JP7023333B2 - 極低温流体混合物で基板を処理するシステムおよび方法 - Google Patents
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Description
本発明の少なくとも一つの実施例に含まれることを意味する。従って、本明細書における各場所の「ある実施例における」または「実施例における」という文言は、必ずしも本発明の同じ実施例を意味しない。また、特定の特徴、構造、材料、または特性は、1または2以上の実施例において、いかなる好適な方法で組み合わされても良い。各種追加の層および/または構造が含まれ、および/または記載の特徴は、他の実施例では省略されてもよい。
ギャップ距離≦定数/チャンバ圧力 (1)
この場合、定数をチャンバ圧力で除すことで得られる値は、クリーニングプロセスで使用されるギャップ距離502を提供する。例えば、ある特定の実施例では、定数は、50であり、チャンバ圧力は、約7Torrであってもよい。この例では、ギャップ距離は、(1)式の下、約7mm以下となる。別の実施例では、定数は、40から60の範囲であり、圧力は1Torrから10Torrの範囲である。別の実施例では、定数は、0.05から0.3の範囲であり、圧力は、0.05Torrから1Torrの範囲である。ギャップ距離502は、クリーニング効率に正の影響を有してもよいが、エアロゾルスプレーおよびガスクラスタジェットスプレーを用いたクリーニング効率に影響する、いくつかの他のプロセス変数が存在する。
上閾値比よりも小さい。例えば、上閾値は、300000、5000、3000、2000、1000、または500のうちの一つの値である。
Claims (22)
- マイクロ電子基板を処理する方法であって、
真空処理チャンバ内に、前記マイクロ電子基板を受容するステップであって、前記真空処理チャンバは、入口および出口を有する流体膨張部材を有し、前記真空処理チャンバは、圧力が35Torr以下であり、前記マイクロ電子基板は、該マイクロ電子基板と前記流体膨張部材の前記出口との間に2mmから50mmの範囲のギャップ距離を提供するように配置される、ステップと、
前記流体膨張部材の前記入口に、加圧され冷却された流体混合物を供給するステップであって、前記流体混合物は、アルゴンおよび窒素の少なくとも一つを含み、前記流体混合物は、前記流体膨張部材の前記入口に供給される際、温度が70Kから270Kの範囲であり、供給圧力により、1重量%未満の液体を含む気相となる、ステップと、
前記流体膨張部材の前記出口を介して、前記真空処理チャンバ内で前記加圧され冷却された流体混合物を膨張させ、ガスクラスタのジェットを生成するステップであって、前記ガスクラスタのジェットの少なくとも一部は、前記マイクロ電子基板と接触し、該マイクロ電子基板にわたって横方向に流れ、前記横方向の流れの有効クリーニング領域は、ギャップ距離の減少とともに増加する、ステップと、
前記横方向に流れるガスクラスタのジェットを用いて、前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップと、
を有する方法。 - さらに、前記供給圧力または前記チャンバ圧力を調整して、圧力比を5000未満に維持するステップを有し、
前記圧力比は、前記チャンバ圧力にわたる前記供給圧力を有する、請求項1に記載の方法。 - さらに、前記供給圧力または前記チャンバ圧力を調整して、圧力比を3000未満に維持するステップを有し、
前記圧力比は、前記チャンバ圧力にわたる前記供給圧力を有する、請求項1に記載の方法。 - さらに、前記供給圧力または前記チャンバ圧力を調整して、圧力比を2000未満に維持するステップを有し、
前記圧力比は、前記チャンバ圧力にわたる前記供給圧力を有する、請求項1に記載の方法。 - さらに、前記供給圧力または前記チャンバ圧力を調整して、圧力比を1000未満に維持するステップを有し、
前記圧力比は、前記チャンバ圧力にわたる前記供給圧力を有する、請求項1に記載の方法。 - さらに、前記供給圧力または前記チャンバ圧力を調整して、圧力比を500未満に維持するステップを有し、
前記圧力比は、前記チャンバ圧力にわたる前記供給圧力を有する、請求項1に記載の方法。 - さらに、前記供給圧力または前記チャンバ圧力を調整して、圧力比を200から3000に維持するステップを有し、
前記圧力比は、前記チャンバ圧力にわたる前記供給圧力を有する、請求項1に記載の方法。 - 前記流体混合物は、さらに、キセノン、クリプトン、および二酸化炭素の少なくとも一つを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記流体混合物は、水素、ヘリウム、またはネオンの少なくとも一つと組み合わされた窒素を有し、さらに、アルゴン、クリプトン、キセノンおよび二酸化炭素の少なくとも一つを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記流体混合物の流量比は、1:2:2である、請求項9に記載の方法。
- 前記流体混合物の流量比は、1:2:1.8である、請求項9に記載の方法。
- 前記ギャップ距離は、2mmから10mmの距離である、請求項9に記載の方法。
- マイクロ電子基板を処理する方法であって、
35Torr以下のチャンバ圧力を有する処理チャンバ内に前記マイクロ電子基板を受容するステップであって、前記処理チャンバは、入口および出口を有する流体膨張部材を有し、前記マイクロ電子基板は、該マイクロ電子基板と前記出口の間に2mmから50mmの範囲のギャップ距離を提供するように配置される、ステップと、
前記流体膨張部材の前記入口に、加圧され冷却された流体混合物を供給するステップであって、前記流体混合物は、前記入口に供給される際に、温度が70Kから270Kの範囲であり、前記流体混合物は、水素、ネオン、およびヘリウムの少なくとも一つと、窒素およびアルゴンの少なくとも一つとを含む、ステップと、
前記流体膨張部材の前記出口を介して、前記処理チャンバ内で前記流体混合物を膨張させ、ガスクラスタのジェットを生成するステップであって、前記ガスクラスタのジェットの少なくとも一部は、前記マイクロ電子基板と接触し、該マイクロ電子基板にわたって横方向に流れ、前記横方向の流れの有効クリーニング領域は、ギャップ距離の減少とともに増加する、ステップと、
前記ガスクラスタのジェットを用いて、前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップと、
を有する方法。 - 前記流体混合物は、さらに、クリプトン、キセノン、二酸化炭素、およびこれらの組み合わせの少なくとも一つを有する、請求項13に記載の方法。
- 前記流体混合物は、前記入口に供給される際の温度が70Kから120Kの間である、請求項13に記載の方法。
- 前記処理チャンバは、10Torr未満に維持される、請求項13に記載の方法。
- 水素、ネオン、およびヘリウムの少なくとも一つは、前記流体混合物の重量比で、10%から50%の間である、請求項13に記載の方法。
- 水素、ネオン、およびヘリウムの少なくとも一つは、前記流体混合物の重量比で、20%から40%の間である、請求項13に記載の方法。
- 前記処理チャンバに前記流体混合物を提供するステップは、前記処理チャンバに、水素、ネオン、およびヘリウムの少なくとも一つを120標準リットル/分(slm)から140slmの間で流し、窒素およびアルゴンの少なくとも一つを30slmから45slmの間で流すステップを有する、請求項13に記載の方法。
- 前記流体混合物は、気体部分と液体分を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記流体膨張部材の前記入口に供給される際、前記流体混合物は、該流体混合物の重量比で、1%以下の液体濃度を有する、請求項20に記載の方法。
- 前記流体膨張部材の前記入口に供給される際、前記流体混合物は、該流体混合物の重量比で、少なくとも10%の液体濃度を有する、請求項20に記載の方法。
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