JP7016806B2 - フレキシブル太陽電池 - Google Patents
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Description
しかしながら、このようなフレキシブル太陽電池に有機無機ペロブスカイト化合物を含む光電変換層を用いた場合、耐久性に劣るという問題があった。
以下に本発明を詳述する。
このようなフレキシブル太陽電池において、光電変換層14に含まれる有機無機ペロブスカイト化合物は水分に非常に弱いため、大気中の水分による劣化を防ぐためにバリア層16によって保護されており、大気と接触しないようになっている。しかし、光電変換層14は、フレキシブル基材11と電極13の間を絶縁するために形成される有機絶縁層12と接しており、この有機絶縁層12が水分を吸収しやすい性質をもっている。そして、従来のフレキシブル太陽電池では、有機絶縁層12がフレキシブル太陽電池の側面で大気に露出しているため、そこから水分がフレキシブル太陽電池の内部に侵入し、有機絶縁層12と光電変換層14との界面まで達することで、有機無機ペロブスカイト化合物を劣化させていた。
これに対して、本発明者らは、有機絶縁層の側面まで敢えてバリア層で保護することにより、大気中の水分の侵入を防ぐことができることを見出した。なかでも、本発明者らは更に検討した結果、有機絶縁層の端部がフレキシブル基材の端部よりも内側に位置する構造とすることで、フレキシブル太陽電池の側面までバリア層を形成しなくとも有機絶縁層の側面を保護することができ、大気中の水分の侵入を防ぐことができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
なお、本明細書中、「層」とは、明確な境界を有する層だけではなく、含有元素が徐々に変化する濃度勾配のある層をも意味する。なお、層の元素分析は、例えば、太陽電池の断面のFE-TEM/EDS線分析測定を行い、特定元素の元素分布を確認する等によって行うことができる。また、本明細書中、層とは、平坦な薄膜状の層だけではなく、他の層と一緒になって複雑に入り組んだ構造を形成しうる層をも意味する。
本発明の太陽電池では、図2及び図3に一例として示すように、バリア層36、26が少なくとも光電変換層34、24を封止し、かつ、有機絶縁層32、22の側面全体を封止しているため、大気中の水分が有機絶縁層32、22へ侵入することがなく、光電変換層34、24の劣化を防止できる。
上記バリア層は、少なくとも上記光電変換層を封止し、かつ、上記有機絶縁層の側面全体を封止していればよいが、上記電極、上記対向電極、後述する電子輸送層及びホール輸送層等を更に封止していてもよい。なお、本明細書中、バリア層が「封止している」とは、バリア層がその端部を閉じるようにして対象物全体を覆っていることを意味する。
本発明の太陽電池では、図3に一例として示すように、有機絶縁層22が基材21の端部(基材21の両端)より内側、つまり、基材21が有機絶縁層22の外周からはみ出すように形成されていてもよい。その結果、バリア層26を形成した際に、有機絶縁層22の側面まで封止しやすくなるため、大気中の水分が有機絶縁層22へ侵入することがなく、光電変換層24の劣化を防止できる。
また、上記有機絶縁層の端部を上記基材の端部よりも内側にすることで、太陽電池の側面までバリア層を形成する必要がないため、高耐久性の太陽電池を低コストで製造することができる。
ただし、上記有機絶縁層は、上記基材の端部まで形成されていてもよい。この場合であっても、図2に一例として示すように、バリア層36が有機絶縁層32の側面まで回り込んで封止していれば、大気中の水分が有機絶縁層32へ侵入することがなく、光電変換層34の劣化を防止できる。
フレキシブル基材を金属箔とすることで、耐熱性高分子を用いる場合と比べてコストを抑えられるとともに、高温処理を行うことができる。上記金属箔としては、例えば、アルミニウム、チタン、銅、金等の金属や、ステンレス鋼(SUS)等の合金を用いることができる。これらの材料は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記有機絶縁層としては、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。なかでも、絶縁性が優れていることから、ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
上記電極及び上記対向電極の材料として、例えば、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム-銀混合物、マグネシウム-インジウム混合物、アルミニウム-リチウム合金、Al/Al2O3混合物、Al/LiF混合物、金等の金属、CuI、ITO(インジウムスズ酸化物)、SnO2、AZO(アルミニウム亜鉛酸化物)、IZO(インジウム亜鉛酸化物)、GZO(ガリウム亜鉛酸化物)等の導電性透明材料、導電性透明ポリマー等が挙げられる。これらの材料は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
また、上記電極及び上記対向電極は、どちらが陰極になってもよく、陽極になってもよい。
上記光電変換層に上記有機無機ペロブスカイト化合物を用いることにより、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。上記有機無機ペロブスカイト化合物は、一般式R-M-X3(但し、Rは有機分子、Mは金属原子、Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子である。)で表される有機無機ペロブスカイト化合物であることが好ましい。
上記Rは、具体的には例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、エチルメチルアミン、メチルプロピルアミン、ブチルメチルアミン、メチルペンチルアミン、ヘキシルメチルアミン、エチルプロピルアミン、エチルブチルアミン、イミダゾール、アゾール、ピロール、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、イミダゾリン、カルバゾール、メチルカルボキシアミン、エチルカルボキシアミン、プロピルカルボキシアミン、ブチルカルボキシアミン、ペンチルカルボキシアミン、ヘキシルカルボキシアミン、ホルムアミジニウム、グアニジン、アニリン、ピリジン及びこれらのイオン(例えば、メチルアンモニウム(CH3NH3)等)やフェネチルアンモニウム等が挙げられる。なかでも、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、プロピルカルボキシアミン、ブチルカルボキシアミン、ペンチルカルボキシアミン、ホルムアミジニウム、グアニジン及びこれらのイオンが好ましく、メチルアミン、エチルアミン、ペンチルカルボキシアミン、ホルムアミジニウム、グアニジン及びこれらのイオンがより好ましい。中でも高い光電変換効率が得られることから、メチルアミン、ホルムアミジニウム及びこれらのイオンが更に好ましい。
図4は、体心に金属原子M、各頂点に有機分子R、面心にハロゲン原子又はカルコゲン原子Xが配置された立方晶系の構造である、有機無機ペロブスカイト化合物の結晶構造の一例を示す模式図である。詳細は明らかではないが、上記構造を有することにより、結晶格子内の八面体の向きが容易に変わることができるため、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上すると推定される。
上記有機無機ペロブスカイト化合物が結晶性半導体であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上する。また、上記有機無機ペロブスカイト化合物が結晶性半導体であれば、太陽電池に光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)、特に短絡電流の低下に起因する光劣化が抑制されやすくなる。
上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度の好ましい下限は30%である。上記結晶化度が30%以上であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上する。また、上記結晶化度が30%以上であれば、太陽電池に光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)、特に短絡電流の低下に起因する光劣化が抑制されやすくなる。上記結晶化度のより好ましい下限は50%、更に好ましい下限は70%である。
また、上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度を上げる方法として、例えば、熱アニール(加熱処理)、レーザー等の強度の強い光の照射、プラズマ照射等が挙げられる。
上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶子径が5nm以上であれば、太陽電池に光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)、特に短絡電流の低下に起因する光劣化が抑制される。また、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上する。上記結晶子径の好ましい下限は10nm、より好ましい下限は20nmである。
上記有機半導体として、例えば、ポリ(3-アルキルチオフェン)等のチオフェン骨格を有する化合物等が挙げられる。また、例えば、ポリパラフェニレンビニレン骨格、ポリビニルカルバゾール骨格、ポリアニリン骨格、ポリアセチレン骨格等を有する導電性高分子等も挙げられる。更に、例えば、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ペンタセン骨格、ベンゾポルフィリン骨格等のポルフィリン骨格、スピロビフルオレン骨格等を有する化合物や、表面修飾されていてもよいカーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン等のカーボン含有材料も挙げられる。
これらの加熱操作は真空又は不活性ガス下で行われることが好ましく、露点温度は10℃以下が好ましく、7.5℃以下がより好ましく、5℃以下が更に好ましい。
上記電子輸送層の材料は特に限定されず、例えば、N型導電性高分子、N型低分子有機半導体、N型金属酸化物、N型金属硫化物、ハロゲン化アルカリ金属、アルカリ金属、界面活性剤等が挙げられる。具体的には例えば、シアノ基含有ポリフェニレンビニレン、ホウ素含有ポリマー、バソキュプロイン、バソフェナントレン、ヒドロキシキノリナトアルミニウム、オキサジアゾール化合物、ベンゾイミダゾール化合物、ナフタレンテトラカルボン酸化合物、ペリレン誘導体、ホスフィンオキサイド化合物、ホスフィンスルフィド化合物、フルオロ基含有フタロシアニン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム、硫化スズ、硫化インジウム、硫化亜鉛等が挙げられる。
上記ホール輸送層の材料は特に限定されず、例えば、P型導電性高分子、P型低分子有機半導体、P型金属酸化物、P型金属硫化物、界面活性剤等が挙げられる。具体的には例えば、ポリ(3-アルキルチオフェン)等のチオフェン骨格を有する化合物等が挙げられる。また、例えば、トリフェニルアミン骨格、ポリパラフェニレンビニレン骨格、ポリビニルカルバゾール骨格、ポリアニリン骨格、ポリアセチレン骨格等を有する導電性高分子等も挙げられる。更に、例えば、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ペンタセン骨格、ベンゾポルフィリン骨格等のポルフィリン骨格、スピロビフルオレン骨格等を有する化合物等が挙げられる。更に、例えば、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化銅、酸化スズ、硫化モリブデン、硫化タングステン、硫化銅、硫化スズ等、フルオロ基含有ホスホン酸、カルボニル基含有ホスホン酸、CuSCN、CuI等の銅化合物、カーボンナノチューブ、グラフェン等のカーボン含有材料等が挙げられる。
なお、上記バリア層の厚みは、光学干渉式膜厚測定装置(例えば、大塚電子社製のFE-3000等)を用いて測定することができる。
上記スパッタリング法においては、金属ターゲット、及び、酸素ガス又は窒素ガスを原料とし、上記対向電極上に原料を堆積して製膜することにより、無機材料からなるバリア層を形成することができる。
上記有機絶縁層の側面全体を封止するように上記バリア層を形成するためには、上記有機絶縁層の端部をマスクで覆うことなく、かつ、上記有機絶縁層の幅よりも小さい幅のスパッタターゲットを用いて製膜することが好ましい。これにより、上記有機絶縁層を上記基材の端部まで形成したとしても、上記バリア層が上記有機絶縁層の側面まで回り込んで封止することができる。更には、製膜時の圧力を0.5Paよりも高くすることが好ましい。これにより、スパッタ粒子の平均自由行程が短くなり直進性が低くなるため、上記有機絶縁層の側面の封止性がより向上する。また、上記有機絶縁層の側面全体を封止するように上記バリア層を形成するためには、上記有機絶縁層の端部を上記基材の端部よりも内側に位置させることも好ましい。
(試験用フレキシブル太陽電池の製造)
耐久性を評価するためのサンプルとして以下の工程で試験用フレキシブル太陽電池を製造した。
厚さ100μmのアルミニウム箔の表面上に、アルミニウム箔の端をマスクで覆った上でスピンコートすることで厚さ3μmのポリイミド樹脂(UV-S、宇部興産社製)からなる有機絶縁層を形成した。これにより、有機絶縁層の端部の位置をアルミニウム箔の端部より2mm内側とした。有機絶縁層形成後にマスクを除去した。
次いで、有機絶縁層上に、陰極として真空蒸着法により厚み200nmのアルミニウム膜を、マスクを用いて所定の位置に形成した。陰極形成後にマスクを除去した。
その後、陰極上に有機バインダとしてのポリイソブチルメタクリレートと酸化チタン(平均粒子径10nmと30nmとの混合物)とを含有する酸化チタンペーストをスピンコート法により塗布し、アルミニウム箔の端部と陰極の一部が露出するように酸化チタンペーストを拭き取り、150℃で10分間乾燥させた。更に、高圧水銀ランプ(セン特殊光源社製、HLR100T-2)を用いて、紫外線を射強度500mW/cm2で15分間照射し、酸化チタンからなる厚み200nmの多孔質状の電子輸送層を形成した。
次いで、ハロゲン化金属化合物としてヨウ化鉛をN,N-ジメチルホルムアミド(DMF)に溶解させて1Mの溶液を調製し、上記多孔質状の電子輸送層上にスピンコート法によって製膜した。更に、アミン化合物としてヨウ化メチルアンモニウムを2-プロパノールに溶解させて1Mの溶液を調製した。この溶液内に上記のヨウ化鉛を製膜したサンプルを浸漬させることによって有機無機ペロブスカイト化合物であるCH3NH3PbI3を含む層を形成し、アルミニウム箔の端部と陰極の一部が露出するように有機無機ペロブスカイト化合物を含む層を拭き取った。その後、得られたサンプルに対して120℃にて30分間アニール処理を行った。
アニール後の光電変換層の有機無機ペロブスカイト化合物部位上に、Poly(4-butylphenyl-diphenyl-amine)(1-Material社製)の2重量%クロロベンゼン溶液を、スピンコート法によって100nmの厚みに積層してホール輸送層を形成した。アルミニウム箔の端部と陰極の一部が露出するようにホール輸送層を拭き取った。
次いで、マスクを用いて、ホール輸送層上の所定の位置に、電子ビーム蒸着法によってITOからなる厚み1000nmの陽極を形成した。陽極の形成後、マスクを除去した。
次いで、陰極と陽極の取り出し電極を接続する部分をマスクで覆い、スパッタ法により100nmのZnSnOからなるバリア層を、アルミニウム箔の全面かつ有機絶縁層の側面全体を覆うように形成した。その後マスクを除去して試験用フレキシブル太陽電池を得た。
有機絶縁層の種類、バリア層の種類及び基材の端部と有機絶縁層の端部との距離を表1の通りに変更した以外は実施例1と同様にして試験用フレキシブル太陽電池を得た。なお、フッ素樹脂(PTFE)は、旭硝子社製CTL-107MKを、シリコーン樹脂は、信越シリコーン社製KR255を用いた。
有機絶縁層をアルミニウム箔の端部まで形成し、有機絶縁層の端部にテープを貼ってマスクしたうえでバリア層を形成することにより有機絶縁層の側面までバリア層を形成しなかった以外は実施例1と同様にして、試験用フレキシブル太陽電池を製造した。
有機絶縁層の種類及びバリア層の種類を表1に記載のものに変更した以外は比較例1と同様にして、試験用フレキシブル太陽電池を製造した。
実施例、比較例及び参考例で得られた試験用フレキシブル太陽電池について以下の評価を行った。結果を表1に示した。
太陽電池の電極間に、電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、強度100mW/cm2のソーラーシミュレーション(山下電装社製)を用いて、露光面積0.01cm2にて光電変換効率を測定し、得られた光電変換効率を初期光電変換効率とした。その後、太陽電池を85%RH、85℃の条件下に置いて耐久試験を行った。耐久試験を100時間行うごとに初期光電変換効率と同様にして光電変換効率を測定し、光電変換効率が初期光電変換効率の80%となった時の時間を測定した。なお、1000時間後の測定においても光電変換効率が初期光電変換効率の80%以上であった場合には劣化無しとした。
12、22、32 有機絶縁層
13、23、33 電極
14、24、34 有機無機ペロブスカイト化合物を含む光電変換層
15、25、35 対向電極
16、26、36 バリア層
17、27、37 取り出し電極
Claims (1)
- 少なくとも、フレキシブル基材と、有機絶縁層と、電極と、光電変換層と、対向電極と、バリア層とがこの順番に積層されたフレキシブル太陽電池であって、
前記フレキシブル基材は金属箔からなり、
前記光電変換層は、有機無機ペロブスカイト化合物を含んでおり、
前記バリア層は、少なくとも前記光電変換層を封止し、かつ、前記有機絶縁層の側面全体を封止しており、
前記バリア層は、前記電極に取り出し電極を接続するための開口部を有しており、
前記有機絶縁層の端部は、前記フレキシブル基材の端部よりも内側に位置する
ことを特徴とするフレキシブル太陽電池。
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