JP7022528B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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(i)正孔および電子が電極から注入される。
(ii)注入された正孔および電子が輸送される。
(iii)発光層内で正孔と電子が再結合する。
(iv)発光材料が電子的励起状態を形成する。
(v)発光材料が電子的励起状態から光を放射する。
発光材料として蛍光材料を用いた場合、S1からのエネルギーしか光に変換されない。これに対し、リン光材料を用いた場合、S1からのエネルギーだけでなく、T1からのエネルギーも光に変換される。このため、発光材料として、蛍光材料を用いた有機EL素子よりも、リン光材料を用いた有機EL素子の方が、高効率化が期待できる(例えば、非特許文献1参照)。
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、外部量子効率が高く、かつ発光の色純度が高い有機EL素子を提供することを課題とする。
〔1〕 2つの電極間に、発光層を含む積層構造が形成され、
前記発光層が、下記一般式(1)で示される化合物と、配位数が4の金属に平面状の四座配位子が結合した錯体とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
本発明者は、上記課題を解決し、外部量子効率が高く、かつ発光の色純度が高い有機EL素子を実現するために、発光層の材料に着目して、以下に示すように、鋭意検討を重ねた。
有機EL素子の発光層の特性は、発光材料(ゲスト材料)だけでなく、ゲスト材料とともに使用するホスト材料の種類によって大きく異なる。したがって、例えば、発光層のゲスト材料として高色純度の緑色発光が得られる一般式(2-1)で示される白金錯体を用いたとしても、ホスト材料の種類によっては色純度の高い発光は得られない。また、発光層のゲスト材料として一般式(2-1)で示される白金錯体を用いた場合に、高い外部量子効率が得られるホスト材料は知られていなかった。
一般式(1)で表わされる化合物は、インドロカルバゾール骨格の2つの複素環の窒素原子にそれぞれA1で示される基とA2で示される基とが結合し、インドロカルバゾール骨格の中心に配置されたベンゼン環にA3で示される連結基を介して六員環が結合した構造を有する。このことにより、一般式(1)で示される化合物は、エネルギーギャップが小さく、なおかつゲスト材料よりも大きいT1エネルギーを有する。その結果、一般式(1)で示される化合物を、配位数が4の金属に平面状の四座配位子が結合した錯体とともに用いることで、高い外部量子効率が得られるものと推定される。また、配位数が4の金属に平面状の四座配位子が結合した錯体は安定である。そのため、発光層が、配位数が4の金属に平面状の四座配位子が結合した錯体を含むことにより、分子の振動に伴う光の放射が抑えられ、発光スペクトルの半値幅が狭く、高色純度の発光が得られるものと推定される。
図1は、本実施形態の有機EL素子の一例を説明するための断面模式図である。図1に示す本実施形態の有機EL素子1は、陽極9(電極)と陰極3(電極)との間に、発光層6を含む積層構造が形成されているものである。
本実施形態の有機EL素子1における積層構造は、正孔注入層8と、正孔輸送層7と、発光層6と、電子輸送層5と、電子注入層4とがこの順に形成されたものである。
基板2の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等が挙げられる。基板2の材料は、1種のみを用いてもよいし、2種以上組み合わせて使用してもよい。
基板2に用いられる樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。基板2の材料として、樹脂材料を用いた場合、柔軟性に優れた有機EL素子1が得られるため好ましい。
基板2に用いられるガラス材料としては、石英ガラス、ソーダガラス、パイレックス(登録商標)等が挙げられる。
有機EL素子1がトップエミッション型のものである場合には、基板2の材料として、透明基板だけでなく、不透明基板を用いてもよい。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜(絶縁膜)を形成した基板、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
陽極9は、正孔注入層8または正孔輸送層7に正孔を注入する。このため、陽極9の材料としては、仕事関数が比較的大きい各種金属材料や、各種合金等が用いられる。陽極9の材料としては、例えば、金、ヨウ化銅、酸化スズ、アルミニウムドープの酸化亜鉛(ZnO:Al)、インジウム酸化スズ(ITO)、インジウム酸化亜鉛(IZO)、フッ素酸化スズ(FTO)等が挙げられる。これらの中でも、透明性や仕事関数の観点から、陽極9の材料として、ITO、IZO、FTOが好ましい。
有機EL素子1がトップエミッション型のものである場合、陽極9の材料として、透明導電材料だけでなく、不透明材料を用いてもよく、反射性の材料を用いてもよい。
正孔注入層8に用いられる材料は、陽極9の仕事関数と正孔輸送層7のイオン化ポテンシャル(IP)との関係、電荷輸送特性等の観点に応じて選ばれる。正孔注入層8の材料は、適切なIPと電荷輸送特性を有する化合物であればよく、低分子、高分子問わず、各種の有機化合物、無機化合物を選択して用いることができる。正孔注入層8の材料は、1種のみであってもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。
正孔輸送層7に用いられる材料としては、例えば、下記一般式(7-1)~(7-37)で示される化合物が挙げられる。一般式(7-1)~(7-37)で示される化合物の中でも特に、一般式(7-1)で示されるα-NPDと、バンドギャップが大きく、電気的安定性・熱的安定性に優れる一般式(7-37)で示される化合物とを組み合わせて用いることが好ましい。
正孔輸送層7の材料は、1種のみであってもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。また、正孔輸送層7は、1層のみで形成されていてもよいし、2層以上積層して形成されたものであってもよい。例えば、正孔輸送層7は、発光層6側に配置した一般式(7-37)で示される化合物からなる層と、正孔注入層8側に配置した一般式(7-1)で示されるα-NPDからなる層とを積層したものとすることができる。
本実施形態の有機EL素子1に含まれる発光層6は、電荷輸送および電荷再結合を行うホスト材料と、発光材料であるゲスト材料とを含む。
「ホスト材料」
本実施形態では、ホスト材料として、一般式(1)で表わされる化合物を含む。一般式(1)で表わされる化合物は、1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。
式(1)中のA1とA2は、それぞれ炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数6~40のアリール基である。A1とA2は、同じであることが好ましく、A1とA2の両方が炭素原子数6~40のアリール基であることが好ましい。炭素原子数6~40のアリール基としては、発光層6において平面状のゲスト材料(発光材料)との相互作用を低減させる効果が得られるため、立体的にかさ高いフェニル基が好ましい。
式(1)中のmは0または1であり、0であることが好ましい。式(1)中のmが0であると、ゲスト材料として式(2-1)で示される化合物を用いた場合に、好適なエネルギーギャップを有するものとなる。式(1)中のmが1である場合、A3は、Nを含む炭素原子数3~20のヘテロアリール基、または炭素原子数6~40のアリール基であり、フェニル基であることが好ましい。
下記一般式(1-3)~(1-117)で示される化合物はいずれも、インドロカルバゾール骨格における2つの複素環の窒素原子に、それぞれフェニル基が結合した構造を有する。一般式(1-3)~(1-117)で示される化合物はいずれも、インドロカルバゾール骨格の中心に配置されたベンゼン環の有する水素原子が、置換基で置換された構造を有する。インドロカルバゾール骨格の中心に配置されたベンゼン環に結合する置換基は、置換基を有し、かつ窒素を含む六員環構造を有する。インドロカルバゾール骨格の中心に配置されたベンゼン環には、ベンゼン環を含む連結基を介して、置換基が結合していてもよい。
一般式(1-3)で表わされる化合物は、インドロカルバゾール骨格の中心に配置されたベンゼン環の水素原子が、ジフェニルピリミジン環に由来する原子団に置換された構造を有する。一般式(1-3)で示される化合物は、一重項励起状態(S1)と三重項励起状態(T1)とのエネルギー差が小さく、かつエネルギーギャップが小さいため、外部量子効率が高い有機EL素子1が得られやすく、好ましい。
ゲスト材料としては、配位数が4の金属に平面状の四座配位子が結合した錯体を含む。配位数が4の金属に平面状の四座配位子が結合した錯体は、1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。
ゲスト材料としては、蛍光材料および/またはリン光材料を用いる。ゲスト材料がリン光材料である場合、ゲスト材料のT1エネルギーは、ホスト材料のT1エネルギーよりも小さいことが好ましい。
ゲスト材料は、ホスト材料からのエネルギー移動を有効に行うために、ホスト材料の発光波長と重なる吸収波長を有することが好ましい。
一般式(2)で示される化合物におけるR1、R2、R3、R4はそれぞれ、置換されていてもよい炭素環基または置換されていてもよい複素環基である。R1、R2、R3、R4としての炭素環基または複素環基は、より一層、光の放射に伴う分子の振動が抑えられる化合物となるため、5員環または6員環であることが好ましい。式(2)中のR1、R2、R3、R4は、全て同じであってもよいし、一部または全部がそれぞれ異なっていてもよい。
適切な最低未占有分子軌道(LUMO)レベルを有する電子輸送層5を、陰極3または電子注入層4と発光層6との間に設けると、陰極3または電子注入層4から電子輸送層5への電子注入障壁が緩和され、電子輸送層5から発光層6への電子注入障壁が緩和される。また、電子輸送層5に用いられる材料が適切な最高被占有分子軌道(HOMO)レベルを有する場合、発光層6で再結合せずに対極へ流出する正孔が阻止される。その結果、発光層6内に正孔が閉じ込められて、発光層6内での再結合効率が高められる。
電子輸送層5は、電子注入障壁が問題とならず、発光層6の電子輸送能が十分に高い場合には、省略される場合がある。
電子注入層4に用いられる材料は、陰極3の仕事関数と電子輸送層5のLUMOレベル等の観点から選ばれる。電子注入層4に用いられる材料は、電子輸送層5を設けない場合には、発光層6のゲスト材料およびホスト材料のLUMOレベルを考慮して選ばれる。
電子注入層4に用いられる材料は、有機化合物でもよいし、無機化合物でもよい。電子注入層4が、無機化合物からなるものである場合には、例えば、アルカリ金属や、アルカリ土類金属の他、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、炭酸セシウム等を用いることができ、フッ化リチウムを用いることが好ましい。
陰極3は、電子注入層4または電子輸送層5に電子を注入する。このため、陰極3の材料としては、仕事関数の比較的小さな各種金属材料、各種合金等が用いられる。陰極3の材料としては、例えば、アルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム、金、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、マグネシウムインジウム合金(MgIn)、銀合金等が挙げられる。
有機EL素子1がトップエミッション型のものである場合、陰極3の材料として、透明導電材料が用いられる。なお、陰極3の材料としてITOを用いた場合、ITOの仕事関数が大きいため、電子注入が困難となる。また、ITO膜は、スパッタ法やイオンビーム蒸着法を用いて成膜するため、成膜時に電子注入層4等にダメージが与えられる可能性がある。このため、陰極3の材料としてITOを用いる場合には、電子注入層4とITOとの間に、マグネシウム層や銅フタロシアニン層を設けることが好ましい。
また、電子注入層4、電子輸送層5、発光層6、正孔輸送層7、正孔注入層8の各層を形成する方法として、各層となる有機化合物を含む有機化合物溶液を塗布する塗布法、真空蒸着法、ESDUS(Evaporative Spray Deposition from Ultra-dilute Solution)法などが挙げられる。これらの形成方法の中でも特に、塗布法を用いることが好ましい。
本発明の有機EL素子は、上述した実施形態において説明した有機EL素子に限定されるものではない。
具体的には、上述した実施形態においては、基板2と発光層6との間に陽極9が配置された順構造の有機EL素子1を例に挙げて説明したが、本発明の有機EL素子は、基板と発光層との間に陰極が配置された逆構造のものであってもよい。
また、陰極3、電子注入層4、電子輸送層5、発光層6、正孔輸送層7、正孔注入層8、陽極9の各層は、1層で形成されているものであってもよいし、2層以上からなるものであってもよい。
(実験1)
「実施例1」
石英基板上に真空蒸着により、一般式(1-3)で示される化合物中に、一般式(2-1)で示される化合物を1重量%含む厚み30nmの薄膜を作製した。
一般式(1-3)で示される化合物に代えて、一般式(11)で示される化合物としたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1の薄膜を作製した。
図2に示すように、実施例1の薄膜の発光スペクトルは、比較例1の薄膜と比較して560nm付近にみられるピークの発光強度が小さく、発光の色純度が高いことが確認できた。
「実施例2」
以下に示す材料を用いて、以下に示す方法により、実施例2の有機EL素子を作製した。
基板の陽極上に、真空蒸着法により、正孔注入層と、第2正孔輸送層と、第1正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極とを、この順に形成し、実施例の有機EL素子を作製した。
(正孔注入層)PEDOT(Clevios HIL1.5)(厚み30nm)
(正孔輸送層)「第1正孔輸送層」一般式(7-37)で示される化合物(厚み10nm)「第2正孔輸送層」一般式(7-1)で示されるα-NPD(厚み20nm)
(電子輸送層)TPBi(厚み35nm)
(電子注入層)LiF膜(厚み0.8nm)
(陰極)Al膜(厚み100nm)
発光層のホスト材料に使用した化合物を、一般式(10)で示されるCBPとしたこと以外は、実施例2と同様にして、比較例2の有機EL素子を作製した。
図3に示すように、実施例2の有機EL素子では、比較例2の有機EL素子と比較して、外部量子効率が高かった。
正孔注入層として、一般式(7-37)で示される化合物からなる厚み30nmの膜のみを設けたことと、発光層のゲスト材料に使用した化合物を、一般式(2-3)で示される化合物としたこと以外は、実施例2と同様にして、有機EL素子を作製した。
「比較例3」
発光層のホスト材料に使用した化合物を、一般式(10)で示されるCBPとしたこと以外は、実施例3と同様にして、比較例3の有機EL素子を作製した。
図4に示すように、実施例3の有機EL素子では、比較例3の有機EL素子と比較して、外部量子効率が高かった。
また、実施例2、3および比較例2、3の有機EL素子において、発光層に使用したホスト材料の三重項励起状態(T1)エネルギーとエネルギーギャップとを表1に示す。
また、表1に示すように、実施例2の有機EL素子では、比較例2の有機EL素子と比較して、外部量子効率が高かった。また、実施例3の有機EL素子では、比較例3の有機EL素子と比較して、外部量子効率が高かった。これは、実施例2、3におけるエネルギーギャップが比較例2、3と比較して小さいため、発光層への電荷注入が効率的に行われたことによるものであると推定される。
Claims (6)
- 2つの電極間に、発光層を含む積層構造が形成され、
前記発光層が、ホスト材料とゲスト材料とを含み、前記ホスト材料として下記一般式(1)で示される化合物を含み、前記ゲスト材料として配位数が4の金属に平面状の四座配位子が結合した錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 一般式(1)で示される化合物が、下記一般式(1-2)で示される化合物であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 一般式(2)で示される化合物が、一般式(2-1)で示される化合物または一般式(2-3)で示される化合物であることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012522843A (ja) | 2009-04-06 | 2012-09-27 | アリゾナ ボード オブ リージェンツ アクティング フォー アンド オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ | 四配位白金錯体の合成およびそれらの発光デバイスへの応用 |
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