JP7037445B2 - Photomask substrate for IC or LCD photolithography - Google Patents
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Description
本発明は、ＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板に関し、基板のコーナー部のＲ面取りを工夫することにより、基板の加工方向の識別を可能とするＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板に関する。 The present invention relates to a photomask substrate for IC or LCD photolithography, and by devising R chamfering at the corners of the substrate, the photo for IC or LCD photolithography that enables identification of the processing direction of the substrate. Regarding the mask substrate .
合成シリカガラスは、低熱膨張性と光透過性に優れていることから、ＩＣやＬＣＤのフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板として使われている。 Synthetic silica glass is used as a photomask substrate for photolithography of ICs and LCDs because of its excellent low thermal expansion and light transmission.
このフォトマスク用基板の製造方法は、合成シリカガラスのブロックを得た後に、スライス、面取り、および研磨加工を施すものである。この面取り加工では、板状の合成シリカガラスのブロックにおける四隅の稜線部（コーナー部）をＲ面加工し、主表面と側面との間の稜線部をＣ面加工するのが一般的である。 This method for manufacturing a photomask substrate is to obtain a block of synthetic silica glass and then perform slicing, chamfering, and polishing. In this chamfering process, it is common that the ridgeline portions (corner portions) at the four corners of the plate-shaped synthetic silica glass block are R-surface processed, and the ridgeline portion between the main surface and the side surface is C-surface processed.
ところで、フォトマスク用基板またはマスクブランク用基板では、基板の種類や基板の表裏を判別できるようにするために、基板のコーナー部において、主表面を斜断面状に切り落とす等のマークを施す技術が知られている。 By the way, in the photomask substrate or the mask blank substrate, in order to be able to distinguish the type of the substrate and the front and back of the substrate, there is a technique of marking the corners of the substrate by cutting off the main surface in an oblique cross section. Are known.
例えば、コーナー部における斜断面からなる基板マークによる平坦度への影響を抑制するため、主表面に対する基板マークの傾斜角が４５度よりも大きく９０度未満であり、主表面と基板マークの境界から基板の外周までの距離が１．５ｍｍ未満というマスクブランク用基板が知られている（特許文献１参照）。 For example, in order to suppress the influence of the substrate mark consisting of the oblique cross section at the corner portion on the flatness, the inclination angle of the substrate mark with respect to the main surface is larger than 45 degrees and less than 90 degrees, and from the boundary between the main surface and the substrate mark. A mask blank substrate having a distance to the outer periphery of the substrate of less than 1.5 mm is known (see Patent Document 1).
しかしながら、ＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板の大型化と高精度化に伴い、端面やコーナー部に対して、マーキング用の加工を施すことは好ましくない。一方、基板の加工履歴等を判別できるようしたいという要求もある。 However, with the increase in size and accuracy of the photomask substrate for IC or LCD photolithography, it is not preferable to perform marking processing on the end faces and corners. On the other hand, there is also a demand to be able to discriminate the processing history of the substrate.
即ち、基板から様々な情報を簡易かつ低コストに取得したという要望の一方で、できるだけ基板に対して特異な形状の加工を施したくないという課題があった。 That is, while there is a demand for obtaining various information from the substrate easily and at low cost, there is a problem that the substrate is not processed into a peculiar shape as much as possible.
本発明は、前記した課題を解決するためになされたものであり、できるだけ基板に対して特異な形状の加工を施すことなく、基板の加工方向の識別を可能にするＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is used for IC or LCD photolithography that enables identification of the processing direction of a substrate without processing a substrate having a peculiar shape as much as possible. It is an object of the present invention to provide a substrate for a photomask.
上記目的を達成するためになされた本発明に係るＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板は、平坦化加工が施された、互いに対向する２つの主表面と、前記２つの主表面との間に形成された側面と、前記側面のうち隣り合う２つの側面間に曲面加工が施され、前記曲面加工された曲面の中心点が基板内にあるコーナー部と、前記主表面と前記側面、及び前記主表面とコーナー部との間に形成された面取り部と、を備えるＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板であって、当該基板が合成シリカガラスからなり、前記２つの主表面が平面視上、正方形又は長方形であって、４つのコーナー部を備えており、一の前記コーナー部の曲面の曲率半径が、他のいずれかのコーナー部の曲面の曲率半径と異なる寸法に形成されている、ことを特徴とする。 The photomask substrate for IC or LCD photolithography according to the present invention, which has been made to achieve the above object, has two main surfaces facing each other and two main surfaces which have been flattened. A curved surface is processed between the side surface formed between the side surfaces and two adjacent side surfaces thereof, and the corner portion where the center point of the curved surface processed surface is in the substrate, the main surface and the side surface, A photomask substrate for IC or LCD photolithography comprising a chamfered portion formed between the main surface and the corner portion , wherein the substrate is made of synthetic silica glass, and the two main surfaces are It is square or rectangular in plan view and has four corners, and the radius of curvature of the curved surface of one of the corners is formed to a dimension different from the radius of curvature of the curved surface of any of the other corners. It is characterized by being.
このように、一の前記コーナー部のＲ面の曲率半径を、他のいずれかのコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成することにより、コーナー部のＲ面を基板の表裏面の識別、基板の加工方向の識別等に用いることができる。
また、コーナー部のＲ面の曲率半径の大小によって前記識別を行うため、新たに、基板に対して特異な形状の加工を施すことがないため、基板自体の性能に与える影響も少ない。
ここで、Ｒ面とは、側面のうち隣り合う側面間に形成される曲面をいい、その曲面の中心点が基板内にある面をいう。
In this way, by forming the radius of curvature of the R surface of one corner portion to a dimension different from the radius of curvature of the R surface of any other corner portion, the R surface of the corner portion is formed on the front and back surfaces of the substrate. It can be used for identification, identification of the processing direction of the substrate, and the like.
Further, since the identification is performed by the magnitude of the radius of curvature of the R surface of the corner portion, the substrate is not newly processed into a peculiar shape, so that the performance of the substrate itself is less affected.
Here, the R surface refers to a curved surface formed between adjacent side surfaces among the side surfaces, and refers to a surface in which the center point of the curved surface is in the substrate.
ここで、前記２つの主表面が平面視上、長方形であって、４つのコーナー部を備えることが望ましい。
また、前記２つの主表面が平面視上、正方形であって、４つのコーナー部を備える場合には、一の前記コーナー部のＲ面の曲率半径が、他のコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成され、更に、他のコーナー部のうち、いずれか一つのコーナー部Ｒ面の曲率半径が、他の二つのコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成されていることが望ましい。
Here, it is desirable that the two main surfaces are rectangular in a plan view and are provided with four corners.
Further, when the two main surfaces are square in a plan view and include four corner portions, the radius of curvature of the R surface of one corner portion is the radius of curvature of the R surface of the other corner portion. The radius of curvature of the R surface of any one of the other corners is different from the radius of curvature of the R surface of the other two corners. Is desirable.
また、４つのコーナー部におけるＲ面において、２番目に大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径が、最も大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径の９０％～１０％であることが望ましい。
２番目に寸法が大きい曲率半径が、最大曲率半径の９０％を超える場合には、最大曲率半径を有するＲ面と、２番目に大きい曲率半径を有するＲ面との識別が困難となり、好ましくない。
一方、２番目に寸法が大きい曲率半径が、最大曲率半径の１０％未満の場合には、２番目に大きい曲率半径を有するＲ面の形成が困難となる場合があり、好ましくない。
Further, it is desirable that the radius of curvature of the R surface having the second largest radius of curvature in the R surface at the four corners is 90% to 10% of the radius of curvature of the R surface having the largest radius of curvature.
When the radius of curvature having the second largest dimension exceeds 90% of the maximum radius of curvature, it becomes difficult to distinguish between the R surface having the maximum radius of curvature and the R surface having the second largest radius of curvature, which is not preferable. ..
On the other hand, when the radius of curvature having the second largest dimension is less than 10% of the maximum radius of curvature, it may be difficult to form an R surface having the second largest radius of curvature, which is not preferable.
また、４つのコーナー部におけるＲ面において、３番目に大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径が、２番目に大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径の９０％～１０％であることが望ましい。
更に、４つのコーナー部におけるＲ面において、最も小さい曲率半径を有するＲ面の曲率半径が、３番目に大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径の９０％～１０％であることが望ましい。
このように、４つのコーナー部におけるＲ面において、特定のＲ面の曲率半径が、その曲率半径に最も近く、かつ大きいＲ面の曲率半径の９０％～１０％であることが望ましい。
尚、最も小さい曲率半径を有するＲ面の曲率半径（最小曲率半径）が、最も大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径（最大曲率半径）の９０％～１０％であることが望ましい。
Further, it is desirable that the radius of curvature of the R surface having the third largest radius of curvature in the R surface at the four corners is 90% to 10% of the radius of curvature of the R surface having the second largest radius of curvature. ..
Further, it is desirable that the radius of curvature of the R surface having the smallest radius of curvature in the R surface at the four corners is 90% to 10% of the radius of curvature of the R surface having the third largest radius of curvature.
As described above, it is desirable that the radius of curvature of a specific R surface in the R surface at the four corners is 90% to 10% of the radius of curvature of the large R surface that is closest to the radius of curvature.
It is desirable that the radius of curvature of the R surface having the smallest radius of curvature (minimum radius of curvature) is 90% to 10% of the radius of curvature of the R surface having the largest radius of curvature (maximum radius of curvature).
また、シリカガラスにより形成されていることが望ましい。 It is also desirable that it is made of silica glass.
この本発明に係るＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板の製造方法は、平坦化加工が施された互いに対向する２つの主表面と、前記２つの主表面との間に形成された側面と、前記側面のうち隣り合う２つの側面間にＲ面加工が施されたコーナー部とを備えるＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板の製造方法であって、一のコーナー部のＲ面を研削加工する際の研削条件と、他のコーナー部のＲ面を研削加工する際の研削条件とを異にすることにより、一のコーナー部のＲ面の曲率半径と、他のコーナー部のＲ面の曲率半径とに寸法差を形成することによってなされる。
このように、コーナー部のＲ面の研削条件を変えることにより、一のコーナー部のＲ面の曲率半径と、他のコーナー部のＲ面の曲率半径とに寸法差を容易に形成することができる。
尚、前記研削条件としては、砥石送り速度であることが望ましい。
In the method for manufacturing a photomask substrate for IC or LCD photolithography according to the present invention, a flattened surface formed between two main surfaces facing each other and the two main surfaces. A method for manufacturing a photomask substrate for IC or LCD photolithography, which comprises a corner portion having an R surface processed between two adjacent side surfaces thereof, wherein the R surface of one corner portion is manufactured. By making the grinding conditions for grinding the R surface of another corner different from the grinding conditions for grinding the R surface of another corner, the radius of curvature of the R surface of one corner and the radius of curvature of the R surface of the other corner are different. It is done by forming a dimensional difference with the radius of curvature of the R surface.
In this way, by changing the grinding conditions of the R surface of the corner portion, it is possible to easily form a dimensional difference between the radius of curvature of the R surface of one corner portion and the radius of curvature of the R surface of the other corner portion. can.
The grinding condition is preferably a grindstone feed rate.
本発明によれば、基板に対して特異な形状の加工を施すことなく、基板の加工方向の識別を可能にするＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a photomask substrate for IC or LCD photolithography that enables identification of the processing direction of the substrate without processing the substrate into a peculiar shape.
以下、本発明の実施形態に係るＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板（以下、単にフォトマスク用基板ともいう）およびその製造方法につき、図面に基づいて説明する。ただし、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板およびその製造方法が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。添付の図面は模式的なものであり、各要素の寸法や比率などが実際と異なる場合がある。 Hereinafter, a photomask substrate for IC or LCD photolithography ( hereinafter, also simply referred to as a photomask substrate) and a method for manufacturing the same according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the photomask substrate and the method for manufacturing the photomask substrate according to the embodiment of the present invention are not limited to the embodiments described below. The attached drawings are schematic, and the dimensions and ratio of each element may differ from the actual ones.
図１は、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板を模式的に示す平面図であり、図２は、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板を模式的に示す側面図である。
本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板１は、例えばＩＣ用のフォトマスク用基板やＬＣＤ用のフォトマスク用基板として用いられるものであり、その用途によって大きさが異なる。
例えばＩＣ用のフォトマスク用基板の場合には、例えば、その一辺の長さが１５２ｍｍの平面視上、主表面が正方形であり、厚さが５ｍｍの合成シリカガラスにより形成される。
また、ＬＣＤ用のフォトマスク用基板の場合には、例えば、その一辺の長さが８５０ｍｍ（直交する他辺の長さＬは１２００ｍｍ）の平面視上、主表面が長方形であり、厚さが１０ｍｍの合成シリカガラスにより形成される。
尚、図１乃至図４は、平面視上、主表面が正方形のＩＣ用のフォトマスク用基板を示している。
FIG. 1 is a plan view schematically showing a photomask substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view schematically showing a photomask substrate according to an embodiment of the present invention.
The
For example, in the case of a photomask substrate for an IC, for example, it is formed of synthetic silica glass having a square main surface and a thickness of 5 mm in a plan view having a side length of 152 mm.
Further, in the case of a photomask substrate for LCD, for example, the main surface is rectangular and the thickness is 850 mm on one side (the length L of the other orthogonal sides is 1200 mm) in a plan view. It is formed of 10 mm synthetic silica glass.
In addition, FIGS. 1 to 4 show a photomask substrate for an IC having a square main surface in a plan view.
図１および図２に示すように、フォトマスク用基板１は、互いに対向する２つの主表面２と、２つの主表面との間に形成された側面３と、側面３のうち隣り合う２つの側面間にＲ面加工が施されたコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとを備えている。
また、主表面２と側面３およびコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとの間の稜線部は、Ｃ面加工が施されており、面取り面５が形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
Further, the ridge line portion between the
主表面２は、所望の光学的特性を得るように平坦化（鏡面化）加工が施されている。一方、側面３およびコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは、切削加工により生じた凹凸や微細な裂溝に捕捉された研磨粒子等が起因するピンホール等の欠陥の発生を抑制するために、例えば算術平均粗さＲａが０．０１μｍとなるように研磨加工が施されている。
The
また、図１および図２に示すように、コーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは、すべてＲ面加工が施されているものの、そのＲ面寸法が同じではない。
具体的には、ある一つのコーナー部４ａにおけるＲ面寸法は、例えばＲ＝２．０ｍｍであり、その他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄにおけるＲ面寸法は、例えばＲ＝３．０ｍｍである。即ち、一のコーナー部４ａのＲ面寸法（曲率半径）が、他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面寸法（曲率半径）と異なる寸法に形成されている。
このように、コーナー部４ａのＲ面寸法（曲率半径）が、他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面寸法（曲率半径）と異なる寸法に形成することにより、コーナー部４ａを、例えば、加工の有無に関する情報、あるいは仕向け先の情報等の識別に用いることができる。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the
Specifically, the R-plane dimension in one
In this way, the
尚、２つの主表面が平面視上、長方形であるＬＣＤ用のフォトマスク用基板の場合には、コーナー部４ａのＲ面寸法（曲率半径）と長辺（あるいは短辺）との位置関係から基板表裏面、加工方向等について識別ができる。
In the case of a photomask substrate for an LCD whose two main surfaces are rectangular in a plan view, the positional relationship between the R surface dimension (radius of curvature) of the
また、上記したように、その他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄにおけるＲ面寸法（曲率半径）は、同一であっても良いが、夫々異なっている方がより好ましい。
ここで、２つの主表面が平面視上正方形である場合には、前記したように、一のコーナー部４ａのＲ面の曲率半径が、他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成され、更に、他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのうち、いずれか一つのコーナー部Ｒ面の曲率半径が、他の二つのコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成されていることにより、基板表裏面、加工方向等の識別ができる。
Further, as described above, the R-plane dimensions (radius of curvature) at the
Here, when the two main surfaces are square in a plan view, as described above, the radius of curvature of the R surface of one
例えば、４つのコーナー部におけるＲ面において、２番目に寸法が大きいＲ面寸法（曲率半径）が、最大Ｒ面寸法（最大曲率半径）の９０％～１０％に形成されているのが好ましい。同様に、３番目に寸法が大きいＲ面寸法（曲率半径）が、２番目に大きいＲ面寸法（曲率半径）の９０％～１０％であることが好ましい。更に、最小Ｒ面寸法（最小曲率半径）が、３番目に寸法が大きい曲率半径の９０％～１０％であることが望ましい。 For example, in the R planes at the four corners, it is preferable that the R plane dimension (radius of curvature) having the second largest dimension is formed to be 90% to 10% of the maximum R plane dimension (maximum radius of curvature). Similarly, the third largest R-plane dimension (radius of curvature) is preferably 90% to 10% of the second largest R-plane dimension (radius of curvature). Further, it is desirable that the minimum R surface dimension (minimum radius of curvature) is 90% to 10% of the radius of curvature having the third largest dimension.
即ち、４つのコーナー部におけるＲ面において、特定のＲ面の曲率半径が、その曲率半径に最も近く、かつ大きいＲ面の曲率半径の９０％～１０％であることが望ましい。
特定のＲ面の曲率半径が、その曲率半径に最も近く、かつ大きいＲ面の曲率半径の９０％を超える場合には、特定のＲ面と近接のＲ面との識別が困難となり、好ましくない。一方、特定のＲ面の曲率半径が、その曲率半径に最も近く、かつ大きいＲ面の曲率半径の１０％未満の場合には、特定のＲ面の形成が困難の場合があり、好ましくない。
That is, it is desirable that the radius of curvature of a specific R surface in the R surface at the four corners is 90% to 10% of the radius of curvature of the large R surface that is closest to the radius of curvature.
When the radius of curvature of a specific R surface is closest to the radius of curvature and exceeds 90% of the radius of curvature of a large R surface, it becomes difficult to distinguish the specific R surface from the adjacent R surface, which is not preferable. .. On the other hand, when the radius of curvature of the specific R surface is the closest to the radius of curvature and is less than 10% of the radius of curvature of the large R surface, it may be difficult to form the specific R surface, which is not preferable.
また、特定のＲ面と近接のＲ面の曲率半径の差は、目視、あるいはルーペ等を用いた目視観察で判別できる曲率半径の差をもって形成されているのが好ましい。また、好ましくは、最小Ｒ面寸法（最小曲率半径）が、最大Ｒ面寸法（最小曲率半径）の９０％～１０％であることが望ましい。 Further, it is preferable that the difference in the radius of curvature between the specific R surface and the adjacent R surface is formed by the difference in the radius of curvature that can be discriminated by visual observation or visual observation using a loupe or the like. Further, it is preferable that the minimum R surface dimension (minimum radius of curvature) is 90% to 10% of the maximum R surface dimension (minimum radius of curvature).
このように、４つのコーナー部において、Ｒ面の曲率半径が異なるコーナー部を増やすことにより、数多くの情報を基板に入れることができ、基板の表裏以外にも、基板品種や加工方向、加工の有無、仕向け先等の識別が可能となる。 In this way, by increasing the number of corners with different radius of curvature of the R surface in the four corners, a large amount of information can be put into the substrate, and in addition to the front and back of the substrate, the substrate type, processing direction, and processing can be changed. It is possible to identify the presence / absence, destination, etc.
（研削方法）
次に、図３および図４を参照しながら、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法を説明する。図３は、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法の一工程を模式的に示す平面図であり、図４は、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。なお、図４に示される断面図は、図３に示されるＡ－Ａ矢視断面に対応している。
(Grinding method)
Next, a method for manufacturing a photomask substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a plan view schematically showing one step of the method for manufacturing a photomask substrate according to the embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the method for manufacturing a photomask substrate according to the embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows one process schematically. The cross-sectional view shown in FIG. 4 corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.
まず、フォトマスク用基板１の原材料となる合成シリカガラスのブロックを用意し、これをスライスし板状の合成シリカガラスを得る。
この板状の合成シリカガラスは、概ねフォトマスク用基板１における互いに対向する２つの主表面２と、２つの主表面との間に形成された側面３とを備えた形状である。
First, a block of synthetic silica glass used as a raw material for the
This plate-shaped synthetic silica glass has a shape having two
次に、この板状の合成シリカガラスを研削し、側面３のうち隣り合う２つの側面間にコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄと、主表面２と側面３およびコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとの間の稜線部に面取り面５を形成する。
Next, this plate-shaped synthetic silica glass is ground, and
この研削工程では、図３に示しように、回転する総型砥石６に、板状の合成シリカガラスを当接させ、コーナー部を形成する。
ここで、例えば、図４に示すような側面３および面取り面５の形状の型が成形された総型砥石６を用いることが好ましい。側面３および面取り面５の形状の型が成形された総型砥石６を用いれば、側面３およびコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを研削すると同時に面取り面５を形成することができる。
In this grinding step, as shown in FIG. 3, a plate-shaped synthetic silica glass is brought into contact with the rotating
Here, for example, it is preferable to use a
このコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを研削する研削工程では、ある一つのコーナー部のＲ面を研削加工する際の研削条件と、その他のコーナー部のうち、少なくとも一つのＲ面を研削加工する際の研削条件とが異なっている。
In the grinding process for grinding the
研削加工における研削条件には、研削砥石の研削速度や周速度、切込み量等があるが、コーナー部４ａのＲ面を研削加工する際の砥石の軌道と、その他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面を研削加工する際の砥石の軌道を異ならせることが好ましい。
この砥石の軌道とは板状の合成シリカガラスを移動する範囲を意味し、板状の合成シリカガラスの移動範囲を大きくすることにより、研削砥石の研削速度や周速度、切込み量を変えなくても、コーナー部の曲率半径を大きく形成することができる。また、移動範囲を小さくすることにより、研削砥石の研削速度や周速度、切込み量を変えなくても、コーナー部の曲率半径を小さく形成することができる。尚、図３に矢印で砥石の回転、板状の合成シリカガラスの移動を示す。
Grinding conditions in the grinding process include the grinding speed, peripheral speed, depth of cut, etc. of the grinding wheel, but the trajectory of the grinding wheel when grinding the R surface of the
The trajectory of this grindstone means the range in which the plate-shaped synthetic silica glass moves, and by increasing the moving range of the plate-shaped synthetic silica glass, the grinding speed, peripheral speed, and depth of cut of the grinding wheel do not change. Also, it is possible to form a large radius of curvature of the corner portion. Further, by reducing the moving range, the radius of curvature of the corner portion can be made small without changing the grinding speed, peripheral speed, and cutting amount of the grinding wheel. In addition, FIG. 3 shows the rotation of the grindstone and the movement of the plate-shaped synthetic silica glass by the arrows.
尚、研削砥石の研削速度や周速度、切込み量を変えると、Ｒ面の面状態が異なるため、あまり好ましくない。そのため、コーナー部の研削にあたっては、研削速度や周速度、切込み量を同一にし、砥石送り速度を変えるのが好ましい。 It should be noted that changing the grinding speed, peripheral speed, and depth of cut of the grinding wheel is not very preferable because the surface condition of the R surface is different. Therefore, when grinding the corner portion, it is preferable to make the grinding speed, the peripheral speed, and the depth of cut the same, and change the grindstone feed speed.
具体的に一例を挙げれば、砥石としてダイヤモンド砥石を用い、砥石の軌道を制御し、自動研削装置上のＲ面研削設定値（研削狙い設定値）を変更し、研削し、コーナー部４ａにおけるＲ面寸法を、Ｒ＝２．０ｍｍ、コーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄにおけるＲ面寸法を、Ｒ＝３．０ｍｍに形成する。
To give a specific example, a diamond grindstone is used as a grindstone, the trajectory of the grindstone is controlled, the R surface grinding set value (grinding aim set value) on the automatic grinding device is changed, and grinding is performed to perform R at the
なお、その他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面を研削加工する際の研削条件は、同一であっても良いが、これに限らず、各コーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄにおける研削条件を異にして、研削を行っても良い。
即ち、基板の表裏以外にも、基板品種や加工方向等の数多くの情報を基板に入れるためには、４つのコーナー部において研削条件を異ならしめ、Ｒ面の曲率半径が異なるコーナー部を増やすことが望ましい。
The grinding conditions for grinding the R surface of the
That is, in order to put a lot of information such as the substrate type and processing direction into the substrate in addition to the front and back of the substrate, the grinding conditions should be different at the four corners, and the corners having different radiuses of curvature of the R surface should be increased. Is desirable.
以上のように本発明の実施の形態に係るフォトマスク用基板およびその製造方法よれば、基板に対して特異な形状の加工を施すことなく、基板の加工方向の識別を可能にするフォトマスク用基板およびその製造方法を提供することができる。 As described above, according to the photomask substrate and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention, the photomask substrate enables identification of the processing direction of the substrate without processing the substrate into a peculiar shape. A substrate and a method for manufacturing the same can be provided.
以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態よって限定されるものではない。 Although the present invention has been described above based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments.
１ フォトマスク用基板
２ 主表面
３ 側面
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ コーナー部
５ 面取り面
６ 砥石
1
Claims (3)
前記２つの主表面との間に形成された側面と、
前記側面のうち隣り合う２つの側面間に曲面加工が施され、前記曲面加工された曲面の中心点が基板内にあるコーナー部と、
前記主表面と前記側面、及び前記主表面とコーナー部との間に形成された面取り部と、
を備えるＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板であって、
当該基板が合成シリカガラスからなり、
前記２つの主表面が平面視上、正方形又は長方形であって、４つのコーナー部を備えており、
一の前記コーナー部の曲面の曲率半径が、他のいずれかのコーナー部の曲面の曲率半径と異なる寸法に形成されている、
ことを特徴とするＩＣまたはＬＣＤフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板。 Two main surfaces facing each other , which have been flattened ,
The side surface formed between the two main surfaces and
A curved surface is processed between two adjacent side surfaces of the side surface, and a corner portion where the center point of the curved surface processed surface is in the substrate and a corner portion.
A chamfered portion formed between the main surface and the side surface, and between the main surface and the corner portion,
A photomask substrate for IC or LCD photolithography .
The substrate is made of synthetic silica glass
The two main surfaces are square or rectangular in plan view and have four corners.
The radius of curvature of the curved surface of one of the corners is formed to have a dimension different from the radius of curvature of the curved surface of any other corner.
A photomask substrate for IC or LCD photolithography .
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