JP7021737B2 - 融解性多孔性高分子金属錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置 - Google Patents

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Description

本発明は加熱により融解する多孔性高分子金属錯体の触媒、ガス吸着材等としての利用ならびにこれを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置に関する。
多孔性高分子金属錯体(多孔配位高分子(PCP:Porous Coordination Polymer)ともいう)は、金属イオンと有機配位子から得られる結晶性固体で、種々の金属イオン、有機配位子の組み合わせおよび骨格構造の多様性から、触媒やガス貯蔵、分離材料としての利用の可能性を秘めている。
多孔性高分子金属錯体は、通常、微粉末として合成されるため、実用化を考えた場合、取り扱いや、使用後の回収の面から、賦形体に賦形する事が要求される。多孔性高分子金属錯体の様な多孔性材料であるゼオライト等は、バインダーレスまたはバインダー添加ありで圧縮により錠剤等に賦形する方法がよく知られている。バインダーとしては糖類や、樹脂等が利用される。多孔性高分子金属錯体は開発の歴史が浅く、多孔性高分子金属錯体の賦形体を製造する方法としてポリスチレンオリゴマーとのコンポジット化(非特許文献1)、樹脂を利用した賦形(特許文献1)等が知られているが、ゼオライトの様に多様な賦形技術は開発されていない。
多孔性高分子金属錯体は、いわゆる通常の錯体と同様、イオン性の結晶性物質であり、通常、加熱により、多くは300℃以上で分解するため、融解現象を示さない。ごくわずかな融解現象を示す例として、ピリジニウム塩型配位子からなる融解性多孔性高分子金属錯体(非特許文献2)が知られている。この論文に記載されている多孔性高分子金属錯体は、SCN-の対イオンを有しているが、配位子は金属イオンと配位結合する場所を有さず、配位子の負電荷と金属イオンの正電荷の相互作用で物質が構成されている。
また、別の融解性多孔性高分子金属錯体(非特許文献2、非特許文献3および非特許文献4)も知られている。これら化合物は、亜鉛イオンとイミダゾール配位子から形成されており、配位子の窒素原子が亜鉛イオンに配位して架橋することで物質が構成されている。
このような融解性多孔性高分子金属錯体は、熱で溶かした後に、型に填め、後に冷却して取り出す事で賦形体を形成する事が可能である。あるいは融解した状態で他の材料に塗布し、冷却することで容易に複合材料が得られ賦形が可能である。このような融解性多孔性高分子金属錯体は容易に賦形体を得られるという実用的に優れた面があるが、例が少なく、どのような組成でどのように合成すれば融解性多孔性高分子金属錯体が得られるかはよく分かっていない。また上記の例は、非特許文献4に記載の融解性多孔性高分子金属錯体以外はガス吸着能を有していない。この錯体はガス吸着能があるが、融解温度が500℃以上と非常に高温であり、実用的に好ましくない。すなわち、500℃未満の温度で融解するガス吸着特性を有する融解性多孔性高分子金属錯体およびその製造法は知られていない。
特開2015-66512号公報
Livingstonら、J. Am. Chem. Soc. (2013) 15201 Kitagawaら、J. Am. Chem. Soc. (2015) 864 Cheethamら、J. Am. Chem. Soc. (2016)3484 Cheethamら、Nature Comun. (2015) 9079
本発明は、熱により500℃未満の温度で融解するガス吸着特性を有する融解性多孔性高分子金属錯体を提供する。また本発明は、前記複合体を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置を併せて提供することを目的とする。
本発明者らは、前述のような問題点を解決すべく、鋭意研究を積み重ねた結果、遷移金属イオンと1価の対負電荷を有する対イオンと、電荷を有する2個以上の、金属イオンと配位結合する場所を有する配位子から合成される多孔性高分子金属錯体は、低温で融解現象を示すことを見いだし、本発明を完成するに到った。
すなわち本発明は下記にある。
(1) 下記式(1)
[MXY]n (1)
(式中、Mは銅イオン、Xはピリジル型の銅イオンと配位結合する場所を有する配位子、Yは1価の対負電荷を有する対イオンである。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)
で表され、前記配位子Xの静電荷がプラスであり、下記構造を有する3-pybpy または4-pybpy であり、前記Yが、SCN-イオンである、融解性多孔性高分子金属錯体。
Figure 0007021737000001
) (1)に記載の多孔性高分子金属錯体を含むガス吸着材。
) ()に記載のガス吸着材を用いるガス分離装置。
) ()に記載のガス吸着材を用いるガス貯蔵装置。
本発明の多孔性高分子金属錯体は、低温で融解現象を示すため、容易に融解させて、型に填める、あるいは他材料に塗布し、そののち冷却して固化する等の方法で、賦形、あるいはコンポジット材料を調製することができる。このようにして製造された賦形体あるいはコンポジット材料は、触媒やガス吸着・分離材料として利用することができる。
多孔性高分子金属錯体1の金属周りの配位構造を示す。 多孔性高分子金属錯体1のネットワーク構造を示す。 多孔性高分子金属錯体2の金属周りの配位構造を示す。 多孔性高分子金属錯体2のネットワーク構造を示す。 実施例1の粉末X線パターンを示す。下段は単結晶を元にしたシミュレーションパターン、上段が実測値である。 実施例2の粉末X線パターンを示す。下段は単結晶を元にしたシミュレーションパターン、上段が実測値である。 実施例1で得られた化合物のTG、DSCのデータを示す。 実施例2で得られた化合物のTG、DSCのデータを示す。
本発明の融解性多孔性高分子金属錯体は下記式(1)で表すことができる。
下記式(1)
[MXY]n (1)
(式中、Mは遷移金属イオン、Xは2個以上の、金属イオンと配位結合する場所を有する配位子、Yは1価の対負電荷を有する対イオンである。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)
本発明の新規な融解性多孔性高分子金属錯体を形成するのに必要な対イオンYは、SCN-イオン(チオシアネートイオン)である。
例えば、本発明の融解性多孔性高分子金属錯体1は、図1に示すように、遷移金属イオンMとして銅イオンと、1価の対負電荷を有する対イオンYとしてSCN-イオンと、電荷を有する2個以上の、金属イオンと配位結合する場所を有する配位子Xとしてピリジル型配位子とから合成される。
図2に示すように、銅イオンがSCN-イオンにより架橋されることでネットワーク構造が生じている。さらに、銅イオンに対して、ピリジル型の2座の、ピリジニウム基の電荷を有した三環性配位子が配位する事で、主鎖から配位子が枝状に伸びており、この枝状に伸びた配位子同士のπ-π相互作用が構造体形成に寄与していることが判る。
さらに本発明別の例である、図3に示す融解性多孔性高分子金属錯体2では、配位子が両端で配位することで三次元化している(図4参照)。すなわち本発明の多孔性高分子金属錯体は、無機対イオンYにより架橋された遷移金属ネットワーク(図2)に対し、多環性の電荷を有する配位子Xが枝状に配位しており、この枝状に配位した電荷を有する配位子X同士が強い相互作用を有する事で三次元構造体が形成されている。
本発明の多孔性高分子金属錯体は架橋可能な1価の無機対イオンYを含有している必要がある。このような対イオンはSCN-イオンである。SCN-イオンは、遷移金属Mへの配位能が強いS原子を含有しており、強固なネットワークが形成される。
本発明の多孔性高分子金属錯体は、架橋性の無機対イオンYと強い相互作用を有する、遷移金属イオンMを含有する必要がある。遷移金属イオンMの具体例としては、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオンが挙げられる。SCN-イオンと強固な相互作用を有する銅(II)イオンが特に好ましい。
本発明の多孔性高分子金属錯体は、遷移金属イオンMと1価の対イオンYのペアで足りない1価の正電荷を有する配位子Xを含有している。
また配位子Xは、配位子同士の相互作用により、ネットワーク構造を強化するために、六員環を2個以上含有することが好ましい。特に好ましい配位子Xは、六員環2個または3個を有する配位子である。また、配位子Xは、遷移金属イオンMに配位子する為に、末端に複数個の、金属イオンと配位結合する場所を有していることが好ましい。好ましいのはピリジル型の、金属イオンと配位結合する場所を有する配位子である。このような配位子として特に好ましいものとしては、下記の芳香環3個を有する配位子3-pybpy 、4-pybpy が挙げられる。これらの配位子は、簡単な置換基、例えば、アルキル、アルコキシ、ニトロ、ハロゲン等で置換されていてもよい。
Figure 0007021737000002
本発明の融解性多孔性高分子金属錯体は、遷移金属イオンMが無機1価の対イオンで架橋され、さらにそれが電荷を有する多環性配位子Xにより配位を受け、配位子同士の相互作用によりネットワーク構造が強化されている化合物である。一般の多孔性高分子金属錯体は熱により融解する事無く熱分解するのに対して、本発明の多孔性高分子金属錯体が融解するのは、配位子Xが電荷を有する多環性配位子であることから、高分子金属錯体のネットワーク同志の相互作用がそれほど強くなく、熱エネルギーにより切断され、また冷却されることにより結合が再形成されるものと推測される。電荷を有しない多環性配位子を用いると、相互作用が強すぎて熱分解しやすくなる傾向がある。また電荷を有する単環性配位子の場合は、相互作用が弱すぎて一定の構造を保持しづらくなる傾向がある。
本発明の融解性多孔性高分子金属錯体は、金属イオンを多座配位子が架橋する、多くの一般的な多孔性高分子金属錯体とは異なり、1価の無機対イオンYで架橋された遷移金属イオンMとのネットワーク構造が、電荷を有する配位子Xで修飾された構造を有しているため、適度な柔軟性を有している。このため、ガスを印加した場合、ガス圧により構造が変化し、またイオン性に富んでいることから、四重極子を有する二酸化炭素、窒素、酸素等のガスと相互作用しやすく、これらのガスを吸着する事が出来る。また、イオン性に富んでいる事から、触媒として利用する事が出来る。
本発明の式(1)で表される化合物は、金属塩類、2個以上の、金属イオンと配位結合する場所を有する配位子Xを供給する化合物を、溶媒に溶かして溶液状態で混合することで製造できる。
溶媒としては、アルコールなどのプロトン系溶媒とジメチルホルムアミドなどのホルムアミドまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系混合溶媒を利用すると良好な結果が得られる。アルコールなどのプロトン系溶媒及びホルムアミド類やエーテル類は金属塩をよく溶解し、さらに金属イオンや対イオンに配位結合や水素結合することで金属塩を安定化し、配位子との急速な反応を抑制することで、副反応を抑制する。アルコールの例としてはメタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノールなどの脂肪族系1価アルコール及びエチレングリコールなどの脂肪族系2価アルコール類を例示できる。安価でかつ金属塩の溶解性が高いという点でメタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、エチレングリコールが好ましい。またこれらのアルコールは単独で用いてもよいし、複数を混合使用してもよい。ホルムアミド類の例としては、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジブチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどが例示出来る。エーテル類としてはテトラヒドロフラン、ジエチエルエーテル等が類似できる。金属塩の溶解性が高いという点で、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、テトラヒドロフランが好ましい。
アルコール類とジメチルホルムアミド類またはエーテル類の混合比率は1:100~100:0(体積比)で任意である。配位子、金属塩の両方の溶解性が高まり、副生成物の発生を抑制出来るという点で、混合比率は90:10~10:90(体積比)、反応を加速できるという観点から80:20~20:80(体積比)が好ましい。
溶媒として前記のアルコール類やホルムアミド類またはエーテル類の混合溶媒に別種の有機溶媒を混合して使用することも好ましい。混合比率は1:100~100:0(体積比)で任意である。アルコール類とジメチルホルムアミド類またはエーテル類の、他の有機溶媒に対する混合比率を30%以上にすることが、金属塩および配位子の溶解性を向上させる観点から好ましい。
添加剤としてSCN-イオンを含有する塩を添加することは、目的とするネットワーク構造を形成させるために好ましい。SCN-イオンを含有する塩としては入手が容易で、目的のネットワーク構造が形成されやすいという点でナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が好ましい。添加量は、遷移金属塩に対し、0.01モル%から20倍モルである。添加方法としては、金属塩と同時に反応容器に加える方法が挙げられる。
金属塩の溶液および配位子を反応させるに当たり、金属塩および配位子を容器に装填した後、溶媒を添加する方法以外に、金属塩、配位子をそれぞれ別個に溶液として調製した後、これらの溶液を混合してもよい。溶液の混合方法は、金属塩溶液に配位子溶液を添加しても、その逆でもよい。また、金属塩溶液と配位子溶液を、積層した後に自然拡散による方法で混合してもよい。混合法としては、必ずしも溶液で行う必要はなく、例えば、金属塩溶液に固体の配位子を投入し、同時に溶媒を入れる方法や、反応容器に金属塩を装填した後に、配位子の固体または溶液を注入し、さらに金属塩を溶かすための溶液を注入するなど、最終的に反応が実質的に溶媒中で起こる方法であれば、種々の方法が可能である。ただし、金属塩の溶液と配位子の溶液を滴下混合する方法が、工業的には最も操作が簡便であり、好ましい。いずれの方法に於いても、目的のネットワーク構造を形成させる為には、反応溶液を調製した後に静置することで、配位子と金属イオンの反応を適切な速度に保つことが好ましい。ここで、静置する温度は、-40℃~180℃、副生生物の発生が抑制できるという点で、-20℃~150℃が好ましい。静置する時間は、1時間~3ヶ月、さらには副生生物が少ないという点で4時間~2ヶ月であることが好ましい。
溶液の濃度は、金属塩溶液は80mmol/L~2mol/L、好ましくは40mmol/L~4mol/Lであり、配位子の有機溶液は80mmol/L~2mol/L、好ましくは60mmol/L~3mol/Lである。これより低い濃度で反応を行っても目的物は得られるが、製造効率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では、吸着能が低下するため好ましくない。
反応温度は-20~180℃、好ましくは25~150℃である。これ以下の低温で行うと、原料の溶解度が下がるため好ましくない。オートクレーブなどを用いて、より高温で反応を行うことも可能であるが、加熱などのエネルギーコストの割には、収率は向上しないため実質的な意味はない。
本発明の反応で用いられる金属塩と配位子の混合比率は、金属:配位子の比が1:5~5:1のモル比、好ましくは1:3~3:3のモル比の範囲内である。これ以外の範囲では、目的物の収率が低下し、また、未反応の原料が残留して、目的物の取り出しが困難となる。
反応は通常のガラスライニングのSUS製の反応容器および機械式攪拌機を使用して行うことができる。反応終了後は濾過、乾燥を行うことで目的物質と原料の分離を行い、純度の高い目的物質を製造することが可能である。
上記の反応により得られた多孔性高分子金属錯体が目的とする構造を有しているかどうかは、単結晶X線結晶解析により得られた反射を解析することで確認することが出来る。上記の反応により得られた多孔性高分子金属錯体のガス吸着能は、市販のガス吸着装置を用いて測定が可能である。
多孔性高分子金属錯体の構造の決定は単結晶X線回折を利用した。単結晶X線回折は、(株)リガク社製単結晶測定装置(極微小結晶用単結晶構造解析装置VariMax、MoKα線(λ=0.71069Å))にて測定した。測定条件は、照射時間1:1秒、2:1秒、3:2秒、d=45ミリ、2θ=-20、温度=-100℃(1、2)、20℃(3)であった。得られた回折像を解析ソフトウェア「ヤドカリXG2009」を使用して解析した。融解現象は、TGを用いて測定した。
粉末X線測定による解析
(株)リガク社製粉末X線回折測定装置(Rigaku RINT2000 Ultima+(Cu-Kα線)(λ=0.154056Å))にて測定した。測定条件は、2θ=5~35°、サンプリング幅=0.040°、スキャンスピード=3秒、測定温度=25℃であった。
ガス吸着能の測定は、マイクロトラックベル社、ベルミニIIを用いて測定できる。
配位子Xの例として、3-pybpyを以下の手順で合成する。
Zincke塩の合成
4,4’-Bipyridine(3.5012g、22.4mmol)と1-chloro-2 4-dinitrobenzene(3.0014g、14.8mmol)をアセトンで13時間還流して合成した。
Figure 0007021737000003
3-pybpySCNの合成
Zinche塩(3.83g、10.68mmol)と3-Aminopyridine(1.2788g、13.59mmol)を40mlエタノール中で24時間還流した。濾過により沈殿物を除き、濾液を濃縮した。アセトンで洗浄した後、真空乾燥した。
3-pybpyClとKSCNをアセトニトリルに溶解し、12時間撹拌した。沈殿物を濾過して取り除き、濾液を濃縮して3-pybpySCNを得た。
<実施例1>
多孔性高分子金属錯体1の合成
チオシアン酸銅0.075mmol,3-pybpySCN0.15mmol、KSCN0.15mmol、2.25mlのTHFと0.75mlのメタノールを4mlのガラス容器に加え、90℃で48時間加熱し、得られた粉末を濾取することで合成した。単結晶X線構造解析により構造決定を行った((1)a=7.7992(18)、b=13.438(3)、c=15.813(4);α=90、β=96.312(3)、γ=90;空間群=P21/n)。粉末X線パターンを図5に示す。図5の下段は単結晶を元にしたシミュレーションパターン、上段が実測値である。
本物質をTGで測定したところ、203℃付近に融点が観測され、また冷却後に粉末X線を測定したところ、融解前と同じパターンが示されたことから、本化合物は融解性物質であることが明らかになった。本発明の化合物は、酸素、窒素、二酸化炭素ガスを吸着する。この化合物のTG、DSCのデータを図7に示す。
<実施例2>
多孔性高分子金属錯体2の合成
チオシアン酸銅0.05mmol,3-pybpySCN0.2mmol、KSCN 0.2mmol、2mlのTHFと0.1mlのメタノールを4mlのガラス容器に加え、90℃で48時間加熱し、得られた粉末を濾取することで合成した。単結晶X線構造解析により構造決定を行った(a=14.570(3)、b=7.2048(13)、c=16.375(3);α=90、β=106.271(3)、γ=90;空間群=P21/n;(3)a=17.127(11)、b=7.441(4)、c=18.764(11);α=90、β=108.532(8)、γ=90;空間群=P21/a)。粉末X線パターンを図6に示す。図6の下段は単結晶を元にしたシミュレーションパターン、上段が実測値である。
本物質をTGで測定したところ、179℃付近に融点が観測され、また冷却後に粉末X線を測定したところ、融解前と同じパターンが示されたことから、本化合物は融解性物質であることが明らかになった。本発明の化合物は、酸素、窒素、二酸化炭素ガスを吸着する。この化合物のTG、DSCのデータを図8に示す。
<比較例1>
硝酸銅3水和物:0.075mmol、3-pybpyNO:0.15mmol、KNO:0.15mmol、および2.25mlのTHFと0.75mlのメタノールを4mlのガラス容器に加え、90℃で48時間加熱した。その後、得られた粉末を濾取した。本物質をTGで測定したところ、明確な融点を示さなかった。またガスも吸着しなかった。
<比較例2>
塩化銅水和物:0.05mmol、3-pybpyCl:0.2mmol、KCl:0.2mmol、および2mlのTHFと0.1mlのメタノールを4mlのガラス容器に加え、90℃で48時間加熱した。その後、得られた粉末を濾取した。本物質をTGで測定したところ、明確な融点を示さなかった。またガスも吸着しなかった。

Claims (4)

  1. 下記式(1)
    [MXY]n (1)
    (式中、Mは銅イオン、Xはピリジル型の銅イオンと配位結合する場所を有する配位子、Yは1価の対負電荷を有する対イオンである。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)
    で表され、前記配位子Xの静電荷がプラスであり、下記構造を有する3-pybpy または4-pybpy であり、前記Yが、SCN-イオンである、融解性多孔性高分子金属錯体。
    Figure 0007021737000004
  2. 請求項1に記載の多孔性高分子金属錯体を含むガス吸着材。
  3. 請求項2に記載のガス吸着材を用いるガス分離装置。
  4. 請求項2に記載のガス吸着材を用いるガス貯蔵装置。
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