１１１で制御される。

図３４と同様に定電流Ｉｃを印加前に、スイッチ回路１２４ｂをオンさせて半導体素子１１７のチャンネル間電圧を０Ｖにする。また、チャンネル間の電荷を放電させる。この際、定電流Ｉｃを流す半導体素子１１７のスイッチ回路１２４ａをオンさせる。また、試験中に試験電圧あるいは試験電流を印加するトランジスタはスイッチ回路１２４ａをオンさせて選択する。

定電流回路１２１、電圧発生回路５０９、可変容量コンデンサ５０５が半導体素子１１７に並列に接続されている。定電流回路１２１はスイッチ回路１２２ａで選択し、電圧発生回路５０９はスイッチ回路１２２ｂで選択し、可変容量コンデンサ５０５はスイッチ回路５０６ｂで選択する。コイル５０２は、スイッチ回路５０６ａで回路系に挿入と非挿入とを選択する。

可変容量コンデンサ５０５、コイル５０２の値により、端子間電圧Ｖｉは変化する。したがって、特性式の定数（Ａ、Ｃ、ｎ）等は可変容量コンデンサ５０５、コイル５０２の影響を加味して決定をする。

図３４において、ゲート制御信号Ｖｓｇ（ゲート制御信号Ｖｓｇａ、ゲート制御信号Ｖｓｇｂ、ゲート制御信号Ｖｓｇｃ）は図３４または図３５と同様であり、Ｖ０電圧とｔａ期間のＶ１電圧とｔｂ期間のＶ２電圧が繰り返し、各半導体素子１１７に印加される。

ｔａ期間に定電流回路１２１または電圧発生回路５０９からの電流Ｉｄが流れる。どの半導体素子１１７（半導体素子１１７ａ、半導体素子１１７ｂ、半導体素子１１７ｃ・・・・・）に電流Ｉｄを流すかはスイッチ回路１２４ａ（スイッチ回路１２４ａａ、スイッチ回路１２４ａｂ、スイッチ回路１２４ａｃ、・・・・・・）で選択する。
スイッチ回路１２４ａは、コントローラ１１１により制御される。各半導体素子１１７は、ｔｓ２周期で選択されて、電流Ｉｄが印加され試験される。

ｔｂ期間は、各半導体素子１１７に定電流Ｉｃが供給され、各半導体素子１１７のチャンネル間電圧Ｖｉが測定される。測定された端子間電圧Ｖｉから温度情報Ｔｊが求められる。定電流Ｉｃの印加前には、スイッチ回路１２４ｂがオンされて半導体素子１１７のチェンネル間の電荷を放電させる。

図３１、図３２、図３３の実施例では、複数の半導体素子１１７を試験する。各半導体素子１１７は、それぞれ端子間電圧Ｖｉが測定され、温度情報Ｔｊ、特性（カーブ）式が求められることは、本明細書、図面の他の実施例で説明した事項と同様である。

図４、図１２、図１８、図３４、図３５、図４２、図４３等におけるスイッチ回路１２４ｂの動作、タイミング制御は、図２０等で説明した実施例を適用することができ、また、以上の実施例に図１５、図１９、図２１等で説明した実施例を適用できることは言うまでもない。図２７、図２８、図２９、図３０、図３１、図３２、図３３の半導体試験装置の実施例についても同様である。

本発明は、トランジスタ等のチャンネル間電圧（コレクタ－エミッタ間電圧、ドレイン－ソース間電圧）等を測定あるいは取得することを実施例として説明した。本願発明はこれに限定するものではない。

図２、図７において、可変抵抗回路１２５の抵抗値を所定値とし、可変抵抗回路１２５に流れる電流を測定する方式が例示される。可変抵抗回路１２５には、トランジスタ１１７のゲート（ベース）端子に流れる電流（リーク電流）が流れる。リーク電流を測定することにより、トランジスタ等の半導体素子１１７の特性変化、劣化状態を試験あるいは評価することができる。

リーク電流の測定は、図３、図４、図５、図６、図３４、図３５、図３６、図３７、図３８、図３９、図４０、図４１等に図示するように、ｇ端子電圧（Ｖ２、Ｖ１、Ｖ０、Ｖｎ）を可変あるいは設定して実施する。また、ゲートドライバ回路１１３の出力電圧を変化、可変あるいは所定値に設定して実施する。また、半導体素子１１７のｃ端子、ｅ端子電圧を所定電圧あるいはＡＧＮＤ電圧に設定あるいは可変して実施する。

リーク電流に対する特性式を図１５、図２１等で説明した方法であらかじめ求めておく。試験時は、リーク電流を測定し、求めておいた特性式の初期値からの変化量を算出し、試験をする半導体素子の試験状態を把握、半導体素子の劣化状態を定量化することができる。
可変抵抗回路１２５に流れる電流方向は、正方向、負方向に変化する状態を測定あるいは取得する。

本発明の実施例において、試験を行うトランジスタ１１７は、ＩＧＢＴを例示して説明したが、これに限定するものではない。例えば、ダイオード等の２端子素子であっても良い。また、半導体素子に限定されるものではなく、コンデンサ、抵抗等の電気素子であればいずれのものでも適用できる。
本明細書および図面に記載した事項あるいは内容は、相互に組み合わせることができることは言うまでもない。

図２７、図２８、図２９、図３０、図３２、図３３、図３４、図３５、図３６、図３７、図３８、図３９、図４０、図４１、図４２、図４３、図４４等は、一実施態様としての本発明の半導体素子１１７の試験方法の説明図である。各実施例は相互に組み合わせることができることは言うまでもない。

たとえば、図１、図２、図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０で説明した試験装置あるいは試験方法と組み合わせることができることは言うまでもない。
図１５、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０、図２１等で説明した試験装置あるいは試験方法と組み合わせることができることは言うまでもない。

また、図１１、図１２、図１３、図１４、図１５、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０の構造あるいは構成と組み合わせることができることは言うまでもない。
また、２１の回路構成あるいは駆動方法と組み合わせることができることは言うまでもない。

以上、本明細書において、実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
本明細書および図面に記載した事項あるいは内容は、一部または全部を相互に組み合わせることができることは言うまでもない。
本発明の実施例において、トランジスタ１１７は、ＩＧＢＴを例示して説明したが、これに限定するものではない。

例えば、ＮチャンネルのＪＦＥＴ（図４７（ａ））、ＰチャンネルのＪＦＥＴ（図４７（ｂ））、ＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴ（図４７（ｃ））、ＰチャンネルのＭＯＳＦＥＴ（図４７（ｄ））、ＮチャンネルのバイポーラＦＥＴ（図４７（ｅ））、ＰチャンネルのバイポーラＦＥＴ（図４７（ｆ））であっても良いことは言うまでもない。

また、３端子のデバイスに限定されるものではなく、図４７（ｇ）に図示するダイオードなどの２端子素子であってもよい。２端子素子では、ゲート信号Ｖｇｓは必要がない。また、図４７（ｈ）に図示するサイリスタ等の半導体素子であってもよい。
電流電源装置１２１で試験電流Ｉｄを流して試験することにより、本発明の半導体試験装置、半導体素子の試験方法を適用できることは言うまでもない。

以上、本明細書において、実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

本明細書および図面に記載した事項あるいは内容は、相互に組み合わせることができることは言うまでもない。例えば、図８で示すスイッチ回路１２４ｃは、他の実施例にも適用できる。例えば、図１１、図１３の構成あるいは動作は、図１、図７などの他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、例えば、図１１、図１３の実施例に対して図４の実施例を適用できることは言うまでもない。

本発明は、実際の試験環境下でのトランジスタの特性評価状態を精度より評価することができる。したがって、優れたパワーサイクル試験装置および試験方法を提供することができる。

１１１ コンピュータ（コントローラ）
１１２ ゲート信号制御回路
１１３ ゲートドライバ回路
１１４ 電流制御回路
１１５ 温度測定回路
１１６ オペアンプ（バッファアンプ回路）
１１７ 半導体素子（パワートランジスタ等）
１１８ 定電流回路
１２１ 電流電源装置
１２２ スイッチ回路
１２４ スイッチ回路
１２５ 可変抵抗
１２７ セレクタ
１２８ 温度計
１３１ 制御ラック
１３２ 電源装置
１３４ 加熱冷却プレート
１３５ 循環水パイプ
１３６ チラー
１５１ 容量リアクタンス
１５２ 誘導リアクタンス
２０３ サンプル接続回路
３０１ 電圧測定回路
３０２ データメモリ
３０３ 演算処理回路
３０５ 抵抗
５０２ コイル
５０５ 可変容量コンデンサ
５０６ スイッチ回路
５０７ スイッチ回路
５０９ 電圧発生回路
５２１ 温度センサ
６０１ ＡＣＤＣコンバータ回路
６０２ コンデンサ
６０３ 基準電圧回路
６０４ トランジスタ
６０５ 切替え回路

Claims (4)

1. 第１の端子と第２の端子を有する半導体素子試験装置であって、
   試験電流を供給する電源装置と、
   前記半導体素子をオンオフさせるゲートドライバ回路と、
   前記半導体素子に定電流を供給する定電流回路と、
   前記半導体素子の端子間電圧を取得する電圧取得回路と、
   前記端子間電圧を記憶する記憶回路と、
   前記記憶回路に記憶された端子間電圧から、前記トランジスタの温度変化に伴う特性カーブを求める演算回路を具備することを特徴とする半導体素子試験装置。
2. 第１の端子と第２の端子を有する半導体素子の試験方法であって、
   前記半導体素子に、第１の電流を供給する第１のスイッチを有し、
   前記第１のスイッチをオフさせた時刻ｔ_０から、
   ｔ_２ ＝ ２ × ｔ_１とした測定ポイント（ｔ_１、ｔ_２）を設定し、
   ｔ_１時の前記第１の端子と前記第２の端子間の電圧ｖ１と、ｔ_２時の前記第１の端子と前記第２の端子間の電圧ｖ２から、ｔ_０での電圧Ｖ_０を、下記式より求めることを特徴とする半導体素子の試験方法。
   ｖ_０ ＝ （２ ＋ √２）・ｖ１ － （１ ＋ √２）・ｖ２
3. 第１の端子と第２の端子を有する半導体素子の試験方法であって、
   前記半導体素子に第１の電流を供給する第１の工程と、
   前記第１の電流を停止後、第２の電流を前記半導体素子に供給する第２の工程と、
   前記第２の電流を供給した状態で、所定時間ｔで前記半導体素子の端子間電圧を測定する第３の工程と、
   前記端子間電圧から、特性カーブＹ＝Ａ・Ｃ＾（－１・ｔ＾ｎ）として、Ｃ、ｎ、Ａの値を決定する第４の工程とを行うことを特徴とする半導体素子の試験方法。
4. 第１の端子と第２の端子を有する半導体素子の試験方法であって、
   前記半導体素子に第１の電流を停止した時刻から、時間を変化させて前記半導体素子の第１の端子と第２の端子間の電圧を測定し、
   測定した電圧から特性式を求め、
   前記特性式から、前記半導体素子の変化を求めることを行うことを特徴とする半導体素子の試験方法。
   
   

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