KR102403487B1 - A glass plate and the manufacturing method of a glass plate - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 유리판(1)은 끝면(2)에 대하여 소정의 가공이 실시된 상태에 있는 유리판(1)으로서, 끝면(2)의 산술 평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상이다.The glass plate 1 which concerns on this invention is the glass plate 1 in the state to which predetermined processing was performed with respect to the end surface 2, The arithmetic mean wave Wa of the end surface 2 is 2.7 micrometers or more.
Description
본 발명은 유리판, 및 유리판의 제조 방법에 관한 것이다.This invention relates to a glass plate and the manufacturing method of a glass plate.
최근, 액정 디스플레이 등의 생산 효율에 대한 개선 요청에 응할 수 있도록, 당해 디스플레이 등에 사용되는 유리 기판의 제조 효율에 대한 개선 요구가 높아지고 있다. 여기에서, 유리 기판의 제조에서는 대형의 유리 원판(성형 원판)으로부터 한 장 또는 복수장의 유리 기판을 잘라내는 것이 행해지고 있다. 이에 따라, 소망의 치수의 유리 기판을 취득 가능하게 하고 있다.In recent years, the improvement request|requirement with respect to the manufacturing efficiency of the glass substrate used for the said display etc. is increasing so that the improvement request with respect to the production efficiency of a liquid crystal display etc. may be met. Here, in manufacture of a glass substrate, cutting out one sheet or a plurality of glass substrates from a large glass original plate (molding original plate) is performed. Thereby, it is making it possible to acquire the glass substrate of a desired dimension.
한편, 유리 원판으로부터 잘라낸 유리 기판의 끝면은, 통상 절단면 또는 스냅 커팅면이 되기 때문에 미소한 상처(결함)가 존재하는 것이 많다. 유리 기판의 끝면에 상처가 있으면 그 상처로부터 깨짐 등이 발생하기 때문에, 이것을 방지하기 위해서 유리 기판의 끝면에 대하여 연삭 가공(조연마 가공)과 연마 가공(처리 연마 가공)이 실시된다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조).On the other hand, since the end surface of the glass substrate cut out from a glass original plate becomes a cut surface or a snap-cut surface normally, a micro flaw (defect) exists in many cases. If there is a scratch on the end surface of the glass substrate, cracks or the like will occur from the scratch. In order to prevent this, grinding processing (rough polishing processing) and polishing processing (treatment polishing processing) are performed on the end surface of the glass substrate (for example, , refer to Patent Document 1).
그런데, 액정 디스플레이의 생산 공정에 있어서는 성막 공정이나 노광 공정, 에칭 공정 등 유리 기판에 대하여 행해지는 각종 공정이 존재한다. 이 때, 유리 기판은, 예를 들면 위치 결정핀을 끝면에 접촉시킴으로써 위치 결정된다. 그러나, 끝면과 위치 결정핀의 접촉에 의해 끝면으로부터 유리 가루가 발생하는 것이 있고, 이에 따라 유리판의 주 표면(가장 면적이 큰 평탄한 표면)에 부착될 우려가 생긴다. 유리 가루의 부착은 성막 불량 나아가서는 단선 불량을 초래하기 때문에, 이 종류의 유리 가루의 발생은 극력 피할 필요가 있다.By the way, in the production process of a liquid crystal display, various processes performed with respect to a glass substrate, such as a film-forming process, an exposure process, and an etching process, exist. At this time, a glass substrate is positioned by making a positioning pin contact an end surface, for example. However, some glass powder may generate|occur|produce from an end surface by the contact of an end surface and a positioning pin, and there arises a possibility of adhering to the main surface (flat surface with the largest area) of a glass plate by this. Since adhesion of glass powder causes film-forming defect, and also disconnection defect, it is necessary to avoid generation|occurrence|production of this kind of glass powder as much as possible.
끝면에 대하여, 예를 들면 상술의 숫돌을 사용한 연삭 가공을 실시한 경우, 가공 후의 끝면은 평탄화된다. 그러나, 위치 결정핀이 경도 60도 정도의 고무나 플라스틱으로 이루어지고, 위치 결정핀이 탄성 변형하는 경우에는 가공 후의 끝면이 너무나 평탄화됨으로써 위치 결정핀과 끝면의 접촉 면적이 증가한다. 그 결과, 유리 가루가 발생하기 쉬워진다는 문제가 있었다.With respect to the end surface, for example, when grinding using the above-mentioned grindstone is given, the end surface after processing is flattened. However, when the positioning pin is made of rubber or plastic having a hardness of about 60 degrees and the positioning pin is elastically deformed, the end surface after processing is too flattened, so that the contact area between the positioning pin and the end surface increases. As a result, there existed a problem that glass powder became easy to generate|occur|produce.
이상의 사정을 감안하여, 유리판의 끝면에 소정의 미소 웨이브를 형성함으로써 끝면으로부터의 유리 가루의 발생을 가급적으로 방지하는 것을, 본 발명에 의해 해결해야 할 기술 과제로 한다.In view of the above circumstances, it is a technical problem to be solved by the present invention to prevent generation of glass powder from the end face as much as possible by forming a predetermined micro wave on the end face of the glass plate.
상기 과제의 해결은 본 발명에 따른 유리판에 의해 달성된다. 즉, 이 유리판은 끝면에 대하여 소정의 가공이 실시된 상태에 있는 유리판으로서, 끝면의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상인 점을 가지고 특징 지울 수 있다.The solution of the said subject is achieved by the glass plate which concerns on this invention. That is, this glass plate is a glass plate in a state in which predetermined processing has been performed with respect to the end face, and it can be characterized by having an arithmetic mean wave Wa of 2.7 μm or more.
이와 같이, 본 발명에서는 끝면의 산술평균 웨이브(Wa)에 착안하여, 이 산술평균 웨이브(Wa)의 값이 충족시켜야 할 최소한의 값을 규정했다. 이러한 형태를 이루는 끝면이면, 예를 들면 유리판 또는 유리판을 요소로 하는 제품의 각 제조 공정시나 공정간 반송시에 핀 등의 위치 결정 부재가 유리판의 끝면에 접촉하는 경우에, 끝면이 갖는 미소 웨이브(상세는 후술함)의 산부와 주로 접촉하므로, 위치 결정 부재와의 접촉 면적을 감할 수 있다. 이에 따라, 유리 가루의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.As described above, in the present invention, the minimum value to be satisfied by the value of the arithmetic mean wave Wa is stipulated by focusing on the arithmetic mean wave Wa of the end face. In the case of an end face having such a shape, for example, when a positioning member such as a pin contacts the end face of a glass plate during each manufacturing process or transport between processes of a glass plate or a product containing a glass plate as an element, the end face has a micro wave ( Since it is mainly in contact with the ridge of the locating member, the contact area with the positioning member can be reduced. Thereby, it becomes possible to suppress generation|occurrence|production of a glass powder.
또한, 본 발명에 따른 유리판에 있어서는 끝면의 평균 높이(Wc)가 5.0㎛ 이상이어도 좋다.Moreover, in the glass plate which concerns on this invention, 5.0 micrometers or more may be sufficient as average height Wc of an end surface.
이와 같이, 끝면의 평균 높이(Wc)를 규정함으로써, 끝면이 갖는 미소 웨이브의 산부와 곡부의 고저차가 커지고, 위치 결정 부재와 미소 웨이브의 곡부가 접촉하기 어려워진다. 이에 따라, 위치 결정 부재와의 접촉 면적을 더 감할 수 있어 유리 가루의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.In this way, by defining the average height Wc of the end face, the difference in elevation between the peak and the curved portion of the minute wave of the end surface becomes large, and it becomes difficult to contact the positioning member with the curved portion of the minute wave. Thereby, the contact area with a positioning member can further be reduced, and it becomes possible to suppress generation|occurrence|production of glass powder more effectively.
또한, 본 발명에 따른 유리판에 있어서는 끝면의 평균 길이(Wsm)가 2000㎛ 이상이어도 좋다.Moreover, in the glass plate which concerns on this invention, 2000 micrometers or more may be sufficient as the average length (Wsm) of an end surface.
이와 같이, 끝면의 평균 길이(Wsm)를 규정함으로써 미소 웨이브의 주기가 길어진다. 이 때문에, 위치 결정 부재와 접촉하는 미소 웨이브의 산부의 수가 감소하므로, 위치 결정 부재와의 접촉 면적을 더 감할 수 있어 유리 가루의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.In this way, by defining the average length (Wsm) of the end surface, the period of the minute wave becomes longer. For this reason, since the number of the peaks of a micro wave contacting a positioning member decreases, the contact area with a positioning member can further be reduced, and it becomes possible to suppress generation|occurrence|production of glass powder more effectively.
또한, 본 발명에 따른 유리판에 있어서는 끝면의 왜도(Wsk)가 0보다 커도 좋다.Moreover, in the glass plate which concerns on this invention, the skewness Wsk of an end surface may be larger than 0.
이와 같이, 끝면의 왜도(Wsk)를 규정함으로써 미소 웨이브의 형상을 간접적으로 규정할 수 있다. 즉, 왜도(Wsk)가 양의 값을 취하는 경우에는 미소 웨이브의 산부는 뾰족한 형상을 이루는 경향이 있다. 따라서, 왜도(Wsk)를 0 이상으로 규정함으로써 위치 결정 부재와 끝면이 갖는 미소 웨이브의 산부와의 접촉 면적을 감할 수 있다. 이에 따라, 위치 결정 부재와의 접촉 면적을 더 감할 수 있고, 유리 가루의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.In this way, by defining the skewness Wsk of the end face, the shape of the micro wave can be indirectly defined. That is, when the skewness Wsk takes a positive value, the peaks of the minute waves tend to have a sharp shape. Therefore, by specifying the skewness Wsk to be 0 or more, the contact area between the positioning member and the ridge of the minute wave that the end face has can be reduced. Thereby, the contact area with a positioning member can further be reduced, and it becomes possible to suppress generation|occurrence|production of glass powder more effectively.
또한, 본 발명에 따른 유리판은 끝면에 나타나는 미소 웨이브에 있어서의 1주기를 A[㎜], 산부와 곡부의 고저차를 B[㎜]로 한 경우, 하기 수식 1의 관계를 충족시키는 것이어도 좋다.Further, the glass plate according to the present invention may satisfy the relationship of the following formula (1) when A [mm] is one period of the minute wave appearing on the end surface and B [mm] is the difference in elevation between the ridge and the curved part.
[수 1][Number 1]
상기 규정은 유리판의 끝면에 나타나는 미소 웨이브의 형상과 위치 결정용 핀의 접촉 상태의 관계에 착안하여 이루어진 것이다. 즉, 유리판의 끝면을 축회전 가능한 숫돌로 가공한 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이 표면 조도(Ra) 등의 조도 곡선보다도 요철의 주기가 긴 미소 웨이브(3)가 끝면(2)에 나타나는 것이 있다. 이 미소 웨이브(3)는, 예를 들면 산술평균 웨이브(Wa)의 웨이브 곡선과 동등한 오더로 나타나는 것이고, 또한 요철 형상(산부(4)와 곡부(5)의 형상)은 숫돌의 외형 형상을 따라 대략 원호 형상을 이루는 것이 많다. 따라서, 예를 들면 반경(r)[㎜]의 위치 결정핀(6)이 대략 원호 형상을 이루는 미소 웨이브(3)가 이웃하는 산부(4, 4)와 접촉하는 상태를 생각한 경우, 하기 수식 2로 규정된 관계를 충족시키는 한에 있어서, 위치 결정핀(6)은 미소 웨이브(3)의 곡부(5)와 접하는 것은 없다. 또한, 수식 2에 있어서의 변수 B는 산부(4)와 곡부(5)의 고저차[㎜], 변수 C는 위치 결정핀(6)과 산부(4)의 접점(P1, P1)간의 중점(P2)으로부터 위치 결정핀(6)의 중심점(P3)까지의 거리[㎜]이다.The above regulation is made by paying attention to the relationship between the shape of the minute wave appearing on the end surface of the glass plate and the contact state of the positioning pin. That is, when the end face of the glass plate is processed with a whetstone capable of shaft rotation, as shown in FIG. 3 ,
[수 2][Number 2]
여기에서, 위치 결정핀(6)의 반경(r)과 주기(A), 및 거리(C) 사이에는 수식 3으로 나타내는 관계가 성립한다. 또한, 수식 3에 있어서의 변수 A는 미소 웨이브(3)가 이웃하는 산부(4, 4)간의 거리[㎜]이다.Here, the relationship represented by
[수 3][Number 3]
수식 3을 변형하면, 거리(C)는 수식 4와 같이 반경(r)과 주기(A)의 함수로서 나타내어진다.By transforming
[수 4][Number 4]
수식 4를 수식 2에 대입해서 정리하면, 수식 5가 얻어진다.By substituting
[수 5][Number 5]
여기에서, 위치 결정핀(6)의 외경 치수(반경(r)의 두배)의 대표적인 크기를 예를 들면 400㎜로 한 경우, 수식 1이 얻어진다.Here, when the representative size of the outer diameter dimension (double of the radius r) of the
이와 같이, 위치 결정핀과의 구체적인 접촉 형태를 고려하여, 미소 웨이브를 최적인 형상으로 함으로써 위치 결정핀이 미소 웨이브의 곡부와 접촉하는 사태를 가급적으로 방지할 수 있다. 따라서, 유리 가루의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.In this way, by making the micro wave into an optimal shape in consideration of the specific contact form with the positioning pin, the situation in which the positioning pin comes into contact with the curved portion of the micro wave can be prevented as much as possible. Therefore, it becomes possible to suppress generation|occurrence|production of glass powder more effectively.
또한, 상기 과제의 해결은 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에 의해서도 달성된다. 즉, 이 제조 방법은 회전하고 있는 가공구를 유리판의 끝면에 접촉시키면서 끝면을 따라 상대 이동시켜 감으로써, 끝면에 소정의 가공을 실시하는 끝면 가공 공정을 구비하는 유리판의 제조 방법으로서, 끝면의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상이 되도록 끝면에 대하여 숫돌에 의한 소정의 가공을 실시하는 점을 가지고 특징 지울 수 있다.Moreover, the solution of the said subject is achieved also by the manufacturing method of the glass plate which concerns on this invention. That is, this manufacturing method is a manufacturing method of a glass plate provided with the end surface processing process which gives predetermined processing to the end surface by relatively moving along the end surface while making the rotating processing tool contact the end surface of a glass plate, Comprising: Arithmetic of an end surface It can be characterized by the point that a predetermined processing is performed with a grindstone on the end surface so that the average wave Wa is 2.7 μm or more.
본 발명에서는 끝면의 산술평균 웨이브(Wa)에 착안하여, 이 산술평균 웨이브(Wa)의 값이 충족시켜야 할 값이 되도록 끝면에 대하여 회전하는 가공구에 의한 소정의 가공을 실시하도록 했다. 이 방법에 의하면, 본 발명에 따른 유리판과 마찬가지로, 유리판 또는 유리판을 요소로 하는 제품의 각 제조 공정시나 공정간 반송시에 핀 등의 위치 결정 부재가 유리판의 끝면에 접촉하는 경우에, 끝면이 갖는 미소 웨이브의 산부가 주로 접촉하므로 위치 결정 부재와의 접촉 면적을 감할 수 있다. 이에 따라, 유리 가루의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.In the present invention, paying attention to the arithmetic mean wave (Wa) of the end face, predetermined machining is performed with a machining tool rotating with respect to the end face so that the value of this arithmetic mean wave (Wa) becomes a value to be satisfied. According to this method, similarly to the glass plate according to the present invention, when a positioning member such as a pin is in contact with the end face of the glass plate during each manufacturing process or inter-process transport of a glass plate or a product containing a glass plate as an element, the end face has Since the peaks of the minute waves mainly contact, the contact area with the positioning member can be reduced. Thereby, it becomes possible to suppress generation|occurrence|production of a glass powder.
(발명의 효과)(Effects of the Invention)
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 유리판의 끝면에 소정의 미소 웨이브를 형성함으로써 끝면으로부터의 유리 가루의 발생을 가급적으로 방지하는 것이 가능해진다.As explained above, according to this invention, it becomes possible to prevent generation|occurrence|production of glass powder from an end surface as much as possible by forming a predetermined micro wave in the end surface of a glass plate.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유리판의 끝면 가공 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 숫돌 회전계의 요부 측면도이다.
도 3은 유리판의 끝면과 위치 결정핀의 웨이브 곡선 오더에 있어서의 접촉 형태를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 다른 형태에 따른 유리판의 끝면과 위치 결정핀의 웨이브 곡선 오더에 있어서의 접촉 형태를 나타내는 도이다.
도 5는 본 발명에 따른 유리판의 끝면과 위치 결정핀의 웨이브 곡선 오더에 있어서의 접촉 형태를 나타내는 도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic plan view of the end surface processing apparatus of the glass plate which concerns on one Embodiment of this invention.
It is a principal part side view of the grindstone rotation system shown in FIG.
It is a figure for demonstrating the contact form in the wave curve order of the end surface of a glass plate, and a positioning pin.
It is a figure which shows the contact form in the wave curve order of the end surface of the glass plate which concerns on another form, and a positioning pin.
It is a figure which shows the contact form in the wave curve order of the end surface of the glass plate which concerns on this invention, and a positioning pin.
이하, 본 발명의 일 실시형태를 도 1~도 5를 참조해서 설명한다. 우선, 본 실시형태에 따른 제조 방법에 사용하는 끝면 가공 장치의 개요에 대해서, 도 1 및 도 2에 의거하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of this invention is described with reference to FIGS. First, the outline|summary of the end surface processing apparatus used for the manufacturing method which concerns on this embodiment is demonstrated based on FIG.1 and FIG.2.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 끝면 가공 장치(10)는 유리판(1)의 끝면(2)에 소정의 가공을 실시하는 것으로서, 끝면 가공부로서의 숫돌(11, 12)을 회전 구동하는 모터(13)와, 스핀들(14)을 주로 구비한다. 스핀들(14)은 모터(13)에 연결되어 있다. 본 실시형태에서는, 모터(13)와 스핀들(14)은 공통의 회전축(Y)을 갖는다. 또한, 스핀들(14)은 벨트 등을 통해서 모터(13)의 주축과 연결해도 좋다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the end
이러한 구성의 끝면 가공 장치(10)는 특허문헌 1에 기재되는 바와 같은 숫돌(11, 12)의 압박력을 제어하는 장치를 구비해도 좋다. 또는, 끝면 가공 장치(10)는 가공시의 숫돌(11, 12)의 위치를 일정하게 하는 방식이어도 좋다. 또는, 이들의 방식 이외의 끝면 가공 장치(10)를 사용해도 좋다.The end
숫돌(11, 12)은 도 2에 나타내는 바와 같이, 숫돌 부착용 플랜지(20)를 통해서 스핀들(14)에 부착되어 있다. 상술하면, 숫돌(11, 12)에는 감합구멍(21)이 설치되어 있고, 숫돌 부착용 플랜지(20)에는 감합 볼록부(22)가 형성되어 있다. 숫돌(11, 12)의 감합구멍(21)에 숫돌 부착용 플랜지(20)의 감합 볼록부(22)를 감합함으로써 숫돌(11, 12)이 숫돌 부착용 플랜지(20)에 연결되는 동시에, 숫돌 부착용 플랜지(20)에 대한 숫돌(11, 12)의 센터링을 포함하는 위치 결정이 이루어지도록 되어 있다.The
또한, 숫돌 부착용 플랜지(20)에는 감합 볼록부(22)와 반대의 측에 감합 오목부(23)가 형성되어 있다. 이 감합 오목부(23)는 테이퍼 형상을 하고 있고, 동일한 테이퍼 형상을 이루는 스핀들(14)의 선단부(24)와 테이퍼 감합 가능하게 되어 있다. 따라서, 예를 들면 후술하는 숫돌(11, 12)과 숫돌 부착용 플랜지(20)의 서브 어셈블리(25)를 준비한 후, 이 서브 어셈블리(25)를 스핀들(14)의 선단부(24)에 부착함으로써 자동적으로 숫돌(11, 12)의 스핀들(14)에 대한 센터링 및 위치 결정이 이루어지도록 되어 있다.Moreover, the fitting recessed
또한, 본 실시형태에서는 유리판(1)의 끝면(2)에 대하여, 2종류의 가공(여기에서는 끝면(2)의 모따기를 주된 목적으로 하는 연삭 가공과, 끝면(2)의 미소한 요철을 고르게 하는 것을 주된 목적으로 하는 연마 가공)을 실시하기 위해서, 각각 대응한 숫돌(11, 12)이 사용될 수 있다. 즉, 연마용 제 2 숫돌(12)에 있어서의 연마 입자의 입도는 연삭용 제 1 숫돌(11)에 있어서의 연마 입자의 입도와 같거나, 그것보다도 크다. 연삭용 제 1 숫돌(11)에 있어서의 연마 입자의 입도는 예를 들면 #100~#1000으로 할 수 있고, 연마용 제 2 숫돌(12)에 있어서의 연마 입자의 입도는 예를 들면 #200~#2000으로 할 수 있다. 또한, 숫돌(11, 12)의 지름은, 예를 들면 100~200㎜이다.In addition, in this embodiment, with respect to the
유리판(1)은, 예를 들면 도 1에 나타내는 바와 같이 직사각형의 판 형상을 갖고 있다. 유리판(1)의 두께 치수는, 예를 들면 0.05㎜~10㎜인 것이 바람직하고, 0.2㎜~0.7㎜인 것이 보다 바람직하다. 물론, 본 발명을 적용 가능한 유리판(1)은 상기 형태에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 직사각형 이외의 형상(예를 들면, 직사각형 이외의 다각형)을 갖는 유리판이나, 두께 치수가 0.05㎜~10㎜를 벗어나는 사이즈의 유리판에 대해서도 본 발명을 적용할 수 있다.The
유리(1)의 주 표면(표면 및 이면)은 불다듬질면, 즉 숫돌 등에 의한 가공이 실시되어 있지 않고 연마 자국을 갖지 않는 성형한 채의 상태인 것이 바람직하다. 또한, 유리(1)의 주 표면의 산술평균 조도(Ra)(JIS R 1683:2014)는 10㎚ 이하인 것이 바람직하고, 2㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the main surface (surface and back surface) of the
유리판(1)은 숫돌(11, 12)에 대하여 소정의 이송방향(X)에 따라 상대적으로 이동할 수 있다. 또한, 도 1에서는 유리판(1)이 이송방향(X)으로 이동하고, 숫돌(11, 12)은 고정되는 경우를 나타내고 있지만, 물론 유리판(1)이 고정되고 숫돌(11, 12)이 이송방향(X)과는 역방향으로 이동해도 좋다. 또한, 이 때, 유리판(1)과 숫돌(11, 12) 중 어느 일방이 이동하고, 타방이 고정되어 있어도 좋고, 쌍방이 이동해도 좋다.The
또한, 숫돌(11, 12)의 회전방향은 임의이지만, 예를 들면 유리판(1)의 이송방향(X)과 대향하는 방향으로 회전하도록 각 숫돌(11, 12)의 회전방향을 정하는 것이 좋다. 도 1에서 말하면, 상측의 숫돌(11, 12)은 반시계회전, 하측의 숫돌(11, 12)은 시계회전이 되도록 각 숫돌(11, 12)의 회전방향을 정하는 것이 좋다.In addition, although the rotation direction of the
계속해서, 상술한 끝면 가공 장치(10)를 사용한 경우의 유리 기판의 제조 방법의 일례를 설명한다.Then, an example of the manufacturing method of the glass substrate at the time of using the edge
즉, 본 실시형태에 따른 제조 방법은 회전하고 있는 숫돌(11, 12)을 유리판(1)의 끝면(2)에 접촉시키면서, 그 숫돌(11, 12)을 끝면(2)을 따라 상대 이동시켜 감으로써 끝면(2)에 소정의 가공을 실시하는 끝면 가공 공정을 구비한다. 이 제조 방법은 유리판(1)을 준비하는 공정(유리판 준비 공정)을 더 구비해도 좋다. 유리판(1)을 준비하는 공정에서는, 예를 들면 오버플로우 다운드로우법이라고 한 다운드로우법이나 플로트법 등에 의해 성형 원판을 얻어, 그 성형 원판으로부터 유리판(1)을 잘라낸다. 필요에 따라, 끝면(2)의 가공 후에는 유리판(1)의 검사나 곤포 등이 행해진다. 유리(1)의 주 표면(표면 및 이면)을 불다듬질면으로 함과 아울러 그 산술평균 조도(Ra)를 10㎚ 이하로 하는 관점에서, 유리판(1)을 준비하는 공정에서는 오버플로우 다운드로우법을 사용하는 것이 바람직하다.That is, in the manufacturing method according to this embodiment, while the rotating
유리판(1)의 끝면(2)에 소정의 가공을 실시하는 공정(끝면 가공 공정)은 숫돌(11, 12)과 숫돌 부착용 플랜지(20)의 서브 어셈블리(25)가 소정의 정적 진동 및 동적 밸런스가 되도록 준비하는 서브 어셈블리 준비 공정 S1과, 준비한 서브 어셈블리(25)를 사용하여 상술한 끝면 가공을 실시하는 끝면 가공 공정 S2를 구비한다. 또한, 유리판(1)의 끝면(2)에 소정의 가공을 실시하는 공정에서는 끝면 가공 후에 있어서의 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상이 되도록 끝면 가공을 실시한다.In the process of giving a predetermined processing to the
(S1) 서브 어셈블리 준비 공정(S1) Sub-assembly preparation process
이 공정에서는 숫돌(11, 12)과 숫돌 부착용 플랜지(20)의 서브 어셈블리(25)를 동적 밸런스가 소정의 값 이상, 예를 들면 60g·㎜ 이상이 되도록 준비한다. 또한, 동적 밸런스는 소정의 동적 균형 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다.In this process, the
또한, 이 때, 숫돌(11, 12)과 숫돌 부착용 플랜지(20)의 개개의 동적 밸런스는 특히 묻지 않는다. 서브 어셈블리(25)의 동적 밸런스가 60g·㎜ 이상이 되는 한에 있어서, 임의의 동적 밸런스를 나타내는 숫돌(11, 12)과, 숫돌 부착용 플랜지(20)를 사용하는 것이 가능하다.In addition, at this time, the individual dynamic balance of the
(S2) 끝면 가공 공정(S2) End surface machining process
이 공정에서는 준비 공정 S1에서 준비한 서브 어셈블리(25)를, 예를 들면 도 1에 나타내는 끝면 가공 장치(10)의 스핀들(14)(도 2를 참조)에 부착하여 유리판(1)의 끝면(2)에 상기 소정의 끝면 가공(연삭 가공과 연마 가공)을 실시한다.In this process, the
여기에서, 도 4에, 동적 밸런스가 10g·㎜인 서브 어셈블리(25)를 사용한 경우에 얻어진 유리판(1')의 끝면(2')의 웨이브 곡선의 일례, 도 5에, 동적 밸런스가 80g·㎜인 서브 어셈블리(25)를 사용한 경우에 얻어진 유리판(1)의 끝면(2)의 웨이브 곡선의 일례를 각각 나타낸다. 이들 유리판(1, 1')은 모두 2250㎜×2500㎜의 직사각 형상을 하고, 0.5㎜의 두께를 갖는다. 끝면 가공은 유리판(1, 1')의 장변의 끝면에 대하여 도 1에 나타내는 끝면 가공 장치(10)를 사용하여 행했다. 끝면 가공에서는 연삭용 제 1 숫돌(11)을 1조 배치하고, 연마용 제 2 숫돌(12)을 1조 배치했다. 숫돌(11, 12)과 숫돌 부착용 플랜지(20)의 서브 어셈블리(25)의 동적 밸런스는 모두 (연삭용 제 1 숫돌(11) 및 연마용 제 2 숫돌(12))에서 동일했다.Here, in an example of the wave curve of the end surface 2' of the glass plate 1' obtained when the dynamic balance uses the
도 4에 나타내는 바와 같이, 동적 밸런스가 10g·㎜인 서브 어셈블리(25)를 사용한 경우, 얻어진 끝면(2')의 웨이브 곡선에는 산부(4')와 곡부(5')의 고저차가 매우 작은 미소 웨이브(3')가 나타나고 있었다. 이 경우, 끝면(2')의 산술평균 웨이브(Wa)는 2.5㎛, 평균 높이(Wc)은 5㎛, 평균 길이(Wsm)는 2500㎛이었다.As shown in Fig. 4, when the
이에 대하여, 동적 밸런스가 80g·㎜인 서브 어셈블리(25)를 사용한 경우, 얻어진 끝면(2)의 웨이브 곡선에는 도 5에 나타내는 바와 같이 숫돌(11, 12)의 외형 형상을 따라 대략 원호 형상이 명확하게 반영된 미소 웨이브(3)가 나타나고 있었다. 이 경우, 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)는 2.8㎛, 평균 높이(Wc)는 10㎛, 평균 길이(Wsm)는 4000㎛이었다. 또한, 끝면(2)의 왜도(Wsk)는 0보다 컸다.On the other hand, when the
따라서, 이들 끝면(2, 2')과 예를 들면 단면 진원 형상의 위치 결정핀(6)과의 접촉 상태를 생각한 경우, 예를 들면 도 4에 나타내는 미소 웨이브(3')는 그 곡부(5')에서 위치 결정핀(6)과 접촉할 확률이 높은 것에 대해, 도 5에 나타내는 미소 웨이브(3), 즉 본 발명에 따른 미소 웨이브(3)의 경우 그 산부(4)에서 위치 결정핀(6)과 고확률로 접촉한다.Therefore, when the contact state between these
또한, 이 때, 위치 결정핀(6)과의 접촉 면적을 극력 작게 하는 관점에서, 미소 웨이브(3)의 형상 및 사이즈를 나타내는 각 파라미터(주기(A), 산부(4)와 곡부(5)의 고저차(B))는 상기 수식 1의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다.At this time, from the viewpoint of reducing the contact area with the
또한, 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상인 경우, 끝면(2)의 평균 높이(Wc)는 5.0㎛ 이상이고, 평균 길이(Wsm)는 2000㎛ 이상, 왜도(Wsk)는 0을 초과한 값인 것이 바람직하다.In addition, when the arithmetic mean wave Wa of the
이와 같이, 본 발명에서는 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)에 착안하여, 이 산술평균 웨이브(Wa)의 값이 2.7㎛ 이상이 되도록 유리판(1)의 끝면(2)에 숫돌(11, 12)의 회전 접촉에 의한 소정의 끝면 가공(연삭 가공, 연마 가공)을 실시하도록 했다. 이러한 형태를 이루는 끝면(2)이면, 예를 들면 유리판(1) 또는 유리판(1)을 요소로 하는 제품(액정 디스플레이 등)의 각 제조 공정시나 공정간 반송시에 위치 결정핀(6) 등의 위치 결정 부재가 유리판(1)의 끝면(2)에 접촉하는 경우에, 끝면(2)이 갖는 미소 웨이브(3)의 산부(4)가 주로 접촉한다. 이 때문에, 유리판(1)의 끝면(2)과 위치 결정 부재의 접촉 면적을 감할 수 있어 유리 가루의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.In this way, in the present invention, paying attention to the arithmetic mean wave (Wa) of the end surface (2), the grindstone (11, 12), a predetermined end surface processing (grinding processing, polishing processing) by rotational contact was performed. In the case of the
또한, 위치 결정핀(6)과의 구체적인 접촉 형태를 고려하여, 끝면(2)의 미소 웨이브(3)를 수식 1의 관계를 충족시키는 형상으로 함으로써 위치 결정핀(6)이 미소 웨이브(3)의 곡부(5)와 접촉하는 사태를 가급적으로 방지할 수 있다. 따라서, 유리 가루의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.In addition, in consideration of the specific contact form with the
유리판(1)의 끝면(2)과 위치 결정 부재의 접촉 면적을 더 감하는 관점에서, 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)는 3.0㎛ 이상인 것이 바람직하다. 같은 관점에서, 끝면(2)의 평균 높이(Wc)는 5.0㎛ 이상인 것이 바람직하고, 15㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 끝면(2)의 평균 길이(Wsm)는 2000㎛ 이상인 것이 바람직하고, 2500㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of further reducing the contact area between the
한편, 유리판(1)의 끝면(2)과 위치 결정 부재의 접촉 면적이 너무 줄어들면, 끝면(2)이 갖는 미소 웨이브(3)의 산부(4)에 과대한 응력이 발생하여 유리판(1)이 상처받을 우려가 있다. 이 때문에, 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)는 4.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 끝면(2)의 평균 높이(Wc)는 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. 끝면(2)의 평균 길이(Wsm)는 6000㎛ 이하인 것이 바람직하다.On the other hand, if the contact area between the
본 발명에 있어서, 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa), 평균 높이(Wc) 및 평균 길이(Wsm)는 JIS B 0601:2013에 준거하여 측정하는 것으로 한다. 또한, 산술평균 웨이브(Wa), 평균 높이(Wc) 및 평균 길이(Wsm)의 측정에서는 유리판의 끝면에 대해서, 유리판의 일변에 따라 동일한 간격의 10개소에서 측정을 행한다. 산술평균 웨이브(Wa)는 10개소의 측정 결과의 평균값을 사용하는 것으로 하고, 평균 높이(Wc) 및 평균 길이(Wsm)는 10개소의 측정 결과의 최소값을 사용하는 것으로 한다.In the present invention, the arithmetic mean wave (Wa), the mean height (Wc), and the mean length (Wsm) of the
또한, 본 발명에 있어서, 미소 웨이브에 있어서의 1주기(A)는 상술의 방법으로 측정한 평균 길이(Wsm)를 사용하는 것으로 하고, 산부와 곡부의 고저차(B)는 상술의 방법으로 측정한 평균 높이(Wc)를 사용하는 것으로 한다.In addition, in the present invention, one period (A) in the micro wave is assumed to use the average length (Wsm) measured by the above method, and the height difference (B) between the peak and the curved portion is measured by the above method. It is assumed that the average height (Wc) is used.
이상, 본 발명의 일 실시형태를 설명했지만, 물론 본 발명에 따른 유리판 및 그 제조 방법은 이 형태에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 다양한 형태를 취하는 것이 가능하다.As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, of course, the glass plate which concerns on this invention and its manufacturing method are not limited to this form, It is possible to take various forms within the scope of this invention.
예를 들면, 상기 실시형태에서는 동적 밸런스가 소정의 값 이상, 예를 들면 60g·㎜ 이상이 되는 숫돌(11, 12)과 숫돌 부착용 플랜지(20)와의 서브 어셈블리(25)를 사용하여 도 1 및 도 2에 나타내는 끝면 가공을 실시함으로써, 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상이 되는 유리판(1)을 얻은 경우를 예시했지만, 물론 본 발명에 따른 끝면 가공 방법은 이것에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 동적 밸런스의 조정 이외의 수단으로 숫돌(11, 12)에 소정의 진동을 추가한 상태에서 상술한 끝면 가공을 행함으로써도, 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상이 되는 유리판(1)을 얻을 수 있다. 또는, 유리판(1)에 소정의 진동을 추가한 상태에서 상술한 끝면 가공을 행함으로써도, 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상이 되는 유리판(1)을 얻을 수 있다.For example, in the above embodiment, using the
또한, 상기 실시형태에서는 2개로 1조의 숫돌(11, 12)을 유리판(1)을 사이에 두고 대향하는 위치에 배치함과 아울러, 입도가 다른 2종류(2조)의 숫돌(11, 12)을 반송방향으로 나란히 배치하는 경우를 예시했지만, 물론 이외의 배치 형태를 취하는 것도 가능하다. 예를 들면, 연삭용 숫돌(11) 및 연마용 숫돌(12)을 각각 2조 또는 3조 이상 배치하는 것도 가능하다. 또한, 끝면 가공 후의 끝면(2)에 대해서 형상을 포함하는 소요의 품질이 확보될 수 있는 한에 있어서, 예를 들면 형상 1종류의 숫돌(11, 12)을 1조 또는 복수조 배치하는 것도 가능하다.In addition, in the said embodiment, while arranging two sets of
또한, 이상의 설명에서는 숫돌(11, 12)의 회전 접촉에 의해 끝면(2)에 소정의 끝면 가공을 실시하는 경우에 본 발명을 적용하는 경우를 예시했지만, 본 발명에 따른 끝면 가공 방법은 이것에는 한정되지 않는다. 회전하고 있는 가공구를 유리판(1)의 끝면(2)에 접촉시키면서 끝면(2)을 따라 상대 이동시켜 감으로써 끝면(2)에 소정의 가공을 실시하는 한에 있어서, 임의의 끝면 가공 방법을 채용하는 것이 가능하다.In addition, in the above description, the case where the present invention is applied to a case where a predetermined end surface processing is performed on the
또한, 한층 더 말하면, 본 발명에 따른 유리판은 상기 끝면 가공 방법에 의한 것에는 한정되지 않는다. 끝면(2)의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상이 되는 한에 있어서, 임의의 끝면 가공 방법을 적용하여 본 발명에 따른 유리판을 얻는 것이 가능하다.In addition, further speaking, the glass plate which concerns on this invention is not limited to what is based on the said end surface processing method. As long as the arithmetic mean wave Wa of the
Claims (6)
상기 끝면의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상이고, 또한, 4.0㎛ 이하인 유리판.A glass plate in a state in which a predetermined processing has been performed with respect to the end surface,
A glass plate having an arithmetic mean wave (Wa) of the end surface of 2.7 µm or more and 4.0 µm or less.
상기 끝면의 평균 높이(Wc)가 5.0㎛ 이상인 유리판.The method of claim 1,
A glass plate having an average height (Wc) of 5.0 μm or more of the end surface.
상기 끝면의 평균 길이(Wsm)가 2000㎛ 이상인 유리판.3. The method of claim 1 or 2,
A glass plate having an average length (Wsm) of the end surface of 2000 μm or more.
상기 끝면의 왜도(Wsk)가 0보다 큰 유리판.3. The method of claim 1 or 2,
A glass plate having a skewness (Wsk) of the end surface greater than zero.
상기 끝면에 나타나는 미소 웨이브에 있어서의 1주기를 A[㎜], 산부와 곡부의 고저차를 B[㎜]로 한 경우, 하기 수식 1의 관계를 충족시키는 유리판.
[수 1]
3. The method of claim 1 or 2,
A glass plate that satisfies the relationship of the following formula (1) when A [mm] is one period in the minute wave appearing on the end surface, and B [mm] is the difference between the elevations of the peaks and the curved parts.
[Number 1]
상기 끝면 가공 공정에 있어서, 상기 끝면의 산술평균 웨이브(Wa)가 2.7㎛ 이상이고, 또한, 4.0㎛ 이하가 되도록 상기 끝면에 대하여 상기 가공구로서의 숫돌에 의한 상기 소정의 가공을 실시하는 유리판의 제조 방법.A method of manufacturing a glass plate comprising an end surface processing step of performing a predetermined processing on the end surface by relatively moving the rotating processing tool along the end surface while contacting the end surface of the glass plate,
In the end surface processing step, the arithmetic mean wave (Wa) of the end surface is 2.7 µm or more and 4.0 µm or less, and the end surface is subjected to the predetermined processing by a whetstone as the processing tool. Way.
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