JP2020003548A - Photomask substrate and process for producing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、フォトマスク用基板およびその製造方法に関し、基板のコーナー部のＲ面取りを工夫することにより、基板の加工方向の識別を可能とするフォトマスク用基板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a photomask substrate and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a photomask substrate and a method of manufacturing the same that can identify a processing direction of the substrate by devising a chamfer at a corner portion of the substrate.
合成シリカガラスは、低熱膨張性と光透過性に優れていることから、ＩＣやＬＣＤのフォトリソグラフィ用のフォトマスク用基板として使われている。 Synthetic silica glass is used as a photomask substrate for photolithography of ICs and LCDs because of its low thermal expansion and excellent light transmittance.
このフォトマスク用基板の製造方法は、合成シリカガラスのブロックを得た後に、スライス、面取り、および研磨加工を施すものである。この面取り加工では、板状の合成シリカガラスのブロックにおける四隅の稜線部（コーナー部）をＲ面加工し、主表面と側面との間の稜線部をＣ面加工するのが一般的である。 In this method of manufacturing a photomask substrate, after obtaining a block of synthetic silica glass, slicing, chamfering, and polishing are performed. In this chamfering process, it is common that the ridges (corners) at the four corners of the plate-shaped synthetic silica glass block are rounded, and the ridges between the main surface and the side surfaces are rounded.
ところで、フォトマスク用基板またはマスクブランク用基板では、基板の種類や基板の表裏を判別できるようにするために、基板のコーナー部において、主表面を斜断面状に切り落とす等のマークを施す技術が知られている。 By the way, in the case of a photomask substrate or a mask blank substrate, in order to be able to determine the type of the substrate and the front and back of the substrate, a technique of making a mark such as cutting off the main surface in an oblique cross-section at the corner of the substrate is known. Are known.
例えば、コーナー部における斜断面からなる基板マークによる平坦度への影響を抑制するため、主表面に対する基板マークの傾斜角が４５度よりも大きく９０度未満であり、主表面と基板マークの境界から基板の外周までの距離が１．５ｍｍ未満というマスクブランク用基板が知られている（特許文献１参照）。 For example, in order to suppress the influence on the flatness due to the substrate mark having the oblique cross section at the corner, the inclination angle of the substrate mark with respect to the main surface is larger than 45 degrees and smaller than 90 degrees, and from the boundary between the main surface and the substrate mark. A mask blank substrate in which the distance to the outer periphery of the substrate is less than 1.5 mm is known (see Patent Document 1).
しかしながら、フォトマスク用基板の大型化と高精度化に伴い、端面やコーナー部に対して、マーキング用の加工を施すことは好ましくない。一方、基板の加工履歴等を判別できるようしたいという要求もある。 However, with the increase in the size and accuracy of the photomask substrate, it is not preferable to apply a marking process to the end face or the corner. On the other hand, there is also a demand to be able to determine the processing history and the like of the substrate.
即ち、基板から様々な情報を簡易かつ低コストに取得したという要望の一方で、できるだけ基板に対して特異な形状の加工を施したくないという課題があった。 In other words, while there is a demand that various information can be obtained easily and at low cost from the substrate, there is a problem that it is desired not to process the substrate in a unique shape as much as possible.
本発明は、前記した課題を解決するためになされたものであり、できるだけ基板に対して特異な形状の加工を施すことなく、基板の加工方向の識別を可能にするフォトマスク用基板およびその製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and a photomask substrate and a method for manufacturing the same that can identify the processing direction of the substrate without processing the substrate as much as possible with a peculiar shape. The aim is to provide a method.
上記目的を達成するためになされた本発明に係るフォトマスク用基板は、互いに対向する２つの主表面と、前記２つの主表面との間に形成された側面と、前記側面のうち隣り合う２つの側面間にＲ面加工が施されたコーナー部を備えるフォトマスク用基板であって、一の前記コーナー部のＲ面の曲率半径が、他のいずれかのコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a photomask substrate according to the present invention includes two main surfaces facing each other, a side surface formed between the two main surfaces, and two adjacent side surfaces among the side surfaces. A photomask substrate including a corner portion having an R surface processed between two side surfaces, wherein a radius of curvature of an R surface of one corner portion is equal to a radius of curvature of an R surface of another corner portion. It is characterized by being formed in different dimensions.
このように、一の前記コーナー部のＲ面の曲率半径を、他のいずれかのコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成することにより、コーナー部のＲ面を基板の表裏面の識別、基板の加工方向の識別等に用いることができる。
また、コーナー部のＲ面の曲率半径の大小によって前記識別を行うため、新たに、基板に対して特異な形状の加工を施すことがないため、基板自体の性能に与える影響も少ない。
ここで、Ｒ面とは、側面のうち隣り合う側面間に形成される曲面をいい、その曲面の中心点が基板内にある面をいう。
As described above, by forming the radius of curvature of the R surface of one corner portion to be different from the radius of curvature of the R surface of any other corner portion, the R surface of the corner portion is formed on the front and back surfaces of the substrate. It can be used for identification, identification of the processing direction of the substrate, and the like.
In addition, since the above-described identification is performed based on the magnitude of the radius of curvature of the R surface of the corner portion, the substrate is not newly processed in a unique shape, so that the effect on the performance of the substrate itself is small.
Here, the R surface refers to a curved surface formed between adjacent side surfaces among the side surfaces, and refers to a surface having a center point of the curved surface in the substrate.
ここで、前記２つの主表面が平面視上、長方形であって、４つのコーナー部を備えることが望ましい。
また、前記２つの主表面が平面視上、正方形であって、４つのコーナー部を備える場合には、一の前記コーナー部のＲ面の曲率半径が、他のコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成され、更に、他のコーナー部のうち、いずれか一つのコーナー部Ｒ面の曲率半径が、他の二つのコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成されていることが望ましい。
Here, it is desirable that the two main surfaces be rectangular in plan view and have four corner portions.
When the two main surfaces are square in plan view and include four corner portions, the radius of curvature of the R surface of one corner portion is equal to the radius of curvature of the R surface of the other corner portion. And a radius different from the radius of curvature of the R surface of any one of the other corner portions is different from the radius of curvature of the R surface of the other two corner portions. Is desirable.
また、４つのコーナー部におけるＲ面において、２番目に大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径が、最も大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径の９０％〜１０％であることが望ましい。
２番目に寸法が大きい曲率半径が、最大曲率半径の９０％を超える場合には、最大曲率半径を有するＲ面と、２番目に大きい曲率半径を有するＲ面との識別が困難となり、好ましくない。
一方、２番目に寸法が大きい曲率半径が、最大曲率半径の１０％未満の場合には、２番目に大きい曲率半径を有するＲ面の形成が困難となる場合があり、好ましくない。
Further, in the R surfaces at the four corner portions, it is desirable that the radius of curvature of the R surface having the second largest radius of curvature is 90% to 10% of the radius of curvature of the R surface having the largest radius of curvature.
If the radius of curvature having the second largest dimension exceeds 90% of the maximum radius of curvature, it becomes difficult to distinguish the R surface having the largest radius of curvature from the R surface having the second largest radius of curvature, which is not preferable. .
On the other hand, if the radius of curvature having the second largest dimension is less than 10% of the maximum radius of curvature, it may be difficult to form an R surface having the second largest radius of curvature, which is not preferable.
また、４つのコーナー部におけるＲ面において、３番目に大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径が、２番目に大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径の９０％〜１０％であることが望ましい。
更に、４つのコーナー部におけるＲ面において、最も小さい曲率半径を有するＲ面の曲率半径が、３番目に大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径の９０％〜１０％であることが望ましい。
このように、４つのコーナー部におけるＲ面において、特定のＲ面の曲率半径が、その曲率半径に最も近く、かつ大きいＲ面の曲率半径の９０％〜１０％であることが望ましい。
尚、最も小さい曲率半径を有するＲ面の曲率半径（最小曲率半径）が、最も大きい曲率半径を有するＲ面の曲率半径（最大曲率半径）の９０％〜１０％であることが望ましい。
Further, in the R surfaces at the four corner portions, it is desirable that the radius of curvature of the R surface having the third largest radius of curvature is 90% to 10% of the radius of curvature of the R surface having the second largest radius of curvature. .
Further, in the R surfaces at the four corner portions, it is desirable that the radius of curvature of the R surface having the smallest radius of curvature is 90% to 10% of the radius of curvature of the R surface having the third largest radius of curvature.
As described above, it is desirable that the radius of curvature of a specific R surface is 90% to 10% of the radius of curvature of the large R surface, which is closest to the radius of curvature of the R surface at the four corners.
The radius of curvature (minimum radius of curvature) of the R surface having the smallest radius of curvature is desirably 90% to 10% of the radius of curvature (maximum radius of curvature) of the R surface having the largest radius of curvature.
また、シリカガラスにより形成されていることが望ましい。 Further, it is desirable that the glass is formed of silica glass.
上記目的を達成するためになされた本発明に係るフォトマスク用基板の製造方法は、互いに対向する２つの主表面と、前記２つの主表面との間に形成された側面と、前記側面のうち隣り合う２つの側面間にＲ面加工が施されたコーナー部とを備えるフォトマスク用基板の製造方法であって、一のコーナー部のＲ面を研削加工する際の研削条件と、他のコーナー部のＲ面を研削加工する際の研削条件とを異にすることにより、一のコーナー部のＲ面の曲率半径と、他のコーナー部のＲ面の曲率半径とに寸法差を形成することを特徴とする。
このように、コーナー部のＲ面の研削条件を変えることにより、一のコーナー部のＲ面の曲率半径と、他のコーナー部のＲ面の曲率半径とに寸法差を容易に形成することができる。
尚、前記研削条件としては、砥石送り速度であることが望ましい。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a photomask substrate according to the present invention includes: two main surfaces facing each other; a side surface formed between the two main surfaces; What is claimed is: 1. A method for manufacturing a photomask substrate, comprising: a corner portion having an R-surface processed between two adjacent side surfaces, wherein grinding conditions for grinding the R surface of one corner portion and another corner are provided. By using different grinding conditions when grinding the R surface of the portion, a dimensional difference is formed between the radius of curvature of the R surface of one corner portion and the radius of curvature of the R surface of another corner portion. It is characterized by.
As described above, by changing the grinding condition of the R surface of the corner portion, it is possible to easily form a dimensional difference between the radius of curvature of the R surface of one corner portion and the radius of curvature of the R surface of another corner portion. it can.
The grinding condition is desirably a grinding wheel feed speed.
本発明によれば、基板に対して特異な形状の加工を施すことなく、基板の加工方向の識別を可能にするフォトマスク用基板およびその製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photomask board | substrate which enables the discrimination of the processing direction of a board | substrate without giving a processing of a peculiar shape to a board | substrate, and its manufacturing method can be provided.
以下、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板およびその製造方法につき、図面に基づいて説明する。ただし、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板およびその製造方法が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。添付の図面は模式的なものであり、各要素の寸法や比率などが実際と異なる場合がある。 Hereinafter, a photomask substrate and a method for manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the photomask substrate and the method of manufacturing the same according to the embodiments of the present invention are not limited to the embodiments described below. The accompanying drawings are schematic, and dimensions and ratios of each element may be different from actual ones.
図１は、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板を模式的に示す平面図であり、図２は、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板を模式的に示す側面図である。
本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板１は、例えばＩＣ用のフォトマスク用基板やＬＣＤ用のフォトマスク用基板として用いられるものであり、その用途によって大きさが異なる。
例えばＩＣ用のフォトマスク用基板の場合には、例えば、その一辺の長さが１５２ｍｍの平面視上、主表面が正方形であり、厚さが５ｍｍの合成シリカガラスにより形成される。
また、ＬＣＤ用のフォトマスク用基板の場合には、例えば、その一辺の長さが８５０ｍｍ（直交する他辺の長さＬは１２００ｍｍ）の平面視上、主表面が長方形であり、厚さが１０ｍｍの合成シリカガラスにより形成される。
尚、図１乃至図４は、平面視上、主表面が正方形のＩＣ用のフォトマスク用基板を示している。
FIG. 1 is a plan view schematically illustrating a photomask substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view schematically illustrating a photomask substrate according to an embodiment of the present invention.
The
For example, in the case of a photomask substrate for an IC, for example, the main surface is square in plan view having a side length of 152 mm, and is formed of synthetic silica glass having a thickness of 5 mm.
In the case of a photomask substrate for an LCD, for example, the main surface is rectangular in plan view and the thickness is 850 mm (the length L of the other orthogonal side is 1200 mm). It is formed of 10 mm synthetic silica glass.
1 to 4 show a photomask substrate for an IC having a square main surface in plan view.
図１および図２に示すように、フォトマスク用基板１は、互いに対向する２つの主表面２と、２つの主表面との間に形成された側面３と、側面３のうち隣り合う２つの側面間にＲ面加工が施されたコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとを備えている。
また、主表面２と側面３およびコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとの間の稜線部は、Ｃ面加工が施されており、面取り面５が形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
A ridge line between the
主表面２は、所望の光学的特性を得るように平坦化（鏡面化）加工が施されている。一方、側面３およびコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは、切削加工により生じた凹凸や微細な裂溝に捕捉された研磨粒子等が起因するピンホール等の欠陥の発生を抑制するために、例えば算術平均粗さＲａが０．０１μｍとなるように研磨加工が施されている。
The
また、図１および図２に示すように、コーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは、すべてＲ面加工が施されているものの、そのＲ面寸法が同じではない。
具体的には、ある一つのコーナー部４ａにおけるＲ面寸法は、例えばＲ＝２．０ｍｍであり、その他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄにおけるＲ面寸法は、例えばＲ＝３．０ｍｍである。即ち、一のコーナー部４ａのＲ面寸法（曲率半径）が、他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面寸法（曲率半径）と異なる寸法に形成されている。
このように、コーナー部４ａのＲ面寸法（曲率半径）が、他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面寸法（曲率半径）と異なる寸法に形成することにより、コーナー部４ａを、例えば、加工の有無に関する情報、あるいは仕向け先の情報等の識別に用いることができる。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the
Specifically, the R-plane dimension at one
As described above, by forming the R surface dimension (curvature radius) of the
尚、２つの主表面が平面視上、長方形であるＬＣＤ用のフォトマスク用基板の場合には、コーナー部４ａのＲ面寸法（曲率半径）と長辺（あるいは短辺）との位置関係から基板表裏面、加工方向等について識別ができる。
In the case of an LCD photomask substrate whose two main surfaces are rectangular in plan view, the positional relationship between the R surface dimension (curvature radius) of the
また、上記したように、その他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄにおけるＲ面寸法（曲率半径）は、同一であっても良いが、夫々異なっている方がより好ましい。
ここで、２つの主表面が平面視上正方形である場合には、前記したように、一のコーナー部４ａのＲ面の曲率半径が、他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成され、更に、他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのうち、いずれか一つのコーナー部Ｒ面の曲率半径が、他の二つのコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成されていることにより、基板表裏面、加工方向等の識別ができる。
Further, as described above, the R-plane dimensions (curvature radii) in the
Here, when the two main surfaces are square in plan view, as described above, the curvature radius of the R surface of one
例えば、４つのコーナー部におけるＲ面において、２番目に寸法が大きいＲ面寸法（曲率半径）が、最大Ｒ面寸法（最大曲率半径）の９０％〜１０％に形成されているのが好ましい。同様に、３番目に寸法が大きいＲ面寸法（曲率半径）が、２番目に大きいＲ面寸法（曲率半径）の９０％〜１０％であることが好ましい。更に、最小Ｒ面寸法（最小曲率半径）が、３番目に寸法が大きい曲率半径の９０％〜１０％であることが望ましい。 For example, it is preferable that the R surface having the second largest dimension (curvature radius) is formed at 90% to 10% of the maximum R surface dimension (maximum radius of curvature) in the R surfaces at the four corner portions. Similarly, it is preferable that the third largest R-plane dimension (radius of curvature) is 90% to 10% of the second largest R-plane dimension (curvature radius). Further, it is desirable that the minimum R-plane dimension (minimum radius of curvature) is 90% to 10% of the radius of curvature having the third largest dimension.
即ち、４つのコーナー部におけるＲ面において、特定のＲ面の曲率半径が、その曲率半径に最も近く、かつ大きいＲ面の曲率半径の９０％〜１０％であることが望ましい。
特定のＲ面の曲率半径が、その曲率半径に最も近く、かつ大きいＲ面の曲率半径の９０％を超える場合には、特定のＲ面と近接のＲ面との識別が困難となり、好ましくない。一方、特定のＲ面の曲率半径が、その曲率半径に最も近く、かつ大きいＲ面の曲率半径の１０％未満の場合には、特定のＲ面の形成が困難の場合があり、好ましくない。
That is, in the R surfaces at the four corners, it is desirable that the radius of curvature of a specific R surface is 90% to 10% of the radius of curvature of the largest R surface that is closest to the radius of curvature.
When the radius of curvature of the specific R surface is closest to the radius of curvature and exceeds 90% of the radius of curvature of the large R surface, it becomes difficult to distinguish the specific R surface from the adjacent R surface, which is not preferable. . On the other hand, when the radius of curvature of the specific R surface is closest to the radius of curvature and less than 10% of the radius of curvature of the large R surface, it may be difficult to form the specific R surface, which is not preferable.
また、特定のＲ面と近接のＲ面の曲率半径の差は、目視、あるいはルーペ等を用いた目視観察で判別できる曲率半径の差をもって形成されているのが好ましい。また、好ましくは、最小Ｒ面寸法（最小曲率半径）が、最大Ｒ面寸法（最小曲率半径）の９０％〜１０％であることが望ましい。 Further, it is preferable that the difference between the radius of curvature of the specific R surface and the radius of curvature of the adjacent R surface be formed with a difference in the radius of curvature that can be determined visually or by visual observation using a loupe or the like. Preferably, the minimum R-plane dimension (minimum radius of curvature) is 90% to 10% of the maximum R-plane dimension (minimum radius of curvature).
このように、４つのコーナー部において、Ｒ面の曲率半径が異なるコーナー部を増やすことにより、数多くの情報を基板に入れることができ、基板の表裏以外にも、基板品種や加工方向、加工の有無、仕向け先等の識別が可能となる。 As described above, by increasing the number of corner portions having different curvature radii of the R surface in the four corner portions, a large amount of information can be put on the substrate. The presence / absence, destination, etc. can be identified.
（研削方法）
次に、図３および図４を参照しながら、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法を説明する。図３は、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法の一工程を模式的に示す平面図であり、図４は、本発明の実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。なお、図４に示される断面図は、図３に示されるＡ−Ａ矢視断面に対応している。
(Grinding method)
Next, a method for manufacturing a photomask substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a plan view schematically showing one step of a method for manufacturing a photomask substrate according to the embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the method for manufacturing a photomask substrate according to the embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows one process typically. The cross-sectional view shown in FIG. 4 corresponds to the cross section taken along the line AA shown in FIG.
まず、フォトマスク用基板１の原材料となる合成シリカガラスのブロックを用意し、これをスライスし板状の合成シリカガラスを得る。
この板状の合成シリカガラスは、概ねフォトマスク用基板１における互いに対向する２つの主表面２と、２つの主表面との間に形成された側面３とを備えた形状である。
First, a block of synthetic silica glass, which is a raw material of the
This plate-shaped synthetic silica glass is generally shaped to have two
次に、この板状の合成シリカガラスを研削し、側面３のうち隣り合う２つの側面間にコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄと、主表面２と側面３およびコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとの間の稜線部に面取り面５を形成する。
Next, the plate-shaped synthetic silica glass is ground, and
この研削工程では、図３に示しように、回転する総型砥石６に、板状の合成シリカガラスを当接させ、コーナー部を形成する。
ここで、例えば、図４に示すような側面３および面取り面５の形状の型が成形された総型砥石６を用いることが好ましい。側面３および面取り面５の形状の型が成形された総型砥石６を用いれば、側面３およびコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを研削すると同時に面取り面５を形成することができる。
In this grinding step, as shown in FIG. 3, a plate-shaped synthetic silica glass is brought into contact with the rotating forming
Here, for example, it is preferable to use a
このコーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを研削する研削工程では、ある一つのコーナー部のＲ面を研削加工する際の研削条件と、その他のコーナー部のうち、少なくとも一つのＲ面を研削加工する際の研削条件とが異なっている。
In the grinding step of grinding the
研削加工における研削条件には、研削砥石の研削速度や周速度、切込み量等があるが、コーナー部４ａのＲ面を研削加工する際の砥石の軌道と、その他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面を研削加工する際の砥石の軌道を異ならせることが好ましい。
この砥石の軌道とは板状の合成シリカガラスを移動する範囲を意味し、板状の合成シリカガラスの移動範囲を大きくすることにより、研削砥石の研削速度や周速度、切込み量を変えなくても、コーナー部の曲率半径を大きく形成することができる。また、移動範囲を小さくすることにより、研削砥石の研削速度や周速度、切込み量を変えなくても、コーナー部の曲率半径を小さく形成することができる。尚、図３に矢印で砥石の回転、板状の合成シリカガラスの移動を示す。
Grinding conditions in the grinding include a grinding speed, a peripheral speed, a cutting depth, and the like of the grinding wheel, but the trajectory of the grinding wheel when grinding the R surface of the
The trajectory of the grinding wheel means the range in which the plate-shaped synthetic silica glass moves.By increasing the moving range of the plate-shaped synthetic silica glass, the grinding speed, peripheral speed, and cutting depth of the grinding wheel can be changed. Also, the radius of curvature of the corner can be increased. In addition, by reducing the moving range, the radius of curvature of the corner portion can be reduced without changing the grinding speed, the peripheral speed, and the cutting depth of the grinding wheel. FIG. 3 shows the rotation of the grindstone and the movement of the plate-like synthetic silica glass by arrows.
尚、研削砥石の研削速度や周速度、切込み量を変えると、Ｒ面の面状態が異なるため、あまり好ましくない。そのため、コーナー部の研削にあたっては、研削速度や周速度、切込み量を同一にし、砥石送り速度を変えるのが好ましい。 Changing the grinding speed, the peripheral speed, and the cutting depth of the grinding wheel is not preferable because the surface condition of the R surface is different. Therefore, in grinding the corner portion, it is preferable to make the grinding speed, the peripheral speed, and the cutting depth the same, and change the grinding wheel feed speed.
具体的に一例を挙げれば、砥石としてダイヤモンド砥石を用い、砥石の軌道を制御し、自動研削装置上のＲ面研削設定値（研削狙い設定値）を変更し、研削し、コーナー部４ａにおけるＲ面寸法を、Ｒ＝２．０ｍｍ、コーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄにおけるＲ面寸法を、Ｒ＝３．０ｍｍに形成する。
Specifically, for example, a diamond grindstone is used as a grindstone, the trajectory of the grindstone is controlled, the R-surface grinding set value (grinding target set value) on the automatic grinding device is changed, and grinding is performed. The surface dimension is set to R = 2.0 mm, and the R surface dimension at the
なお、その他のコーナー部４ｂ，４ｃ，４ｄのＲ面を研削加工する際の研削条件は、同一であっても良いが、これに限らず、各コーナー部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄにおける研削条件を異にして、研削を行っても良い。
即ち、基板の表裏以外にも、基板品種や加工方向等の数多くの情報を基板に入れるためには、４つのコーナー部において研削条件を異ならしめ、Ｒ面の曲率半径が異なるコーナー部を増やすことが望ましい。
The grinding conditions for grinding the R surfaces of the
In other words, in order to put a lot of information such as substrate type and processing direction on the substrate in addition to the front and back of the substrate, the grinding conditions should be changed at the four corners and the number of corners with different radius of curvature of the R surface should be increased. Is desirable.
以上のように本発明の実施の形態に係るフォトマスク用基板およびその製造方法よれば、基板に対して特異な形状の加工を施すことなく、基板の加工方向の識別を可能にするフォトマスク用基板およびその製造方法を提供することができる。 As described above, according to the photomask substrate and the method of manufacturing the same according to the embodiments of the present invention, a photomask substrate that enables identification of the processing direction of the substrate without processing the substrate in a specific shape. A substrate and a method for manufacturing the same can be provided.
以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態よって限定されるものではない。 As described above, the present invention has been described based on the embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments.
１ フォトマスク用基板
２ 主表面
３ 側面
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ コーナー部
５ 面取り面
６ 砥石
DESCRIPTION OF
Claims (9)
一の前記コーナー部のＲ面の曲率半径が、他のいずれかのコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成されていることを特徴とするフォトマスク用基板。 A photomask substrate including two main surfaces facing each other, a side surface formed between the two main surfaces, and a corner portion between two adjacent side surfaces of the side surfaces, which is subjected to R-surface processing. And
A photomask substrate, wherein the radius of curvature of the R surface at one corner is different from the radius of curvature of the R surface at any of the other corners.
一の前記コーナー部のＲ面の曲率半径が、他のコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成され、
更に、他のコーナー部のうち、いずれか一つのコーナー部Ｒ面の曲率半径が、他の二つのコーナー部のＲ面の曲率半径と異なる寸法に形成されていることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク用基板。 The two main surfaces are square in plan view and include four corner portions,
The radius of curvature of the R surface of one corner portion is formed to be different from the radius of curvature of the R surface of another corner portion,
2. The method according to claim 1, wherein a radius of curvature of one of the corners of the other corner portion is different from a radius of curvature of the R surface of the other two corner portions. The substrate for a photomask according to the above.
一のコーナー部のＲ面を研削加工する際の研削条件と、他のコーナー部のＲ面を研削加工する際の研削条件とを異にすることにより、
一のコーナー部のＲ面の曲率半径と、他のコーナー部のＲ面の曲率半径とに寸法差を形成することを特徴とするフォトマスク用基板の製造方法。 A photomask comprising: two main surfaces facing each other; a side surface formed between the two main surfaces; and a corner portion between two adjacent side surfaces of the side surfaces, which is subjected to R-surface processing. A method for manufacturing a substrate for
By making the grinding conditions for grinding the R surface of one corner different from the grinding conditions for grinding the R surface of the other corner,
A method for manufacturing a photomask substrate, wherein a dimensional difference is formed between the radius of curvature of the R surface at one corner and the radius of curvature of the R surface at another corner.
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