JP7016256B2 - Manufacturing method of printed wiring board - Google Patents

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Description

本発明は、キャビティを有する印刷配線板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board having a cavity.

近年、基板や配線の高集積化および高密度化に伴い、多層基板にキャビティと呼ばれる凹部を設けて、そこに電子部品を実装するケースがあるが、キャビティに電子部品を実装する上では、キャビティ底部を平坦にして電子部品の接着力を強化することが望まれる。 In recent years, with the increasing integration and density of boards and wiring, there are cases where a recess called a cavity is provided in a multilayer board and electronic components are mounted there. However, when mounting electronic components in a cavity, the cavity is used. It is desirable to flatten the bottom to strengthen the adhesive strength of electronic components.

従来の印刷配線板において、例えばレーザアブレーションのザグリ加工でキャビティを形成する場合、キャビティ底部にレーザ受け用の銅ベタパターンを形成し、その銅ベタパターンをエッチングして下地の樹脂を露出させる。その樹脂を選択的にレーザで除去することで、下層のBGAボールパッドを露出させ、キャビティ底部に電子部品接続用のパッドを形成している。 In a conventional printed wiring board, for example, when a cavity is formed by counterbore processing of laser ablation, a solid copper pattern for receiving a laser is formed at the bottom of the cavity, and the solid copper pattern is etched to expose the underlying resin. By selectively removing the resin with a laser, the lower BGA ball pad is exposed, and a pad for connecting electronic components is formed at the bottom of the cavity.

ところで、このようなキャビティ構造の印刷配線板では、レーザ加工で樹脂を除去してBGAボールパッドを露出させることから、レーザ加工の精度によって隣接パッドどうしの間隔が決まる。このため、パッド間隔をより狭くして多くの配線を形成する、いわゆる微細化の面で限界があるといえる。 By the way, in a printed wiring board having such a cavity structure, since the resin is removed by laser processing to expose the BGA ball pads, the distance between adjacent pads is determined by the accuracy of laser processing. Therefore, it can be said that there is a limit in terms of so-called miniaturization in which the pad spacing is narrowed to form more wiring.

また、キャビティの底になる樹脂層を除去して下層のBGAボールパッドを露出させるため、BGAボールパッドと同じ面にはキャビティの底面から外側へは導体層を形成できない。このため、キャビティに収容した電子部品と基板の回路とを接続するには、基板にビアを設けて回路を上層または下層に落とし込んで配線するなど、配線を引き回す必要がある。 Further, since the resin layer at the bottom of the cavity is removed to expose the lower BGA ball pad, a conductor layer cannot be formed from the bottom surface of the cavity to the outside on the same surface as the BGA ball pad. Therefore, in order to connect the electronic components housed in the cavity to the circuit of the board, it is necessary to route the wiring by providing a via on the board and dropping the circuit into the upper layer or the lower layer for wiring.

また、電子部品と基板の回路との接続をワイヤーボンディング接続などの手法を用いて上部で行う場合、電子部品キャビティ内に実装する電子部品の固定はキャビティ底の樹脂面かその樹脂面に形成した銅ベタパターンになるが、樹脂は接着剤が浸透して厚みが管理できず、銅ベタパターンは銅箔と銅めっきの積層構造で厚く形成するため、いずれにしても厚みがばらつき接着強度の面で難がある。 Further, when the connection between the electronic component and the circuit of the board is performed at the upper part by using a method such as wire bonding connection, the electronic component to be mounted in the electronic component cavity is fixed to the resin surface at the bottom of the cavity or the resin surface thereof. Although it becomes a solid copper pattern, the thickness of the resin cannot be controlled due to the penetration of the adhesive, and the solid copper pattern is formed thick by the laminated structure of copper foil and copper plating. There is a difficulty.

特開2016‐122728号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-12728

このように、キャビティに電子部品を収容して回路を接続する場合、キャビティ底部での接続では、キャビティ内の電子部品とキャビティの外側の回路との接続に、ビアを設けて配線を下層または上層に引き回す必要がある。
また、キャビティに収容した電子部品と上部で接続する場合は、キャビティ底面を構成する層の厚みがばらつき、電子部品を固定する力が弱いという問題があった。
In this way, when the electronic components are housed in the cavity and the circuit is connected, in the connection at the bottom of the cavity, vias are provided in the connection between the electronic components in the cavity and the circuit outside the cavity, and the wiring is connected to the lower layer or the upper layer. Need to be routed to.
Further, when the electronic component housed in the cavity is connected at the upper part, there is a problem that the thickness of the layer constituting the bottom surface of the cavity varies and the force for fixing the electronic component is weak.

本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、キャビティ内の電子部品とキャビティ外側の回路との接続を容易にしつつキャビティ底部での電子部品の固定力を高めることができる印刷配線板の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made to solve such a problem, and is a printed wiring that can increase the fixing force of the electronic component at the bottom of the cavity while facilitating the connection between the electronic component inside the cavity and the circuit outside the cavity. The purpose is to provide a method for manufacturing a board.

本発明の印刷配線板の製造方法は、厚みが1μm以上5μm以下のシード層を形成済みの基板を準備する工程と、前記シード層が形成された前記基板にビアホール下穴を形成する工程と、前記シード層上に第1のドライフィルムを貼り付け、露光および現像して、後に形成するビアおよびその周囲の前記シード層上の前記第1のドライフィルムを除く工程と、前記基板に形成した前記ビアホール下穴および該ビアホール下穴の周囲の前記シード層上にパターンめっき処理を施して、前記ビアホール下穴にビアを、および前記ビアホール下穴の周囲の前記シード層上に導電層を形成する工程と、前記基板上から、残った前記第1のドライフィルムを剥離する工程と、前記ビアおよび前記導電層を形成した前記基板上の、後にキャビティ形成予定領域となる部分の幅よりも広くして第2のドライフィルムを形成する工程と、前記シード層のうち、前記第2のドライフィルム外の部分を除去してコア基板を形成する工程と、前記コア基板にビルドアップ層を積層して、前記シード層の一部が内部に埋め込まれた多層基板を作製する工程と、前記多層基板の一部領域を上方からドリル加工して前記シード層上の近傍位置まで絶縁樹脂を除去してキャビティを形成する工程と、前記シード層をレーザ光の遮蔽部材にして、前記キャビティに残る前記絶縁樹脂の残部をレーザ加工により除去し、前記シード層を前記キャビティの底部に露出させる工程とを有する。 The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention includes a step of preparing a substrate on which a seed layer having a thickness of 1 μm or more and 5 μm or less has been formed, a step of forming a via hole pilot hole in the substrate on which the seed layer is formed, and a step of forming a via hole pilot hole. The steps of attaching the first dry film on the seed layer, exposing and developing the vias to be formed later and removing the first dry film on the seed layer around the vias, and the above-mentioned formed on the substrate. A step of applying a pattern plating process on the via hole pilot hole and the seed layer around the via hole pilot hole to form a via on the via hole pilot hole and a conductive layer on the seed layer around the via hole pilot hole. The width of the step of peeling off the remaining first dry film from the substrate and the width of the portion of the substrate on which the via and the conductive layer are formed, which will later become a cavity formation planned region, is made wider than the width of the substrate. A step of forming a second dry film, a step of removing a portion of the seed layer outside the second dry film to form a core substrate, and a step of laminating a build-up layer on the core substrate are performed. A step of producing a multilayer board in which a part of the seed layer is embedded inside, and a cavity is formed by drilling a part of the area of the multilayer board from above to remove the insulating resin to a position close to the seed layer. It has a step of forming and a step of using the seed layer as a shielding member for laser light, removing the remaining portion of the insulating resin remaining in the cavity by laser processing, and exposing the seed layer to the bottom of the cavity.

本発明によれば、キャビティ内の電子部品とキャビティ外側の回路との接続を容易にしつつキャビティ底部での電子部品の固定力を高めることができる印刷配線板の製造方法を提供することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a printed wiring board capable of increasing the fixing force of an electronic component at the bottom of the cavity while facilitating the connection between the electronic component inside the cavity and the circuit outside the cavity.

第1実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional 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the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第2実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第2実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第2実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第2実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第2実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第2実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第2実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第2実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第3実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 3rd Embodiment. 第3実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 3rd Embodiment. 第3実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 3rd Embodiment. 第3実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 3rd Embodiment. 第3実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 3rd Embodiment. 第3実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the printed wiring board of 3rd Embodiment. 第3実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。It is sectional 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the printed wiring board of 3rd Embodiment.

以下、図面を参照して本発明に係るいくつかの実施の形態を説明する。
(第1実施形態)
図12は本発明に係る第1実施形態の印刷配線板の構成を示す図である。
Hereinafter, some embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.
(First Embodiment)
FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

図12に示すように、第1実施形態の印刷配線板は、多層基板54の各層に設けられる導体(導体層16、17、69)を層間接続するビア15と、多層基板54の所定の層の一部の領域(コア基板51表面のシード層12の領域の一部)が露出するようにキャビティ底部を形成したキャビティ20と、このキャビティ20の底部に形成された薄く平坦な第1導体層としてのシード層12と、キャビティ22内に収容され、キャビティ20の底部のシード層12の上にめっき層81および接着層82を介して固定された電子部品84と、多層基板54の上に形成された接続パッド83と、この接続パッド83と電子部品84の上部電極85とを接続するボンディングワイヤー89とを有する。 As shown in FIG. 12, the printed wiring board of the first embodiment has a via 15 for interlayerly connecting conductors (conductor layers 16, 17, 69) provided in each layer of the multilayer board 54, and a predetermined layer of the multilayer board 54. A cavity 20 having a cavity bottom formed so that a part of the region (a part of the seed layer 12 region on the surface of the core substrate 51) is exposed, and a thin and flat first conductor layer formed at the bottom of the cavity 20. And formed on the electronic component 84 housed in the cavity 22 and fixed on the seed layer 12 at the bottom of the cavity 20 via the plating layer 81 and the adhesive layer 82, and on the multilayer substrate 54. It has a connection pad 83, and a bonding wire 89 that connects the connection pad 83 and the upper electrode 85 of the electronic component 84.

なお、電子部品84を固定するには、めっき層81は必須要素ではなく、電子部品84を接着層82を介してシード層12の上に接着してもよい。接着層82には、熱伝導率のよい素材を利用するとなおよい。 In order to fix the electronic component 84, the plating layer 81 is not an essential element, and the electronic component 84 may be adhered onto the seed layer 12 via the adhesive layer 82. It is even more preferable to use a material having good thermal conductivity for the adhesive layer 82.

多層基板54は、コア基板51の上層にビルドアップ層61、コア基板51の下層にビルドアップ層62をそれぞれ形成した多層の基板構造体であり、導体層63aを形成した絶縁樹脂層61bと、この絶縁樹脂層61bよりも下に形成され、上面にシード層12を形成したコア基板51とを有する。 The multilayer board 54 is a multilayer board structure in which a build-up layer 61 is formed on an upper layer of a core substrate 51 and a build-up layer 62 is formed on a lower layer of a core substrate 51. It has a core substrate 51 formed below the insulating resin layer 61b and having a seed layer 12 formed on the upper surface thereof.

キャビティ20は、多層基板54の所定の層の一部の領域(コア基板54上に形成されたシード層12の領域内のキャビティ20の形成予定の領域65)を所定の深さ(ビルドアップ層61の絶縁樹脂層61a上面位置の近傍位置)までドリル加工および/またはレーザ加工でザグリ加工し、この加工で残った残部をレーザ加工で除去して底部を形成した凹状部である。 The cavity 20 has a predetermined depth (build-up layer) of a part of a region of a predetermined layer of the multilayer substrate 54 (a region 65 to be formed of the cavity 20 in the region of the seed layer 12 formed on the core substrate 54). It is a concave portion formed by drilling and / or laser processing to a position near the upper surface position of the insulating resin layer 61a of 61) and removing the balance remaining by this processing by laser processing.

すなわち、キャビティ20は、領域65を電子部品84が収容可能な幅でザグリ加工してキャビティ底部(底面)を形成した凹状の溝部であり、コア基板51の上面に形成したシード層12が露出するようにキャビティ底部(底面)を形成したものである。 That is, the cavity 20 is a concave groove portion in which the region 65 is counterbored to a width that can accommodate the electronic component 84 to form the cavity bottom (bottom surface), and the seed layer 12 formed on the upper surface of the core substrate 51 is exposed. The bottom of the cavity (bottom surface) is formed as described above.

電子部品84は、例えばベアチップ(パッケージ化されていない端子なしのIC)などであり、ワイヤーボンディング接続用の上部電極85を有する。電子部品84は、キャビティ20の底部に露出したシード層12の上にニッケルめっきおよび金めっきなどの金属めっき層81および接着層82を介して接着され、固定されている。 The electronic component 84 is, for example, a bare chip (an unpackaged terminalless IC) and has an upper electrode 85 for wire bonding connection. The electronic component 84 is bonded and fixed on the seed layer 12 exposed at the bottom of the cavity 20 via a metal plating layer 81 such as nickel plating and gold plating and an adhesive layer 82.

導体層63aは、この多層基板54(コア基板51とその上下のビルドアップ層61、62)に形成される回路の一部として設けられている。導体層63aは、銅ベタパターンであり、例えば銅箔(厚み9μm程度)に銅めっき(厚み15μm程度)を施して形成したものである。 The conductor layer 63a is provided as a part of a circuit formed on the multilayer board 54 (the core board 51 and the build-up layers 61 and 62 above and below the core board 51). The conductor layer 63a is a solid copper pattern, and is formed by, for example, plating a copper foil (thickness of about 9 μm) with copper plating (thickness of about 15 μm).

導体層63aの延伸先(面に沿う方向)にはビア15が接続されている。ビア15は、多層基板54の各層に設けられる導体(導体層16、63a、70など)を層間接続する。 A via 15 is connected to the extension destination (direction along the surface) of the conductor layer 63a. The via 15 interconnects conductors (conductor layers 16, 63a, 70, etc.) provided in each layer of the multilayer board 54.

接続パッド83は、ニッケルめっきの上に金めっきを施した金属めっき層であり、導体層63aの上に形成される。接続パッド83は、電子部品84の上部電極85とボンディングワイヤー89を介して接続することで、電子部品84とこの多層基板54のキャビティ外側の回路とを接続する。つまり接続パッド83は、キャビティ20(電子部品84)との間をワイヤーボンディングにより接続するためのパッドである。 The connection pad 83 is a metal plating layer obtained by gold plating on nickel plating, and is formed on the conductor layer 63a. The connection pad 83 connects the electronic component 84 and the circuit outside the cavity of the multilayer board 54 by connecting the upper electrode 85 of the electronic component 84 via the bonding wire 89. That is, the connection pad 83 is a pad for connecting to the cavity 20 (electronic component 84) by wire bonding.

つまりこの印刷配線板は、コア基板51にビルドアップ層61、62を形成した多層基板54の一部の領域65をザグリ加工して形成したキャビティ20と、このキャビティ20に収容され、キャビティ底部に固定される電子部品84とを有するものである。 That is, this printed wiring board is housed in a cavity 20 formed by counterboring a part of a region 65 of a multilayer board 54 in which build-up layers 61 and 62 are formed on a core substrate 51, and is housed in the cavity 20 at the bottom of the cavity. It has an electronic component 84 to be fixed.

キャビティ20の底は、ビルドアップ層61の内層のコアを構成するコア基板51の上面に形成したシード層12を露出させたものである。 The bottom of the cavity 20 is an exposed seed layer 12 formed on the upper surface of the core substrate 51 constituting the core of the inner layer of the build-up layer 61.

キャビティ22の底面は、コア基板51の素材である絶縁樹脂層11(以下「基板11」と称す)(図5参照)の上面に導電層(シード層12および/または導体層16)を形成したものである。 The bottom surface of the cavity 22 has a conductive layer (seed layer 12 and / or conductor layer 16) formed on the upper surface of an insulating resin layer 11 (hereinafter referred to as “board 11”) (see FIG. 5) which is a material of the core substrate 51. It is a thing.

基板11を形成する絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド-トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂、フェノール樹脂、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)樹脂、ケイ素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)樹脂、ポリフェニレンオキシド(PPO)樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は2種以上を混合してもよい。 Examples of the insulating resin forming the substrate 11 include epoxy resin, bismaleimide-triazine resin, polyimide resin, polyphenylene ether (PPE) resin, phenol resin, polytetrafluoroethylene (PTFE) resin, silicon resin, polybutadiene resin, and polyester. Examples thereof include resins, melamine resins, urea resins, polyphenylene sulfide (PPS) resins, and polyphenylene oxide (PPO) resins. Two or more kinds of these resins may be mixed.

基板11の上面には、ビアホール下穴14(ビア15)(図1、図2参照)の周囲に配置したシード層12が設けられ、さらにシード層12とビアホール下穴14を含んでめっき処理して導体層16およびビア15が形成されている。 A seed layer 12 arranged around a via hole pilot hole 14 (via 15) (see FIGS. 1 and 2) is provided on the upper surface of the substrate 11, and plating is performed including the seed layer 12 and the via hole pilot hole 14. The conductor layer 16 and the via 15 are formed.

ビア15は、めっき処理によりビアホール下穴14に金属めっきが充填されたものである。導体層16とその下のシード層12およびビア15などを回路部と称す。ビア15は、多層基板54の各層(内層、外層を含む)に設けられる導体(導体層63a、70、16など)を層間接続するものである。この例の断面図では、導体層63aはビア15を通じて導体層70に接続されていることがわかる。 The via 15 is formed by filling the via hole pilot hole 14 with metal plating by a plating process. The conductor layer 16, the seed layer 12 below it, the via 15, and the like are referred to as a circuit unit. The via 15 interconnects conductors (conductor layers 63a, 70, 16, etc.) provided in each layer (including an inner layer and an outer layer) of the multilayer board 54. In the cross-sectional view of this example, it can be seen that the conductor layer 63a is connected to the conductor layer 70 through the via 15.

シード層12は、例えば1μm~5μm(1μm以上5μm以下)の厚みの銅であり、一部が導体層16の下に残った状態で配置されている。シード層12としては、電気的に接続されるならば特に制限されないが、例えば薄銅箔または無電解銅めっきなどを用いる。 The seed layer 12 is, for example, copper having a thickness of 1 μm to 5 μm (1 μm or more and 5 μm or less), and is arranged in a state where a part thereof remains under the conductor layer 16. The seed layer 12 is not particularly limited as long as it is electrically connected, but for example, thin copper foil or electroless copper plating is used.

コア基板51は、基板11の上面をモデファイド・セミアディティブ・プロセス(MSAP)またはセミアディティブプロセス(SAP)などの手法で回路形成し、一部のシード層12とその一部領域に設けた接続パッドや回路配線となる導体層16とを、エッチングレジストでフラッシュエッチングから保護し、露出させて上面部分(図5参照)を形成したものである。 In the core substrate 51, the upper surface of the substrate 11 is circuit-formed by a method such as a modified semi-additive process (MSAP) or a semi-additive process (SAP), and a connection is provided in a part of the seed layer 12 and a part of the seed layer 12. The pad and the conductor layer 16 to be the circuit wiring are protected from flash etching by an etching resist and exposed to form an upper surface portion (see FIG. 5).

導体層16は、キャビティ20の底面に配置する電子部品84と電気的接続をする回路または同層の回路とビア15との接続を行う導電層である。導体層16の下にはシード層12の一部が残ったままである。換言すると、シード層12の一部領域の上にパターンめっきを施して導体層16を形成している。 The conductor layer 16 is a circuit that electrically connects to the electronic component 84 arranged on the bottom surface of the cavity 20, or a conductive layer that connects the circuit of the same layer to the via 15. A part of the seed layer 12 remains under the conductor layer 16. In other words, the conductor layer 16 is formed by performing pattern plating on a partial region of the seed layer 12.

以下、図1乃至図12を参照して第1実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する。
(絶縁層加工工程)
図1に示すように、絶縁樹脂からなる基板11の上面および下面にシード層12(例えば薄銅箔などの導電性金属箔)を積層形成する。またはシード層12を形成済みの基板11を準備する。シード層12は、例えば1μm~5μm程度の厚みで基板11に形成する。シード層12が形成された基板11にレーザ加工にてビアホール下穴14を形成する。
Hereinafter, a method of manufacturing the printed wiring board of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 12.
(Insulation layer processing process)
As shown in FIG. 1, a seed layer 12 (for example, a conductive metal foil such as a thin copper foil) is laminated and formed on the upper surface and the lower surface of a substrate 11 made of an insulating resin. Alternatively, the substrate 11 on which the seed layer 12 has been formed is prepared. The seed layer 12 is formed on the substrate 11 with a thickness of, for example, about 1 μm to 5 μm. A via hole pilot hole 14 is formed in the substrate 11 on which the seed layer 12 is formed by laser processing.

レーザ加工によってビアホール下穴14を形成すると、ビアホール下穴14の底部に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など)を用いて樹脂を分解除去する。 When the via hole pilot hole 14 is formed by laser processing, a thin resin film may remain at the bottom of the via hole pilot hole 14. In this case, desmear processing is performed. In the desmear treatment, the resin is swollen with a strong alkali, and then the resin is decomposed and removed using an oxidizing agent (for example, chromic acid, an aqueous solution of permanganate, etc.).

この他、例えば研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。さらに、めっき処理のためにビアホール下穴14の内壁面を粗面化処理してもよい。粗面化処理としては、例えば、酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など)によるウェットプロセス、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスなどが挙げられる。 In addition, the resin film may be removed by, for example, a wet blast treatment with an abrasive or a plasma treatment. Further, the inner wall surface of the via hole pilot hole 14 may be roughened for the plating treatment. Examples of the roughening treatment include a wet process using an oxidizing agent (for example, chromic acid, an aqueous solution of permanganate, etc.), a dry process such as a plasma treatment and an ashing treatment, and the like.

続いて、シード層12上にドライフィルム13を貼り付け、露光および現像して上面の導体層16、ビア15などの回路部および下面の導電回路である導体層17を形成したい箇所のドライフィルム13を除去する。 Subsequently, the dry film 13 is attached on the seed layer 12, exposed and developed to form a circuit portion such as a conductor layer 16 on the upper surface and a via 15, and a conductor layer 17 which is a conductive circuit on the lower surface. To remove.

(パターンめっき処理工程)
図2に示すように、ドライフィルム13の一部を除去した上記積層板の回路部形成用のビアホール下穴14とその周囲のシード層12にパターンめっき処理を施して基板11上面の導体層16と基板11内部のビア15および基板11下面の導電層(シード層12、導体層17を含む)を形成する。
(Pattern plating process)
As shown in FIG. 2, the conductor layer 16 on the upper surface of the substrate 11 is subjected to pattern plating treatment on the via hole pilot hole 14 for forming the circuit portion of the laminated board from which a part of the dry film 13 is removed and the seed layer 12 around the via hole pilot hole 14. And the via 15 inside the substrate 11 and the conductive layer (including the seed layer 12 and the conductor layer 17) on the lower surface of the substrate 11 are formed.

(ドライフィルム剥離工程)
パターンめっき処理の後、残ったドライフィルム13を剥離して、図3に示すように、シード層12を露出させる。
(Dry film peeling process)
After the pattern plating treatment, the remaining dry film 13 is peeled off to expose the seed layer 12 as shown in FIG.

(キャビティ形成予定領域の加工工程)
図4に示すように、ドライフィルム18(感光性エッチングレジスト)をラミネート加工で基板11の上面に貼り付けた後、露光および現像し、キャビティ形成予定領域以外のドライフィルム18を除去する。露出させたシード層12のうちドライフィルム18外の導電回路として不要な箇所をフラッシュエッチングにより除去し、最後にドライフィルム18を剥離する。
(Processing process of the area where the cavity is to be formed)
As shown in FIG. 4, a dry film 18 (photosensitive etching resist) is attached to the upper surface of the substrate 11 by laminating, and then exposed and developed to remove the dry film 18 other than the region where the cavity is to be formed. Of the exposed seed layer 12, unnecessary portions outside the dry film 18 as a conductive circuit are removed by flash etching, and finally the dry film 18 is peeled off.

すなわち、基板11の面に形成されたシード層12のエリア内のキャビティ形成予定領域にドライフィルム18を貼り付け、ドライフィルム18外のシード層12をフラッシュエッチングにより除去し、その後、シード層12の上のドライフィルム18を剥離する。 That is, the dry film 18 is attached to the cavity formation planned region in the area of the seed layer 12 formed on the surface of the substrate 11, the seed layer 12 outside the dry film 18 is removed by flash etching, and then the seed layer 12 is formed. The upper dry film 18 is peeled off.

このようにして、図5に示すようなコア基板51が完成する。このコア基板51の基板11の上面には、ビア15に接続される回路の一部としての導体層16の他、キャビティ形成予定領域にシード層12が形成される。シード層12のうちキャビティ形成予定領域の部分は、後述するレーザ加工の際のレーザの受け(遮蔽部材)となる。また基板11の下面には、導電回路としての導体層17が形成される。この例では、MSAPを例にして回路を形成したが、無電解銅めっきをシード層に用いるSAPでも回路形成は可能である。 In this way, the core substrate 51 as shown in FIG. 5 is completed. On the upper surface of the substrate 11 of the core substrate 51, in addition to the conductor layer 16 as a part of the circuit connected to the via 15, the seed layer 12 is formed in the region where the cavity is to be formed. The portion of the seed layer 12 in which the cavity is planned to be formed serves as a laser receiving (shielding member) during laser processing described later. Further, a conductor layer 17 as a conductive circuit is formed on the lower surface of the substrate 11. In this example, the circuit was formed using MSAP as an example, but the circuit can also be formed by SAP using electroless copper plating as the seed layer.

(ビルドアップ層形成工程)
次に、図6に示すように、コア基板51の上層および/または下層に、任意回数のビルドアップを行ない、多層基板54を作製する。つまりこの工程では、キャビティ形成予定領域にシード層12を残したまま、コア基板51にビルドアップ層61、62を形成することで、シード層12が内部のコア基板51(絶縁樹脂基板)とビルドアップ層61(上部構造体)との間に埋め込まれた多層の絶縁樹脂基板54(以下「多層基板54」と称す)を作製(形成)する。
(Build-up layer formation process)
Next, as shown in FIG. 6, the upper layer and / or the lower layer of the core substrate 51 is built up an arbitrary number of times to produce the multilayer substrate 54. That is, in this step, the seed layer 12 is built with the internal core substrate 51 (insulating resin substrate) by forming the build-up layers 61 and 62 on the core substrate 51 while leaving the seed layer 12 in the region where the cavity is to be formed. A multilayer insulating resin substrate 54 (hereinafter referred to as "multilayer substrate 54") embedded between the up layer 61 (superstructure) is manufactured (formed).

ビルドアップ層61、62の回路形成には、例えば回路として不要な導体をエッチングで除去するサブトラクティブ法のみならず、コア基板51の場合と同様に、MSAP、SAPなどが適用できる。ビルドアップ層61、62の積層には、多段プレスまたは樹脂ラミネートなどの技術が利用される。 For the circuit formation of the build-up layers 61 and 62, for example, not only the subtractive method of removing unnecessary conductors as a circuit by etching but also MSAP, SAP and the like can be applied as in the case of the core substrate 51. Techniques such as multi-stage pressing or resin laminating are used for laminating the build-up layers 61 and 62.

なお、コア基板51の上層にビルドアップして形成した層をビルドアップ層61とし、コア基板51の下層にビルドアップして形成した層をビルドアップ層62とする。 The layer formed by building up on the upper layer of the core substrate 51 is referred to as a build-up layer 61, and the layer formed by building up on the lower layer of the core substrate 51 is referred to as a build-up layer 62.

この例では、上のビルドアップ層61は、2つの絶縁樹脂層61a、61bで構成されている。最も上の層(表層)の絶縁樹脂層61bの上面には、ビア15と接続される導体層63が一面に形成される。また、コア基板51の下のビルドアップ層62(最下層)には導体層64が形成される。この導体層64は、必要に応じて形成するものとする。 In this example, the upper build-up layer 61 is composed of two insulating resin layers 61a and 61b. A conductor layer 63 connected to the via 15 is formed on one surface on the upper surface of the insulating resin layer 61b of the uppermost layer (surface layer). Further, a conductor layer 64 is formed on the build-up layer 62 (bottom layer) below the core substrate 51. The conductor layer 64 shall be formed as needed.

(ウィンドウ形成工程)
この工程では、多層基板54の最上層(絶縁樹脂層61b)の上面に形成した導体層63のうち、図7に示すように、キャビティ形成予定領域の真上の領域65を除去しておく。これは後述のキャビティ形成工程でのザグリ加工をし易くするためである。
(Window formation process)
In this step, of the conductor layer 63 formed on the upper surface of the uppermost layer (insulating resin layer 61b) of the multilayer substrate 54, as shown in FIG. 7, the region 65 directly above the region where the cavity is to be formed is removed. This is to facilitate counterbore processing in the cavity forming step described later.

(キャビティ形成工程)
1.ドリル加工
この工程では、多層基板54の上方から、ビルドアップ層61のうち、キャビティ形成予定領域の上の絶縁樹脂層61b、61aをドリル加工して、コア基板51の上面のシード層12近傍まで絶縁樹脂層61b、61aの絶縁樹脂を除去してキャビティ20を形成する。
(Cavity forming process)
1. 1. Drilling In this step, the insulating resin layers 61b and 61a above the planned cavity formation region of the build-up layer 61 are drilled from above the multilayer board 54 to the vicinity of the seed layer 12 on the upper surface of the core board 51. The insulating resin of the insulating resin layers 61b and 61a is removed to form the cavity 20.

具体的には、図8に示すように、キャビティ形成予定領域の真上のパターンを除去した領域65の一端に、ビット先端にセンサーを有するドリル66を配置し、コア基板51の表面のシード層12の手前の位置(キャビティ20の底部に至る手前の位置)まで削り込み、ドリル66をその位置から横方向Aへ移動させてザグリ加工を実施する。 Specifically, as shown in FIG. 8, a drill 66 having a sensor at the tip of the bit is arranged at one end of a region 65 from which the pattern directly above the planned cavity formation region is removed, and a seed layer on the surface of the core substrate 51 is arranged. The drill 66 is machined to a position in front of 12 (a position in front of the bottom of the cavity 20), and the drill 66 is moved from that position in the lateral direction A to perform counterbore processing.

なお、この例では、キャビティ20の底部の上にプリプレグ樹脂層68の一部を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、シード層12の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。 In this example, a part of the prepreg resin layer 68 is left on the bottom of the cavity 20, but if the drilling accuracy is high, the seed layer 12 may be scraped to the very limit of the surface.

ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた2段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体(遮蔽部材)として、シード層12を使うからである。 The reason why the counterbore processing is performed in two stages including not only the laser processing described later but also the drill processing is that the seed layer 12 is used as a receiving conductor (shielding member) for the laser processing described later.

シード層12は、例えば1μm~5μm程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体(厚み20μm以上)に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層12を貫通しないようにすることがよい。 The seed layer 12 is, for example, a conductor of about 1 μm to 5 μm, which is thinner than a conductor of ordinary pattern plating (thickness of 20 μm or more). It is preferable to reduce the output of the laser so as not to penetrate the seed layer 12 without increasing the output.

2.レーザ加工
この工程では、図9に示すように、キャビティ20の開口上方から矢印B方向にレーザ光を照射して、図8で底部に露出した、1.のドリル加工で残したプリプレグ樹脂層68の一部(上層部分の残部)をレーザ加工により除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ(COレーザ)やYAGレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このようにシード層12をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ20の底部に残した上層部分の残部をレーザ加工により除去し、シード層12をキャビティ20の底部に露出させる。
2. 2. Laser processing In this step, as shown in FIG. 9, a laser beam is irradiated from above the opening of the cavity 20 in the direction of arrow B to be exposed at the bottom in FIG. A part of the prepreg resin layer 68 (the rest of the upper layer portion) left by the drilling process is removed by laser machining. For laser processing, for example, a processing laser such as a carbon dioxide gas laser (CO 2 laser) or a YAG laser can be applied. In this way, the seed layer 12 is used as a shielding member for laser light, and the remaining portion of the upper layer portion left at the bottom of the cavity 20 is removed by laser processing to expose the seed layer 12 to the bottom of the cavity 20.

レーザ加工によってキャビティ20の底部のプリプレグ樹脂層68を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など)を用いて樹脂を分解除去する。あるいは、研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。 When the prepreg resin layer 68 at the bottom of the cavity 20 is machined by laser machining, a thin resin film may remain in that portion. In this case, desmear processing is performed. In the desmear treatment, the resin is swollen with a strong alkali, and then the resin is decomposed and removed using an oxidizing agent (for example, chromic acid, an aqueous solution of permanganate, etc.). Alternatively, the resin film may be removed by a wet blast treatment with an abrasive or a plasma treatment.

レーザ光の受け導体(レーザ光の遮蔽部材)であるシード層12の幅を、キャビティ20よりも広く形成しておくことで、キャビティ20の底面の延長線上のキャビティ20の隣のビルドアップ層61(絶縁樹脂層)にシード層12が入り込んだ形で残るため、シード層12を回路の一部として後述する電子部品84との接続に利用することが可能である。
また、薄い導体層(金属箔)であるシード層12は、ヒートシンクの役割を果たすため、上部に電子部品84を実装したときの放熱の面でも良好な放熱効果が得られる。
By forming the width of the seed layer 12 which is a laser light receiving conductor (laser light shielding member) wider than the cavity 20, the build-up layer 61 next to the cavity 20 on the extension line of the bottom surface of the cavity 20 Since the seed layer 12 remains in the (insulating resin layer) in the form of being inserted, the seed layer 12 can be used as a part of the circuit for connection with the electronic component 84 described later.
Further, since the seed layer 12, which is a thin conductor layer (metal leaf), serves as a heat sink, a good heat dissipation effect can be obtained in terms of heat dissipation when the electronic component 84 is mounted on the upper portion.

(外層回路形成工程)
この工程では、図9に示した基板下部のビルドアップ層62の導体層64に対して、図10に示すように、回路として導体層70を形成する。また基板上部のビルドアップ層61の導体層63に対してエッチングを行うことで一部領域を除去して、図10に示すように、回路としての導体層63aを形成する。なお、外層回路の形成は、凹みや貫通孔の壁面への追従性が優れた電着レジストをエッチングレジストに用いたサブトラクティブ法を適用する。なお電着レジストは、電着塗装の性質を応用したエッチングレジストである。
(Outer layer circuit formation process)
In this step, as shown in FIG. 10, the conductor layer 70 is formed as a circuit with respect to the conductor layer 64 of the build-up layer 62 at the lower part of the substrate shown in FIG. Further, a part of the region is removed by etching the conductor layer 63 of the build-up layer 61 on the upper part of the substrate to form the conductor layer 63a as a circuit as shown in FIG. For the formation of the outer layer circuit, a subtractive method using an electrodeposited resist having excellent followability to the wall surface of a dent or a through hole as an etching resist is applied. The electrodeposition resist is an etching resist that applies the properties of electrodeposition coating.

(ソルダーレジスト工程)
この工程では、図10に示したビルドアップ層61、62に対して導体層63a、70の一部を含めて絶縁被膜し、図11に示すように、ソルダーレジスト71、72を形成する。
(Solder resist process)
In this step, the build-up layers 61 and 62 shown in FIG. 10 are coated with an insulating film including a part of the conductor layers 63a and 70 to form the solder resists 71 and 72 as shown in FIG.

(電子部品装着場所形成工程)
この工程では、図12に示すように、キャビティ20の底部に露出したシード層12の上にニッケルめっきおよび金めっきなどの金属めっき層81を形成し、その上に接着材を塗布して接着層82を形成する。また、ビルドアップ層61の導体層63aの上に、電子部品84との接続のための接続パッド83を形成する。
(Process for forming the mounting location of electronic components)
In this step, as shown in FIG. 12, a metal plating layer 81 such as nickel plating and gold plating is formed on the seed layer 12 exposed at the bottom of the cavity 20, and an adhesive is applied on the metal plating layer 81 to form an adhesive layer. Form 82. Further, a connection pad 83 for connection with the electronic component 84 is formed on the conductor layer 63a of the build-up layer 61.

(電子部品実装工程)
この工程では、図12に示すように、キャビティ20の底部の接着層82の上に電子部品84を載置し、接着および固定する。なお、ここでは電子部品84を実装せず、他で実装する場合は電子部品実装工程以下の工程は不要である。
(Electronic component mounting process)
In this step, as shown in FIG. 12, the electronic component 84 is placed on the adhesive layer 82 at the bottom of the cavity 20 and adhered and fixed. In this case, the electronic component 84 is not mounted, and when it is mounted elsewhere, the steps below the electronic component mounting step are unnecessary.

(電子部品接続工程)
この工程では、接続パッド83とキャビティ20間を、ボンディングワイヤー89を介してワイヤーボンディング接続する。
具体的には、電子部品84の上部電極85とビルドアップ層61の導体層63aの上の接続パッド83とをワイヤーボンディングにより接続することで、電子部品84と多層基板54のキャビティ20の外側の回路を接続する。このようにして電子部品84をキャビティ20に収容した印刷配線板を作製することができる。
(Electronic component connection process)
In this step, the connection pad 83 and the cavity 20 are connected by wire bonding via a bonding wire 89.
Specifically, by connecting the upper electrode 85 of the electronic component 84 and the connection pad 83 on the conductor layer 63a of the build-up layer 61 by wire bonding, the electronic component 84 and the outside of the cavity 20 of the multilayer board 54 are connected. Connect the circuit. In this way, a printed wiring board in which the electronic component 84 is housed in the cavity 20 can be manufactured.

このようにこの第1実施形態の印刷配線板によれば、多層基板54を表層からザグリ加工して、多層基板54の内層のコア層51のシード層12の一部領域が露出するようにキャビティ20の底部を形成し、このキャビティ20に電子部品84を実装(キャビティ20底部に固定)し、電子部品84の上部電極85とビルドアップ層61の導体層63aの上の接続パッド83とをボンディングワイヤー89により接続するキャビティ構造とすることで、以下のような効果がある。 As described above, according to the printed wiring board of the first embodiment, the multilayer board 54 is counterbored from the surface layer so that a part of the seed layer 12 of the core layer 51 of the inner layer of the multilayer board 54 is exposed. The bottom of 20 is formed, the electronic component 84 is mounted in the cavity 20 (fixed to the bottom of the cavity 20), and the upper electrode 85 of the electronic component 84 and the connection pad 83 on the conductor layer 63a of the build-up layer 61 are bonded. The cavity structure connected by the wire 89 has the following effects.

キャビティ20内に収容した電子部品84の上部で基板側の回路と接続することで、互いの間の回路接続を容易にすることができる。また、キャビティ20の底部に平坦に露出したシード層12に電子部品84を接着し固定することで、キャビティ20底部での電子部品84の固定力を高めることができる。 By connecting to the circuit on the substrate side at the upper part of the electronic component 84 housed in the cavity 20, it is possible to facilitate the circuit connection between the two. Further, by adhering and fixing the electronic component 84 to the seed layer 12 flatly exposed at the bottom of the cavity 20, the fixing force of the electronic component 84 at the bottom of the cavity 20 can be increased.

シード層12の表面の平均粗さRaを、例えば0.3μm以上0.6μm以下とすることで、シード層12表面に他の部材(樹脂や金属)を接着するのに程よい粗さ(平均粗さRaが0.2μm以下または0.7μm以上では接着力が低下する)となるので、シード層12の表面の平均粗さRaは0.3μm以上0.6μm以下の範囲にすることが好ましい。 By setting the average roughness Ra of the surface of the seed layer 12 to, for example, 0.3 μm or more and 0.6 μm or less, the roughness (average roughness) suitable for adhering other members (resin or metal) to the surface of the seed layer 12 is appropriate. If Ra is 0.2 μm or less or 0.7 μm or more, the adhesive strength is reduced). Therefore, the average roughness Ra of the surface of the seed layer 12 is preferably in the range of 0.3 μm or more and 0.6 μm or less.

すなわち、キャビティ20内の電子部品84とキャビティ20外側の回路との接続を容易にしつつキャビティ20底部での電子部品84の固定力を高めることができる。 That is, it is possible to increase the fixing force of the electronic component 84 at the bottom of the cavity 20 while facilitating the connection between the electronic component 84 inside the cavity 20 and the circuit outside the cavity 20.

以下、図13乃至図23を参照して第2実施形態を説明する。なお、この第2実施形態を説明するにあたり、第1実施形態と同じ構成には同一の符号を付しその説明は省略する。 Hereinafter, the second embodiment will be described with reference to FIGS. 13 to 23. In explaining the second embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations as those of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

図23に示すように、第2実施形態の印刷配線板は、多層基板55の各層に設けられる導体(導体層16、17、63a、70)を層間接続するビア15と、第1キャビティとしてのキャビティ21と、このキャビティ21の内側に凹形状(キャビティ底部が平坦な溝形状)に形成された第2キャビティとしてのキャビティ22と、このキャビティ22の底部に平坦な面を露出させて形成されたシード層12と、キャビティ22内に収容され、キャビティ22の底部に接着して固定された電子部品84と、キャビティ21(段部75)に形成された導体層73と、導体層73に上に形成された接続パッド83と、この接続パッド83と電子部品84の上部電極85とを接続するボンディングワイヤー89とを有する。 As shown in FIG. 23, the printed wiring board of the second embodiment has a via 15 for interlayerly connecting conductors (conductor layers 16, 17, 63a, 70) provided in each layer of the multilayer board 55, and a via 15 as a first cavity. The cavity 21 is formed inside the cavity 21 as a second cavity formed in a concave shape (a groove shape in which the bottom of the cavity is flat), and a flat surface is exposed at the bottom of the cavity 22. Above the seed layer 12, the electronic component 84 housed in the cavity 22 and adhered and fixed to the bottom of the cavity 22, the conductor layer 73 formed in the cavity 21 (step 75), and the conductor layer 73. It has a formed connection pad 83, and a bonding wire 89 that connects the connection pad 83 and the upper electrode 85 of the electronic component 84.

キャビティ21は、多層基板55の所定の層の一部の領域(ビルドアップ層61の絶縁樹脂層61b上面のキャビティ21の形成予定の領域65)を所定の深さ(ビルドアップ層61の絶縁樹脂層61a上面位置の近傍位置)までドリル加工および/またはレーザ加工でザグリ加工し、この加工で残った残部をレーザ加工で除去して底部を形成した凹状部であり、後にキャビティ22の形成のため中央部分がザグリ加工されたためキャビティ底部(底面)が段部75として残っている。 The cavity 21 has a predetermined depth (insulation resin of the build-up layer 61) in a part of a predetermined layer of the multilayer substrate 55 (a region 65 to be formed of the cavity 21 on the upper surface of the insulating resin layer 61b of the build-up layer 61). It is a concave portion formed by drilling and / or laser machining to the position near the upper surface position of the layer 61a, and removing the remaining portion by laser machining to form the bottom, and later for forming the cavity 22. Since the central portion is counterbored, the bottom portion (bottom surface) of the cavity remains as the step portion 75.

換言すると、キャビティ21(段部75)は、多層基板55の絶縁樹脂層61bの一部領域65をザグリ加工して、絶縁樹脂層61aの上面の導体層73が露出するようにキャビティ21の底部を形成し、このキャビティ21の底部の壁面から一定距離の端の領域(段部75)を残すように絶縁樹脂層61aの一部領域69をザグリ加工して形成したものである。 In other words, in the cavity 21 (step portion 75), a partial region 65 of the insulating resin layer 61b of the multilayer substrate 55 is counterbored so that the conductor layer 73 on the upper surface of the insulating resin layer 61a is exposed at the bottom of the cavity 21. Is formed, and a partial region 69 of the insulating resin layer 61a is counterbored so as to leave a region (step portion 75) at the end at a certain distance from the wall surface at the bottom of the cavity 21.

キャビティ22は、キャビティ21の底部の端の領域(段部75)を残して絶縁樹脂層61aをザグリ加工して、コア基板51の上面のシード層12の一部の領域が露出するようにキャビティ底部を形成したものである。 In the cavity 22, the insulating resin layer 61a is counterbored leaving the region (step portion 75) at the bottom of the cavity 21 so that a part of the region of the seed layer 12 on the upper surface of the core substrate 51 is exposed. It forms the bottom.

以下、第2実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する。
第2実施形態では、図13に示すように、図5に示したコア基板51の上層および/または下層に、任意回数のビルドアップを行ない、多層基板55を作製する。つまりこの工程では、キャビティ形成予定領域にシード層12を残したまま、コア基板51にビルドアップ層61、62を形成することで、多層基板55を作製する。
Hereinafter, a method for manufacturing the printed wiring board of the second embodiment will be described.
In the second embodiment, as shown in FIG. 13, the upper layer and / or the lower layer of the core substrate 51 shown in FIG. 5 is built up an arbitrary number of times to produce the multilayer substrate 55. That is, in this step, the multilayer substrate 55 is manufactured by forming the build-up layers 61 and 62 on the core substrate 51 while leaving the seed layer 12 in the region where the cavity is to be formed.

ビルドアップ層61、62の回路形成には、例えば回路として不要な導体をエッチングで除去するサブトラクティブ法のみならず、コア基板51の場合と同様に、MSAP、SAPなどが適用できる。ビルドアップ層61、62の積層には、多段プレスまたは樹脂ラミネートなどの技術が利用される。 For the circuit formation of the build-up layers 61 and 62, for example, not only the subtractive method of removing unnecessary conductors as a circuit by etching but also MSAP, SAP and the like can be applied as in the case of the core substrate 51. Techniques such as multi-stage pressing or resin laminating are used for laminating the build-up layers 61 and 62.

なお、コア基板51の上層にビルドアップして形成した層をビルドアップ層61とし、コア基板51の下層にビルドアップして形成した層をビルドアップ層62とする。 The layer formed by building up on the upper layer of the core substrate 51 is referred to as a build-up layer 61, and the layer formed by building up on the lower layer of the core substrate 51 is referred to as a build-up layer 62.

この例では、上のビルドアップ層61は、2つの絶縁樹脂層61a、61bで構成されている。最も上の層(表層)の絶縁樹脂層61bの上面には、ビア15と接続される導体層63が一面に形成される。また、ビルドアップ層61の内層のうち下の層の絶縁樹脂層61aには、ビア15と接続される導体層73と、導体層73間に形成されるシード層74とが形成される。また、コア基板51の下のビルドアップ層62(最下層)には、導体層64が形成される。この導体層64は、必要に応じて形成するものとする。 In this example, the upper build-up layer 61 is composed of two insulating resin layers 61a and 61b. A conductor layer 63 connected to the via 15 is formed on one surface on the upper surface of the insulating resin layer 61b of the uppermost layer (surface layer). Further, in the insulating resin layer 61a of the lower layer of the inner layer of the build-up layer 61, a conductor layer 73 connected to the via 15 and a seed layer 74 formed between the conductor layers 73 are formed. Further, a conductor layer 64 is formed on the build-up layer 62 (bottom layer) below the core substrate 51. The conductor layer 64 shall be formed as needed.

(ウィンドウ形成工程)
この工程では、多層基板54の最上層(絶縁樹脂層61b)の上面に形成した導体層63のうち、図14に示すように、キャビティ形成予定領域の真上の領域65を除去しておく。これは後述のキャビティ形成工程でのザグリ加工をし易くするためである。
(Window formation process)
In this step, of the conductor layer 63 formed on the upper surface of the uppermost layer (insulating resin layer 61b) of the multilayer substrate 54, as shown in FIG. 14, the region 65 directly above the region where the cavity is to be formed is removed. This is to facilitate counterbore processing in the cavity forming step described later.

(第1キャビティ形成工程)
1.ドリル加工
この工程では、ビルドアップ層61のうち、キャビティ形成予定領域の上の絶縁樹脂層61bの部分をドリル加工して、その下の絶縁樹脂層61aの導体層73およびシード層74近傍まで除去してキャビティ21を形成する。
(First cavity forming step)
1. 1. Drilling In this step, the portion of the insulating resin layer 61b above the planned cavity formation region of the build-up layer 61 is drilled and removed to the vicinity of the conductor layer 73 and the seed layer 74 of the insulating resin layer 61a below it. To form the cavity 21.

具体的には、図15に示すように、キャビティ形成予定領域の真上のパターンを除去した領域65の一端に、ビット先端にセンサーを有するドリル66を配置し、コア基板51の表面の導体層73およびシード層74の手前の位置(キャビティ21の底部に至る手前の位置)まで削り込み、ドリル66をその位置から横方向Aへ移動させてザグリ加工を実施する。 Specifically, as shown in FIG. 15, a drill 66 having a sensor at the tip of the bit is arranged at one end of a region 65 from which the pattern directly above the planned cavity formation region is removed, and a conductor layer on the surface of the core substrate 51 is arranged. The drill 66 is machined to a position in front of the 73 and the seed layer 74 (a position in front of the bottom of the cavity 21), and the drill 66 is moved from that position in the lateral direction A to perform counterbore processing.

なお、この例では、キャビティ21の底部の上にプリプレグ樹脂層68の一部を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、導体層73の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。 In this example, a part of the prepreg resin layer 68 is left on the bottom of the cavity 21, but if the drilling accuracy is high, the conductor layer 73 may be scraped to the very limit of the surface.

ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた2段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体(遮蔽部材)として、導体層73およびシード層74を使うからである。 The reason why the counterbore processing is performed in two stages including not only the laser processing described later but also the drill processing is that the conductor layer 73 and the seed layer 74 are used as the receiving conductor (shielding member) of the laser processing described later. be.

シード層74は、例えば1μm~5μm程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層74を貫通しないようにすることがよい。 The seed layer 74 is, for example, a conductor of about 1 μm to 5 μm, which is thinner than a conductor of ordinary pattern plating, so that the laser output is not increased as in the case of removing a thick resin by counterbore processing only by laser processing. It is preferable to reduce the output of the laser so that it does not penetrate the seed layer 74.

2.レーザ加工
この工程では、図16に示すように、キャビティ21の開口上方から矢印B方向にレーザ光を照射して、図15の処理で底部に露出した、1.のドリル加工で残したプリプレグ樹脂層68の一部をレーザ加工により除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ(COレーザ)やYAGレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このようにシード層74をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ21の底部に残した上層部分の残部をレーザ加工により除去し、導体層73とその内側のシード層74とをキャビティ20の底部に露出させる。
2. 2. Laser processing In this step, as shown in FIG. 16, laser light is irradiated from above the opening of the cavity 21 in the direction of arrow B, and the bottom is exposed by the processing of FIG. A part of the prepreg resin layer 68 left by the drilling process is removed by laser processing. For laser processing, for example, a processing laser such as a carbon dioxide gas laser (CO 2 laser) or a YAG laser can be applied. In this way, the seed layer 74 is used as a shielding member for laser light, the remaining portion of the upper layer portion left at the bottom of the cavity 21 is removed by laser processing, and the conductor layer 73 and the seed layer 74 inside the conductor layer 73 are attached to the bottom of the cavity 20. Expose.

レーザ加工によってキャビティ21の底部のプリプレグ樹脂層68を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など)を用いて樹脂を分解除去する。あるいは、研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。 When the prepreg resin layer 68 at the bottom of the cavity 21 is machined by laser machining, a thin resin film may remain in that portion. In this case, desmear processing is performed. In the desmear treatment, the resin is swollen with a strong alkali, and then the resin is decomposed and removed using an oxidizing agent (for example, chromic acid, an aqueous solution of permanganate, etc.). Alternatively, the resin film may be removed by a wet blast treatment with an abrasive or a plasma treatment.

3.シード層除去
この工程では、図17に示すように、キャビティ21の底部に露出した導体層73の第1領域(段部75)を残すようにその内側のシード層74の部分69をフラッシュエッチングにより除去する。換言すると、フラッシュエッチングにより、キャビティ21の底部の導体層73の内側のシード層74(導電性金属箔)を除去する。フラッシュエッチングには、例えば硫酸過水系のエッチング液を用いる。
3. 3. Seed layer removal In this step, as shown in FIG. 17, a portion 69 of the seed layer 74 inside the cavity 21 is flash-etched so as to leave a first region (step 75) of the exposed conductor layer 73 at the bottom. Remove. In other words, the seed layer 74 (conductive metal leaf) inside the conductor layer 73 at the bottom of the cavity 21 is removed by flash etching. For flash etching, for example, a sulfuric acid-based etching solution is used.

(第2キャビティ形成工程)
1.ドリル加工
この工程では、キャビティ21の底部の端の領域を残してドリル加工して、キャビティ21の底部よりも下層に形成されたシード層12(第2シード層)がキャビティ底部に露出するようにキャビティ22(第2キャビティ)を形成する。
このドリル加工では、初めに、ビルドアップ層61のうち、第2キャビティ底面形成予定領域の上の絶縁樹脂の部分をドリル加工してコア層51の上面のシード層12近傍まで除去してキャビティ22を形成する。
(Second cavity forming step)
1. 1. Drilling In this step, drilling is performed leaving the area at the end of the bottom of the cavity 21 so that the seed layer 12 (second seed layer) formed below the bottom of the cavity 21 is exposed at the bottom of the cavity. A cavity 22 (second cavity) is formed.
In this drilling, first, in the build-up layer 61, the portion of the insulating resin above the region where the bottom surface of the second cavity is to be formed is drilled to remove the portion of the build-up layer 51 up to the vicinity of the seed layer 12 on the upper surface of the core layer 51, and the cavity 22 is formed. To form.

具体的には、図17に示した領域69の一端に、ビット先端にセンサーを有するドリル66を配置し、絶縁樹脂層61aの上面からシード層12の手前の位置(キャビティ22の底部に至る手前の位置)まで下方向へ削り込む。この例では、導体層73の部分を削らないように、露出した導体層73の幅よりも少し広い領域(段部75)を残し、その領域(段部75)をキャビティ21の底面(底部)とする。 Specifically, a drill 66 having a sensor at the tip of the bit is arranged at one end of the region 69 shown in FIG. 17, and a position in front of the seed layer 12 from the upper surface of the insulating resin layer 61a (before reaching the bottom of the cavity 22). Shave downward to the position of). In this example, a region (step portion 75) slightly wider than the width of the exposed conductor layer 73 is left so as not to scrape the portion of the conductor layer 73, and the region (step portion 75) is used as the bottom surface (bottom portion) of the cavity 21. And.

その後、図18に示すように、シード層12の手前の位置(キャビティ22の底部に至る手前の位置)にあるドリル66をその位置から横方向Aへ移動させてザグリ加工を実施することで、キャビティ22を形成する。 After that, as shown in FIG. 18, the drill 66 at the position in front of the seed layer 12 (the position before reaching the bottom of the cavity 22) is moved from that position in the lateral direction A to perform counterbore processing. The cavity 22 is formed.

なお、この例では、キャビティ22の底面となるシード層12の上にプリプレグ樹脂層68を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、シード層12の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。 In this example, the prepreg resin layer 68 is left on the seed layer 12 which is the bottom surface of the cavity 22, but if the drilling accuracy is high, the prepreg resin layer 68 may be scraped to the very limit of the surface of the seed layer 12.

ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた2段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体(遮蔽部材)として、シード層12を使うからである。シード層12は、例えば1μm~5μm程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層12を貫通しないようにすることがよい。 The reason why the counterbore processing is performed in two stages including not only the laser processing described later but also the drill processing is that the seed layer 12 is used as a receiving conductor (shielding member) for the laser processing described later. The seed layer 12 is, for example, a conductor of about 1 μm to 5 μm, which is thinner than a conductor of ordinary pattern plating, so that the laser output is not increased as in the case of removing a thick resin by counterbore processing only by laser processing. It is preferable to reduce the output of the laser so that it does not penetrate the seed layer 12.

2.レーザ加工
この工程では、図19に示すように、キャビティ22の開口上方から矢印B方向にレーザ光を照射して、図18で底部に露出した、1.のドリル加工で残したプリプレグ樹脂層68をレーザ加工により除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ(COレーザ)やYAGレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このようにシード層12をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ22の底部に残した上層部分の残部(プリプレグ樹脂層68)をレーザ加工して除去することで、図20に示すように、シード層12の一部をキャビティ22の底部に露出させる。
2. 2. Laser processing In this step, as shown in FIG. 19, a laser beam is irradiated from above the opening of the cavity 22 in the direction of arrow B to be exposed at the bottom in FIG. The prepreg resin layer 68 left by the drilling process is removed by laser processing. For laser processing, for example, a processing laser such as a carbon dioxide gas laser (CO 2 laser) or a YAG laser can be applied. As shown in FIG. 20, the seed layer 12 is used as a shielding member for laser light, and the remaining portion (prepreg resin layer 68) of the upper layer portion left at the bottom of the cavity 22 is removed by laser processing. A portion of the layer 12 is exposed to the bottom of the cavity 22.

レーザ加工によってキャビティ22の底部のプリプレグ樹脂層68を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、上記同様にデスミア処理が行われる。 When the prepreg resin layer 68 at the bottom of the cavity 22 is machined by laser machining, a thin resin film may remain in that portion. In this case, the desmear process is performed in the same manner as described above.

レーザ光の受け導体(レーザ光の遮蔽部材)であるシード層12の幅を、キャビティ22よりも広く形成しておくことで、キャビティ22の底面の延長線上のキャビティ22の隣のビルドアップ層61(絶縁樹脂層)にシード層12が入り込んだ形で残るため、シード層12を回路の一部として後述する電子部品86との接続に利用することも可能である。 By forming the width of the seed layer 12, which is a laser light receiving conductor (laser light shielding member), wider than that of the cavity 22, the build-up layer 61 next to the cavity 22 on the extension line of the bottom surface of the cavity 22 Since the seed layer 12 remains in the (insulating resin layer) in the form of being inserted, the seed layer 12 can be used as a part of the circuit for connection with the electronic component 86 described later.

(外層回路形成工程)
この工程では、図19に示した基板下部のビルドアップ層62の導体層64に対して、図20に示すように、回路として導体層70を形成する。また図19に示した基板上部のビルドアップ層61の導体層63に対してエッチングを行うことで一部領域を除去して、図20に示すように、回路としての導体層63aを形成する。なお、外層回路の形成は、凹みや貫通孔の壁面への追従性が優れた電着レジストをエッチングレジストに用いたサブトラクティブ法を適用する。なお電着レジストは、電着塗装の性質を応用したエッチングレジストである。
(Outer layer circuit formation process)
In this step, as shown in FIG. 20, the conductor layer 70 is formed as a circuit with respect to the conductor layer 64 of the build-up layer 62 at the lower part of the substrate shown in FIG. Further, a part of the region is removed by etching the conductor layer 63 of the build-up layer 61 on the upper part of the substrate shown in FIG. 19, and the conductor layer 63a as a circuit is formed as shown in FIG. For the formation of the outer layer circuit, a subtractive method using an electrodeposited resist having excellent followability to the wall surface of a dent or a through hole as an etching resist is applied. The electrodeposition resist is an etching resist that applies the properties of electrodeposition coating.

(ソルダーレジスト工程)
この工程では、図20に示したビルドアップ層61、62に対して導体層63a、70の一部を含めて絶縁被膜し、図21に示すように、ソルダーレジスト71、72を形成する。
(Solder resist process)
In this step, the build-up layers 61 and 62 shown in FIG. 20 are coated with an insulating film including a part of the conductor layers 63a and 70 to form the solder resists 71 and 72 as shown in FIG. 21.

(電子部品装着場所形成工程)
この工程では、図22に示すように、キャビティ22の底部に露出したシード層12の上にニッケルめっきおよび金めっきなどの金属めっき層81を形成し、その上に接着材を塗布して接着層82を形成する。また、キャビティ21の底部(段部75)の導体層73の上に、電子部品86との接続のための接続パッド83を形成する。
(Process for forming the mounting location of electronic components)
In this step, as shown in FIG. 22, a metal plating layer 81 such as nickel plating and gold plating is formed on the seed layer 12 exposed at the bottom of the cavity 22, and an adhesive material is applied thereto to form an adhesive layer. Form 82. Further, a connection pad 83 for connection with the electronic component 86 is formed on the conductor layer 73 at the bottom (step portion 75) of the cavity 21.

(電子部品実装工程)
この工程では、図23に示すように、キャビティ22の底部の接着層82の上に電子部品86を載置し、接着および固定する。なお、ここでは電子部品86を実装せず、他で実装する場合は電子部品実装工程以下の工程は不要である。
(Electronic component mounting process)
In this step, as shown in FIG. 23, the electronic component 86 is placed on the adhesive layer 82 at the bottom of the cavity 22 and adhered and fixed. In this case, the electronic component 86 is not mounted, and when it is mounted elsewhere, the steps below the electronic component mounting step are unnecessary.

(電子部品接続工程)
この工程では、接続パッド83とキャビティ22間を、ボンディングワイヤー89を介してワイヤーボンディング接続する。
具体的には、電子部品86の上部電極85とキャビティ22の底部の導体層73の上の接続パッド83とをワイヤーボンディングにより接続することで、電子部品86と多層基板55のキャビティ外側の回路を接続する。このようにして電子部品86をキャビティ22に収容した印刷配線板を作製することができる。
(Electronic component connection process)
In this step, the connection pad 83 and the cavity 22 are connected by wire bonding via a bonding wire 89.
Specifically, by connecting the upper electrode 85 of the electronic component 86 and the connection pad 83 on the conductor layer 73 at the bottom of the cavity 22 by wire bonding, the circuit outside the cavity of the electronic component 86 and the multilayer board 55 can be formed. Connecting. In this way, a printed wiring board in which the electronic component 86 is housed in the cavity 22 can be manufactured.

このようにこの第2実施形態の印刷配線板によれば、多層基板55を表層からザグリ加工して、多層基板55の絶縁樹脂層61aの一部領域65が露出するようにキャビティ21の底部を形成し、このキャビティ21の底部の壁面から一定距離の領域(段部75)を残すように絶縁樹脂層61aの一部領域69をザグリ加工して電子部品86が収容可能な幅でキャビティ22を形成し、このキャビティ22に電子部品86を実装(固定)し、電子部品86の上部電極85とキャビティ21の段部75に形成した接続パッド83とをボンディングワイヤー89により接続する2段キャビティ構造とすることで、以下のような効果がある。 As described above, according to the printed wiring board of the second embodiment, the multilayer board 55 is counterbored from the surface layer, and the bottom of the cavity 21 is exposed so that a part region 65 of the insulating resin layer 61a of the multilayer board 55 is exposed. The cavity 22 is formed and counterbored to a part of the insulating resin layer 61a so as to leave a region (step portion 75) at a certain distance from the wall surface of the bottom of the cavity 21 so that the cavity 22 can accommodate the electronic component 86. A two-stage cavity structure is formed, in which the electronic component 86 is mounted (fixed) in the cavity 22, and the upper electrode 85 of the electronic component 86 and the connection pad 83 formed in the step portion 75 of the cavity 21 are connected by a bonding wire 89. By doing so, the following effects are obtained.

キャビティ22に実装した電子部品86の上部で段状に形成したキャビティ21の接続パッド83とワイヤーボンディングにより接続することで、従来のように多層基板55の内層で回路を引き回す必要がなくなり、キャビティ22内の電子部品86と外側の回路との接続を容易にすることができる。 By connecting to the connection pad 83 of the cavity 21 formed in a stepped manner on the upper part of the electronic component 86 mounted on the cavity 22 by wire bonding, it is not necessary to route the circuit in the inner layer of the multilayer board 55 as in the conventional case, and the cavity 22 is eliminated. The connection between the inner electronic component 86 and the outer circuit can be facilitated.

また、ワイヤーボンディング接続では、レーザ加工などが不要なため電子部品86の上部電極85の電極間隔や接続パッド83のパッド間隔を狭く(狭ピッチ化)できるので、今後さらなる微細化が可能である。 Further, in the wire bonding connection, since laser processing or the like is not required, the electrode spacing of the upper electrode 85 of the electronic component 86 and the pad spacing of the connection pad 83 can be narrowed (narrowed in pitch), so that further miniaturization is possible in the future.

さらに、キャビティ22の底部に露出させた薄いシード層12の上に電子部品84を固定するので、従来のBGAボールのような高さが不要になり、キャビティ22のスペースを有効に利用することができる。 Further, since the electronic component 84 is fixed on the thin seed layer 12 exposed at the bottom of the cavity 22, the height as in the conventional BGA ball becomes unnecessary, and the space of the cavity 22 can be effectively used. can.

また、多層基板54の内層中段に設けたキャビティ21に接続パッド83を設けたため、多層基板54の最上面よりもボンディングワイヤー89の高さが低くなり(高くなることがなくなり)、最上面に蓋をするなどして、電子部品86を実装した多層基板55を平坦に加工することが可能になる。 Further, since the connection pad 83 is provided in the cavity 21 provided in the middle stage of the inner layer of the multilayer board 54, the height of the bonding wire 89 is lower (and does not become higher) than the uppermost surface of the multilayer board 54, and the lid is on the uppermost surface. It becomes possible to flatten the multilayer board 55 on which the electronic component 86 is mounted.

この結果、第1実施形態と同様の効果に加えて、キャビティ22内の電子部品86とキャビティ外側の回路との接続を容易にすると共に、今後さらなる微細化が可能であり、さらにキャビティ21、22のスペースを有効に利用することができる。 As a result, in addition to the same effect as that of the first embodiment, the connection between the electronic component 86 inside the cavity 22 and the circuit outside the cavity can be facilitated, and further miniaturization is possible in the future, and the cavities 21 and 22 can be further miniaturized. Space can be used effectively.

(第3実施形態)
次に、図24乃至図37を参照して本発明に係る第3実施形態の印刷配線板について説明する。図37は本発明に係る第3実施形態の印刷配線板の構成を示す図である。なお、この第3実施形態を説明するにあたり、第1実施形態および第2実施形態と同じ構成には同一の符号を付しその説明は省略する。
(Third Embodiment)
Next, the printed wiring board of the third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. 24 to 37. FIG. 37 is a diagram showing a configuration of a printed wiring board according to a third embodiment of the present invention. In explaining the third embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations as those of the first embodiment and the second embodiment, and the description thereof will be omitted.

図37に示すように、第3実施形態の印刷配線板は、多層基板96(多層基板91とその上のビルドアップ層93、94、95など)の各層に設けられる導体(導体層17、97、98、102など)を上下(基板積層方向)に貫通して接続するスルーホール100と、多層基板96を最上層の上面からザグリ加工して多層基板96の内層の一部領域に設けた第1キャビティとしてのキャビティ21と、このキャビティ21の内側に凹形状に形成された第2キャビティとしてのキャビティ22と、キャビティ22に収容および固定(固着)された電子部品88と、キャビティ21の底部(段部75)に形成された導体層97と、この導体層97の上に形成された接続パッド83と、この接続パッド83と電子部品86の上部電極85とを接続するボンティングワイヤー89とを有する。 As shown in FIG. 37, the printed wiring board of the third embodiment is a conductor (conductor layers 17, 97) provided in each layer of the multilayer board 96 (multilayer board 91 and build-up layers 93, 94, 95, etc. on the multilayer board 91). , 98, 102, etc.) through the upper and lower sides (board stacking direction) and connected, and the multilayer board 96 is counterbored from the upper surface of the uppermost layer and provided in a part of the inner layer of the multilayer board 96. The cavity 21 as one cavity, the cavity 22 as a second cavity formed in a concave shape inside the cavity 21, the electronic component 88 housed and fixed (fixed) in the cavity 22, and the bottom of the cavity 21 ( The conductor layer 97 formed in the step portion 75), the connection pad 83 formed on the conductor layer 97, and the bonding wire 89 connecting the connection pad 83 and the upper electrode 85 of the electronic component 86 are formed. Have.

導体層97は、絶縁樹脂基板95の内層に形成されるものであり、スルーホール100に接続されている。導体層98は、多層基板の最上層の表面に形成されるダミーパターンである。 The conductor layer 97 is formed in the inner layer of the insulating resin substrate 95 and is connected to the through hole 100. The conductor layer 98 is a dummy pattern formed on the surface of the uppermost layer of the multilayer substrate.

導体層102は、多層基板96の最上層および/または最下層の表面にソルダーレジスト72で絶縁被膜して回路パターンとして機能するように形成される。 The conductor layer 102 is formed by insulating the surface of the uppermost layer and / or the lowermost layer of the multilayer board 96 with a solder resist 72 so as to function as a circuit pattern.

スルーホール100は、多層基板96のキャビティ21の領域外の部分に多層基板96を上下(基板積層方向)に貫通して設けられている。 The through hole 100 is provided so as to penetrate the multilayer board 96 vertically (in the substrate stacking direction) in a portion outside the region of the cavity 21 of the multilayer board 96.

すなわち、この第3実施形態の印刷配線板は、スルーホール100を設けた多層基板96を2段キャビティ構造とした例である。 That is, the printed wiring board of the third embodiment is an example in which the multilayer board 96 provided with the through hole 100 has a two-stage cavity structure.

以下、図24乃至図37を参照して第3実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する。この第3実施形態では、図31に示すように、多層基板96のキャビティ形成予定領域Cの下の層にはビア15を形成して回路を層間接続し、キャビティ形成予定領域C以外のエリア(場所)にスルーホール100を形成し各層に設けられる導体層17、97を基板積層方向に貫通接続するものとする。なお、多層基板96の基礎部分となるコア基板91の詳細な形成手順については、第1実施形態のコア基板51の形成手順で説明したため、ここでは説明を簡略して説明する。 Hereinafter, a method of manufacturing the printed wiring board of the third embodiment will be described with reference to FIGS. 24 to 37. In this third embodiment, as shown in FIG. 31, vias 15 are formed in the layer below the cavity formation planned region C of the multilayer board 96 to connect the circuits to each other, and the area other than the cavity formation planned region C ( A through hole 100 is formed in the place), and the conductor layers 17 and 97 provided in each layer are connected through in the substrate stacking direction. Since the detailed procedure for forming the core substrate 91, which is the basic portion of the multilayer substrate 96, has been described in the procedure for forming the core substrate 51 of the first embodiment, the description will be simplified here.

(コア基板形成工程)
1.絶縁層加工工程
この工程では、図24に示すように、基板11の上面および下面にシード層12(例えば薄銅箔などの導電性金属箔)を積層形成した基板11のキャビティ形成予定領域にレーザ加工にてビアホール下穴14を形成する。
(Core substrate forming process)
1. 1. Insulation layer processing step In this step, as shown in FIG. 24, a laser is used in a cavity formation region of the substrate 11 in which a seed layer 12 (for example, a conductive metal foil such as a thin copper foil) is laminated and formed on the upper surface and the lower surface of the substrate 11. The via hole pilot hole 14 is formed by processing.

続いて、基板11の上面の導体層16、17、ビア15などの回路部および下面の導電回路となる導体層17の形成予定箇所(導電層16、17形成予定領域)を除いて、シード層12上にドライフィルム13を貼り付けた後、上下の各面を露光および現像する。 Subsequently, the seed layer is excluded from the circuit portion such as the conductor layers 16 and 17 on the upper surface of the substrate 11 and the via 15 and the planned formation location (conducting layer 16 and 17 formation region) of the conductor layer 17 which is the conductive circuit on the lower surface. After the dry film 13 is attached on the 12, the upper and lower surfaces are exposed and developed.

2.パターンめっき処理工程
この工程では、図25に示すように、基板11の回路部形成用のビアホール下穴14とその周囲のシード層12にパターンめっき処理を施して基板11の上面および下面の導体層16、17を形成する。
2. 2. Pattern plating process In this step, as shown in FIG. 25, the via hole pilot hole 14 for forming the circuit portion of the substrate 11 and the seed layer 12 around the via hole pilot hole 14 are subjected to the pattern plating process, and the conductor layers on the upper surface and the lower surface of the substrate 11 are subjected to the pattern plating process. 16 and 17 are formed.

3.ドライフィルム剥離工程
パターンめっき処理の後、ドライフィルム13を剥離して、図26に示すように、基板11の表面にシード層12および導体層16、17を露出させる。露出させたシード層12のうち導電回路として不要な箇所をフラッシュエッチングにより除去する。これにより、図27に示すように、キャビティ形成予定領域にビア15を設け、キャビティ形成予定領域以外の領域(キャビティ形成予定領域の外側)に導体層17を設けたコア基板90が完成する。
3. 3. Dry film peeling step After the pattern plating process, the dry film 13 is peeled off to expose the seed layer 12 and the conductor layers 16 and 17 on the surface of the substrate 11 as shown in FIG. 26. A portion of the exposed seed layer 12 that is unnecessary as a conductive circuit is removed by flash etching. As a result, as shown in FIG. 27, the core substrate 90 is completed in which the via 15 is provided in the planned cavity formation region and the conductor layer 17 is provided in a region other than the planned cavity formation region (outside the planned cavity formation region).

(ビルドアップ層形成工程)
次に、図28に示すように、コア基板90の上層および/または下層にビルドアップを行ない、多層基板91(この例では4層構造の多層基板91)を作製する。この工程では、コア基板90の上にビルドアップ層91aを形成し、コア基板90の下にビルドアップ層91bを形成した4層構造の多層基板91を形成する。
(Build-up layer formation process)
Next, as shown in FIG. 28, build-up is performed on the upper layer and / or the lower layer of the core substrate 90 to manufacture a multilayer substrate 91 (in this example, a multilayer substrate 91 having a four-layer structure). In this step, the build-up layer 91a is formed on the core substrate 90, and the multi-layer substrate 91 having a four-layer structure in which the build-up layer 91b is formed under the core substrate 90 is formed.

ビルドアップ層91a、91bの回路形成には、例えば回路として不要な導体をエッチングで除去するサブトラクティブ法のみならず、コア基板90(図28参照)の形成方法と同様に、MSAP、SAPなどが適用できる。ビルドアップ層91a、91bの積層には、多段プレスまたは樹脂ラミネートなどの技術が利用される。 For circuit formation of the build-up layers 91a and 91b, for example, not only the subtractive method of removing unnecessary conductors as a circuit by etching, but also MSAP, SAP and the like as in the formation method of the core substrate 90 (see FIG. 28) are used. Applicable. Techniques such as multi-stage pressing or resin laminating are used for laminating the build-up layers 91a and 91b.

この例では、後にスルーホール100を形成するため、ビルドアップ層91a、91bの各層には、コア基板90の導体層17と上下(基板積層方向)に重なるように導体層17が形成される。また、ビルドアップ層91bの下面には、ビア15と接続される導体層92が一面に形成される。この導体層92は、貼り合わせ後の回路形成のため、めっき処理後、そのままにしておくものとする。 In this example, in order to form the through hole 100 later, a conductor layer 17 is formed in each of the build-up layers 91a and 91b so as to overlap the conductor layer 17 of the core substrate 90 in the vertical direction (board stacking direction). Further, on the lower surface of the build-up layer 91b, a conductor layer 92 connected to the via 15 is formed on one surface. The conductor layer 92 is left as it is after the plating process in order to form a circuit after bonding.

(片面ビルドアップ工程)
この工程では、図29に示すように、4層構造の多層基板91の片面(この例では基板上面)に対して、片面ビルドアップでビルドアップ層93を形成する。この際、ビルドアップ層93の上面のキャビティ形成予定領域にシード層12を形成する。
(One-sided build-up process)
In this step, as shown in FIG. 29, the build-up layer 93 is formed by one-sided build-up on one side (in this example, the upper surface of the board) of the multi-layer board 91 having a four-layer structure. At this time, the seed layer 12 is formed in the cavity formation planned region on the upper surface of the build-up layer 93.

また、ビルドアップ層93を積層した4層構造の多層基板91に、これとは独立して製造した多層基板94を、プリプレグ樹脂95を介して積層し貼り合わせることで、図29に示すようなスルーホール形成元となる多層基板96を作製する。この場合の積層加工には、例えば多段プレスなどを用いるものとする。 Further, as shown in FIG. 29, a multilayer board 94 manufactured independently of the multilayer board 91 having a four-layer structure in which the build-up layer 93 is laminated is laminated and bonded via a prepreg resin 95. A multilayer substrate 96 that is a source for forming through holes is manufactured. For the laminating process in this case, for example, a multi-stage press or the like is used.

なお、多層基板94の最上層には、銅ベタパターンなどの導体層98を一面に形成する。また、多層基板94の内層には、第1キャビティの形成予定領域に予めシード層74を形成し、その外側のスルーホール形成予定領域に導体層97を形成しておくものとする。 A conductor layer 98 such as a solid copper pattern is formed on one surface of the uppermost layer of the multilayer board 94. Further, in the inner layer of the multilayer substrate 94, the seed layer 74 is formed in advance in the region where the first cavity is planned to be formed, and the conductor layer 97 is formed in the region where the through hole is planned to be formed outside the seed layer 74.

(スルーホール形成工程)
この工程では、図30に示すように、多層基板96に対して、導体層17、97を上下(基板積層方向)に貫通するようにドリル(図示せず)でスルーホール下孔99を形成する。
(Through hole forming process)
In this step, as shown in FIG. 30, a through-hole pilot hole 99 is formed in the multilayer substrate 96 by a drill (not shown) so as to penetrate the conductor layers 17 and 97 vertically (in the substrate stacking direction). ..

次に、多層基板96に対して、スルーホール下孔99の壁面に導体層を形成するのを主目的にして電解めっき処理を行い、図31に示すように、導体層100を形成する。 Next, the multilayer substrate 96 is subjected to electrolytic plating treatment mainly for the purpose of forming a conductor layer on the wall surface of the through-hole pilot hole 99, and the conductor layer 100 is formed as shown in FIG. 31.

そして、多層基板96の上面の導体層98(銅ベタパターン)を加工して外層回路を形成する。この際、第1キャビティの形成予定領域の真上の領域Cの導体層(導体層98の一部、ダミーパターンともいう)を除去し、導体層98の下の樹脂部分を露出させておくものとする。これは、次の工程でのドリル加工(ザグリ加工)を行い易くするためである。 Then, the conductor layer 98 (copper solid pattern) on the upper surface of the multilayer board 96 is processed to form an outer layer circuit. At this time, the conductor layer (a part of the conductor layer 98, also referred to as a dummy pattern) in the region C directly above the region where the first cavity is to be formed is removed, and the resin portion under the conductor layer 98 is exposed. And. This is to facilitate drilling (counterbore processing) in the next process.

(第1キャビティ形成工程)
1.ドリル加工
この工程では、図31に示した多層基板96の、最上層の樹脂層が露出した領域C(第1キャビティ形成予定領域の真上の領域)を下方にドリル加工して内層の導体層97およびシード層74近傍付近まで樹脂層を除去してキャビティ21(図32参照)を形成する。
(First cavity forming step)
1. 1. Drilling In this step, in the multilayer substrate 96 shown in FIG. 31, the region C (the region directly above the region where the first cavity is to be formed) where the uppermost resin layer is exposed is drilled downward to form the inner conductor layer. The resin layer is removed to the vicinity of 97 and the seed layer 74 to form the cavity 21 (see FIG. 32).

具体的には、図31に示した、キャビティ形成予定領域の真上のパターンを除去した領域Cの端に、ドリル66(図32参照)を配置し、多層基板96の導体層97およびシード層74の手前の位置(キャビティ21の底部に至る手前の位置)まで削り込み、その後、図32に示すように、ドリル66をその位置から横方向Aへ移動させてザグリ加工を実施する。 Specifically, a drill 66 (see FIG. 32) is placed at the end of the region C from which the pattern directly above the planned cavity formation region is removed, as shown in FIG. 31, and the conductor layer 97 and the seed layer of the multilayer substrate 96 are arranged. The drill 66 is machined to a position in front of 74 (a position in front of the bottom of the cavity 21), and then, as shown in FIG. 32, the drill 66 is moved from that position in the lateral direction A to perform counterbore processing.

なお、この例では、キャビティ21の底部の上にプリプレグ樹脂層68の一部を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、導体層97の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。 In this example, a part of the prepreg resin layer 68 is left on the bottom of the cavity 21, but if the drilling accuracy is high, the conductor layer 97 may be scraped to the very limit of the surface.

ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた2段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体(遮蔽部材)として、導体層97およびシード層74を使うからである。シード層74は、例えば1μm~5μm程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体(導体層97)に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層74を貫通しないようにすることがよい。 The reason why the counterbore processing is performed in two stages including not only the laser processing described later but also the drill processing is that the conductor layer 97 and the seed layer 74 are used as the receiving conductor (shielding member) of the laser processing described later. be. The seed layer 74 is, for example, a conductor of about 1 μm to 5 μm, which is thinner than a conductor of ordinary pattern plating (conductor layer 97). It is preferable to reduce the output of the laser so as not to penetrate the seed layer 74 without increasing the output.

2.レーザ加工
この工程では、図33に示すように、キャビティ21の開口上方から矢印B方向にレーザ光を照射して、図32で底部に露出した、1.のドリル加工で残したプリプレグ樹脂層68の一部をレーザ加工により除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ(COレーザ)やYAGレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このように導体層97およびシード層74をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ21の底部に残した上層の樹脂の残部をレーザ加工により除去することで、シード層74と導体層97をキャビティ21の底部に露出させる。
2. 2. Laser processing In this step, as shown in FIG. 33, a laser beam is irradiated from above the opening of the cavity 21 in the direction of arrow B to be exposed at the bottom in FIG. 32. A part of the prepreg resin layer 68 left by the drilling process is removed by laser processing. For laser processing, for example, a processing laser such as a carbon dioxide gas laser (CO 2 laser) or a YAG laser can be applied. In this way, the conductor layer 97 and the seed layer 74 are used as a shielding member for laser light, and the residual resin of the upper layer left at the bottom of the cavity 21 is removed by laser processing, whereby the seed layer 74 and the conductor layer 97 are removed from the cavity 21. Expose to the bottom of the.

レーザ加工によってキャビティ21の底部のプリプレグ樹脂層68を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など)を用いて樹脂を分解除去する。あるいは、研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。 When the prepreg resin layer 68 at the bottom of the cavity 21 is machined by laser machining, a thin resin film may remain in that portion. In this case, desmear processing is performed. In the desmear treatment, the resin is swollen with a strong alkali, and then the resin is decomposed and removed using an oxidizing agent (for example, chromic acid, an aqueous solution of permanganate, etc.). Alternatively, the resin film may be removed by a wet blast treatment with an abrasive or a plasma treatment.

3.シード層除去
この工程では、キャビティ21の底部に露出した導体層97を残すようにシード層74の部分をフラッシュエッチングにより除去する。換言すると、フラッシュエッチングにより、キャビティ21の底部の導体層97の内側のシード層74(導電性金属箔)を除去する。フラッシュエッチングには、例えば硫酸過水系のエッチング液を用いる。
3. 3. Seed layer removal In this step, the portion of the seed layer 74 is removed by flash etching so as to leave the exposed conductor layer 97 at the bottom of the cavity 21. In other words, the seed layer 74 (conductive metal leaf) inside the conductor layer 97 at the bottom of the cavity 21 is removed by flash etching. For flash etching, for example, a sulfuric acid-based etching solution is used.

(第2キャビティ形成工程)
1.ドリル加工
この工程では、多層基板94のうち、キャビティ22(第2キャビティ)の底面となるシード層12の上の樹脂の部分をドリル加工して多層基板94の内層の樹脂層をシード層12近傍まで除去してキャビティ22の外壁を形成する。
(Second cavity forming step)
1. 1. Drilling In this step, the resin portion on the seed layer 12 which is the bottom surface of the cavity 22 (second cavity) of the multilayer board 94 is drilled to make the resin layer of the inner layer of the multilayer board 94 near the seed layer 12. To form the outer wall of the cavity 22.

具体的には、図34に示すように、第2キャビティ形成予定領域である領域69の一端に、ビット先端にセンサーを有するドリル66を配置し、多層基板94の上からシード層12の上の近傍位置(キャビティ22の底部に至る手前の位置)まで削り込む。この例では、導体層97の端の部分を削らないように、導体層97の幅よりも少し広い領域(段部75)を残してキャビティ21の側壁(壁面)とする。 Specifically, as shown in FIG. 34, a drill 66 having a sensor at the tip of a bit is arranged at one end of a region 69, which is a region where a second cavity is planned to be formed, and a drill 66 is arranged from above the multilayer substrate 94 to above the seed layer 12. It is cut down to a nearby position (a position before reaching the bottom of the cavity 22). In this example, a region (step portion 75) slightly wider than the width of the conductor layer 97 is left as a side wall (wall surface) of the cavity 21 so as not to scrape the end portion of the conductor layer 97.

その後、図34に示すように、ドリル66をその位置から横方向Aへ移動させてザグリ加工を実施することで、キャビティ22を形成する。 After that, as shown in FIG. 34, the drill 66 is moved from the position to the lateral direction A to perform counterbore processing, thereby forming the cavity 22.

なお、この例では、キャビティ22の底面となるシード層12の上にプリプレグ樹脂層68を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、シード層12の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。 In this example, the prepreg resin layer 68 is left on the seed layer 12 which is the bottom surface of the cavity 22, but if the drilling accuracy is high, the prepreg resin layer 68 may be scraped to the very limit of the surface of the seed layer 12.

ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた2段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体(遮蔽部材)として、シード層12を使うからである。シード層12は、例えば1μm~5μm程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層12を貫通しないようにすることがよい。 The reason why the counterbore processing is performed in two stages including not only the laser processing described later but also the drill processing is that the seed layer 12 is used as a receiving conductor (shielding member) for the laser processing described later. The seed layer 12 is, for example, a conductor of about 1 μm to 5 μm, which is thinner than a conductor of ordinary pattern plating, so that the laser output is not increased as in the case of removing a thick resin by counterbore processing only by laser processing. It is preferable to reduce the output of the laser so that it does not penetrate the seed layer 12.

2.レーザ加工
この工程では、図35に示すように、キャビティ22の開口上方から矢印B方向にレーザ光を照射して、図34でキャビティ22の底部に露出したプリプレグ樹脂層68を除去する(レーザ加工)。このレーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ(COレーザ)やYAGレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このようにシード層12をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ22の底部に残した上層部分の残部(プリプレグ樹脂層68)をレーザ光の照射により除去することで、図36に示すように、シード層12の一部を露出したキャビティ22の底部を形成する。
2. 2. Laser processing In this step, as shown in FIG. 35, laser light is irradiated from above the opening of the cavity 22 in the direction of arrow B to remove the prepreg resin layer 68 exposed at the bottom of the cavity 22 in FIG. 34 (laser processing). ). For this laser processing, for example, a processing laser such as a carbon dioxide gas laser (CO 2 laser) or a YAG laser can be applied. As shown in FIG. 36, the seed layer 12 is used as a shielding member for laser light, and the remaining portion (prepreg resin layer 68) of the upper layer portion left at the bottom of the cavity 22 is removed by irradiation with laser light. It forms the bottom of the cavity 22 with a portion of the seed layer 12 exposed.

レーザ加工によってキャビティ22の底部のプリプレグ樹脂層68を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合があるため、この場合は上記第1キャビティ形成時と同様にデスミア処理が行われる。 When the prepreg resin layer 68 at the bottom of the cavity 22 is machined by laser machining, a thin resin film may remain in that portion. In this case, the desmear treatment is performed in the same manner as when the first cavity is formed.

この例のようにレーザ光の受け導体(レーザ光の遮蔽部材)であるシード層12の幅を、キャビティ22の幅よりも広く形成しておくことで、キャビティ22の底面の延長線上のキャビティ22の隣の多層基板96の内層にシード層12が入り込んだ形で残るため、シード層12を回路の一部として後述する電子部品84との接続に利用することも可能である。 By forming the width of the seed layer 12, which is a laser light receiving conductor (laser light shielding member), wider than the width of the cavity 22 as in this example, the cavity 22 on the extension line of the bottom surface of the cavity 22 is formed. Since the seed layer 12 remains in the inner layer of the multilayer board 96 next to the above, the seed layer 12 can be used as a part of the circuit for connection with the electronic component 84 described later.

(外層回路形成工程)
この工程では、図36に示した多層基板96の最下層の導体層92に対して電着レジスト工法などで、図37に示すように、回路として導体層102を形成する。回路形成には、凹みや貫通孔の壁面への追従性が優れた電着レジストをエッチングレジストに用いたサブトラクティブ法が適している。なお、電着レジストは、電着塗装の性質を応用したエッチングレジストの一つである。また、最上層の導体層98に対しても同様に回路として導体層102を形成する。
(Outer layer circuit formation process)
In this step, as shown in FIG. 37, the conductor layer 102 is formed as a circuit on the conductor layer 92 of the lowermost layer of the multilayer substrate 96 shown in FIG. 36 by an electrodeposition resist method or the like. For circuit formation, a subtractive method using an electrodeposited resist having excellent followability to the wall surface of a dent or a through hole as an etching resist is suitable. The electrodeposition resist is one of the etching resists to which the properties of electrodeposition coating are applied. Further, the conductor layer 102 is similarly formed as a circuit for the conductor layer 98 of the uppermost layer.

(ソルダーレジスト工程)
この工程では、図37に示すように、上下の導体層102の一部を含めて絶縁被膜し、ソルダーレジスト72を形成する。
(Solder resist process)
In this step, as shown in FIG. 37, an insulating film is formed including a part of the upper and lower conductor layers 102 to form a solder resist 72.

(電子部品装着場所形成工程)
この工程では、図37に示すように、キャビティ22の底部に露出したシード層12の上にニッケルめっきおよび金めっきなどの金属めっき層81を形成し、その上に接着材を塗布して接着層82を形成する。また、キャビティ21の底部の導体層97(段部)の上に、電子部品88との接続のための接続パッド83を、ニッケルめっきおよび金めっきなどのめっき処理により形成する。
(Process for forming the mounting location of electronic components)
In this step, as shown in FIG. 37, a metal plating layer 81 such as nickel plating and gold plating is formed on the seed layer 12 exposed at the bottom of the cavity 22, and an adhesive material is applied thereto to form an adhesive layer. Form 82. Further, a connection pad 83 for connecting to the electronic component 88 is formed on the conductor layer 97 (step portion) at the bottom of the cavity 21 by plating such as nickel plating and gold plating.

(電子部品実装工程)
この工程では、図37に示すように、キャビティ22の底部の接着層82の上に電子部品88を載置し接着および固定する。電子部品88は、第2実施形態の電子部品86(図23参照)に比べてより厚みのあるものである。
(Electronic component mounting process)
In this step, as shown in FIG. 37, the electronic component 88 is placed on the adhesive layer 82 at the bottom of the cavity 22 and adhered and fixed. The electronic component 88 is thicker than the electronic component 86 (see FIG. 23) of the second embodiment.

続いて、電子部品88の上部電極85とキャビティ21の底部(段部75)の接続パッド83とをワイヤーボンディングにより接続することで、電子部品86と多層基板96のキャビティ外側の回路(導体層97やこの導体層97に接続されたスルーホール100など)とを接続する。このようにして第1実施形態よりも厚みのある電子部品86をキャビティ22に収容した印刷配線板を作製することができる。 Subsequently, by connecting the upper electrode 85 of the electronic component 88 and the connection pad 83 at the bottom (step portion 75) of the cavity 21 by wire bonding, the electronic component 86 and the circuit outside the cavity (conductor layer 97) of the multilayer board 96 are connected. And through holes 100 connected to the conductor layer 97, etc.). In this way, a printed wiring board in which the electronic component 86 thicker than that of the first embodiment is housed in the cavity 22 can be manufactured.

上記各実施形態における印刷配線板の製造手順の例は一例であり、各処理工程を入れ替え、また新たな処理工程を追加し、一部の処理工程を削除することで、処理工程をさまざまに変えることも可能である。 The example of the manufacturing procedure of the printed wiring board in each of the above embodiments is an example, and the processing processes can be changed in various ways by replacing each processing process, adding a new processing process, and deleting a part of the processing processes. It is also possible.

このようにこの第3実施形態の印刷配線板によれば、多層基板91に多層基板96を貼りあわせた厚みのある多層基板96を2段キャビティ構造とし、多層基板96に各層の回路(導体層17、97、102など)をスルーホール100で貫通接続することで、第1実施形態と同様にキャビティ22内の電子部品88とキャビティ21の外側の回路との接続を容易にすると共に、今後さらなる微細化が可能であり、さらにキャビティ22のスペースを有効に利用することができる、といった効果が得られる他、厚みのある電子部品88を多層基板96の上面からはみ出さないように実装できるので、さらにビルドアップ基板を積層形成するなど、さらなる多層化が可能になる。 As described above, according to the printed wiring board of the third embodiment, the thick multilayer board 96 in which the multilayer board 96 is bonded to the multilayer board 91 has a two-stage cavity structure, and the circuit (conductor layer) of each layer is formed on the multilayer board 96. 17, 97, 102, etc.) are connected through the through hole 100 to facilitate the connection between the electronic component 88 in the cavity 22 and the circuit outside the cavity 21 as in the first embodiment, and further in the future. In addition to the effects that miniaturization is possible and the space of the cavity 22 can be effectively used, the thick electronic component 88 can be mounted so as not to protrude from the upper surface of the multilayer board 96. Furthermore, it is possible to further increase the number of layers, such as laminating and forming build-up boards.

本発明の実施の形態を説明したが、この実施の形態は、例として示したものであり、この他の様々な形態で実施が可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の省略、置き換え、変更を行うことができる。 Although the embodiment of the present invention has been described, this embodiment is shown as an example, and can be implemented in various other forms, and the components of the invention are not deviated from the gist of the invention. It can be omitted, replaced, or changed.

11…絶縁樹脂層(基板)
12、74…シード層
13…ドライフィルム
14…ビアホール下穴
15…ビア
16、17、63、64、69、70、73、92、102…導体層
18…ドライフィルム
21、22…キャビティ
51、90…コア基板
54、91、94、96…多層基板
61(61a、61b)、62…ビルドアップ層
65、69…領域
66…ドリル
68…プリプレグ樹脂層
72…ソルダーレジスト
84、86、88…電子部品
85…上部電極
89…ボンディングワイヤー
99…スルーホール下孔
100…スルーホール
11 ... Insulation resin layer (board)
12, 74 ... Seed layer 13 ... Dry film 14 ... Via hole pilot hole 15 ... Via 16, 17, 63, 64, 69, 70, 73, 92, 102 ... Conductor layer 18 ... Dry film 21, 22 ... Cavities 51, 90 ... Core substrate 54, 91, 94, 96 ... Multilayer substrate 61 (61a, 61b), 62 ... Build-up layer 65, 69 ... Region 66 ... Drill 68 ... Prepreg resin layer 72 ... Solder resist 84, 86, 88 ... Electronic components 85 ... Upper electrode 89 ... Bonding wire 99 ... Through hole pilot hole 100 ... Through hole

Claims (7)

厚みが1μm以上5μm以下のシード層を形成済みの基板を準備する工程と、
前記シード層が形成された前記基板にビアホール下穴を形成する工程と、
前記シード層上に第1のドライフィルムを貼り付け、露光および現像して、後に形成するビアおよびその周囲の前記シード層上の前記第1のドライフィルムを除く工程と、
前記基板に形成した前記ビアホール下穴および該ビアホール下穴の周囲の前記シード層上にパターンめっき処理を施して、前記ビアホール下穴にビアを、および前記ビアホール下穴の周囲の前記シード層上に導電層を形成する工程と、
前記基板上から、残った前記第1のドライフィルムを剥離する工程と、
前記ビアおよび前記導電層を形成した前記基板上の、後にキャビティ形成予定領域となる部分の幅よりも広くして第2のドライフィルムを形成する工程と、
前記シード層のうち、前記第2のドライフィルム外の部分を除去してコア基板を形成する工程と、
前記コア基板にビルドアップ層を積層して、前記シード層の一部が内部に埋め込まれた多層基板を作製する工程と、
前記多層基板の一部領域を上方からドリル加工して前記シード層上の近傍位置まで絶縁樹脂を除去してキャビティを形成する工程と、
前記シード層をレーザ光の遮蔽部材にして、前記キャビティに残る前記絶縁樹脂の残部をレーザ加工により除去し、前記シード層を前記キャビティの底部に露出させる工程と
を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法。
The process of preparing a substrate on which a seed layer having a thickness of 1 μm or more and 5 μm or less has been formed, and
A step of forming a via hole pilot hole in the substrate on which the seed layer is formed, and
A step of attaching the first dry film on the seed layer, exposing and developing the vias to be formed later and removing the first dry film on the seed layer around the vias.
The via hole pilot hole formed on the substrate and the seed layer around the via hole pilot hole are subjected to pattern plating treatment to form a via on the via hole pilot hole and on the seed layer around the via hole pilot hole. The process of forming the conductive layer and
The step of peeling off the remaining first dry film from the substrate,
A step of forming a second dry film on the substrate on which the via and the conductive layer are formed, which is wider than the width of a portion to be a region to be formed later.
A step of removing a portion of the seed layer outside the second dry film to form a core substrate.
A step of laminating a build-up layer on the core substrate to produce a multilayer substrate in which a part of the seed layer is embedded inside.
A step of drilling a part of a region of the multilayer board from above to remove an insulating resin to a position close to the seed layer to form a cavity.
The printed wiring is characterized in that the seed layer is used as a shielding member for laser light, the remaining portion of the insulating resin remaining in the cavity is removed by laser processing, and the seed layer is exposed to the bottom of the cavity. How to make a board.
記基板の前記キャビティ外の領域に前記キャビティに収容される電子部品をワイヤーボンディングにより接続するための接続パッドを形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の印刷配線板の製造方法。 The printed wiring board according to claim 1, further comprising a step of forming a connection pad for connecting electronic components housed in the cavity by wire bonding in a region outside the cavity of the substrate . Production method. 前記キャビティの底部の端の領域を残してザグリ加工して、前記底部よりも下層に形成された第2シード層がキャビティ底部に露出するように第2キャビティを形成する工程を有することを特徴とする請求項1記載の印刷配線板の製造方法。 It is characterized by having a step of forming a second cavity so that the second seed layer formed below the bottom is exposed to the bottom of the cavity by counterbore processing leaving the region at the end of the bottom of the cavity. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1. 前記第2キャビティの形成の際に残した前記キャビティの端の領域に、前記第2キャビティに収容される電子部品をワイヤーボンディングにより接続するための接続パッドを形成する工程を有することを特徴とする請求項記載の印刷配線板の製造方法。 It is characterized by having a step of forming a connection pad for connecting electronic components housed in the second cavity by wire bonding in the region of the end of the cavity left during the formation of the second cavity. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 3 . 露出した前記シード層の上に接着層を介して電子部品を接着する工程をさらに有することを特徴とする請求項1記載の印刷配線板の製造方法。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, further comprising a step of adhering an electronic component on the exposed seed layer via an adhesive layer. 前記多層基板の各層に設けられる導体を層毎に貫通して接続するビアを前記多層基板の各層に形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至請求項いずれか1項に記載の印刷配線板の製造方法。 Any one of claims 1 to 5 , wherein a via is formed in each layer of the multilayer board by penetrating and connecting a conductor provided in each layer of the multilayer board. The method for manufacturing a printed wiring board according to the section. 前記多層基板の各層に設けられる導体に接続するスルーホールを形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至請求項いずれか1項に記載の印刷配線板の製造方法。 The method for manufacturing a printed wiring board according to any one of claims 1 to 6 , further comprising a step of forming a through hole connected to a conductor provided in each layer of the multilayer board .
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